Микросхемы импортные. Импортные микросхемы: ключевые поставщики и проблемы импортозамещения в России

Откуда Россия импортирует критически важную электронику. Какие страны являются основными поставщиками микросхем. Как санкции повлияли на импорт электронных компонентов. Почему возникли проблемы с импортозамещением микроэлектроники.

Основные поставщики импортных микросхем для России

По данным анализа РБК, основанного на статистике Федеральной таможенной службы, крупнейшими поставщиками электронных компонентов в Россию являются страны Восточной и Юго-Восточной Азии:

• Китай — $605 млн в 2018 году
• Тайвань — $328 млн
• Малайзия — $268,4 млн

Эта тройка лидирует по поставкам интегральных микросхем, диодов, транзисторов и других электронных компонентов. Также в десятку крупнейших поставщиков входят:

• Южная Корея
• Вьетнам
• Япония
• Филиппины

Из западных стран значимыми поставщиками остаются США (4-е место) и Германия (7-е место). Несмотря на санкции, Россия продолжает импортировать разрешенные электронные компоненты из США — на $388 млн за 3 года.

Влияние санкций на импорт микроэлектроники

Введение санкций в 2014 году значительно повлияло на структуру импорта электронных компонентов в Россию:

• Резко ускорился рост поставок из стран Восточной Азии, особенно из Китая
• Сократились продажи от традиционных европейских поставщиков — Германии, Франции, Италии
• Возникли сложности с поставками продукции двойного назначения из США и ЕС

При этом полного прекращения поставок не произошло — Россия продолжает импортировать разрешенные компоненты из западных стран. Однако санкции создали серьезные проблемы в некоторых высокотехнологичных отраслях.

Проблемы импортозамещения микроэлектроники в России

Несмотря на планы по импортозамещению, российская электронная промышленность сталкивается с серьезными трудностями при попытках заменить импортные компоненты:

• Отставание от мирового уровня на 15-20 лет, особенно в космических технологиях
• Низкое качество отечественных компонентов по сравнению с импортными аналогами
• Сложности с воспроизведением уникальных зарубежных микросхем
• Необходимость полного перепроектирования систем при замене компонентов

Особенно остро стоит проблема с радиационно-стойкими микросхемами для космической отрасли, которые невозможно приобрести на открытом рынке. Их производство сосредоточено в основном в США и союзных им странах.

Ситуация с импортом микросхем для спутников ГЛОНАСС

Одним из ярких примеров проблем импортозамещения стала ситуация со спутниками ГЛОНАСС. Возникли сложности с производством космических аппаратов из-за ограничений на импорт иностранных компонентов:

• При проектировании были недооценены риски санкционных ограничений
• Использовались комплектующие, требующие лицензирования на поставку
• Переход на другие компоненты требует полного перепроектирования систем
• Необходима разработка новых отечественных микросхем, что требует времени и денег

Эксперты отмечают, что проще разработать новое решение, чем воспроизвести зарубежную микросхему для замены. Это глобальная проблема, с которой сталкиваются многие производители электроники.

Перспективы развития отечественной микроэлектроники

Для преодоления зависимости от импорта микросхем России необходимо развивать собственную электронную промышленность. Ключевые направления работы:

• Увеличение инвестиций в НИОКР в области микроэлектроники
• Подготовка квалифицированных кадров для отрасли
• Создание современных производственных мощностей
• Разработка отечественных технологий производства микросхем
• Кооперация с дружественными странами в области высоких технологий

Реализация этих мер потребует значительных усилий и времени, но позволит снизить зависимость от импорта критически важных электронных компонентов в долгосрочной перспективе.

Мировые тенденции на рынке микроэлектроники

Глобальный рынок микроэлектроники динамично развивается. Основные тренды, которые необходимо учитывать:

• Рост спроса на микросхемы для 5G, искусственного интеллекта, интернета вещей
• Усиление конкуренции между США и Китаем в сфере высоких технологий
• Стремление стран к технологическому суверенитету в области микроэлектроники
• Развитие новых технологий производства микросхем (3 нм, 2 нм)
• Консолидация отрасли, слияния и поглощения среди производителей

России важно учитывать эти тенденции при разработке стратегии развития отечественной микроэлектронной промышленности.

Возможности сотрудничества в области микроэлектроники

В условиях санкций особое значение приобретает кооперация с дружественными странами в сфере микроэлектроники. Перспективные направления сотрудничества:

• Совместные научные исследования и разработки
• Создание международных консорциумов для производства микросхем
• Обмен технологиями и специалистами
• Формирование альтернативных цепочек поставок электронных компонентов
• Унификация стандартов и сертификации микроэлектронной продукции

Развитие такого сотрудничества позволит ускорить процесс импортозамещения и повысить конкурентоспособность отечественной микроэлектроники на мировом рынке.

Главными поставщиками микроэлектроники в Россию оказались три страны Азии — РБК

РБК после сообщений о нехватке импортных комплектующих для спутников ГЛОНАСС проанализировал, откуда Россия завозит критически необходимую электронику. Оказалось, что основными поставщиками выступают Китай, Тайвань и Малайзия

Фото: Erik De Castro / Reuters

Крупнейшими источниками импорта в Россию электронных компонентов (микросхем, полупроводников, транзисторов, резисторов, диодов и т.п.) являются страны Восточной и Юго-Восточной Азии, выяснил РБК на основе базы данных Федеральной таможенной службы (ФТС).

Так, в 2018 году Россия импортировала больше всего электронных компонентов из Китая — на $605 млн, на втором месте Тайвань — $328 млн. Интересно, что Россия признает Тайвань в качестве части Китая и не имеет с островом официальных межгосударственных отношений, что не мешает импортировать оттуда микроэлектронику.

adv.rbc.ru

Третьим крупнейшим поставщиком электронных элементов в Россию выступает Малайзия — $268,4 млн в прошлом году.

adv.rbc.ru

Эта же тройка — Китай, Малайзия, Тайвань — остается лидером по поставкам интегральных микросхем, диодов, транзисторов, резисторов и конденсаторов в Россию за первые пять месяцев 2019 года (см. инфографику).

Поводом разобраться в основных направлениях импорта электроники в Россию стала недавняя новость о том, что правительство может отказаться от серийного производства космических аппаратов ГЛОНАСС-К из-за ограничений на импорт иностранных компонентов и невозможности оперативно изготовить российские аналоги. Министр промышленности Денис Мантуров говорил в августе 2018 года, что Россия завозит недостающие компоненты из стран Юго-Восточной Азии, но не называл, откуда конкретно.

Как мы считали

В Товарной номенклатуре внешнеэкономической деятельности (ТН ВЭД) такой категории, как «электронные компоненты», нет. В многообразии товарных кодов РБК выбирал следующие группы товаров:

• ТН ВЭД 8532 — конденсаторы;
• 8533 — резисторы;
• 8541 — транзисторы, диоды и аналогичные полупроводниковые приборы;
• 8542 — интегральные микросхемы;
• 850450 — катушки индуктивности;
• 8536 90 100
   — соединители, 8536 4X — реле, 8536 (различные субпозиции) — контакторы.

Электронные компоненты не имеют самостоятельного применения. Данная классификация была заимствована из документа «Деловой России» 2016 года (.pdf), ее применимость в общем виде подтвердил РБК собеседник в российской отрасли электронной промышленности. Данные по импорту в стоимостном выражении были выгружены из базы ФТС. Эти данные доступны только за последние три года, поэтому анализ был ограничен 2016–2018 годами и пятью месяцами текущего года.

В российской внешнеторговой статистике импорт учитывается по стране происхождения товара, даже если товар поставлен с территории других стран.

Азия конкурирует с американцами и белорусами

Структура импорта электронных компонентов за последние три года не претерпела существенных изменений.

В десятке крупнейших поставщиков — Южная Корея, Вьетнам, Япония и Филиппины (почти $400 млн импорта из этих стран в прошлом году). Из традиционных западных поставщиков с Россией сотрудничают США (четвертое место) и Германия (седьмое), которые на двоих поставили микроэлектроники на $268 млн в прошлом году. Несмотря на технологические санкции США, Россия продолжает ввозить оттуда разрешенные электронные компоненты — на $388 млн за три года.

«На мой взгляд, США — действительно важный поставщик на мировой рынок новейших технологий. Если таковые трудно сегодня заменить чем-либо сопоставимым, то представляется логичным, например, для производителей конечных космических систем стремиться использовать эти новейшие технологии», — сказал РБК исполнительный директор Ассоциации предприятий компьютерных и информационных технологий Николай Комлев.

Любопытно, что в десятку также входит Белоруссия, из которой были, в частности, ввезены в 2018 году электронные интегральные схемы на $71 млн плюс диоды и транзисторы на $15 млн. Советский Союз в основном самостоятельно обеспечивал себя электронными компонентами, но эти способности резко уменьшились с распадом СССР, пишет эксперт британского Chatham House Ричард Конноли в книге 2018 года «Российский ответ на санкции». Крупная производственная база исторически находилась в Белоруссии, из которой российские фирмы продолжили завозить компоненты.

Тренд на увеличение импорта электронных компонентов из Восточной Азии, особенно из Китая, был заметен еще до начала санкционного противостояния в 2014 году, утверждает Конноли. Однако этот тренд резко ускорился после 2014 года, указывает он. И это произошло за счет падения продаж в Россию со стороны традиционных поставщиков — Германии, Франции, Италии.

Интересно, что к 2016 году еще одна азиатская страна — Индонезия — вышла на второе место по поставкам в Россию электрических трансформаторов и преобразователей (код 8504, который, по словам источника РБК в электронной промышленности, тоже можно включать в электронные компоненты) — $104 млн (вторая позиция после Китая). Однако уже в 2018 году импорт трансформаторов из Индонезии сократился до $9,5 млн, а микроэлектроника оттуда практически не ввозится.

Совокупный объем импорта электронных компонентов, согласно расчетам РБК, из всех стран в 2018 году составил $2,37 млрд, включая $1,29 млрд интегральных микросхем.

При этом высокие позиции Малайзии и Вьетнама в списке поставщиков электронных компонентов для России могут объясняться тем, что это места конечной сборки компонентов (специальной упаковки микросхемы), а сами микросхемы производятся в том же Китае или на Тайване. Поэтому, возможно, фактическая роль Китая и Тайваня еще больше, чем показывает статистика.

Санкционные ограничения

Разумеется, далеко не вся импортируемая микроэлектроника представляет собой «чувствительные» поставки для ракетно-космической или оборонной отраслей. Например, под кодом 8542 могут проходить микросхемы как для космоса, так и для обычных онлайн-касс, объясняет собеседник РБК в электронной отрасли.

Санкционные и экспортные ограничения западных стран пока не коснулись производства чисто гражданского электронного оборудования. А военно-промышленный комплекс в основном уже работает на российских комплектующих, говорит источник РБК.

Сложности возникают с поставками продукции двойного назначения, которая может использоваться как в гражданской, так и в оборонной промышленности. Евросоюз и США после 2014 года ограничили экспорт в Россию такой продукции. Заказчики пока находят возможности закупать такие технологии в обход авторизованных каналов, но при этом сталкиваются с серьезными проблемами контрафакта, рассказывает собеседник РБК.

В космических проектах отказы в поставках импортных комплектующих приводят к приостановкам производства. Главным образом это связано с тем, что используются специальные радиационно-стойкие комплектующие, которые выпускаются под конкретный заказ — их нельзя перекупить на открытом рынке. Российские компоненты имеют невысокое качество — особенно если речь идет о космических технологиях; отечественный рынок отстает от мирового на 15–20 лет, считает собеседник РБК.

Другой источник, близкий к российскому производителю микроэлектроники, подтверждает, что для спутников нужны радиационно стойкие микросхемы, которые невозможно приобрести на открытом рынке. «Подобными технологиями обладают в основном США или дружественные им страны», — отметил он. С этим согласен региональный вице-президент спутниковой компании Eutelsat Николай Орлов. Он добавил, что российские компании до санкций были ориентированы на кооперацию с Европой, которая была выстроена с 1990-х годов. «Европейские и азиатские компоненты могут значительно различаться. Переход с одних на другие требует полной смены дизайна устройства, выстраивания кооперации с поставщиками, а на это требуется время», — говорит он.

Недооценили риски

Если говорить о спутниках ГЛОНАСС, то при их проектировании, вероятно, были недооценены риски санкционных ограничений, поскольку изначально ГЛОНАСС не рассматривался как система, угрожающая национальной безопасности США, говорит исполнительный директор Ассоциации разработчиков и производителей электроники Иван Покровский. Разработчики использовали комплектующие, поставки которых требуют лицензирования, а лицензии на поставки исправно выдавались.

Но теперь, после санкций, перейти на другие комплектующие означает полностью перепроектировать блок или систему и снова провести весь комплекс необходимых испытаний. Требуется совместная работа с разработчиками микросхем и модулей по созданию новых комплектующих — это затраты времени и денег, при этом бюджет, как правило, ограничен, подчеркивает Покровский. «При этом если в системе используются сложные уникальные комплектующие, то чаще бывает, что проще разработать новое решение, чем воспроизвести зарубежную микросхему для замены», — рассуждает он.

Эта проблема носит глобальный характер, говорит Покровский: «Вы закладываете определенные микросхемы, а потом они вдруг становятся недоступны, и причина не только в санкциях». Например, ряд популярных у российских разработчиков микросхем компании Altera был снят с производства после того, как эту компанию в 2015 году приобрела Intel. А эти схемы использовались в космической, военной промышленности, в промышленных системах управления и телекоммуникационном оборудовании, указывает эксперт.

При подготовке этого материала РБК направил запрос в Минпромторг, который ответственен за план мероприятий по импортозамещению в радиоэлектронной промышленности (.pdf).

Белтрикс — Микросхемы импортные

СКИДКИ

• BP2836A

  Наличие: Много

• NE555N PBF

  Наличие: Много

• UC3842BDG

  Наличие: Есть на складе

• TL494CN

  Наличие: Есть на складе

• CD4013BE

  Наличие: Есть на складе

• LM393D/T3

  Наличие: Есть на складе

• MC33063AD

  Наличие: Есть на складе

• ULN2003ADR

  Наличие: Есть на складе

• ULN2803APG

  Наличие: Есть на складе

• CP2102-GMR

  Наличие: Есть на складе

• MC1488PG

  Наличие: Есть на складе

• NJM4558D

  Наличие: Есть на складе

• TNY274GN

  Наличие: Есть на складе

• UC2843BD1R2G

  Наличие: Есть на складе

• MP2305DS

  Наличие: Есть на складе

• LM358N

  Наличие: Есть на складе

• L200CV

  Наличие: Есть на складе

• 74HC04N

  Наличие: Есть на складе

• LNK564PN

  Наличие: Есть на складе

• ICE2QR2280Z

  Наличие: Есть на складе

• TOP223PN

  Наличие: Есть на складе

• OB5269CPA

  Наличие: Есть на складе

• HEF4013BT/T3

  Наличие: Много

• 78L12

  Наличие: Много

Локализованные протонные микросхемы на границе раздела биологическая мембрана-вода

. 26 декабря 2006 г .; 103 (52): 19766-70.

doi: 10.1073/pnas.0605909103. Epub 2006 15 декабря.

Магнус Брандин ¹ , Тор Санден, Питер Бжезински, Джеркер Виденгрен

принадлежность

• ¹ Кафедра биохимии и биофизики, Аррениусские лаборатории естественных наук, Стокгольмский университет, SE-106 91 Стокгольм, Швеция.

• PMID: 17172452
• PMCID: PMC1750901
• DOI: 10.1073/пнас.0605909103

Бесплатная статья ЧВК

Магнус Брандин и др. Proc Natl Acad Sci U S A. 2006 .

Бесплатная статья ЧВК

. 26 декабря 2006 г .; 103 (52): 19766-70.

doi: 10.1073/pnas.0605909103. Epub 2006 15 декабря.

Авторы

Магнус Брандин ¹ , Тор Санден, Питер Бжезински, Джеркер Виденгрен

принадлежность

• ¹ Кафедра биохимии и биофизики, Аррениусские лаборатории естественных наук, Стокгольмский университет, SE-106 91 Стокгольм, Швеция.

• PMID: 17172452
• PMCID: PMC1750901
• DOI: 10. 1073/пнас.0605909103

Абстрактный

Клеточные процессы, такие как нервная проводимость, энергетический обмен и импорт питательных веществ в клетки, зависят от транспорта ионов через биологические мембраны через специализированные трансмембранные белки. Понимание этих процессов на молекулярном уровне требует механистического понимания взаимодействия между этими белками и самой мембраной. Для изучения роли мембраны в переносе ионов мы использовали подход, основанный на флуоресцентной корреляционной спектроскопии. В частности, мы исследовали обмен протонами между водной фазой и поверхностью мембраны, а также диффузию протонов вдоль поверхностей мембран на уровне одной молекулы. Мы показываем, что головные группы липидов вместе действуют как антенна, собирающая протоны, резко ускоряя поглощение протонов из воды к закрепленному на мембране акцептору протонов. Кроме того, результаты показывают, что перенос протонов вдоль поверхности может быть значительно быстрее, чем между головными группами липидов и окружающей водной фазой. Таким образом, транслокация ионов через мембраны и между различными белковыми компонентами мембран представляет собой сложное взаимодействие между белками и самой мембраной, где мембрана действует как проводящее протон звено между трансмембранными переносчиками протонов.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Цифры

Рис. 1.

Объем конфокального обнаружения в…

Рис. 1.

Объем конфокального обнаружения при измерении FCS и системе модели мембраны…

Рисунок 1.

Объем конфокального обнаружения при измерении FCS и модель мембранной системы липосом, меченных флуоресцеином. Лазер возбуждения сильно фокусируется через конфокальный микроскоп, ограничивающий объем обнаружения фокусом лазера (1,5 мкл). Флуоресценция, испускаемая мечеными флуоресцеином (Flu) липосомами, диффундирующими через конфокальный объем, собирается объективом микроскопа и регистрируется лавинными фотодиодами. Константы скорости k ₁ и k ₋₁ определены в уравнениях. 2 и 3 .

Рис. 2.

Кинетика протонирования поверхностно-заякоренных…

Рис. 2.

Кинетика протонирования закрепленного на поверхности флуоресцеина в зависимости от концентрации протонов.…

Рис. 2.

Кинетика протонирования закрепленного на поверхности флуоресцеина в зависимости от концентрации протонов. ( A ) Кривые FCS, полученные в результате измерений липосом DOPG, меченных флуоресцеином, при четырех различных значениях pH. Форма каждой кривой определяется флуктуациями, возникающими при диффузии липосомы через фокальный объем (τ _D ≈ 1,2 мс), переходах синглет-триплетных состояний внутри молекул флуоресцеина (τ _трип ≈ 1,5 мкс), оба из которых не зависят от pH, а также от флуктуаций, связанных с протонированием молекулы флуоресцеина, которые зависят от pH. Амплитуды увеличиваются с [H ⁺ ] из-за увеличения концентрации протонированной формы флуоресцеина. Также участки кривых, соответствующие протонированию, смещаются влево, так как τ _prot = 1/ k _prot уменьшается с увеличением [H ⁺ ]. ( Вставка ) k _prot как функция [H ⁺ ], где сплошная линия соответствует данным по уравнению. 2 , K ₊₁ = 9,4 × 10 ¹² S ⁻¹ · M ⁻¹ и K _{— 1} = 3,3 × 10 0007 4 S 9007 — 1 = 3,3 × 10 0007 4 S 9007 — 1 = 3,3 × 10 0007 4 S _{— 1} = 3,3 × 10 0007 4 S _{— 1} = 3,3 × 10 0007 4 . ( B ) Кинетика протонирования закрепленного на поверхности флуоресцеина в присутствии поверхностного буфера (DOPA). На графике показана константа скорости протонирования, k _prot молекулы флуоресцеина в зависимости от [H ⁺ ], полученной в результате измерений на меченных флуоресцеином липосомах DOPG, дополненных 0%, 3%, 7% и 10% липидов DOPA (т.е. 0, 60, 140 и 200 липидов ДОФА из среднего числа 2000 липидов на липосому). Сплошные линии соответствуют данным с уравнением. 3 . ( Вставка ) k _prot в зависимости от количества липидов DOPA на липосому ([DOPA]) при pH = 8,6 ([H ⁺ ] = 2,5 × 10 ^-9 ).

Рис. 3.

Схематическое изображение выводов…

Рис. 3.

Схематическое изображение выводов, сделанных в ходе этого исследования. ( А ) В…

Рис. 3.

Схематическое изображение выводов, сделанных в ходе этого исследования. ( A ) Эффект собирающей протоны антенны с протонируемыми головными группами липидов DOPG показан желтым цветом. Заякоренная в мембране молекула флуоресцеина (DHPE-FLU) показана зеленым цветом. Скорость протонирования головных групп липидов определяется константой скорости включения, ограниченной диффузией протонов ( k ₊₁ = 4,0 × 10 ¹⁰ с ^-1 · M ^-1 ). Протонируемые головные группы липидов DOPG имеют p K _a ≈2 и не остаются протонированными в измеренном диапазоне pH после поглощения протона из основного раствора. Поскольку перенос протонов между головными группами происходит быстро, поперечное сечение столкновения протонов с акцептором протонов (флуоресцеин) увеличивается за счет окружающей поверхности мембраны до кажущейся константы скорости диффузии протонов, равной 9. 4 × 10 ¹² с ⁻¹ ·M ⁻¹ . ( B ) Тот же сценарий, что и в A , но с липидами DOPA (синий), введенными в липосомы DOPG (головные группы липидов DOPA имеют p K _a , равное 7,4). ( C ) Иллюстрация собирающей протоны антенны в переносчике протонов. Остатки His (сравните с головными группами липидов DOPA мембраны) снабжают протон-проводящий путь, ведущий внутрь транспортера, с протонами. Окружающие остатки Asp и Glu (сравните с головными группами липидов DOPG мембраны) образуют антенну, собирающую протоны, которая увеличивает скорость протонирования остатков His. ( D ) Иллюстрация локализованной протонной цепи, которая, как предполагается, связывает окислительное фосфорилирование с синтезом АТФ, например, у алкалофильных бактерий. Оценочное значение для D _{поверхности} (см. формулу 4 ) составляет ≈2 × 10 ⁻⁷ см ² ·с ⁻¹ .

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• Боковой перенос протона между мембраной и мембранным белком.

  Ожемир Л., Санден Т., Виденгрен Дж., Бжезинский П. Ожемир Л. и соавт. Биохимия. 2009 17 марта; 48 (10): 2173-9. дои: 10.1021/bi8022152. Биохимия. 2009. PMID: 19166299

• Функциональные воды во внутрибелковом переносе протона контролируются с помощью разностной ИК-Фурье-спектроскопии.

  Гарчарек Ф., Герверт К. Гарчарек Ф. и соавт. Природа. 2006 5 января; 439(7072): 109-12. doi: 10.1038/nature04231. Epub 2005 9 ноября. Природа. 2006. PMID: 16280982

• Транспорт ионов через модельные липидные мембраны, содержащие светособирающий комплекс II: эффект света.

  Ивашко Э., Вардак А., Крупа З., Грущецкий В.И. Ивашко Э. и соавт. J Photochem Photobiol B. 2004 Mar 19;74(1):13-21. doi: 10.1016/j.jphotobiol.2004.01.005. Дж Фотохим Фотобиол Б. 2004. PMID: 15043842

• Протоны @ интерфейсы: значение для преобразования биологической энергии.

  Мулкиджанян А.Ю., Хеберле Дж., Черепанов Д.А. Мулкиджанян А.Ю. и соавт. Биохим Биофиз Акта. 2006 г., август; 1757 (8): 913-30. doi: 10.1016/j.bbabio.2006.02.015. Epub 2006 24 марта. Биохим Биофиз Акта. 2006. PMID: 16624250 Обзор.

• Принципы конструирования оксидаз гем-меди, перекачивающих протоны.

  Бжезинский П., Адельрот П. Бжезинский П. и соавт. Curr Opin Struct Biol. 2006 авг; 16 (4): 465-72. doi: 10.1016/j.sbi.2006.06.012. Epub 2006 13 июля. Curr Opin Struct Biol. 2006. PMID: 16842995 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Визуализация мерцания флуоресценции митохондриального зонда локализации: зонды клеточной локализации превратились в многофункциональные датчики.

  Du Z, Piguet J, Baryshnikov G, Tornmalm J, Demirbay B, Ågren H, Widengren J. Ду Зи и др. J Phys Chem B. 2022 28 апреля; 126 (16): 3048-3058. doi: 10.1021/acs.jpcb.2c01271. Epub 2022 13 апр. J Phys Chem B. 2022. PMID: 35417173 Бесплатная статья ЧВК.

• Протон в биохимии: влияние на биоэнергетику, биофизическую химию и биоорганическую химию.

  Сильверстайн ТП. Сильверстайн ТП. Фронт Мол Биоски. 2021 ноябрь 26;8:764099. doi: 10.3389/fmolb.2021.764099. Электронная коллекция 2021. Фронт Мол Биоски. 2021. PMID: 34

  8 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Аномальная межфазная динамика зарядов одиночных протонов в бинарных водных растворах.

  Комтет Дж., Раябхарам А., Глушков Э., Чжан М., Авсар А., Ватанабэ К., Танигучи Т., Алуру Н.Р., Раденович А. Контет Дж. и соавт. Научная реклама 2021 окт;7(40):eabg8568. doi: 10.1126/sciadv.abg8568. Epub 2021 Сен 29. Научная реклама 2021. PMID: 34586851 Бесплатная статья ЧВК.

• Аэробный митохондриальный синтез АТФ с комплексной точки зрения.

  Морелли А.М., Равера С., Панфоли И. Морелли А.М. и соавт. Открытая биол. 2020 Окт;10(10):200224. doi: 10.1098/rsob.200224. Epub 2020 21 октября. Открытая биол. 2020. PMID: 33081639 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Карбоангидразы усиливают активность эндогенных обменников Na-H, а не электрогенного котранспортера Na/HCO ₃ NBCe1-A, экспрессируемого в ооцитах Xenopus.

  Мосс Ф.Дж., Борон В.Ф. Мосс Ф.Дж. и др. Дж. Физиол. 2020 декабрь;598(24):5821-5856. дои: 10.1113/JP280143. Epub 2020 11 октября. Дж. Физиол. 2020. PMID: 32969493 Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

Типы публикаций

термины MeSH

вещества

Дженерал Микросхемс Инк | См.