Как работают усилители низкой частоты на транзисторах. Какие существуют типовые схемы УНЧ. Какие преимущества и недостатки имеют транзисторные усилители. Как правильно собрать и настроить УНЧ на транзисторах.
Основные принципы работы транзисторных УНЧ
Усилитель низкой частоты (УНЧ) на транзисторах является одним из ключевых элементов многих аудиоустройств. Его основная задача — усиление слабого входного сигнала до уровня, достаточного для работы динамиков или наушников.
Принцип работы транзисторного УНЧ заключается в следующем:
- Слабый входной сигнал подается на базу первого транзистора
- Транзистор усиливает сигнал за счет эффекта транзисторного усиления
- Усиленный сигнал снимается с коллектора транзистора и подается на следующий каскад
- Несколько каскадов обеспечивают необходимый уровень усиления
- Выходной каскад обеспечивает согласование с нагрузкой (динамиком)
Типовые схемы УНЧ на транзисторах
Существует несколько базовых схем построения УНЧ на транзисторах:
Однотактная схема
Самая простая схема УНЧ содержит один усилительный каскад на биполярном транзисторе. Такая схема имеет низкий коэффициент усиления и высокие искажения, но проста в реализации.
Двухтактная схема
Использует два транзистора, работающих в противофазе. Обеспечивает более высокое качество звучания и мощность по сравнению с однотактной схемой.
Схема с общим эмиттером
Классическая схема УНЧ с высоким коэффициентом усиления. Входной сигнал подается на базу транзистора, а выходной снимается с коллектора.
Схема с общим коллектором
Обеспечивает хорошее согласование с нагрузкой и имеет коэффициент усиления близкий к единице. Часто используется в выходных каскадах.
Преимущества и недостатки транзисторных УНЧ
УНЧ на транзисторах имеют ряд достоинств и ограничений:
Преимущества:
- Высокий КПД
- Компактные размеры
- Низкое энергопотребление
- Невысокая стоимость
- Широкий частотный диапазон
Недостатки:
- Более высокий уровень нелинейных искажений по сравнению с ламповыми усилителями
- «Жесткое» звучание на высоких уровнях громкости
- Необходимость тщательного согласования транзисторов
- Чувствительность к перегрузкам
Практические рекомендации по сборке УНЧ на транзисторах
При самостоятельной сборке транзисторного УНЧ следует учитывать несколько важных моментов:
- Тщательно подбирать транзисторы по усилению и другим параметрам
- Использовать качественные комплектующие (резисторы, конденсаторы)
- Обеспечить хорошее охлаждение выходных транзисторов
- Применять стабилизированное питание
- Использовать схемы защиты от перегрузки и короткого замыкания
- Тщательно экранировать входные цепи для снижения наводок
Настройка и тестирование собранного УНЧ
- Проверить работоспособность каждого каскада по отдельности
- Настроить режимы работы транзисторов
- Измерить выходную мощность и уровень искажений
- Снять амплитудно-частотную характеристику
- Проверить стабильность работы на разных уровнях громкости
Только после тщательной настройки и тестирования можно быть уверенным в качественной работе собранного УНЧ на транзисторах.
Сравнение транзисторных и ламповых УНЧ
Многие аудиофилы до сих пор спорят о преимуществах ламповых и транзисторных усилителей. Давайте сравним их основные характеристики:
Параметр | Транзисторные УНЧ | Ламповые УНЧ |
---|---|---|
Искажения | Выше | Ниже |
КПД | Высокий | Низкий |
Габариты | Компактные | Большие |
Стоимость | Ниже | Выше |
Надежность | Высокая | Средняя |
Как видим, у каждого типа усилителей есть свои плюсы и минусы. Выбор зависит от конкретных требований и предпочтений.
Перспективы развития транзисторных УНЧ
Несмотря на конкуренцию со стороны ламповых и цифровых технологий, транзисторные УНЧ продолжают совершенствоваться. Основные направления развития:
- Применение новых полупроводниковых материалов (например, нитрида галлия)
- Использование более совершенных схемотехнических решений
- Улучшение характеристик за счет цифровой обработки сигналов
- Оптимизация конструкции для снижения уровня шумов и наводок
- Повышение энергоэффективности и снижение тепловыделения
Эти усовершенствования позволят транзисторным УНЧ и дальше оставаться востребованными в аудиотехнике.
Две схемы УНЧ на транзисторах
Усилитель низкой частоты (УНЧ) является составной частью большинства радиотехнических устройств как то телевизора, плеера, радиоприемника и различных приборов бытового назначения. Рассмотрим две простые схемы двухкаскадного УНЧ на транзисторах.
Первый вариант УНЧ на транзисторах
В первом варианте усилитель построен на кремниевых транзисторах n-p-n проводимости. Входной сигнал поступает через переменный резистор R1, который в свою очередь является нагрузочным сопротивлением для схемы источника сигнала. Наушники подсоединены к коллекторной электроцепи транзистора VT2 усилителя.
Поступающие на потенциометр R1 колебания НЧ через его движок и емкость С1 идут на базу VT1 1-го каскада в результате чего происходит частичное усиление. Данный резистор еще играет роль регулятора усиления (регулятор громкости), поскольку с изменением его сопротивления меняется напряжение, поступающее на базу VT1, и соответственно изменяется уровень усиленного сигнала.
Далее частично усиленный сигнал с сопротивления R3 через разделительный конденсатор идет на базу второго транзистора, в результате чего сигнал дополнительно усиливается и выделяется на наушниках, которые являются нагрузкой выходной цепи.
Сопротивления R2 и R4 обеспечивают положительное смещение на базе транзисторов (по отношению к эмиттеру). В момент отладки УЗЧ, данные сопротивления необходимо подобрать под конкретно используемые транзисторы, поскольку каждый транзистор имеет определенное отклонение коэффициента усиления.
Второй вариант усилителя низкой частоты на двух транзисторах
Эта двухкаскадная схема также построена на двух транзисторах, но уже германиевых p-n-p проводимости. Ее отличительная особенность от предыдущей схемы в том, что связь между каскадами непосредственная. Схема охвачена отрицательно обратной связью: через резистор R3 напряжение смещения со второго каскада поступает на базу первого транзистора.
Емкость СЗ, шунтирующая сопротивление R4, уменьшает ОС по переменному току, уменьшающая усиление VT2. Путем подбора сопротивления R3 выставляют режим работы обоих транзисторов.
Настройка транзисторного усилителя низкой частоты
Питание обоих усилителей можно осуществить от 3 пальчиковых батарей или же от простого и надежного стабилизатора напряжения построенного на микросхеме LM317.
Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор
Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…
Настройка усилителя первого варианта сводится к подбору сопротивлений R2 и R4. Величину сопротивлений нужно подобрать такой, чтобы миллиамперметр, подключенный в коллекторную цепь каждого транзистора, показывал ток в районе 0,5…0,8 мА. По второй схеме необходимо также выставить коллекторный ток второго транзистора путем подбора сопротивления резистора R3.
В первом варианте возможно применить транзисторы марки КТ312, КТ3102, или их зарубежные аналоги, однако при этом необходимо будет выставить правильное смещение напряжения транзисторов путем подбора сопротивлений R2, R4. Во втором варианте в свою очередь, возможно применить кремневые транзисторы марки КТ209, КТ361, или зарубежные аналоги. При этом выставить режимы работы транзисторов можно путем изменения сопротивления R3.
В коллекторную электроцепь транзистора VT2 (обоих усилителей) взамен наушников возможно подключить динамик с высоким сопротивлением. Если же необходимо получить более мощное усиление звука, то можно собрать усилитель на TDA2030, который обеспечивает усиление до 15 Вт.
Полный унч. Две схемы унч на транзисторах
После освоения азов электроники, начинающий радиолюбитель готов паять свои первые электронные конструкции. Усилители мощности звуковой частоты, как правило самые повторяемые конструкции. Схем достаточно много, каждая отличается своими параметрами и конструкцией. В этой статье будут рассмотрены несколько простейших и полностью рабочих схем усилителей, которые успешно могут быть повторены любым радиолюбителем. В статье не использованы сложные термины и расчеты, все максимально упрощено, чтобы не возникло дополнительных вопросов.
Начнем с более мощной схемы.
Итак, первая схема выполнена на известной микросхеме TDA2003. Это монофонический усилитель с выходной мощностью до 7 Ватт на нагрузку 4 Ом. Хочу сказать, что стандартная схема включения этой микросхемы содержит малое количество компонентов, но пару лет назад мною была придумана иная схема на этой микросхеме. В этой схеме количество комплектующих компонентов сведено к минимуму, но усилитель не потерял свои звуковые параметры. После разработки данной схемы, все свои усилители для маломощных колонок стал делать именно на этой схеме.
Схема представленного усилителя имеет широкий диапазон воспроизводимых частот, диапазон питающих напряжений от 4,5 до 18 вольт (типовое 12-14 вольт). Микросхему устанавливают на небольшой теплоотвод, поскольку максимальная мощность достигает до 10 Ватт.
Микросхема способна работать на нагрузку 2 Ом, это значит, что к выходу усилителя можно подключать 2 головки с сопротивлением 4 Ом.
Регулятор громкости от 10 до 47 кОм.
Выходная мощность микросхемы позволяет применять его в маломощных АС для ПК. Очень удобно использовать микросхему для автономных колонок к мобильному телефону и т.п.
Усилитель работает сразу после включения, в дополнительной наладке не нуждается. Советуется минус питания дополнительно подключить к теплоотводу. Все электролитические конденсаторы желательно использовать на 25 Вольт.
Вторая схема собрана на маломощных транзисторах, и больше подойдет в качестве усилителя для наушников.
Это наверное самая качественная схема такого рода, звук чистый, чувствуются весь частотный спектр. С хорошими наушниками, такое ощущение, что у вас полноценный сабвуфер.
Усилитель собран всего на 3-х транзисторах обратной проводимости, как самый дешевый вариант, были использованы транзисторы серии КТ315, но их выбор достаточно широк.
Усилитель может работать на низкоомную нагрузку, вплоть до 4-х Ом, что дает возможность, использовать схему для усиления сигнала плеера, радиоприемника и т.п. В качестве источника питания использована батарейка типа крона с напряжением 9 вольт.
В окончательном каскаде тоже применены транзисторы КТ315. Для повышения выходной мощности можно применить транзисторы КТ815, но тогда придется увеличить напряжение питания до 12 вольт. В этом случае мощность усилителя будет достигать до 1 Ватт. Выходной конденсатор может иметь емкость от 220 до 2200 мкФ.
Транзисторы в этой схеме не нагреваются, следовательно, какое-либо охлаждение не нужно. При использовании более мощных выходных транзисторов, возможно, понадобятся небольшие теплоотводы для каждого транзистора.
И наконец — третья схема. Представлен не менее простой, но проверенный вариант строения усилителя. Усилитель способен работать от пониженного напряжения до 5 вольт, при таком случае выходная мощность УМ будет не более 0,5 Вт, а максимальная мощность при питании 12 вольт достигает до 2-х Ватт.
Выходной каскад усилителя построен на отечественной комплементарной паре. Регулируют усилитель подбором резистора R2. Для этого желательно использовать подстроечный регулятор на 1кОм. Медленно вращаем регулятор до тех пор, пока ток покоя выходного каскада не будет 2-5 мА.
Усилитель не обладает высокой входной чувствительностью, поэтому желательно перед входом применить предварительный усилитель.
Немало важную роль в схеме играет диод, он тут для стабилизации режима выходного каскада.
Транзисторы выходного каскада можно заменить на любую комплементарную пару соответствующих параметров, например КТ816/817. Усилитель может питать маломощные автономные колонки с сопротивлением нагрузки 6-8 Ом.
Список радиоэлементов
Обозначение | Тип | Номинал | Количество | Примечание | Магазин | Мой блокнот | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Усилитель на микросхеме TDA2003 | |||||||
Аудио усилитель | TDA2003 | 1 | В блокнот | ||||
С1 | 47 мкФ х 25В | 1 | В блокнот | ||||
С2 | Конденсатор | 100 нФ | 1 | Пленочный | В блокнот | ||
С3 | Электролитический конденсатор | 1 мкФ х 25В | 1 | В блокнот | |||
С5 | Электролитический конденсатор | 470 мкФ х 16В | 1 | В блокнот | |||
R1 | Резистор | 100 Ом | 1 | В блокнот | |||
R2 | Переменный резистор | 50 кОм | 1 | От 10 кОм до 50 кОм | В блокнот | ||
Ls1 | Динамическая головка | 2-4 Ом | 1 | В блокнот | |||
Усилитель на транзисторах схема №2 | |||||||
VT1-VT3 | Биполярный транзистор | КТ315А | 3 | В блокнот | |||
С1 | Электролитический конденсатор | 1 мкФ х 16В | 1 | В блокнот | |||
С2, С3 | Электролитический конденсатор | 1000 мкФ х 16В | 2 | В блокнот | |||
R1, R2 | Резистор | 100 кОм | 2 | В блокнот | |||
R3 | Резистор | 47 кОм | 1 | В блокнот | |||
R4 | Резистор | 1 кОм | 1 | В блокнот | |||
R5 | Переменный резистор | 50 кОм | 1 | В блокнот | |||
R6 | Резистор | 3 кОм | 1 | В блокнот | |||
Динамическая головка | 2-4 Ом | 1 | В блокнот | ||||
Усилитель на транзисторах схема №3 | |||||||
VT2 | Биполярный транзистор | КТ315А | 1 | В блокнот | |||
VT3 | Биполярный транзистор | КТ361А | 1 | В блокнот | |||
VT4 | Биполярный транзистор | КТ815А | 1 | В блокнот | |||
VT5 | Биполярный транзистор | КТ816А | 1 | В блокнот | |||
VD1 | Диод | Д18 | 1 | Или любой маломощный | В блокнот | ||
С1, С2, С5 | Электролитический конденсатор | 10 мкФ х 16В | 3 |
Читатели! Запомните ник этого автора и никогда не повторяйте его схемы.
Модераторы! Прежде чем меня забанить за оскорбления, подумайте, что Вы «подпустили к микрофону» обыкновенного гопника, которого даже близко нельзя подпускать к радиотехнике и, тем более, к обучению начинающих.
Во-первых, при такой схеме включения, через транзистор и динамик пойдет большой постоянный ток, даже если переменный резистор будет в нужном положении, то есть будет слышно музыку. А при большом токе повреждается динамик, то есть, рано или поздно, он сгорит.
Во-вторых, в этой схеме обязательно должен быть ограничитель тока, то есть постоянный резистор, хотя бы на 1 КОм, включенный последовательно с переменным. Любой самоделкин повернет регулятор переменного резистора до упора, у него станет нулевое сопротивление и на базу транзистора пойдет большой ток. В результате сгорит транзистор или динамик.
Переменный конденсатор на входе нужен для защиты источника звука (это должен обьяснить автор, ибо сразу же нашелся читатель, который убрал его просто так, считая себя умнее автора). Без него будут нормально работать только те плееры, в которых на выходе уже стоит подобная защита. А если ее там нет, то выход плеера может повредиться, особенно, как я сказал выше, если выкрутить переменный резистор «в ноль». При этом на выход дорогого ноутбука подастся напряжение с источника питания этой копеечной безделушки и он может сгореть. Самоделкины, очень любят убирать защитные резисторы и конденсаторы, потому-что «работает же!» В результате, с одним источником звука схема может работать, а с другим нет, да еще и может повредиться дорогой телефон или ноутбук.
Переменный резистор, в данной схеме должен быть только подстроечным, то есть регулироваться один раз и закрываться в корпусе, а не выводиться наружу с удобной ручкой. Это не регулятор громкости, а регулятор искажений, то есть им подбирается режим работы транзистора, чтобы были минимальные искажения и чтобы из динамика не шел дым. Поэтому он ни в коем случае не должен быть доступен снаружи. Регулировать громкость, путем изменения режима НЕЛЬЗЯ. За это нужно «убивать». Если очень хочется регулировать громкость, проще включить еще один переменный резистор последовательно с конденсатором и вот его уже можно выводить на корпус усилителя.
Вообще, для простейших схем — и чтобы заработало сразу и чтобы ничего не повредить, нужно покупать микросхему типа TDA (например TDA7052, TDA7056… примеров в интернете множество) , а автор взял случайный транзистор, который завалялся у него в столе. В результате доверчивые любители будут искать именно такой транзистор, хотя коэффициент усиления у него всего 15, а допустимый ток аж 8 ампер (сожгет любой динамик даже не заметив).
Сейчас в интернете можно найти огромное количество схем различных усилителей на микросхемах, преимущественно серии TDA. Они обладают достаточно неплохими характеристиками, хорошим КПД и стоят не так уж и дорого, в связи с этим и пользуются такой популярностью. Однако на их фоне незаслуженно остаются забытыми транзисторные усилители, которые хоть и сложны в настройке, но не менее интересны.
Схема усилителя
В этой статье рассмотрим процесс сборки весьма необычного усилителя, работающего в классе «А» и содержащего всего 4 транзистора. Эта схема разработана ещё в 1969 году английским инженером Джоном Линсли Худом, несмотря на свою старость, она и по сей день остаётся актуальной.В отличие от усилителей на микросхемах, транзисторные усилители требуют тщательной настройки и подбора транзисторов. Эта схема – не исключение, хоть она и выглядит предельно простой. Транзистор VT1 – входной, структуры PNP. Можно экспериментировать с различными маломощными PNP-транзисторами, в том числе и с германиевыми, например, МП42. Хорошо себя зарекомендовали в этой схеме в качестве VT1 такие транзисторы, как 2N3906, BC212, BC546, КТ361. Транзистор VT2 – структуры NPN, средней или малой мощности, сюда подойдут КТ801, КТ630, КТ602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165. Особое внимание стоит уделить выходным транзисторам VT3 и VT4, а точнее, их коэффициенту усиления. Сюда хорошо подходят КТ805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. Нужно отобрать два одинаковых транзистора с как можно более близким коэффициентом усиления, при этом он должен более 120. Если коэффициент усиления выходных транзисторов меньше 120, значит в драйверный каскад (VT2) нужно поставить транзистор с большим усилением (300 и более).
Подбор номиналов усилителя
Некоторые номиналы на схеме подбираются исходя из напряжения питания схемы и сопротивления нагрузки, некоторые возможные варианты показаны в таблице:Не рекомендуется поднимать напряжение питания более 40 вольт, могут выйти из строя выходные транзисторы. Особенность усилителей класса А – большой ток покоя, и, следовательно, сильный разогрев транзисторов. При напряжении питания, например, 20 вольт и токе покоя 1.5 ампера усилитель потребляет 30 ватт, не зависимо от того, подаётся на его вход сигнал или нет. На каждом из выходных транзисторов при этом будет рассеиваться по 15 ватт тепла, а это мощность небольшого паяльника! Поэтому транзисторы VT3 и VT4 нужно установить на большой радиатор, используя термопасту.
Данный усилитель склонен в появлению самовозбуждений, поэтому на его выходе ставят цепь Цобеля: резистор сопротивлением 10 Ом и конденсатор 100 нФ, включенные последовательно между землёй и общей точкой выходных транзисторов (на схеме эта цепь показана пунктиром).
При первом включении усилителя в разрыв его питающего провода нужно включить амперметр для контроля тока покоя. Пока выходные транзисторы не разогрелись до рабочей температуры, он может немного плавать, это вполне нормально. Также при первом включении нужно замерять напряжение между общей точкой выходных транзисторов (коллектор VT4 и эммитер VT3) и землёй, там должна быть половина питающего напряжения. Если напряжение отличается в большую или меньшую сторону, нужно покрутить подстроечный резистор R2.
Плата усилителя:
(cкачиваний: 456)
Плата изготовлена методом ЛУТ.
Собранный мной усилитель
Несколько слов о конденсаторах, входном и выходном. Ёмкость входного конденсатора на схеме обозначена 0,1 мкФ, однако такой ёмкости не достаточно. В качестве входного следует поставить плёночный конденсатор ёмкостью 0,68 – 1 мкФ, иначе возможен нежелательный срез низких частот. Выходной конденсатор С5 стоит взять на напряжение не меньшее, чем напряжением питания, жадничать с ёмкостью также не стоит.
Преимуществом схемы этого усилителя является то, что она не представляет опасности для динамиков акустической системы, ведь динамик подключается через разделительный конденсатор (С5), это значит, что при появлении на выходе постоянного напряжения, например, при выходе усилителя из строя, динамик останется цел, ведь конденсатор не пропустит постоянное напряжение.
Всем Привет! В этой статье я буду подробно описывать как изготовить классный усилитель для дома или авто . Усилитель несложный в сборке и настройке, и имеет хорошее качество звучания. Ниже вашему вниманию представлена принципиальная схема самого усилителя.
Схема выполнена на транзисторах и не имеет дефицитных деталей. Питание усилителя двуполярное +/- 35 вольт, при сопротивлении нагрузки в 4 Ома. При подключении 8-ми Омной нагрузки, питание можно увеличить до +/- 42 вольт.
Резисторы R7, R8, R10, R11, R14 — 0,5 Вт; R12, R13 — 5 Вт; остальные 0.25 Вт.
R15 подстроечный 2-3 кОм.
Транзисторы: Vt1, Vt2, Vt3, Vt5 — 2sc945 (на корпусе пишется обычно c945).
Vt4, Vt7 — BD140 (Vt4 можно заменить нашим Кт814).
Vt6 — BD139.
Vt8 — 2SA1943.
Vt9 — 2SC5200.
ВНИМАНИЕ! У транзисторов c945 есть разная цоколевка: ЭКБ и ЭБК. Поэтому перед впайкой нужно проверять мультиметром.
Светодиод обычный, зеленого цвета, именно ЗЕЛЕНОГО! Он здесь не для красоты! И НЕ должен быть сверхъярким. Ну а остальные детали видно на схеме.
И так, Погнали!
Для изготовления усилителя нам понадобятся инструменты :
-паяльник
-олово
-канифоль (желательно жидкий), но можно обойтись и обычным
-ножницы по металлу
-кусачки
-шило
-медицинский шприц, любой
-сверло 0.8-1 мм
-сверло 1.5 мм
-дрель (лучше какую-нибудь мини дрель)
-наждачная бумага
-и мультиметр.
Материалы:
-односторонняя текстолитовая плата размером 10х6 см
-лист тетрадной бумаги
-ручка
-лак для дерева (желательно темного цвета)
-небольшой контейнер
-пищевая сода
-лимонная кислота
-соль.
Список радиодеталей я перечислять не буду, их видно на схеме.
Шаг 1 Готовим плату
И так, нам нужно изготовить плату. Так как лазерного принтера у меня нет (вообще нет ни каково), плату мы будем изготавливать «по старинке»!
Для начала нужно просверлить отверстия на плате для будущих деталей. У кого есть принтер, просто распечатайте эту картинку:
если нет, то тогда нам надо перенести на бумагу разметку для сверловки. Как это сделать вы поймете на фото ниже:
когда будете переводить, не забудьте про размер платы! (10 на 6 см)
вот как то так!
Отрезаем ножницами по металлу нужный нам размер платы.
Теперь прикладываем листок к вырезанной плате и фиксируем скотчем, чтобы не съехала. Далее берем шило и намечаем (по точкам) где будем сверлить.
Можно конечно обойтись без шила и сверлить сразу, но сверло может съехать!
Теперь можно и начать сверловку. Сверлим дырки 0.8 — 1 мм.Как я говорил выше: лучше использовать мини дрель, так как сверло очень тонкое и легко ломается. Я например использую моторчик от шуруповерта.
Дырки под транзисторы Vt8, Vt9 и под провода сверлим сверлом 1.5 мм. Теперь надо зачистить наждачкой нашу плату.
Вот теперь можно и начать рисовать наши дорожки. Берем шприц, стачиваем иголку, чтоб была не острой, набираем лак и вперед!
Подравнивать косяки лучше когда лак уже застынет.
Шаг 2 Травим плату
Для травления плат я использую самый простой и самый дешевый метод:
100 мл перекиси, 4 ч ложки лимонной кислоты и 2 ч ложки соли.
Размешиваем и погружаем нашу плату.
Далее счищаем лак и получается вот так!
Желательно сразу все дорожки покрыть оловом для удобства пайки деталей.
Шаг 3 Пайка и настройка
Паять удобно будет по этой картинке (вид со стороны деталей)
Для удобства с начало впаиваем все мелкие детали, резисторы и прочее.
А потом уже все остальное.
После пайки плату нужно отмыть от канифоли. Отмыть можно спиртом или ацетоном. На крайняк можно даже бензином.
Теперь можно и пробовать включать! При правильной сборке усилитель работает сразу. При первом включении резистор R15 надо вывернуть в сторону максимального сопротивления (меряем прибором). Колонку не подключать! Выходные транзисторы ОБЯЗАТЕЛЬНО на радиатор, через изолирующие прокладки.
И так: включили усилитель, светодиод должен гореть, меряем мультиметром напряжение на выходе. Постоянки нет, значит все хорошо.
Далее нужно установить ток покоя (75-90mA): для этого замкните вход на землю, нагрузку не подключать! На мультиметре поставьте режим 200mV и подсоедините щупы к коллекторам выходных транзисторов. (на фото отмечено красными точками)
Усилитель на транзисторах, несмотря на свою уже долгую историю, остается излюбленным предметом исследования как начинающих, так и маститых радиолюбителей. И это понятно. Он является непременной составной частью самых массовых и усилителей низкой (звуковой) частоты. Мы рассмотрим, как строятся простейшие усилители на транзисторах.
Частотная характеристика усилителя
В любом теле- или радиоприемнике, в каждом музыкальном центре или усилителе звука можно найти транзисторные усилители звука (низкой частоты — НЧ). Разница между звуковыми транзисторными усилителями и другими видами заключается в их частотных характеристиках.
Звуковой усилитель на транзисторах имеет равномерную частотную характеристику в полосе частот от 15 Гц до 20 кГц. Это означает, что все входные сигналы с частотой внутри этого диапазона усилитель преобразует (усиливает) примерно одинаково. На рисунке ниже в координатах «коэффициент усиления усилителя Ку — частота входного сигнала» показана идеальная кривая частотной характеристики для звукового усилителя.
Эта кривая практически плоская с 15 Гц по 20 кГц. Это означает, применять такой усилитель следует именно для входных сигналов с частотами между 15 Гц и 20 кГц. Для входных сигналов с частотами выше 20 кГц или ниже 15 Гц эффективность и качество его работы быстро уменьшаются.
Вид частотной характеристики усилителя определяется электрорадиоэлементами (ЭРЭ) его схемы, и прежде всего самими транзисторами. Звуковой усилитель на транзисторах обычно собран на так называемых низко- и среднечастотных транзисторах с суммарной полосой пропускания входных сигналов от десятков и сотен Гц до 30 кГц.
Класс работы усилителя
Как известно, в зависимости от степени непрерывности протекания тока на протяжении его периода через транзисторный усилительный каскад (усилитель) различают следующие классы его работы: «А», «B», «AB», «C», «D».
В классе работы ток «А» через каскад протекает на протяжении 100 % периода входного сигнала. Работу каскада в этом классе иллюстрирует следующий рисунок.
В классе работы усилительного каскада «AB» ток через него протекает более чем 50 %, но менее чем 100 % периода входного сигнала (см. рисунок ниже).
В классе работы каскада «В» ток через него протекает ровно 50 % периода входного сигнала, как это иллюстрирует рисунок.
И наконец в классе работы каскада «C» ток через него протекает менее чем 50 % периода входного сигнала.
НЧ-усилитель на транзисторах: искажения в основных классах работы
В рабочей области транзисторный усилитель класса «А» обладает малым уровнем нелинейных искажений. Но если сигнал имеет импульсные выбросы по напряжению, приводящие к насыщению транзисторов, то вокруг каждой «штатной» гармоники выходного сигнала появляются высшие гармоники (вплоть до 11-й). Это вызывает феномен так называемого транзисторного, или металлического, звука.
Если НЧ-усилители мощности на транзисторах имеют нестабилизированное питание, то их выходные сигналы модулируются по амплитуде вблизи частоты сети. Это ведет к жёсткости звука на левом краю частотной характеристики. Различные же способы стабилизации напряжения делают конструкцию усилителя более сложной.
Типовой КПД однотактного усилителя класса А не превышает 20 % из-за постоянно открытого транзистора и непрерывного протекания постоянной составляющей тока. Можно выполнить усилитель класса А двухтактным, КПД несколько повысится, но полуволны сигнала станут более несимметричными. Перевод же каскада из класса работы «А» в класс работы «АВ» повышает вчетверо нелинейные искажения, хотя КПД его схемы при этом повышается.
В усилителях же классов «АВ» и «В» искажения нарастают по мере снижения уровня сигнала. Невольно хочется врубить такой усилитель погромче для полноты ощущений мощи и динамики музыки, но зачастую это мало помогает.
Промежуточные классы работы
У класса работы «А» имеется разновидность — класс «А+». При этом низковольтные входные транзисторы усилителя этого класса работают в классе «А», а высоковольтные выходные транзисторы усилителя при превышении их входными сигналами определенного уровня переходят в классы «В» или «АВ». Экономичность таких каскадов лучше, чем в чистом классе «А», а нелинейные искажения меньше (до 0,003 %). Однако звук у них также «металлический» из-за наличия высших гармоник в выходном сигнале.
У усилителей еще одного класса — «АА» степень нелинейных искажений еще ниже — около 0,0005 %, но высшие гармоники также присутствуют.
Возврат к транзисторному усилителю класса «А»?
Сегодня многие специалисты в области качественного звуковоспроизведения ратуют за возврат к ламповым усилителям, поскольку уровень нелинейных искажений и высших гармоник, вносимых ими в выходной сигнал, заведомо ниже, чем у транзисторов. Однако эти достоинства в немалой степени нивелируются необходимостью согласующего трансформатора между высокоомным ламповым выходным каскадом и низкоомными звуковыми колонками. Впрочем, с трансформаторным выходом может быть сделан и простой усилитель на транзисторах, что будет показано ниже.
Существует и точка зрения, что предельное качество звучания может обеспечить только гибридный лампово-транзисторный усилитель, все каскады которого являются однотактными, не охвачены и работают в классе «А». То есть такой повторитель мощности представляет собой усилитель на одном транзисторе. Схема его может иметь предельно достижимый КПД (в классе «А») не более 50 %. Но ни мощность, ни КПД усилителя не являются показателями качества звуковоспроизведения. При этом особое значение приобретают качество и линейность характеристик всех ЭРЭ в схеме.
Поскольку однотактные схемы получают такую перспективу, мы рассмотрим ниже их возможные варианты.
Однотактный усилитель на одном транзисторе
Схема его, выполненная с общим эмиттером и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А», приведена на рисунке ниже.
На ней показан транзистор Q1 структуры n-p-n. Его коллектор через токоограничивающий резистор R3 присоединен к положительному выводу +Vcc, а эмиттер — к -Vcc. Усилитель на транзисторе структуры p-n-p будет иметь такую же схему, но выводы источника питания поменяются местами.
C1 — разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vcc. При этом С1 не препятствует прохождению переменного входного тока через переход «база — эмиттер транзистора Q1». Резисторы R1 и R2 совместно с сопротивлением перехода «Э — Б» образуют Vcc для выбора рабочей точки транзистора Q1 в статическом режиме. Типичной для этой схемы является величина R2 = 1 кОм, а положение рабочей точки — Vcc/2. R3 является нагрузочным резистором коллекторной цепи и служит для создания на коллекторе переменного напряжения выходного сигнала.
Предположим, что Vcc = 20 В, R2 = 1 кОм, а коэффициент усиления по току h = 150. Напряжение на эмиттере выбираем Ve = 9 В, а падение напряжения на переходе «Э — Б» принимаем равным Vbe = 0,7 В. Эта величина соответствует так называемому кремниевому транзистору. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то падение напряжения на открытом переходе «Э — Б» было бы равно Vbe = 0,3 В.
Ток эмиттера, примерно равный току коллектора
Ie = 9 B/1 кОм = 9 мА ≈ Ic.
Ток базы Ib = Ic/h = 9 мА/150 = 60 мкА.
Падение напряжения на резисторе R1
V(R1) = Vcc — Vb = Vcc — (Vbe + Ve) = 20 В — 9,7 В = 10,3 В,
R1 = V(R1)/Ib = 10,3 В/60 мкА = 172 кОм.
С2 нужен для создания цепи прохождения переменной составляющей тока эмиттера (фактически тока коллектора). Если бы его не было, то резистор R2 сильно ограничивал бы переменную составляющую, так что рассматриваемый усилитель на биполярном транзисторе имел бы низкий коэффициент усиления по току.
В наших расчетах мы принимали, что Ic = Ib h, где Ib — ток базы, втекающий в нее из эмиттера и возникающий при подаче на базу напряжения смещения. Однако через базу всегда (как при наличии смещения, так и без него) протекает еще и ток утечки из коллектора Icb0. Поэтому реальный ток коллектора равен Ic = Ib h + Icb0 h, т.е. ток утечки в схеме с ОЭ усиливается в 150 раз. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то это обстоятельство нужно было бы учитывать при расчетах. Дело в том, что имеют существенный Icb0 порядка нескольких мкА. У кремниевых же он на три порядка меньше (около нескольких нА), так что в расчетах им обычно пренебрегают.
Однотактный усилитель с МДП-транзистором
Как и любой усилитель на полевых транзисторах, рассматриваемая схема имеет свой аналог среди усилителей на Поэтому рассмотрим аналог предыдущей схемы с общим эмиттером. Она выполнена с общим истоком и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А» и приведена на рисунке ниже.
Здесь C1 — такой же разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vdd. Как известно, любой усилитель на полевых транзисторах должен иметь потенциал затвора своих МДП-транзисторов ниже потенциалов их истоков. В данной схеме затвор заземлен резистором R1, имеющим, как правило, большое сопротивление (от 100 кОм до 1 Мом), чтобы он не шунтировал входной сигнал. Ток через R1 практически не проходит, поэтому потенциал затвора при отсутствии входного сигнала равен потенциалу земли. Потенциал же истока выше потенциала земли за счет падения напряжения на резисторе R2. Таким образом, потенциал затвора оказывается ниже потенциала истока, что и нужно для нормальной работы Q1. Конденсатор C2 и резистор R3 имеют такое же назначение, как и в предыдущей схеме. Поскольку эта схема с общим истоком, то входной и выходной сигналы сдвинуты по фазе на 180°.
Усилитель с трансформаторным выходом
Третий одноступенчатый простой усилитель на транзисторах, показанный на рисунке ниже, также выполнен по схеме с общим эмиттером для работы в классе «А», но с низкоомным динамиком он связан через согласующий трансформатор.
Первичная обмотка трансформатора T1 является нагрузкой коллекторной цепи транзистора Q1 и развивает выходной сигнал. T1 передает выходной сигнал на динамик и обеспечивает согласование выходного полного сопротивления транзистора с низким (порядка нескольких Ом) сопротивлением динамика.
Делитель напряжения коллекторного источника питания Vcc, собранный на резисторах R1 и R3, обеспечивает выбор рабочей точки транзистора Q1 (подачу напряжения смещения на его базу). Назначение остальных элементов усилителя такое же, как и в предыдущих схемах.
Двухтактный звуковой усилитель
Двухтактный НЧ-усилитель на двух транзисторах расщепляет входной частоты на две противофазные полуволны, каждая из которых усиливается своим собственным транзисторным каскадом. После выполнения такого усиления полуволны объединяются в целостный гармонический сигнал, который и передается на акустическую систему. Подобное преобразование НЧ-сигнала (расщепление и повторное слияние), естественно, вызывает в нем необратимые искажения, обусловленные различием частотных и динамических свойств двух транзисторов схемы. Эти искажения снижают качество звука на выходе усилителя.
Двухтактные усилители, работающие в классе «А», недостаточно хорошо воспроизводят сложные звуковые сигналы, так как в их плечах непрерывно протекает постоянный ток повышенной величины. Это приводит к несимметрии полуволн сигнала, фазовым искажениям и в конечном итоге к потере разборчивости звука. Нагреваясь, два мощных транзистора увеличивают вдвое искажения сигнала в области низких и инфранизких частот. Но все же основным достоинством двухтактной схемы является ее приемлемый КПД и повышенная выходная мощность.
Двухтактная схема усилителя мощности на транзисторах показана на рисунке.
Это усилитель для работы в классе «А», но может быть использован и класс «АВ», и даже «В».
Бестрансформаторный транзисторный усилитель мощности
Трансформаторы, несмотря на успехи в их миниатюризации, остаются все же самыми громоздкими, тяжелыми и дорогими ЭРЭ. Поэтому был найден путь устранения трансформатора из двухтактной схемы путем выполнения ее на двух мощных комплементарных транзисторах разных типов (n-p-n и p-n-p). Большинство современных усилителей мощности используют именно этот принцип и предназначены для работы в классе «В». Схема такого усилителя мощности показана на рисунке ниже.
Оба ее транзистора включены по схеме с общим коллектором (эмиттерного повторителя). Поэтому схема передает входное напряжение на выход без усиления. Если входного сигнала нет, то оба транзистора находятся на границе включенного состояния, но при этом они выключены.
Когда гармонический сигнал подан на вход, его положительная полуволна открывает TR1, но переводит p-n-p транзистор TR2 полностью в режим отсечки. Таким образом, только положительная полуволна усиленного тока протекает через нагрузку. Отрицательная полуволна входного сигнала открывает только TR2 и запирает TR1, так что в нагрузку подается отрицательная полуволна усиленного тока. В результате на нагрузке выделяется полный усиленный по мощности (за счет усиления по току) синусоидальный сигнал.
Усилитель на одном транзисторе
Для усвоения вышеизложенного соберем простой усилитель на транзисторах своими руками и разберемся, как он работает.
В качестве нагрузки маломощного транзистора Т типа BC107 включим наушники с сопротивлением 2-3 кОм, напряжение смещения на базу подадим с высокоомного резистора R* величиной 1 МОм, развязывающий электролитический конденсатор C емкостью от 10 мкФ до 100 мкФ включим в базовую цепь Т. Питать схему будем от батареи 4,5 В/0,3 А.
Если резистор R* не подключен, то нет ни тока базы Ib, ни тока коллектора Ic. Если резистор подключен, то напряжение на базе поднимается до 0,7 В и через нее протекает ток Ib = 4 мкА. Коэффициент усиления транзистора по току равен 250, что дает Ic = 250Ib = 1 мА.
Собрав простой усилитель на транзисторах своими руками, можем теперь его испытать. Подключите наушники и поставьте палец на точку 1 схемы. Вы услышите шум. Ваше тело воспринимает излучение питающей сети на частоте 50 Гц. Шум, услышанный вами из наушников, и является этим излучением, только усиленным транзистором. Поясним этот процесс подробнее. Напряжение переменного тока с частотой 50 Гц подключено к базе транзистора через конденсатор С. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения смещения (приблизительно 0,7 В), приходящего с резистора R*, и напряжения переменного тока «от пальца». В результате ток коллектора получает переменную составляющую с частотой 50 Гц. Этот переменный ток используется для сдвига мембраны динамиков вперед-назад с той же частотой, а это означает, что мы сможем услышать тон 50 Гц на выходе.
Слушать уровень шума 50 Гц не очень интересно, поэтому можно подключить к точкам 1 и 2 низкочастотные источника сигнала (CD-плеер или микрофон) и слышать усиленную речь или музыку.
Читайте также…
Транзисторный усилитель током базы
Усилитель на транзисторах: виды, схемы, простые и сложные
Простейший усилитель на транзисторах может быть хорошим пособием для изучения свойств приборов. Схемы и конструкции достаточно простые, можно самостоятельно изготовить устройство и проверить его работу, произвести замеры всех параметров. Благодаря современным полевым транзисторам можно изготовить буквально из трех элементов миниатюрный микрофонный усилитель. И подключить его к персональному компьютеру для улучшения параметров звукозаписи. Да и собеседники при разговорах будут намного лучше и четче слышать вашу речь.
Частотные характеристики
Усилители низкой (звуковой) частоты имеются практически во всех бытовых приборах – музыкальных центрах, телевизорах, радиоприемниках, магнитолах и даже в персональных компьютерах. Но существуют еще усилители ВЧ на транзисторах, лампах и микросхемах. Отличие их в том, что УНЧ позволяет усилить сигнал только звуковой частоты, которая воспринимается человеческим ухом. Усилители звука на транзисторах позволяют воспроизводить сигналы с частотами в диапазоне от 20 Гц до 20000 Гц.
Классы работы звуковых усилителей
Все усилительные устройства разделяются на несколько классов, в зависимости от того, какая степень протекания в течение периода работы тока через каскад:
- Класс «А» – ток протекает безостановочно в течение всего периода работы усилительного каскада.
- В классе работы «В» протекает ток в течение половины периода.
- Класс «АВ» говорит о том, что ток протекает через усилительный каскад в течение времени, равного 50-100 % от периода.
- В режиме «С» электрический ток протекает менее чем половину периода времени работы.
- Режим «D» УНЧ применяется в радиолюбительской практике совсем недавно – чуть больше 50 лет. В большинстве случаев эти устройства реализуются на основе цифровых элементов и имеют очень высокий КПД – свыше 90 %.
Наличие искажений в различных классах НЧ-усилителей
Рабочая область транзисторного усилителя класса «А» характеризуется достаточно небольшими нелинейными искажениями. Если входящий сигнал выбрасывает импульсы с более высоким напряжением, это приводит к тому, что транзисторы насыщаются. В выходном сигнале возле каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого появляется металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.
При нестабильном питании выходной сигнал будет по амплитуде моделироваться возле частоты сети. Звук станет в левой части частотной характеристики более жестким. Но чем лучше стабилизация питания усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ, работающие в классе «А», имеют относительно небольшой КПД – менее 20 %. Причина заключается в том, что транзистор постоянно открыт и ток через него протекает постоянно.
Работа в промежуточных классах
У каждого класса имеется несколько разновидностей. Например, существует класс работы усилителей «А+». В нем транзисторы на входе (низковольтные) работают в режиме «А». Но высоковольтные, устанавливаемые в выходных каскадах, работают либо в «В», либо в «АВ». Такие усилители намного экономичнее, нежели работающие в классе «А». Заметно меньшее число нелинейных искажений – не выше 0,003 %. Можно добиться и более высоких результатов, используя биполярные транзисторы. Принцип работы усилителей на этих элементах будет рассмотрен ниже.
Но все равно имеется большое количество высших гармоник в выходном сигнале, отчего звук становится характерным металлическим. Существуют еще схемы усилителей, работающие в классе «АА». В них нелинейные искажения еще меньше – до 0,0005 %. Но главный недостаток транзисторных усилителей все равно имеется – характерный металлический звук.
«Альтернативные» конструкции
- Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
- Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.
Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, – обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление – несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков – 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.
Конечно, это не очень большой недостаток – существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная – в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.
Причем КПД у таких устройств достаточно высокий – порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности – они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество. Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность.
Схема однотактного УНЧ на транзисторе
Самый простой усилитель, построенный по схеме с общим эмиттером, работает в классе «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В коллекторной цепи установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Коллекторная цепь соединяется с положительным проводом питания, а эмиттерная – с отрицательным. В случае использования полупроводниковых транзисторов со структурой p-n-p схема будет точно такой же, вот только потребуется поменять полярность.
С помощью разделительного конденсатора С1 удается отделить переменный входной сигнал от источника постоянного тока. При этом конденсатор не является преградой для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 представляют собой простейший делитель напряжения питания. Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм – наиболее типичные значения для таких схем. При этом напряжение питания делится ровно пополам. И если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h31 составит 150. Нужно отметить, что усилители КВ на транзисторах выполняются по аналогичным схемам, только работают немного иначе.
На резисторе R1 теперь можно вычислить значение падения – это разница между напряжениями базы и питания. При этом напряжение базы можно узнать по формуле – сумма характеристик эмиттера и перехода «Э-Б». При питании от источника 20 Вольт: 20 – 9,7 = 10,3. Отсюда можно вычислить и значение сопротивления R1=10,3В/60 мкА=172 кОм. В схеме присутствует емкость С2, необходимая для реализации цепи, по которой сможет проходить переменная составляющая эмиттерного тока.
Если не устанавливать конденсатор С2, переменная составляющая будет очень сильно ограничиваться. Из-за этого такой усилитель звука на транзисторах будет обладать очень низким коэффициентом усиления по току h31. Нужно обратить внимание на то, что в вышеизложенных расчетах принимались равными токи базы и коллектора. Причем за ток базы брался тот, который втекает в цепь от эмиттера. Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения.
Усилители на МДП-транзисторах
Усилитель на полевых транзисторах, представленный на схеме, имеет множество аналогов. В том числе и с использованием биполярных транзисторов. Поэтому можно рассмотреть в качестве аналогичного примера конструкцию усилителя звука, собранную по схеме с общим эмиттером. На фото представлена схема, выполненная по схеме с общим истоком. На входных и выходных цепях собраны R-C-связи, чтобы устройство работало в режиме усилителя класса «А».
Переменный ток от источника сигнала отделяется от постоянного напряжения питания конденсатором С1. Обязательно усилитель на полевых транзисторах должен обладать потенциалом затвора, который будет ниже аналогичной характеристики истока. На представленной схеме затвор соединен с общим проводом посредством резистора R1. Его сопротивление очень большое – обычно применяют в конструкциях резисторы 100-1000 кОм. Такое большое сопротивление выбирается для того, чтобы не шунтировался сигнал на входе.
УНЧ с трансформатором на выходе
Двухтактный усилитель звука
Нельзя сказать, что это простой усилитель на транзисторах, так как его работа немного сложнее, чем у рассмотренных ранее. В двухтактных УНЧ входной сигнал расщепляется на две полуволны, различные по фазе. И каждая из этих полуволн усиливается своим каскадом, выполненном на транзисторе. После того, как произошло усиление каждой полуволны, оба сигнала соединяются и поступают на динамики. Такие сложные преобразования способны вызвать искажения сигнала, так как динамические и частотные свойства двух, даже одинаковых по типу, транзисторов будут отличны.
Бестрансформаторные УНЧ
Усилитель НЧ на транзисторе, выполненный с использованием трансформатора, невзирая на то, что конструкция может иметь малые габариты, все равно несовершенен. Трансформаторы все равно тяжелые и громоздкие, поэтому лучше от них избавиться. Намного эффективнее оказывается схема, выполненная на комплементарных полупроводниковых элементах с различными типами проводимости. Большая часть современных УНЧ выполняется именно по таким схемам и работают в классе «В».
Два мощных транзистора, используемых в конструкции, работают по схеме эмиттерного повторителя (общий коллектор). При этом напряжение входа передается на выход без потерь и усиления. Если на входе нет сигнала, то транзисторы на грани включения, но все равно еще отключены. При подаче гармонического сигнала на вход происходит открывание положительной полуволной первого транзистора, а второй в это время находится в режиме отсечки.
Схема УНЧ на одном транзисторе
Изучив все вышеописанные особенности, можно собрать усилитель своими руками на простой элементной базе. Транзистор можно использовать отечественный КТ315 или любой его зарубежный аналог – например ВС107. В качестве нагрузки нужно использовать наушники, сопротивление которых 2000-3000 Ом. На базу транзистора необходимо подать напряжение смещения через резистор сопротивлением 1 Мом и конденсатор развязки 10 мкФ. Питание схемы можно осуществить от источника напряжением 4,5-9 Вольт, ток — 0,3-0,5 А.
Коснитесь входа усилителя пальцем – должен появиться характерный шум. Если его нет, то, скорее всего, конструкция собрана неправильно. Перепроверьте все соединения и номиналы элементов. Чтобы нагляднее была демонстрация, подключите к входу УНЧ источник звука – выход от плеера или телефона. Прослушайте музыку и оцените качество звучания.
Источник
Схема каскада с фиксированным током базы
В схеме с общим эмиттером напряжение источника сигнала подается на базу, а усиленное напряжение снимается с коллектора. Для того, чтобы правильно задать рабочую точку транзистора (обеспечить режим работы транзистора) на базу необходимо подать начальный ток iб0. Для питания цепей коллектора и базы можно использовать разные источники питания, но это экономически нецелесообразно, поэтому режим транзистора по постоянному току задают от одного источника питания.
В простейшем случае ток на базе транзистора можно задать при помощи резистора. Такой вариант задания рабочего режима транзистора называется схемой с фиксированным током базы. Она применяется только в усилителях класса A. Схема включения транзистора с общим эмиттером с фиксированным током базы приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 Схема усилителя с фиксированным током базы
Расчет каскада всегда начинается с выхода схемы. Сначала задаются током коллектора транзистора, обычно . Чем меньше его значение, тем экономичней будет усилительный каскад и схема радиоэлектронного устройства в целом. Однако максимум усиления маломощного транзистора бывает обычно при значении коллекторного тока [3], поэтому задаются меньше этого значения, но стараются не сильно удаляться от него, чтобы не потерять усиление по мощности.
На схеме, приведенной на рисунке 1, ток задается резистором R1, а резистор R2 задает половину питания на коллекторе транзистора VT1. Выбор напряжения на коллекторе, равным половине питания усилительного каскада, связан с нелинейными искажениями на выходе схемы. При выборе напряжения больше половины питания, синусоидальное напряжение на выходе каскада будет обрезаться сверху. Это приведет к уменьшению максимального допустимого напряжения усилителя. При выборе коллекторного напряжения меньше половины питания, синусоидальное напряжение будет обрезаться снизу, что тоже приведет к снижению максимального допустимого напряжения сигнала на выходе каскада. Оптимальным является напряжение, равное половине питания схемы. При постепенном увеличении входного напряжения сигнала, синусоидальное напряжение сигнала на выходе будет одновременно ограничиваться сверху и снизу. Уровень допустимого напряжения сигнала усилительного каскада при этом будет максимальным.
Теперь можно определить значение номинала сопротивления резистора R2. Для этого воспользуемся законом Ома. Падение напряжения на резисторе R2 определим из закона Киргофа. По нему напряжение питания схемы равно сумме падений напряжения на транзисторе и резисторе R2:
Отсюда можно выразить падение напряжения на резисторе R2:
и далее по закону Ома находим сопротивление в цепи коллектора R2:
При напряжении питания 5 В и токе коллектора 2,5 мА напряжение Uкэ выбирают равным половине питания 2,5 В и сопротивление резистора R2 получится равным 1 кОм.
Аналогичным образом можно определить сопротивление в цепи базы транзистора — R1. Для этого сначала через h21э определим ток базы:
откуда определим ток базы:
И тогда сопротивление в цепи базы R1 будет равно:
Обратите внимание, что схема питания транзистора с фиксированным током базы может быть применена в любой из схем включения транзистора: с общим эмиттером, с общей базой или с общим коллектором.
В схеме с общим эмиттером входной сигнал подается на базу транзистора, как это показано на рисунке 2.
Рисунок 2 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общим эмиттером
В высокочастотных усилителях (усилителях радиочастоты) возможен вариант, где в качестве нагрузки транзисторного каскада служит дроссель. В этом случае рассчитывать резистор R2 не нужно и схема питания транзистора с фиксированным током базы приобретает вид, показанный на рисунке 3.
Рисунок 3 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общим эмиттером
В высокочастотных усилителях часто для преобразования входного и выходного сопротивления транзистора к стандартному значению 50 Ом используются фильтры низкой частоты с различными входным и выходным сопротивлениями. Подобный вариант усилителя с фиксированным током базы в каскаде с общим эмиттером приведен на рисунке 4.
Рисунок 4 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общим эмиттером
При этом часть емкости входного фильтра-трансформатора сопротивления вместе с конденсатором C2 образует входная емкость транзистора. Аналогично, выходная емкость транзистора вместе с конденсатором C4 образует емкость выходной согласующей цепи. В усилителях гигагерцового диапазона вместо сосредоточенных индуктивностей и емкостей в составе согласующих устройств применяются отрезки полосковых линий.
В схеме с общей базой входной сигнал подается на эмиттер транзистора. Каскад усилителя с общей базой, реализованный по схеме питания транзистора с фиксированным током базы приведен на рисунке 5.
Рисунок 5 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общей базой
Как легко можно увидеть, это схема питания транзистора, приведенная на рисунке 1, в которой входной сигнал подан между базой и эмиттером. Выходное напряжение снимается с резистора R2. Усилители с общей базой применяются в основном на высоких частотах, поэтому вместо резистора R2 удобнее применять дроссель, как это делалось в схеме на рисунке 3. Схема подобного усилителя приведена на рисунке 6.
Рисунок 6 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общей базой
В схеме с общим коллектором сигнал подается на базу транзистора, но в отличие от схемы с общим эмиттером выходной сигнал снимается с коллектора транзистора. Это решение позволяет получать минимальное выходное сопротивление усилителя, поэтому чаще всего используется в качестве буферного усилителя для развязки выхода одной схемы от входа другой. Пример схемы с фиксированным током базы для транзистора, включенного с общим коллектором, приведен на рисунке 7.
Рисунок 7 Схема с фиксированным током базы в каскаде с общим коллектором
В качестве недостатка схемы питания транзистора с фиксированным током базы следует отметить нестабильность параметров. Коэффициент усиления транзистора по току может сильно меняться от экземпляра к экземпляру, изменяться от температуры или с течением времени (старение элементов схемы). Обычный разброс коэффициента усиления по току составляет (транзистор КТ315Б), а с учетом влияния температуры — . Отношение максимального значения к минимальному составляет почти 20 раз! Во столько же раз будет меняться и ток потребления. В схемах, приведенных на рисунках 2 и 5 это приведет к полной потере работоспособности, в остальных случаях приводит к изменению коэффициента усиления и перегреву транзисторов.
Для устранения указанных недостатков были разработаны специальные схемы стабилизации рабочего режима транзистора: коллекторная стабилизация и эмиттерная стабилизация режима работы транзистора. В современных микросхемах применяются дифференциальные каскады.
Дата последнего обновления файла 18.07.2018
Источник
Российские химики разработали полимерные катоды для сверхбыстрых аккумуляторов
Спрос на литий-ионные аккумуляторы постоянно растет, но сырье для их изготовления ограничено, и ученые ищут другие варианты этой технологии. Российские исследователи из Сколтеха, РХТУ и ИПХФ синтезировали новые катодные материалы на основе полимеров и испытали их в литиевых двухионных батареях. Они показали, что такие катоды могут выдерживать до 25,000 циклов работы, а также заряжаться за несколько секунд, что превосходит возможности современных литий-ионных аккумуляторов. Также с применением новых катодов могут быть созданы калиевые двухионные аккумуляторы, не использующие дорогостоящий литий. Результаты работы опубликованы в журнале Energy Technology.
Принцип работы усилителя на биполярных транзисторах
Принцип работы транзисторного усилителя основан на том, что с помощью небольших изменений напряжения или тока во входной цепи транзистора можно получить значительно большие изменения напряжения или тока в его выходной цепи.
Изменение напряжения эмиттерного перехода вызывает изменение токов транзистора. Это свойство транзистора используется для усиления электрических сигналов.
Для преобразования изменений коллекторного тока, возникающих под действием входных сигналов, в изменяющееся напряжение в коллекторную цепь транзистора включают нагрузку. Нагрузкой чаще всего служит резистор или колебательный контур. Кроме того, при усилении переменных электрических сигналов между базой и эмиттером транзистора нужно включить источник постоянного напряжения, называемый обычно источником смещения, с помощью которого устанавливается режим работы транзистора. Этот режим характеризуется протеканием через его электроды при отсутствии входного электрического сигнала некоторых постоянных токов эмиттера, коллектора и базы. С применением дополнительного источника увеличиваются размеры всего устройства, его масса, усложняется конструкция, да и стоят два источника дороже, чем один. В то же время можно обойтись одним источником, употребляемым для питания коллекторной цепи транзистора. Одна из таких схем усилителя показана на рисунке.
В этой схеме нагрузкой усилителя является резистор RK, а используя резистор Rб, задают необходимый ток базы транзистора. Если режим работы транзистора задан (при этом часто говорят, что задана рабочая точка на характеристиках транзистора), становятся известными ток базы и напряжение UБЭ, а сопротивление резистора Rб, обеспечивающего этот ток, можно определить по формуле:
Rб =(GK-UБЭ)/IБ.
Так как UБЭ обычно составляет не более 0,2. 0,3В для германиевых транзисторов и 0,6. 0,8 В — для кремниевых, а напряжение GK измеряется единицами или даже десятками вольт, то UБЭ
Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи
Источник
Как работает усилитель на транзисторе
Разбор схемы
Это моно-усилитель мощности звуковой частоты.
Транзистор VT1 является главным элементом в схеме усилителя. Поэтому схема называется транзисторный УНЧ (усилитель низкой частоты).
В данном случае используется n-p-n транзистор. Он включен по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Эта схема позволяет выжить максимум из транзистора. Она усиливает и напряжение, и ток одновременно. Итого максимальная мощность.
Данная схема имеет один каскад усиления.
Что такое каскад
Каскад – это по сути этап усиления, который не зависит от другого. Бывают и двухкаскадные усилители. То есть, например, в схеме есть два транзистора. Один работает как предусилитель, и передает усиленный сигнал на вход второго. Поэтому схема называется двухкаскадной. Они не зависят друг от друга, но первый каскад передает сигнал на второй, что позволяет увеличить мощность сигнала.
Как питаемся схема
От качества питания зависит и качество усиления. С какими бы выдающимися характеристиками не был транзистор, если питание плохо отфильтровано или недостаточное, то усиление будет советующего качества.
На клеммы Х3 и Х4 подключается питание 6 В.
Эта схема может питаться и от аккумулятора. Однако, несмотря на то, что аккумулятор – это источник с минимальным шумом, у аккумулятора тоже есть свое сопротивление.
И чтобы оно не мешало и не влияло на работу усилителя, нужен сглаживающий и накопительный конденсатор.
Электролитический конденсатор С3 накапливает энергию источника питания, что позволяет улучшить качество усиления. Чем выше емкость – тем лучше. Естественно, у такого правила есть ограничения. Если поставить слишком большую емкость, то будет большая нагрузка на источник питания.
Во время проектирования схемы все эти параметры рассчитываются. Здесь в схеме у конденсатора С3 емкость 47 микрофарад – этого достаточно для нашего транзистора, поскольку у него не большая мощность, которую он может выдать. Можно поставить и большую емкость, например, 1000 микрофарад. Главное не нежно ставить конденсатор с меньшим пределом по напряжению. Если поставить конденсатор менее 6 В (питание схемы), то конденсатор начнет нагреваться и даже может взорваться.
Вход усилителя
Вход усилителя – это клеммы Х1 и Х2.
Х2 это минус входа, а Х1 – плюс. Так как схема на один канал, то УНЧ называется моно.
Можно подключить как левый канал, так и правый и оба сразу.
Фильтрация входного сигнала
Электролитический конденсатор С1 позволяет отделить постоянную составляющую входящего сигнала от переменной.
По-простому, он пропускает только переменный сигналю. Если сигнала нет, или вход усилителя замкнут, то без этого конденсатора транзистор может перейти в режим насыщения (максимальное усиление), и на выходе появится неприятный хрип.
Емкость конденсатора подобрана под частоту звукового сигнала. Звук начинается от 20 Гц и до 16 кГц.
Рабочая точка и смещение базы
Для того, чтобы транзистор не искажал входной сигнал, нужно его для начала чуть-чуть приоткрыть.
Это можно сделать при помощи делителя напряжения из двух резисторов R1 и R2. Этот делитель напряжения позволяет приоткрыть транзистор VT1 для того, чтобы входной сигнал не тратил свою электрическую энергию на его открытие.
Как определяется класс усилителя
Класс усилителя определяется его рабочей точкой. Рабочая точка выбирается с помощью вольтамперной характеристики транзистора. Чем выше напряжение подается на вход транзистора, тем больше ток, тем выше рабочая точка.
Например, точка по центру это А класс.
А класс самый качественный из усилителей. Он усиливает как положительные, так и отрицательные полуволны входного сигнала. В то же время, у этого класса есть существенный недостаток. Это ограничение мощности и снижение энергоэффективности. Дело в том, что пока на вход УНЧ не поступает входной сигнал, он работает все время, пока он включен.
Получается, что при это расходуется лишняя электроэнергия. Поэтому, еще рабочая точка называется точкой покоя, когда усилитель не усиливает входной сигнал.
Также от рабочей точки зависит и чувствительность усилителя.
Еще есть B класс, AB и D. Они отличаются друг от друга по эффективности усиления и наличию искажений. Все зависит от используемой схемы.
Например. D класс вообще не открывает транзистор, однако с точки зрения энергоэффективности – это самый лучший выбор. Транзистор в покое не потребляет ничего, он включается только при подаче входного сигнала. И при этом если на вход подается аналоговый звуковой сигнал, то он искажается. Такой класс не подойдет для схемы, которую разбираем в этой статье.
А режим АВ применяется в схемах, где есть несколько транзисторов, которые работают на свои полуволны. Есть схемы, где один транзистор усиливает только положительные полуволны, а второй только отрицательные. Такие усилители называются двухтактными.
Стабилизация работы схемы
Когда полупроводник нагревается, его сопротивление уменьшается. Транзистор сделан из полупроводника, и соответственно его p-n переходы тоже.
При работе схемы УНЧ ток течет через транзистор, и он нагревается. Обычно вся мощность рассеивается на коллекторе. И тем не менее, характеристики транзистора резко меняются, поскольку сопротивление его p-n переходом резко снижается по мере повышения температуры.
Чтобы стабилизировать работу транзистора, нужно сбалансировать его сопротивление другим источником. Это можно сделать при помощи дополнительного сопротивления.
Когда сопротивление транзистора VT1 уменьшается, резистор R3 забирает часть напряжения на себя и не позволяет увеличить ток в цепи.
Благодаря этому транзистор:
- не закрывается;
- не переходит в режим насыщения;
- не искажает сигнал;
- и не перегревается.
Это называется термостабилизация работы усилителя.
А чтобы в нормальном режиме работы, когда VT1 не нагревается, резистор R3 не уменьшал мощность схемы, в цепь включен шунтирующий электролитический конденсатор C2. Через него переменная составляющая входного сигнала проходит без потерь.
Выход усилителя
На выход к усилителю можно подключить как другой усилитель, который усилит сигнал еще больше, так и динамическую головку.
Динамическая головка — это обычный динамик. Он воспроизведёт звук с выхода транзистора VT1.
Однако и тут есть много нюансов.
Если сопротивление выхода транзистора намного больше, чем у динамической головки, то он не сможет передать всю мощность. Как минимум большая часть напряжения останется на его контактах.
Для данной схемы нужен динамик с сопротивлением около 1 кОм.
Если поставить меньше, например, на 4 Ома, то и половина мощности не воспроизведется, а коллектор VT1 начнет еще сильнее нагреваться.
Согласование сопротивлений входа, выхода и нагрузки усилителя рассчитывается на этапе проектирования схемы. Поэтому не следует их нарушать.
Как протекает ток по схеме
В начальный момент времени, при подключении питания, электролитический конденсатор С3 заряжается, и начинят питать коллектор и эмиттер транзистора VT1. А также ток проходит через делитель напряжения.
Делитель напряжения R1, R2 смещает базу VT1. Начинает течь ток смещения база-эмиттер (Б-Э), тем самым устанавливается рабочая точка УНЧ.
Когда входной сигнал поступает на клемму Х1, он проходит С1 и через делитель поступает на базу VT1 и частично уходит через эмиттер.
Входной сигнал притягивается коллектором VT1 и тем самым усиливается.
Та часть переменного сигнала, которая перешла на эмиттер транзистора, усиливается эмиттерными током. Он свободно проходит через С2, который в паре с R3 стабилизирует режим работы усилителя от перегрева и искажений.
В итоге входной сигнал усиленный коллекторно-эмиттерным (К-Э) током VT1 поступает на выход, то есть на динамическую головку BF1.
От чего зависит мощность схемы
У этой схемы есть ограничения. Можно поменять VT1 КТ315 на более мощный, у которого коэффициент усиления будет выше, но этот лимит усиления не бесконечный.
В первую очередь, все зависит от используемого транзистора. Если поменять его на более мощный, то и усиление будет выше. Но следует помнить, что чем мощнее транзистор, тем мощнее нужен входной сигнал. К тому же, придется сделать перерасчет всех компонентов. И подключать предусилитель, собирать схему блока питания, а это уже будет совсем другая схема.
У транзисторов есть ряд параметров, которые влияют на схему. Это коэффициент усиления по току (h31э), напряжению, мощности. А также важный параметр — это рассеиваемая мощность на коллекторе. С повышением мощности потребуется радиатор для отвода тепла.
Как собрать схему
Схему можно собрать на текстолите или на макетной плате. Перейдите по ссылке на эту статью, в ней подробнее описывается процесс сборки и проверки схемы.
Используйте качественные детали и хороший припой. Она рабочая. Это вообще классическая схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
Также на сайте есть и другие схемы усилителей, которые не сложны в сборке и не дорогие по стоимости деталей.
Как проверить работу схемы
Достаточно прикоснуться до входа УНЧ отверткой, и на выходе послышаться треск. Это переменная наводка, которая усилится схемой.
Источник
Две схемы унч на транзисторах. Транзистор усилитель практический пример работы
Схема простого усилителя звука на транзисторах , которая реализована на двух мощных составных транзисторах TIP142-TIP147 установленных в выходном каскаде, двух маломощных BC556B в дифференциальном тракте и один BD241C в цепи предварительного усиления сигнала — всего пять транзисторов на всю схему! Такая конструкция УМЗЧ свободно может быть использована например в составе домашнего музыкального центра или для раскачки сабвуфера установленного в автомобиле, на дискотеке.
Главная привлекательность данного усилителя мощности звука заключается в легкости его сборки даже начинающими радиолюбителями, нет необходимости в какой либо специальной его настройке, не возникает проблем в приобретении комплектующих по доступной цене. Представленная здесь схема УМ обладает электрическими характеристиками с высокой линейностью работы в частотном диапазоне от 20Гц до 20000Гц. p>
При выборе или самостоятельном изготовлении трансформатора для блока питания нужно учитывать такой фактор: — трансформатор должен иметь достаточный запас по мощности, например: 300 Вт из расчета на один канал, в случае двухканального варианта, то естественно и мощность удваивается. Можно применить для каждого свой отдельный трансформатор, а если использовать стерео вариант усилителя, то тогда вообще получится аппарат типа «двойное моно», что естественно повысит эффективность усиления звука.
Действующее напряжение во вторичных обмотках трансформатора должно составлять ~34v переменки, тогда постоянное напряжение после выпрямителя получится в районе 48v — 50v. В каждом плече по питанию необходимо установить плавкий предохранитель рассчитанный на рабочий ток 6А, соответственно для стерео при работе на одном блоке питания — 12А.
На Хабре уже были публикации о DIY-ламповых усилителях, которые было очень интересно читать. Спору нет, звук у них чудесный, но для повседневного использования проще использовать устройство на транзисторах. Транзисторы удобнее, поскольку не требуют прогрева перед работой и долговечнее. Да и не каждый рискнёт начинать ламповую сагу с анодными потенциалами под 400 В, а трансформаторы под транзисторные пару десятков вольт намного безопаснее и просто доступнее.
В качестве схемы для воспроизведения я выбрал схему от John Linsley Hood 1969 года, взяв авторские параметры в расчёте на импеданс своих колонок 8 Ом.
Классическая схема от британского инженера, опубликованная почти 50 лет назад, до сих пор является одной из самых воспроизводимых и собирает о себе исключительно положительные отзывы. Этому есть множество объяснений:
— минимальное количество элементов упрощает монтаж. Также считается, что чем проще конструкция, тем лучше звук;
— несмотря на то, что выходных транзисторов два, их не надо перебирать в комплементарные пары;
— выходных 10 Ватт с запасом хватает для обычных человеческих жилищ, а входная чувствительность 0.5-1 Вольт очень хорошо согласуется с выходом большинства звуковых карт или проигрывателей;
— класс А — он и в Африке класс А, если мы говорим о хорошем звучании. О сравнении с другими классами будет чуть ниже.
Можно и на обычных диодах или даже готовых мостах, но тогда их необходимо шунтировать конденсаторами, да и падение напряжения на них больше. После мостов идут CRC-фильтры из двух конденсаторов по 33000 мкф и между ними резистор 0.75 Ом. Если взять меньше и ёмкость, и резистор, то CRC-фильтр станет дешевле и меньше греться, но увеличатся пульсации, что не комильфо. Данные параметры, имхо, являются разумными с точки зрения цена-эффект. Резистор в фильтр нужен мощный цементный, при токе покоя до 2А он будет рассеивать 3 Вт тепла, поэтому лучше взять с запасом на 5-10 Вт. Остальным резисторам в схеме мощности 2 Вт будет вполне достаточно.
Далее переходим к самой плате усилителя. В интернет-магазинах продаётся куча готовых китов, однако не меньше и жалоб на качество китайских компонентов или безграмотных разводок на платах. Поэтому лучше самому, под свою же «рассыпуху». Я сделал оба канала на единой макетке, чтобы потом прикрепить её ко дну корпуса. Запуск с тестовыми элементами:
Всё, кроме выходных транзисторов Tr1/Tr2, находится на самой плате. Выходные транзисторы монтируются на радиаторах, об этом чуть ниже. К авторской схеме из оригинальной статьи нужно сделать такие ремарки:
Не всё нужно сразу впаивать намертво. Резисторы R1, R2 и R6 лучше сначала поставить подстроечными, после всех регулировок выпаять, измерить их сопротивление и припаять окончательные постоянные резисторы с аналогичным сопротивлением. Настройка сводится к следующим операциям. Сначала с помощью R6 выставляется, чтобы напряжение между X и нулём было ровно половиной от напряжения +V и нулём. В одном из каналов мне не хватило 100 кОм, так что лучше брать эти подстроечники с запасом. Затем с помощью R1 и R2 (сохраняя их примерное соотношение!) выставляется ток покоя – ставим тестер на измерение постоянного тока и измеряем этот самый ток в точке входа плюса питания. Мне пришлось ощутимо снизить сопротивление обоих резисторов для получения нужного тока покоя. Ток покоя усилителя в классе А максимальный и по сути, в отсутствие входного сигнала, весь уходит в тепловую энергию. Для 8-омных колонок этот ток, по рекомендации автора, должен быть 1.2 А при напряжении 27 Вольт, что означает 32.4 Ватта тепла на каждый канал. Поскольку выставление тока может занять несколько минут, то выходные транзисторы должны быть уже на охлаждающих радиаторах, иначе они быстро перегреются и умрут. Ибо греются в основном они.
Не исключено, что в порядке эксперимента захочется сравнить звучание разных транзисторов, поэтому для них тоже можно оставить возможность удобной замены. Я попробовал на входе 2N3906, КТ361 и BC557C, была небольшая разница в пользу последнего. В предвыходных пробовались КТ630, BD139 и КТ801, остановился на импортных. Хотя все вышеперечисленные транзисторы очень хороши, и разница может быть скорее субъективной. На выходе я поставил сразу 2N3055 (ST Microelectronics), поскольку они нравятся многим.
При регулировке и занижении сопротивления усилителя может вырасти частота среза НЧ, поэтому для конденсатора на входе лучше использовать не 0.5 мкф, а 1 или даже 2 мкф в полимерной плёнке. По Сети ещё гуляет русская картинка-схема «Ультралинейный усилитель класса А», где этот конденсатор вообще предложен как 0.1 мкф, что чревато срезом всех басов под 90 Гц:
Пишут, что эта схема не склонна к самовозбуждению, но на всякий случай между точкой Х и землёй ставится цепь Цобеля: R 10 Ом + С 0.1 мкф.
— предохранители, их можно и нужно ставить как на трансформатор, так и на силовой вход схемы.
— очень уместным будет использование термопасты для максимального контакта между транзистором и радиатором.
Сам корпус я сделал из оргстекла. Заказываем у стекольщиков сразу нарезанные прямоугольники, выполняем в них необходимые отверстия для креплений и красим с обратной стороны чёрной краской.
Покрашенное с обратной стороны оргстекло смотрится очень красиво. Теперь остаётся только всё собрать и наслаждаться музы… ах да, при окончательной сборке ещё важно для минимизации фона правильно развести землю. Как было выяснено за десятилетия до нас, C3 нужно присоединять к сигнальной земле, т.е. к минусу входа-входа, а все остальные минуса можно отправить на «звезду» возле конденсаторов фильтра. Если всё сделано правильно, то никакого фона не расслышать, даже если на максимальной громкости поднести ухо к колонке. Ещё одна «земляная» особенность, которая характерна для звуковых карт, не развязанных с компьютером гальванически – это помехи с материнки, которые могут пролезть через USB и RCA. Судя по интернету, проблема встречается часто: в колонках можно услышать звуки работы HDD, принтера, мышки и фон БП системника. В таком случае проще всего разорвать земляную петлю, заклеив изолентой заземление на вилке усилителя. Опасаться тут нечего, т.к. останется второй контур заземления через компьютер.
Регулятор громкости на усилителе я не стал делать, поскольку достать какой-нибудь качественный ALPS не удалось, а шуршание китайских потенциометров мне не понравилось. Вместо него был установлен обычный резистор 47 кОм между «землёй» и «сигналом» входа. Тем более регулятор у внешней звуковой карты всегда под рукой, да и в каждой программе тоже есть ползунок. Регулятора громкости нет только у винилового проигрывателя, поэтому для его прослушивания я приделал внешний потенциометр к соединительному кабелю.
— Сосед запарил по батарее стучать. Сделал музыку громче, чтобы его не слышать.
(Из фольклора аудиофилов).
Эпиграф иронический, но аудиофил совсем не обязательно «больной на всю голову» с физиономией Джоша Эрнеста на брифинге по вопросам отношений с РФ, которого «прёт» оттого, что соседи «счастливы». Кто-то хочет слушать серьезную музыку дома как в зале. Качество аппаратуры для этого нужно такое, какое у любителей децибел громкости как таковых просто не помещается там, где у здравомыслящих людей ум, но у последних оный за разум заходит от цен на подходящие усилители (УМЗЧ, усилитель мощности звуковой частоты). А у кого-то попутно возникает желание приобщиться к полезным и увлекательным сферам деятельности – технике воспроизведения звука и вообще электронике. Которые в век цифровых технологий неразрывно связаны и могут стать высокодоходной и престижной профессией. Оптимальный во всех отношениях первый шаг в этом деле – сделать усилитель своими руками: именно УМЗЧ позволяет с начальной подготовкой на базе школьной физики на одном и том же столе пройти путь от простейших конструкций на полвечера (которые, тем не менее, неплохо «поют») до сложнейших агрегатов, через которые с удовольствием сыграет и хорошая рок-группа. Цель данной публикации – осветить первые этапы этого пути для начинающих и, возможно, сообщить кое-что новое опытным.
Простейшие
Итак, для начала попробуем сделать усилитель звука, который просто работает. Чтобы основательно вникнуть в звукотехнику, придется постепенно освоить довольно много теоретического материала и не забывать по мере продвижения обогащать багаж знаний. Но любая «умность» усваивается легче, когда видишь и щупаешь, как она работает «в железе». В этой статье далее тоже без теории не обойдется – в том, что нужно знать поначалу и что возможно пояснить без формул и графиков. А пока достаточно будет умения и пользоваться мультитестером.
Примечание: если вы до сих пор не паяли электронику, учтите – ее компоненты нельзя перегревать! Паяльник – до 40 Вт (лучше 25 Вт), максимально допустимое время пайки без перерыва – 10 с. Паяемый вывод для теплоотвода удерживается в 0,5-3 см от места пайки со стороны корпуса прибора медицинским пинцетом. Кислотные и др. активные флюсы применять нельзя! Припой – ПОС-61.
Слева на рис. – простейший УМЗЧ, «который просто работает». Его можно собрать как на германиевых, так и на кремниевых транзисторах.
На этой крошке удобно осваивать азы наладки УМЗЧ с непосредственными связями между каскадами, дающими наиболее чистый звук:
- Перед первым включением питания нагрузку (динамик) отключаем;
- Вместо R1 впаиваем цепочку из постоянного резистора на 33 кОм и переменного (потенциометра) на 270 кОм, т.е. первый прим. вчетверо меньшего, а второй прим. вдвое большего номинала против исходного по схеме;
- Подаем питание и, вращая движок потенциометра, в точке, обозначенной крестиком, выставляем указанный ток коллектора VT1;
- Снимаем питание, выпаиваем временные резисторы и замеряем их общее сопротивление;
- В качестве R1 ставим резистор номинала из стандартного ряда, ближайшего к измеренному;
- Заменяем R3 на цепочку постоянный 470 Ом + потенциометр 3,3 кОм;
- Так же, как по пп. 3-5, в т. а выставляем напряжение, равное половине напряжения питания.
Точка а, откуда снимается сигнал в нагрузку это т. наз. средняя точка усилителя. В УМЗЧ с однополярным питанием в ней выставляют половину его значения, а в УМЗЧ в двухполярным питанием – ноль относительно общего провода. Это называется регулировкой баланса усилителя. В однополярных УМЗЧ с емкостной развязкой нагрузки отключать ее на время наладки не обязательно, но лучше привыкать делать это рефлекторно: разбалансированный 2-полярный усилитель с подключенной нагрузкой способен сжечь свои же мощные и дорогие выходные транзисторы, а то и «новый, хороший» и очень дорогой мощный динамик.
Примечание: компоненты, требующие подбора при наладке устройства в макете, на схемах обозначаются или звездочкой (*), или штрихом-апострофом (‘).
В центре на том же рис. – простой УМЗЧ на транзисторах, развивающий уже мощность до 4-6 Вт на нагрузке 4 Ом. Хотя и работает он, как и предыдущий, в т. наз. классе AB1, не предназначенном для Hi-Fi озвучивания, но, если заменить парой таких усилитель класса D (см. далее) в дешевых китайских компьютерных колонках, их звучание заметно улучшается. Здесь узнаем еще одну хитрость: мощные выходные транзисторы нужно ставить на радиаторы. Компоненты, требующие дополнительного охлаждения, на схемах обводятся пунктиром; правда, далеко не всегда; иногда – с указанием необходимой рассеивающей площади теплоотвода. Наладка этого УМЗЧ – балансировка с помощью R2.
Справа на рис. – еще не монстр на 350 Вт (как был показан в начале статьи), но уже вполне солидный зверюга: простой усилитель на транзисторах мощностью 100 Вт. Музыку через него слушать можно, но не Hi-Fi, класс работы – AB2. Однако для озвучивания площадки для пикника или собрания на открытом воздухе, школьного актового или небольшого торгового зала он вполне пригоден. Любительская рок-группа, имея по такому УМЗЧ на инструмент, может успешно выступать.
В этом УМЗЧ проявляются еще 2 хитрости: во-первых, в очень мощных усилителях каскад раскачки мощного выхода тоже нужно охлаждать, поэтому VT3 ставят на радиатор от 100 кв. см. Для выходных VT4 и VT5 нужны радиаторы от 400 кв. см. Во-вторых, УМЗЧ с двухполярным питанием совсем без нагрузки не балансируются. То один, то другой выходной транзистор уходит в отсечку, а сопряженный в насыщение. Затем, на полном напряжении питания скачки тока при балансировке способны вывести из строя выходные транзисторы. Поэтому для балансировки (R6, догадались?) усилитель запитывают от +/–24 В, а вместо нагрузки включают проволочный резистор 100…200 Ом. Кстати, закорючки в некоторых резисторах на схеме – римские цифры, обозначающие их необходимую мощность рассеяния тепла.
Примечание: источник питания для этого УМЗЧ нужен мощностью от 600 Вт. Конденсаторы сглаживающего фильтра – от 6800 мкФ на 160 В. Параллельно электролитическим конденсаторам ИП включаются керамические по 0,01 мкФ для предотвращения самовозбуждения на ультразвуковых частотах, способного мгновенно сжечь выходные транзисторы.
На полевиках
На след. рис. – еще один вариант достаточно мощного УМЗЧ (30 Вт, а при напряжении питания 35 В – 60 Вт) на мощных полевых транзисторах:
Звук от него уже тянет на требования к Hi-Fi начального уровня (если, разумеется, УМЗЧ работает на соотв. акустические системы, АС). Мощные полевики не требуют большой мощности для раскачки, поэтому и предмощного каскада нет. Еще мощные полевые транзисторы ни при каких неисправностях не сжигают динамики – сами быстрее сгорают. Тоже неприятно, но все-таки дешевле, чем менять дорогую басовую головку громкоговорителя (ГГ). Балансировка и вообще наладка данному УМЗЧ не требуются. Недостаток у него, как у конструкции для начинающих, всего один: мощные полевые транзисторы много дороже биполярных для усилителя с такими же параметрами. Требования к ИП – аналогичные пред. случаю, но мощность его нужна от 450 Вт. Радиаторы – от 200 кв. см.
Примечание: не надо строить мощные УМЗЧ на полевых транзисторах для импульсных источников питания, напр. компьютерных. При попытках «загнать» их в активный режим, необходимый для УМЗЧ, они или просто сгорают, или звук дают слабый, а по качеству «никакой». То же касается мощных высоковольтных биполярных транзисторов, напр. из строчной развертки старых телевизоров.
Сразу вверх
Если вы уже сделали первые шаги, то вполне естественным будет желание построить УМЗЧ класса Hi-Fi, не вдаваясь слишком глубоко в теоретические дебри. Для этого придется расширить приборный парк – нужен осциллограф, генератор звуковых частот (ГЗЧ) и милливольтметр переменного тока с возможностью измерения постоянной составляющей. Прототипом для повторения лучше взять УМЗЧ Е. Гумели, подробно описанный в «Радио» №1 за 1989 г. Для его постройки понадобится немного недорогих доступных компонент, но качество удовлетворяет весьма высоким требованиям: мощность до 60 Вт, полоса 20-20 000 Гц, неравномерность АЧХ 2 дБ, коэффициент нелинейных искажений (КНИ) 0,01%, уровень собственных шумов –86 дБ. Однако наладить усилитель Гумели достаточно сложно; если вы с ним справитесь, можете браться за любой другой. Впрочем, кое-какие из известных ныне обстоятельств намного упрощают налаживание данного УМЗЧ, см. ниже. Имея в виду это и то, что в архивы «Радио» пробраться не всем удается, уместно будет повторить основные моменты.
Схемы простого высококачественного УМЗЧ
Схемы УМЗЧ Гумели и спецификация к ним даны на иллюстрации. Радиаторы выходных транзисторов – от 250 кв. см. для УМЗЧ по рис. 1 и от 150 кв. см. для варианта по рис. 3 (нумерация оригинальная). Транзисторы предвыходного каскада (КТ814/КТ815) устанавливаются на радиаторы, согнутые из алюминиевых пластин 75х35 мм толщиной 3 мм. Заменять КТ814/КТ815 на КТ626/КТ961 не стоит, звук заметно не улучшается, но налаживание серьезно затрудняется.
Этот УМЗЧ очень критичен к электропитанию, топологии монтажа и общей, поэтому налаживать его нужно в конструктивно законченном виде и только со штатным источником питания. При попытке запитать от стабилизированного ИП выходные транзисторы сгорают сразу. Поэтому на рис. даны чертежи оригинальных печатных плат и указания по наладке. К ним можно добавить что, во-первых, если при первом включении заметен «возбуд», с ним борются, меняя индуктивность L1. Во-вторых, выводы устанавливаемых на платы деталей должны быть не длиннее 10 мм. В-третьих, менять топологию монтажа крайне нежелательно, но, если очень надо, на стороне проводников обязательно должен быть рамочный экран (земляная петля, выделена цветом на рис.), а дорожки электропитания должны проходить вне ее.
Примечание: разрывы в дорожках, к которым подключаются базы мощных транзисторов – технологические, для налаживания, после чего запаиваются каплями припоя.
Налаживание данного УМЗЧ много упрощается, а риск столкнуться с «возбудом» в процессе пользования сводится к нулю, если:
- Минимизировать межблочный монтаж, поместив платы на радиаторах мощных транзисторов.
- Полностью отказаться от разъемов внутри, выполнив весь монтаж только пайкой. Тогда не нужны будут R12, R13 в мощном варианте или R10 R11 в менее мощном (на схемах они пунктирные).
- Использовать для внутреннего монтажа аудиопровода из бескислородной меди минимальной длины.
При выполнении этих условий с возбуждением проблем не бывает, а налаживание УМЗЧ сводится к рутинной процедуре, описанной на рис.
Провода для звука
Аудиопровода не досужая выдумка. Необходимость их применения в настоящее время несомненна. В меди с примесью кислорода на гранях кристаллитов металла образуется тончайшая пленочка окисла. Оксиды металлов полупроводники и, если ток в проводе слабый без постоянной составляющей, его форма искажается. По идее, искажения на мириадах кристаллитов должны компенсировать друг друга, но самая малость (похоже, обусловленная квантовыми неопределенностями) остается. Достаточная, чтобы быть замеченной взыскательными слушателями на фоне чистейшего звука современных УМЗЧ.
Производители и торговцы без зазрения совести подсовывают вместо бескислородной обычную электротехническую медь – отличить одну от другой на глаз невозможно. Однако есть сфера применения, где подделка не проходит однозначно: кабель витая пара для компьютерных сетей. Положить сетку с длинными сегментами «леварем», она или вовсе не запустится, или будет постоянно глючить. Дисперсия импульсов, понимаешь ли.
Автор, когда только еще пошли разговоры об аудиопроводах, понял, что, в принципе, это не пустая болтовня, тем более, что бескислородные провода к тому времени уже давно использовались в технике спецназначения, с которой он по роду деятельности был хорошо знаком. Взял тогда и заменил штатный шнур своих наушников ТДС-7 самодельным из «витухи» с гибкими многожильными проводами. Звук, на слух, стабильно улучшился для сквозных аналоговых треков, т.е. на пути от студийного микрофона до диска нигде не подвергавшихся оцифровке. Особенно ярко зазвучали записи на виниле, сделанные по технологии DMM (Direct Meta lMastering, непосредственное нанесение металла). После этого межблочный монтаж всего домашнего аудио был переделан на «витушный». Тогда улучшение звучания стали отмечать и совершенно случайные люди, к музыке равнодушные и заранее не предуведомленные.
Как сделать межблочные провода из витой пары, см. след. видео.
Видео: межблочные провода из витой пары своими руками
К сожалению, гибкая «витуха» скоро исчезла из продажи – плохо держалась в обжимаемых разъемах. Однако, к сведению читателей, только из бескислородной меди делается гибкий «военный» провод МГТФ и МГТФЭ (экранированный). Подделка невозможна, т.к. на обычной меди ленточная фторопластовая изоляция довольно быстро расползается. МГТФ сейчас есть в широкой продаже и стоит много дешевле фирменных, с гарантией, аудиопроводов. Недостаток у него один: его невозможно выполнить расцвеченным, но это можно исправить бирками. Есть также и бескислородные обмоточные провода, см. далее.
Теоретическая интермедия
Как видим, уже на первых порах освоения звукотехники нам пришлось столкнуться с понятием Hi-Fi (High Fidelity), высокая верность воспроизведения звука. Hi-Fi бывают разных уровней, которые ранжируются по след. основным параметрам:
- Полосе воспроизводимых частот.
- Динамическому диапазону – отношению в децибелах (дБ) максимальной (пиковой) выходной мощности к уровню собственных шумов.
- Уровню собственных шумов в дБ.
- Коэффициенту нелинейных искажений (КНИ) на номинальной (долговременной) выходной мощности. КНИ на пиковой мощности принимается 1% или 2% в зависимости от методики измерений.
- Неравномерности амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) в полосе воспроизводимых частот. Для АС – отдельно на низких (НЧ, 20-300 Гц), средних (СЧ, 300-5000 Гц) и высоких (ВЧ, 5000-20 000 Гц) звуковых частотах.
Примечание: отношение абсолютных уровней каких-либо величин I в (дБ) определяется как P(дБ) = 20lg(I1/I2). Если I1
Все тонкости и нюансы Hi-Fi нужно знать, занимаясь проектированием и постройкой АС, а что касается самодельного Hi-Fi УМЗЧ для дома, то, прежде чем переходить к таким, нужно четко уяснить себе требования к их мощности, необходимой для озвучивания данного помещения, динамическому диапазону (динамике), уровню собственных шумов и КНИ. Добиться от УМЗЧ полосы частот 20-20 000 Гц с завалом на краях по 3 дБ и неравномерностью АЧХ на СЧ в 2 дБ на современной элементной базе не составляет больших сложностей.
Громкость
Мощность УМЗЧ не самоцель, она должна обеспечивать оптимальную громкость воспроизведения звука в данном помещении. Определить ее можно по кривым равной громкости, см. рис. Естественных шумов в жилых помещениях тише 20 дБ не бывает; 20 дБ это лесная глушь в полный штиль. Уровень громкости в 20 дБ относительно порога слышимости это порог внятности – шепот разобрать еще можно, но музыка воспринимается только как факт ее наличия. Опытный музыкант может определить, какой инструмент играет, но что именно – нет.
40 дБ – нормальный шум хорошо изолированной городской квартиры в тихом районе или загородного дома – представляет порог разборчивости. Музыку от порога внятности до порога разборчивости можно слушать при наличии глубокой коррекции АЧХ, прежде всего по басам. Для этого в современные УМЗЧ вводят функцию MUTE (приглушка, мутирование, не мутация!), включающую соотв. корректирующие цепи в УМЗЧ.
90 дБ – уровень громкости симфонического оркестра в очень хорошем концертном зале. 110 дБ может выдать оркестр расширенного состава в зале с уникальной акустикой, каких в мире не более 10, это порог восприятия: звуки громче воспринимаются еще как различимый по смыслу с усилием воли, но уже раздражающий шум. Зона громкости в жилых помещениях 20-110 дБ составляет зону полной слышимости, а 40-90 дБ – зону наилучшей слышимости, в которой неподготовленные и неискушенные слушатели вполне воспринимают смысл звука. Если, конечно, он в нем есть.
Мощность
Расчет мощности аппаратуры по заданной громкости в зоне прослушивания едва ли не основная и самая трудная задача электроакустики. Для себя в условиях лучше идти от акустических систем (АС): рассчитать их мощность по упрощенной методике, и принять номинальную (долговременную) мощность УМЗЧ равной пиковой (музыкальной) АС. В таком случае УМЗЧ не добавит заметно своих искажений к таковым АС, они и так основной источник нелинейности в звуковом тракте. Но и делать УМЗЧ слишком мощным не следует: в таком случае уровень его собственных шумов может оказаться выше порога слышимости, т.к. считается он от уровня напряжения выходного сигнала на максимальной мощности. Если считать совсем уж просто, то для комнаты обычной квартиры или дома и АС с нормальной характеристической чувствительностью (звуковой отдачей) можно принять след. значения оптимальной мощности УМЗЧ:
- До 8 кв. м – 15-20 Вт.
- 8-12 кв. м – 20-30 Вт.
- 12-26 кв. м – 30-50 Вт.
- 26-50 кв. м – 50-60 Вт.
- 50-70 кв. м – 60-100 Вт.
- 70-100 кв. м – 100-150 Вт.
- 100-120 кв. м – 150-200 Вт.
- Более 120 кв. м – определяется расчетом по данным акустических измерений на месте.
Динамика
Динамический диапазон УМЗЧ определяется по кривым равной громкости и пороговым значениям для разных степеней восприятия:
- Симфоническая музыка и джаз с симфоническим сопровождением – 90 дБ (110 дБ – 20 дБ) идеал, 70 дБ (90 дБ – 20 дБ) приемлемо. Звук с динамикой 80-85 дБ в городской квартире не отличит от идеального никакой эксперт.
- Прочие серьезные музыкальные жанры – 75 дБ отлично, 80 дБ «выше крыши».
- Попса любого рода и саундтреки к фильмам – 66 дБ за глаза хватит, т.к. данные опусы уже при записи сжимаются по уровням до 66 дБ и даже до 40 дБ, чтобы можно было слушать на чем угодно.
Динамический диапазон УМЗЧ, правильно выбранного для данного помещения, считают равным его уровню собственных шумов, взятому со знаком +, это т. наз. отношение сигнал/шум.
КНИ
Нелинейные искажения (НИ) УМЗЧ это составляющие спектра выходного сигнала, которых не было во входном. Теоретически НИ лучше всего «затолкать» под уровень собственных шумов, но технически это очень трудно реализуемо. На практике берут в расчет т. наз. эффект маскировки: на уровнях громкости ниже прим. 30 дБ диапазон воспринимаемых человеческим ухом частот сужается, как и способность различать звуки по частоте. Музыканты слышат ноты, но оценить тембр звука затрудняются. У людей без музыкального слуха эффект маскировки наблюдается уже на 45-40 дБ громкости. Поэтому УМЗЧ с КНИ 0,1% (–60 дБ от уровня громкости в 110 дБ) оценит как Hi-Fi рядовой слушатель, а с КНИ 0,01% (–80 дБ) можно считать не искажающим звук.
Лампы
Последнее утверждение, возможно, вызовет неприятие, вплоть до яростного, у адептов ламповой схемотехники: мол, настоящий звук дают только лампы, причем не просто какие-то, а отдельные типы октальных. Успокойтесь, господа – особенный ламповый звук не фикция. Причина – принципиально различные спектры искажений у электронных ламп и транзисторов. Которые, в свою очередь, обусловлены тем, что в лампе поток электронов движется в вакууме и квантовые эффекты в ней не проявляются. Транзистор же прибор квантовый, там неосновные носители заряда (электроны и дырки) движутся в кристалле, что без квантовых эффектов вообще невозможно. Поэтому спектр ламповых искажений короткий и чистый: в нем четко прослеживаются только гармоники до 3-й – 4-й, а комбинационных составляющих (сумм и разностей частот входного сигнала и их гармоник) очень мало. Поэтому во времена вакуумной схемотехники КНИ называли коэффициентом гармоник (КГ). У транзисторов же спектр искажений (если они измеримы, оговорка случайная, см. ниже) прослеживается вплоть до 15-й и более высоких компонент, и комбинационных частот в нем хоть отбавляй.
На первых порах твердотельной электроники конструкторы транзисторных УМЗЧ брали для них привычный «ламповый» КНИ в 1-2%; звук с ламповым спектром искажений такой величины рядовыми слушателями воспринимается как чистый. Между прочим, и самого понятия Hi-Fiтогда еще не было. Оказалось – звучат тускло и глухо. В процессе развития транзисторной техники и выработалось понимание, что такое Hi-Fi и что для него нужно.
В настоящее время болезни роста транзисторной техники успешно преодолены и побочные частоты на выходе хорошего УМЗЧ с трудом улавливаются специальными методами измерений. А ламповую схемотехнику можно считать перешедшей в разряд искусства. Его основа может быть любой, почему же электронике туда нельзя? Тут уместна будет аналогия с фотографией. Никто не сможет отрицать, что современная цифрозеркалка дает картинку неизмеримо более четкую, подробную, глубокую по диапазону яркостей и цвета, чем фанерный ящичек с гармошкой. Но кто-то крутейшим Никоном «клацает фотки» типа «это мой жирный кошак нажрался как гад и дрыхнет раскинув лапы», а кто-то Сменой-8М на свемовскую ч/б пленку делает снимок, перед которым на престижной выставке толпится народ.
Примечание: и еще раз успокойтесь – не все так плохо. На сегодня у ламповых УМЗЧ малой мощности осталось по крайней мере одно применение, и не последней важности, для которого они технически необходимы.
Опытный стенд
Многие любители аудио, едва научившись паять, тут же «уходят в лампы». Это ни в коем случае не заслуживает порицания, наоборот. Интерес к истокам всегда оправдан и полезен, а электроника стала таковой на лампах. Первые ЭВМ были ламповыми, и бортовая электронная аппаратура первых космических аппаратов была тоже ламповой: транзисторы тогда уже были, но не выдерживали внеземной радиации. Между прочим, тогда под строжайшим секретом создавались и ламповые… микросхемы! На микролампах с холодным катодом. Единственное известное упоминание о них в открытых источниках есть в редкой книге Митрофанова и Пикерсгиля «Современные приемно-усилительные лампы».
Но хватит лирики, к делу. Для любителей повозиться с лампами на рис. – схема стендового лампового УМЗЧ, предназначенного именно для экспериментов: SA1 переключается режим работы выходной лампы, а SA2 – напряжение питания. Схема хорошо известна в РФ, небольшая доработка коснулась только выходного трансформатора: теперь можно не только «гонять» в разных режимах родную 6П7С, но и подбирать для других ламп коэффициент включения экранной сетки в ульралинейном режиме; для подавляющего большинства выходных пентодов и лучевых тетродов он или 0,22-0,25, или 0,42-0,45. Об изготовлении выходного трансформатора см. ниже.
Гитаристам и рокерам
Это тот самый случай, когда без ламп не обойтись. Как известно, электрогитара стала полноценным солирующим инструментом после того, как предварительно усиленный сигнал со звукоснимателя стали пропускать через специальную приставку – фьюзер – преднамеренно искажающую его спектр. Без этого звук струны был слишком резким и коротким, т.к. электромагнитный звукосниматель реагирует только на моды ее механических колебаний в плоскости деки инструмента.
Вскоре выявилось неприятное обстоятельство: звучание электрогитары с фьюзером обретает полную силу и яркость только на больших громкостях. Особенно это проявляется для гитар со звукоснимателем типа хамбакер, дающим самый «злой» звук. А как быть начинающему, вынужденному репетировать дома? Не идти же в зал выступать, не зная точно, как там зазвучит инструмент. И просто любителям рока хочется слушать любимые вещи в полном соку, а рокеры народ в общем-то приличный и неконфликтный. По крайней мере те, кого интересует именно рок-музыка, а не антураж с эпатажем.
Так вот, оказалось, что роковый звук появляется на уровнях громкости, приемлемых для жилых помещений, если УМЗЧ ламповый. Причина – специфическое взаимодействие спектра сигнала с фьюзера с чистым и коротким спектром ламповых гармоник. Тут снова уместна аналогия: ч/б фото может быть намного выразительнее цветного, т.к. оставляет для просмотра только контур и свет.
Тем, кому ламповый усилитель нужен не для экспериментов, а в силу технической необходимости, долго осваивать тонкости ламповой электроники недосуг, они другим увлечены. УМЗЧ в таком случае лучше делать бестрансформаторный. Точнее – с однотактным согласующим выходным трансформатором, работающим без постоянного подмагничивания. Такой подход намного упрощает и ускоряет изготовление самого сложного и ответственного узла лампового УМЗЧ.
«Бестрансформаторный» ламповый выходной каскад УМЗЧ и предварительные усилители к нему
Справа на рис. дана схема бестрансформаторного выходного каскада лампового УМЗЧ, а слева – варианты предварительного усилителя для него. Вверху – с регулятором тембра по классической схеме Баксандала, обеспечивающей достаточно глубокую регулировку, но вносящей небольшие фазовые искажения в сигнал, что может быть существенно при работе УМЗЧ на 2-полосную АС. Внизу – предусилитель с регулировкой тембра попроще, не искажающей сигнал.
Но вернемся к «оконечнику». В ряде зарубежных источников данная схема считается откровением, однако идентичная ей, за исключением емкости электролитических конденсаторов, обнаруживается в советском «Справочнике радиолюбителя» 1966 г. Толстенная книжища на 1060 страниц. Не было тогда интернета и баз данных на дисках.
Там же, справа на рис., коротко, но ясно описаны недостатки этой схемы. Усовершенствованная, из того же источника, дана на след. рис. справа. В ней экранная сетка Л2 запитана от средней точки анодного выпрямителя (анодная обмотка силового трансформатора симметричная), а экранная сетка Л1 через нагрузку. Если вместо высокоомных динамиков включить согласующий трансформатор с обычным динамиков, как в пред. схеме, выходная мощность составить ок. 12 Вт, т.к. активное сопротивление первичной обмотки трансформатора много меньше 800 Ом. КНИ этого оконечного каскада с трансформаторным выходом – прим. 0,5%
Как сделать трансформатор?
Главные враги качества мощного сигнального НЧ (звукового) трансформатора – магнитное поле рассеяния, силовые линии которого замыкаются, обходя магнитопровод (сердечник), вихревые токи в магнитопроводе (токи Фуко) и, в меньшей степени – магнитострикция в сердечнике. Из-за этого явления небрежно собранный трансформатор «поет», гудит или пищит. С токами Фуко борются, уменьшая толщину пластин магнитопровода и дополнительно изолируя их лаком при сборке. Для выходных трансформаторов оптимальная толщина пластин – 0,15 мм, максимально допустимая – 0,25 мм. Брать для выходного трансформатора пластины тоньше не следует: коэффициент заполнения керна (центрального стержня магнитопровода) сталью упадет, сечение магнитопровода для получения заданной мощности придется увеличить, отчего искажения и потери в нем только возрастут.
В сердечнике звукового трансформатора, работающего с постоянным подмагничиванием (напр., анодным током однотактного выходного каскада) должен быть небольшой (определяется расчетом) немагнитный зазор. Наличие немагнитного зазора, с одной стороны, уменьшает искажения сигнала от постоянного подмагничивания; с другой – в магнитопроводе обычного типа увеличивает поле рассеяния и требует сердечника большего сечения. Поэтому немагнитный зазор нужно рассчитывать на оптимум и выполнять как можно точнее.
Для трансформаторов, работающих с подмагничиванием, оптимальный тип сердечника – из пластин Шп (просеченных), поз. 1 на рис. В них немагнитный зазор образуется при просечке керна и потому стабилен; его величина указывается в паспорте на пластины или замеряется набором щупов. Поле рассеяния минимально, т.к. боковые ветви, через которые замыкается магнитный поток, цельные. Из пластин Шп часто собирают и сердечники трансформаторов без подмагничивания, т.к. пластины Шп делают из высококачественной трансформаторной стали. В таком случае сердечник собирают вперекрышку (пластины кладут просечкой то в одну, то в другую сторону), а его сечение увеличивают на 10% против расчетного.
Трансформаторы без подмагничивания лучше мотать на сердечниках УШ (уменьшенной высоты с уширенными окнами), поз. 2. В них уменьшение поля рассеяния достигается за счет уменьшения длины магнитного пути. Поскольку пластины УШ доступнее Шп, из них часто набирают и сердечники трансформаторов с подмагничиванием. Тогда сборку сердечника ведут внакрой: собирают пакет из Ш-пластин, кладут полоску непроводящего немагнитного материала толщиной в величину немагнитного зазора, накрывают ярмом из пакета перемычек и стягивают все вместе обоймой.
Примечание: «звуковые» сигнальные магнитопроводы типа ШЛМ для выходных трансформаторов высококачественных ламповых усилителей мало пригодны, у них большое поле рассеяния.
На поз. 3 дана схема размеров сердечника для расчета трансформатора, на поз. 4 конструкция каркаса обмоток, а на поз. 5 – выкройки его деталей. Что до трансформатора для «бестрансформаторного» выходного каскада, то его лучше делать на ШЛМме вперекрышку, т.к. подмагничивание ничтожно мало (ток подмагничивания равен току экранной сетки). Главная задача тут – сделать обмотки как можно компактнее с целью уменьшения поля рассеяния; их активное сопротивление все равно получится много меньше 800 Ом. Чем больше свободного места останется в окнах, тем лучше получился трансформатор. Поэтому обмотки мотают виток к витку (если нет намоточного станка, это маета ужасная) из как можно более тонкого провода, коэффициент укладки анодной обмотки для механического расчета трансформатора берут 0,6. Обмоточный провод – марок ПЭТВ или ПЭММ, у них жила бескислородная. ПЭТВ-2 или ПЭММ-2 брать не надо, у них от двойной лакировки увеличенный наружный диаметр и поле рассеяния будет больше. Первичную обмотку мотают первой, т.к. именно ее поле рассеяния больше всего влияет на звук.
Железо для этого трансформатора нужно искать с отверстиями в углах пластин и стяжными скобами (см. рис. справа), т.к. «для полного счастья» сборка магнитопровода производится в след. порядке (разумеется, обмотки с выводами и наружной изоляцией должны быть уже на каркасе):
- Готовят разбавленный вдвое акриловый лак или, по старинке, шеллак;
- Пластины с перемычками быстро покрывают лаком с одной стороны и как можно быстрее, не придавливая сильно, вкладывают в каркас. Первую пластину кладут лакированной стороной внутрь, следующую – нелакированной стороной к лакированной первой и т.д;
- Когда окно каркаса заполнится, накладывают скобы и туго стягивают болтами;
- Через 1-3 мин, когда выдавливание лака из зазоров видимо прекратится, добавляют пластин снова до заполнения окна;
- Повторяют пп. 2-4, пока окно не будет туго набито сталью;
- Снова туго стягивают сердечник и сушат на батарее и т.п. 3-5 суток.
Собранный по такой технологии сердечник имеет очень хорошие изоляцию пластин и заполнение сталью. Потерь на магнитострикцию вообще не обнаруживается. Но учтите – для сердечников их пермаллоя данная методика неприменима, т.к. от сильных механических воздействий магнитные свойства пермаллоя необратимо ухудшаются!
На микросхемах
УМЗЧ на интегральных микросхемах (ИМС) делают чаще всего те, кого устраивает качество звука до среднего Hi-Fi, но более привлекает дешевизна, быстрота, простота сборки и полное отсутствие каких-либо наладочных процедур, требующих специальных знаний. Попросту, усилитель на микросхемах – оптимальный вариант для «чайников». Классика жанра здесь – УМЗЧ на ИМС TDA2004, стоящей на серии, дай бог памяти, уже лет 20, слева на рис. Мощность – до 12 Вт на канал, напряжение питания – 3-18 В однополярное. Площадь радиатора – от 200 кв. см. для максимальной мощности. Достоинство – способность работать на очень низкоомную, до 1,6 Ом, нагрузку, что позволяет снимать полную мощность при питании от бортовой сети 12 В, а 7-8 Вт – при 6-вольтовом питании, напр., на мотоцикле. Однако выход TDA2004 в классе В некомплементарный (на транзисторах одинаковой проводимости), поэтому звучок точно не Hi-Fi: КНИ 1%, динамика 45 дБ.
Более современная TDA7261 звук дает не лучше, но мощнее, до 25 Вт, т.к. верхний предел напряжения питания увеличен до 25 В. Нижний, 4,5 В, все еще позволяет запитываться от 6 В бортсети, т.е. TDA7261 можно запускать практически от всех бортсетей, кроме самолетной 27 В. С помощью навесных компонент (обвязки, справа на рис.) TDA7261 может работать в режиме мутирования и с функцией St-By (Stand By, ждать), переводящей УМЗЧ в режим минимального энергопотребления при отсутствии входного сигнала в течение определенного времени. Удобства стоят денег, поэтому для стерео нужна будет пара TDA7261 с радиаторами от 250 кв. см. для каждой.
Примечание: если вас чем-то привлекают усилители с функцией St-By, учтите – ждать от них динамики шире 66 дБ не стоит.
«Сверхэкономична» по питанию TDA7482, слева на рис., работающая в т. наз. классе D. Такие УМЗЧ иногда называют цифровыми усилителями, что неверно. Для настоящей оцифровки с аналогового сигнала снимают отсчеты уровня с частотой квантования, не мене чем вдвое большей наивысшей из воспроизводимых частот, величина каждого отсчета записывается помехоустойчивым кодом и сохраняется для дальнейшего использования. УМЗЧ класса D – импульсные. В них аналог непосредственно преобразуется в последовательность широтно-модулированных импульсов (ШИМ) высокой частоты, которая и подается на динамик через фильтр низких частот (ФНЧ).
Звук класса D с Hi-Fi не имеет ничего общего: КНИ в 2% и динамика в 55 дБ для УМЗЧ класса D считаются очень хорошими показателями. И TDA7482 здесь, надо сказать, выбор не оптимальный: другие фирмы, специализирующиеся на классе D, выпускают ИМС УМЗЧ дешевле и требующие меньшей обвязки, напр., D-УМЗЧ серии Paxx, справа на рис.
Из TDAшек следует отметить 4-канальную TDA7385, см. рис., на которой можно собрать хороший усилитель для колонок до среднего Hi-Fi включительно, с разделением частот на 2 полосы или для системы с сабвуфером. Расфильтровка НЧ и СЧ-ВЧ в том и другом случае делается по входу на слабом сигнале, что упрощает конструкцию фильтров и позволяет глубже разделить полосы. А если акустика сабвуферная, то 2 канала TDA7385 можно выделить под суб-УНЧ мостовой схемы (см. ниже), а остальные 2 задействовать для СЧ-ВЧ.
УМЗЧ для сабвуфера
Сабвуфер, что можно перевести как «подбасовик» или, дословно, «подгавкиватель» воспроизводит частоты до 150-200 Гц, в этом диапазоне человеческие уши практически не способны определить направление на источник звука. В АС с сабвуфером «подбасовый» динамик ставят в отельное акустическое оформление, это и есть сабвуфер как таковой. Сабвуфер размещают, в принципе, как удобнее, а стереоэффект обеспечивается отдельными СЧ-ВЧ каналами со своими малогабаритными АС, к акустическому оформлению которых особо серьезных требований не предъявляется. Знатоки сходятся на том, что стерео лучше все же слушать с полным разделением каналов, но сабвуферные системы существенно экономят средства или труд на басовый тракт и облегчают размещение акустики в малогабаритных помещениях, почему и пользуются популярностью у потребителей с обычным слухом и не особо взыскательных.
«Просачивание» СЧ-ВЧ в сабвуфер, а из него в воздух, сильно портит стерео, но, если резко «обрубить» подбасы, что, кстати, очень сложно и дорого, то возникнет очень неприятный на слух эффект перескока звука. Поэтому расфильтровка каналов в сабвуферных системах производится дважды. На входе электрическими фильтрами выделяются СЧ-ВЧ с басовыми «хвостиками», не перегружающими СЧ-ВЧ тракт, но обеспечивающими плавный переход на подбас. Басы с СЧ «хвостиками» объединяются и подаются на отдельный УМЗЧ для сабвуфера. Дофильтровываются СЧ, чтобы не портилось стерео, в сабвуфере уже акустически: подбасовый динамик, ставят, напр., в перегородку между резонаторными камерами сабвуфера, не выпускающими СЧ наружу, см. справа на рис.
К УМЗЧ для сабвуфера предъявляется ряд специфических требований, из которых «чайники» главным считают возможно большую мощность. Это совершенно неправильно, если, скажем, расчет акустики под комнату дал для одной колонки пиковую мощность W, то мощность сабвуфера нужна 0,8(2W) или 1,6W. Напр., если для комнаты подходят АС S-30, то сабвуфер нужен 1,6х30=48 Вт.
Гораздо важнее обеспечить отсутствие фазовых и переходных искажений: пойдут они – перескок звука обязательно будет. Что касается КНИ, то он допустим до 1% Собственные искажения басов такого уровня не слышны (см. кривые равной громкости), а «хвосты» их спектра в лучше всего слышимой СЧ области не выберутся из сабвуфера наружу.
Во избежание фазовых и переходных искажений усилитель для сабвуфера строят по т. наз. мостовой схеме: выходы 2-х идентичных УМЗЧ включают встречно через динамик; сигналы на входы подаются в противофазе. Отсутствие фазовых и переходных искажений в мостовой схеме обусловлено полной электрической симметрией путей выходного сигнала. Идентичность усилителей, образующих плечи моста, обеспечивается применением спаренных УМЗЧ на ИМС, выполненных на одном кристалле; это, пожалуй, единственный случай, когда усилитель на микросхемах лучше дискретного.
Примечание: мощность мостового УМЗЧ не удваивается, как думают некоторые, она определяется напряжением питания.
Пример схемы мостового УМЗЧ для сабвуфера в комнату до 20 кв. м (без входных фильтров) на ИМС TDA2030 дан на рис. слева. Дополнительная отфильтровка СЧ осуществляется цепями R5C3 и R’5C’3. Площадь радиатора TDA2030 – от 400 кв. см. У мостовых УМЗЧ с открытым выходом есть неприятная особенность: при разбалансе моста в токе нагрузки появляется постоянная составляющая, способная вывести из строя динамик, а схемы защиты на подбасах часто глючат, отключая динамик, когда не надо. Поэтому лучше защитить дорогую НЧ головку «дубово», неполярными батареями электролитических конденсаторов (выделено цветом, а схема одной батареи дана на врезке.
Немного об акустике
Акустическое оформление сабвуфера – особая тема, но раз уж здесь дан чертеж, то нужны и пояснения. Материал корпуса – МДФ 24 мм. Трубы резонаторов – из достаточно прочного не звенящего пластика, напр., полиэтилена. Внутренний диаметр труб – 60 мм, выступы внутрь 113 мм в большой камере и 61 в малой. Под конкретную головку громкоговорителя сабвуфер придется перенастроить по наилучшему басу и, одновременно, по наименьшему влиянию на стереоэффект. Для настройки трубы берут заведомо большей длины и, задвигая-выдвигая, добиваются требуемого звучания. Выступы труб наружу на звук не влияют, их потом отрезают. Настройка труб взаимозависима, так что повозиться придется.
Усилитель для наушников
Усилитель для наушников делают своими руками чаще всего по 2-м причинам. Первая – для слушания «на ходу», т.е. вне дома, когда мощности аудиовыхода плеера или смартфона не хватает для раскачки «пуговок» или «лопухов». Вторая – для высококлассных домашних наушников. Hi-Fi УМЗЧ для обычной жилой комнаты нужен с динамикой до 70-75 дБ, но динамический диапазон лучших современных стереонаушников превышает 100 дБ. Усилитель с такой динамикой стоит дороже некоторых автомобилей, а его мощность будет от 200 Вт в канале, что для обычной квартиры слишком много: прослушивание на сильно заниженной против номинальной мощности портит звук, см. выше. Поэтому имеет смысл сделать маломощный, но с хорошей динамикой отдельный усилитель именно для наушников: цены на бытовые УМЗЧ с таким довеском завышены явно несуразно.
Схема простейшего усилителя для наушников на транзисторах дана на поз. 1 рис. Звук – разве что для китайских «пуговок», работает в классе B. Экономичностью тоже не отличается – 13-мм литиевых батареек хватает на 3-4 часа при полной громкости. На поз. 2 – TDAшная классика для наушников «на ход». Звук, впрочем, дает вполне приличный, до среднего Hi-Fi смотря по параметрам оцифровки трека. Любительским усовершенствованиям обвязки TDA7050 несть числа, но перехода звука на следующий уровень классности пока не добился никто: сама «микруха» не позволяет. TDA7057 (поз. 3) просто функциональнее, можно подключать регулятор громкости на обычном, не сдвоенном, потенциометре.
УМЗЧ для наушников на TDA7350 (поз. 4) рассчитан уже на раскачку хорошей индивидуальной акустики. Именно на этой ИМС собраны усилители для наушников в большинстве бытовых УМЗЧ среднего и высокого класса. УМЗЧ для наушников на KA2206B (поз. 5) считается уже профессиональным: его максимальной мощности в 2,3 Вт хватает и для раскачки таких серьезных изодинамических «лопухов», как ТДС-7 и ТДС-15.
С целью увеличения силы сигнала, особенно в звуковом диапазоне, применяются усилители низких частот (УНЧ). Преобразование, осуществляемое при помощи таких устройств, позволяет легче улавливать и воспринимать звук, поступающий от излучателя.
Усилители, обеспечивающие изменение частоты до 10-100 МГц, комплектуются по сходному принципу, и основным отличием их схем является уровень ёмкости используемого конденсатора, которая рассчитывается исходя из соотношения сигналов поставляемой низкой и производимой высокой частот. То есть, чем сильнее становится сигнал, тем меньше должна быть ёмкость конденсатора.
Использование именно транзисторных усилителей оправдано тем, что они не нуждаются в предварительном прогреве до начала работы (по сравнению, например, с DIY-ламповыми усилителями) и отличаются долговечностью, безопасностью, доступностью.
Чтобы обеспечить достаточную громкость воспроизведения звука понадобится усилитель с двумя-тремя каскадами. При этом один из них – выходной (оконечный), а другой (другие) – каскады предварительного усиления. Выходной каскад как раз и выдаёт окончательный результат усиления сигнала. С точки зрения экономии может быть довольно простым (особенно подходит для нестационарных конструкций). На схемах транзисторы в усилительных каскадах обозначаются как V1 (V2, V3…) в соответствии с очерёдностью каскада. В двухкаскадной конструкции между транзисторами находится месторасположение разделительного конденсатора. Однокаскадный и двухкаскадный усилитель функционируют практически одинаково, кроме того момента, что на предварительный каскад нагрузка идёт от резистора, а на выходной – от динамика.Питает оба каскада один источник (его роль могут выполнять как батареи, так и выпрямители).
В зависимости от структуры используемых транзисторов (n-p-n или p-n-p) понадобится в одном случае подключение к положительной полярности батареи, а в другом – к отрицательной. Включающая полярность соответственно так же будет различаться.
При сборке усилителя следует в первую очередь смонтировать только один каскад и соединить его с конденсатором. После подсоединить к выводу конденсатора и заземлённому источнику питания динамик. Потом попробовать подать на вход усилителя слабый сигнал. Настроить резистор (путём подбора сопротивления) так, чтобы громкость была наибольшей. Если сигнал, который пошёл на динамик, вас устраивает, то можно продолжить сборку. Наиболее подходящий уровень питающего напряжения этой схемы – 4,5 Вольт.
Когда выходной каскад будет готов, то необходимо включить динамик в коллекторную цепь.
Работа подобной схемы не отличается сложностью, но очень зависит от качества и характеристик входящих в неё элементов. К тому же, возможно, что она не покажется достаточно компактной.
Обычно для наушников усилитель собирается по самой простой двухкаскадной схеме с двумя транзисторами (подойдёт КТ315 или его аналоги). Самым слабым местом этого устройства является точность подбора напряжения питающего эмиттер, базу и коллектор. Мало того, на базу поступает напряжение двух разновидностей: положительное и отрицательное. Если выбранные для конструкции резисторы будут обеспечивать наименьшее требуемое для базы напряжение, то усилитель будет работать нормально.
Для бесперебойной работы такого устройства потребуется напряжение более 5 Вольт. При дополнении конструкции микросхемой (например, TDA 2822) на выходе получится:
Когда все материалы подготовлены, следует наметить, как будут расположены детали относительно поверхности платы, и обозначить дорожки(на них следует нанести лак или воспользоваться лазерным принтером для нанесения схемы).
Главной задачей при сборке усилителя будет изготовление печатной платы. Это совсем нетрудно при наличии специальной программы для оформления плат. При отсутствии таковой можно воспользоваться обычным графическим редактором с соблюдением всех замеров и обозначением расположения соединений и выводов. Результат при помощи принтера переносится на глянцевую бумагу. Жирность печати – максимальная. Схема плотно скрепляется с фольгой. После нужно несколько раз пройтись горячим утюгом по плате, пока красящий компонент с бумаги не перейдёт на фольгу (не забудьте предварительно обезжирить плату). Бумага аккуратно смачивается тёплой водой и снимается. Схема остаётся на фольге. Далее нужно будет потравить печатную плату в растворе хлорного железа до полного уничтожения меди. Потом останется только вмонтировать все компоненты в соответствии со схемой. Питание можно подключить только после того, как будет проверена правильность установки всех элементов.
Для желающих осуществить сборку усилителя звука на транзисторах своими руками существует ряд нехитрых рекомендаций:
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на , буду рад если вы найдете на моем еще что-нибудь полезное.
Сейчас в интернете можно найти огромное количество схем различных усилителей на микросхемах, преимущественно серии TDA. Они обладают достаточно неплохими характеристиками, хорошим КПД и стоят не так уж и дорого, в связи с этим и пользуются такой популярностью. Однако на их фоне незаслуженно остаются забытыми транзисторные усилители, которые хоть и сложны в настройке, но не менее интересны.
В отличие от усилителей на микросхемах, транзисторные усилители требуют тщательной настройки и подбора транзисторов. Эта схема – не исключение, хоть она и выглядит предельно простой. Транзистор VT1 – входной, структуры PNP. Можно экспериментировать с различными маломощными PNP-транзисторами, в том числе и с германиевыми, например, МП42. Хорошо себя зарекомендовали в этой схеме в качестве VT1 такие транзисторы, как 2N3906, BC212, BC546, КТ361. Транзистор VT2 – структуры NPN, средней или малой мощности, сюда подойдут КТ801, КТ630, КТ602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165. Особое внимание стоит уделить выходным транзисторам VT3 и VT4, а точнее, их коэффициенту усиления. Сюда хорошо подходят КТ805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. Нужно отобрать два одинаковых транзистора с как можно более близким коэффициентом усиления, при этом он должен более 120. Если коэффициент усиления выходных транзисторов меньше 120, значит в драйверный каскад (VT2) нужно поставить транзистор с большим усилением (300 и более).
виды, схемы, простые и сложные. Усилитель с трансформаторным выходом
Время чтения ≈ 6 минут
Усилители – наверное, одни из первых устройств, которые начинают конструировать радиолюбители-новички. Собирая УНЧ на транзисторах своими руками при помощи готовой схемы, многие используют микросхемы.
Транзисторные усилители хоть и отличаются огромным числом , но каждый радиоэлектронщик постоянно стремится сделать что-то новое, более мощное, более сложное, интересное.
Более того, если вам нужен качественный, надежный усилитель, то стоит смотреть в сторону именно транзисторных моделей. Ведь, именно они наиболее дешевые, способны выдавать чистый звук, и их легко сконструирует любой новичок.
Поэтому, давайте разберемся, как сделать самодельный усилитель НЧ класса B.
Примечание! Да-да, усилители класса B тоже могут быть хорошими. Многие говорят, что качественный звук могут выдавать лишь ламповые устройства. Отчасти это правда. Но, взгляните на их стоимость.
Более того, собрать такое устройство дома – задача далеко не из легких. Ведь вам придется долго искать нужные радиолампы, после чего покупать их по довольно высокой цене. Да и сам процесс сборки и пайки требует какого-то опыта.
Поэтому, рассмотрим схему простого, и в то же время качественного усилителя низкой частоты, способного выдавать звук мощность 50 Вт.
Старая, но проверенная годами схема из 90-х
Схема УНЧ, который мы будем собирать, впервые была опубликована в журнала «Радио» за 1991 год. Ее успешно собрали сотни тысяч радиолюбителей. Причем, не только для и улучшения мастерства, но и для использования в своих аудиосистемах.
Итак, знаменитый усилитель низкой частоты Дорофеева:
Уникальность и гениальность этой схемы кроется в ее простоте. В этом УНЧ применяется минимальное количество радиоэлементов, и предельно простой источник питания. Но, устройство способно «брать» нагрузку в 4 Ома, и обеспечивать выходную мощность в 50 Вт, чего вполне достаточно для домашней или автомобильной акустической системы.
Многие электротехники совершенствовали, дорабатывали эту схему. И. для удобства мы взяли самый современный ее вариант, заменив старые компоненты на новые, чтобы вам было проще конструировать УНЧ:
Описание схемы усилителя низких частот
В этом «переработанном» Доровеевском УНЧ были использованы уникальные и наиболее эффективные схематические решения. К примеру, сопротивление R12. Этот резистор ограничивает ток на коллекторе выходного транзистора, тем самым ограничивая максимальную мощность усилителя.
Важно! Не стоит менять номинал R12, чтобы увеличить выходную мощность, так как он подобран именно под те компоненты, что применяются в схеме. Этот резистор защищает всю схему от коротких замыканий .
Выходной каскад транзисторов:
Тот самый R12 «вживую»:
Резистор R12 должен иметь мощность на 1 Вт, если под рукой такого нет – берите на полватта. Он имеет параметры, обеспечивающие коэффициент нелинейных искажений до 0,1% на частоте в 1 кГц, и не более 0,2% при 20 кГц. То есть, на слух никаких изменений вы не заметите. Даже при работе на максимальной мощности.
Блок питания нашего усилителя нужно подобрать двухполярный, с выходными напряжениями в пределах 15-25 В (+- 1 %):
Чтобы «поднять» мощность звука, можно увеличить напряжение. Но, тогда придется параллельно произвести замену транзисторов в оконечном каскаде схемы. Заменить их нужно на более мощные, после чего провести перерасчет нескольких сопротивлений.
Компоненты R9 и R10 должны иметь номинал, в соответствии с подающимся напряжением:
Они, с помощью стабилитрона, ограничивают проходящий ток. В этой же части цепи собирается параметрический стабилизатор, который нужен для стабилизации напряжения и тока перед операционным усилителем:
Пара слов о микросхеме TL071 – «сердце» нашего УНЧ. Ее считают отличным операционным усилителем, которые встречается как в любительских конструкциях, так и в профессиональной аудиоаппаратуре. Если нет подходящего операционника, его можно заменить на TL081:
Вид «в реальности» на плате:
Важно! Если вы решите применять в этой схеме какие-либо другие операционные усилители, внимательно изучайте их распиновку, ведь «ножки» могут иметь другие значения .
Для удобства микросхему TL071 стоит монтировать на предварительно впаянную в плату пластиковую панельку. Так можно будет быстро заменить компонент на другой в случае необходимости.
Полезно знать! Для ознакомления представим вам еще одну схему этого УНЧ, но без усиливающей микросхемы. Устройство состоит исключительно из транзисторов, но собирается крайне редко ввиду устаревания и неактуальности.
Чтобы было удобнее, мы постарались сделать печатную плату минимальной по размерам – для компактности и простоты монтажа в аудиосистему:
Все перемычки на плате нужно запаивать сразу же после травления.
Транзисторные блоки (входного и выходного каскада) нужно монтировать на общий радиатор. Разумеется, они тщательно изолируются от теплоотвода.
На схеме они здесь:
А тут на печатной плате:
Если в наличии нет готовых, радиаторы можно изготовить из алюминиевых или медных пластин:
Транзисторы выходного каскада должны иметь рассеиваемую мощность как минимум в 55 Вт, а еще лучше – 70 или целых 100 Вт. Но, этот параметр зависит от подающегося на плату напряжения питания.
Из схемы понятно, что на входном и выходном каскаде применяется по 2 комплементарных транзистора. Нам важно подобрать их по усиливающему коэффициенту. Чтобы определить этот параметр, можно взять любой мультиметр с функцией проверки транзисторов:
Если такого устройства у вас нет, тогда придется одолжить у какого-то мастерам транзисторный тестер:
Стабилитроны стоит подбирать по мощности на полватта. Напряжение стабилизации у них должно составлять 15-20 В:
Блок питания. Если вы планируете смонтировать на свой УНЧ трансформаторный БП, тогда подберите конденсаторы-фильтры с емкостью как минимум 5 000 мкФ. Тут чем больше – тем лучше.
Собранный нами усилитель низких частот относится к B-классу. Работает он стабильно, обеспечивая почти кристально-чистое звучание. Но, БН лучше всего подбирать так, чтобы он мог работать не на всю мощность. Оптимальный вариант – трансформатор габаритной мощностью минимум в 80 Вт.
Вот и все. Мы разобрались, как собрать УНЧ на транзисторах своими руками с помощью простой схемы, и как его в будущем можно усовершенствовать. Все компоненты устройства найдутся , а если их нет – стоит разобрать пару-тройку старых магнитофонов или заказать радиодетали в интернете (стоят они практически копейки).
Редакция сайта «Две Схемы» представляет простой, но качественный усилитель НЧ на транзисторах MOSFET. Его схема должна быть хорошо известна радиолюбителям аудиофилам, так как ей уже лет 20. Схема является разработкой знаменитого Энтони Холтона, поэтому её иногда так и называют — УНЧ Holton. Система усиления звука имеет низкие гармонические искажения, не превышающие 0,1%, при мощности на нагрузку порядка 100 Ватт.
Данный усилитель является альтернативой для популярных усилителей серии TDA и подобных попсовых, ведь при чуть большей стоимости можно получить усилитель с явно лучшими характеристиками.
Большим преимуществом системы является простая конструкция и выходной каскад, состоящий из 2-х недорогих МОП-транзисторов. Усилитель может работать с динамиками сопротивлением как 4, так и 8 Ом. Единственной настройкой, которую необходимо выполнить во время запуска — будет установка значения тока покоя выходных транзисторов.
Принципиальная схема УМЗЧ Holton
Усилитель Холтон на MOSFET — схема
Схема является классическим двухступенчатым усилителем, он состоит из дифференциального входного усилителя и симметричного усилителя мощности, в котором работает одна пара силовых транзисторов. Схема системы представлена выше.
Печатная плата
Печатная плата УНЧ — готовый вид
Вот архив с PDF файлами печатной платы — .
Принцип работы усилителя
Транзисторы Т4 (BC546) и T5 (BC546) работают в конфигурации дифференциального усилителя и рассчитаны на питание от источника тока, построенного на основе транзисторов T7 (BC546), T10 (BC546) и резисторах R18 (22 ком), R20 (680 Ом) и R12 (22 ком). Входной сигнал подается на два фильтра: нижних частот, построенный из элементов R6 (470 Ом) и C6 (1 нф) — он ограничивает ВЧ компоненты сигнала и полосовой фильтр, состоящий из C5 (1 мкф), R6 и R10 (47 ком), ограничивающий составляющие сигнала на инфранизких частотах.
Нагрузкой дифференциального усилителя являются резисторы R2 (4,7 ком) и R3 (4,7 ком). Транзисторы T1 (MJE350) и T2 (MJE350) представляют собой еще один каскад усиления, а его нагрузкой являются транзисторы Т8 (MJE340), T9 (MJE340) и T6 (BD139).
Конденсаторы C3 (33 пф) и C4 (33 пф) противодействуют возбуждению усилителя. Конденсатор C8 (10 нф) включенный параллельно R13 (10 ком/1 В), улучшает переходную характеристику УНЧ, что имеет значение для быстро нарастающих входных сигналов.
Транзистор T6 вместе с элементами R9 (4,7 ком), R15 (680 Ом), R16 (82 Ом) и PR1 (5 ком) позволяет установить правильную полярность выходных каскадов усилителя в состоянии покоя. С помощью потенциометра необходимо установить ток покоя выходных транзисторов в пределах 90-110 мА, что соответствует падению напряжения на R8 (0,22 Ом/5 Вт) и R17 (0,22 Ом/5 Вт) в пределах 20-25 мВ. Общее потребление тока в режиме покоя усилителя должен быть в районе 130 мА.
Выходными элементами усилителя являются МОП-транзисторы T3 (IRFP240) и T11 (IRFP9240). Транзисторы эти устанавливаются как повторитель напряжения с большим максимальным выходным током, таким образом, первые 2 каскада должны раскачать достаточно большую амплитуду для выходного сигнала.
Резисторы R8 и R17 были применены, в основном, для быстрого измерения тока покоя транзисторов усилителя мощности без вмешательства в схему. Могут они также пригодиться в случае расширения системы на еще одну пару силовых транзисторов, из-за различий в сопротивлении открытых каналов транзисторов.
Резисторы R5 (470 Ом) и R19 (470 Ом) ограничивают скорость зарядки емкости проходных транзисторов, а, следовательно, ограничивают частотный диапазон усилителя. Диоды D1-D2 (BZX85-C12V) защищают мощные транзисторы. С ними напряжение при запуске относительно источников питания у транзисторов не должно быть больше 12 В.
На плате усилителя предусмотрены места для конденсаторов фильтра питания С2 (4700 мкф/50 в) и C13 (4700 мкф/50 в).
Самодельный транзисторный УНЧ на МОСФЕТ
Управление питается через дополнительный RC фильтр, построенный на элементах R1 (100 Ом/1 В), С1 (220 мкф/50 в) и R23 (100 Ом/1 В) и C12 (220 мкф/50 в).
Источник питания для УМЗЧ
Схема усилителя обеспечивает мощность, которая достигает реальных 100 Вт (эффективное синусоидальная), при входном напряжении в районе 600 мВ и сопротивлением нагрузки 4 Ома.
Усилитель Холтон на плате с деталями
Рекомендуемый трансформатор — тороид 200 Вт с напряжением 2х24 В. После выпрямления и сглаживания должно получиться двух полярное питание усилители мощности в районе +/-33 Вольт. Представленная здесь конструкция является модулем монофонического усилителя с очень хорошими параметрами, построенного на транзисторах MOSFET, который можно использовать как отдельный блок или в составе .
Читатели! Запомните ник этого автора и никогда не повторяйте его схемы.
Модераторы! Прежде чем меня забанить за оскорбления, подумайте, что Вы «подпустили к микрофону» обыкновенного гопника, которого даже близко нельзя подпускать к радиотехнике и, тем более, к обучению начинающих.
Во-первых, при такой схеме включения, через транзистор и динамик пойдет большой постоянный ток, даже если переменный резистор будет в нужном положении, то есть будет слышно музыку. А при большом токе повреждается динамик, то есть, рано или поздно, он сгорит.
Во-вторых, в этой схеме обязательно должен быть ограничитель тока, то есть постоянный резистор, хотя бы на 1 КОм, включенный последовательно с переменным. Любой самоделкин повернет регулятор переменного резистора до упора, у него станет нулевое сопротивление и на базу транзистора пойдет большой ток. В результате сгорит транзистор или динамик.
Переменный конденсатор на входе нужен для защиты источника звука (это должен обьяснить автор, ибо сразу же нашелся читатель, который убрал его просто так, считая себя умнее автора). Без него будут нормально работать только те плееры, в которых на выходе уже стоит подобная защита. А если ее там нет, то выход плеера может повредиться, особенно, как я сказал выше, если выкрутить переменный резистор «в ноль». При этом на выход дорогого ноутбука подастся напряжение с источника питания этой копеечной безделушки и он может сгореть. Самоделкины, очень любят убирать защитные резисторы и конденсаторы, потому-что «работает же!» В результате, с одним источником звука схема может работать, а с другим нет, да еще и может повредиться дорогой телефон или ноутбук.
Переменный резистор, в данной схеме должен быть только подстроечным, то есть регулироваться один раз и закрываться в корпусе, а не выводиться наружу с удобной ручкой. Это не регулятор громкости, а регулятор искажений, то есть им подбирается режим работы транзистора, чтобы были минимальные искажения и чтобы из динамика не шел дым. Поэтому он ни в коем случае не должен быть доступен снаружи. Регулировать громкость, путем изменения режима НЕЛЬЗЯ. За это нужно «убивать». Если очень хочется регулировать громкость, проще включить еще один переменный резистор последовательно с конденсатором и вот его уже можно выводить на корпус усилителя.
Вообще, для простейших схем — и чтобы заработало сразу и чтобы ничего не повредить, нужно покупать микросхему типа TDA (например TDA7052, TDA7056… примеров в интернете множество) , а автор взял случайный транзистор, который завалялся у него в столе. В результате доверчивые любители будут искать именно такой транзистор, хотя коэффициент усиления у него всего 15, а допустимый ток аж 8 ампер (сожгет любой динамик даже не заметив).
Усилитель на одном транзисторе — здесь представлена конструкция простого УНЧ на одном транзисторе. Именно с подобных схем многие радиолюбители начинали свой путь. Однажды собрав несложный усилитель мы всегда стремимся изготовить более мощное и качественное устройство. И так все идет по нарастающей, всегда присутствует желание изготовить безупречный усилитель мощности.
Показанная ниже простейшая схема усилителя выполнена на одном биполярном транзисторе и шести электронных компонентах, включая динамик. Эта конструкция прибора усиливающего звук низкой частоты, создана как раз для начинающих радиолюбителей. Основная ее цель, это дать понять простой принцип работы усилителя, поэтому она собрана с использованием минимального количества радиоэлектронных элементов.
Этот усилитель естественно обладает небольшой мощностью, для начала она большая и не нужна. Однако, если установить более мощный транзистор и поднять немного напряжение питания, то на выходе можно получить примерно 0,5 Вт. А это уже считается довольно приличной мощностью для усилителя имеющего такую конструкцию. На схеме, для наглядности применен биполярный транзистор c проводимостью n-p-n, вы же можете использовать любые и с любой проводимостью.
Чтобы получить 0,5 Вт на выходе, то лучше всего применить мощные биполярные транзисторы типа КТ819 либо их зарубежные аналоги, например 2N6288, 2N5490. Также можно использовать кремневые транзисторы типа КТ805 их зарубежный аналог — BD148, BD149. Конденсатор в цепи выходного тракта можно установить 0,1mF, хотя его номинальное значение не играет большой роли. Тем не менее он формирует чувствительность прибора относительно частоты звукового сигнала.
Если поставить конденсатор имеющий большую емкость, то тогда на выходе будут преимущественно низкие частоты, а высокие будут срезаться. И наоборот, если емкость будет маленькая, то будут резаться низкие частоты, а высокие пропускаться. Поэтому, этот выходной конденсатор подбирается и устанавливается исходя из ваших предпочтений относительно звукового диапазона. Напряжение питания для схемы нужно выбирать в пределах от 3v — до 12v.
Хотелось бы еще пояснить — данный усилитель мощности представлен вам только в демонстрационных целях, показать принцип работы такого устройства. Звучание этого аппарата конечно будет на низком уровне и не идет ни в какое сравнение с высококачественными устройствами. При усилении громкости воспроизведения, в динамике будут возникать искажения в виде хрипов.
Схема № 1
Выбор класса усилителя . Сразу предупредим радиолюбителя — делать усилитель класса A на транзисторах мы не будем. Причина проста — как было сказано во введении, транзистор усиливает не только полезный сигнал, но и поданное на него смещение. Проще говоря, усиливает постоянный ток. Ток этот вместе с полезным сигналом потечет по акустической системе (АС), а динамики, к сожалению, умеют этот постоянный ток воспроизводить. Делают они это самым очевидным образом — вытолкнув или втянув диффузор из нормального положения в противоестественное.
Попробуйте прижать пальцем диффузор динамика — и вы убедитесь, в какой кошмар превратится при этом издаваемый звук. Постоянный ток по своему действию с успехом заменяет ваши пальцы, поэтому динамической головке он абсолютно противопоказан. Отделить же постоянный ток от переменного сигнала можно только двумя средствами — трансформатором или конденсатором, — и оба варианта, что называется, один хуже другого.
Принципиальная схема
Схема первого усилителя, который мы соберем, приведена на рис. 11.18.
Это усилитель с обратной связью, выходной каскад которого работает в режиме В. Единственное достоинство этой схемы — простота, а также однотипность выходных транзисторов (не требуется специальные комплементарные пары). Тем не менее, она достаточно широко применяется в усилителях небольшой мощности. Еще один плюс схемы — она не требует никакой настройки, и при исправных деталях заработает сразу, а нам это сейчас очень важно.
Рассмотрим работу этой схемы. Усиливаемый сигнал подается на базу транзистора VT1. Усиленный этим транзистором сигнал с резистора R4 подается на базу составного транзистора VT2, VT4, а с него — на резистор R5.
Транзистор VT3 включен в режиме эмиттерного повторителя. Он усиливает положительные полуволны сигнала на резисторе R5 и подает их через конденсатор C4 на АС.
Отрицательные же полуволны усиливает составной транзистор VT2, VT4. При этом падение напряжения на диоде VD1 закрывает транзистор VT3. Сигнал с выхода усилителя подается на делитель цепи обратной связи R3, R6, а с него — на эмиттер входного транзистора VT1. Таким образом, транзистор VT1 у нас и играет роль устройства сравнения в цепи обратной связи.
Постоянный ток он усиливает с коэффициентом усиления, равным единице (потому что сопротивление конденсатора C постоянному току теоретически бесконечно), а полезный сигнал — с коэффициентом, равным соотношению R6/R3.
Как видим, величина емкостного сопротивления конденсатора в этой формуле не учитывается. Частота, начиная с которой конденсатором при расчетах можно пренебречь, называется частотой среза RC-цепочки. Частоту эту можно рассчитать по формуле
F = 1 / (R×C) .
Для нашего примера она будет около 18 Гц, т. е. более низкие частоты усилитель будет усиливать хуже, чем он мог бы.
Плата . Усилитель собран на плате из одностороннего стеклотекстолита толщиной 1.5 мм размерами 45×32.5 мм. Разводку печатной платы в зеркальном изображении и схему расположения деталей можно скачать . Видеоролик о работе усилителя в формате MOV скачать для просмотра можно . Хочу сразу предупредить радиолюбителя — звук, воспроизводимый усилителем, записывался в ролике с помощью встроенного в фотоаппарат микрофона, так что говорить о качестве звука, к сожалению, будет не совсем уместно! Внешний вид усилителя приведен на рис. 11.19.
Элементная база . При изготовлении усилителя транзисторы VT3, VT4 можно заменить любыми, рассчитанными на напряжение не менее напряжения питания усилителя, и допустимым током не менее 2 А. На такой же ток должен быть рассчитан и диод VD1.
Остальные транзисторы — любые с допустимым напряжением не менее напряжение питания, и допустимым током не менее 100 мА. Резисторы — любые с допустимой рассеиваемой мощностью не менее 0.125 Вт, конденсаторы — электролитические, с емкостью, не менее указанной на схеме, и рабочим напряжением на менее напряжения питания усилителя.
Радиаторы для усилителя . Прежде чем попробовать изготовить нашу вторую конструкцию, давайте, уважаемый радиолюбитель, остановимся на радиаторах для усилителя и приведем здесь весьма упрощенную методику их расчета.
Во-первых, вычисляем максимальную мощность усилителя по формуле:
P = (U × U) / (8 × R), Вт ,
где U — напряжение питания усилителя, В; R — сопротивление АС (обычно оно составляет 4 или 8 Ом, хотя бывают и исключения).
Во-вторых, вычисляем мощность, рассеиваемую на коллекторах транзисторов, по формуле:
P рас = 0,25 × P, Вт .
В-третьих, вычисляем площадь радиатора, необходимую для отвода соответствующего количества тепла:
S = 20 × P рас, см 2
В-четвертых, выбираем или изготавливаем радиатор, площадь поверхности которого будет не менее рассчитанной.
Указанный расчет носит весьма приблизительный характер, но для радиолюбительской практики его обычно бывает достаточно. Для нашего усилителя при напряжении питания 12 В и сопротивлении АС, равным 8 Ом, «правильным» радиатором была бы алюминиевая пластина размерами 2×3 см и толщиной не менее 5 мм для каждого транзистора. Имейте ввиду, что более тонкая пластина плохо передает тепло от транзистора к краям пластины. Хочется сразу предупредить — радиаторы во всех остальных усилителях тоже должны быть «нормальных» размеров. Каких именно — посчитайте сами!
Качество звучания . Собрав схему, вы обнаружите, что звук усилителя не совсем чистый.
Причина этого — «чистый» режим класса В в выходном каскаде, характерные искажения которого даже обратная связь полностью скомпенсировать не способна. Ради эксперимента попробуйте заменить в схеме транзистор VT1 на КТ3102ЕМ, а транзистор VT2 — на КТ3107Л. Эти транзисторы имеют значительно больший коэффициент усиления, чем КТ315Б и КТ361Б. И вы обнаружите, что звучание усилителя значительно улучшилось, хотя все равно останутся заметными некоторые искажения.
Причина этого также очевидна — больший коэффициент усиления усилителя в целом обеспечивает большую точность работы обратной связи, и больший ее компенсирующий эффект.
Продолжение читайте
Схема УНЧ на псевдо IGBT-транзисторах | Микросхема
Рад приветствовать всех любителей радиоэлектроники и радиотехники. Для начала хочу поблагодарить всех постоянных посетителей и читателей сайта за полезные и нужные советы, за ту неоценимую помощь, которую вы оказываете начинающим радиолюбителям и в целом всему сообществу электронщиков. Наша площадка стала хорошим форумом для обсуждения электротехнических вопросов, возникающих в ходе конструирования различных приборов, устройств и аппаратов. В дальнейшем планируется модернизация сайта с целью повышения удобства поиска, использования и публикации материалов, ведения дискуссий, а также наполнение новыми, актуальными схемами и конструкциями.
Сегодня предлагаю всем любителям УНЧ и звукотехники на тестирование и обсуждение схему УНЧ на псевдо IGBT транзисторах. Почему на «псевдо»? Ответим на этот вопрос и одновременно на комментарий уважаемого радиолюбителя так. IGBT-транзистор сам по себе представляет некий гибрид полевого и биполярного транзисторов. Дословно на русский язык эта аббревиатура переводится, как «биполярный транзистор с изолированным затвором». Основное применение IGBT, для чего, собственно, они и разрабатывались, нашли в силовой электронике. Это, однако, не означает того, что их вовсе нельзя использовать в усилительной аппаратуре. Можно. Но все дело упирается в качественной составляющей таких усилителей. Как говорится, Hi end усилитель не собрать! Впрочем, это не мешает прагматичным немцам «впаривать» свои разработки на специально разработанных IGBT транзисторах
за бешеные деньги под видом усилителей класса Hi-End (в авторской публикации названа цена в 200 000 долларов!). Однако, если изучить характеристики таких транзисторов, имеющихся в продаже, можно сделать вывод, что ни один из них для высококачественного воспроизведения звука не подходит. Все-таки сказывается их основное предназначение. Так вот, непосредственно сами IGBT использовать в Hi-End классе нельзя, но можно найти им отличную замену.
В данном варианте УМЗЧ роль псевдо IGBT отводится общеизвестной комбинации из составного транзистора Дарлингтона с полевым транзистором на входе. Ведь это, по сути, тот же IGBT-транзистор, только выполненный на двух кристаллах, но с очень хорошими характеристиками с точки зрения звуковоспроизведения. Так автором (А.Шедный, город Омск) была разработана схема УМЗЧ, изображенная на рисунке ниже. За что ему огромное спасибо.
Техническая характеристика УЗЧ
По схемотехническому исполнению УЗЧ представляет собой симметричный одноканальный усилитель мощности низкой частоты, претендующий на класс Hi-End. Основные технические характеристики следующие. Номинальная выходная мощность усилителя на нагрузку 4 Ом составляет 225 ватт. Диапазон воспроизводимых частот колеблется в пределах 5…160000 Гц. Коэффициент нелинейных искажений при частоте в 1 кГц составляет порядка 0,001%, при 20 кГц – 0,008%. Отношение сигнал/шум = 110 дБ.
Краткое описание УНЧ
Звуковой сигнал через пленочный конденсатор С1 подается на регулятор громкости R1 фирмы ALPS. Следует заметить, что в случае применения в регуляторе громкости УМЗЧ отечественного потенциометра типа СП3-30в может наблюдаться нелинейность АЧХ на разных уровнях громкости. Входной каскад усилителя мощности звука выполнен на транзисторах VT1, VT7 и VT2, VT8 с каскодной нагрузкой VTЗ, VT5 и VТ4, VT6 и стабилизированными источниками тока для их питания VT10, VT9. Конденсаторы C7…C10 и C13…C16 необходимы для устранения самовозбуждения УМЗЧ. Выходной каскад УМЗЧ, как уже упоминалось выше, собран по схеме составного транзистора Дарлингтона с “раскачкой” на комплементарной паре VT15, VT16 полевых транзисторов фирмы Hitachi —2SK1058 и 2SJ162 (они же стоят в двухтактном каскоде). В качестве выходных транзисторов VТ17…VТ20 использована комплементарная пара Hi-End транзисторов фирмы National Semiconductor — NJL4281D и NJL4302D с встроенными диодами-датчиками температуры кристаллов транзисторов (VD7…VD10). По справедливому замечанию автора относительно аннотации фирмы на эти транзисторы, где сказано, что изменения падения напряжения на диодах-датчиках вполне достаточно для обеспечения температурной стабилизации выходного каскада, схема УМЗЧ дополнена проверенной схемой термостабилизации на терморезисторе R32, с подобранным, соответственно, его номиналом. Поскольку при достаточно большой выходной мощности диоды не справляются, и транзисторы начинают перегреваться. Выходной фильтр R43-C34-L1-R44, ввиду использования на выходе биполярных транзисторов, упрощен.
О радиодеталях
В схеме усилителя звука применяются пленочные полипропиленовые (типа МКР фирмы MUNDORF) конденсаторы (C1, С28) и керамические многослойные (импортный аналог К15-5 на напряжение 1600 В) конденсаторы (C2, C7…C10, С17, С18, С22…С24, С27, С29). Постоянные резисторы — импортные, металлооксидные, типа МО или МО-S. Подстроечные резисторы (R8, R24, R31) — типа 3296W-1-100LF (импортный аналог отечественного СП5-2ВБ). Мощные резисторы (R14, R23, R28, R39…R43) — металлооксидные, типа МОХ (фирмы MUNDORF).
Добавлено: продолжение ниже
Обсуждайте в социальных сетях и микроблогах
Метки: акустика, УНЧ
Радиолюбителей интересуют электрические схемы:
Схема УМЗЧ с усилителем напряжения по схеме с общей базой
Аналоги отечественных транзисторов
Простейший УНЧ на мощность до 10 ватт
Эта схема УНЧ с мощностью до 10 ватт была найдена на буржуйском сайте. Недавно была повторена на отечественных компонентах и с некоторыми заменами. Это достаточно хороший усилитель чистого А класса, доступен для повторения. В схеме использовано всего 3 транзистора.
Первый транзистор предварительно усиливает сигнал, он, как и все другие транзисторы в этой схеме не критичен. Я использовал отечественный — КТ829, но можно использовать буквально любые транзисторы обратной проводимости средней мощности.
В выходном каскаде использована легендарная комплементарная пара КТ818/КТ819. За годы их производства, они стали неразлучной парой. Благодаря этим транзисторам усилитель способен развивать 5 ватт от источника питания 12 вольт, хотя максимальная мощность усилителя доходит до 10 ватт. Единственная проблема схемы — повышенный уровень постоянного напряжения на выходе.
Резистор 56 ом был заменен на 52, мощность желательно подобрать 1-2 ватт, он перегревается (но не так страшно). Транзисторы выходного каскада были установлены на теплоотводы, один из них через изоляционную прокладку и шайбу, второй изолировать от теплоотвода не нужно.
Первому транзистору теплоотвод не нужен, транзисторы оконечника тоже почти не греются, что достаточно странно для класса А. Ток потребления в пике доходит 1 А, это тоже очень мало для усилителя этого класса.
Резистор 330 Ом был заменен на 300 (просто не нашел такого резистора), его тоже нужно подобрать с мощностью 0,5-1 ватт. Выходной конденсатор не критичен, подобрать с напряжением 10-50 вольт, емкость 220 — 3300 мкФ. Входной конденсатор тоже не критичен, использовал на 22 мкФ 16 вольт, хотя емкость может отклонится от 1 до 47мкФ. Питал УНЧ от обычного бп на 12 вольт (мост и конденсатор на 2200 мкФ). Несмотря на простую конструкцию, усилитель получился неплохим. Конечно, схема не самая лучшее, но для новичка думаю в самый раз.
Глава 12 Высокочастотные транзисторные схемы — Анализ электронных схем — Dev Guis
Глава 12
Схема высокочастотных транзисторов l
Цели обучения
Ознакомиться с высокочастотным поведением транзистора
- Принципы поведения транзисторов на высоких частотах.
- Hybrid- № Схемы транзистора для различных конфигураций.
- Анализ f α , f β , f T , полосы пропускания и частотной характеристики усилителя.
- Высокочастотные эквивалентные схемы и анализ полевых транзисторов и полевых МОП-транзисторов.
12.1 ТРАНЗИСТОР НА ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ВХОДНЫХ СИГНАЛАХ
Для работы с высокочастотным сигналом решающую роль играют емкости переходов транзисторов и емкости выводов. Для подходящего анализа разработаны отдельные высокочастотные эквивалентные схемы с использованием гибридной модели π . Эта модель может использоваться как при низкочастотных, так и при высокочастотных операциях.
- Когда входные сигналы имеют высокую частоту (ВЧ), коэффициент усиления уменьшается из-за следующих условий:
- Импедансы внутренних емкостей имеют тенденцию к уменьшению, что приводит к близкому к короткому замыканию на выходе.
- Входная емкость увеличивается (эффект Миллера) из-за емкости обратной связи от выхода ко входу, вызывая конечное количество обратной связи по энергии.
- Носителям электрического тока требуется конечное время прохождения , чтобы пройти через транзистор. Реакция транзистора на низкочастотные сигналы считается мгновенной, так как время прохождения
незначительно по сравнению с длиной волны низкочастотных сигналов. Для высокочастотных сигналов время прохождения носителей заряда значительно по сравнению с их длинами волн, поэтому следует учитывать.
- Практические приложения, такие как широкополосные усилители и усилители радиочастоты, используют высокочастотные транзисторы. MRF 313 — один из таких высокочастотных транзисторов, используемых в широкополосных усилителях и генераторах в мобильных и авиационных приборах. Он имеет частоту единичного усиления f T ≅ 200 МГц.
Поведение транзистора при высокочастотных сигналах лучше анализируется с использованием схемы модели Hybrid- π или модели Джаколетто, показанной в 12.1.
Фиг.12.1 Гибридно-π схема замещения высокочастотного транзисторного усилителя с нагрузкой R L
12.2 ГИБРИДНАЯ-π МОДЕЛЬ ДЛЯ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ
МодельHybrid- π используется для ВЧ-анализа усилителя CE. Входной переход транзистора смещен в прямом направлении, а его выходной переход — в обратном. Используя эту концепцию, выведены компоненты схемы гибридной модели схемы π . Предполагается, что все параметры (сопротивления и конденсаторы) не зависят от частоты.
12.2.1 Компоненты схемы гибридной π-модели усилителя CE (рис. 12.1)
1. Сопротивление растеканию по основанию r bb ′ (сопротивление проводящего пути между B и B ′ )
Сопротивление растеканию основания r bb ′ — это последовательное сопротивление базового уровня, которое представляет собой проводящий путь, распределенный от (внешней) базовой точки B до внутренней (фиктивной) базовой точки B ′ для активной прямое смещение к входному переходу транзистора.Следовательно, r bb ‘ известно как сопротивление растеканию по основанию. Обычно r bb ′ ≅ 100 Ом.
2. Сопротивление перехода динамического эмиттера r b’e или r π или входное сопротивление h ie транзистора
В усилителе
- Транзистор Эмиттерный переход смещен в прямом направлении на В BE , а его коллекторный переход имеет обратное смещение на В CE .
- Рабочая точка покоя Q может быть зафиксирована прямым смещением V BE ( Q ) и базовым током I B ( Q ). Когда подается входной сигнал переменного тока, он накладывается на смещение постоянного тока В BE ( Q ).
- Действующее напряжение входного сигнала становится В b’e .
- Изменения смещения постоянного тока к переходу эмиттера приводят к изменению базового тока i B .Будут соответствующие изменения в выходном токе коллектора и C транзистора.
Типичное значение r b′e составляет ~ 1000 Ом .
Входное сопротивление R в только на базе транзистора:
R дюйм = ( r bb ‘ + r b’e ) ≅ r b’e = h т.е. .
3. Емкость от базы к эмиттеру C b’e или C e или C π (емкость перехода эмиттера)
Предположим, транзистор NPN в конфигурации CE. Из-за прямого смещения V BE электроны инжектируются из эмиттера в базовую область. Эти электроны, введенные в базовую область P-материала, образуют избыточные неосновные носители на эмиттерном переходе в базовой области.Избыточные неосновные носители в обедненной области вносят вклад в диффузионную емкость C e , C b′e или C p (между Base B ′ и Emitter E ) . Из-за прямого смещения ширина обедненной области вокруг эмиттерного перехода будет очень маленькой, в результате чего емкость эмиттерного перехода C, , и = ~ 100 пФ. Небольшие вариации сигнала в v b’e вызывают изменения заряда вокруг перехода и вызывают небольшие изменения в емкости эмиттерного перехода C b’e .В данных транзистора он указан как C ib .
4. Сопротивление r b′c ( r μ ): сопротивление обратного смещения коллекторного перехода
Ширина области истощения около коллекторного перехода изменяется при изменении обратного смещения В CE к выходному переходу транзистора. Изменения в области истощения вызывают изменения в ширине базы.Он известен как Базовая модуляция ширины из-за Раннего эффекта . Модуляция ширины базы вызывает изменение наклона распределения неосновных несущих. Это, в свою очередь, вызывает небольшое увеличение тока коллектора, которое проявляется в виде небольшого подъема выходных характеристик транзистора. Эта малая величина обратной связи между портами вывода и ввода обеспечивается включением Сопротивление модуляции ширины базы r b′c ( r μ ) между точками B ‘ и C .Сопротивление r b′c составляет от ~ 4 до 5 МОм, что не играет существенной роли при анализе усилителя.
5. Емкость C b′c , C c или C μ (емкость выходного перехода)
Емкость C b′c , C c или C μ представляют собой барьерную емкость коллекторного перехода с обратным смещением.Из-за обратного смещения ширина обедненной области около коллекторного перехода будет большой. Изменения обратного смещения вызывают изменения емкости выходного перехода. Следовательно, емкость выходного перехода C c обычно очень мала, около 1–5 пФ. Емкость выходного перехода C 0 или C c указана как C 0b в техническом описании транзистора. Элементы r b’c и C b’c между B ‘ и C связаны с обратным смещением к выходному соединению, которое имеет некоторое взаимодействие с входным портом.
6. Генератор тока г м в б’э
v b’e — это эффективное напряжение входного сигнала на переходе эмиттера, и его небольшие изменения вызывают изменения в базовом токе, что приводит к увеличению выходного тока коллектора i C (в зависимости от транзистора b ). Соответствующий слабосигнальный ток коллектора пропорционален v b′e .Это оправдывает включение генератора тока i C = g m · v b′e через коллектор C и эмиттер E .
7. Электропроводность в гибридной π-цепи
Параметр g m — крутизна или взаимная проводимость транзисторов. Крутизна g m представляет небольшие изменения сигнала в токе коллектора для эффективных изменений входного напряжения сигнала, около рабочей точки покоя Q .Следовательно, для работы в режиме слабого сигнала (в линейной области) относительно рабочей точки покоя g m равно
, где I C ( Q ) — составляющая покоя тока коллектора, а В T — напряжение, эквивалентное температуре T :
8. Выходное сопротивление r ce или r o
Выходное сопротивление r ce — это полное сопротивление проводящего пути между коллектором и эмиттером из-за протекания транзисторных токов.Типичное значение r ce составляет ~ 40–80 кОм.
9. г ce Электропроводность между проводящими областями коллектора и эмиттера (обратно выходному сопротивлению r ce или r o )
10. R L (сопротивление нагрузки). Обычно R L = 2 кОм для высокочастотных усилителей
11. В CE (выходное напряжение)
12. I L (ток нагрузки)
13. I дюйм (входной ток)
Типовые значения для гибрида — π Параметры цепи
- г м = 50 миллимос,
- r bb ′ = 100 Вт,
- р б’э = 1 кВт,
- r b′c = от 4 до 5 МВт,
- r CE = от 40 до 80 кВт,
- C c = 5 пФ,
- C e = 100 пФ.
12.3 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПИ HYBRID-p
1. Динамическое сопротивление излучателя Диод r e
, когда η считается за единицу.
2. Крутизна г м при I C ( Q ) в спокойной рабочей точке
Напряжение, эквивалентное температуре V KT e T =, где K — постоянная Больцмана джоулей / ° K.
3. Сопротивление r b’e
4. Проводимость обратной связи г b′c
С ч ре шт 1 или порядка 10 -4 . Уравнение (12.7) сводится к
Поскольку h re практически нечувствителен к изменениям тока и температуры, r b′c зависит от тока ( I C ) и температуры T в той же степени, что и r б’э .
5. r bb ′ : Сопротивление растеканию основания (последовательное сопротивление основания)
h т.е. определяется как входное сопротивление транзистора с короткозамкнутым выходом. Из гибридной схемы p , если выход закорочен, r b′c идет параллельно с r b′e .
r b′c ~ 4 МОм и r b′e = 1 кОм (типовые значения)
Итак, r b′c ≫ r b′e .Отсюда r b′e || r b′c ≅ r b′e . Итак, входное сопротивление h т.е. ≅ r bb ′ + r b′e
Поскольку базовая секция очень тонкая, базовый ток I B проходит через область с очень маленьким поперечным сечением. Следовательно, сопротивление r bb ‘ велико и может составлять порядка нескольких сотен Ом.Но сопротивление коллектора и эмиттера составляет всего несколько Ом, и им обычно можно пренебречь.
6. Выходная проводимость
7. Емкость коллекторного перехода: C C
Емкость коллекторного перехода C C — это не что иное, как выходная емкость при разомкнутой входной цепи, то есть при I E = 0 и указана производителями как C 0b .В активной области при обратном смещении коллекторного перехода диффузионная емкость коллектора пренебрежимо мала.
Типичное значение C C ~ 1–5 пФ.
8. Емкость эмиттерного перехода: C e
Из (уравнение 12.11) на частоте f T коэффициент усиления по току A I высокочастотного транзисторного усилителя с короткозамкнутой нагрузкой равен единице.
Типичное значение C e = 100 пФ; частота f T известна как частота транзистора.
Последовательность расчета параметров гибридной схемы замещения π :
- Входное сопротивление
Рассчитайте компоненты гибридной схемы замещения π для I C ( Q ) = 2.6 мА, В T = 26 мВ, β = 100, ч т.е. = 1100 Ом, ч re = 2,0 × 10 -4 , h oe = 30 × 10 -6 mhos, f T = 160 МГц и C c = 5 пФ.
Решение:
Шаг 1: Расчет г м при токе коллектора I C ( Q ) = 2.6 мА
Шаг 2: Расчет r b′e
Шаг 3: Расчет сопротивления растеканию основания r bb ′
Шаг 4: Расчет r b′c
Шаг 5: Расчет г CE
Шаг 6: Расчет C c = C b′c
Емкость коллекторного перехода C c = C b’c = C ob = 3 PF
Шаг 7: Емкость эмиттерного перехода C e
Для германиевого транзистора PNP, ширина базы которого составляет 10 -4 см при комнатной температуре.Для постоянного тока эмиттера 2 мА найдите (а) диффузионную емкость эмиттера и (б) f T , принимая постоянную диффузии 47 см 3 / с. (JNTU, ноя 2006, 2007)
Раствор: При комнатной температуре 27 ° C
T = 273 + 27 = 300 ° К.
Предполагается, что базовый ток пренебрежимо мал I C = I E = 2 мА.
- Диффузионная емкость излучателя
Рассчитайте параметры гибридной π эквивалентной схемы высокочастотного транзистора, используя следующие данные. I C ( Q ) = 5 мА, ч т.е. = 1 кОм, ч oe = 4 × 10 -5 mhos, h re = 10 -4 , ч fe = 100, C ob = 2 пФ. (JNTU, ноябрь 2003 г.)
Решение:
- Крутизна
- Сопротивление
- Сопротивление растеканию основания r bb ‘ = ( h ie — r b’e ) = (1000 — 520) = 480 Ом
- г ce = [ h oe — (1 + h fe ) · g b’c ]
Конкретный транзистор работает при I C = 1 мА имеет C μ = 1 пФ, C π = 9 пФ и транзистор β = 150.Найдите значения ω T и ω β .
Решение:
12,4 УСИЛЕНИЕ ТОКА CE ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С РЕЗИСТИВНОЙ НАГРУЗКОЙ
Hybrid- π Эквивалентная схема высокочастотного усилителя с резистивной нагрузкой R L показана на рис. 12.2 для анализа частотной характеристики.
На входных и выходных цепях эффекты параллельной комбинации элементов r b′c и C b′c ( C c ) объясняются с помощью теоремы Миллера.Емкость эмиттерного перехода C b’e рассматривается как C e , а емкость коллекторного перехода C b′c рассматривается как C c . Упрощенная схема замещения представлена на рис. 12.3.
Рис. 12.2 Схема замещения гибридного π высокочастотного транзисторного усилителя с нагрузкой R L
Фиг.12.3 Упрощенная эквивалентная схема с использованием «теоремы Миллера» для высокочастотного усилителя с нагрузкой R L
Постоянная времени выходной цепи транзистора между коллектором и эмиттером
Типичные значения различных компонентов:
- R L = 2 кОм
- r ce = 40 кОм
- для больших значений усиления усилителя A, r b′c ≅ 4 МОм
- для больших значений усиления усилителя A, C c = 5 пФ
- Эффективное сопротивление параллельной комбинации резисторов r ce , r b′c и R L равно R L (2 кОм)
- Значение емкости C c = 5 пФ
Следовательно, постоянная времени выхода,
T выход = T o = R L × C c = (2 × 10 3 ) × (5 × 10 -12 ) = 10 нс .
Постоянная времени входной цепи транзистора между базой и эмиттером.
Типичные значения компонентов:
, где A = — г м · R L = -50 × 10 -3 × 2 × 10 3 = -100 (при условии, г м = 50 × 10 -3 mhos).
Следовательно, параллельная комбинация r b′e и r A b c ‘ / 1- будет равна только r b′e .
Только один резистор r b′e рассматривается во входной цепи после упрощения (рис. 12.4).
Значение общей емкости C T = [ C e + C c (1 — A )], где C M = C c (1 — А )
Следовательно, C T или C M увеличивается. ( C M — емкость Миллера), так как есть увеличение входной емкости из-за эффекта Миллера.
Итак, постоянная времени на входе усилителя с резистивной нагрузкой очень высока. Полоса пропускания усилителя определяется входной постоянной времени.
Во время этих вычислений ясно, что постоянная времени выходной цепи пренебрежимо мала, а делает пренебрежимо малым влияние C c в выходной цепи. Эквивалентная схема усилителя после окончательных упрощений представлена на рис. 12.4.
Фиг.12.4 Окончательная упрощенная схема высокочастотного транзисторного усилителя с резистивной нагрузкой для расчета коэффициента усиления по току A I
Выражение для усиления по току A I для высокочастотного усилителя с нагрузкой R L
, где I L = г м · υ b’e .
Разделив числитель и знаменатель (уравнение 12.19) на g b′e , получим
При частоте f = 0 Гц, усиление по току
На более низких частотах A I = h fe .
Из (уравнение 12.21) при частоте ( f = f H )
Из этих значений можно получить характеристику усилителя:
Полоса пропускания усилителя f H будет очень низкой.
Это связано с повышенным значением входной емкости из-за «эффекта Миллера», когда повышенная емкость известна как емкость Миллера.
12,5 УСИЛЕНИЕ ТОКА КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ A
I И f B УСИЛИТЕЛЯ ТРАНЗИСТОРА CEДля гибридной схемы π усилителя CE с нагрузкой R L (как показано на рис. 12.5) выражения для усиления и ширины полосы уже получены для высоких частот. На рисунке 12.6 показана гибридная схема π усилителя CE с короткозамкнутой нагрузкой R L , входным током I в и током нагрузки I L .
Рис. 12.5 Гибрид-π схема замещения CE транзисторного усилителя с нагрузкой RL
Рис. 12.6 Гибрид-π эквивалентная схема CE транзисторного усилителя с короткозамкнутой нагрузкой
Эквивалентная схема на рис. 12.6 упрощена с учетом незначительного протекания тока в выходной цепи через r b′c (несколько мегаом). r ce шунтируется с коротким замыканием и устраняется в выходной цепи.Эта упрощенная схема показана на рис. 12.7.
Рис. 12.7 Схема замещения гибридного π транзисторного усилителя CE с короткозамкнутой нагрузкой после упрощения
Типичные значения: r b′e = ~ 1 кОм и r b′c = ~ 4 МОм. Следовательно, параллельная комбинация r b′e и r b′c будет равна r b′e в схеме, показанной на рис.12.7. Аналогично, параллельная комбинация конденсаторов C, , b’e и C , b’c становится [ C b’e + C b’c ], для окончательного упрощения . Окончательная упрощенная схема усилителя CE Transistor с короткозамкнутым сопротивлением нагрузки ( R L = 0 Ом) представлена на рис. 12.8.
Рис. 12.8 Схема замещения гибридного π транзисторного усилителя CE с короткозамкнутой нагрузкой после окончательного упрощения
Для простоты обозначений, емкость эмиттерного перехода C b′e = C e и емкость коллекторного перехода C b′c = C c . Включая эту номенклатуру, гибридная π-схема ВЧ усилителя выглядит так, как показано на рис. 12.9.
Рис. 12.9 Схема замещения гибридного π транзисторного усилителя CE с короткозамкнутой нагрузкой после окончательного упрощения
Для ВЧ усилителя коэффициент усиления по току A I — это отношение тока нагрузки I L к входному току I в . Используя выражение текущего усиления, выражение для полосы пропускания f b получается следующим образом.
Используя уравнение ( г м = г b′e · h fe ) в (уравнение 12.29), мы получаем
Деление числителя и знаменателя на g b′e
Уравнение (12.31) можно записать как
Если максимальное усиление усилителя на средних частотах составляет h fe , f β будет высокочастотной точкой отсечки, представляющей полосу пропускания усилителя.
Частота перехода f T и произведение полосы пропускания усиления:
Частота f , при которой коэффициент усиления по току A I становится единицей, известна как f T .
Из (уравнение 12.33),
Из (Ур.40), произведение коэффициента усиления и ширины полосы усилителя является постоянным.
Частота перехода f T и произведение коэффициента усиления
Из (уравнение 12.39), f T = h fe f β
Из (уравнение 12.34), усиление тока A I = h fe , когда f = 0 Гц (на низкой частоте).
Из (уравнение 12.35), f β — это точка отсечки высоких частот или полоса пропускания усилителя.
Следовательно, частота f T является произведением коэффициента усиления на полосу пропускания высокочастотного усилителя в условиях нагрузки короткого замыкания (рис. 12.10).
Рис. 12.10 Амплитудно-частотная характеристика высокочастотного транзисторного усилителя с общим эмиттером при короткозамкнутой нагрузке (R L = 0)
На практике различные производители указывают частоту перехода f T в соответствующих технических паспортах.Типичные значения находятся в диапазоне от 100 МГц до 10 ГГц. Это также можно определить, выполнив следующие шаги.
Крутизна г м может быть определена соотношением
C μ можно получить путем независимого измерения емкости между базой и коллектором при желаемом напряжении обратного смещения.
Зная f T , g m и C μ , значение C π может быть определено соотношением
, где C c = C μ и C e = C π .
Если два транзистора имеют одинаковую переходную частоту f T (усиление тока низкой частоты, умноженное на верхнюю частоту 3 дБ), транзистор с более низким β должен быть выбран для большей полосы пропускания.
Частота перехода — это верхняя граница частоты, для которой действительна гибридная модель π . На практике гибридная модель π полезна для анализа только до (1/3) f T . На частотах выше этого диапазона моделирование транзисторов довольно сложно и должно учитывать влияние паразитных элементов и разбиение r x на несколько частей.
- Частота перехода f T является функцией тока коллектора I C и V CE (рис. 12.11).
- Частота f T является функцией g m и небольшой части C p , обе прямо пропорциональны I C . Этим объясняется более низкий f T при меньших токах.
- Низкочастотное значение b 0 уменьшается с увеличением тока и w T = b 0 × w b .Это объясняет уменьшение частоты перехода при больших токах.
- Частота перехода между этими областями относительно постоянна.
Подобно анализу усилителя CE с усилением тока короткого замыкания, усилитель CB также может быть проанализирован с аналогичным усилением тока короткого замыкания. Вместо β частота отсечки , частота отсечки, известная как α частота отсечки , может быть получена с использованием аналогичного выражения.Частота отсечки альфа f α усилителя CB имеет более широкий частотный диапазон, чем частота отсечки бета f β усилителя CE. Это основная причина использования усилителя CB в каскаде CE + CB, где высокочастотная характеристика улучшена лучше, чем у одного усилителя CE.
Рис. 12.11 Типичное изменение переходной частоты f T с током коллектора I C
Частота отсечки альфа f α для транзисторного усилителя CB на высоких частотах
Коэффициент усиления по току α (Alpha) усилителя CB изменяется при работе на высоких частотах по сравнению с низкими частотами из-за различий в времен прохождения низкочастотных и высокочастотных токов через усилитель.Время прохождения (время прохождения) через базу транзистора для процесса диффузии зарядов зависит от постоянной диффузии D B и ширины базы W B . Эти параметры устройства, в свою очередь, предсказывают частоту отсечки Alpha f α .
Поскольку ширина базы Вт, B составляет порядка нескольких микрон, частота отсечки альфа f α для усилителя на транзисторах с общей базой будет порядка нескольких МГц.
Переориентируя гибридную схему π ВЧ усилителя CE в эквивалентный CB, он обеспечивает следующую модель hybrid-T с подходящими параметрами схемы (рис. 12.12).
Различные параметры для модели гибридного Т меняют свои значения по сравнению с эквивалентными параметрами гибридного типа π . Следовательно, коэффициент усиления по току α hf для HF CB Transistor также изменяется. Соотношение между параметрами (Alpha) α , частотой f , частотой отсечки альфа f a и α hf показано следующим образом.
На частоте f = f a , высокочастотный транзистор альфа.
Рис. 12.12 Схема замещения транзистора с общей базой для модели Hybrid-T на высоких частотах
NPN-транзистор имеет частоту отсечки бета-излучения 1 МГц и усиление тока низкой частоты короткого замыкания CE 200. Найдите частоту единичного усиления f T и частоту отсечки альфа.
Решение: Заданная частота отсечки бета-сигнала f β = 1 МГц
Коэффициент усиления тока низкой частоты = β 0 = ч fe = 200
Из соотношения, f T = β 0 × f β = 200 × (1 × 10 6 ) = 200 МГц
Из определения частоты среза альфа-канала,
При г , C π = 9 пФ и C μ = 1 пФ
, что явно больше f β
Для следующих измерений: I C = 5 мА, В CE = 10 В при комнатной температуре. h fe = 100, h т.е. = 600 Ом, A т.е. = 10 при 10 МГц, C c = 3 пФ. Найти f β , f T , r b′e , r bb ′ и C e . (JNTU, ноябрь 2003 г., 2005 г.)
Решение:
- Из уравнения:
Дано A , т.е. = 10, f = 10 МГц, h fe = 100.
Подставляя эти значения в вышеприведенное уравнение, мы получаем
f β = 1,005 МГц.
Гибридные параметры транзистора, показанные на схеме (рис. 12.13): крутизна г м = 50 мА / В, r bb ′ = 100 Ом, r b′e = 1 кОм, r b′c = 4 МОм, r ce = 80 кОм, C c = 3 пФ, C e = 100 пФ.Используя теорему Миллера и соответствующий анализ, вычислите (а) верхнюю 3-дБ частоту усиления по току A I и (b) усиление по напряжению на частоте, рассчитанной выше. (JNTU, март 2006 г.)
Фиг.12.13
Решение:
Шаг 1: верхняя частота 3 дБ
Шаг 2: f T = h fe × f b
ч fe = g м · r b’e = (50 × 10 -3 ) × (1 × 10 3 ) = 50
f β = (1.546 × 10 6 ) Гц рассчитано выше
∴ f T = ( h fe × f β ) = (50) × (1,546 × 10 6 ) = 77,3 МГц
Шаг 3:
R L = 1 кОм и сопротивление источника r S = 900 Ом
Входное сопротивление R дюйм = ч т.е. = ( r с + r bb ‘ + r b’e ) = (900 + 100 + 1000) Ω (2.0 × 10 3 ) Ом
Шаг 4: A В ( f β ) = усиление напряжения при f β , когда A I = 1
Рассчитайте ширину полосы следующих двух транзисторов. Первый транзистор имеет бета β 1 = 100, а второй транзистор имеет бета β 2 = 200. Если оба транзистора имеют переходную частоту f T , равную 200 МГц, сравните их характеристики.
Решение: f T = β 1 f β (1) для первого транзистора.
Следовательно, полоса пропускания первого транзистора равна
.Пропускная способность второго транзистора
Усилитель, который использует первый транзистор с меньшим значением β = 100, имеет более высокую полосу пропускания.
12.6 ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ ЦЕПЬ JFET
Прежде чем рассматривать высокочастотную характеристику JFET, нам необходимо обсудить низкочастотную характеристику слабого сигнала линейного усилителя.Он представляет работу устройства, поскольку изменения напряжения затвора и стока вокруг рабочей точки определяют I D , V G и V D . Инкрементальные изменения общего мгновенного тока I D и инкрементальные изменения напряжения стока В D и напряжения затвора В G регулируются следующей линейной зависимостью:
I D = г м × V G + г D × V D ‘
, где г м — крутизна, а г D — проводимость канала.
Межэлектродные емкости не играют никакой роли в небольших инкрементных изменениях на низких частотах. Вышеупомянутая зависимость может быть представлена в виде малосигнальной линейной низкочастотной эквивалентной схемы (рис. 12.14). Входное сопротивление R, , в полевого транзистора составляет порядка нескольких мегаом из-за работы с обратным смещением между выводами затвора и истока. Следовательно, во входном порте эквивалентной схемы для устройства на полевом транзисторе не показан компонент.
Фиг.12.14 Эквивалентная низкочастотная схема малых сигналов для JFET
Показатель качества JFET является мерой как усиления, так и высокочастотной характеристики. Как и у BJT, на высокочастотную характеристику JFET влияют внутренние емкости — C GS (емкость между затвором и истоком), C GD (емкость между затвором и стоком) и C DS (емкость между стоком и источником). В эквивалентной схеме слабого сигнала на рис.12.14, эти конденсаторы представлены, чтобы показать ВЧ эквивалентную схему полевого транзистора на рис. 12.15.
Рис. 12.15 Высокочастотная эквивалентная схема для JFET, показывающая емкости перехода
Сопротивление стока r D будет порядка десятков килоом, тогда как сопротивление контура стока и сопротивления нагрузки R L в контуре стока будут около нескольких киломов. Таким образом, сопротивление стока r D никак не повлияет на работу усилителя.
Высокочастотная эквивалентная схема может быть дополнительно упрощена путем разделения C GD на два компонента с помощью теоремы Миллера, с одним компонентом на входном порте и другим компонентом на выходном порте усилителя JFET, которые будут изучены в следующих разделах.
Коэффициент усиления тока короткого замыкания полевого транзистора
Высокочастотная эквивалентная схема конфигурации CS с использованием короткого замыкания между стоком и источником показана на рис.12.16.
Рис. 12.16 Коэффициент усиления по току короткого замыкания JFET-усилителя
Синусоидальный ток затвора со среднеквадратичным значением I в подается на входной порт между затвором и источником. I out — выходной ток, соответствующий действующему значению тока через короткое замыкание между стоком и источником.
Ток, протекающий через внутренний конденсатор C GD , можно не учитывать при сравнении с током g m · V G , где V G — среднеквадратичное значение v gs .
Частота, при которой вышеупомянутый коэффициент усиления тока короткого замыкания становится равным единице, известна как частота перехода f T :
Вышеприведенное выражение также известно как произведение ширины полосы единичного усиления или частота среза или частота перехода.
Производители указывают частоту перехода в технических паспортах.Основываясь на предыдущем обсуждении BJT и приведенной выше формулы, можно оценить C GS и C GD .
Используя метод постоянной времени короткого замыкания , можно оценить отдельные высокочастотные отсечки усилителя на полевых транзисторах.
Высокочастотная характеристика не зависит от физических констант и размеров полевого транзистора. Его можно улучшить, уменьшив длину канала , которая, в свою очередь, определяет емкость и увеличивает g m , что приводит к улучшенному произведению усиления полосы пропускания.При использовании полупроводников с зарядами с высокой подвижностью (электронами) ток распространяется с высокой скоростью, занимая меньше времени прохождения , , тем самым улучшая ВЧ-отклик.
12.7 ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ ЦЕПЬ МОП-транзистора
Прежде чем приступить к анализу ВЧ-характеристики полевого МОП-транзистора, лучше изучить его эквивалентную схему НЧ слабого сигнала. MOSFET Gate подключен через высококачественный слой диоксида кремния, при этом путь от затвора к источнику действует как изолятор с сопротивлением от 10 14 до 10 15 Ом.Следовательно, ток затвора не учитывается. Единственный ток, который следует учитывать, — это I D , ток от стока к источнику, который является функцией от В, D и В, , G в рабочей точке покоя.
С учетом небольших приращений напряжения стока В D и напряжения затвора В G , небольшое изменение составляющей сигнала в I D может быть представлено линейной зависимостью
I D = г м · V G + г D · V D ,
, где g m — это крутизна , представляет собой контроль входного напряжения затвора над током стока, а g D — выходная проводимость, представляющая управление выходным напряжением над током стока.При обсуждении реакции на слабый сигнал емкости, присущие работе устройства, и паразитные емкости не имеют никакого значения. Эквивалентная низкочастотная схема малосигнального полевого МОП-транзистора показана на рис. 12.17.
Рис. 12.17 Эквивалентная низкочастотная схема малых сигналов для полевого МОП-транзистора
Принимая во внимание высокочастотную характеристику полевого МОП-транзистора, емкость затвор-исток C GS , емкость сток-затвор C DG , паразитные емкости C OS и C OG между затвором и Рассмотрены Источник, Ворота и Сток.Они вводятся в приведенную выше эквивалентную схему (рис. 12.17) в соответствующих местах для образования высокочастотной эквивалентной схемы (рис. 12.18).
В дополнение к указанным выше четырем емкостям, рассматриваются еще две емкости: C tS и C tD . C tS — емкость обедненного слоя между источником и подложкой, а C tD — емкость между стоком и подложкой.Поскольку предполагается, что подложка подключена к источнику, C tS не показан на рис. 12.16. Добавляются только пять емкостей.
Рис. 12.18 Полная высокочастотная эквивалентная схема полевого МОП-транзистора
Коэффициент усиления тока короткого замыкания МОП-транзистора с общим истоком (CS)
Эквивалентная схема на рис. 12.14 немного изменена для расчета усиления тока короткого замыкания CS MOSFET. В целом, емкости C OS (между затвором и источником) и C OD (между затвором и стоком) объединены в емкость затвор-сток C GD .Емкость между стоком и подложкой C tD больше и, следовательно, ею пренебрегают. Эквивалентная схема после короткого замыкания на выходном порте и подачи входного сигнала на входной порт показана на рис. 12.19.
Рис. 12.19 Упрощенная эквивалентная схема полевого МОП-транзистора для определения fT
Частота, при которой величина усиления тока короткого замыкания равна единице, известна как частота перехода f T :
Из (Ур.12.49) для усиления тока короткого замыкания, когда w = 0, усиление тока полевого МОП-транзистора достигает бесконечности. Это происходит в MOSFET, если игнорировать чрезвычайно малый ток утечки, присутствующий на входе. Показатель качества полевого МОП-транзистора составляет , частота перехода f T . Он определяет максимальную используемую частоту транзистора. Он определяется как частота, при которой коэффициент усиления тока CS короткого замыкания становится равным единице.
При использовании поликремния в качестве материала затвора перекрывающиеся емкости ( C, , OD, и C, , OS, ) уменьшаются, что приводит к улучшенному высокочастотному отклику.Частота перехода f T колеблется от 100 МГц до нескольких ГГц.
При сравнении MOSFET с BJT крутизна BJT пропорциональна его току смещения, тогда как в MOSFET она пропорциональна квадратному корню из тока смещения
В BJT g m не зависит от физического размера и геометрии устройства, тогда как в MOSFET крутизна зависит от физического размера и геометрии MOSFET. Несмотря на то, что крутизна MOSFET намного меньше по сравнению с BJT, MOSFET более популярен, потому что он мал по размеру, дешев, имеет улучшенную высокочастотную характеристику и прост в использовании при изготовлении интегральных схем.
Приведенные выше концепции позволяют лучше понять работу ВЧ транзисторов различных типов.
В таблице данных транзистораперечислены три паразитные емкости полевого транзистора, указанные ниже.
Входная емкость C iSS = 6 пФ; Выходная емкость C oSS = 4 пФ; Емкость обратной передачи C RSS = 2 пФ. Найдите межэлектродные емкости устройства, влияющие на высокочастотную характеристику.
Решение:
C GS = C iSS — C RSS = (6 пФ — 2 пФ) = 4 пФ
C GD = C RSS = 2 пФ
C DS = C oSS — C RSS = 4 пФ -2 пФ = 2 пФ.
Для полевого МОП-транзистора C GS = 4 пФ, C GD = 1 пФ и f T = 63,66 МГц. Рассчитать значение крутизны?
Решение:
г м = 2 · π · f T × (C GS + C GD )
= 2π × 63,66 × 10 6 (4 + 1) × 10 -12 = 2 милли Сименс
РЕЗЮМЕ
- Малосигнальные ВЧ транзисторные усилители анализируются с использованием параметров гибридных π транзисторов, таких как r bb ′, r b′e , r b′c , r ce , C e и C c .
- При анализе усилителей ВЧ-транзисторов емкость перехода и время прохождения играют доминирующую роль в их частотной характеристике.
- Частота отсечки альфа Базовая ширина W B и постоянная диффузии D B — для движения носителей заряда через базовую область — связаны уравнением:
- Альфа-частота отсечки f a , усиление по току α транзистора LF CB и усиление α hf HF CB транзистора регулируются следующим уравнением:
- Отсечка f β усилителя ВЧ-транзистора — это частота, при которой коэффициент усиления тока короткого замыкания CE-транзистора падает на 3 дБ.
- Отсечка ВЧ f β обеспечивает полосу пропускания усилителя ВЧ
, где g m — крутизна, C e — емкость эмиттерного перехода и C c — емкость коллекторного перехода и h fe = β.
- Частота перехода f T — это частота, при которой коэффициент усиления тока короткого замыкания A I ВЧ усилителя равен единице.
- Прирост тока h fe , f T и f b связаны уравнением f T = h fe · f b .
- Частота перехода f T , крутизна g m и емкости перехода связаны следующим уравнением:
- Частота перехода f T измеряет качество работы высокочастотных транзисторов и называется «добротностью».
- Входная постоянная времени усилителя определяет частотную характеристику усилителя.
Практические вопросы
- Нарисуйте эквивалентную схему ВЧ транзистора с использованием модели hybrid- p и обсудите значение каждого компонента в схеме.
- Выведите различные выражения, используемые при определении гибридной схемы. π , указывающие последовательность вычислений.
- Обсудите роль емкостей перехода в определении характеристик транзистора на высоких частотах.
- Выведите выражения для крутизны и входной проводимости CE-транзисторного усилителя, используя HF-модель.
- Выведите выражения для емкости обратной связи и сопротивления расширения базы CE-транзисторного усилителя, используя гибридную модель π .
- Выведите выражение для выходной проводимости и диффузионной емкости гибридного усилителя. π Эквивалентная схема усилителя на транзисторах CE.
- Доказать, что в схеме гибридной модели π диффузионная емкость пропорциональна току смещения?
- В модели транзистора Giacolletto на высоких частотах, как C c отличается от I C и V CE ? Как C e отличается от I C и V CE ? (JNTU, фев.2008)
- Определите f b и f T и выведите соотношение между f β и f T ? (Ноябрь 2005 г.)
- Определите термины f β , f α и f T для гибридных — π и гибридных — T модельных схем?
Вопросы с несколькими вариантами ответов
- Частота перехода БЮТ ___________.
- ограничен C μ
- ограничен C π
- увеличивается с увеличением г м
- уменьшается с увеличением г м
Правильные утверждения:
- 1 и 4
- 2 и 4
- 1, 2 и 3
- 1, 2 и 4
- Внутренние емкости BJT (или FET) показывают ___________.
- ФНЧ
- ВЧ характеристика
- полосовая характеристика
- Ленточнопрочная характеристика
- На высоких частотах, ______________.
- внешняя емкость большая, поэтому они эффективно замкнуты накоротко
- можно предположить, что внешняя емкость имеет разомкнутую цепь
- внутренняя емкость мала, поэтому они эффективно разомкнуты
- внутренняя емкость может рассматриваться как разомкнутая цепь
Из приведенных выше утверждений правильными являются
- 1, 2, 4
- 1, 2, 3
- 2, 4
- 2 и 3
- Графический метод определения частот среза _____________.
- Метод постоянной времени холостого хода
- метод постоянной времени короткого замыкания
- Боде участок
- Емкостной метод Миллера
- Истощающие емкости MOSFET____________.
- C г и C сбн
- C SB и C дБ
- C SD и C GD
- C дБ и C GD
- Доминирующая высокая частота среза усилителя CE ______________.
- F h введено в виде C в
- F h введено C out
- F h введено β
- — самая низкая из трех вышеупомянутых частот среза
- A Каскодный усилитель CE – CB _________________.
- обладает всеми характеристиками усилителя CE
- обладает всеми характеристиками усилителя CB
- имеет превосходную высокочастотную характеристику усилителя CB
- имеет более низкую высокочастотную характеристику усилителя CB
Правильные утверждения из вышеперечисленного:
- 1 и 4
- 2 и 4
- 1, 2 и 4
- 1, 2 и 3
- Высокочастотная характеристика повторителя источника ______________.
- ограничен эффектом Миллера
- не ограничивается эффектом Миллера
- лучше высокочастотная характеристика по сравнению с усилителем с общим источником
- худшая частотная характеристика по сравнению с усилителем с обычным источником
Правильные утверждения из вышеперечисленного:
- 1, 2, 4, 3
- 3, 2 и 4
- 1, 2 и 3
- 1, 2 и 4
- Если точка отсечки высоких частот невысока, как предполагалось, ее можно увеличить ______________.
- , выбрав транзистор с более высокой частотой
- , выбрав конфигурацию усилителя, которая не так чувствительна к частоте
- за счет уменьшения усиления на каскаде для уменьшения эффекта Миллера
- ни один из вышеперечисленных методов
Ответы на вопросы с множественным выбором
- (в)
- (а)
- (в)
- (в)
- (б)
- (г)
- (г)
- (в)
- (а, б и в)
усилителя BJT с общим эмиттером [Analog Devices Wiki]
1 Топология цепи
Схема типичного усилителя с общим эмиттером показана на рисунке 1.Конденсаторы C B и C C используются для блокировки точки смещения постоянного тока усилителя от входа и выхода (связь по переменному току). Конденсатор C E — это шунтирующий конденсатор переменного тока, используемый для заземления низкочастотного переменного тока на эмиттере Q 1 . Конденсатор Миллера C F представляет собой небольшую емкость, которая будет использоваться для управления высокочастотной характеристикой усилителя 3- дБ .
Рисунок 1: Усилитель BJT с общим эмиттером.
1.1 смещение постоянного тока и среднечастотная характеристика
Для этого раздела предположим, что C B = C C = C E = 1 Фарад и C F = C Π = C µ = 0. Вы можете найти ток коллектора постоянного тока (I C ) и номиналы резисторов в соответствии с анализом, приведенным в вашем учебнике. Поскольку топология и требования могут немного отличаться от текста, вам нужно будет внести незначительные изменения в процедуру проектирования и уравнения.
1.2 Низкочастотная характеристика
На рис. 2 показана низкочастотная малосигнальная эквивалентная схема усилителя. Обратите внимание, что C F игнорируется, поскольку предполагается, что его импеданс на этих частотах очень высок. R B — это параллельная комбинация R B1 и R B2 .
Рисунок 2: Низкочастотная эквивалентная схема.
Используя анализ постоянной времени короткого замыкания, нижняя частота 3- дБ (ω L ) может быть найдена как:
Где
1.3 Высокочастотный отклик
На рис.3 показана эквивалентная высокочастотная малосигнальная схема усилителя. На высоких частотах C B , C C и C E можно заменить короткими замыканиями, поскольку их полное сопротивление становится очень маленьким по сравнению с R S , R L и R E .
Рисунок 3: Высокочастотная эквивалентная схема.
Более высокая частота 3- дБ (ω H ) может быть получена как:
Где
Таким образом, если мы предположим, что усилитель с общим эмиттером должным образом характеризуется этими доминирующими низкочастотными и высокочастотными полюсами, то частотная характеристика усилителя может быть аппроксимирована следующим образом:
2 Предварительная лаборатория
Полагая C B = C C = C E = 1 Фарад и C F = C Π = C µ = 0, и используя транзистор 2N3904, спроектируйте усилитель с общим эмиттером с следующие характеристики:
В CC = 5 В
R S = 50 Ом
R L = 1 кОм
R IN > 250
Isupply <8 мА
A В > 50
пик. -пиковое размах выходного сигнала без зажима> 3 В
1.Покажите все свои расчеты, процедуры проектирования и окончательные значения компонентов.
2. Проверьте свои результаты с помощью симулятора цепи LTSpice. Отправьте все необходимые графики моделирования, подтверждающие соответствие спецификациям. Также предоставьте принципиальную схему с аннотациями точек смещения постоянного тока.
3. Используя симулятор LTSpice, найдите более высокую частоту 3- дБ (f H ), в то время как C F = 0,
4. Определите Cp, Cµ и r b транзистора из смоделированной работы. точечные данные (обратитесь к документации вашего симулятора, чтобы узнать, как получить данные о рабочих точках).Вычислите f H , используя уравнение из раздела 1.3, и сравните его с результатом моделирования, полученным на шаге 3. Помните, что уравнение дает вам частоту в радианах, и вам необходимо преобразовать ее в Гц.
5. Вычислите значение C F , чтобы получить f H = 50 кГц . Смоделируйте схему, чтобы проверить свой результат, и при необходимости отрегулируйте значение C F .
6. Вычислите C B , C C , C E , чтобы получить f L = 500 Гц.Смоделируйте схему, чтобы проверить результат, и при необходимости отрегулируйте номиналы конденсаторов.
7. Будьте готовы обсудить ваш дизайн в начале лабораторного периода со своим TA.
3 Лабораторная процедура
Цель:
Целью этого раздела лабораторной работы является проверка ваших предварительных проектных значений путем создания реальной схемы и измерения ее частотной характеристики.
Материалы:
Модуль активного обучения ADALM2000
Макетная плата без пайки
6 — Резисторы различных номиналов из комплекта аналоговых деталей ADALP2000
4 — Конденсаторы различных номиналов из комплекта аналоговых деталей ADALP2000
1 — Малосигнальный NPN-транзистор (2N3904)
Обратите внимание на резистор истока R S и выход AWG ADALM2000.Выход AWG имеет последовательное выходное сопротивление 50 Ом, и вам необходимо включить его вместе с внешним сопротивлением последовательно с его выходом. Также из-за относительно высокого коэффициента усиления вашей конструкции вам понадобится входной сигнал с небольшой амплитудой около 100 мВ от пика до пика. Вместо того, чтобы программно уменьшать AWG, было бы лучше с точки зрения шума вставить резисторный делитель напряжения между выходом AWG и входом вашей схемы для ослабления сигнала. Использование чего-то вроде того, что показано на рисунке 4, обеспечит коэффициент затухания 1/8 и эквивалентное сопротивление источника 60 Ом.Конечно, возможны и другие комбинации номиналов резисторов в зависимости от того, что у вас есть.
Рисунок 4 Аттенюатор сигнала с сопротивлением источника 60 Ом
Настройка оборудования
Постройте схему на своей макетной плате.
Рисунок 5 Подключение макетной платы усилителя BJT с общим эмиттером
Направления:
1. Постройте усилитель на основе схемы на рис. 1, которую вы разработали в предварительной лаборатории.Основываясь на ваших проектных значениях из предварительной лаборатории, используйте ближайшее стандартное значение из вашего набора. Помните, что вы можете комбинировать стандартные значения последовательно или параллельно, чтобы получить комбинированное значение, близкое к вашему расчетному номеру.
2. Проверьте рабочую точку постоянного тока, измерив I C , В E , В C и В B . Если какое-либо значение смещения постоянного тока значительно отличается от значения, полученного при моделировании, измените схему, чтобы получить желаемое смещение постоянного тока, прежде чем переходить к следующему шагу.
3. Измерьте Isupply.
4. Используйте инструмент Network Analyzer в программном обеспечении Scopy, чтобы получить амплитуду частотной характеристики усилителя от 10 Гц до 5 МГц и определить нижнюю и верхнюю 3- дБ частоты f L и f H .
5. На средних частотах измерьте A V , R IN и R OUT .
6. Измерьте максимальную амплитуду выходного сигнала без ограничений.
7. Подготовьте лист данных, в котором показаны смоделированные и измеренные значения.
8. Будьте готовы обсудить свой эксперимент со своим ТА. Перед отправкой лабораторного отчета ваш технический специалист должен проверить лист данных вашей лаборатории.
Рисунок 6 График Scopy Network Analyzer с C F = 0
Рис.7. График осциллографа Scopy с C F = 0 при частоте = 500 Гц.
Для дальнейших экспериментов замените каждый конденсатор на конденсатор, который в 2 и 10 раз больше и меньше ваших проектных значений, и повторно измерьте кривую отклика с помощью прибора Network Analyzer.Делайте это только с одним конденсатором за раз, чтобы наблюдать его индивидуальное влияние на отклик. Объясните изменения в ответе, который вы видите.
Вернуться в лабораторную деятельность Содержание
университет / курсы / электроника / электроника-лаборатория-5fr.txt · Последнее изменение: 25 июня 2020 г., 22:07 (внешнее редактирование)
Низкочастотный h-параметр для слабого сигнала Модель
Низкочастотный h-параметр для слабого сигнала Модель:
Рассмотрим транзисторный усилитель как блочную коробку.
Где, Ii — входной ток усилителя
Vi — входное напряжение усилителя
Io — выходной ток усилителя
Vo — выходное напряжение усилителя
Входной ток — независимая переменная. Входное напряжение и выходной ток — зависимые переменные.Входной ток и выходное напряжение — независимые переменные.
Это можно записать в форме уравнения как,
Вышеупомянутое уравнение также может быть записано в алфавитном формате,
Ø
Определения параметра h-:Параметры в приведенных выше уравнениях определяются следующим образом:
h21 — входное сопротивление при коротком замыкании на выходе в Ом
h22 — доля выходного напряжения на входе с разомкнутым входом, безразмерная
h31 — коэффициент передачи прямого тока или коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе, это
без единиц
h32 — выходная проводимость при разомкнутой цепи на входе Преимущества975
h-параметров:
1.Действительные числа на звуковых частотах
2. Легко измерить
3. Можно получить из статической характеристики транзистора
4. Удобно использовать при анализе схем и проектировании
5. Большинство производителей транзисторов указывают h- параметры
1. Параметры h для всех трех конфигураций:Транзистор может быть представлен как сеть с двумя общими портами. между вводом и выводом.Есть три возможных конфигурации, в которых может использоваться транзистор, есть изменение напряжения на клеммах и тока для разных конфигураций транзистора. Для обозначения типа конфигурации к h-параметрам добавляется еще один индекс.
hie = h21e– входное сопротивление в конфигурации CE
hfb = h31b — усиление тока короткого замыкания в конфигурации CB
7 Модель одинакова для всех трех конфигураций, отличаются только параметры.
Схема и уравнения действительны для транзисторов NPN или PNP и не зависят от типа нагрузки или метода смещения.
ü
Определение h-параметров из характеристик:Рассмотрим конфигурацию CE, ее функциональная связь может быть определена с помощью следующих уравнений:
Кривая входных характеристик дает соотношение между входным напряжением VBE и входным током IB для различных значений выходного напряжения VCE.На следующем рисунке показана типичная кривая входных характеристик для конфигурации CE.
ü Определение hie и hre по характеристической кривой:
Параметр hie:
000
00 000 000Кривая выходной характеристики показывает соотношение между выходным током IC и выходным напряжением VCE для различных значений входного тока IB.
ü Определение hfe и мотыги по кривой выходной характеристики:
Параметр hfe:
Анализ транзисторных схем на поведение слабого сигнала можно выполнить, следуя простым рекомендациям.Эти рекомендации следующие:
1. Нарисуйте фактическую принципиальную схему
2. Замените конденсаторы связи и конденсатор обхода эмиттера путем короткого замыкания
3. Замените источник постоянного тока на короткое замыкание.
4. Отметьте точки B, E, C на принципиальной схеме и расположите эти точки как начало эквивалентной схемы
5.Замените транзистор моделью его h-параметра
Проблема 1:Для схемы с общей базой, показанной на рисунке, параметры транзистора hib = 22 Ом,
hf -0,98, hob = 0,49 мкА / В, hrb = 2,9 * 10-4. Рассчитайте значения входного сопротивления, выходного сопротивления, усиления по току и по напряжению для данной цепи.
Решение:
Измените данную цифру на эквивалентную модель h-параметра.
Выбор правильного транзистора: общие сведения о параметрах низкочастотного полевого МОП-транзистора
В этой статье представлен обзор различных характеристик и спецификаций, относящихся к работе низкочастотного полевого МОП-транзистора.
Связанная информация
Допустим, вы разрабатываете схему управления двигателем, или драйвер реле, или схему защиты от обратной полярности, или выходной буфер для операционного усилителя.Вы понимаете, что хотите использовать полевой МОП-транзистор, и, конечно же, направляете свой браузер на сайт вашего любимого дистрибьютора. Проблема в том, что вы найдете много полевых МОП-транзисторов — если вы используете более крупных дистрибьюторов, вы увидите тысячи номеров деталей. Как вообще начать поиск устройства, наиболее подходящего для вашего приложения?
Первый шаг — понять, что вы, вероятно, не найдете наиболее подходящую часть . Это займет много времени и не стоит усилий; Цель состоит в том, чтобы обеспечить соответствие функциональности и производительности , и это может быть достигнуто с помощью MOSFET , соответствующего стандарту .Другими словами, когда вы видите деталь с приемлемыми характеристиками и приемлемой ценой, добавьте ее в спецификацию и переходите к следующей задаче проектирования. Если вы разрабатываете марсоход, вам нужно быть немного более осторожным с выбором компонентов, но я предполагаю, что вы не проектируете марсоход (потому что, если да, то вы, вероятно, знаете об этой теме больше, чем я. когда-нибудь будет).
Но как нам найти подходящий МОП-транзистор для данного приложения? Что ж, вам нужно понять требования вашей системы и различные параметры, которые характеризуют работу MOSFET, а затем вам нужно объединить всю эту информацию в процесс постепенного сужения списка возможных частей (при этом также учитывая цену и форм-фактор) .Эта статья (и вторая по аналогичной теме) поможет вам в этом процессе, объяснив важные электрические параметры дискретных полевых МОП-транзисторов.
Государственное сопротивление
Я буду краток здесь, потому что я уже написал целую статью, посвященную этому параметру (ссылка находится в начале этой статьи в разделе «Связанная информация»). Чем больше сопротивление, тем больше рассеиваемая мощность, поэтому мы обычно ищем устройства с более низким сопротивлением в открытом состоянии.Однако, если миниатюризация является важной целью проектирования, необходимо иметь в виду, что меньшее сопротивление в открытом состоянии соответствует большему полевому транзистору.
Пороговое напряжение
МОП-транзистор не будет проводить значительного тока до тех пор, пока V GS — т.е. напряжение, приложенное к затвору относительно напряжения, приложенного к источнику, — не превысит определенное значение, называемое пороговым напряжением. Вы должны убедиться, что пороговое напряжение вашего полевого транзистора ниже, чем выходное напряжение вашей схемы привода.
Как это обычно бывает с физическими явлениями, проводимость полевого МОП-транзистора не является «включением / выключением». Полевой транзистор не достигает максимальной производительности, если напряжение затвора превышает пороговое значение на несколько милливольт:
Предоставлено Vishay Siliconix. График взят из настоящего даташита ; рассматриваемый полевой транзистор имеет максимальное пороговое напряжение 2,5 В.Если вы ограничены относительно низкими напряжениями привода, вы можете проверить графики производительности и попытаться определить, какие части более устойчивы к низкому V GS .
Максимум
Хорошо попытаться оптимизировать производительность, выбрав полевой МОП-транзистор с подходящими пороговыми характеристиками и низким сопротивлением в открытом состоянии, но также важно убедиться, что вы не повредите или не серьезно ослабите устройство, и именно здесь наступает «максимум». в игру.
Максимальное напряжение сток-исток и напряжение затвор-исток
Это самые высокие напряжения, которые можно безопасно приложить к выводам стока и истока, а также к выводам затвора и истока.Для напряжения сток-исток мы имеем в виду выключенное состояние (во включенном состоянии напряжение сток-исток будет низким из-за низкого сопротивления канала). Максимальные характеристики затвор-исток указаны с положительным и отрицательным напряжениями, поэтому устройство может находиться как во включенном, так и в выключенном состоянии.
Помните, что это не максимальное напряжение стока и максимальное напряжение затвора : исток не нужно заземлять, поэтому напряжение сток-исток не всегда совпадает с напряжением стока и напряжением затвор-исток не всегда совпадает с напряжением затвора.
Максимальный ток утечки
В контексте низкочастотных параметров это относится к максимальному продолжительному току, который может выдержать устройство. (Максимальный переходный ток значительно выше.) Эта спецификация не так проста, как вы могли подумать, потому что она может быть основана непосредственно на текущем потоке (то есть количестве тока, которое устройство может физически выдерживать) или на количестве ток, который приведет к достаточному рассеиванию мощности, что приведет к неприемлемо высоким температурам перехода.В последнем случае фактический максимальный ток стока зависит от тепловых условий.
Макс.общая рассеиваемая мощность
Эта спецификация не особенно полезна, потому что рассеяние мощности не повреждает устройство напрямую. Настоящая проблема — это температура, а соотношение между рассеиваемой мощностью и температурой сильно варьируется, и его нелегко точно предсказать. Все, что помогает отвести тепло от устройства — тепловые переходные отверстия, медные детали, радиаторы, вентиляторы — позволит устройству рассеивать больше энергии без перегрева.
Температурные эффекты
Изменения температуры приводят к изменениям практически во всем остальном. На следующих графиках приведены некоторые примеры того, как температура может влиять на электрические параметры полевого МОП-транзистора.
Изменение порогового напряжения в зависимости от температуры. Взято из это техническое описание Vishay . Взято из , это Diodes Inc.лист данных . Чем больше ток, тем больше рассеиваемая мощность, а это, в свою очередь, приближает устройство к максимальной температуре перехода. Таким образом, допустимый ток стока уменьшается с увеличением температуры окружающей среды. Диаграмма взята из в этой заметке приложения , опубликованной NXP / Nexperia.Заключение
В этой статье рассмотрены характеристики низкочастотного полевого МОП-транзистора, которые играют важную роль при выборе устройства.В следующей статье мы рассмотрим динамические параметры, которые особенно важны в настоящее время, потому что мы так часто используем полевые транзисторы в качестве контроллеров режима переключения (например, в импульсных регуляторах, диммерах светодиодов, усилителях звука) вместо линейных контроллеров.
% PDF-1.5 % 1 0 объект > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > эндобдж 55 0 объект > эндобдж 56 0 объект > эндобдж 57 0 объект > эндобдж 58 0 объект > эндобдж 59 0 объект > эндобдж 60 0 объект > эндобдж 61 0 объект > эндобдж 62 0 объект > эндобдж 63 0 объект > эндобдж 64 0 объект > эндобдж 65 0 объект > эндобдж 66 0 объект > эндобдж 67 0 объект > эндобдж 68 0 объект > эндобдж 69 0 объект > эндобдж 70 0 объект > эндобдж 71 0 объект > эндобдж 72 0 объект > эндобдж 73 0 объект > эндобдж 74 0 объект > эндобдж 75 0 объект > эндобдж 76 0 объект > эндобдж 77 0 объект > эндобдж 78 0 объект > эндобдж 79 0 объект > эндобдж 80 0 объект > эндобдж 81 0 объект > эндобдж 82 0 объект > эндобдж 83 0 объект > эндобдж 84 0 объект > эндобдж 85 0 объект > эндобдж 86 0 объект > эндобдж 87 0 объект > эндобдж 88 0 объект > эндобдж 89 0 объект > эндобдж 90 0 объект > эндобдж 91 0 объект > эндобдж 92 0 объект > эндобдж 93 0 объект > эндобдж 94 0 объект > эндобдж 95 0 объект > эндобдж 96 0 объект > эндобдж 97 0 объект > эндобдж 98 0 объект > эндобдж 99 0 объект > эндобдж 100 0 объект > эндобдж 101 0 объект > эндобдж 102 0 объект > эндобдж 103 0 объект > эндобдж 104 0 объект > эндобдж 105 0 объект > эндобдж 106 0 объект > эндобдж 107 0 объект > эндобдж 108 0 объект > эндобдж 109 0 объект > эндобдж 110 0 объект > эндобдж 111 0 объект > эндобдж 112 0 объект > эндобдж 113 0 объект > эндобдж 114 0 объект > эндобдж 115 0 объект > эндобдж 116 0 объект > эндобдж 117 0 объект > эндобдж 118 0 объект > эндобдж 119 0 объект > эндобдж 120 0 объект > эндобдж 121 0 объект > эндобдж 122 0 объект > эндобдж 123 0 объект > эндобдж 124 0 объект > эндобдж 125 0 объект > эндобдж 126 0 объект > эндобдж 127 0 объект > эндобдж 128 0 объект > эндобдж 129 0 объект > эндобдж 130 0 объект > эндобдж 131 0 объект > эндобдж 132 0 объект > эндобдж 133 0 объект > эндобдж 134 0 объект > эндобдж 135 0 объект > эндобдж 136 0 объект > эндобдж 137 0 объект > эндобдж 138 0 объект > эндобдж 139 0 объект > эндобдж 140 0 объект > эндобдж 141 0 объект > эндобдж 142 0 объект > эндобдж 143 0 объект > эндобдж 144 0 объект > эндобдж 145 0 объект > эндобдж 146 0 объект > эндобдж 147 0 объект > эндобдж 148 0 объект > эндобдж 149 0 объект > эндобдж 150 0 объект > эндобдж 151 0 объект > эндобдж 152 0 объект > эндобдж 153 0 объект > эндобдж 154 0 объект > транслировать xmn0 ~ = ;? pP $ H vla; H} 7? | 8ϜS (F #% ēN = ‘% j% IPRe.68c, 7l9; ZAe & s_? Np1G \} u0
Качественный транзистор усилителя низкой частоты Для электронных проектов Бесплатный образец сейчас
Alibaba.com предлагает большой выбор. Транзистор усилителя низкой частоты на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей. Транзистор усилителя низкой частоты является жизненно важной частью практически любого типа электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого.Выбрав правильный. транзистор усилителя низкой частоты , вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов., , транзистор усилителя низкой частоты , изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.. Транзистор усилителя низкой частоты включает в себя два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзистор усилителя низкой частоты скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор усилителя низкой частоты для определения опор базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения.Файл. Транзистор усилителя низкой частоты на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Усилитель низкой частоты на транзисторе для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
Откройте для себя удивительно доступный. транзисторный усилитель низкой частоты на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений.Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
Частотная характеристика усилителей — Electronics-Lab.com
Введение
Как и любая электронная схема, на поведение усилителей влияет частота сигнала на их входных клеммах. Эта характеристика известна как частотная характеристика .
Частотная характеристика — одно из важнейших свойств усилителей. В частотном диапазоне, для которого были разработаны усилители, они должны обеспечивать постоянный и приемлемый уровень усиления. Частотная характеристика напрямую зависит от компонентов и архитектуры, выбранной для конструкции усилителя.
В этом руководстве мы сосредоточимся на этой важной особенности усилителей. Прежде всего, подробно описывается понятие частотной характеристики вместе с некоторыми базовыми связанными понятиями, и мы представим, как ее количественно оценить.Во втором разделе мы разберемся, какой компонент влияет на АЧХ и как. В оставшейся части статьи представлен метод определения низкочастотных и высокочастотных характеристик. Эти результаты, наконец, будут обобщены в заключении, чтобы построить глобальную частотную характеристику усилителя с общим эмиттером.
Определения
Прежде чем подробно определять частотную характеристику, нам необходимо представить единицу измерения децибел (дБ) и относящуюся к ней логарифмическую шкалу.При изучении частотной характеристики действительно более целесообразно преобразовать коэффициент усиления по мощности или напряжению в дБ и представить шкалу частот в логарифмической (логарифмической) шкале.
Если мы рассмотрим усилитель с коэффициентом усиления по мощности A P и коэффициентом усиления по напряжению A В , то коэффициент усиления по мощности и напряжению в дБ определяется следующим образом:
уравнение 1: усиление мощности и напряжения в дБВ то время как коэффициенты усиления в линейном масштабе всегда положительны (A P , A V ≥0), их эквивалент в дБ может быть положительным, если осуществляется усиление (A P , A V > 1) или отрицательный, если входной сигнал ослаблен (A P , A V <1).
Часто исследуется не усиление A V (дБ) , а скорее нормализованное отношение A V / A V , mid (дБ) = 20log (A V / А В, средний ) . Где A В, середина называется усилением среднего диапазона и представляет максимальное усиление усилителя в его рабочем диапазоне частот, например 20 Гц — 20 кГц для аудиоусилителя.
Следовательно, когда A V = A V, середина , нормализованное усиление (безразлично A V ) составляет A V (дБ) = 0 . Устанавливает опорное значение 0 дБ при максимальном усилении. Важно отметить, что когда мощность делится на два, мы видим, что A P (дБ) = 10log (0,5) = — 3 дБ .
Частота, при которой мощность падает до 50% от среднего значения, известна как частота среза и отмечена f c . Каждый раз, когда мощность уменьшается вдвое, наблюдается уменьшение нормализованного усиления на 3 дБ. Следовательно, A P = -3 дБ соответствует A V, среднему /2 , A P = -6 дБ соответствует V A, среднему /4 и так далее…
Для этой же частоты напряжение (или ток) умножается на коэффициент √2 = 0.7. Уменьшение наполовину сигнала напряжения соответствует уменьшению на 6 дБ и следует той же схеме, что и для усиления мощности.
Наиболее распространенным инструментом, используемым для представления частотной характеристики любой системы, является график Боде . Он состоит из нормализованного усиления A В (дБ) как функции частоты в логарифмической шкале. Упрощенный график Боде усилителя показан на Рис. 1 ниже:
рис 1: Типичный график Боде усилителяГолубая кривая называется асимптотическим представлением, а синяя кривая — реальной частотной характеристикой схемы.
На рис. 1 можно выделить две разные частоты среза: f lc для «низкой отсечки» и f hc для «высокой отсечки». Величина f hc -f lc называется шириной полосы и представляет собой частотный диапазон, в котором усиление выше плато -3 дБ.
Последнее наблюдение может быть сделано относительно крутизны частотной характеристики вне полосы пропускания. Во-первых, они не обязательно должны быть идентичными для низких и высоких частот.Более того, как мы увидим позже, наклон имеет значение, которое зависит от реактивного сопротивления компонентов, которые вызывают зависимость от частоты.
Влияние конденсаторов
Рассмотрим усилитель с общим эмиттером (CEA), конфигурация которого показана на рис. 2 . :
Рис 2: Усилитель с общим эмиттеромСтруктура вокруг биполярного транзистора состоит из цепи делителя напряжения (R 1 и R 2 ), нагрузки (R L ), разделительных конденсаторов (C 1 и C ). 3 ) и байпасный конденсатор С 2 .
Важно помнить, что у конденсаторов есть свойство, называемое реактивным сопротивлением , которое является эквивалентом сопротивления. Реактивное сопротивление (X C ) конденсаторов зависит от частоты и номинала конденсатора, оно удовлетворяет следующей формуле:
уравнение 2: Реактивное сопротивление конденсаторовНезависимо от емкости конденсатора, когда частота низкая, X C имеет тенденцию быть высокой. Вблизи сигналов постоянного тока конденсаторы ведут себя как разомкнутые цепи.С другой стороны, когда частота увеличивается, X C стремится к нулю, и конденсаторы действуют как короткие замыкания.
На низких входных частотах конденсаторы связи с большей вероятностью будут блокировать сигнал, поскольку X C 1 и X C3 выше, большее падение напряжения будет наблюдаться на C 1 и C 3 . Это приводит к более низкому усилению напряжения.
При высоких входных частотах байпасный конденсатор C 2 укорачивает эмиттерную ветвь до земли, а коэффициент усиления по напряжению усилителя составляет A В = (R C // R L ) / r e , где r e — малое сопротивление эмиттера диода.Когда частоты ниже, сопротивление между эмиттером и землей больше не только r e , но R E + r e , и поэтому коэффициент усиления по напряжению уменьшается до A V = (R C // R L ) / (R E + r e ) .
Существует еще один тип конденсаторов, который влияет на частотную характеристику усилителя и не представлен на рис. 2 . . Они известны как внутренние транзисторные конденсаторы и представлены в Рисунок 3 ниже:
Рис. 3: Внутренние конденсаторы транзистораВ то время как конденсаторы связи и байпаса действуют как фильтр верхних частот (они блокируют низкие частоты), эти внутренние конденсаторы ведут себя иначе.Действительно, если частота низкая, C BC и C BE действуют как разомкнутая цепь, и на транзистор это никак не влияет. Однако, если частота увеличивается, через них проходит больше сигнала, а не через базовую ветвь транзистора, что снижает коэффициент усиления по напряжению.
Очень важная формула приведена в Уравнении 3 и связывает частоту среза RC-фильтра:
уравнение 3: Частота среза RC-фильтраНизкочастотная характеристика
Имея в виду всю эту информацию, давайте рассчитаем и построим график низкочастотной характеристики CEA , рис. 2 с параметрами, приведенными ниже:
- R S = 500 Ом; R 1 = 80 кОм; R 2 = 30 кОм; R C = 5 кОм; R E = 2 кОм; R L = 6 кОм; r e = 25 Ом
- C 1 = 100 нФ; C 2 = 150 мкФ; C 3 = 400 нФ; C BC = 5 пФ; C BE = 30 пФ
- Коэффициент усиления транзистора β = 100; В питание = 10 В
В первую очередь рассмотрим входной фильтр верхних частот R в C 1 .Как объяснялось в предыдущих руководствах, R в — это полное входное сопротивление усилителя. В нашем примере это может быть определено как]
R дюйм = R S + (R 1 // R 2 // βR E ) = 20,2 кОм .
Таким образом, нижняя частота среза входа будет: f cl, в = 1 / (2πR в C 1 ) = 79 Гц .
Та же процедура может быть проделана для выхода с выходным сопротивлением R out = R C // R L = 2.7 кОм . Нижняя частота среза выходного фильтра: f cl, out = 1 / (2πR out C 3 ) = 147 Гц .
Наконец, для байпасного конденсатора формула сопротивления более сложная и определяется следующим образом: R bypass = R E // ((r e + (R S // βR E ) / β )) = 30 Ом . Таким образом, нижняя частота среза байпасной структуры:
f cl, байпас = 1 / (2πR байпас C 2 ) = 35 Гц .
И последнее, что нам нужно понять перед построением графика Боде, — это крутизна наклона средних значений. Уменьшение A В, середина с частотой называется спадом , и его значение для каждого простого RC-фильтра составляет -20 дБ / декаду (дБ / дек). Это значение означает для фильтров верхних частот (соответственно фильтров нижних частот), что каждый раз, когда частота делится на 10 (соответственно умножается на 10), коэффициент усиления усилителя уменьшается на -20 дБ.
Когда несколько фильтров блокируют один и тот же диапазон частот, спад увеличивается.В нашем примере три фильтра одновременно блокируют частоты ниже 35 Гц, поэтому спад составляет 3 * (- 20 дБ / дек) = — 60 дБ / дек.
Эта информация может быть синтезирована на графике Боде, показывающем низкочастотную характеристику CEA в асимптотическом представлении:
рис. 4: Низкочастотная характеристика CEAВысокочастотная характеристика
Как указывалось ранее, именно внутренние конденсаторы транзистора ограничивают усиление на высоких частотах, действуя как фильтры нижних частот.Можно показать, что эквивалентная схема Рис. 2 на высокой частоте может быть нарисована так, как показано на Рис. 5 :
рис. 5: Эквивалент CEA на высокой частотеМы можем отметить, что конденсаторы связи не представлены, поскольку они ведут себя как короткие замыкания на высоких частотах. Кроме того, эмиттерная ветвь укорачивается до земли по той же причине, что и байпасный конденсатор.
Внутренний конденсатор C BC преобразуется с помощью теоремы Миллера в эквивалентные C в конденсаторах и C из конденсаторов.Более того, эта теорема утверждает, что C в = C BC (A V, середина +1) и C out = C BC (A V, середина +1) / A В, средний .
Общая входная емкость этой цепи составляет C IN = C BE + C in ; общее входное сопротивление составляет R IN = R S // R 1 // R 2 // βr e . Численное приложение к нашему примеру дает A V, mid = (R C // R L ) / r e = 108, C IN = 575 пФ и R IN = 409 Ом. Следовательно, высокая частота среза входа составляет f hc, in = 1 / (2πR IN C IN ) = 677 кГц .
С точки зрения выхода, высокая частота среза просто задается фильтром (R C // R L ) C out с C out = 5,3 пФ : f hc, выход = 1 / (2π (R C // R L ) C выход ) = 1,1 МГц .
Приведенная здесь информация суммирована на графике Боде, представляющем высокочастотную характеристику CEA в асимптотическом представлении:
рис 6: Высокочастотная характеристика CEAЗаключение
Мы представили некоторые ключевые концепции, такие как блок децибел и частота среза , чтобы понять идею частотной характеристики.