Обозначение транзистора на схеме: Обозначения на платах. Графическое обозначение радиодеталей на схемах. Обозначение радиодеталей на схеме и их название. Обозначения элементов полупроводниковых приборов

ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

Текст ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСТ 2.730-73

Группа Т52

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

Приборы полупроводниковые

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

МКС 01.080.40
31.080

Дата введения 1974-07-01

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002

3. Соответствует СТ СЭВ 661-88

4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы

5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. N 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.

Таблица 1

Наименование	Обозначение
1. (Исключен, Изм. N 2).
2. Электроды:
база с одним выводом
база с двумя выводами
Р-эмиттер с N-областью
N-эмиттер с P-областью
несколько Р-эмиттеров с N-областью
несколько N-эмиттеров с P-областью
коллектор с базой
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе
3. Области:
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью
Переход от Р-области к N-области и наоборот
область собственной электропроводности (I-область):
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
4. Канал проводимости для полевых транзисторов:
обогащенного типа
обедненного типа
5. Переход PN
6. Переход NP
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип
9. Затвор изолированный
10. Исток и сток
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:
11. Выводы полупроводниковых приборов:
электрически не соединенные с корпусом
электрически соединенные с корпусом
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование	Обозначение
1. Эффект туннельный
а) прямой
б) обращенный
2. Эффект лавинного пробоя:
а) односторонний
б) двухсторонний
3-8. (Исключены, Изм. N 2).
9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.

Таблица 5

Наименование	Обозначение
1. Диод
Общее обозначение
2. Диод туннельный
3. Диод обращенный
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
а) односторонний
б) двухсторонний
5. Диод теплоэлектрический
6. Варикап (диод емкостной)
7. Диод двунаправленный
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами
9. Диод Шоттки
10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.

Таблица 6

Наименование	Обозначение
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
3. Тиристор диодный симметричный
4. Тиристор триодный. Общее обозначение
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:
по аноду
по катоду
6. Тиристор триодный выключаемый:
общее обозначение
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:
общее обозначение
с управлением по аноду
с управлением по катоду
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл.7.

Таблица 7

Наименование	Обозначение
1. Транзистор
а) типа PNP
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3. Транзистор лавинный типа NPN
4. Транзистор однопереходный с N-базой
5. Транзистор однопереходный с P-базой
6. Транзистор двухбазовый типа NPN
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.

Таблица 8

Наименование	Обозначение
1. Транзистор полевой с каналом типа N
2. Транзистор полевой с каналом типа P
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки:
а) обогащенного типа с Р-каналом
б) обогащенного типа с N-каналом
в) обедненного типа с Р-каналом
г) обедненного типа с N-каналом
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.

Таблица 9

Наименование	Обозначение
1. Фоторезистор:
а) общее обозначение
б) дифференциальный
2. Фотодиод
3. Фоторезистор
4. Фототранзистор:
а) типа PNP
б) типа NPN
5. Фотоэлемент
6. Фотобатарея

11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10

Таблица 10

Наименование	Обозначение
1. Оптрон диодный
2. Оптрон тиристорный
3. Оптрон резисторный
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
а) совмещенно
б) разнесенно
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом от базы
б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.11.

Таблица 11

Наименование	Обозначение
1. Датчик Холла
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника
2. Резистор магниточувствительный
3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл.12.

Таблица 12

Наименование	Обозначение
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:
а) развернутое изображение	или
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.
Пример применения условного графического обозначения на схеме
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема
3. Диодная матрица (фрагмент)
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.13.

Таблица 13

Наименование	Обозначение	Отпечатанное обозначение
1. Диод	или
2. Транзистор типа PNP
3. Транзистор типа NPN
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. N 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. N 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

Наименование	Обозначение
1. Диод 2. Тиристор диодный
3. Тиристор триодный
4. Транзистор 5. Транзистор полевой
6. Транзистор полевой с изолированным затвором

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. N 3).

Электронный текст документа

и сверен по:

Единая система конструкторской

документации. Обозначения условные

графические в схемах: Сб. ГОСТов. —

, 2010

Радиоэлементы и их графическое обозначение

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

1. Радиоэлементы и их графическое обозначение

Осторожно! Очень удобная презентация
Радиоэлементы и их
графическое обозначение
Тамбов 2020
Чтоб научиться читать и писать,
необходимо изучить азбуку – буквы
алфавита.
В радиоэлектронике своя азбука –
условные обозначения деталей, из
которых составляют схемы различных
устройств
Как же вы думаете, что изображено
на рисунке справа?
Правильно! Это изображена
принципиальная электрическая
схема электронного прибора.
А для того, чтобы собрать
какую-нибудь радиоэлектронную
конструкцию по имеющейся схеме,
необходимо уметь ее читать и
также знать обозначения
радиодеталей в ней.
Итак, начнём с изучения
условно-графических основных
радиодеталей и также познакомимся
с некоторыми из них.

4. Резисторы

Главная задача резистора — это преграда на пути тока. Называется он даже так resist, сопротивление. Разные элементы аппаратуры требуют разного количества
энергии, грубо говоря. Поэтому входящий поток разделяется на множество других и
к каждому внутреннему элементу электрического прибора подается определенное
количество тока из каждого потока. А чтобы не подалось больше, он глушится
резисторами, иногда требуется настолько точно заглушить поток, что на пути стоит
до десятков резисторов разного сопротивления.
Условно графическое обозначение:
Существуют постоянные резисторы, переменные и подстроечные.
Наглядное условное графическое обозначение можно наблюдать на
рисунке:

6.

Внешний вид постоянных резисторов различных марок и мощностей

7. Внешний вид подстроечных и переменных резисторов различных марок

8. Конденсаторы

Конденсатор это по факту микро батарейка с очень быстрым
зарядом и разрядом.
Он запасает в себе небольшое количество энергии.
Все дело в том что за один такт работы процессора ему может
понадобиться больше энергии, чем пропускают дорожки. И тогда
на помощь приходит конденсатор и разряжается. А на следующий
такт работы процессора конденсатор успевает зарядиться. То же
самое возникает и с микросхемами. Только микросхемы обычно не
такие прожорливые как центральный процессор.

9. Возле условно-графического изображения конденсатора ставят его позиционное положение и номинальную ёмкость

В радиоэлектронике используются также
специальные конденсаторы как варикапы,
проходные и опорные

10. Внешний вид некоторых конденсаторов постоянной ёмкости

11. Внешний вид некоторых электролитических конденсаторов

12.

Внешний вид некоторых конденсаторов переменной ёмкости

13. Полупроводниковые приборы «диоды»

На электрических и радиоэлектронных схемах
полупроводниковые диоды обозначаются символом,
напоминающим кристаллический детектор с парой
кристалл-металлическое острие. Вместо острия на
схеме рисуется треугольник (анод), вершина которого
упирается в черту, под которой подразумевается
плоскость кристалла полупроводника (катод)

14. Условно-графическое обозначение диодов

15. Внешний вид полупроводниковых элементов (диоды)

16. Полупроводниковые приборы «Транзисторы»

Условно-графическое обозначение биполярных транзисторов
содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Рядом с
изображением транзисторы ставится буквенный код VT и
порядковый номер позиции.
Базу транзистора обозначают короткой чёрточкой, эмиттер –
наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-p
стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора n-p-n
от базы (n – наружу). Кружок на схеме символизирует корпус
транзистора. Их делят на 2 типа: полевые и биполярные.

17. Условное обозначение транзисторов

18. Внешний вид полупроводниковых элементов «транзисторы»

19. Полупроводниковые приборы «Реле»

Реле – это переключатель. Причем не совсем обычный. Когда в подъезде
лампочка загорается от звука шагов, это не волшебство, это работает
реле. В этой статье расскажем о назначении реле и принципе его работы.
Говоря проще, когда входная величина меняется (ток, напряжение), реле
замыкает или размыкает цепь. При этом в зависимости от типа реле
входная величина не обязательно имеет электрическую природу.

20. Внешний вид различных типов реле

21. Электромагнитное реле

22. Внешний вид некоторых электромеханических реле

23. Трансформаторы

Трансформатор предназначен для преобразования
переменного напряжения одной величины в
переменное напряжение другой величины.
Трансформаторы для широкого диапазона частот
обозначают буквой Т, а их обмотки – римскими
цифрами.

24. Внешний вид различных трансформаторов

25. Катушки индуктивности

Катушку индуктивности и дроссель изображают на схемах в виде
нескольких (обычно 4х) соединенных полуокружностей,
символизирующих витки катушки. Отводы катушек изображают
отрезками прямых, отходящих от точек соединения
полуокружностей или от выпуклой части самой полуокружности.
Возле условного схемного изображения катушки или дросселя
ставят их буквенно-позиционное обозначение, состоящее из
латинской буквы L или порядкового номера.

26. Внешний вид различных катушек индуктивности

27. Акустические приборы

Акустическими называют приборы,
преобразующие энергию электрических
колебаний в энергию звуковых или
механических колебаний, и наоборот.

28. Выполнить задания

Изобразить условное графическое
обозначение следующих элементов:
-Резистор;
-Конденсатор;
-Диод;
-Транзистор;
-Трансформатор.
В программе Visio.

29.

Спасибо за внимание.

English     Русский Правила

Кодирование транзисторов

— 4 стандартные схемы кодирования

О кодировании транзисторов. Одним из наиболее распространенных электронных компонентов является транзистор. Вы найдете его практически на всех устройствах. Но знаете ли вы, что существуют различные типы транзисторов? Кроме того, какой транзистор вы используете в простой схеме?

Определение типов транзисторов может привести к путанице. Однако, если разобраться в схемах кодирования транзисторов, можно подобрать оптимальные для конкретной топологии схемы.

Таким образом, наша статья ответит на различные вопросы о компонентах транзисторов, в первую очередь объяснив систему кодирования транзисторов. Присоединяйтесь к нам, когда мы углубимся в основы кодирования транзисторов.

Pro-Electron или EECA Система кодирования нумерации

Рисунок 1: Несколько транзисторов

Система кодирования EECA представляет схему кодирования, принятую в европейских схемах. Он предназначен для обозначения сигнальных диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов. В нашем случае мы посмотрим, как система может быть полезна при именовании сигнального транзистора.

В соответствии с этой европейской системой наименования в транзисторах номерам предшествуют две буквы.

Первая буква кода будет обозначать тип материалов, используемых для изготовления транзистора.

Вот материалы, представленные 1-й буквой в этой системе наименования. Обратите внимание, что вы найдете букву B в качестве первой буквы в большинстве кодов для транзисторов. Таким образом, наиболее распространенные типы транзисторов сделаны из кремния.

Первая буква	Тип компонента Материал
А	Германий
Б	Кремний
С	Арсенид галлия
Д	Антимонид индия
Р	Составные материалы

 

Рис.

2. Трехвыводной транзистор

 

Далее, дополнительная буква дает дополнительную информацию о кодировании транзисторов. Второй буквенный код для транзисторов представляет собой приложение устройства. Таким образом, по второй букве можно определить тип устройства, совместимый с типом транзистора.

Вот коды суффиксной буквы.

Второе письмо	Приложение устройства
А	Диод Радиочастоты (РЧ)
Б	Вариак
С	Усилитель звуковой частоты, Транзистор, Малая частота
Д	Усилитель мощности звуковой частоты, силовой транзистор,
Е	Туннельный диод
Ф	Радиочастотный усилитель малой мощности
К	Устройство на эффекте Холла
Л	Высокочастотный силовой транзистор
Н	Оптопара
Р	Устройства, чувствительные к излучению
В	Устройства, производящие излучение
Р	Тиристор малой мощности
Т	Силовой тиристор
У	Силовые тиристоры для использования в функциях переключения
Д	В выпрямителях
З	В стабилитронах или диоде стабилизатора напряжения

Третья буква

 

Кроме того, другой важной частью этой кодовой системы транзисторов является третья буква. Транзистор с третьей буквой обычно используется в промышленных/профессиональных приложениях. С другой стороны, те, у кого нет буквы, используются в коммерческих приложениях.

Третьи буквы, которые вы найдете на транзисторах, включают W, X, Y или Z. Наконец, существует система серийных номеров, которая работает от 100 до 9.999. Теперь, когда мы знаем, как работает система наименования, мы можем присвоить имя этому транзистору: AD 140

Приставка A означает, что транзистор изготовлен из германия.

Вторая буква D используется в усилителях мощности звуковой частоты.

Система нумерации или кодирования JEDEC

Рисунок 3: Несколько транзисторов

Совет по инженерному инженерному инженерному устройству (JEDEC) используется для транзисторов и Diodes. Кроме того, это упрощенная система именования, которая использует первую цифру, вторую букву, серийный номер и формат суффикса.

Второй буквой в нумерации JEDEC всегда будет «N». Также; Вы также можете определить количество ножек на транзисторе, добавив единицу к первой букве.

Серийные номера для этой системы наименования также находятся в диапазоне от 100 до 9999. Однако про транзистор ничего не говорят. Тем не менее, вы можете использовать серийные номера, чтобы определить, когда транзистор появился на рынке.

Наконец, в этой системе именования есть необязательный суффикс. Он предоставит группу усиления (hfe) компонента, который вы обрабатываете. В таблице ниже показаны группы усиления для различных суффиксов в системе нумерации JEDEC.

Суффикс	Группа усиления
А	Низкий коэффициент усиления
Б	Среднее усиление
С	Высокий коэффициент усиления
Без суффикса	Любое усиление

Группировка коэффициентов усиления в транзисторах важна, особенно в процессе выбора. В основном транзисторы с высоким коэффициентом усиления дороже, чем транзисторы с низким коэффициентом усиления. В результате крупные пользователи транзисторов значительно сэкономят на затратах, если купят транзисторы с низким коэффициентом усиления.

Обратите внимание, в этой системе наименования нет дополнительных букв после группировки усиления. Различные транзисторы системы JEDEC включают 2N2221A, 2N3819 и 2N904.

Схема нумерации полупроводниковых устройств JIS

Рисунок 4: Кодированный транзистор

Промышленный стандарт NAMING принимает формат, два буквы, повестный номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер, и номер. необязательный суффикс.

Опять же, добавление единицы к первому числу даст вам количество ножек устройства. Далее две буквы обозначают тип и область применения устройства. В приведенной ниже таблице поясняются конкретные представления букв в этой системе.

Письма	Область применения
СА	ПНП ВЧ транзистор
СБ	ПНП Транзистор AF
ЮК	NPN ВЧ транзистор
SD	Транзистор NPN AF
SE	Диоды
СФ	Тиристоры
СГ	Диод Ганна
Ш	Однопереходный транзистор (UJT)
СЖ	P-канальные полевые транзисторы/ МОП-транзисторы
СК	N-канальные полевые транзисторы/ МОП-транзисторы
СМ	Триаки
SQ	Светодиоды
СР	Выпрямители
нержавеющая сталь	Сигнальные диоды
СТ	Лавинный диод
СВ	Варикапы
СЗ	Стабилитроны

В-третьих, в этой системе именования есть серийные номера от 10 до 9999. Наконец, есть необязательные суффиксы. Они представляют собой различные типы транзисторов, одобренных для конкретных целей японскими компаниями.

Также обратите внимание, что первая цифра в этой системе обозначений — 2 для транзисторов и 1 для диодов.

Кроме того, как вы могли заметить, первая буква в этой системе наименования — S. Следовательно, первые две буквы в названии транзистора будут «2S».

Поскольку ‘2S’ будет синонимом для всех транзисторов, вы можете игнорировать его во время записи. Таким образом, транзистор с кодом 2SA1187 можно записать как A1187.

 

Номера производителей

 

Некоторые производители также имеют свою уникальную систему наименования транзисторов. Часто это обычно по коммерческим причинам и маркетингу. Например, у Motorola есть такие транзисторы, как MJE, MJ, MPS и MRJ.

Точно так же у Texas Instruments есть такие коды транзисторов, как TIP, TIPL и TIS.

 

Заключение

 

Приведенные выше системы кодирования являются общепринятыми способами именования транзисторов. Мы предоставили подробное объяснение идентификации транзисторов с использованием различных систем. Тем не менее, вы все равно можете обнаружить, что есть несколько вещей, которые вы не понимаете. Если это ваш случай, не стесняйтесь обращаться к нам.

 

 

Правила наименования источников напряжения в транзисторных схемах

спросил 1 год, 9 месяцев назад

Изменено 9 месяцев назад

Просмотрено 276 раз

\$\начало группы\$

Не должен ли источник напряжения \$V_{CE}\$, названный автором моей книги, называться \$V_{CB}\$ или \$V_{BC}\$ в соответствии с соглашением об именах как этот источник напряжения находится между диодом база-коллектор? Кроме того, где я могу узнать о правильном наименовании источников напряжения в транзисторах?

• транзисторы

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

На этой схеме неправильно используется обозначение с двойным нижним индексом, и, к сожалению, это происходит так часто, как это происходит.

\$V_{CE}\$ означает «падение напряжения от коллектора к эмиттеру» или «напряжение на коллекторе относительно эмиттера».

\$V_{C}\$ означает «напряжение на коллекторе относительно земли».

\$V_{CC}\$ означает «напряжение источника питания, которое наиболее тесно связано с выводом коллектора».

Источник питания \$V_{CC}\$ традиционно был положительным источником, связанным со схемами NPN, а \$V_{DD}\$ традиционно был положительным источником питания для схем NMOS, но эти обозначения стали общими именами для положительного источника питания. Напряжение. Точно так же \$V_{SS}\$ стал общим термином для заземления.

Источник: https://en.wikipedia.org/wiki/Double_subscript_notation

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Кажется, у людей разные представления о том, как использовать это соглашение. Я бы не воспринимал это слишком серьезно. Обычно вы знаете, что имелось в виду.