Как выглядит схематическое обозначение биполярного транзистора. Какие бывают типы транзисторов. Чем отличаются обозначения полевых транзисторов. Как обозначаются другие полупроводниковые приборы на схемах.
Основные типы и обозначения транзисторов
Транзисторы являются ключевыми элементами современной электроники. Существует несколько основных типов транзисторов, каждый из которых имеет свое уникальное схематическое обозначение:
- Биполярные транзисторы (BJT) — NPN и PNP
- Полевые транзисторы (FET) — JFET и MOSFET
- Однопереходные транзисторы (UJT)
- Фототранзисторы
Рассмотрим подробнее обозначения каждого типа.
Схематическое обозначение биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы бывают двух типов — NPN и PNP. Их схематические обозначения отличаются направлением стрелки на эмиттере:
- NPN транзистор: стрелка эмиттера направлена от базы
- PNP транзистор: стрелка эмиттера направлена к базе
Как выглядит схематическое обозначение NPN транзистора? Это вертикальная линия (коллектор), от которой отходят две горизонтальные линии — верхняя короткая (база) и нижняя длинная со стрелкой от базы (эмиттер).

Обозначение полевых транзисторов на схемах
Полевые транзисторы имеют несколько иное обозначение. Основные типы:
- JFET (полевой транзистор с управляющим p-n переходом)
- MOSFET (полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник)
Чем отличаются их обозначения? JFET изображается в виде вертикальной линии (канал) с двумя горизонтальными линиями по бокам (затвор). MOSFET имеет дополнительную изолированную линию затвора.
Особенности обозначения однопереходных транзисторов
Однопереходные транзисторы (UJT) имеют уникальное схематическое обозначение, отличное от биполярных и полевых транзисторов. Как оно выглядит?
- Вертикальная линия (база)
- Диагональная линия, пересекающая базу (эмиттер)
- Две точки подключения на концах базы
Такое обозначение отражает особенности структуры и работы UJT.
Схематическое изображение фототранзисторов
Фототранзисторы на схемах обозначаются похоже на обычные биполярные транзисторы, но с дополнительными элементами:
- Стандартное обозначение NPN или PNP транзистора
- Две стрелки, направленные к транзистору (символизируют падающий свет)
Это позволяет легко идентифицировать фототранзисторы на электрических схемах.

Обозначения специальных типов транзисторов
Помимо основных типов, существуют специальные виды транзисторов со своими уникальными обозначениями:
- Транзистор Дарлингтона — два связанных транзистора в одном корпусе
- IGBT транзистор — комбинация биполярного и полевого транзисторов
- Многоэмиттерный транзистор — несколько эмиттеров на одной базе
Их схематические изображения отражают особенности внутренней структуры и принципа работы.
Правила изображения транзисторов на электрических схемах
При построении электрических схем с транзисторами следует придерживаться определенных правил:
- Соблюдать стандартную ориентацию символов (вертикально или горизонтально)
- Четко обозначать выводы транзисторов (Б — база, Э — эмиттер, К — коллектор)
- Использовать дополнительные обозначения при необходимости (например, для защитных диодов)
- Сохранять единый стиль обозначений на всей схеме
Это обеспечивает ясность и читаемость схемы.
Отличия в обозначениях транзисторов разных производителей
Хотя основные принципы обозначения транзисторов стандартизированы, могут встречаться некоторые различия в зависимости от производителя или страны происхождения схемы:

- Незначительные вариации в форме символов
- Дополнительные элементы в обозначениях
- Различия в буквенных обозначениях выводов
Важно учитывать эти нюансы при работе с различными схемами.
Как обозначаются другие полупроводниковые приборы на схемах
Помимо транзисторов, на электрических схемах часто встречаются и другие полупроводниковые приборы. Как они обозначаются?
- Диоды — треугольник с линией (катод)
- Тиристоры — комбинация символов диода и транзистора
- Варикапы — символ конденсатора со стрелкой
- Стабилитроны — символ диода с дополнительной линией на катоде
Каждый тип прибора имеет свое уникальное обозначение, отражающее его функцию и структуру.
Современные тенденции в обозначении полупроводниковых приборов
С развитием электроники появляются новые типы полупроводниковых приборов, что влияет на систему их обозначений:
- Упрощение символов для более сложных интегральных схем
- Использование блочных диаграмм вместо детальных схем
- Применение компьютерных систем автоматизированного проектирования (САПР)
- Стандартизация обозначений на международном уровне
Эти тенденции направлены на повышение эффективности разработки и чтения электрических схем.

Условное обозначение — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Cтраница 1
Схема устройства и включения транзисторов.| Транзистор ( разрез. [1] |
Условные обозначения транзисторов в их маркировке установлены в следующем виде: первый знак-буква: Г — германиевый; К — кремниевый; второй знак буква Т — транзистор: остальные четыре знака — трехзначное число и буква — шифр, указывающий назначение и модификацию ( разновидность) данного прибора. [2]
Условное обозначение транзисторов по ГОСТ 5461 — 59 состоит из трех элементов. [3]
Условное обозначение транзистора показано на рис. 6 — 7 а. На рис. 6 — 7 6 показаны вольт-амперные характеристики участка коллектор-база транзистора типа П-102. Каждая характеристика соответствует определенному значению тока, протекающего по участку эмиттер — база.
Условное обозначение транзистора показано на рис. 8.44, а, где к — коллектор, э — эмиттер, б — база. [5]
Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис. 4 — 1, а. Буквы у выводов транзисторов означают: Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор. Кружок у транзистора ( на рисунке показан только у транзистора р-п — р) означает, что кристалл помещен в корпус. По ГОСТ допустимы оба обозначения для транзисторов, имеющих корпус. [6]
Условное обозначение транзистора IGBT, приведенное на рис. 6.2, указывает, что в его составе есть полевая и биполярная части.
[7]
Типы транзисторов. [8] |
В условных обозначениях транзисторов стрелкой указывается направление тока эмиттера. [9]
На условном обозначении транзистора стрелка показывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу. [10]
Принятые в нашей стране условные обозначения транзисторов содержат сведения об их назначении, физических и конструктивно-технологических свойствах, основных электрических параметрах, применяемом исходном материале. [11]
На рис. 7.16 иг даны условные обозначения транзисторов. Принцип работы транзисторов обоих типов аналогичен. [12]
Схематическое изображение ( а и условное графическое изображение ( б транзисторов типа п-р — п и р-п — р распределение концентрации основных носителей вдоль структуры транзистора в равновесном состоянии ( в.![]() |
На рис. 4.1 5 показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает направление тока эмиттерного перехода. [14]
На рис. 4.1, б показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает прямое направление тока эмиттерного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3
Что-то пошло не так О_о
Рейтинг мастерской и отзывы клиентов:
Страница не найдена 404
Антон Kanby
Скорее всего эта страница не существует.
Самое интересное на сайт:
Клавиатура на эире держится на заклёпках, поэтому заменить ее можно, только вырвав с корнями старую.
MacBook Pro 13 A1706 2017 был залит пивом, выполнен компонентный ремонт платы и замена топкейса. . .
Сгоревший защитный диод на разъёме magsafe , причина того, что не заряжается и не работает от зарядки. . .
Airport до и после чистки. . .
Залитый MacBook Pro 13 A1502. . .
Как вы думаете, что с этим шлейфом не так? . .
Что делать если Mac не включается? (видео) Новое в блоге
После обновления до MacOS Ventura не работает/не отображается TouchBar
31.10.22
Подходит ли MacBook Air на процессоре M1 для игр: тест более 30 игр
18.05.22
5 ожидаемых функций, которые не доступны в новой линейке MacBook Pro
17.
Проверить статус заказа
Введите номер заказа в формате MM12345 (в английской раскладке):
Популярные тегиmacbook не включается apple imac macos iphone ios неисправности imac не загружается полосы попала жидкость ремонт материнская плата залив mac залитые pro retina залитие программа fps игры отмывка ультразвуком ремонт платы транзистор полевой magsafe sale зарядка kernel_task греется
Отзывы о мастерской
Больше отзывов — Яндекс | Google | YouDo | Disqus
Спасибо за проделанную работу , в двух сервисах разводили на деньги , а здесь Александр выполнил ремонт меньше чем за сутки и взял с меня в три ! раза меньше денег , чем просили в другом сервисном.
Алена П.
Приносили макбук ретина 2014 после другой мастерской, которые приговорили его к смерти) (неисправен процессор) 1 день ремонта и ноутбук готов) Мастер глубоко погружен в свою работу и знает все тонкости любой неисправности, рекомендую!
Андрей Бородин
Хочу выразить благодарность мастеру Александру т.к. он смог разобраться в проблеме с мои macbook pro 15 2013г. — зависал. До него был в двух сервисах, где приговаривали мат.
xvovax10 x.плату к замене, а у него удалось обойтись ремонтом, что почти в 2 раза дешевле.
Спасибо Александру за то, что спас мой ноутбук от недобросовестных мастеров. Поменяли с Александром клавиатуру, устранили последствия залития и почистили. Все сделали очень быстро, я даже в шоке была. Если вдруг что-то еще случится с моим маком, то сразу
Анна Кручинина
Александр — мастер золотые руки, которому с уверенностью можно доверить здоровье любимых гаджетов.
Дмитрий К.
Отличный сервис по ремонту любой техники эпл. Обращался два раза, оба раза доволен. Всё четко, по делу, и достаточно выгодно! Теперь друзьям рекомендую, они тоже довольны)
Илья К.
Делал чистку от пыли и замену термопасты на MacBook. Работу выполнили за 20 минут, результатом доволен
Илья П.
Сдавал MacBook Pro A1398, стандартная проблема — пропадание изображения при нагрузке.
ДенисОбращался в несколько спецализированных сервисов Apple, но варианта у них было 2 — менять материнку или прогревать видеочип. При чем ценник был заоблачный. Нашел подробн
Почему обращаются к нам?
До 6 месяцев гарантии
Бесплатная диагностика
Компонентный ремонт
Без дорогостоящей замены платы.
Опыт более 15 лет
Занимаемся ремонтом с 2004 года
Постоянные клиенты
Каждый 4-ый клиент обращается по рекомендации прошлых клиентов
Качество работ
менее 3% повторных обращений во время гарантии
Нарисуйте схему транзистора n-p-n.
Последняя обновленная дата: 23 января 2023
•
Всего просмотров: 266,7K
•
Просмотры сегодня: 2,61K
Ответ
Проверено
266,7K+ виды
HINT: Символ. элементов, чтобы мы могли идентифицировать их на бумаге, транзистор n-p-n представляет собой комбинацию двух n-типов одного полупроводника p-типа. Мы кратко обсудим транзистор n-p-n.
Полный пошаговый ответ:
Давайте сначала определим полупроводник n-типа, а затем полупроводник p-типа
полупроводник n-типа: Когда примесь пятивалентного (например, фосфора, мышьяка) атома добавляется к чистому полупроводнику кремния или германия . Это увеличивает количество электронов в полупроводнике.
полупроводник p-типа: когда примесь трехвалентного (например, бора, алюминия) атома добавляется к чистому полупроводнику кремния или германия. Это уменьшает количество электронов и увеличивает количество электронов в полупроводнике.
Транзистор n-p-n: В транзисторе n-p-n два сегмента полупроводника n-типа (эмиттер и коллектор) разделены сегментом полупроводника p-типа (база).
Эмиттер: Эмиттер — это сегмент на одной стороне транзистора. Он среднего размера и очень сильно легирован. Он обеспечивает большое количество основных носителей для тока, протекающего через транзистор.
Основание: это центральный сегмент между двумя полупроводниками n-типа. Он очень тонкий и слегка легированный. Коллектор
: Этот сегмент транзистора собирает большую часть основных несущих, подаваемых эмиттером. Коллекторная сторона умеренно легирована и имеет большие размеры по сравнению с эмиттерной.
Обозначение цепи транзистора n-p-n
Эмиттер подключен в прямом направлении, поэтому направление тока в эмиттере отклоняется от базы, поскольку в эмиттере электроны являются основными носителями заряда.
Примечание. Существует еще один тип транзистора, известный как транзистор p-n-p, который состоит из двух полупроводников p-типа (эмиттер и коллектор) и одного полупроводника n-типа (база).
Транзисторы n-p-n и p-n-p используются для усиления сигнала, поэтому оба используются в качестве усилителей. Но мы предпочитаем транзисторы n-p-n транзисторам p-n-p, потому что подвижность электронов больше, чем у дырок.
Недавно обновленные страницы
Большинство эубактериальных антибиотиков получают из биологии ризобий класса 12 NEET_UG
Саламиновые биоинсектициды были извлечены из биологии класса 12 А NEET_UG
Какое из следующих утверждений относительно бакуловирусов класса 12 Sew00000_9000_ канализационные трубы не должны быть непосредственно 12 класса биологии NEET_UG
Очистка сточных вод выполняется микробами A. B Удобрения 12 класса биологии NEET_UG
Иммобилизация фермента – это конверсия активного фермента класса 12 биологии NEET_UG
Большинство эубактериальных антибиотиков получают из биологического класса Rhizobium 12 NEET_UG
Саламиновые биоинсектициды были извлечены из биологического класса А 12 NEET_UG
12 класс биологии NEET_UG
Канализационные или городские канализационные трубы не должны быть напрямую 12 класс биологии NEET_UG
Очистка сточных вод выполняется микробами A B Удобрения 12 класс биологии NEET_UG
Иммобилизация фермента — это преобразование активного фермента класса 12 в биологии NEET_UG
Тенденции сомнения
Транзистор, MOSFET и IGFET Символы
Транзистор NPN BJT
Транзистор с биполярным переходом NPN (BJT), состоящий из 3 слоев полупроводникового материала. Полупроводниковый материал P-типа зажат между двумя материалами N-типа. Это устройство с регулируемым током, используемое для переключения или усиления. Ток, поступающий через клемму базы, усиливается до тока, поступающего через коллектор.
Транзистор PNP BJT
Этот символ обозначает транзистор PNP BJT. он состоит из полупроводникового материала N-типа, зажатого между двумя материалами P-типа. Транзистор PNP усиливается, когда его база отрицательна по отношению к коллектору и эмиттеру. Другими словами, он усиливает ток, вытекающий из его базовой клеммы.
Туннельный полевой транзистор
TFET или туннельный полевой транзистор — это тип полевого МОП-транзистора, структура которого похожа на структуру традиционного МОП-транзистора, но отличается механизмом переключения. Они используют явление квантового туннелирования, что делает его идеальным кандидатом для маломощной электроники.
Однопереходный транзистор типа N
Однопереходные транзисторы состоят из слабо легированной базы и сильно легированного эмиттера, образующего только один переход. он также известен как «диод с двойной базой». Потенциал эмиттера относительно базы определяет ток через базу. UJT N-типа состоит из слабо легированной базы P-типа (B1 и B2) с сильно легированным эмиттером N-типа (E). Они в основном используются для запуска тиристоров.
Однопереходный транзистор типа P
Это однопереходный транзистор P-типа, изготовленный из бруска материала N-типа со слабым примесем с сильно легированной частью P-типа вблизи базы 2. Он работает аналогично UJT N-типа. но полярность напряжения обратная,
Фототранзистор
Фототранзистор — светозависимый транзистор, который преобразует световую энергию в электрический ток между коллектором и эмиттером. Он работает так же, как фотодиод, но более чувствителен с дополнительным коэффициентом усиления. Они используются в светочувствительных приложениях.
NPN-транзистор с несколькими эмиттерами
Это особый тип BJT (транзистор с биполярным переходом), который имеет несколько эмиттеров. Эмиттеры не зависят друг от друга, и ток через каждый эмиттер зависит от его индивидуального напряжения относительно базы транзистора. Они в основном используются в вентилях NAND TTL (транзисторно-транзисторная логика).
Лавинный транзистор NPN
Это тип биполярного транзистора, специально разработанный для работы в области лавинного пробоя, где возникает явление отрицательного дифференциального сопротивления. В этот момент увеличение напряжения приводит к уменьшению тока. Таким образом, лавинный транзистор имеет возможность очень быстрого переключения больших токов.
Транзистор Шоттки NPN
Он состоит из диода Шоттки и транзистора. Диод Шоттки подключается между базой и коллектором. Он удерживает транзистор от насыщения, шунтируя чрезмерный ток. это помогает в быстром переключении из-за временной задержки при снятии накопленных зарядов в режиме насыщения.
JFET Транзистор N-канальный
JFET или полевые транзисторы с переходом являются униполярными транзисторами, поскольку протекание тока связано с типом одной несущей. JFET управляются напряжением, т. е. ток контролируется напряжением на клемме затвора. Напряжение увеличивает или уменьшает область обеднения, контролируя ток. N-канальный полевой транзистор JFET имеет канал N-типа между истоком и стоком, а затвор изготовлен из материала P-типа.
JFET Транзистор P-канальный
Этот символ обозначает P-канальный JFET (обозначен стрелкой, направленной наружу). JFET P-канала состоит из канала P-типа между стоком и истоком, а затвор изготовлен из материала N-типа. P-канальный JFET отключается, поддерживая положительное напряжение затвора по отношению к истоку.
PUT Программируемый однопереходный транзистор
PUT или программируемый UJT представляет собой устройство с четырьмя слоями PN, точно такое же, как тиристоры, но оно работает как UJT, если запрограммировано с двумя внешними резисторами. Он имеет анод, катод и клемму затвора. Напряжение на клемме затвора включает и выключает PUT, когда оно пересекает уровень отсечки.
Пара транзисторов Дарлингтона NPN
Это специальный тип транзистора, изготовленный путем соединения эмиттера одного биполярного транзистора с базой другого биполярного транзистора для увеличения усиления по току и чувствительности. Его можно сделать из транзисторов NPN или PNP, подключив в такой конфигурации. общий коэффициент усиления транзистора Дарлингтона является произведением коэффициентов усиления отдельных биполярных транзисторов, а падение напряжения на базе-эмиттере удваивается.
Пара транзисторов Шиклаи
Транзистор Шиклаи состоит из двух NPN- и PNP-транзисторов, образующих пару Дарлингтона. Основным преимуществом этой пары Шиклаи является то, что она включается при 0,7 В, а общий коэффициент усиления остается таким же, как у пары Дарлингтона.
МОП-транзистор с истощением
МОП-транзистор или металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор — это еще один полевой транзистор, затвор которого полностью изолирован от канала передачи тока, поэтому он также известен как IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором). Это устройство, управляемое напряжением. Полевой МОП-транзистор с истощением обычно включен при нулевом напряжении затвор-исток. Они выключаются при подаче положительного или отрицательного напряжения затвор-исток для P-канального или N-канального MOSFET соответственно.
MOSFET типа Enhancement
MOSFET типа Enhancement обычно не проводят ток, когда напряжение затвор-исток равно нулю. Они включаются при подаче положительного напряжения затвор-исток для N-канала и отрицательного напряжения затвор-исток для P-канала Enhancement MOSFET. Тип расширения напоминает нормально разомкнутый переключатель, а тип истощения напоминает нормально замкнутый переключатель.
Усовершенствованный полевой МОП-транзистор с объемным
Такой тип расширения MOSFET имеет четыре контакта. Дополнительный терминал известен как Bulk или основной терминал. Это не вход и не выход, но он используется для заземления подложки. Обычно он внутренне соединен с клеммой источника, поэтому они не показаны на их символе, чтобы показать четкую схему с менее громоздкой проводкой.
Полевой МОП-транзистор с обеднением и емкостью
Этот полевой МОП-транзистор с истощением имеет дополнительную отдельную клемму для наполнения или корпуса. Для работы он закорочен на клемму истока MOSFET. Это обосновывает подсостояние.
МОП-транзистор с двумя затворами и истощением
МОП-транзистор с двумя затворами — это особый тип полевых МОП-транзисторов, в которых последовательно соединены два отдельных затвора. Ворота более точно управляют коэффициентами усиления. Например, коэффициент усиления сигнала на стробе 1 можно регулировать, изменяя сигнал на стробе 2, что обеспечивает автоматическое управление сигналом различной величины.
MOSFET с двойным затвором усовершенствованного типа
Это MOSFET с двойным затвором усовершенствованного типа. Они работают так же, как MOSFET типа истощения, но единственная разница заключается в том, что тип истощения обычно работает, а тип расширения обычно не проводит, когда есть нулевое напряжение затвор-исток.