Микросхема флеш памяти: Технологии флэш-памяти

alexxlabСхем

Содержание

Технологии флэш-памяти

Современному человеку нравится быть мобильным и иметь при себе различные высокотехнологичные гаджеты (англ. gadget — устройство), облегчающие жизнь, да что там скрывать, делающие ее более насыщенной и интересной. И появились-то они всего за 10-15 лет! Миниатюрные, легкие, удобные, цифровые… Всего этого гаджеты достигли благодаря новым микропроцессорным технологиям, но все же больший вклад был сделан одной замечательной технологией хранения данных, о которой сегодня мы и будем говорить. Итак, флэш-память.

Бытует мнение, что название FLASH применительно к типу памяти переводится как «вспышка». На самом деле это не совсем так. Одна из версий его появления говорит о том, что впервые в 1989-90 году компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Вообще, изобретателем считается Intel, представившая в 1988 году флэш-память с архитектурой NOR. Годом позже Toshiba разработала архитектуру NAND, которая и сегодня используется наряду с той же NOR в микросхемах флэш. Собственно, сейчас можно сказать, что это два различных вида памяти, имеющие в чем-то схожую технологию производства. В этой статье мы попытаемся понять их устройство, принцип работы, а также рассмотрим различные варианты практического использования.

NOR

 

Поскольку память с такой организацией считается первой представительницей семейства Flash, с нее и начнем. Схема логического элемента, собственно давшего ей название (NOR — Not OR — в булевой математике обозначает отрицание «ИЛИ»), приведена на рисунке.

С помощью нее осуществляется преобразование входных напряжений в выходные, соответствующие «0» и «1». Они необходимы, потому что для чтения/записи данных в ячейке памяти используются различные напряжения. Схема ячейки приведена на рисунке ниже.

Она характерна для большинства флэш-чипов и представляет из себя транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются так называемые «сток» и «исток». При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В технологиях различных производителей этот принцип работы может отличаться по способу подачи тока и чтению данных из ячейки. Хочу также обратить ваше внимание на то, что в структуре флэш-памяти для хранения 1 бита информации задействуется только один элемент (транзистор), в то время как в энергозависимых типах памяти для этого требуется несколько транзисторов и конденсатор. Это позволяет существенно уменьшить размеры выпускаемых микросхем, упростить технологический процесс, а, следовательно, и снизить себестоимость. Но и один бит далеко не предел: Intel уже выпускает память StrataFlash, каждая ячейка которой может хранить по 2 бита информации. Кроме того, существуют пробные образцы, с 4-х и даже 9-битными ячейками! В такой памяти используются технология многоуровневых ячеек. Они имеют обычную структуру, а отличие заключается в том, что заряд их делится на несколько уровней, каждому из которых в соответствие ставится определенная комбинация бит. Теоретически прочитать/записать можно и более 4-х бит, однако, на практике возникают проблемы с устранением шумов и с постепенной утечкой электронов при продолжительном хранении. Вообще, у существующих сегодня микросхем памяти для ячеек характерно время хранения информации, измеряемое годами и число циклов чтения/записи — от 100 тысяч до нескольких миллионов. Из недостатков, в частности, у флэш-памяти с архитектурой NOR стоит отметить плохую масштабируемость: нельзя уменьшать площадь чипов путем уменьшения размеров транзисторов. Эта ситуация связана со способом организации матрицы ячеек: в NOR архитектуре к каждому транзистору надо подвести индивидуальный контакт. Гораздо лучше в этом плане обстоят дела у флэш-памяти с архитектурой NAND.

NAND

NAND — Not AND — в той же булевой математике обозначает отрицание «И». Отличается такая память от предыдущей разве что логической схемой.

Устройство и принцип работы ячеек у нее такой же, как и у NOR. Хотя, кроме логики, все-таки есть еще одно важное отличие — архитектура размещения ячеек и их контактов. В отличие от вышеописанного случая, здесь имеется контактная матрица, в пересечениях строк и столбцов которой располагаются транзисторы. Это сравнимо с пассивной матрицей в дисплеях 🙂 (а NOR — с активной TFT). В случае с памятью такая организация несколько лучше — площадь микросхемы можно значительно уменьшить за счет размеров ячеек. Недостатки (куда уж без них) заключаются в более низкой по сравнению с NOR скорости работы в операциях побайтового произвольного доступа.

Существуют еще и такие архитектуры как: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) и пр. Принципиально нового ничего они не представляют, а лишь комбинируют лучшие свойства NAND и NOR.

И все же, как бы там ни было, NOR и NAND на сегодняшний день выпускаются на равных и практически не конкурируют между собой, потому как в силу своих качеств находят применение в разных областях хранения данных. Об этом и пойдет далее речь…

Где нужна память…

Сфера применения какого-либо типа флэш-памяти зависит в первую очередь от его скоростных показателей и надежности хранения информации. Адресное пространство NOR-памяти позволяет работать с отдельными байтами или словами (2 байта). В NAND ячейки группируются в небольшие блоки (по аналогии с кластером жесткого диска). Из этого следует, что при последовательном чтении и записи преимущество по скорости будет у NAND. Однако с другой стороны NAND значительно проигрывает в операциях с произвольным доступом и не позволяет напрямую работать с байтами информации. К примеру, для изменения одного байта требуется:

  1. считать в буфер блок информации, в котором он находится
  2. в буфере изменить нужный байт
  3. записать блок с измененным байтом обратно

Если еще ко времени выполнения перечисленных операций прибавить задержки на выборку блока и на доступ, то получим отнюдь неконкурентоспособные с NOR показатели (отмечу, что именно для случая побайтовой записи). Другое дело последовательная запись/чтение — здесь NAND наоборот показывает значительно более высокие скоростные характеристики. Поэтому, а также из-за возможностей увеличения объема памяти без увеличения размеров микросхемы, NAND-флэш нашел применение в качестве хранителя больших объемов информации и для ее переноса. Наиболее распространенные сейчас устройства, основанные на этом типе памяти, это флэшдрайвы и карты памяти. Что касается NOR-флэша, то чипы с такой организацией используются в качестве хранителей программного кода (BIOS, RAM карманных компьютеров, мобилок и т. п.), иногда реализовываются в виде интегрированных решений (ОЗУ, ПЗУ и процессор на одной мини-плате, а то и в одном чипе). Удачный пример такого использования — проект Gumstix: одноплатный компьютер размером с пластинку жвачки. Именно NOR-чипы обеспечивают требуемый для таких случаев уровень надежности хранения информации и более гибкие возможности по работе с ней. Объем NOR-флэш обычно измеряется единицами мегабайт и редко переваливает за десятки.

И будет флэш…

Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объемов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, еще достаточно дороги, чтобы конкурировать с жесткими дисками для настольных систем или ноутбуков. В основном, сейчас сфера господства флэш-памяти ограничивается мобильными устройствами. Как вы понимаете, этот сегмент информационных технологий не так уж и мал. Кроме того, со слов производителей, на нем экспансия флэш не остановится. Итак, какие же основные тенденции развития имеют место в этой области.

Во-первых, как уже упоминалось выше, большое внимание уделяется интегрированным решениям. Причем проекты вроде Gumstix лишь промежуточные этапы на пути к реализации всех функций в одной микросхеме.

Пока что, так называемые on-chip (single-chip) системы представляют собой комбинации в одном чипе флэш-памяти с контроллером, процессором, SDRAM или же со специальным ПО. Так, например, Intel StrataFlash в сочетании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) дает возможность использовать объем памяти одновременно как для хранения данных, так и для выполнения программного кода. PSM по сути дела является файловой системой, поддерживающейся ОС Windows CE 2.1 и выше. Все это направлено на снижение количества компонентов и уменьшение габаритов мобильных устройств с увеличением их функциональности и производительности. Не менее интересна и актуальна разработка компании Renesas — флэш-память типа superAND с встроенными функциями управления. До этого момента они реализовывались отдельно в контроллере, а теперь интегрированы прямо в чип. Это функции контроля бэд-секторов, коррекции ошибок (ECC — error check and correct), равномерности износа ячеек (wear leveling). Поскольку в тех или иных вариациях они присутствуют в большинстве других брендовых прошивок внешних контроллеров, давайте вкратце их рассмотрим. Начнем с бэд-секторов. Да, во флэш-памяти они тоже встречаются: уже с конвейера сходят чипы, имеющие в среднем до 2% нерабочих ячеек — это обычная технологическая норма. Но со временем их количество может увеличиваться (окружающую среду в этом винить особо не стоит — электромагнитное, физическое (тряска и т. п.) влияние флэш-чипу не страшно). Поэтому, как и в жестких дисках, во флэш-памяти предусмотрен резервный объем. Если появляется плохой сектор, функция контроля подменяет его адрес в таблице размещения файлов адресом сектора из резервной области.

Собственно, выявлением бэдов занимается алгоритм ECC — он сравнивает записываемую информацию с реально записанной. Также в связи с ограниченным ресурсом ячеек (порядка нескольких миллионов циклов чтения/записи для каждой) важно наличие функции учета равномерности износа. Приведу такой редкий, но встречающийся случай: брелок с 32 Мбайт, из которых 30 Мбайт заняты, а на свободное место постоянно что-то записывается и удаляется. Получается, что одни ячейки простаивают, а другие интенсивно исчерпывают свой ресурс. Чтобы такого не было, в фирменных устройствах свободное пространство условно разбивается на участки, для каждого из которых осуществляется контроль и учет количества операций записи.

Еще более сложные конфигурации класса «все-в-одном» сейчас широко представлены такими компаниями как, например, Intel, Samsung, Hitachi и др. Их изделия представляют собой многофункциональные устройства, реализованные в одной лишь микросхеме (стандартно в ней имеется процессор, флэш-память и SDRAM). Ориентированы они на применение в мобильных устройствах, где важна высокая производительность при минимальных размерах и низком энергопотреблении. К таким относятся: PDA, смартфоны, телефоны для сетей 3G. Приведу пример подобных разработок — чип от Samsung, объединяющий в себе ARM-процессор (203 МГц), 256 Мбайт NAND памяти и 256 SDRAM. Он совместим с распространенными ОС: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux и имеет поддержку USB. Таким образом на его основе возможно создание многофункциональных мобильных устройств с низким энергопотреблением, способных работать с видео, звуком, голосом и прочими ресурсоемкими приложениями.

Другим направлением совершенствования флэш является уменьшение энергопотребления и размеров с одновременным увеличением объема и быстродействия памяти. В большей степени это касается микросхем с NOR архитектурой, поскольку с развитием мобильных компьютеров, поддерживающих работу в беспроводных сетях, именно NOR-флэш, благодаря небольшим размерам и малому энергопотреблению, станет универсальным решением для хранения и выполнения программного кода. В скором времени в серийное производство будут запущены 512 Мбит чипы NOR той же Renesas. Напряжение питания их составит 3,3 В (напомню, хранить информацию они могут и без подачи тока), а скорость в операциях записи — 4 Мбайт/сек. В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) — универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов — 0,13 нм, в планах переход на 0,09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с!

Что ж, как видите, технология развивается стремительно. Вполне возможно, что к моменту выхода статьи появится еще что-нибудь новенькое. Так что, если что — не взыщите 🙂 Надеюсь, материал был вам интересен.

96-слойная флэш-память 3D NAND — Transcend Information, Inc.

Как работают флэш-накопители?

Большинство представленных сегодня на рынке микросхем флэш-памяти типа NAND позволяют хранить один, два или три бита данных в каждой ячейке. Эти типы флэш-памяти называются, соответственно, Single Level Cell (SLC), Multi-Level Cell (MLC) и Triple Level Cell (TLC). Из этих трех типов памяти самыми надежными и долговечными являются микросхемы, построенные на базе технологии SLC, отличающиеся высокой стабильностью удержания данных и более высокой стоимостью.

SLC-чипы считаются наиболее устойчивыми к сбоям. Это происходит потому, что каждая ячейка MLC должна сохранять информацию о двух битах данных (00, 01, 10 или 11), в то время, как ячейка SLC содержит лишь один (0 или 1). Вероятность ошибки снижается, когда каждая ячейка должна представлять только один бит. По этой же причине для хранения одного и того же объема данных требуется значительно большее количество ячеек SLC NAND, чем ячеек типа MLC. Этот факт, а также более высокая удельная стоимость хранения данных в пересчете на один бит, приводят к нежеланию многих предприятий использовать память типа SLC.

Долговечность и как она оценивается

Длительность эксплуатации памяти NAND измеряется в количестве циклов записи/стирания (P/E cycles), которые определяет количество операций записи и стирания данных, которые может выполнить флэш-память до того, как изолирующий оксидный слой деградирует до такой степени, что ячейка не сможет более удерживать минимально необходимый для сохранения информации заряд. Показатель P/E для кристаллов SLC варьируется от 50 000 до 1 000 000, в то время, как для микросхем MLC он составляет всего 3 000 и лишь 1 000 для памяти типа TLC.*

*Примечание: количество циклов P/E может варьироваться в зависимости от типа памяти NAND, тестовой среды и производственного процесса изготовления кристаллов.

От однослойных кристаллов к трехмерным

По мере развития технологий производства кремниевых подложек размер кристаллов микросхемы уменьшается. В конечном итоге разработчики памяти типа NAND на основе однослойной, плоской архитектуры столкнулись с ограничением максимальной плотности записи. Поэтому производители стали исследовать возможности создания многослойных, трехмерных кристаллов флэш-памяти. Такое решение приносит с собой ряд других проблем с удержанием данных, надежностью и производительностью. К счастью, используя самые современные программные методики управления памятью, производители сумели справиться с этими недостатками, добившись реализации необходимых характеристик и высокой производительности, сохраняя при этом невысокую стоимость накопителей.

В частности, новейшие твердотельные накопители Transcend на базе памяти 3D NAND поставляются с различными технологическими решениями Transcend, обеспечивающими более высокую производительность и надежность. Кэш SLC и механизмы RAID повышают скорость чтения и записи, а также помогают продлить срок эксплуатации устройства. Также RAID позволяет защитить данные и повысить стабильность работы накопителя, а алгоритмы коррекции ошибок LDPC (Low Density Parity Check) выявляют и корректируют единичные битовые ошибки. Это критически важные элементы для любого накопителя, который применяется в системах AIoT.

Новейшие 96-слойные решения на основе памяти 3D NAND

Компания Transcend начала внедрять самые современные технологии создания памяти 3D NAND, которые позволяют формировать до 96 слоев ячеек флэш-памяти NAND и хранить до 3 битов данных в одной ячейке. Эти микросхемы не только отличаются более высокой плотностью хранения данных по сравнению с предыдущим поколением 64-слойных кристаллов, но и характеризуются выдающейся долговечностью. Для дальнейшего повышения долговечности чипов 3D NAND, Transcend продолжает внедрять средства тестирования микросхем. Каждая 96-слойная микросхема памяти NAND, предназначенная для использования в твердотельных накопителях или картах памяти, может в среднем выдержать до 3 000 циклов записи/стирания.

Когда оптимальная стоимость сочетается с высокой надежностью

Продукты на основе памяти 3D NAND отличаются оптимальной стоимостью, высокой производительностью и надежностью. Transcend создает 96-слойные микросхемы памяти 3D NAND, которые демонстрируют высокую скорость работы, выдающуюся долговечность и надежность. Твердотельные накопители компании имеют параметр удержания данных на уровне однослойной памяти MLC NAND, но имеют значительно меньшую удельную цену в пересчете на бит хранимой информации. Эти твердотельные накопители объединяют в себе преимущества высокой производительности и выдающейся долговечности в условиях интенсивного чтения и записи данных, что делает их идеальным решением для применения в промышленных и корпоративных системах.

Микросхемы FLASH-памяти фирмы SAMSUNG

Микросхемы FLASH-памяти фирмы SAMSUNG

   В статье описаны микросхемы флэш-памяти объемом 4 Гбита K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M- YCBO/YIBO, K9K4G08U0M- YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0. Эти микросхемы используются в качестве энергонезависимой памяти в бытовых, промышленных и компьютерных устройствах. В цифровых видео- и фотокамерах, диктофонах и автоответчиках эти микросхемы используются в качестве памяти для изображения и звука в составе твердотельных флэш-дисков.

   Микросхемы флэш-памяти разделяются на группы по напряжению питания и архитектуре (табл. 1). В табл. 2 представлено назначение выводов микросхем флэш-памяти.

Таблица 1

Обозначение прибора Напряжение питания (номинальное значение) Архитектура Тип корпуса
K9K4G08Q0M-Y 1,70…1,95В(1,8 В) 512 Мбит х 8 TS0P1
K9K4G16Q0M-Y 1,70…1,95 В (1,8 В) 256 Мбит х 16 TS0P1
K9K4G08U0M-Y 2,7…3,6 В (3,3 В) 512 Мбит х 8 TS0P1
K9K4G16U0M-Y 2,7…3,6 В (3,3 В) 256 Мбит х 16 TS0P1

Таблица 2

№ выводов Обозначение вывода (тип микросхемы) Назначение выводов
29-32; 41-44 I/O(0-7) (K9K4G08X0M-Y) Ввод/вывод данных. Выводы используются для ввода/вывода адресов ячеек, данных или команд в течение циклов считывания/записи. Когда микросхема не выбрана, или обращение к выводам запрещено, они переводятся в состояние высокого импеданса
26, 28, 30, 32, 40, 42, 44, 46, 27, 29, 31, 33, 41, 43, 45, 47 I/0(0-15) (K9K4G16X0M-Y)  
16 CLE Разрешение фиксации команды. Высокий уровень сигнала на этом выводе переключает мультиплексоры на входах I/O по направлению регистра команд. Запись команды в регистр производится по фронту сигнала WE
17 ALE Разрешение фиксации адреса. Высокий уровень сигнала на этом входе переключает мультиплексоры на входах I/O по направлению адресного регистра. Загнись команды в регистр производится по фронту сигнала WE
9 СЕ Выбор микросхемы. Низкий уровень на входе разрешает операцию чтения данных, а высокий, при отсутствии каких-либо операций, переводит микросхему в дежурный режим. Во время операций записи/стирания, высокий уровень на этом входе игнорируется
8 RE Разрешение чтения. Вход управляет последовательным выводом данных, когда активна передача данных на шину ввода/вывода. Данные действительны после спада сигнала RE и некоторого нормированного времени выборки. Сигнал RE также увеличивает внутренний счетчик адреса столбца на единицу
18 WE Разрешение записи. Вход управляет записью в порт ввода/вывода. Команды, адрес и данные фиксируются по фронту импульса WE
19 WP Блокировка записи. Выход обеспечивает защиту от случайной записи/стирания во время включения питания. Внутренний генератор программирующего напряжения блокирован, когда на выводе WP активный низкий уровень
7 R/B Свободно/занято. Выход R/B указывает состояние микросхемы. Низкий уровень указывает, что выполняется операция записи, стирания или чтения с произвольной выборкой, высокий уровень устанавливается после завершения этих операций. Этот выход с открытым стоком не переходит к состоянию высокого импеданса, когда микросхема не выбрана, или когда выходы заблокированы
38 PRE Разрешение чтения при включении питания. Выход PRE управляет операцией авточтения, выполняемой при включении питания. Авточтение при включении питания разрешено, если вывод PRE подключен к выводу VCC
12 VCC Напряжение питания
13 VSS Общий

   Микросхемы K9K4GXXX0M имеют емкость 4 Гбита с резервом 128 Мбит (фактическая емкость составляет 4 429 185 024 бита) и архитектуру 512 Мбит х 8 или 256 Мбит х 16 с надежностью до 1 млн. циклов записи/стирания. 8-разрядные микросхемы организованы в 2112 х 8 страниц, а 16-разрядные — в 1056 х 16 столбцов. Во всех микросхемах есть резервные биты, располагающиеся в 128 строках с адресами 2048-2111 у 8-разрядных микросхем, или в 64 столбцах с адресами 1024-1055 — у 16-разрядных. Для организации передачи данных в течение операции чтения/записи страницы между ячейками памяти и портами ввода-вывода у этих микросхем имеются последовательно связанные друг с другом регистры данных размером 2112 байт для 8-разрядной, или 1056-словный для — 16-разрядной микросхемы и регистры кэша соответствующего объема. Массив памяти строится из 32 связанных ячеек, находящихся на разных страницах и объединенных структурой И-НЕ. 32 ячейки, объединяющие 135168 структур 2И-НЕ и расположенные на 64 страницах, составляют блок. Совокупность 8- или 16-разрядных блоков составляет массив памяти.

   Операция чтения выполняется постранично, в то время как операция стирания — только поблочно: 2048 отдельно стираемых блоков пс 128 Кбайт (для 8-разрядных микросхем), или блоков по 64 Кслов (для 16-разрядных микросхем). Стирание отдельных битов невозможно.

   Запись страницы в микросхемы выполняется за 300 мкс, стирание — за 2 мс на блок (128 Кбайт — для 8-разрядных, или на 64 Кслов — для 16-разрядных микросхем). Байт данных считывается со страницы за 50 нc.

   Для записи и контроля данных в микросхемах имеется встроенный контроллер, обеспечивающий весь процесс, включая, если требуется, повторение операций внутренней проверки и разметки данных. У микросхем K9K4GXXX0M реализована система обеспечения проверки информации с исправлением ошибок и выбраковкой ошибочных данных е реальном времени.

   Микросхемы имеют 8 или 16 мультиплексных адресов ввода/вывода. Такое решение резко уменьшает число задействованных выводов, и позволяет проводить последующие модернизации устройств, не увеличивая их размеров. Ввод команд, адреса и данных производится при низком уровне на выводе СЕ по спаду сигнала WE через одни и те же ножки ввода/вывода. Вводимая информация записывается в буферные регистры по фронту сигнала WE. Сигналы разрешения записи команды (CLE) и разрешения записи адреса (ALE) используются, чтобы мультиплексировать команду и адрес соответственно через одни и те же ножки ввода/вывода.

Таблица 3

Операция НЕХ-код 1-го цикла НЕХ-код 2-го цикла
Чтение 00 30
Чтение для перезаписи 00 35
Чтение сигнатуры 90 —
Сброс FF —
Запись на страницу 80 10
Запись в кэш 80 15
Перезапись 85 10
Стирание блока 60 DO
Произвольный ввод данных* 85 —
Произвольный вывод данных* 05 Е0
Чтение статуса 70 —

   * Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах одной страницы

   В табл. 3 показаны команды управления микросхем. Подача на входы других, не перечисленных в таблице, шестнадцатеричных (HEX) кодов команд, ведет к непредсказуемым последствиям, и поэтому запрещена.

   Чтобы повысить скорость записи во время приема больших объемов данных, у встроенного контроллера предусмотрена возможность записи данных в регистры кэш-памяти. При включении питания встроенный контроллер автоматически обеспечивает доступ к массиву памяти, начиная с первой страницы без ввода команды и адреса. В дополнение к усовершенствованной архитектуре и интерфейсу, контроллер обладает возможностью копирования (перезаписи)содер жимого одной страницы памяти на другую без обращения к внешней буферной памяти. В этом случае обеспе чивается более высокая скорость переноса данных, чем при обычной работе, так как отнимающий много времени последовательный доступ и циклы ввода данных отсутствуют.

Выбраковка блоков

   Блоки памяти в микросхемах K9K4GXXX0M определяются как недопустимые, если содержат один иль более недопустимых битов, однозначность чтения которых не гарантируется. Информация из недопустимых блоков трактуется как «недопустимая информация блока». Микросхемы с недопустимыми блоками не отличаются по статическим и динамическим характеристикам и имеют тот же самый качественный уровень, как и микросхемы со всеми правильными блоками. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолировань от разрядной и общей шины питания транзистором выбора. Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа.

Идентификация недопустимого блока

   Содержимое всех ячеек микросхемы (кроме тех, где хранится информация о недопустимых блоках) с адресами FFh для 8-разрядных и FFFFh для 16-разрядных, может быть стерта. Адреса недопустимых блоков, находящихся в резервной области массива памяти, определяет первый байт для 8-разрядных микросхем или первое слово — для 16-разрядных. Производитель гарантирует, что или 1-я или 2-я страница каждого блока с адресами недопустимых ячеек имеют в столбцах с адресами 2048 (для 8-разрядных) или 1024 (для 16-разрядных) данные, отличные, соответственно, от FFh или FFFFh. Так как информация о недопустимых блоках также является стираемой, то в большинстве случаев стирания адресов бракованных блоков их восстановить невозможно. Поэтому в системе должен быть заложен алгоритм, способный создать таблицу недопустимых блоков, защищенную от стирания и основанную на первоначальной информации о бракованных блоках.

   После очистки массива-памяти адреса этих блоков снова загружаются из этой таблицы. Любое намеренное стирание первоначальной информации о недопустимых блоках запрещено, так как ведет к некорректной работе системы в целом.

   Со временем число недопустимых блоков может возрасти, поэтому необходимо периодически проверять фактическую емкость памяти, сверяя адреса забракованных блоков с данными из резервной таблицы недопустимых блоков. Для систем, где необходима высокая отказоустойчивость, лучше всего предусмотреть возможность поблочного переписывания массива памяти со сравнением результатов с фактическими данными, оперативно выявляя и заменяя блоки некорректной информации. Данные из выявленного недопустимого блока переносятся в другой, нормальный пустой блок, не затрагивая соседние блоки массива и используя встроенный буфер, размер которого соответствует размеру блока. Для этого и предусмотрены команды для поблочной перезаписи.

Микросхемы памяти — Микросхемы | «Миландр» (Зеленоград)

— — — — — — — — — — — — 1 1 50 — 4М (512К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 1 1 55 — 16М (2М*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 1 1 50 — 4М (512К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 1 1 55 — 16М (2М*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 2 1 65 — 1М (128К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 2 2 65 — 1М (128К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — — — — 64М (4М*16, 8М*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <15 <15 40 144 144К (16К*9) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — <1 50 256 256К (32К*8) — — — — — — — — 3.0 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 1 50 16 16К (2К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — — — — 256К (32К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 5 100 — 2М (128К*16) — — — — — — — — 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 15 70 — 16К (2К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 15 70 — 16К (2К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 15 70 — 64К (8К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 15 70 — 64К (8К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <15 <1 25 1024 1M (128К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <23 <3 55 64 64К (8К*8) — — — — — — — — 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <1 <1 20 4096 4М (256К*16) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <1 <1 20 4096 4М (256К*16) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — <15 <5 30 16384 16М (1М*16) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — — — 4096 4М (512К*8) — — — — — — — — 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — 30 10 16384 16М (1М*16) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100 —
— — — — — — — — — — — — — 30 10 16384 16М (1М*16) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100 —
— — — — — — — — — — — — — 99 3 73728 72М (2М*36) — — — — — — — — 3,0 ÷ 3,6 -60 ÷ 85 —
— — — — — — — — — — — — 1 1 — — 4М (4М*1) — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — 5 5 — — 1М — — — — — — — — 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100 —
— — — — — — — — — — — — — — 20 — 40М (1М*40) — — — — — — — — 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — — 100 — 5М (128К*40) — — — — — — — — 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125 —
— — — — — — — — — — — — — — 80 — 128М (4М*32) — — — — — — — — 3,0 ÷ 3,6 (5) -60 ÷ 125 —

Архитектура Флэш-памяти | Серверы, графические и рабочие станции. Системы хранения и архивации данных

Широкое распространение флэш-памяти как одной из технологий хранения данных генерирует большой поток новостей в этой области.

 

Флэш-память – это энергонезависимая и перезаписываемая память.

  • Энергонезависимая – память требует электрического питания только при записи данных. При хранении энергия не расходуется.
  • Перезаписываемая – потому что хранящиеся данные можно изменять (перезаписывать)

 

Флэш-память построена на основе интегральных микросхем (IC-Chip) и не содержит механических движущихся частей. Тем не менее, сказать, что она не подвержена износу, к сожалению, нельзя.

 

Прогресс в конструкторских разработках флэш-памяти, как и в любых других областях человеческой деятельности, состоит в изживании недостатков и преумножении достоинств.

Поэтому основными направлениями развития производства и использования флэш-памяти на сегодняшний день можно считать увеличение емкости и количества циклов записи, а также снижение себестоимости производства модулей памяти. 

Архитектура Флэш-памяти

Флэш-память, в отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, не содержит конденсаторов. Обычная ячейка памяти может состоять из одного-единственного транзистора. Ячейки, в которых величина заряда на затворе транзистора не различается, могут принимать два состояния – «0» и «1». Ячейки такого типа классифицируют как одноуровневые ячейки — Single Level Cell (SLC). 

 

Одним из способов увеличения плотности записи памяти является использование аналоговой природы хранения заряда на затворе транзистора.

Трудно предположить, что среди посетителей нашего сайта есть люди, не знакомые с фактом корпускулярно-волнового дуализма элементарных частиц. Между тем, именно на нём основано явление туннельного перехода электронов на плавающий затвор транзистора (при получение заряда) и в обратном направление (при стирании ячейки).

Во время записи на «плавающий» затвор помещается количество заряда, соответствующее необходимому состоянию.

От величины заряда на «плавающем» затворе зависит пороговое напряжение транзистора.

Пороговое напряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему записанное состояние, а значит и записанную последовательность бит. Такой подход позволяет хранить в одной ячейке флэш-памяти не один бит информации, а несколько, в зависимости от количества уровней заряда, различаемых при чтении. Для хранения двух бит информации в ячейке необходимо обеспечить четыре различаемых уровня заряда. Три бита в одной  ячейке, потребуют восемь уровней заряда, четыре – шестнадцать и так далее. Такие ячейки называются многоуровневыми – (MLC — Multi Level Cell). Интерпретацией величины хранящегося в ячейке заряда занимается контроллер памяти. Таким образом, скорость работы в итоге определяется не только скоростью работы собственно ячеек памяти, но и скоростью работы контроллера.

 

На современном этапе развития технологии производятся модули памяти с ячейками, хранящими три бита информации. На стадии внедрения существуют прототипы, хранящие 4 бита в одной ячейке. Технология пока не достигла предела своего развития, предельное число бит, способных храниться в одной ячейке флэш-памяти пока не определено.

 

Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с организацией NOR и NAND.

 

Основные преимущества MLC микросхем:

  • Снижение стоимости единицы ёмкости
  • Высокая плотность записи: при равном размере микросхем и одинаковом техпроцессе «обычной» и MLC-памяти, последняя способна хранить больше информации
  • На основе MLC создаются микросхемы большего, чем на основе однобитных ячеек, объёма

Основные недостатки MLC:

  • Снижение надёжности, по сравнению с однобитными ячейками, и, соответственно, необходимость встраивать более сложный механизм коррекции ошибок (чем больше бит на ячейку — тем сложнее механизм коррекции ошибок)
  • Быстродействие микросхем на основе MLC зачастую ниже, чем у микросхем на основе однобитных ячеек
  • Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, дополнительно тратится место на специфические схемы чтения/записи многоуровневых ячеек

Физические неисправности FLASH и как их наладить — читайте на MHDD.BY!

Выход из строя флеш-накопителя на сегодняшний день не такое уж и редкое явление. Если в случае логических проблем пользователь может попытаться восстановить информацию самостоятельно при помощи различных программ, то в случае физических неисправностей без помощи специалиста ему не обойтись.

Практически все накопители на основе NAND Flash (USB Flash, SD, Micro SD, MMC, Smart Media, Memory Stick, Compact Flash и т.д.) строятся по одному принципу и содержат в себе следующий набор компонентов:

Микросхемы памяти NAND Flash. Наиболее распространены на сегодняшний день в корпусе TSOP-48, LGA-52, BGA 152/132.
Контроллер. В его функции входит чтение/запись информации с микросхем памяти, распределение данных внутри микросхем для равномерного износа ячеек памяти, контроль и исправление ошибок чтения, выполнение различных алгоритмов для увеличения скорости работы накопителя и повышения надежности хранения данных. А также передача данных по интерфейсной шине (USB, SD и тд.).
Чаще всего флеш-накопители ломаются либо по причине выхода из строя контроллера, либо из-за сильного износа ячеек памяти, когда количество битовых ошибок превышает возможности алгоритма ECC.

Работа по восстановлению данных с накопителя на основе NAND Flash включает в себя следующие этапы:

  1. Выпаивание всех микросхем памяти накопителя. При этом осуществляется жесткий температурный контроль, так как при низких температурах есть риск повредить тонкие контакты микросхемы, а при высоких температурах происходят необратимые процессы внутри микросхемы памяти, что впоследствии может затруднить считывание записанных в нее данных.
  2. Считывание содержимого всех микросхем при помощи специального считывающего устройства, входящего в комплект программно-аппаратного комплекса восстановления данных. В процессе вычитывания содержимого микросхем в дампы определяются такие важные параметры, как размер страницы микросхемы (минимальный объем данных, который может быть прочитан с микросхемы памяти) и размер блока микросхемы (минимальный объем данных, который может быть стерт/перезаписан в микросхеме памяти).
  3. На одном из последующих этапов анализируются считанные дампы и вычисляется алгоритм коррекции ошибок ECC. Корректируются ошибки чтения, строится карта нескорректированных секторов, которые впоследствии повторно перечитываются с микросхем памяти. Процесс этот достаточно ресурсоемкий и требует достаточно много времени. Все чаще приходится использовать альтернативные методики вычитывания, такие как изменение напряжения питания микросхем, охлаждение до -20°, нагрев до критических температур, алгоритмы Read Retry, а также комбинации перечисленных методов.

Получив качественные дампы микросхем памяти, инженер должен смоделировать алгоритмы работы контроллера и получить образ накопителя.

В своей работе контроллер использует следующие алгоритмы и преобразования:

  1. Устранение вставок. Уже на этапе производства современные микросхемы имеют дефектные ячейки. Из-за особенностей производства и организации внутренней структуры микросхем памяти адрес поврежденной ячейки повторяется в пределах всей плоскости микросхемы. В исправном флеш-накопителе такие ячейки помечаются как неиспользуемые и пропускаются при адресации, а данные записываются со смещением. Соответственно, если при восстановлении данных с флешки не составить полный список подобных ячеек, нарушится вся адресация, и конечный образ накопителя получить не удастся.
  2. Чередование через байт. При использовании нескольких микросхем памяти запись на них производится параллельно с чередованием в 1 байт. Чаще всего используется в картах памяти Compact Flash для увеличения скорости работы. В процессе восстановления данных инженеру необходимо выстроить правильную последовательность дампов для корректного объединения.
  3. Устранение инверсии либо скремблинга. В старых флеш-накопителях для увеличения срока службы используется инверсия данных. В современных широкое распространение получило логическое XOR-преобразование по заранее заданному шаблону. Это позволяет равномерно заполнять используемый объем микросхем памяти нулями и единицами, благодаря чему достигается равномерный износ ячеек памяти, а также снижает степень взаимного влияния ячеек друг на друга. В последнее время все чаще применяется динамический XOR, при использовании которого шаблон преобразования каждого последующего блока зависит от содержимого предыдущего блока. Задача инженера при восстановлении данных определить шаблон XOR-преобразования либо вычислить алгоритм формирования XOR-шаблона и устранить данное преобразование в дампах микросхем.
  4. Устранение внутреннего и внешнего интерлива. Большинство современных микросхем памяти имеют два канала чтения/записи. Также микросхема в одном физическом корпусе может содержать в себе несколько частей (на сегодняшний день до четырех). Для увеличения скорости работы контроллер накопителя запрограммирован таким образом, чтобы параллельно записывать/считывать данные, используя оба канала сразу, а также вести запись в несколько частей микросхемы, а при наличии двух и более физических микросхем на накопителе возможна одновременная запись сразу во все микросхемы. Задача инженера определить, использовалась параллельная запись в разные плоскости микросхемы, либо одновременно в несколько частей либо в разные микросхемы. Необходимо в данном случае учитывать размер страницы и блока, с которыми работает контроллер, а также выстроить правильный порядок объединения дампов, чтобы данные в итоге были в правильной последовательности.
  5. Устранение внутриблоковых преобразований. Различные контроллеры в своей работе могут использовать дополнительные преобразования данных либо структуры данных внутри блоков, которыми они оперируют. Наша задача –определить тип данных преобразований и устранить их.
  6. Сборка образа. Устранив все преобразования, мы получаем виртуальный дамп, внутри которого все данные в правильном порядке расположены в блоках, однако блоки хаотично разбросаны по всему дампу. Сделано это опять же для равномерного износа микросхем памяти. Выстроить блоки в нужной последовательности можно, либо использовав алгоритм транслятора, определив его по модели контроллера, либо по его характерным признакам проанализировав полученный дамп накопителя. В случае если это невозможно, можно попытаться собрать образ по маркеру номера блока, определив и преобразовав его в служебной области страницы данных. Определив правильный алгоритм транслятора либо выстроив алгоритм трансляции по маркеру, мы получаем конечный дамп с правильно выстроенными блоками данных и можем получить доступ к файлам и папкам пользовательских данных.

В процессе сборки могут возникнуть нестандартные ситуации, такие как сдвиги в образе либо несколько блоков с одним и тем же маркером, претендующие на одно место в образе. Однако опытный инженер по восстановлению данных всегда знает, как решить данную проблему!

Замена флеш (eMMC) памяти | Лучшая цена по Украине

Наш сервисный центр выполняет почти все ремонты, связанные с заменой флеш памяти в современных мобильных устройствах.

Мы обладаем современным, профессиональным оборудованием и постоянно обновляем его. Имеем очень большой опыт ремонта мобильных устройств высокой сложности. Непосредственно,  ремонты, связанные с диагнозом «замена флеш памяти» плотно вошли в нашу профессию с 2013 года, за это время были отремонтированы сотни аппаратов с данной неисправностью.

Если у Вашего устройства возникли проблемы, касающиеся неисправности микросхемы флеш памяти, привозите его в наш сервисный центр. Мы быстро и с гарантией исправим данную поломку.

Увы, политика большинства именитых брендов мобильной техники, запрещает своим авторизированным сервисным центрам замену частей на компонентном уровне. По прошествии гарантийного строка они вынуждены предлагать клиентам, только замену системной платы (SWAP), зачастую даже при примитивных поломках устройства.

Смело обращайтесь к нам, если у Вас уже был печальный опыт обращения в сервисный центр, где Вам не смогли помочь, либо предлагали заменить системную плату целиком.

Стоимость замены флеш памяти колеблется от 800 до 1800 грн. (зависит от конкретной модели, а так же курса доллара), что, дешевле в 2 – 3 раза, чем замена системной платы.

Сроки ремонта, как правило, не превышают 1 недели при условии наличия запчастей, и от 3 до 5 недель, если запчасти поставляются под заказ.

Работаем по всей Украине, территориально находимся в Харькове, наши контакты.

Сервисный центр «Харьков-Repair» является официальной организацией, это означает, что на все виды ремонтов предоставляется настоящая гарантия подкрепленная законом Украины. Непосредственно, на установленную микросхему памяти дается гарантия 6 месяцев.

Сейчас, очень много сервисных центров хвалятся своими достижениями, но так ли это, знают только они сами и люди которые к ним обращаются. О нас пишут клиенты в разных местах (хорошо и иногда плохо), мы постарались собрать все воедино на своей странице отзывов.

Как происходит замена флеш памяти — ответы на вопросы:

  • Что такое флеш память, ее основные типы, используемые в современной технике
  • Как происходит замена флеш памяти в устройстве
  • Как производится демонтаж неисправной микросхемы и установка новой
  • Обзор программного оборудования для выполнения ремонтов подобного уровня
  • Стоимость работ по замене микросхем флеш памяти в нашем сервисном центре
  • Замена памяти iPhone 6, 6s, 6 plus, 6s plus, 7, 7 plus и iPad 2, 3, 4, air, air2, mini 1-4

Что такое флеш память?

Флеш память — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти. Флеш память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. Серьёзным недостатком данной технологии является ограниченный срок эксплуатации носителей, а также чувствительность к электростатическому разряду.

В общих чертах микросхемы памяти делятся на энергонезависимые (NAND), не теряющие информацию при выключении питания, энергозависимые (RAM), содержимое которых при каждом включении считается неопределенным, и комбинированные (EMMC) имеющие NAND или NAND+RAM и управляющий ими контроллер.

Подробнее

В виду своей универсальности 90% современной мобильной техники используют микросхемы EMMC, за исключением бренда Apple, где за основу взят чистый NAND.

Немного истории:

В 2006 году организации MultiMediaCard Association (MMCA) и JEDEC Solid State Technology Association (JEDEC) объявили о принятии стандарта на встраиваемую флеш память. Этот вид продукции выделен в отдельную товарную категорию, за которой закреплена торговая марка eMMC. Основой для стандарта стала спецификация MMC. Напомним, начало сотрудничества между MMCA и JEDEC в области стандартизации было обозначено соглашением, заключенным ранее в текущем году. Стандарт eMMC – первый результат сотрудничества.

Принцип работы и интерфейс EMMC

Структура EMMC/MMC устройств:


Основные выводы микросхемы:

GND / VSS — земля для сигналов и питания
VCC — питание ( ядро контроллера , внутренний RAM и NAND ) Минимальное напряжение 2.8V , максимальное 3.6V.
VCCQ — питание IO линий ( опорное напряжение на транзисторах линий D0..D7 CMD CLK) Допустимые значения 1.8 … 3.3V.
CLK — сигнал тактования
CMD — двух направления линия передачи команд
D0..D7 — 3х режимная шина передачи данных, режимы передачи — 1бит, 4бита, 8бит ( чем шире, тем быстрее)
nRST — линия сброса — очень необязательная — но используется в системах с NVIDIA TEGRA

Типы подключений ЕMMC

Режимы работы микросхемы

  1. SPI Legacy режим — использовался в MMC и ранних версиях eMMC. Сейчас не используется
  2. Multi-Media-Card bus protocol – Двух направленный Скоростной Протокол
  3. BOOT Режим – режим загрузки
  4. Аварийные режимы работы

Организация данных в eMMC микросхеме

1. Аппаратные разделы
Boot partition 1Раздел , котором хранится boot (не обязательно)
Boot partition 2Раздел , котором хранится boot (не обязательно)
RPMBШифрованный раздел — доступ к нему возможен только с ключем
User data areaПользовательский раздел — занимает основную часть памяти eMMC
2. Служебная информация

Состоит из четырех блоков данных, не входящих в логические разделы — хотя они находятся в внутреннем NAND накопителе.

CID (Card identification data): содержит данные, по которым можно идентифицировать карту памяти (серийный номер, ID производителя, дату изготовления и т.д.).

OCR (Operation Conditions Register): содержит напряжения питания карты памяти, тип питания карты памяти, статус процесса инициализации карты.

extCSD (Extended Card-specific data): содержит всевозможную информацию о карте памяти , которая не влезла в CSD. Длинна 512 байт.

BOOT_CONFIG: конфигурация загрузки (какой физический раздел отвечает за загрузку ТА).

3. Софтовые разделы (содержится в USER AREA)

На примере Samsung N8000

Как происходит замена флеш памяти в устройстве?

Замена EMMC памяти в общих чертах, достаточно универсальная процедура, и различается некоторыми тонкостями той или иной модели:

  1. Диагностика устройства, определение возможности замены флеш (EMMC).
  2. Снятие не рабочей микросхемы.
  3. Подготовка новой микросхемы — Перекатка на свинец. Прошивка extCSD, BOOT_CONFIG, при необходимости части дампа, прошивки, или секьюрити зоны в новую микросхему.
  4. Установка новой микросхемы.
  5. Прошивка аппарата, правка серийных номеров.

 

1. Диагностика устройства, определение возможности замены EMMC микросхемы

Первым делом нужно определить неисправность, в данном случае нас интересует вышедшая из строя микросхема флеш памяти. Разные устройства, ввиду различной конструкции ведут себя не одинаково, и требуют различного подхода.

К примеру, в моделях Lenovo на процессорах MTK память в большинстве случаев диагностируется сервисной программой SP Flash Tool.

В то же время модели Lenovo на процессоре Intel, просто не конектятся к компьютеру, а при подключении питания потребляют около 80мА.

При технической возможности, для детальной диагностики микросхемы flash используется ISP соединение. Практика ISP – подключение непосредственно к микросхеме flash не выпаивая ее из системной платы.

Следующим этапом диагностики, является определение возможности выполнения ремонта (замены EMMC микросхемы). На этом этапе учитываются:

  • Наличие запчасти или ее аналогов. Вкратце, изучается установленный в устройстве чип. Очень часто бывает, что на место микросхемы flash памяти, по желанию клиента устанавливается более современный аналог. Примером являются модели Lenovo P780 и S820, в которых применяют микросхему HYNIX H9TP32A8JDAC (или H9TP32A8JDMC) которую мы меняем на Samsung Kmk7u000vm-b309 , бонусом становятся еще четыре дополнительных гигабайта памяти.

  • Использование, и если да, возможность извлечения из поврежденного носителя уникальных данных. Например, во всех современных моделях мобильных телефонов Sonу имеется уникальная для каждого устройства зона загрузчика trim area, без бэкапа которой аппарат не запустить.

 

2. Снятие не рабочей микросхемы

Исходя из конструктивных особенностей устройств, применяется один из двух основных методов демонтажа неисправной микросхемы, это отпаивание и спиливание.

Отпайка микросхемы – классический метод демонтажа, при правильном подходе максимально эффективен и безопасен для системной платы. Мы используем программируемую ИК станцию нижнего подогрева и термо-воздушную компрессорную  паяльную для данной процедуры.

Спиливание микросхемы – метод, при котором неисправная микросхема спиливается алмазной фрезой. Используется для сохранения работоспособности системной платы, в случаях очень плотного монтажа микросхем и заливки их жестким компаундом.

Компаунд — термоактивная, термопластическая полимерная смола. Используется в качестве электроизоляционного материала и как средство взрывозащиты.
Производители техники укрепляют им микросхемы на системных платах. Залитые компаундом микросхемы очень жестко держатся в плате. Результатом является значительное повышение прочности устройств. Минусом применения этой смолы, есть невозможность, или достаточная сложность демонтажа «обработанных» комплектующих.

 

3. Подготовка новой микросхемы flash памяти
1. Проверка новой микросхемы
2. Перекатка на свинец

Целью данной процедуры является — лишний раз не подвергать микросхему флеш памяти и системную плату излишнему тепловому удару.

С завода, микросхема flash памяти как правило приходит с безсвинцовым припоем, температура плавления которого почти на 20 градусов выше чем у свинцового (240 град. Sn/Sb и  221 град. Sn/Ag).

3. Прошивка extCSD, BOOT_CONFIG, при необходимости части дампа, прошивки, или секьюрити зоны в новую микросхему

Подготавливаем новую микросхему к установке в системную плату. Рассмотрим на примере Samsung I9300.

 

4. Установка новой микросхемы

Далее подготовленная микросхема припаивается к системной плате устройства.

 

5. Прошивка аппарата, правка серийных номеров

Собираем устройство

Прошиваем

Правим серийные номера на заводские

Проверяем результат

Вот и вся процедура. Замена flash памяти на современном мобильном устройстве выполнена.

Краткий обзор программного оборудования

На фото представлены программаторы, донглы и адаптеры нашего сервиса.

1. Для программирования непосредственно микросхем флеш памяти

2. Для работы с прошивкой аппарата


 

Цены на замену флешь — актуальна на 11.2021г
  • Сроки выполнения ремонта, до 5 рабочих дней при условии наличия запчастей и 3 — 5 недель если комплектующие поставляются под заказ.
  • Гарантия на выполненный ремонт, связанный с заменой микросхем памяти составляет 6 месяцев.
  • Если вы не нашли свей модели, значит скорее всего мы с ней еще не сталкивались, свяжитесь с нами и мы изучим данный вопрос.


Asus
МодельСтоимостьМодельСтоимость
ME170 (K017c)900грн. (8gb)ME173 (K00b)900грн.-8gb, 1100грн.-16gb
ME372 FonePad1000грн.Nexus 7 20121000грн.
Nexus 7 20131200грн.-16gb, 1400грн.-32gbZenFone 51200грн.
ME302c1050грн.-16gb, 1200грн.-32gbZenFone 3 max (zc520h)1400грн.
ZenFone max (zc550kl)1300грн.-16gb, 1800грн.-32gb  

Acer
МодельСтоимостьМодельСтоимость
C350900грн. E7001300грн.

Doogee
МодельСтоимостьМодельСтоимость
X5950грн.-8gb, 1150грн.-16gbX5 Max Pro1050грн.-16gb
X5 Max950грн.X10850грн.

Fly 
МодельСтоимостьМодельСтоимость
IQ270800грн.IQ436i800грн.
IQ440800грн.IQ445800грн.
IQ446800грн..IQ4403800грн.
IQ4404800грн.IQ4410i900грн.
IQ4415800грн.IQ450800грн.
IQ452950грн.-8gb, 1300грн.-16gbIQ458900грн.
Connect 10.1950грн.-8gb, 1300грн.-16gbIQ444850грн.-4gb, 900грн. — 8gb

HTC
МодельСтоимостьМодельСтоимость
Desire 200800грн.Desire 300900грн.
Desire 310900грн.Desire 320950грн.
Desire 4001000грн.Desire 5001050грн.
Desire 5011000грн.Desire 516900грн.
Desire 6001050грн.Desire 6011000грн.
Desire 601DS1100грн.Desire 6101100грн.
Desire 616900грн.-4gb, 1100грн.-8gbDesire 7001200грн.
Desire C (A320)800грн.Desire S (S510)800грн.
Desire SV900грн.Desire U800грн.
Desire V800грн.Desire VC (T328d)900грн.
Desire X800грн.Flayer1200грн.
One Mini (601n)1100грн.One Mini 2 (M8 mini)1200грн.
One M71300грн.-16gb, 1500грн.-32gbOne M7 DS1300грн.-16gb, 1500грн.-32gb
One M81300грн.-16gb, 1500грн.-32gbOne M8 DS1300грн.-16gb, 1500грн.-32gb
One M91600грн.-32gbOne S (Z520)1000грн.
One SV900грн.One V800грн.
Rhyme (S510b)900грн.Sensation, Sensation XE800грн.
Sensation XL (X315)1000грн.Desire 816V 1200грн.

Homtom
МодельСтоимостьМодельСтоимость
HT3900грнHT16 Pro1050грн.
Z6950грн.HT27950грн.

Huawei 
МодельСтоимостьМодельСтоимость
G6-t00, G6-u10950грн.G610-u20950грн.
G700-u10950грн.G70001050грн.
G730900грн.Y336-u02850грн.
Y530-u00850грн.Y5 II1200грн.
Y625900грн.Y600-U20850грн.
P8 Lite1400грн.U8815 (G300)850грн.
T1-701U1200грн.  

Lenovo
МодельСтоимостьМодельСтоимость
A1000850грн.A10-701800грн.
A10-301500грн.-16gbA218t800грн.
A30001300грн.A33001000грн.
A35001300грн.-16gb  
A316800грн.A319800грн.
A328850грн.A390800грн.
A516800грн.A526850грн.
A5500h1050грн.-8gb, 1400грн.-16gbC2 (k10a40)1000грн.
A6000 950грн.-8gb, 1300грн.-16gbA606900грн.
A6010900грн.A6010 Pro1600грн.
A656950грн.A670800грн.
A678t850грн.A680900грн.
A70001100грн.-8gb, 1400грн.-16gbA760900грн.
A766800грн.A76001300грн.
A820900грн.A850, A850 Plus850грн.-4gb, 950грн.-8gb
A859950грн.A880950грн.
A916950грн.B60001000грн.-8gb, 1400грн.-16gb
B80001000грн.-8gb (нет в наличии), 1400грн.-16gbK3 Note1400грн.-16gb
K9101200грн.K9001150грн.-16gb, 1350грн.-32gb
P70a1600грн.P780800грн.-4gb, 900грн.-8gb (нет в наличии)
S5000h1400грн.S60001000грн.-8gb, 1400грн.-16gb
S6501000грн.S660950грн.
S820950грн.S8601500грн.
S880800грн.S898t, S898t+1500грн.
S920900грн.-4gb, 1000грн.-8gbS9301000грн.
Vibe X21500грн.ZUK21500грн.-32gb

LG
МодельСтоимостьМодельСтоимость
D285900грн.D290850грн.
D295850грн.D320 (L70)900грн.
D325 (L70)950грн.D373950грн.
D380950грн.D410900грн.
D686900грн.D6901000грн.
D7241400грн.-16gb, 1600грн.-32gbD768950грн.
D800, D801, D8021200грн.-16gb, 1500грн.-32gbD820, D8211200грн.-16gb, 1500грн.-32gb
D8551400грн.-16gb, 1600грн.-32gbD8561400грн.-16gb, 1600грн.-32gb
E440800грн.E612850грн.
F320l1500грн.  
F4601400грн.-16gb, 1600грн.-32gbH955, H9591400грн.-16gb, 1600грн.-32gb
LS9901400грн.-16gb, 1600грн.-32gbLS9961400грн.-16gb, 1600грн.-32gb
MS345950грн.P705850грн.
P715900грн.P765850грн.
V10Не делаемV4001050грн.
V5001050грн.VS9851200грн.-16gb, 1500грн.-32gb
X135800грн.X145800грн.
H525, H734, H811, H815, H818, H961, H962, H990, LS991Не делаемH950,H9551400грн.-16gb, 1600грн.-32gb

Meizu
МодельСтоимостьМодельСтоимость
M3s1600грн. — 32gbMX51300грн.-16gb, 1500грн.-32gb
M6 Note1850грн. — 32gb  

Nokia Lumia
МодельСтоимостьМодельСтоимость
Lumia 520900грн.Lumia 620920грн.
Lumia 640950рн.  
Lumia 7301000грн.Lumia 820950рн.
Lumia 900900грн.Lumia 9201000грн.
Lumia 9251200грн.Lumia 10201400грн.

Prestigio
МодельСтоимостьМодельСтоимость
PAP3501950грн.PAP3530950грн.
PAP5044950грн.Multipad Quantum950грн.
PAP5450950грн.PAP5503950грн.
PAP7600950грн.PMT5517950грн.
PMT5777950грн.PMP7079900грн.
PMP7280950грн.PSP75301100грн.-8gb, 1500грн.-16gb

Samsung
МодельСтоимостьМодельСтоимость
G350900грн.G900 (S5)не делаем
G5311400грн.G71021000грн.
G800h/DS1200грн.I717950грн.
I8160900грн.I81901000грн.
I85521000грн.I8730950грн.
I900800грн.I9000850грн.
I9001850грн.I9003850грн.
I9020900грн.I90601000грн.
I90821000грн.I9100900грн.
I9103950грн.I9190, I9192950грн.
I9195950грн.I92001000грн.
I92051000грн.I92501000грн.
I92951000грн.I9300 (S3)900грн.-16gb, 1300грн.-32gb
I9300i (S3 DS) 900грн.-16gb, 1300грн.-32gbI9500 (S4)1000грн.
J320h1500грн.  
J7001200грн.N5100, N51101000грн.
N7000900грн.N71001000грн.
N80001000грн.-16gb, 1300грн.-32gbN80131000грн.-16gb, 1300грн.-32gb
N80201000грн.N9100—
N9000 (N900)—N9005—
P10001000грн.P3100, P31101000грн.
P5100, P51101000грн.P5200, P5210, P52201200грн.
P6011600грн.P68001100грн.
P75001400грн.S6500850грн.
T5611100грн.  
S7272900грн.T210, T2111000грн.
T2311000грн.T3111000грн.
T959950грн.S6, S7, S8Не делаем

Sony
МодельСтоимостьМодельСтоимость
C2005 Xperia M DS1000грн.С2305 Xperia C1000грн.
С6603 Xperia Z1600грн.С6902 XperiaZ11400грн.
D6503 Xperia Z21250грн.D6633 Xperia Z3 DS1600грн.
E2312 Xperia M4 Aqua1400грн.E5333 Xperia C41250грн.
ST25i Xperia U900грн.C1905 Xperia M 900грн.
Xperia M5 DS1400грн.E6633 Xperia Z5 DS1650грн.
XA1 Ultra1850грн.  

Другие бренды
МодельСтоимостьМодельСтоимость
Alcatel 8020d1100грн. (16gb)Cube t91600грн.
Cube Talk9x U65gt1600грн.Blackview P2 Lite2100грн. (32gb)
Discovery V8900грн.Blackview bv58001550грн.
Jeka JK960950грн.AGM A81800грн.
Explay Fresh900грн. (8gb)Bravis Vista850грн.
Ergo A502900грн.Nomi Ultra C10103950грн.
Ergo A5001000грн. (16gb)Land Rover V191200грн.
Mediacom Phonepad X510u950грн.Nomi Terra+ c10102900грн.
THL 5001500грн.Umi London (mtk6580)900грн.-8gb, 1100грн.-16gb
Oukitel C3950грн.ZTE Blade V171600грн.
BQ Sprint 55901000грн.Dell venue 81300грн.

Почему стоит заменить флеш память у нас?
  1. Мы глубоко разбираемся в вопросе ремонта мобильной техники. Имеем огромный опыт, и современное оборудование.
  2. Выполняем Ваши заказы в максимально сжатые сроки.
  3. Наш сервисный центр предлагает максимально доступную стоимость ремонта, при этом не идя в разрез с качеством.
    К сожалению, в данной статье мы не можем точно ответить на очень частый вопрос клиентов — сколько стоит замена флеш памяти?
    Точная цена на замену флеш памяти (EMMC) формируется менеджером в момент обращения.
    Это связано с огромным разнообразием моделей, курса доллара, сложностью выполняемой работы.
  4. Результатами нашей работы остаются довольны 9 из 10 клиентов.
  5. Работаем по всей Украине.
  6. Сервисный центр «Харьков-Repair» является официальной организацией, это означает, что на все виды ремонтов предоставляется настоящая гарантия подкрепленная законом Украины. Непосредственно, по услуге «замена флеш памяти» дается гарантия 6 месяцев.
  7. Для жителей Харькова, на время ремонта при необходимости бесплатно предоставляется подменный аппарат в личное пользование.

Помните. Если Ваше устройство не отремонтировали, в каком либо сервисном центре или мастерской, это совершенно не означает что его ремонт невозможен. Привозите сломанный аппарат к нам, и мы постараемся его восстановить.

Приглашаем к сотрудничеству СЦ не предоставляющих данную услугу.

Если у Вас возникли вопросы по ремонту? Задайте их нам сейчас, звоните, оставьте онлайн заявку или приезжайте к нам. Мы очень постараемся решить Ваши задачи.
Наши контакты

Смотрите так-же статьи:

Замена флеш памяти Samsung

Замена памяти на планшете Samsung

Замена флеш памяти Samsung Galaxy S3 i9300

Samsung Galaxy Note 10.1 замена памяти

Руководство по выбору микросхем флэш-памяти

: типы, особенности, приложения

Изображение предоставлено: Newark / element14 | Digi-Key Corporation

Микросхемы флэш-памяти

— это электрически стираемые программируемые микросхемы постоянной памяти (EEPROM), которые можно стирать и перепрограммировать блоками, а не по одному байту за раз. Поскольку они энергонезависимы, микросхемы флэш-памяти не нуждаются в постоянном источнике питания для хранения своих данных.Микросхемы флэш-памяти обеспечивают чрезвычайно быстрое время доступа, низкое энергопотребление и относительную устойчивость к сильным ударам или вибрации. Срок их службы составляет примерно 100 000 циклов записи — факт, который делает Flash непригодным для использования в качестве основной памяти компьютера. Обычно микросхемы флэш-памяти используются в портативных или компактных устройствах, таких как цифровые фотоаппараты, сотовые телефоны, пейджеры и сканеры. Микросхемы флэш-памяти также используются в качестве твердотельных дисков в ноутбуках и в качестве карт памяти для игровых консолей.

Типы флэш-памяти


Микросхемы флэш-памяти различаются по плотности, размеру загрузочного блока, количеству слов, битам на слово, технологии затвора и специальным функциям.Плотность — это емкость чипа в битах. Размер загрузочного блока — это защищенный блок, используемый для хранения загрузочных кодов. Количество слов равно количеству строк, каждая из которых хранит слово памяти и подключается к строке слов для адресации. Биты на слово — это количество столбцов, каждый из которых подключается к цепи считывания / записи. Некоторые микросхемы флэш-памяти поддерживают технологию NAND или технологию шлюза последовательного доступа. Другие устройства поддерживают технологию шлюзов NOR или произвольного доступа. Что касается специальных функций, микросхемы флэш-памяти могут считываться либо пакетами битов, либо постранично.Микросхемы флэш-памяти, обеспечивающие операцию чтения во время записи (RWW), могут считываться и записываться одновременно.

Как выбрать


Выбор микросхем флэш-памяти требует анализа характеристик производительности, таких как время доступа, время хранения данных, срок службы, напряжение питания и рабочая температура. Время доступа, измеряемое в наносекундах (нс), указывает скорость памяти и представляет цикл, который начинается, когда ЦП отправляет запрос в память, и заканчивается, когда ЦП получает запрошенные данные.Срок хранения данных — это количество лет, в течение которого микросхемы могут хранить данные без перезагрузки. Выносливость — это максимальное количество циклов чтения / записи, которое может поддерживать микросхема. Напряжение питания составляет от -5 В до 5 В и включает промежуточные напряжения, такие как -4,5 В, -3,3 В, -3 В, 1,2 В, 1,5 В, 1,8 В, 2,5 В, 3 В, 3,3 В и 3,6 В. Некоторые микросхемы флэш-памяти поддерживают определенный температурный диапазон и обладают механическими и электрическими характеристиками, подходящими для коммерческого или промышленного применения. Другие микросхемы флэш-памяти соответствуют требованиям военных спецификаций (MIL-SPEC).

Выбор микросхем флэш-памяти требует анализа логических семейств. Транзисторно-транзисторная логика (TTL) и связанные технологии, такие как Fairchild Advanced Schottky TTL (FAST), используют транзисторы в качестве цифровых переключателей. Напротив, логика с эмиттерной связью (ECL) использует транзисторы для управления током через вентили, которые вычисляют логические функции. Другое логическое семейство, комплементарный металл-оксидный полупроводник (CMOS), использует комбинацию полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET) p-типа и n-типа для реализации логических вентилей и других цифровых схем.Семейства логики для микросхем флэш-памяти включают технологию перекрестных переключателей (CBT), арсенид галлия (GaAs), встроенную логику впрыска (I 2 L) и кремний на сапфире (SOS). Также доступны логика приемопередатчика Gunning (GTL) и логика приемопередатчика Gunning Plus (GTLP).

Варианты упаковки


Микросхемы флэш-памяти доступны в различных типах корпусов ИС и с разным количеством контактов и триггеров. Базовые типы корпусов ИС включают массив с шариковой решеткой (BGA), четырехрядный плоский корпус (QFP), однорядный корпус (SIP) и двухрядный корпус (DIP).Доступно множество вариантов упаковки. Например, варианты BGA включают решетку с пластиковыми шариками (PBGA) и решетку с ленточными шариками (TBGA). Варианты QFP включают в себя низкопрофильный плоский корпус с четырьмя элементами (LQFP) и тонкий корпус с четырьмя плоскими корпусами (TQFP). DIP доступны в керамическом (CDIP) или пластиковом (PDIP) исполнении. Другие типы пакетов IC включают в себя пакет с малым контуром (SOP), пакет с тонким контуром (TSOP) и пакет с маленьким контуром (SSOP).

Соответствующие стандарты

  • SMD 5962-08245 — МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 3.3 В ЗАГРУЗОЧНЫЙ БЛОК ВСПОМОГАТЕЛЬНОГО ПЗУ, 2 М Х 32 БИТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • SMD 5962-97609 — МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, FLASH EPROM, 2M X 8-BIT, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • SMD 5962-97599 — МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ИЗМЕНЯЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ВСПЫШКИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Интернет-магазин флэш-памяти | Future Electronics

Дополнительная информация о флэш-памяти

Что такое флэш-память?

Флэш-память — это тип программируемой памяти, предназначенной только для чтения, с электронным стиранием.Это микросхема памяти компьютера, которая хранит данные без использования источника питания. Флэш-память имеет преимущество перед памятью EEPROM, потому что EEPROM стирает свои данные по одному байту за раз, что замедляет обновление. Однако флэш-память может стирать данные целыми блоками. Это делает флэш-память более подходящей для приложений, требующих повторного обновления данных, например, для карт памяти. Информация хранится в ячейках внутри микросхем флэш-памяти, где транзистор с плавающим затвором защищает данные в каждой ячейке.Флэш-память получила свое название, потому что микросхема памяти спроектирована таким образом, что часть ячеек памяти стирается одним действием или «в мгновение ока», и поэтому ячейка очищается от своего содержимого, так что данные могут быть перезаписаны на нее.

Типы флэш-памяти

Компания Future Electronics предлагает несколько различных типов микросхем флэш-памяти. У нас есть многие из наиболее распространенных типов, которые классифицируются по нескольким параметрам, включая плотность памяти, организацию памяти, номинальное напряжение питания, максимальное время доступа, максимальную тактовую частоту, температурный класс и тип упаковки.Наши параметрические фильтры позволят вам уточнить результаты поиска в соответствии с необходимыми спецификациями.

Флэш-память от Future Electronics

Future Electronics предлагает широкий спектр программируемых флэш-памяти от нескольких производителей микросхем, которые можно использовать для карт флэш-памяти, флэш-памяти USB, компактной флэш-памяти, флэш-памяти компьютера, флэш-накопителей или для программирования любого другого типа флэш-памяти. После того, как вы решите, нужна ли вам компактная флэш-память, память накопителя NAND, параллельная память NOR или последовательная память NOR, вы сможете выбрать из их технических атрибутов, и результаты поиска будут сужены в соответствии с потребностями вашего конкретного приложения флэш-памяти.

Мы работаем с несколькими производителями, такими как Centon Electronics Inc, Cypress, Spansion, Greenliant, SST, Macronix, Kingston или Microchip, а также с другими производителями. Вы можете легко уточнить результаты поиска продуктов флэш-памяти, щелкнув предпочитаемую марку флэш-памяти из списка производителей ниже.

Приложения для флэш-памяти:

Флэш-память можно найти в портативной электронике, такой как смартфоны, цифровые музыкальные устройства, цифровые фотоаппараты и съемные запоминающие устройства.Технология Flash также часто присутствует в BIOS компьютеров, картах PCMCIA, картах видеоигр и модемах. Другое приложение используется в качестве замены жестких дисков и является привлекательным, когда важны скорость, шум, энергопотребление и / или надежность. Последовательная флэш-память — это небольшая память с низким энергопотреблением, которая использует последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Последовательная флэш-память, когда она включена во встроенную систему, требует на печатной плате меньше проводов, чем параллельная флэш-память. Это позволяет снизить энергопотребление, а также место на плате и, следовательно, снизить общую стоимость системы.

Выбор подходящей флэш-памяти:

С помощью параметрического поиска FutureElectronics.com при поиске подходящей флэш-памяти вы можете фильтровать результаты по категориям. У нас есть следующие категории флеш-памяти:

  • Compact flash-память
  • NAND-память
  • NOR параллельная память
  • NOR последовательная память

После выбора категории флэш-памяти вы можете сузить их по различным атрибутам: по максимальному времени доступа, номинальному напряжению питания, максимальной тактовой частоте и температурному классу, и это лишь некоторые из них.Вы сможете найти подходящий чип флэш-памяти для флэш-памяти USB, карты флэш-памяти, компактной флэш-памяти, флэш-накопителей, флэш-памяти компьютера или для программирования других типов флэш-памяти.

Флэш-память в готовой к производству упаковке или в количестве для НИОКР

Если количество требуемых флеш-памяти меньше, чем полный барабан, мы предлагаем нашим клиентам несколько наших программируемых флеш-памяти в лотках, тубах или отдельных количествах, которые будут поможет вам избежать ненужных излишков.

Кроме того, Future Electronics предлагает клиентам уникальную программу таможенных складских запасов, которая предназначена для устранения потенциальных проблем, которые могут возникнуть из-за непредсказуемых поставок продуктов, содержащих необработанные металлы, и продуктов с длительным или нестабильным сроком поставки. Поговорите с ближайшим отделением Future Electronics и узнайте больше о том, как вы и ваша компания можете избежать возможного дефицита.

Чип флэш-памяти

— обзор

Lexar Media и Toshiba

Давайте перейдем к одной из тех щекотливых ситуаций, с которыми сталкивается каждая компания, когда-либо сотрудничавшая с другой компанией: Это выигрыш — выигрышный сценарий , или я подвергаю свою компанию чрезмерному риску ? Ответ может быть положительным — Это может быть беспроигрышная ситуация , но вы должны следить за своей собственностью и следить за действиями партнера.

Теперь давайте рассмотрим судебный процесс, предпринятый Lexar Media (по состоянию на июнь 2006 г., 100% дочерняя компания Micron Technology), и их успешный судебный процесс, в котором они заявили о краже своей коммерческой тайны иностранным конкурентом и его дочерними компаниями в США.

В конце марта 2005 года присяжные Верховного суда Калифорнии признали Toshiba Corporation (японскую компанию) виновной в краже коммерческой тайны Lexar Media и оценили убытки в размере 381,4 миллиона долларов и штрафные санкции в размере 84 миллионов долларов на общую сумму 465 долларов.4 миллиона. Lexar утверждал, что Toshiba использовала коммерческие секреты Lexar в линейке продуктов Toshiba, которая включала флеш-чипы NAND, карты Compact Flash, карты xD-Picture и карты Secure Digital. Присяжные согласились, и вынесение им штрафных санкций показало, что присяжные сочли действия Toshiba репрессивными, мошенническими и / или злонамеренными.

В апреле 2005 года Toshiba подала в суд ходатайство о признании решения жюри консультативным вердиктом и просила уменьшить денежный ущерб, в то время как Lexar обратилась в суд с ходатайством о вынесении судебного запрета против Toshiba, с тем чтобы предотвратить продажу любых продуктов Toshiba, которые включают Lexar. интеллектуальная собственность.14 октября 2005 г. суд постановил, что выводы присяжных не носили рекомендательный, а фактически окончательный характер. Суд также отказался выдать судебный запрет против Toshiba. Исполнительный вице-президент и главный юрисконсульт Lexar Эрик Уитакер отметил, что Lexar продолжит судебное разбирательство по делу о нарушении патентных прав против Toshiba, и по-прежнему уверен, что как только нарушение патентных прав будет подтверждено, в ближайшее время будет вынесен судебный запрет против Toshiba, запрещающий продажу их продуктов. Затем в апреле 2006 года Лексар подал петицию в U.Комиссия по международной торговле (ITC) инициировала расследование в соответствии с разделом 337, в ходе которого Lexar потребовала запретить импорт микросхем флэш-памяти Toshiba NAND в США. Согласно пресс-релизу ИТЦ, в мае 2006 года ИТЦ проголосовал за проведение расследования некоторых микросхем флэш-памяти, систем флэш-памяти и продуктов, содержащих их. В октябре 2006 года Toshiba и Micron (приобретя Lexar) достигли мирового соглашения, подробности которого не были включены в публичные документы Комиссии по ценным бумагам и биржам за ноябрь 2006 года.

В ходе разбирательства было задействовано огромное количество юридических споров, и, хотя мировое соглашение произошло, возникает вопрос: как оно дошло до этого? Согласно Lexar, в середине 1996 года Lexar Media была создана сотрудниками Cirrus Corporation, и ее бизнес-план был сосредоточен на технологиях, созданных Cirrus. До создания Lexar Cirrus и Toshiba были вовлечены в дискуссии (с 1994 по 1995 год) о том, как Cirrus будет сотрудничать с Toshiba в создании контроллеров флэш-памяти для поддержки предпочтительной технологии флэш-памяти Toshiba.После создания Lexar дискуссии между Toshiba и Lexar стали более глубокими и частыми. Toshiba и Toshiba Lexar — Toshiba America и Toshiba America Electronic Components (TEAC) — получили доступ к интеллектуальной собственности Lexar в соответствии с Соглашением о неразглашении (NDA), подписанным 1 декабря 1996 года, срок действия которого истекает пять лет.

После подписания NDA между сторонами последовало подробное обсуждение, и в мае 1997 года Toshiba инвестировала 3 миллиона долларов США в Lexar. Они также поместили члена в совет директоров Lexar.На протяжении 1997 года Lexar продолжал делиться интеллектуальной собственностью с Toshiba. В апреле 1998 года Toshiba и Lexar заключили партнерство, чтобы быть конкурентоспособными на рынке флэш-памяти. Совместные отношения, по-видимому, процветали на протяжении 1998 года и большей части 1999 года. 6 октября 1999 года Toshiba и SanDisk объявили в совместном заявлении для прессы, что две фирмы заключили совместное соглашение о разработке и производстве флэш-памяти Gigabit Scale. Интересно, что член совета директоров Toshiba явно пропустил заседание совета директоров Lexar 5 октября 1999 года.Lexar чувствовал, что их «партнер» продал их своему главному конкуренту на рынке флэш-памяти — SanDisk. Мало того, что Toshiba была партнером в многочисленных совместных проектах развития, но и присутствие Toshiba в совете директоров Lexar предоставило Toshiba все сильные и слабые стороны компании.

Правление Lexar запросило объяснения у члена правления, представляющего их партнера Toshiba. Член правления заверил, что соглашение между Toshiba и SanDisk не связано с технологиями Lexar.Член правления продолжил свои заверения, отметив, что обнародованное соглашение между Toshiba и SanDisk включает в себя отдельное подразделение внутри Toshiba, чем то, которое связано с Lexar. Менее чем через семь месяцев SanDisk и Toshiba объявили в совместном заявлении для прессы, что они подписали сделку на 700 миллионов долларов США по созданию совместного производственного предприятия в Вирджинии для производства микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC). Lexar полагал, что при этом использовалась их интеллектуальная собственность, в частности технология многостраничной записи, и что без этой технологии инициатива MLC флэш-памяти не была бы финансово жизнеспособной.

Lexar считает, что Toshiba и ее дочерние компании включили в свою линейку продуктов интеллектуальную собственность, которая, когда Lexar передала Toshiba информацию, не только считалась коммерческой тайной Lexar, но и подпадала под действие последующего NDA. Хотя это подозрительно, только в 2001 году Toshiba опубликовала технологии, используемые в их приложении интеллектуальной памяти MLC, что стало для Lexar очевидным доказательством того, что их IP-адрес был использован.

В этом случае Lexar смогла доказать то, о чем они подозревали, когда Toshiba опубликовала технические характеристики линейки продуктов Toshiba.Что делает этот случай особенно примечательным, так это очевидная дерзость со стороны Toshiba. У Toshiba было место в совете директоров компании, интеллектуальную собственность которой они собирались похитить. Кроме того, у Toshiba был ряд совместных проектов развития, в ходе которых интеллектуальная собственность Lexar была полностью раскрыта Toshiba, и которые Toshiba затем использовала для собственной выгоды в своей собственной линейке продуктов.

Итак, не потеряла бы Lexar свою интеллектуальную собственность, если бы они выбирали своих партнеров более тщательно? Наверное, да, но был ли у них выбор в выборе партнера по танцам? Lexar был дочерним предприятием и стартапом, и поэтому требовалось прочное партнерство, чтобы снизить уровень неоплачиваемых затрат и сократить путь к прибыльности.Существовавшие ранее отношения между Lexar и Toshiba на первый взгляд, по-видимому, дали Toshiba стимул воспользоваться очевидным отсутствием внимания стартапа к защите своей интеллектуальной собственности, хотя на самом деле важность интеллектуальной собственности не была упущена командой руководителей Lexar. , поскольку они обратили внимание и заметили это, хотя и после того, как произошла кража и интеллектуальная собственность была включена в продукт конкурента.

Все, что вам нужно знать о NAND Flash

Что такое NAND Flash?

NAND Flash — это тип энергонезависимой технологии хранения, которая не требует питания для хранения данных.Обычным примером может служить мобильный телефон с флеш-памятью NAND (или микросхемой памяти, как ее иногда называют), где файлы данных, такие как фотографии, видео и музыка, хранятся на карте microSD. Флэш-чипы NAND размером примерно с ноготь могут хранить огромные объемы данных.

Некоторые примеры флэш-памяти NAND находятся ниже на SD-карте слева и USB справа.

Для чего используется NAND Flash?

NAND Flash окружает нас повсюду — в наших смартфонах, в современных телевизорах, в компьютерах и планшетах в наших домах и офисах.Он также находится снаружи, во всевозможном оборудовании, от светофоров до цифровых рекламных панелей, систем объявлений для пассажиров и дисплеев. Все, что имеет искусственный интеллект (ИИ) и нуждается в хранении данных, скорее всего, будет содержать NAND Flash.

NAND Flash доступен в различных классах; промышленные и потребительские. Существуют значительные различия между NAND промышленного и потребительского уровня, поэтому важно учитывать влияние этих различий на надежность, долговечность, соответствие требованиям и общую стоимость владения (TCO), прежде чем выбирать флэш-память NAND, подходящую для вашего приложения.

Производственный процесс

Способ изготовления NAND Flash может существенно повлиять на рабочие характеристики.

Флэш-память

NAND проходит более 800 различных производственных процессов, и требуется около 30 дней, чтобы сделать всего одну вафлю (размером с большую пиццу, обычно диаметром 300 мм, см. Изображение ниже). Фабрики NAND или «FABS» огромны, работают круглосуточно, без выходных, 365 дней в году для максимальной эффективности и в 100 раз чище, чем операционные в больницах.FABS может производить различные типы NAND Flash (SLC, MLC, 3D — подробнее об этом ниже) и иметь разные размеры. Некоторые из крупнейших FABS могут производить более 100 000 пластин в месяц.

После того, как пластина разделена или разрезана на отдельные чипы, они анализируются и классифицируются как 1, 2, 3 или 4, где 1 означает наивысшее качество. Затем микросхемы отправляются поставщику, например Kingston Technology, который использует NAND в своих продуктах.

Микросхемы высочайшего качества будут иметь наилучшие рабочие характеристики и, следовательно, иметь более высокую цену.

Типы флэш-памяти NAND

Проще говоря, данные, хранящиеся во флэш-памяти NAND, представлены электрическими зарядами, которые хранятся в каждой ячейке NAND. Разница между одноуровневой ячейкой (SLC) и многоуровневой ячейкой (MLC) NAND заключается в том, сколько бит каждая ячейка NAND может хранить одновременно. SLC NAND хранит только 1 бит данных на ячейку. Как следует из их названий, 2-битная MLC NAND хранит 2 бита данных на ячейку, а 3-битная MLC NAND хранит 3 бита данных на ячейку. 3-битный MLC называется трехуровневой ячейкой (TLC) и четырехуровневой ячейкой (QLC).Чем меньше бит на ячейку, тем меньше емкость, но данные записываются и извлекаются быстрее, а чип NAND имеет более высокий уровень выносливости, поэтому прослужит намного дольше. Таким образом, SLC является самым быстрым и имеет максимальную выносливость, но меньшую емкость (обычно до 64 ГБ). TLC намного медленнее, с низкой выносливостью, но имеет гораздо более высокий порог емкости.

На приведенном ниже графике показано количество битов на ячейку и их основные характеристики.

Новый ребенок на блоке — 3D NAND

Появился новый игрок на рынке NAND Flash — 3D NAND.Хотя концепция 3D NAND не нова (она существует уже почти десять лет), она широко распространилась на рынок только в последние пару лет. Возможно, это самая крупная разработка NAND с момента ее создания в 1980-х годах, но заставить работать 3D NAND постоянно было проблемой. Однако сейчас эти проблемы преодолены, и 3D NAND, несомненно, станет предпочтительным выбором NAND Flash на долгие годы.

С точки зрения непрофессионала, 3D NAND — это наложение микросхем памяти друг на друга.Некоторые производители называют это V (вертикальное) NAND. Цель этой NAND — заставить приложения и устройства работать быстрее и эффективнее, хранить больше информации и потреблять меньше энергии. Первой компанией, запустившей технологию 3D NAND, была компания Samsung, известная всем и являющаяся крупнейшим в мире производителем флэш-памяти NAND, на долю которой приходится более 40% мирового рынка NAND.

Обеспечение стабильной работы 3D NAND в широком диапазоне рабочих температур (от -40 ° C до 85 ° C) было проблемой для некоторых производителей, поставляющих на промышленные рынки.Стандартная рабочая температура от 0 ° C до 70 ° C подходит для потребительского уровня, рабочего места, серверов и центров обработки данных, но для приложений, работающих в суровых условиях или удаленных местах, этого диапазона температур недостаточно. У поставщиков промышленных систем хранения теперь было время проанализировать и протестировать 3D NAND до такой степени, чтобы она стабильно работала в широком диапазоне рабочих температур и теперь доступна для промышленных приложений.

Различия между типами флэш-памяти NAND

У каждого типа NAND Flash есть свои плюсы и минусы.SLC хранит меньше данных, но работает очень быстро и надежно. Однако он самый дорогой. Другие типы NAND могут хранить больше данных и дешевле, но имеют гораздо более низкий уровень выносливости и часто медленнее. Таким образом, решая, какая флеш-память NAND подходит для приложения, важно внимательно рассмотреть эти характеристики и их влияние на производительность приложения.

Вероятно, ключевое различие между типами NAND — это длительность циклов или циклов стирания программы (P / E).Из-за того, как работает флэш-память NAND, требуется, чтобы ячейка была стерта, прежде чем в нее можно будет записать. Процесс стирания и последующей записи ячейки называется циклом P / E. Каждый раз, когда ячейка стирается, она повреждается или изнашивается, поэтому у каждой ячейки есть срок службы. Это усугубляется составом NAND Flash. Ячейку можно стереть только как блок и записать как страницу. Размер каждого блока и страницы определяется конструкцией микросхемы NAND Flash, но блок состоит из множества страниц. Если информация в ячейке изменяется, она записывается в другую ячейку, а старые данные помечаются как «готовые к удалению».Затем «хорошие» данные в блоке перемещаются в другое место, а весь блок стирается.

Таким образом, часто, даже если данные в ячейке не изменяются, они все равно проходят цикл P / E. Ячейки изнашиваются максимально равномерно с использованием технологии выравнивания износа. Весь этот процесс увеличивает количество циклов P / E и гарантирует, что NAND Flash не заполнится избыточными данными. Срок службы устройства определяется как выносливость и пропорционален циклам P / E флэш-памяти NAND. Помните ранее о хранении битов данных в каждой ячейке?

При сравнении различных типов NAND типичные циклы P / E следующие:

  • SLC 60 000
  • MLC от 1500 до 3000 (меньший ресурс для потребителей / более высокий для промышленных предприятий)
  • 3D TLC От 500 до 3000 (меньшая выносливость для потребителей / более высокая для промышленных)

Как видно, существует значительная разница в сроке службы NAND, и выбор неправильного типа повлияет на производительность приложения.

3D XPoint (произносится как точка пересечения) — это новый тип памяти, совместно разработанный Intel и Micron. Intel и Micron заявили, что 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее и в 1000 раз более выносливым, чем NAND Flash, а также будет иметь в 10 раз большую плотность хранения, чем обычная память. Ранние продукты, безусловно, быстрее и долговечнее, чем NAND, и плотнее, чем обычная память, но они еще не полностью соответствуют этим требованиям.

3D XPoint можно найти в линейке продуктов Intel Optane, которая постепенно проникает на рынок настольных компьютеров и ноутбуков.

Преодоление разрыва с помощью режима SLC

Режим

SLC представляет собой гибрид MLC с 2 битами на ячейку с использованием интеллектуального микропрограммного обеспечения для имитации состояний хранения SLC. Это приводит к увеличению выносливости при MLC (20-30 тыс. Циклов P / E) всего за небольшую часть стоимости по сравнению с SLC. Для промышленных приложений, в которых стоимость и надежность имеют одинаковое значение, это является хорошим компромиссом. На рынке режим SLC часто называют pSLC, и некоторые производители имеют свои собственные торговые марки, например iSLC и aMLC, но по сути это одно и то же.

В сравнительной таблице ниже показаны различия основных типов флэш-памяти NAND и их основные характеристики.

Различия между NAND потребительского и промышленного класса

NAND промышленного уровня обычно представляет собой SLC, режим SLC и MLC, а до недавнего времени — 3D TLC. Промышленный класс имеет широкие возможности настройки и работает в широком диапазоне рабочих температур от -40 ° C до 85 ° C и используется в аэрокосмической, оборонной, транспортной, медицинской, морской, энергетической и информационно-развлекательной отраслях, и это лишь некоторые из них.

Потребительский класс не может быть изменен по индивидуальному заказу и работает при температуре от 0 ° C до 70 ° C. он обычно встречается в телефонах, ноутбуках, планшетах, ПК и телевизорах.

После 2020 года

3D NAND — это огромная разработка, которая, несомненно, имеет свои преимущества. Но действительно ли он идеален для промышленного применения? Ответ в том, что это действительно зависит от того, для чего он используется.

Поскольку 3D NAND становится все более распространенным явлением в промышленных секторах, существуют некоторые опасения, что производство SLC и MLC прекратится, поэтому инженеры стремятся перейти на технологию 3D NAND.SLC и MLC не исчезнут в одночасье, на самом деле спрос и предложение по-прежнему высоки, учитывая их уникальные характеристики производительности и параметры настройки.

Безусловно, нет необходимости срочно переходить на 3D NAND, поскольку эта технология все еще является относительно новой для промышленного рынка и будет развиваться в течение следующих нескольких лет, поскольку специализированные промышленные производители, такие как Innodisk и ATP Electronics, расширяют границы этой технологии. Его, безусловно, стоит рассмотреть вместе с продуктами SLC и MLC, но он находится в нижней части диапазона цен, выносливости и производительности.

SLC против MLC против TLC

Видео ниже объясняет различия в этих типах флэш-памяти NAND —

Выбор подходящей NAND

Обзор

Флэш-устройства

NAND, доступные с плотностью от 128 МБ до 2 ТБ, используются для хранения данных и кода. Флэш-память NAND низкой плотности идеально подходит для таких приложений, как STB, цифровые телевизоры (DTV) и DSC, в то время как флэш-память NAND высокой плотности чаще всего используется в приложениях с большим объемом данных, таких как твердотельные накопители, планшеты и USB-накопители.Постоянно прилагаются усилия по снижению стоимости устройств NAND на 1 ГБ, поэтому жизненные циклы устройств, как правило, короче при более частом сокращении процесса литографии. Для NAND требуется контроллер, внутренний или внешний, и специальная прошивка для исправления кода ошибки (ECC), управления плохими блоками и выравнивания износа.

Существует два основных типа NAND: необработанная и управляемая. Raw NAND бывает разных видов, включая одноуровневую ячейку (SLC), многоуровневую ячейку (MLC), трехуровневую ячейку (TLC) и четырехуровневую ячейку (QLC).Raw NAND требует внешнего управления, но это самая низкая доступная стоимость флэш-памяти NAND на ГБ. Управляемая NAND включает в себя управление памятью, упрощая процесс разработки.


Raw NAND

Raw NAND обеспечивает самую низкую стоимость на бит, но требует внешнего хост-контроллера (не входит в комплект) для выполнения всех функций управления (например, ECC, FTL).

Одноуровневая ячейка (SLC)
  • Один бит на ячейку; высокая производительность и выносливость записи; разработан для высокопроизводительных критически важных систем с высокой плотностью размещения, где требуются высокие стандарты производительности и надежности NAND, а снижение затрат не является основным фактором.
Серийный NAND
  • Устройства SLC низкой плотности с последовательным интерфейсом типа NOR для упрощения проектирования системы
Многоуровневая ячейка (MLC)
  • Два бита на ячейку; хороший баланс производительности и долговечности записи для широкого спектра экономичных приложений с высокой плотностью записи

Встроенный MLC + NAND

  • Использует специальные алгоритмы программирования для увеличения срока службы записи; обычно используется в рабочих нагрузках с большим объемом записи, таких как сдвиг во времени (пауза в прямом эфире)
Трехуровневая ячейка (TLC)
  • Три бита на ячейку; высокая плотность ячеек, но более низкие характеристики производительности и выносливости; чаще всего используется в потребительских приложениях для запоминающих устройств (например,g., клиентские SSD, USB-накопители или SD-карты) с очень высокой чувствительностью к стоимости
Четырехуровневая ячейка (QLC)
  • Четыре бита на ячейку; высокая плотность ячеек, но влияние на задержку больше, чем на пропускную способность; наиболее часто используется в приложениях, требующих запоминающих устройств большой емкости (например, корпоративные приложения) с чувствительностью к стоимости

Управляемая NAND

Managed NAND предоставляет более простые решения и ускоряет вывод на рынок, поскольку контроллер встроен в пакет для обработки выравнивания износа, управления плохими блоками и ECC.

e.MMC память
  • Флэш-устройство NAND большой емкости в сочетании с высокоскоростным контроллером MultiMediaCard (MMC) в одном корпусе BGA; подходит для проектировщиков, которым требуется полностью управляемое устройство и простота проектирования для совместимости приложений с приложениями, аналогичная MMC, для широкого спектра сетевых, промышленных и автомобильных приложений
На кристалле ECC NAND
  • Гибрид между необработанной и полностью управляемой NAND; ECC интегрирован, в то время как выравнивание износа и управление плохими блоками обрабатываются хост-контроллером
    • .
Твердотельные накопители (SSD)
  • Накопители на базе NAND, повышающие надежность, снижающие энергопотребление и обеспечивающие более высокую производительность по сравнению с жесткими дисками (HDD)
Встроенные USB-решения
  • Встроенный USB обеспечивает плотность и надежность SSD для сетевых и встроенных приложений с помощью простого универсального разъема последовательной шины (USB).Встроенный USB-порт физически меньше 1,8-дюймового жесткого диска, стоит гораздо меньше в установке, чем даже самый дешевый жесткий диск, потребляет всего 330 мВт энергии при активном чтении или записи данных и загружается намного быстрее, чем большинство жестких дисков.
Универсальная флеш-память (UFS)
  • UFS — это высокопроизводительный интерфейс хранилища для приложений, которым требуется более высокая последовательная и произвольная производительность по сравнению с eMMC с низким энергопотреблением.
Карта Secure Digital (SD), Micro SD / USB
  • Карты памяти SD, microSD и USB-накопители идеально подходят для приложений, требующих легкого извлечения или установки флэш-памяти.
NAND для MCPs
  • Все больше и больше флэш-памяти NAND используется в многокристальных корпусах (MCP), где она сочетается с Mobile LPDRAM в различных форм-факторах.MCP NAND / LPDRAM предлагаются с плотностью от 1 ГБ до 4 ГБ для SLC NAND и от 1 ГБ до 8 ГБ для встроенной памяти e.MMC ™.

Заключение

Базовые знания о различных типах доступных решений на основе флэш-памяти NAND могут помочь разработчикам принимать обоснованные решения о том, какое устройство флэш-памяти NAND выбрать для конкретной конструкции. Общее описание каждой из опций NAND Flash в этой статье помогает проиллюстрировать, что делает их более подходящими для одних приложений, чем для других.Более подробную техническую информацию о каждом типе памяти можно найти в разделе «Продукты» на нашем веб-сайте.

Артикул:

  1. Открытый интерфейс флэш-памяти NAND

Интегральные схемы (ИС) | Память

CATD3 9TROS 9TROS

9CATD

9TROS

9TOSC3

9TROS 9TOS3 -ND

CAT24C64YI-GT3OSDKR-ND

(8Kb) / OTCT-ND

93LC56BT-I / OTDKR-ND

Volatile (4K x 8) 904 )

-Энергонезависимая 1-ND

1970-1008-6-ND

® Активный

-Энергонезависимая

-Энергонезависимая

Для новых разработок NOR421 FLASH 8 Мб (1M x 8)

IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP

$ 0,28000

2,621 — Немедленно

 внутрисеми —

Лента и катушка (TR)

Отрезанная лента (CT)

Digi-Reel®

 АктивныйEPROM 904 EOM 904 EOM 904 EOM Энергонезависимый 64 КБ (8K x 8) I²C 1 МГц 5 мс 400 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-TSSOP (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм) 8-TSSOP

IC EEPROM 64KBIT I2C 5UFDFPN

$ 0,30000

67,540 — Немедленно

 STMicroelectronics STMicroelectronics

1

497-17571-2000

497-17571-2

-17571-2000-N 6-ND

—

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM 8) I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 5-UFDFN 5-UFDFPN (1,7×1,4)

IC EEPROM 128KBIT I2C

IC EEPROM 128KBIT I2C 5

$ 0,32000

77,315 — Непосредственно

 STMicroelectronics STMicroelectronics

1

497-17565-2-ND

-10003

-10003

-10003 ND

—

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Монтаж на поверхности 5-UFDFN 5-UFDFPN (1,7×1,4)

IC EEPROM 32KBIT I2C 5

$ 0,34000

103,353 — Немедленно

 STMicroelectronics STMicroelectronics

1

497-17570-2-ND

-10003 97075-10003

-10003 ND

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 5-UFDFN 5-UFDFPN (1,7×1,4)

IC EEPROM 1KBIT I2C 400

0,26000 долл. США

65,766 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

1

24LC01BT-I / SNTR-ND

/ SNDKR-ND

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM 128376 EEPROM EEPROM x 8) I²C 400 кГц 5 мс 3.5 мкс 2,5 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ SOT23-6

$ 0,27000

103674 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

N

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Active
EEPROM EEPROM 2 КБ (128 x 16) SPI 2 МГц 6 мс — 2.5 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Поверхностный монтаж SOT-23-6 SOT-23-6

IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-5

0,27000 долл. США

89,808 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

1

24AA02E48T-I / OTTR2 / OTTR2000-ND-ND

/ OTTR2000-ND-ND

OTDKR-ND

—

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM 8) I²C 400 кГц 5 мс 900 нс 1.7V ~ 5.5V-40 ° C ~ 85 ° C (TA) Поверхностный монтаж SC-74A, SOT-753 SOT-23-5

IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SO

0,34000 долл. США

6 987 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

1

24AA025E48T-I / SNTR-ND-ND

24AA025E48T-I / SNTR25-ND-ND / SNDKR-ND

—

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM x 8) I²C 400 кГц 5 мс 900 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC EEPROM 32KBIT I2C 1 МГц 8SOIC

$ 0,34000

0 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

1

AT24C32E-932D-TK-1000 AT24C32E-

-TTR000

-SSHM-TDKR-ND

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 4MBIT SPI / QUAD 8USON

$ 0,52000

47396 — Немедленно

 Macronix Macronix

1

1092-MX25V4035FZUIT

1092-MX25V4035FZUIT

 MXSMIO ™

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Active Non-Volatile FLASH FLASH — NOR SPI — Quad I / O 108 МГц 100 мкс, 4 мс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Поверхностный монтаж 8-UFDFN Открытая площадка 8-USON (2×3)

IC EEPROM 128KBIT I2C 8WLC6

$ 0,48000

802 — Немедленно

 STMicroelectronics STMicroelectronics

1

497-14003-2-ND

497-14003 ND

-1492-14003

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM 128Kb (16376) I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-UFBGA, WLCSP 8-WLCSP

IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8UD $ 0,50000

2884 — Немедленно

24000 — Заводское

 onsemi onsemi

1

CAT24C64HU4I-GT3OSTR-ND

CAT24C64HU4I-GT3OSTR-ND

9000U4-GT3OSTR-ND-ND

9000U3 —

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Active Энергонезависимая EEPROM EEPROM 64Kb (8K x 904) 1 МГц 5 мс 400 нс 1.7V ~ 5.5V-40 ° C ~ 85 ° C (TA) Поверхностный монтаж 8-UFDFN Exposed Pad 8-UDFN-EP (2×3)

IC EEPROM 1KBIT I2CBIT 8SOIC

0,39000 $

0 — Немедленно

 Microchip Technology Microchip Technology

1

AT-N24C64D-SSHM0003-TTR-ND-ND-ND-SSHM-

SSHM-TDKR-ND

 —

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM EEPROM 8K x 8) I²C 1 МГц 5 мс 550 нс 1.7 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 2MBIT SPI 104 МГц 8SOIC

0,38000 долл. США

59,506 — Немедленно

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

W25X20CLash70003

 FLASH FLASH 2 МБ (256K x 8) SPI104 МГц 800 мкс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON

$ 0,55000

84910 — Немедленное

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

W25X20CLUXIGTR-ND

W25X20CLUXIGCT-ND

W25X20CLUXIGDKR-ND

 SpiFlash®

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый FLASH FLASH 2 Мб (256K x 8) SPI МГц 800 мкс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-UFDFN Открытая площадка 8-USON (2×3)

IC FLASH 4MBIT SPI 86MHZ 8USON

$ 0,59000

77,626 — Немедленно

 Macronix Macronix

1

1092-1154-2-ND

1092-1154-10003

1092-1154-10003

1092-1154-10003 ND

 MX25xxx05 / 06/08

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Не для новых дизайнов Энергонезависимая FLASH 9037 — FLASH 9037 NOR 4 МБ (512K x 8) SPI 86 МГц 50 мкс, 3 мс — 2.7 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-UFDFN Открытая площадка 8-USON (2×3)

IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC

$ 0,55000

598639 — Немедленное

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

W25Q80DVSNIGTR-ND

W25Q80DVSNIGCT-ND

W25Q80DVSNIGDKR-ND

 SpiFlash®

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Active Энергонезависимая FLASH FLASH — NOR 8 МБ (1M x 8) SPI — Quad I / O104 МГц 3 мс— 2.7 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC EEPROM 256KBIT I2C 8WLCSP

0,56000 долл. США

20,343 — Немедленно

 STMicroelectronics STMicroelectronics

1

497-1 93611-2-ND 6-ND

—

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый EEPROM EEPROM 8) I²C 1 МГц 5 мс 450 нс 1.7V ~ 5.5V-40 ° C ~ 85 ° C (TA) Поверхностный монтаж 8-UFBGA, WLCSP 8-WLCSP

IC FLASH 8MBIT SPI / QUAD I / O 8SOP

$ 0,61000

37166 — Немедленное

 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

1970-20002 1

—

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Не для новых дизайнов Энергонезависимый FLASH FLASH — NOR 8 МБ (1M x 8) SPI — Quad I / O 120 МГц 50 мкс, 2.4 мс — 2,7 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOP

IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SO

$ 0,57000

43,121 — Немедленно

 KMicroelectronics STMicroelectronics

-RMN3TP / KCT-ND

497-M93C86-RMN3TP / KDKR-ND

 Автомобильная промышленность, AEC-Q100

Лента и катушка (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-

 Энергонезависимая EEPROM EEPROM 16Kb (2K x 8, 1K x 16) SPI 2 MHz 5ms— 1.8 В ~ 5,5 В -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 4MBIT SPI 104 МГц 8SOIC

$ 0,43000

211 077 — Немедленно

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

1

W25X40D

 FLASH FLASH 4 МБ (512K x 8) SPI104 МГц 800 мкс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 4MBIT SPI 104 МГц 8SOIC

$ 0,43000

35,999 — Немедленно

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

W25Q40CLash3

 FLASH FLASH — NOR 4 МБ (512K x 8) SPI — Quad I / O 104 МГц 800 мкс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOIC

IC FLASH 1MBIT SPI 104 МГц 8SOP

$ 0,43000

25,314 — Немедленно

 Macronix Macronix

1

1092-1111-ND

 Энергонезависимая FLASH FLASH — NOR 1 МБ (128K x 8) SPI 104 МГц 50 мкс, 3 мс — 2.7 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) 8-SOP

IC FLASH 8MBIT SPI 104 МГц 8USON

0,61000 долл. США

34 644 — Немедленно

 Macronix Macronix

1

1092-1194-2000 ND 9-ND

-1194-2000 9-ND

-6-ND

 MXSMIO ™

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый FLASH SPI 104 МГц 100 мкс, 4 мс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-UFDFN Открытая площадка 8-USON (2×3)

IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8USON

$ 0,63000

342782 — Немедленное

 Winbond Electronics Winbond Electronics

1

W25X40CLUXIGTR-ND

W25X40CLUXIGCT-ND

W25X40CLUXIGDKR-ND

 SpiFlash®

Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

 Активный Энергонезависимый FLASH FLASH 4 МБ (512K x 8) SPI049 800 мкс — 2.3 В ~ 3,6 В -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Крепление на поверхность 8-UFDFN Открытая площадка 8-USON (2×3)

Как работает флэш-память? Типы флэш-памяти и использование | Arrow.com

Флэш-память может очищать и перезаписывать фрагменты данных за раз. Узнайте больше о преимуществах и недостатках встроенной флэш-памяти в ваше устройство.

Что такое флэш-память?

Флэш-память

— это тип стираемой постоянной памяти (EEPROM), которая очищает и перезаписывает данные по частям для быстрого и энергоэффективного доступа и перезаписи.Флэш-память или флеш-хранилище энергонезависимы, что означает, что она остается жизнеспособной даже без активного источника питания. Хотя технически это тип постоянного запоминающего устройства (ПЗУ), флэш-память отличается от обычного ПЗУ тем, что вы можете редактировать ее, а также читать.

Как работает флэш-память?

Флэш-память

встроена в твердотельные микросхемы, и каждая микросхема содержит массив ячеек флэш-памяти. Вместо использования традиционного электромеханического метода во флэш-памяти для регистрации данных используются электрические цепи.Вот как выглядит процесс:

  1. Ток протекает через транзистор между истоком (электрический вход) и стоком (электрический выход) каждой ячейки.

  2. Транзистор контролирует путь тока, действуя как двухпозиционный переключатель или затвор.

  3. Включенный транзистор позволяет электронам проходить через ячейку, в которой хранится 1 в двоичном коде.

  4. Выключенный транзистор блокирует электроны и сохраняет 0.

Энергозависимая память, такая как оперативная память (RAM), возвращает все ворота в состояние 0 при выключении источника питания, тем самым стирая все сохраненные данные. Но ПЗУ, включая флэш-память, работает, добавляя второй вентиль, известный как «плавающий вентиль», к каждой ячейке. Когда электроны проходят через транзистор в состоянии «включено», некоторые из них застревают на плавающем затворе и остаются там, чтобы хранить 1 на неопределенный срок, с питанием или без него. Все типы программируемых ПЗУ (ППЗУ) испытывают частичную потерю электронов.В электрически стираемом PROM (EEPROM) затвор останавливает электроны только тогда, когда пользователь подает на затвор определенное отрицательное напряжение, чтобы вернуть транзистор в 0.

Типы флеш-памяти: NOR и NAND

Флэш-память

бывает двух основных типов: NOR и NAND. Имена отражают типы логических вентилей, которые использует каждый тип. Логические вентили — это группы транзисторов, которые работают вместе, чтобы выполнить операцию «если-то» для получения желаемого выходного сигнала. Структура логического элемента определяет, какой выход будет результатом любого возможного входа.

— Флэш-память NOR. NOR имеет более высокую скорость чтения, чем NAND, и может читать и редактировать более точно, но имеет более высокую цену за байт. Пользователи выбирают флэш-память NOR в основном для выполнения кода.

— Флэш-память NAND. NAND имеет более низкую скорость чтения и может обращаться к памяти только блоками, а не байтами, но это дешевле, чем NOR. Он хорошо подходит для хранения больших и часто обновляемых файлов.

Плюсы и минусы флеш-памяти

  1. Недостаток: возможность редактирования. Главный недостаток большинства EEPROM заключается в том, что побайтное редактирование памяти может занять неприемлемо много времени. Флэш-память решает эту проблему, группируя байты в фрагменты или «блоки», что значительно сокращает время редактирования. Группирование байтов в блоки ускоряет процесс, но также означает, что вы теряете возможность редактировать определенные байты. Компьютер может считывать определенный байт с любого адреса на микросхеме флэш-памяти, но он может стирать и перезаписывать только блоками.

  2. Недостаток: Срок службы .Флэш-память не имеет бесконечного срока службы. Приложение полей высокого напряжения в конечном итоге ухудшает транзисторы, а это означает, что плавающим затворам потребуется больше времени для работы. Однако большинство типов флеш-памяти не начинают замедляться до тех пор, пока не будет выполнено не менее 10 000 перезаписей, и вы можете распределить эти изменения по всему чипу, чтобы ограничить функциональное воздействие износа и сохранить полезность намного дольше.

  3. Преимущество: КПД . Поскольку флеш-память хранит данные без использования движущихся механических частей, для ее работы требуется меньше энергии, чем у старых систем.Кроме того, во флэш-памяти данные хранятся намного компактнее, чем на жестком диске.

Новые разработки в технологии флэш-памяти продолжают снижать стоимость байта флэш-памяти. Флэш-чипы также прочнее и устойчивее к падению, чем их предшественники, что делает их отличными для мобильных устройств, включая цифровые фотоаппараты и видеокамеры, сотовые телефоны, MP3-плееры и ноутбуки.

Похожие записи

31.08.2023 0

Микросхема 358: datasheet на русском, применение, аналоги, назначение выводов

30.08.2023 0

Радиозвонок схема: ДВЕРНОЙ РАДИОЗВОНОК

29.08.2023 0

Электросхема ваз 2105 инжектор: Схема ВАЗ-2105 | 2 Схемы

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *