Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ высококачСствСнных ΡƒΠ½Ρ‡ Π½Π° транзисторах. ВысококачСствСнный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты Π½Π° транзисторах ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 60 Π’Ρ‚: схСма ΠΈ характСристики

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ схСма высококачСствСнного УНЧ Π½Π° транзисторах ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 60 Π’Ρ‚. КакиС тСхничСскиС характСристики ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. КакиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² схСмС УНЧ Π½Π° 60 Π’Ρ‚. Как ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π½Π° транзисторах.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики транзисторного УНЧ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 60 Π’Ρ‚

РассматриваСмый ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты (УНЧ) Π½Π° транзисторах ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

  • Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 48 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ 8 Ом, 60 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ 4 Ом
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ воспроизводимых частот: 10-200000 Π“Ρ† (ΠΏΡ€ΠΈ нСравномСрности АЧΠ₯ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5 Π΄Π‘)
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний: 0,05% Π½Π° номинальной мощности
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 0,8 Π’
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС: 47 кОм
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС: 0,02 Ом

Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π² высококачСствСнных звуковоспроизводящих систСмах, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² качСствС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.


ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма УНЧ Π½Π° транзисторах ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 60 Π’Ρ‚

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля построСна ΠΏΠΎ симмСтричной Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС каскады:

  1. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлях (VT1-VT4)
  2. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для стабилизации Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° (VT5, VT6)
  3. УправляСмыС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для раскачки Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада (VT7, VT8)
  4. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад ΠΏΠΎ схСмС Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° (VT14-VT17)
  5. Π¦Π΅ΠΏΠΈ тСрмостабилизации ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹

Вакая топология обСспСчиваСт ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния Π²ΠΎ всСм Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… мощностСй. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ частотно-зависимой ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью (ООБ), ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΅Π³ΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада УНЧ

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад усилитСля Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлях:

  • VT1, VT3 — транзисторы ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ структуры
  • VT2, VT4 — транзисторы ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ структуры

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ построСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния сигнала. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° VT5 ΠΈ VT6 ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€, поддСрТивая суммарный эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 мА.


Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад усилитСля ΠΈ Π΅Π³ΠΎ особСнности

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад УНЧ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΏΠΎ схСмС Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈ прСдставляСт собой трСхкаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ:

  • Π”Π²Π° каскада с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром
  • Один каскад с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Вакая конфигурация позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ высокий коэффициСнт усилСния ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы VT16 ΠΈ VT17 (КВ818Π“ ΠΈ КВ819Π“) способны ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 60 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ напряТСнии питания.

Π¦Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈ стабилизации Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°

Π’ усилитСлС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи:

  1. ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ООБ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R33 — стабилизируСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ всСх каскадов
  2. Частотно-зависимая ООБ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R17C5 — Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ АЧΠ₯ усилитСля
  3. Π›ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ООБ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС с R39, R40 — стабилизируСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов

НапряТСниС смСщСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада задаСтся транзистором VT9 ΠΈ рСгулируСтся рСзистором R24. ВСрмостабилизация обСспСчиваСтся Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ VD4, Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΈ коррСкция Π² схСмС УНЧ

Для обСспСчСния Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля прСдусмотрСны ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ элСмСнты:


  • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° VT12, VT13
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ЀНЧ R2C1 для подавлСния Π’Π§ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…
  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ частотной ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ R16, C4, C6-C11 для обСспСчСния устойчивости
  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ C12R45L1R47

РСзистор R1 позволяСт ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ усилитСля

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ собран Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 142×72 ΠΌΠΌ ΠΈΠ· двустороннСго Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1,5 ΠΌΠΌ. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°:

  • БплошноС Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы VT16, VT17 ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1000 см²
  • Вранзисторы VT14, VT15 снабТСны нСбольшими Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ 23x25x12 ΠΌΠΌ
  • Π”ΠΈΠΎΠ΄ тСрмостабилизации VD4 крСпится Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов

Вакая конструкция обСспСчиваСт эффСктивный Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ.

Настройка ΠΈ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° усилитСля

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ настройки УНЧ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ этапы:

  1. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов
  2. Установка Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния покоя рСзистором R18 (Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 ΠΌΠ’)
  3. Π Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада рСзистором R24 (15-25 мА)

ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости получСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС питания усилитСля. Π’ этом случаС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ рСзисторов R21 ΠΈ R25 для обСспСчСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… 10-20 мА.


«` VT1-4 VT5,6 VT7,8 VT14-17
ООБ VT12,13 «`

На схСмС прСдставлСны основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ усилитСля ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ прохоТдСния сигнала. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ… VT1-VT4 обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° VT5-VT6 ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. Π Π°ΡΠΊΠ°Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ каскад VT7-VT8 управляСт ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ каскадом VT14-VT17. Π¦Π΅ΠΏΠΈ ООБ ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ усилитСля.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° высококачСствСнного УНЧ Π½Π° транзисторах (60Π’Ρ‚)

ΠžΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½ для усилСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналов Π² составС звуковоспроизводящих установок высокого класса, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ для использования Π² качСствС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики усилитСля:

  • Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π’Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ом: 8…..48, 4…..60;
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ воспроизводимых частот ΠΏΡ€ΠΈ нСравномСрности АЧΠ₯ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5 Π΄Π‘ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности 2 Π’Ρ‚, Π“Ρ†……0…200000;
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний ΠΏΡ€ΠΈ номинальной мощности Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 20…20000 Π“Ρ†, %………..0,05;
  • НоминальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’ ………… 0,8;
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, кОм …………………..47;
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, Ом…………………..0,02.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад усилитСля прСдставляСт собой Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСля (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ), Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° транзисторах VT1, VT3 ΠΈ VT2, VT4 ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ структуры.

Рис. 1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° высококачСствСнного УНЧ Π½Π° транзисторах (60Π’Ρ‚).

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° транзисторах VT5, VΠ’6 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 мА) суммарных эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ развязку ΠΏΠΎ цСпям питания.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ подаСтся с управляСмых Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (VT7, VT7), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎ. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ²ΠΈΠ»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ «Ρ€Π°ΡΠΊΠ°Ρ‡ΠΊΠΈ» Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°, снизило Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ»ΠΎ частотныС свойства усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

КаТдоС ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ симмСтричного Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°, ΠΈ прСдставляСт собой трСхкаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ (Π² Π΄Π²ΡƒΡ… каскадах транзисторы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ — с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ).

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ частотно — зависимой ООБ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΌ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сигнал ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, снимаСмый с рСзистора R39 (R40), ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ измСнСниям Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ осущСствляСтся довольно ТСсткая стабилизация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ этого транзистора.

НапряТСниС смСщСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ступСни опрСдСляСтся сопротивлСниСм ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — эмиттСр транзистора VT9 ΠΈ рСгулируСтся рСзистором R24. НапряТСниС смСщСния тСрмостабилизировано Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ VD4, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ R16, C4, C6 — C11 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ АЧΠ₯. ΠŸΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот R2C1 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ радиочастотных сигналов.

Π¦Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° C12R45L1R47 компСнсируСт Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. На транзисторах VT12 ΠΈ VT13 собран ΡƒΠ·Π΅Π» Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. РСзистор R1 позволяСт ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² соотвСтствии с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ сигнала ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ возмоТностями примСняСмого громкоговоритСля.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ

Π’ схСмС усилитСлС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ КВ342А, КВ342Π‘ ΠΈ КВ313Π‘, КВ315 ΠΈ КВ361 (с индСксами ΠΎΡ‚ Π’ Π΄ΠΎ Π•).

Вранзисторы VT14 ΠΈ VT15 (возмоТная Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° — КВ816Π’, КВ816Π“ ΠΈ КВ817Π’, КВ817Π“ ΠΈΠ»ΠΈ КВ626Π’ ΠΈ КВ904А) снабТСны рСбристыми Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 23Ρ…25Ρ…12 ΠΌΠΌ.

Π’ качСствС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы КВ818Π“Πœ ΠΈ КВ819Π“Πœ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния питания ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ мощности ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 70 Π’Ρ‚. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ VD1 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π”816Π“ ΠΈΠ»ΠΈ 2Π‘536А, VD2 ΠΈ VD3 — КБ147А (ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ сопротивлСний рСзисторов R11 ΠΈ R14).

А. ИсаСв, Π’. Π£Ρ€ΠΈΠ½.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ:Β 

  1. Π’ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ (Π’Π Π›) β„– 99 — «Π’ысококачСствСнный экономичный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности»;
  2. НиколаСв А.П., Малкина М.Π’. — 500 схСм для Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. 1998.

ВысококачСствСнный экономичный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности

Как извСстно, симмСтричныС ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ усилитСли НЧ вносят ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния ΠΏΡ€ΠΈ всСх уровнях Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности. Один ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² высококачСствСнного усилитСля, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами, Π±Ρ‹Π» ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½ Π² [1]. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ описаниС этого усилитСля ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² [2]. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ спроСктирован Π½Π° транзисторах Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ структуры ΠΈ являСтся симмСтричным ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад, Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ΅ ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ступСни прСдставляСт собой ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью (ООБ) с коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ большС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° этих схСмных Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ описаны ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° страницах ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»Π° Β«Π Π°Π΄ΠΈΠΎΒ» [3, 4].


Рис.1 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ максимальной Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ коэффициСнту Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ 0,2 %, ΠΎΡ‚ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (кривая 1) ΠΈ ΠΎΡ‚ напряТСния питания ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 7,7 Ом (кривая 2)

ΠŸΡ€ΠΈ испытаниях Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… экзСмпляров усилитСля, собранных ΠΏΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ схСмС Π½Π° отСчСствСнной элСмСнтной Π±Π°Π·Π΅, выявился ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ нСдостаток β€” сущСствСнноС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта использования напряТСния питания (КИНП) ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ *. А это Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π·Π° собой Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС питания для получСния Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ мощности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию экономичности, ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² усилитСля. Π—Π° счСт видоизмСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ КИНП ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 50 % ΠΈ, ΠΏΠΎΠΏΡƒΡ‚Π½ΠΎ, Π½Π° 35 % ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС усилитСля ΠΏΡ€ΠΈ сохранСнии ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик.

ΠžΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½ для усилСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналов Π² составС звуковоспроизводящих установок высокого класса, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ для использования Π² качСствС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ , ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики усилитСля
Номинальная (ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ) выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π’Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ом:
8 ……………………… 48
4 ……………………….60
Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ воспроизводимых частот ΠΏΡ€ΠΈ нСравномСрности АЧΠ₯
Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5 Π΄Π‘ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности 2 Π’Ρ‚, Π“Ρ† . . . . 10…200000
Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний ΠΏΡ€ΠΈ номинальной Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 20…20000 Π“Ρ†, % …….. 0,05
НоминальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС (Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅), Π’ 0,8 Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, кОм . . . . . . . . . . . . . 47
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, Ом…………………… 0,02

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ усилитСля ΠΎΡ‚ стабилизированного источника Β±31,5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈ использовании нСстабилизированного источника для сохранСния характСристик напряТСниС питания слСдуСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° 1…3 Π’ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Смкости кондСнсаторов Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°. НСобходимо ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для уровня Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π΅ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, обусловлСнноС возмоТностями имСвшСйся Ρƒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ врСмя установлСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Π° напряТСния с Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° 0,1 мкс. Для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ 10 Π’ ΠΎΠ½ΠΎ оказалось Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 1 мкс, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ выбросы Π½Π° плоской части составляли Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 15’%. На рис. 1 прСдставлСны зависимости максимальной Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ коэффициСнту Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ 0,2 %, ΠΎΡ‚ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RH ΠΏΡ€ΠΈ стабилизированном ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ Β±31,5 Π’ (кривая L), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ напряТСния питания ΠΏΡ€ΠΈ RH 7,7 Ом (кривая 2).
ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 2. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад прСдставляСт собой Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСля (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ), Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° транзисторах VT1, VT3 ΠΈ VT2, VT4 Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ структуры. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° транзисторах VT5, VT6 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ I мА) суммарных эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ развязку ΠΏΠΎ цСпям питания. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ подаСтся с управляСмых Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (VT7, VT8), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎ. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ «раскачки» Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°, снизило Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ»ΠΎ частотныС свойства; усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

КаТдоС ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ симмСтричного Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°. Оно прСдставляСт собой трСхкаскадный уси-Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ (Π² Π΄Π²ΡƒΡ… каскадах транзисторы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈΠ² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ β€” с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ). Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ частотно-зависимой ООБ, ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΌ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сигнал ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, снимаСмый с рСзистора R39 (R40), ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ измСнСниям Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ осущСствляСтся довольно ТСсткая стабилизация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ этого транзистора; НапряТСниС смСщСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ступСни опрСдСляСтся сопротивлСниСм ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€” эмиттСр транзистора VT9 ΠΈ рСгулируСтся рСзистором R24. НапряТСниС смСщСния тСрмостабилизировано Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ VD4, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ООБ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R33 стабилизируСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ всСх каскадов ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π¦Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° R17C5 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρƒ ООБ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, прСобразуя ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ с коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 27 Π΄Π‘.

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ R16, Π‘4, Π‘6 β€”Π‘11 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ АЧΠ₯. ΠŸΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот R2C1 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ радиочастотных сигналов. Π¦Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° C12R45L1R47 компСнсируСт Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. На транзисторах VT12 ΠΈ VT13 собран ΡƒΠ·Π΅Π» Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. РСзистор R1 позволяСт ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² соотвСтствии с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ сигнала ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ возмоТностями примСняСмого громкоговоритСля.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ смонтирован Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ (рис. 3) Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 142X72 ΠΌΠΌ, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· двухстороннС Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1,5 ΠΌΠΌ. Π‘ΠΎ стороны Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ (рис. 4) Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³Π° оставлСна Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ сплошного «зСмляного» поля. Π’ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ отвСрстий для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ Π² радиусС 1,5…2,5 ΠΌΠΌ Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³Π° ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π°.
Π’Π½Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ FU1β€”FU3, транзисторы VT16, VT17, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ-ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1000 см2, ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD4. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, рСзистор R1 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π°Ρ‰Ρ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ, с Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π±Ρ‹Π»Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ максимальной Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности.

Помимо ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° схСмС Π² усилитСлС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ КВ342А, КВ342Π‘ ΠΈ КВ313Π‘, КВ315 ΠΈ КВ361 (с индСксами ΠΎΡ‚ Π’ Π΄ΠΎ Π•). Вранзисторы VT14 ΠΈ VT15 (возмоТная Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° β€”ΠšΠ’816Π’, КВ816Π“ ΠΈ КВ817Π’, КВ817Π“ ΠΈΠ»ΠΈ КВ626Π’ ΠΈ КВ904А) снабТСны рСбристыми Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 23Π₯ Π₯25Π₯12 ΠΌΠΌ. Π’ качСствС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы КВ818Π“Πœ ΠΈ КВ819Π“Πœ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния питания (см. рис. 1) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ мощности ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 70 Π’Ρ‚.

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ VD1 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π”816Π“ ΠΈΠ»ΠΈ 2Π‘536А, VD2, VD3 β€”ΠšΠ‘147А (ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ сопротивлСний рСзисторов R11 ΠΈ R14).

Π’ качСствС подстроСчных ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ рСзисторы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° БП5-3. РСзисторы R39, R40, R46, R47 ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ· высокоомного ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 0,8 ΠΌΠΌ, рСзисторы R35, R38, R45, R47 β€” МОИ, ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ β€” ΠœΠ›Π’. Π”Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ L1 Π½Π°ΠΌΠΎΡ‚Π°Π½ Π½Π° рСзисторС R47 ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠŸΠ­Π’-2 0,8 Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ряд Π΄ΠΎ заполнСния корпуса рСзистора. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 β€”Π­Π’Πž ΠΈΠ»ΠΈ К50-6, Π‘5 β€”Πš50-6, ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ β€” КМ.

НалаТиваниС усилитСля сводится ΠΊ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ. Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π°, Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ усилитСля ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ эквивалСнт Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ, ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ увСличивая напряТСниС питания, ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ бросков потрСбляСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ падСнию напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°. ПослС этого ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈ рСзистором R18 ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ (Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 ΠΌΠ’), Π° рСзистором R24 β€” Ρ‚ΠΎΠΊ покоя Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 15…25 мА.

Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ усилитСлС ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большого числа транзисторов компСнсируСтся Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ схСмныС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ мСстных ООБ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ высоких характСристик ΠΈ ΠΈΡ… Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΡƒΡŽ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π»Π°Π΄ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом практичСски Π½Π΅ трСбуСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π±ΠΎΡ€Π° транзисторов. Благодаря ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ использованию напряТСния питания ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ покоя ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ экономичСн. А Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… мощностСй Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ… ΠΎΡ‚ 4 Π΄ΠΎ 15 Ом Π·Π° счСт измСнСния напряТСния питания (ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ½Π°Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ рСзисторов R21 ΠΈ R25 с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 10…20 мА) обСспСчиваСт ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.

Бписок радиоэлСмСнтов
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π’ΠΈΠΏΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅ΠœΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½ΠœΠΎΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT1, VT3, VT5, VT7, VT11, VT12Биполярный транзистор

КВ3107Π‘

6Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT2, VT4, VT6, VT8-VT10, VT13Биполярный транзистор

КВ3102А

7Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT14Биполярный транзистор

КВ814Π“

1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT15 Биполярный транзистор

КВ815Π“

1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT16Биполярный транзистор

КВ819Π“

1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VT17Биполярный транзистор

КВ818Π“

1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VD1Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½

КБ539Π“

1Π”816Π“ ΠΈΠ»ΠΈ 2Π‘536АПоиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VD2, VD3Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½

КБ156А

2КБ147А (с Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ R11 ΠΈ R14)Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
VD4Π”ΠΈΠΎΠ΄

ΠšΠ”513А

1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C1ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€120 ΠΏΠ€1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C2ЭлСктролитичСский кондСнсатор200 ΠΌΠΊΠ€ 50 Π’1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C3, C6, C10-C12ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€0. 1 ΠΌΠΊΠ€5Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C4ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€220 ΠΏΠ€1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C5ЭлСктролитичСский кондСнсатор200 ΠΌΠΊΠ€ 6 Π’1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C7, C9ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€1000 ΠΏΠ€2Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
C8ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€62 ΠΏΠ€1Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R1ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор10 кОм1БП5-3Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R2, R4, R12, R13, R16, R22РСзистор

1 кОм

60. 25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R3РСзистор

47 кОм

10.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R5, R6, R9, R10РСзистор

100 Ом

4Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R7, R8РСзистор

10 кОм

20.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R11, R14РСзистор

4.7 кОм

20.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R15РСзистор

4.7 кОм

10.5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R17РСзистор

100 Ом

10. 25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R18ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор680 Ом1БП5-3Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R20РСзистор

1.5 кОм

10.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R21, R25РСзистор

820 Ом

21 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R23РСзистор

330 Ом

10.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R24ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор330 Ом1БП5-3Поиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R26, R28, R29, R31РСзистор

1 кОм

40. 5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R27, R30РСзистор

220 Ом

20.5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R32-R34РСзистор

2.2 кОм

30.5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R35, R38РСзистор

5.1 Ом

2МОИ, 0.5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R36, R37РСзистор

100 Ом

20.5 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R39, R40РСзистор

0.4 Ом

2Из высокоомного ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° 0. 8 ммПоиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R41, R42РСзистор

12 кОм

20.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R43, R44РСзистор

150 Ом

20.25 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R45, R47РСзистор

10 Ом

2МОИ, 1 Π’Ρ‚ΠŸΠΎΠΈΡΠΊ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
R46, R48РСзистор

0.1 Ом

2Из высокоомного ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° 0.8 ммПоиск Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠžΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π’ Π±Π»ΠΎΠΊΠ½ΠΎΡ‚
L1ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° индуктивности1ΠŸΠ­Π’-2 0.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *