Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства биполярного транзистора: характСристики ΠΈ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ биполярный транзистор Π² качСствС усилитСля. КакиС ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ усилСния биполярного транзистора. Π§Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ усилСния Π² биполярном транзисторС

Биполярный транзистор способСн ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы благодаря своСй способности ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Основной характСристикой, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора, являСтся коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ξ²:

Ξ² = Ξ”IΠΊ / Ξ”IΠ±

Π“Π΄Π΅ Ξ”IΠΊ — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ξ”IΠ± — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.

Для соврСмСнных транзисторов Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ 100-500. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСбольшиС измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большиС измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора:

  • Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘)
  • Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ)
  • Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ОК)

КаТдая ΠΈΠ· этих схСм ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои особСнности ΠΈ области примСнСния.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Кi β‰ˆ 1
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Кu = 100-1000
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ (10-100 Ом)
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС высокоС (0.1-1 МОм)

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠžΠ‘ обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Π½ΠΎ Π½Π΅ усиливаСт Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² высокочастотных усилитСлях.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Кi = Ξ² = 100-500
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Кu = 100-1000
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС срСднСС (1-10 кОм)
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС срСднСС (10-100 кОм)

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОЭ обСспСчиваСт Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π΅ усилСниС ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. ЯвляСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнной.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с эмиттСра ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики:


  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Кi = Ξ²+1 β‰ˆ Ξ²
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Кu β‰ˆ 1
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС высокоС (10-100 кОм)
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ (10-100 Ом)

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОК (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ) Π½Π΅ усиливаСт напряТСниС, Π½ΠΎ обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ согласованиС высокоомного Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ усилСния транзистора

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ коэффициСнтами:

  1. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ: Ki = Ξ”IΠ²Ρ‹Ρ… / Ξ”IΠ²Ρ…
  2. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ: Ku = Ξ”UΠ²Ρ‹Ρ… / Ξ”UΠ²Ρ…
  3. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ мощности: Kp = Ki * Ku = PΠ²Ρ‹Ρ… / PΠ²Ρ…

Π“Π΄Π΅ Ξ”IΠ²Ρ‹Ρ…, Ξ”UΠ²Ρ‹Ρ…, PΠ²Ρ‹Ρ… — измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, напряТСния ΠΈ мощности; Ξ”IΠ²Ρ…, Ξ”UΠ²Ρ…, PΠ²Ρ… — измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, напряТСния ΠΈ мощности.

Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠΌ основныС характСристики Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора:

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠžΠ‘ΠžΠ­ΠžΠš
Kiβ‰ˆ1Ξ²Ξ²+1
Ku100-1000100-1000β‰ˆ1
RвхНизкоСБрСднССВысокоС
RвыхВысокоСБрСднССНизкоС

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ усилСния Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнной благодаря ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ прСимущСствам:


  • ВысокоС усилСниС ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
  • Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ значСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСний
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ транзистора
  • Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ сигнала Π½Π° 180Β°

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ усилСниС Π² схСмС ОЭ? Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал измСняСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Π² Ξ² Ρ€Π°Π·). ИзмСнСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ рСзисторС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈ являСтся усилСнным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом.

ЧастотныС свойства схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора

ЧастотныС свойства схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ:

  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠžΠ‘ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ частотныС характСристики
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОЭ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° Π½Π° высоких частотах ΠΈΠ·-Π·Π° эффСкта ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π°
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОК Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ частотным свойствам

На высоких частотах СмкостныС эффСкты Π² транзисторС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ, ограничивая усилСниС. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠžΠ‘ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ этим эффСктам, поэтому примСняСтся Π² высокочастотных усилитСлях.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ:


  • ΠžΠ‘ — для высокочастотных усилитСлСй напряТСния
  • ОЭ — ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма для усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния
  • ОК — для согласования высокоомных источников сигнала с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ часто ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ каскадноС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… схСмах для достиТСния ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик усилитСля.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

Биполярный транзистор являСтся эффСктивным ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом благодаря способности ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики усилСния для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром обСспСчиваСт Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π΅ усилСниС ΠΈ являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ.


Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства биполярного транзистора

⇐ ΠŸΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π°Ρ107108109110111112113114115116Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ β‡’

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСмя ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

— коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ;

— коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ;

— коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ мощности ,

Π³Π΄Π΅ — Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ значСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний.

Для расчСта ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора Π²ΠΎ всСх Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… схСмах Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π­Π”Π‘ для задания ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Π° Π²ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ — Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор RK, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ выдСляСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал (см. рис. 3.4-3.6).

Β 

3.5.1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠžΠ‘.

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (рис.3.4, Π°) Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ являСтся пСрСмСнная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра , создаваСмая Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм : , Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ – пСрСмСнная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° , поэтому коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ:

, (3. 21)

опрСдСляСтся коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра транзистора . Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, схСма с ΠžΠ‘ Π½Π΅ являСтся усилитСлСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся нСдостатком этой схСмы.

Β 

Β 

Β 

Β 

Рис. 3.4. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ΠžΠ‘ Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад (Π°) ΠΈ эквивалСнтная схСма ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (Π±).

Β 

Рассмотрим Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ . Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, выдСляСмоС Π½Π° эквивалСнтном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии транзистора ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° . На рисункС 3.4, Π± ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° эквивалСнтная схСма Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора. Из эквивалСнтной схСмы Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RK Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ

Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ транзистора Π² схСмС с ΠžΠ‘:

. (3.22)

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС опрСдСлится Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ .

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС выдСляСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии транзистора: ,

Π³Π΄Π΅ (3. 23)

называСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм транзистора Π² схСмС с ΠžΠ‘. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ (3.22) ΠΈ (3.23) ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ:

. (3.24)

Β 

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ для ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ влияния сопротивлСния Π½Π° ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· условия . Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ опрСдСляСтся сопротивлСниСм ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнного ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ извСстно, составляСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 106 Ом. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° сопротивлСниС RK ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ порядка 104 Ом. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора опрСдСляСтся сопротивлСниСм прямо смСщСнного эмиттСрного

Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ составляСт ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 102 Ом. Учитывая всС это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π² схСмС с ΠžΠ‘

Β 

ΠΈ составляСт сотни Ρ€Π°Π·. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, схСма с ΠžΠ‘ являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ усилитСлСм ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎ мощности, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ .

МалоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ большоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сопротивлСний схСмы с ΠžΠ‘ являСтся Π΅Π³ΠΎ сущСствСнным нСдостатком.

Π₯отя схСма с ΠžΠ‘ ΠΈ Π½Π΅ усиливаСт ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ большим Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниями, ΠΎΠ½Π°, ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π΄Π°Π»Π΅Π΅, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ частотными ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обуславливаСт Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅.

Β 

3.5.2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОЭ

Π­Ρ‚Π° схСма, привСдСнная Π½Π° рисункС 3.5, являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнной, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со схСмой с ΠžΠ‘ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами.

Β 

Рис. 3.5. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ОЭ Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад.

Β 

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ являСтся пСрСмСнная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ , Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ – Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° , поэтому коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ:

, (3.25)

Ρ‚.Π΅. опрСдСляСтся коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ составляСт дСсятки ΠΈ сотни.

Аналогично схСмС с ΠžΠ‘, для коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

, (3. 26)

Π³Π΄Π΅ (3.27)

называСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм транзистора Π² схСмС с ОЭ, Π° (3.28) называСтся Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм транзистора Π² схСмС с ОЭ. Π—Π½Π°ΠΊ «минус» Π² (3.26) ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² схСмС с ОЭ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Учитывая (3.27), (3.23) ΠΈ (3.14) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ

, (3.29)

Ρ‚.Π΅. Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниСтранзистора Π² схСмС с ОЭ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² схСмС с ΠžΠ‘ ΠΈ составляСт ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΎΠΌΡ‹.

Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора Π² схСмС с ОЭ , Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, сущСствСнно Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со схСмой с ОЭ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 105 Ом. МоТно ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ . (3.30)

Для выполнСния условия , сопротивлСниС RK Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ порядка 103 Ом. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° , Ρ‚.Π΅ опрСдСляСтся коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ составляСт сотни Ρ€Π°Π· ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² схСмС с ΠžΠ‘.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ мощности составит Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ порядка 104 ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅Ρ€Π°Π·. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, достоинством схСмы с ОЭ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ высокий коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности.

НСдостатком этой схСмы ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠžΠ‘ являСтся Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠΈΠ΅ частотныС ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ свойства. НиТС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ (см. Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» 7.1), Ρ‡Ρ‚ΠΎ с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала усилСниС Π² схСмС с ОЭ сниТаСтся Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большСй стСпСни, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² схСмС с ΠžΠ‘. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π² схСмС с ОЭ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ сильно зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (см. Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» 6.4), Ρ‡Ρ‚ΠΎ обусловлСн большим ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² этой схСмС.

Β 

Β 

3.5.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОК

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ вмСсто схСмы 3.2, Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ОК, привСдСнная Π½Π° рисункС 3.6. Π’ этой схСмС, Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора являСтся ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ источник смСщСния VЭК ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ практичСски являСтся ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌ. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ этой схСмы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² схСмах с ΠžΠ‘ ΠΈ ОЭ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ схСмы рисунка 3. 2, Π², осущСствляСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом.

Β 

Β 

Рис. 3.6. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ОК Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад.

Β 

Из рисунка 3.6 слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ пСрСдаСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ, поэтому, Π² этой схСмС дСйствуСт сильная ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь. Из Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π° для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ суммС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния:

. (3.31)

Из (3.31) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ схСмы с ОК

, (3.32)

Ρ‚.Π΅ схСма с ОК Π½Π΅ усиливаСт ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся нСдостатком этой схСмы. Π’ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах UΠ‘Π­ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС , поэтому КU Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅.

Π—Π°Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² этой схСмС

(3.33)

Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, схСма с ОК являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ усилитСлСм ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ мощности практичСски Ρ€Π°Π²Π΅Π½ коэффициСнту усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‚.Π΅. схСма с ОК Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ усиливаСт ΠΈ ΠΏΠΎ мощности.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ОК

(3.34)

составляСт дСсятки кОм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ достоинством схСмы. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² (3.34) ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ опрСдСляСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора Π² схСмС с ОЭ ΠΈ составляСт Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ кОм, Π° вторая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π² (3.34), учитывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ , дСсятки Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ОЭ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ОК, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшоС ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ расчСты, составляСт сотни Ом.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОК, благодаря сильной ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высокой ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², высокой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся достоинством схСмы. Часто схСму с ОК Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС практичСски Π±Π΅Π· искаТСний повторяСтся Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОК Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² качСствС усилитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ мощности ΠΈ благодаря высокому Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ сопротивлСниям примСняСтся для мСТкаскадного согласования ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² многокаскадных схСмах. Однако отсутствиС усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ практичСскоС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ этой схСмы ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со схСмами с ΠžΠ‘ ΠΈ, особСнно, с ОЭ.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ вопросы

1. НарисуйтС структуру биполярного транзистора.

2. НазовитС схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

3. Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ коэффициСнт ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ коэффициСнт пСрСноса носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ зависят ΠΎΡ‚ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктричСской проводимости областСй транзистора?

4. КакиС ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ эмиттСра, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ биполярного транзистора?

5. ΠΠ°ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ выраТСния, ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ биполярного транзистора.

6. Π—Π° счСт Ρ‡Π΅Π³ΠΎ происходит усилСниС ΠΏΠΎ мощности Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π² схСмС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ?

7. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств транзистора Π² схСмах с ΠžΠ‘, ОЭ ΠΈ ОК.

Β 

⇐ ΠŸΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π°Ρ107108109110111112113114115116Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ β‡’

ΠŸΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡΠΌΠΈ:


Π”Π°Ρ‚Π° добавлСния: 2015-05-06; ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠ²: 6364; ΠΠ°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ авторских ΠΏΡ€Π°Π²?; ΠœΡ‹ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π² написании вашСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹!


Нам Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ вашС ΠΌΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅! Π‘Ρ‹Π» Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»? Π”Π° | НСт



Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора

2006-10-22 00:13 (0)

Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использована для усилСния элСктричСских сигналов. ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния силы Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° постоянная, называСмая ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° :

Для транзисторов Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого коэффициСнта Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 15β€”20 Π΄ΠΎ 200β€”500. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, вызывая ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ-Ρ‚ΠΎ способом измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π² дСсятки ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² сотни Ρ€Π°Π· большиС измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ , связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IK ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора ΠΏΠΎ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 135 (схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром), ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ являСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ измСнСнию Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° . Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ называСтся коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠšΡ‚:

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ B Ρƒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ значСния ΠΎΡ‚ ~ 20 Π΄ΠΎ ~ 500 , элСктричСская схСма с использованиСм ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² дСсятки ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ сотни Ρ€Π°Π·.

Для усилСния сигнала ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ рСзистор RΠΊ, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСского сопротивлСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитано для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ случая.

ИзмСнСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Β  ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этого измСнСния напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ измСнСнию напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ называСтся коэффициСнтом усилСния каскада ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Кн :

ИзмСнСниСм Π·Π½Π°ΠΊΠ° напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзистора. Π’ качСствС бСсконтактных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ… автоматичСского управлСния, элСктронных Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Π°Ρ….

Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ

  • Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°. Π‘ΠΆΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°.

    2020-05-23

  • Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ элСктричСство? | ПРОБВО Π€Π˜Π—Π˜ΠšΠ с АлСксССм Π˜Π²Π°Π½Ρ‡Π΅Π½ΠΊΠΎ

    2020-05-23

  • ΠšΡƒΡ€Ρ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΊ Π•Π“Π­.

    Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°. Π£Ρ€ΠΎΠΊ β„–1 ΠšΠΈΠ½Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ° Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ двиТСния

    2018-12-22

  • БатавскиС слСзки — ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Ρ‹

    2017-12-15

  • Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Ρ‹Ρ‡Π°Π³ — физичСскиС ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Ρ‹

    2017-12-15

  • Π‘Π΅ΠΊΡ€Π΅Ρ‚ Π–Πš-ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€Π° — поляризационная ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°

    2017-12-15

  • ЛАЗЕР Π’ Π’ΠžΠ”Π• — физичСскиС ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Ρ‹

    2017-12-15

  • Π­Π›Π•ΠšΠ’Π ΠžΠ₯РОМНАЯ ΠŸΠ›Π•ΠΠšΠ с токопроводящим слоСм ΠΈ ТидкокристалличСской основой

    2017-12-15

  • Π£Ρ€ΠΎΠΊ ΠΈΠ· космоса.Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° нСвСсомости

    2017-12-12

  • ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ноль — погоня Π·Π° Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»Ρ‘ΠΌ

    2017-12-12

транзисторов — Π’ΠΈΠΏΡ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала BJT

спросил

ИзмСнСно 2 Π³ΠΎΠ΄Π°, 6 мСсяцСв Π½Π°Π·Π°Π΄

ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΎ 203 Ρ€Π°Π·Π°

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Какой сигнал ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора? Π­Ρ‚ΠΎ сигнал Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ сигнал напряТСния? Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (усилСнный) сигнал ΠΌΡ‹ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅ΠΌ? Π­Ρ‚ΠΎ сигнал Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ напряТСния?

Они сказали, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ коэффициСнту усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, поэтому каТСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² качСствС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ источник напряТСния (AC) для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ сигнала?

  • транзисторы
  • Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³
  • Π±Π΄ΠΆΡ‚
\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

4

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

(прСдполагая слабыС сигналы)

Если Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ любоС напряТСниС, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Если Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ источник напряТСния, Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ напряТСниС, ΠΈ характСристики транзистора ΠΈ импСданс эмиттСра Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ вмСстС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Β«Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ допускаСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² соотвСтствии с коэффициСнтом Π±Π΅Ρ‚Π° (ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, A/A) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ (gm, ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, A/V).

Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ (Rc) ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ напряТСниС Vc Π² соотвСтствии с этим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ic.

Vc = ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ — Ic * Rc.

НСт Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ = Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ * Π±Π΅Ρ‚Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ = Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм * ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ: это просто Π²ΠΈΠ΄ спСрСди ΠΈ Π²ΠΈΠ΄ сбоку Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ Π»ΠΈΡ†ΠΎ.

(Π‘ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ссли напряТСниС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π½Π° ΡˆΠΈΠ½Π°Ρ… питания, становится грязно. Π˜Π³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΈΡ…, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ слабого сигнала)

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

2

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Биполярный транзистор ΠΏΠΎ сути являСтся усилитСлСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. НапряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эти Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ. Π’ частности, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ обСспСчиваСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом, поэтому Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π°-Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅.

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ часто ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор для прСобразования сигнала ΠΈΠ·/Π² напряТСниС.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

5

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Вопрос: « Основной вопрос, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ я Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π» Π±Ρ‹ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ сигнал ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора? Π­Ρ‚ΠΎ сигнал Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ сигнал напряТСния? »

  • Когда Π²Ρ‹ ΡΠΏΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚Π΅, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ сигнала (напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) «ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ» — ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚: Как Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅. ΠœΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚ΠΎ, ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅.

  • Однако, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор (физичСски), это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚: Π Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ic Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ib ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Vbe (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ B ΠΈ E)? Π’ этом случаС ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²: биполярный транзистор β€” это устройство, управляСмоС напряТСниСм.

  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ тСорСтичСскими, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ практичСскими сообраТСниями. НСсколько наблюдСний ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ эту Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ зрСния. Но слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… расчСтов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ транзисторных каскадов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ic=(B*Ib), ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ всСгда Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Ib. Но ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ic=(B * Ib) являСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ коррСляционным ΠΈ Π½Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π½ΠΎ-слСдствСнного слСдствия.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

11

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ Π² систСму

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Google

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Facebook

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ адрСс элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ отобраТаСтся

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½Π΅ отобраТаСтся

НаТимая Β«ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свой ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Β», Π²Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡˆΠ°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ с нашими условиями обслуТивания ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π»ΠΈ ΠΈ поняли Π½Π°ΡˆΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ кодСкс повСдСния.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ вопросы ΠΎ транзисторном усилСнии

Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° я Π½Π°Ρ‡Π½Ρƒ с опрСдСлСния усилСния. Π’ самом ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС усилСниС β€” это просто ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ (хотя ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго). Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, большоС ΠΈΠ»ΠΈ малСнькоС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΠΊ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ значСниям усилСния:

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ (ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ваш вопрос) это \$ \beta\$. Он опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ \$ \beta= \frac {I_c} {I_b} \$, Π³Π΄Π΅ \$I_c\$ β€” это Ρ‚ΠΎΠΊ, входящий Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π° \$I_b\$ β€” это Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Ρƒ. Если ΠΌΡ‹ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ \$I_c=\beta I_b\$, которая являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ. Из-Π·Π° этой Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ люди говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор «усиливаСт» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹.

Как это связано с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ эмиттСра? Π£ нас Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° \$I_c+I_b+I_e=0\$. Когда ΠΌΡ‹ объСдиняСм эту Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ со Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ \$\beta I_b + I_b + I_e=0\$. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΊΠ°ΠΊ \$-I_e=\beta I_b + I_b= I_b (\beta + 1)\$ (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ \$ I_e\$ — это Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр, поэтому ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ).

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ \$\beta\$ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ инструмСнт Π² расчСтах, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ эмиттСра транзистора. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ \$\beta\$ находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ сотСн Π΄ΠΎ тысяч, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ «малСнький» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ «усиливаСтся» Π² «большой» Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, создаСт «большой» Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра). ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ я Π½Π΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ» ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ…-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π°Ρ… Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнт Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. МоТно просто ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρƒ ΠΊ постоянному постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. Если трСбуСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, это происходит Π½Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° транзистора, Π° ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части схСмы, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΎ называСтся \$ \alpha\$. Π’ΠΎΡ‚ Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅: \$ \alpha = \frac {I_c} {I_e} \$. Когда ΠΌΡ‹ пСрСставим это, ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ \$I_c= \alpha I_e\$. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, \$ \alpha\$ — это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ усиливаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра для получСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ этом случаС усилСниС фактичСски Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΌ мСньший Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ (хотя Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ \$\alpha\$ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ 1, Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ 0,98 ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅), ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ, выходящий ΠΈΠ· транзистора, Ρ€Π°Π²Π΅Π½ суммС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ я Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ расскаТу ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор усиливаСт напряТСниС ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘Π΅ΠΊΡ€Π΅Ρ‚ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚! Π‘Π°ΠΌ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ прСдставляСт собой Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ схСму, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ свойства транзистора. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ·Π΅Π» ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ·Π΅Π». УсилСниС напряТСния прСдставляСт собой ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими ΡƒΠ·Π»Π°ΠΌΠΈ \$A_v = \frac {V_{out}}{V_{in}}\$. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС прСдставляСт собой ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими двумя ΡƒΠ·Π»Π°ΠΌΠΈ: \$ A_i=\frac {I_{out}}{I_{in}}\$.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *