Ir2106S схема включения. Силовые IGBT транзисторы: принципы подбора, характеристики и применение в сварочных инверторах — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Как правильно подобрать IGBT транзисторы для ремонта сварочного инвертора. Какие основные параметры транзисторов важны. Как отличить оригинальные транзисторы от подделок. Особенности применения IGBT транзисторов в силовой электронике.

Содержание

Основные критерии выбора IGBT транзисторов для сварочных инверторов

При ремонте сварочных инверторов часто требуется замена вышедших из строя IGBT транзисторов. Правильный подбор новых транзисторов критически важен для надежной работы отремонтированного устройства. Рассмотрим основные параметры, на которые следует обращать внимание:

Наличие встроенного обратного диода
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
Максимальный ток коллектора
Входная емкость затвора
Время включения и выключения
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Важность встроенного обратного диода

Наличие встроенного обратного диода является обязательным требованием для большинства схем включения IGBT в сварочных инверторах. Почему это так важно?

Обратный диод обеспечивает протекание тока в обратном направлении при работе транзистора в составе мостовых и полумостовых схем
Защищает транзистор от пробоя обратным напряжением
Снижает коммутационные потери при переключении

Исключением является схема «косого полумоста», где наличие встроенного диода необязательно.

Выбор максимального напряжения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — один из ключевых параметров при выборе IGBT. Как его правильно подобрать?

Для бытовых сварочных инверторов на 220В обычно используются транзисторы на 600-650В
Применение транзисторов на более высокое напряжение (900-1200В) нежелательно из-за увеличения потерь
Запас по напряжению должен быть не менее 20-30% от напряжения питания инвертора

Максимальный ток коллектора — на что обратить внимание

При выборе максимального тока коллектора IGBT важно учитывать следующие моменты:

Ориентироваться нужно на ток при температуре 100°C, а не при 25°C

Типичные значения для сварочных инверторов — 30А, 40А, 60А
Запас по току должен быть не менее 20-30% от максимального рабочего тока

Входная емкость затвора и ее влияние на работу схемы

Входная емкость затвора IGBT влияет на скорость переключения и нагрузку на драйвер. На что обратить внимание?

Емкость новых транзисторов не должна превышать емкость оригинальных
Увеличенная емкость приводит к затягиванию фронтов импульсов
Возрастает нагрузка на драйвер, что может привести к его выходу из строя

Влияние времени включения и выключения на работу инвертора

Время включения и особенно выключения IGBT критически важно для минимизации коммутационных потерь. Что нужно учитывать?

Время выключения более критично, чем время включения

Новые транзисторы должны иметь не большее время переключения, чем оригинальные
Увеличенное время переключения приводит к росту коммутационных потерь и перегреву

Напряжение насыщения и его влияние на потери

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер определяет статические потери IGBT во включенном состоянии. Почему это важно?

Меньшее напряжение насыщения означает меньшие потери и нагрев
У новых транзисторов напряжение насыщения не должно превышать значение оригинальных
Типичные значения для современных IGBT — 1.5-2В

Особенности выбора MOSFET транзисторов

Хотя MOSFET транзисторы реже применяются в мощных сварочных инверторах, иногда их также используют. В чем отличия при выборе MOSFET?

Встроенный обратный диод есть у всех MOSFET
Время переключения менее критично из-за высокого быстродействия
Ключевой параметр — сопротивление открытого канала

Проблема качества и подделок силовых транзисторов

К сожалению, на рынке много поддельных и некачественных силовых транзисторов. С какими проблемами можно столкнуться?

Полностью нерабочие транзисторы-пустышки
Восстановленные бывшие в употреблении транзисторы
Перемаркированные транзисторы меньшей мощности
Транзисторы с заниженными реальными характеристиками

Как отличить оригинальные транзисторы от подделок

Определить подлинность силовых транзисторов бывает непросто, но есть несколько признаков, на которые стоит обратить внимание:

Качество маркировки и внешнего вида корпуса
Соответствие размеров и формы корпуса заявленным
Качество и длина выводов
Проверка основных параметров простейшими измерениями

Преимущества оригинальных транзисторов от известных производителей

Использование оригинальных транзисторов от проверенных производителей имеет ряд важных преимуществ:

Гарантированное соответствие заявленным характеристикам
Высокая надежность и долговечность
Стабильность параметров от экземпляра к экземпляру
Доступность подробной технической документации

Особенности монтажа IGBT транзисторов в сварочных инверторах

Правильный монтаж IGBT транзисторов критически важен для их надежной работы. На что обратить внимание при установке?

Качественный теплоотвод и правильное применение теплопроводящих паст
Соблюдение усилия затяжки крепежа
Отсутствие механических напряжений на выводах
Защита от статического электричества при монтаже

Типичные причины выхода из строя IGBT транзисторов

Зная основные причины отказов IGBT, можно предпринять меры для повышения надежности отремонтированного устройства. Наиболее частые проблемы:

Перегрев из-за недостаточного охлаждения
Превышение предельных электрических режимов
Пробой статическим электричеством при монтаже
Механические повреждения кристалла из-за вибрации

Заключение

Правильный выбор и применение IGBT транзисторов — ключ к надежной работе отремонтированного сварочного инвертора. Внимание к основным параметрам, использование качественных оригинальных компонентов и соблюдение правил монтажа позволит обеспечить длительную и безотказную эксплуатацию устройства.

диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности применения

приобрести
Ответы по Силовым полупроводниковым устройствам автоматики
скачать (4067 kb.)
Доступные файлы (83):

n3.doc

Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности применения.

1.1. Диоды — силовые полупроводниковые приборы.

Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

Рис.1. Диод .

История создания и развития диодов

Развитие диодов началось в третьей четверти XIX века сразу по двум направлениям: в 1873 году британский учёный Фредерик Гутри открыл принцип действия термоионных (вакуумных ламповых с прямым накалом) диодов, в 1874 году германский учёный Карл Фердинанд Браун открыл принцип действия кристаллических (твёрдотельных) диодов.

Принципы работы термоионного диода были заново открыты тринадцатого февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и затем, в 1883 году, запатентованы (патент США № 307031). Однако дальнейшего развития в работах Эдисона идея не получила. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле. Джэдиш Чандра Боус развил далее открытие Брауна в устройство применимое для детектирования радио. Около 1900 года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) в 1904 году в ноябре шестнадцатого (патент США № 803684 от ноября 1905 года). В 1906 году в ноябре двадцатого Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор (патент США № 836531). В конце XIX века устройства подобного рода были известны под именем выпрямителей, и лишь в 1919 году Вильям Генри Иклс ввёл в оборот слово «диод», образованное от греческих корней «di» — два, и «odos» — путь.

Типы диодов

Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые диоды используют свойство односторонней проводимости p-n перехода — контакта между полупроводниками с разным типом примесной проводимости, либо между полупроводником и металлом (Диод Шоттки).

Ламповые диоды

Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается нитью накала. Благодаря этому, часть электронов покидает поверхность разогретого электрода (катода) и под действием электрического поля движется к другому электроду — аноду. Если же поле направлено в противоположную сторону, электрическое поле препятствует этим электронам и тока (практически) нет.

Специальные типы диодов

Стабилитроны (диод Зенера). Используют обратную ветвь характеристики диода с обратимым пробоем для стабилизации напряжения.
Туннельные диоды (диоды Лео Эсаки). Диоды, существенно использующие квантовомеханические эффекты. Имеют область т. н. «отрицательного сопротивления» на вольт-амперной характеристике. Применяются как усилители, генераторы и пр.

Туннельный и обращенный диоды

Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p⁺-n⁺ перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке вольт-амперной характеристики которого наблюдается n-образная зависимость тока от напряжения. На рисунке 4.14 приведена вольт-амперная характеристика типичного туннельного диода при прямом смещении.

Проанализируем особенности вольт-амперной характеристики туннельного диода. Для этого рассмотрим p⁺-n⁺ переход, образованный двумя вырожденными полупроводниками.

Если концентрация доноров и акцепторов в эмиттере и базе диода будет N_A, N_D ~ 10²⁰ см^-3, то концентрация основных носителей будет много больше эффективной плотности состояний в разрешенных зонах p_p0, n_n0 >> N_C, N_V. В этом случае уровень Ферми будет находиться в разрешенных зонах p⁺ и n⁺ полупроводников.

Рис. Туннельный диод 1И104:

а) вольтамперная характеристика при прямом смещении; б) конструкция туннельного диода

Варикапы. Используется то, что запертый p—n-переход обладает большой ёмкостью, причём ёмкость зависит от выставленного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости.
Светодиоды (диоды Генри Раунда). В отличие от обычных диодов, при рекомбинации электронов и дырок в переходе излучают свет в видимом диапазоне, а не в инфракрасном. Однако, выпускаются светодиоды и с излучением в ИК диапазоне, а с недавних пор — и в УФ.
Полупроводниковые лазеры. По устройству близки к светодиодам, однако имеют лазерный резонатор, излучают когерентный свет.
Фотодиоды. Запертый фотодиод открывается под действием света.
Солнечный элемент Подобен фотодиоду, но работает без смещения. Падающий на p-n переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.
Диоды Ганна. Используются для генерации и преобразования частоты в СВЧ диапазоне.
Диод Шоттки. Диод с малым падением напряжения при прямом включении.
Лавинно-пролётный диод. Диод, работающий за счёт лавинного пробоя.
Магнитодиод. Диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.
Стабисторы. При работе используется участок ветви вольт-амперной характеристики, соответствующий «прямому напряжению» на диоде.
Смесительный диод — предназначен для перемножения 2-ух высокочастотных сигналов.
pin диод — содержит область собственной проводимости между сильнолегированными областями. Используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор

Применение диодов.

Диодные выпрямители

Рис.
Трёхфазный выпрямитель Ларионова А. Н. на трёх полумостах

Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный (точнее, в однонаправленный пульсирующий). Диодный выпрямитель или диодный мост (то есть 4 диода для однофазной схемы (6 для трёхфазной полумостовой схемы или 12 для трёхфазной полномостовой схемы), соединённых между собой по схеме) — основной компонент блоков питания практически всех электронных устройств. Диодный трёхфазный выпрямитель по схеме Ларионова А. Н. на трёх параллельных полумостах применяется в автомобильных генераторах, он преобразует переменный трёхфазный ток генератора в постоянный ток бортовой сети автомобиля. Применение генератора переменного тока в сочетании с диодным выпрямителем вместо генератора постоянного тока с щёточно-коллекторным узлом позволило значительно уменьшить размеры автомобильного генератора и повысить его надёжность. В некоторых выпрямительных устройствах до сих пор применяются селеновые выпрямители. Это вызвано той особенностью данных выпрямителей, что при превышении предельно допустимого тока, происходит выгорание селена (участками), не приводящее (до определенной степени) ни к потере выпрямительных свойств, ни к короткому замыканию — пробою. В высоковольтных выпрямителях применяются селеновые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых селеновых выпрямителей и кремниевые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых кремниевых диодов.

Диодные детекторы

Диоды в сочетании с конденсаторами применяются для выделения низкочастотной модуляции из амплитудно-модулированного радиосигнала или других модулированных сигналов. Диодные детекторы применяются почти во всех радиоприёмных устройствах: радиоприёмниках, телевизорах и т. п.. Используется квадратичный участок вольтамперной характеристики диода.

Диодная защита

Диоды применяются также для защиты разных устройств от неправильной полярности включения и т. п. Известна схема диодной защиты схем постоянного тока с индуктивностями от скачков при выключении питания. Диод включается параллельно катушке так, что в «рабочем» состоянии диод закрыт. В таком случае, если резко выключить сборку, возникнет ток через диод, и сила тока будет уменьшаться медленно (ЭДС индукции будет равна падению напряжения на диоде), и не возникнет мощного скачка напряжения, приводящего к искрящим контактам и выгорающим полупроводникам.

Диодные переключатели

Применяются для коммутации высокочастотных сигналов. Управление осуществляется постоянным током, разделение ВЧ и управляющего сигнала с помощью конденсаторов и индуктивностей.

1.2. Транзисторы — силовые полупроводниковые приборы.

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление или transconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменное сопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Рис.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 смІ) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.

История

Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии 1928 (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах 20 века МОП-технология стала доминировать над биполярной. В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости. Позднее вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронных устройств, свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров. Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании. Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах — напряжением между затвором и истоком, в биполярных транзисторах — напряжением между базой и эмиттером).

Классификация транзисторов

▪ Биполярные:

где

Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база;

▪ Полевые:

где

З — затвор, И — исток, С — сток.

По основному полупроводниковому материалу

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

Германиевые
Кремниевые
Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.

Биполярные

n-p-n структуры, «обратной проводимости».

p-n-p структуры, «прямой проводимости»

Полевые

с p-n переходом

с изолированным затвором

Однопереходные

Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)
Комбинированные транзисторы

Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

Транзистор Дарлингтона— комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

на транзисторах одной полярности

на транзисторах разной полярности

Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

Биполярный транзистор с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.
По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

маломощные транзисторы — до 100 мВт

транзисторы средней мощности — от 0,1 до 1 Вт

мощные транзисторы — (больше 1 Вт).
По исполнению

дискретные транзисторы

корпусные

Для свободного монтажа

Для установки на радиатор

Для автоматизированных систем пайки

Бес корпусные

транзисторы в составе интегральных схем.
По материалу и конструкции корпуса

металло-стеклянный

пластмассовый

керамический
Прочие типы

Одноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т.н. «остров») между двумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением на затворе, связанным с ним ёмкостной связью.
Выделение по некоторым характеристикам

Транзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно — «прорыв в малом сигнале») — биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счёт изменения конструкции зоны эмиттера. Первые разработки этого класса устройств также носили наименование «микротоковые приборы». Транзисторы со встроенными резисторами RET (Resistor-equipped transistors) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами. RET транзистор общего назначения со встроенным одним или двумя резисторами. Такая конструкция транзистора позволяет сократить количество навесных компонентов и минимизирует необходимую площадь монтажа. RET транзисторы применяются для контроля входного сигнала микросхем или для переключения меньшей нагрузки на светодиоды. Применение гетероперехода позволяет создавать высокоскоростные и высокочастотные полевые транзисторы, такие как HEMT.
Применение транзисторов

Транзисторы применяются в качестве активных (усилительных) элементов в усилительных и переключательных каскадах. Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления мощности, чем транзисторы, но работают только в ключевом (переключательном) режиме.
Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности применения
Оригинальные силовые биполярные IGBT транзисторы из Китая и немного о ремонте
Обзор специфичный, но наверняка кому-то будет полезен. Будет много технической информации, прошу понять и простить.

Длинная, но полезная предыстория
Иногда мне попадается на ремонт различная силовая электроника, например сварочные инверторы, преобразователи напряжения и частоты, приводы, блоки питания и т.п. Их ремонт часто связан с заменой различных силовых элементов (мосты, конденсаторы, реле, транзисторы MOSFET и IGBT). В магазинах чип и дип, компел, платан, элитан их купить в принципе не проблема, но оригинальные элементы стоят очень недёшево и с учётом доставки вызывают грусть-печаль…

В заначке у меня лежит немного разных силовых элементов для быстрого ремонта всячины, но когда требуется 8 одинаковых транзисторов, дело немного осложняется…
Есть 3 основные причины поломки такой техники:
1. Неправильная эксплуатация самим пользователем — это основная причина поломки аппаратов.
Существует куча способов убить исправный аппарат, перечислять их можно бесконечно…
2. Косяки производителя — некачественные элементы и сборка. В данном случае иногда помогает гарантия (но далеко не всегда).
3. Естественный износ — происходит, если аппаратом пользоваться очень аккуратно или редко за длительный период времени. Как правило, до естественного износа аппараты не доживают 🙁
На этот раз в ремонт попал сварочный инвертор Сварог ARC205 (Jasic J96) после неудачного ремонта в мастерской. Изначальная причина выхода их строя была №2 и затем аппарат добили в мастерской Очень часто после таких «ремонтов» аппараты восстановлению уже не подлежат, т.к. отсутствуют крепёжные элементы и появляются дополнительные механические и электрические повреждения. Так и в этот раз — половина крепежа утеряна, не хватает прижимных планок, транзисторы стоят все пробитые и разные, причём которые в принципе тут работать не могли. Первопричиной неисправности явился конструктивный недостаток этого инвертора — плата управления своими элементами касалась металлической рамы. Это и привело к сбою работы управляющей схемы и выходу из строя IGBT транзисторов, а затем драйвера и схемы плавного пуска. Ремонт получался либо быстро и дорого, либо приемлемо но долго, поэтому хозяин аппарата решил его не восстанавливать и просто отдал на запчасти. Такое часто бывает… Если-бы ремонт сразу проводил нормальный мастер, проблем с восстановлением было-бы заметно меньше.
Фото внутренностей сварочника в исходном виде я не делал, т.к. писать этот обзор не планировал.
Т.к. этот сварочник более-менее приличный, решил его неспешно восстановить для себя 🙂
О подборе
При замене транзисторов, вовсе не обязательно ставить точно такие-же, как стояли с завода. Кроме того, зачастую родные транзисторы стоят не лучшего качества, ибо китайский производитель также пытается сэкономить иногда в ущерб надёжности работы. В интернете мало информации по принципам подбора аналогов, поэтому напишу из собственного опыта.
Основными критериями при подборе IGBT транзистора в сварочный инвертор являются:
1. Наличие встроенного диода. Обычно он необходим всегда, кроме схемы подключения «косой полумост», где его наличие непринципиально.
2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. В бытовых сварочниках на 220В почти всегда, за редким исключением, стоят транзисторы на 600-650 вольт. Туда можно ставить только транзисторы на 600 (650) вольт. Транзисторы на 900 и 1200 вольт ставить нельзя — они будут перегреваться за счёт повышенного падения напряжения, к тому-же и стоят они дороже.
3. Максимальный ток коллектора. Обычно используют транзисторы на 30А, 40А или 60А (при температуре 100°C). На ток при температуре 25гр внимание не обращаем ибо важен именно реальный рабочий режим.
4. Входная ёмкость затвора. Желательно, чтобы ёмкость была не более, чем у родных транзисторов, чтобы не перегружать драйвер и не затягивать фронты импульсов.
5. Время включения и особенно отключения. Должно быть не более, чем у родных, чтобы не греть транзисторы коммутационными потерями.
6. Напряжение насыщения. Должно быть не более, чем у родных транзисторов, чтобы не греть транзисторы омическими потерями.
7. Если транзисторы стоят на изоляционных прокладках, на максимальную мощность внимания можно вообще не обращать — всё равно термопрокладка не позволит передать радиатору более 50Вт рассеиваемой мощности. Если транзисторы установлены на отдельные изолированные радиаторы, на мощность уже следует смотреть, т.к. при этом из транзисторов выжимается максимум мощности (там их часто ставят в уменьшенном количестве 2 шт в полумост или 4шт в мост).
Для MOSFET критерии подбора немного другие, но общий принцип тот-же.
— Встроенный диод имеется всегда т.к. он автоматически получается в технологическом процессе производства
— Время включения и отключения не имеет большого значения, т.к. оно заведомо меньше требуемого (мосфеты весьма шустрые элементы)
— Вместо напряжения насыщения огромное значение имеет сопротивление открытого канала — чем оно меньше, тем будут меньше омическиие потери
О качестве
Под видом оригинальных, китайский продавец может прислать элементы сильно разного качества — неисправные, перемаркированные, либо восстановленные. На странице заказа фото товара можно не смотреть — показать могут и оригинал, а прислать не то.
Заказывая товар недорого у непроверенного продавца, Вам наверняка пришлют товар низкого качества, даже не сомневайтесь. Этот вариант для меня совершенно неприемлем, ибо нужны гарантированно качественные новые элементы.
Основные категории данного товара:
1. Неисправные — пустышки без кристалла, либо пробитые. Работать естественно не могут никак.
2. Восстановленные бывшие в употреблении — имеют кривые короткие либо кустарно наваренные выводы, которые ломаются при попытке их согнуть. Как правило, работают нормально, но у них есть неприятная особенность — их параметры довольно сильно гуляют у каждого экземпляра, что иногда неприемлемо.
3. Перемаркированные — берут транзистор меньшей мощности, спиливают или затирают маркировку и наносят новую для покупателя. Иногда уже при изготовлении берут кристалл от маломощного транзистора (для TO-220) и помещают его в корпус TO-3PN, TO-247. Такие элементы зачастую работают, но как правило недолго, иногда всего несколько секунд…
4. Оригинальные — тут всё понятно без комментариев 🙂

Представляю на обзор оригинальные биполярные IGBT транзисторы FGA40N65SMD от ON Semiconductor (Fairchild Semiconductor)
www.onsemi.com/products/discretes-drivers/igbts/fga40n65smd
www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA40N65SMD-D.pdf
Почему я выбрал именно эти транзисторы? Да приглянулись они мне 🙂 Мог с тем-же успехом заказать для ремонта например FGh50N60SMD и кучу других аналогичных по параметрам.
Почему именно 10шт, когда нужно всего 8шт? Да не продаются они по 8шт 🙂
Почтовый пакет

Посылку доставили неожиданно быстро — всего за 2 недели.
Продавец запаял транзисторы под вакуумом в антистатический пакет

Основные параметры из даташита:
Корпус TO-3PN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650В
Максимальный постоянный ток коллектора при 100°C: 40А
Максимальная рассеиваемая мощность при 100°C: 174Вт
Номинальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,9В
Номинальная входная ёмкость затвора при напряжении коллектор-эмиттер 30В: 1880пФ
Номинальное время включения / отключения: 12нс / 92нс
Транзисторы имеют встроенный обратный силовой диод, необходимый для работы в мостовом включении инвертора.
Остальные параметры большого значения не имеют.
В оригинальности транзисторов я нисколько не сомневаюсь, т.к. по опыту интуитивно их определяю.
Но для обзора сделал несколько измерений.
Ничего магнитного внутри естественно нет.
Толщина выводов и корпуса соответствуют норме

Остальные размеры также в норме
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе 10А и напряжении на затворе 10В составило 1,36В — норма
Транзисторы в партии имеют очень небольшую разницу емкостей затвор — эмиттер 2726 — 2731пФ (измерено E7-22 при не подключенном выводе коллектора). Стабильность — это косвенный показатель качества.
Небольшое замечание — некоторые пытаются определять оригинальность транзистора по ёмкости затвора. Да, это в какой-то степени возможно, но только если измерять правильно и при этом правильно анализировать результаты.
Так вот, измерять ёмкость затвора надо именно на переменном токе при конкретном напряжении коллектор-эмиттер, причём нулевое напряжение не означает висящий в воздухе коллектор.
Измеренная ёмкость затвор-эмиттер сильно зависит от измерительного прибора, что не удивительно для нелинейного элемента.
Например, один и тот-же транзистор показывает входную ёмкость 2726пФ на положительной полярности и 3381пФ на отрицательной полярности прибором UT71E, 2660пФ и 2750пФ в зависимости от полярности тестером элементов MG328 VanVell ELC, 2860 пФ в обе стороны прибором E7-22
Ёмкость затвор — эмиттер при разном напряжении эмиттер-коллектор
Измерял E7-22 на 1кГц
0В — 3920пФ
1В — 3130пФ
2В — 2750пф
3В — 2570пФ
5В — 2380пФ
10В — 2200пФ
20В — 2000пФ
30В — 1830пФ
Для сравнения, измерил ёмкость затвор-эмиттер некоторых других оригинальных IGBT.
FGh50N60SMD — 2860пФ
FGH60N60SMD — 4410пФ
HGTG40N60A4 — 2270пФ
Взвешивать, поджигать, грызть и ломать транзисторы я не стал ибо в данном случае это не имеет никакого практического смысла.
Если интересно, что внутри сгоревших транзисторов, то вот два из них HGTG30N60A4 (слева и в центре) и FGh50N60SFD (родной)

HGTG30N60A4 вообще без диода и в принципе не мог нормально работать в этой сварке 🙁
Немного о ремонте
После разборки, аппарат очистил от грязи и пыли, провёл первичную диагностику, выпаял все неисправные элементы, подобрал им замену. Доступная схема аппарата неплохо помогает ремонту. Проверил состояние термопрокладок на пробой и повреждения. Восстановил цепь заряда конденсаторов, восстановил драйвер. Перепаял на другую сторону проблемный конденсатор на плате управления (который касался рамки)

Проверил осциллографом форму импульсов с драйверов на затворы транзисторов (которые ещё не впаяны).

Смазал прокладку термопастой КПТ-8, прилепил её на место, смазал транзисторы ей-же, вставил их на место, прикрутил к радиатору и только потом запаял. Очистил плату от флюса, всё ещё раз проверил.

Отдельно подал питание на систему управления и ещё раз проверил форму импульсов на затворах транзисторов (они пока без силового питания). Если всё в норме — подключаем сварочник в сеть через ЛАТР и лампу накаливания 100Вт или 95Вт. Это позволяет вовремя и безопасно диагностировать дополнительные проблемы в работе устройства. Прямое включение сварочника после ремонта иногда приводит к неприятностям. Плавно увеличиваю входное напряжение до запуска аппарата. Проверяю, что реле сработало, вентилятор крутится, на выходе появилось напряжение и лампа при этом не горит. При плавном повышении напряжения до полного сетевого, лампа не должна загораться. Если всё прошло нормально, устанавливаю крышку на место и включаю сварочник в сеть. Проверять его на электрод пока нельзя, т.к. необходимо убедиться в нормальной работе ограничения тока. При её неисправности, сварочник тут-же сгорит при касании электродом свариваемой детали. Для проверки работы токоограничения, необходим балласт и токовые клещи на постоянный ток или шунт ампер на 200. Я в качестве балласта использую толстую нихромовую спираль сопротивлением около 0,15 Ом.

Убедившись, что ток в замкнутой цепи регулируется в нужных пределах, можно приступать к тестовой сварке на токах от минимума до максимума.
В данной сварке ток нормально регулировался от 25А до 195А
Т.к. штатный ремень неудобен для оперативной переноски, на корпус была приклёпана дверная ручка 🙂

Более подробную информацию о ремонтах сварочников можно легко найти в интернете (например от Измаил инвертор)
Вывод: при желании, в Китае вполне возможно купить качественные оригинальные комплектующие. Покупайте в проверенных магазинах и Вам не придётся изучать, чем подделка отличается от оригинала. Магазин могу смело рекомендовать, теперь с них должок за рекламу 🙂
p.s. сварочные провода из этого обзора я делал для этого сварочника.
p.p.s. судя по комментариям, когда я товар ругаю, нахожу поддержку аудитории, но когда нормальный товар начинаю хвалить — сразу идут необоснованные обвинения во всех грехах. Это похоже местная традиция…
модуль управления от стралки — Электропривод
Судя по фотке это Аркадия.
Да уж, сгорело неспроста, тоесть это похоже следствие, смотрите ресурс барабана, если барабан еще поживет, то есть смысл, если все то, возможны варианты.
Аркадии уже пошли в металоприемки, можно поискать там, можно у сервисников, но эти ребята голодные и злые.
Восстановить вполне реально.
но я бы пошел по пути минимаьного сопротивления
1. купить новую машинку.
2. эту оценить на ресурс барабана, ( это самый критический узел) а точнее возможность разборки бака, замены подшипников, и сальникового уплотнения, и сальниковой втулки.
3. искать модуль где нибудь.
есть вариант перевода на коллекторный мотор они бывают двух типоразмеров, с длинным валом и кортким. посмотрите какой у вас но скорее всего длинный.
и плату аркаши под коллекторник.
прийдется морду менять, а может и пойти, с этой мордой(плата лицевой панели с органами управления).
Морду и плату реально добыть на металоприемке, они (морды) очень часто трансплантируются вместе с узлом заливного лотка, с той же ево 2, там тогда и перешивать ничего не надо,
хотя сделать копию дампа, желательно, и потом в случае кирдык модулю полько прошить 24 с 16 этим дампом на кроватке дип и 4 проводков от лпт или ком порта, или программатора.

ремонтировать ту плату, я бы не стал,
Прошивку можно поискать на http://sw19.ru
нужен bdm программатор это 800 р с али.
и деталек там немало, 2 проца + рассыпуха. + транзисторы.
есть еще несколько вариантов в том числе и с ардуино,

лично я восстановил свои машинки, теперь у меня 1 с частотником и нержавым баком Ево 2, и 2 с пласмассовым пиленым, ево 2 одна в горячем резерве, и одна в летней кухне в холодном.
плат резервных ево 2 штук десять купленных по 20 р / кг. вместе с заготовками для токарки.

Современные машинки начиная с ево 1 уже не торт, изза закрытости исходников, и сложностей в ремонте.
и мурлони платы , как и прочие в принципе это западло, а суть в отсутствии гальванооптической развязки цепей микроконтроллера и симмисторов управления клапанами, и мотора( для коллекторников), что в случае чиха( превышения dU/dt ии кз разорванный тиристор выводит из строя микроконтроллер наглухо, на который прошивки нет в полностью открытом доступе.

диаграммы программ можно поискать в старинных мануалах. где расписано куда и как чего греть, сколько и в какую сторону крутить.
Но делать с нуля командоаппарат, это я бы не стал , ту же адурину бы заставил но поставил опторазвязку. ну коротнул клапан залива ( или еще что нибудь) ну разорвало сиимстор, ну еще пару рядом, максимум оптопаре капец, и обвязке симистора с оным. поменял все с оптопарой, устранил причину и в бой ( в смысле стирать) .

Кстати подумываю о пересадке на свою машинку именно штатно разборного бака. по креплениям вроде должен подойти
Изменено 24 января, 2017 пользователем Tuntik
МИКРОСХЕМЫ — Insynet
Page 4 and 5: INSYNET Уважаемые Госп
Page 6 and 7: МИКРОСХЕМЫ МИКРОСХ
Page 8 and 9: МИКРОСХЕМЫ ДРАЙВЕР
Page 10 and 11: МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ
Page 12 and 13: ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ
Page 14 and 15: ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ К
Page 16 and 17: МИКРОСХЕМЫ ТОК СЕН
Page 18 and 19: ЛИНЕЙНЫЕ РЕГУЛЯТОР
Page 20 and 21: 16-РАЗРЯДНЫЕ ОДНОКР
Page 22 and 23: IGBT ТРАНЗИСТОРЫ Наи
Page 24 and 25: ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯ
Page 26 and 27: ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯ
Page 28 and 29: ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯ
Page 30 and 31: ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯ
Page 32 and 33: ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯ
Page 34 and 35: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОР
Page 36 and 37: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОР
Page 38 and 39: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОР
Page 40 and 41: ТРИАКИ (СИМИСТОРЫ)
Page 42 and 43: ДИОДЫ ДИОДЫ ИМПОРТ
Page 44 and 45: ДИОДЫ ШОТТКИ Наибо
Page 46 and 47: ТРЕХФАЗНЫЕ ДИОДНЫЕ
Page 48 and 49: ЗАЩИТНЫЕ ДИОДЫ Transie
Page 50 and 51: П/П МОДУЛИ И МИКРОС
Page 52 and 53:
КОНДЕНСАТОРЫ КЕРАМ
Page 54 and 55:
КЕРАМИЧЕСКИЕ ЧИП К
Page 56 and 57:
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ
Page 58 and 59:
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ
Page 60 and 61:
РЕЗИСТОРЫ ИМПОРТНЫ
Page 62 and 63:
РЕЗИСТОРЫ СПЕЦИАЛЬ
Page 64 and 65:
PTC ТЕРМИСТОРЫ PTC тер
Page 66 and 67:
РЕЗОНАТОРЫ И ФИЛЬТ
Page 68 and 69:
ФЕРРИТЫ И АКСЕССУА
Page 70 and 71:
УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ,
Page 72 and 73:
ГАЗОНАПОЛНЕННЫЕ РА
Page 74 and 75:
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УС
Page 76 and 77:
СВЕТОДИОДЫ ТЕХНИЧЕ
Page 78 and 79:
СВЕТОВЫЕ ПОЛОСЫ L-845
Page 80 and 81:
ШЕСТНАДЦАТИСЕГМЕН
Page 82 and 83:
SMD ИНДИКАТОРЫ KPDA/KPDC5
Page 84 and 85:
СЕМИСЕГМЕНТНЫЕ ИНД
Page 86 and 87:
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ РЕЛЕ
Page 88 and 89:
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ Р
Page 90 and 91:
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ Р
Page 92 and 93:
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ Р
Page 94 and 95:
АКУСТИЧЕСКИЕ КОМПО
Page 96 and 97:
АКУСТИЧЕСКИЕ КОМПО
Page 98 and 99:
ДАТЧИКИ МАГНИТНОГО
Page 100 and 101:
ДАТЧИКИ МАГНИТНОГО
Page 102 and 103:
ЛИНЕЙНЫЕ ДАТЧИКИ П
Page 104 and 105:
ДАТЧИКИ УРОВНЯ ЖИД
Page 106 and 107:
КЛЕММНИКИ Клеммник
Page 108 and 109:
КЛЕММЫ ОБЖИМНЫЕ Кл
Page 110 and 111:
ПАНЕЛЬКИ ДЛЯ МИКРО
Page 112 and 113:
РАЗЪЕМЫ СЕРИИ D-SUB С
Page 114 and 115:
РАЗЪЕМЫ СЕРИИ IDC Ра
Page 116 and 117:
РАЗЪЕМЫ СЕРИИ DIP РА
Page 118 and 119:
РАЗЪЕМЫ ПИТАНИЯ ДЛ
Page 120 and 121:
ШТЫРЕВЫЕ РАЗЪЕМЫ В
Page 122 and 123:
КОММУТАЦИОННЫЕ ИЗД
Page 124 and 125:
КНОПКИ ТАКТОВЫЕ Ра
Page 126 and 127:
СЕТЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТ
Page 128 and 129:
КНОПКИ МИНИАТЮРНЫЕ
Page 130 and 131:
УСТАНОВОЧНЫЕ ИЗДЕЛ
Page 132 and 133:
РАДИАТОРЫ 11.2°С/Вт 1.
Page 134 and 135:
ИЗДЕЛИЯ ИЗ ПЛАСТМА
Page 136 and 137:
КОРПУСА ДЛЯ РЭА Пла
Page 138 and 139:
РУЧКИ ДЛЯ РАДИОАПП
Page 140 and 141:
СОЕДИНИТЕЛЬНЫЕ ШНУ
Page 142 and 143:
КАБЕЛЬНЫЕ ВВОДЫ Ка
Page 144 and 145:
КРЕПЕЖ ДЛЯ КАБЕЛЯ С
Page 146:
146 НАШИ ВЫСТАВКИ Гр
Интегральные схемы Страница 1 — Www11.memah.org
-13 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМы обещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
-9 %
О насМы обещаем : 1 : производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.2 : доставка товаров нашим клиентам по всему миру со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас есть, пожалуйста, свяжитесь с1 : Заказы обрабатываются своевременно после подтверждения оплаты.2 : Мы отправляем только подтвержденные адреса заказ…
-10 %
& Equiv; и Equiv; добро пожаловать в наш магазин & Equiv;Если вы покупаете больше, пожалуйста, свяжитесь с намиПочему вы непосредственно выбираете нас : 1…
Добро пожаловать в наш магазин, пожалуйста, проверьте другие товары нашего магазина! Электронных компонентов Диод Конденсатор Резистор Варистор сопротивление Транзисторы Потенциометра Модуль Если вы не можете найти код, пожалуйста, свяжитесь с нами! Спасибо30641Горячая Распродажа 30651Модуль
-7 %
Посылка включает : Рабочее напряжение : для постоянного тока 5 ВОдин канальный сигнал ВыходВыходной сигнал низкого уровня, используемый для сигнализации сенсорного датчика человеческого телаРегулируемая чувствительностьС отверстием для фиксирующий болт для легкой установкиФорум ссылке : facebook.com / 123 NeonadoМатериал : PCB + латуньРазмеры : 43x16x15 мм / 1,69×0,63×0,59 дюймовВес : 3g / 0,11 унцийЦвет : красный + синийМодуль сенсорного датчика человеческого тела 1 х KY036 Послепродажное обслуживание : Об оплате1…
843 Мы являемся производителем электронного модуля, добро пожаловать в оптовую продажу! NRF24 L01 + модуль беспроводной передачи данных 2,4 G / NRF24 L01 Обновление версии Описание продукта : NRF24 L01 является работа в 2,42,5 всему миру ИЗМА одинчип трансивера, беспроводной приемопередатчик, в том числе : генератор частоты усиленный Schock Burst TM контроллер режима усилитель мощности Кристалл усилитель модулятор демодулятор выходной мощности канал выбор и протокол, установленный интерфейсом SPI, чтобы установить очень низкое потребление тока, Более низкий режим потребления тока 12.3m A режим отключения питания и режим ожидания, когда в режиме передачи мощность излучения 6d Bm при потреблении тока 9.0m A приемная модель. Мяч для открытия ISM band maximum 0d Bm transmit power, использование без лицензии…
-13 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМы обещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
-15 %
О насМы обещаем : 1 : производство только лучшие потребительских товаров и обеспечения максимально возможного качества.2 : доставка товаров для наших клиентов во всем мире с скорость и точностьКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые вы имеете, пожалуйста, свяжитесь с1 : Заказы обрабатываются в указанный срок после подтверждения оплаты.2 : Мы осуществляем доставку только на подтвержденные адреса…
-1 %
Есть много запасов не на полках, если необходимо, пожалуйста, предоставьте нам модели или фотографии Гарантия на всю продукцию 3 месяца.Доставка Aramex пожалуйста, предоставьте копию удостоверения личности (сфотографируйте)…
Модель : STM32 F103 C8 T6 Ядро : ARM 32 CortexM3 cpu Режим отладки : SWD Частота работы 72 мГц К 64 K флэшпамять, К 20 K SRAM Мощность 2,0 В 3,6 В, I / O…
-7 %
1.92 / piece 1.74 / lot L293 D двигателя Управление щит для Arduino UNO R3 двигателя Щит Модуль панель двигателяприводом драйвер платы расширения L293 D электронных DIY 100% абсолютно новый и качественный L293 D является монолитной интегральной, высокого напряжения, большой ток, 4 канала драйвера…
18795Горячие товары 18803Печатной платы
-11 %
1.21 / piece 0.60 / lot 0.70 / lot 1.70 / lot 0.75 / lot 0.68 / lot 0.57 / lot 0.79 / lot14950
-10 %
≡ Добро пожаловать в наш магазин ≡Если вы покупаете больше количества, пожалуйста, свяжитесь с намиПочему вы выбираете нас напрямую : 1…
-9 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМыОбещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
Теплое приглашение : Уважаемый покупатель, наши самые дешевые транспортные услуги экономической категории логистики (Sun You Economic Air Mail, Почта Китая Ordinary Small Packet Plus) можно отследить только для его прибытия в вашу страну, пожалуйста, выберите стандартную категорию логистики, если вы хотите полную информацию о отслеживании.  Введения нового продукта : 1 : новые американские импортные чипы, определенно не домашние чипы, разобрать чип.2 : Максимальный выходной ток 3А, длительная работа 2,1 А, достаточный запас.3 : новый дизайн, конструкция цепи не требует электролитических конденсаторов и танталовых конденсаторов (срок службы электролитического конденсатора короткий, Танталовый Риск взрыва)…
-14 %
Уважаемые покупатели : Добро пожаловать в мой магазин! спасибо!Для каждого трансациста, Ваше удовлетворение является нашей целью.Если вы удовлетворены нами, pleae оставьте пять звезд положительный feeback, И добро пожаловать в наш магазин снова, мы поставим хорошие товары и услуги все время.Если вы не удовлетворены 100% , пожалуйста, не оставьте нейтральный или отрицательный, но свяжитесь с нами сначала, мы сделаем все возможное, чтобы решить за вас…
& Equiv; и equiv; добро пожаловать в наш магазин & equiv;Если вы покупаете больше, пожалуйста, свяжитесь с намиПочему вы непосредственно выбираете нас : 1…
-10 %
Особенности : 1 Входное напряжение : 2,05,0 в2 Выходное напряжение : 5 В3 Выходной ток : 2А (макс.)4…
Теплое приглашение : Уважаемый покупатель, самые дешевые транспортные услуги экономической категории логистика (Sun You economal Air Mail, почта Китая обыкновенный небольшой пакет плюс) может быть отслежен только для того, чтобы он прибыл вашей страны, пожалуйста, выберите стандартную логистику категории, если вы хотите получить полную информацию о отслеживании.HM10 прозрачный последовательный порт Bluetooth 4,0 модуль с логическим уровнем переводчик
-14 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом   О насМы обещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
0.63 / lot 1.07 / lot 1.71 / lot 3.09 / lot 0.94 / lot 1.50 / lot 0.71 / lot
Оплата1.пожалуйста, убедитесь, что ваш счет оплаты доступен, прежде чем вы предложите товар.2.Все платежи должны быть очищены в течение 7 дней после получения товара…
-12 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМы обещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
-10 %
О насМы обещаем : 1 : производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.2 : доставляйте товары нашим клиентам по всему миру со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые вы имеете, пожалуйста, свяжитесь с1 : Заказы обрабатываются своевременно после проверки оплаты.2 : Мы только отправляем на подтвержденные адреса заказа…
-13 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМы обещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
-15 %
Небольшая прибыль, но быстрый оборот гарантированное качество, если вам нужно больше, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы скорректируем цену, чтобы служить вам лучше Покупатель советы1 : сначала убедитесь, что этоВаш адрес правильный2 : перед подпиской на посылку, пожалуйста, проверьте, что посылка заполнена продуктом О насМыОбещаем : * Производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества.* Доставка товаров нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностьюКлиент Услуги политикиМы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас, пожалуйста, свяжитесь с нами и мы сделаем все возможное, чтобы вернуться к вам как можно быстрее.Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги!1…
-14 %
теплая подсказка : дорогой покупатель, наши дешевые транспортные услугиэкономикакатегории логистики(Sun You Экономического Воздушная Почта Столба Кита, China Post Обычных Малых Пакетов Plus)можно получить лишь до его приехать в вашу страну, пожалуйста, выберитестандарткатегории логистики, если вы хотите полный отслеживания информации.например : Atmel DIP8 MCU ATTINY13 A attiny13apu AVR attiny13apu АВР 20 мГц для IC чип
Добро пожаловать в наш магазин, пожалуйста, проверьте другие товары нашего магазина! Электронных компонентов Диод Конденсатор Резистор Варистор сопротивление Транзисторы Потенциометра Модуль Если вы не можете найти код, пожалуйста, свяжитесь с нами! Спасибо30641Горячая Распродажа 30651Модуль
-14 %
Примечание : гарантия Фирменная НовинкаATmega328 PЧип на каждом продукте нас Добавьте два ряда отверстий для контактов…
-6 %
3.37 / piece 3.65 / piece 1.32 / lot Описание продуктаНа рисунке представлена только ссылка Это может быть не точно так, как в нашем складе изза разной партии нет.Описание продукта 1…
Скачай драйвер: марта 2015
Ссылки на сайты компаний-производителей взяты по состоянию на момент внесения в каталог, мы не гарантируем работоспособность данных ссылок.
Оригинальный диск с драйверами для ноутбуков Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L серий (Original Drivers CD for notebooks Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L series) Размер файла: 995562 КВ, версия: 5.0 от, поддерживаемые ОС: Windows 7 (32/64bit) Можно сказать нам спасибо все данные представлены в информационных целях.
Компания asus является создателем самых покупаемых и завоевавших наибольшее количество. X54H. Поддержка. Product Image. Intel centrino2.
Права на использование всех торговых марок принадлежат правообладателям.
Feb 12, 2014. I have installed Win 7 32-bit on asus X54H laptop which its VGA is radeon HD 7470M 1GB. I downloaded it s driver from two websites (as ).
IceCool Technology keeps the palm rest area cool, placing heat-producing components away from users; Experience high transfer speeds with USB 3.0 10x.
Сайт стремится предоставить корректную информацию о каждом производителе, но не несет никакой ответственности в случае, если какая-либо информация является неактуальной.
Любая информация каталога может быть изменена по требованию производителя или его представителя.
Полный набор драйверов и утилит для Asus X54H, X54Hr и X54Hy для. Windows XP, Windows Vista и Windows 7 с инструкцией по.
Информация о компаниях, как правило, взята с официальных сайтов компаний.
Оригинальный диск с драйверами для ноутбуков Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L серий (Original Drivers CD for notebooks Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L series) Размер файла: 995562 КВ, версия: 5.0 от, поддерживаемые ОС: Windows 7 (32/64bit) Можно.
Оригинальный диск с драйверами для ноутбуков Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L серий (Original Drivers CD for notebooks Asus A54H, A54L, ).
Полный набор драйверов и утилит для Asus X54H, X54Hr и X54Hy для. Windows XP, Windows Vista и Windows 7 с инструкцией по.
Информация о компаниях, как правило, взята с официальных сайтов компаний.
Feb 12, 2014. I have installed Win 7 32-bit on asus X54H laptop which its VGA is radeon HD 7470M 1GB. I downloaded it s driver from two websites (as ).
Драйвера для ноутбуков asus x54h. Каталог сайта m скачать бесплатно без смс и регистрации. Описание и характеристики.
Ссылки на сайты компаний-производителей взяты по состоянию на момент внесения в каталог, мы не гарантируем работоспособность данных ссылок.
Выберите нужный драйвер и перейдите на страницу для скачивания.
Любая информация каталога может быть изменена по требованию производителя или его представителя.
Компания asus является создателем самых покупаемых и завоевавших наибольшее количество. X54H. Поддержка. Product Image. Intel centrino2.

Оригинальный диск с драйверами для ноутбуков Asus A54H, A54L, K54L, X54H, X54L, Z54L серий (Original Drivers CD for notebooks Asus A54H, A54L, ).
Драйвера для ноутбуков asus x54h. Каталог сайта m скачать бесплатно без смс и регистрации. Описание и характеристики.
Выберите нужный драйвер и перейдите на страницу для скачивания.
Купить ноутбук asus X54H-90N9EI138W1813RD53AY по низким ценам. Подробные характеристики, описания, обзоры, отзывы, драйвера на ноутбук.
Hello, I have installed Win 7 32-bit on asus X54H laptop which its VGA is. Radeon HD 7470M 1GB. I downloaded it s driver from two websites.
DCA-500; DCA-510; DCA-540. Заряжать. Недостатки: Требует установки драйвера эмуляции последовательного порта на USB.
Device: ESS ES1938 Description: n/a. Version: 3055 for Windows 2003 / XP / 2000 / NT / ME ESS ES1938 driver for Windows 2003 / XP / 2000 / NT / ME.

Hello, I have installed Win 7 32-bit on asus X54H laptop which its VGA is. Radeon HD 7470M 1GB. I downloaded it s driver from two websites.
IceCool Technology keeps the palm rest area cool, placing heat-producing components away from users; Experience high transfer speeds with USB 3.0 10x.
Права на использование всех торговых марок принадлежат правообладателям.
Сайт стремится предоставить корректную информацию о каждом производителе, но не несет никакой ответственности в случае, если какая-либо информация является неактуальной.
26 чер. — повідомлень: 10 — авторів: 2.
Canon MF5700 Series MF5700,usbprintcanonMF5730c609, CanonMF5730c609. Check here: Download Library — Canon USA Consumer. Products.
Citrix ShareFile реализует эти возможности в корпоративном решении follow-me data, позволяющем ИТ-специалистам предоставить надежный и безопасный сервис, соответствующий требованиям пользователей в отношении мобильности и сотрудничества.
DWA-126 software package includes the required drivers, configuration and. The D-Link High-Power Wireless N 150 USB Adapter and enjoy surfing the web.
Defender Джойстики Adrenaline Mini, Adrenaline Turbo — скачать Драйвер.
Doc downloadhelper для яндекс браузера Freelancer / Наёмник 1 с предприятие 8элеватор самоучитель.

, , , 2011 04 09, 65

09 2011 (32289 ) tda9351ps/n3/3/1617 ARISTON INDESIT IR2106S, 1 LE BEKO WMNzanussi fe proteus ptm-500 —LG adr 620 se k770 PC817Ревербератор “Электроника РЦ 02”hp THOMSON 911 dvd home 24 12 SOLTEK sl-85dr2-clg 9160a HP 1100samsung 47-06 PIC12hp laserjet 1300 aiwa c 202 dvp-630 creative zen v plusSTV9302a mp3 player A-Data constructa LCD DVD TOSHIBA SD340e LG l1753 CABLE SELECTOR v.1.03ariston forno FD 97 canon s200 mp4 PAC 015Atema 32 50tsum16awk-lf-1 fm — 2az1575 thomson 29dx640kg 2 — — ? canon a70 52 panasonic rx-es27 sumsung vp-h68 asus 9300TOYOTA 58806 VGA-S-video alcatel THOMSON KENWOOD KRC-1520 panasonic sa-ht930 2 SV18RA -40 disk at once Win 7 ba5414 Rolsen C1410 super trinitron sony kv-25m1k rolsen c29r88Nokia 6300 pantera xs-3100 ht-tkx25 LG 42LH5000 vestel vr54ts-2145 FDD Panasonic NV-SD300, NV-SD400 lg F700Pstr d5541 datasheetsamsung 943n buz 90site:monitor.espec.ws mc-019a -21-TFT LCD PDF DJVU — , -1 AD8130 STK401-330su-c2000 843 as3842 350 jnvfxbdfnm l.ps rfr 60— NEC FS-2181SKB bu4506df horizontpe0120bios asus x8ac GS Burner gs8300_goldstar CF-21D70b lg cf-21d70 ,kjr gbnfybz colorsit best power lc-b300atx Orion TV2050MK5 LNBPCI-E 2.1 N1996epson stylus color 1160 DVI-I 6233 samsung nx6310 samsung 2335samsung 720N Multisim 31 epson stylus c42sx ardo tl800 exSamsung RL28DATS 2102 samsung max-kj740flz105s . lg rt 29fa34rb r220 opera op-1988 domotec ms-2848 mc-41b cANON MF4100 40T03GP SMART-UPS 700I NETlg flatron DVD- necnokia n73 jafr13-213SCX-4623F «» ixbt.com -76cuc1826 VGAdatasheetPIC16F84A grundig gr2150CS-29Z40HSQsamsung scx 3200 usb … max 555 38 5707 — 6610 JVC av-k14t 3021 Maxx4 WFC2060 TECHNO TS-1409V fynai 2SK2937samsung j150 prology av-470 659 indesit F12 ASUS P5GC-VM » 2000″erison 1401 9435 JVC KD-LHX 557 cd seagate
09 2011 (32289 )

   [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

Copyright 2010

Created 0,03246 s.

Блог Тахмида: Использование драйвера стороны высокого-низкого IR2110
Во многих ситуациях нам нужно использовать полевые МОП-транзисторы, настроенные как переключатели верхнего плеча. Часто нам нужно использовать полевые МОП-транзисторы, настроенные как высокочастотные и переключатели нижней стороны. Например, в мостовых схемах. В полумостовых схемах имеем 1 полевой МОП-транзистор верхнего плеча и 1 полевой МОП-транзистор нижнего уровня. В полномостовых схемах мы имеем 2 полевые МОП-транзисторы верхней стороны и 2 полевых МОП-транзистора нижней стороны. В таких ситуациях возникает необходимость для использования схемы возбуждения высокой стороны вместе со схемой возбуждения низкой стороны.Большинство распространенным способом управления полевыми МОП-транзисторами в таких случаях является использование драйверов полевых МОП-транзисторов со стороны высокого и низкого уровня. Несомненно, Самая популярная из таких микросхем драйвера — IR2110. И в этой статье / учебнике Я расскажу о IR2110.
Вы можете скачать техническое описание IR2110 с веб-сайта IR. Вот ссылка для скачивания:
Сначала давайте взглянем на блок-схему и контакт назначения и определения контактов (также называемые назначениями отведений и определений):

Рис.1 — Блок-схема IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Инжир.2 — Назначение выводов / выводов IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Рис.3 — Определения выводов / выводов IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Обратите внимание, что IR2110 поставляется в двух корпусах — 14-контактный. корпус PDIP со сквозным отверстием и корпус SOIC с 16 выводами для поверхностного монтажа.
Теперь поговорим о различных выводах.
VCC — это источник низкого напряжения и должен находиться в диапазоне от 10 В до 20В. VDD — это питание логики IR2110. Это может быть от + 3В до +20В (с ссылка на VSS). Фактическое напряжение, которое вы выбираете, зависит от напряжения. уровень ваших входных сигналов.Вот диаграмма:
Рис. 4 — Входной порог логики «1» IR2110 в сравнении с VDD (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Обычно используется VDD = + 5В. Когда VDD = + 5V, Входной порог логической 1 немного выше 3 В. Таким образом, когда VDD = + 5V, IR2110 может использоваться для управления нагрузками, когда вход «1» превышает 3 точки. что-то вольт. Это означает, что его можно использовать практически для всех схем, так как большинство схем имеют выходное напряжение около 5 В. Когда вы используете микроконтроллеры выходное напряжение будет выше 4 В (когда микроконтроллер имеет VDD = + 5V, что довольно часто).Когда вы используете SG3525 или TL494 или другой контроллер PWM, вы, вероятно, собираетесь включить их off больше 10 В, то есть выходы будут выше 8 В при высоком уровне. Так, IR2110 легко использовать.
Вы можете снизить напряжение VDD примерно до 4 В, если используете микроконтроллер или любой чип, который дает выход 3,3 В (например, dsPIC33). В то время как разрабатывая схемы с IR2110, я заметил, что иногда схема не работал должным образом, когда IR2110 VDD был выбран менее +4 В.Итак, я делаю не рекомендую использовать VDD менее + 4В.
В большинстве моих схем у меня нет уровней сигнала, которые имеют напряжение менее 4 В, поэтому я использую VDD = + 5 В.
Если по какой-то причине у вас есть уровни сигналов с логической «1» при напряжении ниже 3 В вам понадобится преобразователь / переводчик уровня, который будет повысить напряжение до допустимых пределов. В таких ситуациях рекомендую повышение до 4 В или 5 В и использование IR2110 VDD = + 5 В.
Теперь поговорим о VSS и COM.VSS — это питание логики земля. COM — это «возврат со стороны низкого давления» — в основном, заземление привода со стороны низкого уровня. Кажется, что они независимы, и вы можете подумать, что, возможно, изолировать выходы привода и сигналы привода. Однако вы ошибаетесь. В то время как они не имеют внутреннего подключения, IR2110 — неизолированный драйвер, а это означает, что Оба VSS и COM должны быть заземлены.
HIN и LIN — это логические входы. Высокий сигнал к HIN означает что вы хотите управлять полевым МОП-транзистором высокого уровня, что означает, что обеспечивается высокий выход на HO.Низкий сигнал на HIN означает, что вы хотите выключить высокий уровень. MOSFET, что означает низкий выходной сигнал на HO. Выход на HO — высокий или низкий — не по отношению к земле, а по отношению к VS. Скоро мы увидим, как Схема начальной загрузки (диод + конденсатор) — с использованием VCC, VB и VS — используется для обеспечить плавающее питание для управления полевым МОП-транзистором. VS — плавающий верхний борт возврат поставки. Когда высокий, уровень на HO равен уровню на VB, с уважение к VS. Когда низкий, уровень на HO равен VS по отношению к VS, фактически ноль.
Высокий сигнал на LIN означает, что вы хотите управлять низкой стороной MOSFET, что означает, что на гетеродине обеспечивается высокий выходной сигнал. Низкий уровень сигнала LIN означает, что вы хотите отключить полевой МОП-транзистор нижнего уровня, что означает, что на гетеродине будет низкий выходной сигнал. Выход на гетеродине находится относительно земли. Когда высокий, уровень на LO равен до уровня VCC, по отношению к VSS, эффективно заземляется. При низком уровне уровень на LO равен уровню на VSS, по отношению к VSS, эффективно нуль.
SD используется для управления выключением.Когда этот вывод низкий, IR2110 включен — функция выключения отключена. Когда этот вывод высокий, выходы выключены, отключив привод IR2110.
Теперь давайте посмотрим на общую конфигурацию IR2110 для управляющие полевые МОП-транзисторы как в конфигурации с высокой, так и с низкой стороны — полумостовая ступень.

Рис.5 — Базовая схема управления полумостом IR2110 (кликните по изображению, чтобы увеличить)
D1, C1 и C2 вместе с IR2110 образуют бутстрап схема. Когда LIN = 1 и Q2 включен, C1 и C2 заряжаются до уровня VB, что на один диод ниже + VCC.Когда LIN = 0 и HIN = 1, этот заряд на C1 и C2 используются для добавления дополнительного напряжения — в данном случае VB — над уровень источника Q1 для управления Q1 в конфигурации высокого уровня. Достаточно большой емкость должна быть выбрана для C1 так, чтобы он мог обеспечить заряд, необходимый для держите Q1 включенным все время. C1 тоже не должен быть слишком большим, чтобы зарядка тоже медленно, и уровень напряжения не поднимается достаточно, чтобы держать MOSFET включенным. Чем выше время включения, тем выше требуемая емкость. Таким образом, нижний частота, тем больше требуется емкость для C1.Чем выше долг цикла, тем выше требуется емкость для C1. Да, есть формулы доступен для расчета емкости. Однако есть много параметров вовлечены, некоторые из которых мы можем не знать — например, утечка конденсатора Текущий. Итак, я просто прикинул требуемую емкость. Для низких частот, таких в качестве 50 Гц я использую емкость от 47 мкФ до 68 мкФ. Для высоких частот например от 30 кГц до 50 кГц, я использую от 4,7 мкФ до 22 мкФ. Поскольку мы используем электролитический конденсатор, керамический конденсатор следует использовать параллельно с этот конденсатор.Керамический конденсатор не требуется, если бутстрап конденсатор танталовый.
D2 и D3 разряжают емкости затвора полевого МОП-транзистора. быстро, минуя резисторы затвора, сокращая время выключения. R1 и R2 — резисторы, ограничивающие ток затвора.
+ MOSV может быть максимум до 500 В.
+ VCC должен быть из чистого источника. Вы должны использовать фильтр конденсаторы и развязывающие конденсаторы от + VCC к земле для фильтрации.
Теперь давайте рассмотрим несколько примеров схем приложения IR2110.
Рис.6 — Схема IR2110 для высоковольтного полумостового привода (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Рис.7 — Схема IR2110 для высоковольтного полномостового привода с независимым переключателем управления (щелкните изображение, чтобы увеличить) На рис. 7 мы видим, что IR2110 используется для управления полным мостом. Функциональность проста, и вы уже должны это понять. Обычное дело что часто делается, так это то, что HIN1 связан / закорочен с LIN2, а HIN2 — связаны / закорочены с LIN1, что позволяет управлять всеми 4 полевыми МОП-транзисторами от 2 сигналов входов, вместо 4, как показано ниже на рис.8.
Рис.8 — Схема IR2110 для высоковольтного полномостового привода с привязанным переключателем Управление — управление с 2 входными сигналами (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Рис.9 — Использование IR2110 в качестве одного высоковольтного драйвера высокого напряжения (щелкните изображение, чтобы увеличить)
На рис. 9 мы видим, что IR2110 используется в качестве одинарного верхнего плеча. Водитель. Схема достаточно проста и соответствует описанным функциям. выше. Следует помнить, что, поскольку нет переключателя нижнего уровня, нагрузка должна быть подключена от ВЫХОДА к земле.В противном случае загрузочные конденсаторы не могу заряжать.
Рис.10 — Использование IR2110 в качестве одиночного низкочастотного драйвера (щелкните изображение, чтобы увеличить)
Рис.11 — Использование IR2110 в качестве двойного низкочастотного динамика (щелкните изображение, чтобы увеличить)

————————————————— ————————————————— ————————————————— ————————————————— ——
Если у вас были сбои с IR2110 и драйвер за драйвером, MOSFET после MOSFET выходили из строя, сгорали и выходили из строя, я почти уверен, что это связано с тем, что вы не использовали резисторы затвор-исток, если, конечно, вы разработали Драйвер IR2110 правильно. НИКОГДА НЕ ПРОПУСКАЙТЕ РЕЗИСТОРЫ ОТ ПЕРЕХОДА К ИСТОЧНИКУ. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте работы с ними здесь (я также объяснил причину, по которой резисторы предотвращают повреждение):
Для дальнейшего чтения вам следует пройти через это:
Я видел на многих форумах, что люди борются с проектированием схем. с IR2110. У меня тоже было много трудностей, прежде чем я смогла уверенно и последовательно создавайте успешные схемы драйверов с IR2110. у меня есть пытался подробно объяснить применение и использование IR2110 через объяснение и множество примеров и надеюсь, что это поможет вам в вашем попытки с IR2110.
H-мостовых драйверов | Модульные схемы
В предыдущей части серии мы рассмотрели проектные решения высокого уровня, которые вы должны принять при проектировании H-моста, и обсудили соображения по выбору полевых МОП-транзисторов и улавливающих диодов, которые будут составлять мост.
В этой статье я рассмотрю доступные варианты схем привода. Мы обсудим компромиссы между ними и то, что влияет на различные параметры цепей привода.
Вы извлечете максимальную пользу из этой статьи, если уже достаточно хорошо знакомы с основами H-Bridge, поэтому, если вы не знакомы, я предлагаю вам сначала прочитать вводную часть серии. Понимание различных режимов привода также будет полезно, поэтому чтение статей о приводе со знаковой величиной, блокировке противофазного привода и асинхронном приводе со знаковой величиной также не является пустой тратой времени, хотя эти части входят в довольно сложную задачу. немного больше деталей, чем то, что необходимо для того, чтобы следовать этому тексту.
Чтобы упростить поиск, рассмотрим схему H-Bridge:
и наша модель двигателя:
Схема возбуждения H-моста — это в основном электроника, которая находится между входами цифрового управления ШИМ (и, возможно, другими) и воротами полевого МОП-транзистора.Он имеет две основные цели:
Переведите входное напряжение до подходящего уровня для управления воротами
Обеспечить ток, достаточный для быстрой зарядки и разрядки ворот
Кроме того, многие схемы привода включают дополнительные функции:
Преобразовать входную команду в сигналы управления затвором в соответствии с режимом управления
Обеспечивают защиту от прострелов
Генерировать напряжения для схемы управления затвором верхнего плеча (для N-канальных драйверов)
Обеспечивает дополнительные функции безопасности, такие как защита от перегрузки по току
Управление временем включения и выключения полевых транзисторов
Цепи привода могут иметь различную форму.
Есть драйверы нижнего уровня, которые предназначены для управления Q2 или Q4 на нашем мосту.
Верхние драйверы, в свою очередь, предназначены для управления Q1 или Q3.
Полумостовые драйверы сочетают в себе один драйвер с низкой и с высокой стороны, поэтому они могут управлять Q1 и Q2 (или Q3 и Q4) вместе.
Очевидно, что полумостовые драйверы
имеют два драйвера с нижней стороны и два с высокой стороны, поэтому они могут управлять всеми четырьмя полевыми транзисторами.
Как мы обсуждали в предыдущей статье, полевые МОП-транзисторы нижнего уровня всегда являются N-канальными, в то время как на верхней стороне мы можем использовать P-канальные или N-канальные устройства.Это означает, что когда мы обсуждаем драйверы высокого уровня (или драйверы с полумостом и полным мостом), мы должны создать две подкатегории, по одной для каждого типа канала.
Прежде чем мы углубимся в детали, давайте познакомимся с материнской платой всех схем драйверов, дополнительным драйвером CMOS:
В этой схеме PMOS верхнего плеча и CMOS FET нижнего плеча объединены для обеспечения чистого цифрового логического выхода: если вход (затворы полевых транзисторов) заземлен, полевой транзистор нижнего плеча выключен, в то время как высокая сторона включена.Выход подключен к V _cc через относительно низкий r _{rdson_high} элемента верхней стороны. Когда вход подключен к V _cc, происходит обратное, и полевой транзистор нижнего плеча начинает проводить, в то время как полевой транзистор верхнего плеча выключен, поэтому выход подключается к земле через аналогичный низкий r _{dson_low}. Эта топология довольно распространена не только среди драйверов мостов, но и среди логических вентилей и в общей цифровой логике. Мы будем использовать его в качестве начального примера и расширим его до более сложных схем по мере обсуждения возникающих проблем.
Если вам интересно, чем этот драйверный каскад отличается от одной стороны H-моста:
Полевые транзисторы намного меньше, поэтому их емкость затвора действительно мала. Даже относительно слабый источник может быстро заряжать и разряжать их.
Эти полевые транзисторы меньшего размера также имеют гораздо более высокое значение r _dson (несколько Ом), поэтому динамические сквозные токи достаточно малы, чтобы не создавать головной боли.
Эта ступень привода будет строительным блоком для всех наших драйверов низкой и высокой стороны, но иногда с некоторыми модификациями.Я начну с низкоуровневых драйверов и расскажу о проблемах, с которыми вы с ними столкнетесь. Часть обсуждения будет применима (с небольшими изменениями) к драйверам высокого уровня. После того, как эти темы будут прояснены, мы можем перейти к драйверам высокого уровня.
Как я уже сказал, эта конфигурация привода такая же, как и в цифровой логике CMOS. (TTL и некоторые другие логические технологии существенно отличаются!) Из-за этого в качестве конкретного примера я буду использовать выходной каскад логической серии AHC, чтобы обсудить особенности и характеристики этого типа драйвера.
Как мы обсуждали в предыдущей части серии, емкость затвора полевых МОП-транзисторов вместе с доступным током возбуждения от схемы управления будет определять, насколько быстро транзистор может быть включен или выключен. Давайте разберемся с этой темой подробнее!
Далее я сосредоточусь только на N-канальном устройстве нижнего уровня и его драйвере. Вы можете легко преобразовать результаты в ситуацию высокого напряжения как для N-, так и для P-канала.
В технических описаниях полевого транзистора
указывается емкость затвора, иногда называемая входной емкостью.Емкость сильно варьируется в зависимости от размера устройства. Например, этот относительно большой МОП-транзистор (PHK31NQ03LT от NXP) имеет емкость затвора почти 5 нФ. В то же время этот транзистор имеет сопротивление в открытом состоянии менее 5 мОм. Другой пример — IXTY 01N80. Этот транзистор с сопротивлением 50 мОм имеет только емкость затвора примерно 60 пФ. Полевые транзисторы, используемые в моем проекте Servo Brain µModule, имеют примерно 100 мОм r _dson и емкость затвора примерно 350 пФ.
Чтобы рассчитать время включения и выключения, нам нужно знать несколько вещей: насколько высоким должно быть напряжение затвора и насколько быстро схема управления может заряжать и разряжать емкость затвора.Давайте рассмотрим эти вопросы по порядку: минимальное напряжение затвора, необходимое для полного включения полевого транзистора, указано в таблице данных, но также зависит от тока стока. Обычно это указывается в виде такой диаграммы (это из Википедии):
Как видите, при относительно низких токах стока (ось Y) полевой транзистор работает как небольшое сопротивление (кривая линейна и проходит через начало координат). Однако при больших токах полевой транзистор переходит в так называемое насыщение, при котором ток практически постоянен.В нашем приложении мы хотим, чтобы полевой транзистор находился в линейной (резисторной) области. Итак, если вы знаете максимальный ток полевого транзистора (который является пределом тока моста), вы можете вычислить минимальное напряжение затвора, которое необходимо для сохранения линейности полевого транзистора. В качестве практического примера возьмем полевой транзистор FDMS8880 и предположим, что мы хотим построить мост с ограничением тока 20 А. Та же диаграмма для этого конкретного полевого транзистора выглядит так:
Вы видите, что если напряжение затвора (V _gs) составляет всего три вольта, полевой транзистор не сможет проводить даже 20 А.Он насыщается при температуре около 15 А. С напряжением затвора 3,5 В вы можете вернуть устройство в линейную область для тока 20 А, но его сопротивление все равно будет немного высоким. Однако если вы увеличите напряжение затвора примерно до 4,5 В, вы увидите, что сопротивление при 20 А больше не слишком сильно зависит от напряжения затвора. Итак, для нашего случая нам потребуется напряжение затвора не менее 4,5 В.
Чтобы выключить тот же полевой транзистор, нам нужно снизить напряжение затвора ниже так называемого порогового напряжения.Это снова то, что указано в таблице данных, для этого конкретного устройства это 1,2 В (минимум).
Теперь перейдем ко второму вопросу: как быстро драйвер может заряжать или разряжать затвор полевого МОП-транзистора. Характеристики драйверов, как правило, довольно сложные, и они указываются с помощью диаграмм, например:
Здесь вы видите, как выходной ток изменяется в зависимости от выходного напряжения, или более удобный способ взглянуть на это: если вы хотите снять определенное количество тока с вывода, насколько выходное напряжение будет отклоняться от его идеальная стоимость.Эта конкретная диаграмма предоставлена TI и определяет их логические выходные характеристики серии AHC (стр. 16). Обратите внимание на то, что эти диаграммы довольно похожи на приведенные выше диаграммы характеристик MOSFET. Это не случайно, поскольку в серии AHC используется наша дополнительная схема управления выходом на полевых транзисторах.
Чтобы аппроксимировать эти кривые, мы можем использовать очень простую модель (опять же, используя терминологию MOSFET): выход находится в режиме насыщения для высоких токов — эффективно действуя как источник тока — и по мере уменьшения тока он переходит в линейная область, где он действует как резистор.Графически аппроксимируем кривую двумя линиями:
Вы легко можете видеть, что в случае управления высокими напряжениями источник тока составляет около 17 мА, а сопротивление составляет около 100 Ом. Когда на выходе низкий уровень, он может выдавать 21 мА и имеет сопротивление примерно 70 Ом. (Обычно выходной каскад имеет несколько более слабый драйвер верхнего плеча, являющийся устройством P-MOS.)
Во многих случаях вы можете еще больше упростить картину и принять либо только источник тока, либо линейную область.Мы рассмотрим все три подхода на примере: как мы видели ранее, полевой МОП-транзистор FDMS8880 можно полностью включить при напряжении затвора 4,5 или выше. Таким образом, теоретически он может управляться напрямую цифровым выводом 5 В. Допустим, мы используем ранее изученную серию AHC для управления затвором этого транзистора.
Драйверы постоянного тока
Метод постоянного тока работает следующим образом: мы пытаемся зарядить конденсатор источником постоянного тока до (как минимум) определенного напряжения.Это займет некоторое время:
t _на = V _затвор * C _затвор / I _{источник}, где V _затвор — напряжение затвора, необходимое для полного включения полевого транзистора, затвор C — емкость затвора, а I _{источник} — это ток, который может получить драйвер.
Время простоя можно рассчитать следующим образом:
t _выкл = (V _затвор -V _th) * C _затвор / I _сток, где V _th — пороговое напряжение.
Подставляя числа для нашего примера, получаем:
t _на = 4,5 В * 1585 пФ / 17 мА = 419 нс
t _выкл. = (4,5–1,2 В) * 1585 пФ / 21 мА = 249 нс
Драйверы постоянного резистора
Приближение постоянного резистора более сложное из-за экспоненциального отклика RC-цепи. Время включения будет следующим:
t _на = –R _{источник} * C _затвор * ln (1-V _затвор / V _{источник}), где R _{источник} — сопротивление источника, а источник V — высокое уровень напряжения холостого хода драйвера.
Аналогичным образом время простоя можно рассчитать следующим образом:
t _выкл = –R _сток * C _{вентиль} * ln (V _th / V _source)
Чтобы иметь возможность использовать эту модель для чего-либо значимого, мы должны предположить, что V _затвор ниже, чем V _{источник}, другими словами, полевой транзистор полностью включен с напряжением затвора, которое меньше, чем драйверы без нагрузки. выходное напряжение.
Выполняя расчеты для нашего примера, получаем:
t _на = –100 Ом * 1585 пФ * ln (1-4.5 В / 5 В) = 364 нс
t _выкл = –70 Ом * 1585 пФ * ln (1,2 В / 5 В) = 158 нс
Как видите, между двумя оценками есть большая разница. Оба фактически недооценивают время: подход с постоянным током предполагает больший ток, чем драйвер может фактически обеспечить при низких падениях выходного напряжения, в то время как подход с постоянным сопротивлением (по крайней мере, как я это сделал здесь) переоценивает ток для насыщенная область.
Кусочно-линейная модель
Более точную оценку можно сделать, комбинируя два метода и предполагая постоянный ток заряда и разряда до точки перегиба (2.9 В и 1,4 В соответственно для нашего примера) и предположим постоянное сопротивление только для оставшейся части:
t _на = V _{колено_он} * C _{вентиль} / I _{источник} — R _{источник} * C _{вентиль} * ln (1- (V _{вентиль} -V _{колен_он}) / (V _{источник} -В _{колено_он}))
t _выкл = (V _{источник} -V _{колено_off}) * C _gate / I _{раковина} — R _{раковина} * C _gate * ln (V _th / V _колено)
При таком подходе получаем:
т _на = 497нс
т _выкл = 286нс
Эти расчеты также можно выполнить для полевых МОП-транзисторов с P-каналом и драйверов, но, конечно, вам придется немного изменить уравнения, чтобы учесть отрицательное напряжение затвор-исток этих устройств.
Пока все хорошо, у нас есть несколько способов вычислить переходные времена с различной точностью. Но что, если вы не удовлетворены результатами? Какие инструменты у вас есть, чтобы повлиять на эти цифры?
Если вы хотите сократить время, у вас есть два варианта выбора: либо заменить полевой транзистор на один с более низкой емкостью затвора, либо вы измените драйвер на тот, который может обеспечить больший ток.
Если вы хотите продлить время, у вас есть больше возможностей. Одна вещь, которую вы можете сделать, — это увеличить емкость затвора, например, добавив дополнительный конденсатор к земле.
Самым распространенным способом управления временем включения и выключения является добавление последовательного резистора к выходам драйвера:
Метод последовательного резистора неэффективен, если драйвер действительно является источником тока, но это случается очень редко. Обычно эффект бывает двояким: первый заключается в том, что (требуя большего напряжения для того же тока) драйвер быстрее выходит из области источника тока в линейную область. Второй эффект заключается в том, что, когда мы находимся в линейной области, эффективное сопротивление источника драйвера будет выше, поэтому постоянная времени повышения или понижения заряда конденсатора будет больше.
Давайте посмотрим, как вычислить номинал резистора! Если ваша модель драйвера представляет собой модель с постоянным сопротивлением, расчеты очень просты: вы просто выражаете необходимое сопротивление из уравнений времени включения или выключения (здесь я буду использовать уравнение времени включения):
t _на = — (R _{источник} + R _g) * C _gate * ln (1-V _gate / V _source)
, поэтому необходимое последовательное сопротивление составляет:
R _g = -t _на / (C _gate * ln (1-V _gate / V _source)) — R _source
Обратите внимание, что если вы выполните те же вычисления для t _от, вы обычно получите другое значение R _g.Поскольку вам нужно выбрать одно значение, это означает, что вы не можете независимо контролировать время включения и выключения.
Если вы использовали комбинированную модель источника тока / линейную, вам будет немного сложнее, потому что сначала вы должны выяснить, как долго драйвер остается в режиме источника тока. Переключение происходит, когда напряжение привода достигает точки излома — 1,4 В или 2,9 В в нашем случае. Однако в этот момент на последовательном резисторе падает напряжение V _Rg = R _g * I _{источник} напряжения, и только остальное приходится на конденсатор.Таким образом, время, необходимое для выхода из региона источника тока, составляет:
.
t _{on_current_source} = (V _{knee_on} — V _Rg) * C _gate / I _source
, подставив указанное выше значение для V _Rg и сделав некоторые упрощения, мы получим:
t _{on_current_source} = (V _{kete_on} / I _source — R _g) * C _gate
Точно так же время, необходимое для выхода из области стока тока на время выключения:
t _выкл. _{_current_sink} = (V _{источник} / I _{раковина} -V _{колено_off} / I _{раковина} -R _g) * C _{вентиль}
По истечении этого времени драйвер находится в линейном режиме (с постоянным сопротивлением), поэтому можно использовать предыдущие уравнения.Общее время включения и выключения для этого приближения следующее:
t _на = (V _{kete_on} / I _source — R _g) * C _gate — (R _source + R _g) * C _gate * ln (1- ( В _{вентиль} -В _{колено_он}) / (В _исток -В _{колено_он}))
t _выкл. = (V _{источник} / I _{раковина} -V _{Knee_off} / I _{раковина} -R _g) * C _{вентиль} — (R _{раковина} + R _g) * C _ворота * ln (V _th / V _колено)

Но какое в конце концов время правильного включения или выключения?
После всей этой математики вы можете задать этот вопрос.Проблема в том, что нет однозначного ответа. Причины, по которым вы можете захотеть снизить переходные процессы, следующие:
Уменьшенное тепловыделение на полевых МОП-транзисторах
Более точное ШИМ-управление двигателем (мост тратит меньше времени в не очень четко определенных переходных состояниях)
В то же время есть причины для увеличения продолжительности переходных процессов:
Чем быстрее переходный процесс, тем быстрее должны быть перехватывающие диоды.
Быстрые переходные процессы создают много электромагнитных помех
Для быстрых переходных процессов требуются драйверы с высоким (er) током
В общем, H-мосты — не самые требовательные схемы с точки зрения переходного времени: вы видели, что один вентиль серии AHC может довольно удобно создавать субмикросекундные времена включения и выключения для довольно большой полевой транзистор.Я рекомендую, чтобы время перехода составляло примерно 0,5–1% от времени цикла. Это означает, что для моста 20 кГц мне нравится время переходного процесса 250-500 нс. Это гораздо более серьезная проблема для более высоких частот переключения, которые обычно встречаются в мощных преобразователях постоянного тока в постоянный ток, таких как материнские платы ПК.
Далее я буду иметь дело только с половиной моста. Вторая половина нуждается в таком же лечении, поэтому я пока не буду обращать на это внимания. Что касается низкого уровня, у нас есть только один тип устройства, с которым нужно иметь дело: N-канальные полевые транзисторы.Им требуется низкое напряжение для их выключения и более высокое напряжение (обычно в диапазоне 5… 15 В) для их полного включения. Возникает вопрос: что поставить на место загадочной цепи:
Простейшая схема привода: нет
Для очень простых низковольтных конструкций они могут полностью отсутствовать, а полевые транзисторы напрямую управляются сигналами логического уровня.
Однако этот метод работает только при ограниченных обстоятельствах:
Вы должны убедиться, что выходные напряжения цифровой логики действительно способны полностью включить полевой транзистор.Это было верно в предыдущем примере, но если бы вы использовали логику с более низким напряжением (3,3 В или даже ниже) или хотели бы иметь более высокие токи через мост, это было бы не так.
У логического выхода достаточно тока для создания необходимого времени включения и выключения. Это особенно важно для логических выходов с асимметричным приводом, таких как выходы CMOS с открытым стоком или микросхемы TTL.
Драйверы более высокого тока
Если по указанным выше причинам вы хотите иметь драйвер, который может обеспечивать больший ток (но вы все еще в порядке с ограниченным диапазоном выходного напряжения), вы все равно можете использовать конфигурацию дополнительного драйвера, просто используйте полевые транзисторы большего размера с меньшим r. _дсон.
В качестве альтернативы вы можете объединить несколько выходных буферов из стандартных устройств CMOS, чтобы таким образом увеличить мощность привода, например, соединив вместе все шесть доступных инверторов в 74AHC04:
Высоковольтные осложнения
До сих пор мы говорили только о драйверах нижнего плеча, где уровень напряжения необходимого привода затвора находился в пределах диапазона стандартной цифровой логики. Мы видели, что — по крайней мере, в этом одном примере — стандартный цифровой логический вентиль 5 В достаточно хорошо работает для закрытия относительно большого полевого МОП-транзистора.По мере того как цифровые стандарты с более низким напряжением (3,3 В и ниже) набирают популярность или если вы пытаетесь увеличить допустимую нагрузку по току моста, вы довольно быстро обнаружите, что привод прямого логического уровня неадекватен.
Когда напряжение драйвера затвора на полевом транзисторе выше, чем у вашего цифрового источника питания, для управления устройством потребуется по крайней мере переключатель уровня. Один из самых простых переключателей уровней — это:
Здесь затвор малосигнального N-FET управляется подходящим логическим сигналом (и сигнал логического уровня может легко включить этот N-FET), а его сток подтягивается к источнику питания затвора. , В _привод.Когда полевой транзистор выключен (логический элемент установлен на «0»), выходной сигнал будет подтягиваться к V _{, управляющему}, с помощью R _до. Когда вентиль переводится на логический уровень «1», полевой транзистор включается и подтягивает выход к 0 В. Таким образом, на самом деле выход является логическим обратным входу, но уровни напряжения изменяются на 0 и V _привод.
Однако сложность заключается в следующем: сила возбуждения (или возможность подачи тока) этого переключателя уровня значительно отличается в «высоком» и «низком» случаях.При низком уровне его выходное сопротивление примерно равно _dson полевого транзистора. Когда выход высокий, его сопротивление составляет от _до RR. Однако R _до должен быть значительно выше, чем r _dson, иначе выходное напряжение низкого уровня не будет близко к 0 В. Это, в свою очередь, означает, что время включения (которое определяется r _dson для P-FET) будет значительно — возможно, даже на порядок — ниже, чем время выключения, которое определяется R _{. вверх}.Этот дисбаланс несколько усложняет защиту от сквозного прохода и очень затрудняет достаточно быстрое отключение ведомого силового полевого транзистора.
Чтобы решить эту проблему, между переключателем уровня и силовым полевым транзистором может быть добавлен дополнительный каскад драйвера:
На этом этапе мощность привода высокого и низкого уровня будет примерно одинаковой, что, соответственно, сделает время включения и выключения намного ближе друг к другу.
До сих пор мы говорили только о том, как управлять устройствами N-MOS и работать с ними на низком уровне.Давайте теперь рассмотрим драйверы высокого уровня, сначала для устройств P-MOS:
Эта конфигурация представляет некоторые сложности: транзисторы P-MOS открыты (непроводящие), когда их затвор близок к тому же потенциалу, что и их источник, и закрыты (проводящие), когда затвор находится под значительно более низким потенциалом, -5… -15В ниже. Это означает, что для того, чтобы полностью отключить P-FET на стороне высокого напряжения, нам нужно поднять его затвор на высоту источника, подключенного к источнику питания.Чтобы включить полевой транзистор, мы должны снизить напряжение затвора на 5… 15 В ниже V _bat.
Все схемы возбуждения, которые мы обсуждали ранее, можно использовать для полевых транзисторов высокого напряжения со следующим изменением: вы должны питать каскад драйвера от того же напряжения, на котором работает мост, то есть V _bat. Таким образом, выходное напряжение высокого уровня будет V _bat, которое правильно выключит P-FET, а выходное напряжение низкого уровня будет равно 0, что почти всегда достаточно для включения полевого транзистора.(У вас могут возникнуть проблемы с чрезвычайно низким напряжением V _bat, когда вам придется перевести затвор на отрицательное напряжение, чтобы правильно включить полевой транзистор. Однако это достаточно редкий случай, чтобы игнорировать его просто потому, что сильноточные H-мосты обычно работают при более высоких напряжениях, а низковольтные H-мосты имеют достаточно низкие токи, чтобы в них можно было использовать небольшой полевой транзистор логического уровня, который может быть включен с помощью -V _bat.)
Неполадки привода с прямой логикой
Дополнительное ограничение драйвера, работающего от V _bat, имеет существенные последствия для мостов, управляемых прямым логическим вентилем: простой вентиль серии AHC, подобный тому, который мы использовали ранее, сможет работать в этой роли только в том случае, если напряжение питания моста ниже максимального напряжения, от которого могут работать сами ворота, то есть менее 5В.Это очень серьезное ограничение, поскольку большинство мостов, но самые маленькие, работают от более высоких напряжений, чтобы максимизировать подачу мощности, не требуя огромных токов.
При этом для небольших двигателей такой подход может привести к хорошему и дешевому решению. В качестве практического примера взгляните на проект Servo Brain µModule.
Одним из основных факторов преждевременной смерти полевых МОП-транзисторов является выход из строя оксида затвора. Основная причина пробоя — слишком высокое напряжение затвор-исток на полевом МОП-транзисторе.В таблицах данных всегда указывается это значение, а для силовых полевых МОП-транзисторов это значение обычно составляет +/- 20 В. Выход из этой области очень быстро разрушит полевой транзистор.
Это представляет проблему для драйверов P-MOS верхнего плеча: если напряжение V _bat превышает 20 В, мы не можем позволить приводу затвора опускаться до 0 В для низких уровней. Это может быть только, скажем, V _bat -15V, чтобы также был некоторый запас прочности. Обычно это достигается добавлением стабилитрона в схему управления:
Если вы установите напряжение стабилитрона примерно на 15 В, это ограничит вашу разницу напряжений между выходом и V _bat в безопасных пределах.
Подобные ограничения необходимы и для нижней стороны, если ваш драйвер работает от V _bat, а не от отдельного источника питания.
До сих пор мы обсуждали только управление устройствами P-MOS на высокой стороне. При всех сложностях смещения уровня и ограничения напряжения драйверы P-MOS по-прежнему проще, чем драйверы для N-канального устройства.
Причина заключается в следующем: исток N-канального устройства на стороне высокого напряжения должен быть подключен к клемме двигателя, а его сток — к источнику питания, в противном случае основной диод будет смещен в прямом направлении и всегда будет проводить .Чтобы выключить устройство N-MOS в этой конфигурации, вы можете подключить затвор к земле или к источнику: напряжение затвор-исток будет ниже или равным 0. Но где подключить затвор, чтобы включить устройство? Источника питания недостаточно, поскольку, если устройство уже проводит ток, его исток и сток имеют примерно одинаковый потенциал. Поскольку сток подключен к источнику питания, исток также будет на этом уровне, но затвор должен быть на выше, чем на , чтобы устройство оставалось включенным.Мы видели, что для нашего примера, приведенного выше, напряжение затвора должно быть как минимум на 4,5 В выше, а для некоторых других устройств может быть на 10-15 В.
Поскольку V _bat обычно является самым высоким напряжением, непосредственно доступным в системе, это напряжение необходимо генерировать. В большинстве случаев для этого поколения используется какой-то зарядный насос, в основном в конфигурации с загрузочным ремнем:
Хотя фактические реализации могут быть немного сложнее, я воспользуюсь этим упрощенным вариантом, чтобы объяснить, как все работает.Эти схемы обычно работают от источника напряжения (V _cc) где-то между 8 и 15 В, для нашего обсуждения предположим, что он работает от 12 В.
Этот драйвер верхнего плеча сильно похож на драйверы верхнего плеча P-MOS, которые мы обсуждали ранее, но есть существенные различия. Хотя он также состоит из переключателя уровня (Q3, R1), за которым следует каскад драйвера C-MOS (Q4, Q5), этот каскад не заземлен и не подключен к источнику питания. Его нижняя часть подключена к среднему выводу моста или, что более важно, к источнику силового полевого транзистора, Q1, который он управляет.Это означает, что выходное напряжение низкого уровня этого каскада (V _{hi_drv}) будет тем же потенциалом, что и источник Q1, каким бы он ни был.
Давайте теперь посмотрим, что такое напряжение (V _boot) верхнего плеча драйвера, которое определяет выходное напряжение высокого уровня! Чтобы понять работу схемы, вы должны представить, что и высокая, и низкая стороны управляются ШИМ-сигналом. Мы закрываем Q2 для некоторой части каждого цикла, а Q1 для остального (не считая защиты от прострела в течение минуты).
Для той части цикла, когда Q2 проводит, напряжение на выходе (V _из) равно 0 В или очень близко к нему. Поскольку к этому узлу подключена одна сторона пыльника C _{, он также заземлен. D _boot, который подключен между V _cc и другой стороной C _boot, гарантирует, что C _boot заряжен до V _cc:}
Это, конечно, также означает, что V _boot равен V _cc, 12V в нашем примере.Когда дело доходит до выключения Q2, V _out начинает плавать. В зависимости от того, что делает двигатель и другая сторона моста, либо D1, либо D2 откроются и продолжат проводить ток двигателя.
Если открывается D2, выход V _{на выходе} останется на уровне 0 В (на самом деле это будет немного отрицательным для проводимости D2, но пока давайте проигнорируем это), поэтому загрузка C и загрузка V остаются такими, какими они были: заряжены к V _cc, или на 12 В выше, чем V _out.
Если мы захотим включить Q1 в этот момент, Q4 может легко поднять напряжение на затворе на 12 В выше, чем напряжение на клеммах источника (V _{на выходе}), так что мы можем четко включить его.
Однако, если D1 начинает проводить после того, как мы включили Q2, V _out повышается до V _bat (опять же, немного выше, чтобы смещать диод в прямом направлении, но я проигнорирую это здесь). Когда это произойдет — поскольку напряжение на C _boot не может резко измениться — V _boot должен подняться и достигнуть V _bat + V _cc. Обычно загрузка C быстро разряжается по направлению к V _cc, но в нашем случае D _boot закрывается и позволяет загрузке V подняться так высоко, как пожелает:
В этот момент V _out находится на V _bat, а загрузка V выше, чем на V _cc (12 В).Если бы мы хотели включить Q1 на этом этапе, мы все равно можем это сделать: выходное напряжение высокого уровня драйвера (V _boot) на 12 В выше, чем напряжение источника Q1, так как он подключен к выходу V _..
В целом, загрузка C и загрузка D гарантируют, что V _boot всегда находится под более высоким напряжением, чем V _out на V _cc. Или, по крайней мере, большую часть времени. Проблема в том, что всякий раз, когда V _boot выше, чем V _cc, единственное, что поддерживает его на этом уровне, — это заряд, сохраняемый в загрузке C .Любой ток, протекающий из этого узла, разрядит конденсатор и в конечном итоге вернет V _boot только к V _cc. В нашей простой схеме большая часть этого тока будет проходить через R1, но даже если мы решим это, другие токи утечки через различные компоненты в конечном итоге сделают это. Это займет много времени, возможно, секунды, но это неизбежно произойдет. Это означает, что, хотя эта схема, безусловно, может включить Q1, она не может держать его включенным бесконечно.
Самым важным последствием является то, что мосты, приводимые в движение драйвером этого типа, не могут работать при 100% -ном рабочем цикле: вам придется подавать некоторое количество в каждом цикле для зарядки C _boot.
Что касается режимов движения, схема не накладывает существенных ограничений на количество доступных опций. Для синхронизированного противофазного привода все четыре полевых транзистора переключаются, поэтому проблем нет, но для двух знаковых приводов вам нужно убедиться, что полевой транзистор, который постоянно включен, находится на стороне низкого напряжения.
Еще одна проблема, о которой стоит упомянуть, заключается в следующем: когда вы пытаетесь включить Q1, то есть включаете Q4, вы в основном подключаете C _boot и емкость затвора Q1 параллельно.Если загрузочный элемент D закрыт, поэтому единственное место для получения заряда на затвор — это загрузочный элемент C , вы, по сути, просто перераспределяете заряд между двумя конденсаторами. По мере того, как это происходит, напряжение на них будет снижаться, а напряжение затвора, которого вы можете достичь, будет зависеть от соотношения двух емкостей:
V _ворота = V _cc * C _{пыльник} / (C _{пыльник} + C _ворота)
Это означает, что если вы хотите убедиться, что вентиль V , скажем, находится в пределах 10% от V _cc, вы должны убедиться, что загрузочный элемент C примерно на порядок выше, чем затвор-емкость Q1.Мы видели, что емкость затвора больших полевых транзисторов может составлять несколько нФ, поэтому для этих устройств C _boot должен находиться в диапазоне 47–100 нФ.
Последнее, о чем стоит поговорить, это то, что при переключении моста D _boot продолжает открываться для пополнения C _boot. Но сколько тока будет протекать через него? Поскольку я нарисовал схему выше, единственное, что ограничивает этот ток, — это внутреннее сопротивление D _boot и проводов, соединяющих их. В общем, может быть значительный скачок тока на V _cc через D _boot из-за работы зарядного насоса.Источник питания, генерирующий Vcc, имеет конечное внутреннее сопротивление, поэтому этот всплеск тока приведет к периодическому падению напряжения на V _cc. Чтобы предотвратить это, обычно резистор подключается последовательно к загрузочному элементу D _{для управления током, протекающим в конденсаторе. Это значение определено, чтобы гарантировать, что вы можете полностью перезарядить C _boot даже при наихудших условиях рабочего цикла:}
Допустим, вы допускаете максимальный рабочий цикл 99%, емкость затвора составляет 5 нФ, загрузочный элемент C составляет 100 нФ, Vcc составляет 12 В, а рабочая частота моста составляет 20 кГц.Это означает, что вы будете заряжать затвор Q1 до 12 В (без учета падения напряжения на загрузке D _{и из-за явления перераспределения заряда, которое мы обсуждали выше) 20000 раз в секунду. Каждый раз, когда вы заряжаете конденсатор, вам потребуется 5 нФ * 12 В = 60 нКв. Поскольку вы делаете это 20000 раз в секунду, общий заряд, передаваемый конденсатору за секунду, составляет 1,2 мОм, или, другими словами, ваш средний ток затвора составляет 1,2 мА .}
Скажем (из-за перераспределения заряда и других путей утечки) в наихудших условиях C _boot теряет 10% своего заряда во время работы.Это приводит к падению 1,2 В на загрузке V , которое необходимо восполнить во время простоя, что (в худшем случае) составляет 1% от общего времени цикла, или 500 нс. Чтобы зарядить конденсатор емкостью 100 нФ на 1,2 В за 500 нс, вам потребуется 0,24 А (пикового) тока заряда.
Из этого быстрого расчета вы видите, что пиковый ток (протекающий через загрузочный элемент R и загрузочный элемент D ) может быть довольно большим по сравнению со скромным средним током, текущим на затвор Q1.Это важно, так как этот высокий ток перегрузит вашу сеть электропитания и может стать сильным источником шума для других частей вашей конструкции.
Если вам интересно, в технических описаниях устройств и примечаниях к приложениям есть много более подробной информации об этих схемах начальной загрузки, например: http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-6076.pdf
Мы пока особо не говорили об этом, но факт в том, что H-мосты и понижающие преобразователи DC / DC имеют много общего. Настолько, что схемы драйверов, о которых мы здесь говорили, те же самые, что люди используют для сильноточных синхронных преобразователей постоянного тока в постоянный.Такие преобразователи используются сегодня на материнских платах ПК, что привело к появлению множества дешевых и высокопроизводительных полумостовых драйверов. Это почти исключительно двухканальный драйвер MOSFET на основе загрузочного ремня, но они оснащены дополнительными преимуществами, такими как защита от сквозного прохода, различные конфигурации входов, несколько вариантов напряжения, контакты включения, встроенный повышающий диод и т. Д. Обычно они поставляются в пакетах SO-8, но, конечно же, доступны и другие варианты. Вам нужно будет использовать два из них, чтобы создать полноценный драйвер моста.Некоторые примеры включают L6743Q или L6387A от ST, ADP3120A от OnSemi. Вы также можете найти полные H-мостовые драйверы, такие как почтенный и дорогой HIP4081A от Intersil.
Это была длинная статья, которую я должен признать, но, надеюсь, она дает вам некоторое представление о проблемах проектирования схем привода Н-мостов. Для всех приложений, кроме самых простых, необходима специализированная схема управления, поскольку, хотя привод с низкой стороны довольно часто возможен с помощью простых логических сигналов, обычно более задействован привод с высокой стороны.Сегодня доступность дешевых микросхем драйверов полумостов с загрузочной стяжкой делает все N-канальные мосты очень привлекательным вариантом дизайна.
Теперь, когда мы рассмотрели базовую конструкцию мостов и связанных с ними схем привода, в следующей части серии мы рассмотрим управление мостом и некоторые интересные вариации ранее установленных знаковых величин и асинхронности. знаковые параметры привода.
sanyo% 20denki% 20encoder техническое описание и примечания к применению
Маркон
Абстракция: 10sc15m SANYO SANYO sh3a027-1 10SC33M THCR60E1h206ZT TPSD336-020R0200 16SA22M 16SC10M 16SC4R7M
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF THCR40E1E475ZT 25SC2R2M 25SC3R3M 25SC4R7M 25SC6R8M 25SC10M 25SC15M 25SC22M 25SC33M 25SC47M Маркон 10с15м SANYO SANYO sh3a027-1 10SC33M THCR60E1h206ZT TPSD336-020R0200 16СА22М 16SC10M 16SC4R7M
SANYO sh3a027-1
Аннотация: 3116-SIP12S ic 4040 MPP36S 3152A 3029A-DIP28S 3037A-DIP20H 3149-DIP48S 3151-QIP100E 3011-AD
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 004A-DIP14TK 010A-DIP22 005A-DIP14T 011A-DIP24 3000Б-НП 3006B- T0126 SC-43 T0220M T03PB SANYO sh3a027-1 3116-SIP12S ic 4040 MPP36S 3152A 3029A-DIP28S 3037A-DIP20H 3149-DIP48S 3151-QIP100E 3011-н.э.
LM8550
Резюме: KTD2026 2SC2320 эквивалент NEC 12F DATASHEET 2sc2240 эквивалент 2N3904 MOTOROLA 2N3906 MOTOROLA 2N5400 MOTOROLA 2sc1983 2SD1960
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF 2N2222 / А КТН2222 / А 2SA1150 KTA1272 2SA1510 2SB546A 2N2369 / А KTN2369 / A 2SA1151 KTA1266 LM8550 KTD2026 2SC2320 эквивалент ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ NEC 12F 2sc2240 эквивалент 2N3904 МОТОРОЛА 2N3906 МОТОРОЛА 2Н5400 МОТОРОЛА 2sc1983 2SD1960
2SK922
Реферат: mos fet 120v 10A 2SC4293 2SC4294 fet Маркировка М3
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC4293 T03PML 300 нс 2SC4294 S32SD2002 0DGB752 2SK922 mos fet 120v 10A Фет Маркировка М3
2SC930
Реферат: транзистор 2sC930 sj 2025 для усилителей b1181 VLN 2003a 2SC930 D TRANSISTOR b1181 JIS B1181 sj 2025 NF Amp NPN кремниевый транзистор ТО-3
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC930 7cH707Li ~ Т-U-17 2SC930 2SC930SPA 2SC930NP B1181 B1252 транзистор 2сс930 sj 2025 для усилителей VLN 2003a 2SC930 D ТРАНЗИСТОР B1181 JIS B1181 sj 2025 NF Amp NPN Кремниевый транзистор ТО-3
VARTA V170R
Абстракция: v60rt varta v60r varta v60rt VARTA v280r VARTA V60H v280r varta v110r 225dkz VARTA 60DK
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF 5003-BP2 5006-BP2 5 / VH700DKZ 10 / 250ДК, 10 / V280R, 10 / CP300H 10 / V350H 5 / V500RH, 5 / 600DKZ VARTA V170R v60rt varta v60r varta v60rt VARTA v280r VARTA V60H v280r varta v110r 225дкз ВАРТА 60ДК
Эквивалент BU4508DX
Аннотация: эквивалент ST1803DHI ST2001HI эквивалент BU4508DX 2SC5296 эквивалент BU508DF эквивалент BU2725DX bu208a toshiba 2sc5326 эквивалент 2SC5302
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF 2SC4589 BU4525AF 2SC4692 BU4530AL 2SC4742 BU2508DW 2SC4743 BU4508AX 2SC4744 BU4508DF Эквивалент BU4508DX Эквивалент ST1803DHI Эквивалент ST2001HI BU4508DX 2SC5296 эквивалент Эквивалент BU508DF эквивалент BU2725DX bu208a toshiba 2sc5326 2SC5302 эквивалент
2sc284
Аннотация: ТРАНЗИСТОР 2SC2840 sanyo маркировка 2sc2999 2SC2999 10mmiS sanyo 2033 bc 207 npn
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC2840 711707т 600 МГц 0DGB752 2sc284 2SC2840 ТРАНЗИСТОР sanyo маркировка 2sc2999 2SC2999 10mmiS sanyo 2033 до н.э. 207 нпн
2SC2813
Аннотация: Транзистор LC1 D63 Bc 313 NF 28 2SC3142 DDD3710 EIAJ Q5270I Q5270 LC1 FH 43
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 0DGB752 2SC2813 LC1 D63 транзистор Bc 313 NF 28 2SC3142 DDD3710 EIAJ Q5270I Q5270 LC1 FH 43
sanyo маркировка JE
Аннотация: SIP16 SIP14H sanyo 3051 3042B
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 3025B 3026B 3032B SIP16 3021B 3027мм) IP48B sanyo маркировка JE SIP16 SIP14H sanyo 3051 3042B
2SK283
Абстракция: STK282-170-E sanyo DDD3710 ss 7941 1501T
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF -100 / хА 0DGB752 2SK283 STK282-170-E sanyo DDD3710 SS 7941 1501 т
2SD439
Аннотация: Транзистор 2SB559 аф 126 JIS G 3201
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SB559 2SD439 0DGB752 транзистор аф 126 JIS G 3201
2SD1161
Аннотация: sj 2025 sj 2038 B1181 DDD3710 маркировка D63 N1CJ Транзистор 2SD1161 la 1201 sanyo
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SD1l61-б / у 0DGB752 2SD1161 sj 2025 sj 2038 B1181 DDD3710 маркировка D63 N1CJ Транзистор 2SD1161 la 1201 sanyo
b1181
Реферат: JIS B1181 МАРКИРОВКА 313B 2SK283 TO-220AD SS 7941 W19 транзистор DDD3710 JIS G3141.2т транзистор
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF -100 / хА B1181 B1252 JIS B1181 МАРКИРОВКА 313B 2SK283 ТО-220АД SS 7941 w19 транзистор DDD3710 JIS G3141 .2t транзистор
2SK315
Аннотация: КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР DDD3710 FS 2025 2030a la 1201 sanyo
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SK315 1005B 0DGB752 DDD3710 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР FS 2025 2030a la 1201 sanyo
a 1201 sanyo
Аннотация: транзистор Bc 313 NF 28 la 1201 sanyo 2SK493 DDD3710 QQOS411 n1cj
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 7Tc1707ki 100juA 1201 sanyo транзистор Bc 313 NF 28 la 1201 sanyo 2SK493 DDD3710 QQOS411 n1cj
2SC693
Аннотация: sj 2025 sj 2038 2SC1570 2sc693 sanyo ic sj 2038 JIS G3141 из HT 12E AT 2005A
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC693 D414D 0DGB752 2SC693 sj 2025 sj 2038 2SC1570 2sc693 sanyo микросхема sj 2038 JIS G3141 HT 12E В 2005A
b1181
Реферат: 2SK775 JIS B1181 ТРАНЗИСТОР b1181 ТРАНЗИСТОР FS 2025 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР FS 2025 RNW транзистор b1252 ТРАНЗИСТОР DDD3710
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SK775 B1181 B1252 2SK775 JIS B1181 ТРАНЗИСТОР B1181 ТРАНЗИСТОР FS 2025 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР FS 2025 RNW транзистор b1252 ТРАНЗИСТОР DDD3710
d331 npn транзистор
Аннотация: Транзистор D331 la 1201 sanyo D331 PNP D330 транзистор NPN транзистор d331 d331 D331 транзистор NPN B514 транзистор D330
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SD330, г. 2SB514, г. Q004T05 2SB514 ДиссипацияBH81 0DGB752 d331 npn транзистор D331 транзистор la 1201 sanyo D331 PNP Транзистор D330 NPN транзистор d331 d331 D331 NPN ТРАНЗИСТОР B514 D330 транзистор
LC7533
Аннотация: LC7531 mos 3021 LC7534M Sanyo с верхней маркировкой
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF Т-74-05-01 16-ступенчатый -60 дБ DIP30S 0DD77L3 Т-90-20 ДИП-24Слим ДИП28СН QIP48B DIP24S LC7533 LC7531 mos 3021 LC7534M Маркировка верхней части Sanyo
транзистор с1570
Аннотация: транзистор c1570 2SC1571 C1571 2SC1570 транзистор 2sc1570 транзистор c1571 1571L C1571L транзистор 2sc1571
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 1571L 2SC1570, г. 1571L 2SC1570 2SC1571 2SC1571L 0DGB752 транзистор c1570 c1570 C1571 транзистор транзистор 2sc1570 транзистор c1571 C1571L 2sc1571 транзистор
ТРАНЗИСТОР FS 2025
Реферат: 2SK315 bc 301 маркировка транзистора ADMI DDD3710 u150 IC 1709 CN 0V112
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SK315 1005b B1181 B1252 ТРАНЗИСТОР FS 2025 bc 301 транзистор маркировка ADMI DDD3710 u150 IC 1709 CN 0V112
2SA1210
Аннотация: 2SC2912 P33-07 A1210 la 1201 sanyo TO-220AA транзистор BC 536
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC2912 707Li 2SA1210 Характеристики / H81 B1252 0DGB752 2SA1210 2SC2912 P33-07 A1210 la 1201 sanyo ТО-220АА транзистор BC 536
1225C
Аннотация: hy 1418 590uH IC MPC 1420 018U 2SD1399 HT 12E ПРИЛОЖЕНИЕ 2SC227I
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SD1399 1225C ElectrBH81 0DGB752 1225C hy 1418 590 мкГн IC MPC 1420 018U 2SD1399 ПРИМЕНЕНИЕ HT 12E 2SC227I
2SC3455
Аннотация: 1ee маркировка 1578B ub 90f n1cj MARKING 313B IS-313D
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2SC3455 00044S1 1578B CBH81 2SC3455 Маркировка 1ee 1578B уб 90f n1cj МАРКИРОВКА 313B ИС-313Д
Простейшая схема инвертора с полным мостом
Среди различных существующих топологий инвертора топология инвертора с полным мостом или H-мостом считается наиболее эффективной и действенной.Настройка полной мостовой топологии может повлечь за собой слишком большую критичность, однако с появлением интегральных схем с полным мостом они стали одними из самых простых инверторов, которые можно построить.
Что такое полномостовая топология
Полномостовой инвертор, также называемый H-мостовым инвертором, является наиболее эффективной топологией инвертора, в которой используются двухпроводные трансформаторы для подачи необходимого двухтактного колебательного тока в первичную обмотку. Это позволяет избежать использования 3-проводного трансформатора с центральным ответвлением, который не очень эффективен из-за того, что у них вдвое больше первичной обмотки, чем у 2-проводного трансформатора
Эта функция позволяет использовать трансформаторы меньшего размера и получать большую выходную мощность при том же время.Сегодня из-за легкой доступности микросхем мостовых драйверов все стало предельно просто, и создание схемы полного мостового инвертора в домашних условиях стало детской забавой.
Здесь мы обсуждаем схему полного мостового инвертора с использованием микросхемы полного моста IRS2453 (1) D от International Rectifiers.
Упомянутая микросхема представляет собой выдающуюся интегральную схему драйвера полного моста, поскольку она в одиночку берет на себя все основные критические проблемы, связанные с топологиями H-мостов, благодаря своей усовершенствованной встроенной схеме.
Сборщику просто нужно подключить несколько компонентов извне, чтобы получить полноценный рабочий инвертор с H-мостом.
Простота конструкции очевидна из приведенной ниже схемы:
Работа схемы
Выводы 14 и 10 — это выводы плавающего напряжения питания высокой стороны ИС. Конденсаторы емкостью 1 мкФ эффективно поддерживают эти важные выводы в тени выше, чем напряжения стока соответствующих МОП-транзисторов, гарантируя, что потенциал истока МОП-транзисторов остается ниже, чем потенциал затвора для требуемой проводимости МОП-транзисторов.
Затворные резисторы подавляют возможность перенапряжения стока / истока, предотвращая внезапное срабатывание МОП-транзисторов.
Диоды через резисторы затвора вводятся для быстрой разрядки внутренних конденсаторов затвора / стока в периоды отсутствия проводимости для обеспечения оптимального отклика устройств.
Микросхема IRS2453 (1) D также имеет встроенный генератор, что означает, что для этой микросхемы не потребуется каскад внешнего генератора.
Всего пара внешних пассивных компонентов заботится о частоте для управления инвертором.
Rt и Ct могут быть рассчитаны для получения ожидаемых частотных выходов 50 Гц или 60 Гц через МОП-транзисторы.
Расчет компонентов, определяющих частоту
Для расчета значений Rt / Ct можно использовать следующую формулу:
f = 1 / 1,453 x Rt x Ct
, где Rt выражается в омах, а Ct — в фарадах.
Функция высокого напряжения
Еще одной интересной особенностью этой ИС является ее способность работать с очень высокими напряжениями до 600 В, что делает ее идеально подходящей для бестрансформаторных инверторов или компактных ферритовых инверторных схем.
Как видно на данной диаграмме, если доступное извне 330 В постоянного тока подается через «выпрямленные линии +/- переменного тока», конфигурация мгновенно превращается в бестрансформаторный инвертор, в котором любая предполагаемая нагрузка может быть подключена непосредственно через точки, отмеченные как «нагрузка».
В качестве альтернативы, если используется обычный понижающий трансформатор, первичная обмотка может быть подключена через точки, отмеченные как «нагрузка». В этом случае «выпрямленная линия + AC» может быть соединена с контактом №1 ИС и подключена к аккумулятору (+) инвертора.
Если используется батарея с напряжением выше 15 В, «выпрямленная линия + переменного тока» должна быть подключена непосредственно к плюсу батареи, в то время как контакт № 1 должен быть подключен к пониженному регулируемому напряжению 12 В от источника батареи с использованием IC 7812.
Хотя Показанная ниже конструкция выглядит слишком простой в изготовлении, компоновка требует соблюдения некоторых строгих правил, вы можете обратиться к посту для обеспечения правильных мер защиты для предлагаемой простой схемы полного мостового инвертора.
ПРИМЕЧАНИЕ. Соедините вывод SD IC с линией заземления, если она не используется для операции выключения.
Принципиальная схема
Простой H-мостовой или полный мостовой инвертор с использованием двух полумостовых ИС IR2110
На приведенной выше диаграмме показано, как реализовать эффективную конструкцию полномостового прямоугольного инвертора с использованием пары полумостовых ИС IR2110.
ИС представляют собой полноценные полумостовые драйверы, оснащенные необходимой сетью загрузочных конденсаторов для управления МОП-транзисторами на стороне высокого напряжения и функцией мертвого времени для обеспечения 100% безопасности проводимости МОП-транзисторов.
ИС работают путем попеременного переключения МОП-транзисторов Q1 / Q2 и Q3 / Q4 в тандеме, так что в любом случае, когда Q1 включен, Q2 и Q3 полностью переключаются как OF, и наоборот.
Микросхема способна производить вышеуказанное точное переключение в ответ на синхронизированные сигналы на их входах HIN и LIN.
Эти четыре входа должны быть активированы, чтобы гарантировать, что в любой момент HIN1 и LIN2 включаются одновременно, а HIN2 и LIN1 выключены, и наоборот. Это делается с удвоенной скоростью на выходе инвертора.Это означает, что если требуется, чтобы выход инвертора был 50 Гц, входы HIN / LIN должны генерировать колебания с частотой 100 Гц и так далее.
Схема генератора
Это схема генератора, оптимизированная для запуска входов HIN / LIN описанной выше схемы полномостового инвертора.
Одна ИС 4049 используется для генерации необходимой частоты, а также для изоляции переменных входных каналов для ИС инвертора.
C1 и R1 определяют частоту, необходимую для генерации полумостовых устройств, и могут быть рассчитаны по следующей формуле:
f = 1/1.2RC
В качестве альтернативы значения могут быть получены методом проб и ошибок.
Дискретный полномостовой инвертор с использованием транзистора
До сих пор мы изучали топологии полномостового инвертора с использованием специализированных ИС, однако то же самое можно было бы построить с использованием дискретных частей, таких как транзисторы и конденсаторы, и вне зависимости от ИС.
Простую схему можно увидеть ниже:
IR2106S | Infineon Technologies | PMIC — Драйверы ворот
Быстрый запрос
IR2106S
— Пожалуйста, выберите —United StatesChinaFranceGermanyIndiaJapanKorea, Республика ofRussian FederationTaiwanUnited KingdomAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongoCongo, Демократическая Республика TheCook IslandsCosta RicaCote D’ivoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова ( Мальвинские острова) Фарерские острова ФиджиФинляндияФранцияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияФранцузские Южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГу ineaGuinea-bissauGuyanaHaitiHeard Island и МакДональда IslandsHoly Престол (Ватикан) HondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran, Исламская Республика ofIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Корейская Народно-Демократическая Республика ofKorea, Республика ofKosovo, Республика ofKuwaitKyrgyzstanLao Народная Демократическая RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Арабская JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedonia, бывшая югославская Республика ofMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты ofMoldova, Республика ofMonacoMongoliaMontenegro, РеспубликаМонсерратМароккоМозамбикМьянмаНамибияНауруНепалНидерландыНидерландские Антильские островаНовая КаледонияРегионНовая ЗеландияНикарагуаНигерНигерияНиуэНорфолкСеверные Марианские островаНорвегияОманПакистанПалауПалестинская территория Румынии, оккупированнаяПанамаПарагуа-Новая Гвань wandaSaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Том и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbia, Республика ofSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузия и Южный Сэндвич IslandsSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, Объединенная Республика ofThailandTimor-lesteTogoTokelauTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited арабского EmiratesUnited KingdomUnited Внешние малые острова США УругвайУзбекистан Вануату Венесуэла Вьетнам Виргинские острова, Британские Виргинские острова, СШАС.Уоллис и Футуна, Западная Сахара, Йемен, Замбия, Зимбабве,
.
db9rf техническое описание и примечания по применению
блм21п221сн
Аннотация: MICTOR38P RJ45INTLED S29GL128M10TFIR1 db9rf 1N4001SM 0U001 k163 k168 BLM21P221
Текст: 5 Page 16 4 Mictor Разъем pld_MICTORCLK TCK ТМС TDO TDI TRST TR_CLK MICTOR [24: 0] Страница 3-5 pld_MICTORCLK TCK ТМС TDO TDI TRST TR_CLK MICTOR [24: 0] АЦП D adc_PLLCLK1 adc_PLLCLK2 adc_CLK_IN1 adc_CLK_IN1_n adc_CLK_IN2 adc_CLK_IN2_n adcA_D [11 : 0] adcB_D [11: 0]

Оригинал PDF 330hm AD9433BSQ P06-10217R blm21p221sn МИКТОР38П RJ45INTLED S29GL128M10TFIR1 db9rf 1Н4001СМ 0U001 k163 k168 BLM21P221
Серводвигатель Sanyo Denki
Аннотация: p30b08 энкодер Sanyo Denki Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki 800 Вт, схема инвертора мощности с обратной связью, управление серводвигателем с помощью 8051 pacific Scientific 3-фазный инвертор ic ir2136 pwm 600 Вт схема инвертора, схема подключения 110 вольт однофазный реверсивный двигатель
Текст: Паспорт №PD60222 Rev.A IRMCS2011 Комплексная платформа для проектирования сервоприводов на базе кодировщика Характеристики системы разработки iMOTIONTM Недорогая полная платформа для проектирования сервоприводов переменного тока IRMCK201 IC для полного сервоуправления Краткое описание продукта Полоса пропускания токовой петли -3 дБ

Оригинал PDF PD60222 IRMCS2011 IRMCK201 IR2175 30 В / 750 Вт 00 В / 16 А IR2136 IRMCS2011 Серводвигатель Sanyo Denki p30b08 Кодировщик Sanyo Denki Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki Схема инвертора мощностью 800 Вт управление серводвигателем с обратной связью по 8051 тихоокеанский научный 3-х фазный инвертор ic ir2136 схема инвертора pwm 600w электрическая схема Однофазный реверсивный двигатель 110 вольт
Предохранитель SMD P110
Аннотация: принципиальная схема контроллера скорости двигателя постоянного тока 100 в IC L7805cv принципиальная схема smps 400 Вт DESKTOP LCL-UF1125 smd smps 230 в переменного тока на 18 в постоянного тока трансформатор обратного хода высокого напряжения IRS2631 tyco igbt p11 цепи управления скоростью асинхронного двигателя
Текст: 24 июля 2008 г.PD60359 IRMD26310DJ 3-ФАЗНАЯ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТНИКА ЭТАЛОННЫЙ КОМПЛЕКТ КОНСТРУКЦИИ IRS26310DJ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТ

Оригинал PDF PD60359 IRMD26310DJ IRS26310DJ Предохранитель SMD P110 Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 100 В Микросхема L7805cv Принципиальная схема smps 400w DESKTOP LCL-UF1125 smd smps от 230 в переменного тока до 18 в постоянного тока трансформатор обратного хода высоковольтный IRS2631 Tyco IGBT P11 схемы управления скоростью асинхронного двигателя
db9rf
Аннотация: MCS8051 350w принципиальная схема управления двигателем IRMCK203 maxon motor 118889 irf 4095 отказ тормоза maxon maxon RE 50 IRMCS2033 IR2106 ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
Текст: IRMCS2033 International Rectifier • 233 Kansas Street, El Segundo, CA _{! США IRMCS2033 Платформа для проектирования низковольтных бездатчиковых приводов для двигателей с постоянными магнитами. МИРОВОЙ ШТАБ-КВАРТИРА IR: 233 Kansas St., Эль-Сегундо, Калифорния _{Тел .: 310 252-7105 Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. 13.04.2004}}

Оригинал PDF IRMCS2033 IRMCK203 IR2175 IRMCS2033 db9rf MCS8051 Схема управления двигателем 350 Вт maxon двигателя 118889 IRF 4095 отказ тормоза maxon maxon RE 50 IR2106 ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
Энкодер Sanyo Denki
Аннотация: Серводвигатель Sanyo Denki P30B06040DXS00M Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki Sanyo Denki PU P30B08075DXS00M Управление серводвигателем с обратной связью с помощью интерфейса серводвигателя 8051 P20B10150DXS00M 8051
Текст: IRMCS2011 International Rectifier • 233 Kansas Street, El Segundo, CA _{! США IRMCS2011 Комплексная платформа для проектирования сервоприводов на основе кодировщика Система разработки iMOTIONTM IR МИРОВОЙ ШТАБ-КВАРТИРА: 233 Kansas St., Эль-Сегундо, Калифорния _{Тел .: 310 252-7105}}

Оригинал PDF IRMCS2011 IRMCK201 IR2175 30 В / 750 Вт 00 В / 16 А IR2136 IRMCS2011 Кодировщик Sanyo Denki Серводвигатель Sanyo Denki P30B06040DXS00M Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki Sanyo Denki PU P30B08075DXS00M управление серводвигателем с обратной связью по 8051 P20B10150DXS00M Интерфейс серводвигателя 8051
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: MCP3903 Оценочная плата АЦП для 16-разрядных микроконтроллеров Руководство пользователя 2011 Microchip Technology Inc.DS51994A Обратите внимание на следующие подробности функции защиты кода на устройствах Microchip: • Продукты Microchip соответствуют спецификациям, содержащимся в их конкретном листе данных Microchip.

Оригинал PDF MCP3903 16-битный DS51994A DS51994A-страница
блм21п221сн
Аннотация: RJ45INTLED MICTOR38P 3 7segment K163 k168 Лист данных обновленной версии 4R7 w24 BLM21P221SN1 2S180
Текст: ABCD 18.08.05 3 2 1 5 4 Создана схема и заменен компонент с 2S60 на плате DSP на 2S180 на этой версии платы Pro. Описание изменения 3 01 Ред., Четверг, 18 августа 2005 г. Дата: 2 Номер документа P06-10217-01 DSP Pro Stratix II 2S180 Maine Pro

Оригинал PDF 2С180 P06-10217-01 2С180 U47MMBD3004BRM U46MMBD3004BRM blm21p221sn RJ45INTLED МИКТОР38П 3 7сегментный K163 k168 Лист даты Upboard 4R7 w24 БЛМ21П221СН1
MCS8051
Аннотация: db9rf P30B06040DXS00M ИК-коммуникационный микроконтроллер 8051 IRAMY20UP60A Микросхема 8051 P30B06040 IRMCK203 Двигатель Sanyo Denki cd МЕЖДУНАРОДНОЕ РУКОВОДСТВО ПО выпрямителю
Текст: Паспорт №PD60223 Дополнительная информация IRMCS2031 Полная платформа проектирования бессенсорных приводов Особенности системы разработки iMOTIONTM! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! Краткое описание продукта Недорогая платформа для проектирования бессенсорных приводов переменного тока IRMCK203 IC для полного бессенсорного управления

Оригинал PDF PD60223 IRMCS2031 IRMCK203 IR2175 30 В / 750 Вт 00 В / 16 А IRAM16XUP60A IRMCS2031 MCS8051 db9rf P30B06040DXS00M микроконтроллер ИК связи 8051 IRAMY20UP60A 8051 микрочип P30B06040 Sanyo Denki мотор cd МЕЖДУНАРОДНОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПРАВИВАНИЮ
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 24 июля 2008 г.PD60358 IRMD2336DJ 3-ФАЗНАЯ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТЫ ЭТАЛОННЫЙ НАБОР ДЛЯ КОНСТРУКЦИИ IRS2336DJ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТ

Оригинал PDF PD60358 IRMD2336DJ IRS2336DJ
IRMD2336DJ
Аннотация: Международный выпрямитель IRFBG30 на транзисторе 1000V TO220 3,1 A JK55B-100-8 принципиальная схема SMD 400w DESKTOP N5RL20 SMD предохранитель P110 принципиальная схема 100v dc контроллер скорости двигателя PRPN082PAEN Принципиальная схема входа привода светодиода 1W 220vac
Текст: 24 июля 2008 г.PD60358 IRMD2336DJ 3-ФАЗНАЯ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТЫ ЭТАЛОННЫЙ НАБОР ДЛЯ КОНСТРУКЦИИ IRS2336DJ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТ

Оригинал PDF PD60358 IRMD2336DJ IRS2336DJ IRMD2336DJ Международный выпрямитель Транзистор IRFBG30 1000V TO220 3,1 A JK55B-100-8 Принципиальная схема smps 400w DESKTOP N5RL20 Предохранитель SMD P110 Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 100 В PRPN082PAEN Принципиальная схема светодиодного привода мощностью 1 Вт, вход 220 В переменного тока
P30B06040
Аннотация: Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki экономящий провод энкодер Sanyo Denki энкодер сервопривод sanyo denki P30B060 IRAMX16UP60
Текст: 21 декабря 2003 г. Ред. 2.0 IRMCS2011 Полная платформа для проектирования сервоприводов на основе кодировщика Характеристики системы разработки iMOTIONTM Недорогая полная платформа для проектирования сервоприводов переменного тока IRMCK201 IC для полного сервоуправления Краткое описание продукта Полоса пропускания токовой петли -3 дБ

Оригинал PDF IRMCS2011 IRMCK201 IR2175 30 В / 750 Вт 00 В / 16 А IR2136 IRMCS2011 P30B06040 Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki энкодер с экономией проводов Кодировщик Sanyo Denki сервопривод sanyo denki P30B060 IRAMX16UP60
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 24 июля 2008 г.PD60359 IRMD26310DJ 3-ФАЗНАЯ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТНИКА ЭТАЛОННЫЙ КОМПЛЕКТ КОНСТРУКЦИИ IRS26310DJ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС ДРАЙВЕРА ВОРОТ

Оригинал PDF PD60359 IRMD26310DJ IRS26310DJ
MCS8051
Аннотация: Серводвигатель Sanyo Denki Шаговый двигатель sanyo denki db9rf IRMCK201 8051 микросхема Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki IRAMY20UP60A IRMCK201 IC принципиальная схема Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki
Текст: IRMCS2031 International Rectifier • 233 Kansas Street, El Segundo, CA _{! США IRMCS2031 Полная платформа для проектирования бессенсорных приводов Система разработки iMOTIONTM IR ШТАБ-КВАРТИРА МИРА: 233 Kansas St., Эль-Сегундо, Калифорния _{Тел .: 310 252-7105 Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. 13.04.2004}}

Оригинал PDF IRMCS2031 IRMCK203 IR2175 30 В / 750 Вт 00 В / 16 А MCS8051 Серводвигатель Sanyo Denki шаговый двигатель sanyo denki db9rf IRMCK201 8051 микрочип Серводвигатель постоянного тока Sanyo Denki IRAMY20UP60A Принципиальная схема микросхемы IRMCK201 Серводвигатель переменного тока Sanyo Denki
Руководство по выбору Техническое описание Infineon Technologies
‘M w, — — UBEDHEEBEEEBEIBQD O 0 Q)
79
Брошюры по ИС драйвера затвора
ИС драйверов затвора Infineon EiceDRIVER ™
Руководство по выбору 2019
Каждому коммутатору нужен драйвер
www.infineon.com/gatedriver
www.infineon.com/gdbrochure
Power and Sensing
Руководство по выбору 2018
www.infineon.com/powerandsensing-selectionguide
EN
Руководство по выбору драйвера затвора (Настоящий документ
)
www.infineon.com/gdbrochure
Power and Sensing
Руководство по выбору
http://www.infineon.com/
powerandsensing-selectionguide
Руководство по применению в автомобильной промышленности
Каждому коммутатору нужен драйвер
Gate матрица приложений драйвера
www.infineon.com/gatedriver
www.infineon.com/gatedriver-cn
每一个功率器件一个驱动芯片
门极驱动选型指南
Матрица приложений драйвера шлюза
www.infineon.com/ gdapplication
门极驱动应用选型指南
www.infineon.com/gdapplica-
tion-cn
Промышленный гальванически изолированный
Драйвер затвора
www.infineon.com/gdiso
型门极驱动芯片
www.infineon.com/gdiso-cn
1EDN-2EDN EiceDRIVER ™ MOSFET
Драйвер затвора ICs-Application
Руководство по выбору
1EDN / 2EDN Образец комплекта
ISARN20002 KIT
ISARN000_2 Код для заказа 9_ARN
ИС драйвера промышленных затворов с гальванической развязкой
Руководство по выбору 2018
www.infineon.com/gatedriver
www.infineon.com/1EDcompact
EiceDRIVER ™ 1ED Compact EiceDRIVER ™ Enhanced
Характеристики продукта
›Доступен в корпусе DSO-8 шириной 300 мил с 8 мм пути утечки
расстоянием и DSO- 8 150 мил
›Типичный пиковый выходной сигнал до 10 А
› Подходит для работы при высокой температуре окружающей среды
›Отдельные выходы источника и стока или активный зажим Миллера
› Фиксация короткого замыкания и активное отключение
›≥ 100 кВ / мкс CMTI
Характеристики продукта
› Доступен в широком корпусе с длиной пути утечки 8 мм
›Подходит для работы при высокой температуре окружающей среды
› Активный зажим Миллера
›Фиксация короткого замыкания и активное отключение
›≥ 100 кВ / мкс CMTI
› Прецизионная защита DESAT
EiceDRIVER ™ 1ED Компактное семейство микросхем драйвера затвора
Компактный вентиль на 1200 В с гальванической развязкой ИС драйвера
EiceDRIVER ™ Расширенное семейство ИС драйвера затвора
ИС с гальванически развязанным драйвером затвора, 1200 В
Новое семейство EiceDRIVER ™ 1EDC Compact от Infineon, 300 мил, признано
в соответствии с UL 1577 с испытательным напряжением изоляции VISO = 2500 В (среднеквадратичное значение) за 1 мин.
Также доступны функционально изолированные семейства EiceDRIVER ™ 1EDI Compact 150 мил и 300 мил
.
Семейство EiceDRIVER ™ 1ED Compact — идеальный драйвер для супер-переходных полевых МОП-транзисторов
, таких как CoolMOS ™, IGBT, карбид кремниевых (SiC) MOSFET, таких как
CoolSiC ™ и модулей IGBT.
ИС расширенного драйвера затвора EiceDRIVER ™ 1ED представляют собой гальванически изолированные одинарные драйверы
каналов IGBT и SiC MOSFET в корпусе DSO-16, которые обеспечивают выходной ток
, как правило, 2 А.Прецизионная функция DESAT
является отличным решением для защиты SiC MOSFET от короткого замыкания. Все логические выводы
совместимы с 5 В CMOS.
2ED020I12-F2 — двухканальная версия 1ED020I12-F2 в корпусе DSO-36
. 2ED020I12-FI — это высоковольтный, высокоскоростной силовой полевой МОП-транзистор и драйвер IGBT
с блокировкой опорных выходов высокого и низкого уровня.
1EDI Компактный 150 мил 1EDI60I12AF 1EDI40I12AF 1EDI20I12AF 1EDI05I12AF 1EDI60N12AF 1EDI20N12AF 1EDI30I12MF 1EDI20I12MF 1EDI10I12MF
Пакет
1EDI Компактный 300 мил 1EDI60I12AH 1EDI40I12AH 1EDI20I12AH 1EDI05I12AH 1EDI60h22AH 1EDI20h22AH 1EDI30I12MH 1EDI20I12MH 1EDI10I12MH
1EDC Компактный
300 мил (UL 1577) 1EDC60I12AH 1EDC40I12AH 1EDC20I12AH 1EDC05I12AH 1EDC60h22AH 1EDC20h22AH 1EDC30I12MH 1EDC20I12MH 1EDC10I12MH
Корпус
Типичный выход
Ток [A] 10 / -9.4 7,5 / -6,8 4 / -3,5 1,3 / -0,9 10 / -9,4 4 / -3,5 5,9 / -6,2 4,4 / -4,1 2,2 / -2,3
Конфигурация выхода Отдельный приемник /
Выходы источника
Отдельный приемник /
Выходы источника
Отдельный приемник /
Выходы источника
Отдельный приемник /
Выходы источника
Отдельный приемник /
Выходы источника
Активный отдельный приемник /
0003
000
Зажим
Активный Миллер
Зажим
Типичное распространение
Задержка [нс] 300 300 300 300 125 125 300 300 300
UVLO
Вход [В] 2.85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75 2,85 / 2,75
Выход [В] 12 / 11,1 12 / 11,1 12 / 11,1 12 / 11,1 12 / 11,1 (H ) 12 / 11,1 (H) 11,9 / 11 11,9 / 11 11,9 / 11
9,1 / 8,5 (N) 9,1 / 8,5 (N)
ИС EiceDRIVER ™ с гальванической развязкой на основе нашей технологии без сердечника (CT)
, в которой используется
Процессы производства полупроводников для интеграции встроенного трансформатора
, состоящего из металлических спиралей и кремниевой оксидной изоляции
.Встроенные трансформаторы
используются для передачи коммутационной информации между входной микросхемой
и выходной микросхемой, которые гальванически изолированы.
Каждая изолированная ИС EiceDRIVER ™ хорошо подходит для управления SiC MOSFET
, таких как сверхбыстрые переключаемые силовые MOSFET на 1200 В CoolSiC ™.
Драйверы включают в себя наиболее важные ключевые функции и параметры
для управления SiC, такие как точное согласование задержки распространения, точные входные фильтры
, широкий диапазон питания на выходной стороне, отрицательное напряжение затвора
Возможность
или ограничения Миллера и расширенные возможности CMTI .
Технологический трансформатор без сердечника (CT) Инструменты поддержки драйвера затвора Управление SiC MOSFET
›Главная страница драйверов затвора Infineon
› Инструменты моделирования
›Драйвер затвора X-Reference
› Брошюра по выбору драйвера затвора
›Поиск драйверов затвора Инструмент
–www.infineon.com/gatedriver или
–www.infineon.com/eicedriver
–www.infineon.com/ifxdesigner
–www.infineon.com/crs
–www.infineon.com / gdbrochure
–www.infineon.com/gdfinder
www.infineon.com/SiC-gd
www.infineon.com/SiC-MOS
www.infineon.com/gatedriver
www.infineon.com/1EDcompact
EiceDRIVER ™ Enhanced 1ED020I12-F2 2ED020I12-F2 1ED020I12-FT 1ED020I12-B2 1ED020I12-BT 2ED020I12-FI
Конфигурация одиночный двойной одиночный одиночный одинарный полумост
Корпус (все 300 мил) DSO-16 DSO-36 DSO-16 DSO-16 DSO- 16 DSO-18
Гальваническая развязка Функциональная Функциональная Функциональная Базовая
(VDE 0884-10)
Базовая
(VDE 0884-10)
Функциональная
на стороне высокого давления
Функция защиты DESAT, UVLO DESAT, UVLO , UVLO,
Двухуровневое выключение DESAT, UVLO DESAT, UVLO, Two-
Выключение уровня
UVLO, OPAMP,
Компаратор
Вход UVLO [В] 4.1 / 3,8 4,1 / 3,8 4,1 / 3,8 4,1 / 3,8 4,1 / 3,8 12/11
Выход [В] 12/11 12/11 12/11 12/11 12/11 12/11
Ток заряда DESAT [мкА] 500 500 500 500 500 —
Питание биполярного выхода ✓ ✓ ✓ ✓ ✓ —
Активные клещи Миллера ✓ ✓ ✓ ✓ ✓-
Инвертирующие и неинвертирующие входы ✓ ✓ ✓ ✓ ✓-
Комбинированное включение / выключение
сигналы обратной связи и неисправности
✓ ✓ ✓ ✓-
TLSET — ✓-✓-
Типичная задержка распространения [нс] 170 170 170 + TLTOff 170 170 + TLTOff 85
Определения изоляции
Функциональная изоляция Изоляция между проводящими детали, необходимые только для правильного функционирования оборудования.
Базовая изоляция (VDE 0884-10) Изоляция, применяемая к токоведущим частям для обеспечения базовой защиты от поражения электрическим током.
Домашний
Бытовая техника
Кондиционер общего назначения
(Жилой)
Коммерческий
Освещение
Электроинструменты
(Аккумулятор)
Вытяжной вентилятор /
Потолочный вентилятор /
Электроинструмент
000
Морозильник2
(АС)
Холодильник /
стиральная машина /
Сушилка
Вакуумный
Очиститель
ПФК
IRS4427S
IRS44273L
2EDN8524F
IRS44273L
2EDN8524F
1EDN8511B
IRS4427S
IRS44273L
2EDN8524F
SMPS ICE5QR4770AZ
(CoolSET ™)
2EDN8524F
IRS4427S
IRS2153 (1) D
DC-DC 1EDI20N12AF
Инвертор
(<1 кВт)
6EDL04I06PT
IR2136S
IRS2890DS
2ED2304S06F
6EDL04N02PR 900 03
IRS2007S
IRS2301S
6EDL04I06PT
IR2136S
2ED2304S06F
6EDL04I06PT
IR2136S
2EDL05I06PF
6EDL04I06PT
IRS2890DS
2ED2304S06F
Инвертор
(<3 кВт)
IR2235
2EDL23I06PJ
IR2214SS
SR Мотор
Инвертор
2EDL05I06PF
IRS2181 (4)
IRS2890DS
полумостовой
Топология
2EDL05N06PF
2ED2304S06F
IRS2153 (1) D
HS-Бак
IRS2117
IRS25752L
IRS20752L
Sync-Buck 2EDL05N06PF
2ED2304S06F
Рекомендуемые драйверы затвора
Home Appliances
Силиконовый драйвер затвора Infine-Insight 9 -0003
по уровню мощности и эффективности
.(SOI) и технология изоляции переходов со сдвигом уровня
(JI) для удовлетворения высоких требований к производительности в бытовых приборах.
Зарядное устройство
Промышленный кондиционер
(Коммерческий)
Автоматическая дверь
Системы открывания
Строительные вентиляторы и
Насосы
Коммерческие
Швейная машина
Приводы Вилочный погрузчик
0003
CAV Компрессор /
Вентилятор / CAC
1ED020I12-F2
1EDI10I12MF
2ED020I12-F2
Инвертор
(<5 кВт)
6EDL04I06PT
6EDL04I06PT
6EDL04I06PT
6EDL04I06PT
2EDL23I06PJ
IR2214SS
6EDL04I06PT
IR2136S
IRS2334
6EDL04I06PT
IR2133
2EDL23I06PJ
1EDI60I12AF
2EDL23I06PJ
IR7106S
Инвертор
(<30 кВт)
1EDI30I12MF
1EDI60I12AF
1EDU20I12SV
1EDI40I12AF
1ED020I12-BT
2ED020I12-Fi
1EDI60N12AF
2EDL23I06PJ
IRS2127 (1)
Инвертор
(<200 кВт)
1EDI60I12AF
1ED020I12-В2
1EDU20I12SV
1EDU20I12SV
1ED020I12-В2
1EDI60I12AF
1EDI60I12AF
1ED020I12-F2
1EDU20I12SV
ПФК
IRS4427S
IRS44273L
2EDN8524F
IRS4427S
IRS44273L
2EDN8524F
DC-DC
(1 кВт — 100 кВт)
2EDL05N06PJ 2EDL23N06PJ
1EDI20N12AF 1EDI60N12AF
SMPS 2EDN8524F
IR7106S IRS2186 (4)
IRS4427S IRS44273L
2EDN7524F тормозной прерыватель
1EDI05I12AF 1EDI1 0I12MF
IRS44273L
Активный мост
Выпрямитель
2ED020I12-F2
1ED020I12-F2
1ED020I12-FT
Рекомендуемые драйверы затворов
для самых надежных промышленных решений
Промышленные драйверы затворов
Надежные решения для промышленных ворот
ИС драйверов — выбор эксперта.Благодаря широте и глубине портфеля заказчики
могут быстро спроектировать и построить эффективные и надежные системы для любого промышленного применения.
Автоматическая система открывания
Мобильность и
С питанием от аккумулятора
Дроны / электровелосипед /
Электроскутер
Зарядное устройство для электромобилей /
Зарядное устройство
General Traction Light Electric
LEV
Автомобиль (General Traction Light Electric
LEV)
Газонокосилки / вакуум /
Service Robotics
Инвертор
6EDL04N02PR
IRS2334
IRS2007S
IRS2186S
1EDI60I12AF
IR2214SS
IR2213
6EDL04N02PR
IR2136S
2EDL05N06PF
IRS2183
6EDL04N02PR
DC-DC
1EDI20I12AF 1EDI40I12AF
IR2214SS PFC
IRS4427S IRS44273L
2EDN7524F HB (ООО) 1EDI60I12AF
1EDU20I12SV Sync-Buck IR2010S
BLDC 6EDL04N02PR
IR2136S
IRS2007S
Рекомендуемые драйверы ворот
Мобильность и питание от аккумулятора
Полный спектр лучших в своем классе компонентов
От зарядного устройства для электромобилей и легких электромобилей (LEV) до сервисной робототехники и дронов, настраиваемое семейство Infineon
ИС полумоста
и трехфазного драйвера затвора можно комбинировать с мощными полевыми МОП-транзисторами Infineon для обеспечения требуемой мощности и эффективности
.Также доступны драйверы для ворот, соответствующие требованиям AEC-Q100.
Для приложений с батарейным питанием экономия энергии батареи является ключевым моментом. Infineon предлагает отличный выбор микросхем драйвера gate
, обеспечивающих «максимально возможную энергоэффективность и высочайшую точность».
Зарядное устройство
Солнечный инвертор с тепловым насосом на возобновляемой энергии
Инвертор (<2 кВт)
6EDL04I06PT
IR213000
2ED2304S06F

Инвертор (> 2 кВт)
IR2214SS
IR2213
IR2235
1EDI20I12AF

μInverter подталкивания 
IRS4427S
2EDN7524F
IRS44273L
μInverter DC-AC 
2ED2304S06F
IR2114SS
2EDL05N06PJ
Строка подталкивания 
2EDN8524F
IRS4427S
1EDI20N12AF
Строка Инвертор 
1ED020I12-F2
IR7106S
1EDI60N12AF
Центральный подталкивания / SMPS  2EDN8524F
1EDI60I12AF
Центральный инвертор  9 0003
1EDI60I12AF
1ED020I12-F2
IR2214SS
Рекомендуемые драйверы затвора
Возобновляемые источники энергии
Обеспечение энергоэффективного мира
Повышение эффективности — цель номер один в области фотоэлектрической энергии.Повышение эффективности всего на один процент
может по-прежнему приносить огромную прибыль в сегменте возобновляемых источников энергии.
Infineon предлагает полный ассортимент высокопроизводительных ИС драйверов затвора для фотоэлектрических инверторов. Комбинируя
EiceDRIVER ™ с полевыми МОП-транзисторами с суперпереходом, такими как CoolMOS ™, IGBT, полевыми транзисторами из карбида кремния (SiC), такими как CoolSiC ™,
, а также модулями IGBT и SiC, Infineon предлагает решения, которые максимально увеличивают время безотказной работы и производство энергии.
工业级隔离型门极驱动芯片
选型指南 2018
www.infineon.com/gatedriver-cn
www.infineon.com/1EDcompact-cn
Руководство по применению в автомобильной промышленности
Мы делаем автомобили чистыми, безопасно и умно.
www.infineon.com/automotive


 
 


门极驱动应用选型指南 
 
- 



工业级隔离型门极驱动芯片 
 

 

 

 
 
 




 



门极驱动应用选型指南 
 
-



工业级隔离型门芯片 
 

 


 
 

 





- 



门极驱动应用选型指南 

 
 


工业级隔离型门极驱动芯片 
 

 


 

 
 

 

 
Поддержка IC драйвера затвора
.