Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΈ Π½Π° транзисторах. Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°: Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΡŽ процСссоров

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°. Как ΠΎΠ½Π° отличаСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ КМОП-Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ. КакиС прСимущСства ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ использованиС логисторов. Как Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° логисторах. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ пСрспСктивы примСнСния логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π² процСссорах.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½Π° отличаСтся ΠΎΡ‚ КМОП

Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° — это Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΡŽ логичСских схСм ΠΈ процСссоров, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠΉ российских ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ…. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ особСнности логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ:

  • ИспользованиС Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов — логисторов
  • ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ вмСсто строго ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ нСстандартного ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° кодирования логичСских Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†
  • ИспользованиС двуполярного питания
  • Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ сСтки Π² Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ плоскостях

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ КМОП-Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ строго ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ логичСских элСмСнтов. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСссоров.


Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ логистора

Логистор — это Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ для логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ. Π•Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ особСнности:

  • Π§Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: исток (Source), сток (Drain), Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate) ΠΈ Π±Π°Π·Π° (Base)
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком «ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½» ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ
  • Канал проводимости ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком формируСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ

Благодаря Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ конструкции логисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ элСмСнты, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹, обСспСчивая Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ развязку Π² схСмах.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ

ИспользованиС логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прСимущСства ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ КМОП-Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ:

  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ быстродСйствия Π·Π° счСт ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ выполнСния ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ
  • Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргопотрСблСния процСссоров
  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ плотности размСщСния транзисторов Π½Π° кристаллС
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ создания Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТных логичСских элСмСнтов

ΠŸΡ€ΠΈ этом для производства логисторных микросхСм ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ тСхпроцСсс с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ измСнСниями.


РСализация Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ

Π’ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ нСстандартный ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ кодирования логичСских Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π±ΠΈΡ‚ пСрСдаСтся ΠΏΠΎ Π΄Π²ΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ:

  • ЛогичСский 0: +V Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅, -V Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
  • ЛогичСская 1: -V Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅, +V Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ создания ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. НапримСр, опСрация И выполняСтся Ρ‚Π°ΠΊ:

  1. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ A ΠΈ B ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнных логисторов
  2. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ формируСтся Π½Π° стокС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ логистора
  3. Высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ссли ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ

Аналогичным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ логичСскиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π² логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ созданиС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТных ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнтов.

ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ примСнСния Π² процСссорах

Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° находится ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π° стадии исслСдований ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. Однако ΠΎΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большой ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» для примСнСния Π² процСссорах ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ прСимущСства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ использованиС:


  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты процСссоров Π·Π° счСт ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ выполнСния ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ
  • Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргопотрСблСния ΠΈ тСпловыдСлСния
  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ количСства транзисторов Π½Π° кристаллС Π±Π΅Π· ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ тСхпроцСсса
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ создания процСссоров с ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ

Для практичСского примСнСния логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ потрСбуСтся Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ряд тСхнологичСских Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π² частности, ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ массового производства логисторов. Однако ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ прСимущСства Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСсьма пСрспСктивным для Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… исслСдований ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ.

Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ состояниС Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ

На Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° находится Π½Π° Ρ€Π°Π½Π½Π΅ΠΉ стадии исслСдований. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ достиТСния:

  • Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° тСорСтичСская Π±Π°Π·Π° ΠΈ основныС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ логисторов
  • Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏ логичСского элСмСнта Π½Π° дискрСтных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ…
  • ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ логисторов

Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° созданиС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм Π½Π° основС логисторов ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΡ… массового производства. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ практичСскому ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π² процСссорах.


ΠŸΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ области примСнСния

Помимо создания Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… процСссоров, логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… областях:

  • БвСрхбыстрыС АЦП ΠΈ ЦАП
  • ВысокочастотныС усилитСли
  • БистСмы машинного зрСния
  • НСйроморфныС Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства
  • ΠšΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹

Π£Π½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства логисторов ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ элСктронныС устройства с ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ пСрспСктивы для развития Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… областСй элСктроники ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ.


Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° / Π₯Π°Π±Ρ€

Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° это Π½Π°Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΉ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ вычислСния, ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ энСргии Π½Π° вычислСния ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов Π½Π° кристаллС Π±Π΅Π· сущСствСнного измСнСния тСхпроцСсса. Она находится Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Π½ΠΈΠΆΠ΅ являСтся лишь ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ. ΠœΡ‹ надССмся Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ интСрСс Π² Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€ΡƒΠ³Π°Ρ… ΠΈ срСди энтузиастов ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½Π°.

Логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚:

  1. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ — ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ , Π° Π½Π΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π² CMOS, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ логичСских элСмСнтов (Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π° CMOS)

  2. НС стандартный ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ кодирования 0 ΠΈ 1

  3. ИспользованиС Логисторов (Ρ‚ΠΈΠΏ транзисторов)

  4. ИспользованиС двуполярного питания

  5. ИспользованиС «grid array» располоТСния Π³Π΅ΠΉΡ‚ΠΎΠ² (Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π° Π²ΠΈΠ΄Π΅ свСрху)

Π’ процСссорах матСматичСскиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ логичСскими схСмами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ прСдставлСны ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ CMOS транзисторных сборок.

ВрСмя выполнСния этих ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ опрСдСляСтся суммой Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ выполнСния ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… транзисторных CMOS сборок

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ CMOS сборок прСдставим ΡΠΈΠΌΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π² LTSpice Π½Π° основС Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… spice ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ 10Π½ΠΌ FinFET:

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½ исходный сигнал (Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ) ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ послС Π΄Π²ΡƒΡ… (синий) ΠΈ послС 4-Ρ… ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² (красный)


ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора — логистор:

Π’ логисторС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Source ΠΈ Drain) «ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½» ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала — ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Gate ΠΈ Base, соотвСтствСнно логисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ вмСсто ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²

Π’ comsol semiconductor Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π° симуляция логистора, которая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»Π° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Source ΠΈ Drain ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Gate ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Base. НиТС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Source ΠΈ Drain:

РасчСтная Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-АмпСрная характСристика логистора:

Благодаря двуполярному ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ описано Π½ΠΈΠΆΠ΅, Π½Π΅ трСбуСтся ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ «Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅» логистора ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Gate ΠΈ Base, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ профиля Π΄ΠΎΠΏΠΈΠ½Π³Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ логистор «ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Π΅Π΅» запираСтся ΠΈ позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‚Ρ€ΠΎΠ΅ большиС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ NMOS ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Ρ….

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ значСния Π² ALU, построСнном Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ описанный ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ кодирования 0 ΠΈ 1:

Π“Π΄Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ — это напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π±ΠΈΡ‚ пСрСдаСтся ΠΏΠΎ Π΄Π²ΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ.

Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ логичСскиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Π“Π΄Π΅ «Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚» — Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ (1) ΠΈΠ»ΠΈ отсутствиС (0) ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ

Π’ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ логичСскиС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚ CMOS, TTL ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. Π’ случаС отсутствия ограничСния стСпСни ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ (Π² «ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ» логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅) Ρ†Π΅ΠΏΠΈ строятся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π»ΠΎ «to Gate» ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами Π² ALU Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° сигнала с Drain Π½Π° Gate.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π° Π½Π΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ CMOS


ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ построСния «ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ» логисторной схСмы для сумматора Π΄Π²ΡƒΡ… 4-Ρ… Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… чисСл

A1, A2, A3, A4; B1, B2, B3, B4 — Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ числа; outputs — Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ прСдставлСны ΠΊΠ°ΠΊ проводящиС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ, Π½Π΅ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ — Π½Π΅ проводящиС

Π’ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ Ρ€Π΅Π³Π»Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΡΠΎΠ²ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°, поэтому правая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (комплимСнтарная) Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° для понимания ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° составлСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… схСм.

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ схСму.

НиТС прСдставлСна симуляция Π² Logisim Π±Π΅Π· ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ части. справа свСрху — стандартная схСма сумматора; справа снизу — схСма нСобходимая для построСния ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… логисторных схСм

Π”Π°Π»Π΅Π΅ прСдставлСна симуляция логисторного сумматора Π΄Π²ΡƒΡ… 3-Ρ… Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… чисСл Π² falstad:

Для подтвСрТдСния работоспособности логичСской части логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π² EasyEDA ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π° Π½Π° JLCPcb ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°:

Π’ΠΈΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ логисторы Π½Π΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚, Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹. ΠŸΠ»Π°Ρ‚Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ значСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠΌΠΎ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ логичСской части логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ.

Для достиТСния высокой плотности размСщСния логисторов рСкомСндуСтся ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Base всСх логисторов ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Base Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ сторонС Substrate. Gates рСкомСндуСтся Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Source ΠΈ Drain сосСдних Логисторов Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Source / Drain Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒΡΡ 4 Gate

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ особоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ описана логисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° Π±Π΅Π· ограничСния стСпСни ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ (полная), Π³Π΄Π΅ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ — ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ количСство Gates ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Drain. Для увСличСния ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ использованиС ограничСния стСпСни ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом исчСзаСт Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ — ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΡƒΡŽ схСму для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π°. ИспользованиС каскадирования ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ для увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² для насыщСния большого количСства Gates — являСтся ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ Π½Π°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠΈΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

По тСхничСским ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ² Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π½Π°Π΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ внСдрСния ограничСния стСпСни ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ рСсурсами для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ логисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, поэтому ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» пСрСдаСтся Π² Π΄ΠΎΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ сообщСству ΠΈ энтузиастам

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ Π² Π›ΠΠœΠž; Авторы: АртСм Π ΠΎΠ΄ΠΈΡ‡ΠΊΠΈΠ½, Анна ЕвсССва, Полина Маслова, Π‘Π΅ΠΌΠ΅Π½ Архипов, Инна ΠœΠΈΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°, Π§Π΅Ρ‡ΡƒΠ»ΠΈΠ½ ΠœΠΈΡ…Π°ΠΈΠ»

Вранзисторная логичСская схСма — Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ЭнциклопСдия НСфти ΠΈ Π“Π°Π·Π°, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, страница 2

CΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 2

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ построСнии статичСских ИМБ Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ°ΠΌ построСния транзисторных логичСских схСм с нСпосрСдствСнными связями. Π’Π°ΠΊ, для построСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы Π˜Π›Π˜ — НЕ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠœΠ”ΠŸ-транзистору ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ стоком Ρ‚ логичСских транзисторов, истоки ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‚.  [16]

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ транзисторах. бозначСния ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов — ΠΈ Ρ† Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ². Π± — — ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°.  [17]

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ построСния статичСских ИМБ Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ°ΠΌ построСния транзисторных логичСских схСм с нСпосрСдствСнными связями.  [18]

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских элСмСнтов Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.  [19]

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ построСния статичСских микросхСм Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ°ΠΌ построСния транзисторных логичСских схСм с нСпосрСдствСнными связями. Π’Π°ΠΊ, для построСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы Π˜Π›Π˜-НЕ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠœΠ”ΠŸ-Ρ‚Ρ€Π°Π²Π·ΠΈΠ΅Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ стоком m логичСских транзисторов, истоки ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‚ΡΡ.

 [20]

ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ логичСских схСм Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ИБ с ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ производится ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ΅, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ транзисторным логичСским схСмам с нСпосрСдствСнными связями. Одна ΠΈΠ· схСм 3 Π˜Π›Π˜-НЕ, нагруТСнная Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскада, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3 — 66, Π°. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° / Π³ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ эмиттСра ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ( ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ…) смСщСниях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² эмиттСр — Π±Π°Π·Π°.  [21]

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ относится ΠΊ основным элСмСнтам транзисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ( Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… систСм), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ транзисторныС логичСскиС схСмы, состоящиС ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ… ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ анализируСтся Π² Π³Π».  [22]

ВранзисторныС логичСскиС схСмы с нСпосрСдствСнными связями — схСмы, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ связи ΠΈ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСмСнтами осущСствляСтся нСпосрСдствСнно ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторныС логичСскиС схСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π² качСствС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ транзисторы ΠΈ сопротивлСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ.

Для питания этих схСм ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ источник питания. ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, потрСбляСмая транзисторными схСмами с нСпосрСдствСнными связями, Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° логичСского ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Π° Π² Π½ΠΈΡ… составляСт нСсколько дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, поэтому врСмя, Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ Π½Π° пСрСзарядку ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй, ΠΌΠ°Π»ΠΎ.  [23]

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° И-НЕ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзисторно-транзисторной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ( Π’Π’Π›.  [24]

Π˜Ρ… Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ логичСскими схСмами ΠΈΠ»ΠΈ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ. На рис. 24 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ транзисторныС логичСскиС схСмы с нСпосрСдствСнными связями. По упомянутым Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚.  [25]

ΠŸΡƒΠ»ΡŒΠ²Π΅Ρ€ΡΠ° прСдставляСт собой ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠΉ справочник для ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠΎΠ² элСктронного оборудования, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы. РазумССтся, Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ Π² свой справочник Π½Π΅ вСсь ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», относящийся ΠΊ

транзисторным логичСским схСмам. Они ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ рассмотрСниСм лишь ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшого количСства Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм, Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° основС ΠΈΡ… конструкторской ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΈ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ приводят ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ систСматизированный ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», относящийся ΠΊ этим схСмам.  [26]

ЛогичСскиС элСмСнты ИБ Π½Π° ΠšΠœΠ”ΠŸ-транзисторах ( Π° ΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅.  [27]

Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-транзисторов VT3 ΠΈ VT4, поэтому Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° соотвСтствСнно Ρ€-я-Ρ€-транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ областями эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ-Ρ€-ΠΈ-транзисторов, поэтому эти элСмСнты Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚

совмСщСнными транзисторными логичСскими схСмами.  [28]

ЛогичСскиС элСмСнты ИБ Π½Π° ΠšΠœΠ”ΠŸ-транзисторах ( Π° ΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅.  [29]

Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏ-Ρ€ — ΠΏ — транзисторов VT3 ΠΈ VT4, поэтому Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° соотвСтствСнно Ρ€-Π»-Ρ€-транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ областями эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏ-Ρ€ — ΠΏ — транзисторов, поэтому эти элСмСнты Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ совмСщСнными транзисторными логичСскими схСмами.  [30]

Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹:      1    2    3

ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ вСнтиля И с использованиСм транзисторов

Как ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· нас Π·Π½Π°ΡŽΡ‚, ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈΠ»ΠΈ ИБ прСдставляСт собой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ мноТСства Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… схСм Π² нСбольшом корпусС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ вмСстС Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ. Подобно ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ 555, микросхСма состоит ΠΈΠ· мноТСства транзисторов, Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ², логичСских Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ построСн с использованиСм ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ логичСских элСмСнтов, Π° сами логичСскиС элСмСнты ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ построСны с использованиСм Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… транзисторов.

Β 

ЛогичСскиС элСмСнты ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основой ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных схСм. ΠžΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² ЛогичСскиС элСмСнты Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ хранСния ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ². Они ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ систСмы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π°Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ. БущСствуСт мноТСство Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² логичСских Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΉ, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π½ΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ, которая ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ. Но Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ основноС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ И Π’ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°ΠΌ , ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ построСниС вСнтиля И с использованиСм схСмы BJT-транзистора . Π£Π²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ? Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ.

Β 

ЛогичСский элСмСнт И

ЛогичСский элСмСнт И прСдставляСт собой D-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ логичСский элСмСнт с двумя Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ СдинствСнным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π³Π΄Π΅ D-Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ прСдставляСт собой Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ схСму. Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ истинности вСнтиля И , ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ И ЛогичСскоС ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСнтиля , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Q = A x B ΠΈΠ»ΠΈ Q = AB . Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, для логичСского элСмСнта И Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ HIGH Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ HIGH .

Β 

Вранзистор

Вранзистор β€” это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ внСшнСй Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для измСнСния Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ управлСния ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктричСского сигнала.

Для построСния логичСского элСмСнта И с использованиСм транзистора ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы BJT, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: PNP ΠΈ NPN – Вранзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ . Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ» схСмы для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π­Ρ‚Π° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ схСму Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° И с использованиСм транзистора. Π›ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° логичСского элСмСнта И ΡƒΠΆΠ΅ объяснСна Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΈ для построСния логичСского элСмСнта И с использованиСм транзистора ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ истинности, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹

Бписок ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… для построСния логичСского элСмСнта И с использованиСм NPN-транзистора

, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

  1. Π”Π²Π° NPN-транзистора. (Π’Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор PNP, Ссли ΠΎΠ½ доступСн)
  2. Π”Π²Π° рСзистора 10 кОм ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ рСзистор 4-5 кОм.
  3. Один свСтодиод (ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄) для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°.
  4. ΠœΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚.
  5. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания +5 Π’.
  6. Π”Π²Π΅ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ PUSH.
  7. Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСдставляСт ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ A ΠΈ B для вСнтиля И, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, Q, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ +5 Π’ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСн со Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ транзистором, Π° свСтодиод ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ эмиттСру. Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ A ΠΈ B ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ транзистора 1 ΠΈ транзистора 2 соотвСтствСнно, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Q ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ свСтодиоду ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹. На ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ прСдставлСна ​​описанная Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ схСма для построСния логичСского элСмСнта И с использованиСм NPN-транзистора.

Β 

Π’ этом руководствС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы BC547 NPN Transistor , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π² схСму со всСми Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Β 

Если Ρƒ вас Π½Π΅Ρ‚ с собой ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΎΠΊ, Π²Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, добавляя ΠΈΠ»ΠΈ удаляя ΠΈΡ… ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ нСобходимости (вмСсто наТатия Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ). Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ, Π³Π΄Π΅ я использовал ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов.

Π’Π° ΠΆΠ΅ схСма, построСнная с использованиСм Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³Π»ΡΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Β 

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° И с использованиСм транзистора

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, поэтому, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС подаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ NPN-транзистора, напряТСниС достигаСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ подаСтся напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ 0 Π’ ΠΈ напряТСниСм ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Β 

Аналогично, привСдСнная Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ схСма заставит свСтодиод ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚. Π΅. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1 (высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ), Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ 1 (высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ), Ρ‚. Π΅. ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов подаСтся напряТСниС. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ прямолинСйный ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ VCC (ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ +5 Π’) ΠΊ свСтодиоду ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅. Π’ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… случаях Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 0 (Низкий), Π° свСтодиод Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. ВсС это ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ, Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΡ€Π°ΡΡΡŒ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ случаС ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Β 

Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΉ 1: Когда ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π½ΡƒΠ»ΡŽ – A = 0 & B = 0 .

Когда ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° A ΠΈ B Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ 0, Π² этом случаС Π²Π°ΠΌ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ. Если Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ, ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, соСдинСнныС с ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠΎΠΉ основания ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° A ΠΈ B ΠΊΠ°ΠΊ 0, ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ 0 Π² соотвСтствии с Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ΠΉ истинности вСнтиля AND.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС подаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Вранзистора 1, эмиттСр Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ эмиттСр транзистора 1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Вранзистора 2 , Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ транзистора 2 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, эмиттСр транзистора 2 ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 0, ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ свСтодиод Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½.

Β 

Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΉ 2: Когда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ – A = 0 & B = 1 .

Π’ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ A = 0 ΠΈ B = 1, схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΊ 0 (Низкий), Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΊ 1 (Высокий) ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора 1 ΠΈ 2, соотвСтствСнно. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ 5 Π’ подаСтся Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг транзистора Π½Π΅ измСняСтся, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ 0. ΠšΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 0 Π½Π° эмиттСр, Π° эмиттСр ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСн с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, поэтому Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 0 поступаСт Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π±Π°Π·Π΅, поэтому это ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ эмиттСру. Но Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 0, Ρ‚ΠΎ ΠΈ эмиттСр Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 0 ΠΈ свСтодиод, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ эмиттСру, ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚.

Β 

Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΉ 3: Когда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ – A = 1 & B = 0 .

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1 (высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ) для Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ для Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ источника питания 5 Π’ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, проходя Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° для ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ.

Но Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзисторС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0, ΠΈ поэтому Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ свСтодиод Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½.

Β 

Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΉ 4: Когда ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ – A = 1 & B = 1 .

ПослСдний случай ΠΈ здСсь ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высокими, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всякий Ρ€Π°Π·, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС, Π±Π°Π·Π° достигаСт насыщСния ΠΈ транзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚.

Π‘ практичСской Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора 1 подаСтся ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ +5 Π’, Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ насыщСн, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ высокий Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзистор смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ высокий Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π° эмиттСрС поступаСт нСпосрСдствСнно Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 2 транзисторов ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ соСдинСниС. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ транзистору, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ высокий, ΠΈ Π² этом случаС Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ находится Π² состоянии насыщСния, ΠΈ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π½Π° эмиттСрС ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π° свСтодиод, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ свСтодиод.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, всС Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ случая ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ логичСский элСмСнт И. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΡ‹ построили логичСский Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ И с использованиСм транзистора . НадСюсь, Π²Ρ‹ поняли ΡƒΡ€ΠΎΠΊ ΠΈ Π²Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ ΡƒΠ·Π½Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅. ΠŸΠΎΠ»Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ установки ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π’ нашСм ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠΊΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ Π˜Π›Π˜ с использованиСм транзистора ΠΈ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ НЕ с использованиСм транзистора . Если Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ вопросы, ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ ΠΈΡ… Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠ΅Π² Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ наши Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌΡ‹ для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… тСхничСских вопросов.

ВранзисторныС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹

ВранзисторныС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹
AND Gate
OR Gate
NAND Gate
NOR Gate
Double Transistor
NOR Gate
ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

ИспользованиС транзисторов для построСния логичСских элСмСнтов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… полСзности Π² качСствС быстрых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Когда Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π² состояниС насыщСния, напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для построСния логичСских элСмСнтов сСмСйства Π’Π’Π›. Для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ И транзисторы соСдинСны ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΠΎΠ±Π° транзистора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² проводящСм состоянии, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Ρ‹Π» высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Цифровая элСктроника

Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ
MIMS
Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

Hyperphysics ***** ЭлСктричСский ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ
AND Gate
OR Gate
NAND Gate
NOR Gate
Double Transistor
NOR Gate
ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

ИспользованиС транзисторов для построСния логичСских элСмСнтов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… полСзности Π² качСствС быстрых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Когда Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π² состояниС насыщСния, напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для построСния логичСских элСмСнтов сСмСйства Π’Π’Π›. Для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π˜Π›Π˜ транзисторы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ устанавливаСтся высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ссли ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ· транзисторов находится Π² проводящСм состоянии.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Цифровая элСктроника

Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ
MIMS
Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

Hyperphysics ***** ЭлСктричСский ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ
AND Gate
OR Gate
NAND Gate
NOR Gate
Double Transistor
NOR Gate
ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

ИспользованиС транзисторов для построСния логичСских элСмСнтов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… полСзности Π² качСствС быстрых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Когда Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π² состояниС насыщСния, напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для построСния логичСских элСмСнтов сСмСйства Π’Π’Π›. Для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ И-НЕ транзисторы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ находится Π½Π°Π΄ Π½ΠΈΠΌΠΈ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ высокий, Ссли ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° A ΠΈ B Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокого уровня, ΠΈ Π² этом случаС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ снимаСтся Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Цифровая элСктроника

Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ
MIMS
Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

Hyperphysics ***** ЭлСктричСский ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ
AND Gate
OR Gate
NAND Gate
NOR Gate
Double Transistor
NOR Gate
ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

ИспользованиС транзисторов для построСния логичСских элСмСнтов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… полСзности Π² качСствС быстрых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Когда Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π² состояниС насыщСния, напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для построСния логичСских элСмСнтов сСмСйства Π’Π’Π›. Для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π˜Π›Π˜-НЕ транзисторы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π°Π΄ Π½ΠΈΠΌΠΈ, поэтому, Ссли ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ устанавливаСтся Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Цифровая элСктроника

Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ
MIMS
Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

Hyperphysics ***** ЭлСктричСский ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ
AND Gate
OR Gate
NAND Gate
NOR Gate
Double Transistor
NOR Gate
ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

ИспользованиС транзисторов для построСния логичСских элСмСнтов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… полСзности Π² качСствС быстрых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *