Транзистор схемы включения. Схемы включения транзистора: особенности и применение

Какие существуют основные схемы включения транзистора. Чем они отличаются друг от друга. Как работает транзистор в режиме ключа. Какие преимущества дает использование транзистора в качестве переключателя.

Основные схемы включения транзистора

Существует три основные схемы включения биполярного транзистора:

• С общей базой (ОБ)
• С общим эмиттером (ОЭ)
• С общим коллектором (ОК)

Выбор схемы включения зависит от требуемых характеристик усиления и области применения. Рассмотрим особенности каждой схемы.

Схема с общей базой

В схеме с общей базой:

• Входной сигнал подается на эмиттер
• Выходной сигнал снимается с коллектора
• База является общим электродом для входа и выхода

Особенности схемы ОБ:

• Коэффициент усиления по току близок к единице
• Высокий коэффициент усиления по напряжению
• Низкое входное и высокое выходное сопротивление
• Отсутствие фазового сдвига между входным и выходным сигналом

Схема ОБ применяется в высокочастотных усилителях, где важна стабильность работы.

Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером:

• Входной сигнал подается на базу
• Выходной сигнал снимается с коллектора
• Эмиттер является общим электродом

Ключевые характеристики схемы ОЭ:

• Высокий коэффициент усиления по току и напряжению
• Среднее входное и выходное сопротивление
• Фазовый сдвиг между входным и выходным сигналом 180°

Схема ОЭ наиболее универсальна и широко применяется в усилителях различного назначения.

Схема с общим коллектором

Особенности схемы с общим коллектором:

• Входной сигнал подается на базу
• Выходной сигнал снимается с эмиттера
• Коллектор является общим электродом

Характеристики схемы ОК:

• Коэффициент усиления по напряжению близок к единице
• Высокий коэффициент усиления по току
• Высокое входное и низкое выходное сопротивление
• Отсутствие фазового сдвига между входом и выходом

Схема ОК используется в качестве согласующего каскада, так как обеспечивает хорошее согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой.

Работа транзистора в ключевом режиме

В ключевом режиме транзистор работает в двух состояниях:

• Закрытое состояние (режим отсечки)
• Открытое состояние (режим насыщения)

В режиме отсечки:

• Ток базы равен нулю
• Коллекторный ток минимален
• Напряжение коллектор-эмиттер максимально

В режиме насыщения:

• Ток базы максимален
• Коллекторный ток максимален
• Напряжение коллектор-эмиттер минимально (доли вольта)

Переход между состояниями осуществляется очень быстро, что позволяет использовать транзистор как электронный ключ.

Преимущества транзисторных ключей

Использование транзистора в качестве переключателя имеет ряд преимуществ по сравнению с механическими контактами:

• Отсутствие подвижных частей и механического износа
• Высокое быстродействие (наносекундный диапазон переключения)
• Отсутствие дребезга контактов
• Возможность управления слабыми сигналами
• Малые габариты и вес
• Низкое энергопотребление в статических режимах

Эти преимущества обусловили широкое применение транзисторных ключей в цифровой технике, системах автоматики и управления.

Области применения транзисторных ключей

Транзисторные ключи нашли применение во многих областях электроники:

• Цифровые логические схемы
• Преобразователи уровней сигналов
• Драйверы светодиодов
• Коммутаторы аналоговых сигналов
• Управление электродвигателями
• Источники питания с ШИМ-регулированием
• Системы защиты и блокировки

Универсальность и надежность сделали транзисторные ключи незаменимыми элементами современной электроники.

Особенности проектирования ключевых схем

При разработке транзисторных ключей необходимо учитывать следующие моменты:

• Выбор режимов работы транзистора (глубина насыщения)
• Расчет цепи базы для обеспечения надежного открывания/закрывания
• Учет температурной зависимости параметров транзистора
• Оценка быстродействия и динамических характеристик
• Защита от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки

Правильный учет этих факторов позволяет создавать надежные и эффективные ключевые схемы на транзисторах.

Сравнение биполярных и полевых транзисторов в ключевом режиме

Биполярные и полевые транзисторы имеют свои особенности при работе в ключевом режиме:

Параметр	Биполярные транзисторы	Полевые транзисторы
Управляющий электрод	База (током)	Затвор (напряжением)
Входное сопротивление	Низкое	Очень высокое
Быстродействие	Высокое	Очень высокое
Потери в открытом состоянии	Выше	Ниже
Чувствительность к статическому электричеству	Низкая	Высокая

Выбор типа транзистора зависит от конкретного применения и требований к схеме.

Заключение

Схемы включения транзистора играют важную роль в электронике, определяя характеристики усиления и области применения. Особое место занимает использование транзисторов в ключевом режиме, что позволяет создавать эффективные электронные переключатели. Понимание особенностей работы транзисторных ключей необходимо для грамотного проектирования современных электронных устройств.

2. Три схемы включения транзистора

В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входного и выходного сигналов, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ) − рис.5,а; с общим эмиттером (ОЭ) − рис.5,б; с общим коллектором − (ОК) рис.5,в. Трем возможным схемам включения транзисторов соответствуют три основных типа усилительных каскадов: с ОБ, ОЭ и ОК. В схеме с ОБ входной сигнал подается на эмиттер транзистора, выходной сигнал снимается с коллектора, а база является общей для входного и выходного сигналов. В схеме с ОЭ входной сигнал подается на базу транзистора, выходной снимается с коллектора, а эмиттер является общим для входного и выходного сигналов. В схеме с ОК входной сигнал подается на базу транзистора, выходной снимается с эмиттера, а коллектор, через источник питания соединен с общим проводом, т.е. является общим для входного и выходного сигналов.

В этих схемах источники постоянного напряжения и резисторы обеспечивают необходимые значения напряжений и начальных токов. Входные сигналы переменного тока создаются источниками U_вх. Они изменяют ток эмиттера транзистора, а соответственно и ток коллектора. Приращения тока коллектора (рис.5,а,б) и тока эмиттера (рис.6,в) соответственно на резисторах R_к и R_э создадут приращения напряжений, которые и являются выходными сигналами U_вых. Параметры схем обычно выбирают так, чтобы U_вых было бы во много раз больше вызвавшего его приращения U_вх (рис.5,а,б) или близко к нему (рис.5,в).

Вид входных и выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзистора зависит от схемы включения. Для схемы включения с ОБ статические характеристики имеют вид, показанный на рис.6, для схемы с ОЭ – на рис.7. Статические характеристики для схемы с ОК аналогичны соответствующим характеристикам для схемы с ОЭ и, как правило, в справочной литературе не приводятся.

В цепях, где транзистор включен по схеме с ОЭ или ОК, удобно пользоваться не коэффициентом передачи эмиттерного тока , а “коэффициентом передачи базового тока”  (в справочной литературе он приведен в виде параметра h_21э). Это обусловлено тем, что в схемах с ОЭ обычно задается изменение тока базы. Связь между коэффициентами  и  определяется формулой

=(1). (3)

Т ак как =0.90.995, то 1. У транзисторов, выпускаемых промышленностью, 10200. Существуют транзисторы с h_21э1000.

Для транзисторов падение напряжения на открытом эмиттерном

переходе составляет доли вольта (для германиевых порядка 0.3 В, кремниевых  0.6 В, арсенид-галиевых  1.0 В). На закрытом коллекторном переходе падение напряжения существенно больше и составляет единицы – десятки вольт.

3. Зонные диаграммы биполярного транзистора

3.1. Зонная диаграмма бездрейфового биполярного транзистора в состоянии термодинамического равновесия

В биполярных транзисторах существует два механизма переноса носителей заряда через базу: диффузии и электрического дрейфа. В активном режиме работы в базе любого транзистора имеется градиент концентрации неосновных носителей заряда, поэтому все транзисторы являются диффузионными. Встроенное в базу электрическое поле есть только у транзисторов с неравномерной концентрацией примесей в базе. Такие транзисторы называется дрейфовыми. Они, как правило, имеют большее быстродействие и лучшие частотные свойства за счет более быстрого пролета неосновных носителей через базу.

Зонная диаграмма бездрейфового биполярного транзистора n—p—n — типа в состоянии термодинамического равновесия приведена на рис.8. Она представляет собой два невырожденных несимметричных p—n — гомоперехода (все области имеют одинаковую ширину запрещенной зоны W, одинаковую энергию сродства к электрону Р_с и одинаковую диэлектрическую проницаемость ε). Области эмиттера, базы и коллектора различаются типом и концентрацией примесей. Типичные значения концентрации примесей составляют: в эмиттере донорных N_d~2·10¹⁷ [1/см³], в базе акцепторных N_a~10¹⁵[1/см³] и коллекторе N_d~10¹⁷ [1/см³]. Толщина р—n — перехода определяется по формуле , где φ – контактная разность потенциалов. С учетом существенной разницы концентрации примесей полагают, что практически вся обедненная носителями заряда область эмиттерного и коллекторного переходов располагается в низколегированной базе.

В состоянии термодинамического равновесия в эмиттерном и коллекторном переходах выполняется принцип детального равновесия: электронный и дырочный токи равны нулю и общий ток через каждый переход равен нулю.

Включение — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5

Cтраница 5

Схемы включения транзисторов.  [61]

Схемы включения транзисторов разделяются в зависимости от того, какой электрод транзистора является общим относительно входного и выходного переменных напряжений. В соответствии с этим схемы называются схемами с общим эмиттером — ОЭ, общей базой — ОБ, общим коллектором — ОК. Схема ОЭ является более распространенной, так как дает наибольшее усиление по мощности.  [62]

Несимметричный полумостовой преобразователь с ХС-фильтром.  [63]

Этапы включения транзистора Т2 после выключения транзистора Т аналогичны рассмотренным выше.  [64]

Основная схема преобразователя.| Выходные хар-ки транзистора.  [65]

Схемы включения транзисторов выполняются: с общим эмиттером, с общим коллектором н с общей базой. В схеме с общим эмиттером достигается лучшее использование тр-ра. В двухтактных преобразователях, в отличие от однотактных, намагничивание тр-ра производится в оба полупериода порем, напряжения и соответственно нет пост, составляющей магнитного потока. Здесь Я7 — мощный транзистор, ЯТ2 — маломощный, обеспечивающий лишь протекание намагничивающего тока.  [66]

Основная схема преобразователя.| Выходные хар-ки транзистора.  [67]

Схемы включения транзисторов выполняются: с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой. В схеме с общим эмиттером достигается лучшее использование тр-ра. В двухтактных преобразователях, в отличие от однотактных, намагничивание тр-ра производится в оба полупориода перем. Здесь Я7 — мощный транзистор, 77Т2 — маломощный, обеспечивающий лишь протекание намагничивающего тока.  [68]

Схемы включения транзистора — разновидности способов включения транзистора в схему каскада. Несмотря на многообразие конкретных схем, использующих транзисторы, в большинстве случаев можно четко выделить у транзистора: входной электрод, к которому подводится усиливаемый или управляющий сигнал, выходной электрод, с которого снимается усиленный или преобразованный транзистором сигнал, и общий электрод, соединенный с общим, или заземленным, проводом схемы. При этом любые конкретные схемы удается разделить на три основных класса: схему с общей базой 05, с общим эмиттером ОЭ и с общим коллектором ОК. Такая классификация особенно удобна для усилительных схем. В названии каждой схемы упоминается тот электрод, который одновременно входит в цепь источника усиливаемого сигнала и в цепь нагрузки.  [69]

Схемы включения транзистора) или из участка коллектор — эмиттер и внешней части цепи между коллектором и эмиттером при включении транзистора по схеме с общим эмиттером.  [70]

Схема включения транзистора Тх представляет собой по существу эмиттерный повторитель, на входе которого напряжение Dlt а на выходе сопротивление нагрузки стабилизатора. Следовательно, уменьшение выходного полного сопротивления посредством коэффициента а / е более эффективно, чем получаемое только от Dl.  [71]

Соотношение между Л — параметрами транзистора в различных схемах включения.  [72]

При включении транзистора по схемам с общей базой, с общим эмиттером или с общим коллектором одни и те же параметры эквивалентного четырехполюсника приобретают различные значения.  [73]

При включении транзистора по схемам ОБ, ОЭ или ОК одни и те же параметры эквивалентного четырехполюсника приобретают различные значения.  [74]

Страницы:      1    2    3    4    5

Транзистор как переключатель — Принципиальная схема, работа и применение

В основном транзистор представляет собой тип полупроводникового устройства. Эти устройства состоят из трех рядов клемм. Взаимодействие между двумя терминалами будет происходить таким образом, что в нем образуются два перехода. Эти переходы и клеммы в целом отвечают за генерацию тока, либо разработаны устройства, управляемые током, либо соответствующие устройства, управляемые напряжением. В этой статье ниже обсуждается транзистор как коммутатор, а также его работа и приложения.

Основное приложение, которое часто используется, это устройство, работающее как коммутатор. Основная концепция его функционирования зависит от режимов его работы. Устройство, которое предпочитает низкое значение напряжения постоянного тока, может быть включено или выключено с помощью транзисторов.

В основном, по мере того, как поколения электронных схем претерпевают революцию и улучшаются для лучшей и комфортной жизни, транзисторы играют заметную роль, заменяя себя электронными лампами.

Это приводит к повышению эффективности и уменьшению размера. Основные функциональные возможности транзистора можно наблюдать либо за счет его использования для усиления, либо для основного применения в цифровых схемах переключения.

Основная причина использования этого транзистора в качестве переключателя заключается в том, что ток на базе напрямую контролирует ток на коллекторе. Если ток на базе превышает минимальное пороговое значение напряжения, то поведение транзистора похоже на замкнутый переключатель, в противном случае он останется в состоянии открытого ключа.

Транзистор в качестве переключателя

При подаче смещения на базу транзистора оба типа биполярных переходных транзисторов могут использоваться в качестве переключателей. Области, в которых работа переключателя предпочтительна, — это либо он должен полностью находиться в области, называемой насыщением, либо в рабочей области отсечки. Основная идея использования этих регионов заключается в том, что режим переключения должен быть полностью включен или выключен.

Как работают транзисторы?

Работа транзистора основана на рабочих зонах. В области отсечки базовый ток будет равен нулю. Поскольку вход равен нулю, ток коллектора также будет равен нулю за счет поддержания максимального напряжения на коллекторе.

Это для транзистора N-P-N, тогда как для транзистора P-N-P значение напряжения на эмиттере должно быть отрицательным. Поскольку в этом состоянии нет потока носителей, ширина области, называемой истощением, увеличивается, что свидетельствует о том, что в этом состоянии не наблюдается никакого потока. Этот тип области называется областью отсечки.

Следующим условием, при котором работает переключатель, является насыщение. Здесь токи на базе и коллекторе максимальны, а напряжение на коллекторе поддерживается минимальным. Это рабочее состояние заставляет транзистор работать в полностью открытом режиме. Это для транзистора N-P-N, тогда как для P-N-P значение напряжения эмиттера должно оставаться положительным по отношению к напряжению базы.

Эта работа транзистора известна как однополюсный одноходовой (SPST). Это указывает на то, что при подаче нуля сигнала на базу транзистор будет включен, в противном случае он будет выключен.

Транзистор N-P-N в качестве переключателя

После подачи напряжения на область основания, на его основе, выполняется операция переключения. Как и в случае с диодом, существует напряжение включения. Между областью эмиттера и базы приложенное напряжение должно достигать напряжения включения. Если он пересекает его, говорят, что транзистор включен, в противном случае — выключен.

Когда транзистор находится в состоянии ON, генерируемый ток имеет тенденцию течь от источника к нагрузке. Нагрузкой может быть либо светодиод, либо резистор, нагрузка зависит от требований.

Транзистор P-N-P в качестве переключателя

Условия работы транзисторов P-N-P и N-P-N различаются в зависимости от приложения положительного или отрицательного напряжения. Но критерии операции остаются прежними. Если он находится во включенном состоянии, наблюдается протекание тока, в противном случае он выключен.

Здесь нагрузка подключается к соответствующему заземлению транзистора, а затем транзистор P-N-P переключает питание. В этом случае клеммная база соединена с землей

Выше приведено основное применение транзистора в качестве переключателя для транзисторов с биполярным переходом P-N-P и N-P-N.

Применение

Применение транзистора, используемого в качестве переключателя, следующее:

1. Наиболее часто используемое практическое применение, которое используется для транзистора в качестве переключателя, — это работа светодиода.
2. Работой реле можно управлять, внося необходимые изменения в схему, чтобы любое внешнее устройство подключалось по отношению к реле и управлялось.
3. Двигатели постоянного тока можно контролировать и контролировать с помощью этой концепции транзисторов. Это приложение используется для включения и выключения двигателя. Изменяя значения частот транзистора, можно изменять скорость двигателя.
4. Одним из примеров таких выключателей является лампочка. Это облегчает включение света при ярком освещении и отключение при наступлении темноты. Это делается с помощью светозависимого резистора (LDR).
5. С помощью этого метода переключения можно контролировать компонент, называемый термистором, который измеряет температуру окружающей среды. Термистор называется резистором. Это сопротивление имеет тенденцию увеличиваться, когда измеряемая температура низкая, и наблюдается уменьшение сопротивления, когда измеряемая температура высокая.

Перейдите по этой ссылке, чтобы узнать больше о MCQ для транзисторов и MCQ для смещения транзисторов.

В практическом мире существует множество применений реле, двигателей и т. д. В каждом практическом занятии важную роль играет переключение устройств. Это может быть либо переменная подача, либо постоянная подача. В настоящее время в вопросе обеспечения комфортного и безопасного проживания при проектировании систем автоматизации или систем обнаружения пожара этот способ коммутации устройств играет главенствующую роль. Можете ли вы объяснить основную цель использования реле в схемах автоматики?

Транзистор в качестве переключателя — транзисторы с биполярным соединением

Транзисторы с биполярным соединением

Идеальный переключатель характеризуется бесконечным сопротивлением в разомкнутом состоянии, равным нулю. сопротивление, когда он закрыт, и вход, с помощью которого он может быть открыт или закрыт. Транзисторы можно использовать как переключатели. Преимущества, которые транзистор переключатели предлагают вместо механических переключателей то, что нет движущихся или быстроизнашивающиеся детали, они легко активируются от различных электрических вводов, и связанные с этим проблемы, такие как дребезг контактов и искрение, по существу устранено. Конфигурация с общим эмиттером чаще всего используется для транзисторов. переключение. Коллектор и эмиттер соответствуют переключателю контакты; ток база-эмиттер выполняет входную функцию.

Выходные характеристики типичного NPN-транзистора с общим эмиттером: показано в части А рисунка ниже. Характеристики расположены в трех регионах; отсечки, активности и насыщения. Произвольно выбранная линия нагрузки и максимально допустимая рассеиваемая мощность также показаны кривые. Области отсечки и насыщения считаются стабильные или спокойные области работы. Транзистор считается в выключенном (непроводящем) или включенном (проводящем) состоянии, когда он работает в области отсечки или насыщения соответственно. Третий регион деятельности, называется активной областью, считается неустойчивой (переходной) область, через которую проходит работа транзистора при переходе из выключенного во включенное состояние.

Выходные характеристики и схема включения.

Типичная схема включения транзистора показана в части B рисунка выше. Переключатель S ₁ управляет полярностью и величиной базового тока. от аккумулятора В _В1 или В _В2 . Резисторы R _B1 и R _B2 токоограничивающие резисторы. Каждый регион операции обсуждается ниже.

Зона отсечки

Зона отсечки включает область ниже нулевого базового тока. кривая ( I _B = 0). В идеале без начального ток базы, ток коллектора будет нулевым; потенциал коллектора будет равно напряжению батареи В _CC . Однако в точке Х на линия нагрузки (вид А на рисунке выше), небольшой ток коллектора измеряется. Это ток коллектора обратного смещения для общего эмиттера. конфигурация. Напряжение коллектора V _CE обозначается вертикальная проекция из точки X на ось напряжения коллектора. Этот значение равно разнице в величине между напряжением батареи (в данном случае 12 вольт) и падение напряжения, вызванное коллектором обратного смещения. ток через нагрузочный резистор R _L . Нормальные условия покоя для транзисторного ключа в этом области требуют, чтобы как переход эмиттер-база, так и переход коллектор-база должен иметь обратное смещение.

С выключателем S ₁ (см. вид B на рисунке выше) в Положение OFF, переход эмиттер-база смещен в обратном направлении от батареи. В _В2 через резистор R _В2 . Переход коллектор-база имеет обратное смещение от батареи В _CC через нагрузочный резистор R _L ; транзистор в выключенном состоянии (отсечное) состояние. Цепь, как переключатель, разомкнута .

Активная область

Активная линейная область является единственной областью, обеспечивающей нормальное усиление усилителя. В линейной области переход коллектор-база обратный смещен, а переход эмиттер-база смещен в прямом направлении. Переходный ответ выходной сигнал в основном определяется характеристиками транзистора в этой области. В схемах переключения эта область представляет собой переходная область.

Работа переключателя S ₁ (вид B на рисунке выше) на Положение ON устанавливает прямое смещение от батареи В _Б1 , через резистор R _B1 , на переходе эмиттер-база. Ток базы I _B и ток коллектора I _C приобретать переходный характер, перемещаясь из точки X на грузовой марке в точку Y; здесь ток коллектора достигает насыщения. Сигнал проходит через эту область быстро. В коммутационных схемах эта область имеет значение только для проектирования. соображения.

Область насыщения

В области насыщения (вид А на рисунке выше) увеличение базы ток не вызывает заметного увеличения тока коллектора I _C . В точке Y на линии нагрузки транзистор в области насыщения. Ток коллектора I _C (измеренный горизонтальной проекции из точки Y) максимально, а коллектор напряжение В _CE (измерено вертикальной проекцией из точки Y) находится на минимуме. Это значение коллекторного напряжения называется напряжение насыщения ( V _CE(SAT) ), и является важным характеристика транзистора. Обычно это доли вольта. Глубокого насыщения обычно избегают из-за его влияния на переходная характеристика транзистора.

Рабочая точка Y соответствует замкнутому выключателю. В идеале сопротивление и напряжение от коллектора к эмиттеру будет равно нулю. Для того, чтобы низкое сопротивление может быть достигнуто, необходимо, чтобы точка Y лежала ниже колена характеристические кривые (в области насыщения). Достаточный базовый ток должен быть предоставлен, чтобы убедиться, что эта точка достигнута. Это также важно что рабочие точки включения и выключения лежат в области ниже максимальное номинальное рассеивание, чтобы избежать разрушения транзистора.

При вычислении I _B , необходимого для достижения точки Y, необходимо знать текущее усиление ( ч _FE ). Зная h _FE , получаем I _Bmin , так как I _Bmin = I _C / h _FE . Вообще I _B производится в два или три раза больше, чем I _Bmin чтобы учесть вариации в ч _FE с температурой.

Никогда не следует превышать максимальное номинальное напряжение коллектора, поскольку Нагрев может произойти после выхода из строя транзистора. Индуктивные нагрузки могут генерировать опасные скачки напряжения. Это может быть избежать, подключив диод через индуктивность для поглощения переходного процесса.

Характеристики переходного процесса

Когда переключатель S ₁ (вид B на рисунке выше) работает в последовательность от ВЫКЛ. к ВКЛ., а затем обратно к ВЫКЛ., результирующий импульс входного тока I _B похож на что показано на виде А на рисунке ниже. Тогда цепь характеризуется сильносигнальная, или нелинейная, работа транзистора. В режиме большого сигнала прямоугольный входной сигнал переводит транзистор из состояния отсечки в состояние насыщения и обратно на отсечку. Искаженный выходной импульс тока I _C (вид B на рисунке ниже) возникает из-за того, что транзистор не может реагировать мгновенное изменение уровня сигнала. Ответ транзистора во время подъема и спада называется переходная характеристика схема. Характеристики выходного импульса определяются главным образом переменным током. характеристики транзистора.

Характеристики импульса тока.

Время нарастания ( t _r ), также называемое временем нарастания или время включения, это время, необходимое для увеличения переднего фронта импульса по амплитуде от 10 до 90 процентов своего максимального значения. нелинейный характеристики транзистора, внешней цепи и накопителя энергии эффекты влияют на время. Носители, движущиеся от эмиттера к коллектору подвергаются столкновению и рассеиванию и не достигают коллектора в в то же время. Перегрузка транзистора приводит к уменьшению время нарастания. Тем не менее, овердрайв обычно держится на небольшое значение, так как время выключения (время хранения плюс время спада, см. ниже), затрагивается.

Время импульса ( t _p ) или продолжительность, это длина времени, что пульс остается на максимальном или близком к нему значении. Длительность импульса измеряется от точки на переднем фронте, где амплитуда пульса достигла 90 процентов от своего максимума значение до точки на заднем фронте, где амплитуда имеет упал до 90% от максимального значения.

Когда входной ток I _B отключается, выходной ток I _C , не сразу падает до нуля, а остается практически на его максимальное значение за определенный промежуток времени, прежде чем упасть до нуля. Этот период называется временем хранения ( t _с ) или временем задержки насыщения. Время хранения связано с тем, что введенные неосновные носители находятся в базовой области. транзистора в момент отключения входного тока. Эти перевозчики требуют определенного периода времени для сбора. Длина время хранения в основном определяется степенью насыщения в который транзистор управляется и время, проведенное в насыщении. Для высокоскоростного переключения время хранения является нежелательным условием. Меньшинство хранения несущей можно избежать, переключив транзистор из его выключенного состояния в точку активной области. Зажатие коллектора предотвращает работа транзистора в области насыщения.

В время спада (время затухания) t _f импульса, амплитуда падает с 90 до 10 процентов от своего максимального значения. Время падения пульса в основном определяется теми же факторами, которые определяют его время нарастания.