Трансивер микрон схема: Page not found — Сайт prograham! — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

ПВД. Аппаратура

К связной аппаратуре предъявляются те же требования, что и к остальному снаряжению — по возможности малый вес и большая надежность, плюс низкое энергопотребление.

Лучшим SSB трансивером для похода считаю ELECRAFT KX3. К сожалению, его цена около 1100$. Еще одним хорошим вариантом является YAESU FT-817. На мой взгляд, у него три недостатка: отсутствие компрессора, существенный вес (1,2 кг) и довольно большой ток потребления на прием (300 мА). Хорошие обзоры и рекомендации для подготовки этого трансивера к полю были проведены Игорем UA6HJQ и Виталием RM9WY.

Было решено изготовить трансивер самостоятельно. За основу взята сема основной платы Клопик от RW3LE, в которой использовался заводской кварцевый фильтр ФП2П4-410 и микросхема SA612 в качестве второго смесителя. Схема простая, в настройке практически не нуждается. Ток потребления платы на прием составляет 50 мА.

При анализе схемотехники самодельной аппаратуры я пришел к выводу, что самым прожорливым узлом трансивера является синтезатор частот.

С учетом того, что в поле работаю в основном на диапазоне – 14 МГц, решил сделать однодиапазонный аппарат с ГПД по схеме US5MSQ. Перестройка по диапазону осуществляется варикапами с помощью 20-и оборотного переменного резистора. В качестве частотозадающего контура применена катушка от военной радиостанции с возженной в керамический каркас обмоткой и помещенной в герметичный экран и конденсатор типа КСО. Частотный диапазон составляет 14,100-14,185 МГц. Небольшим недостатком является так же разная скорость перестройки частоты в начале и в конце диапазона.

Для контроля частоты используется цифровая шкала А.Денисова RA3RBE с прошивкой от Корабельнокова. Индикатор АЛС318 выбран из соображений малого размера, но ввиду его большого тока потребления предусмотрено отключение питания всей шкалы.

Для повышения эффективности работы на передачу в составе трансивера есть двухканальный микрофонный компрессор на микросхеме К157ХП3 с 5-и полосным эквалайзером от UR6EJ. Микрофон ДЭМШ-1 выбран ввиду высокой устойчивости к внешнему воздействию. Его частотный диапазон хорошо подстраивается с помощью эквалайзера.

Усилитель мощности собран на транзисторе RD16HHF по схеме от трансивера Микрон от RA9COR. Он не боится больших КСВ и выдает в нагрузку 8 Вт. На плате УМ собран двухконтурный ДПФ и АТТ.

Стрелочный индикатор показывает напряжение аккумулятора, выходную мощность, прямой и обратный КСВ, S-метр. Поскольку точности показания стрелочного вольтметра недостаточно для контроля за напряжением литиевой батареи, дополнительно используется специализированный свето-звуковой индикатор для 3-х баночной Li-Po АКБ.

Слабым местом у заводских трансиверов являются их внешние разъемы. Со временем корпусные разъемы разбалтываются, в них теряется контакт, и они могут совсем поломаться. В моей конструкции применяется навинчивающийся разъем РС10, к которому подключен кабель тангенты и кабельный разъем питания 5мм. К тангенте через стандартный кабельный джек 3,5мм подключаются любые головные телефоны. Кроме внешних наушников можно использовать встроенный в тангенту динамик с отдельным усилителем на TDA2822M. Такое решение позволяет работать в эфире в случае поломки наушников. Чтобы не возникало паразитной обратной связи, в момент передачи питание от усилителя отключается. На корпусе трансивера расположен еще один силовой разъем питания ХТ-60 для непосредственного подключения Li-Po аккумулятора. Наличие двух разных разъемов расширяет варианты запитки трансивера. В качестве антенного разъема применяется винтовой SMA. Он позволяет снизать массу и за счет винтового соединения увеличивает надежность подключения. Для защиты от влаги все платы покрыты защитным лаком.

Минимальный ток потребления на прием составляет 80 мА, на передачу 1,9 А. При включении цифровой шкалы и динамика ток RX увеличивается до 160 мА. Вес трансивера вместе с тангентой и наушниками-затычкми составляет 650 г. Габариты 35х150х140 мм.

Для ведения аппаратного журнала применяется блокнот в клетку с твердым переплетом. В сырых погодных условиях использую блокнот со специальной водостойкой бумагой, приобретался в Сплаве. Записи ведутся автоматическим карандашом. В продаже имеются много автоматических карандашей, но, к сожалению, далеко не все они хорошего качества, надо выбирать и проверять. С собой необходимо иметь запасные грифели, резинку и обычный заточенный карандаш.

В итоге весь комплект связного оборудования весит от 1,5 до 2 кг в зависимости от АКБ, что является хорошим показателем экономии веса.

Фотографирую в походе на цифровой зеркальный фотоаппарат Nikon D5000. В комплекте к нему имеется два объектива: 35 мм и 18-200 мм. Весит все это хозяйство вместе с сумкой 2,2 кг. Тяжеловато конечно, но ничего не поделаешь, после зеркалки пользоваться «мыльницей» не хочется. Хотелось бы также брать и штатив, но он весит еще 1,3 кг. Переносить фотосумку удобнее всего, пристегнув ее за полукольца на передней стороне лямок рюкзака. Чтобы сумка не болталась при ходьбе из стороны в сторону, вокруг тела охватывается широкая резинка с пряжкой, которая прижимает сумку к животу.

Celeron® Processor for PGA370 Socket up to 1.40 GHz on 0.13 Micron

Поиск на сайте Intel.com

Вы можете выполнять поиск по всему сайту Intel.com различными способами.

Торговое наименование: Core i9
Номер документа: 123456
Кодовое название: Kaby Lake
Специальные операторы: “Ice Lake”, Ice AND Lake, Ice OR Lake, Ice*

Ссылки по теме

Вы также можете воспользоваться быстрыми ссылками ниже, чтобы посмотреть результаты самых популярных поисковых запросов.

Недавние поисковые запросы

EDW4032BABG-70-F-D, Micron Technology EDW4032BABG-70-F-D в наличии на складе. Купите EDW4032BABG-70-F-D по лучшей цене на Components-Store.com

Micron Technology

Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить EDW4032BABG-70-F-D с уверенностью от Components-Store.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

номер части	EDW4032BABG-70-F-D
производитель	Micron Technology
Описание	IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Без свинца / Соответствует RoHS

~~In Stock~~ 6982 pcs
Ссылка Цена (в долларах США)	1440 pcs
Ссылка Цена (в долларах США)	$4.293

Параметр продукта
Сопутствующие товары
Связанные новости
Техническая спецификация

Product parameter

номер части	EDW4032BABG-70-F-D
производитель	Micron Technology
Описание	IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Без свинца / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии	6982 pcs
Техническая спецификация	EDW4032BABG
категория	Интегральные схемы (ICs)
Время цикла записи — слово, страница	—
Напряжение тока — поставка	1.31 V ~ 1.65 V
Технологии	SGRAM — GDDR5
Поставщик Упаковка устройства	170-FBGA (12×14)
Серии	—
упаковка	Bulk
Упаковка /	170-TFBGA
Рабочая Температура	0°C ~ 95°C (TC)
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	3 (168 Hours)
Тип памяти	Volatile
Размер памяти	4Gb (128M x 32)
Интерфейс памяти	Parallel
Формат памяти	RAM
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание	SGRAM — GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.75GHz 170-FBGA (12×14)
Тактовая частота	1.75GHz

Components-Store.com является надежным дистрибьютором электронных компонентов. Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Micron Technology. У нас есть 6982 штук Micron Technology EDW4032BABG-70-F-D в наличии на складе в настоящее время. Запросите предложение у дистрибьютора электронных компонентов на Components-Store.com, наш отдел продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
RFQ Email: [email protected]

Сопутствующие товары

Связанные новости для

EDW4032BABG-70-F-D

Ключевые слова для

EDW4032BABG-70-F-D

~~Micron Technology EDW4032BABG-70-F-DEDW4032BABG-70-F-D дистрибьюторEDW4032BABG-70-F-D поставщикEDW4032BABG-70-F-D ценаEDW4032BABG-70-F-D скачать данныеТаблица EDW4032BABG-70-F-DEDW4032BABG-70-F-D акциикупить EDW4032BABG-70-F-DMicron Technology EDW4032BABG-70-F-DMicron Technology Inc. EDW4032BABG-70-F-D~~

Micron Technology — MT52L1G32D4PG-093 WT:B Интернет-дистрибьютор

Введение

MT52L1G32D4PG-093 WT:B — это IC SDRAM 32GBIT 1.067GHZ FBGA, это часть серии -. они предназначены для работы как Память.

MT52L1G32D4PG-093 WT:B с контактными деталями производства Micron Technology. MT52L1G32D4PG-093 WT:B доступен в пакете , он является частью электронного компонента Chips. Включает серию -. они предназначены для работы как Память. Это с рабочей температурой -30°C ~ 85°C (TC).

MT52L1G32D4PG-093 WT:B с оригинальным запасом производства Micron Technology. MT52L1G32D4PG-093 WT:B доступен в пакете . Как правило, микросхемы IC предлагают функции стиля монтажа, такие как SMD / SMT, корпус пакета MT52L1G32D4PG-093 WT:B предназначен для работы в , его рабочая температура составляет -30°C ~ 85°C (TC).
MT52L1G32D4PG-093 WT:B доступен в пакете , является частью Память и относится к Интегральные схемы (ИС).
MT52L1G32D4PG-093 WT:B с моделями EDA / CAD производства Micron Technology. MT52L1G32D4PG-093 WT:B доступен в
Пакет, является частью Интегральные схемы (ИС).
MT52L1G32D4PG-093 WT:B — это Память с пакетом , изготовленной Micron Technology. MT52L1G32D4PG-093 WT:B доступен в пакете , является частью IC SDRAM 32GBIT 1.067GHZ FBGA.

Вопросы и ответы

Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь MT52L1G32D4PG-093 WT:B?

A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.

Q: Как платить деньги?

О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.

Q: Есть детали MT52L1G32D4PG-093 WT:B с гарантией?

A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.

Q: делать вы поддерживаете таблицу данных MT52L1G32D4PG-093 WT:B или модели САПР?

A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.

В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?

А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.

Вопрос: Можете ли вы доставить детали MT52L1G32D4PG-093 WT:B напрямую на наш завод OEM.

A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.

Q: Я просто нужен один кусок MT52L1G32D4PG-093 WT:B, могу ли я заказать?

У него Зависит от MOQ MT52L1G32D4PG-093 WT:B, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.

Q: Как Долго Могу ли я получить MT52L1G32D4PG-093 WT:B после оплаты?

А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.

МИКРОСХЕМЫ (A-M)

Actel (http://www.actel.com), США – производит микросхемы: ПЛИС с памятью ППЗУ для серийного производства. Выпускаются три разновидности: с однократно программируемой памятью, с Flash памятью и однократно программируемой радиационно стойкой памятью. В настоящее время входит в состав компании Microsemi.

Allergro (http://www.allegromicro.com), США – производят микросхемы: большинство приборов компании включают в себя датчики Холла: датчики тока до 200 А, цифровые датчики позиции, датчики линейного перемещения и угла, датчики скорости, драйверы электромоторов постоянного тока, одноканальные драйверы светодиодов по технологии Buck конвертер со встроенным транзистором на входное напряжение до 50 В и выходной ток до 3,5А, многоканальные драйверы тока ( до 4-х buck конвертеров в одном корпусе ) для принтеров и промышленной автоматики, линейные регуляторы тока для светодиодного освещения на входное напряжение до 50 В и выходной ток 4х100 мА, регуляторы тока на входное напряжение до 450 В с транзистором до 650 В для светодиодных ламп по изолированной и неизолированной топологии производства приобретённой недавно компании Sanken.

AMS (http://ams.com ), Германия – производит микросхемы, адаптированные по цене и функциональности для серийных приборов и оборудования: аудио: шумоподавители., аудио усилители, аудио кодеки, телефоны; датчики свойств окружающей среды: датчики качества воздуха, датчики газа, датчики кислорода; датчики света: датчики наружного освещения, датчики наружного освещения комбинированные с датчиками приближения, датчики цвета, датчики цвета и датчики приближения, датчики жестов, цвета и приближения, преобразователи свет-частота, преобразователи свет-напряжение, биодатчики; управление освещением; датчики позиционирования на магнитах: датчики угла, датчики линейной позиции; микросхемы управления и преобразования электропитания: драйверы светодиодов, подсветка видео дисплеев, драйверы фото вспышки, управление освещением, DC-DC Buck-Boost преобразователи, DC-DC Buck преобразователи, DC-DC Charge Pumps, ВС-ВС Boost преобразователи, DC-DC контроллеры, LDO, Супервизоры, аналоговые коммутаторы, операционные усилители; схемы для батарей питания: зарядные контроллеры, супервизоры батарей, интерфейсы для батарей; измерение скорости потока жидкостей и газов: ультразвуковые преобразователи для измерения время-пролётным методом; прецизионное измерение временных интервалов: время-цифровые преобразователи; беспроводные коммуникации: считыватели, NFC AFE, датчики меток и интерфейсы, беспроводные коммуникации для сенсоров; интерфейсы датчиков: PICICAP – преобразователи электрическая ёмкость-код, PICOSTRAIN – преобразователи электрическое сопротивление-код, фотопреобразователи, FlexRay трансиверы, LIN/CAN Bus системы.

Amd (http://www.amd.com), США – производит микросхемы: микропроцессоры и микросхемы для видеокарт.

Analog Devices (http://www.analog.com), США — производит микросхемы: дифференциальные усилители, инструментальные усилители, изолирующие усилители, операционные усилители, радиочастотные усилители, АЦП, ЦАП, аналоговые/HDMI/DVI интерфейсы, аудио и видео КОДЕКи, AFE видеокамер и камкодеров, видео кодеры, декодеры и компрессоры, драйверы дисплеев, драйверы линз, микросхемы обработки широкополосного сигнала для кабельного ТВ, DSL модемов; матричные коммутаторы для информационных сетей предприятий, метро, генераторы и цифровые синтезаторы сигналов, PLL, высокоскоростные логические элементы, трансиверы последовательных интерфейсов RS-232, RS-422, RS-485, HART и токовая петля 4-20 мА, изолированные и неизолированные CAN, изолирующие интерфейсы схемы, преобразователи уровней, контроллеры клавиатуры, преобразователи RMS в DC, компараторы, источники опорного напряжения, токовые зеркала, MEMS датчики и узлы: акселерометры, гироскопы, измерители инерции, магнитного поля, драйверы лазерных диодов и оптические сенсоры для оптических коммуникаций, регуляторы токов и напряжений импульсные и линейные, супервизоры, микроконтроллеры и процессоры DSP, микросхемы для счётчиков электроэнергии, датчики температу

BSI Brilliamce (http://www.brilliancesemi.com), Тайвань – производит микросхемы: статическую память SRAM промышленных стандартов, аналоги микросхем памяти других производителей.

Cirrus Logic (https://www.cirrus.com), США – производит микросхемы: для профессионального, бытового и автомобильного аудио и промышленных приборов: моно и стерео драйверы громкоговорителя, АЦП и ЦАП для аудио, кодеки стерео и многоканальные для объёмного звука, кодеки touchscreen контроллеры, AC 97 и HD аудио кодеки, кодеки подавления шумов, генераторы для аудио техники, аудио процессоры DSP, голосовые процессоры DSP, сетевого аудио CobraNet компоненты, модули и средства разработки, аудиоинтерфейсы и преобразователи частоты дискретизации, аналоговые и цифровые порты микрофонов, регуляторы уровня, подавители эхо-сигнала; однофазные и трёхфазные AFE для бюджетных счётчиков электроэнергии, заряда электрического транспорта, инверторов солнечных батарей; одноканальные и многоканальные узлы сейсмического оборудования: усилители геофонов, усилители гидрофонов; Дельта-Сигма АЦП, ARM7 и ARM9 микроконтроллеры, контроллеры сетей 10Base-T, прецизионные операционные усилители.

ChiPLUS (http://www.chiplus.com/), Тайвань — производит микросхемы: статическую память SRAM, повторяющую промышленные стандарты известных производителей, многоканальные драйверы светодиодных дисплеев; драйверы тока светодиодов; регуляторы напряжений и токов LDO, светодиодные лампы для освещения и роста растений.

Cypress (http://www.cypress.com), США – производит микросхемы: для радиочастотной беспроводной связи бытовых и носимых приборов: индикаторы пульса, давления, наушники, радио: WirelessUSB NX трансиверы и компоненты, трансиверы и компоненты Bluetooth BLE, 32-х битные микроконтроллеры ARM Cortex, программируемые системы на кристалле c BLE, программируемые контроллеры USB Type-C портов и хабов, контроллеры высокоскоростного и суперскоростного USB периферии для PC , микросхемы управления электропитанием, драйверы светодиодов, драйверы и регуляторы напряжения питания для PC и универсальные, контроллеры ёмкостных сенсоров CapSense, контроллеры считывателей отпечатков пальцев, память NOR Flash, память NAND Flash, память HyperRAM, энергонезависимая статическая память SRAM без применения батареек: F-RAM ( ферроэлектрическая RAM) и nvSRAM ( более 20 лет хранения на базе ячеек SONOS), классическая асинхронная SRAM, классическая синхронная SRAM, программируемые кварцевые генераторы, VCXO, фильтры, генераторы со сниженным излучением ЭМИ, PLC модемы, чипсеты сетевой передачи видео.

Elmos (http://www.elmos.com), Германия – производит микросхемы: интерфейсные – PSI5 трансиверы, CAN трансиверы и системный чип, LIN трансиверы и системный чип, FlexRay трансиверы и прибор, IO-Link трансиверы, KNX/EIB трансиверы; регуляторы тока и напряжения импульсные и линейные, в том числе для светодиодной техники; драйверы шаговых, DC и BLDC двигателей; драйверы ультразвуковых автомобильных датчиков приближения, сигнальные процессоры для датчиков, микросхемы для HALIOS – многоцелевые датчики в автомобили, детекторы дыма, ИК контроллеры, датчики тока для контроля трёхфазных электромоторов, батарей двигателей автомобилей; драйверы и датчики подушек безопасности автомобилей, IGBT драйверы катушек зажигания автомобилей.

Freescale (http://www.freescale.com), США – производит микросхемы: ARM микроконтроллеры, микроконтроллеры для мощных потребителей Power Architecture®, 8-ми и 16-ти битные микропроцессоры, драйверы светодиодов, моторов, интерфейсы, усилители цифровых сигналов, кондиционеры сигналов, аудио кодеки, микросхемы для автомобильной безопасности: радары, торможение, подушки безопасности, давление в шинах; микросхемы для беспроводной зарядки: 5 Вт и 15 Вт контроллеры, мультистандартные; микросхемы для зарядки литий-ионных и литий полимерных батарей, датчики батарей; микросхемы контроля бензиновых и дизельных двигателей автомобилей; линейные и импульсные регуляторы тока и напряжения; схемы PoE; радиочастотные транзисторы и микросхемы: для СВЧ печей, мобильного радио, широкополосного FM и TV, для авиарадаров, базовых станций сотовой связи, модулей Bluetooth управления светодиодным освещением; датчики в корпусе микросхем: сенсорные хабы, датчики положения 6-ти измерений, измерители ускорения, гироскопы, магнетометры, давления, касания, приближения и наборы сенсоров разного типа для разработчиков; микросхемы беспроводных коммуникаций и наборы разработчика для них: 2,4 ГГц, SUB-1, Meter-Bus, ZigBee, Bluetooth low energy, Thread.

Greenliant (http://www.greenliant.com), США — производит микросхемы: для ответственных применений NANDrive – память NAND flash в одном корпусе с контроллером образует SSD в корпусе микросхем для встроенных приложений на транспорте, промышленности, автоматике зданий; карты с NANDrive с PCI интерфейсом, mSATA, SATA, PATA, eMMC интерфейсами; отдельные микросхемы NAND контроллеров, специальные виды памяти Flash, в том числе со сроком хранения более 100 лет и 100000 циклов записи.

GSI Technology (http://www.gsitechnology.com), США – производит микросхемы: память LLDRAM, Quad SRAM, DDR SRAM, SYNCBURST SRAM, NBT SRAM, специальная SRAM и асинхронная SRAM; платы IP портов с блоками памяти поддерживающие в том числе Xilinx 7, Xilinx 6, Altera Stratix V.

Hynix (http://www.hynix.com), Корея – преобразована из Hyundai Electronics, производит микросхемы: память DRAM, NAND для компьютеров, бытовых приборов, графических модулей и мобильных телефонов; модули памяти.

Infineon (https://www.infineon.com), Германия — производит микросхемы: мощные MOSFET, IGBT, ключи высокого и низкого потенциала, линейные регуляторы напряжения, DC-DC преобразователи, драйверы светодиодов, SiC силикон карбидные высоковольтные диоды и модули, мощные тиристоры и диоды, драйверы и схемы управления электродвигателями, преобразователи AC-DC, микросхемы автомобильных систем, схемы защиты от выбросов напряжения, предохранители; 32-х битные и 16-ти битные микроконтроллеры, 8051 микроконтроллеры; антенные тюнеры и переключатели, радиочастотные транзисторы, диоды, усилители, приёмники, передатчики, трансиверы, модули, микроволновые 24-86 ГГц трансиверы, схемы защиты информации, USB Token, Смарт карт схемы; магнитные датчики позиции, скорости, тока, интегрированные автомобильные датчики давления, 3D датчики, датчики радаров, ёмкостные датчики, интерфейсные промышленные трансиверы, выпрямители, диодные мосты, мощные быстродействующие диоды, чип-диоды.

Intel (http://www.intel.ru), США – производит микросхемы: процессоры Intel Core, Intel Xeon, Intel Atom, Intel Quark, Intel Celeron, контроллеры периферийных устройств, Ethernet контроллеры, платы Intel Edison для Arduino, продукты серии IoT.

International Rectifier (https://www.infineon.com), Германия — производит микросхемы: в 2015 году объединилась с Infineon и выступает теперь под её именем, производит микросхемы и полупроводники: мощные MOSFET, IGBT, ключи высокого и низкого потенциала, линейные регуляторы напряжения, DC-DC преобразователи, драйверы светодиодов, SiC силикон карбидные высоковольтные диоды и модули, мощные тиристоры и диоды, драйверы и схемы управления электродвигателями, преобразователи AC-DC, микросхемы автомобильных систем, схемы защиты от выбросов напряжения, предохранители; 32-х битные и 16-ти битные микроконтроллеры, 8051 микроконтроллеры; антенные тюнеры и переключатели, радиочастотные транзисторы, диоды, усилители, приёмники, передатчики, трансиверы, модули, микроволновые 24-86 ГГц трансиверы, схемы защиты информации, USB Token, Смарт карт схемы; магнитные датчики позиции, скорости, тока, интегрированные автомобильные датчики давления, 3D датчики, датчики радаров, ёмкостные датчики, интерфейсные промышленные трансиверы, выпрямители, диодные мосты, мощные быстродействующие диоды, чип-диоды.

Intersil (http://www.intersil.com), США — производит микросхемы: регуляторы питания линейные, импульсные Buck c интегрированным транзистором, мультифазные buck контроллеры, buck-boost контроллеры, менеджеры батарей питания, компьютерные источники питания, цифровые преобразователи питания, питание и подсветка дисплеев, схемы горячего питания, изолированные источники питания, драйверы светодиодов, малошумящие регуляторы, драйверы MOSFET; усилители и буферы: операционные усилители, компараторы, датчики тока, дифференциальные усилители, усилители и буферы для дисплеев, усилительные блоки, высокоскоростные усилители, инструментальные усилители, драйверы линий, прецизионные операционные усилители, схемы выборки хранения, транзисторные сборки; аудио и видео: аудиокоммутаторы, буфферы, D2Audio, DVI/HDMI, AFE HD video, процессоры дисплеев, видео дектодеры и энкодеры, калибраторы, схемы посветки, схемы сдвига уровня, видео CAT-5 микросхемы, синхронизаторы, фильтры, защёлки; преобразователи сигналов: ЦАП, цифровые потенциометры, высокоскоростные АЦП, прецизионные АЦП, источники опорного напряжения; интерфейсные микросхемы RS485, 422, 232; оптоэлектроника: датчики окружающего света, драйверы диодных лазеров, датчики приближения; цифровые микросхемы: DSP, память EEPROM, RAM, драйверы дисплеев, микропроцессоры и периферия.

Invensense (http://www.invensense.com/), США — производит микросхемы: системы на кристалле: стабилизаторы изображения; датчики движения: по 1, 2, 3, 6 и 9 осям; аналоговые и цифровые микрофоны-модули, датчики места локации включают объединённые общим ПО акселерометры, гироскопы, магнетометры и датчики давления.

Macronix (http://www.macronix.com), Тайвань – производит микросхемы: память NOR Flash, OctaFlash — 8 портов I/O с SPI, Ultra Low Power Flash – потребление на 60% ниже традиционных, память c последовательным интерфейсом, память с параллельным интерфейсом 8 и 16 бит, компактная память в корпусе SIP; NAND Flash; ROM.

Maxim (https://www.maximintegrated.com), США — крупная компания, производит микросхемы: питания — импульсные регуляторы мощности: повышающие, понижающие, драйверы светодиодов, менеджеры питания, модули питания, цифровые регуляторы мощности, контроллеры «горячего подключения», драйверы щёточных моторов постоянного тока, схемы питания и управления дисплеями, супервизоры, мониторы напряжения, генераторы очерёдности включения питания; аналоговые: усилители, аудио усилители и кодеки, видео усилители, фильтры, интерфейсы, АЦП, цифровые потенциометры, ЦАП, AFE, калибраторы, аналоговые активные и видеофильтры, датчики температуры, оптические датчики, интерфейсы датчиков, низковольтные, средневольтовые и высоковольтные мультиплексоры, источники опорного напряжения; интерфейсы: RS-232/485/422/USB/CAN/IO трансиверы, UART интерфейсы, USB контроллеры, трансляторы уровней сигналов, ограничители токеов и защита ESD, аналоговые и цифровые изоляторы сигналов, контроллеры, трансиверы и OTG USB, для 4-20 мА токовой петли защитные цепи, кондиционеры сигналов датчиков, HART модемы, трансляторы уровня для промышленных сигналов 0-48 В; коммуникационные схемы: 1-Wire, iButton, NFC метки и RFID считыватели, радичастотные приёмники и усилители GPS, GLONASS, Galileo, Compass, приёмники, передатчики и приёмопередатчики: Femto, ISM, Digital Radio, WiFi/WLAN, WHDI, беспроводной доступ в автомобили, в ТВ тьюнеры и сеттопбоксы, мобильные трубки, PLC модемы, T/E трансиверы; цифровые микросхемы: таймеры реального времени, микроконтроллеры, генераторы и линии задержки, энергонезависимая память SRAM; промышленные микросхемы: для автомобильной промышленности, счётчики электроэнергии однофазные и трёхфазные, оптимизаторы энергии солнечных батарей.

Microchip (http://www.microchip.com/), США – производит микросхемы: PIC микроконтроллеры 8, 16 и 32-х битные, операционные усилители, компараторы, инструментальные усилители, программируемые усилители, датчики тока и мощности; тактовые генераторы и осцилляторы; АЦП, ЦАП, цифровые потенциометры, счётчики электроэнергии, источники опорного напряжения; видео трансиверы и эквалайзеры; драйверы электролюминесцентных дисплеев, драйверы светодиодов для автомобилей, светодиодная подсветка, драйверы вспышки светодиодной, драйверы светодиодного освещения, секвентальные линейные драйверы; контроллеры ввода-вывода для настольных компьютеров, контроллеры клавиатуры, процессоры движения-позиции до 9-осей; USB — хабы, графика, мосты, ключи, трансиверы, контроллеры, порты; схемы для высокоскоростных коммуникаций: ограничительные усилители, драйверы лазеров и EML, генераторы и восстановители данных, трансиверы; интерфейсы: ARCNET, CAN, CoaXPress, Ethernet, высоковольтные интерфейсы, инфракрасные, LIN, преобразователи последовательного интерфейса в параллельный; схемы Интернета вещей IoT с WiFi, BlurTooth, ZigBee, Miwi и новый открытый стандарт LoRa; микроконтроллеры 8051 и 80C51 ранее выпускавшиеся NXP; память – последовательная EEPROM, последовательная SRAM, последовательная FLASH, параллельная FLASH; драйверы электрических щёточных, 3-х фазных бесщёточных и шаговых двигателей; схемы для батарей питания, супервизоры, нагнетающие преобразователи напряжения, LDO, MOSFET драйверы, ШИМ контроллеры, детекторы напряжения; детекторы дыма и CO, драйверы сирены; цифровые и аналоговые датчики температуры, контроллеры вентиляторов с обратной связью, кондиционеры датчиков; сенсорные приборы и ключи, контроллеры сенсорных экранов и площадок, контроллеры GestIC – управление движением руки, контроллеры Haptic – управление касанием; продукты для ультразвуковых медицинских сканеров и систем неразрушающего ультразвукового контроля: мультиплексоры, формирователи пучка, MOSFET массивы, пульсаторы, трансмиттеры синусоидальных волн, ультразвуковые драйверы MOSFET; Wi-Fi, Bluetooth и KleerNet аудио схемы поддержки – трансиверы, мосты, SoC; схемы поддержки ИК (инфракрасных) коммуникаций, усилители мощности для радиочастот 2,4 ГГц, 5 ГГц.

Micron (http://www.micron.com), США — производит микросхемы: микросхемы DRAM, модули DRAM, микросхемы NAND, NAND Flash, NOR Flash, мультичиповую память, гибридную память, твёрдотельные накопители данных SSD с интерфейсами.

Monolithic Power Systems (http://www.monolithicpower.com/), США — производят микросхемы: импульсные DC-DC преобразователи широкого применения микросхемы и модули в том числе с несколькими выходами, цифровые регуляторы мощности, линейные регуляторы LDO, драйверы MOSFET, схемы PoE; менеджеры батарей: адаптер яркости сигарет, зарядка на подставке, линейные зарядки. Накопители мощности, защита, импульсные зарядки; аудио усилители класса D; AC-DC преобразователи: LDO, Flyback, PFC-контроллеры, синхронные выпрямители, подсветка дисплеев, драйверы электролюминесцентных дисплеев, источники питания LCD, DC-DC преобразователи для светодиодного освещения, AC-DC неизолированные и изолированные преобразователи для светодиодов в том числе с активным корректором мощности, преобразователи для фотовспышки; драйверы моторов: щеточных DC, соленоидов, безщёточных, шаговых, BLDC, датчики позиции; электронные предохранители, USB ключи, ключи нагрузок; прецизионные аналоговые микросхемы: операционные усилители, датчики высокого тока, аналоговые ключи, источники опорного напряжения.

Motorola (http://www.freescale.com), США – выделила производство микросхем в отдельное подразделение Freescale, производит микросхемы: ARM микроконтроллеры, микроконтроллеры для мощных потребителей Power Architecture®, 8-ми и 16-ти битные микропроцессоры, драйверы светодиодов, моторов, интерфейсы, усилители цифровых сигналов, кондиционеры сигналов, аудио кодеки, микросхемы для автомобильной безопасности: радары, торможение, подушки безопасности, давление в шинах; микросхемы для беспроводной зарядки: 5 Вт и 15 Вт контроллеры, мультистандартные; микросхемы для зарядки литий-ионных и литий полимерных батарей, датчики батарей; микросхемы контроля бензиновых и дизельных двигателей автомобилей; линейные и импульсные регуляторы тока и напряжения; схемы PoE; радиочастотные транзисторы и микросхемы: для СВЧ печей, мобильного радио, широкополосного FM и TV, для авиарадаров, базовых станций сотовой связи, модулей Bluetooth управления светодиодным освещением; датчики в корпусе микросхем: сенсорные хабы, датчики положения 6-ти измерений, измерители ускорения, гироскопы, магнетометры, давления, касания, приближения и наборы сенсоров разного типа для разработчиков; микросхемы беспроводных коммуникаций и наборы разработчика для них: 2,4 ГГц, SUB-1, Meter-Bus, ZigBee, Bluetooth low energy, Thread.

ООО «Галант Электроникс» — Официальный дилер — гарантия и низкая цена под плановые поставки :

127521 Москва, 12-й Проезд Марьиной Рощи, дом 9, строение 1, ООО «Галант Электроникс»

Адрес для Запроса: micro@igalant.ru & Факс.(495) 987-42-10 & Звоните:  Тел.(495) 987-42-10, (495)-978-19-62

DUC-DDC ТРАНСИВЕР UA3REO: РЕЛИЗ ВЕРСИИ 1.8.2

Очередное обновление программной части, аппаратная часть осталась без изменений.

+FPGA: Управление настройками CIC-компенсатора и DAC из STM32
Появилась возможность тонкой настройки динамического диапазона на каждом этапе обработки.Настраивается через системное меню.

+STM32: Корректный выбор моды при работе в программе JTDX
Неверно происходил выбор DIGI_U режима.

+FPGA: Исправления в режиме передачи / приёма
Исправлены небольшие баги, мешающие корректной работе трансивера.

+STM32: Исправления процесса соединения с WIFI точкой
В целом работа с WIFI оптимизирована и готова к дальнейшим доработкам функционала.

+STM32: Защита усилителя от большого КСВ
Программная защита, которая прерывает передачу при большом КСВ.

+STM32: Исправление ошибок, ускорение запуска и режим сна WiFi
В выключенном состоянии WiFi засыпает.

+STM32: Заставка при запуске, меняется в lcd.h
При запуске трансивера отображается заставка, вместо которой можно разместить своё изображение.

+STM32: Доработки автокалибровки FFT
Пользоваться водопадом стало удобнее.

+STM32: Доработки AGC
AGC стал более точным, стало меньше хлопков на узкополосных сигналах.

+STM32: Экспоненциальный регулятор громкости
+STM32: Логарифмический регулятор мощности
Теперь регулировка происходит плавно, с учётом особенностей человеческого уха и формул расчёта мощности.

+STM32: Регулировка усиления IF/ПЧ через настройки
Для корректной работы AGC, а также при его отключении.

+STM32: Телеграфный ключ теперь использует аппаратные прерывания
Сокращено время срабатывания при работе телеграфом.

+STM32: Встроенный автоматический ключ (KEYER)
Для ямбических ключей, с регулировкой WPM.

+STM32: Дополнительные горячие клавиши на клавиатуре
Быстрый доступ к настройкам с клавиатуры, подробности в README файле.

+STM32: Второй вариант отображения S-метра (выбирается свечка или линия) // Thx to UR5NKA
Возможность выбора упрощённого S-метра, где двигается полоска, а не заполняется прямоугольник.

+STM32: Регулировка скорости срабатывания компрессора на передачу
Для индивидуальной настройки под голос.

+STM32: Дополнен README файл
Добавил немного информации по сборке, прошивке и отладке.

Архив проекта версии 1.8.3
Репозиторий проекта на GitHub
Архив статей по проекту

Исследование и разработка интегральных модулей АФАР

Введение

Активные фазированные антенные решетки широко используются в оборонной отрасли: в системах радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы. Для систем АФАР достижимы более широкие диапазоны обнаружения цели по сравнению с механически управляемыми антеннами. Они более надежны, чем механические аналоги, и требуют меньших затрат на техническое обслуживание. Конкурентные радиолокационные приложения фазированных антенных решеток традиционно связаны с устройствами на основе технологий группы A₃B₅, которые обладают хорошими мощностными характеристиками.

До настоящего времени АФАР мало применяются в системах радиочастотной связи. Гражданские приложения технологии, в частности для будущих сетей связи пятого поколения (5G), ограничены высокой стоимостью системы [1]. Она, в свою очередь, во многом обусловлена большим числом и высокой стоимостью активных приемопередающих модулей (ППМ). Возникает необходимость в разработке недорогих и в то же время высококачественных компактных приемопередатчиков.

В настоящее время широко представлены приемопередающие модули, построенные преимущественно на основе дорогих арсенид-галлиевых (GaAs) СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) [2]. Мировыми лидерами производства указанных микросхем являются компании MACOM, OMMIC, Astra Microwave Products, UMS, METDA Technology Co. Отечественные предприятия АО «НПП «Исток» им. Шокина», НПФ «Микран», АО «НИИПП» выпускают интегральные схемы для построения приемопередающих модулей АФАР на основе GaAs-технологий преимущественно для нужд оборонной отрасли.

Применение сложно-функциональных интегральных схем на основе кремниевых (Si) и кремниево‑германиевых (SiGe) технологий позволит снизить стоимость систем на основе АФАР, особенно при их массовом производстве [3–9]. Выбор технологического процесса SiGe БиКМОП позволяет решить проблему интеграции аналоговой, цифровой частей приемопередатчика и снизить стоимость его производства. Более того, устройства на основе SiGe-технологии обладают лучшими динамическими характеристиками по сравнению с аналогами, реализованными на основе стандартных КМОП-техпроцессов. Эти характеристики оказывают значительное влияние на производительность приемопередатчиков.

Лидером по выпуску кремниевых СВЧ многофункциональных микросхем для применения в перспективных системах связи 5G, спутниковых системах связи и коммерческих радарах является американская фаблесс-компания Anokiwave [10]. Разработки интегральных схем отдельных функциональных блоков приемопередающих модулей АФАР (СВЧ-переключателей, дискретных фазовращателей и аттенюаторов, малошумящих усилителей) на основе библиотек элементов кремниево‑германиевых технологий производства в настоящее время ведутся в ОАО «НИИМЭ и Микрон», АО «НИИМА «Прогресс», АО «НИИПП», а также в НИЯУ «МИФИ», ТУСУР и других предприятиях электронной промышленности России.

Таким образом, сложно-функциональные монолитные интегральные схемы (СФ МИС) для управления амплитудой и фазой сигналов в системах АФАР, основанные на кремниевых и кремниево‑германиевых технологиях, недостаточно широко представлены на отечественном рынке. В связи с этим была поставлена задача проектирования и производства отечественных многофункциональных кремниевых СВЧ-микросхем, не уступающих по своим характеристикам лучшим зарубежным аналогам.

В статье представлены результаты разработки сложно-функциональной монолитной интегральной схемы приема/передачи сигналов для активных фазированных антенных решеток С‑диапазона, выполненной на основе 0,18‑мкм технологического процесса SiGe БиКМОП.

Проектирование СФ МИС

Структурная схема

Структурная схема разрабатываемой СФ МИС приведена на рис. 1. Управляемый аттенюатор (УАТТ‑1) в составе СФ МИС обеспечивает регулировку коэффициента передачи схемы в диапазоне 0…–31 дБ с шагом 1 дБ (разрядность 5 бит). Управляемый фазовращатель (УФВ‑1) позволяет регулировать относительную фазу выходного сигнала в диапазоне 0–360° с шагом 5,625° (разрядность 6 бит). Переключение режимов работы приема и передачи СФ МИС осуществляется двухпозиционными переключателями ПРК‑1, ПРК‑2 и ПРК‑3. Малошумящий усилитель (МШУ) и усилитель мощности (УМ) обеспечивают компенсацию потерь в трактах приема и передачи, а также дополнительное усиление при обработке СВЧ-сигнала. Интегральный датчик температуры (ДТ) формирует температурно-зависимое напряжение и преобразует его в цифровой код. На его основе блок цифрового управления (БЦУ) осуществляет коррекцию сдвига фазы и ослабления, изменяя состояния дополнительных фазовращателя (УФВ‑2) и аттенюатора (УАТТ‑2).

Рис. 1. Структурная схема СФ МИС для управления амплитудой и фазой сигнала

Фазовращатели

Функциональный блок основного управляемого фазовращателя построен на основе метода векторного сложения ортогональных сигналов. Управляемые векторные фазовращатели (УВФВ) лишены недостатков пассивных фазовращателей: существенного вносимого ослабления сигнала и относительно высокого значения фазовой погрешности [11]. Однако сигнал на выходе векторного УВФВ подвержен паразитной амплитудной модуляции величиной до 3 дБ. Устранить этот недостаток позволила схема корректора амплитудной погрешности.

Структурная схема разработанного УВФВ представлена на рис. 2. Разработанный фазовращатель состоит из преобразователя несимметричного сигнала в симметричный (S2D-конвертера), ядра фазовращателя (ядра ФВ) и цифро-аналогового преобразователя (ЦАП). Он обеспечивает регулировку фазы выходного сигнала в диапазоне 360°C с шагом 5,625°.

Рис. 2. Структурная схема УВФВ

Упрощенная принципиальная схема ядра управляемого фазовращателя приведена на рис. 3.

Рис. 3. Принципиальная схема ядра ФВ

Входной S2D-конвертер с коэффициентом передачи 1,5–2,2 дБ в диапазоне 4–6 ГГц используется для разделения входного сигнала на дифференциальные компоненты. Дифференциальный сигнал от S2D-преобразователя поступает в преобразователь напряжения в ток (U2I-конвертер), основанный на дифференциальном каскаде (см. транзисторы Q9 и Q12 на рис. 3). Отрицательная обратная связь (резистор R8 и конденсатор C1) применяется для компенсации емкостного входного импеданса формирователя квадратурных сигналов (ФКС). Трехкаскадный полифазный фильтр в ядре ФВ (см. I1 на рис. 3) формирует квадратурные сигналы с относительными фазовыми и амплитудными погрешностями менее 0,8° и 50 мдБ, соответственно.

Выходной сигнал с необходимой фазой формируется из квадратурного входного сигнала в сдвоенном сумматоре на основе ячеек Гильберта (пары транзисторов Q5 и Q6, Q7 и Q8, Q10 и Q11, Q13 и Q14). Использование нелинейной нагрузки (транзисторы Q1, Q3, Q15 и Q17) позволяет скомпенсировать нелинейную регулировочную характеристику ФВ (зависимость коэффициента передачи ячейки Гильберта от управляющего кода). Выходные каскады с общим коллектором (транзисторы Q19 и Q21) снижают выходной импеданс и повышают нагрузочную способность сдвоенного сумматора. Выбранная структура, в которой квадратурные сигналы формируются после U2I-конвертера, может значительно снизить потребление мощности интегрального активного ФВ.

Для управления коэффициентами передачи в каждом из четырех каналов векторного сумматора используется схема токового ЦАП разрядностью 8 бит. Четыре наиболее значащих бита ЦАП формируются при помощи матричной R‑2R схемы. Для формирования четырех менее значащих битов применяется техника сегментирования. Каскадируемые токовые зеркала определяют величину разрешения ЦАП по току. Нелинейный управляющий сигнал формируется цифровым блоком управления для снижения паразитной амплитудной модуляции с 3 дБ до значения порядка 0,2 дБ (в соответствии с результатами пост-топологического моделирования).

Среднеквадратические отклонения (СКО) абсолютных фазовой и амплитудной погрешности в диапазоне рабочих частот не превышают 1,2° и 0,3 дБ, соответственно.

Структурная и принципиальная схемы корректирующего УФВ‑2 подобны схемам основного УФВ‑1. Отличие заключается в уменьшении числа разрядов и диапазона регулировки фазы выходного сигнала схемы до 4 бит и 8°, соответственно.

Аттенюаторы

Для основного управляемого аттенюатора (УАТТ) выбрана топология усилителя с изменяемым коэффициентом передачи. Он состоит из двух блоков: ядра УАТТ и схемы управления усилением. Функциональная схема УАТТ приведена на рис. 4.

Рис. 4. Функциональная схема управляемого аттенюатора

Упрощенная принципиальная схема ядра УАТТ приведена на рис. 5.

Рис. 5. Принципиальная схема ядра УАТТ

Ядро УАТТ состоит из дифференциального каскада на основе транзисторов Q2, Q4 и резистивной нагрузки R1 и R2. Коэффициент передачи этого каскада зависит от величины тока смещения, вырабатываемого генератором нелинейного тока на основе транзистора Q5.

Классический дифференциальный каскад обладает ограниченным динамическим диапазоном на высоких частотах. Емкости база–коллектор транзисторов Q2 и Q4 на высоких частотах создают паразитные пути для входного сигнала ядра УАТТ. При относительно малом токе смещения начинают преобладать паразитные эффекты. Это ограничивает минимальное значение коэффициента передачи, которое может быть достигнуто для дифференциального каскада. Значительное улучшение достигается за счет использования пары встречновключенных транзисторов с «плавающим эмиттером» [12] (транзисторы Q1 и Q3), как показано на рис. 5. Каскады с общим коллектором на выходе дифференциального каскада ядра УАТТ обеспечивают согласование со следующим функциональным блоком ИС приемопередатчика. Принципиальная схема цепей управления усилением ядра УАТТ показана на рис. 6.

Рис. 6. Схема управления усилением

Напряжение питания схемы управления усилением составляет 2,5 В. Его значение выбрано исходя из логических уровней цифровой части интегральной схемы ППМ. Схема токового ЦАП применяется для управления коэффициентом передачи ядра УАТТ. Она основана на каскадируемых токовых зеркалах. Токовое зеркало (транзисторы M1, M3) устанавливает начальное смещение коэффициента передачи ядра УАТТ. Транзисторы M24–M26 генерируют опорный ток для каскадов токовых зеркал. Размеры транзисторов в шести секциях ЦАП определяют величину токов данных секций. Они выбраны на основе требуемого коэффициента передачи.

Изменение температуры кристалла приводит к изменению коэффициента передачи дифференциального каскада. Для компенсации изменений коэффициента передачи транзистором Q1 и резистором R1 формируется напряжение V_CTAT, обратно пропорциональное температуре. Падение напряжения на резисторе обратной связи R6 зависит от выходного тока ЦАП (рис. 6). Трехкаскадный операционный усилитель (ОУ) с коэффициентом передачи около 100 дБ обрабатывает сигнал с выхода ЦАП и цепи температурной коррекции. Выходное напряжение ОУ определяется как разность между V_CTAT и V_RFB. Таким образом, выходной сигнал схемы управления усилением зависит от V_CTAT и падения напряжения на резисторе обратной связи R6. Конвертер D2S (differential to single) на основе дифференциального каскада с симметричной нагрузкой и буферными усилителями преобразует выходной дифференциальный сигнал ядра УАТТ в несимметричный. D2S-конвертер обеспечивает усиление сигнала порядка 5 дБ при потреблении 5,5 мА от источника напряжения 5 В.

Диапазон изменения коэффициента передачи УАТТ‑1 составляет 31,3 дБ на центральной частоте 5 ГГц. При этом неравномерность коэффициента передачи не превышает 1,38 дБ. Во всем диапазоне рабочей частоты абсолютная погрешность установления коэффициента передачи не превышает 0,48 дБ, а среднеквадратическое отклонение составляет 0,178 дБ.

Функциональный блок корректирующего УАТТ‑2 повторяет схемотехнику основного аттенюатора. Отличие заключается в уменьшении диапазона регулировки коэффициента передачи схемы и числа разрядов цифрового управляющего сигнала.

Малошумящий усилитель

Принципиальная схема трехкаскадного малошумящего усилителя приведена на рис. 7. Первый каскад по схеме с общей базой на основе транзистора Q1 применяется для согласования входного импеданса МШУ с сопротивлением 50 Ом в широкой полосе частот. Каскодный усилитель на полевых транзисторах M1 и M2 благодаря частичному устранению влияния эффекта Миллера обеспечивает высокий коэффициент усиления по напряжению без сужения рабочей полосы частот. Каскад на основе Q2 обеспечивает выходное согласование МШУ с последующим каскадом.

Рис. 7. Принципиальная схема МШУ

МШУ по результатам пост-топологического моделирования обеспечивает коэффициент усиления 22 дБ при коэффициенте шума порядка 4,5 дБ. Неравномерность коэффициента передачи в диапазоне рабочей частоты не превышает 0,5 дБ. Точка компрессии 1 дБ по входу составляет –21,5 дБм. Мощность, потребляемая от источника напряжения 2,5 В, составляет 13,8 мВт.

СВЧ-переключатели

Однополюсные переключатели на два направления (рис. 8) основаны на двух последовательно включенных полевых транзисторах M1, M2 и параллельно включенных шунтирующих транзисторах M3, M4. Управление транзисторами осуществляется попарно: M1 и M4, M2 и M3. Время переключения между режимами приема и передачи не превышает 0,5 нс. Вносимые переключателем потери в полосе рабочей частоты не превышают 1,9 дБ. Развязка между каналами равна 37 дБ. Возвратные потери по входу/выходу превышают 18 дБ. Точка компрессии 1 дБ по выходу составляет 10,7 дБм.

Рис. 8. Принципиальная схема SPDT-переключателя

Усилитель мощности

Упрощенная электрическая схема усилителя мощности изображена на рис. 9. Усилитель мощности обеспечивает требуемый уровень мощности сигнала на выходе СФ МИС при минимальном уровне нелинейных искажений. УМ включает в себя три каскада. Первый и третий каскады — усилители на основе схемы с общим эмиттером, второй каскад — буферный (схема с общим коллектором). Особенностью усилителя являются резисторы отрицательной обратной связи R6, R7, используемые для температурной стабилизации параметров схемы и в качестве цепей смещения первого каскада. Кроме того, на основе транзисторов Q1, Q2 реализован режим standby УМ.

Рис. 9. Электрическая схема усилителя мощности

Усилитель мощности на выходе передающего канала в диапазоне частот 4–6 ГГц обеспечивает коэффициент усиления не менее 35 дБ. Точка компрессии 1 дБ по выходу составляет 8,5 дБм. Возвратные потери по выходу — не менее 10 дБ. Потребляемая мощность от источника напряжения 5 В составляет 150 мВт. Коэффициент полезного действия по добавленной мощности — 5,8%.

Датчик температуры

Структурная схема интегрального цифрового датчика температуры показана на рис. 10а. В его состав входят регуляторы напряжения (I0, I1), сенсор температуры (I2) и АЦП (I3). Интегральный ДТ обеспечивает измерение температуры в диапазоне –60…85 °C с разрешением 5 бит. Его работа основана на измерении падения напряжения на термозависимом элементе. Наряду с этим, используется компенсация 1‑го рода, заключающаяся в сложении температурных коэффициентов сопротивления p‑n‑перехода биполярного транзистора и добавочных резисторов в токопротекающих ветвях сенсора.

Рис. 10.
а) структурная схема интегрального ДТ;
б) принципиальная схема сенсорного элемента

На рис. 10б приведена электрическая схема сенсора температуры. Она включает в себя пару биполярных транзисторов Q1 и Q2, управление которыми осуществляется напряжением на выходе резистивного делителя, образованного резисторами R4, R5 и R7. Резисторы в цепи делителя подобраны по температурным коэффициентам сопротивления таким образом, чтобы напряжение на коллекторе транзистора Q2 максимально зависело от температуры. При этом площади транзисторов Q1, Q2 и номиналы резисторов R2, R3 выбраны из соображений неравномерного протекания токов через указанные элементы в зависимости от температуры кристалла. Абсолютная ошибка измерения температуры не превышает 1°C. Потребляемая датчиком мощность составляет 17 мВт.

Результаты моделирования

Частотные зависимости характеристик СФ МИС представлены на рис. 11–14.

Рис. 11. Частотные зависимости:
а) вносимого фазового сдвига;
б) вносимого ослабления от управляющего кода

Рис. 12. Частотные зависимости:
а) абсолютной ошибки вносимого фазового сдвига;
б) коэффициента передачи от управляющего кода

Рис. 13. Частотные зависимости возвратных потерь по входу и выходу в режимах
a) Rx;
б) Tx

Рис. 14.
а) частотная зависимость величины коэффициента шума в режиме Rx;
б) точка компрессии 1 дБ по выходу в режиме Tx

Многофункциональная интегральная схема управления характеризуется большим числом параметров. В таблице приведены наиболее значимые характеристики разработанной МИС управления амплитудой и фазой СВЧ-сигнала.

**Таблица. Основные параметры разработанной СФ МИС**
Наименование параметра, единицы измерения	Значение
Диапазон рабочих частот, ГГц	4–6
Коэффициент передачи в режиме приема, дБ, не менее	35
Коэффициент передачи в режиме передачи, дБ, не менее	33
Возвратные потери по входу (режимы Rx/Tx), дБ, не менее	11/18
Возвратные потери по выходу (режимы Rx/Tx), дБ, не менее	18/11
Выходная мощность при компрессии 1 дБ в режиме приема, дБм, не менее	–19,7
Выходная мощность при компрессии 1 дБ в режиме передачи, дБм, не менее	8,5
Коэффициент шума в режиме приема, дБ, не более	5,5
Диапазон вносимого фазового сдвига (6 бит, шаг 5,625°), °	360
CКО вносимого фазового сдвига, °, не более	4,2
Диапазон вносимого ослабления (5 бит, шаг 1 дБ), дБ	31
СКО вносимого ослабления, дБ, не более	0,42
Напряжение питания, В	2,5/5
Потребляемая мощность (режимы Rx/Tx), мВт	195/365
Число разрядов ЦБУ, бит	39
Уровни сигналов управления (логический ноль/единица), В	0/2,5
Диапазон рабочей температуры, °С	–60…85

Таким образом, параметры разработанной СФ МИС не уступают параметрам известных аналогов на основе кремний и кремниево‑германиевых технологических процессов в заданном частотном диапазоне.

Выводы

Проведенный обзор показал актуальность разработки многофункциональных интегральных схем управления амплитудой и фазой СВЧ-сигнала на основе SiGe-технологии, возможность достичь оптимальных характеристик для применения в системах гражданского и двойного назначения.

В статье представлены результаты проектирования СФ МИС для приемопередающих модулей АФАР C‑диапазона. Разработка и моделирование функциональных блоков СФ МИС выполнены на основе библиотек элементов кремниево‑германиевого БиКМОП технологического процесса производства кристаллов МИС с проектной нормой 0,18 мкм. Интегральная схема содержит один канал прием/передача. Переключение между режимами работы СФ МИС осуществляется путем изменения состояния интегральных СВЧ-переключателей. Регулировка амплитуды и фазы выходного сигнала реализуется путем изменения состояний управляемых фазовращателя и аттенюатора. Применение схемы температурной коррекции параметров СФ МИС на основе интегрального датчика температуры, дополнительных корректирующих УФВ и УАТТ обеспечивает стабильность параметров ППМ в широком диапазоне рабочих температур. Достигнутое значение коэффициента шума в режиме приема по результатам пост-топологического моделирования составляет 5,2 дБ. Точка компрессии 1 дБ по выходу в режиме передачи — 8,5 дБм. Потребляемая мощность в режимах приема и передачи не превышает 195 мВт и 365 мВт, соответственно.

Авторы считают, что в данной работе новыми являются следующие положения и результаты: оригинальные структурные и схемотехнические решения для функциональных блоков обеспечивают характеристики, сопоставимые с ближайшими известными аналогами среди СВЧ интегральных схем управления амплитудой и фазой сигнала, разработанных на основе кремниевых и кремниево‑германиевых технологий.

Работа подготовлена по результатам исследования, проведенного при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проекта № 8.3962.2017/4.6.

Литература

Kibaroglu K., Sayginer M., Rebeiz G. A Low-Cost Scalable 32‑Element 28‑GHz Phased Array Transceiver for 5G Communication Links Based on a 22 Beamformer Flip-Chip Unit Cell//IEEE Journal of Solid-State Circuits. 53. No. 5. May 2018.
Гугин А. Ю., Кондратенко А. В. Монолитная интегральная схема управления амплитудой и фазой сигнала Х‑диапазона частот//СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2017). Материалы 27‑й Международной Крымской конференции. 2017. Т. 1.
Lohmiller P., Reber R., Schuh P., Oppermann M., Chartier S., SiGe BiCMOS X‑Band Transceiver-Chip for Phased-Array Systems//Proceeding of the 47th European Microwave Conference. October 2017.
Liu Y., Zhang W. A fully integrated 4‑channel beamformer based on TTD phased array in 0.18μm CMOS//Microelectronics Journal. 80. October 2018.
Zhou M., Mo J., Wang Z., A Ka-band low power consumption MMIC core chip for T/R modules//International Journal of Electronics and Communications (AEU). 91. July 2018.
Timoshenkov V. P., Efimov A. G. Use of Silicon-Germanium Technology for the Development of Active Microwave Units of Active Electronically Scanned Arrays//Russian Microelectronics. Vol. 46. No. 7.
Salazar J. L., Medina R. H., Loew E. T/R Modules for Active Phased Array Radars//Proceeding of 2015 IEEE Radar Conference (RadarCon). May 2015.
Dinc T., Ozeren E., Caliscan C., Kayahan H., Gurbuz Y. X‑band SiGe bi-complementary metal–oxide semiconductor transmit/receive module core chip for phased array RADAR applications//IET Microwaves, Antennas & Propagation. 9. No. 9. June 2015.
Sim S., Kang B., Kim J.-G., Chun J.-H., Jang B., Jeon L. A Four-Channel Bi-directional CMOS Core Chip for X‑band Phased Array T/R Modules//Proceeding of 2015 IEEE Radar Conference (RadarCon). May 2015.
McMorrow R., Corman D., Crofts A. All Silicon mmW Planar Active Antennas: The Convergence of Technology, Applications, and Architecture//Proceeding of 2017 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS).
Filippov I., Vertegel V., Gimpilevich Y. B. C‑band active vector phase shifter MMIC design//Proceedings of 2017 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS 2017).
Kravchenko I., Filippov I., Vertegel V. C‑band digitally controlled variable gain amplifier design//Proceeding of 2018 Ural Symposium on Biomedical Engineering, Radioelectronics and Information Technology (USBEREIT 2018).

Библиотека TechInsights — работа в процессе

драм

Процессор приложений Samsung Exynos Octa 9820 Samsung 8LPP ACMOS Essentials	Процессор приложений	Samsung	9820	ACE-1903-801	21.06.2020
Qualcomm Snapdragon 675 SM6150 Samsung 11LPP FinFET Процесс aCMOS Essentials	Процессор приложений	Qualcomm	SM6150	ACE-1905-801	30.07.2020
Toshiba 96L 3D NAND (TH58LJT0T24BADE) Advanced Memory Essentials	Флэш-память NAND	Toshiba	TH58LJT0T24BADE	AME-1902-801	16.05.2020
Samsung K3UH7H70AM-AGCL LPDDR4X SDRAM 1y нм Процесс Advanced Memory Essentials	LPDDR4X	Samsung	K3UH7H70AM-AGCL	AME-1902-802	10.05.2020
Samsung K9DUGY8J5B-DCK0 92-Layer 3D V-NAND Advanced Memory Essentials	Флэш-память NAND	Samsung	K9DUGY8J5B-DCK0	AME-1902-804	03.05.2020
Micron MT29F2T08EMHBFJ4-R: B 96-Layer 3D NAND Advanced Memory Essentials	Флэш-память NAND	Технология Micron	MT29F512G08EBHBFJ4-R_B	AME-1902-805	05.04.2020
Micron MT40A2G4SA-062E: J DDR4 SDRAM 1y нм Process Advanced Memory Essentials	DDR4 SDRAM	Технология Micron	MT40A2G4SA-062E_J	AME-1905-801	13.08.2020
GaN GS66508B / GS66508T Пакет встроенных кристаллов Advanced Packaging Essentials		Системы GAN	GS66508T_die	APE-2002-801	22.07.2020
Mediatek MT6190W (AM10822A1) Отчет об архитектуре мобильного трансивера	РЧ трансивер	MediaTek	MT6190W	ARC-2003-801	14.08.2020
Samsung Shannon_5510 (S5M5510A01) Отчет об архитектуре мобильного трансивера	РЧ трансивер	Samsung	SHANNON_5510	ARC-2003-802	14.08.2020
Отчет об архитектуре мобильного трансивера Intel PMB5765 (SMARTI8 RXB0A)	РЧ трансивер	Intel	PMB5765	ARC-2003-803	14.08.2020
Mediatek MT6186MV (AXD10787B1) Отчет об архитектуре мобильного трансивера	РЧ трансивер	MediaTek	MT6186MV	ARC-2003-804	14.08.2020
HiSilicon HI6363 (Hi6363V100) Отчет об архитектуре мобильного трансивера	Приемопередатчик	HiSilicon Technologies Co.ООО	Hi6363	ARC-2003-805	14.08.2020
Intel PMB5762 (SMARTI7 E301A) Отчет об архитектуре мобильного трансивера	РЧ трансивер	Intel	PMB5762	ARC-2003-806	14.08.2020
Mediatek MT6190W (AM10822A1) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	MediaTek	MT6190W	БФР-2003-805	14.08.2020
Samsung Shannon 5510 (S5M5510A01) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	Samsung	SHANNON_5510	БФР-2003-806	14.08.2020
Intel PMB5765 (SMARTI8 RXB0A) Отчет по базовому плану мобильного приемопередатчика	РЧ трансивер	Intel	PMB5765	БФР-2003-807	14.08.2020
Mediatek 6186MV (AXD10787B1) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	MediaTek	MT6186MV	БФР-2003-808	14.08.2020
Hisilicon HI6365 GFCv100B10G (HI6365_V100B17) Отчет по базовому плану мобильного приемопередатчика	РЧ трансивер	HiSilicon Technologies Co.ООО	ШАН5100	БФР-2003-809	14.08.2020
Mediatek MT6186W (BHh20758C1) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	MediaTek	MT6186W	БФР-2003-810	14.08.2020
Qualcomm SDX50M (HG11-P7861-210) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	Интерфейс модема	Qualcomm	SDX50M	БФР-2003-811	14.08.2020
Qualcomm QTM052-миллиметровый антенный модуль Мобильный приемопередатчик 5G (HG11-P7860-210) Базовый план этажа Отчет	Антенный модуль RF	Qualcomm	QTM052	БФР-2003-812	14.08.2020
Intel PMB5762 (SMARTI7 E301A) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	Intel	PMB5762	БФР-2003-814	14.08.2020
Mediatek MT6177MV (BC10550A1) Отчет по базовому плану мобильного приемопередатчика	РЧ трансивер	Mediatek	MT6177MV	БФР-2003-815	14.08.2020
HiSilicon HI6363 (HI6363V100) Отчет о базовом плане мобильного приемопередатчика	Приемопередатчик	HiSilicon Technologies Co.ООО	Hi6363	БФР-2003-817	14.08.2020
Samsung Shannon_955 (S5M9550A01) Отчет по базовому плану мобильного трансивера	РЧ трансивер	Samsung	SHANNON_955	БФР-2003-818	14.08.2020
Qualcomm QTM525-миллиметровый антенный модуль Анализ плана этажа	Антенный модуль RF	Qualcomm	QTM525	БФР-2004-810	22.05.2020
HiSilicon Hi6365GFC Анализ цепей радиочастотного приемопередатчика	РЧ трансивер	HiSilicon Technologies Co.ООО	Hi6365GFC	АВТОМОБИЛЬ-1908-201	21.01.2020
HiSilicon Hi9500 Balong 5000 5G Modem SRAM Macro Circuit Analysis	Интерфейс модема	HiSilicon Technologies Co. Ltd	Hi9500	АВТОМОБИЛЬ-1908-202	23.01.2020
Анализ CircuitVision на устройстве отслеживания конвертов MediaTek MT6303P	Источник питания для отслеживания конвертов	MediaTek	MT6303P	АВТОМОБИЛЬ-1908-203	05.06.2020
Samsung 1y LPDDR4X (K3UH7H70AM) 8Gb Отчеты об анализе цепей	LPDDR4X	Samsung	K3UH7H70AM-AGCL	АВТО-1909-801	19.06.2020
Apple U1 (матрица TMKA75) Сверхширокополосная матрица (ВЧ-модуль USI в iPhone 11) Отчет об анализе цепи	UWB — сверхширокополосный	Универсальный научный промышленный	USI_Comp	АВТО-1910-801	05.06.2020
Отчет по анализу цепи на ams TMF8701	Датчик приближения	Austria Microsystems	50352480	АВТО-1912-801	29.05.2020
Sk Hynix D1y DDR4 Select Block-Circuit Analysis	DDR4 SDRAM	Hynix	DTDRH682WX2	CAR-2001-802	07.08.2020
Intel / Micron MT29F512G08EBHBF-R_B Отчет об анализе выбранной блочной цепи	Флэш-память NAND	Технология Micron	MT29F512G08EBHBFJ4-R_B	CAR-2002-801	28.02.2020
Отчет об анализе цепи Samsung 1y LPDDR5 12Gb		Samsung	K4L2E165Y8	CAR-2002-803	28.08.2020
Samsung S5KHM1 от Samsung Galaxy S20 Ultra 5G Отчеты об анализе цепи	Модуль камеры	Неизвестно	SM-G988N_Quad-Rear-Cam2	CAR-2002-807	17.06.2020
Sony IMX555 из отчета об анализе цепи Samsung Galaxy S20		Sony	SM-G986N_Тройной задний кулачок1_ISP	CAR-2002-808	28.05.2020
CircuitVision Анализ выбранных блоков драйвера Macom MALD-38435 quad 28GBaud PAM4 / NRZ linear VCSEL	Несекретный	Macom	MALD-38435	CAR-2003-902	05.05.2020
Socionext SCOFQAA-B-000 Анализ цепей	Печатная плата	Socionext	SCOFQAA-B-000	CAR-2004-202	15.06.2020
Папка с основными сведениями устройства OmniVision OH01A10	Модуль камеры	OmniVision	OH01A10-EAAA-1A-AA0A	DEF-1902-802	08.04.2020
Sony IMX650 Stacked Back-Illuminated CIS от Huawei P30 Pro 40 MP Camera Module Device Essentials Папка	Процессор изображений	Sony	VOG-L29_Triple-Rear-Cam2-ISP	DEF-1904-801	13.05.2020
Samsung S5K3P9SN Device Essentials Папка	Датчик изображения CMOS	Samsung	S5K3P9SN_CIS	DEF-1905-801	13.06.2020
Датчик приближения ams из папки Huawei Mate 20 Pro Device Essentials	Датчик приближения	Austria Microsystems	50352480	DEF-1905-802	21.06.2020
Infineon IRS2381C ToF из папки LG G8 ThinQ Front Camera Device Essentials	Датчик изображения CMOS	PMD Technologies	LM-G820UM_Front-Cam2_ToF_CIS	DEF-1905-803	08.06.2020
OmniVision OX01B40 Папка основных компонентов устройства	Модуль камеры	OmniVision	OX01B40_SiP_Camera_Module	DEF-1906-801	25.07.2020
S5K3J1SX03 CIS из папки Samsung Galaxy S10e Device Essentials	Датчик изображения CMOS	Samsung	S5K3J1SX03_CIS	DEF-1906-802	07.09.2020
Samsung S5K2G1XX Device Essentials Папка	Датчик изображения CMOS	Неизвестно	NZ1GXD	DEF-1907-801	15.08.2020
Папка Microsoft Azure Kinect Device Essentials	Модуль камеры	Microsoft	Х948802-0C2	DEF-1907-802	15.08.20
Samsung S5KGM1SP, 48 МП, Stacked BI ISOCELL Plus CIS Device Essentials Plus	Датчик изображения CMOS	Samsung	S5KGM1SP_CIS	ДЭП-1901-802	07.04.2020
GPixel GMAX0505 (TPSCo.2,5 мкм Global Shutter) Device Essentials Plus	Датчик изображения CMOS	GPixel Inc	GMAX0505-BM	ДЭП-1902-801	10.04.2020
Sony IMX650 от Huawei P30 и P30 Pro Device Essentials Plus	Модуль камеры	Неизвестно	VOG-L29_Triple-Rear-Cam2	ДЭП-1905-801	31.07.2020
Microsoft X948802-002 из Azure Kinect DK Device Essentials Plus	Модуль камеры	Microsoft	Х948802-0C2	ДЭП-1907-801	28.08.2020
iPad Pro LiDAR Scanner Device Essentials Plus	Модуль камеры	Неизвестно	A2068_Тройной задний кулачок2_LiDAR	ДЭП-2003-801	05.06.2020
ON Semi AR0820 Device Essentials Plus	Датчик изображения CMOS	на полу	LI-AR0820-GMSL2_Front-Cam	ДЭП-2004-801	30.06.2020
Sony IMX608 Device Essentials Plus	Датчик изображения CMOS	Sony	ELS-AN00_Тройной задний кулачок1_CIS	ДЭП-2004-802	10.07.2020
Отчет об анализе цифрового плана помещения MediaTek Dimensity 5G 1000L	Процессор приложений	MediaTek	MT6885Z	DFR-2002-801	07.05.2020
Отчет об анализе цифрового плана помещения Qualcomm Snapdragon 765G	Процессор приложений	Qualcomm	SM7250	DFR-2002-802	12.05.2020
Отчет об анализе цифрового плана помещения Samsung Exynos 980 5G	Процессор приложений	Samsung	980	DFR-2002-803	21.05.2020
Отчет об анализе цифрового плана помещения микросхемы Tesla FSD	Микропроцессор	Tesla, Inc.	UBQ01B0	DFR-2002-804	09.06.2020
Отчет об анализе цифрового плана помещения Qualcomm Snapdragon 865	Процессор приложений	Qualcomm	SM8250	DFR-2002-805	18.06.2020
Qualcomm SDX55M TSMC N7 Отчет об анализе цифрового плана помещения	Модуль РФ	Qualcomm	SDX55M	DFR-2003-802	09.07.2020
Mobileye STMicro 28nm FD-SOI Отчет об анализе цифрового плана помещения	SoC (система на кристалле)	Mobileye	STME-EyeQ4H	DFR-2003-803	31.07.2020
Отчет об анализе плана этажа Apple A12Z Bionic Digital	Планшетный компьютер	Яблоко	A2068	DFR-2003-804	17.08.2020
Исследовательский SSRM на Samsung S5KGM1SP	Датчик изображения CMOS	Samsung	S5KGM1SP_CIS	EXR-1911-802	05.05.2020
YMTC 64L Дизайн памяти NAND — периферия	Флэш-накопитель USB	Память UNIC	S1-C	MDP-2003-801	29.05.2020
Micron 1y LPDDR5 8 Гб памяти Дизайн — периферия		Технология Micron	Я2БМ	MDP-2004-801	10.06.2020
Micron MT44K32M36RCT-125 3-го поколения для периферийных устройств памяти RLDRAM	ДРАМ	Технология Micron	MT44K32M36RCT-125	MDP-2004-802	24.06.2020
Micron 1y LPDDR5 8 Gb Отчет об анализе плана этажа	LPDDR5	Технология Micron	MT62F1G64D8CH-036_WT_A	МВС-2004-801	22.05.2020
Infineon IMW65R107M1HXKSA1 Папка CoolSiC Power Essentials	SiC силовой полевой транзистор	Infineon	IMW65R107M1HXKSA1	PEF-2003-802	15.05.2020
HiSilicon Kirin 980 GPU TSMC N7 Standard Cell Essentials	Процессор приложений	HiSilicon Technologies Co.ООО	Hi3680	SCE-1811-802	25.07.2020
AMD Ryzen 5 3600X Анализ конструкции SoC	Модуль процессора приложений		100-100000022 КОРОБКА	SDA-1908-801	06.05.2020
Intel 10 нм (2-го поколения) Анализ конструкции SoC процессоров Ice Lake	Портативный компьютер	Hewlett-Packard	15-dy1973cl	SDA-2001-801	17.07.2020
Анализ конструкции SoC графического процессора Intel 10 нм (2-го поколения) Ice Lake	Портативный компьютер	Hewlett-Packard	15-dy1973cl	SDA-2001-802	26.06.2020
Intel 10 нм (2-го поколения) Анализ конструкции SoC с накладными расходами Ice Lake	Портативный компьютер	Hewlett-Packard	15-dy1973cl	SDA-2001-803	28.07.2020
HiSilicon Kirin 990 5G CPU Анализ конструкции SoC	Процессор приложений	HiSilicon Technologies Co.ООО	Hi3690	SDA-2003-801	28.08.2020
Intel 10 нм (2-го поколения) ЦП Ice Lake Дизайн SoC Стандартная ячейка Анализ библиотеки GDS	Портативный компьютер	Hewlett-Packard	15-dy1973cl	SDG-2001-801	19.06.2020
Intel 10 нм (2-го поколения) Дизайн SoC GPU Ice Lake Стандартная ячейка Анализ библиотеки GDS	Портативный компьютер	Hewlett-Packard	15-dy1973cl	SDG-2001-802	21.07.2020
Отчет о характеристиках 10-нм транзистора Intel Ice Lake	Микропроцессор	Intel	SRG0N	TCR-2002-801	20.05.2020
Отчет о характеристиках транзисторов Micron 1y LPDDR5 8 ГБ		Технология Micron	Я2БМ	TCR-2004-801	05.06.2020
Micron 512 Гбит TLC 96L 3D NAND (MT29F512G08EBHBFJ4-R: B) Анализ внутренней формы волны	Флэш-память NAND	Технология Micron	MT29F512G08EBHBFJ4-R_B	ВОЙНА-1912-801	15.05.2020

Ensphere использует TowerJazz 0.18-микронный процесс SiGe BiCMOS для создания полностью интегрированного однокристального оптического трансивера IC

ESI-1002 позволяет использовать модули SFP + с энергопотреблением менее 1 Вт
Общий объем поставок модулей SFP + в год, как ожидается, составит 2,5 млрд долларов США; общий доход производителей микросхем составляет около 300 миллионов долларов в год

НЬЮПОРТ-БИЧ, Калифорния и САНТА-КЛАРА, Калифорния — 7 октября 2010 г. — Компания TowerJazz, мировой лидер в производстве специализированных литейных изделий, объявила сегодня о выборе компании Ensphere Solutions литейный завод 0.18-микронный процесс SiGe BiCMOS (SBC18) для полностью интегрированной одночиповой ИС оптического приемопередатчика (ESI-1002), предназначенной для приложений передачи данных 10G и сетей хранения данных. ESI-1002, теперь поставляемый в больших объемах, поддерживает скорости от 1 Гбит / с до 12 Гбит / с и позволяет разрабатывать модули SFP + с энергопотреблением менее 1 Вт. Ensphere использует предложение SiGe 0,18 мкм, которое включает Fmax 177 ГГц, КМОП-транзистор 0,18 мкм и многослойный колпачок MIM 4,0 мкФ / мм2 с высокой плотностью. Этот процесс был выбран из-за его оптимизации для оптических сетей и решений для хранения данных, а также для приложений беспроводной и проводной связи и тюнеров.

Ensphere Solutions ’ESI-1002 — это ИС оптического приемопередатчика, которая вместе с TOSA, ROSA и простым внешним микроконтроллером образуют полный модуль SFP +. Он включает в себя все функции для управления передающим лазером и поддерживает режимы EDC и LIA на приемной стороне. ESI-1002 можно использовать напрямую как драйвер VCSEL. Его уникальная архитектура драйвера лазера обеспечивает минимальное энергопотребление и использует один источник питания 2,5 В. Энергопотребление ESI-1002 менее 1 Вт и отличные характеристики EMI позволяют проектировать систему с высокой плотностью портов.

«Мы продолжаем использовать TowerJazz в качестве нашего партнера по производству за их отличную поддержку, легкий доступ к их команде и частые челночные рейсы во время производственного процесса», — сказал Хессам Мохаджери, генеральный директор Ensphere. «Для нашего продукта ESI-1002 нам потребовалась специальная технология, которая позволила бы нашему трансиверу иметь очень плотную схему управления, которая недоступна в других процессах. Кроме того, TowerJazz обеспечил нам высокую степень надежности, поскольку модели и характеристики транзисторов соответствовали реальным кремниевым элементам.

«Такие заказчики, как Ensphere, используют наши высокопроизводительные 0,18-микронные специальные кремниевые технологии для ускорения вывода на рынок высокоскоростных сетевых приложений», — сказал Марко Раканелли, старший вице-президент и генеральный директор подразделения RF и High Performance Analog Business Group. TowerJazz. «Мы надеемся сохранить наши отношения с Ensphere в будущем, чтобы предоставить ряд технологий, функций и согласованную среду проектирования, чтобы обеспечить конкурентное преимущество при разработке и производстве их передовых, дифференцированных сетевых ИС.”

О Ensphere Solutions, Inc.

Ensphere Solutions Inc., частная компания, предлагает современные коммуникационные полупроводниковые ИС, IP ядра и профессиональные услуги по проектированию. Базирующаяся в Кремниевой долине, Калифорния, компания специализируется на разработке стандартных и нестандартных приемопередатчиков смешанных сигналов и радиочастотных чипов. Стандартные продукты компании предназначены для высокоскоростной оптической передачи данных. Для получения дополнительной информации посетите: www.enspheresolutions.com.

О компании TowerJazz

Tower Semiconductor Ltd.(NASDAQ: TSEM) (TASE: TSEM), мировой лидер в производстве специализированных литейных изделий, и его дочерняя компания Jazz Semiconductor, находящаяся в полной собственности в США, работают под торговой маркой TowerJazz, производя интегральные схемы с геометрическими размерами от 1,0 до 0,13 микрон. TowerJazz предоставляет ведущие в отрасли инструменты поддержки проектирования, позволяющие быстро и более точно создавать сложные конструкции, и предлагает широкий спектр настраиваемых технологий процесса, включая SiGe, BiCMOS, Mixed-Signal и RFCMOS, CMOS Image Sensor, Power Management (BCD) и Non -Энергонезависимая память (NVM), а также возможности MEMS.Чтобы обеспечить обслуживание клиентов мирового класса, TowerJazz имеет два производственных предприятия в Израиле и одно в США с дополнительными производственными мощностями, доступными в Китае через производственные партнерства. Для получения дополнительной информации посетите www.towerjazz.com.

11 советов по проектированию и производству микросхем печатных плат

Мир электроники вот-вот взорвется или, я бы сказал, «взорвался», по определению «разрушиться внутрь с силой». Этот взрыв будет вызван серьезным уменьшением размеров или огромным улучшением функциональности электронных продуктов, что приведет к миниатюризации печатных плат.Вот несколько советов, которые помогут вам понять, как обращаться с проектированием и производством микропечатных плат.

Сегодня уменьшение размера базовой печатной платы позволит разработчикам уменьшить размер своих печатных плат наполовину или до четверти от первоначального размера. Мы говорим «сегодня», потому что на момент написания этой статьи я знаю несколько компаний, занимающихся микроэлектронными печатными схемами; очень тонкие линии, которые раньше были недоступны дизайнерам, теперь станут мейнстримом, при этом прежняя абсолютная минимальная ширина линии 75 микрон (3 мил) уступит место 30 микронам (1.2 мил) или меньше.

При использовании дорожек и переходных отверстий меньшего размера требуются новые правила проектирования, поскольку методы изготовления печатных схем совершенно разные и продвинутые. Производители микроэлектронных печатных схем не могут использовать стандартный старый процесс сухой пленки, пластин и травления для надежного изготовления линий толщиной менее 75 микрон. Фотолитография — это предпочтительный метод создания этих очень тонких линий и пространств. Переход к уменьшению ширины линий может застать врасплох многих «застрявших в грязи» производителей печатных плат, которые сейчас даже не предлагают 3 мил.Чтобы быть конкурентоспособными в ближайшем будущем, магазины печатных плат должны будут предлагать как минимум 50-микронные линии и пространства или даже до 30.

Группы производителей микропечатных плат

Производители тонких микросхем делятся на четыре группы. Группа One в основном азиатская, с одним или двумя крупными производителями электроники в США, которые разработали уникальный процесс тонкой обработки следов от 40 до 50 микрон для своих сотовых телефонов или iPod. Группа 2 — это очень ограниченное количество научно-исследовательских компаний, производящих небольшое количество очень специализированных схем с очень тонкими линиями до 40 микрон, построенных только на Kapton, где затраты высоки, а сроки поставки составляют три месяца, а объемы производства небольшие.

Group Three наиболее быстро расширяется за счет компаний среднего размера, предлагающих печатные схемы меньшего размера с шириной линии от 75 до 40 микрон и объемами производства в тысячах с оборотом в пару недель. Последняя, четвертая группа — это обычное производство печатных плат с тонкими линиями от 125 до 75 микрон с большим объемом и большим количеством игроков. Мы относимся к пятой группе. Мы разработали новую производственную технологию, позволяющую наносить линии и промежутки 30 микрон на FR4 или Kapton.У нас также есть <20 микрон в середине разработки, и мы планируем предложить эту возможность во втором квартале 2008 года.

По мере того, как бизнес микроэлектроники расширяется и все больше компаний, производящих печатные схемы, находят технологии, необходимые для производства очень тонких линий размером 40 микрон и ниже, разработчикам необходимо будет ознакомиться с новыми правилами проектирования, а также с преимуществами и недостатками производства микросхем.

Как разработать микроплату

Для очень тонких линий в 30 микрон по понятным причинам нельзя использовать обычную медь весом в одну унцию.Поскольку мы уменьшаем ширину линии, мы должны уменьшать толщину. В Sierra Circuits мы изготовили 25-микронные линии из меди толщиной 18 микрон, но это примерно верхний предел. Более тонкие медные дорожки не должны быть проблемой, если в вашей конструкции не используется более высокий ток, и в этом случае конкретную дорожку можно сделать шире, чтобы выдержать более высокий ток. Линия 30 микрон является жесткой и надежной, однако она не выдерживает больших физических нагрузок, которые можно практически исключить с помощью типичной паяльной маски.

Мелкие следы могут беспокоить многих проектировщиков, однако им необходимо реализовать дорожку шириной 200 микрон, с которой они в настоящее время начинают, сокращается до алюминиевого или золотого круглого провода толщиной от 25 до 13 микрон, который соединяет кристалл с держателем микросхемы. Тонкие линии заключены либо во внутренние слои многослойной пленки, либо с помощью паяльной маски, что означает, что они практически заблокированы. Были разработаны новые методы приклеивания меди к поверхности печатной платы, которые используются для улучшения общей адгезии микрошлифов. на поверхность.У нас есть плата для образцов с 40-микронными следами без паяльной маски, которую мы позволяем клиентам царапать ногтями. Пока след никем не сместил.

Первые несколько микродизайнов имели большие галтели от 30-микронной дорожки до подушечки. Со временем это оказалось ненужным; трассировка следа прямо к контактной площадке очень надежна и надежна. Доказано, что дополнительные скругления увеличивают время и затраты на написание изображений.

Маленькие переходные отверстия: существует физический предел размера микропереходов.Гальванический раствор ниже 50 микрон (2 мил) не будет должным образом покрыть стенку отверстия, что приведет к низкому качеству переходных отверстий. Наш лазер может просверливать отверстия размером до 20 микрон, но мы не можем их покрыть. Толщина ламината определяет минимальный диаметр переходных отверстий с верхним пределом 2: 1 для покрытия микротрещин.

Например, микропереход толщиной 3 мил ограничен ламинатом толщиной шесть мил в отношении покрытия. Также существует предел того, насколько глубоко наш Yag-лазер может просверлить переходное отверстие. По мере уменьшения диаметра уменьшается и способность проникать в ламинат для получения чистого отверстия.Переходное отверстие толщиной 3 мил ограничивается глубиной от четырех до пяти мил в FR4 и от шести до семи мил в ламинате без стекла, используемом в приложениях HDI. Все о микропереходе не обязательно плохо. Микропереход может быть не таким маленьким, как следы, но мы можем добавить в горшок подсластитель, поскольку кольцевое кольцо вокруг микроперехода может быть значительно меньше.

Первое, что мы заметили при производстве нашей самой первой микросхемы печатной платы, это то, что переходные отверстия находились в мертвой точке контактной площадки. В конструкции использовались контактная площадка толщиной 9 мил и переходное отверстие диаметром 3 мил, которое является плотным при использовании обычных печатных схем.Новый, более точный метод лазерного производства позволяет использовать площадку размером всего 5 мил с отверстием диаметром 3 мил, что позволяет сэкономить огромную площадь платы.

Прокладка 9 мил и переходное отверстие 3 мил с линиями 40 микрон.

Использование новой технологии проектирования микросхем вместо обычной технологии печатных схем приводит к значительной экономии недвижимости. Наилучший доступный сегодня шаг с типичной шириной линии 75 микрон составляет приблизительно 0,5 мм, что дает переходное отверстие 75 микрон (3 мил) с линиями 75 микрон и площадку 250 микрон (10 мил).Пространство между прокладками составляет 225 микрон (9 мил), позволяя только одну линию 75 микрон между прокладками, и эта минимальная спецификация является жесткой для большинства магазинов.

Рекомендации по проектированию микросхем Технология микросхем

, использующая переходное отверстие 3 мил, 5 мил, линию 30 микрон и промежутки 30 микрон, дает макет с шагом 0,2 мм.

По сравнению со стандартной компоновкой печатной платы толщиной 3 мил, технология микросхем приводит к пятикратному уменьшению используемой площади.В следующих статьях мы рассмотрим идеи по уменьшению требуемой площади компонентов. Однако даже с теми же компонентами простой переход на линии 30 микрон и контактные площадки меньшего размера значительно уменьшит площадь платы.

При прокладке линий используйте ту же технику, но старайтесь наклонять линии при повороте, а не за один поворот на 90 градусов. Наклонные линии вокруг угла распределяют угловое напряжение на более широкую область.

1. Микропереходы

При использовании слоев технологии HDI, добавленных поверх многослойной платы или как многослойная полностью HDI, используются микропереходы для соединения между тонкими слоями.Сквозные отверстия можно просверлить диаметром 5,9 мил и толщиной до 60 мил или просверлить лазером отверстия диаметром 2-3 мил, но только в ламинате HDI толщиной 2-4 мил. Имейте в виду, что просверленные отверстия сильно отклоняются по сравнению с отверстиями, созданными лазером, что ограничивает размер подушки до отверстия. Для просверленных отверстий используйте контактную площадку толщиной 12 мил с отверстием диаметром 6 мил, тогда как для микроперехода с лазерным сверлением можно использовать площадку диаметром 5 мил с отверстием диаметром 3 мил.

2. Размеры отверстий

Хотя это может показаться очевидным, стоит повторить еще раз: каждый элемент традиционной конструкции печатной платы должен быть отрегулирован для соответствия меньшему масштабу микроконтроллера.Это может быть проблемой для инженеров по компоновке печатных плат, знакомых с традиционными конструкциями печатных плат. Самая распространенная ошибка, которую мы видим в этой области, — это наличие отверстий слишком большого размера. Фактически, конструкции микросхем печатных плат должны иметь лазерные микропереходы для соединения между слоями подложки. Если отверстия в конструкции слишком велики, как это часто бывает, это приведет к неоптимальным или даже нефункционирующим микроплатам.

Это снова возвращает нас к важности работы с правильным производителем микропечатных плат.Когда производитель печатных плат выступает в качестве партнера, у вас будет эксперт, к которому вы сможете обратиться на каждом этапе процесса создания печатной платы, чтобы убедиться, что ваша микросхема печатной платы соответствует всем необходимым требованиям.

3. Толщина меди

Обычная тонкая схема толщиной 3 мил состоит из 1 унции меди, микросхемы используют унцию на 30 микрон ширины. При изготовлении микросхем используется обычное покрытие с рисунком, что означает, что дорожки не должны выходить из схемы на шину металлизации, покрытие с рисунком подключается ко всей цепи, а покрытие проводов осуществляется без применения электролита или электричеством.

4. Надежность

Большинство обычных ламинатов с печатными схемами можно использовать для HDI или микросхем, но все они имеют ограничения. Микро-односторонние и двусторонние схемы могут быть изготовлены из жесткого ламината типа FR4, однако они должны быть тонкими, чтобы допускать сквозные микроотверстия.

5. Электрические испытания

Нижний предел технологии летающего зонда или даже жесткого зонда (ложа гвоздей) сейчас составляет 2-3 мил. Мы ожидаем, что со временем он снизится, так как необходимость требует меньших посадочных площадок.Если ваша микросхема имеет более мелкие точки, такие как разъемы краевых полос, разумно удлинить линии от схемы до контактной площадки 3-4 мил.

6. Паяльная маска

Усовершенствования изображения, которые позволяют нам изготавливать 30-микронные линии, к сожалению, не были перенесены на паяльную маску. Точность положения 75 микрон, как и разрешение изображения, по-прежнему является пределом.

7. Идентификационная маркировка

Типичная точность изображения шелкографии слишком велика для микросхем.Sierra Proto использует очень тонкий струйный принтер, что приводит к очень низкому разрешению идентификационной маркировки.

8. Защитная маркировка

Очень маленькие отдельные штрих-коды могут быть нанесены на паяльную маску для точной идентификации печатной платы. Штрих-коды могут быть настолько маленькими, что практически невидимы для человеческого глаза.

8-микронный штрих-код с защитой

Линия исследований и разработок mil 15 микрон

9. Окончательная отделка

Доступны стандартные покрытия для печатных плат.В большинстве микросхем используется мягкое золото, иммерсионное олово или серебро.

10. Знайте возможности производителя

Это, безусловно, самый важный шаг при работе над дизайном микропечатной платы, независимо от конкретного приложения или типа микроэлектроники, которую вы хотите разработать.

Этот совет актуален при начале любых работ по проектированию печатных плат. Однако знание их возможностей и услуг особенно важно для микропечатных плат. Для компании, которая никогда раньше не занималась проектированием микросхем печатных плат или никогда не работала с данной фирмой, производящей печатные платы, над этим типом продукции, это очень важно.

«Возможности изготовления микропечатных плат сильно различаются от одного производителя к другому».

Причина проста: возможности изготовления микропечатных плат сильно различаются от одного производителя печатной платы к другому. Фактически, микропечатные платы все еще являются довольно новыми и достаточно сложными, поэтому многие производители печатных плат не будут предлагать никаких микроэлектронных возможностей или поддержки. Чтобы дизайн микропечатной платы оказался успешным, вам необходимо убедиться, что производитель может удовлетворить ваши базовые требования.

Имейте в виду, что ваш дизайн должен соответствовать их руководящим принципам. Если вы включите в свой дизайн элементы, которые производитель не может удовлетворить, потребуется доработка. Это приведет к задержкам, замедляющим как время выполнения работ, так и скорость вывода на рынок.

11. Поговорите с инженером

Подключите и обсудите свой следующий проект с инженером в компании по производству печатных плат на ранней стадии и, в идеале, на протяжении всего процесса проектирования.

Это особенно важно с учетом того факта, что, как мы уже говорили в предыдущих сообщениях блога, микропечатные платы открывают сферу микроэлектроники для бесчисленных организаций, которые практически не имеют опыта в этой области.Например, компания, специализирующаяся на оборудовании для анализа крови, может быть заинтересована в разработке миниатюрной версии этого устройства, которая требует минимального количества крови для анализа. Это прекрасный пример потенциала микросхем печатных плат, однако в данном случае у компании, о которой идет речь, вероятно, нет в штате инженера по компоновке печатных плат, который в прошлом работал над конструкциями микропечатных плат.

Вот почему так важно работать с магазином плат, который предлагает рекомендации собственных инженеров на каждом этапе процесса проектирования микропечатных плат.В то время как некоторые производители печатных плат, такие как Sierra Circuits, предоставляют такой уровень обслуживания всем своим клиентам, многие этого не делают. Если производитель микросхем печатных плат не предоставляет инженерно-техническую поддержку и опыт клиентам, работающим над проектами микросхем печатных плат, то вашей компании, вероятно, следует поискать что-нибудь еще на раннем этапе процесса проектирования.

ЗАГРУЗИТЕ НАШЕ РУКОВОДСТВО ПО ДИЗАЙНУ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ:

Микронные кремниевые фотонные устройства и схемы

Исследования в области кремниевой фотоники можно отнести к 1980-м годам.Однако в предыдущее десятилетие в этой области произошел взрывной рост. Кремниевая фотоника — это революционная технология, которая может революционизировать ряд областей применения, например, центры обработки данных, высокопроизводительные вычисления и зондирование. Ключевой движущей силой кремниевой фотоники является возможность использования КМОП-подобного изготовления, что приводит к крупносерийному производству при низких затратах. Это ключевой фактор для внедрения фотоники в ряд технологических областей, где затраты на внедрение с использованием традиционных фотонных элементов, таких как те, которые используются в телекоммуникационной отрасли, были бы непомерно высокими.Однако кремний как фотонный материал имеет ряд недостатков. В своей основной форме это не идеальный материал для изготовления источников света, оптических модуляторов или фотодетекторов, например. Огромные исследовательские усилия как академических кругов, так и промышленности в последние годы привели к демонстрации множества решений этих и других проблем, и с течением времени все чаще появляются новые подходы. Понятно, что у кремниевой фотоники светлое будущее. Однако с ростом числа доступных подходов, как будет выглядеть кремниевая фотонная интегральная схема будущего? Эта дорожная карта по кремниевой фотонике углубляется в различные технологии и области применения в этой области, давая представление о современном состоянии, а также о текущих и будущих задачах, с которыми сталкиваются исследователи во всем мире.В материалах, написанных экспертами как из отрасли, так и из академических кругов, представлен обзор и перспективы платформы кремниевых волноводов, оптических источников, оптических модуляторов, фотодетекторов, подходов к интеграции, корпусов, приложений кремниевой фотоники и подходов, необходимых для удовлетворения требований приложений в диапазоне средних длин волн инфракрасного диапазона. Достижения в науке и технологиях, необходимые для решения проблем, с которыми сталкиваются отрасли в каждой из этих областей, также рассматриваются вместе с прогнозами того, чего предстоит достичь этой области.

Патенты, переданные Micron Communication, Inc.

Номер патента: 6045652

Abstract: В настоящем изобретении предлагается способ изготовления закрытого приемопередатчика, такого как метка радиочастотной идентификации («RFID»). Конструктивно в одном варианте осуществления метка содержит микросхему интегральной схемы (ИС) и РЧ-антенну, установленную на тонкопленочной подложке, питаемой от тонкопленочной батареи.Различная геометрия антенн совместима с вышеуказанной конструкцией бирки. К ним относятся монопольные антенны, дипольные антенны, двойные дипольные антенны, комбинация дипольных и рамочных антенн. Кроме того, в другом варианте осуществления антенны расположены либо внутри плоскости тонкопленочной батареи, либо над тонкопленочной батареей.

Тип: Грант

Подано: 14 июля 1998 г.

Дата патента: 4 апреля 2000 г.

Цессионарий: Micron Communications, Inc.

Изобретателей: Марк Э. Таттл, Джон Р. Таттл, Рики К. Лейк

Подключаемый трансивер малого форм-фактора (SFP) Соглашение с несколькими источниками

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Кодирование> >> / Поля [] >> эндобдж 5 0 obj > ручей Acrobat Distiller 4.0 для Windows 2016-06-01T15: 06: 20-07: 002000-11-13T09: 55: 36-07: 002003-03-04T09: 23: 10-08: 00 Microsoft Word 8.0

Gregg Cockroft

Соглашение с несколькими источниками подключаемого трансивера малого форм-фактора (SFP)

application / pdf конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > / ProcSet 56 0 R >> >> эндобдж 9 0 объект > / ProcSet 56 0 R >> >> эндобдж 10 0 obj > / ProcSet 56 0 R >> >> эндобдж 11 0 объект > / ProcSet 56 0 R >> >> эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > ручей hWIo6WE-kS $ 2, 2 = ȲL !; 頇 Io {q | zzW # ύ $ Y $} p «T ~ u ؙ_2 ԔnWj ڦ jL * DMEs @ ϗd] dTPlr5] 8X.xp: ǱPzXiR * 5ffqjRA ܙ # | ן c 2؝ CfU ~! `ud4qW / KiO ~ ߵ: Dß; OC [On; ɓ aF6iG’Vlr0z!:! Z Ը K yt ++

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и волокна оптические кабели в дата-центре — TARLUZ

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и оптоволоконных кабелей в центре обработки данных

СОВЕТ 1: Скорость передачи и расстояние передачи
Что касается волокна, существует одномодовое волокно и многомодовое волокно, одномодовое волокно предназначено для передачи на большие расстояния.в то время как для многомодового волокна он обычно используется для внутристойки или прокладки кабелей на короткие расстояния, однако, когда вы выбираете MMF в качестве установочного кабеля, убедитесь, что вы знаете, что при увеличении дальности передачи скорость передачи может снизиться. Кроме того, обратите внимание на то, что вы рассматриваете возможность использования этого кабеля в будущем, иначе вам, возможно, придется снова вложить средства и снова установить оптоволоконный кабель.

Типы волокна:
MMF (многомодовое волокно):

Многомодовый OM1: 62.5 микрон | Куртка оранжевого цвета
Многомодовый OM2: 50 микрон | Куртка оранжевого цвета
Многомодовый OM3: 50 микрон | Куртка цвета морской волны
Многомодовый OM4: 50 микрон | Пиджак фиолетового или бирюзового цвета
Многомодовый OM5: 50 микрон | Куртка светло-зеленого цвета, новейшее многомодовое волокно

SMF (одномодовое волокно)

Одномодовая OS2: 9 микрон | Жакет желтого цвета

Типы трансиверов:

GBIC (преобразователь интерфейса Gigabit): самые первые оптические модули, скорость 1 Gigabit Ethernet, обычно интерфейс SC-волокна
SFP (подключаемый малый форм-фактор): скорость 1 Gigabit Ethernet, обычно с оптоволоконным интерфейсом LC
SFP + (подключаемый модуль малого форм-фактора): скорость 10 Gigabit Ethernet, обычно оптоволоконный интерфейс LC
SFP28 (подключаемый модуль малого форм-фактора 28): скорость 25 Gigabit Ethernet, обычно оптоволоконный интерфейс LC
QSFP + (с четырьмя подключаемыми модулями малого форм-фактора): скорость 40 Gigabit Ethernet, интерфейс MPO / MTP или LC
QSFP28 (с четырьмя подключаемыми модулями малого форм-фактора 4 × 28): 100 Gigabit Ethernet, интерфейс MPO / MTP

СОВЕТ 2: Различные трансиверы
Что касается SFP, SFP + и SFP28, все они представляют собой подключаемые модули малого форм-фактора, каждый тип имеет несколько типов для разного расстояния передачи, скажем, SFP-10G-SR с трансмиссией расстояние 300 м над OM3 MMF.в то время как SFP-10G-ZR с дальностью передачи до 80 км по SMF.

Используя приведенную ниже таблицу и учитывая, на каких скоростях может потребоваться работа канала в будущем, вы можете определить, следует ли устанавливать многомодовое или одномодовое волокно.

Трансивер микрон схема: Page not found — Сайт prograham!

ПВД. Аппаратура

Celeron® Processor for PGA370 Socket up to 1.40 GHz on 0.13 Micron

Поиск на сайте Intel.com

Ссылки по теме

Недавние поисковые запросы

EDW4032BABG-70-F-D, Micron Technology EDW4032BABG-70-F-D в наличии на складе. Купите EDW4032BABG-70-F-D по лучшей цене на Components-Store.com

Micron Technology

Запрос цитаты

Product parameter

Сопутствующие товары

Связанные новости для

Ключевые слова для

Micron Technology — MT52L1G32D4PG-093 WT:B Интернет-дистрибьютор

Введение

Вопросы и ответы

МИКРОСХЕМЫ (A-M)

DUC-DDC ТРАНСИВЕР UA3REO: РЕЛИЗ ВЕРСИИ 1.8.2

Исследование и разработка интегральных модулей АФАР

Введение

Проектирование СФ МИС

Структурная схема

Фазовращатели

Аттенюаторы

Малошумящий усилитель

СВЧ-переключатели

Усилитель мощности

Датчик температуры

Результаты моделирования

Выводы

Библиотека TechInsights — работа в процессе

Ensphere использует TowerJazz 0.18-микронный процесс SiGe BiCMOS для создания полностью интегрированного однокристального оптического трансивера IC

11 советов по проектированию и производству микросхем печатных плат

Микронные кремниевые фотонные устройства и схемы

Патенты, переданные Micron Communication, Inc.

Подключаемый трансивер малого форм-фактора (SFP) Соглашение с несколькими источниками

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и волокна оптические кабели в дата-центре — TARLUZ

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и оптоволоконных кабелей в центре обработки данных

Похожие сообщения

Добавить комментарий Отменить ответ

ПВД. Аппаратура

Celeron® Processor for PGA370 Socket up to 1.40 GHz on 0.13 Micron

Поиск на сайте Intel.com

Ссылки по теме

Недавние поисковые запросы

EDW4032BABG-70-F-D, Micron Technology EDW4032BABG-70-F-D в наличии на складе. Купите EDW4032BABG-70-F-D по лучшей цене на Components-Store.com

Micron Technology

Запрос цитаты

Product parameter

Сопутствующие товары

Связанные новости для

Ключевые слова для

Micron Technology — MT52L1G32D4PG-093 WT:B Интернет-дистрибьютор

Введение

Вопросы и ответы

МИКРОСХЕМЫ (A-M)

DUC-DDC ТРАНСИВЕР UA3REO: РЕЛИЗ ВЕРСИИ 1.8.2

Исследование и разработка интегральных модулей АФАР

Введение

Проектирование СФ МИС

Структурная схема

Фазовращатели

Аттенюаторы

Малошумящий усилитель

СВЧ-переключатели

Усилитель мощности

Датчик температуры

Результаты моделирования

Выводы

Библиотека TechInsights — работа в процессе

Ensphere использует TowerJazz 0.18-микронный процесс SiGe BiCMOS для создания полностью интегрированного однокристального оптического трансивера IC

11 советов по проектированию и производству микросхем печатных плат

Микронные кремниевые фотонные устройства и схемы

Патенты, переданные Micron Communication, Inc.

Подключаемый трансивер малого форм-фактора (SFP) Соглашение с несколькими источниками

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и волокна оптические кабели в дата-центре — TARLUZ

2 основных совета по выбору подходящих трансиверов и оптоволоконных кабелей в центре обработки данных

Похожие сообщения

Похожие записи

Микросхема 358: datasheet на русском, применение, аналоги, назначение выводов

Радиозвонок схема: ДВЕРНОЙ РАДИОЗВОНОК

Электросхема ваз 2105 инжектор: Схема ВАЗ-2105 | 2 Схемы

Добавить комментарий Отменить ответ