Сложные схемы: Сложные схемы света: как настроить, 6 готовых вариантов для практики | Урок | Фото, видео, оптика

Сложные схемы света: как настроить, 6 готовых вариантов для практики | Урок | Фото, видео, оптика

Надоело снимать с одним-двумя источниками света? Интересно поставить красивый свет не только на модели, но и подсветить фон? А, может, нужен идеальный белый фон для съёмки в высоком ключе, но чтобы модель получилась на нём интересно, а не как картинка из стоков? Хочется экспериментов? 

Для тех, кому необходимо разнообразить портфолио и бросить себе вызов, мы подготовили шесть сложных схем света с четырьмя и пятью источниками.

Для спокойствия арендуйте студию на несколько часов, чтобы неторопливо со всем разобраться и без суеты настроить каждый моноблок для сложной схемы / Иллюстрация автора

Как выставить схему света в фотостудии — алгоритм и настройки фотоаппарата  

Любую схему света в фотографии, где больше одного источника, можно назвать сложной. Трудность работы с большим количеством света в том, что источники зависят от мощности друг друга. Один может перекрывать другой и, тем самым, давать некрасивые блики и тени на модели, портить изначальную задумку. Рассказываем, как поэтапно и качественно выставить любую по сложности схему света.

1. Настройки фотоаппарата в студии.

Фотографы делятся на три лагеря: одни ставят настройки на фотоаппарате и меняют только настройки света; вторые выставляют схему света и под неё пытаются подобрать оптимальные настройки камеры; третьи меняют и то, и другое, из-за чего их съёмка превращается в бесконечную и нервную борьбу с цифрами на дисплее камеры и моноблоках. 

Чем меньше переменных, тем меньше суеты. Чтобы не хвататься сразу за всё, поставьте одни настройки на фотоаппарате и больше не трогайте их. Пусть меняется лишь мощность и расположение вспышек. 

Пример универсальных настроек для студийной съёмки портрета одного человека:

• ISO 100.
• Выдержка 1/125
• Диафрагма f/8.

При таких настройках человек будет полностью в резкости, на фотографии не будут появляться шумы из-за задранного ISO. Если вы снимаете групповой портрет, то диафрагму необходимо подбирать в диапазоне f/11-f/22. Чем больше людей, тем больше число диафрагмы. И тем выше должна быть мощность источников света.

2. Определитесь со схемой света и выделите главный источник. Настраивая его мощность, учтите, что она должна быть выше, чем у второстепенных — от него будут зависимы остальные вспышки, они не должны перебивать его.

Это будет рисующий свет. Именно он формирует светотеневой рисунок на модели, а остальные источники лишь расставляют акценты (контровой, фоновый свет) или делают тени менее глубокими, подсвечивают затенённые части объекта (заполняющий свет).  

3. Выставьте нужную схему света, поставьте модель в центр и выключите все источники, кроме основного. Сейчас ваша задача — выставить оптимальную мощность главного источника и определить, какой светотеневой рисунок даёт этот источник на модели.

Любой путь к сложной схеме лежит через базовый источник рисующего света. Выстраивая любую по сложности схему, начните с одного моноблока и постепенно добавляйте к нему остальные / pixabay.com

Лайфхаки:

• Пометьте точку, где должна стоять модель, скотчем. Предупредите, что она не должна сдвигаться с этого места. Со сложными схемами света это крайне важно, потому что передвигать 3-4-5 источников света каждый раз, когда модель сделает шаг в сторону, долго и неудобно. 

• Обязательно включите пилотный свет на импульсном источнике! Даже слабый пилотный свет поможет вам понять, куда светит вспышка, какую светотень она формирует на модели. Это поможет исправить возможные ошибки ещё до того, как вы сделаете первый пробный кадр.

4. Когда вам понравится результат, который даёт первый и самый главный источник света, добавляйте к нему второй.

Также включите у него пилотный свет, сделайте пробные кадры и донастройте мощность. Так вы будете отлично понимать, какой результат даёт каждая вспышка. Это поможет вам полностью контролировать ситуацию в студии.    

Таким образом последовательно, один за другим, подключите к световой схеме все остальные источники. Последними, как правило, настраивают те моноблоки, которые подсвечивают фон.

Схемы с четырьмя и пятью источниками света

Мы собрали для вас шесть сложных схем света, которые выгодно выделяют модель и прорабатывают фон. Эти схемы можно использовать как в женских или мужских портретах, фэшн-фотосессиях, так и для предметной съёмки. Для удобства перечисление нужных источников света дано в том порядке, в каком следует их подключать при составлении схемы. 

Три схемы света на 4 источника

1. Схема, подчёркивающая формы и прорабатывающая фон.

Подойдёт для женских портретов, предметной фотографии, а также фотографий танцоров, спортсменов, балерин — везде, где можно и нужно продемонстрировать красоту тела / Иллюстрация автора

Схема состоит из:

• Рисующего света спереди, стоящего под углом от модели. 

Для женских портретов в качестве насадки подойдёт прямоугольный софтбокс. Даст достаточно мягкий свет. Если нужно дополнительно подчеркнуть рельеф и текстуру, добавить на снимок энергии, возьмите рефлектор или портретную тарелку с сотами.

• Два контровых источника света сзади от модели, подчёркивающих форму. В качестве насадки подойдут вытянутые стрипбоксы, отлично освещающие модель в полный рост.

• Подсветка фона. Насадки рефлектор или тубус дадут жёсткое световое пятно, дополнительно выделяющее модель. На рефлектор можно надеть цветной светофильтр, чтобы дополнительно окрасить фон в любой цвет.

2. Дерзкая и яркая схема света в неоновом стиле. Подойдёт для погрудных мужских и женских портретов.

В этой схеме важно заранее продумать цвета, которые вы будете использовать на каждом из рефлекторов / Иллюстрация автора

Состав схемы:

• Два рефлектора с цветными фильтрами по бокам от модели, чтобы создать контрастное яркое сочетание цветов. 
• Контровик позади модели, чтобы подсветить фигуру или волосы. Подойдёт рефлектор. Можно также сделать его цветным или оставить свет бесцветным.
• Рефлектор с цветным фильтром на фон.

3. Цветная схема с яркими контровиками, позволяющая оставить кожу модели естественного цвета.

Это более спокойный вариант предыдущей неоновой схемы / Иллюстрация автора

Необходимый свет:

• Портретная тарелка с сотами (жёсткий свет) или софтбокс (мягкий свет) для рисующего света, стоящего под 45 градусов от модели спереди. 

Выбирайте свет в зависимости от настроения и жанра фотосессии: жёсткий свет подойдет для фэшн-съёмки, дерзкого женского образа, мужского портрета. Мягкий свет подойдёт для более нежного женского портрета. 

• Два рефлектора с цветными фильтрами позади от модели. Они будут давать интересные цветные контровики, но кожа при этом останется естественной и будет освещена рисующим светом.

• Рефлектор с цветным фильтром для подсветки фона.

Лайфхак: добавьте к этой схеме дым, чтобы получить таинственную и эффектную фотографию. Кроме того, дым может сделать свет на снимке менее контрастным.

Три схемы света на 5 источников:

4. Нежная схема света с идеально белым фоном.

Такая схема подойдёт для женских и детских портретов, бьюти-съёмок / Иллюстрация автора

Схема состоит из:

• Крупный прямоугольный софтбокс (120 или 140 см), направленный на человека спереди. 
• Два крупных софтбокса, направленных на фон. Это сделает его идеально белым. 
• Два стрипбокса чуть позади модели, чтобы провести по силуэту красивый светлый контур. 

5. Схема с проработанным фоном для ростового женского или мужского портрета.

Состав схемы:

• на модель сверху светит октобокс (140 см), закрепленный на стойке-журавле. Важно, чтобы октобокс светил чуть спереди перед моделью, как бы в пол перед ней. 

Октобокс даст очень мягкий светотеневой рисунок, как будто вы фотографируете в облачную погоду на улице. Он должен светить в темечко и перед моделью, нависая над ней, как зонт / Иллюстрация автора

Лайфхак: если вы фотографируете на белом фоне, свет октобокса будет отражаться от пола и подсвечивать модель снизу, осветляя тени. Если вы снимаете на другом фоне (сером, чёрном, цветном, тканевом и т.д.), положите на пол отражатель, чтобы добиться похожего эффекта. 

• стрипбокс с сотами, стоящий по диагонали от модели. Направьте его не прямо на модель, а чуть в сторону. Тогда свет не будет попадать на фон, оставляя его тёмным. Он заполнит тени от октобокса. Его мощность должна быть обязательно меньше мощности октобокса!
• стрипбокс позади модели. Он создаст красивый контровик, подсветит волосы, выделит фигуру модели и отделит её от фона.
• источник света с маской Гобо, создающая на фоне интересный узор. 

Лайфхак: не во всех студиях есть маски Гобо, поэтому можно заменить его проектором. Плюс проектора в том, что вы можете выбрать на фон абсолютно любой рисунок. О том, как фотографировать с проектором, читайте в тексте. 

6. Схема с цветным градиентом на фоне, подчеркивающая силуэт модели.

Для схемы подойдёт фон любого цвета. На белом фоне цвета будут более нежные, а на сером и чёрном — насыщенные и яркие / Иллюстрация автора

Состоит из:  

• рисующего света под углом 45 градусов от модели. В качестве насадки — портретная тарелка с сотами, дающая жёсткий свет.
• двух рефлекторов с цветными светофильтрами, чтобы создать цветной градиент на фоне
• двух стрипбоксов позади модели, чтобы создать контровики, подчеркивающие её силуэт, подсветить волосы и отделить её от фона.

Перерисовка сложных схем

Добавлено 1 марта 2021 в 00:25

Обычно сложные схемы не представлены в виде красивых, аккуратных и понятных принципиальных схем, с которыми было бы удобно работать. Их часто рисуют таким образом, что сложно отследить, какие компоненты соединены последовательно, а какие – параллельно друг другу. Цель этого раздела – показать вам метод, полезный для аккуратной и упорядоченной перерисовки принципиальных схем. Подобно стратегии последовательного упрощения для решения комбинированных последовательно-параллельных схем, этот метод проще продемонстрировать, чем описать.

Анализ и упрощение сложной принципиальной схемы

Начнем со следующей (запутанной) принципиальной схемы. Возможно, эта схема изначально была нарисована так техником или инженером. Возможно, это было зарисовано, когда кто-то отслеживал провода и соединения в реальной цепи. Во всяком случае, вот она во всем своем безобразии:

Рисунок 1 – Пример сложной принципиальной схемы

Для принципиальных схем длина и прокладка проводов, соединяющих компоненты цепи, не имеют большого значения (на самом деле, в некоторых цепях переменного тока это становится критически важным, и очень большая длина проводов может способствовать появлению нежелательного сопротивления как в цепях переменного, так и постоянного тока, но в большинстве случаев длина провода не имеет значения). Для нас это означает, что мы можем удлинять, укорачивать и/или загибать соединительные линии, изображающие провода, не влияя на работу нашей схемы.

Стратегия, которая показалась мне наиболее простой для применения, – это начать с отслеживания тока от одной клеммы батареи к другой клемме, следуя по контуру из компонентов, ближайших к батарее, и пока игнорируя все остальные провода и компоненты. Прослеживая путь этого контура, пометьте каждый резистор соответствующей полярностью падения напряжения.

В этом случае я начну отслеживание этой цепи с положительной клеммы батареи и закончу на отрицательной клемме, т.е. в том же общем направлении, в котором будет течь ток. При отслеживании этого направления я отмечу каждый резистор положительной полярностью на входной стороне и отрицательной полярностью на выходной стороне, поскольку именно такой будет реальная полярность падения напряжения, когда ток (согласно общепринятой модели протекания тока) входит и выходит из резистора:

Рисунок 2 – Полярность падения напряженияРисунок 3 – Обход малого контура сложной принципиальной схемы

Все компоненты, встречающиеся в этом коротком контуре, рисуются вертикально в следующем порядке:

Рисунок 4 – Компоненты короткого контура принципиальной схемы

Теперь приступим к отслеживанию любых контуров компонентов, связанных с только что отслеженными компонентами. В этом случае есть контур вокруг R₁, образованный R₂, и еще один контур вокруг R₃, образованный R₄:

Рисунок 5 – Контуры в сложной принципиальной схеме

Прослеживая эти петли, я рисую R₂ и R₄ параллельно с R₁ и R₃ соответственно. Учитывая полярность падений напряжения на R₃ и R₁, я аналогично помечаю R₄ и R₂:

Рисунок 6 – Последовательно-параллельная конфигурация с четырьмя резисторами

Теперь у нас есть схема, которую очень легко понять и проанализировать. В этом случае она идентична последовательно-параллельной конфигурации с четырьмя резисторами, которую мы рассматривали ранее в этой главе.

Еще один пример упрощения сложных схем

Давайте посмотрим на другой пример, даже более уродливый, чем предыдущий:

Рисунок 7 – Пример сложной принципиальной схемы

Первый контур, который я прослежу, идет от отрицательной (-) клеммы батареи, через R₆, через R₁ и обратно к положительной (+) клемме батареи:

Рисунок 8 – Обход малого контура сложной принципиальной схемы

Перерисовывая вертикально и отслеживая полярности падений напряжения по пути, наша эквивалентная схема начинает выглядеть так:

Рисунок 9 – Компоненты короткого контура принципиальной схемы

Затем мы можем перейти к следующему контуру вокруг одного из проверенных резисторов (R₆), в данном случае это контур, образованный R₅ и R₇. Как и раньше, мы начинаем с положительного вывода R₆ и переходим к отрицательному выводу R₆, отмечая по мере продвижения полярность падений напряжения на R₅ и R₇:

Рисунок 10 – Резисторы второго контура на принципиальной схеме

Теперь мы добавляем контур R₅–R₇ к первому варианту перерисованной схемы. Обратите внимание, как полярности падений напряжения на R₇ и R₅ соответствуют полярности R₆, и как они будут аналогичны полярностям при отслеживании R₇ и R₅ в исходной схеме:

Рисунок 11 – Упрощенная принципиальная схема

Мы повторяем процесс снова, идентифицируя и отслеживая еще одну петлю вокруг уже проверенного резистора. В этом случае контур R₃–R₄ вокруг R₅ выглядит подходящим для следующего отслеживания:

Рисунок 12 – Упрощение изображения сложных схем

Добавляем петли R₃–R₄ к нашему чертежу с вертикальным расположением компонентов, также отмечая правильную полярность:

Рисунок 13 – Упрощенная принципиальная схема

Если для отслеживания остался только один резистор, следующий шаг очевиден: проследим контур, образованный R₂ вокруг R₃:

Рисунок 14 – Отслеживание еще одной петли на сложной схеме

Добавляем R₂ к упрощенному чертежу схемы, и мы закончили! В результате получилась схема, которую очень легко понять по сравнению с оригиналом:

Рисунок 15 – Упрощенная принципиальная схема

Эта упрощенная схема значительно упрощает задачу определения, с чего начать и как действовать при уменьшении схемы до одного эквивалентного (полного) сопротивления. Обратите внимание, что для этого после перерисовки схемы всё, что нам нужно сделать, это начать с правой стороны и продвигаться влево, упрощая простые последовательные и простые параллельные комбинации резисторов по одной группе за раз, пока не закончим.

В этом конкретном случае мы бы начали с простой параллельной комбинации R₂ и R₃, сведя ее к одному сопротивлению. Затем мы взяли бы это эквивалентное сопротивление (R₂||R₃) и последовательное с ним (R₄), уменьшив их до другого эквивалентного сопротивления (R₂||R₃—R₄). Затем мы перешли бы к вычислению параллельного эквивалента этого сопротивления (R₂||R₃—R₄) с R₅, затем последовательного с R₇, затем параллельного с R₆, затем последовательного с R₁, чтобы получить общее сопротивление для всей схемы.

Отсюда мы могли бы рассчитать общий ток из общего напряжения и общего сопротивления (I = E/R), а затем «развернуть» схему обратно в ее исходную форму по одному шагу за раз, распределяя соответствующие значения напряжений и токов по сопротивлениям, по которым продвигались бы.

Резюме

• Провода на схемах и в реальных цепях можно удлинять, укорачивать и/или перемещать, не влияя на работу схемы.
• Чтобы упростить запутанную принципиальную схему, выполните следующие действия:
  • Отслеживайте ток от одной клеммы батареи к другой клемме по любому одному пути («контуру») к батарее. Иногда лучше начать с контура, содержащего наибольшее количество компонентов, но независимо от выбранного пути результат будет точным. При прохождении по контуру отмечайте полярность падений напряжения на каждом резисторе. Нарисуйте те компоненты, с которыми вы столкнетесь, вдоль этого контура, располагая их вертикально.
  • Отметьте отслеживаемые компоненты на исходной схеме и проследите оставшиеся петли компонентов в схеме. Используйте метки полярности на отслеживаемых компонентах в качестве ориентира для определения того, что и где соединяется. Задокументируйте новые компоненты в контурах на схеме с вертикальной ориентацией компонентов.
  • Повторяйте последний шаг столько раз, сколько необходимо, пока не будут отслежены все компоненты исходной схемы.

Оригинал статьи:

• Re-drawing Complex Schematics

Теги

ОбучениеПараллельная цепьПоследовательная цепьСхемотехника

Назад

Оглавление

Вперед

Дуализация комплексов на схемах — проект The Stacks

Мы определяем дуализирующий комплекс на локально нётеровой схеме как комплекс, который аффинно локально происходит из дуализирующего комплекса на соответствующем кольце. Это не совсем стандартно, но согласуется со всеми имеющимися в литературе определениями нётеровских схем конечной размерности.

Лемма 48.2.1. Пусть $X$ — локально нётерова схема. Пусть $K$ — объект $D(\mathcal{O}_ X)$. Следующие эквивалентны 9\bullet $ дуализируется дуализирующими комплексами, лемма 47.15.7. $\квадрат$

Определение 48.2.2. Пусть $X$ — локально нётерова схема. Объект $K$ из $D(\mathcal{O}_X)$ называется дуализирующим комплексом , если $K$ удовлетворяет эквивалентным условиям леммы 48.2.1.

См. примечания, сделанные в начале этого раздела.

Лемма 48.2.3. Пусть $A$ — нётерово кольцо, и пусть $X = \mathop{\mathrm{Spec}}(A)$. Пусть $K, L$ — объекты $D(A)$. Если $K \in D_{\textit{Coh}}(A)$ и $L$ имеет конечную инъективную размерность, то 9{-n}(K)$ — конечный $A$-модуль, см. Алгебра, лемма 10.10.2. Это доказывает, что каноническое отображение

\[ \widetilde{R\mathop{\mathrm{Hom}}\nolimits _ A(K, L)} \longrightarrow R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}}\nolimits _{\mathcal{O}_ X}(\widetilde{K}, \widetilde{L}) \]

является квазиизоморфизмом в этом случае, и доказательство завершено. $\квадрат$

Лемма 48.2.4. Пусть $X$ — нётерова схема. Пусть $K, L, M \in D_\mathit{QCoh}(\mathcal{O}_ X)$. Тогда карта 9+_{\textit{Coh}}(\mathcal{O}_ X)$ и $M$ аффинно локально имеет конечную инъективную размерность (см. доказательство), или

$K$ и $L$ находятся в $D_{\textit{Coh}}(\mathcal{O}_ X)$, объект $R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}}\nolimits (L, M)$ имеет конечную размерность тора, а аффинные локально $L$ и $M$ имеют конечную инъективную размерность (в частности, $L$ и $M$ ограничены).

Доказательство. Доказательство (1). Мы говорим, что $M$ имеет аффинную локально конечную инъективную размерность, если $X$ имеет открытое покрытие аффинами $U = \mathop{\mathrm{Spec}}(A)$, такое что объект $D(A)$, соответствующий $M|_U$ (производные категории схем, лемма 36.3.5) имеет конечную инъективную размерность 9+_{\textit{Coh}}(\mathcal{O}_ X)$ по производным категориям схем, лемма 36.11.5. Кроме того, формирование левой и правой частей стрелки коммутирует с функтором $D(A) \to D_\mathit{QCoh}(\mathcal{O}_ X)$ по лемме 48.2.3 и производным категориям Схемы, лемма 36.10.8 (для уверенности здесь используются предположения о $K$, $L$, $M$ и то, что мы только что доказали о $R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}} \nolimits (K, L)$).

Тогда, наконец, стрелка является изоморфизмом по More on Algebra, Lemmas 15.98.1 часть (2).

Доказательство (2). Мы рассуждаем, как указано выше. Небольшое изменение состоит в том, что здесь мы получаем $R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}}\nolimits (K, L)$ в $D_{\textit{Coh}}(\mathcal{O}_ X)$, поскольку аффинно локально (что допустимо леммой 48.2.3), мы можем обратиться к дуализирующим комплексам, лемма 47.15.2. Затем мы, наконец, заключаем, говоря «Подробнее об алгебре, лемма 15.98.2». $\квадрат$

Лемма 48.2.5. Пусть $K$ — дуализирующий комплекс на локально нётеровой схеме $X$. Тогда $K$ является объектом $D_{\textit{Coh}}(\mathcal{O}_ X)$ и $D = R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}}\nolimits _{\mathcal{O}_ X}(-, K)$ индуцирует антиэквивалентность 9\ mathbf {L} L \ longrightarrow R \ mathop {\ mathcal {H} \! \ mathit {om}} \ nolimits _ {\ mathcal {O} _ X} (R \ mathop {\ mathcal {H} \! \ mathit {om}} \ nolimits _ {\ mathcal {O} _ X} (L , К), К) \]

(используя когомологии, лемма 20. 40.9 для второй стрелки) является изоморфизмом для всех $L$, потому что это верно для аффинных объектов по дуализирующим комплексам, лемма 47.15.3

2 , и мы уже видели, что для аффинных объектов мы восстанавливаем то, что происходит по алгебре. Утверждение о свойствах ограниченности функтора $D$ в квазикомпактном случае следует также из соответствующих утверждений Дуализирующих комплексов, лемма 47.15.3. $\квадрат$

Пусть $X$ — локально окольцованное пространство. Напомним, что объект $L$ из $D(\mathcal{O}_X)$ является обратимым , если он является обратимым объектом для симметричной моноидальной структуры на $D(\mathcal{O}_X)$, заданной формулой производное тензорное произведение. В лемме 20.50.2 из когомологии мы видели, что это означает, что $L$ совершенна и существует открытое покрытие $X = \bigcup U_ i$ такое, что $L|_{U_ i} \cong \mathcal{O}_{ U_ i}[-n_ i]$ для некоторых целых чисел $n_ i$. В этом случае функция

\[ x \mapsto n_ x,\quad \text{где }n_ x\text{ — уникальное целое число, такое что } H^{n_ x}(L_ x) \not= 0 \] 9\пуля [-\дельта (х)]) \]

По построению $\delta $ в лемме 48. 2.7 это сводит части (1), (2) и (3) к дуализирующим комплексам, лемма 47.16.5. Часть (4) является формальным следствием (3) и (1). $\квадрат$

[1] Это условие не зависит от выбора аффинного открытого покрытия нётеровой схемы $X$. Подробности опущены.

[2] Альтернативой является сначала показать, что $R\mathop{\mathcal{H}\! \mathit{om}}\nolimits _{\mathcal{O}_ X}(K, K) = \mathcal{O}_ X$, работая аффинно локально, а затем используя лемму 48.2.4 часть (2), чтобы увидеть карта является изоморфизмом.

---

---

Как модели создают осадки и облака

Вопрос

Используя рисунок ниже и только что представленную информацию, выберите функции, которые вы ожидаете схемы со сложными облаками, чтобы их можно было разумно представить в модели с шагом сетки 10 км. (Выберите все подходящие варианты.)

а) Предварительно прогретые передние перистые или промежуточные облака

b) Штормовые суммарные предтеплые фронтальные переливные осадки

c) Штормовые суммарные предпрогревающие фронтальные переливные осадки со встроенной конвекцией

d) Общее количество осадков от обрушившегося на сушу тропического циклона

e) Осадки от линии предлобового шквала

f) Осадки из суперячейки

g) Осадки от грозовых воздушных масс

з) Последующие холодные фронтальные души

Правильные ответы: (а), (б), (в) и (д).

Поскольку сложные облачные схемы включают в себя многочисленные внутриоблачные процессы, предсказание перистых перед теплым фронтом (а) совершенствуется по сравнению со схемами с использованием простых облаков и часто выполняется хорошо.

Включение сложных микрофизических процессов также приводит к лучшему изображению и прогнозу осадков. Таким образом, прогнозы должны быть достаточно точными в ситуациях переполнения (б) .

В случае обрушившихся на сушу ураганов (d) комплексная схема микрофизики облаков предсказывает облачный лед и снег, и может получать информацию о льде и снеге из схемы CP, если она доступна. Эти ледяные частицы засеивают внутренние дождевые полосы, что способствует их высокой эффективности осадков. В то время как 10-километровый шаг сетки является незначительным достаточное разрешение для изображения структур урагана, разрешенный шторм обычно все еще недостаточно интенсивен, чтобы получить правильный баланс влажности, вертикальные движения, центральное давление и эквивалентную потенциальную температуру.