Усилитель 120W класса D
Усилитель 120W класса D — устройства такого класса появились как ни странно, еще в конце 50-х годов прошлого столетия. Вообще-то в прессе 59-го года были некоторые упоминания о технологии нано разработок, то тогда вроде бы и ничего странного в этом нет. Именно в те годы в нашей стране появилось много научных разработок, часть из них «благодаря» бюрократии чиновников легли на полку и лишь небольшая доля из этих технологических разработок пошла в промышленность. А вот в нашем веке, именно те залежавшиеся на «полках» труды мы берем сейчас за основу и начинаем воплощать в жизнь. К этой категории относятся и усилители мощности работающие в классе D, имеющие в настоящее время заслуженное уважение и большую популярность в начале нынешнего столетия.
Особенности усилителя D класса
Вообще любой усилитель мощности звуковой частоты, независимо в каком классе он работает, имеет свои недостатки и преимущества, которые в принципе и определяют диапазон их использования.
Для аппаратов D класса бесспорным положительным качеством являются малая мощность рассеяния, а соответственно и незначительное выделение тепла, довольно миниатюрные габариты (на снимке показан готовый УМЗЧ с выходной мощностью 400W — батарейка для сравнения) и низкая стоимость.
Транзисторы оконечного каскада такого усилителя коммутируют выходную цепь с плюсовым и минусовым напряжением питания, при котором создаются разно полярные импульсы. В теории коэффициент полезного действия усилителя D класса может составлять все 100%, это означает что все питающее напряжение отдается в нагрузку. Но, как показывает практика, мощные выходные полевые транзисторы не обладают идеальными свойствами ключей и естественно имеют сопротивление. Поэтому на них теряется определенный процент энергии. Тем не менее их КПД составляет более 92%. Если мы сравним усилители работающие в классе В, то их максимальный коэффициент полезного действия лежит в пределах 77%, а они считаются самыми производительными среди линейных усилителей.
Тогда аппарат класса D c его 92% КПД смело можно отнести к самому экономичному устройству.
Как будет правильнее, цифровой или импульсный?!
Нередко усилители такого класса именуют цифровыми. Это определение за ними крепко утвердилось, но все же называть эти аппараты цифровыми было бы не совсем корректно. Принцип работы УМНЧ класса D заключается в использовании режима широтно-импульсной модуляции, поэтому скорее им подошло бы определение усилитель импульсный чем цифровой. Но почему же все таки многие склоняются к названию «цифровой»? Оказывается все довольно просто. Схема такого аппарата работает по принципу похожему на работу цифровых логических элементов. Проще говоря это формальная логика производящая операции с величинами, реагирующая только на два значения «да» и «нет» или «1» и «0» и т.д. В принципе такую же работу выполняет и усилитель класса D, а это в свою очередь зависит от применения в оконечном каскаде MOSFET- ключей. В некоторых специализированных изданиях можно встретить описание устройства класса Т.
С коммерческой целью он выделен в отдельный сегмент усилителей, но по существу это продолжение реализации аппаратов класса D.
Немного о том, как работает усилитель
Как все известно, существуют схемы включения в мост и полумост. Внизу, на снимках показано именно такое включение.
Исходя из схемы полу мостового включения, можно четко понять, что в определенные моменты времени открывается только один выходной ключ. В случае одновременного открытия обоих ключей, моментально возникнет КЗ, что приведет к резкому возрастанию тока и соответственно к пробою переходов выходных полевых транзисторов. В каждый момент открытия перехода, транзистор усиливает плюсовое напряжение, а в это время другой, делает усиление минусового напряжения относительно общей шины. Существует так же нейтральный период, при котором переходы обоих транзисторов находятся в закрытом состоянии. Вот именно время нахождения обоих транзисторов в закрытом состоянии, которое обычно находится в диапазоне от 6 до 105 нс и определяет в конечном итоге характеристики по качеству и мощности усилителя.
В зависимости от времени нахождения выходных ключей в нейтральном периоде, образуется качество звука и чем меньше время нахождения перехода в закрытом состоянии, тем качественнее звучание. Но в этом случае существует опасность возникновения короткого замыкания, потому что у выходных полевых транзисторов может просто не хватить времени переключиться. Поэтому выбирайте электронные компоненты для схемы усилителя класса D только с высоким коэффициентом быстродействия.
Основные рекомендации и советы
Когда будете выбирать мощные полевые ключи для выходного каскада усилителя, ориентируйтесь на MOSFET-ты имеющие наименьшее сопротивление канала и предельно низкий заряд затвора. Более близкие к таким значениям подходят МОП- транзисторы IRFI4024Н-117P.
В основном параметры формы тока в нагрузки определяются широтно-импульсной модуляцией компаратора, который регулирует ширину выходных импульсов от максимального значения.
Вот здесь показаны несколько ШИМ-контроллеров:
Использование специализированного драйвера серии IRS20955S позволило создать схему, которая содержит на 28 внешних электронных элементов меньше, чем было бы без контроллера IRS20955S. Вместе с выходными ключами серии IRFI4024Н-117P есть возможность наполовину уменьшить размер печатной платы к усилителю рассчитанного на мощность в пределах 500 Вт.
Приступая к разводке печатной платы для усилителей класса D, старайтесь не отходить от основных правил и способов конструирования приборов предназначенных для работы на высоких частотах. Прокладывать дорожки на печатной плате следует в одном выбранном направлении, беспорядочное разведение токопроводящих путей вносит в схему много паразитных искажений звука и создает условия для появления высокочастотной составляющей. Дорожки отрицательного напряжения питания, требуют устранения искажений вызванных наводками силовых цепей, для этого устанавливаются пленочные конденсаторы емкостью 1 nf и 10 nf.
Принципиальная схема усилителя мощности класса D
В заключение хочется сказать, что сборка усилителей мощности класса D не является устройством большой сложности, как может показаться вначале. Поэтому наш вам совет, хотите иметь хороший звук собирайте усилители именно такого класса. На снимке ниже, показана простая, выполненная в полу мостовом варианте схема усилителя класса D с мощностью на выходе 120 Вт.
Коэффициент полезного действия аппарата варьируется в пределах 96% при работе на нагрузку 4 Ом. Широтно-импульсная модуляция контролируется микросхемой IRS20955S. В выходном каскаде установлены мощные полевые транзисторы IRFI4212-117P, которые разрабатывались исключительно для усилителей класса D. Если быть точнее, то это сборка состоящая из двух МОП-транзисторов соединенных по схеме полумоста. Частотный диапазон усилителя составляет от 18 Гц до 36 кГц. Питающее напряжение 40 вольт поступает на усилитель от двуполярного блока питания.
Все номинальные значения электронных компонентов указаны на схеме.
Печатную плату для усилителя в формате .lay можно скачать → Здесь
Для открытия файла нужна программа Sprint-Layout
Высоковольтные ИС для промышленного привода
28 ноября 2007
ВВЕДЕНИЕ
По различным оценкам, более половины всей вырабатываемой в мире электроэнергии потребляется системами электропривода. При этом наиболее массовым является привод малой (до 5 кВт) и средней (до 50 кВт) мощности, причем на долю первого приходится до 75% рынка электроприводов. Этот класс приводов является основным для станочных приводов подачи, для приводов промышленных роботов, других агрегатов и систем автоматизации технологических процессов, для промышленных вентиляторов, насосов и т.д., а также для бытовой техники. Темпы роста рынка приводов малой и средней мощности составляют примерно 25% в год и имеют устойчивую тенденцию дальнейшего роста.
По прогнозам, объем рынка этих приводов к 2010 г. должен достичь рубежа 3 млрд. долларов.
Постоянно возрастающие требования по регулированию параметров движения, по точностным характеристикам и быстродействию для промышленных приводов, с одной стороны, и по потребительским свойствам бытовой техники, с другой стороны, обуславливают ускоренное развитие регулируемых приводов. Расчеты показывают, что простая замена нерегулируемого привода на регулируемый, позволяет экономить до 60% электроэнергии, потребляемой бытовыми холодильниками и кондиционерами и до 64% — стиральными машинами.
Массовый характер распространения регулируемых приводов малой мощности, устойчивые темпы роста их производства и возрастающие требования по повышению их энергетической эффективности, вызывают необходимость совершенствования старых и разработки новых алгоритмов управления приводом, применения наиболее эффективных электродвигателей и схем управления ими. Реализация указанных тенденций привела к тому, что классический, наиболее распространенный ранее нерегулируемый асинхронный электропривод с питанием от общепромышленной сети 220/380 В, 50 Гц, постепенно вытесняется другими устройствами.
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОПРИВОДОВ
Как правило, при мощности более 100 Вт двигатели для всех типов перспективных приводов выполняются трехфазными.
Другой общей чертой этих современных приводов является то, что переменное трехфазное напряжение для электропитания обмоток электрических машин (ЭМ) вырабатывается специальным электронным преобразователем — инвертором (И), выполненным по мостовой схеме. Таким образом, вся система электропривода строится по так называемой схеме со звеном постоянного тока, при которой на вход инвертора подается постоянное напряжение Ud.
На рис. 1 представлена типовая функциональная схема электроприводов малой и средней мощности. Напряжение Ud вырабатывается блоком выпрямления В (мостовым выпрямителем или корректором коэффициента мощности).
Рис. 1. Типовая функциональная схема электроприводов малой и средней мощности
Обязательной функцией для всех современных электроприводов является регулирование (в простейшем случае — ограничение) тока, протекающего через силовые транзисторы и фазы ЭМ. Наиболее часто это регулирование осуществляется методом широтно-импульсной модуляции (ШИМ) времени открытого состояния силовых транзисторов И.
В вентильных электроприводах часто необходимым функциональным элементом является датчик положения ротора (ДПР) или энкодер, устанавливаемый на валу ЭМ.
Информационно-управляющая подсистема (ИУП) предназначена для:
1. выработки сигналов управления транзисторами СЧ с целью формирования требуемых законов движения электропривода;
3. индикации режимов и параметров работы привода;
4. сопряжения с внешними управляющими устройствами и датчиками.
Для построения ИУП могут использоваться как устройства жесткой логики и специализированные микросхемы управления приводами, так и программируемые микропроцессоры и цифровые сигнальные процессоры.
Для преобразования слаботочных сигналов, вырабатываемых ИУП, в сигналы управления затворами силовых транзисторов служат специальные схемы управления транзисторными ключами (СУТК), называемые в иностранной литературе драйверами.
Массовый характер производства электроприводов малой и средней мощности привел к изменению принципов проектирования электронных преобразователей. Раньше разработчики обеспечивали высокие технические характеристики устройств за счет специальных схемотехнических решений и использования дополнительных цепей и узлов, таких, например, как формирователи траектории переключения (снабберы). Теперь многочисленные функции защит, управления переключением силовых транзисторов, контроля параметров все в большей степени возлагаются на схемы драйверов. При этом упрощаются схемные решения, сокращается число элементов вспомогательных цепей. Элементы устройства становятся более компактными и, соответственно, снижается себестоимость производства изделий. Однако для реализации указанного подхода в современных микросхемах СУТК должен обеспечиваться определенный баланс между их стоимостью с одной стороны и функциональной полнотой и надежностью — с другой.
СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМИ КЛЮЧАМИ
СУТК являются необходимым функциональным элементом электронного преобразователя для привода (рис.
1), поэтому ее выбор является важным этапом разработки.
Потенциал затвора силовых транзисторных ключей «верхней группы» в промышленном и бытовом приводе определяется величиной Ud и намного превышает потенциалы сигналов управления, вырабатываемых ИУП, поэтому в СУТК должна осуществляться либо гальваническая развязка входных и выходных цепей, либо должен обеспечиваться плавающий выходной потенциал (высоковольтный сдвиг уровня) выходного сигнала. Компания International Rectifier является одной из немногих, успешно реализующей разработку СУТК с плавающим потенциалом. Образно говоря, подобные решения являются фирменным знаком компании.
В последние годы инженеры компании разработали новую технологию построения высоковольтных микросхем (HVIC), в рамках которой удалось создать СУТК высокой степени интеграции для бытовых и промышленных приводов малой и средней мощности, работающих от общепромышленных однофазной 220 В, 50 Гц и трехфазной 220/380 В, 50 Гц сетей. Типичным представителем этого семейства являются приборы IR2114 (класс 600 В) и IR2214 (1200 В).
Рис. 2. Cхема подключения IR2114
Основные характеристики микросхемы IR2114:
- Гарантированная пауза между переключениями верхнего и нижнего транзисторов <500 нс, что позволяет работать на частотах до 100 кГц.
- Управление от логических сигналов любого уровня.
- Выходной вытекающий ток до 2 А.
- Выходной втекающий ток до 3 А, что дает возможность управлять транзисторами и высоковольтными модулями с током до 50 А без применения дополнительных буферов.
- Полная унификация 600 В и 1200 В приборов по назначению и расположению выводов.
- Компактность.
- Один источник питания для создания плавающего выходного напряжения.
- Высокая устойчивость к защелкиванию (50 В/нс).
- Время срабатывания защиты по току 1,5 мкс.
Характерными особенностями драйверов являются: Независимое формирование процессов включения и выключения силовых транзисторов. В микросхемах IR2114/2214 предусмотрены три цепи для управления процессом включения/выключения силовых транзисторов. Включение силового транзистора осуществляется по выходам хOP (см. рис. 3) в два этапа. На первом этапе, длительностью 200 нс, перезаряд входной емкости затвора силового транзистора осуществляется через два внутренних параллельно включенных резистора сопротивлением 15 Ом и внешний резистор R. На втором этапе отключается один из параллельно включенных внутренних резисторов и выходной ток уменьшается. Таким образом осуществляется форсирование процесса включения силового транзистора.
Выключение силового транзистора при отсутствии перегрузки осуществляется посредством дополнительных выходов SSDх (рис. 2). При обнаружении перегрузки по току (см. ниже) форсированное выключение силового транзистора по цепи хON может привести к выходу траектории переключения за пределы области безопасной работы рабочей точки.
Для исключения этого в IR2114/2214 осуществляется «мягкое» выключение силового транзистора путем замыкания цепи «затвор-исток» через внутренний резистор 100 Ом и внешний резистор R (см. рис. 3).
Рис. 3. Формирование процессов переключения силовых ключей
Защита от перегрузки по току осуществляется путем слежения за напряжением на открытом транзисторе V по выходам DCх через разделительный диод (рис. 2). Указанный способ защиты хорошо известен еще со схем управления биполярными транзисторами и заключается в формировании запирающего сигнала при выходе транзистора из насыщения (desaturation). В IR2114/2214 срабатывание защиты происходит при напряжении V = 8 В, что позволяет с достаточной степенью надежности для высоковольтных IGBT выявлять перегрузку по току, вызванную коротким замыканием нагрузки, межфазным замыканием в двигателе, замыканием фазы на землю и т.д. Для предотвращения ложных срабатываний защиты при включении транзистора предусмотрена ее блокировка на время 3 мкс, достаточное для большинства современных IGBT для достижения насыщения после включения.
Согласование работы нескольких микросхем. Для повышения надежности электронных преобразователей для электропривода СУТК формируют сигналы «ошибка», которые могут не только передаваться в информационно-управляющую подсистему, но и управлять работой «соседних» СУТК. Например, если одним из драйверов обнаружена токовая перегрузка в одном из силовых транзисторов, этот драйвер выключит перегруженный ключ в режиме «мягкого» выключения, по сигналу выхода «SY FLT» будет сформирован запрет на включение всех ранее закрытых транзисторов, а по сигналу выхода «Fault» будут выключены в обычном режиме все ранее включенные транзисторы.
Использование СУТК с плавающим потенциалом не предполагает использования отрицательного напряжения смещения на затворе для запирания силового транзистора. Многие же производители MOSFET и IGBT гарантируют надежную работу своих приборов только при наличии такого смещения, особенно в случае высокочастотных (свыше 10 кГц) и мощных (коммутируемый ток свыше 20 А) транзисторов.
Поэтому в рекомендациях по применению мощных высокочастотных транзисторов большинство производителей выставляет наличие отрицательного напряжения на затворе в качестве обязательного требования. Компания International Rectifier, развивая идеологию высоковольтных схем с плавающим потенциалом, выпускает силовые транзисторы MOSFET и IGBT, пригодные для работы с подобными СУТК, для надежной работы в электронных преобразователях. Для управления же дискретными приборами и модулями других производителей, требующих отрицательного смещения на затворе, может быть рекомендована схема, изображенная на рис. 4. В этой схеме между выходами СУТК хOP, xON и SDDx и резисторами RGon, RGoff RGssd установлены буферные схемы, подключаемые к источнику с отрицательным напряжением, например -5 В. На рис. 5 представлена принципиальная схема буферного каскада, рекомендуемая компанией IR.
Рис. 4. Реализация отрицательного смещения в СУТК с плавающим потенциалом
Рис.
5. Принципиальная схема буферного каскада
МОСТОВЫЕ СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ КЛЮЧАМИ
Рис. 6. СУТК трехфазного инвертора и тормозного транзистора
Компания International Rectifier по технологии HVIC выпускает микросхемы IR21381Q (600 В) и IR22381Q (1200 В) высокой степени интеграции для схем управления трехфазным мостовым инвертором. Обе схемы содержат по три каскада управления транзисторами «верхнего» уровня и по три каскада управления транзисторами «нижнего» уровня. Схемотехника и функциональные возможности этих каскадов аналогичны схемотехнике и функциональным возможностям микросхем IR2114/2214. Отличительной особенностью микросхемы IR21381Q/IR22381Q является наличие дополнительного канала управления транзистором для подключения тормозного резистора. Таким образом, IR21381Q/IR22381 содержат 7 каналов управления с функциями защиты по току путем слежения за падением напряжения на силовых транзисторах.
На рис. 6 приведена функциональная схема этих микросхем.
Окончание следует.
Литература:
1. Application Note AN1120.
2. IR2114 Date Sheet.
3. IR2214 Date Sheet.
4. IR21381 Date Sheet.
5. IR22381 Date Sheet.
6. IR2175 Date Sheet.
7. IR2277 Date Sheet.
По вопросам получения технической информации, заказа образцов и поставки обращайтесь в компанию КОМПЭЛ. Е-mail: [email protected].
Новый чипсет для аудиоусилителей класса D
Новое решение IR на 50% снижает площадь печатной платы в аудиоусилителях класса D мощностью до 500 Вт и вдвое снижает требуемое число силовых ключей. Чипсет ориентирован на применение в аудиоусилителях средней и высокой мощности для домашних кинотеатров, музыкальных инструментов, профессиональных усилителей и автомагнитол.
Применение драйвера ключей верхнего и нижнего уровней IRS20955(S)(TR)PBF исключает из схемы до 27 внешних компонентов.
Высокий уровень защиты обеспечивается интегрированной программируемой двунаправленной токовой ОС с возможностью автоматической переустановки, что позволяет высоковольтной ИС определять точное текущее положение на диаграмме цикла переключения и оптимизировать работу контура защиты по току. Интегрированные в ИС функции защиты экономят до 11 компонентов схемы. Пауза на переключение может быть установлена на значения 15, 25, 35, 45 нс для достижения как минимального уровня коэффициента нелинейных искажений так и высокой устойчивости к помехам.
IRS20955 работает на частотах до 800 кГц и может применяться не только в полумостовых схемах с двуполярным питанием, но и в мостовых схемах с однополярным питанием. ИС IRS20955 выпускается в бессвинцовых 16-выводных DIP- и SOIC-корпусах. Транзисторы серии IRFI4024x-117P в изолированных 5-выводных корпусах TO-220 FullPak представляют собой полумост, выполненный на полевых N-канальных транзисторах, нормированных на напряжения 55, 100, 150 и 200 B.
Помимо низкого сопротивления канала (48 мОм для 55В IRFI4024H-117P, 58 мОм для 100 В IRFI4212H-117P и 80 мОм для 150 IRFI4019H-117P и 200 В IRFI4020H-117P) их отличает ультранизкий уровень заряда затвора (от 8,9 до 19 нК) и переключения (от 4,3 до 6,8 нК), что позволяет обеспечить чрезвычайно низкий уровень коэффициента нелинейных искажений и генерируемых помех.
•••
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
Водородные электролизеры становятся зелеными
Получите представление о применении электролизеров переменного и постоянного тока и о преимуществах наших лучших в своем классе мощных полупроводниковых решений.
Смотреть видео
electronica 2022
Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом виде!
Учить больше
Присоединяйтесь к нам на TRUSTECH 2022
Погрузитесь в самое сердце безопасности на выставке TRUSTECH этого года с семейством универсальных решений Infineon SECORA™.
Узнать больше
Тяговые преобразователи для электромобилей
Высокая эффективность увеличивает радиус действия и снижает усилия по охлаждению, пространство и вес.
Учить больше
Умные дома и здания будущего
Интеллектуальные полупроводниковые решения делают здания и дома настраиваемыми, обеспечивая больше комфорта жителям и работникам и экономя энергию
Взглянем
Машинное зрение для Industry 4.0
Веб-семинар: USB SuperSpeed (от 5 до 20 Гбит/с) для высокоскоростной обработки изображений и видео.
Ускорьте промышленную автоматизацию производства с помощью решений Infineon EZ-USB™.
Сохраните свое место
Tech for — события о влиянии технологий
Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции «Технологии для устойчивого будущего»! Следите за нашими панельными дискуссиями о роли и потенциале технологий для создания будущего, достойного жизни
Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции
Новости
22 ноября 2022 г. | Business & Financial Press
Infineon возглавляет рейтинг лидеров разнообразия Financial Times 2022
14 ноября 2022 г.
| Ежеквартальный отчет
После рекордного 2022 финансового года Infineon значительно повышает свои долгосрочные финансовые цели и планирует крупные инвестиции в новый завод в Дрездене; позитивный прогноз на 2023 год
Новости рынка
25 ноября 2022 г. | Новости рынка
Infineon и TSMC представляют технологию RRAM для автомобильного семейства продуктов AURIX™ TC4x
Посетите Infineon в Twitter.
FT230XS-R IC: модели CAD, техническое описание, характеристики [часто задаваемые вопросы]
Микроконтроллеры ATMEGA1280-16AU: техническое описание, распиновка, схема [FAQ]
Автор: Кэнди
Дата: 15 октября 2022 г.
CatalogIRS20955S Product Overview |
IRS20955S CAD Models |
IRS20955S Pin Configuration |
IRS20955S Block Diagram |
IRS20955S Typical Connection |
IRS20955S Features |
IRS20955S Applications |
IRS20955S Package |
IRS20955S Datasheet |
IRS20955S Specifications |
IRS20955S Производитель |
Использование предупреждения |
IRS20955S FAQ |
Для использования в Audio Amplifier Amplifier Speed Speed Speed Speed.
С высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью, с высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью. С высокой скоростью.
Без использования каких-либо внешних шунтирующих резисторов двунаправленное измерение тока может выявить проблемы перегрузки по току как для положительных, так и для отрицательных токов нагрузки. Программируемый таймер сброса и безопасная последовательность защиты от перегрузок по току обеспечиваются встроенным блоком управления защитой.
Для повышения качества звука, в том числе снижения THD и минимального звукового шума, внутренний блок генерации мертвого времени обеспечивает точное переключение стробов и оптимальную конфигурацию мертвого времени.
IRS20955S Модели САПР
На следующем рисунке показано посадочное место IRS20955S.
9019
На следующем рисунке показана конфигурация контактов IRS20955S.
На следующем рисунке показана блок-схема IRS20955S. Рисунок: Блок-схема Имя контакта Описание 1 ВДД Плавающий вход положительного питания 2 CSD Конденсатор времени выключения, относительно VSS 3 В Неинвертирующий вход PWM, синфазный с HO 4 ВСС Возврат питания с плавающим входом 5 НЗ 6 ВРЕФ Опорный выход 5 В для настройки OCSET 7 ОСЕТ Настройка порога перегрузки по току на стороне низкого напряжения относительно COM 8 ДТ Вход для программируемого мертвого времени, относительно COM 9 КОМ Нижняя сторона возврата 10 Ло Нижний выход 11 ВКЦ Питание логики нижнего плеча 12 НЗ 13 против Плавающая обратная линия высокого напряжения 14 НО Выход высокого напряжения 15 ВБ Плавающий источник питания на стороне высокого давления 16 ЧСХ Вход датчика перегрузки по току на стороне высокого напряжения, со ссылкой на VS 
Рис.0408 На следующем рисунке показан комплект IRS20955S. Рисунок: Пакет Вы можете загрузить . Siemens Semiconductors сменила название на Infineon Technologies 1 апреля 1999 года. Примечание. Перед заменой в схеме проверьте их параметры и конфигурацию контактов. Что делает драйвер Mosfet? Чтобы быстро и тщательно переключать затвор MOSFET, микросхема драйвера MOSFET преобразует логические сигналы TTL или CMOS в более высокое напряжение и больший ток. МОП-транзистор логического уровня со слабым сигналом обычно может управляться через выходной контакт микроконтроллера. Как выбрать драйвер MOSFET? Убедитесь, что номинальные характеристики выбранных вами силовых полевых МОП-транзисторов как минимум равны напряжению источника питания и максимальному току, необходимому двигателю. Имейте в виду, что вы должны оставить место для ошибки. Выберите полевой МОП-транзистор, у которого номинальное напряжение сток-исток (VDS) превышает напряжение питания не менее чем на 20 %. Как можно использовать полевой МОП-транзистор в качестве драйвера двигателя? Как правило, силовой транзистор служит связующим звеном между драйвером MOSFET и двигателем. Это может быть MOSFET, биполярный транзистор с изолированным затвором или биполярный транзистор (IGBT). Драйвер MOSFET можно использовать для непосредственного управления двигателем в некоторых приложениях, включающих миниатюрные бесколлекторные двигатели постоянного тока или шаговые двигатели. Поделиться
0003 IRS20955S Спецификация
IRS20955S Manufacturer Тип Описание Категория Интегральные схемы (ИС) Звук специального назначения Производитель Инфинеон Технологии Серия — Упаковка Трубка Статус продукта Устаревший Функция Драйвер линии Приложения Аудиосистемы Количество каналов 2 Интерфейс Аналог Напряжение питания 10 В ~ 18 В Рабочая температура -40°C ~ 125°C (ТА) Технические характеристики — Тип крепления Поверхностный монтаж Упаковка/кейс 16-SOIC (0,154″, ширина 3,90 мм) Комплект поставки устройства 16-СОИК Базовый номер продукта ИРС20955СПБФ 
Яркая, адаптируемая компания, ориентированная на успех в беспощадной и быстро развивающейся области микроэлектроники. Ведущим мировым производителем, поставщиком и разработчиком широкого спектра полупроводников, используемых в нескольких микроэлектронных приложениях, является компания Infineon. Цифровые, смешанные и аналоговые интегральные схемы, а также дискретные полупроводниковые компоненты составляют линейку продуктов Infineon.
Похожие статьи
Шунтовой регулятор TL431: 8 простых схем для начинающих
14 апр 2022
11644
I Описание В этом блоге представлены 8 простых и понятных схем, использующих TL431 в качестве основного компонента.
Например, прецизионные цепи опорного напряжения TL431, регулируемое регулируемое напряжение TL431…
Продолжить чтение »
MLX
ИК-датчик температуры: распиновка, спецификация, схема [видео]
Mia 26 января 2022 г. 10747
MLX
— это бесконтактный инфракрасный (ИК) цифровой датчик температуры, который можно использовать для измерения температуры конкретного объекта в диапазоне от -70°C до 382,2°C. Датчик использует ИК-лучи для измерения…
Продолжить чтение »
Компаратор напряжения LM311: 4 вещи, на которые нужно обратить внимание
Айрин 22 февраля 2022 г. 17649
I ВведениеУстройства LM311 представляют собой одиночные высокоскоростные компараторы напряжения. Устройства предназначены для работы от широкого диапазона напряжений питания, в том числе ±15 В для…
Лидия 24 августа 2022 г. 180
Каталог
Обзор продукта AT91SAM7X512B-AU Связанное видео Введение AT91sam7x512b-au modelsat91sam7x512b-au Блок-схема 91SAM7x512b-au features91sam7x512b-au dataheetat91sam7x512b-au specifi .
