Защита от кз на полевом транзисторе схема. Защита MOSFET-транзисторов от короткого замыкания и перегрузки: схемы и методы

Как защитить MOSFET-транзисторы от короткого замыкания и перегрузки по току. Какие схемы и компоненты использовать для предотвращения выхода из строя полевых транзисторов. Какие методы защиты наиболее эффективны.

Основные способы защиты MOSFET-транзисторов

При проектировании схем с использованием MOSFET-транзисторов важно обеспечить их надежную защиту от возможных аварийных режимов работы. Рассмотрим основные методы защиты:

  • Ограничение тока с помощью резисторов
  • Использование самовосстанавливающихся предохранителей
  • Защитные диоды
  • Схемы контроля напряжения на транзисторе
  • Температурная защита

Правильное применение этих методов позволит значительно повысить надежность и долговечность схем на MOSFET-транзисторах.

Защита затвора MOSFET-транзистора

Затвор MOSFET-транзистора особенно чувствителен к перенапряжениям, поэтому его защита крайне важна. Основные способы защиты затвора:

  • Резистор между выводом ШИМ и затвором (обычно 33-100 Ом)
  • Подтягивающий резистор между затвором и истоком (1-10 кОм)
  • Стабилитрон параллельно затвору и истоку
  • Ограничительные диоды

Резистор в цепи затвора ограничивает ток заряда емкости затвора и защищает от высокочастотных помех. Подтягивающий резистор гарантирует выключенное состояние транзистора при отсутствии сигнала управления.


Защита от короткого замыкания в нагрузке

Короткое замыкание в нагрузке может вывести MOSFET из строя из-за превышения допустимого тока. Для защиты применяются следующие методы:

  • Ограничение тока с помощью резистора в силовой цепи
  • Самовосстанавливающийся предохранитель (PTC)
  • Схема контроля тока с быстрым отключением транзистора
  • Датчик тока (шунт) с компаратором

Наиболее эффективна комбинация быстродействующей электронной защиты и самовосстанавливающегося предохранителя для полной защиты транзистора.

Защита от перенапряжений и всплесков напряжения

MOSFET-транзисторы чувствительны к превышению максимально допустимого напряжения сток-исток. Для защиты от перенапряжений применяются:

  • Защитные TVS-диоды
  • Варисторы
  • RC-снабберы
  • Супрессоры

Выбор компонентов зависит от амплитуды и длительности возможных всплесков напряжения в конкретной схеме. Важно обеспечить быстродействие защиты.

Температурная защита MOSFET-транзисторов

Перегрев является одной из наиболее частых причин выхода MOSFET из строя. Для температурной защиты используются:


  • Термисторы для контроля температуры корпуса
  • Термопредохранители
  • Схемы с термодатчиками для отключения при перегреве
  • Правильный теплоотвод и охлаждение

Температурная защита особенно важна в мощных схемах с высокими рабочими токами через транзистор.

Защита от индуктивных выбросов

При коммутации индуктивной нагрузки возникают выбросы напряжения, способные повредить MOSFET. Методы защиты:

  • Обратный диод параллельно нагрузке
  • Снабберные RC-цепочки
  • Варисторы параллельно транзистору
  • Защитные стабилитроны

Правильно подобранная защита от выбросов позволяет безопасно коммутировать даже мощные индуктивные нагрузки.

Схема защиты MOSFET с контролем тока

Рассмотрим пример схемы защиты MOSFET-транзистора от перегрузки по току:

«`
G D S Rshunt Компаратор К затвору «`

В данной схеме ток через MOSFET-транзистор измеряется с помощью шунтирующего резистора Rshunt. Падение напряжения на этом резисторе пропорционально току. Компаратор сравнивает это напряжение с опорным. При превышении заданного порога компаратор вырабатывает сигнал, который быстро закрывает транзистор через цепь управления затвором.


Комплексный подход к защите MOSFET

Для надежной защиты MOSFET-транзисторов рекомендуется применять комплексный подход, сочетающий несколько методов:

  1. Защита затвора от перенапряжений
  2. Ограничение тока через транзистор
  3. Защита от коротких замыканий в нагрузке
  4. Температурный контроль
  5. Защита от перенапряжений сток-исток

Такой многоуровневый подход обеспечивает максимальную надежность и долговечность схем на MOSFET-транзисторах даже в сложных условиях эксплуатации.

Выбор компонентов для защиты MOSFET

При выборе элементов защиты следует учитывать следующие факторы:

  • Максимальное рабочее напряжение и ток транзистора
  • Быстродействие защиты
  • Допустимые потери мощности на элементах защиты
  • Стоимость компонентов
  • Надежность и срок службы элементов защиты

Правильно подобранные компоненты обеспечат эффективную защиту без значительного ухудшения характеристик схемы.


Все своими руками Защита от короткого замыкания

Современные мощные переключательные транзисторы имеют очень маленькие сопротивления сток-исток в открытом состоянии, это обеспечивает малое падение напряжения при прохождении через эту структуру больших токов. Это обстоятельство позволяет использовать такие транзисторы в электронных предохранителях.

Например, транзистор IRL2505 имеет сопротивление сток-исток, при напряжении исток-затвор 10В, всего 0,008 Ом. При токе 10А на кристалле такого транзистора будет выделяться мощность P=I² •R; P = 10 • 10 • 0,008 = 0,8Вт. Это говорит о том, что при данном токе транзистор можно устанавливать без применения радиатора. Хотя я всегда стараюсь ставить хотя бы небольшие теплоотводы. Это во многих случаях позволяет защитить транзистор от теплового пробоя при внештатных ситуациях. Этот транзистор применен в схеме защиты описанной в статье «Защита для зарядных устройств автоаккумуляторов». При необходимости можно применить радиоэлементы для поверхностного монтажа и сделать устройство виде небольшого модуля.

Схема устройства представлена на рисунке 1. Она рассчитывалась на ток до 4А.

Схема электронного предохранителя

В данной схеме в качестве ключа использован полевой транзистор с р каналом IRF4905, имеющий сопротивление в открытом состоянии 0,02 Ом, при напряжении на затворе = 10В.

В принципе этой величиной ограничивается и минимальное напряжение питания данной схемы. При токе стока, равном 10А, на нем будет выделяться мощность 2 Вт, что повлечет за собой необходимость установки небольшого теплоотвода. Максимальное напряжение затвор-исток у этого транзистора равно 20В, поэтому для предотвращения пробоя структуры затвор-исток, в схему введен стабилитрон VD1, в качестве которого можно применить любой стабилитрон с напряжение стабилизации 12 вольт. Если напряжение на входе схемы будет менее 20В, то стабилитрон из схемы можно удалить. В случае установки стабилитрона, возможно, потребуется коррекция величины резистора R8. R8 = (Uпит — Uст)/Iст; Где Uпит – напряжение на входе схемы, Uст – напряжение стабилизации стабилитрона, Iст – ток стабилитрона.

Например, Uпит = 35В, Uст = 12В, Iст = 0,005А. R8 = (35-12)/0,005 = 4600 Ом.

Преобразователь ток — напряжения

В качестве датчика тока в схеме применен резистор R2, чтобы уменьшить мощность, выделяющуюся на этом резисторе, его номинал выбран всего в одну сотую Ома. При использовании SMD элементов его можно составить из 10 резисторов по 0,1 Ом типоразмера 1206, имеющих мощность 0,25Вт. Применение датчика тока с таким малым сопротивление повлекло за собой применение усилителя сигнала с этого датчика. В качестве усилителя применен ОУ DA1.1 микросхемы LM358N.

Коэффициент усиления этого усилителя равен (R3 + R4)/R1 = 100. Таким образом, с датчиком тока, имеющим сопротивление 0,01 Ом, коэффициент преобразования данного преобразователя ток – напряжения равен единице, т.е. одному амперу тока нагрузки равно напряжение величиной 1В на выходе 7 DA1.1. Корректировать Кус можно резистором R3. При указанных номиналах резисторов R5 и R6, максимальный ток защиты можно установить в пределах… . Сейчас посчитаем. R5 + R6 = 1 + 10 = 11кОм. Найдем ток, протекающий через этот делитель: I = U/R = 5А/11000Ом = 0,00045А. Отсюда, максимальное напряжение, которое можно выставить на выводе 2 DA1, будет равно U = I x R = 0,00045А x 10000Ом = 4,5 B. Таким образом, максимальный ток защиты будет равен примерно 4,5А.

Компаратор напряжения

На втором ОУ, входящем в состав данной МС, собран компаратор напряжения. На инвертирующий вход этого компаратора подано регулируемое резистором R6 опорное напряжение со стабилизатора DA2. На неинвертирующий вход 3 DA1.2 подается усиленное напряжение с датчика тока. Нагрузкой компаратора служит последовательная цепь, светодиод оптрона и гасящий регулировочный резистор R7. Резистором R7 выставляют ток, проходящий через эту цепь, порядка 15 мА.

Работа схемы

Работает схема следующим образом. Например, при токе нагрузки в 3А, на датчике тока выделится напряжение 0,01 х 3 = 0,03В. На выходе усилителя DA1. 1 будет напряжение, равное 0,03В х 100 = 3В. Если в данном случае на входе 2 DA1.2 присутствует опорное напряжение выставленное резистором R6, меньше трех вольт, то на выходе компаратора 1 появится напряжение близкое к напряжению питания ОУ, т.е. пять вольт. В результате засветятся светодиод оптрона. Откроется тиристор оптрона и зашунтирует затвор полевого транзистора с его истоком. Транзистор закроется и отключит нагрузку. Вернуть схему в исходное состояние можно кнопкой SB1 или выключением и повторным включением БП.

Недостатком схемы является однополярное питание операционного усилителя, в связи с этим при малых значениях падения напряжения на датчике тока, возникает большая нелинейность коэффициента усиления ОУ DA1.1.

Скачать статью
Электронный-предохранитель-на-MOSFET-транзисторе (1987 Загрузок)

Просмотров:14 796


Метки: Защита РА, Защита радиоаппаратуры

Каталог радиолюбительских схем. Защита блока питания от КЗ .

Каталог радиолюбительских схем. Защита блока питания от КЗ .

Защита блока питания от КЗ.

Для питания собираемых конструкций радиолюбители нередко используют простейшие блоки, состоящие из понижающего трансформатора и выпрямителя с конденсатором фильтра. И, конечно, в таких блоках нет никакой защиты от короткого замыкания (КЗ) в нагрузке, хотя оно подчас приводит к выходу из строя выпрямителя и даже трансформатора. Применять в таких блоках питания в качестве элемента защиты плавкий предохранитель не всегда удобно, да и, кроме того, быстродействие у него невысокое. Один из вариантов решения проблемы защиты от КЗ — включение последовательно с нагрузкой полевого транзистора средней мощности с встроенным каналом. Дело в том, что на вольт-амперной характеристике такого транзистора есть участок, на котором ток стока не зависит от напряжения между стоком и истоком. Поэтому на этом участке транзистор работает как стабилизатор (ограничитель) тока.


Рис. 1

Схема подключения транзистора к блоку питания приведена на рис.1, а вольт-амперные характеристики транзистора для различных сопротивлений резистора R1 — на рис.2. Работает защита так. Если сопротивление резистора равно нулю (т. е. исток соединен с затвором), а нагрузка потребляет ток около 0,25 А, то падение напряжения на полевом транзисторе не превышает 1,5 В, и практически на нагрузке будет все выпрямленное напряжение. При появлении же в цепи нагрузки КЗ ток через выпрямитель резко возрастает и при отсутствии транзистора может достичь нескольких ампер. Транзистор ограничивает ток короткого замыкания на уровне 0,45…0,5 А независимо от падения напряжения на нем. В этом случае выходное напряжение станет равным нулю, а все напряжение упадет на полевом транзисторе. Таким образом, в случае КЗ мощность, потребляемая от источника питания, увеличится в данном примере не более чем вдвое, что в большинстве случаев вполне допустимо и не отразится на «здоровье» деталей блока питания.


Рис. 2

Уменьшить ток короткого замыкания можно увеличением сопротивления резистора R1. Нужно выбирать такой резистор, чтобы ток короткого замыкания был примерно вдвое больше максимального тока нагрузки. Подобный способ защиты особенно удобен для блоков питания со сглаживающим RC-фильтром — тогда полевой транзистор включают вместо резистора фильтра (такой пример показан на рис. 3). Поскольку во время КЗ на полевом транзисторе падает почти все выпрямленное напряжение, его можно использовать для световой или звуковой сигнализации. Вот, к примеру, схема включения световой сигнализации — рис.7. Когда с нагрузкой все в порядке, горит светодиод HL2 зеленого цвета. При этом падения напряжения на транзисторе недостаточно для зажигания светодиода HL1. Но стоит появиться КЗ в нагрузке, как светодиод HL2 гаснет, но зато вспыхивает HL1 красного свечения.


Рис. 3

Резистор R2 выбирают в зависимости от нужного ограничения тока КЗ по высказанным выше рекомендациям. Схема подключения звукового сигнализатора приведена на рис. 4. Его можно подключать либо между стоком и истоком транзистора, либо между стоком и затвором, как светодиод HL1. При появлении на сигнализаторе достаточного напряжения вступает в действие генератор ЗЧ, выполненный на однопереходном транзисторе VT2, и в головном телефоне BF1 раздается звук. Однопереходный транзистор может быть КТ117А- КТ117Г, телефон — низкоомный (можно заменить динамической головкой небольшой мощности).


Рис. 4

Остается добавить, что для слаботочных нагрузок в блок питания можно ввести ограничитель тока КЗ на полевом транзисторе КП302В. При выборе транзистора для других блоков следует учитывать его допустимую мощность и напряжение сток — исток. Конечно, подобную автоматику можно ввести и в стабилизированный блок питания, не имеющий защиты от КЗ в нагрузке.

И. НЕЧАЕВ, г. Курск, Радио №7, 1989 г.

Источник материала



Содержание
© Каталог радиолюбительских схем
Все права защищены.
Радиолюбительская страница.
Перепечатка разрешается только с указанием ссылки на данный сайт.
Пишите нам. E-mail: [email protected] или [email protected].
Я радиолюбитель


Защита

— Защитите N-MOSFET от короткого замыкания и перегрузки

Прежде всего, для защиты микроконтроллера рекомендуется использовать резистор 33 Ом между выводом ШИМ и затвором MOSFET или транзистора.

Хотя вывод ШИМ должен иметь значение HIGH или LOW , могут быть ситуации, когда ваш вывод Gate не может иметь никаких входных данных, например, когда MCU выключен. Поэтому также рекомендуется использовать подтягивающий резистор между GND и штифт Gate. Это гарантирует, что ваш MOSFET останется выключенным, если MCU не подключен или выключен. Я бы сказал, что 10 кОм или даже 1 кОм будет достаточно, это зависит от уровня шума и потребляемой мощности. Используйте сопротивление 1 кОм в средах с высоким уровнем шума.

Ради защиты вашего МОП-транзистора, если ваша токовая нагрузка не выше, чем потребляемый ток МОП-транзистора или Icc транзистора, вам не нужно беспокоиться об этом, если вы используете его только для управления светодиодами или даже лампами. Большинство полевых МОП-транзисторов могут пропускать до 3 ампер тока, в то время как обычные транзисторы не так много. Используйте измеритель тока, чтобы проверить, сколько тока потребляет ваше устройство на самом высоком уровне (например, когда все его части включены на самом высоком уровне и скорости).

Тем не менее, вам также следует подумать о дополнительной защите, если в вашем устройстве есть какая-либо электромагнитная катушка внутри, например, соленоиды, двигатели и реле.
Это связано с тем, что катушки генерируют всплеск обратного напряжения при отключении питания, что может привести к повреждению полевого МОП-транзистора или транзистора. Это побочный эффект, называемый индуктивностью.
Для предотвращения этого обычно используется диод, известный как обратноходовой диод или диод обратного хода. Обычно это обычный диод, который подключается с обратным смещением в цепь рядом с потребительским устройством, что позволяет зацикливать обратный ток внутри диода и устройства, тем самым позволяя отводить ток. В Википедии есть хорошая статья об этом.

Что касается вашего случая, вы планируете использовать двигатель с катушкой внутри, поэтому постарайтесь поставить диод рядом с двигателем и вдали от полевого МОП-транзистора (если возможно), чтобы отвести нежелательный обратный ток.
Если вы не можете поставить его на потребительское устройство, по крайней мере, используйте его на своей печатной плате вместе с MOSFET, это лучше, чем ничего.
Я бы сказал, что здесь может быть достаточно 1N4007, просто не забудьте поместить его в схему в обратном порядке ( Анод подключается к Drain контакту MOSFET и Катод идет на VIN вашего устройства. В отличие от резисторов, диоды должны использоваться в правильном направлении.)

Пожалуйста, убедитесь, что вы подаете достаточный ток в вашу цепь. Также рекомендуется использовать конденсатор на 220 мкФ для регулировки входа 5V вашего ATTiny.

Что касается защиты от коротких замыканий, вы можете:
а) ограничить ток с помощью резистора
б) использовать самовосстанавливающийся предохранитель.

Очевидно, что ограничивать ток здесь было бы глупой идеей, поэтому вы можете использовать самовосстанавливающийся предохранитель, чтобы предотвратить протекание слишком большого тока в цепь. Сбрасываемый предохранитель (или PTC) — это устройство, которое блокирует протекание слишком большого тока, пока вы не отключите нагрузку и не разорвете цепь; В этом случае при коротком замыкании цепь будет протекать через нее весь ток!
Обсуждение PTC выходит за рамки ответов на ваши вопросы, поэтому попробуйте поискать их в Google.

Удачи, играя с электроникой.
Надеюсь, я помог вам!

Защита от перегрузки по току / короткого замыкания для переключателя переменного тока на полевых транзисторах

спросил

Изменено 2 года, 8 месяцев назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь придумать способ защиты от перегрузки по току для следующей цепи: Моей первой мыслью здесь было отследить увеличение падения напряжения на одном из мосфетов (M1) и через стабилитрон (D5) (устанавливающий уровень отсечки) активировать транзистор, который разряжает затвор. Стабилитрон на 1,8 В и в сочетании с падением напряжения на 1 D4, я думал, что он отключится при 2,8 В, что будет 3-4 А для irf740. Но это ничего не отключает… какие мысли о том, как эту функцию можно реализовать в этой схеме?

  • МОП-транзистор
  • защита цепи

\$\конечная группа\$

5

\$\начало группы\$

После долгих размышлений об этой схеме.

Сначала сосредоточьтесь на динамическом времени переключения двух IRF740. Их время включения/выключения менее 50 нсек. Режимы эксплуатационных отказов большинства импульсных источников питания переменного тока — кратковременные повреждения.

При этом не подключайте управление воротами напрямую к соединениям переменного тока. Постоянная времени вашей схемы ограничения тока слишком медленная. Вернитесь назад и подумайте о простой сети с текущим запаздыванием LC.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *