Схема предварительного усилителя на транзисторах: особенности и преимущества

Как работает предварительный усилитель на транзисторах. Какие транзисторы лучше использовать в схеме. Каковы основные элементы и этапы усиления сигнала. На что обратить внимание при сборке.

Содержание

Принцип работы транзисторного предусилителя

Предварительный усилитель на транзисторах предназначен для усиления слабого входного сигнала до уровня, достаточного для нормальной работы основного усилителя мощности. Его основные функции:

  • Усиление напряжения входного сигнала в 10-100 раз
  • Согласование высокого выходного сопротивления источника сигнала с низким входным сопротивлением усилителя мощности
  • Регулировка тембра и громкости
  • Коммутация нескольких источников сигнала

Типичная схема предусилителя содержит 3-5 каскадов усиления на биполярных транзисторах, соединенных по схеме с общим эмиттером. Это обеспечивает хорошее усиление по напряжению при невысоких искажениях.

Ключевые элементы схемы транзисторного предусилителя

Основными элементами типичной схемы предварительного усилителя на транзисторах являются:


  • Входной каскад на малошумящем транзисторе с высоким входным сопротивлением
  • Промежуточные каскады усиления напряжения
  • Регуляторы громкости и тембра
  • Выходной эмиттерный повторитель для согласования с низкоомной нагрузкой
  • Цепи отрицательной обратной связи для стабилизации режима и снижения искажений

Правильный выбор и расчет этих элементов позволяет получить высококачественный предварительный усилитель с отличными параметрами.

Выбор транзисторов для предварительного усилителя

От правильного выбора транзисторов во многом зависят характеристики предусилителя. Рекомендуется использовать следующие типы:

  • Для входного каскада — малошумящие транзисторы с низким током базы (КТ3102, BC549C)
  • Для промежуточных каскадов — универсальные транзисторы средней мощности (КТ315, BC547B)
  • Для выходного каскада — мощные транзисторы с высоким коэффициентом усиления (КТ817, BD139)

Важно подбирать транзисторы с близкими параметрами в пределах одной партии для лучшей симметрии схемы. Это позволит минимизировать нелинейные искажения.


Расчет и настройка режимов работы транзисторов

Для получения оптимальных характеристик предусилителя необходимо правильно рассчитать и настроить режимы работы транзисторов:

  1. Рассчитать номиналы резисторов в цепях базы для установки нужного тока коллектора
  2. Подобрать емкости разделительных конденсаторов для нужной АЧХ
  3. Настроить напряжение смещения на базах для линейной работы
  4. Оптимизировать коэффициенты усиления каскадов
  5. Отрегулировать глубину ООС для нужного баланса усиления и искажений

Правильная настройка режимов позволяет реализовать весь потенциал схемы и получить отличное качество звучания.

Особенности топологии печатной платы предусилителя

При разработке печатной платы предварительного усилителя важно учитывать следующие моменты:

  • Разделять сигнальные и силовые цепи питания
  • Использовать отдельные земляные полигоны для аналоговой и цифровой частей
  • Минимизировать длину сигнальных проводников
  • Экранировать чувствительные цепи входных каскадов
  • Применять развязывающие RC-фильтры в цепях питания

Грамотная компоновка и трассировка платы позволяет снизить уровень помех и наводок, улучшив отношение сигнал/шум предусилителя.


Реализация регуляторов тембра и громкости

Важной частью предварительного усилителя являются регуляторы тембра и громкости. Их можно реализовать следующими способами:

  • Регулятор громкости — переменный резистор в цепи базы выходного каскада
  • Регулятор тембра НЧ — RC-цепь с переменным резистором в цепи ООС
  • Регулятор тембра ВЧ — переменный конденсатор в параллельной ООС
  • Многополосный эквалайзер на операционных усилителях

Правильно рассчитанные регуляторы позволяют точно настроить АЧХ и уровень сигнала под конкретную акустическую систему и помещение.

Меры по снижению шумов и наводок

Для получения высокого отношения сигнал/шум в предварительном усилителе важно предпринять следующие меры:

  • Использовать малошумящие транзисторы во входных каскадах
  • Применять качественные пленочные конденсаторы в сигнальных цепях
  • Экранировать входные цепи и чувствительные узлы
  • Тщательно развязывать по питанию каждый каскад
  • Использовать стабилизированный источник питания
  • Применять симметричные дифференциальные каскады

Комплекс этих мер позволяет снизить уровень собственных шумов до величины -90…-100 дБ относительно номинального выходного сигнала.


Тестирование и измерение параметров предусилителя

После сборки предварительного усилителя необходимо провести его всестороннее тестирование и измерение основных параметров:

  • Коэффициент усиления по напряжению
  • Входное и выходное сопротивление
  • Амплитудно-частотная характеристика
  • Коэффициент нелинейных искажений
  • Отношение сигнал/шум
  • Динамический диапазон
  • Перегрузочная способность

Измерения проводятся с помощью специальных приборов — осциллографа, анализатора спектра, измерителя нелинейных искажений. Это позволяет объективно оценить качество работы усилителя и при необходимости провести его дополнительную настройку.


Простой предварительный усилитель

После сборки усилителя, который я построил на LM1875, захотелось сделать еще и предварительный усилитель к нему. Теперь я думаю будет уместно написать, зачем же мне предварительный усилитель, и что я от него хочу. Ну во первых, осуществлять коммутацию от нескольких источников сигнала. Во вторых, согласовывать сопротивление этих  источников  с  сопротивлением усилителя.  Ну и в третьих, регулировать громкость.  Так же хотелось, что бы его можно было построить на обычных, не дефицитных деталях.

Схему на операционном усилителе  не хотел, потому, что уже собирал, хотел чего то более интересного. И в своем поиске в интернете наткнулся на схему, в которой использовались полевые транзисторы, одной проводимости. К сожалению на схеме, что нашел были не все номиналы деталей,  да и не было маркировок транзисторов. А сама схема, была больше похожа на отсканированный лист, журнала.  Но что-то мне подсказывало, что схема не плохая, тем более деталей там было, не особо много.  Почему бы не собрать на макетной плате и поэкспериментировать?  

После определенного времени,  схема,  которая мне попалась, стала выглядеть так: 

Транзисторы VT1,  VT2,  поставил IRF540N, не знаю оптимально ли их использовать тут, но на звук отличий от  IRF3205N, IRF740 не заметил. Насчет нагрева, скажу так, нагревается  градусов до  40 максимум. По этому, поставил не большой радиатор, из листового алюминия, толщиной  0.8 мм.  На то что поставил именно  IRF540N, повлияло, то что были, а  еще и то, что в некоторых конструкциях усилителей, с полевыми транзисторами их используют. И говорят, что мол «звучат». Резисторы, что перед затворами, поставил по 470 Ом, но думаю можно вплоть до 1 Кома ставить. Конденсаторы C4 и C3 поставил по 20 пФ, хотя и 30 пФ туда подошли бы. По питанию, стандартно поставил электролит на 470 мкФ и пленку на 100 нФ. Конденсатор C2  поставил  на 4.7 мкФ, пленку, но думаю, если его увеличить до 10 мкФ,  будет лучше. Транзистор VT3, который стоит в источнике тока поставил 2N5551, но можно поставить и BC546, BC547. Думаю хуже не будет. Переменный резистор R9, точнее его  корпус, как обычно посадил на землю,  что бы не было гула при касании к нему. Все резисторы, что есть на схеме поставил 0.25 Ватта. Применил 1% резисторы, какие были, а те номиналы, которых не было, подобрал из кучи 5%, по максимально схожему сопротивлению. Так же поступил и с биполярными транзисторами, на плате их всего два. Взял и подобрал их по коэффициенту усиления. Не знаю, повлияло это на конечный результат или нет, но мне от этого спокойней.

Сама плата получилась не большой. Ниже фото платы:

Закрепил самодельный радиатор из алюминия. Все транзисторы, установил через изолирующие прокладки,  перед этим смазав и радиатор и фланец транзистора пастой КПТ-8. Ниже фото, того, как это получилось: 

После 2 часов работы, радиатор был под 40 градусов, так что думаю такого размера достаточно. Затем после того, как собрал сам предварительный усилитель, озадачился выбором схемы его питания. Делать, как обычно на  интегральных стабилизаторах не захотел, хотел чего-то по лучше. И в ходе поиска, и чтения форумов, пришел к мысли, что было бы не плохо,  взять  так называемый «Умножитель емкости» , в интернете его легко найти, задав в поиск Capacitance Multiplier и поставить после него LM7812 / LM7912.   

Вышла такая схема: 

 

Переменное напряжение после трансформатора, проходит через 2 PTC предохранителя по 250 мА, на диодный мост из диодов SF26, которые в свою очередь шунтированы конденсаторами по 10 нФ. Далее напряжение поступает на фильтрующие конденсаторы C24, C25 по 2200 мкФ, которые шунтированы конденсаторами по 100 нФ. С этих фильтрующих конденсаторов  напряжение поступает на активные сглаживающие фильтры, которые и называются — умножители емкости. Эти активные сглаживающие фильтры,  состоят из транзисторов Дарлингтона VT1, VT2, резисторов R13, R14, R15, R16  и конденсаторов C20, C21. Далее  напряжение после фильтра поступает на 2 интегральных стабилизатора LM7812 / LM7912, включенных по стандартной схеме из datasheet. Надо еще добавить, что этот умножитель емкости, добавляет плавный пуск, который предотвращает хлопки в динамиках,  при включении предварительного усилителя.  

Плата получилась миниатюрной, ниже фото:

Селектор входов, который должен был осуществлять коммутацию от нескольких источников сигнала, сделал по простому. Так как мне, пока больше 2 входов не нужно, ограничился одним сигнальным реле, у которого 2 группы «NC», «NO» контактов. Таким образом по умолчанию, предварительный усилитель был подключен к компьютеру, а при включении реле, он подключался к свободной паре RCA разъемов. На которые можно было подключить, что то другое. Когда начал делать под это печатную плату,  решил туда еще добавить и стабилизатор на  12 вольт, что бы не делать еще одну маленькую плату. 

Вышла такая платка:

К сожалению, угловых  RCA разъемов под плату, не нашел. По этому купил обычные RCA разъемы, ниже фото: 

Закрепил эти RCA разъемы в корпус. С корпусом, решил особо не мучатся, а купить уже готовый. Корпуса, того размера, который мне был нужен увы не было, взял тот, который более — менее подходил. Если бы корпус был чуть ниже в высоту, было бы идеально.  Но да ладно, после закрепления в корпус стало все выглядеть так: 

Применил качественный  экранированный провод, с довольно толстой оплеткой,  в сигнальных цепях, это тот что синий на фотографии. Потому что, когда подключал входа / выхода обычным медным, свитым проводом, был не большой гул. Так же корпус брал побольше,  в ширину,  что бы  расположить трансформатор подальше, от всего «сигнального».  В данном случае тороидальный трансформатор находится на расстоянии в  90 мм от  платы,  предварительного усилителя. И этот трансформатор подключил через сетевой фильтр, чисто ради перестраховки. В сомом сетевом фильтре нет, не чего особенного, такой же, как я делал в своем усилителе. Там 2 конденсатора по 47 нФ,  синфазный дроссель Murata и варистор Epcos 391. Скажу честно, больше всего боялся гула, но лично меня сетевой гул посетил, только когда не соединил все земли  RCA разъемов вместе (банально забыл), и применял в сигнальных цепях не экранированный провод.  Но в любом случае, сейчас работает фона нету, чему рад:) 

Немного фото:

 

На задней панели установил 2 пары RCA входов, RCA выход, выключатель питания, переключатель входов, сетевой разъем «восьмерка».  

Тут  видно, какое расстояние от трансформатора до плат.

На передней панели стоит регулятор громкости, 2 светодиода индикации. Один питания, второй переключения входа. 

После прослушивания этого предварительного усилителя, с своим усилителем на LM1875,  остался доволен.  Звук стал приятней, мягче, возможно влияют полевые транзисторы 🙂 Теперь появилась мысль, собрать внешний  ЦАП, что бы еще поднять на ступеньку воспроизведение музыки,  с компьютера.

Список радиоэлементов
ОбозначениеТипНоминалКоличествоПримечаниеМагазинМой блокнот
Схема усилителя.
VT1, VT2
MOSFET-транзистор

IRF540N

2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
VT3Биполярный транзистор

2N5551

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С2Конденсатор2. 2-4.7 мкФ1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С3, С4Конденсатор20 пФ2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С5, С7Конденсатор0.1 мкФ2
Поиск в магазине Отрон
В блокнот
С6, С8Электролитический конденсатор470 мкФ2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R1Резистор

100 Ом

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R2Резистор

100 кОм

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R3Резистор

39 Ом

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R4, R5Резистор

470 Ом

2Поиск в магазине Отрон
В блокнот
R6Резистор

390 Ом

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R7Резистор

10 кОм

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R8Резистор

1 МОм

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R9Переменный резистор100 кОм1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
Схема блока питания.
VR1Линейный регулятор

LM7812

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
VR2Линейный регулятор

LM7912

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
VT1Биполярный транзистор

TIP127

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
VT2Биполярный транзистор

TIP122

1Поиск в магазине ОтронВ блокнот
VD1, VD2Выпрямительный диод

SF26

8Поиск в магазине ОтронВ блокнот
HL1, HL2Светодиод2
Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С12, С13, С20, С21Электролитический конденсатор1000 мкФ4Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С14-С17, С22, С23Конденсатор0. 1 мкФ6Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С18, С19Электролитический конденсатор470 мкФ2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С24, С25Электролитический конденсатор2200 мкФ2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
С26-С26Конденсатор0.01 мкФ4Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R11, R12Резистор

3 кОм

2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R13, R16Резистор

470 Ом

2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
R14, R15Резистор

10 кОм

2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
РТС, РТСПредохранитель250 мА2Поиск в магазине ОтронВ блокнот
Добавить все

Скачать список элементов (PDF)

Теги:
  • УНЧ
  • Предусилитель
  • Sprint-Layout
  • Hi-Fi

Предварительный усилитель нч

Несомненным достоинством описанных выше усилителей мощности яв­ляется их простота и хорошее использование выходной мощности источника сигнала. В ряде случаев, однако, источник сигнала оказывается низковольтным и высокоомным по выходу. Например, современные радиоприемники и магни­тофоны имеют линейный выход, напряжение на котором не превышает 200 — 300 мВ, а выходное сопротивление — десятки килоом. Выходная мощность в этом случае составляет всего около 0,5 мкВт, т. е. в 500 — 1000 раз меньше, чем необходимо для нормальной работы усилителя мощности. Для использо­вания такого источника сигнала необходимо применять предварительный усили­тель напряжения НЧ, включаемый между линейным выходом и входом усилителя мощности. Усилители можно питать как от отдельных, так и от одного общего источника.

На рис. 22 показана принципиальная схема относительно простого предва­рительного усилителя НЧ на пяти транзисторах. Первая ступень собрана на малошумящем транзисторе Т1. Она усиливает сигнал примерно в 20 раз и об­ладает высоким входным сопротивлением. В нее введены цепи плавного регу­лирования громкости и тембра, раздельно по низшим и высшим частотам. Вторая ступень на транзисторе Т2 компенсирует снижение амплитуды сигнала в регуляторе тембра. Оконечные ступени собраны по схеме эмиттерного повто­рителя с дополнительной симметрией (транзисторы ТЗТ5). Нагрузка усили­теля — вход усилителя мощности или динамическая головка громкоговорителя. Резистор R16 введен для защиты оконечных транзисторов при случайном ко­ротком замыкании в цепи нагрузки.

Предварительный усилитель по схеме рис. 22 может работать и при напря­жении питания 24 В. В этом случае сопротивления резисторов R4 и R14 сле­дует увеличить до 6,2 kOim, резистора R15 — до 24 «Ом. Конденсаторы С8 и С9 нужно заменить на другие, с удвоенным номинальным напряжением. На­пряжение на эмиттерах транзисторов Т4, Т5 удвоится, а на конденсаторе С1 увеличится до 10 В.

Чувствительность усилителя со Входа 2 равна 30 — 50 мВ, что обеспечивает возможность подключения к нему датчика электрогитары. Чувствительность Входа 1 усилителя 150 — 250 мВ при входном сопротивлении не менее 150 кОм. Усилитель обеспечивает выходную мощность 0,6 — 0,8 Вт при напряжении пи­тания 12 В и около 2 Вт — при 24 В. В последнем случае транзисторы Т4 и Т5 должны быть снабжены теплоотводами.

Для изготовления предварительного усилителя пригодны транзисторы МП41А и МП42Б (Т1), МП40А, МП26Б, ГТ402А (Т2, ТЗ), ГТ402А (Т4), ГТ404А (Т5). Диод Д1 может быть любым из серии Д9 или Д18, Д20. Оксид­ные конденсаторы С1, С8 и С9 (К50-6) можно использовать с емкостью вдвое большей, чем указано на схеме. Конденсаторы С4С7 — МБМ или КЛС, с допуском ±10%. Переменные резисторы — СПЗ-46 (группы В для R2 и груп­пы А для R7 и R10). Допускается отклонение номинала этих резисторов от 33 до 68 кОм.

На рис. 23 изображен чертеж печатной платы усилителя. Она изготовлена из фольгированного гетинакса толщиной 1,5 мм. Гнезда входного и выходного разъемов — СГ-3 или СГ-5. Печатная плата, органы управления и регулирова­ния и разъемы смонтированы в металлической коробке с внешними размерами 150Х100Х80 мм.

Усилитель налаживают гари отключенной нагрузке. Сначала измеряют по­стоянное напряжение на эмиттерах транзисторов Т4 и Т5 относительно общего провода питания. Если оно не равно половине напряжения питания, необходи­мо подобрать резистор R11. Затем измеряют постоянное напряжение в точке соединения резисторов R3, R4 и R15 (6 В). Его можно скорректировать под­боркой сопротивления резистора R3. Налаживание заканчивают измерением общего потребляемого тока, который должен быть в пределах 8 — 12 мА. В слу­чае, если ток менее 8 мА, возможны искажения сигнала при работе с малой громкостью. Для изменения тока необходимо подобрать резистор R14.

транзистор%20аудио%20предусилитель%20схема%20диаграмма техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть org/Product»> ТК2Р4А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 100 А, 0,00244 Ом при 10 В, TO-220SIS XPN1300ANC Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 100 В, 30 А, 0,0133 Ом при 10 В, TSON Advance(WF) ТК155У65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А, 0,155 Ом при 10 В, ПЛАТА org/Product»> ТК6Р9П08КМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 62 А, 0,0069 Ом при 10 В, DPAK XPW4R10ANB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 100 В, 70 А, 0,0041 Ом при 10 В, DSOP Advance(WF)L ТК5Р1А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS

транзистор%20аудио%20предусилитель%20схема%20схема Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

Схема предусилителя стереозвука с регулятором низких и высоких частот на транзисторах

Вторник, 6 октября 2020 г. / Мухаммад Билал

Часто нам нужно управлять низкими, высокими частотами и громкостью нашего аудиосигнала перед его прохождением через каскады усиления, чтобы предотвратить искажение звука. Цепь, усиливающая звуковой сигнал до того, как он попадет в усилитель основного динамика, называется Аудио предусилитель . Использование предварительного усилителя звука обеспечивает хорошее качество звука и дает возможность модифицировать нашу звуковую систему, используя ее в качестве основного звукового контура/устройства перед подачей аудиосигнала на усилитель/сабвуфер/систему домашнего кинотеатра. Кроме того, мы можем управлять басами и высокими частотами для разных песен и получать широкий диапазон управления нашей аудиосистемой. Этот тип схемы, которая обеспечивает управление низкими и высокими частотами, также известен как печатная плата BT . Ранее мы построили простой предварительный усилитель Mono Audio с использованием транзистора, в этой статье мы создадим схема стереофонического предварительного усилителя с регулировкой низких и высоких частот.

Схема предварительного усилителя может быть разработана с использованием интегральной схемы транзистора или операционного усилителя. Обе конструкции имеют определенные преимущества и недостатки, хотя обе практически работают нормально и улучшают качество звука. В этой статье мы создадим предусилитель на основе транзисторов и проверим его работу.

Компонент, необходимый для схемы предварительного усилителя

Наш стереофонический предварительный усилитель будет двухканальным. Громкость, низкие и высокие частоты каждого канала можно регулировать независимо с помощью потенциометров; следовательно, может показаться, что на макетной плате много компонентов, но все они являются простыми компонентами и должны быть легко доступны. Список материалов, необходимых для схемы аудио предусилителя, приведен ниже.

Название компонента Значение Количество
Потенциометр 47к  6
Конденсатор 103 пф 4
Конденсатор 104 пф 2
Конденсатор 222 пф 2
Конденсатор 10 мкФ/25 В 4
Конденсатор 47 мкФ/25 В 4
Конденсатор 1000 мкФ/25 В 1
Резистор 15к 2
Резистор 10к 6
Резистор 4
Резистор 560к 2
Резистор 47к 2
Резистор 2,7к 2
Резистор 100 Ом 1
Переменный резистор (горшок) 2
Стабилитрон 12 В (IN4742A) 1              
Транзистор 2sc1815 или C1815 4

Схема двухканального стерео BT на основе транзисторов

Полная принципиальная схема двухканального предусилителя состоит из двух монофонических цепей, объединенных в одну стереосхему, как показано на рисунке ниже. Как вы можете видеть, звук левого и правого каналов проходит через две части схемы, и я использовал 3 одноканальных потенциометра 47k для управления громкостью, низкими и высокими частотами. Источник звука с разъема 3,5 мм подается на вход через резистор 15 кОм для потенциометра (бас) и на другой контакт потенциометра, заземленный через резистор 1 кОм для низкой частоты. Для высоких частот звуковой сигнал проходит через 222 пф (полиэфирный конденсатор) на потенциометр 47к и заземляется через 103пф и конденсатор 10 мкФ на потенциометр громкости.

Основным компонентом этой схемы является транзистор 2SC1815 , , который представляет собой NPN-транзистор общего назначения, который обычно используется для усиления звука и предназначен для управления звуковой частотой в предварительном усилителе. Транзистор 2SC1815 показан на изображении ниже.

Кремниевый эпитаксиальный NPN-транзистор изготовлен Toshiba и обычно доступен в корпусе TO-92, как показано ниже. Важные технические характеристики транзистора 2SC1815 NPN приведены ниже.

  • Имеет Vceo =50В
  • Ток коллектора IC=150мА
  • Абсолютные максимальные значения при Ta =25℃,
  • Коллектор Базовое напряжение Vcbo 60 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер Vceo 50 В
  • Базовое напряжение эмиттера Vebo 5v
  • Транзистор NPN общего назначения
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) от 70 до 700
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 0,15 А
  • Частота перехода: 80 МГц
  • Рассеиваемая мощность коллектора PC=400 мВт

Более подробную информацию о транзисторе, включая график его характеристик, можно найти в техническом описании 2SC1815. от земли используется для создания схемы делителя напряжения для подачи мощности/усиления на коллектор первого транзистора вместе со звуковым сигналом через конденсатор емкостью 10 мкФ от потенциометра громкости. В эмиттере переменный резистор 2к соединенный с конденсатором 47мкФ и резистор 1к для выбора частоты и осветления звука, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора для будущего усиления. Наконец, выход идет с эмиттера второго транзистора через конденсатор 47 мкФ с 2,7к и резистором 1к от GND для фильтрации шума.

Сборка схемы предварительного усилителя на макетной плате

Поскольку схема предварительного усилителя не требует больших токов, мы можем построить схему на макетной плате. Мои макетные соединения выглядят так, как показано ниже. Я также отметил части для облегчения понимания.

Вы можете просто следовать схеме выше, чтобы построить свою собственную схему. Наиболее важным компонентом в нашей схеме является NPN-транзистор C1815 . Цоколёвка транзистора показана ниже

После того, как схема построена, вы можете напрямую протестировать ее с вашим источником звука. Помните, что это схема предусилителя звука, а не усилитель сам по себе. Следовательно, вы должны подключить выход вашего предварительного усилителя к аудиоусилителю, а затем к вашей акустической системе. Для тестирования этого проекта я использую плату аудиоусилителя LA4440, которую мы построили в нашем предыдущем уроке.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *