Усилители на биполярных транзисторах: Усилители на биполярных транзисторах — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Усилители на биполярных транзисторах

5.5. Усилители на биполярных транзисторах

В усилителях на биполярных транзисторах используется три схемы подключения транзистора: с общей базой (рис. 5.6; 5.9), с общим эмиттером (рис. 5.7; 5.10), с общим коллектором (рис. 5.8; 5.11).

На рисунках 5.6-5.8 показаны схемы включения транзисторов с питанием входных и выходных цепей от отдельных источников питания, а на рисунках 5.9-5.11 – с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

Усилители в схеме включения транзистора с общей базой характеризуются усилением по напряжению, отсутствием усиления по току, малым входным сопротивлением и большим выходным сопротивлением.

Усилители в схеме включения транзистора с общим коллектором характеризуются усилением по току, отсутствием усиления по напряжению, большим входным сопротивлением и малым выходным сопротивлением.

Наибольшее распространение получила схема включения с общим эмиттером. В схеме включения транзистора с общим эмиттером усилитель обеспечивает усиление по напряжению, по току, по мощности. Такой усилитель имеет средние значения входного и выходного сопротивления по сравнению со схемами включения с общей базой и общим коллектором.

Сравнительные характеристики усилителей приведены в таблице:

Параметр	Схема ОЭ	Схема ОБ	Схема ОК
коэффициент усиления по току	Десятки-сотни	Немного меньше единицы	Десятки-сотни
коэффициент усиления по напряжению	Десятки-сотни	Десятки-сотни	Немного меньше единицы
коэффициент усиления по мощности	Сотни- десятки тысяч	Десятки-сотни	Десятки-сотни
Входное сопротивление	Сотни ом – единицы килоом	Единицы- десятки ом	Десятки – сотни килоом
Выходное сопротивление	Единицы – десятки килоом	Сотни килоом – единицы мегаом	Сотни ом – единицы килоом

Параметры транзистора в значительной степени зависят от температуры.

Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению рабочего режима транзистора в простой схеме усилителя при включении транзистора с общим эмиттером (рис. 5.2 б). Такая простая схема усилителя используется очень редко. Для стабилизации режима работы транзистора при изменении температуры используют схемы коллекторной (рис. 5.12, 5.13) и эмиттерной (рис. 5.14, 5.15) стабилизации режима работы транзистора.

Коллекторная температурная стабилизация режима работы транзистора по схеме рисунка 5.12 используется редко, так как кроме температурной стабилизации происходит уменьшение коэффициента усиления за счет отрицательной обратной связи по переменному току. Устранить отрицательную обратную связь по переменному току позволяет конденсатор С1 в схеме, приведенной на рисунке 5.13. Такая стабилизация используется, например, в антенных усилителях для телевизионного приема.

Как в промышленных, так и в радиолюбительских конструкциях широко применяется эмиттерная температурная стабилизация режима работы транзистора. На рисунках 5.14 и 5.15 приведены схемы однокаскадных усилителей на биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p типов с эмиттерной температурной стабилизацией режима работы транзистора.

Проследим цепи, по которым протекают постоянные токи в усилителе по схеме рисунка 5.14. Постоянный ток делителя напряжения протекает по цепи: плюс источника питания, резисторы R1, R2, минус источника питания. Постоянный ток базы транзистора VT1 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R1, переход база-эмиттер транзистора VT1, резистор R_э, минус источника питания. Постоянный ток коллектора транзистора VT1 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R

К, выводы коллектор-эмиттер транзистора, резистор R_э, минус источника питания. Биполярный транзистор в составе усилителя работает в режиме, когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор — в обратном.

Поэтому постоянное напряжение на резисторе R2 будет равно сумме напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT1 и напряжения на резисторе R_э: U_R₂=U_бэ+U_R_э. Отсюда следует, что постоянное напряжение на переходе база-эмиттер будет равно U_бэ= U_R₂— U_R_э.

Пусть температура окружающей среды увеличивается. В результате этого увеличиваются постоянные токи базы, коллектора и эмиттера, т.е. изменяется рабочая точка транзистора. Ток делителя напряжения на резисторах R1, R2 выбирают значительно больше тока базы транзистора. Поэтому напряжение на резисторе R2 при изменении температуры остается практически неизменным (сопротивление резистора от температуры не зависит), а напряжение на резисторе R

э с увеличением температуры увеличивается за счет увеличения тока эмиттера при неизменном сопротивлении резистора в цепи эмиттера.

В результате этого напряжение база-эмиттер уменьшится, что приведет к уменьшению тока базы, а, следовательно, и силы тока коллектора. Таким образом, рабочая точка транзистора будет стремиться к исходному состоянию. Наличие резистора в цепи эмиттера приводит к появлению отрицательной обратной связи как по постоянному, так и по переменному токам. Для устранения отрицательной обратной связи по переменному току параллельно резистору R_э подключают конденсатор. Емкость конденсатора С_э выбирают так, чтобы его сопротивление переменному току на самой низкой частоте усиливаемого сигнала было значительно (примерно в десять раз) меньше сопротивления резистора в цепи эмиттера.

В усилителях низкой частоты на биполярных транзисторах применяются разделительные конденсаторы большой емкости. Это, как правило, электролитические конденсаторы, при подключении которых в электрическую цепь необходимо соблюдать полярность. Если источник усиливаемого сигнала не имеет постоянной составляющей и к выходу усилителя подключается нагрузка, не имеющая постоянного напряжения на своих зажимах, то полярность конденсаторов при использовании транзисторов n-р-n типа должна быть такой, как показано на рисунке 5. 14, а для транзистора р-n-р типа — на рисунке 5.15 (изменяется полярность включения источника питания и полярность подключения конденсаторов). Емкость разделительного конденсатора (конденсатор на выходе усилительного каскада) выбирают такой, чтобы его сопротивление было много меньше входного сопротивления следующего усилительного каскада, или много меньше сопротивления нагрузки на самой низкой частоте усиливаемого сигнала.

В последнее время широко применяются двухкаскадные усилители с непосредственной связью между транзисторами (рис. 5.16). Такие усилители применяются в качестве входных усилителей низкой частоты, в качестве антенных усилителей телевизионного сигнала и др. В этих усилителях обеспечивается температурная стабилизация режима обоих транзисторов. Рассмотрим цепи, по которым протекают постоянные токи. Постоянный ток базы транзистора VT1 протекает по следующим цепям: плюс источника питания, резистор R1, переход база-эмиттер транзистора VT2, резистор R2, переход база-эмиттер транзистора VT1, общий провод, минус источника питания; плюс источника питания, резистор R_к, выводы коллектор-эмиттер транзистора VT2, резистор R2,

переход база-эмиттер транзистора VT1, общий провод, минус источника питания. Постоянный ток базы транзистора VT2 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R1, переход база-эмиттер транзистора VT2, резистор R_э, общий провод, минус источника питания. Постоянный ток коллектора транзистора VT1 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R1, выводы коллектор-эмиттер транзистора VT1, общий провод, минус источника питания. Постоянный ток коллектора транзистора VT2 протекает по цепи: плюс источника питания, резистор R_к, выводы коллектор-эмиттер транзистора VT2, резистор R_э, общий провод, минус источника питания.

При увеличении температуры увеличивается ток базы первого транзистора. Это приведет к увеличению тока коллектора этого транзистора и уменьшению напряжения между коллектором первого транзистора и общим проводом. В результате уменьшится ток базы второго транзистора, что приведет к уменьшению тока коллектора второго транзистора. Напряжение на резисторе Rэ уменьшится, и ток базы первого транзистора будет стремиться к своему первоначальному значению.

Входные цепи чувствительного усилителя низкой частоты обязательно выполняются экранированным проводом, причем экран соединяется с корпусом усилителя в одной точке. От выбора этой точки зависит уровень мешающих напряжений.

Усилитель напряжения на биполярном транзисторе

Рис. 1. Использование транзистора в усилителе напряжения: (а) простейшая схема, (б) схема со смешением.

Сигналами в электронных схемах обычно являются постоянные или переменные напряжения. Такие устройства, как например микрофон, создают переменное напряжение, которое должно быть усилено прежде, чем им можно будет воспользоваться. Некоторые источники сигналов, такие как фототранзистор и некоторые детекторы, могут быть источниками тока, который, как правило, еще до усиления преобразуется в напряжение.

Поэтому наиболее важны усилители напряжения и, несмотря на то, что биполярный транзистор работает как устройство, усиливающее ток, основное применение он находит в усилителях напряжения. Рассмотрим основные принципы работы усилителя напряжения на биполярном транзисторе.

Резистор нагрузки

На рис. 1.(a) показан очень простой усилитель напряжения; выходное напряжение V_out возникает на выходе в результате протекания коллекторного тока по резистору нагрузки R_L. Этот пример иллюстрирует одно из наиболее важных применений резисторов в электронных цепях: преобразование тока в напряжение. Входное напряжение V_in, приложенное к переходу база-эмиттер, приводит к увеличению тока базы, зависящего от сопротивления перехода база-эмиттер. Ток базы вызывает намного больший ток коллектора I_c, создающий падение напряжения I_cR_L на резисторе R_L. Эта разность потенциалов пропорциональна V_in, но намного больше по величине.

Важной деталью таких схем является земляная шина, называемая также землей, «нулем вольт» (0 В) или общей шиной и обозначаемая символом, показанным на рисунке. Земляная шина является общей для входного сигнала, выходного сигнала и источника постоянного напряжения, и обычно является точкой, относительно которой отсчитываются все напряжения в схеме.

Рабочая точка и смещение транзистора в схеме усилителя напряжения

Схема, приведенная на рис. 1.(a), как можно догадаться, является сильно упрощенной схемой усилителя напряжения. Она будет давать отклик только на положительное входное напряжение и, кроме того, только на напряжение, большее чем 0,5 В; последнее значение является той э.д.с., которая необходима для смещения перехода база-эмиттер в прямом направлении. Ясно, что если схема предназначена для усиления малых сигналов без искажения, переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлении даже в отсутствие сигнала. Обычно напряжение переменного сигнала принимает как положительное, так и отрицательное значение, так что выходное напряжение на коллекторе должно иметь возможность двигаться вверх к напряжению источника питания (при отрицательном входном напряжении) и вниз к потенциалу земляной шины (при положительном входном напряжении). Из этого следует, что при равном нулю входном сигнале (это состояние обычно называется режимом покоя) в транзисторе должен протекать такой ток коллектора, чтобы напряжение на коллекторе находилось посредине между землей и напряжением источника питания, готовое изменяться в любом направлении в соответствии с полярностью входного сигнала.

На рис. 1.(б) показана схема, в которой достигается требуемый результат. Маломощный кремниевый транзистор, такой как ВС 107, будет очень хорошо работать с коллекторным током в режиме покоя 1 мА. В этом случае при правильном выборе рабочей (начальной) точки требуется, чтобы напряжение на коллекторе находилось посредине между 0 В и +9 В, то есть на резисторе R_L должно падать 4,5 В. Таким образом, согласно закону Ома, R_L = 4,5 В / 1 мА = 4500 Ом. Ближайшее номинальное значение R_L равно 4,7 кОм. Для рассматриваемой схемы имеем:

V_CE=V_cc-I_cR_L=V_cc-h_FEI_BR_L

где Vcc — напряжение питания.

Если мы примем для транзистора ВС 107 коэффициент усиления постоянного тока h_FE равным 200, то для тока коллектора 1 мА требуется ток базы I_B = 1/200 мА = 5 мкА. Сопротивление базового резистора R_B, задающего ток базы, снова находится согласно закону Ома:

R_B=V_cc/I_B=9/(5×10^-6)=1,8МОм

Напряжением база-эмиттер V_BE (приблизительно равным 0,6 В) здесь пренебрегаем по сравнению с намного большим напряжением питания V_cc.

Разделительные конденсаторы С1 и С2 используются для изоляции внешних цепей от постоянных напряжений, имеющихся на базе и коллекторе в режиме покоя. Свойство конденсатора не пропускать постоянное напряжение и в то же время пропускать переменное очень ценно в электронике; оно является результатом стремления конденсатора сохранять свой заряд и поэтому разность потенциалов на его обкладках остается постоянной. Следовательно, увеличение потенциала на одной обкладке вызывает соответствующее увеличение потенциала на другой. Поданный на одну из обкладок, переменный сигнал изменяет ее потенциал много раз в секунду и, таким образом, передается с одной обкладки на другую. В то же время постоянное напряжение дает возможность конденсатору накопить заряд, соответствующий новой разности потенциалов на его обкладках, и поэтому оно не передается. Время, необходимое для установления новой разности потенциалов, зависит от постоянной времени цепи, которая должна быть больше периода передаваемого переменного напряжения самой низкой частоты. Более подробно этот вопрос обсуждается в главе 8. В рассматриваемом простом усилителе напряжения постоянные времени цепей с разделительными конденсаторами емкостью 10 мкФ обеспечивают передачу переменного напряжения без ослабления вплоть до 10 Гц.

Знак плюс на рисунке у одной из обкладок конденсатора является указанием, как подключать электролитические конденсаторы, у которых изолирующий диэлектрический слой представляет собой чрезвычайно тонкую пленку окиси алюминия, полученную электролитическим осаждением. Такие конденсаторы имеют большие емкости при малых размерах и низкой цене, но должны включаться в схему с учетом полярности, за исключением конденсаторов специального типа — неполярных конденсаторов.

Стабилизация рабочей точки транзистора

Серьезный недостаток схемы на рис. 1.(б) состоит в том, что напряжение коллектора в режиме покоя целиком зависит от величины h_FE транзистора, в то время как численные значения этого параметра имеют большой разброс у различных экземпляров транзисторов одного типа. Например, при типичном значении h_FE для транзистора ВС 107, равном 200, изготовители указывают, что оно может изменяться в пределах от 90 до 450. Изменение h_FE сдвигает рабочую точку по постоянному току. Например, если коэффициент h_FE равен 100 вместо 200, то при этом потечет ток коллектора, равный 0,5 мА, а не 1 мА, и падение напряжения на R_L составит только 2,35 В вместо 4,7 В. Увеличение напряжения на коллекторе в режиме покоя означает, что выходное напряжение в схеме может изменяться в сторону увеличения только на 2 В, а не на 4 В (возможно изменение выходного напряжения в сторону уменьшения до 6 В, но от этого мало пользы, когда положительные приращения ограничены).

Последствия использования транзистора с h_FE = 400 еще более серьезны. В этом случае ток коллектора удвоится до 2 мА. Простое вычисление показывает, что все 9 В питания будут падать на резисторе R_L. Говорят, что транзистор находится в насыщении. Практически между коллектором и эмиттером остается небольшое напряжение порядка 0,2 В. Любое дальнейшее увеличение тока базы почти ни к чему не приводит; действительно, падение напряжения на R_L не может превышать V_cc Поскольку при насыщении транзистора потенциал коллектора фактически равен потенциалу земли, схема теперь не пригодна для линейного усиления: невозможны изменения выходного напряжения в сторону уменьшения.

Возвращаясь к линейному усилителю на рис. 1.(б), можно сказать, что необходимо некоторое усовершенствование схемы, чтобы повысить ее устойчивость к изменениям h_FE. Даже если бы у нас была возможность отбирать транзисторы с h_FE = 200, а это очень дорого при массовом выпуске схем, h_FE увеличивается с ростом температуры, так что схема все равно не была бы надежной. На рис. 2. показано очень простое, но эффективное улучшение. Вместо того, чтобы подключать резистор R_B непосредственно к V_cc, мы, уменьшив сопротивление вдвое, подключим его к коллектору (V_CE≈V_cc/2). Теперь, благодаря этому, ток базы в режиме покоя зависит от коллекторного напряжения в режиме покоя. Даже при увеличении h_FE транзистор не может попасть в насыщение: если коллекторное напряжение падает, то также падает ток базы, «придерживая» коллекторный ток. И наоборот, если h_FE уменьшается, коллекторное напряжение в режиме покоя возрастает, увеличивая ток I_B.

Ток базы определяется теперь соотношением

I_B=V_CE/R_B

и, как и прежде,

V_CE=V_cc-h_FEI_BR_L

Объединяя эти равенства, получим

V_CE=V_cc/(1+h_FER_L/R_B)

Если R_L и R_B имеют значения, указанные на рис. 2, и h_FE = 100, то V_CE≈6 В; если h_FE = 400, то V_CE≈3 В. Хотя здесь все еще положение рабочей точки меняется, это не существенно, пока для получения больших сигналов не требуется иметь возможно большие пределы изменения выходного напряжения. Схема, приведенная на рис. 2., будет работать при изменении параметров транзисторов в очень широком диапазоне и является полезным усилителем напряжения общего назначения. Принцип построения схемы с автокомпенсацией изменений h_FE является просто примером отрицательной обратной связи, которая представляет собой одно из самых важных понятий в электронике.

Усилитель напряжения на транзисторе со стабилизацией рабочей точки

Рис. 2. Усилитель напряжения со стабилизацией рабочей точки.

Для некоторых применений даже относительно небольшие изменения положения рабочей точки, имеющиеся в схеме на рис. 2, недопустимы. Если режим по постоянному току должен практически не зависеть от h_FE можно использовать схему стабилизированного усилителя, показанную на рис. 3. Первым характерным признаком этой схемы является наличие резистора R3 в цепи эмиттера, а это означает, что потенциал эмиттера больше не равняется потенциалу земли, а немного выше его и равен I_ER₃ где I_E — ток эмиттера. Второе отличие состоит в том, что вместо единственного резистора для задания базового тока определенной величины применен делитель напряжения R1 R2 фиксирующий потенциал базы относительно земли. Ток делителя напряжения на порядок выше тока базы, так что последний слабо влияет на потенциал базы. Так как переход база — эмиттер смещен в прямом направлении, на нем падает небольшое напряжение (у кремниевого транзистора приблизительно 0,6 В), так что потенциал эмиттера ниже потенциала базы на 0,6 В.

Итак, если V_B — потенциал базы относительно земли, а V_E — потенциал эмиттера относительно земли, то

V_E = V_B — 0,6.

Но V_E=I_ER₃

поэтому I_E=(V_B-0,6)/R₃

Рис. 3. Стабилизированный усилитель с эмиттерным резистором.

Следовательно, ток эмиттера I_E определяется выбором величин V_B и R₃. При сопротивлениях резисторов R1 и R2, указанных на рис. 3., потенциал базы зафиксирован на уровне 1,6 В; поэтому потенциал эмиттера равен приблизительно 1,0 В, обеспечивая требуемый ток эмиттера 1 мА при сопротивлении эмиттерного резистора 1 кОм.

Поскольку

I_E=I_C+I_B и I_B << I_C

имеем:

I_E≈I_C

Следовательно, ток коллектора также примерно равен 1 мА.

Интересно отметить, что в приведенном расчете схемы отсутствует коэффициент h_FE транзистора. Фактически единственным параметром транзистора, имеющим какое-либо значение в этой схеме, является напряжение V_BE которое принято равным 0,6 В и изменяется очень мало (<0,1 В) от одного транзистора к другому. При расчете стабилизированной схемы падение напряжения на эмиттерном резисторе должно быть больше возможных изменений напряжения V_BE но не настолько большим, чтобы заметно уменьшить амплитуду выходного сигнала (напряжение на коллекторе теперь может изменяться только между V_CC и V_E а не между V_CC и потенциалом земли). Обычно подходящим является напряжение 1 В. Конденсатор большой емкости С3 шунтирует эмиттерный резистор для того, чтобы на эмиттере не появлялось переменное напряжение. Без С3 усиление напряжения очень сильно упадет из-за отрицательной обратной связи, поскольку переменное напряжение на резисторе R3 вычитается из входного сигнала.

Удобный способ измерения коэффициента усиления состоит в том, что на вход усилителя подается сигнал от генератора синусоидальных сигналов, а затем с помощью осциллографа измеряется выходной сигнал V_out и сравнивается с входным сигналом V_in.

Коэффициент усиления напряжения равен

A_v=V_out/V_in

Для схем, рассмотренных в этой статье, коэффициент усиления напряжения имеет величину порядка 150 — 200. Теоретический расчет коэффициента усиления на Времонт.su рассмотрим позже.

2.2. Усилители на биполярных транзисторах

Эквивалентный коэффициент βе , который учитывает шунтирующее влияние Cк* генератора тока на высоких частотах, можно представить в следующем виде:

βе = β0 /(1 + jωτв) ,

где τв = τβ + Ск* Rкн + СнRкн — эквивалентная постоянная вре-

мени каскада ОЭ в ОВЧ.

Воспользовавшись формулой (2.1, б), получим для высшей ра-

бочей частоты ωв:
Мв = 1 + (ωвτв)2 .	(2.10)

Выражение (2.10), справедливое для любого усилительного устройства, указывает, что уменьшения искажений в ОВЧ можно достичь снижением τв , величина которой во многом определяется используемым в усилителе транзистором. Для низкочастотных транзисторов τв = τβ= τα(β + 1), поскольку их частотные свойства в основном определяются временем пролета неосновных носителей заряда через базу. Для ВЧ транзисторов (при Сн = 0) τв ≈ Ск*Rкн , т.е. зависит не только от параметров транзистора, но и от Rкн.

В ОВЧ с ростом частоты не только возрастает Mв , что соответствует уменьшению коэффициентов усиления в каскаде, но и увеличивается фазовый сдвиг Uвых относительно Uвх . При этом угол фазового сдвига для каскада ОЭ с ростом ù встремится от 180 к 360 °.

Один из основных параметров усилительного каскада — стабильность его работы. В усилителе прежде всего должен обеспечиваться стабильныйрежимпокоя.

Существует три причины, влияющие на изменение тока Iк0 под воздействием температуры (или другого вида внешнего воздействия). Так, при возрастании температуры, во-первых, увеличивается обратный ток коллекторного перехода; во-вторых, уменьшается напряжение Uбэ0; в-третьих, возрастает коэффициент β.

Для большинства усилителей, выполненных на кремниевых транзисторах, основной фактор влияния на ∆I к0 определяется приращением ∆Uбэ0 = εt ∆T (для TKH εt =3 мВ/град; ∆T — рабочий температурный диапазон). В этом случае нестабильность

тока коллектора можно представить в следующем виде:
∆I к0	= Sнс	εt ∆T		,	(2.11)
		R + R
			э
		б

УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

В усилителе в качестве активного элемента использован биполярный транзистор. Перед тем, как подавать на вход усилителя сигнал, подлежащий усилению, необходимо обеспечить начальный режим работы (статический режим, режим по постоянному току, режим покоя). Начальный режим работы характеризуется постоянными токами электродов транзистора и напряжениями между этими электродами.

Для характеристики проблемы обеспечения начального режима рассматривают следующие три схемы:

· с фиксированным током базы;

· с коллекторной стабилизацией;

· с эмиттерной стабилизацией.

Схема с фиксированным током базы (рис. 9.9).

Рис. 9.9. Схема включения транзистора с фиксированным током базы

В соответствии со вторым законом Кирхгофа

Отсюда находим ток коллектора i_K:

что соответствует линейной зависимости вида .

Это уравнение описывает так называемую линию нагрузки. Изобразим выходные характеристики транзистора и линию нагрузки (рис. 9.10).

В соответствии со вторым законом Кирхгофа

Отсюда находим ток базы i_б:

Учитывая, что u_бэ<<Е_к, пренебрежем напряжением u_бэ. Тогда .

Рис. 9.10. Выходные характеристики транзистора с линией нагрузки

Таким образом, в рассматриваемой схеме ток iб задается величинами E_ки R_б (ток «фиксирован»). При этом .

Пусть i_б=i_б2. Тогда начальная рабочая точка (НРТ) займет то положение, которое указано на рис. 9.10. Видно, что самое нижнее возможное положение начальной рабочей точки соответствует точке Y (режим отсечки, i_б=0), а самое верхнее положение – точке Z (режим насыщения, i_б≥ i_б4).

Схему с фиксированным током базы используют редко по следующим причинам:

· при воздействии дестабилизирующих факторов (например, температуры) изменяются величины и , что изменяет ток I_кни положение начальной рабочей точки;

· для каждого значения необходимо подбирать соответствующее значение R_б, что нежелательно при использовании как дискретных приборов (т. е. приборов, изготовленных не по интегральной технологии), так и интегральных схем.

Схема с коллекторной стабилизацией (рис. 9.11). Эта схема обеспечивает лучшую стабильность начального режима.

Рис. 9.11. Схема включения транзистора с коллекторной стабилизацией

В схеме имеет место отрицательная обратная связь по напряжению (выход схемы – коллектор транзистора соединен со входом схемы – базой транзистора с помощью резистора R_б). При увеличении тока i_к (например, из-за повышения температуры) начинает увеличиваться напряжение u_R_к. Это приведет к уменьшению напряжения u_кэ и тока i_б ( ), что будет препятствовать значительному увеличению тока i_к, т. е. будет осуществляться стабилизация тока коллектора.

Схема с эмиттерной стабилизацией (рис. 9.12). Основная идея, реализованная в схеме, состоит в том, чтобы зафиксировать ток i_э и через это – ток i_к . С указанной целью в цепь эмиттера включают резистор R_э и создают на нем практически постоянное напряжение u_R_э. При этом оказывается, что:

Для создания требуемого напряжения u_R_э используют делитель напряжения на резисторах R₁ и R₂.

Рис. 9.12. Схема включения транзистора с эмиттерной стабилизацией

Резисторы R₁ и R₂выбирают насколько малыми, что величина тока i_б практически не влияет на величину напряжения u_R₂. При этом

В соответствии со вторым законом Кирхгофа u_Rэ= u_R₂ – u_бэ.

При воздействии дестабилизирующих факторов величина u_бэ изменяется мало, поэтому мало изменяется и величина u_R_э. На практике обычно напряжение u_R_эсоставляет небольшую долю напряжения Е_к.

Различают следующие режимы работы транзистора (классы работы): А, АБ, В, С и D. Рассматриваемые RC – усилители обычно работают в режиме А. В режиме А ток коллектора всегда больше нуля (i_к> 0). При этом он увеличивается или уменьшается в зависимости от входного сигнала. В режиме В ток I_кн=0, поэтому ток коллектора может только увеличиваться. При синусоидальном входном сигнале в цепи коллектора протекают положительные полуволны тока. Режим АВ является промежуточным между режимами А и В. В режиме С на вход транзистора подается начальное запирающее напряжение, поэтому в цепи коллектора в каждый период входного сигнала ток протекает в течение времени, меньшего чем половина периода. Режимом D называют ключевой режим работы (транзистор находится или в режиме насыщения, или в режиме отсечки).

Шпионские штучки, или Секреты тайной радиосвязи / Арсенал-Инфо.рф

Усилители с непосредственной связью

В миниатюрных транзисторных радиопередающих устройствах нередко возникает необходимость получения большого значения коэффициента усиления низкочастотного сигнала, для чего требуется использовать два и более каскадов усиления. В этом случае применение многокаскадных микрофонных усилителей с емкостной связью, каждый из каскадов которых выполнен на основе рассмотренных схем, не всегда приводит к удовлетворительным результатам. Поэтому в миниатюрных радиопередающих устройствах широкое распространение получили схемотехнические решения микрофонных усилителей с непосредственной связью между каскадами.

Такие усилители содержат меньше деталей, имеют меньшую энергоемкость, легко настраиваются и менее критичны к изменениям величины напряжения питания. Помимо этого усилители с непосредственной связью между каскадами имеют более равномерную полосу пропускания, а нелинейные искажения в них могут быть сведены к минимуму. Одним из главных достоинств таких усилителей является сравнительно высокая температурная стабильность.

Однако высокая температурная стабильность, как и остальные перечисленные выше преимущества усилителей с непосредственной связью между каскадами, могут быть реализованы лишь при использовании глубокой отрицательной обратной связи по постоянному току, подаваемой с выхода на первый каскад усилителя. При применении соответствующего схемотехнического решения любые изменения тока, вызванные как температурными колебаниями, так и другими причинами, усиливаются последующими каскадами и подаются на вход усилителя в такой полярности. В результате усилитель возвращается в исходное состояние.

Принципиальная схема одного из вариантов двухкаскадного микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами приведена на рис. 2.11. При напряжении питания от 9 до 12 В и максимальном входном напряжении 25 мВ уровень выходного напряжения в частотном диапазоне от 10 Гц до 40 кГц может достигать 5 В. При этом потребляемый ток не превышает 2 мА.

Рис. 2.11. Принципиальная схема микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами (вариант 1)

Низкочастотный сигнал, сформированный микрофоном ВМ1, через разделительный конденсатор С2 поступает на вход первого усилительного каскада, выполненного на транзисторе VT1. Конденсатор С1 обеспечивает фильтрацию нежелательных высокочастотных составляющих входного сигнала. Через резистор R1 на электретный микрофон ВМ1 подается напряжение питания.

Усиленный сигнал с коллекторной нагрузки транзистора VT1 (резистор R2) подается непосредственно на базу транзистора VT2, на котором выполнен второй усилительный каскад. С коллекторной нагрузки этого транзистора сигнал поступает на выход усилителя через разделительный конденсатор С4.

Необходимо отметить, что резистор R2, используемый в качестве нагрузочного резистора в цепи коллектора транзистора VТ1, имеет сравнительно большое сопротивление. В результате напряжение на коллекторе транзистора VТ1 будет достаточно малым, что позволяет подключить базу транзистора VТ2 непосредственно к коллектору транзистора VТ1. Немалое значение в выборе режима работы транзистора VТ2 играет и величина сопротивления резистора R6.

Между эмиттером транзистора VТ2 и базой транзистора VТ1 включен резистор R4, обеспечивающий возникновение между каскадами отрицательной обратной связи по постоянному току. В результате напряжение на базе транзистора VТ1 формируется с помощью резистора R4 из напряжения, присутствующего на эмиттере транзистора VТ2, которое в свою очередь формируется при прохождении коллекторного тока этого транзистора через резистор R6. По переменному току резистор R6 шунтирован конденсатором С3.

Если по какой-либо причине ток, проходящий через транзистор VТ2, увеличится, то соответственно увеличится и напряжение на резисторах R5 и R6. В результате, благодаря резистору R4, увеличится напряжение на базе транзистора VТ1, что приведет к увеличению его коллекторного тока и соответствующему увеличению падения напряжения на резисторе R2, а это вызовет уменьшение напряжения на коллекторе транзистора VТ1, к которому непосредственно подключена база транзистора VТ2. Уменьшение значения напряжения на базе транзистора VТ2 приведет к уменьшению коллекторного тока этого транзистора и соответствующему уменьшению напряжения на резисторах R5 и R6. При этом уменьшится напряжение на базе транзистора VТ1, этот транзистор прикроется и вновь будет работать в нормальном, первоначально установленном режиме. Таким образом, токи и рабочие точки транзисторов VТ1 и VТ2 будут стабилизированы. Аналогичным образом схема стабилизации функционирует и при возможном уменьшении коллекторного тока транзистора VТ2, например, при уменьшении температуры окружающей среды.

У усилителей с непосредственной связью между каскадами для установки режима обычно бывает достаточно подобрать величину сопротивления лишь одного резистора. В рассмотренной схеме режим работы устанавливается подбором сопротивления резистора R6 или резистора R2.

В связи с тем, что резистор R3 не зашунтирован конденсатором, в данном усилителе возникает обратная связь по переменному току, обеспечивающая резкое уменьшение искажений.

Необходимо отметить, что при любом изменении номинала резистора R4 или величины питающего напряжения усилителя необходимо откорректировать и положение рабочей точки. Важную роль в этом процессе играет резистор R6, вместо которого в процессе налаживания конструкции обычно устанавливается подстроечный резистор, обеспечивающий правильный выбор рабочей точки транзисторов VТ1 и VТ2.

Принципиальная схема еще одного варианта двухкаскадного микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами приведена на рис. 2.12. Отличительной особенностью данного схемотехнического решения, по сравнению с предыдущим, является то, что для стабилизации режима работы в предлагаемой схеме используются две цепи обратной связи с выхода на вход.

Рис. 2.12. Принципиальная схема микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами (вариант 2)

Нетрудно заметить, что помимо передачи напряжения, снимаемого с эмиттера транзистора VT2, на базу транзистора VT1 через резистор R4, в данной конструкции также обеспечивается изменение напряжения эмиттера транзистора первого каскада в зависимости от величины тока, проходящего через коллекторную нагрузку транзистора VT2 (резистор R6). Вторая цепь обратной связи, подключенная между коллектором транзистора VT2 и эмиттером транзистора VT1, образована включенными параллельно резистором R5 и конденсатором С3. Необходимо отметить, что от величины емкости конденсатора С3 зависит значение верхней граничной частоты полосы пропускания данного микрофонного усилителя.

При напряжении питания от 9 до 15 В и максимальном входном напряжении 25 мВ уровень выходного напряжения рассмотренного двухкаскадного усилителя в частотном диапазоне от 20 Гц до 20 кГц может достигать 2,5 В. При этом потребляемый ток не превышает 2 мА.

Принципиальная схема еще одного варианта микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами приведена на рис. 2.13.

Рис. 2.13. Принципиальная схема микрофонного усилителя с непосредственной связью между каскадами (вариант 3)

В данной конструкции сигнал, сформированный микрофоном ВМ1, через разделительный конденсатор С1 и резистор R2 проходит на базу транзистора VТ1, на котором собран первый каскад усиления. Усиленный сигнал с коллектора транзистора VТ1 подается непосредственно на базу транзистора VТ2 второго усилительного каскада.

Между эмиттером транзистора VТ2 и базой транзистора VТ1 включен резистор R4, обеспечивающий возникновение между каскадами отрицательной обратной связи по постоянному току. В результате напряжение на базе транзистора VТ1 формируется с помощью резистора R4 из напряжения на эмиттере транзистора VТ2, которое в свою очередь формируется при прохождении коллекторного тока этого транзистора через резистор R6. По переменному току резистор R6 шунтирован конденсатором С3.

Сформированный на коллекторе транзистора VТ2 сигнал через разделительный конденсатор С4 и потенциометр R8 подается на выход микрофонного усилителя. Для уменьшения частотных искажений в области нижних частот емкость разделительного конденсатора С4 увеличена до 20 мкФ. Потенциометр R8 выполняет функцию регулятора уровня выходного НЧ-сигнала и имеет логарифмическую характеристику (тип В).

В обычных усилительных каскадах, в которых транзистор включен по схеме с общим эмиттером, коэффициент усиления каскада определяется в первую очередь особенностями самого транзистора. В данной схеме коэффициент усиления в значительной степени зависит от параметров второй цепи обратной связи, включенной между выходом усилителя и эмиттером транзистора VТ1. В рассматриваемой схеме эта цепь обратной связи образована резистором R7. Теоретически коэффициент усиления К_УС двухступенчатого усилительного каскада с непосредственной связью определяется соотношением величин сопротивлений резисторов R7 и R3, то есть вычисляется по формуле:

К_УС = R7/R3.

Для рассматриваемого каскада коэффициент К_УС = 10000/180 = = 55,55. Приведенная формула справедлива для значений коэффициента усиления, находящихся в пределах от 10 до 100. При иных соотношениях вступают в силу дополнительные факторы, влияющие на величину коэффициента усиления. Особые методики расчета следует применять в тех случаях, когда в цепь обратной связи включаются последовательные или параллельные RC-цепочки.

Рассматривая классические схемы микрофонных усилителей на биполярных транзисторах, нельзя не упомянуть о двухкаскадном усилителе, выполненном на двух биполярных транзисторах разной проводимости. Принципиальная схема простого микрофонного усилителя, выполненного на n-p-n и p-n-p транзисторах, приведена на рис. 2.14.

Рис. 2.14. Принципиальная схема микрофонного усилителя на биполярных транзисторах разной проводимости

Несмотря на простоту, данный усилитель, который можно использовать для усиления сигналов, снимаемых с выхода конденсаторного микрофона, имеет весьма приемлемые параметры. При напряжении питания от 6 до 12 В и максимальном входном напряжении 100 мВ уровень выходного напряжения в частотном диапазоне от 70 Гц до 45 кГц достигает 2,5 В.

Сформированный на выходе микрофона ВМ1 сигнал через разделительный конденсатор С1 подается на базу транзистора VТ1, имеющего n-p-n проводимость, на котором выполнен первый усилительный каскад. Напряжение смещения, подаваемое на базу транзистора VТ1, формируется делителем, который образован резисторами R2 и R3.

Величина спада частотной характеристики данного микрофонного усилителя в области нижних частот в значительной степени зависит от емкости разделительного конденсатора С1. Чем меньше емкость этого конденсатора, тем больше спад частотной характеристики. Поэтому при указанном на схеме номинале емкости конденсатора С1 нижняя граница диапазона воспроизводимых усилителем частот находится на частоте около 70 Гц.

С коллектора транзистора VТ1 усиленный сигнал подается непосредственно на базу транзистора VТ2, имеющего p-n-p проводимость, на котором выполнен второй усилительный каскад. В данном усилителе, как и в рассмотренных ранее конструкциях, используется схема с непосредственной связью между каскадами. В качестве нагрузочного резистора в цепи коллектора транзистора VТ1 используется резистор R4, имеющий большое сопротивление. В результате напряжение на коллекторе транзистора VТ1 будет сравнительно малым, что позволяет базу транзистора VТ2 подключить непосредственно к коллектору транзистора VТ1. Немалое значение в выборе режима работы транзистора VТ2 играет и величина сопротивления резистора R7.

Сформированный на коллекторе транзистора VТ2 сигнал через разделительный конденсатор С4 подается на выход микрофонного усилителя. Для уменьшения частотных искажений в области нижних частот емкость разделительного конденсатора С4 увеличена до 10 мкФ. Величина спада в области верхних частот воспроизводимого усилителем диапазона может быть обеспечена уменьшением сопротивления нагрузки, а также использованием транзисторов с более высоким значением предельной частоты.

Коэффициент усиления данного усилителя определяется соотношением сопротивлений резисторов R5 и R6 в цепи обратной связи. Конденсатор С3 ограничивает усиление на высших частотах, препятствуя самовозбуждению усилителя.

При применении конденсаторного микрофона в цепь его включения потребуется подавать напряжение, необходимое для его питания. С этой целью в схеме установлен резистор R1, который одновременно является нагрузочным резистором выхода микрофона. При использовании рассматриваемого микрофонного усилителя с электродинамическим микрофоном резистор R1 из схемы можно исключить.

Особого внимания заслуживают схемотехнические решения двухкаскадных микрофонных усилителей, в которых входной каскад выполнен на полевом, а выходной каскад – на биполярном транзисторе. Принципиальная схема одного из вариантов простого микрофонного усилителя, выполненного на полевом и биполярном транзисторах, приведена на рис. 2.15. Данная конструкция характеризуется не только низким уровнем шумов и сравнительно высоким входным сопротивлением, но и значительной шириной диапазона частот усиливаемого сигнала. При напряжении питания от 9 до 12 В и максимальном входном напряжении 25 мВ уровень выходного напряжения в частотном диапазоне от 10 Гц до 100 кГц может достигать 2,5 В. При этом потребляемый ток не превышает 1 мА, а входное сопротивление составляет 1 МОм.

Рис. 2.15. Принципиальная схема микрофонного усилителя на полевом и биполярном транзисторах разной проводимости

Снимаемый с выхода микрофона ВМ1 сигнал через разделительный конденсатор С1 и резистор R1 подается на затвор полевого транзистора VТ1, на котором выполнен входной усилительный каскад. Резистор R2, величина сопротивления которого определяет значение входного сопротивления всей конструкции, обеспечивает по постоянному току связь затвора транзистора VТ1 с шиной корпуса. По постоянному току положение рабочей точки транзистора VТ1 определяется величинами сопротивлений резисторов R3, R4 и R5. По переменному току резистор R5 шунтирован конденсаторами С2 и С3. Сравнительно большая емкость конденсатора С2 обеспечивает достаточное усиление в нижней части диапазона частот усиливаемого сигнала. В свою очередь, величина емкости конденсатора С3 обеспечивает достаточное усиление в верхней части диапазона частот.

Усиленный сигнал снимается с нагрузочного резистора R3 и подается непосредственно на базу транзистора VT2, имеющего p-n-p-проводимость, на котором выполнен второй каскад усиления. Резистор R6, включенный в коллекторную цепь транзистора VT2, не только является нагрузочным резистором во втором усилительном каскаде, но и входит в состав цепи обратной связи транзистора VT1. Соотношением величин резисторов R6 и R4 определяется коэффициент усиления всей конструкции. При необходимости усиление можно уменьшить, подобрав величину сопротивления резистора R4. Сформированный на коллекторе транзистора VТ2 сигнал через резистор R7 и разделительный конденсатор С4 подается на выход микрофонного усилителя.

Биполярные транзисторы как усилители

Изучив этот раздел, вы сможете:
Распознавать основные режимы подключения транзисторного усилителя.
• Эмиттер обыкновенный.
• Общий коллектор.
• Общая база.
Опишите основные параметры каждого режима усилителя.
• Коэффициент усиления по напряжению.
• Текущее усиление.
• Входное и выходное сопротивление.

Как подключен транзистор для создания усилителя.

Рис. 3.6.1 Подключение усилителя.

Поскольку усилитель должен иметь два входа и два выхода, транзистор, используемый в качестве усилителя, должен иметь один из трех контактов, общих для входа и выхода, как показано на рис. 6.1. Выбор клеммы, используемой в качестве общего подключения, оказывает заметное влияние на характеристики усилителя.

Транзистор, подключенный в трех режимах, показанных на рис. 3.6.2–3.6.4 будут показывать совершенно разные характеристические кривые для каждого режима. Эти различия могут быть использованы разработчиком схем для создания усилителя с характеристиками, наиболее подходящими для конкретной цели. Обратите внимание, что схемы показаны здесь в уменьшенном виде и не предназначены для практических схем.

В схеме транзисторного усилителя, например, показанной на рис. 3.6.2–3.6.4, линия питания + V и линия 0V могут рассматриваться как одна и та же точка, что касается любого сигнала переменного тока. Это связано с тем, что, хотя очевидно, что между этими двумя точками существует напряжение (напряжение питания), источник постоянного тока всегда отключается большим конденсатором (например, резервуарным конденсатором в источнике питания), поэтому не может быть разницы в напряжении переменного тока. между шинами + V и 0V.

Рис.3.6.2 Режим общего эмиттера.

Режим общего эмиттера

Наиболее распространенная функция транзистора — использование в режиме ОБЩЕГО ЭМИТТЕРА. В этом способе подключения небольшие изменения тока базы / эмиттера вызывают большие изменения тока коллектора / эмиттера. Следовательно, это схема усилителя ТОКА. Чтобы обеспечить усиление НАПРЯЖЕНИЯ, резистор нагрузки (или импеданс, такой как настроенная цепь) должен быть подключен к цепи коллектора, чтобы изменение тока коллектора вызывало изменение напряжения, возникающего на резисторе нагрузки.Значение нагрузочного резистора влияет на УСИЛЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ усилителя. Это связано с тем, что чем больше резистор нагрузки, тем большее изменение напряжения будет вызвано данным изменением тока коллектора. Обратите внимание, что из-за этого метода подключения выходной сигнал будет противофазен входному сигналу. Это связано с тем, что увеличение напряжения базы / эмиттера вызовет увеличение тока базы. Это, в свою очередь, приведет к увеличению тока коллектора, но по мере увеличения тока коллектора падение напряжения на нагрузочном резисторе увеличивается, и, поскольку напряжение на верхнем конце нагрузочного резистора (напряжение питания) не изменится, напряжение на нижний конец должен уменьшиться.Следовательно, увеличение напряжения база / эмиттер вызывает уменьшение напряжения коллектор / эмиттер.

Общие параметры эмиттера

Усиление напряжения: высокое (около 100).

Текущее усиление: высокое (от 50 до 800).

Входное сопротивление: среднее (от 3 кОм до 5 кОм).

Выходной импеданс: средний (приблизительно значение резистора нагрузки).

Рис. 3.6.3 Режим общего коллектора.

Режим общего коллектора

Рис.3.6.3 иллюстрирует режим ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР; также называется режимом эмиттерного повторителя, так как в этой схеме форма выходного сигнала на эмиттере не инвертируется и, таким образом, «следует» за формой входного сигнала на базе. Этот метод подключения часто используется в качестве БУФЕРНОГО УСИЛИТЕЛЯ для таких задач, как согласование импедансов между двумя другими цепями. Это связано с тем, что этот режим дает усилителю высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Коэффициент усиления по напряжению в этом режиме немного меньше единицы (x 1), но доступен высокий коэффициент усиления по току (называемый h _fc в режиме общего коллектора).Другой способ использования этого режима подключения — УСИЛИТЕЛЬ ТОКА, часто используемый для выходных цепей, которые должны управлять сильноточными устройствами переменного тока, такими как громкоговорители или устройствами постоянного тока, такими как двигатели и т. Д.

Параметры общего коллектора

Коэффициент усиления напряжения: немного меньше единицы (1).

Текущее усиление: высокое (от 50 до 800)

Входное сопротивление: высокое (несколько кОм)

Выходное сопротивление: низкое (несколько Ом)

Рис. 3.6.4 Режим общей базы.

Режим общей базы

COMMON BASE MODE обычно используется для усилителей VHF и UHF, где, хотя коэффициент усиления по напряжению невелик, существует небольшая вероятность того, что выходной сигнал будет возвращен во входную цепь (что может быть проблемой на этих частотах). Поскольку в этом режиме база транзистора заземлена, он образует эффективный заземленный экран между выходом и входом. Поскольку ток коллектора в этом режиме будет равен току эмиттера минус ток базы, коэффициент усиления по току (h _fb в режиме общей базы) меньше единицы (<1).

Параметры общей базы

Коэффициент усиления по напряжению: средний (от 10 до 50).

Текущее усиление: менее единицы (<1)

Входное сопротивление: низкое (около 50 Ом)

Выходное сопротивление: высокое (около 1 МОм)

Начало страницы

Биполярные транзисторные усилители — Скачать PDF бесплатно

Транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Цель этого эксперимента — разработать биполярный транзисторный усилитель с коэффициентом усиления по напряжению минус 25.Усилитель должен принимать вход

Подробнее
Усилитель с общим эмиттером

Усилитель с общим эмиттером A. Перед тем, как мы начнем Как следует из названия этой лабораторной работы, эта лабораторная работа посвящена разработке усилителя с общим эмиттером, и на данном этапе лабораторного курса это, на мой взгляд, преждевременно:
Подробнее
Операционный усилитель — IC 741

Операционный усилитель — IC 741 Tabish, декабрь 2005 г. Цель: изучить работу операционного усилителя 741 путем проведения следующих экспериментов: (a) Измерение входного тока смещения (b) Входное смещение
Подробнее
Характеристики и усилители BJT

Характеристики БЮТ и усилители Мэтью Беклер beck0778 @ umn. edu EE2002 Lab Section 003 2 апреля 2006 г. Резюме Как основной компонент в конструкции усилителя, свойства биполярного переходного транзистора
Подробнее
Основы биполярных переходных транзисторов

Кеннет А. Кун, 29 сентября 2001 г., ред. 1 Введение Биполярный транзистор (BJT) — это трехслойное полупроводниковое устройство с конструкцией NPN или PNP. Обе конструкции имеют идентичный
Подробнее
Биполярные переходные транзисторы

Биполярные переходные транзисторы Физическая структура и символы NPN Эмиттер (E) n-тип Область эмиттера p-тип Базовая область n-тип Коллекторная область Коллектор (C) B C Переход эмиттер-база (EBJ) База (B) (a) Коллектор-база
Подробнее
МАС.836 КАК СДВИГАТЬ ОП-УСИЛИТЕЛЬ

MAS.836 КАК СДВИГАТЬ ЦЕПИ ОУ-УСИЛИТЕЛЯ OP-AMP: Смещение в электронной схеме описывает рабочие характеристики установившегося режима без подачи сигнала. В схеме операционного усилителя рабочая характеристика
Подробнее
В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый. После нескольких. ступени усиления напряжения, однако, сигнал становится большим и использует

Глава 12 Усилители мощности В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый.Однако после нескольких этапов увеличения напряжения сигнал становится большим и использует всю нагрузочную линию. В этих
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схема усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ цепей JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схемы усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ схем JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
Диоды и транзисторы

Диоды Для чего мы используем диоды? Диоды и транзисторы защищают схемы, ограничивая напряжение (отсечение и фиксирование), превращают переменный ток в постоянный (выпрямитель напряжения) умножители напряжения (например. г. двойное входное напряжение)
Подробнее
БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ГЛАВА 3 БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный переходной транзистор, BJT, представляет собой цельный кремниевый элемент с двумя встречно расположенными P-N переходами. Однако это не может быть сделано с двумя независимыми спина к спине
Подробнее
Полевые транзисторы и шум

Physics 3330 Эксперимент № 8 Осень 2005 г. Полевые транзисторы и шум Цель В этом эксперименте мы вводим полевые транзисторы.Мы измерим выходные характеристики полевого транзистора, а затем построим
Подробнее
Учебное пособие по усилителю

Учебное пособие по усилителю Содержание Учебное пособие по усилителю … 1 Предисловие … 1 Введение … 1 Урок 1 Обзор полупроводников … 2 План урока . .. 2 Рабочий лист № 1 … 7 Эксперимент № 1. ..7 Урок 2 Биполярный
Подробнее
Положительная обратная связь и осцилляторы

Physics 3330 Эксперимент № 6 Осень 1999 г. Положительная обратная связь и осцилляторы Цель В этом эксперименте мы изучим, как спонтанные колебания могут быть вызваны положительной обратной связью.Вы построите активный
Подробнее
Глава 19 Операционные усилители

Глава 19 Операционные усилители Операционный усилитель, или операционный усилитель, является основным строительным блоком современной электроники. Операционные усилители появились еще в первые дни создания электронных ламп, но стали обычным явлением только
Подробнее
Модели транзисторов. ампель

Модели транзисторов Обзор основных принципов работы транзисторов Модель простого усилителя тока Пример транзисторного переключателя Пример усилителя с общим эмиттером Транзистор как преобразователь — модель Эберс-Молла Прочее
Подробнее
Индукторы в цепях переменного тока

Катушки индуктивности в цепях переменного тока Название Раздел Резисторы, катушки индуктивности и конденсаторы влияют на изменение величины тока в цепи переменного тока и времени, в которое ток достигает своего максимума
Подробнее
Лаборатория 5 Операционные усилители

Лаборатория 5 Операционные усилители Автор: Гэри А. Ибарра Кристофер Э. Крамер Факультет электротехники и вычислительной техники Университета Дьюка Дарем, Северная Каролина. Назначение Целью данной лабораторной работы является изучение свойств
Подробнее
Карта контента для карьеры и технологий

Content Strand: Applied Academics CT-ET1-1, анализ электроники A. Дроби и десятичные дроби B. Степень десяти и инженерная нотация C. Решения задач на основе формул D. Степени и корни E.Линейные уравнения
Подробнее
= V пик 2 = 0,707 В пик

ОСНОВНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА — НАЗНАЧЕНИЕ РЕКТИФИКАЦИИ И ФИЛЬТРА Предположим, вы хотите создать простой электронный блок питания постоянного тока, который работал бы от входа переменного тока (например, что-то, что вы могли бы подключить к стандартному
Подробнее
Руководство по эксплуатации, версия 1.1

Усилитель класса B (двухтактный эмиттерный повторитель) Руководство по эксплуатации Вер. 1.1 Компания 94-101, отвечающая требованиям ISO 9001: 2000, Электронный комплекс Пардесипура, Индор-452010, Индия Тел .: 91-731-2570301/02, 4211100 Факс: 91-731-
Подробнее
Масштабирование и смещение аналоговых сигналов

Масштабирование и смещение аналоговых сигналов Ноябрь 2007 г. Введение Масштабирование и смещение диапазона и смещения аналоговых сигналов — полезный навык для работы с разнообразной электроникой. Он не только может взаимодействовать с
Подробнее
Частотная характеристика фильтров

Школа инженерии Департамент электротехники и вычислительной техники 332: 224 Принципы электротехники II Лабораторный эксперимент 2 Частотная характеристика фильтров 1 Введение Цели в
Подробнее
Цепи смещения биполярных транзисторов

Схемы смещения биполярных транзисторов Этот рабочий лист и все связанные файлы находятся под лицензией Creative Commons Attribution License, версия 1. 0. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/1.0/,
Подробнее
Резонанс серии RLC

Резонанс серии RLC 11EM Цель: цель этой лабораторной деятельности — изучить резонанс в цепи резистор-индуктор-конденсатор (RLC) путем исследования тока в цепи как функции
Подробнее
Создание усилителя AMP

Создание усилителя AMP Введение В течение примерно 80 лет стало возможным усиливать разницу напряжений и увеличивать соответствующую мощность, сначала с помощью электронных ламп, использующих электроны из горячей нити накала;
Подробнее
Основы микроэлектроники

Основы микроэлектроники h2 Почему микроэлектроника? h3 Основы физики полупроводников h4 Диодные схемы h5 Физика биполярных преобразователей H5 Биполярные усилители H6 Физика МОП-транзисторов H7 MOS
Подробнее
Замечания по применению Компоненты SAW

Примечание по применению Компоненты на ПАВ Принципы работы генераторов и передатчиков, стабилизированных на ПАВ. Приложение: Примечание № 1 В этом документе описывается физический принцип генератора, стабилизированного на ПАВ. Осциллятор
Подробнее
УСИЛИТЕЛЬ JFET С ОБЩИМ ИСТОЧНИКОМ

ЭКСПЕРИМЕНТ 04 Цели: Теория: 1. Оценить усилитель с общим источником, используя эквивалентную модель слабого сигнала. 2. Узнать, что влияет на усиление напряжения. Самосмещенный n-канальный полевой транзистор JFET с AC
Подробнее
Операционные усилители

Модуль 6 Усилители Операционные усилители Идеальный усилитель Что вы узнаете из Модуля 6.Раздел 6.0. Введение в операционные усилители. Понять концепцию идеального усилителя и необходимость
Подробнее
Прецизионные диодные выпрямители

Кеннет А. Кун 21 марта 2013 г. Прецизионные полуволновые выпрямители Операционный усилитель можно использовать для линеаризации нелинейной функции, например передаточной функции полупроводникового диода. Классический
Подробнее
Базовые схемы операционных усилителей

Базовые схемы операционных усилителей Мануэль Толедо INEL 5205 Instrumentation 3 августа 2008 г. Введение Операционный усилитель (для краткости ОУ или ОУ), возможно, является наиболее важным строительным блоком для конструкции
Подробнее
Лаборатория 3 Выпрямительные схемы

ECET 242 Электронные схемы Лаборатория 3 Выпрямительные схемы Страница 1 из 5 Имя: Задача: Студенты, успешно завершившие это лабораторное упражнение, будут выполнять следующие задачи: 1.Узнайте, как построить
Подробнее
Домашнее задание 03

Вопрос 1 (по 2 балла, если не указано иное) Домашнее задание Задание 03 1. Источник питания постоянного тока 9 В вырабатывает 10 Вт в резисторе. Какой размах амплитуды должен быть источник переменного тока, чтобы генерировать тот же
Подробнее
Лекция — 4 схемы диодного выпрямителя

Базовая электроника (Полупроводниковые диоды модуля 1) Dr. Читралекха Маханта Кафедра электроники и техники связи Индийский технологический институт, лекция Гувахати — 4 схемы диодного выпрямителя
Подробнее
Реакция на скачок RC цепей

Шаговый ответ RC цепей 1. ЦЕЛИ … 2 2. СПРАВОЧНИК … 2 3. ЦЕПИ … 2 4. КОМПОНЕНТЫ И СПЕЦИФИКАЦИИ … 3 КОЛИЧЕСТВО … 3 ОПИСАНИЕ … 3 КОММЕНТАРИИ … 3 5. ОБСУЖДЕНИЕ … 3 5.1 СОПРОТИВЛЕНИЕ ИСТОЧНИКОВ…3
Подробнее
Лабораторная работа E1: Введение в схемы.

E1.1 Лабораторная работа E1: Введение в схемы Цель этой лабораторной работы — познакомить вас с некоторыми основными приборами, используемыми в электрических схемах. Вы научитесь пользоваться источником постоянного тока, цифровым мультиметром
. Подробнее
5B5B Базовая схема RC-генератора

5B5B Базовая схема RC-генератора RC-генератор, также называемый генератором с фазовым сдвигом, вырабатывает выходной синусоидальный сигнал с использованием регенеративной обратной связи от комбинации резистор-конденсатор.
Подробнее
Электрический резонанс

Электрический резонанс (последовательная цепь R-L-C) УСТРОЙСТВО 1. Печатная плата R-L-C 2. Генератор сигналов 3. Осциллограф Tektronix TDS1002 с двумя наборами проводов (см. Введение в осциллограф) ВВЕДЕНИЕ
Подробнее
Основы сигнатурного анализа

Основы сигнатурного анализа Углубленный обзор тестирования при отключении питания с помощью аналогового сигнатурного анализа www.huntron.com 1 www.huntron.com 2 Содержание РАЗДЕЛ 1. ВВЕДЕНИЕ … 7 НАЗНАЧЕНИЕ …
Подробнее
Биполярные транзисторные усилители — Скачать PDF бесплатно

Биполярные транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7 Осень 2005 г. Биполярные транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является создание биполярного транзисторного усилителя с усилением по напряжению минус 25.Усилитель должен
Подробнее
Транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является разработка биполярного транзисторного усилителя с коэффициентом усиления минус 25. Усилитель должен принимать входной сигнал
Подробнее
Усилитель с общим эмиттером

Усилитель с общим эмиттером A.Перед тем, как мы начнем Как сказано в названии этой лабораторной работы, эта лабораторная работа посвящена разработке усилителя с общим эмиттером, и на данном этапе лабораторного курса это, на мой взгляд, преждевременно. Подробнее
Характеристики и усилители BJT

Характеристики биполярного транзистора и усилители Мэтью Беклер [email protected] EE2002 Lab Section 003 2 апреля 2006 г. Резюме Как основной компонент в конструкции усилителя, свойства биполярного переходного транзистора
Подробнее
Операционный усилитель — IC 741

Операционный усилитель — IC 741 Tabish, декабрь 2005 г. Цель: изучить работу операционного усилителя 741 путем проведения следующих экспериментов: (a) Измерение входного тока смещения (b) Входное смещение
Подробнее
Основы биполярных переходных транзисторов

Кеннет А.Kuhn 29 сентября 2001 г., ред. 1 Введение Транзистор с биполярным переходом (BJT) — это трехслойный полупроводниковый прибор с конструкцией NPN или PNP. Обе конструкции имеют идентичный
Подробнее
MAS. 836 КАК СДВИГАТЬ OP-AMP

MAS.836 КАК СДВИГАТЬ ЦЕПИ ОУ-УСИЛИТЕЛЯ OP-AMP: Смещение в электронной схеме описывает рабочие характеристики установившегося режима без подачи сигнала. В схеме операционного усилителя рабочая характеристика
Подробнее
Индукторы в цепях переменного тока

Катушки индуктивности в цепях переменного тока Название Раздел Резисторы, катушки индуктивности и конденсаторы влияют на изменение величины тока в цепи переменного тока и времени, в которое ток достигает своего максимума
Подробнее
Диоды и транзисторы

Диоды Для чего мы используем диоды? Диоды и транзисторы защищают схемы, ограничивая напряжение (отсечение и фиксирование), превращают переменный ток в постоянный (выпрямитель напряжения) умножители напряжения (например.г. двойное входное напряжение)
Подробнее
Модели транзисторов. ампель

Модели транзисторов Обзор основных принципов работы транзисторов Модель простого усилителя тока Пример транзисторного переключателя Пример усилителя с общим эмиттером Транзистор как преобразователь — модель Эберс-Молла Прочее
Подробнее
Глава 19 Операционные усилители

Глава 19 Операционные усилители Операционный усилитель, или операционный усилитель, является основным строительным блоком современной электроники.Операционные усилители появились еще в первые дни создания электронных ламп, но стали обычным явлением только
Подробнее
БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ГЛАВА 3 БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный переходной транзистор, BJT, представляет собой цельный кремниевый элемент с двумя встречно расположенными P-N переходами. Однако это не может быть сделано с двумя независимыми спина к спине
Подробнее
Биполярные переходные транзисторы

Биполярные переходные транзисторы Физическая структура и символы NPN Эмиттер (E) n-тип Область эмиттера p-тип Базовая область n-тип Коллекторная область Коллектор (C) B C Переход эмиттер-база (EBJ) База (B) (a) Коллектор-база
Подробнее
Основы сигнатурного анализа

Основы сигнатурного анализа Углубленный обзор тестирования при отключении питания с помощью аналогового сигнатурного анализа www. huntron.com 1 www.huntron.com 2 Содержание РАЗДЕЛ 1. ВВЕДЕНИЕ … 7 НАЗНАЧЕНИЕ …
Подробнее
Учебное пособие по усилителю

Учебное пособие по усилителю Содержание Учебное пособие по усилителю … 1 Предисловие … 1 Введение … 1 Урок 1 Обзор полупроводников … 2 План урока … 2 Рабочий лист № 1 … 7 Эксперимент № 1. ..7 Урок 2 Биполярный
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схемы усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ схем JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
Лаборатория 5 Операционные усилители

Лаборатория 5 Операционные усилители Автор: Гэри А.Ибарра Кристофер Э. Крамер Факультет электротехники и вычислительной техники Университета Дьюка Дарем, Северная Каролина. Назначение Целью данной лабораторной работы является изучение свойств
Подробнее
Основы микроэлектроники

Основы микроэлектроники h2 Почему микроэлектроника? h3 Основы физики полупроводников h4 Диодные схемы h5 Физика биполярных преобразователей H5 Биполярные усилители H6 Физика МОП-транзисторов H7 MOS
Подробнее
Масштабирование и смещение аналоговых сигналов

Масштабирование и смещение аналоговых сигналов Ноябрь 2007 г. Введение Масштабирование и смещение диапазона и смещения аналоговых сигналов — полезный навык для работы с разнообразной электроникой.Он не только может взаимодействовать с
Подробнее
В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый. После нескольких. ступени усиления напряжения, однако, сигнал становится большим и использует

Глава 12 Усилители мощности В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый. Однако после нескольких этапов увеличения напряжения сигнал становится большим и использует всю нагрузочную линию. В этих
Подробнее
Лабораторная работа E1: Введение в схемы.

E1.1 Лабораторная работа E1: Введение в схемы Цель этой лабораторной работы — познакомить вас с некоторыми основными приборами, используемыми в электрических цепях. Вы научитесь пользоваться источником постоянного тока, цифровым мультиметром
. Подробнее
Рисунок 1. Модель диодной схемы.

Полупроводниковые приборы. Нелинейные приборы. Диоды. Введение. Диод представляет собой двухконтактный нелинейный прибор, вольт-амперная характеристика которого, помимо нелинейного поведения, также зависит от полярности.Модель
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схемы усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ схем JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
Прецизионные диодные выпрямители

Кеннет А. Kuhn 21 марта 2013 г. Прецизионные полуволновые выпрямители Операционный усилитель можно использовать для линеаризации нелинейной функции, например передаточной функции полупроводникового диода. Классический
Подробнее
Карта контента для карьеры и технологий

Content Strand: Applied Academics CT-ET1-1 анализ электронных данных A. Дроби и десятичные дроби B. Степень 10 и инженерная нотация C. Решения задач на основе формул D.Степени и корни E. Линейные уравнения
Подробнее
Лекция — 4 схемы диодного выпрямителя

Базовая электроника (Модуль 1 Полупроводниковые диоды) Доктор Читралекха Маханта Департамент электроники и техники связи Индийский технологический институт, лекция Гувахати — 4 схемы диодного выпрямителя
Подробнее
Лабораторная работа 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома

Лаборатория 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома L3-1 Имя Дата Партнеры Лаборатория 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома ЦЕЛИ Научиться применять концепцию разности потенциалов (напряжения) для объяснения действия батареи в
Подробнее
Полевые транзисторы и шум

Physics 3330 Эксперимент № 8 Осень 2005 г. Полевые транзисторы и шум Цель В этом эксперименте мы вводим полевые транзисторы.Мы измерим выходные характеристики полевого транзистора, а затем построим
Подробнее
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО-ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Имя: Дата: Курс и секция: Инструктор: ЭКСПЕРИМЕНТ 1 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА СЕРИИ 1 ЦЕЛИ 1. Проверить теоретический анализ последовательно-параллельных сетей с помощью прямых измерений. 2. Повышение квалификации
Подробнее
Лаборатория 3 Выпрямительные схемы

ECET 242 Электронные схемы Лаборатория 3 Выпрямительные схемы Страница 1 из 5 Имя: Задача: Студенты, успешно завершившие это лабораторное упражнение, будут выполнять следующие задачи: 1.Узнайте, как построить
Подробнее
Базовые схемы операционных усилителей

Базовые схемы операционных усилителей Мануэль Толедо INEL 5205 Instrumentation 3 августа 2008 г. Введение Операционный усилитель (для краткости ОУ или ОУ), возможно, является наиболее важным строительным блоком для конструкции
Подробнее
Руководство по эксплуатации, версия 1.1

Усилитель класса B (двухтактный эмиттерный повторитель) Руководство по эксплуатации Вер.1.1 Компания 94-101, отвечающая требованиям ISO 9001: 2000, Электронный комплекс Пардесипура, Индор-452010, Индия Тел .: 91-731-2570301/02, 4211100 Факс: 91-731-
Подробнее
Цепи смещения биполярных транзисторов

Цепи смещения биполярных транзисторов Эта таблица и все связанные файлы находятся под лицензией Creative Commons Attribution License, версия 1.0. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http: // creativecommons.org / licenses / by / 1.0 /,
Подробнее
Замечания по применению Компоненты SAW

Примечание по применению Компоненты на ПАВ Принципы работы генераторов и передатчиков, стабилизированных на ПАВ. Приложение: Примечание № 1 В этом документе описывается физический принцип генератора, стабилизированного на ПАВ. Осциллятор
Подробнее
Основные электрические концепции

Основные электрические концепции Введение Современные автомобили включают в себя множество электрических и электронных компонентов и систем: Аудиосистема Освещение Навигация Управление двигателем Управление коробкой передач Торможение и тяга
Подробнее
Последовательные и параллельные схемы

Постоянный ток (DC) Постоянный ток (DC) — это однонаправленный поток электрического заряда.Термин DC используется для обозначения энергосистем, которые используют постоянное (не меняющееся со временем) среднее (среднее)
Подробнее
Положительная обратная связь и осцилляторы

Physics 3330 Эксперимент № 6 Осень 1999 г. Положительная обратная связь и осцилляторы Цель В этом эксперименте мы изучим, как спонтанные колебания могут быть вызваны положительной обратной связью. Вы построите активный
Подробнее
Создание усилителя AMP

Создание усилителя AMP Введение В течение примерно 80 лет стало возможным усиливать разницу напряжений и увеличивать соответствующую мощность, сначала с помощью электронных ламп, использующих электроны из горячей нити накала;
Подробнее
Операционные усилители

Модуль 6 Усилители Операционные усилители Идеальный усилитель Что вы узнаете из Модуля 6.Раздел 6.0. Введение в операционные усилители. Понять концепцию идеального усилителя и необходимость
Подробнее
ТРАНЗИСТОРНЫЙ / ДИОДНЫЙ ТЕСТЕР

МОДЕЛЬ ТЕСТЕРА ТРАНЗИСТОРОВ / ДИОДОВ DT-100 Учебное руководство ELENCO Copyright 2012, 1988 REV-G 753115 Elenco Electronics, Inc. Пересмотрено 2012 г. ХАРАКТЕРИСТИКИ Режим диода: 1. Проверяет все типы диодов — германий, кремний,
Подробнее
Домашнее задание 03

Вопрос 1 (по 2 балла, если не указано иное) Домашнее задание 03 1.Блок питания 9 В постоянного тока вырабатывает 10 Вт в резисторе. Какой размах амплитуды должен быть источник переменного тока, чтобы генерировать тот же
Подробнее
= V пик 2 = 0,707 В пик

ОСНОВНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА — НАЗНАЧЕНИЕ РЕКТИФИКАЦИИ И ФИЛЬТРА Предположим, вы хотите создать простой электронный блок питания постоянного тока, который работал бы от входа переменного тока (например, что-то, что вы могли бы подключить к стандартному
Подробнее
Резонанс серии RLC

Резонанс серии RLC 11EM Цель: цель этой лабораторной деятельности — изучить резонанс в цепи резистор-индуктор-конденсатор (RLC) путем исследования тока в цепи как функции
Подробнее
Частотная характеристика фильтров

Школа инженерии Департамент электротехники и вычислительной техники 332: 224 Принципы электротехники II Лабораторный эксперимент 2 Частотная характеристика фильтров 1 Введение Цели в
Подробнее
LAB 6 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И УСИЛИТЕЛИ

Основы биполярных переходных транзисторов

Кеннет А. Kuhn 29 сентября 2001 г., ред. 1 Введение Транзистор с биполярным переходом (BJT) — это трехслойный полупроводниковый прибор с конструкцией NPN или PNP. Обе конструкции имеют идентичный
Подробнее
Транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Цель этого эксперимента — разработать биполярный транзисторный усилитель с коэффициентом усиления по напряжению минус 25.Усилитель должен принимать вход
Подробнее
Биполярные транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7 Осень 2005 г. Усилители на биполярных транзисторах Назначение Целью этого эксперимента является создание усилителя на биполярных транзисторах с коэффициентом усиления минус 25. Усилитель должен быть
Подробнее
Характеристики и усилители BJT

Характеристики БЮТ и усилители Мэтью Беклер beck0778 @ umn. edu EE2002 Lab Section 003 2 апреля 2006 г. Резюме Как основной компонент в конструкции усилителя, свойства биполярного переходного транзистора
Подробнее
Усилитель с общим эмиттером

Усилитель с общим эмиттером A. Перед тем, как мы начнем Как следует из названия этой лабораторной работы, эта лабораторная работа посвящена разработке усилителя с общим эмиттером, и на данном этапе лабораторного курса это, на мой взгляд, преждевременно:
Подробнее
Учебное пособие по усилителю

Учебное пособие по усилителю Содержание Учебное пособие по усилителю…1 Предисловие … 1 Введение … 1 Урок 1 Обзор полупроводников … 2 План урока … 2 Рабочий лист № 1 … 7 Эксперимент № 1 … 7 Урок 2 Биполярный
Подробнее
Операционный усилитель — IC 741

Операционный усилитель — IC 741 Tabish, декабрь 2005 г. Цель: изучить работу операционного усилителя 741 путем проведения следующих экспериментов: (a) Измерение входного тока смещения (b) Входное смещение
Подробнее
Биполярные переходные транзисторы

Биполярные переходные транзисторы Физическая структура и символы NPN Эмиттер (E) n-тип Область эмиттера p-тип Базовая область n-тип Коллекторная область Коллектор (C) B C Переход эмиттер-база (EBJ) База (B) (a) Коллектор-база
Подробнее
БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ГЛАВА 3 БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный переходной транзистор, BJT, представляет собой цельный кремниевый элемент с двумя встречно расположенными P-N переходами.Однако это не может быть сделано с двумя независимыми спина к спине
Подробнее
Цепи смещения биполярных транзисторов

Цепи смещения биполярных транзисторов Эта таблица и все связанные файлы находятся под лицензией Creative Commons Attribution License, версия 1. 0. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/1.0/,
Подробнее
Диоды и транзисторы

Диоды Для чего мы используем диоды? Диоды и транзисторы защищают схемы, ограничивая напряжение (отсечение и фиксирование), превращают переменный ток в постоянный (выпрямитель напряжения) умножители напряжения (например.г. двойное входное напряжение)
Подробнее
Основы микроэлектроники

Основы микроэлектроники h2 Почему микроэлектроника? h3 Основы физики полупроводников h4 Диодные схемы h5 Физика биполярных преобразователей H5 Биполярные усилители H6 Физика МОП-транзисторов H7 MOS
Подробнее
Лабораторная работа 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома

Лаборатория 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома L3-1 Имя Дата Партнеры Лаборатория 3 — Цепи постоянного тока и закон Ома ЦЕЛИ Научиться применять концепцию разности потенциалов (напряжения) для объяснения действия батареи в
Подробнее
Руководство по эксплуатации Вер. 1.1

Усилитель класса B (двухтактный эмиттерный повторитель), версия 1.1, ISO 9001: 2000, компания 94-101, Electronic Complex Pardesipura, Indore- 452010, India Тел .: 91-731-2570301/02, 4211100 Факс: 91-731 —
Подробнее
В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый. После нескольких. ступени усиления напряжения, однако, сигнал становится большим и использует

Глава 12 Усилители мощности В стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый.Однако после нескольких этапов увеличения напряжения сигнал становится большим и использует всю нагрузочную линию. В этих
Подробнее
Карта контента для карьеры и технологий

Content Strand: Applied Academics CT-ET1-1 анализ электроники A. Дроби и десятичные дроби B. Степень десяти и инженерная нотация C. Решения задач на основе формул D. Степени и корни E. Линейные уравнения
Подробнее
= V пик 2 = 0.707 В пик

ОСНОВНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА — НАЗНАЧЕНИЕ РЕКТИФИКАЦИИ И ФИЛЬТРА Предположим, вы хотите создать простой электронный блок питания постоянного тока, который работал бы от входа переменного тока (например, что-то, что вы могли бы подключить к стандартному
Подробнее
Индукторы в цепях переменного тока

Катушки индуктивности в цепях переменного тока Название Раздел Резисторы, катушки индуктивности и конденсаторы влияют на изменение величины тока в цепи переменного тока и времени, в которое ток достигает своего максимума
Подробнее
Лабораторная работа 1: Цифровой осциллограф.

PHYSICS 220 Лаборатория физической электроники 1. Цифровой осциллограф. Цель: познакомиться с осциллографом, широко распространенным инструментом для наблюдения и измерения электронных сигналов. Аппарат: Tektronix
Подробнее
Электрический резонанс

Электрический резонанс (последовательная цепь R-L-C) УСТРОЙСТВО 1. Печатная плата R-L-C 2. Генератор сигналов 3. Осциллограф Tektronix TDS1002 с двумя наборами проводов (см. Введение в осциллограф) ВВЕДЕНИЕ
Подробнее
Домашнее задание 03

Вопрос 1 (по 2 балла, если не указано иное) Домашнее задание 03 1.Блок питания 9 В постоянного тока вырабатывает 10 Вт в резисторе. Какой размах амплитуды должен быть источник переменного тока, чтобы генерировать тот же
Подробнее
Модели транзисторов. ампель

Модели транзисторов Обзор основных принципов работы транзисторов Модель простого усилителя тока Пример транзисторного переключателя Пример усилителя с общим эмиттером Транзистор как преобразователь — модель Эберс-Молла Прочее
Подробнее
Создание усилителя AMP

Создание усилителя AMP Введение В течение примерно 80 лет стало возможным усиливать разницу напряжений и увеличивать соответствующую мощность, сначала с помощью электронных ламп, использующих электроны из горячей нити накала;
Подробнее
Рисунок 1. Модель диодной схемы

Полупроводниковые приборы. Нелинейные приборы. Диоды. Введение. Диод представляет собой двухконтактный нелинейный прибор, вольт-амперная характеристика которого, помимо нелинейного поведения, также зависит от полярности. Модель
Подробнее
Лабораторная работа E1: Введение в схемы.

E1.1 Лабораторная работа E1: Введение в схемы Цель этой лабораторной работы — познакомить вас с некоторыми основными приборами, используемыми в электрических схемах.Вы научитесь пользоваться источником постоянного тока, цифровым мультиметром
. Подробнее
Регулируемый источник питания постоянного тока

442 17 Принципы электронного регулируемого источника питания постоянного тока 17.1 Обычный источник питания постоянного тока 17.2 Важные термины 17.3 Регулируемый источник питания 17.4 Типы регуляторов напряжения 17. 5 Стабилитрон
Подробнее
Talon VFD / Inverter Meter

Подана заявка на патент на ЧРП / инверторный расходомер Talon.Авторское право 2009. Стр. 1 из 37 Содержание Talon VFD / Inverter meter … 1 Содержание … 2 ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ … 3 Краткое описание продукта … 4 Предостережения относительно продукта и предположения
Подробнее
Глава 19 Операционные усилители

Глава 19 Операционные усилители Операционный усилитель, или операционный усилитель, является основным строительным блоком современной электроники. Операционные усилители появились еще в первые дни создания электронных ламп, но стали обычным явлением только
Подробнее
Реакция на скачок RC цепей

Переходная характеристика RC-цепей 1.ЦЕЛИ … 2 2. СПРАВОЧНИК … 2 3. ЦЕПИ … 2 4. КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ . .. 3 КОЛИЧЕСТВО … 3 ОПИСАНИЕ … 3 КОММЕНТАРИИ … 3 5. ОБСУЖДЕНИЕ … 3 5.1 СОПРОТИВЛЕНИЕ ИСТОЧНИКОВ … 3
Подробнее
Синтетический выпрямитель с нулевым падением напряжения

Синтетический выпрямитель с нулевым падением напряжения Вратислав Михал Технологический университет Брно, кафедра теоретической и экспериментальной электротехники Kolejní 4/2904, 612 00 Брно Чешская Республика [email protected],
Подробнее
Полевые транзисторы и шум

Physics 3330 Эксперимент № 8 Осень 2005 г. Полевые транзисторы и шум Цель В этом эксперименте мы вводим полевые транзисторы. Мы измерим выходные характеристики полевого транзистора, а затем построим
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схемы усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ схем JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
Масштабирование и смещение аналоговых сигналов

Масштабирование и смещение аналоговых сигналов Ноябрь 2007 г. Введение Масштабирование и смещение диапазона и смещения аналоговых сигналов — полезный навык для работы с разнообразной электроникой.Он не только может взаимодействовать с
Подробнее
Простые схемы операционных усилителей

ECE A Lab # 4 Лаборатория 4 Обзор простых схем операционного усилителя В этой лабораторной работе мы представляем операционный усилитель (операционный усилитель), активную схему, которая разработана для определенных характеристик (высокое входное сопротивление, низкий выход
Подробнее
УСИЛИТЕЛЬ JFET С ОБЩИМ ИСТОЧНИКОМ

ЭКСПЕРИМЕНТ 04 Цели: Теория: 1.Оценить усилитель с общим источником, используя эквивалентную модель слабого сигнала. 2. Узнать, что влияет на усиление напряжения. Самосмещенный n-канальный полевой транзистор JFET с AC
Подробнее
Лабораторная работа № 9: Анализ установившегося состояния переменного тока.

Теория и введение Лабораторная работа № 9: Цели анализа устойчивого состояния переменного тока для лабораторной работы № 9 Основная цель лабораторной работы 9 — познакомить студентов с анализом устойчивого состояния переменного тока, шкалой дБ и частотным анализатором NI ELVIS.
Подробнее
Последовательные и параллельные схемы

Постоянный ток (DC) Постоянный ток (DC) — это однонаправленный поток электрического заряда. Термин DC используется для обозначения энергосистем, которые используют постоянное (не меняющееся со временем) среднее (среднее)
Подробнее
Лаборатория 3 Выпрямительные схемы

ECET 242 Электронные схемы Лаборатория 3 Выпрямительные схемы Страница 1 из 5 Имя: Задача: Студенты, успешно завершившие это лабораторное упражнение, будут выполнять следующие задачи: 1.Узнайте, как построить
Подробнее
Схемы усилителя BJT

Схемы усилителя JT Поскольку мы разработали различные модели для сигналов D (простая модель большого сигнала) и сигналов A (модель малого сигнала), анализ схем JT выполняется следующим образом: Анализ смещения D:
Подробнее
20 Биполярные транзисторы и усилители

Ресурс исследования

Исследовать

Искусство и гуманитарные науки

Бизнес

Инженерная технология

Иностранный язык

История

Математика

Наука

Социальная наука

Лучшие подкатегории

Продвинутая математика

Алгебра

Базовая математика

Исчисление

Геометрия

Линейная алгебра

Предалгебра

Предварительный расчет

Статистика и вероятность

Тригонометрия

другое →

Лучшие подкатегории

Астрономия

Астрофизика

Биология

Химия

Науки о Земле

Наука об окружающей среде

Науки о здоровье

Физика

другое →

Лучшие подкатегории

Антропология

Закон

Политология

Психология

Социология

другое →

Лучшие подкатегории

Бухгалтерский учет

Экономика

Финансы

Менеджмент

другое →

Лучшие подкатегории

Аэрокосмическая техника

Биоинженерия

Химическая инженерия

Гражданское строительство

Компьютерные науки

Электротехника

Промышленное проектирование

Машиностроение

Веб-дизайн

другое →

Лучшие подкатегории

Архитектура

Связь

Английский

Гендерные исследования

Музыка

Исполнительское искусство

Философия

Религиоведение

Письмо

другое →

Лучшие подкатегории

Древняя история

Европейская история

История США

Всемирная история

другое →

Лучшие подкатегории

Хорватский

Параметры и ограничения биполярного режима

Все биполярные транзисторы и модели Дарлингтона основаны на модифицированной SPICE модели Гаммеля-Пуна. Типичная модель для одиночного транзистора показана следующим образом:

* Zetex FMMT493A SPICE Model v1.0 Последняя редакция 30/3/06 * .MODEL FMMT493A NPN IS = 6E-14 NF = 0,99 BF = 1100 IKF = 1,1 + NK = 0,7 VAF = 270 ISE = 0,3E-14 NE = 1,26 NR = 0,98 BR = 70 IKR = 0,5 + VAR = 27 ISC = 1,2e-13 NC = 1,2 RB = 0,2 RE = 0,08 RC = 0,08 RCO = 8 + GAMMA = 5E-9 CJC = 15,9E-12 MJC = 0,4 VJC = 0,51 CJE = 108E-12 + MJE = 0,35 VJE = 0,7 TF = 0,8E-9 TR = 55e-9 XTB = 1,4 QUASIMOD = 1 *

дюймов биполярная модель:

IS и NF контролируют Icbo и значение Ic при средних уровнях смещения.

ISE и NE контролируют падение hFE, которое происходит при низком Ic.

BF контролирует пиковое значение hFE, а XTB контролирует его изменение в зависимости от температуры.

BR управляет пиковым обратным hFE, т. Е. Реверсированием коллектора и эмиттера.

IKF и NK регулируют ток и скорость падения hFE при высоких токах коллектора.

IKR контролирует падение обратного hFE при больших токах эмиттера.

ISC и NC контролирует падение обратного hFE при малых токах.

RC, RB и RE добавляют к этим клеммам устройства последовательное сопротивление.

VAF управляет изменением тока коллектора с напряжением, когда транзистор работает в линейной области.

VAR — это обратная версия VAF.

CJC, VJC и MJC управляют Ccb и как они зависят от Vcb.

CJE, VJE и MJE контролируют Cbe Ccb и как это зависит от Veb.

TF контролирует Ft и скорость переключения.

TR управляет временем хранения переключения.

RCO, GAMMA, QUASIMOD контролируют область квазинасыщения.

Некоторые стандартные модели SPICE биполярных транзисторов могут не включать параметр, который позволяет BF, параметру hFE, изменяться в зависимости от температуры. Если XTB отсутствует, он по умолчанию равен нулю, например нет температурной зависимости. Если температурные эффекты hFE представляют интерес и XTB не моделируется, то для получения оценки или отправной точки для дальнейшего исследования можно использовать следующие значения:

Полярность XTB

НПН 1. 6

PNP 1,9

Предлагается изучить соответствующий профиль hFE из таблицы данных и создать тестовую схему SPICE, которая имитирует рассматриваемое устройство и генерирует набор кривых hFE. Двух или трех таких итераций обычно бывает достаточно для определения значения XTB в каждом случае.

Пожалуйста, помните, что эти примечания являются лишь приблизительным руководством в отношении влияния параметров модели. Кроме того, многие параметры взаимозависимы, поэтому настройка одного параметра может повлиять на многие характеристики устройства.

В компании Diodes мы пытались сделать модели максимально приближенными к реальным образцам, но некоторые компромиссы были вынуждены, что в некоторых случаях может привести к ошибкам моделирования. Основными ошибками, наблюдаемыми до сих пор, были:

ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПО ДИОДАМ

ДИОДЫ ВКЛЮЧЕНЫ И ЕГО ДОЧЕРНИЕ КОМПАНИИ (КОЛЛЕКТИВНО, «ДИОДЫ») ПРЕДОСТАВЛЯЮТ ДАННЫЕ МОДЕЛИ И ДАННЫЕ СПЕЦИЙ (КОЛЛЕКТИВНО) «И БЕЗ КАКИХ-ЛИБО ЗАЯВЛЕНИЙ ИЛИ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ВКЛЮЧАЯ ЛЮБЫЕ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ПРИГОДНОСТИ ИЛИ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ЛЮБОЙ ГАРАНТИИ, ВЫЯВЛЯЮЩЕЙСЯ ИЗ ГОДА ТОРГОВЛИ ИЛИ ГАРАНТИИ ПО ДАННЫМ ДАННЫХ, ИЛИ ЛЮБОЙ ГАРАНТИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ ДАННЫХ ИЛИ ЛЮБЫХ ГАРАНТИЙ. БЕСПЕРЕБОЙНЫЙ, ИЛИ ДАННЫЕ SM ИЛИ ЛЮБОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАННЫХ SM БУДЕТ БЕЗ ОШИБОК.В МАКСИМАЛЬНОЙ СТЕПЕНИ, РАЗРЕШЕННОЙ ЗАКОНОМ, НИ В КОЕМ СЛУЧАЕ ДИОДЫ НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА КАКИЕ-ЛИБО КОСВЕННЫЕ, СПЕЦИАЛЬНЫЕ, СЛУЧАЙНЫЕ, КАРАТЕЛЬНЫЕ ИЛИ КОСВЕННЫЕ УБЫТКИ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ИЛИ В СВЯЗИ С ПРОИЗВОДСТВОМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАННЫХ SM, ТАКОЕ ВЫЗВАННЫЕ И НЕ ПРИНИМАЮТСЯ ИЛИ ТЕОРИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ (ВКЛЮЧАЯ, БЕЗ ОГРАНИЧЕНИЙ, ПОД ЛЮБЫМ ДОГОВОРОМ, НЕБРЕЖНОСТЬЮ ИЛИ ДРУГИМИ ТЕОРИЯМИ ОТВЕТСТВЕННОСТИ), ДАЖЕ ЕСЛИ ДИОДЫ БЫЛИ ОБЪЯВЛЯЛИСЬ О ВОЗМОЖНОСТИ ТАКИХ ПОВРЕЖДЕНИЙ И ДРУГИХ ДИОДОВ В СООТВЕТСТВИИ С ДАННЫМИ ) В ОТНОШЕНИИ ДАННЫХ SM НЕ ПРЕВЫШАЕТ НИКАКИХ СУММ, ВЫПЛАЧЕННЫХ ВАМИ ЗА ДАННЫЕ SM.

Получая доступ, просматривая и / или загружая ДАННЫЕ SM, вы безоговорочно признаете и соглашаетесь с вышеуказанным «ОТКАЗОМ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ» DIODES.

Щелкните здесь для поиска моделей SPICE »

SPICE часто излишне оптимистичен в отношении hFE, которые транзистор дает при работе с номинальными токами, превышающими указанные в паспорте.