Нумерация выводов микросхем: Как правильно считать ножки на микросхемах различных типов

Как определить первый вывод микросхемы. Какие существуют способы маркировки выводов на корпусах микросхем. Как правильно нумеровать выводы для разных типов корпусов DIP, SOIC, QFP, BGA. В чем особенности нумерации для отечественных и импортных микросхем.

Основные правила нумерации выводов микросхем

Правильная нумерация выводов микросхем крайне важна при разработке и отладке электронных устройств. Ошибка в определении номера вывода может привести к некорректной работе схемы или даже выходу компонентов из строя. Рассмотрим основные правила нумерации для различных типов корпусов:

• Нумерация выводов всегда ведется против часовой стрелки, начиная с ключа
• Ключ (метка первого вывода) может быть в виде точки, выемки, скоса на корпусе
• Для микросхем в корпусе DIP нумерация идет слева направо по нижнему ряду, затем справа налево по верхнему
• В корпусах SOIC, QFP нумерация идет последовательно по всему периметру против часовой стрелки
• Для корпусов BGA используется буквенно-цифровая система координат

Как определить первый вывод микросхемы

Правильное определение первого вывода — ключевой момент для корректной нумерации. Рассмотрим основные способы маркировки первого вывода на корпусах микросхем:

• Точка или выемка в углу корпуса рядом с первым выводом
• Скос на одном из углов корпуса
• Полукруглая выемка на торце корпуса
• Прямоугольная выемка на торце DIP-корпуса
• Треугольная метка на корпусе рядом с первым выводом

При отсутствии явной маркировки можно ориентироваться по надписям на корпусе — обычно они расположены так, чтобы читаться слева направо при расположении первого вывода слева внизу.

Особенности нумерации выводов DIP-корпусов

DIP (Dual In-line Package) — один из самых распространенных типов корпусов микросхем. Его особенности:

• Два ряда выводов по длинным сторонам корпуса
• Количество выводов кратно 2 (8, 14, 16, 20 и т.д.)
• Шаг между выводами стандартный — 2.54 мм
• Нумерация начинается с левого нижнего угла

Порядок нумерации выводов DIP-корпуса:

1. Слева направо по нижнему ряду
2. Затем справа налево по верхнему ряду

Таким образом, для 14-выводного DIP-корпуса нумерация будет: 1-7 снизу, 8-14 сверху. Первый и 14-й выводы будут расположены по диагонали.

Правила нумерации выводов SOIC и SSOP корпусов

SOIC (Small Outline Integrated Circuit) и SSOP (Shrink Small Outline Package) — компактные корпуса для поверхностного монтажа. Их особенности:

• Два ряда выводов по длинным сторонам, как у DIP
• Меньший шаг между выводами (1.27 мм для SOIC, 0.65 мм для SSOP)
• Плоские выводы типа «чайка» или J-образные

Нумерация выводов SOIC/SSOP:

1. Начинается с левого нижнего угла от ключа
2. Идет против часовой стрелки по всему периметру корпуса

Важно отметить, что в отличие от DIP, в SOIC нумерация не «перепрыгивает» на верхний ряд, а идет последовательно по кругу. Это нужно учитывать при замене DIP на SOIC.

Нумерация выводов в корпусах QFP и PLCC

QFP (Quad Flat Package) и PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) — корпуса с выводами по всем четырем сторонам. Их особенности:

• Выводы расположены по периметру квадратного или прямоугольного корпуса
• Количество выводов может достигать нескольких сотен
• Шаг между выводами от 0.4 до 1.0 мм

Правила нумерации выводов QFP/PLCC:

1. Начинается от угла с ключом (обычно скошенный угол)
2. Идет последовательно против часовой стрелки по всему периметру
3. Заканчивается на выводе, соседнем с первым

Такой способ нумерации позволяет легко определить расположение нужного вывода по его номеру, зная общее количество выводов микросхемы.

Особенности нумерации выводов BGA корпусов

BGA (Ball Grid Array) — тип корпуса с матричным расположением выводов в виде шариковых выводов на нижней поверхности. Особенности BGA:

• Выводы располагаются в виде сетки на нижней стороне корпуса
• Количество выводов может достигать нескольких тысяч
• Шаг между выводами от 0.4 до 1.27 мм

Система нумерации выводов BGA:

1. Используется буквенно-цифровая система координат
2. Буквы (A, B, C…) обозначают ряды
3. Цифры (1, 2, 3…) обозначают столбцы
4. Отсчет начинается от угла с ключом

Например, вывод A1 будет находиться в левом верхнем углу при расположении ключа слева вверху. Такая система позволяет однозначно идентифицировать любой вывод в матрице.

Отличия в нумерации отечественных и импортных микросхем

Хотя общие принципы нумерации выводов универсальны, есть некоторые отличия между отечественными и зарубежными микросхемами:

• В отечественных DIP-микросхемах ключ часто в виде выемки на торце корпуса
• В импортных чаще используется точка возле первого вывода
• Некоторые серии отечественных микросхем имеют нестандартную нумерацию
• В документации на импортные микросхемы чаще используются названия выводов, а не номера

При работе с незнакомыми микросхемами всегда следует сверяться с официальной документацией производителя для уточнения нумерации выводов.

Практические советы по определению выводов микросхем

Несколько полезных рекомендаций, которые помогут правильно определить нумерацию выводов:

• Всегда сверяйтесь с даташитом или официальной документацией на микросхему
• Используйте лупу или микроскоп для поиска маркировки на миниатюрных корпусах
• При отсутствии явной маркировки ориентируйтесь по надписям на корпусе
• Для проверки правильности определения используйте мультиметр
• Соблюдайте осторожность при работе с чувствительными к статическому электричеству микросхемами

Соблюдение этих простых правил поможет избежать ошибок при разработке и отладке электронных устройств.

Как считать ножки на микросхеме — MOREREMONTA

Постараемся ответить на этот вопрос

Нумерация выводов микросхем всегда осуществляется против часовой стрелки начиная с ключа, это касается как отечественных, так и импортных ИМС:

Есть правда низначительный исключения в распиновке, но и то они связаны с конструкцией корпуса, так например у микросхем серии TDA нумерация пинов всегда слева на право:

Части гигантской базы разделенны так, чтобы было удобно записать их на двд диск. Все справочные материалы представлены в формате PDF.

Нумерация выводов микросхем

В данной статье рассказывается как определить нумерацию ножек микросхемы

Когда то я сам столкнулся с таким вопросом когда собирал свою первую схемы с микросхемой на то где первая ножка у нее, где вторая и т.д и как определить где какая ножка.Не всегда такая информация пишется на сайтах и нелегко ее найти.Поэтому может для когото простой, а для кого то сложный вопрос я расскажу сдесь.

Нумеруются микросхемы против часовой стрелки начиная с ключа.

Ключ бывает разных видов. На картинке ниже 2 варианта ключа:

1. Полукруглая выемка

бывает еще в виде квадратной или прямоугольной выемки как на нижнем рисунке:

На этом статья наша о определении выводов закончена, у микросхем такие как TDA выводы считаются слева на право от одного и далее

Сегодня мне на почту пришло письмо с просьбой объяснить, как нумеруются ножки у микросхемы.

Нумеруются микросхемы против часовой стрелки начиная с ключа.

Ключ бывает разных видов. На картинке ниже 2 варианта ключа:

1. Полукруглая выемка

бывает еще в виде квадратной или прямоугольной выемки как на нижнем рисунке:

Надеюсь Вам теперь понятно как определять порядок нумерацию ножек микросхемы.

Если будут вопросы, задавайте в комментариях.

6 комментариев к “Нумерация ножек микросхем.”

Это все конечно замечательно, но как определить нумерацию ножек микросхемы (A82C250) если ключа нет. Причем в документации на эту микруху ключ показан, а в реальность он отсутствует.

Спасибо, долго искал, наконец-то нашел!

что такое микроконтроллер и как его создать?

Алексей, микроконтролер это мини компьютер, который способен выполнять простые задачи. Микроконтроллер сочетает в себе функции процессора и периферийных устройств.

Создать его сами, Вы наврятли сможете .

Их можно приобрести в магазинах радиоэлектроники. Возьмите парочку ATMega разных и можете взять еще ATTiny 2313.

О микроконтролерах на сайте будет отдельный урок!

Здравствуйте, скажите, у микросхем имеются ножки и они обозначаются короткими символами например Vcc, y — там ещё что то, вот знать бы они у всех стандартные или нет, и что они означают, как вообще ориентироватся, спасибо!

Спасибо. Долго искал про ключ. Догадывался, но хотел убедится))

Переходник SOIC-DIP с нулевым усилием вставления

Применение микросхем в миниатюрных корпусах SOIC позволяет уменьшить размеры и стоимость печатных плат и, следовательно, разрабатываемых устройств. Радиолюбителям иногда приходится использовать такие микросхемы по причине отсутствия в запасах аналогичных микросхем в корпусах DIP. Немаловажно и то, что микросхемы в корпусах SOIC нередко дешевле, чем в корпусах DIP.

С установкой микросхем в корпусах DIP на разработанную под них печатную плату нет никаких сложностей, однако при попытках установить на ту же плату функционально аналогичную микросхему в корпусе SOIC они возникают всегда. Можно, конечно, припаять к выводам микросхемы тонкие провода и впаять их в отверстия платы (на первых порах именно так я и делал) или припаять её выводы к контактам DIP-панели, как это предложено, например, в [1]. Но оба способа весьма неудобны.

Например, согласно [1], микросхему устанавливают в панель в перевёрнутом положении, в результате чего нумерация выводов микросхемы не совпадает с нумерацией контактных площадок для неё на плате. Припаивать же провода к миниатюрным выводам микросхемы довольно трудно. К тому же при частых перепайках существенно возрастает вероятность перегрева микросхемы или пробоя её статическим электричеством. Увеличивается и риск отломать вывод. Если отломанный вывод микросхемы в корпусе DIP ещё можно попытаться восстановить, то с микросхемой в корпусе SOIC это, скорее всего, не удастся.

Конечно же, для микросхем в миниатюрных корпусах тоже выпускают панели и переходники, но их цена слишком велика, да и при заказе срок доставки не мал. Важно и то, что габариты готовых панелей для корпусов SOIC во многих случаях слишком велики.

При изготовлении самодельного переходника для такой микросхемы следует учитывать, что площадь контактной поверхности её вывода очень мала, и его прочность оставляет желать луч-шего. Поэтому предпочтительна конструкция, позволяющая вставлять и вынимать микросхему, не прилагая усилий к её выводам. Этому требованию отвечают панели ZIF (zero insertion force — нулевое усилие вставления), используемые, например, в программаторах. Но они сложны по конструкции, сделаны из малодоступных любителю материалов и дороги. Желательно изготовить что-нибудь попроще.

Целесообразно иметь переходник, размеры которого не превышают габаритов микросхемы DIP, а выводы расположены аналогично выводам последней. Это даст возможность устанавливать такие переходники на платы, разработанные для микросхем в корпусах DIP.

В статье рассмотрено изготовление переходника для микросхемы в корпусе SOIC-8, однако аналогичным способом можно изготавливать такие же для микросхем в корпусах SOIC, имеющих больше выводов (SOIC-14, SOIC-16 и т. д.), а также для отечественных микросхем в корпусах с планарными выводами, например серии 564.

Устройство переходника показано на рис. 1. Нажав на площадку 4, её опускают до положения, показанного на рис. 1,б, и укладывают на неё микросхему 5 так, чтобы её выводы попали в пазы площадки. Затем площадку отпускают. Под действием двух пружин 3 она возвращается в положение, показанное на рис. 1,а, и прижимает выводы микросхемы 5 к контактам 6. Контакты запрессованы в предназначенные для них отверстия основания 2. В это же основание вплавлены контакты 1, с которыми контакты 6 соединены отрезками тонкого провода.

Рис. 1. Устройство переходника

 

В дальнейшем контакты 1 вставляют в гнёзда панели DIP-8, установленной на плате устройства, в котором должна работать микросхема 5. Можно обойтись и без этой панели, вставив контакты 1 переходника непосредственно в монтажные отверстия на печатной плате и припаяв их к соответствующим контактным площадкам.

Для изготовления переходника потребуются листовой полистирол толщиной 3 мм и работающая на сжатие пружина диаметром 2,5 мм такой длины, чтобы от неё можно было отрезать два фрагмента длиной по 4 мм в свободном состоянии. Для панелей SOIC-14 и SOIC-16 лучше взять пружину диаметром 3…4 мм. К сожалению, измерить усилие сжатия пружин не было возможности, но они должны давить на площадку 4 с такой силой, чтобы контакты 6 слегка отогнулись.

Пружины можно заменить прокладкой из жёсткого изоляционного материала, плотно вставляемой в зазор между площадкой 4 и основанием 2. Но её толщину придётся тщательно подобрать. Можно попробовать и прокладку из силикона или пористой резины.

Заготовки для площадки 4 и контактов 6 можно найти на ненужной материнской плате компьютера. С любого имеющегося на ней слота PCI нужно снять пластмассовый корпус и вырезать из него площадку 4. Чертёж площадки показан на рис. 2, а внешний вид — на рис. 3.

Рис. 2. Чертёж площадки

 

Рис. 3. Внешний вид площадки

 

Основание 2 делают из листового полистирола толщиной 3 мм по изображённому на рис. 4 чертежу. Два ряда отверстий диаметром 0,5 мм предназначены для запрессовки в них контактов 6. Углубления диаметром 2,5 мм служат для фиксации пружин 3.

Рис. 4. Чертёж основания

 

Заготовки для контактов 6 — восемь упругих контактов от того же слота PCI, с которого снят корпус. Их следует извлечь из материнской платы, выпрямить и обрезать слева, как показано на рис. 5. Обрезать заготовку справа пока не нужно. На этом же рисунке показан участок контакта, который должен быть запрессован в основание 2.

Рис. 5. Обрезка заготовки

 

Контакты должны вставляться в отверстия со значительным усилием. Нагревать их при запрессовке нельзя, и сверлить отверстия диаметром более 0,5 мм тоже не следует. Установив все восемь контактов, их нужно изогнуть, как показано на рис. 1 и рис. 6, и обрезать. На последнем рисунке видны и вплавленные в основание 2 контакты 1.

Рис. 6. Установка контактов устройства

 

Все контакты 6 одного ряда удобно изгибать одновременно, используя для этого кондуктор, изготовленный по чертежу рис. 7, или обычную линейку. И обрезать все контакты ряда тоже следует одновременно.

Рис. 7. Чертёж кондуктора

 

Пружины 3 вставляют в предназначенные для них углубления уже после того, как установлены, отформованы и обрезаны все контакты. В каждое углубление капните немного дихлорэтана, и после размягчения полистирола вдавите в них пружины. После испарения дихлорэтана они окажутся закреплёнными достаточно прочно.

Можно обойтись и без пружин, если вдвигать между площадкой 4 и основанием 2 прокладку из жёсткого диэлектрического материала, тщательно подобрав её толщину. В этом случае длину площадки для микросхемы в корпусе SOIC-8 можно уменьшить до 5,7 мм, оставив с каждой её стороны по четыре паза для выводов микросхем. На мой взгляд, для постоянной установки микросхемы такой вариант подходит лучше, поскольку обеспечивает более сильное прижатие контактов переходника к выводам микросхемы.

Этот фактор может иметь значение при работе со сборками полевых транзисторов в корпусе SOIC-8. Допустимый ток стока у таких транзисторов достигает 3…4 А. Макетируя устройства с ними, я нагружал контакты током до 2 А, при этом перегрев контактов заметен не был. Но для длительной работы лучше ориентироваться на максимальный ток 0,2 А, чего в большинстве случаев более чем достаточно.

Контакты 1 под панель DIP вплавляют в основание 2 обычным паяльником. В качестве заготовок для них лучше всего применить контакты, извлечённые из имеющихся на материнской плате компьютера разъёмов для модулей памяти DDR. Хотя вполне подойдут и контакты от слотов PCI. Просто выводы разъёма DDR выполнены из металла, более близкого по толщине к стандартным выводам корпусов DIP.

Контакты 1 и контакты 6 соединяют попарно перемычками из тонкого провода. На рис. 8 показаны такие перемычки в переходнике для микросхемы в корпусе SOIC-16. Рекомендую сначала намотать на предварительно зачищенный вывод 1-2 витка провода, пропаять его и лишь затем вплавить вывод в основание 2 паяльником, нагретым до температуры ниже температуры плавления припоя. Учтите, что полистирол — легкоплавкий материал, и вывод может повести.

Рис. 8. Перемычки в переходнике для микросхемы в корпусе SOIC-16

 

Флюс лучше использовать спиртоканифольный. Его излишки нежелательны, поскольку портят внешний вид изделия. К тому же к остаткам флюса может прилипнуть пыль или, что ещё хуже, металлические опилки и стружки. Это может привести к замыканиям между контактами. Соединительные провода тоже можно вплавить в основание переходника паяльником.

После вплавления контактов основание переходника может иметь неряшливый вид из-за выдавленных из-под вплавляемых выводов излишков расплавленного полистирола. Придать поверхности переходника более аккуратный вид можно, приложив к ней широкую металлическую пластину и аккуратно прогрев её паяльником. Разогретая пластина оплавит выдавленный полистирол и сгладит все неровности. При этом контакты будут более надёжно зафиксированы, а поверхность станет ровной и гладкой.

По завершении паяльных работ необходимо проверить все выводы переходника на отсутствие замыканий и надёжность контакта между ними и выводами микросхемы. Также следует проверить совпадение выводов 1 с гнёздами панели DIP или беспаечной макетной платы. Проверено опытом, что у макетной платы допуск на шаг гнёзд меньше, чем у панели.

Для защиты от влаги все паяные соединения можно покрыть двумя-тремя слоями лака. Покрывая места пайки, он не должен попасть на контакты переходника. Лак следует проверить на электропроводность. Я применял лак ХВ-784, электропроводный в жидком состоянии. Использовать покрытый им переходник можно только после полного отвердевания лака.

Изготовив переходник, следует, сжав пружины, вставить площадку 4 между рядами контактов 6. После отпускания площадка под действием пружин 3 должна подняться, а контакты точно войти в её пазы и немного упруго разогнуться, Если остриё контакта не упирается в дно паза, его следует немного подогнуть.

Для переходника без пружин следует подобрать прокладку такой толщины, чтобы вставленная микросхема была надёжно зафиксирована, а контакты 6 немного упруго разогнулись. После извлечения прокладки они должны возвратиться в исходное состояние.

Вставив в панель любую микросхему, омметром проверьте наличие контакта между каждым выводом микросхемы и соответствующим выводом под DIP-панель. В итоге проделанной работы должно получиться примерно так, как на рис. 9, где изображён переходник без пружин, а рядом с ним микросхема NE555P. Их габариты не сильно различаются. Причём проекция переходника на плату совпадает с проекцией стандартной панели DIP-8. Это особенно важно при замене микросхемы в готовом устройстве, где рядом с ней могут располагаться другие элементы (резисторы, конденсаторы).

Рис. 9. Переходник без пружин

 

Изготовление переходника для восьмивыводной микросхемы у меня занимает меньше часа. Её выводы можно не только вставлять в гнёзда панели для микросхемы в корпусе DIP, но и впаивать их в плату на её посадочное место. При этом паять выводы нужно быстро, иначе сделанное из легкоплавкого полистирола основание может повести.

К моменту завершения статьи я изготовил и переходник для микросхемы в корпусе SOIC-16, показанный на рис. 10. Его размеры в проекции на плату также не превышают размеров стандартной панели под микросхему в корпусе DIP-16. В планах — изготовление переходника для 28-выводного микроконтроллера PIC16FT2-I/SO.

Рис. 10. Переходник для микросхемы в корпусе SOIC-16

 

Некоторое неудобство представленных переходников состоит в том, что микросхему приходится укладывать в них и вынимать пинцетом. Впрочем, в заводские тоже. Очень не рекомендуется так называемая «горячая», при включённом питании, замена установленной в переходник микросхемы. Ведь её выводы во время этой операции соединяются с контактами переходника неодновременно, что может привести к её повреждению.

Установить микросхему в предлагаемый переходник можно двумя способами.

Первый способ.Надавив на площадку 4 так, чтобы верхние изогнутые концы контактов 6 оказались выше уровня её гребней, вставьте микросхему в получившийся зазор. Её выводы должны лечь на гребни площадки, расположенные рядом с пазами, предназначенными для этих выводов. Затем сдвиньте микросхему так, чтобы выводы упали в предназначенные для них пазы. Отпустите площадку, она поднимется под действием пружин 3, и микросхема будет надёжно зафиксирована.

Второй способ, по моему мнению, более удобный. Нажмите на площадку 4 так, чтобы верхушки её гребней опустились ниже верхних изогнутых концов контактов 6. Сдвиньте площадку так, чтобы гребни оказались под концами контактов, и отпустите её. Концы контактов упрутся в гребни. В таком положении уложите микросхему на площадку так, чтобы её выводы вошли в нужные пазы. Затем площадку, немного прижав, сдвиньте обратно. Под действием пружин она возвратится в исходное положение, фиксируя микросхему. Этот способ позволяет устанавливать микросхему без пинцета, просто сдвигая площадку и укладывая микросхему рукой.

Установка микросхемы в переходник без пружин несколько сложнее. Вынув площадку 4 из переходника, уложите в неё микросхему. Затем площадку с микросхемой вставьте обратно между рядами контактов. Далее, приподняв и удерживая площадку так, чтобы контакты 6 вошли в предназначенные для них пазы, вдвиньте под неё заранее подобранную по толщине прокладку.

Применение вместо пружин упругих силиконовых прокладок тоже возможно. Однако такой вариант не проверен, он может оказаться непригодным для установки микросхемы на длительное время. Дело в том, что некоторые сорта силикона (как правило, имеющие запах уксуса) способны вызвать коррозию материала контактов. А при длительном постоянном сжатии силиконовая прокладка может деформироваться, что приведёт к ослаблению прижатия выводов микросхемы к контактам переходника и, как следствие, к ухудшению электрического контакта между ними. Однако для программатора или недолговечного макета устройства такой вариант вполне подойдёт. То же самое можно сказать о прокладках из резины.

Вместо полистирола для изготовления основания переходника можно попробовать применить другой листовой диэлектрик, например стеклотекстолит. Но такие варианты тоже проверены не были.

Один из изготовленных в исполнении с жёсткой прокладкой переходников уже почти год работает в цифровом частотомере и пока нареканий не вызывал. В него установлен микроконтроллер PIC12F629-I/SN. Теперь я без всяких сомнений использую микросхемы в корпусах SOIC. Два таких переходника (на 8 и на 16 выводов) использованы, например, при макетировании счётчика витков [2] и загрузке программы в его микроконтроллер.

Литература

1. Козубов В. «Корпус» DIP для микросхемы SMD. — Радио, 2016, № 8, с. 28.

2. Герасимов E. Электронный счётчик витков для намоточного станка. — Радио, 2019, №4, с. 25-27.

Автор: E. Герасимов, станица Выселки Краснодарского края

Типы корпусов микросхем для поверхностного монтажа. Типы корпусов микросхем

В этой статье мы рассмотрим самые основные корпуса микросхем, которые очень часто используются в повседневной электронике.

DIP (англ. D ual I n-Line P ackage) – корпус с двумя рядами выводов по длинным сторонам микросхемы. Раньше, да наверное и сейчас, корпус DIP был самым популярным корпусом для многовыводных микросхем. Выглядит он вот так:

В зависимости от количества выводов микросхемы, после слова “DIP” ставится количество ее выводов. Например, микросхема, а точнее, микроконтроллер atmega8 имеет 28 выводов:

Следовательно, ее корпус будет называться DIP28.

А вот у этой микросхемы корпус будет называться DIP16.

В основном в корпусе DIP в Советском Союзе производили логические микросхемы, операционные усилители и тд. Сейчас же корпус DIP также не теряет своей актуальности и в нем до сих пор делают различные микросхемы, начиная от простых аналоговых и заканчивая микроконтроллерами.

Корпус DIP может быть выполнен из пластика (что в большинстве случаев) и называется он PDIP , а также из керамики – CDIP . На ощупь корпус CDIP твердый как камень, и это неудивительно, так как он сделан из керамики.

Пример CDIP корпуса.

Имеются также модификации HDIP, SDIP.

HDIP (H eat-dissipating DIP ) – теплорассеивающий DIP. Такие микросхемы пропускают через себя большой ток, поэтому сильно нагреваются. Чтобы отвести излишки тепла, на такой микросхеме должен быть радиатор или его подобие, например, как здесь два крылышка-радиатора посерединке микрухи:

SDIP (S mall DIP ) – маленький DIP. Микросхема в корпусе DIP, но c маленьким расстоянием между ножками микросхемы:

SIP корпус

SIP корпус (S ingle I n line P ackage ) – плоский корпус с выводами с одной стороны. Очень удобен при монтаже и занимает мало места. Количество выводов также пишется после названия корпуса. Например, микруха снизу в корпусе SIP8.

У SIP тоже есть модификации – это HSIP (H eat-dissipating SIP ). То есть тот же самый корпус, но уже с радиатором

ZIP корпус

ZIP (Z igzag I n line P ackage ) – плоский корпус с выводами, расположенными зигзагообразно. На фото ниже корпус ZIP6. Цифра – это количество выводов:

Ну и корпус с радиатором HZIP :

Только что мы с вами рассмотрели основной класс In line Package микросхем. Эти микросхемы предназначены для сквозного монтажа в отверстиях в печатной плате.

Например, микросхема DIP14, установленная на печатной плате

и ее выводы с обратной стороны платы, уже без припоя.

Кто-то все таки умудряется запаять микросхемы DIP, как микросхемы для поверхностного монтажа (о них чуть ниже), загнув выводы под углом в 90 градусов, или полностью их выпрямив. Это извращение), но работает).

Переходим к другому классу микросхем – микросхемы для поверхностного монтажа или, так называемые SMD компоненты . Еще их называют планарными радиокомпонентами.

Такие микросхемы запаиваются на поверхность печатной платы, под выделенные для них печатные проводники. Видите прямоугольные дорожки в ряд? Это печатные проводники или в народе пятачки . Вот именно на них запаиваются планарные микросхемы.

SOIC корпус

Самым большим представителем этого класса микросхем являются микросхемы в корпусе SOIC (S mall-O utline I ntegrated C ircuit ) – маленькая микросхема с выводами по длинным сторонам. Она очень напоминает DIP, но обратите внимание на ее выводы. Они параллельны поверхности самого корпуса:

Вот так они запаиваются на плате:

Ну и как обычно, цифра после “SOIC” обозначает количество выводов этой микросхемы. На фото выше микросхемы в корпусе SOIC16.

SOP (S mall O utline P ackage ) – то же самое, что и SOIC.

Модификации корпуса SOP:

PSOP – пластиковый корпус SOP. Чаще всего именно он и используется.

HSOP – теплорассеивающий SOP. Маленькие радиаторы посередине служат для отвода тепла.

SSOP (S hrink S mall O utline P ackage) – ” сморщенный” SOP. То есть еще меньше, чем SOP корпус

TSSOP (T hin S hrink S mall O utline P ackage) – тонкий SSOP. Тот же самый SSOP, но “размазанный” скалкой. Его толщина меньше, чем у SSOP. В основном в корпусе TSSOP делают микросхемы, которые прилично нагреваются. Поэтому, площадь у таких микросхем больше, чем у обычных. Короче говоря, корпус-радиатор).

SOJ – тот же SOP, но ножки загнуты в форме буквы “J” под саму микросхему. В честь таких ножек и назвали корпус SOJ :

Ну и как обычно, количество выводов обозначается после типа корпуса, например SOIC16, SSOP28, TSSOP48 и тд.

QFP корпус

QFP (Q uad F lat P ackage) – четырехугольный плоский корпус. Главное отличие от собрата SOIC в том, что выводы размещены на всех сторонах такой микросхемы

Модификации:

PQFP – пластиковый корпус QFP. CQFP – керамический корпус QFP. HQFP – теплорассеивающий корпус QFP.

TQFP (T hin Q uad F lat P ack) – тонкий корпус QFP. Его толщина намного меньше, чем у его собрата QFP

PLCC (P lastic L eaded C hip C arrier) и СLCC (C eramic L eaded C hip C arrier) – соответственно пластиковый и керамический корпус с расположенными по краям контактами, предназначенными для установки в специальную панельку, в народе называемую “кроваткой”. Типичным представителем является микросхема BIOS в ваших компьютерах.

Вот так примерно выглядит “кроватка” для таких микросхем

А вот так микросхема “лежит” в кроватке.

Иногда такие микросхемы называют QFJ , как вы уже догадались, из-за выводов в форме буквы “J”

Ну и количество выводов ставится после названия корпуса, например PLCC32.

PGA корпус

PGA (P in G rid A rray) – матрица из штырьковых выводов. Представляет из себя прямоугольный или квадратный корпус, в нижней части которого расположены выводы-штырьки

Такие микросхемы устанавливаются также в специальные кроватки, которые зажимают выводы микросхемы с помощью специального рычажка.

В корпусе PGA в основном делают процессоры на ваши персональные компьютеры.

Корпус LGA

LGA (L and G rid A rray) — тип корпусов микросхем с матрицей контактных площадок. Чаще всего используются в компьютерной технике для процессоров.

Кроватка для LGA микросхем выглядит примерно вот так:

Если присмотреться, то можно увидеть подпружиненные контакты.

Сам микросхема, в данном случае процессор ПК, имеет просто металлизированные площадки:

Для того, чтобы все работало, должно выполняться условие: микропроцессор должен быть плотно прижат к кроватке. Для этого используются разного рода защелки.

Корпус BGA

BGA (B all G rid A rray ) – матрица из шариков.

Как мы видим, здесь выводы заменены припойными шариками. На одной такой микросхеме можно разместить сотни шариков-выводов. Экономия места на плате просто фантастическая. Поэтому микросхемы в корпусе BGA применяют в производстве мобильных телефонов, планшетах, ноутбуках и в других микроэлектронных девайсах. О том, как перепаивать BGA, я еще писал в статье Пайка BGA микросхем .

В красных квадратах я пометил микросхемы в корпусе BGA на плате мобильного телефона. Как вы видите, сейчас вся микроэлектроника строится именно на BGA микросхемах.

Технология BGA является апогеем микроэлектроники. В настоящее время мир перешел уже на технологию корпусов microBGА, где расстояние между шариками еще меньше, и можно уместить даже тысячи(!) выводов под одной микросхемой!

Вот мы с вами и разобрали основные корпуса микросхем.

Ничего страшного нет в том, что вы назовете микросхему в корпусе SOIC SOPом или SOP назовете SSOPом. Также ничего страшного нет и в том, чтобы назвать корпус QFP TQFPом. Границы между ними размыты и это просто условности. Но вот если микросхему в корпусе BGA назовете DIP, то это уже будет полное фиаско.

Начинающим радиолюбителям стоит просто запомнить три самых важных корпуса для микросхем – это DIP, SOIС (SOP) и QFP безо всяких модификаций и стоит также знать их различия. В основном именно эти типы корпусов микросхем радиолюбители используют чаще всего в своей практике.

В настоящее время по всему миру выпускается невероятное количество микросхем со всевозможными функциями. Насчитывается десятки тысяч различных микросхем от десятков производителей. Но очевидно, что требуется определенная стандартизация корпусов микросхем для того, чтобы разработчики могли удобно их применять для изготовления печатных плат, устанавливаемых в конечных электронных устройствах (телевизоры, магнитофоны, компьютеры и т. д.). Поэтому со временем сформировались формфакторы микросхем, под которые подстраиваются все мировые производители. Все их описать проблематично, да в этом и нет необходимости, поскольку некоторые из них предназначены для специфических задач, с которыми вы можете никогда не столкнуться.

Поэтому ниже приведены только самые распространенные и популярные из известных типов корпусов, которые вы можете встретить в магазинах и использовать в своих проектах.

Аббревиатура DIP расшифровывается как Dual In-line Package, что в переводе означает «пакет из двух линий» Данный тип имеет прямоугольную форму с двумя рядами контактов (ножек), направленных вниз по длинным сторонам корпуса.
Появился такой корпус в 1965 году и стал стандартом для одних из первых промышленно выпускаемых микросхем. Наибольшей популярностью в электронной промышленности пользовался в 1970-х и 1980-х годах. Корпус хорошо подходит для автоматизированной сборки и для установки в макетную плату.

Расстояние между осями соседних ножек по одной стороне — 2,54 мм, что соответствует шагу контактов макетной платы. Поэтому в конструкторах «Эвольвектор» используется именно этот тип микросхем. К настоящему моменту он считается устаревшим. В промышленности для изготовления печатных плат его постепенно вытеснили корпуса, предназначенные для поверхностного монтажа, — например типы PLCC и SOIC.

SOIC — расшифровывается как Small-Outline Integrated Circuit — интегральная схема с малым внешним контуром. Микросхемы с таким типом корпуса предназначены только для поверхностного монтажа на печатную плату и обладают действительно гораздо меньшими размерами по сравнению с типом корпуса DIP. Корпус такого типа имеет форму прямоугольника с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Расстояние между ножками составляет 1,27 мм, высота корпуса в 3 раза меньше, чем у корпуса DIP и не превышает 1,75 мм. Микросхемы в корпусе SOIC занимают на 30-50 % меньше площади печатной платы, чем их аналоги в корпусе DIP, благодаря чему имеют широкое распространение и в настоящее время. На концах ножек есть загибы для удобного припаивания к поверхности платы. Установка такого типа микросхем в макетную плату для быстрого прототипирования устройств невозможна.

Обычно нумерация выводов одинаковых микросхем в корпусах DIP и SOIC совпадает. Для обозначения данного типа микросхем может использоваться не только сокращение SOIC, но и буквы SO с указанием после них числа выводов. Например, если микросхема имеет 16 выводов, то может обозначаться SOIC-16 или SO-16.

Корпуса могут иметь различную ширину. Самые распространенные размеры 0,15; 0,208 и 0,3 дюйма. Возможно использование данных микросхем в дополнительных наборах «Эвольвектор» для изучения пайки.

PLCC — расшифровывает как Plastic Leaded Chip Carrier -пластиковый освинцованный держатель чипа. Тип представляет собой квадратный корпус с расположенными по четырем сторонам контактами. Расстояние между контактами — 1,27 мм. Такой корпус предназначен для установки в специальную панель. Как и DIP корпус, в настоящее время распространен не очень широко. Может использоваться для производства микросхем флэш-памяти, используемых в качестве микросхем BIOS на системных платах в персональных компьютерах или других вычислительных системах.

ТО-92 — расшифровывается как Transistor Outline Package, Case Style 92 — как корпус для транзисторов с модификацией под цифровым обозначением 92. Как следует из названия, этот тип корпуса применяется для транзисторов. В нем изготавливаются маломощные транзисторы и другие электронные полупроводниковые компоненты с тремя выводами, в том числе и простые микросхемы, такие как интегральный стабилизатор напряжения. Корпус имеет малый размер, в чем можно убедиться, взяв в руки биполярный транзистор из конструктора «Эвольвектор» . Фактически корпус — это две склеенные между собой пластиковые половинки, между которыми заключен полупроводниковый компонент на пленке. С одной стороны корпуса есть плоская часть, на которую наносится маркировка.

Из корпуса выходят три вывода (ножки), расстояние между которыми может составлять от 1,15 до 1,39 мм. Компоненты, произведенные в таком корпусе, могут пропускать через себя ток до 5 А и напряжения до 600 В, но из-за малого размера и отсутствия теплорассеивающего элемента рассчитаны на незначительную мощность до 0,6 Вт.

Данный тип корпуса является родственником ТО-92. Отличие заключается в дизайне, ориентированном на компоненты и микросхемы более высокой мощности, чем предусматривает формфактор ТО-92. Корпус ТО-220 также предназначен для транзисторов, интегральных стабилизаторов напряжения или выпрямителей. Корпус ТО-220 рассчитан уже на мощность до 50 Вт благодаря наличию металлической теплоотводящей пластины (называется основанием), к которой припаивается кристалл полупроводникового прибора, выводы и герметичный пластиковый корпус.

Обычный «транзисторный» ТО-220 имеет три вывода, однако бывают и модификации с двумя, четырьмя, пятью и бОльшим количеством выводов. Расстояние между осями выводов составляет 2,54 мм. В основании имеется отверстие ∅4,2 мм для крепления дополнительных охлаждающих радиаторов. В силу улучшенных теплоотводящих свойств электронные компоненты в данном корпусе могут пропускать через себя токи до 70 А.

Аббревиатура TSSOP расшифровывается как Thin Scale Small-Outline Package — тонкий малогабаритный корпус. Такой тип корпуса используется исключительно для поверхностного монтажа на печатные платы. Обладает совсем маленькой толщиной, не более 1,1 мм, и очень маленьким расстоянием между выводами микросхемы — 0,65 мм.

Данные корпуса применяются для изготовления микросхем оперативной памяти персональных компьютеров, а также для чипов флеш-памяти. Несмотря на свою компактность, во многих современных устройствах вытеснены более компактными корпусами типа BGA по причине постоянного повышения требований к плотности расположения компонентов.

Аббревиатура QFP расшифровывается как Quad Flat Package — квадратный плоский корпус. Класс корпусов микросхем QFP представляет собой семейство корпусов, имеющих планарные выводы, которые равномерно расположены по всем четырём сторонам. Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа. Это самый популярный на сегодняшний день тип корпуса для производства различных чипсетов, микроконтроллеров и процессоров. В этом вы сможете убедиться, когда перейдете ко 2-му и 3-му уровню конструкторов «Эвольвектор» . Контроллеры и одноплатные компьютеры указанных конструкторов оснащены процессорами и микроконтроллерами как раз в таких корпусах.

У класса QFP существует множество подклассов:

. BQFP : от англ. Bumpered Quad Flat Package
. CQFP : от англ. Ceramic Quad Flat Package
. HQFP : от англ. Heat sinked Quad Flat Package
. LQFP : от англ. Low Profile Quad Flat Package
. SQFP : от англ. Small Quad Flat Package
. TQFP : от англ. Thin Quad Flat Package
. VQFP : от англ. Very small Quad Flat Package

Но независимо от подкласса принцип «квадратности» и равномерного распределения контактов сохраняется. Отличаются разновидности только материалом, способностью к теплоотведению и конфигурацией корпуса, а также размерами и расстоянием между выходами. Оно составляет от 0,4 до 1,0 мм. Количество выводов у микросхем в корпусе QFP обычно не превышает 200.

Корпус интегральной микросхемы (ИМС) — это герметичная конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями. Длина корпуса микросхем зависит от числа выводов. Давайте рассмотрим некоторые типы корпусов, которые наиболее часто применяются радиолюбителями.

DIP (Dual In-line Package) — тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов для монтажа в отверстия печатной платы, является самым распространенным типом корпусов. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика или керамики. В обозначении корпуса указывается число выводов. В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты — микросхемы, сборки диодов, ТТЛ-логика, генераторы, усилители, ОУ и прочие… Компоненты в корпусах DIP обычно имеют от 4 до 40 выводов, возможно есть и больше. Большинство компонентов имеет шаг выводов 2.54 миллиметра и расстояние между рядами 7.62 или 15.24 миллиметра.

Одной из разновидностью корпуса DIP является корпус QDIP на таком корпусе 12 выводов и обычно имеются лепестки для крепления микросхемы на радиатор, вспомните микросхему К174УН7.

Разновидностью DIP является PDIP – (Plastic Dual In- line Package) – корпус имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными преимущественно для монтажа в отверстия. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с расстоянием между выводами 7.62 мм и широкая, с расстоянием между выводами 15.24 мм. Различий между DIP и PDIP в плане корпуса нет, PDIP обычно изготавливается из пластика, CDIP — из керамики. Если у микросхемы много выводов, например 28 и более, то корпус может быть широким.

SIP (Single In-line Package) – плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы, с одним рядом выводов по длинной стороне. Обычно в обозначении также указывается число выводов. Нумерация выводов данных типов микросхем начинается слева, если смотреть на маркировку спереди.

ТО92 – распространённый тип корпуса для маломощных транзисторов и других полупроводниковых приборов с двумя или тремя выводами, в том числе и микросхем, например интегральных стабилизаторов напряжения. В СССР данный тип корпуса носил обозначение КТ-26.

TO220 — тип корпуса для транзисторов, выпрямителей, интегральных стабилизаторов напряжения и других полупроводниковых приборов малой и средней мощности. Нумерация выводов для разных элементов может отличаться, у транзисторов одно обозначение, у стабилизаторов напряжения другое…

PENTAWATT – Содержит 5 выводов, в таких корпусах выпускаются, например усилители НЧ (TDA2030, 2050…), или стабилизаторы напряжения.

DPAK — (TO-252, КТ-89) корпус для размещения полупроводниковых устройств. D2PAK аналогичен корпусу DPAK, но больше по размеру; в основном эквивалент TO220 для SMD-монтажа, бывают трёх, пяти, шести, семи или восьмивыводные.

SO (Small Outline) пластиковый корпус малого размера. Корпус имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными для монтажа на поверхность. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с шириной корпуса 3.9 мм (0.15 дюйма) и широкая, с шириной корпуса 7.5 мм (0.3 дюйма).

SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) — предназначен для поверхностного монтажа, по сути это то же, что и SO. Имеет форму прямоугольника с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Как правило, нумерация выводов одинаковых микросхем в корпусах DIP и SOIC совпадает. Помимо сокращения SOIC для обозначения корпусов этого типа могут использоваться буквы SO, а также SOP (Small-Outline Package) и число выводов. Такие корпуса могут иметь различную ширину. Обычно обозначаются как SOxx-150, SOxx-208 и SOxx-300 или пишут SOIC-xx и указывают какому чертежу он соответствует. Данный тип корпусов схож с QSOP.

Также существует версия корпуса с загнутыми под корпус (в виде буквы J) выводами. Такой тип корпуса обозначается как SOJ (Small-Outline J-leaded).

QFP (Quad Flat Package) — семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам. Форма основания микросхемы — прямоугольная, а зачастую используется квадрат. Корпуса обычно различаются только числом выводов, шагом, размерами и используемыми материалами. BQFP отличается расширениями основания по углам микросхемы, предназначенными для защиты выводов от механических повреждений до запайки.

В это семейство входят корпуса TQFP (Thin QFP) , QFP, LQFP (Low-profile QFP) . Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа; установка в разъём или монтаж в отверстия штатно не предусмотрена, хотя переходные коммутационные устройства существуют. Количество выводов QFP микросхем обычно не превышает 200, с шагом от 0,4 до 1,0 мм. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

QFN (Quad-flat no-leads) – у таких корпусов, так же как и у корпусов SOJ, вывода загнуты под корпус. Габаритные размеры и расстояние между выводами корпусов QFN можно посмотреть . Данный корпус схож с типом корпусов MLF, у них вывода расположены по периметрии и снизу.

TSOP (Thin Small-Outline Package) – данные корпуса очень тонкие, низкопрофильные, являются разновидностью SOP микросхем. Применяются в модулях оперативной памяти DRAM и для чипов флеш-памяти, особенно для упаковки низковольтных микросхем из-за их малого объёма и большого количества штырьков (контактов). В более современных модулях памяти такие корпуса уже не применяются, их заменили корпуса типа BGA. Обычно различают два типа корпусов, они представлены ниже на фото.

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) — представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в качестве микросхемы BIOS на системных платах. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

ZIP (Zigzag-In-line Package) — плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы со штырьковыми выводами, расположенными зигзагообразно. Бывают ZIP12, ZIP16, ZIP17, ZIP19, ZIP20, ZIP24, ZIP40 цифры означают количество выводов и тип корпуса, кроме этого они различаются габаритами корпусов, а так же расстоянием между выводами. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

dual in-line package , также DIL ) — название типа корпуса, применяемого для микросхем , микросборок и некоторых других электронных компонентов . Корпуса такого типа отличаются прямоугольной формой и наличием двух рядов выводов по длинным сторонам.

Виды

Может быть выполнен из пластика (PDIP) или керамики (CDIP). Керамический корпус применяется из-за близких значений коэффициента температурного расширения керамики и полупроводникового кристалла микросхемы. По этой причине при значительных и многочисленных перепадах температур механические напряжения кристалла, находящегося в керамическом корпусе, оказываются заметно меньше, что снижает риск его механического повреждения или отслоения контактных проводников. Также многие элементы в кристалле способны менять свои электрические характеристики под воздействием напряжений и деформаций , что сказывается на характеристиках микросхемы в целом. Керамические корпуса микросхем применяются в технике, работающей в жёстких климатических условиях .

Обычно в обозначении микросхемы также указывается число выводов. Например, корпус микросхемы распространённой серии ТТЛ -логики , имеющий 14 выводов, может обозначаться как DIP14.

В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты — микросхемы, сборки диодов, транзисторов, резисторов, малогабаритные переключатели. Компоненты могут непосредственно впаиваться в печатную плату , также могут использоваться недорогие разъёмы для снижения риска повреждения компонента при пайке и возможности быстрой замены элемента без необходимости выпайки его из платы, что важно при отладке прототипов устройства.

История

Корпус DIP был разработан компанией «Fairchild Semiconductor » в 1965 году . Его появление позволило увеличить плотность монтажа по сравнению с применявшимися ранее круглыми корпусами. Корпус хорошо подходит для автоматизированной сборки. Однако размеры корпуса оставались относительно большими по сравнению с размерами полупроводникового кристалла. Корпуса DIP широко использовались в 1970-х и 1980-х годах. Впоследствии широкое распространение получили корпуса для поверхностного монтажа , в частности QFP и SOIC , имевшие меньшие габариты. Выпуск некоторых компонентов в корпусах DIP продолжается в настоящее время, однако большинство компонентов, разработанных в 2000-х годах, не выпускаются в таких корпусах. Компоненты в DIP-корпусах удобнее применять при макетировании устройств без пайки на специальных платах-бредбордах .

Корпуса DIP долгое время сохраняли популярность для программируемых устройств, таких как ПЗУ и простые ПЛИС (GAL) — корпус с разъёмом позволяет легко производить программирование компонента вне устройства. В настоящее время это преимущество потеряло актуальность в связи с развитием технологии внутрисхемного программирования .

Выводы

Компоненты в корпусах DIP обычно имеют от 8 до 40 выводов, также существуют компоненты с меньшим или большим чётным количеством выводов. Большинство компонентов имеет шаг выводов в 0,1 дюйма (2,54 миллиметра ) и расстояние между рядами 0,3 или 0,6 дюйма (7,62 или 15,24 миллиметра ). Стандарты комитета JEDEC также определяют возможные расстояния между рядами: 0,4 и 0,9 дюйма (10,16 и 22,86 миллиметров ) с количеством выводов до 64; некоторые корпуса имеют шаг выводов 0,07 дюйма (1,778 мм )

Выводы нумеруются против часовой стрелки начиная с левого верхнего. Первый вывод определяется с помощью «ключа» — выемки на краю корпуса, или точки в виде углубления. Когда микросхема расположена маркировкой к наблюдателю и ключом вверх, первый вывод будет сверху и слева. Счёт идёт вниз по левой стороне корпуса и продолжается вверх по правой стороне. При нумерации выводов не следует ориентироваться только на маркировку или гравировку так как нередко она может быть перевернута. Приоритет при определении нумерации выводов следует отдавать «ключу».

Доброго дня всем. Часто бывает нужно заменить на плате микросхему или например, сборку транзисторов, в корпусе типа SO. Он выглядит так:

Но под рукой или у поставщиков только в корпусе DIP, таком:

Напрямую впаять их весьма непросто, из-за различий размеров и шага выводов — 2,54 мм против 1,27. Остается либо вешать микросхему на проводах, либо ставить ее на переходник. Выбрал второй вариант, поэтому была разработана печатная плата и заказана у продавца данного магазина. На днях выпала возможность попробовать переходник в работе.
Немного о заказе в этом магазине. В этом магазине я заказывал изготовление около десятка плат — платы делают отлично, все на высоте — и качество текстолита, и отверстия и лак и шелкография. За все время лишь однажды возникли непонятки по изготовлению полигона на плате, но тут скорее трудности перевода были.
Механизм заказа такой: готовите Гербер-файлы вашего проекта, я делал плату и герберы в «народной» программе радиолюбителей Sprint-Layout 6. Есть полезный сайт, на котором можно проверить, как будут выглядеть ваши Гербер файлы: Отсылаете файлы продавцу на почту и пишете партию плат. Он расценивает заказ, обычно сюда включена доставка, и присылает ответ типа такого:
OK dear,
1.Quotation (one time effective only)
It»s $25 for 50pcs PCB with Special Line Free Shipping. (Special Line is recommended, faster and safer than ePacket/China/HongKong/Singapore Post)
(2Layers FR4 1.6mm 1oz Green HASL Lead Time 3-4Day)
2.Payment
When paying, if choose 25pcs, the price changes to $25; it»s just a pay link, we will delivery 50pcs PCB for you.

В нем, в первом пункте, мы видим цену за партию, а также характеристики будущей платы. Во втором пункте он дает ссылку, перейдя по которой, мы, в моем случае, выбираем количество 25 штук. Дальше оплата как обычно.
Платы приходят обычно в коробке, сами платы в вакуумном пакете:

Получив эту партию, понял, что ошибся с обозначением, изначально планировал сделать Dip20 на SO20, но остановился на Dip16 на SO16. В Приложенных файлах все исправлено.

Вернемся к переходнику. Помимо платы нам понадобятся Соединители штыревые угловые, их обозначение PLLD1.27-40S. Это угловые штырьки с нужным нам шагом 1,27мм. Я брал линейку на 40 выводов, так дешевле, обошлась в 45р., 2 ряда по 20 выводов и отсекал нужную часть канцелярским ножом. Обязательно проверьте, как штырьки паяются, мне попались такие, которые пришлось лудить активным флюсом

Дальше все стандартно — припаиваем соединитель штыревой на контактные площадки на печатной плате. Надеваем на них нашу плату переходника. Ее можно отрезать по количеству выводов или оставить как есть, на свое усмотрение. Припаиваем соединитель к с центральными отверстиями в плате переходника. Вставляем микросхему и паяем ее, удобнее сверху, там сделана металлизация контактов. Готово.
В конечном итоге мой переходник выглядит так:

Максимальная высота готового переходника 5,3 мм.

Всем удачи в творчестве!

Введение в электронику. Микросхемы

Серия статей известного автора множества радиолюбительских публикаций  Дригалкина В.В.  для начинающих радиолюбителей

Доброго дня уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте “Радиолюбитель“

Микросхемы

Микросхема (ИС – Интегральная Схема, ИМС – Интегральная Микросхема, чип или микрочип от английского Chip, Microchip) представляет собой целое устройство, содержащее в себе транзисторы, диоды, резисторы и другие, активные и пассивные элементы, общее число которых может достигать нескольких десятков, сотен, тысяч, десятков тысяч и более. Разновидностей микросхем достаточно много. Наиболее применяемые среди них – логические, операционные усилители, специализированные.

Большая часть микросхем помещена в пластмассовый корпус прямоугольной формы с гибкими пластинчатыми выводами (см. Рис. 1), расположенными вдоль обеих сторон корпуса. Сверху на корпусе есть условный ключ — круглая или иной формы метка, от которой ведется нумерация выводов. Если на микросхему смотреть сверху, то отсчитывать выводы нужно против движения часовой стрелки, а если снизу — то в направлении движения часовой стрелки. Микросхемы могут иметь любое количество выводов.

В отечественной электронике (впрочем, в зарубежной тоже) особой популярностью среди микросхем пользуются логические, построенные на основе биполярных транзисторов и резисторов. Их еще называют ТТЛ-микросхемами (ТТЛ – Транзисторно-Транзисторная Логика). Название транзисторно-транзисторный возникло из-за того, что транзисторы используются как для выполнения логических функций, так и для усиления выходного сигнала. Весь их принцип работы построен на двух условных уровнях: низком или высоком или, что эквивалентно, состоянию логического 0 или логической 1. Так, для микросхем серии К155 за низкий уровень , соответствующий логическому 0, приняты напряжения от 0 до 0,4. В, то есть не более 0,4 В, а за высокий, соответствующий логической 1, – не менее 2,4 В и не более напряжения источника питания – 5 В, а для микросхем серии К176, рассчитанных на питание от источника, напряжением 9 В, соответственно 0,02. ..0,05 и 8,6. ..8,8 В.

Маркировка зарубежных ТТЛ-микросхем начинается с цифр 74, например 7400. Условные графические обозначения основных элементов логических микросхем показаны на Рис. 2. Там же приведены таблицы истинности, дающие представление о логике действия этих элементов.

Символом логического элемента И служит знак “&” (союз “и” в английском языке) , стоящий внутри прямоугольника (см. Рис.2). Слева — два (или больше) входных вывода, справа — один выходной вывод. Логика действия этого элемента такова: напряжение высокого уровня на выходе появится лишь тогда, когда сигналы такого же уровня будут на всех его входах. Такой же вывод можно сделать, глядя на таблицу истинности, характеризующую электрическое состояние элемента И и логическую связь между его выходным и входными сигналами. Так, например, чтобы на выходе (Вых.) элемента было напряжение высокого уровня, что соответствует единичному (1) состоянию элемента, на обоих входах (Вх. 1 и Вх. 2) должны быть напряжения такого же уровня. Во всех других случаях элемент будет в нулевом (0) состоянии, то есть на его выходе будет действовать напряжение низкого уровня.
Условный символ логического элемента ИЛИ — цифра 1 в прямоугольнике. У него, как и у элемента И, может быть два и больше входов. Сигнал на выходе, соответствующий высокому уровню (логической 1) , появляется при подаче сигнала такого же уровня на вход 1 или на вход 2 или одновременно на все входы. Проверьте эти логические взаимосвязи выходного и входного сигналов этого элемента по его таблице истинности.
Условный символ элемента НЕ — тоже цифра 1 внутри прямоугольника. Но у него один вход и один выход. Небольшой кружок, которым начинается линия связи выходного сигнала, символизирует логическое отрицание “НЕ” на выходе элемента. На языке цифровой техники “НЕ” означает, что элемент НЕ является инвертором, то есть электронным “кирпичиком”, выходной сигнал которого по уровню противоположен входному. Другими словами: пока на его входе присутствует сигнал низкого уровня, на выходе будет сигнал высокого уровня, и наоборот. Об этом говорят и логические уровни в таблице истинности работы этого элемента.
Логический элемент И-НЕ является комбинацией элементов И и НЕ, поэтому на его условном графическом обозначении есть знак “&” и небольшой кружок на линии выходного сигнала, символизирующий логическое отрицание. Выход один, а входов два и больше. Логика работы элемента такова: сигнал высокого уровня на выходе появляется лишь тогда, когда на всех входах будут сигналы низкого уровня. Если хотя бы на одном из входов будет сигнал низкого уровня, на выходе элемента И-НЕ будет сигнал высокого уровня, то есть он будет в единичном состоянии, а если на всех входах будет сигнал высокого уровня — в нулевом состоянии. Элемент И-НЕ может выполнять функцию элемента НЕ, то есть стать инвертором. Для этого надо лишь соединить вместе все его входы. Тогда при подаче на такой объединенный вход сигнала низкого уровня на выходе элемента будет сигнал высокого уровня, и наоборот. Это свойство элемента И-НЕ очень широко используется в цифровой технике.

Обозначение символов логических элементов (знаков “&” или “1”) применяется только в отечественной схемотехнике.

ТТЛ-микросхемы обеспечивают построение самых различных цифровых устройств, работающих на частотах до 80 МГц, однако их существенный недостаток – большая потребляемая мощность.
В ряде случаев, когда не нужно высокое быстродействие, а необходима минимальная потребляемая мощность, применяют КМОП-микросхемы, которые используются полевые транзисторы, а не биполярные. Сокращение КМОП (CMOS Complementary Metal-Oxide Semiconductor) расшифровывается как Комплементарный Металло-Оксидный Полупроводник. Основная особенность микросхем КМОП – ничтожное потребление тока в статическом режиме – 0,1…100 мкА. При работе на максимальной рабочей частоте потребляемая мощность увеличивается и приближается к потребляемой мощности наименее мощных микросхем ТТЛ. К КМОП-микросхемам относятся такие известные серии, как К176, К561, КР1561 и 564.

В классе аналоговых микросхем выделяют микросхемы с линейными характеристиками – линейные микросхемы, к которым относятся ОУ – Операционные Усилители. Наименование “операционный усилитель” обусловлено тем, что, прежде всего такие усилители получили применение для выполнения операций суммирования сигналов , их дифференцирования, интегрирования, инвертирования и т.д. Аналоговые микросхемы выпускают, как правило, функционально незавершенными, что открывает широкий простор для радиолюбительского творчества.

Операционные усилители имеют два входа – инвертирующий и неинвертирующий. На схеме обозначаются минусом и плюсом соответственно (см. Рис.3). Подавая сигнал на вход плюс – на выходе получается неизменный, но усиленный сигнал. Подавая его на вход минус, на выходе получается перевернутый, но тоже усиленный сигнал.

При производстве радиоэлектронной продукции использование многофункциональных специализированных микросхем, требующих минимального количества внешних компонентов, позволяет значительно сократить время разработки конечного устройства и производственные затраты. К этой категории микросхем относятся чипы, которые предназначены для чего-то определенного. Например, существуют микросхемы усилителей мощности, стереоприемников, различных декодеров. Все они могут иметь совершенно разный вид. Если одна из таких микросхем имеет металлическую часть с отверстием, это означает, что ее нужно привинчивать к
радиатору.

Со специализированными микросхемами иметь дело куда приятнее, чем с массой транзисторов и резисторов. Если раньше для сборки радиоприемника необходимо было множество деталей, то теперь можно обойтись одной микросхемой.

---

Перейти к следующей статье: Микроконтроллеры

---

---

Цифровые микросхемы серий К561, К176 » Вот схема!

Микросхемы серий К561 или К176, на примере микросхемы К561ЛА7 (или К176ЛА7, в принципе они одинаковые, различаются только некоторые электрические параметры). Микросхема содержит четыре элемента И-НЕ, это одна из наиболее часто используемых микросхем в радиолюбительской практике. Микросхема К561ЛА7 (или К176ЛА7) имеет прямоугольный пластмассовый черный, коричневый или серый корпус с 14-ю выводами, расположенными по его длинным краям. Эти выводы изогнуты в одну сторону.

На рисунках 1А, 1Б и 1В показано как производится нумерация выводов. Вы берете микросхему маркировкой к себе, при этом выводы оказываются повернуты в противоположную от вас строну. Первый вывод определяется по «ключу». «Ключ» — это выштампованная углубленная метка на корпусе микросхемы, она может быть в форме паза (рисунок 1А), в форме маленькой точки-углубления, поставленной возле первого вывода (рисунок 1Б), или в форме большой углубленной окружности (рисунок 1 В).

В любом случае отсчет выводов ведется от помеченного ключом торца корпуса микросхемы. Как отсчитываются выводы показано на этих рисунках. Если микросхему перевернуть на спину, то есть маркировкой от себя , а ногами (выводами) к себе, то положение выводов 1-7 и 8-14, естественно поменяются местами. Это понятно, но многие начинающие радиолюбители эту мелочь забывают и это приводит к неправильной распайке микросхемы, в результате чего конструкция не работает, да и микросхема может выйти из строя.

На рисунке 2 показано содержимое микросхемы (при этом микросхема изображена ногами к вам, в перевернутом виде). В микросхеме есть четыре элемента 2И-НЕ и показано как их входы и выходы подключены на выводы микросхемы. Питание подключается так: плюс — на вывод 14, а минус — на вывод 7. При этом общим проводом считается минус.

Паять выводы микросхемы нужно очень осторожно и использовать паяльник мощностью не более 25 Вт. Жало этого паяльника нужно заточить так, чтобы ширина его рабочей части была 2-3 мм. Время пайки каждого вывода не должно быть более 4 секунд. Лучше всего микросхемы для опытов разместить на специальных макетных платах.

Напомним, что цифровые микросхемы понимают только два уровня входного напряжения «0» — когда напряжение на входе около нуля питания, и «1» — когда напряжение близко к напряжению питания. Проведем эксперимент (рисунок 3) превратим элемент 2И-НЕ в элемент НЕ (для этого его входы нужно соединить вместе) и будем подавать на эти входы напряжение с переменного резистора R1 (подойдет любой на любое сопротивление от 10 кОм до 100 кОм), а на выходе подключим светодиод VD1 через резистор R2 (Светодиод может быть любой излучающий видимый свет, например АЛ307).

Затем подключим питание (не перепутайте полюса) — две последовательно соединенные «плоские» батареи по 4,5 В каждая (или одна «Крона» на 9В). Теперь поворачивая движок резистора R1 следите за светодиодом, в какой то момент светодиод будет гаснуть, а в какой то зажигаться (если светодиод не горит вообще, это значит, что вы его неправильно подпаяли, поменяйте его выводы местами и все будет нормально).

Теперь подключите вольтметр (РА1) так как показано на рисунке 3 (в качестве вольтметра можно использовать любой тестер или мультиметр, включенный на изменение постоянного напряжения). Поворачивая движок R1 заметьте при каком напряжении на входах элемента микросхемы светодиод горит, а при каком гаснет.

На рисунке 4 показана схема простого реле времени. Рассмотрим как она работает. В тот момент, когда контакты выключателя S1 замкнуты конденсатор С1 разряжен через них, и напряжение на входах элемента равно логической единице (близко к напряжению питания). Поскольку этот элемент у нас работает как НЕ (оба входа И замкнуты вместе) на его выходе при этом будет логический нуль, и светодиод гореть не будет.

Теперь размыкаем контакты S1. Конденсатор С1 начинает медленно заряжаться через резистор R1. И напряжение на этом конденсаторе будет расти, а напряжение на R1 падать. В какой то момент это напряжение достигнет уровня логического нуля и микросхема «переключится», на выходе элемента будет логическая единица — светодиод загорится.

Вы можете поэкспериментировать устанавливая на место R1 резисторы разного сопротивления, а на место С1 конденсаторы разных емкостей, и обнаружить интересную зависимость — чем больше емкость и сопротивление тем больше времени будет проходить с момента размыкания S1 до зажигания светодиода. И наоборот чем меньше емкость и сопротивление тем меньше времени проходит от размыкания 1 до зажигания светодиода.

Если резистор R1 заменить переменным можно поворачивая его движок каждый раз изменять время, которое будет отрабатывать это реле времени. Запуск этого реле времени производится кратковременным замыканием контактов S1 (можно вместо S1 просто пинцетом или проволочкой замыкать выводы С1 между собой разряжая таким образом С1.

Если места подключения резистора и конденсатора поменять (рисунок 5) схема будет работать наоборот, — при замыкании контактов S1 светодиод зажигается сразу, а гаснет через некоторое время после их размыкания. Собрав схему, показанную на рисунке 6 — мультивибратор из двух логических элементов, можно сделать простую «мигалку» — светодиод будет мигать, а частота этого мигания будет зависеть от сопротивления резистора R1 и емкости конденсатора С1.

Чем меньше будут эти величины тем быстрее будет мигать светодиод, и наоборот, чем больше — тем медленнее (если светодиод не мигает вообще — это значит, что он неправильно подключен, нужно поменять местами его выводы).

Теперь внесем изменения в схему мультивибратора (рисунок 7) — отключим вывод 2 от вывода 1 первого элемента (D1.1) и подключим вывод 2 к такой же цепи из конденсатора и резистора, как в опытах с реле времени. Теперь смотрите что будет: пока S1 замкнут напряжение на одном из входов элемента D1.1 равно нулю.

Рис.8,9,10
Но это элемент И-НЕ, а значит, что если на его один вход подан нуль, то независимо от того что происходит на его втором входе, на его выходе все равно будет единица. Эта единица поступает на оба входа элемента D1.2, и на выходе D 1.2 будет ноль. А раз так, то светодиод загорится и будет гореть постоянным светом. После размыкания S1 конденсатор С2 будет медленно заряжаться через R3 и напряжение на С2 будет расти. В какой то момент оно станет равным логической единице. В этот момент выходной уровень элемента D1.1 станет зависеть от уровня на его втором входе — выводе 1 и мультивибратор начнет работать, а светодиод станет мигать.

Если С2 и R3 поменять местами (рисунок 8) схема будет работать наоборот — вначале светодиод будет мигать, а по истечении некоторого времени после размыкания S1 он перестанет мигать и будет гореть постоянно.

Теперь перейдем в область звуковых частот — соберите схему, показанную на рисунке 9. Когда вы подключите питание в динамике будет слышен писк. Чем больше С1 и R1 тем ниже будет тон писка, а чем они меньше, тем выше тон звука. Соберите схему показанную на рисунке 10. Это готовое реле времени. Если на ручку R3 нанести шкалу, то им можно пользоваться, например при фотопечати. ВЫ замыкаете S1, установите резистором R3 нужное время, и затем размыкаете S1, После того как это время истечет динамик станет пищать. Схема работает почти также как показанная на рисунке 7.

На следующем занятии попробуем собрать несколько полезных в быту приборов на микросхемах К561ЛА7 (или К176ЛА7).

Как паять SMD микросхемы — Практическая электроника

Каждый начинающий электронщик задавался вопросом: «А как паять микросхемы, ведь расстояние между их выводами  бывает очень маленькое?» Про различные типы корпусов микросхем можно прочитать в  этой  статье. Ну а в  этой статье  я покажу, как паяю SMD микросхемы, выводы которых находятся по периметру микросхемы. У каждого электронщика свой секрет пайки таких микросхем. В этой статье я покажу свой способ.

Как отпаять микросхему

У каждой микросхемы имеется так называемый «ключ». Я его выделил в красном кружочке.

Это метка, с которой начинается нумерация выводов. В микросхемах выводы считаются против часовой стрелки. Иногда  на самой печатной плате  указано, как должна быть припаяна микросхема, а также показаны номера выводов. На фото мы видим, что краешек белого квадрата на самой печатной плате срезан, значит, микросхема должна стоять в эту сторону ключом. Но чаще все-таки не показывают. Поэтому, перед тем как отпаять микросхему, обязательно запомните как она стояла или сфотографируйте ее, благо мобильный телефон всегда под рукой.

Для начала все дорожки обильно смазываем гелевым флюсом Flux Plus.

   Готово!

Выставляем температуру фена на 330-350 градусов и начинаем «жарить» нашу микросхему спокойными круговыми движениями по периметру.

Хочу похвастаться одной штучкой. У меня она шла в комплекте сразу с паяльной станцией. Я ее называю экстрактор микросхем.

В настоящее время китайцы доработали этот инструмент, и сейчас он выглядит примерно вот так:

Вот так выглядят для него насадки

Купить можно по этой ссылке.

Как только видим, что припой начинает плавиться, беремся за край микросхемы и начинаем ее приподнимать.

Усики экстрактора микросхемы обладают очень большим пружинящим эффектом. Если мы будем поднимать микросхему какой-нибудь железякой, например, пинцетом, то у нас есть все шансы вырвать вместе с микросхемой и контактные дорожки (пятачки). Благодаря пружинящим усикам, микросхема отпаяется от платы только в тот момент, когда припой будет полностью расплавлен.

[quads id=1]

Вот и наступил этот момент.

Как запаять микросхему

С помощью паяльника и медной оплетки чистим пятачки от излишнего припоя. На мой взгляд самая лучшая медная оплетка — это Goot Wick.

Вот что у  нас получилось:

Далее берем паяльник с припоем и начинаем лудить все пятачки, чтобы на них осел припой.

Должно получиться вот так

Здесь главное не жалеть флюса и припоя. Получились своего рода холмики, на которые мы и посадим нашу новую микросхему.

Теперь нам нужно очистить все это дело от  разного рода нагара и мусора. Для этого используем ватную палочку, смоченную в Flux-Оff, либо в спирте. Подробнее про химию здесь. У нас должны быть чистенькие и красивые контактные дорожки, приготовленные под микросхему.

Напоследок все это чуточку смазываем флюсом

Ставим новую микросхему по ключу и начинаем  ее прожаривать, держа при этом фен как можно более вертикальнее, и  круговыми движениями водим его по периметру.

Напоследок  чуток еще смазываем флюсом и по периметру «приглаживаем» контакты микросхемы к  пятакам с помощью паяльника.

Думаю, это самый простой способ запайки SMD микросхем. Если же микросхема новая, то надо  будет залудить ее контакты флюсом ЛТИ-120 и припоем. Флюс ЛТИ-120 считается нейтральным флюсом, поэтому, он не будет причинять вред микросхеме.

Думаю, теперь вы знаете, как паять микросхемы правильно.

Новая статья, узнай что такое шестнадцатиричная система счисления.

Беседа 19 НА МИКРОСХЕМАХ . Юный радиолюбитель [7-изд]

До сих пор у нас шел разговор об устройстве и работе радиотехнических устройств, активными и пассивными элементами которых были дискретные элементы, т. е. подбираемые тобой транзисторы, диоды, резисторы и другие отдельные радиодетали. Соединяя их в определенном порядке, диктуемом принципиальной электрической схемой, ты конструировал разные по сложности приемники, усилители, приборы-автоматы.

Сейчас дискретные элементы все больше уступают свое место в радиотехнике и электронике, микросхемам — миниатюрным электронным блокам функционального назначения. Один такой блок, объединяющий в миниатюрном корпусе транзисторы, диоды, резисторы, может выполнять функции целого тракта радиовещательного приемника, усилителя 3Ч, генератора, преобразователя частоты, электронного автомата.

Да, юный друг, ты — современник рождения и внедрения в радиоэлектронику микросхем!

Внешний вид некоторых микросхем, с которыми тебе предстоит иметь дело в ходе этой беседы, показана на рис. 294.

Рис. 294. Внешний вид конструкций некоторых микросхем

Это микросхемы серий К118, К122 и К224. Аналогично выглядят микросхемы широкого применения многих других серий. Рядом для сравнения изображена копеечная монета, дающая представление о размерах микросхем этих серий. Масса первой из этих микросхем 1 г, второй 1,5 г, третьей 3 г.

По технологии изготовления различают микросхемы гибридные и полупроводниковые. В гибридных микросхемах токонесущие проводники, резисторы, обкладки конденсаторов представляют собой пленки определенных размеров и электрических свойств, нанесенные на диэлектрическую подложку, на которую устанавливают диоды, транзисторы (обычно кремниевые, структуры n-p-n), но без корпусов. У полупроводниковых микросхем все активные и пассивные элементы выполнены в объеме и на поверхности кристалла полупроводника.

По своему функциональному назначению микросхемы подразделяют на аналоговые (или линейно-импульсные) и логические (или цифровые). Аналоговые, а к ним относятся и микросхемы тех серий, которые я здесь уже называл, используются для усиления, генерирования, преобразования электрических колебаний, например в приемниках, магнитофонах, телевизорах. Логические же микросхемы предназначаются для электронных вычислительных машин (ЭВМ), устройств автоматики, приборов с цифровым отсчетом результатов измерений.

Вот то немногое, что в общих чертах можно сказать о микросхемах. Практика использования микросхем в тех устройствах, разговор о которых пойдет в этой беседе, поможет лучше представить их перспективность.

Начну с аналоговых микросхем.

НА АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМАХ СЕРИЙ К118 И К122

К числу наиболее простых аналоговых микросхем, уже освоенных радиолюбителями, относятся микросхемы К118УН1 и К122УН1 из серий КП8 и К122. Буква К в обозначении указывает на то, что это микросхемы широкого применения. Номер гибридной микросхемы начинается с двойки, а полупроводниковой — с единицы. Следовательно, микросхемы серий К118 и К122 полупроводниковые, широкого применения.

В обозначение микросхем входят также цифры, указывающие номера серий (например, 118, 122). Буквы У и Н характаризуют функциональное назначение микросхем — это усилители напряжения или мощности. Последняя цифра указывает порядковый номер разработки. Далее могут следовать буквенные индексы А—Д, характеризующие напряжение источника питания и усилительные свойства микросхем.

Что представляют собой микросхемы серий К118 и К222? По существу, микросхемы К118УН1 и К122УН1 являются «близнецами» и отличаются одна от другой только конструктивно.

Схема «начинки» микросхемы К118УН1 (с любым буквенным индексом), конструкция с нумерацией выводов и обозначение ее на принципиальных схемах показаны на рис. 295.

Рис. 295. Схема (а), конструкция (б) и условное обозначение (в) микросхемы K118Уh2

Как видишь, она представляет собой почти готовый двухкаскадный усилитель на кремниевых транзисторах структуры n-р-n. Связь между транзисторами микросхемы непосредственная. В эмиттерной цепи транзистора V2 имеется резистор сопротивлением 400 Ом. На нем происходит падение напряжения, которое через два соединенных последовательно резистора по 4 кОм подается на базу транзистора V1 и, действуя как напряжение смещения, открывает его. Резистор в коллекторной цепи транзистора V1 (5,7 кОм) — его нагрузка. Создающееся на нем напряжение усиленного сигнала подается непосредственно на базу транзистора V2 для дополнительного усиления. Вывод 3 является входом, а вывод 10 — выходом микросхемы.

Всего микросхема имеет 14 выводов, нумерация которых идет от специальной метки на корпусе в направлении движения часовой стрелки (смотреть снизу). Но некоторые из них, например выводы 1, 4, 6, 8 и 13, вообще не задействованы, а некоторые, в зависимости от применения микросхемы, не используются.

Приведу несколько конкретных примеров практического применений микросхемы К118УН1.

Первый пример — простой усилитель 3Ч (рис. 296), который можно использовать, например, для прослушивания грамзаписи на головные телефоны или в качестве предварительного усиления напряжения колебаний 3Ч.

Рис. 296. Усилитель на микросхеме К118УН1Б

В нем работает микросхема К118УН1Б, дающая несколько большее усиление, чем такая же микросхема, но с буквенным индексом А. Источник питания U_{и. п}, напряжением не более 6,3 В подключают к микросхеме через ее выводы 7 (плюс) и 14 (минус). Сигнал звуковой частоты, который надо усилить, подается на вход 3 микросхемы через конденсатор С1. Усиленный сигнал, снимаемый с соединенных вместе выводов 9 и 10 (с резистора внутри микросхемы сопротивлением 1,7 кОм, выполняющего роль нагрузки транзистора V2), через конденсатор С5 поступает к телефонам В1 и преобразуется ими в звук. Конденсатор С4 блокирует телефоны по наивысшим частотам звукового диапазона.

Какова роль электролитических конденсаторов С2 и С3, включенных между общим заземленным проводником цепи питания и выводами 11 и 12 микросхемы? Конденсатор С2 совместно с резистором микросхемы (4 кОм) образует развязывающий фильтр, устраняющий паразитную обратную связь между вторым и первым каскадами микросхемы через общий источник питания. Без него колебания тока, возникающие при работе транзистора второго каскада, могут проникнуть в цепь питания транзистора первого каскада, что приведет к самовозбуждению усилителя. Подобные развязывающие фильтру были во многих твоих конструкциях.

Конденсатор С3 шунтирует эмиттерный резистор транзистора второго каскада микросхемы (400 Ом) по переменному току и тем самым ослабляет отрицательную обратную связь, снижающую усиление микросхемы. С подобным включением конденсаторов ты также сталкивался при конструировании приемной и усилительной аппаратуры.

Если для усилителя использовать электролитические конденсаторы К50-6, то его детали, кроме источника питания (четыре элемента 332 или пять аккумуляторов Д-0,06) и выключателя (тумблер ТВ2-1), можно смонтировать на плате размерами не более чем 40х25 мм (рис. 296, б). Детали размещай с одной стороны платы, а соединения между ними делай с другой стороны.

Для выводов микросхемы просверли в плате два ряда отверстий диаметром 0,8–1 мм; расстояние между рядами отверстий 7,5 мм, между центрами отверстий в рядах 2,5 мм.

Телефоны В1 — высокоомные ТОН-2. Если будешь использовать телефонный капсюль ДЭМ-4М или низкоомные головные телефоны, то включай их между плюсовым проводником и выводом 10 микросхемы (не соединяя его с выводом 9). Правильно смонтированный усилитель не нуждается в подгонке режимов транзисторов. Чтобы он начал работать, надо лишь подать на него напряжение питания.

Второй пример генератор колебаний звуковой частоты (рис. 297).

Рис. 297. Схема генератора колебаний звуковой частоты

Чтобы усилитель микросхемы превратить в генератор электрических колебаний частотой 800-1000 Гц, между его выходом (соединенные вместе выводы 9 и 10) и входом (вывод 3) надо включить конденсатор С1 емкостью 2200–3000 пФ. Этот конденсатор создаст между выходом и входом микросхемы положительную обратную связь по переменному току и усилитель возбудится. При этом в головных телефонах, подключенных к выходу генератора, будет слышен звук средней тональности. Желательный тон этого звука можно устанавливать подбором емкости конденсатора С1: чем больше будет его емкость, тем ниже тон звука.

Такой генератор можно использовать как источник сигнала для проверки работоспособности усилителей 3Ч. Можно использовать его и в качестве звукового генератора для изучения телеграфной азбуки. В этом случае надо только вместо выключателя питания S1 включить телеграфный ключ, а к выходу подключить головные телефоны.

Третий пример — малогабаритный рефлексный приемник прямого усиления. Его принципиальная схема, монтажная плата и детали в развернутом виде, а также соединения деталей на плате показаны на рис. 298. Принципиально этот приемник подобен знакомому тебе приемнику 2-V-2 (см. рис. 210), только тот приемник был с фиксированной настройкой, а этот с плавной настройкой на сигналы радиовещательных станций.

Рис. 298. Принципиальная схема (а), детали в развернутом виде (б) и монтажная плата (в) рефлексного приемника на микросхеме К118УН1Б

Коротко о работе такого варианта приемника. Сигнал радиостанции, на которую настроен контур L1C1 магнитной антенны, через катушку связи L2 подается на вывод 3 микросхемы А1. С катушки L3, являющейся радиочастотной нагрузкой микросхемы, усиленный сигнал через катушку L4 поступает на диод V1, а колебания звуковой частоты, снимаемые с нагрузки R1 детектора, через конденсатор С8 и катушку L2 — на тот же входной вывод 3 микросхемы. Роль второй нагрузки выполняет резистор сопротивлением 400 Ом в эмиттерной цепи второго транзистора микросхемы. С него колебания звуковой частоты через вывод 12 и конденсатор С6 подводятся к телефону В1 и преобразуются им в звук.

Каковы функции других деталей приемника? Конденсатор С5 шунтирует источник питания U_и.п по переменному току. Конденсатор С2 совместно с резистором, имеющимся в микросхеме, образуют развязывающий фильтр. Конденсатор С3, включенный между выводом 5 и заземленным проводником, устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, снижающую усиление первого каскада микросхемы. Конденсатор С4 блокирует телефон по наивысшим частотам звукового диапазона и устраняет отрицательную обратную связь во втором каскаде усилителя радиочастоты.

Источником питания приемника служит батарея, составленная из пяти аккумуляторов Д-0,1, (можно использовать четыре элемента 322 или 316, соединенные последовательно).

Для магнитной антенны W1 используй ферритовый стержень марки 400НН или 600НН диаметром 8 и длиной 55–60 мм, а для высокочастотного трансформатора L3, L4 ферритовое кольцо диаметром 7–8 мм. Для приема радиостанций средневолнового диапазона контурная катушка L1, намотанная на бумажной гильзе, должна содержать 70–80 витков; катушка связи L2, намотанная поверх контурной катушки, 5–6 витков провода ПЭВ-1 0,12-0,15, а для приема радиостанций длинноволнового диапазона — соответственно 210–220 и 15–20 витков такого же провода. Длинноволновую контурную катушку желательно намотать четырьмя-пятью секциями по равному числу витков в каждой секции.

Катушки высокочастотного трансформатора наматывай проводом ПЭВ-1 0,1–0,12 с помощью проволочного челнока, предварительно сгладив углы ферритового кольца наждачной бумагой. Для средневолнового диапазона катушка L3 должна содержать 75–80 витков, L4 — 60–85 витков, а для длинноволнового диапазона соответственно 110–120 и 75–80 витков такого же провода.

Конденсатор переменной емкости С1 контура магнитной антенны может быть любой конструкции. Желательно, однако, чтобы он был малогабаритным, например типа КПЕ-180. Можно, разумеется, использовать и подстроечный конденсатор КПК-2 с наибольшей емкостью 100 пФ, но тогда диапазон волн, перекрываемый контуром, несколько сузится. От того, каким будет этот элемент настройки контура, зависит конструкция приемника в целом.

Телефон В1 — ушной типа ТМ-2М, ТМ-4М, телефонный капсюль ДЭМШ-4М или низкоомные головные телефоны, например ТА-56М. Конденсаторы С2, С3 и С5 — электролитические типа К50-6, С4 и С7-КЛС или МБМ.

Проверку работоспособности приемника производи в таком порядке. Сначала телефон (желательно высокоомный) подключи к нагрузочному резистору R1 детектора, а вывод отрицательной обкладки конденсатора С8 (отпаяв его от резистора R1) соедини с заземленным проводником цепи питания. Изменяя емкость конденсатора С1 и одновременно поворачивая приемник с магнитной антенной в горизонтальной плоскости, ты должен услышать те станции, которые уверенно принимаются в вашей местности. После восстановления соединения конденсатора С8 с нагрузкой детектора и включения телефона на свое место громкость радиоприема должна стать значительно больше.

Никакой подгонки режимов транзисторов микросхемы приемник не требует. Что же касается небольшого смещения границ диапазона волн, перекрываемого приемником, то это, как ты уже знаешь, можно сделать изменением положения контурной катушки L1 (вместе с катушкой L2) на ферритовом стержне.

В любом из этих устройств, о которых я здесь рассказал, можно также использовать микросхему К118УН1А или, увеличив напряжение источника питания до 12 В, микросхему К118УН1В. В первом случае уровень сигнала на выходе усилителя, генератора или приемника будет несколько слабее, а во втором — несколько сильнее. При этом никаких изменений в монтаже делать не надо.

Можно, разумеется, использовать и аналогичные им микросхемы К122УН1А-В. Но тогда нужно будет изменить участок монтажа, относящийся непосредственно к микросхеме в соответствии с ее конструкцией и расположением выводов. Микросхемы этой серии внешним видом напоминают массовые биполярные транзисторы. У них по 12 выводов, расположенных со стороны дна корпуса (рис. 299, а). Нумерация выводов идет от выступа, имеющегося на ободке металлического корпуса, в направлении движения часовой стрелки. При этом на корпус микросхемы надо смотреть снизу. Чтобы исключить ошибки при монтаже, на рис. 299, б указана нумерация выводов микросхем серии К122, а в скобках — соответствующая им нумерация выводов заменяемых микросхем серии К118.

При проведении такой замены учти: микросхемы К122УН1 с буквенными индексами А и Б рассчитаны на напряжение питания 6,3 В, а микросхемы с буквенными индексами В—Д — на напряжение 12,6 В. Значительное превышение напряжения источника питания может вывести микросхемы из строя.

Рис. 299. Цоколевка (а) и нумерация выводов (б) микросхем К122УН1А—К122УН1В

СУПЕРГЕТЕРОДИН НА МИКРОСХЕМАХ СЕРИИ К224

Характерная особенность этого варианта радиовещательного приемника — использование в нем микросхем серии К224 совместно с маломощными низкочастотными биполярными транзисторами.

Принципиальная схема супергетеродина изображена на рис. 300. Здесь же приведены схемы и нумерация выводов используемых в приемнике микросхем.

Рис. 300. Супергетеродин на микросхемах серии К224

Этот приемник, как и транзисторный супергетеродин, знакомый тебе по пятнадцатой беседе, однодиапазонный с внутренней магнитной антенной. Рассчитан на прием радиостанций средневолнового диапазона. Питается от батареи напряжением 9 В.

В приемнике, как видишь, использованы три микросхемы: К2ЖА242 (А1), К2УС248 (А2) и К2УС245 (АЗ). Первая из них, содержащая два транзисторных каскада, работает в преобразователе частоты с отдельным гетеродином, вторая — в двухкаскадном усилителе ПЧ (транзисторы второго каскада включены по так называемой каскодной схеме), третья — в пятикаскадном предварительном усилителе напряжения звуковой частоты (транзисторы первого и третьего каскадов включены по схеме эмиттерного повторителя, остальные — по схеме ОЭ). В выходном двухтактном бестрансформаторном усилителе мощности работают низкочастотные маломощные германиевые транзисторы структур n-p-n (V2) и p-n-p (V3). Выходная мощность приемника около 150 мВт, промежуточная частота 465 кГц.

Входной контур магнитной антенны W1 образуют катушка L1 и конденсаторы С1 и С2, контур гетеродина — катушка L4 и конденсаторы С3-С6. Контуры настраивают блоком КПЕ С1 и С5. Конденсатор С4 контура гетеродина — сопрягающий: он обеспечивает разность частот гетеродинного и входного контуров, равную промежуточной частоте приемника. Подстроечными конденсаторами С2 и С6 осуществляют сопряжение настроек контуров на высокочастотном конце диапазона, перекрываемого приемником. Конденсатор С3 — блокировочный. Его емкость во много раз больше емкости последовательно соединенных конденсаторов С4 и С5, поэтому он практически не влияет на частоту контура гетеродина, а лишь предотвращает замыкание постоянной составляющей тока транзистора этого каскада на заземленный проводник приемника.

Питание на электроды транзисторов микросхемы А1 подается: на коллектор транзистора смесительного каскада — через катушку L5 высокочастотного трансформатора L5L6 и вывод 4, на базу этого транзистора — с делителя напряжения R1, R2 через вывод 2 микросхемы; на коллектор транзистора гетеродина — через резистор R6, катушку L4, резистор R3 и вывод 9, а на его базу — через резистор R5 и вывод 8. Нижняя (по схеме) секция катушки L4, соединенная через резистор R4 и внутренний конденсатор микросхемы с эмиттером транзистора гетеродина, выполняет роль катушки обратной связи.

Принятый сигнал радиостанции через катушку связи L2, индуктивно связанную с катушкой L1 контура магнитной антенной, поступает на вывод 1 микросхемы. Сюда же, через ту же катушку связи, подается и сигнал гетеродина. В результате смешения сигналов радиостанции и гетеродина в выходной цепи микросхемы (вывод 4 — катушка L5) создаются колебания промежуточной частоты 465 кГц. Контуры L6С7 и L7С9, настроенные на эту частоту, образуют полосовой фильтр промежуточной частоты. Первый контур через катушку L5 связан с преобразователем частоты, второй — через катушку L8 и конденсатор С11 со входом 2 микросхемы А2. С контура L9C15, включенного в выходную цепь этой микросхемы (выводы 7 и 8), усиленный сигнал промежуточной частоты через катушку связи L10 подается на диод V1 для детектирования.

Питание на транзисторы микросхемы А2 подается через развязывающий фильтр R7C13. Конденсаторы С12 и С14 совместно с внутренними резисторами этой микросхемы образуют дополнительные развязывающие фильтры, предотвращающие самовозбуждение усилителя ПЧ.

Нагрузкой детектора служит переменный резистор R10, выполняющий одновременно и роль регулятора громкости. Колебания звуковой частоты, снимаемые с его движка, через конденсатор С19 поступают на вход (вывод 2) микросхемы А3. С вывода 1 сигнал 3Ч, усиленный первым каскадом этой микросхемы, через электролитический конденсатор С21 поступает на вход (вывод 5) второго каскада. Усиленный этим каскадом сигнал с вывода 9 подается в базовую цепь транзисторов V2 и V3 усилителя мощности, нагруженного (через конденсатор С25) на динамическую головку В1.

Резисторы R11 и R12 образуют делитель, с которого на базу первого транзистора микросхемы А3 подается положительное напряжение смещения, а резистор R13 с конденсатором С20 — ячейку развязывающего фильтра. Напряжение питания на вывод 3 микросхемы А3 снимается со средней точки эмиттеров транзисторов V2 и V3 (точка симметрии). Одновременно по этой цепи с выхода усилителя мощности на вход микросхемы подается сигнал отрицательной обратной связи, улучшающий частотную характеристику усилителя 3Ч.

Глубину отрицательной обратной связи регулируют подбором резистора R14. Конденсатор С24 создает цепь отрицательной обратной связи для высших частот усиливаемого сигнала. Подбором емкости этого конденсатора можно регулировать тембр звука. Резистор R15 создает на базах транзисторов V2 и V3 (относительно эмиттеров) небольшое напряжение смещения, устраняющее искажения типа «ступенька» при слабом входном сигнале. Конденсатор С16, шунтирующий источник питания по переменному току, улучшает условия работы приемника при частично разрядившейся батарее. Резистор R8 и конденсатор С10 образуют развязывающий фильтр, предотвращающий паразитную связь между усилителями 3Ч и РЧ приемника через общий источник питания.

Указанные на принципиальной схеме напряжения на некоторых участках цепей приемника измерены относительно заземленного проводника цепи питания вольтметром с относительным входным сопротивлением 10 кОм/В при напряжении батареи, равном 9 В.

Все детали приемника, кроме динамической головки, можно смонтировать на одной общей печатной пласте с внешними размерами 130х80 мм, выполненной из фольгированного стеклотекстолита или гетинакса толщиной 2 мм. Головку В1 типа 0.5ГД-21, определяющую размеры приемника, крепят непосредственно к лицевой стенке корпуса.

Внешний вид такой монтажной платы (со стороны деталей), разметка печатной платы (со стороны печатных проводников) и схема соединений деталей на ней показаны на рис. 301.

Рис. 301. Монтаж деталей, разметка токонесущих проводников печатной платы и схема соединений на ней

Конденсаторы С1, С5 и С2, С6 — блок КПЕ-3 транзисторного приемника «Алмаз». Можно также использовать аналогичные блоки КПЕ, от приемников «Сокол», «Старт-2», «Космонавт». Катушки L5-L10 усилителя ПЧ-трансформаторы фильтров промежуточной частоты транзисторного приемника «Соната». Их намоточные данные: L6, L7 и L9 — по 99 витков провода ЛЭ5х0,06. Катушки намотаны тремя секциями (по 33 витка в каждой) на унифицированных каркасах, помещенных в чашки из феррита марки 600НН диаметром 8,6 мм. Катушки L5, L8, L10 содержат по 30 витков (три секции по 10 витков), намотанных проводом ПЭЛШО 0,1 поверх соответствующих им контурных катушек L6, L7 и L9.

Вообще же можно использовать трансформаторы промежуточной частоты от любого другого промышленного малогабаритного транзисторного супергетеродина. Надо только в контуры включить конденсаторы С7, С9, С15 соответствующих емкостей. В контуры промежуточной частоты приемника «Сокол-2», например, катушки которых содержат меньше витков, чем катушки контуров приемника «Соната», надо включить конденсаторы емкостью по 1000 пФ.

Гетеродинная катушка L4 намотана на таком же каркасе, что и катушки контуров промежуточной частоты, и содержит 100 витков провода ПЭВ-1 0,1. Отвод сделан от 15-го витка, считая от нижнего (по схеме) вывода. Катушка L3 имеет четыре витка такого же провода.

Катушки L1 и L2 намотаны на отдельных каркасах, размещенных на стержне из феррита марки 400НН диаметром 8 и длиной 120 мм. Катушка L1 содержит 75 витков, L2 — 8 витков провода ПЭВ-1 0,12. Ферритовый стержень укреплен на плате нитками, под концы стержня подложены амортизирующие резинки. Все электролитические конденсаторы типа К50-6, неэлектролитические конденсаторы постоянной емкости — КТ, КЛС; резисторы МЛТ-0,25 или МЛТ-0,5; переменный резистор R10, объединенный с выключателем питания S1, СПЗ-3б.

Статический коэффициент передачи тока транзисторов V2 и V3 должен быть не менее 40. Транзисторы желательно подобрать с возможно близкими параметрами h_21Эи I_КБО.

Микросхемы серии К224 имеют по девять гибких выводов шириной 0,5 и длиной 7 мм, расположенных на расстоянии 2,5 мм. Выводы надо осторожно изогнуть, пропустить через отверстия, просверленные в плате в шахматном порядке, и снизу припаять к токонесущим проводникам платы. Расстояние между рядами отверстий может быть 4–5 мм, между центрами отверстий в рядах 5 мм. Неиспользуемые выводы (например, выводы 4 и 5 микросхем А1 и А2) можно отогнуть в сторону и отверстий для них не сверлить.

Источником питания может быть батарея «Крона» или аккумуляторная батарея 7Д-0,1. Можно, конечно, питать приемник и от двух соединенных последовательно батарей 3336Л, но в этом случае придется значительно увеличить габаритные размеры корпуса приемника.

В твоем распоряжении может не оказаться именно тех деталей, под которые рассчитана печатая плата приемника. Поэтому подобранные и проверенные детали размести в рекомендуемом порядке на листе бумаги и с учетом их конструкций и габаритных размеров произведи соответствующую корректировку печатных проводников платы. Если нет фольгированного материала, соединения деталей на плате, изготовленной из листового гетинакса или текстолита такой же толщины, делай отрезками монтажного провода.

При любом виде монтажа особое внимание уделяй правильности соединения выводов микросхем и транзисторов с другими деталями и полярности включения электролитических конденсаторов. Испытать и предварительно наладить приемник желательно на макетной панели, что избавит тебя от лишних перепаек, смен деталей, причем делать это можно раздельно, по трактам.

Убедившись в том, что в монтаже ошибок нет, к контактам выключателя питания присоедини миллиамперметр и таким образом измерь общий ток, потребляемый приемником от батареи. Он не должен быть больше 15–20 мА. Ток коллекторной цепи транзисторов V2 и V3, соответствующий 5–6 мА, устанавливай подбором резистора R15, а напряжение 4–4,5 В в точке симметрии выходного каскада — подбором сопротивления резистора R11. При замене резистора R15 источник питания обязательно должен быть выключен, иначе может произойти тепловой пробой транзисторов выходного каскада.

Проверить работу усилителя 3Ч приемника можно с помощью генератора звуковой частоты или путем воспроизведения грамзаписи. Выход генератора звуковой частоты или звукосниматель присоединяй к крайним выводам резистора R10, предварительно отключив от него резистор R9 и конденсатор С18.

При подаче сигнала генератора или при проигрывании грампластинки звук в динамической головке должен быть достаточно громким, неискаженным и плавно изменяться при вращении регулировочного диска переменного резистора R10. Если при слабом входном сигнале появляются заметные на слух искажения, устраняй их увеличением сопротивления резистора R15.

Микросхема А2 подгонки режимов работы ее транзисторов не требует. Надо только проверить, подается ли напряжение (около 6,5 В) на ее вывод 6. Напряжение на выводе 2 микросхемы А1, равное 3–3,2 В, устанавливай подбором сопротивления резистора R1. Затем резистор R5 в базовой цепи транзистора гетеродина замени переменным резистором на 100–150 кОм и постепенно уменьшай его сопротивление до появления в головке (или головных телефонах, подключенных к резистору R10) звука, напоминающего щелчок. Этот звук — признак порога возбуждения гетеродина. Сопротивление резистора R5 должно быть на 15–20 кОм меньше сопротивления введенной части временно включенного вместо него переменного резистора. Дополнительно генерацию гетеродина можно проверить с помощью миллиамперметра, включив его между резистором R6 и плюсовым проводником источника питания. При замыкании выводов катушки L4 контура гетеродина, когда генерация срывается, миллиамперметр должен показывать возрастающий ток.

После этого приемник настрой на какую-либо радиостанцию и подстройкой контуров промежуточной частоты, начиная с контура L9C15, добейся наибольшей громкости приема этой станции.

Сопряжение гетеродинного и входного контуров делай, как об этом я рассказывал применительно к транзисторному варианту супергетеродина. Роторы блока конденсаторов C1, С5 установи в положение, близкое к их максимальной емкости, и только подстроечным сердечником гетеродинной катушки L4 настраивай приемник на одну из радиостанций низкочастотного участка диапазона. Затем, не изменяя положения роторов блока КПЕ, перемещением только катушки L1 по ферритовому стержню добейся наибольшей громкости приема той же станции. После этого роторы блока КПЕ установи в положение, близкое к минимальной емкости, подстроечным конденсатором С6 гетеродинного контура настрой приемник на одну из станций высокочастотного участка диапазона, а затем подстроечным конденсатором С2 контура магнитной антенны добивайся наибольшей громкости приема этой же станции.

Остается укрепить динамическую головку и монтажную плату с батареей питания в корпусе, конструкцию которого ты, надеюсь, сумеешь разработать сам.

УСИЛИТЕЛЬ 3Ч НА ОДНОЙ МИКРОСХЕМЕ

Микросхема К177УН7 серии К174, на базе которой можно смонтировать законченный усилитель 3Ч для монофонического электрофона или тракт звуковой частоты радиовещательного приемника, предназначена для телевизионных приемников. В ее монокристалле кремния, заключенном в пластмассовый корпус размерами 21,5х6,8х4 мм, работает 16 транзисторов разных структур, 5 диодов и 16 резисторов, которые вместе с внешними деталями, подключаемыми к микросхеме при монтаже, образуют несколько каскадов предварительного усиления сигнала и двухтактный усилитель мощности. Транзисторы каскада усиления мощности имеют тепловой контакт с металлической пластиной, выступающей из корпуса.

Она выполняет функцию небольшого радиатора, отводящего тепло от транзисторов. При необходимости более эффективного охлаждения транзисторов выходного каскада к выступающим частям пластины привертывают дополнительную пластину, изогнутую в виде перевернутой буквы «П» с вырезом по корпусу. Дополнительный радиатор не должен касаться выводов микросхемы.

Внешний вид этой микросхемы и принципиальная схема усилителя 3Ч, который на ее базе можно построить, показаны на рис. 302, а. Сигнал от звукоснимателя ЭПУ или с выхода детекторного каскада радиовещательного приемника подается через разъем X1 на переменный резистор R1, выполняющий функцию регулятора громкости, а с его движка — на вход (вывод 8) микросхемы А1. С выхода микросхемы (вывод 12) сигнал звуковой частоты, усиленный всеми ее каскадами, поступает через конденсатор С8 к динамической головке В1 и преобразуется ею в звук.

При напряжении источника питания 12 В выходная мощность усилителя составляет 2–2,5 Вт. В отсутствие входного сигнала потребляемый ток не превышает 20 мА, а при наиболее сильных сигналах он увеличивается до 200–250 мА. Источником питания может служить батарея, составленная из восьми элементов 343 или 373, или выпрямитель со стабилизатором выходного напряжения.

Напряжение питания на микросхему подается через выводы 1 и 10. Через резистор R2 на базу р-n-р транзистора первого каскада микросхемы подается открывающее его отрицательное напряжение смещения. Конденсатор С2 совместно с несколькими элементами микросхемы образуют фильтр, через который питаются транзисторы первых каскадов усилителя. Конденсатор С3 и резистор R3 входят в цепь отрицательной обратной связи, улучшающей частотную характеристику усилителя.

Конденсатор С5 и резистор R4 — элементы «вольтодобавки», позволяющей более полно использовать по мощности выходные транзисторы микросхемы. Конденсаторы С4 и С6 и пеночка R5, С7 служат для коррекции усилителя по высшим частотам звукового диапазона. Конденсатор С9 шунтирует батарею питания по переменному току.

Таково, коротко, назначение внешних деталей, обусловливающих работу, микросхемы К174УН7 в режиме усиления колебаний звуковой частоты.

Микросхему вместе с дополнительными деталями можно смонтировать на плате размерами 65х50 мм (рис. 302, б).

Рис. 302. Усилитель 3Ч на микросхеме К174УН7

Монтаж может быть как печатным, так и навесным. При навесном монтаже его опорными точками могут служить пустотелые заклепки или отрезки медного луженого провода, запрессованные в отверстиях, просверленных в плате. Детали, в том числе и саму микросхему, размещай с одной стороны платы, а соединения между их выводами делай с другой стороны (на рис. 302, б вид на плату показан со стороны токонесущих проводников). Выводы 2, 3 и 11 микросхемы не используются, поэтому их можно осторожно отогнуть в сторону и не пропускать через отверстия в плате.

Переменный резистор R1 с выключателем мигания S1, находящийся за пределами платы, может быть любого типа (ТК, СП-3), постоянные резисторы —. MЛT. Все электролитические конденсаторы типа К50-6, остальные конденсаторы — МБМ, БМ-2, КЛС. Динамическая головка В1 мощностью 2–3 Вт, например 2ГД-28, 3ГД-38 со звуковой катушкой сопротивлением 4,5–6,5 Ом.

Если конденсаторы и резисторы предварительно проверены и ошибок в монтаже нет, усилитель никакого налаживания не требует: он начинает работать сразу же после включения питания. Признаком его работоспособности может служить громкий звук (фон переменного тока), появляющийся в головке при касании верхнего (по схеме) контактного, гнезда входного разъема X1 и изменяющегося по силе при вращении ручки переменного резистора R1.

Усилитель можно питать от источника питания напряжением 9 В, например при совместной работе с радиочастотным трактом приемника прямого усиления или супергетеродина. Но тогда его выходная мощность составит 1–1,5 Вт. При напряжении же источника питания 15 В, на которое и рассчитана микросхема К174УН7, выходная мощность усилителя увеличится до 4…4,5 Вт. Но в этом случае микросхема должна иметь дополнительный теплоотводящий радиатор.

НА ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТАХ

Логические микросхемы предназначаются главным образом для аппаратуры обработки логических сигналов и цифровой информации в вычислительной технике, например в ЭВМ, электронной автоматике. Отсюда и название микросхем этого класса: логические или цифровые. К ним относятся различные генераторы, триггеры, счетчики импульсов, делители частоты, шифраторы и дешифраторы, запоминающие устройства и многие другие микросхемы функционального назначения. Но в этой части беседы я познакомлю тебя лишь с наиболее простыми логическими микросхемами, на базе которых можно выполнить различные электронные устройства.

У радиолюбителей, интересующихся цифровой техникой, наибольшей популярностью пользуются микросхемы серии К155, являющиеся основой для построения современных ЭВМ. Составной частью многих из них, и не только микросхем этой серии, служит логический элемент И-НЕ, графическое изображение которого ты видишь на рис. 303, а. Его условным символом является знак «&» внутри прямоугольника (заменяющий союз «И»).

У такого логического элемента может быть два и больше входов, обозначаемых слева, и один выход — справа. Небольшой кружок, которым начинается выходная линия связи, символизирует логическое отрицание «НЕ» на выходе элемента. На языке цифровой техники «НЕ» означает, что логический элемент И-НЕ является инвертором, т. е. электронным устройством, уровень выходного сигнала которого противоположен входному.

Рис. 303. Логический элемент 2И-НЕ (а) и микросхема 155ЛАЗ (б)

Электрическое состояние логического элемента И-НЕ характеризуют электрическими сигналами на его входах и выходе. В соответствии с двоичной системой счисления, принятой в цифровой технике, сигнал небольшого (или нулевого) уровня, напряжение которого не превышает 0,3–0,4 В, называют логическим нулем (0), а сигнал более высокого уровня (по сравнению с логическим 0), уровень которого может быть 2,5–3,5 В — логической единицей (1). Если, например, говорят, что на выходе элемента логическая 1 (на входе, следовательно, логический 0), это значит, что в данном случае на выходе элемента действует сигнал, напряжение которого соответствует уровню логической 1.

Действие такого элемента как инвертора можно сравнить с работой кремниевого n-р-n транзистора в режиме переключения. Если его базу соединить с эмиттером или подавать на нее положительное напряжение смещения, не превышающее 0,3–0,4 В, транзистор будет находиться в открытом состоянии и напряжение на его коллекторе будет близко к напряжению питания. При таком состоянии транзистора входное напряжение низкого уровня можно принять за логический 0, а выходное напряжение более высокого уровня — за логическую 1. Если затем на базу подать такое положительное напряжение смещения, при котором транзистор откроется, то напряжение на его коллекторе упадет почти до нуля. Такое состояние транзистора будет в нашем примере соответствовать выходному напряжению низкого уровня и входному высокого уровня. При подаче на базу пульсирующего напряжения транзистор с частотой и полярностью следования импульсов будет переключаться из открытого состояния в закрытое и, наоборот, из закрытого состояния в открытое, имитируя работу инвертора.

Но у элемента 2И-НЕ (рис. 303, а), с которого я начал знакомить тебя с логическими микросхемами, два входа. Поэтому и принцип его действия несколько отличается от свойств одного транзистора, работающего в режиме переключения. Сущность действия такого элемента заключается в том, что при подаче на один из его входов напряжения низкого уровня, а на второй вход напряжения высокого уровня, на выходе появляется напряжение высокого уровня, которое исчезает при подаче на оба входа сигналов, соответствующих напряжению высокого уровня. В этом и заключается логика элемента 2И-НЕ.

Если все входы такого элемента соединить вместе, т. е. сделать его одновходовым, он будет работать как инвертор. Напряжение на входе логического элемента, при котором он переходит из одного устойчивого состояния в другое, т. е. переключается из открытого состояния в закрытое, называют пороговым.

Для микросхем серии К155 пороговое напряжение составляет примерно 1,15 В.

Для твоих опытных конструкций потребуется, прежде всего, микросхема K155ЛA3, условное обозначение которой показано на рис. 303, б. Конструктивно она выглядит так же, как микросхемы серии К118, но в ее корпусе четыре логических элемента 2И-НЕ. Каждый из них имеет свои входы и выход и работает как самостоятельный элемент. Источник постоянного тока напряжением не более 5 В, питающий все элементы микросхемы, подключают к ее выводам 7 (—5 В) и 14 (+5 В). Но эти выводы не принято указывать на условных изображениях цифровых микросхем, потому что на принципиальных электрических схемах тех или иных устройств элементы, составляющие микросхемы, в подавляющем большинстве случаев чертят раздельно.

Схема первого опытного устройства на цифровой микросхеме, которую я предлагаю тебе для закрепления в памяти принципа работы логического элемента 2И-НЕ, показана на рис. 304. Из четырех элементов микросхемы K455ЛA3 в нем работают только два (любых) а два других не используются.

В целом это устройство представляет собой генератор световых импульсов, который можно использовать, например, для модели маяка.

Рис. 304. Схема генератора световых импульсов с использованием логических элементов 2И-НЕ

Элементы D1.1 и D1.2, включенные инверторами, соединены между собой последовательно, образуя как бы двухкаскадный транзисторный усилитель с непосредственной связью. Конденсатор С1, включенный между выходом элемента D1.2 и входом элемента D1.1, создает между выходом и входом такого усилителя положительную обратную связь, благодаря которой он возбуждается, начинает генерировать электрические колебания.

Догадываешься, что представляет собой эта часть электронного устройства? Совершенно верно: мультивибратор, генерирующий импульсы напряжения, близкие по форме к прямоугольным.

Частота импульсов зависит от емкости конденсатора С1 и сопротивления резистора R1. При емкости конденсатора С1, указанной на схеме, только переменным резистором R1 частоту импульсов можно изменять примерно от 60 до 120 в 1 мин (1–2 Гц). С вывода 6 элемента D1.2, являющегося выходом мультивибратора, скачкообразно изменяющееся напряжение подается на базу транзистора V1 и управляет его работой. В те моменты времени, когда на выводе 6 этого элемента напряжение низкого уровня, транзистор V1 закрыт. Когда же на этом выводе напряжение высокого уровня, транзистор открывается и лампочка Н1 в его коллекторной цепи загорается. Таким образом, транзистор, управляемый перепадами напряжения на выходе элемента D1.2, работает в режиме переключения, а частота световых вспышек лампочки определяется частотой импульсов, генерируемых мультивибратором.

Все детали генератора световых импульсов, кроме источника питания, можно смонтировать на картонной плате размерами примерно 40х60 мм. Микросхему D1, электролитический конденсатор С1 (типа К50-6), транзистор V1, лампочку накаливания Н1 (МН2,5–0,068) и резисторы размещай с одной стороны платы, а соединения между ними делай с другой стороны. Выводы микросхемы пропусти через проколы в плате до упора корпуса, отогни немного в стороны и туг же пронумеруй, чтобы исключить ошибки в соединении ее элементов.

Источником питания может быть сетевой блок питания, батарея 3336Л или батарея, составленная из трех элементов 332. Проводник положительного полюса источника тока (желательно в изоляции красного цвета) подключай к выводу 14, а проводник отрицательного полюса — к выводу 7 микросхемы.

Прежде чем включить питание, движок резистора R1 поставь в положение наибольшего введенного сопротивления (по схеме — в крайнее правое), а между общим заземленным проводником и выходом мультивибратора (вывод 6 элемента D1.2) включи вольтметр постоянного тока. Если ошибок в монтаже нет, то после включения питания стрелка вольтметра должна периодически, с частотой мультивибратора, отклоняться от нулевой отметки шкалы и с такой же частотой вспыхивать лампочка в коллекторной цепи транзистора.

Попробуй уменьшать введенное сопротивление переменного резистора R1 — частота колебаний стрелки вольтметра и вспышек лампочки накаливания должна плавно увеличиваться.

Подключи параллельно конденсатору С1 второй конденсатор такой же или большей емкости. Что изменилось? Частота световых вспышек, регулируемая резистором R1, уменьшилась примерно вдвое. Емкость этого конденсатора можно уменьшить примерно до 100 мкФ. Но тогда при минимальном сопротивлении резистора R1 частота импульсов, генерируемых мультивибратором, будет столь значительной, что стрелка вольтметра и нить накала лампочки из-за инерционности уже не смогут на них реагировать. На такую частоту будут реагировать только головные телефоны, подключенные к выходу мультивибратора.

Такой генератор ты можешь также использовать в качестве «мигалки» — указателя поворотов при езде на велосипеде. В этом случае резистор R1 может быть постоянным, но подобранным такого номинала, чтобы лампочка вспыхивала не более 50–60 раз в 1 мин. Источник питания — батарея 3336Л. Для коммутации цепей питания используй трехпозиционный двухсекционный тумблер со средним нейтральным положением. В среднем положении ручки тумблера генератор и лампочки накаливания, находящиеся слева и справа от сидения велосипеда, обесточены. В левом положении ручки тумблера будут включаться одновременно сам генератор и левая лампочка, а при правом положении ручки тумблера тоже генератор и правая лампочка указателя поворотов. Составить схему такой коммутации цепей питания ты, надеюсь, сможешь и без моей помощи.

Схему еще одного устройства на микросхеме К155ЛАЗ, в котором работают все составляющие ее элементы 2И-НЕ, ты видишь на рис. 305. Это тоже генератор, но он низкочастотный.

Рис. 305. Схема генератора колебаний звуковой частоты

Сам генератор образуют последовательно соединенные элементы D1.1, D1.2 и D1.3. Конденсатор С1 создает между выходом второго элемента и входом первого элемента положительную обратную связь, обеспечивающую автоколебательный процесс, а резистор R1 стабилизирует режим возбуждения генератора.

Работает устройство следующим образом. Сразу после включения питания (выключателем S1) конденсатор С1 начинает заряжаться через резистор R1. Предположим, что в этот момент времени на выходе элемента D1.2 будет напряжение высокого уровня (около 4 В), тогда на выходе элемента D1.3 будет напряжение низкого уровня (примерно 0,4 В). Как только напряжение на левой (по схеме) обкладке конденсатора С1, а значит, и на входе элемента D1.1 станет ниже порогового (1,2–2,3 В), состояние всех элементов изменится на обратное. Теперь конденсатор С1 начинает разряжаться через резистор R1 и элемент D1.3, а затем, когда элементы переключатся в первоначальное состояние, будет вновь заряжаться и т. д. В результате на выводе 6 элемента D1.2, являющегося выходом генератора, будут непрерывно, пока включено питание, формироваться импульсы напряжения прямоугольной формы. Точно такие же импульсы, но сдвинутые по фазе на 180°, будут и на выводе 11 элемента D1.4, выполняющего функцию инвертора.

С выхода элемента D1.4 сигнал генератора подается на переменный резистор R2, а с его движка на вход усилителя 3Ч, работу которого надо проверить. Этот резистор, таким образом, выполняет роль регулятора уровня выходного сигнала генератора.

Частоту генерируемых импульсов плавно регулируют переменным резистором R1. С уменьшением его сопротивления частота генератора повышается, а с увеличением, наоборот, снижается. При емкости конденсатора С1, равной 0,5 мкФ, наибольшая частота генератора составляет 4–5 кГц, а наименьшая примерно 500 Гц.

Смонтировать и проверить работоспособность генератора можно на той же картонной плате, на которой ты монтировал первый генератор, с использованием той же микросхемы. Конденсатор С1 — МБМ или БМ, резисторы R1 и R2 любых типов. Источником питания может быть выпрямитель с выходным напряжением 5 В или батарея 3336Л.

Тщательно проверь все соединения по принципиальной схеме. Если ошибок в монтаже нет, то подключи к выходу генератора головные телефоны и включи питание — в телефонах услышишь звук, тональность которого можно изменять переменным резистором R1, а громкость — переменным резистором R2.

Определенный практический интерес представляет двух тональный генератор который можно использовать, например, в качестве квартирного звонка. Такой звуковой автомат (рис. 306) состоит из трех генераторов, включаемых вызывной кнопкой S1. В первом из них работают элементы D1.1, D1.2 и D1.4, во втором — D1.3, D2.1 и D2.2, в третьем — D2.3, D2.4 и D2.2. Элемент D2.2, таким образом, является общим для второго и третьего генераторов, которые, в свою очередь, управляются первым генератором.

Рис. 306. Схема двухтональной сирены

Принцип работы всех генераторов аналогичен действию предыдущих, но частота пульсаций первого генератора составляет 0,7–0,8 Гц, частота второго около 600 Гц, третьего примерно 1000 Гц. Частота импульсов первого генератора, выполняющего функцию электронного переключателя, определяется в основном емкостью конденсатора С1, а частоты второго и третьего генераторов, являющихся тональными, емкостями соответствующих им конденсаторов С2 и С3 и резисторов R2 и R3. Когда нажата вызывная кнопка S1 и, следовательно, подано напряжение питания на микросхемы, импульсы переключающего генератора включают (со сдвигом фазы на 180°) тональные генераторы. При этом на выводе 6 элемента D2.2 периодически, с частотой переключающего генератора, появляются колебания то второго, то третьего тональных генераторов. Эти колебания усиливаются транзистором V1 и динамической головкой В1 преобразуются в как бы переливающийся и изменяющий свою тональность звук. Резистор R4 ограничивает ток базы транзистора V1.

Детали звонка можно печатным или навесным методом смонтировать на плате размерами 65х30 мм (рис. 307) и вместе с источником питания (четыре аккумулятора Д-0,1 или батарея 3336Л) разместить в пластмассовой коробке.

Рис. 307. Монтажная плата двухтональной сирены

Все электролитические конденсаторы типа К50-6. Конденсатор С3 составлен из двух, соединенных последовательно конденсаторов емкостью по 1 мкФ, но он может быть бумажным емкостью 0,5 или 0,47 мкФ. Резисторы — MЛT. Динамическая головка мощностью 0,1–0,5 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 8-10 Ом.

Если детали исправны и нет ошибок в монтаже, звонок начинает работать сразу же после нажатия вызывной кнопки, включающей питание. Установить желательную тональность звучания можно подбором конденсаторов и резисторов тональных генераторов. Чтобы при подборе этих деталей удлинить интервалы времени включения тональных генераторов, параллельно конденсатору С1 переключающего генератора можно подключить конденсатор емкостью в несколько тысяч микрофарад.

Если двухтональный генератор будет использоваться в электронных играх или игрушках с длительной подачей звуковых сигналов, то транзистор КТ315 усилителя мощности следует заменитъ кремниевым n-р-n транзистором средней мощности, например КТ603 или КТ608 с любым буквенным индексом.

Во всех устройствах, о которых я рассказал тебе в этой части беседы, микросхему К155ЛА3 можно заменить микросхемой К133ЛА3 из серии К133 или К158ЛА3 из серии К158. При этом никаких изменений в схеме делать не надо, так как эти микросхемы как и К155ЛА3, содержат по четыре элемента 2И-НЕ с таким же расположением выводов.

МИНИАТЮРНЫЙ ПРИЕМНИК

В заключение хочу рассказать еще об одном способе использования логических элементов, правда, несколько необычном для них. Дело в том, что элементы некоторых цифровых микросхем при охвате их глубокими отрицательными обратными связями могут работать как усилители сигналов, например микросхема К176ЛЕ5 из серии К176, на базе которой можно собрать миниатюрный приемник прямого усиления.

Принципиальная схема такого приемника, разработанного радиолюбителями В. Смирновым и В. Стрюновым из г. Андропов Ярославской области, приведена на рис. 308.

Рис. 308. Схема приемника прямого усиления на логической микросхеме

Используемая в нем микросхема К176ЛЕ5 содержит четыре самостоятельных элемента 2ИЛИ-НЕ (обозначают символом 1 внутри прямоугольника), в которых работают полевые транзисторы. Корпус этой микросхемы такой же, как у микросхем серии К155.

Приемник рассчитан на прием программ одной местной или отдаленной мощной радиовещательной станции, работающей в диапазоне СВ или ДВ. Его колебательный контур образуют катушка L1 магнитной антенны W1 и подстроечный конденсатор С1. Сигнал радиостанции, на частоту которой контур настроен, усиливается элементом D1.1.

Резистор R1 создает между выходом и входом элемента отрицательную обратную связь по постоянному напряжению, обеспечивая ему работу в режиме усиления. Конденсатор С2 устраняет отрицательную обратную связь по переменному напряжению, снижающую усиление радиочастотного каскада.

С вывода 3 элемента D1.1 усиленный сигнал поступает через конденсатор С3 на детектор, диоды V1 и V2 которого включены по схеме удвоения напряжения выходного сигнала. С резистора R2, являющегося нагрузкой детектора, сигнал звуковой частоты подается через конденсатор С5 на вход трехкаскадного усилителя 3Ч на элементах D1.2-D1.4 и далее телефоном В1 преобразуется в звук.

В каскад на элементе D1.2 введена отрицательная обратная связь по постоянному напряжению, создаваемая резисторами R4 и R3, благодаря чему на выходе этого элемента устанавливается напряжение, равное половине напряжения источника питания. Это напряжение достаточно стабильно, поэтому подобные цепочки резисторов в последующие каскады усилителя 3Ч приемника не введены. Обратная связь по переменному напряжению устраняется конденсатором С6. Конденсаторы С8 и С9, шунтирующие источник питания по высшим и низшим частотам, предотвращают возбуждение приемника из-за возможных паразитных связей между каскадами через общий источник питания.

Печатная плата приемника, выполненная из фольгированного материала, и соединения деталей на ней показаны на рис. 309.

Рис. 309. Плата приемника

Все резисторы типа МЛТ. Подстроенный конденсатор С1 — КПК-М, электролитические конденсаторы С6, С7 и С9 — К50-6, остальные конденсаторы любые малогабаритные. Источником питания может быть батарея «Крона» или аккумуляторная батарея 7Д-0.1.

Для магнитной антенны потребуется отрезок ферритового стержня марки 400НН или 600НН диаметром 8 мм и такой длины, чтобы он вместе с платой и источником питания уместился в подходящем корпусе приемника. В зависимости от длины стержня, контурная катушка L1, рассчитанная на прием радиостанции, работающей в наиболее длинноволновом участке диапазона ДВ, может содержать до 800–900 витков провода ПЭВ-1 0,07-0,1. Для уменьшения внутренней емкости катушки наматывают ее 5–7 секциями по равному числу витков в каждой, располагая секции по всей длине ферритового стержня.

Для диапазона СВ число витков контурной катушки может быть 200–300. Но учти: на частотах более 1 МГц (длина волны 300 м) чувствительность приемника сильно снижается из-за уменьшения усилительных свойств элемента D1.1, работающего в радиочастотном каскаде.

Нагрузкой приемника может быть миниатюрный ушной телефон ТМ-4, капсюль ДЭМ-4м или один из излучателей низкоомного головного телефона ТА-56 м.

Настройка приемника заключается только в подборе числа витков контурной катушки, соответствующего длине волны выбранной станции. Делай это гак же, как при налаживании транзисторных приемников. Если наибольшая емкость подстроечного конденсатора С1 окажется недостаточной для точной настройки контура на частоту станции, параллельно ему можно подключить слюдяной или керамический конденсатор емкостью до 100 пФ.

Если радиовещательная станция находится неподалеку от места приема, каскады приемника могут перегружаться из-за большого уровня его сигнала, отчего звук станет искаженным. В этом случае выходной каскад приемника следует смонтировать по схеме, приведенной на рис. 310. Приемник станет громкоговорящим.

Рис. 310. Вариант выходного каскада приемника

Трансформатор Т1 — выходной трансформатор любого малогабаритного транзисторного приемника (используется одна половина его первичной обмотки), а динамическая головка В1 — любая малогабаритная мощностью 0,1–0,5 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 6-10 Ом.

Чтобы еще больше повысить громкость работы приемника, его можно дополнить еще и транзисторным усилителем мощности, который будет питаться от той же батареи приемника. Для простейшего однокаскадного усилителя пригоден транзистор серии КТ315 с любым буквенным индексом. В этом случае сигнал с конденсатора С7 будет поступать на базу транзистора, усиливаться им и динамической головкой, включенной через выходной трансформатор в коллекторную цепь, преобразовываться в звук. Если усилитель двухкаскадный с двухтактным выходом, в первом его каскаде можно использовать транзистор КТ315, а во втором — транзисторы КТ315 и КТ361. Со схемами, работой и налаживанием подобных усилителей колебаний звуковой частоты ты уже знаком по двенадцатой беседе.

Приемник с такими дополнениями и источником питания можно разместить в корпусе, предназначенном для малогабаритного транзисторного приемника, его можно приобрести в магазине радиотоваров.

* * *

Аналоговые и цифровые микросхемы, с которыми я познакомил тебя в этой беседе, относятся к микросхемам первой степени интеграции, т. е. к наиболее простым. В более сложных современных микросхемах, а их объемы примерно такие же, общее число содержащихся в них активных и пассивных элементов может достигать нескольких десятым и даже сотен тысяч.

Чтобы иметь некоторое представление о том, сколько и каких логических операций способна выполнять интегральная микросхема, приведу такой пример «механизм» наручных электронных часов средней с ложности, отчитывающий текущее время с точностью до секунды, дни недели и месяцы. работающий как секундомер с точностью до сотой доли секунды, как будильник со звуковой сигнализацией состоит всего лишь из одной специально разработанной большой интегральной микросхемы. А электронные часы повышенной сложности, кроме того, позволяют использовать их еще для проведения электронных игр, в качестве наручных микрокалькуляторов… Вот что такое интегральная микросхема, совершающая техническую революцию во всех областях и направлениях радиоэлектроники.

На базе интегральных микросхем разработан и выпускается массовым тиражом микрокомпьютер «Микроша», предназначенный для обучения школьников навыкам работы с вычислительными устройствами, которые необходимы сегодня специалистам различных отраслей народного хозяйства. Осваивать микросхемы значит идти в ногу с современной техникой!

Интегральные схемы, ИС | Electronics Club

Интегральные схемы, ИС | Клуб электроники

Штыри | Держатели | Статический | Таблицы данных | Книги | Раковина / источник | Объединить выходы | Логические ИС | ПИК

Смотрите также: 555 | 4000 серия | 74 серии

Интегральные схемы

обычно называют ИС или микросхемами. Это сложные схемы, нанесенные на крошечные полупроводниковые микросхемы (кремний).

Силиконовый чип обычно упаковывается в пластиковый держатель с разнесенными контактами на 0.Сетка 1 дюйм (2,54 мм), которая поместятся в отверстия на картоне и макетах. Очень тонкие провода внутри корпуса соединяют микросхему с контактами.

ИС

для поверхностного монтажа (SMD) предназначены для машинной сборки. У них очень короткие близко расположенные контакты и не подходят для образовательных или хобби-схем.

---

Номера контактов

Штыри пронумерованы против часовой стрелки вокруг микросхемы (микросхемы), начиная с выемки или точки. На схемах показана нумерация 8-контактных и 14-контактных ИС, но принцип одинаков для всех размеров.

Rapid Electronics: ИС (все типы)

---

Держатели микросхем (гнезда DIL)

Микросхемы

легко повреждаются нагревом при пайке, а их короткие контакты нельзя защитить радиатором. Вместо этого мы используем держатель микросхемы, строго называемый гнездом DIL (DIL = Dual In-Line), который можно безопасно припаять. на печатную плату. После завершения пайки ИС вставляется в держатель.

Держатели

IC необходимы только при пайке, поэтому они не используются на макетных платах.

Rapid Electronics: розетки DIL

Извлечение ИС из держателя

Если вам нужно извлечь микросхему, ее можно осторожно извлечь из держателя с помощью небольшой отвертки с плоским лезвием. Осторожно поднимите каждый конец, вставив лезвие отвертки между микросхемой и держателем и осторожно повернув отвертку. Постарайтесь начать подъем с обоих концов, прежде чем пытаться извлечь ИС, иначе вы погнетесь и, возможно, сломаете штифты.

Печатные платы серийного производства часто имеют ИС, припаянные непосредственно к плате. без держателя микросхемы обычно это делается на машине, которая может работать очень быстро.Не пытайтесь сделайте это самостоятельно, потому что вы, вероятно, повредите микросхему, и ее будет сложно удалить без повреждений.

---

Меры защиты от статического электричества

Многие микросхемы чувствительны к статическому электричеству и могут быть повреждены при прикосновении к ним, потому что ваше тело могло быть заряжено статическим электричеством, например, от одежды. Чувствительные к статическому электричеству ИС будут поставляться в антистатической упаковке с предупреждающей этикеткой и их следует оставить в этой упаковке до тех пор, пока вы не будете готовы их использовать.

Обычно достаточно заземлить руки, прикоснувшись к металлической водопроводной трубе или окну. перед обработкой ИС, но для более чувствительных (и дорогих!) ИС специальные имеется оборудование, включая заземленные браслеты и заземленные рабочие поверхности. Заземленную рабочую поверхность можно сделать из листа алюминиевой кухонной фольги и использовать зажим-крокодил для соединения фольги с металлической водопроводной трубой или оконной рамой с Последовательный резистор 10кОм.

---

---

Лист данных

Для большинства микросхем доступны таблицы

, содержащие подробную информацию об их характеристиках и функциях.В некоторых случаях показаны примеры схем. Большой объем информации с символами и Сокращения могут сделать таблицы данных ошеломляющими для новичка, но они того стоят читая по мере того, как вы становитесь более уверенными, потому что они содержат много полезной информации для более опытные пользователи, проектирующие и тестирующие схемы.

На странице ссылок перечислены некоторые веб-сайты с техническими данными, но это хорошо стоит вложить деньги в некоторые справочники, такие как приведенные ниже.

---

Справочники по микросхемам

Я порекомендовал эти книги, которым, возможно, будет легче следовать, чем техническое описание:

---

Ток потребления и источника

Выходы

IC часто называют «потребителями» или «источниками» тока.Термины относятся к направлению тока на выходе ИС.

Если на ИС втекающий ток , он течет на выход . Это означает, что устройство, подключенное между положительным источником питания (+ Vs) и Выход IC будет включен , когда на выходе будет низкий уровень (0 В) .

Если IC получает ток , он течет из выхода . Это означает, что устройство, подключенное между выходом IC и отрицательным питание (0 В) будет включено , когда на выходе будет высокий уровень (+ Vs) .

К выходу IC можно подключить два устройства, чтобы одно было включено. когда выход низкий, а другой включен, когда выход высокий.

Максимальные токи потребления и истока для выхода IC обычно одинаковы, но есть некоторые исключения, например, логические ИС 74LS TTL могут потреблять до 16 мА, но только источник 2 мА.

---

Использование диодов для объединения выходов

Выходы микросхем никогда нельзя напрямую соединять вместе. Однако диоды могут использоваться для объединения двух или более цифровых (высокий / низкий) выходов ИС, например счетчика.Это может быть полезным способом создания простых логических функций без использования логических вентилей!

На схеме показаны два способа объединения выходов с помощью диодов. Диоды должны быть способны передачи выходного тока. Сигнальные диоды 1N4148 подходят для слаботочных устройств, таких как светодиоды.

Например, выходы Q0 — Q9 счетчика 4017 1 из 10 идти высоко по очереди. Использование диодов для объединения 2-го (Q1) и 4-го (Q3) выходов, как показано на нижней диаграмме светодиод дважды мигнет, а затем появится более длинный промежуток.Диоды выполняют функцию логического элемента ИЛИ.

Примеры проектов:

---

---

555 Таймер IC

8-контактная микросхема таймера 555 используется во многих проектах. Для получения дополнительной информации см. Страницу таймера 555.

Рекомендуемая книга: IC 555 Projects

Rapid Electronics: таймер NE555

---

Логические ИС

Логические ИС

обрабатывают цифровые сигналы, и есть многие устройства, в том числе логические вентили, триггеры, регистры сдвига, счетчики и драйверы дисплея.

Логические ИС

можно разделить на две группы: серии 4000 и 74, которая состоит из различных семейств, таких как 74HC, 74HCT и 74LS.

Для большинства новых проектов семейство 74HC — лучший выбор. В таблицах показано напряжение питания и максимальный выходной ток для каждого семейства. Для семейств 74LS и 74HCT требуется питание 5 В, поэтому они не подходят для работы от батарей.

Логические входы ИС имеют высокий импеданс, и неиспользуемые входы должны быть подключены к 0 В или + В чтобы избежать неустойчивого поведения из-за состояния переключения входов в ответ на паразитные электрические помехи.ИС 74LS необычны, потому что их входы «плавают» в высоком уровне, когда они не подключены.

Количество логических входов ИС, которые могут управляться одним выходом того же семейства, называется разветвлением . Обычно 50 (10 для 74LS), в простых схемах маловато.

Дополнительные сведения о семействах логических ИС, включая расположение выводов для многих ИС, см. На следующих страницах:

Семейство логических ИС	Напряжение питания
Серия 4000	от 3 до 15 В
74HC	2 до 6 В
74HCT 5.5 В
74LS	5 В ± 0,25 В

Семейство логических ИС	Максимальный выходной ток
4000 серия	около 5 мА (около 5 мА)
74HC	около 20 мА
74HCT	около 20 мА
74LS	сток 16 мА источник 2 мА
Для переключения тока транзистора

Rapid Electronics:
ИС серии 4000 | ИС 74 серии

Смешивание семейств логики

Лучше всего построить схему, используя только одно логическое семейство, но при необходимости можно использовать разные семейства. смешанный при условии, что источник питания подходит для всех. Например, для смешивания 4000 и 74HC требуется напряжение питания должно быть в диапазоне от 3 до 6 В. Схема, включающая микросхемы 74LS или 74HCT, должна иметь питание 5 В.

Выход 74LS не может надежно управлять входом 4000 или 74HC, если не установлен подтягивающий резистор 2.2к подключено между источник питания +5 В и вход для корректировки используемых немного разных диапазонов логического напряжения.

Обратите внимание, что выход серии 4000 может управлять только одним входом 74LS.

Управление входами 4000 или 74HC от выхода
74LS с помощью подтягивающего резистора.

---

PIC микроконтроллеры

PIC — это программируемый P I встроенный микроконтроллер C , «компьютер на кристалле». У них есть процессор и память для запуска программы, реагирующей на входы и управляющих выходами, поэтому они могут легко выполнять сложные функции, для которых потребовалось бы несколько обычных ИС.

Программирование микроконтроллера PIC может показаться сложным для новичка, но существует ряд разработанных систем. чтобы сделать это легко. Система PICAXE — отличный пример, потому что она использует стандартный компьютер для программирования (и перепрограммировать) PIC; не требуется специального оборудования, кроме недорогого кабеля для загрузки. Программы могут быть написаны на простой версии BASIC или с использованием блок-схемы. Программное обеспечение для программирования PICAXE и обширная документация доступна для бесплатной загрузки, что делает систему идеальной для обучения и пользователей. дома.Для получения дополнительной информации (включая загрузки) см. Www.picaxe.com

Если вы думаете, что PIC не для вас, потому что вы никогда не писали компьютерных программ, пожалуйста, посмотрите Система PICAXE. Начать работу с помощью нескольких простых команд BASIC очень легко, и существует ряд проекты доступны в виде наборов, которые идеально подходят для начинающих.

Быстрая электроника: PICAXE

---

Rapid Electronics любезно разрешили мне использовать их изображения на этом веб-сайте, и я очень благодарен за их поддержку.У них есть широкий ассортимент микросхем и других компонентов для электроники, и я рад рекомендую их как поставщика.

---

Политика конфиденциальности и файлы cookie

Этот сайт не собирает личную информацию. Если вы отправите электронное письмо, ваш адрес электронной почты и любая личная информация будет используется только для ответа на ваше сообщение, оно не будет передано никому. На этом веб-сайте отображается реклама, если вы нажмете на рекламодатель может знать, что вы пришли с этого сайта, и я могу быть вознагражден.Рекламодателям не передается никакая личная информация. Этот веб-сайт использует некоторые файлы cookie, которые классифицируются как «строго необходимые», они необходимы для работы веб-сайта и не могут быть отклонены, но они не содержат никакой личной информации. Этот веб-сайт использует службу Google AdSense, которая использует файлы cookie для показа рекламы на основе использования вами веб-сайтов. (включая этот), как объяснил Google. Чтобы узнать, как удалить файлы cookie и управлять ими в своем браузере, пожалуйста, посетите AboutCookies.org.

клуб электроники.инфо © Джон Хьюс 2021

Основы: Поиск вывода 1 | Лаборатории злых безумных ученых

У вас есть компоненты и таблица данных, и вы готовы приступить к взлому. Но в какую сторону идет микросхема? Вывод 23 — это , где? Если вам повезет, ориентация будет четко обозначена или, возможно, изображена на диаграмме в таблице данных. Но если это не так или вы просто новичок в этом вопросе, полезно знать, что искать.

На рисунке выше контакт 1 — это , четко обозначенный на блоке резисторов Аллена-Брэдли .И хорошо это или плохо, но это исключение, а не правило.

Вот основное правило, которое применяется к большинству интегральных схем : где-то есть отметка полярности. От этой отметки полярности поверните против часовой стрелки вокруг микросхемы и пронумеруйте контакты, начиная с 1.

Обычный маркер полярности представляет собой форму полумесяца на одном конце микросхемы. Другой — это маленькая точка у контакта 1, а иногда и небольшой треугольник или выступ. Иногда может появиться несколько таких отметок.

Часто вывод 1 находится в углу микросхемы, и только этот угол , а не сам вывод, отмечен маленьким кружком или треугольником.

На этом эскизе мы нарисовали воображаемую деталь под номером «THX1138D», изготовленную на 37 неделе 2013 года, и у нее есть загадочная партия или внутренний код «OHAI», который может или не может быть объяснен в таблице данных. Знаки полярности представляют собой углубление в виде полумесяца на левой стороне, а также точку у контакта 1. Это устройство имеет 20 контактов, пронумерованных против часовой стрелки по двум краям от 1 до 20.

Как мы увидим, существует множество примеров этого или близких вариантов. Но бывают также случаи, когда * нет * прямых отметок, но вместо этого вы можете полагаться на ориентацию текста, чтобы понять нумерацию. Ориентация текста одинакова, и для чипов такой формы (с выводами на двух противоположных сторонах) можно с уверенностью предположить, что знак полярности идет слева от текста.

Вот несколько классических и красивых образцов микросхем с хорошо обозначенной полярностью.Это корпуса интегральных схем «керамического DIP», датированные концом 1978 года. Каждый из них имеет форму полумесяца, а также более тонкую точку у вывода 1.

Это современный вариант той же конструкции с более высокой плотностью. Это широкий низкопрофильный пластиковый корпус, который называется TSSOP с 66 выводами (и 128 МБ DDR SDRAM, если вам интересно). Ориентация задается формой полумесяца с левой стороны и точкой в ​​нижнем левом углу. Теперь эта точка выглядит так, как будто она ближе к контакту 2, чем к контакту 1– Опять же, маркер часто обозначает угол , где находится контакт 1, а не отдельный контакт.

Эта микросхема «восьмеричного шинного приемопередатчика» 74HC245D от NXP имеет форму полумесяца с левой стороны, а также немного более необычную маркировку полярности. Вся передняя кромка чипа — кромка со штифтом 1 — слегка скошена.

И вот микросхема, у которой меньше «прямого» указания на ее ориентацию — нет точки или формы полумесяца. Как мы обсуждали ранее, в подобных случаях можно полагаться на ориентацию текста и представить эффективную отметку полярности на левой стороне чипа.Контакт 1 находится внизу слева.

Если вы присмотритесь, то увидите, что есть еще одна особенность маркировки полярности, так как этот чип также имеет очень слегка скошенный передний край.

Это несколько необычный DIP-чип с семью выводами и семью выводами. Это аккуратное маленькое твердотельное реле, способное коммутировать небольшие нагрузки по сетевому напряжению переменного тока (0,9 А при до 240 В переменного тока) от низковольтного цифрового входа. Предположительно, у него семь контактов, так что вы не можете вставить его задом наперед.В этом чипе также используется комбинация ориентации текста и скоса на стороне вывода 1.

Осторожно: эта видимая «точка» не является индикатором полярности; контакт 1 все еще находится в углу микросхемы.

Вот еще одна вариация. На левой стороне этого чипа напечатана полоса , которая служит индикатором полярности и заменяет форму полумесяца.

Вот тот, о котором нас часто спрашивают: 17-сегментный буквенно-цифровой дисплей.Светодиодные дисплеи могут быть довольно непонятными, потому что расположение контакта 1 явно не обозначено, а также нет формы полумесяца или другого очевидного маркера полярности. Однако сама этикетка является маркером полярности, и это важно помнить.

Edit: Сначала мы записали, что они следуют правилу ориентации меток, но оказалось, что это не так. Хотя обычно можно ожидать, что контакт слева от метки будет начинаться с вывода 1, это устройство (и, очевидно, некоторые другие буквенно-цифровые / 7-сегментные дисплеи) следует соглашению, согласно которому контакт 1 находится в верхнем левом углу дисплея — напротив десятичной точки.Это большой плюс для проверки таблицы!

Вот светодиодный матричный дисплей 5 × 7. Вы можете различить следы на обратной стороне под эпоксидной смолой, так что заманчиво искать там подсказки для ориентации, но эти типы обычно соответствуют правилу ориентации этикеток. Когда вы сориентируете деталь так, чтобы можно было прочитать этикетку, метка эффективной полярности будет слева.

На левой фотографии, где дисплей находится в вертикальном положении и видна этикетка, контакт 1 находится под нижним левым углом.На правой фотографии, где этикетка видна, но деталь перевернута, в правом нижнем углу виден контакт 1.

Иногда можно встретить микросхемы с очень разным видом и очень четкими маркерами полярности. Этот чип от Agilent имеет золотую полосу в верхнем левом углу.

Иногда микросхема имеет зазубренный угол, указывающий, где находится контакт 1. Белая шелкография на печатной плате показывает увеличенное изображение этой выемки в нижнем левом углу.

Модель 486 является хорошим примером микросхемы с зазубриной в углу, а модель 68030 имеет золотую полосу для обозначения контакта 1.

Этот чип Broadcom имеет точку в углу с контактом 1, но это довольно тонкая отметка. Если ваш чип уже установлен на плате, это может дать некоторую лучшую информацию для проверки ориентации. Например, вывод 1 этой микросхемы также отмечен белой точкой на печатной плате, а три других угла имеют отметку, как если бы эти углы не имели выемки.

Вот еще одна неоднозначная фишка. Контакт 1 четко обозначен стрелкой на плате. Если бы чип был незакрепленным, он был бы немного менее четким, потому что не только есть точка на контакте 1, но также, очевидно, есть точка в противоположном углу. Это может быть просто случайный след от плесени, но он все равно может сбивать с толку.

А вот простая точка для обозначения ориентации.

Это далеко не исчерпывающий список, но он предназначен для демонстрации некоторых распространенных способов дифференциации ориентации чипа.Если у вас есть исправления или ссылки на другие интересные фишки, мы будем приветствовать их в комментариях.

Учебная серия по электричеству и электронике ВМС (NEETS), модуль 14

Модуль 14 — Введение в микроэлектронику

Страницы i, 1−1, 1-11, 1−21, 1−31, 1−41, 1−51, 2−1, 2-11, 3−1, 3-11, 3−21, 3−31, 3−41, Индекс

Рисунок 1-34.- Паспорт производителя.

1-31

---

Q32. На микросхемах DIP и плоских корпусах, если смотреть сверху, контакт 1 расположен с какой стороны ориентир?

Q33. В каком направлении последовательно пронумерованы DIP-штифты и плоские штифты?

В34. В каком направлении последовательно пронумерованы DIP-штифты и плоские штифты?

Q35. Если смотреть снизу, в каком направлении отсчитываются пины ТО-5?

Q36. Цифры и буквы на микросхемах и схемах служат какой цели?

КОНЦЕПЦИИ РАЗРАБОТКИ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЫ

Вы должны понимать терминологию, используемую в микроэлектронике, чтобы стать эффективным и знающим техник. Вы должны быть знакомы с концепциями упаковки с точки зрения обслуживания и уметь распознавать разные типы сборок.Вы также должны знать электрические факторы и факторы окружающей среды, которые могут повлиять на микроэлектронные схемы. В следующем разделе этой темы мы определим и обсудим каждую из этих областей.

ТЕРМИНОЛОГИЯ

Как и в любой специальной области электроники, для разъяснения связи используются термины и определения микроэлектроники. Это сделано для того, чтобы все, кто занимается микроэлектроникой, обладали одинаковыми знаниями в этой области.Вы можете Представьте себе, сколько проблем вы могли бы запомнить 10 или более различных названий и определений резистора. Если стандартизации для новой терминологии не существовало, у вас было бы гораздо больше проблем с пониманием микроэлектроника. Для стандартизации терминологии в области микроэлектроники

ВМФ принял несколько определений с с которым вам следует ознакомиться. Эти определения будут представлены в этом разделе.

Микроэлектроника

Микроэлектроника — это область электронных технологий, связанная с электронные системы, построенные из очень маленьких электронных частей или элементов.Большинство сегодняшних компьютеров, оружия системы, навигационные системы, системы связи и радиолокационные системы широко используют микроэлектронику. технология.

Микросхема

микросхема — это не то, что старый техник распознал бы как электронную схему. Старожил больше не видны знакомые дискретные части (отдельные резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, транзисторы и т. д.) четвертый).Микроэлектронные схемы, как обсуждалось ранее, представляют собой законченные схемы, установленные на подложке (интегральной схема). Процесс изготовления микроэлектронных схем, по сути, представляет собой создание дискретных компонентов. характеристики либо в одну подложку, либо на нее. Это сильно отличается от пайки резисторов, конденсаторы, транзисторы, катушки индуктивности и другие дискретные компоненты на место с помощью проводов и наконечников. Компонент характеристики, встроенные в микросхемы, называются ЭЛЕМЕНТАМИ, а не дискретными компонентами.Микросхемы имеют большое количество этих элементов на подложку по сравнению со схемой с дискретными компонентами такой же относительный размер. На самом деле микроэлектронные схемы часто содержат в тысячи раз больше дискретных компонентов. Термин Высокая ЭКВИВАЛЕНТНАЯ ПЛОТНОСТЬ ЦЕПИ — это описание этой части, состоящей из элементов и дискретных элементов. отношение. Например, предположим, что у вас есть схема с 1000 дискретными компонентами, установленными на шасси, которое 8 х 10 х 2 дюйма.Эквивалентная схема в микроэлектронике может быть встроена в единую подложку или на нее, которая всего 3/8 x 1 x 1/4 дюйма. 1000 элементов микросхемы будут очень близки друг к другу (высокий плотность) на

1-32

---

сравнение с расстоянием между дискретными компонентами, установленными на большом шасси. Элементы внутри подложки соединены между собой на самой единой подложке для выполнения электронной функции.а микросхема не имеет установленных на ней дискретных компонентов, как печатные платы, печатная плата сборки и модули, состоящие исключительно из дискретных составных частей.

Модуль микросхемы

Микросхемы могут использоваться в сочетании с дискретными компонентами. Сборка микросхем или комбинация микросхем и дискретных обычных электронных компонентов, которая выполняет одно или несколько отдельных functions — это микросхема модуля.Модуль выполнен в виде независимо упакованного заменяемого блока. Примерами модулей микросхем являются печатные платы и сборки печатных плат. Рисунок 1-35 — это фотография типового модуля микросхемы.

Рисунок 1-35. — Модуль микросхемы.

Миниатюрная электроника

Миниатюрная электроника включает миниатюрные электронные компоненты и пакеты.Некоторыми примерами являются печатные платы, печатные монтажные платы, сборки печатных плат и модули, состоящие исключительно из дискретных электронных частей и компонентов (за исключением корпусов микроэлектроники) монтируется на платах, сборках или модулях. МАТЕРИНСКИЕ ПЛАТЫ, большие печатные платы со съемными модулями, являются считается миниатюрной электроникой. Модули Cordwood также попадают в эту категорию. Миниатюрные двигатели, синхронизаторы, переключатели, реле, таймеры и т. д. также относятся к миниатюрной электронике.

Напомним, что в состав микроэлектронных компонентов входят интегральные схемы. Миниатюрная электроника содержит дискретные элементы или части. Вы заметите, что печатные платы и сборки печатных плат упоминаются в более чем одно определение. Чтобы определить класс (микроминиатюрный или миниатюрный) агрегата, необходимо сначала определить типы используемых компонентов.

Q37. Какие действия между людьми улучшают стандартизированные условия?

В38.Под микросхемой понимается любой компонент, содержащий какие типы элементов?

Q39. Компоненты составлены к какому типу электроники относятся исключительно дискретные элементы?

УПАКОВКА системы

При разработке новой электронной системы планировалось несколько областей. требуют особого внимания. Серьезную озабоченность вызывает обеспечение правильной работы системы.В проектировщик должен принять в

1-33

---

учитывают все факторы окружающей среды и электрические факторы, которые могут повлиять на систему. Это включает температуру, влажность, вибрация и электрические помехи. Фактор дизайна, который имеет наибольшее влияние на вас, так как техник, является ОБСЛУЖИВАНИЕ системы. Дизайнер должен учитывать, насколько хорошо вы сможете выявить проблемы, выявить неисправные компоненты и произвести необходимый ремонт.Если система не может быть поддержана легко, то это неэффективная система. УПАКОВКА, метод упаковки и монтажа компонентов: первостепенное значение в ремонтопригодности системы.

Уровни упаковки

В интересах Технического специалиста упаковка системы обычно делится на пять уровней (от 0 до IV). Эти уровни показаны на рисунок 1-36.

Рисунок 1-36.- Уровни упаковки.

УРОВЕНЬ 0 . — Упаковка уровня 0 идентифицирует неотремонтируемые детали, такие как интегральные схемы, транзисторы, резисторы и т. д. Это самый низкий уровень, на котором вы можете выполнять техническое обслуживание. Ты ограничивается простой заменой неисправного элемента или детали. В зависимости от типа детали ремонт может быть таким же простым. как включение нового реле. Если неисправной деталью является микросхема, потребуется специальное обучение и оборудование, чтобы Сделаем ремонт.Это будет обсуждаться в теме 2.

УРОВЕНЬ I . — Этот уровень обычно связаны с небольшими модулями или субмодулями, которые присоединяются к печатным платам или материнским платам. В Модуль аналого-цифрового (A / D) преобразователя — это устройство, которое преобразует сигнал, который является функцией непрерывного переменную (например, синусоидальную волну) в репрезентативную числовую последовательность в цифровой форме. Преобразователь A / D на рисунке 1-37 — типичный компонент Уровня I.На этом уровне

1-34

---

при техническом обслуживании можно заменить неисправный модуль на исправный. После этого неисправный модуль можно отремонтировать. позднее или отброшены. Эта концепция значительно сокращает время простоя оборудования.

Рисунок 1-37. — Печатная плата (pcb).

УРОВЕНЬ II .- Упаковка уровня II состоит из больших печатных плат и / или карт (материнская плата). доски). Типичные блоки этого уровня показаны на рисунках 1-37 и 1-38. На рисунке 1-38 карта имеет размеры 15 x 5,25 дюйма. Размеры больших двухрядных корпусов (DIP) составляют 2,25 дюйма на 0,75 дюйма. Остальные DIP на печатной плате очень меньше. Между DIP показаны соединения. Вы также должны уметь найти несколько отдельных компонентов. Ремонт заключается в удалении неисправного DIP или дискретного компонента с печатной платы и замене его новой деталью.Затем печатная плата снова вводится в эксплуатацию. Удаленная часть может быть частью уровня 0 или I и будет обрабатываться как описано в этих разделах. В некоторых случаях необходимо заменить всю печатную плату.

Рисунок 1-38. — Печатная плата (PCB).

1-35

---

УРОВЕНЬ III . — Ящики или выдвижные шасси относятся к уровням III, как показано на рис. 1-36.Они разработаны для обеспечения доступности и простоты обслуживания. Обычно печатные платы, связанные с определенным подсистема будет сгруппирована в ящике. Это не только способствует упорядоченному расположению подсистем, но и также исключает использование многих длинных жгутов проводов. Дефектные карты удаляются из таких ящиков и дефектные компоненты. ремонтируются, как описано на уровне II.

УРОВЕНЬ IV . — Уровень IV — высший уровень упаковка.Он включает в себя шкафы, стойки и жгуты проводов, необходимые для соединения всех остальных уровни. Другое оборудование той же системы, отнесенной к уровню IV, например антенны радаров, сломано. таким же образом вниз на уровни с 0 по III.

Во время процедуры устранения неполадок компонентов вы продвигаетесь от уровня IV до уровня III, затем до уровня II и далее до уровня 0, где вы определяете неисправный компонент. По мере того, как вы становитесь более знакомыми с системой вы сможете перейти прямо к ящику или модулю, вызвавшему проблему.

Q40. Какой уровень упаковки есть у резисторов, конденсаторов, транзисторов и т. Д.?

Q41. Модули или подмодули, прикрепленные к материнской плате, на каком уровне упаковки?

Q42. Какая упаковка уровень печатной платы?

СОЕДИНЕНИЯ НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ

По мере усложнения электронных систем, взаимосвязи между компонентами также становятся более сложными.По мере того, как в данное пространство добавляется больше компонентов, требования к межсетевым соединениям становятся чрезвычайно сложными. Выбор материалов проводников, изолятора. материалы и физический размер компонентов могут сильно повлиять на производительность схемы. Плохой выбор из этих материалы могут способствовать ухудшению сигналов, помехам в цепях и нежелательному электрическому взаимодействию между компонентами. Три наиболее распространенных метода соединения — это обычная печатная плата, многослойная печатная плата и модульная сборка.Каждый из них будет обсуждаться в следующих разделах.

Обычные печатные схемы Доска

Печатные платы обсуждались ранее в теме 1. Следует помнить, что обычная печатная плата состоит из изолирующая основа из стекловолокна и эпоксидной смолы, на которую нанесен рисунок соединения. Доска может быть одно- или двусторонний, в зависимости от количества установленных на нем компонентов.Рисунки 1-37 и 1-38 являются примерами обычные печатные платы.

Многослойная печатная плата.

Многослойная печатная плата становится Решением являются проблемы межсоединений, связанные с упаковкой высокой плотности. Многослойные плиты используются для:

· уменьшить вес

· сэкономить место в соединительных модулях

· Устранение дорогостоящих и сложных жгутов проводов

· обеспечение экранирования для большое количество проводников

· обеспечивает однородность импеданса проводников для высокоскоростных системы коммутации

1-36

---

· обеспечить большую плотность разводки на платах

Рисунок 1-39 показывает, как индивидуально доски стыкуются в многослойный блок.Хотя все многослойные доски имеют одинаковую конструкцию, различные методы могут использоваться для соединения схемы от уровня к уровню. Три проверенных процесса — это Методы создания зазоров, сквозных отверстий и слоев.

Рисунок 1-39. — Многослойная печатная плата.

МЕТОД ЗАЗОРНОГО ОТВЕРСТИЯ . — В методе CLEARANCE-HOLE просверливается отверстие в медном островке. (оконечный конец) соответствующего проводника на верхнем слое.Это обеспечивает доступ к проводнику на втором слой, как показано отверстием a на рисунке 1-40. Отверстие с зазором заполняется припоем для завершения соединения. Обычно отверстие просверливается через всю сборку в месте подключения. Это маленькое отверстие необходимо для ПРОЦЕСС ПАЙ-ПОТОК, используемый с этим методом соединения.

Рисунок 1-40. — Межсоединение с зазором.

1-37

---

Проводники, расположенные на несколько слоев ниже верха, подключаются с помощью ПРОЦЕССА ПОШАГОВОГО ОТВЕРСТИЯ. Перед сборкой трехуровневой доски просверливается отверстие с зазором до первого соединяемого слоя. В первом соединяемом слое предварительно просверливают отверстие меньшего размера, чем просверленное в слоях 1 и 2; последующие соединяемые слои имеют зазоры все меньшего размера.После сборки открытая часть проводов соединяют между собой путем заполнения ступенчатых отверстий припоем, как показано отверстием B на рисунке. 1-40. Чем больше количество соединений требуется в одной точке, тем больше должен быть диаметр просветные отверстия на верхнем слое. Большие отверстия в верхнем слое оставляют меньше места для компонентов и уменьшить плотность упаковки.

МЕТОД ПРОИЗВОДСТВА ПЛАСТИНЫ .- Метод соединения проводов через ПЛОТНОЕ ОТВЕРСТИЕ показано на рисунке 1-41. Первый шаг — временно собрать все слои в их окончательную форму. Отверстия соответствующие необходимые соединения просверливаются через всю сборку, после чего блок разбирается. Внутренние стенки соединяемых отверстий покрыты металлом толщиной 0,001 дюйма. Это в эффект, соединяет проводник на поверхности платы через само отверстие.Этот процесс идентичен этому используется для стандартных печатных плат. Затем платы собираются и навсегда склеиваются вместе с тепло и давление. Все отверстия насквозь покрыты металлом.

Рисунок 1-41. — Межсоединение через сквозные отверстия.

МЕТОД НАСТРОЙКИ СЛОЯ . — При использовании метода НАСТРОЙКИ СЛОЯ проводники и изоляционные слои поочередно наносится на материал основы, как показано на рисунке 1-42.Этот метод производит медные межсоединения. между слоями и сводит к минимуму эффекты теплового расширения разнородных материалов. Однако переработка внутренние соединения в застроенных слоях обычно трудно, если вообще возможно.

1-38

---

Рисунок 1-42. — Техника послойного наращивания.

Преимущества и недостатки печатных плат

Некоторые преимущества и недостатки печатных плат уже обсуждались ранее в этой теме. Они прочные, легкие и исключить двухточечную проводку. Многослойные печатные платы позволяют размещать больше компонентов на плате. Целые схемы или даже подсистемы могут быть размещены на одной карте. Однако у этих карт есть недостатки.Например, все компоненты подключены на место, ремонт карт требует специальной подготовки и / или специального оборудования, а некоторые карты не подлежат экономичному ремонту из-за их сложности (они называются БРОСКАМИ).

МОДУЛЬНЫЕ УЗЛЫ

Подход МОДУЛЬНАЯ СБОРКА (неотремонтируемый элемент) был разработан для получения упаковки сверхвысокой плотности. В Эволюция этой концепции от дискретных компонентов до микроэлектроники прошла различные стадии.Эти этапы начинались со сборок дров и функциональных блоков и привели к созданию целых подсистем в единой системе. упаковка. Примеры этих конфигураций показаны на рисунке 1-43, вид (A), вид (B) и вид (C).

1-39

---

Рисунок 1-43A. — Эволюция модульных сборок. Кордвуд.

Рисунок 1-43B. — Эволюция модульных сборок. МИКРОМОДУЛЬ.

1-40

---

—	Материя, Энергия, и постоянного тока
—	Переменный ток и трансформаторы
—	Защита, управление и измерение цепей
—	Электрические проводники, методы электромонтажа, и схематическое чтение
—	Генераторы и двигатели
—	Электронные излучатели, трубки и источники питания
—	Твердотельные устройства и блоки питания
—	Усилители
—	Цепи генерации и формирования волн
—	Распространение волн, линии передачи и Антенны
—	Принципы СВЧ
—	Принципы модуляции
—	Введение в системы счисления и логические схемы
—	— Введение в микроэлектронику
—	Принципы синхронизаторов, сервоприводов и гироскопов
—	Знакомство с испытательным оборудованием
—	Принципы радиочастотной связи
—	Принципы работы радаров
—	Справочник техника, Главный глоссарий
—	Методы и практика испытаний
—	Введение в цифровые компьютеры
—	Магнитная запись
—	Введение в волоконную оптику
Примечание: Обучение электричеству и электронике военно-морского флота Содержимое серии (NEETS) — U.С. Собственность ВМФ в свободном доступе.

(PDF) Гибридная технология для производства высокоинтегрированных многокристальных микросхем: проблемы и решения

Международная конференция по будущему инженерных систем и технологий

Journal of Physics: Conference Series 1478 (2020) 012019

IOP Publishing

doi: 10.1088 / 1742-6596 / 1478/1/012019

13

24. Землянский, AI и другие. (2018). Микросварные соединения золотой проволоки с медной металлизацией кристаллов

полупроводниковых изделий.Вестник Воронежского государственного университета, № 3. 22-30.

25. Зенин В.В., Новокрещенова Е.П. И Хишко, О. (2008). Формирование выпуклостей на контактных площадках кристаллов

для сборки методом flip-chip. Микроэлектроника, № 2. Т. 37. 121-130.

26. Зенин В.В., Ачкасов А.В., Колбенков А.А. & Стоянов, А.А. (20.05.2016). Патент РФ №

2584180 «Способ сборки трехмерных интегральных схем 3D БИС.

27. Зенин В.В., Рягузов А.В., Спиридонов Б.А., Хишко О.В., Шарапова Т.И. (27.04.2007). Патент

РФ № 2298252 «Способ крепления кристаллов кремния дискретных полупередатчиков. и интегральные схемы

к телу с образованием кремниевой эвтектики

золота ».

28. Карралеро М., Чен Э. и Кошин Д.Г. (16.10.2017). Патент РФ № 2633675 «Корпус фотонных датчиков

на кристалле

предназначен для работы в экстремальных условиях.«

29. Комиссаров А. и др. (11.05.2017). Патент РФ № 170831« Способ упаковки мощного лазерного диода

и модуля лазерного диода ».

30. Кочегин, О. и др. (2017). Программа импортозамещения в Группе Кремний Эл: Полимерная упаковка.

Электроника: Наука, технология, бизнес,

-68.

31. Красников Г.Я. и др. (10.06 Патент РФ № 2420827 «Способ изготовления СБИС с многоуровневой металлизацией медью

.»

32. Кручинин С.М., Вертянов Д.В. (21.06.2019). Патент РФ №1« Модуль многочиповой памяти

».

33. Ланин В., Петухов И., Мордвинцев , Д. (2010). Повышение качества микросварных соединений в интегральных схемах

с использованием высокочастотных УЛЬТР

Технологии в электронной промышленности, № 1. 48-50.

34. Мухина Э., Башта П. ( 2009). 3D сборка: технология сквозных отверстий в кремнии.Электроника: Наука,

Технологии, Бизнес, № 2. 92-93.

35. Нисан А. (2011). Восемь тенденций, которые изменят электронику. Технологии в электронной промышленности,

№ 2 (46). 4-8.

36.

Пилавова Л.В. и другие. (28.09.2017). Патент РФ № 174067 «Корпус интегральной микросхемы».

37. Прейбом А., Думолен Р. и Миллер М. (09.02.2017). Патент РФ № 2610339 «Способ установки

кристаллов VCSEL на кристаллодержателе.»

38. Путролайнен В.В., Разводов И.Г., Беляев М.А., Мелентьев В.В. (12.12.2018). Патент РФ №

185620« Зажимное устройство для стопки подложек, покрытых слоем компаунда. в печи полимеризации

».

39.

Sammins, Sh. (2010). Одновременное увеличение удельной мощности и эффективности за счет инноваций в упаковке

и технологии чипов. Силовая электроника, № 27.60-62.

40. Скупов, А. (2016). Обеспечение вакуума при упаковке на уровне пластин — сварка стеклокерамическим припоем.

Электроника: Наука, Технологии, Бизнес, № 6 (156). 94-103.

41. Смолин В.К. (2004). Особенности использования алюминиевой металлизации в интегральных схемах.

Микроэлектроника

-16.

42. Стоянов А.А., Зенин В.В., Новокрещеноввва Е.П. & Грибанов, М.А. (2014). Сборка

изделий микроэлектроники с использованием металлизации и медной проволоки.Вестник Воронежского государственного технического университета,

№ 5. Том. 10. 98-104.

43. Стоянов, А.А. (2017). Влияние конструктивных и технологических факторов на сборку 3D БИС по технологии

flip-chip.

44.

Турцевич А., Ланин В., Керенцев А. (2015). Особенности герметичной упаковки интегральных схем.

Силовая

электроника, №55. 4. 84-88.

45. Fürbacher, B., Lupp, F., Пал В. и Трауш Г. (20.07.2000). Патент РФ № 2153221 «Корпус устройства

для электронных конструктивных элементов».

46. Хараджиди Д.А., Ципина Н.В., Багнюков К.Н. (2018). Анализ современных технологий сборки трехмерных интегральных схем

. «Проблемы обеспечения надежности и качества устройств, устройств и систем».

Межвузовский сборник научных трудов. Воронеж. 29

-38.

47.Хмельницкий, И. (2011). Анализ развития полутрансмиттерных устройств в рамках концепции пространственной интеграции

. Актуальные проблемы гуманитарных и дневных наук, № 6. 48-51.

48. Chea, B.E., Kong, D.Ch.P., Periaman, Sh., Skinner, M., Chu, E.Kh., Mar, K.T., Abd, R.R.E. И Ooi, K.Ch.

(28.06.2017). Патент РФ № 2623697 «Архитектура для создания гибких ограждений».

49. Шадейко А. (2009). Состояние и концепция развития корпусных изделий для микроэлектроники

изделий.Компоненты и технологии, № 12 (101). 154-155.

50. Яблочников Е.И., Смирнов П.В. & Воробьев, А. (2014). Использование систем виртуального моделирования

для разработки технологических процессов упаковки электронных компонентов. Известия высших учебных

заведений. Приборостроение, № 8. Т. 57. 33-36.

электрически проводящих штырей для патента

тестера микросхемы Публикация патента

, опубликованная в четверг, 15 марта 2012 г.

Патенту на электропроводящие штыри для тестера микросхем была присвоена Номер приложения # 13226606 — Ведомством США по патентам и товарным знакам (USPTO).Номер заявки на патент — это уникальный идентификатор для идентификации знака «Электропроводящие контакты для тестера микросхем» в ВПТЗ США. Патент на электропроводящие контакты для тестера микросхем была подана в ВПТЗ США в среду, 7 сентября 2011 г. Данное изобретение было занесено в разряд . Заявитель на патент «Электропроводящие штыри для тестера микросхем» — Джон Э.Нельсон , г. БРУКЛИН ПАРК MN, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ Джеффри С. Шерри , г. ЭКОНОМИЯ МН, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ Патрик Дж. Алладио , г. САНТА-РОЗА CA, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ Рассел Ф.Оберг , г. БЕЛДЕНВИЛЛЬ, ВИС, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ Брайан Уорвик , г. БЕН ЛОМОНД, Калифорния, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ Гэри В. Михалко , г. HAM LAKE MN, СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ .

Реферат патента

Клеммы тестируемого устройства временно электрически подключаются к соответствующим контактным площадкам на плате нагрузки с помощью ряда электропроводящих пар контактов. Пары штифтов удерживаются на месте промежуточной мембраной, которая включает в себя верхнюю контактную пластину, обращенную к тестируемому устройству, нижнюю контактную пластину, обращенную к плате нагрузки, и вертикально упругий непроводящий элемент между верхней и нижней контактными пластинами.Каждая пара штырей включает верхний и нижний штифты, которые выступают за верхнюю и нижнюю контактные пластины, соответственно, к тестируемому устройству и плате нагрузки, соответственно. Верхний и нижний штифты контактируют друг с другом на границе раздела, который наклонен относительно нормали к поверхности мембраны. При сжатии в продольном направлении штифты перемещаются друг к другу, скользя по поверхности раздела.

Публикация патента

Название изобретения	Электропроводящие контакты для тестера микросхем
Номер заявки	13226606
Тип приложения	(УТИЛИТА)
Дата подачи	7 сентября 2011 г.
Номер публикации	20120062261
Дата публикации	15 марта 2012 г.
Страна публикации	СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
Патент на изобретение	BROOKLYN PARK MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ ЭКОНОМИЯ MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ САНТА-РОЗА, Калифорния СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ BELDENVILLE WI СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ BEN LOMOND CA СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ ОЗЕРО ВЕТЧИНОЙ MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
Заявитель	ДЖОН Э.НЕЛЬСОН BROOKLYN PARK MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ ДЖЕФФРИ С. ШЕРРИ ЭКОНОМИЯ MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ ПАТРИК Дж.АЛЛАДИО САНТА-РОЗА, Калифорния СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ РАССЕЛ Ф. ОБЕРГ BELDENVILLE WI СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ БРАЙАН УОРВИК BEN LOMOND CA СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ ГЭРИ В.МИХАЛКО ОЗЕРО ВЕТЧИНОЙ MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
Патентный патентообладатель	ДЖОНСТЕК МЕЖДУНАРОДНАЯ КОРПОРАЦИЯ МИННЕАПОЛИС MN СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ

Связанный U.S. Патентные документы

Дата	Номер документа	Страна
7 сентября 2010 г.	61380494	СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
16 сентября 2010 г.	61383411	СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ

Trademark Elite — это крупнейшая бесплатная онлайн-платформа для поиска товарных знаков, патентного поиска и отслеживания товарных знаков и патентов.TrademarkElite.com управляется The Ideas Law Firm, PLLC (юридическая фирма из США). Мы специализируемся на бизнесе, брендинге и защите товарных знаков. Защитите свое изобретение за 10 минут через TrademarkElite. Вы экономите 50% через TrademarkElite.com по вопросам патентного поиска, патентов на промышленные образцы и патентов на коммунальные услуги.

Микросхема памяти

NSN 5962-01-484-6543 [наличие запчастей]

Особенности и характеристики

Максимальное рассеивание мощности

1.0 Вт

Диапазон рабочих температур

-55,0 / + 125,0 градусов Цельсия

Диапазон температуры хранения

-65.0 / + 150,0 градусов Цельсия

Конечное приложение

Самолет, дпр, е-3а

Предоставляемые функции

Монолитный, чувствительный к статическому электричеству и программируемый

Материал приложения

Керамика и стекло

Конфигурация шкафа

Двухрядный

Название детали присвоено контролирующим агентством

Микросхема программируемая

Номинальное напряжение и тип согласно характеристике

-0.Вход 5 В и вход 6,0 В

Рейтинг времени по характеристике

120,00 наносекунд доступа

Тип устройства памяти

Eeprom

Особые характеристики

Измененный элемент / использует smd 5962-3826707mxx

Документ с данными испытаний

Стандарт 96906-mil-std-883 (включает отраслевые стандарты или стандарты ассоциации, стандарты отдельных производителей и т. Д.).

Тип и количество клемм

32 печатная плата

FSC

5962 Электронные микросхемы

Integrated Publishing — Ваш источник военных спецификаций и образовательных публикаций

Integrated Publishing — Ваш источник военных спецификаций и образовательных публикаций

Администрация — Военнослужащие. Навыки, процедуры, обязанности и т. Д.

Продвижение — Военное продвижение по службе книги и др.

Аэрограф / Метеорология — Метеорология основы, физика атмосферы, атмосферные явления и др.
Руководство по аэрографии и метеорологии ВМФ

Автомобили / Механика — Руководства по обслуживанию автомобилей, механика дизельных и бензиновых двигателей, руководства по автомобильным запчастям, руководства по запчастям дизельных двигателей, руководства по запчастям для бензиновых двигателей и т. Д.
Автомобильные аксессуары | Перевозчик, Персонал | Дизельные генераторы | Механика двигателя | Фильтры | Пожарные машины и оборудование | Топливные насосы и хранилище | Газотурбинные генераторы | Генераторы | Обогреватели | HMMWV (Хаммер / Хаммер) | и т.п…

Авиация — Принципы полета, авиастроение, авиационная техника, авиационные силовые установки, руководства по авиационным деталям, руководства по деталям самолетов и т. д.
Руководства по авиации ВМФ | Авиационные аксессуары | Общее техническое обслуживание авиации | Руководства по эксплуатации вертолетов AH-Apache | Руководства по эксплуатации вертолетов серии CH | Руководства по эксплуатации вертолетов Chinook | и т.д …

Боевой — Служебная винтовка, пистолет меткая стрельба, боевые маневры, органическое вспомогательное оружие и т. д.
Химико-биологические, маски и оборудование | Одежда и индивидуальное снаряжение | Инженерная машина | и т.д …

Строительство — Техническое администрирование, планирование, оценка, календарное планирование, планирование проекта, бетон, кладка, тяжелые строительство и др.
Руководства по строительству военно-морского флота | Агрегат | Асфальт | Битуминозный распределитель кузова | Мосты | Ведро, раскладушка | Бульдозеры | Компрессоры | Обработчик контейнеров | Дробилка | Самосвалы | Земляные двигатели | Экскаваторы | и т.п…

Дайвинг — Руководства по дайвингу и утилизации разного оборудования.

Чертежник — Основы, приемы, составление проекций, эскизов и др.

Электроника — Руководства по обслуживанию электроники для базового ремонта и основ. Руководства по компьютерным компонентам, руководства по электронным компонентам, руководства по электрическим компонентам и т. Д.
Кондиционер | Усилители | Антенны и мачты | Аудио | Аккумуляторы | Компьютерное оборудование | Электротехника (NEETS) (самая популярная) | Техник по электронике | Электрооборудование | Электронное общее испытательное оборудование | Электронные счетчики | и т.п…

Инженерное дело — Основы и приемы черчения, черчение проекций и эскизов, деревянное и легкое каркасное строительство и т. Д.
Военно-морское дело | Программа исследования прибрежных заливных отверстий в армии | так далее…

Еда и кулинария — Руководства по рецептам и оборудованию для приготовления пищи.

Логистика — Логистические данные для миллионов различных деталей.

Математика — Арифметика, элементарная алгебра, предварительное исчисление, введение в вероятность и т. д.

Медицинские книги — Анатомия, физиология, пациент уход, оборудование для оказания первой помощи, аптека, токсикология и др.
Медицинские руководства военно-морского флота | Агентство регистрации токсичных веществ и заболеваний

MIL-SPEC — Государственные стандарты MIL и другие сопутствующие материалы

Музыка — Мажор и минор масштабные действия, диатонические и недиатонические мелодии, ритм биения, пр.

Ядерные основы — Теории ядерной энергии, химия, физика и др.
Справочники DOE

Фотография и журналистика — Теория света, оптические принципы, светочувствительные материалы, фотографические фильтры, копия редактирование, написание статей и т.