Обозначение на микросхемах. Обозначения на микросхемах: как читать и понимать маркировку радиодеталей — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Как расшифровать обозначения на микросхемах и других радиодеталях. Что означают буквы и цифры в маркировке резисторов, конденсаторов, диодов. Как читать принципиальные схемы электронных устройств. Какие бывают типы электронных компонентов и их условные обозначения.

Содержание

Расшифровка обозначений на радиодеталях: основные принципы

Чтение и понимание маркировки электронных компонентов — важный навык для любого радиолюбителя и инженера-электронщика. Правильная расшифровка обозначений позволяет:

Определить тип и назначение радиодетали
Узнать ключевые характеристики компонента (сопротивление, емкость, мощность и т.д.)
Подобрать аналог или замену
Корректно использовать деталь в схеме

Основные принципы маркировки радиодеталей:

Использование буквенно-цифровых кодов
Группировка компонентов по типам (R — резисторы, C — конденсаторы и т.д.)
Указание ключевых параметров (сопротивление, емкость, мощность)
Обозначение полярности для некоторых компонентов

Применение цветовой маркировки (для резисторов)

Обозначение резисторов на схемах и в маркировке

Резисторы — одни из самых распространенных радиодеталей. Их обозначение включает:

Буквенный код R на схемах
Номинал сопротивления (Ом, кОм, МОм)
Мощность (Вт)
Тип (постоянный, переменный, подстроечный)

Как читать маркировку резисторов цветовым кодом:

Первые 2-3 полосы — значащие цифры
Следующая полоса — множитель
Последняя полоса — допуск

Например, резистор с полосами коричневый-черный-оранжевый-золотой имеет сопротивление 10 кОм с допуском 5%.

Маркировка конденсаторов: ключевые параметры

Обозначение конденсаторов включает следующую информацию:

Буквенный код C на схемах
Емкость (пФ, нФ, мкФ)
Рабочее напряжение
Тип диэлектрика
Полярность (для электролитических конденсаторов)

Как расшифровать маркировку конденсатора:

Первые 2-3 цифры — значение емкости
Последняя цифра — множитель
Буквенный код — тип диэлектрика

Например, конденсатор с маркировкой 104K имеет емкость 100000 пФ (100 нФ) с допуском 10%.

Обозначения полупроводниковых приборов: диоды и транзисторы

Маркировка полупроводниковых компонентов обычно включает:

Буквенно-цифровой код типа прибора
Полярность (для диодов)
Тип проводимости (для транзисторов)
Максимальные параметры (ток, напряжение)

Основные обозначения на схемах:

VD — диоды
VT — биполярные транзисторы
VDS — полевые транзисторы

Например, транзистор BC547 — это биполярный NPN-транзистор общего назначения.

Как читать маркировку микросхем и расшифровывать их обозначения

Обозначение интегральных микросхем обычно состоит из:

Серии микросхемы (например, К155, 74HC)
Функционального типа (например, ЛА — логический элемент И-НЕ)
Порядкового номера
Типа корпуса

Пример расшифровки маркировки микросхемы:

К155ЛА3 — микросхема серии К155, содержит 4 логических элемента 2И-НЕ.

На зарубежных микросхемах часто используется другая система обозначений. Например, 74HC00 — микросхема серии 74HC, содержащая 4 элемента 2И-НЕ.

Условные графические обозначения на принципиальных схемах

Для чтения принципиальных схем важно знать основные условные графические обозначения (УГО) компонентов:

Резистор — прямоугольник или зигзаг
Конденсатор — две параллельные линии
Диод — треугольник с чертой
Транзистор — окружность с тремя выводами
Микросхема — прямоугольник с выводами

Кроме того, на схемах указываются:

Номиналы компонентов
Полярность
Нумерация выводов микросхем
Обозначения цепей питания, земли и т.д.

Типы корпусов электронных компонентов и их маркировка

Важной частью маркировки является обозначение типа корпуса компонента. Основные типы корпусов:

DIP (Dual In-line Package) — корпус с двурядным расположением выводов
SMD (Surface Mounted Device) — корпус для поверхностного монтажа
TO (Transistor Outline) — стандартные корпуса транзисторов
SOT (Small Outline Transistor) — миниатюрные корпуса транзисторов

Маркировка корпуса обычно включает:

Тип корпуса (например, DIP14, SOT23)
Размеры корпуса
Материал корпуса (пластик, керамика)

Знание типов корпусов помогает правильно выбрать компонент для монтажа и определить его совместимость с печатной платой.

Особенности маркировки SMD-компонентов

SMD-компоненты имеют свою специфику маркировки из-за малых размеров:

Используются сокращенные буквенно-цифровые коды
Часто указывается только номинал без других параметров

Применяется цветовая маркировка для некоторых типов компонентов
На микросхемах может быть указан только код производителя

Примеры маркировки SMD-компонентов:

Резистор 4K7 — сопротивление 4,7 кОм
Конденсатор 104 — емкость 100 нФ
Транзистор 1AM — код типа транзистора

Для расшифровки маркировки SMD-компонентов часто требуются специальные справочники или онлайн-базы данных.

Обозначения микросхем на электрических схемах

При изготовлении радиоэлектронных устройств, у начинающих радиолюбителей могут возникнуть трудности с расшифровкой обозначений на схеме различных элементов. Для этого был составлен небольшой сборник самых часто встречающихся условных обозначений радиодеталей. Следует учесть, что здесь приводится исключительно зарубежный вариант обозначения и на отечественных схемах возможны отличия. Но так как большинство схем и деталей импортного происхождения – это вполне оправдано.

Резистор на схеме обозначается латинской буквой «R», цифра – условный порядковый номер по схеме. В прямоугольнике резистора может быть обозначена номинальная мощность резистора – мощность, которую он может долговременно рассеивать без разрушения. При прохождении тока на резисторе рассеивается определенная мощность, которая приводит к нагреву последнего. Большинство зарубежных и современных отечественных резисторов маркируется цветными полосами. Ниже приведена таблица цветовых кодов.

Далее приводится структура и цоколёвка с обозначением назначения выводов популярных импортных цифровых микросхем серии CD40xx и операционных усилителей LM.

Наиболее часто встречающаяся система обозначений полупроводниковых радиодеталей – европейская. Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры – для широкого применения. Три буквы и две цифры – для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Первая буква – код материала:

А – германий;
В – кремний;
С – арсенид галлия;
R – сульфид кадмия.

Вторая буква – назначение:

А – маломощный диод;
В – варикап;
С – маломощный низкочастотный транзистор;
D – мощный низкочастотный транзистор;
Е – туннельный диод;
F – маломощный высокочастотный транзистор;
G – несколько приборов в одном корпусе;
Н – магнитодиод;
L – мощный высокочастотный транзистор;
М – датчик Холла;
Р – фотодиод, фототранзистор;
Q – светодиод;
R – маломощный регулирующий или переключающий прибор;
S – маломощный переключательный транзистор;
Т – мощный регулирующий или переключающий прибор;
U – мощный переключательный транзистор;
Х – умножительный диод;

Y – мощный выпрямительный диод;
Z – стабилитрон.

Чтобы можно было собрать радиоэлектронное устройство, необходимо знать обозначение радиодеталей на схеме и их название, а также порядок их соединения. Для осуществления этой цели и были придуманы схемы. На заре радиотехники радиодетали изображались трехмерными. Для их составления требовались опыт художника и знания внешнего вида деталей. Со временем изображения упрощались, пока не превратились в условные знаки.

Чтение электрической схемы

Сама схема, на которой нарисованы условные графические обозначения (УГО), называется принципиальной. Она не только показывает, каким образом соединяются те или иные элементы схемы, но и объясняет, как работает все устройство, показывая принцип его действия. Чтобы добиться такого результата, важно правильно показать отдельные группы элементов и соединение между ними.

Помимо принципиальной, существуют и монтажные. Они предназначены для точного отображения каждого элемента относительно друг друга. Арсенал радиоэлементов огромен. Постоянно добавляются новые. Тем не менее УГО на всех схемах почти одинаково, а вот буквенный код существенно отличается.

Существует 2 вида стандарта:

государственный, в этот стандарт может входить несколько государств;
международный, пользуются почти во всем мире.

Но какой бы стандарт ни применялся, он должен четко показать обозначение радиодеталей на схеме и их название. В зависимости от функционала радиодетали УГО могут быть простыми или сложными. Например, можно выделить несколько условных групп:

источники питания;
индикаторы, датчики;
переключатели;
полупроводниковые элементы.

Этот перечень неполный и служит лишь для наглядности. Чтобы легче было разобраться в условных обозначениях радиодеталей на схеме, необходимо знать принцип действия этих элементов.

Источники питания

К ним относятся все устройства, способные вырабатывать, аккумулировать или преобразовывать энергию. Первый аккумулятор изобрел и продемонстрировал Александро Вольта в 1800 году. Он представлял собой набор медных пластин, проложенных влажным сукном. Видоизмененный рисунок стал состоять из двух параллельных вертикальных прямых, между которыми стоит многоточие. Оно заменяет недостающие пластины. Если источник питания состоит из одного элемента, многоточие не ставится.

В схеме с постоянным током важно знать, где находится положительное напряжение. Поэтому положительную пластину делают выше, а отрицательную ниже. Причем обозначение аккумулятора на схеме и батарейке ничем не отличается.

Также нет отличия и в буквенном коде Gb. Солнечные батареи, которые вырабатывают ток под влиянием солнечного света, в своем УГО имеют дополнительные стрелки, направленные на батарею.

Если источник питания внешний, например, радиосхема питается от сети, тогда вход питания обозначается клеммами. Это могут быть стрелки, окружности со всевозможными добавлениями. Возле них указывается номинальное напряжение и род тока. Переменное напряжение обозначается знаком «тильда» и может стоять буквенный код Ас. Для постоянного тока на положительном вводе стоит «+», на отрицательном «-«, а может стоять знак «общий». Он обозначается перевернутой буквой Т.

Полупроводниковые диоды

Полупроводники, пожалуй, имеют самую обширную номенклатуру в радиоэлектронике. Постепенно добавляются все новые приборы. Все их можно условно разделить на 3 группы:

В полупроводниковых приборах используется р-п-переход, схемотехника в УГО старается показывать особенности того или иного прибора. Так, диод способен пропускать ток в одном направлении. Это свойство схематически показано в условном обозначении. Оно выполнено в виде треугольника, у вершины которого стоит черточка. Эта черточка показывает, что ток может идти только по направлению треугольника.

Если к этой прямой пририсован короткий отрезок и он обращен в обратную сторону от направления треугольника, то это уже стабилитрон. Он способен пропускать небольшой ток в обратном направлении. Такое обозначение справедливо только для приборов общего назначения. Например, изображение для диода с барьером Шоттки нарисован s-образный знак.

Некоторые радиодетали имеют свойства двух простых приборов, соединенных вместе. Эту особенность также отмечают. При изображении двустороннего стабилитрона рисуются оба, причем вершины треугольников направлены друг к другу. При обозначении двунаправленного диода изображаются 2 параллельных диода, направленных в разные стороны.

Другие приборы обладают свойствами двух разных деталей, например, варикап. Это полупроводник, поэтому он рисуется треугольником. Однако в основном используется емкость его р-п—перехода, а это уже свойства конденсатора. Поэтому к вершине треугольника пририсовывается знак конденсатора — две параллельные прямые.

Признаки внешних факторов, влияющих на прибор, также нашли свое отражение. Фотодиод преобразует солнечный свет в электрический ток, некоторые виды являются элементами солнечной батареи. Они изображаются как диод, только в круге, и на них направлены 2 стрелки, для показа солнечных лучей. Светодиод, напротив, излучает свет, поэтому стрелки идут от диода.

Транзисторы полярные и биполярные

Транзисторы также являются полупроводниковыми приборами, но имеют в основном два p-n-p-перехода в биполярных транзисторах. Средняя область между двумя переходами является управляющей. Эмиттер инжектирует носители зарядов, а коллектор принимает их.

Корпус изображен кружком. Два p-n-перехода изображены одним отрезком в этом кружке. С одной стороны, к этому отрезку подходит прямая под углом 90 градусов — это база. С другой стороны, 2 косые прямые. Одна из них имеет стрелку — это эмиттер, другая без стрелки — коллектор.

По эмиттеру определяют структуру транзистора. Если стрелка идет по направлению к переходу, то это транзистор p-n-p типа, если от него — то это n-p-n транзистор. Раньше выпускался однопереходный транзистор, его еще называют двухбазовым диодом, имеет один p-n-переход. Обозначается как биполярный, но коллектор отсутствует, а баз две.

Похожий рисунок имеет и полевой транзистор. Отличие в том, что переход у него называется каналом. Прямая со стрелкой подходит к каналу под прямым углом и называется затвором. С противоположной стороны подходят сток и исток. Направление стрелки показывает тип канала. Если стрелка направлена на канал, то канал n-типа, если от него, то p-типа.

Полевой транзистор с изолированным затвором имеет некоторые отличия. Затвор рисуется в виде буквы г и не соединяется с каналом, стрелка помещается между стоком и истоком и имеет то же значение. В транзисторах с двумя изолированными затворами на схеме добавляется второй такой же затвор. Сток и исток взаимозаменяемые, поэтому полевой транзистор можно подключать как угодно, нужно лишь правильно подключить затвор.

Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы являются самыми сложными электронными компонентами. Выводы, как правило, являются частью общей схемы. Их можно разделить на такие виды:

На схеме они обозначаются в виде прямоугольника. Внутри стоит код и (или) название схемы. Отходящие выводы пронумерованы. Операционные усилители рисуются треугольником, выходящий сигнал идет из его вершины. Для отсчета выводов на корпусе микросхемы рядом с первым выводом ставится отметка. Обычно это выемка квадратной формы. Чтобы правильно читать микросхемы и обозначения знаков, прилагаются таблицы.

Прочие элементы

Все радиодетали соединяются между собой проводниками. На схеме они изображаются прямыми линиями и чертятся строго по горизонтали и вертикали. Если проводники при пересечении друг с другом имеют электрическую связь, то в этом месте ставится точка. В советских схемах и американских, чтобы показать, что проводники не соединяются, в месте пересечения ставится полуокружность.

Конденсаторы обозначаются двумя параллельными отрезками. Если это электролитический, для подключения которого важно соблюдать полярность, то возле его положительного вывода ставится +. Могут встречаться обозначения электролитических конденсаторов в виде двух параллельных прямоугольников, один из них (отрицательный) окрашивается в черный цвет.

Для обозначения переменных конденсаторов используют стрелку, она по диагонали перечеркивает конденсатор. В подстроечных вместо стрелки используется т-образный знак. Вариконд — конденсатор, меняющий емкость от приложенного напряжения, рисуется, как и переменный, но стрелку заменяет короткая прямая, возле которой стоит буква u. Емкость показывается цифрой и рядом ставится мкФ (микроФарада). Если емкость меньше — буквенный код опускается.

Еще один элемент, без которого не обходится ни одна электрическая схема — это резистор. Обозначается на схеме в виде прямоугольника. Чтобы показать, что резистор переменный, сверху рисуют стрелку. Она может быть соединена либо с одним из выводов, либо являться отдельным выводом. Для подстроечных используют знак в виде буквы т. Как правило, рядом с резистором указывается его сопротивление.

Для обозначения мощности постоянных резисторов могут использоваться знаки в виде черточек. Мощность в 0,05 Вт обозначается тремя косыми, 0,125 Вт — двумя косыми, 0,25 Вт — одной косой, 0,5 Вт — одна продольная. Большая мощность показывается римскими цифрами. Из-за многообразия невозможно провести описание всех обозначений электронных компонентов на схеме. Чтобы определить тот или иной радиоэлемент, пользуются справочниками.

Буквенно-цифровой код

Для простоты радиодетали разделяются на группы по признакам. Группы делятся на виды, виды — на типы. Ниже приведены коды групп:

A — устройства;
B — преобразователи;
C — конденсаторы;
D — микросхемы;
E — элементы разные;
F — защитные устройства;
G — источники питания;
H — индикаторы;
K — реле;
L — катушки;
M — двигатели;
P — приборы;
Q — выключатели;
R — резисторы;
S — выключатели;
T — трансформаторы;
U — преобразователи;
V — полупроводники, электровакуумные лампы;
X — контакты;
Y — электромагнит.

Для удобства монтажа на печатных платах указываются места для радиодеталей буквенным кодом, рисунком и цифрами. У деталей с полярными выводами у положительного вывода ставится +. В местах для пайки транзисторов каждый вывод помечается соответствующей буквой. Плавкие предохранители и шунты отображаются прямой линией. Выводы микросхем маркируются цифрами. Каждый элемент имеет свой порядковый номер, который указан на плате.

Начинающие радиолюбители нередко сталкиваются с такой проблемой, как обозначение на схемах радиодеталей и правильное прочтение их маркировки. Основная трудность заключается в большом количестве наименований элементов, которые представлены транзисторами, резисторами, конденсаторами, диодами и другими деталями. От того, насколько правильно прочитана схема, во многом зависит ее практическое воплощение и нормальная работа готового изделия.

Резисторы

К резисторам относятся радиодетали, обладающие строго определенным сопротивление протекающему через них электрическому току. Данная функция предназначена для понижения тока в цепи. Например, чтобы лампа светила менее ярко, питание на нее подается через резистор. Чем выше сопротивление резистора, тем меньше будет свечение лампы. У постоянных резисторов сопротивление остается неизменным, а переменные резисторы могут изменять свое сопротивление от нулевого значения до максимально возможной величины.

Каждый постоянный резистор обладает двумя основными параметрами – мощностью и сопротивлением. Значение мощности указывается на схеме не буквенными или цифровыми символами, а с помощью специальных линий. Сама мощность определяется по формуле: P = U x I, то есть равна произведению напряжения и силы тока. Данный параметр имеет важное значение, поскольку тот или иной резистор может выдержать лишь определенное значение мощности. Если это значение будет превышено, элемент просто сгорит, так как во время прохождения тока по сопротивлению происходит выделение тепла. Поэтому на рисунке каждые линии, нанесенные на резистор, соответствуют определенной мощности.

Существуют и другие способы обозначения резисторов на схемах:

На принципиальных схемах обозначается порядковый номер в соответствии с расположением (R1) и значение сопротивления, равное 12К. Буква «К» является кратной приставкой и обозначает 1000. То есть, 12К соответствует 12000 Ом или 12 килоом. Если в маркировке присутствует буква «М», это указывает на 12000000 Ом или 12 мегаом.
В маркировке с помощью букв и цифр, буквенные символы Е, К и М соответствуют определенным кратным приставкам. Так буква Е = 1, К = 1000, М = 1000000. Расшифровка обозначений будет выглядеть следующим образом: 15Е – 15 Ом; К15 – 0,15 Ом – 150 Ом; 1К5 – 1,5 кОм; 15К – 15 кОм; М15 – 0,15М – 150 кОм; 1М2 – 1,5 мОм; 15М – 15мОм.
В данном случае используются только цифровые обозначения. Каждое включает в себя три цифры. Первые две из них соответствуют значению, а третья – множителю. Таким образом, к множителям относятся: 0, 1, 2, 3 и 4. Они означают количество нулей, добавляемых к основному значению. Например, 150 – 15 Ом; 151 – 150 Ом; 152 – 1500 Ом; 153 – 15000 Ом; 154 – 120000 Ом.

Постоянные резисторы

Название постоянных резисторов связано с их номинальным сопротивлением, которое остается неизменным в течение всего периода эксплуатации. Они различаются между собой в зависимости от конструкции и материалов.

Проволочные элементы состоят из металлических проводов. В некоторых случаях могут использоваться сплавы с высоким удельным сопротивлением. Основой для намотки проволоки служит керамический каркас. Данные резисторы обладают высокой точностью номинала, а серьезным недостатком считается наличие большой собственной индуктивности. При изготовлении пленочных металлических резисторов, на керамическое основание напыляется металл, обладающий высоким удельным сопротивлением. Благодаря своим качествам, такие элементы получили наиболее широкое распространение.

Конструкция угольных постоянных резисторов может быть пленочной или объемной. В данном случае используются качества графита, как материала с высоким удельным сопротивлением. Существуют и другие резисторы, например, интегральные. Они применяются в специфических интегральных схемах, где использование других элементов не представляется возможным.

Переменные резисторы

Начинающие радиолюбители нередко путают переменный резистор с конденсатором переменной емкости, поскольку внешне они очень похожи друг на друга. Тем не менее, у них совершенно разные функции, а также имеются существенные отличия в отображении на принципиальных схемах.

В конструкцию переменного резистора входит ползунок, вращающийся по резистивной поверхности. Его основной функцией является подстройка параметров, заключающаяся в изменении внутреннего сопротивления до нужного значения. На этом принципе основана работа регулятора звука в аудиотехнике и других аналогичных устройствах. Все регулировки осуществляются за счет плавного изменения напряжения и тока в электронных устройствах.

Основным параметром переменного резистора является сопротивление, способное изменяться в определенных пределах. Кроме того, он обладает установленной мощностью, которую должен выдерживать. Этими качествами обладают все типы резисторов.

На отечественных принципиальных схемах элементы переменного типа обозначаются в виде прямоугольника, на котором отмечены два основных и один дополнительный вывод, располагающийся вертикально или проходящих сквозь значок по диагонали.

На зарубежных схемах прямоугольник заменен изогнутой линией с обозначением дополнительного вывода. Рядом с обозначением ставится английская буква R с порядковым номером того или иного элемента. Рядом проставляется значение номинального сопротивления.

Соединение резисторов

В электронике и электротехнике довольно часто используются соединения резисторов в различных комбинациях и конфигурациях. Для большей наглядности следует рассматривать отдельный участок цепи с последовательным, параллельным и смешанным соединением.

При последовательном соединении конец одного резистора соединяется с началом следующего элемента. Таким образом, все резисторы подключаются друг за другом, и по ним протекает общий ток одинакового значения. Между начальной и конечной точкой существует только один путь для протекания тока. С возрастанием количества резисторов, соединенных в общую цепь, происходит соответствующий рост общего сопротивления.

Параллельным считается такое соединение, когда начальные концы всех резисторов объединяются в одной точке, а конечные выходы – в другой точке. Течение тока происходит по каждому, отдельно взятому резистору. В результате параллельного соединения с увеличением числа подключенных резисторов, возрастает и количество путей для протекания тока. Общее сопротивление на таком участке уменьшается пропорционально количеству подключенных резисторов. Оно всегда будет меньше, чем сопротивление любого резистора, подключенного параллельно.

Чаще всего в радиоэлектронике используется смешанное соединение, представляющее собой комбинацию параллельного и последовательного вариантов.

На представленной схеме параллельно соединяются резисторы R2 и R3. Последовательное соединение включает в себя резистор R1, комбинацию R2 и R3 и резистор R4. Для того чтобы рассчитать сопротивление такого соединения, вся цепь разбивается на несколько простейших участков. После этого значения сопротивлений суммируются и получается общий результат.

Полупроводники

Стандартный полупроводниковый диод состоит из двух выводов и одного выпрямляющего электрического перехода. Все элементы системы объединяются в общем корпусе из керамики, стекла, металла или пластмассы. Одна часть кристалла называется эмиттером, в связи с высокой концентрацией примесей, а другая часть, с низкой концентрацией, именуется базой. Маркировка полупроводников на схемах отражает их конструктивные особенности и технические характеристики.

Для изготовления полупроводников используется германий или кремний. В первом случае удается добиться более высокого коэффициента передачи. Элементы из германия отличаются повышенной проводимостью, для которой достаточно даже невысокого напряжения.

В зависимости от конструкции, полупроводники могут быть точечными или плоскостными, а по технологическим признакам они бывают выпрямительными, импульсными или универсальными.

Конденсаторы

Конденсатор представляет собой систему, включающую два и более электродов, выполненных в виде пластин – обкладок. Они разделяются диэлектриком, который значительно тоньше, чем обкладки конденсатора. Все устройство имеет взаимную емкость и обладает способностью к сохранению электрического заряда. На простейшей схеме конденсатор представлен в виде двух параллельных металлических пластин, разделенных каким-либо диэлектрическим материалом.

На принципиальной схеме рядом с изображением конденсатора указывается его номинальная емкость в микрофарадах (мкФ) или пикофарадах (пФ). При обозначении электролитических и высоковольтных конденсаторов, после номинальной емкости указывается значение максимального рабочего напряжения, измеряемого в вольтах (В) или киловольтах (кВ).

Переменные конденсаторы

Для обозначения конденсаторов с переменной емкостью используются два параллельных отрезка, которые пересекает наклонная стрелка. Подвижные пластины, подключаемые в определенной точке схемы, изображаются в виде короткой дуги. Возле нее проставляется обозначение минимальной и максимальной емкости. Блок конденсаторов, состоящий из нескольких секций, объединяется с помощью штриховой линии, пересекающей знаки регулировки (стрелки).

Обозначение подстроечного конденсатора включает в себя наклонную линию со штрихом на конце вместо стрелки. Ротор отображается в виде короткой дуги. Другие элементы – термоконденсаторы обозначаются буквами СК. В его графическом изображении возле знака нелинейной регулировки проставляется температурный символ.

Постоянные конденсаторы

В принципиальных электрических схемах широко используются графические обозначения конденсаторов с постоянной емкостью. Они изображаются в виде двух параллельных отрезков и выводов из середины каждого из них. Возле значка проставляется буква С, после нее – порядковый номер элемента и с небольшим интервалом – числовое обозначение номинальной емкости.

При использовании в схеме конденсатора с ориентировочной емкостью, вместо его порядкового номера наносится звездочка. Значение номинального напряжения указывается лишь для цепей с высоким напряжением. Это касается всех конденсаторов, кроме электролитических. Цифровой символ напряжения проставляется после обозначения емкости.

Соединение многих электролитических конденсаторов требует соблюдения полярности. На схемах для обозначения положительной обкладки используется значок «+» либо узкий прямоугольник. При отсутствии полярности узкими прямоугольниками помечаются обе обкладки.

Диоды и стабилитроны

Диоды относятся к простейшим полупроводниковым приборам, функционирующим на основе электронно-дырочного перехода, известного как p-n-переход. Свойство односторонней проводимости наглядно передается на графических обозначениях. Стандартный диод изображается в виде треугольника, символизирующего анод. Вершина треугольника указывает направление проводимости и упирается в поперечную черту, обозначающую катод. Все изображение пересекается по центру линией электрической цепи.

Для маркировки диодов используется буквенное обозначение VD. Оно отображает не только отдельные элементы, но и целые группы, например, диодные мосты. Тип того или иного диода указывается возле его позиционного обозначения.

Базовый символ применяется и для обозначения стабилитронов, представляющих собой полупроводниковые диоды с особыми свойствами. В катоде присутствует короткий штрих, направленный в сторону треугольника, символизирующего анод. Данный штрих располагается неизменно, независимо от положения значка стабилитрона на принципиальной схеме.

Транзисторы

У большинства радиоэлектронных компонентов имеется лишь два вывода. Однако такие элементы как транзисторы оборудованы тремя выводами. Их конструкции отличаются разнообразными типами, формами и размерами. Общие принципы работы у них одинаковые, а небольшие отличия связаны с техническими характеристиками конкретного элемента.

Транзисторы используются преимущественно в качестве электронных коммутаторов для включения и выключения различных устройств. Основное удобство таких приборов заключается в возможности коммутировать большое напряжение с помощью источника малого напряжения.

По своей сути каждый транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого генерируются, усиливаются и преобразуются электрические колебания. Наибольшее распространение получили биполярные транзисторы с одинаковой электропроводностью эмиттера и коллектора.

На схемах они обозначаются буквенным кодом VT. Графическое изображение представляет собой короткую черточку, от середины которой отходит линия. Данный символ обозначает базу. К ее краям проводятся две наклонные линии под углом 60 0 , отображающие эмиттер и коллектор.

Электропроводность базы зависит от направления стрелки эмиттера. Если она направлена в сторону базы, то электропроводность эмиттера – р, а у базы – n. При направлении стрелки в противоположную сторону, эмиттер и база меняют электропроводность на противоположное значение. Знание электропроводности необходимо для правильного подключения транзистора к источнику питания.

Для того чтобы обозначение на схемах радиодеталей транзистора было более наглядным, оно помещается в кружок, означающий корпус. В некоторых случаях выполняется соединение металлического корпуса с одним из выводов элемента. Такое место на схеме отображается в виде точки, проставляемой там, где вывод пересекается с символом корпуса. Если же на корпусе имеется отдельный вывод, то линия, обозначающая вывод, может подсоединяться к кружку без точки. Возле позиционного обозначения транзистора указывается его тип, что позволяет существенно повысить информативность схемы.

Справочник «Цифровые Интегральные Микросхемы»

Справочник «Цифровые Интегральные Микросхемы» [ Содержание ]

1.1. Классификация и система условных обозначений цифровых микросхем

Цифровые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по законам дискретной функции. Они применяются для построения ЦВМ, а также цифровых узлов измерительных приборов, аппаратуры автоматического управления, связи и т. д.

По конструктивно-технологическому исполнению все цифровые ИС делятся на группы. По характеру выполняемых функций в аппаратуре ИС подразделяются на подгруппы (например, логические элементы, триггеры и т. д.) и виды внутри подгрупп (например, триггеры с задержкой, триггеры универсальные и т. д.). Разделение цифровых ИС на подгруппы и виды по функциональному назначению приведены в следующей таблице:

Таблица 1.1. Цифровые интегральные микросхемы
Подгруппа и вид ИС	Обозначение
Формирователи:
импульсов тока	AA
импульсов прямоугольной формы	АГ
импульсов специальной формы	АФ
прочие	АП
Схемы задержки	БР
Схемы вычислительных средств:
сопряжение с магистралью	ВА
синхронизации	ВБ
управления вводом-выводом (схемы интерфейса)	ВВ
контроллеры	ВГ
микроэвм	BE
специализированные	ВЖ
времязадающие	ВИ
комбинированные	ВК
микропроцессоры	ВМ
управление прерыванием	ВН
прочие	ВП
функциональные расширители (в том числе расширители разрядных данных)	ВР
микропроцессорные секции	ВС
схемы управления памятью	ВТ
схемы микропрограммного управления	ВУ
функциональные преобразователи информации (арифметические, тригонометрические, логарифмические, быстрого преобразования Фурье и др.)	ВФ
Генераторы :
прямоугольных сигналов	ГГ
сигналов специальной формы	ГФ
Схемы арифметических и дискретных устройств:
арифметическо-логические устройства	ИА
шифраторы	ИВ
дешифраторы	ИД
счетчики	ИЕ
комбинированные	ИК
полусумматоры	ИЛ
сумматоры	ИМ
прочие	ИП
регистры	ИР
Коммутаторы и ключи:
напряжения	КН
тока	КТ
прочие	КП
Логические элементы:
И-НЕ	ЛА
И-НЕ/ИЛИ-НЕ	ЛБ
расширители	ЛД
ИЛИ-НЕ	ЛЕ
И	ЛИ
И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ	ЛК
ИЛИ	ЛЛ
ИЛИ-НЕ/ИЛИ	ЛМ
НЕ	ЛН
прочие	ЛП
И-ИЛИ-НЕ	ЛР
И-ИЛИ	ЛС
Преобразователи сигналов:
двоичного кода в семисегментный код	ПП
уровня (согласователи)	ПУ
код — код	ПР
Схемы запоминающих устройств (ЗУ):
ассоциативные ЗУ	РА
матрицы постоянных ЗУ	РВ
постоянные ЗУ (масочные)	РЕ
матрицы оперативных ЗУ	РМ
прочие	РП
постоянные ЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования	РТ
оперативные ЗУ	РУ
постоянные ЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации	РФ
Схемы сравнения	СА
	СП
	СК
Триггеры :
универсальные (типа JK)	ТВ
динамические	ТД
комбинированные	ТК
Шмитта	ТЛ
с задержкой (типа D)	ТМ
прочие	ТП
с раздельным запуском (типа RS)	ТР
счетные (типа Т)	ТТ
Усилители	УЛ
Многофункциональные схемы
цифровые	ХЛ
комбинированные	ХК
цифровые матрицы	ХМ
прочие	ХП

Сведения о подгруппе и виде микросхемы содержатся в ее условном обозначении.

В соответствии с ГОСТ 17021-75 обозначение цифровых ИС должно состоять из четырех элементов. Первый из них — цифра (1, 5, 7), обозначающая группу ИС. Она определяется конструктивно-технологическим исполнением ИС. Второй элемент -две или три цифры (от 00 до 99 либо от 000 до 999), указывающие порядковый номер разработки серии ИС. Третий элемент — две буквы, обозначающие подгруппу и вид микросхемы, определяющие основные функциональные назначения ИС (табл. 1.1). Четвертый элемент-число, обозначающее порядковый номер разработки ИС по функциональному признаку в данной серии.

Два первых элемента обозначают серию ИС. Под серией понимают совокупность типов ИС, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения.

Пример условного обозначения интегральной полупроводниковой логической микросхемы И-НЕ с порядковым номером разработки серии — 1533, порядковым номером разработки данной схемы в серии по функциональному признаку — 3 приведен ниже.

При необходимости разработчик ИС имеет право после порядкового номера разработки ИС по функциональному признаку в данной серии дополнительно поместить букву (от А до Я), обозначающую отличие электрических параметров ИС одного типа (например, 531ЛА1П). Конечная буква при маркировке может быть заменена точкой. Цвет ее указывается в технических условиях (ТУ) на ИС конкретных типов. Для микросхем, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения добавляется буква К (на- пример, К1533ЛАЗ). Как правило, ИС с буквой К отличаются от микросхем, не имеющих ее, условиями приемки на заводе-изготовителе, т. е. отличаются не только диапазоном температур, при которых они могут быть использованы, но и численными значениями некоторых параметров.

В последнее время для некоторых ИС после буквы К ставится дополнительная буква, указывающая особенность конструктивного исполнения (например, КР, КМ, КФ).

Для бескорпусных ИС перед цифровым обозначением серии добавляют букву Б, а после обозначения порядкового номера разработки ИС по функциональному признаку в данной серии (или после дополнительного буквенного обозначения) через дефис указывают цифру, характеризующую модификацию конструктивного исполнения (например, Б133ЛАЗ-1). В табл. 1.2 приведены обозначения конструктивного исполнения для различных модификаций бескорпусных ПС.

Таблица 1.2. Модификация конструктивного исполнения
Характеристика конструктивного исполнения микросхем (модификация)	Обозначение конструктивного исполнения
С гибкими выводами	1
С ленточными (паучковыми) выводами	2
С жесткими выводами	3
На общей пластине (нераздельные)	4
Раздельные без потери ориентировки	5
С контактными площадками без выводов (кристалл)	6

Основные серии, тип логики, шифр корпуса и номер его рисунка, а также назначение цифровых ПС приведены в табл 1.2.

Обозначение — микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Обозначение — микросхема

Cтраница 1

Обозначения микросхем включают в себя четыре элемента. Первый элемент — первая цифра обозначения характеризует конструктивно-технологическое исполнение, где I, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — прочие микросхемы. [1]

Обозначение микросхемы наносится на ее корпус, на котором имеется также ключ или специальная метка, относительно которых осуществляется нумерация выводов. [2]

По принятой системе обозначение микросхемы должно состоять из четырех элементов. Первый элемент — цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Второй элемент — две-три цифры, присвоенные данной серии как порядковый номер разработки. Таким образом, первые два элемента составляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии микросхемы. [3]

Рассмотрим несколько примеров обозначений микросхем. Обозначение К155ЛР1 говорит о том, что это ИМС широкого применения в полупроводниковом исполнении, предназначенная для выполнения логической функции И — ИЛИ — НЕ, серия К155, порядковый номер разработки первый. [4]

Первый и третий элементы обозначения микросхемы составляют номер серии. [5]

Кроме того, в обозначении микросхем указывается номер серии. Серия объединяет ряд отдельных функциональных микросхем по их технологическому признаку, согласованности по напряжениям источников п-итания, входным и выходным сопротивлениям и уровням сигналов, конструктивному оформлению и способам крепления и монтажа. [6]

В соответствии с ГОСТ 18682 — 73, введенном в июне 1974 г., обозначение микросхемы состоит из четырех основных элементов. [7]

Условное обозначение микросхем, выпускаемых для широкого применения, содержит дополнительный индекс К, который ставится впереди всех элементов обозначения микросхем. [8]

Страницы: 1

Система обозначений микросхем производства Maxim

Крупнейший производитель интегральных схем Maxim выпускает широкий спектр устройств различного применения: АЦП, ЦАП, схемы интерфейсов RS-232, RS-422, RS-485, источники опорного напряжения и супервизоры питания, операционные усилители и различные аналоговые устройства. Микросхемы производства Maxim широко используются в персональных компьютерах, различном измерительном оборудовании, в видеоэлектронике и телекоммуникационных системах. Обозначение (ordering information) микросхем имеют одинаковую структуру для всех типов, в таблице ниже приведены примеры обозначений.

1. Префикс, означающий производителя	Maxim
2. Серия	В данном примере RS-232 интерфейс
3. Разброс электрических параметров	Для некоторых микросхем отсутствует
4. Диапазон рабочих температур	C0…+70 °C I-20…+85 °C E-40…+85 °C M-55…+125 °C
5. Тип корпуса	A — SSOP B — CerQUAD C — TO-220, TQFP D — Cer.Sidebraze E — QSOP F — Cer.FlatPack H — Module, SBGA J — CerDIP K — TO-3, PPGA L — LCC N — NarrowDIP P — PDIP Q — PLCC R — CerDIP (300mil) S — SO (150mil) T — TO-5(0.230 pin circle) U — TSSOP, mMAX, SOT V — TO-39 W — SO (300mil) X — JLCC Y — Narrow Sidebraze Z — TO-92, MQUAD /D — Dice /PR — Rugged Plastic /W — Wafer
6. Количество выводов	A — 8 B — 10, 64 C — 192 D — 14 E — 16 F — 256 G — 24 H — 44 I — 28 J — 32 K — 5, 68 L — 40 M — 7, 48 N — 18 O — 42 P — 20 Q — 2, 100 R — 3, 84 S — 4, 80 T — 6, 160 U — 60 V — 8 (0.200“ pin circle) W — 10 (0.230“ pin circle) X — 36 Y — 8 (0.200“ pin circle) Z — 10 (0.230“ pin circle)
7. Технология изготовления	Знаком + обозначают бессвинцовую технологию изготовления

Toshiba обозначение компонентов

Подробная информация о системе обозначений на сайте изготовителя: http://www.toshiba.com — Система обозначений
Тикер Элитан: @TOSHIBA

Значение суффиксов (символы в конце партнамбера):

Суффиксы обозначения места изготовления (завода):
(O) — Oita

Суффиксы соответствия экологическим стандартам:
(.F) — соответствует экологическому стандарту RoHS. Всегда только в самом конце партнамбера.
(G) — изготовлен по бессвинцовой технологии Pb-Free.
(Q) — покрытие выводов выполнено по бессвинцовой технологии Pb-Free

Суффиксы формы, формовки выводов, вида упаковки
F — широкая формовка выводов. В отличие от суффикса RoHS, обозначается без скобок и сразу после цифр функционального обозначения.
(EL) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TE85L) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TE12L) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TPL3) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TPh4) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TP*) — упаковка в ленте на бобине Tape&Reel. После символов TP может стоять цифра, указывающая на разновидность нестандартной формы выводов. Символ L или R означает ориентацию компонентов в ленте.
(LF*) — упаковка в линейках. Цифра указывает на разновидность нестандартной формы выводов, эквивалентно цифре для обозначения TP*.

Пример: TLP781F(GR,F)
В данном случае суффикс F указан дважды — первый раз обозначает широкую формовку выводов, а второй раз, в скобках — означает RoHS.

Суффиксы обозначения типа корпуса:
CT — корпус CST
F — корпус микросхемы SOP или SSOP, транзистора ESM или S-Mini
FC — корпус CSON
FU — корпус микросхемы SSOP, транзистора USM или USV
FK — корпус VSSOP
FE — корпус микросхемы SON, транзистора ES-6 или ESM или ESV
FS — корпус микросхемы SON, транзистора fSM или fS-6 или SSM
FT — корпус микросхемы TSSOP, транзистора TESM
FTG — корпус VQON
FV — корпус транзистора VESM
FW — корпус SOP-20
JE — корпус транзистора ESV
M — корпус PW-MINI
MFV — корпус транзистора VESM
P — корпус DIP
T — корпус транзистора TSM
TE — корпус транзистора TESM
TU — корпус микросхемы UF-6, транзистора UFM или UFV
U — корпус USQ или USC
X — корпус PW-X

Подробно о системе обозначения, маркировки и упаковки оптопар Toshiba — см. документ.

Подробно о системе обозначения, маркировки и упаковки слабосигнальных транзисторов, диодов, FET, операционных усилителей, драйверов тока, L-MOS, стабилизаторов напряжения Toshiba — см. документ.

naf-st >> Маркировка и обозначение >> Обозначение зарубежных микросхем логики

Маркировка и обозначение

Буржуйские микросхемы логики обозначаются так:

Первый элемент

Первый элемент обозначает производителя:

Нет элемента — GEC Plessey, Ideal Semic., National, Quality Semic., Philips, Rochester, SGS-Thomson, TI
CD — Harris
GD — Gold Star
IDT — IDT
KS — Samsung
LT — LSTI
M — Mitsubishi
ML, SL — Lansdale
MV — GEC Plessey
MM, DM, CGS — National
MC — Motorola
NCR — NCR
P — Performance
QS — Quality Semic
SN — Motorola, TI
T, M — SGS-Thomson
TC, TD — Toshiba
US — Universal

Второй элемент

Второй элемент обозначает условия эксплуатации:

54, 55 — диапазон от -55^°С до +125^°С
74, 75 — диапазон от 0^°С до 70^°С
84 — диапазон от -25^°С до +85^°С

Далее следует обозначение технологии:

Нет символа — стандартная ТТЛ
ABT, BCT, BC, FBT — ТТЛ-совместимые Би-КМОП-схемы
AC, ACQ — улучшенные КМОП-схемы
ACT, ACTQ, CT — ТТЛ-совместимые улучшенные КМОП-схемы
C, CBT, LCX, PCT, TV, TC, SC, FCT, HL — КМОП-схемы
AS, B — улучшенные ТТЛ с диодами Шотки
ALS — улучшенные маломощные ТТЛ-схемы с диодами Шотки
ALVT, LVT — Би-КМОП-схемы
F, FR — быстродействующие ТТЛ-схемы с диодами Шотки
HC, HCA — быстродействующие КМОП-схемы
H — быстродействующие ТТЛ-схемы
S — ТТЛ-схемы с диодами Шотки
L — маломощные ТТЛ-схемы
LS — маломощные ТТЛ-схемы с диодами Шотки
LVX, LVQ, LVCH, LVC, LV — КМОП-схемы с пониженным напряжением питания
VHCT — сверхбыстродействующие ТТЛ-совместимые КМОП-схемы
VHC — сверхбыстродействующие КМОП-схемы

Далее обозначается функциональное назначение и тип корпуса.

Новости:

Обозначение микросхем производства TEXAS INSTRUMENTS

СОДЕРЖАНИЕ

ОБОЗНАЧЕНИЕ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА Texas Instruments.

1. Стандартный префикс

Пример: SNJ — Conforms to MIL-PRF-38535 (QML)

2. Температурный режим

Примеры:

54 — Военная

74 – Комерческая

3. Серия

Примеры:

Пустое место- Transistor-Transistor Logic

ABT — Advanced BICMOS Technology

ABTE — Advanced BICMOS Technology/Enhanced Transceiver Logic

AC/ACT — Advanced CMOS Logic

AHC/AHCT — Advanced High-Speed CMOS Logic

ALB — Advanced Low-Voltage BiCMOS

ALS — Advanced Low-Power Schottky Logic

ALVC — Advanced Low-Voltage CMOS Technology

AS — Advanced Schottky Logic

BCT — BICMOS Bus-Interface Technology

CBT — Crossbar Technology

CBTLV — Low-Voltage Crossbar Technology

F — F Logic

FB — Backplane Transceiver Logic/Futurebus+

GTL — Gunning Transceiver Logic

HC/HCT — High-Speed CMOS Logic

HSTL-High-Speed Transistor Logic

LS — Low-Power Schottky Logic

LV — Low-Voltage HCMOS Technology

LVC — Low-Voltage CMOS Technology

LVT — Low-Voltage BiCMOS Technology

S — Schottky Logic

SSTL — Stub Series-Terminated Logic

4. Специальные функции

Примеры:

Пустое место = Специальные функции отсутствуют.

D — Level-Shifting Diode (CBTD) [Сдвигающий уровень диод]

H — Bus Hold (ALVCH)

R — Damping Resistor on Inputs/Outputs (LVCR) [Демпфирующий резистор]

S — Schottky Clamping Diode (CBTS) [Ограничивающий входной уровень напряжения диод Шоттки]

5. Количество обрабатываемых бит

Примеры:

Пустое место = Gates, MSI, and Octals

1 G — Один логический элемент

8-Octal IEEE 1149.1 (JTAG)

16-Widebus™ (16, 18, and 20 bit)

18-WidebuslEEE 1149.1 (JTAG)

32 — Widebus+™ (32 and 36 bit)

6. Дополнительные опции

Примеры:

Пустое место = опции отсутствуют

2 — Series-Damping Resistor on Outputs[Последовательные демпфирующие резисторы на выходах]

25 — 25-Омный выход

7. Функциональное назначение

Пример:

244 — Неинвертирующий 8-битный формирователь

8. Версия прибора

Примеры:

Пустое место = Нет версий

A-Z — Обозначение версий

9. Исполнение корпуса

Примеры:

D, DW — Small-Outline Integrated Circuit

(SOIC) DB, DL — Shrink Small-Outline Package

(SSOP) DBB.DGV-Thin Very Small-Outline Package

(TVSOP) DBC) — Quarter-Size Outline Package

(QSOP) DBV — Small-Outline Transistor Package

(SOT) DCK — Small-Outline Package (SOP)

DGG, PW — Thin Shrink Small-Outline Package

(TSSOP) FK — Leadless Ceramic Chip Carrier (LCCC)

FN — Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC)

GB — Ceramic Pin Grid Array (CPGA)

HFP, HS, HT, HV — Ceramic Quad Flat Package (CQFP)

J, JT-Ceramic Dual-In-Line Package (CDIP)

N, NP, NT- Plastic Dual-In-Line Package (PDIP)

PAG, PAH, PCA, PCB, PM, PN, PZ-Plastic Thin Quad Flat Package (TQFP)

PH, PQ, RC — Plastic Quad Flat Package (QFP)

W, WA, WD — Ceramic Flat Package (CFP)

Нумерация

Примеры:

LE — Левая Рельефная (требуемая для DB и PW корпусов)

R — Стандартная(требуемая для DGG, DBB, DGV, и DBV; необязательно D, DL, and DW packages)

СОДЕРЖАНИЕ

% PDF-1.2 % 2811 0 объект > эндобдж xref 2811 298 0000000016 00000 н. 0000006316 00000 н. 0000011144 00000 п. 0000011306 00000 п. 0000011393 00000 п. 0000011501 00000 п. 0000011655 00000 п. 0000011788 00000 п. 0000011942 00000 п. 0000012097 00000 п. 0000012268 00000 п. 0000012401 00000 п. 0000012591 00000 п. 0000012766 00000 п. 0000012949 00000 п. 0000013168 00000 п. 0000013279 00000 п. 0000013389 00000 п. 0000013541 00000 п. 0000013718 00000 п. 0000013861 00000 п. 0000013995 00000 п. 0000014167 00000 п. 0000014355 00000 п. 0000014493 00000 п. 0000014659 00000 п. 0000014812 00000 п. 0000014924 00000 п. 0000015036 00000 п. 0000015164 00000 п. 0000015336 00000 п. 0000015492 00000 п. 0000015625 00000 п. 0000015775 00000 п. 0000015916 00000 п. 0000016060 00000 п. 0000016277 00000 п. 0000016439 00000 п. 0000016610 00000 п. 0000016738 00000 п. 0000016922 00000 п. 0000017114 00000 п. 0000017254 00000 п. 0000017437 00000 п. 0000017619 00000 п. 0000017826 00000 п. 0000018013 00000 п. 0000018185 00000 п. 0000018334 00000 п. 0000018507 00000 п. 0000018646 00000 п. 0000018830 00000 п. 0000018973 00000 п. 0000019124 00000 п. 0000019272 00000 п. 0000019419 00000 п. 0000019576 00000 п. 0000019723 00000 п. 0000019871 00000 п. 0000020014 00000 п. 0000020165 00000 п. 0000020306 00000 п. 0000020444 00000 п. 0000020571 00000 п. 0000020710 00000 п. 0000020870 00000 п. 0000021016 00000 п. 0000021182 00000 п. 0000021363 00000 п. 0000021529 00000 п. 0000021677 00000 н. 0000021814 00000 п. 0000021960 00000 п. 0000022124 00000 п. 0000022271 00000 п. 0000022423 00000 п. 0000022574 00000 п. 0000022733 00000 п. 0000022874 00000 п. 0000023045 00000 п. 0000023204 00000 п. 0000023344 00000 п. 0000023490 00000 н. 0000023641 00000 п. 0000023798 00000 п. 0000023931 00000 п. 0000024097 00000 п. 0000024250 00000 п. 0000024387 00000 п. 0000024543 00000 п. 0000024694 00000 п. 0000024831 00000 п. 0000024970 00000 п. 0000025106 00000 п. 0000025241 00000 п. 0000025379 00000 п. 0000025533 00000 п. 0000025655 00000 п. 0000025789 00000 п. 0000025981 00000 п. 0000026125 00000 п. 0000026262 00000 п. 0000026452 00000 п. 0000026596 00000 п. 0000026766 00000 п. 0000026928 00000 п. 0000027098 00000 п. 0000027248 00000 п. 0000027389 00000 н. 0000027548 00000 п. 0000027682 00000 н. 0000027808 00000 п. 0000027937 00000 н. 0000028082 00000 п. 0000028217 00000 п. 0000028358 00000 п. 0000028509 00000 п. 0000028649 00000 п. 0000028779 00000 п. 0000028916 00000 п. 0000029055 00000 п. 0000029196 00000 п. 0000029337 00000 п. 0000029465 00000 п. 0000029584 00000 п. 0000029727 00000 н. 0000029861 00000 п. 0000030014 00000 п. 0000030148 00000 п. 0000030283 00000 п. 0000030416 00000 п. 0000030537 00000 п. 0000030658 00000 п. 0000030953 00000 п. 0000031133 00000 п. 0000031420 00000 п. 0000031660 00000 п. 0000031817 00000 п. 0000032081 00000 п. 0000032317 00000 п. 0000032596 00000 п. 0000032781 00000 п. 0000033062 00000 п. 0000033325 00000 п. 0000033711 00000 п. 0000034057 00000 п. 0000034265 00000 п. 0000034473 00000 п. 0000034699 00000 н. 0000034877 00000 п. 0000035129 00000 п. 0000035360 00000 п. 0000035569 00000 п. 0000035659 00000 п. 0000035700 00000 п. 0000035871 00000 п. 0000035939 00000 п. 0000036029 00000 п. 0000036244 00000 п. 0000036486 00000 п. 0000036752 00000 п. 0000037004 00000 п. 0000037255 00000 п. 0000037425 00000 п. 0000037576 00000 п. 0000037837 00000 п. 0000038911 00000 п. 0000038934 00000 п. 0000046145 00000 п. 0000046254 00000 п. 0000046451 00000 п. 0000047148 00000 п. 0000047463 00000 п. 0000047788 00000 п. 0000048110 00000 п. 0000048459 00000 п. 0000048792 00000 п. 0000049090 00000 н. 0000049236 00000 п. 0000049504 00000 п. 0000049768 00000 п. 0000049858 00000 п. 0000050009 00000 п. 0000050099 00000 п. 0000050251 00000 п. 0000050596 00000 п. 0000050860 00000 п. 0000051009 00000 п. 0000051343 00000 п. 0000051765 00000 п. 0000051969 00000 п. 0000052273 00000 п. 0000052479 00000 п. 0000052781 00000 п. 0000052984 00000 п. 0000053406 00000 п. 0000053710 00000 п. 0000054004 00000 п. 0000054390 00000 п. 0000054600 00000 п. 0000054690 00000 н. 0000054824 00000 п. 0000055173 00000 п. 0000055370 00000 п. 0000055668 00000 п. 0000055970 00000 п. 0000056392 00000 п. 0000056778 00000 п. 0000057080 00000 п. 0000057374 00000 п. 0000057532 00000 п. 0000057723 00000 п. 0000057920 00000 н. 0000058254 00000 п. 0000058599 00000 п. 0000058715 00000 п. 0000058941 00000 п. 0000059119 00000 п. 0000059371 00000 п. 0000059602 00000 п. 0000059936 00000 н. 0000060172 00000 п. 0000060380 00000 п. 0000060565 00000 п. 0000060722 00000 п. 0000060958 00000 п. 0000061198 00000 п. 0000061479 00000 п. 0000061766 00000 п. 0000062008 00000 п. 0000062248 00000 п. 0000062491 00000 п. 0000062714 00000 п. 0000062871 00000 п. 0000063083 00000 п. 0000063246 00000 н. 0000063395 00000 п. 0000063638 00000 п. 0000063866 00000 п. 0000064118 00000 п. 0000064296 00000 н. 0000064583 00000 п. 0000064786 00000 п. 0000065065 00000 п. 0000065302 00000 п. 0000065564 00000 п. 0000065984 00000 п. 0000066400 00000 п. 0000066595 00000 п. 0000066825 00000 п. 0000067022 00000 п. 0000067272 00000 н. 0000067436 00000 п. 0000067662 00000 п. 0000067841 00000 п. 0000068011 00000 п. 0000068228 00000 п. 0000068432 00000 п. 0000068637 00000 п. 0000068800 00000 п. 0000068976 00000 п. 0000069130 00000 п. 0000069220 00000 п. 0000069410 00000 п. 0000069560 00000 п. 0000069763 00000 п. 0000069999 00000 н. 0000070170 00000 п. 0000070386 00000 п. 0000070592 00000 п. 0000070781 00000 п. 0000071122 00000 п. 0000071212 00000 п. 0000071440 00000 п. 0000071610 00000 п. 0000072020 00000 н. 0000072211 00000 п. 0000072415 00000 п. 0000072632 00000 п. 0000072804 00000 п. 0000072996 00000 н. 0000073215 00000 п. 0000073496 00000 п. 0000073704 00000 п. 0000073861 00000 п. 0000074101 00000 п. 0000074431 00000 п. 0000074639 00000 п. 0000074815 00000 п. 0000074944 00000 п. 0000075034 00000 п. 0000075217 00000 п. 0000075368 00000 п. 0000075604 00000 п. 0000075868 00000 п. 0000076009 00000 п. 0000006458 00000 п. 0000011120 00000 п. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 2812 0 объект > эндобдж 3107 0 объект > транслировать HVPSg {s ށ` @ L & «y \ 0 (| u» ԮAE + hj2 Ơ ֝ t`U @ Zv70XQ; [] T | w ν

Integrated Publishing — Ваш источник военных спецификаций и образовательных публикаций

Администрация — Военнослужащие. Навыки, процедуры, обязанности и т. Д.

Продвижение — Военное продвижение по службе книги и др.

Аэрограф / Метеорология — Метеорология основы, физика атмосферы, атмосферные явления и др.
Руководство по аэрографии и метеорологии ВМФ

Авиация — Принципы полета, авиастроение, авиационная техника, авиационные силовые установки, руководства по авиационным деталям, руководства по деталям самолетов и т. д.
Руководства по авиации ВМФ | Авиационные аксессуары | Общее техническое обслуживание авиации | Руководства по эксплуатации вертолетов AH-Apache | Руководства по эксплуатации вертолетов серии CH | Руководства по эксплуатации вертолетов Chinook | и т.д …

Боевой — Служебная винтовка, пистолет меткая стрельба, боевые маневры, органическое вспомогательное оружие и т. д.
Химико-биологические, маски и оборудование | Одежда и индивидуальное снаряжение | Инженерная машина | и т.д …

Дайвинг — Руководства по дайвингу и утилизации разного оборудования.

Чертежник — Основы, приемы, составление проекций, эскизов и др.

Инженерное дело — Основы и приемы черчения, черчение проекций и эскизов, деревянное и легкое каркасное строительство и т. Д.
Военно-морское дело | Программа исследования прибрежных заливных отверстий в армии | так далее…

Еда и кулинария — Руководства по рецептам и оборудованию для приготовления пищи.

Логистика — Логистические данные для миллионов различных деталей.

Математика — Арифметика, элементарная алгебра, предварительное исчисление, введение в вероятность и т. д.

Книги медицинские — Анатомия, физиология, пациент уход, оборудование для оказания первой помощи, аптека, токсикология и др.
Медицинские руководства ВМФ | Агентство регистрации токсичных веществ и заболеваний

MIL-SPEC — Government MIL-Specs и другие сопутствующие материалы

Музыка — мажор и минор масштабные действия, диатонические и недиатонические мелодии, ритм биения, пр.

Ядерные основы — Теории ядерной энергии, химия, физика и др.Справочники
DOE

Фотография и журналистика — Теория света, оптические принципы, светочувствительные материалы, фотографические фильтры, копия редактирование, написание статей и т. д.
Руководства по фотографии и журналистике военно-морского флота | Армейская фотография Полиграфия и пособия по журналистике

Религия — Основные религии мира, функции поддержки поклонения, венчания в часовне и т. д.

Информация о военных спецификациях

Информация о военных характеристиках

для DC / DC Преобразователи

Закладки для этой страницы:

Справочная информация по MIL-PRF-38534

Военный Технические характеристики преобразователей постоянного тока в постоянный

Поставщики DC / DC преобразователей военной спецификации

POC для QML-аудитов компаний, производящих преобразователи постоянного тока в постоянный

Деталь Уровень выбора и качества

Фон включен MIL-PRF-38534 к началу

Центр снабжения обороны Колумбуса (DSCC) — логистический центр и менеджер для военных спецификаций для электронных компонентов, включая гибридный DC / DC Конвертеры.Гибрид упакованный (несколько устройств внутри одной большой упаковки) DC / DC преобразователи управляются с помощью номера спецификаций, стандартов и методов испытаний. Спецификация верхнего уровня — MIL-PRF-38534, Гибридные микросхемы, Общие Спецификация для , который используется (почти) для всех гибридных электронных части. Эта спецификация очень сложный и подвергается постоянному анализу и интерпретации через JEDEC 13.5 (Производители гибридов) и G12 Группы (пользователи компонентов) в отраслевых / государственных твердотельных устройствах Комитет.

MIL-PRF-38534 основан на утвержденном списке производителей. (QML) подход, который подчеркивает возможности и последовательность производства процессы и материалы, а также четко определенный поток испытаний. Доказательство того, что используемые процессы и материалы изготовителем приведет к производству деталей, способных выдержать жесткие условия окружающей среды и электрически стабильны при длительном использовании достигается посредством разрушающих и неразрушающих квалификационных испытаний и аудит систем качества производителей, контроля процессов и тестирования возможность DSCC.Успешный Результат аудита производственной линии — сертификация линии. Успешное квалификационное испытание деталей сделано на этой сертифицированной линии, приводит к списку QML этого номера детали (если он определяется стандартным чертежом микросхемы DSCC) теперь квалифицированный. Технологические материалы и методы могут быть изменены со временем, однако в системе QML производитель должен провести дополнительное квалификационное тестирование и предоставить результаты тестирования в DSCC, если изменение считается серьезным (может повлиять на механическую устойчивость частей).

Классы сертификации основаны на аудите DSCC конкретные потоки испытаний, выполняемые производителем на серийных деталях. Пятью классами являются K, H, G, D и E. Требования класса H обычно формируют исходный уровень. Уровень K присуждается DSCC. если поставщик продемонстрировал возможность выполнения дополнительных предварительных сборок проверки компонентов, используемых внутри детали, проверки после сборки и тестирование в дополнение ко всем базовым требованиям класса ЧАС.Дополнительные требования, определяющие Класс K призван дать покупателю больше уверенности в том, что его часть партия имеет высокое первоначальное качество и все дефектные детали удалены с лота. Требования к классу K также удовлетворять особые потребности пользователей космоса. Политика NASA GSFC гласит, что классы H и K являются единственными классами, обычно используется в летном оборудовании. Радиация твердость требует специального утверждения DSCC и может быть добавлена к любому классу уровень. Ни класс H, ни класс K требования приводят пользователя к числовому значению надежности детали (например,грамм. ПОДХОДИТ, Среднее время безотказной работы,% отказов / 1000 часов и т. Д.).

После того, как DSCC примет успешное квалификационное тестирование материалы и процессы и сертифицировал объект для класса K производства, поставщик может принимать заказы на продукцию класса К. Для исходной партии продукции производитель должен выполнить все требования класса K, включая скрининг и Тестирование групп A, B, C и D перед отправкой продукта как класса K. Только для последующих партий Скрининг, электрические параметрические испытания (группа A) и разрушающий, встроенный образец инспекции (группа B) обязательны для каждой партии.Как указано выше, используемые внутренние элементы устройства класса K должны быть на 100% протестированы и аттестованы перед использованием. внутри гибридного устройства. Квалификация типовые испытания (термический удар, механический удар, долговечность и т. д.), называемые испытаниями группы C повторяются только по мере необходимости, и тесты Группы D (особый интерес такие испытания, как соляная атмосфера, изоляция упаковки и целостность свинца) повторяется с интервалом не более 26 недель. Проверка соответствия (CI) и периодическая проверка (PI) — это требования для классов H и K независимо от закупаемого транспортного средства (например,грамм., заказ на поставку, чертеж системы контроля версий, DSCC SMD).

Все классы деталей, включая K, могут быть проданы DSCC контролируемые чертежи (SMD), чертежи SMD +, называемые описанием выбранного элемента (которое вызывает SMD, а затем добавляет некоторые уникальные требования), спецификации производителя или клиента прилагаемые чертежи (SCD). SMD являются составными спецификации, опубликованные DSCC, которые объединяют информацию таблицы данных для уникальная часть (электрические параметры, блок-схема, максимальная рабочая условия и т. д.) с четкими формулировками, предъявляющими требования MIL-PRF-38534 (испытание условия, требования по прохождению / непрохождению и т. д.) и уровень класса. SMD пишутся пользователем, производителем или DSCC по мере необходимости и могут быть созданы, согласовывается с производителем и публикуется в течение пары месяцев.

Для каждого типа SMD-устройства DSCC требует, чтобы производитель предоставить Сертификат соответствия, который DSCC хранит в файле. Производитель обязан поддерживать данные электрических испытаний (группа A) из исходной партии, изготовленной для каждого SMD тип устройства (независимо от того, соответствует ли оно требованиям класса H или класса K).Хотя производителям разрешено продавать QML устройства для транспортных средств, не предназначенных для SMD (SCD, таблицы данных и т. д.), DSCC не требует представления сертификата C для этих партий.

Четыре поставщика указаны в QML-38534 для Преобразователи постоянного тока в постоянный, но только один указан для номеров деталей SMD класса К. Перечисленные в настоящее время SMD-компоненты DC / DC: обозначено как радиационно-стойкое по схеме нумерации деталей. Нет опубликованного DSCC списка не-SMD номера деталей, которые производятся в системе QML.

DSCC выполняет аудит поставщиков гибридных QML на месте каждый раз. в другой год для обновления и поддержания статуса сертификации линии поставщика. Во время этих аудитов DSCC выполняет выборочную проверку. чтобы убедиться, что партии, продаваемые как продукты QML, обрабатываются и протестировано в соответствии с требованиями MIL-PRF-38534 и закупками документы. Если производитель не соответствуют любым требованиям, от них может потребоваться выдать оповещение GIDEP или проблему Консультации, отзыв продукта, выдача запрета на поставку или потеря QML сертификация.

Покупка преобразователей постоянного тока в постоянный класс H или K поставляется с определенными уровень достоверности, основанный на проверке производителей DSCC системы. Однако, если пользователь хочет подтверждение, помимо подтверждения производителей, что деталь соответствует всем MIL-PRF-38534 и особые требования клиента, он или она должны выполнять свои собственные проверка. Консультации квалификационной группы DSCC рекомендуется как часть этого процесс проверки.

Производители продают детали, которые могут быть неверно истолкованы как Продукт QML класса H или K.Класс К, Класс H и QML — это термины, используемые в контексте DSCC. система военных спецификаций и теряет смысл вне этого система. Такие фразы, как / 883 совместимы или проверены на соответствие MIL-PRF-38534, класс K являются маркетинговым языком и не специально определено для продуктов, не относящихся к QML. Может быть очень сложно понять, рекламируются ли детали на этом языке. являются QML, особенно если они не куплены с номером детали SMD. Использование маркетингового языка на веб-сайт производителя, чтобы определить, является ли деталь продуктом QML. рекомендуется, потому что термины Класс K, Квалификация и Сертификация регулярно используются неправильно.Пользователи можно связаться с Джонни Шнайдером (614-692-0585, [email protected]) в DSCC, чтобы проверять, действительно ли детали, не относящиеся к SMD, которые они собираются покупать для использования в космосе являются частями QML. Номера деталей, являющиеся купленные для космических программ по системе QML могут быть отправлены в DSCC для включение в выборочный аудит.

Военный Технические характеристики преобразователей постоянного тока в постоянный наверх

Индивидуальные чертежи, созданные для конкретных устройств в Система MIL-PRF-38534 называется стандартными чертежами микросхем (SMD).Детали индивидуального преобразователя, типа его корпуса, назначения контактов, электрических технические характеристики и номиналы, номинальные температуры, функциональный блок схемы и конкретные примечания по применению находятся на уровне SMD. SMD для DC / DC Преобразователи можно найти с помощью стандартной микросхемы DSCC. Инструмент перекрестных ссылок. Этот инструмент имеет три основных поля: левое, среднее и Правильно. Установите левое поле на Описание, оставьте среднее значение «Содержит» и установите в правом поле значение Преобразователь постоянного тока в постоянный (около 60 наименований описаны как преобразователи постоянного тока в постоянный), поэтому найдите все объявления, которые вам нужно выполнить, используя второй поиск с помощью DC-DC Converter).В результате получается список из примерно 1200 индивидуальные номера деталей для всех DC / DC преобразователей (не считая EMI Фильтры, которые могут поставляться отдельно). Эти номера деталей встречаются примерно в 230 спецификациях. Система MIL-PRF-38534 / SMD стандартизирует система нумерации деталей, использующая следующий формат: Примечание: Формат вступил в силу примерно в 1987 году. SMD до этой даты используют другую деталь схема нумерации.)

5962-0052201HXC или 5962R9161402KXA

Суффикс 5962 начинает все SMD и является национальным классом микросхем.Следующая цифра обозначает радиационную стойкость. (тире не оценивается, а буквы используются для обозначения различных уровней допуска за накопленную ионизирующую дозу). Следующий пять цифр идентифицируют номер чертежа SMD (00522 и 91614 в примере выше). Следующие две цифры определяют тип устройства, когда в одном SMD указано более одного. Буква, следующая за типом устройства, K, H, G, D или E, идентифицирует класс устройства. В последние цифры связаны со стилем упаковки и другими физическими деталями часть.

Чертежи

SMD обычно инициируются пользователем или производителя и согласованы с теми пользователями и производителями, у которых есть проявили интерес и были добавлены в список зарегистрированных пользователей для что SMD. DSCC поддерживает шаблон SMD упростить написание и редактирование. Они иметь персонал, который может перенести техническое описание производителя в формат SMD и будет работать с пользователями, чтобы согласовать документ с производители.Никаких изменений сделать нельзя без одобрения всех участников Списка зарегистрированных пользователей. DSCC поощряет использование SMD, поскольку они продвигают стандартизация (несколько пользователей и несколько производителей, конкуренция и более длительная доступность деталей) и имеют большую видимость в DSCC Система, которая не относится к SMD-артикулам.

Поставщики Преобразователи постоянного / постоянного тока в военных спецификациях к началу

Как отмечалось выше, база поставок этих деталей управляется DSCC посредством сертификации, утверждения квалификации и аудита.Список производителей, которым разрешено продавать детали гибридных микросхем в системе QML, независимо от того, используются ли детали SMD числа или нет — это QML-38534. QML обновляется ежеквартально. В этот список вошли все гибридные микросхемы QML. производители, а не только производители преобразователей постоянного / постоянного тока. Анализ списка за апрель 2005 г. показал, что Ниже приведены сведения о том, кто может производить преобразователи постоянного тока в постоянный ток QML для существующих деталей SMD. номера (код клетки предоставляется, чтобы отличить местонахождение завода):

Расширенный аналоговый / международный выпрямитель (код CAGE 52467) Санта-Клара, Калифорния

DC / DC Домашняя страница конвертера // Продукт объявление

CraneInterpoint (Код КЕЙДЖИ 50821) Редмонд, Вашингтон

постоянного / постоянного тока Домашняя страница конвертера // Список продуктов конвертеры фильтры

М.Корпорация С. Кеннеди (код клетки 51651) Ливерпуль, штат Нью-Йорк

постоянного / постоянного тока Домашняя страница конвертера // Продукт Листинг

VPT Incorporated (код CAGE 0ZBZ6) Блэксбург, Вирджиния *

Домашняя страница преобразователя постоянного тока

// Листинг

производителей QML проходят аудит каждые другой год, если не было существенных изменений производственной линии или проблем обнаружено с момента последней проверки. DSCC планирует, координирует и проводит эти проверки.НАСА — приглашенный гость на аудитах DSCC. Г-н Терри Дауди из NAVSEA Crane Division выступает в качестве официального представителя НАСА на DSCC-аудит производителей гибридных микросхем. (свяжитесь с Майком Сэмпсоном в качестве альтернативный). DSCC публикует список предстоящие аудиты на http://www.dscc.dla.mil/downloads/VQGeneral/IHAuditReports070521.pdf. Приглашаем клиентов принять участие в аудит, пока есть место. Контакт информацию также можно найти на сайте DSCC (ссылка).

Деталь Выбор на основе уровня качества наверх

Использование компонентов с высочайшей надежностью или наивысший уровень достоверности всегда предпочтителен для космических систем, отказ которых может закончить миссию, и ремонт не вариант.Программа QML, MIL-PRF-38534 обеспечивает наиболее стандартизованные требования и контроль поставок гибридов. Класс К обеспечивает наивысшую надежность за счет включения испытания срока службы и сканирующей электронной микроскопии (SEM) на каждая партия микросхемы, идущие в гибрид, дополнительные средства контроля процесса, и другие производственные испытания (скрининг), в том числе вдвое превышение приработки класса H и более плотный допустимый процент брака (КПК), 100% неразрушающий сцепление, более жесткие внутренние визуальные критерии, чем класс H, рентгеновское обнаружение и обнаружение шума от столкновения с частицами (PIND).

НАСА GSFCs квалификации и руководство по скринингу EEE-INST-002 содержит инструкции по заказу и обработке гибридных микросхем для использование пространства, которое может быть недоступно для mil-system (или mil-parts Класс не соответствует требованиям миссии). Специальный раздел EEE-INST-002, посвященный, в частности, преобразователям постоянного тока в постоянный. в процессе.

к началу

DLA — SMD-5962-93112 — МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ БУФЕР ЧАСОВОГО СКОРОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

объем:

Этот чертеж является частью системы документации, состоящей из одной части и одного номера детали (см. 6.6 здесь). Доступны два класса гарантии качества продукции: высокая надежность в военном деле (классы устройств Q и M) и космическое применение (класс устройств V), а также выбор контуров корпуса и отделки выводов, которые отражены в детали или идентификационном номере (PIN). Микросхемы устройства класса M представляют собой микросхемы класса B, не относящиеся к JAN, в соответствии с 1.2.1 стандарта MIL-STD-883, «Положения по использованию MIL-STD-883 в сочетании с устройствами, не поддерживающими JAN». Если возможно, выбор уровней радиационной стойкости (RHA) отражается в PIN-коде.

PIN-код должен быть таким, как показано в следующем примере:

Класс устройства M Устройства с маркировкой RHA должны соответствовать требованиям MIL-I-38535, приложение A, указанным уровням RHA и должны быть отмечены соответствующим обозначением RHA. Устройства классов Q и V с маркировкой RHA должны соответствовать указанным уровням RHA MIL-I-38535 и должны быть отмечены соответствующим обозначением RHA. Прочерк (-) указывает на устройство, не относящееся к RHA.

Тип (ы) устройства должны идентифицировать функцию схемы следующим образом:

Тип устройства Общий номер Функция цепи Ошибка перекоса 01 7B992 Буфер программируемого синхросигнала 0.7 нс

Обозначение класса устройства должно быть одной буквой, определяющей уровень гарантии продукта следующим образом:

Класс устройства Документация по требованиям к устройству M Самосертификация поставщика согласно требованиям для не JAN класса B микросхемы в соответствии с 1.2.1 MIL-STD-883 Q или V Сертификация и соответствие MIL-I-38535

Описание корпуса должно соответствовать стандарту MIL-STD-1835 и быть следующим:

Буквенное обозначение Обозначение Клеммы Тип упаковки X CQCC1-N32 32 Несведущий держатель микросхемы

Отделка свинца должна соответствовать стандарту MIL-STD-883 (см. 3.1) для класса M или MIL-I-38535 для классов Q и V. Буква «X» на отделке не наносится на микросхему или ее упаковку. Обозначение «X» используется в спецификациях, когда свинцовые покрытия A, B и C считаются приемлемыми и взаимозаменяемыми без предпочтения.

Диапазон напряжения питания (V _CCN, V _CCQ) — — — — — — — — — — — — — — от −0,5 В до +7,0 В постоянного тока Диапазон входного напряжения постоянного тока (В _IN) — — — — — — — — — — — — — — — — — от −0,5 В до +7,0 В постоянного тока Выходной ток на выходах (низкий) (I _OL) — — — — — — — — — — 64 мА Диапазон температур хранения (T _STG) — — — — — — — — — — — — — — от −65 ° C до + 150 ° C Максимальная рассеиваемая мощность (P _D) — — — — — — — — — — — — — — — 911 мВт Температура вывода (пайка, 10 секунд) — — — — — — — — — — + 260 ° C Тепловое сопротивление переход-корпус (Θ _JC) — — — — — — — — — См. MIL-STD-1835 Температура перехода (T _J) — — — — — — — — — — — — — — — — — + 175 ° C

Диапазон напряжения питания (V _CCN, V _CCQ) — — — — — — — — — — — — — — +4.От 5 В до +5,5 В постоянного тока Диапазон входного напряжения (В _IN) — — — — — — — — — — — — — — — — — от 0,0 В постоянного тока до В _CCQ Диапазон выходного напряжения (В _OUT) — — — — — — — — — — — — — — — — от 0,0 В постоянного тока до В _CCN Диапазон входного напряжения высокого уровня (V _IH, V _IHH): V _IH — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — V _CCQ — 1,35 В постоянного тока к V _CCQ 4 / V _IHH — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — V _CCQ — 1.00 В постоянного тока к В _CCQ 5 / 6 / Диапазон входного напряжения среднего уровня (V _IMM) — — — — — — — — — — — V _CCQ/2 ± 500 мВ постоянного тока 5 / Диапазон входного напряжения низкого уровня (V _IL, V _ILL): V _IL — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — от 0,0 В до 1,35 В постоянного тока 4 / V _ILL — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — от 0,0 В до 1,0 В постоянного тока 5 / 6 / Рабочая температура корпуса (T _C) — — — — — — — — — — — — — — от −55 ° C до + 125 ° C Время нарастания или спада на входе (t _r, t _f): (0.2 В _CC до 0,8 В _CC: 0,8 В _CC до 0,2 В _CC) — — — — — — — — — — — от 0 до 3 нс Максимальный выходной ток высокого уровня (I _OH) — — — — — — — — — — −40 мА Максимальный выходной ток низкого уровня (I _OL) — — — — — — — — — — — +46 мА

Измерение покрытия неисправностей на производстве логические тесты (MIL-STD-883, метод тестирования 5012) — — — — — — XX процентов 7 /

Назначение:

Микросхемы

, соответствующие этому чертежу, предназначены для использования в государственных микросхемах (оригинальное оборудование), в конструкторских приложениях и в целях логистики.

Microcircuits … Посмотреть еще

Микросхемы

, представленные на этом чертеже, заменят такое же универсальное устройство, указанное в спецификации или чертеже, подготовленных подрядчиком.

Устройства класса Q заменят устройства класса M.

Посмотреть меньше

Микросхемы центральной миндалины опосредуют исчезновение страха

Животные

Самцы мышей C57BL6 / J (B6, Harlan Ltd), 129S1 / SvImJ мыши (S1, Charles River или Jackson Laboratory) и мыши PKCδ-Cre-CFP ²¹ были содержали вместе с штаммом (1-2 животных в клетке) в течение 7 дней перед всеми экспериментами при 12-часовом цикле свет / темнота и обеспечивали пищу и воду ad libitum.Температура окружающей среды в помещении для животных составляла ок. 20 ° C и влажность ок. 30%. В текущем исследовании мышей-самцов использовали для сравнения с предыдущим анализом нейронов СЕА ^15,21 и отчасти потому, что более тяжелые самцы мышей лучше подходили для ношения электродных имплантатов во время передвижения. Будет важно и потенциально очень информативно изменить процедуры, чтобы в будущей работе можно было изучить связанную со страхом активность нейронов CEA у самок мышей. Все процедуры с животными были выполнены в соответствии с институциональными руководящими принципами и были одобрены Ветеринарным отделом кантона Базель-Штадт, Австрийским советом по этике экспериментов на животных и Австрийскими комитетами по этике по уходу и использованию животных (Bundesministerium für Wissenschaft und Verkehr, Kommission für Tierversuchsangelegenheiten ), Национальным институтом по вопросам злоупотребления алкоголем и уходом за животными с алкоголизмом и руководящими принципами Национального института здравоохранения, изложенными в разделе «Использование животных во внутренних исследованиях».

Поведение и оптическая стимуляция

Формирование и угасание страха происходили в двух разных контекстах (контекст A и B). Боксы для кондиционирования и гашения, а также пол очищали 70% этанолом или 1% уксусной кислотой до и после каждого сеанса, соответственно. Для оценки замораживания использовалась автоматическая система обнаружения инфракрасного луча, размещенная на дне экспериментальных камер (Coulbourn Instruments). Считалось, что животные замерзают, если в течение 2 с не обнаруживается никакого движения.В день 1 мышей подвергали сеансу привыкания в контексте B, в котором они получали 4 презентации CS (общая длительность CS 30 с, состоящая из точек по 50 мс, повторяемых с частотой 0,9 Гц, подъем и спад 2 мс; частота пипса: 7,5 кГц или белый шум, уравновешенный по животным, уровень звукового давления 80 дБ). Кондиционирование страха выполнялось в тот же день путем сочетания CS с УЗИ (разряд стопы 1 с, 0,6 мА, 5 пар CS / US; интервал между испытаниями: 20–180 с). Наступление США совпало со смещением CS.На 2 и 3 дни кондиционированных мышей подвергали обучению вымиранию в контексте B, в ходе которого они получили 12 презентаций CS. Восстановление исчезновения, спонтанное восстановление условного страха (50% отсечка замораживания) и контекстно-зависимое возобновление страха были протестированы через 7 дней в контексте B и A, соответственно, с 4 презентациями CS ⁹. Статистические сравнения были выполнены с помощью однофакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим апостериорным тестом Бонферрони ( p <0.05 считалось значительным).

Для количественной оценки zif268 в нейронах PKCδ в миндалине CE1 мышей подвергали парадигме кондиционирования слухового страха, в которой CS (общая продолжительность CS 30 с, 10 кГц, уровень звукового давления 80 дБ) сопоставляли с США. (Удар стопы 2 с; 0,6 мА; три пары CS / US; интервал между испытаниями: 20–180 с) (оперантная система TSE). Наступление США совпало со смещением CS. Обуздание страха всегда выполнялось в контексте (контексте A), отличном от того, который использовался в сеансе угасания (контекст B).Контекст A очищали водой, а контекст B — 70% спиртом, а затем водой. На следующий день тренировка восстановления и исчезновения памяти о страхе была проведена в контексте B путем представления 16 CS с интервалом между испытаниями 5 с ⁴⁴. Группы «выражения страха» получили только 2 презентации CS после кондиционирования страха. Поведение замораживания количественно определялось как индекс страха ⁴⁵ в каждом поведенческом сеансе путем количественного определения замораживания поведения вручную; определяется как отсутствие видимого движения, за исключением того, которое требуется для дыхания, и преобразовано в процент [(продолжительность замораживания в пределах CS / общее время CS) × 100] обученным наблюдателем, слепым к экспериментальным группам.

Для дискриминационного вымирания мышей приучали в дни с 1 по 4, предъявляя два разных CS в контексте B (общая длительность CS 30 с, состоящая из 50-мс пипов, повторяющихся с частотой 0,9 Гц, 2 мс подъема и спада; частота пипов: 7,5 кГц или белый шум, уровень звукового давления 80 дБ). Оба КС впоследствии были спарены с УЗИ (разряд стопы 1 с, 0,6 мА, 5 пар КС / УЗИ для каждого КС; интервал между испытаниями: 20–180 с). Наступление США совпало со смещением CS. В дни 3 и 4 только одна из двух CS была погашена 16 и 12 презентациями в контексте B соответственно.В конце второго сеанса вымирания мышей подвергали 4 презентациям непогашенного CS в контексте B ⁹. Статистические сравнения были выполнены с помощью однофакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим апостериорным тестом Бонферрони ( p <0,05 считалось значимым).

Оптогенетические эксперименты были выполнены с использованием процедуры кондиционирования страха и подавления страха на мышах с положительным или отрицательным результатом инъекции PKCδ-Cre. В день 1 два разных CS, CS1 и CS2 (общая длительность CS 30 с, состоящая из 50-мс пипсов, повторяющихся в 0.9 Гц, 2 мс нарастание и спад; частота пипа: 7,5 кГц или белый шум, уровень звукового давления 80 дБ, уравновешенный для всех животных) были объединены 5 раз в пары с УЗИ (удар ногой 1 с, 0,6 мА, интервал между испытаниями: 20–180 с). На 2-й день тестировали память о страхе, предъявляя 4 CS1 и 4 CS2. На 3-й день исчезновение страха было достигнуто путем последовательного предъявления 16 CS1 и 16 CS2 (уравновешенный порядок для животных). С 5-го по 16-й CS для CS1 и CS2 каждая точка CS была связана со световой стимуляцией (от -50 мс до +300 мс от начала точки, 20-40 мВт), доставляемой с двух сторон через оптические волокна (диаметр сердцевины 200 мкм, 0.37 NA, Thorlabs GmbH) в миндалины CEI.

Оптические волокна были подключены к изготовленному на заказ лазерному столу с использованием AOTF (AA Opto-Electronic) для управления интенсивностью лазера (лазеры: MBL473, длина волны 473 нм и MGL593.5, длина волны 593,5 нм, лазеры CNIL). Чтобы животные могли свободно передвигаться, соединительные волокна подвешивались над поведенческим контекстом. На 4-й день память угасания проверяли с помощью 4 представлений CS1 и CS2 (уравновешенные для порядка по животным). Статистические сравнения были выполнены с помощью двухфакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим апостериорным тестом Бонферрони ( p <0.05 считалось значительным).

Единичные записи и инъекции вируса

Мышей анестезировали изофлураном (индукция 5%, поддержание 2,5%) в O ₂. Температуру тела поддерживали грелкой (CMA / 150, CMA / Microdialysis). Мышей закрепляли в стереотаксической рамке и односторонне имплантировали в миндалину с помощью многопроволочного электрода, нацеленного на следующие координаты: 1,3 мм кзади от брегмы; ± 2,6 мм латеральнее средней линии; На глубине 3,25–3,75 мм от корковой поверхности.Электроды состояли из 8–16 индивидуально изолированных нихромовых проволок (внутренний диаметр 13 мкм, импеданс 50–300 кОм; California Fine Wire), помещенных в направляющую канюлю из нержавеющей стали калибра 26. Провода были подключены к разъему с 10 на 18 контактов (Omnetics). Имплант был закреплен с помощью цианоакрилатного адгезивного геля. После операции мышам давали возможность восстановиться в течение 7 дней. Обезболивание применялось до и в течение 3 дней после операции (Метакам).

Электроды были подключены к головному каскаду (Plexon), содержащему 8–16 операционных усилителей с единичным усилением.Заголовок был подключен к 16-канальному предусилителю с компьютерным управлением (усиление X-100, полосовой фильтр от 150 Гц до 9 кГц, Plexon). Активность нейронов оцифровывалась с частотой 40 кГц и полосовой фильтрацией от 250 Гц до 8 кГц и была выделена с помощью дискриминации окна времени-амплитуды и сопоставления с шаблоном с использованием системы многоканального процессора сбора данных (Plexon). По завершении эксперимента перед перфузией места записи были помечены электролитическими поражениями, а расположение электродов реконструировано стандартными гистологическими методами ¹⁵.

Для оптической стимуляции нейронов PKCδ CE1 животным PKCδ-Cre + двусторонне инъецировали в миндалины CE1 с rAAV серотипа 2/7 (Vector Core, Университет Пенсильвании), содержащим конструкцию, условно кодирующую ChR2-2A-eNpHR-2A- Венера ⁴⁶ на -1,3 мм кзади и +/- 2,6 мм латеральнее брегмы на глубине 3,25-3,75 мм. Использование кассеты самообработки 2A-пептида в AAV2 / 7 DIO-EF-1α-ChR2-2A-eNpHR-2A-Venus обеспечивает эквимолярную / изостехиометрическую экспрессию ChR2, eNpHR и Венеры в нейронах PKC для двунаправленного контроля. их активность ^42,47.Для идентификации места инъекции раствор вируса смешивали в соотношении 1: 1000 с синими флуоресцирующими полимерными микросферами (Duke Scientific Corp.). Животных, подвергнутых глубокому наркозу, фиксировали в стереотаксической раме (Kopf Instruments) и разрезали кожу над черепом. Стеклянные пипетки (диаметр наконечника 10–20 мкм), подключенные к Picospritzer III (Parker Hannifin Corporation), опускались с помощью микропозиционера (Kopf Instruments) на глубину 3,75 мм. Около 300 нл вводили под давлением в миндалины CE1 с двух сторон.В тех же операциях направляющие канюли из нержавеющей стали 26-го калибра (Plastics One) были имплантированы с обеих сторон вдоль того же пути над миндалиной CE1 на глубине -3,25 мм. Направляющие канюли закрепляли с помощью цианоакрилатного адгезивного геля (Henkel) и стоматологического цемента (Heraeus Dental). Чтобы предотвратить закупорку канюль, были вставлены и зафиксированы фиктивные канюли (Plastics One). Поведенческие эксперименты проводили через 4 недели восстановления и экспрессии и 3 дня обращения. После эксперимента оптические волокна удаляли и животных перфузировали для гистологического анализа места инъекции, как описано ниже.

Сортировка и анализ отдельных шипов

Сортировка по отдельности шипов выполнялась с использованием автономного сортировщика шипов (Plexon), как описано ¹⁵. Оценки основных компонентов были рассчитаны для несортированных сигналов и нанесены на трехмерные пространства основных компонентов, а кластеры, содержащие аналогичные допустимые формы сигналов, были определены вручную. Группа сигналов считалась сгенерированной из одного нейрона, если он определял дискретный кластер в пространстве главных компонентов, который отличался от кластеров для других единиц, и если он отображал четкий рефрактерный период (> 1 мс) в гистограммах автокоррелограммы. .Кроме того, два параметра использовались для количественной оценки общего разделения между идентифицированными кластерами в конкретном канале. Эти параметры включают статистику J3, которая соответствует отношению разброса между кластерами и разбросом внутри кластера, и индекс достоверности Дэвиса – Боулдина (DB), который отражает отношение суммы разброса внутри кластера к разделению между кластерами. . Высокие значения для J3 и низкие значения для DB указывают на хорошее разделение кластеров. Контрольные значения для этой статистики были получены путем искусственного определения двух кластеров из центрированного облака точек в пространстве главных компонентов из каналов, в которых нельзя было обнаружить единицы (дополнительный рис.1).

Шаблонные формы сигналов были затем рассчитаны для хорошо разделенных кластеров и сохранены для дальнейшего анализа. Кластеры идентифицированных нейронов анализировались в автономном режиме для каждого сеанса записи с использованием анализа главных компонентов и алгоритма сопоставления шаблонов. Учитывались только стабильные кластеры отдельных единиц, записанные на протяжении всего поведенческого обучения. Долговременная изоляция стабильности отдельного устройства оценивалась с помощью Wavetracker (Plexon), в котором пространственные цилиндры главных компонентов рассчитывались на основе данных, записанных во время поведенческих сессий.Прямые цилиндры предполагают, что один и тот же набор отдельных единиц был записан в течение всей тренировки (дополнительный рис. 1). Далее мы количественно оценили схожесть формы сигнала, вычислив значения линейной корреляции ( — ) между средними формами сигнала, полученными за тренировочные дни (дополнительный рисунок 1). В качестве контроля мы вычислили значения r из средних сигналов различных нейронов.

Чтобы избежать анализа одного и того же нейрона, записанного на разных каналах, мы вычислили гистограммы взаимной корреляции.Если нейрон-мишень показал пик активности во время срабатывания эталонного нейрона, только один из двух нейронов рассматривался для дальнейшего анализа. Нейронная активность, индуцированная CS, была рассчитана путем сравнения частоты возбуждения после начала стимула со скоростью возбуждения, зарегистрированной в течение 500 мс до начала стимула (размер интервала, 50 мс; усредненное по блокам из 4 презентаций CS, состоящих из 108 отдельных звуковых точек в общей сложности) с использованием преобразования z -оценки. Значения баллов Z вычисляли путем вычитания средней базовой частоты возбуждения, установленной за 500 мс, предшествующих началу стимула, из отдельных исходных значений и путем деления разницы на базовое стандартное отклонение.Классификация единиц выполнялась с учетом значимого значения балла z в течение 250 мс после начала CS во время теста страха в соответствии с уровнями замораживания. Нормализованные популяции PSTH были получены путем усреднения нормализованных PSTH от отдельных нейронов. Статистические сравнения были выполнены с помощью однофакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим апостериорным тестом Бонферрони или парным тестом Стьюдента t для наборов данных отзыва и обновления ( p <0,05 считалось значимым).Расчеты производились в MATLAB и R. Статистический анализ выполнялся в коммерчески доступном программном обеспечении GraphPad Prism и SigmaPlot.

Оптическая идентификация отдельных единиц

Для оптогенетической идентификации нейронов PKCδ мы использовали импульсы желтого света (для активации Arch). Мы использовали импульсы длительностью 300 мс, 120 раз, с интервалом между импульсами 2 с, при мощности света 10 мВт на конце волокна. Единицы считались светочувствительными, если они демонстрировали значительные фиксированные по времени (<10 мс) изменения нейрональной активности при освещении.Чтобы определить начало ингибирования, мы использовали анализ точки изменения (Change Point Analyzer 2.0, Taylor Enterprises Inc.). Как описано ранее ^22,46, это определяет момент времени, демонстрирующий значительное изменение нейронной активности по сравнению с предыдущими моментами времени. Мы рассчитали значения линейной корреляции ( r ) для спонтанных и вызванных светом спайков, чтобы количественно определить схожесть форм их сигналов.

Иммуногистохимия и визуализация

После завершения экспериментов мыши с введенным вирусом PKCδ-Cre + были глубоко анестезированы авертином (0.3 г / кг). Затем мышей транскардиально перфузировали фосфатно-солевым буфером (PBS), а затем 4% параформальдегидом (PFA). Затем коронарные срезы мозга толщиной 80 мкм вырезали с помощью вибратома (VT1000 S, Leica) и хранили в PBS, содержащем 0,05% азида натрия. Для визуализации экспрессии вируса на свободно плавающих срезах головного мозга выполняли стандартные процедуры иммуномечения: инкубация в течение ночи при 4 ° C с козьим кроличьим антителом против GFP (1: 1000, номер по каталогу A11122, Invitrogen), 2-часовая инкубация с антителом против кролика. Alexa 488 (1: 1000, каталожный номер.A11008, Invitrogen). После окончательной промывки срезы помещали на покровные стекла и отображали. Мышей включали в анализ, если они демонстрировали двустороннюю экспрессию вируса внутри миндалины CE1 и если расположение конца волокна не превышало ~ 500 мкм от миндалины CE1.

Для количественной оценки zif268 в нейронах PKC в миндалине CE1 мышей умерщвляли через 2 часа после начала сеанса обучения вымиранию, как описано ранее ³⁰. Мышей глубоко анестезировали пентобарбитоном натрия (200 мг / кг) и транскардиально перфузировали 20 мл 0.9% физиологический раствор, а затем 20 мл 4% параформальдегида в фосфатно-солевом буфере (PBS), pH 7,4. Образцы подвергали последующей фиксации в течение 2 ч в том же фиксаторе при 4 ° C и хранили в PBS. Коронковые срезы (40 мкм) вырезали на вибратоме (Leica Microsystems) и собирали в трис-буферном физиологическом растворе (TBS). Свободно плавающие срезы инкубировали в блокирующем растворе (10% BSA и 0,1% Triton X-100 в TBS), затем с первичными поликлональными кроличьими антителами против Zif268 (1: 2000; каталожный номер: sc-189; Santa Cruz Biotechnology). и моноклональные мышиные анти-PKCδ (1: 1000, кат.№: 610398, BD Transduction Laboratories) в течение 48 часов при 4 ° C. Затем срезы промывали TBS и инкубировали в течение 2 часов при комнатной температуре с Cy2-конъюгированными антикроличьими ослами (1: 500; каталожный номер: 711-225-152; Jackson ImmunoResearch Laboratories) и ослами, конъюгированными с Alexa Fluor 647. антимышиные (1: 500; Каталожный номер: 717-605-150; Jackson ImmunoResearch Laboratories).

Затем срезы прикрепляли к предметным стеклам микроскопа и закрывали реагентом FluroGold Antifade. Все срезы с иммуномеченными изображениями получали с помощью микроскопа Olympus BX51, оснащенного видеокамерой Olympus XM10.Изображения, полученные при постоянном времени экспозиции с использованием оптической линзы объектива × 20 (UPlanSApo, Olympus Corporation), были оцифрованы и просмотрены с использованием программного обеспечения CellSens Dimension 1.5 (Olympus Corporation, Токио, Япония). Количественная оценка экспрессии Zif268 в нейронах с положительной или отрицательной экспрессией PKC в CE1 была достигнута путем ручного подсчета баллов. Статистические сравнения были выполнены с помощью двустороннего дисперсионного анализа с последующим апостериорным LSD-тестом Фишера ( p <0,05 считалось значимым).

Дендритная морфология нейронов CE1

Дендритная морфология нейронов CE1 определялась с использованием окрашивания Гольджи, как описано ранее ^29,48. Мышам вводили передозировку ксилазином / кетамином, а затем проводили транскардиальную перфузию 0,9% физиологического раствора. Мозг удаляли и погружали в раствор Гольджи-Кокса (1: 1 раствор 5% дихромата калия и 5% хлорида ртути, разбавленного 4:10 5% хроматом калия) на 18 дней. Мозг обезвоживали, пропитывали целлоидинами с определенным диапазоном значений и заключали в 8% целлоидин.Коронковые срезы вырезали толщиной 160 мкм на скользящем микротоме (American Optical 860) и подщелачивали, проявляли, фиксировали, дегидратировали, очищали, устанавливали и закрывали покровным стеклом.

Нейроны, выбранные для реконструкции, не имели усеченных ветвей и не были закрыты соседними нейронами и глией, с дендритами, которые можно было легко различить, фокусируясь на глубине ткани. В 4-6 срезах, равномерно распределенных по рострально-каудальной протяженности миндалины CE1, в среднем 4-6 нейронов на мышь (в среднем 2.5 из каждого полушария) были выбраны случайным образом (с использованием генератора случайных чисел, http://www.randomizer.org) и реконструированы. Нейроны были нарисованы в трех измерениях экспериментатором, слепым к деформации, с использованием объектива × 100 на системном микроскопе Olympus BX41 с использованием компьютерной системы отслеживания нейронов (Neurolucida, MBF Biosciences). Длину и количество дендритов, а также длину и количество терминальных ветвей измеряли для всех дендритных ветвей. Значения между штаммами сравнивали с помощью тестов t .Кроме того, для оценки общего количества и местоположения дендритного материала была проведена трехмерная версия анализа Шолля ⁴⁹ путем измерения количества дендритных пересечений в пределах 10 мкм концентрических сфер, исходящих от сомы.

Статистика и воспроизводимость

Визуализация была повторена независимо с аналогичными результатами на рис.% `qj) 8I! P! vt> X-) RJLuѬssm1g0tXLHa, Ȕj> ݅ W% u6L./ как [YWF> r Jk Չ ‘% uH.c ᓟ, p]} 9xE2_ конечный поток эндобдж 11 0 объект > / XObject >>> / Annots [8 0 R 9 0 R] / Parent 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >> эндобдж 13 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 14 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 15 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 16 0 объект > поток x10Ew⏰i: @ VDI% D ڥ i # 3 ‘얖 tk ֎ BA) `v-YlWEL & = Sj \ FqyHU] CUox5 |] wa5Y۳Bȥ ) 0su & HI / KT ޿ sk0N8> H конечный поток эндобдж 17 0 объект > / XObject >>> / Аннотации [13 0 R 14 0 R 15 0 R] / Родительский 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >> эндобдж 19 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.RͶ} ERX9 ~ s [d-Ka ܻ ~ ° laYkh ~ P Ջ D) \> RR’A K;> = N˶8 HGoFoFo конечный поток эндобдж 24 0 объект > / XObject >>> / Аннотации [19 0 R 20 0 R 21 0 R 22 0 R] / Родитель 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >> эндобдж 26 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 27 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 28 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 29 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.NLLL˛547 конечный поток эндобдж 32 0 объект > / XObject >>> / Аннотации [26 0 R 27 0 R 28 0 R 29 0 R 30 0 R] / Родительский 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >> эндобдж 34 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 35 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 36 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 37 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.34 103.45 10,74] >> эндобдж 38 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 39 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 40 0 объект > поток x 퐻 0Ew a I $ 0x @ VDi% D ڥ S ~% k ߖ3- P09ˈ-9b! @LJ {jSp @__ Fo-c cuPw1 {7OV: SJfVZ -tR ~

R͋ | N% 6 s {0p] {qA | fo7 ٛ M> sB конечный поток эндобдж 41 0 объект > / XObject >>> / Аннотации [34 0 R 35 0 R 36 0 R 37 0 R 38 0 R 39 0 R] / Родительский 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >> эндобдж 43 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.34 103,45 10,74] >> эндобдж 44 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 45 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 46 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 47 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 48 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >> эндобдж 49 0 объект > / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.34 103,45 10,74] >> эндобдж 50 0 объект > поток x 퐻 0Ew a I40x̅JK | Cb): — pmBArcv-% Yc # OFjcp8O_WFE54Y ~ R + n0 & [ͬ, 49r) r + B) »0su & II-K

MU593U, MU-720 / UYK-19, 19- 04592-013, КГВ-10, SM-A-777632, 118756-001, SMB525289-2, AN / APM-466, SA1545FYA10V, AM-2316D / SIA, AM2318WIC, AM2996WLR3A, AM6744KSN1, AM2593FPS7, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM-1914D / UP, AM1914CUP, AM6386FPS106

NSN> Производители запасных частей NSN> Названия компаний начинаются с J> Совместное обозначение типа электроники> MU593U — AM6386FPS106

FSC 5962 Микросхемы, электронные

~~Микросхема~~ ~~Обозначение конечного элемента~~

MFG SKU	NSN	Название позиции	Подробные сведения	Код CAGE	RFQ
MFG Блок памяти		80058
MU-720 / UYK-19 MU720UYK19	5962-01-121-1913	Блок памяти Compute	Общие характеристики Описание элемента блок питания, интерфейсный модуль; контроллеры; удлинительный кабель; рабочее напряжение РГМТС-120 В перем. тока; 47-63 Гц; однофазное; энергопотребление nte 960 Вт.в стойку. Размеры и вес — 19 дюймов WX 7 дюймов HX 23,5 дюйма D; 71,5 фунта	80058
19-04592-013 1₂₀₁₃	5962-01-231-8755	Микросхема		80058
KGV-10 KGV10	5962-01-342-9136	Микросхема, цифровая	III наземный канал 907 Система радиосвязи	80058
SM-A-777632 SMA777632	5962-00-619-0231	Микросхема, цифровая	Длина корпуса: 0.755 дюймов минимум и 0,785 дюйма максимум Ширина корпуса: минимум 0,245 дюйма и максимум 0,271 дюйма Высота корпуса: номинальная 0,180 дюйма	80058
118756-001 118756001	5962-00-170- 6836	Микросхема, линейная	Конфигурация корпуса: CAN Диапазон рабочих температур: от -55,0 до 125,0 ° C -00-350-8433	, линейная	Конфигурация корпуса: двухрядный Диапазон рабочих температур: -55.От 0 до 125,0 градусов по Цельсию Предоставляемые функции: Монолитные, герметичные и положительные выходы	80058
AN / APM-466 ANAPM466	5962-01-468-1372	III: испытательная станция радиолокационной установки	80058
SA1545FYA10V	5962-00-933-9324	Коммутационные блоки, компьютер	III10 Идентификация конечного элемента: Авто	80058

FSC 5963 Электронные модули

~~90 694~~ ~~9069 Электронный усилитель~~ ~~Общая ширина~~
~~AM1914DUP~~

MFG SKU	NSN	Название позиции	Подробная информация	Код CAGE	9069-RU 9069-RU 9069 AM2316DSIA	5963-01-098-9101	Усилитель в сборе		80058
AM2318WIC	5963-00-881-6997	Усилитель в сборе	Общая ширина: 9.Номинальное значение 460 дюймов Общая длина: номинальное значение 10,250 дюйма Количество усилителей: 2	80058
AM2996WLR3A	5963-00-239-6402		9069
AM6744KSN1	5963-00-435-9393	Усилитель, электронное управление	Тип конструкции схемы: твердотельный Тип основной формы: 1 прямоугольная или квадратная Общая ширина: 4.Номинальное значение 500 дюймов	80058
AM2593FPS7	5963-00-806-6634	Усилитель, промежуточная частота	III Тип конечного элемента: ANFPS7 3 Базовая форма Номинальное значение 5,520 дюйма	80058
AM1913BUP	5963-00-957-4600	Усилитель, триггерный импульс	Тип конструкции схемы: полупроводниковый Базовая форма Тип: 1 Ширина: 9.000 дюймов номинально	80058
AM1913CUP	5963-00-832-6225	Усилитель, триггерный импульс	Тип основной формы: 1 прямоугольный или квадратный Номинальная ширина: 8,75013 Длина: номинальная 10,688 дюйма	80058
AM1914BUP	5963-00-957-4601	Усилитель, триггерный импульс			80058	5963-01-129-6422	Усилитель, видео	Тип конструкции схемы: любая приемлемая Тип базовой формы: 1 прямоугольная или квадратная Общая ширина: 8.Номинальное значение 812 дюймов	80058
AM1914CUP	5963-00-832-6226	Усилитель, видео	Общая конструкция схемы: твердотельный Тип базовой формы: 1 прямоугольная или квадратная : Номинальное значение 9,500 дюймов	80058
AM6386FPS106	5963-00-160-1289	Усилитель, видео	Тип конструкции схемы: твердотельный Тип квадратной формы: 1 прямоугольный Ширина: 19. Навигация по записям Lcd 1602a распиновка и подключение. LCD 1602A: подключение и программирование дисплея по I2C интерфейсу Схема генератора синуса с усилителем напряжения. Генератор синусоидального сигнала на мосту Вина: схема, расчет, стабилизация Похожие записи 31.08.2023 0 Микросхема 358: подробный обзор, применение и характеристики операционного усилителя 30.08.2023 0 Радиозвонок схема. Радиозвонок своими руками: схемы, устройство и монтаж беспроводного дверного звонка 29.08.2023 0 Электросхема ваз 2105 инжектор. Электросхема ВАЗ 2105: особенности, устройство и основные неисправности Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Карта сайта © M-Gen

Расшифровка обозначений на радиодеталях: основные принципы

Обозначение резисторов на схемах и в маркировке

Маркировка конденсаторов: ключевые параметры

Обозначения полупроводниковых приборов: диоды и транзисторы

Как читать маркировку микросхем и расшифровывать их обозначения

Условные графические обозначения на принципиальных схемах

Типы корпусов электронных компонентов и их маркировка

Особенности маркировки SMD-компонентов

Обозначения микросхем на электрических схемах

Чтение электрической схемы

Источники питания

Полупроводниковые диоды

Транзисторы полярные и биполярные

Интегральные микросхемы

Прочие элементы

Буквенно-цифровой код

Резисторы

Постоянные резисторы

Переменные резисторы

Соединение резисторов

Полупроводники

Конденсаторы

Переменные конденсаторы

Постоянные конденсаторы

Диоды и стабилитроны

Транзисторы

Справочник «Цифровые Интегральные Микросхемы»

1.1. Классификация и система условных обозначений цифровых микросхем

Обозначение — микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Обозначение — микросхема

Система обозначений микросхем производства Maxim

Toshiba обозначение компонентов

naf-st >> Маркировка и обозначение >> Обозначение зарубежных микросхем логики

Первый элемент

Второй элемент

Обозначение микросхем производства TEXAS INSTRUMENTS

Integrated Publishing — Ваш источник военных спецификаций и образовательных публикаций

Integrated Publishing — Ваш источник военных спецификаций и образовательных публикаций

Информация о военных спецификациях

DLA — SMD-5962-93112 — МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ БУФЕР ЧАСОВОГО СКОРОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

объем:

Назначение:

Микросхемы центральной миндалины опосредуют исчезновение страха

Животные

Поведение и оптическая стимуляция

Единичные записи и инъекции вируса

Сортировка и анализ отдельных шипов

Оптическая идентификация отдельных единиц

Иммуногистохимия и визуализация

Дендритная морфология нейронов CE1

Статистика и воспроизводимость

MU593U, MU-720 / UYK-19, 19- 04592-013, КГВ-10, SM-A-777632, 118756-001, SMB525289-2, AN / APM-466, SA1545FYA10V, AM-2316D / SIA, AM2318WIC, AM2996WLR3A, AM6744KSN1, AM2593FPS7, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM1913CUP, AM-1914D / UP, AM1914CUP, AM6386FPS106

FSC 5962 Микросхемы, электронные

FSC 5963 Электронные модули

Похожие записи

Микросхема 358: подробный обзор, применение и характеристики операционного усилителя

Радиозвонок схема. Радиозвонок своими руками: схемы, устройство и монтаж беспроводного дверного звонка

Электросхема ваз 2105 инжектор. Электросхема ВАЗ 2105: особенности, устройство и основные неисправности

Добавить комментарий Отменить ответ