Полупроводниковые компоненты Onelec.ru
| 02N06ZG-AL3-R(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе SOT-323. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 02N50G-TM3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-251. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 02N50L-TM3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-251. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20G-TM3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-251. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20G-TN3-R(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20G-TN3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20L-TM3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-251. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20L-TN3-R(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 100N20L-TN3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10A10 (10A 1000V)(Ruichi) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ015TR(Hottech) 1A15V Диод Шоттки 15В 1А SMB | Срок: 5 дней Склад: 371 штука | 8,60 ₽ от 1 шт. | 6,70 ₽ от 277 шт. | 5,56 ₽ от 554 шт. | 4,87 ₽ от 1108 шт. | 4,49 ₽ от 2215 шт. | итого 8,60 ₽ | ||
| 10BQ015TRPBF(Vishay — IR) DIODE, SCHOTTKY, 1A, 15V, SMB Schottky diode [Vishay] 10BQ015TRPBF Schottky diode 10BQ015PbF Seri… | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10BQ030(Vishay) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ030(ECE Excel Cell) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ040(Vishay) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ040(Vishay — IR) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10BQ040PBF(WUXI XUYANG) SMB (DO214AA) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ040TRPBF(ECE Excel Cell) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ060(EIC SEMICONDUCTOR) Диод Шоттки 60В 1А | Срок: 1 день Склад: 4141 штука | Товар в наличии на складе. | итого 7,50 ₽ | ||||||
| 10BQ060(ECE Excel Cell) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10BQ060TRPBF(Vishay) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ100(Hottech) 10BQ100, барьерный диод Шоттки, 100В, 1А [SMB (DO-214AA)] = VS-10BQ100TRPBFдиоды Шотткидиоды Шотт… | Срок: 1 день Склад: 15 штук | Товар в наличии на складе. Цену уточняйте у менеджера. | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ100(EIC SEMICONDUCTOR) DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB SMB. | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10BQ100PBF(Vishay — IR) 10BQ100PbF Series 100 V 1 A Surface Mount Schottky Rectifier — SMB Diode Schottky 100V 1A 2-Pin S… | Срок: 1 день Склад: 8 штук | Товар в наличии на складе. Цену уточняйте у менеджера. | итого цена по запросу | ||||||
| 10CTQ150(IR) | Срок: 1 день Склад: 5 штук | Товар в наличии на складе. Цену уточняйте у менеджера. | итого 38,02 ₽ | ||||||
| 10CTQ150(WUXI XUYANG) TO-220AB | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10CTQ150(Infineon Technologies AG) Diode Rectifier 10CTQ150 INTERNATIONAL RECTIFIER Ampere=10 V=150 TO220 Diode Schottky 150V 10A 3-. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10CTQ150PBF(WUXI XUYANG) TO-220AB | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10CTQ150PBF(IR) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10CTQ150PBF(Infineon Technologies AG) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10DF8(Vishay) | Срок доставки – по запросу | 2,32 ₽ от 1 шт. | итого 2,32 ₽ | ||||||
| 10DF8(Vishay — IR) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10DF8 (аналог STTh208 DO-41)(NIEC) | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10MQ040N(Vishay) Rectifier Diode Schottky 40V 1.5A 2-Pin SMA Box | Срок: 1 день Склад: 5 штук | Товар в наличии на складе. | итого 5,18 ₽ | ||||||
| 10MQ040N(Vishay — IR) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10MQ060N(Vishay) | Срок доставки – по запросу | 7,02 ₽ от 1 шт. | итого 7,02 ₽ | ||||||
| 10MQ060N(Vishay — IR) Diode Schottky 60V 1.5A 2-Pin SMA Box | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10MQ100N(Vishay) Rectifier Diode Schottky 100V 1.5A 2-Pin SMA Box | Срок доставки – по запросу | 4,70 ₽ от 1 шт. | итого 4,70 ₽ | ||||||
| 10MQ100N(ONS) | Срок доставки – по запросу | 5,49 ₽ от 1 шт. | итого 5,49 ₽ | ||||||
| 10MQ100N(Vishay — IR) Выпрямительный диод Шоттки быстродействующий в корпусе SMA. Rectifier Diode Schottky 100V 1.5A 2-… | Срок доставки – по запросу | Цена – по запросу | итого цена по запросу | ||||||
| 10MQ100N(ON Semiconductor) | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15G-TA3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-220. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15G-TF1-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-220F1. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15G-TN3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15L-TA3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-220. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15L-TF1-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-220F1. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N15L-TN3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безсвинцовое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N30G-TA3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-220. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N30G-TN3-R(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безгалогеновое исполнение. Мощный МОП-транзистор в корпус… | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
| 10N30G-TN3-T(Unisonic) Мощный МОП-транзистор в корпусе TO-252. Безгалогеновое исполнение. | Срок поставки и цена – по запросу | ||||||||
Цену уточняйте у менеджера.
..
Цену уточняйте у менеджера.
Безгалогеновое исполнение.
Безгалогеновое исполнение.Корпус
Изоляция
Рабочий ток
U раб.
Количество выводов
Обратное напряжение
Тепловое сопротивление
Схема включения
Монтаж
N диодов
Ном. ток
U пит.
IDC max.
Максимально допустимый действующий прямой ток
Индуктивность
Максимальная рабочая температура перехода
E расс.
I ср.
I упр. выкл.
Тип
Вход
Класс воспламеняемости
Тип
R1
R откр.
Время термального срабатывания выключения
P имп..jpg)
max.
Тип
U макс. затвора
U повтор. имп. обр. закр.
I к. макс. 25°C
Вес
Емкость
Монтаж
Максимальный импульсный ток
Ширина
Высота
Кол-во в упаковке
Импеданс
V RRM
U откр.
I откр.
Корпус
Граничная частота
Корпус
Корпус
U стаб.
U проб.
U огр.
Тип
U макс. сток-исток
Ток стока имп.
R сток-исток откр.
Заряд затвора
Скорость
U прям.
I к. макс. 100°C
Длина
I прям.
I макс. имп. пр.
Потребляемая мощность
R2
T раб.
Температура хранения
Тип упаковки
Выходной ток в выключенном состоянии
I б.
U кэ макс
U эб
Обратный ток
Время включения
Время нарастания
Время выключения
I э
U кэ
Ток утечки
I утечки обр.
Ток ожидания
I стаб.
Время восстановления
I к.
Время спада
W расс.
I к.
/ I б.
U кб
I упр. вкл.
I cтока пост.
Импортозамещение
Перечень импортируемых товарных позиций ОАО «Экран», рекомендованных для освоения малому и среднему бизнесу на территории Республики Беларусь
|
№ п/п |
Наименование товаров иностранного производства |
10-ти значный код ТНВЭД |
Ориентировочная годовая потребность |
|
|
Кол-во |
Ед.изм. |
|||
|
1 |
Микросхемы: МСР2004-Е/SN МСР3008-I/SL PIC24EP12GP806 |
8542399010 |
1000 |
шт. |
|
2 |
Полупроводники: SMB10G40A BAT54S 10MQ060N SQM40031EL |
8541100009 |
1000 |
шт. |
|
3 |
Конденсаторы О805 |
8532240000 |
1000 |
шт. |
|
4 |
Резисторы 0805 |
8533100000 |
1000 |
шт. |
Контактное лицо для получения технической информации: Оскерко Виктор Иосифович + 375 (177) 79-77-64, факс 79-77-66
_________________________________________________________________________________________
Перечень импортируемых товарных позиций ОАО «БАТЭ», рекомендованных для освоения малому и среднему бизнесу на территории Республики Беларусь
|
№ п/п |
Наименование товаров иностранного производства |
10-ти значный код ТНВЭД |
Ориентировочная годовая потребность |
|
|
Кол-во |
Ед. |
|||
|
1 |
Кольцо бандажное 5112.3708253 |
8511900009 |
47856 |
шт. |
|
2 |
Кольцо бандажное 5112.3708253-10 |
8511900009 |
47856 |
шт. |
|
3 |
Шпилька 5112. |
7318153009 |
95712 |
шт. |
|
4 |
Пружина 5404.3708304 |
7320901000 |
294192 |
шт. |
|
5 |
Шпилька 5112.3708003-20 |
7318153009 |
34296 |
шт. |
|
6 |
Шпилька 5112.3708003-10 |
7318153009 |
3600 |
шт. |
|
7 |
Половина ротора 32.3771 212 |
8511900009 |
120000 |
шт. |
|
8 |
Ось 5404. |
8483908909 |
216000 |
шт. |
|
9 |
Шкив RU.V — 3272.3771.051-10/1 |
8483508000 |
— |
— |
|
10 |
Шкив RU.V — 3272.3771.051 |
8483500000 |
23000 |
шт. |
|
11 |
Пружина 5404.3708614-TS |
7320901000 |
360000 |
шт. |
|
12 |
Пружина 5404.3708603 |
7320901000 |
240000 |
шт. |
изм.
3708003
3708 512
Контактное лицо для получения технической информации: главный конструктор — начальник УКЭР Хацкевич Алексей Николаевич, тел.
8 (0177) 70-90-27, e-mail: [email protected].
10MQ060N, техническое описание — дискретный диод Шоттки, 60 В, 1,5 А, в корпусе Sma
Где купить
| Функции, области применения |
Выпрямитель Шоттки для поверхностного монтажа 10MQ060N был разработан для приложений, требующих малого прямого падения и очень малой занимаемой площади на печатных платах. Контур SMA Аналогичен D-64 Размеры в миллиметрах и (дюймах) Рекомендованные размеры и методы пайки см. в примечаниях по применению № AN-994 ВР Макс. Обратное напряжение постоянного тока (В) 60 VRWM Макс. Рабочее пиковое обратное напряжение (В)IF(AV) Макс. Средний прямой ток * См. рис. 4 IFSM EAS IAR Макс. Пиковый неповторяющийся бросок тока за один цикл * См. рис. 6 Неповторяющийся лавинный ток Повторяющийся лавинный ток Рабочий цикл 50 % = 120 C, прямоугольная форма волны. На печатной плате остров 9 мм2 (площадь медной площадки толщиной 0,013 мм) 5s Sine или 3s Rect. импульс 10 мс синусоидальный или 6 мс прямоугольный. VF(TO) Пороговое напряжение CT LS Сопротивление прямого спада Типичная емкость перехода Типичная последовательная индуктивность = 25°C, тестовый сигнал = 1 МГц Измеренный вывод до 5 мм от корпуса корпуса (номинальный VR)RthJA Макс. Масса теплового сопротивления перехода к окружающей среде Приблизительный вес Тип корпуса Маркировка устройства Рис. 2 — Типичный пиковый обратный ток в сравнении с Обратное напряжение Рис. 1 — Характеристики максимального падения прямого напряжения Рис. 3 — Типичная емкость перехода в зависимости от. Обратное напряжение |
Типичными приложениями являются дисковые накопители, импульсные источники питания, преобразователи, обратные диоды, зарядка аккумуляторов и защита от переполюсовки аккумуляторов. Небольшая занимаемая площадь, возможность монтажа на поверхность Низкое прямое падение напряжения Работа на высокой частоте Защитное кольцо для повышенной прочности и надежности в течение длительного времени
импульс = 25 C, IAS = 4 мГн При любой номинальной нагрузке и при номинальном VRRM
| Связанные продукты с тем же паспортом |
| 10MQ060NTR |
| Некоторые номера деталей того же производителя International Rectifier Corp. |
| 10MQ060NTR Дискретный диод Шоттки 60 В 1,5 А в корпусе Sma |
| 10MQ100N 100 В 1,5 А Дискретный диод Шоттки в корпусе Sma |
| 10RIA Серия 10ria, 16ria, 22ria, 25ria Стекло пассивированное SCR |
| 10RIA10 100 В, 10 А, тиристор управления фазой в корпусе TO-208AA (TO-48) |
| 10TQ Выпрямитель Шоттки 10 А |
| 10TQ035 Дискретный диод Шоттки 35 В 10 А в корпусе TO-220AC |
| 10TTS08 800 В, 6,5 А, тиристор с фазовым управлением в корпусе TO-220 |
| 10TTS08S 800 В, 6,5 А, тиристор с фазовым управлением в корпусе D2-Pak |
| 10WQ045FN Дискретный диод Шоттки 45 В, 10 А в корпусе D-pak |
| 10YQ045 Высококачественный дискретный диод Шоттки, 10 А, 45 В, в корпусе TO-257AA |
| 10YQ045C |
| 110CNQ045A 45V 110A Диод Шоттки с общим катодом в корпусе D61-8 |
110MT080KB Трехфазные мостовые силовые модули серии Mt. .kb |
| 110MT100KB 1000 В 3-фазный мост в упаковке Int-a-pak |
| 110MT100KB Серии Mt..kb Трехфазные силовые модули моста |
| 110MT120KB 1000 В 3-фазный мост в упаковке Int-a-pak |
| 110MT120KB Серии трехфазных мостовых силовых модулей Mt..kb |
| 110MT140KB 1000 В 3-фазный мост в упаковке Int-a-pak |
| 110MT140KB Трехфазные силовые модули моста серии Mt..kb |
| 110MT160KB 1000 В 3-фазный мост в упаковке Int-a-pak |
| 110MT160KB Трехфазные мостовые силовые модули серии Mt..kb |
80CNQ035 : Выпрямитель Шоттки от 5 до 100 А IRKV250-16: 400 В, 250 А, тиристор/тиристор с управлением фазой и общим анодом с центральным отводом в корпусе Magn-a-pak SD500R30MSC : Стандартный восстановительный диод 8EWF12STRPBF : Диод восстановления FAST SOFT для поверхностного монтажа IRF711PBF: 2 А, 350 В, 3,6 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 350 вольт; RDS(вкл. IRKKF180-08DKS20: 282,6 А, 200 В, SCR Технические характеристики: Тип тиристора: SCR; Количество выводов: 5; ВДРМ: 200 вольт; ВРРМ: 200 вольт; ИТ (RMS): 283 ампер OM11N55CSAZ: 11 А, 550 В, 0,44 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 550 вольт; RDS(вкл.): 0,4400 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧНАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ УПАКОВКА-3 ; Количество единиц в IC: 1 OM5224CRAV : 12 A, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-254AA Технические характеристики: Расположение: Общий анод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, ЭФФЕКТИВНОСТЬ; ЕСЛИ: 12000 мА; Упаковка: ГЕРМЕТИЧНАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-254АА, 3 PIN ; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2 Ph250F280-5: 1-ВЫХОДНОЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ РЕГИСТРАЦИОННОГО ПИТАНИЯ 150 Вт DC-DC Технические характеристики: Выходное напряжение: от 6 до 18 вольт; Входное напряжение: от 200 до 400 вольт; Выходная мощность: 150 Вт (0,2010 л. |
): 3,6 Ом; Количество единиц в IC: 1
с.)| Та же категория |
2SC1827 : NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор (усилитель мощности низкой частоты). Характеристика Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора (DC) Рассеивание коллектора (Tc=25) Температура перехода Температура хранения Обозначение VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg Номинальная единица измерения Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера DC Усиление тока Коллектор- Коэффициент усиления по напряжению насыщения эмиттера. 2SD1194 : Планарный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN, приложение драйвера. Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы Дарлингтона PNP/NPN Применение Драйверы двигателей, драйверы молотков для принтеров, драйверы реле, регуляторы напряжения. Высокий коэффициент усиления по постоянному току. Высокая токовая нагрузка и широкий АСО. Низкое напряжение насыщения. s Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер-база Коллектор тока. 2SD1545 : Планарный кремниевый транзистор с тройным рассеиванием NPN (для цветного телевидения с горизонтальным выходом). 2SK2759-01R : N-канальный МОП-транзистор. ATF-10236 : 0,5–12 ГГц, низкий уровень шума, арсенид галлия, Fet. Низкий уровень шума: 0,8 дБ, тип. на 4 ГГц Низкое смещение: VDS 2 В, IDS = 20 мА Высокий связанный коэффициент усиления: 13,0 дБ, тип. на 4 ГГц Высокая выходная мощность: 20,0 дБм, тип. на 4 ГГц Экономичный керамический микрополосковый корпус Лента-и- Доступен вариант упаковки на катушках [1] Это высокоэффективный полевой транзистор Шоттки с барьерным затвором на основе арсенида галлия, который стоит недорого. БСМ25ГБ120ДН2 : . Полумост Включая быстродействующие обратные диоды Корпус с изолированной металлической пластиной Тип BSM 120 DN2 Максимальные номинальные параметры Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-затвор RGE 20 кОм Напряжение затвор-эмиттер Постоянный ток коллектора 80 C Импульсный ток коллектора, 80 C Рассеиваемая мощность на IGBT 25 C Температура кристалла Температура хранения Тепловое сопротивление,. BU2520D : BU2520D; Кремниевый силовой транзистор с рассеянным светом. Высоковольтный быстродействующий переключающий npn-транзистор нового поколения со встроенным демпферным диодом в пластиковом корпусе, предназначенный для использования в схемах горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников с большим экраном. СИМВОЛ VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat ICsat VF tf ПАРАМЕТР Пиковое значение напряжения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (открытая база) Коллектор. BUT92 : Доступные параметры скрининга = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = ТО3 (ТО204АЕ) ;; Vceo = 250В ;; IC(cont) = 50А ;; HFE(мин) = 20 ;; HFE(max) = 120 ;; @ Vce/ic = 4В/5А ;; FT = 8 МГц ;; ПД = 250 Вт. BUV20 : Сильноточный кремниевый транзистор NPN. STMicroelectronics ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЙ ТИП ТРАНЗИСТОРА NPN ВЫСОКОТОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ БЫСТРАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКАЯ ПРОЧНОСТЬ ПРИМЕНЕНИЕ ЛИНЕЙНОЕ И КОММУТАЦИОННОЕ ПРОМЫШЛЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ РЕГУЛЯТОРЫ КОММУТАЦИИ BUV20 представляет собой кремниевый мультиэпитаксиальный планарный NPN-транзистор, смонтированный в металлическом корпусе jedec TO-3. MA423 : Диодная матрица. Быстродействующие диодные матрицы относятся к стандартной серии NICHICON. Они объединены для удобного использования как для двоичной, так и для десятичной системы. Высокоскоростная серия идеально подходит для компьютерной периферии, плат управления и обычных электронных устройств. Эти серии есть в наличии для оперативной доставки. Любые специальные требования с конкретными цепями заказчика. S1YB20 : Выпрямители общего назначения/ DIP-мосты. Небольшой корпус Dual In-Line(:DIL) Высокая надежность с превосходной влагостойкостью Применимо к автоматической вставке ПРИМЕНЕНИЕ Импульсный источник питания Бытовая техника, оргтехника Телекоммуникации, автоматизация производства Абсолютные максимальные значения (если не указано Tl=25) Пункт Символ Условия Tstg Температура хранения Tj Рабочая температура перехода. C512B : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 50; 100; 200 В, КРЕПЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТИЕ. KA4A3Q-AZ : 100 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: УСМ, СК-75, 3 ПИН. 16CE10GA : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 16 В, 10 мкФ, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТЬ. s: Соответствует RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 10 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 16 вольт; Ток утечки: 3 мкА; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 105 C (от -67 до 221 F). 1N5819CSM4-JQR : 1 А, 40 В, КРЕМНИЕВЫЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, MO-041BA. s: Упаковка: ГЕРМЕТИЧНАЯ, КЕРАМИЧЕСКАЯ, LCC3-4; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1000 мА. 39D105F450EE4 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 450 В, 1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. 4C2002 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ от ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 20000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Радиальные выводы, РАДИАЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ; Диапазон сопротивления: 20000 Ом; Допуск: 10 +/- %; Рабочая температура: от -55 до 150 C (от -67 до 302 F). 51034 : ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЙ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Телекоммуникации; Монтаж: Чип-трансформер. 74453112 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 12 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль руководства: ОДНА ПОВЕРХНОСТЬ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 12 мкГн; Номинальный постоянный ток: 1100 мА; Операционная. |
Он предназначен для использования в коммутационных и линейных приложениях в военных целях.
s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).
s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: алюминиевые электролитические ; : поляризованный; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 50 (+/- %); WVDC: 450 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Операционная.
10MQ060N DO-214AC (SMA) ДИОД ШОТТКИ 60В 1,5А D-64
10MQ060N DO-214AC (SMA) ДИОД ШОТТКИ 60В 1,5А D-64
ОписаниеОтзывыДоставкаЧасто задаваемые вопросы
| 10MQ060N Описание Технический паспорт | |
| Тип диода | Шоттки |
| Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.) | 60В |
| Текущий — средний выпрямленный (Io) | 2.1А |
| Напряжение — прямое (Vf) (макс.) при | 710 мВ при 1,5 А |
| Скорость | Быстрое восстановление = 200 мА (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | — |
| Ток — обратная утечка @ Vr | 500 мкА при 60 В |
| Емкость @ Vr F | — |
| Тип крепления | Поверхностный монтаж |
| Комплект поставки устройства | ДО-214АС (СМА) |
| Метод | Перевозчик | Страна | Время доставки |
| Стандартный Доставка | ПОЧТА ГОНКОНГА | Азия | 7-15 дней |
| Основные страны Европы и Америки | 15-20 дней | ||
| Другая страна | 18-35 дней | ||
| Бразилия, Аргентина, Россия, Мексика | 30-40 дней | ||
| Почта Сингапура | Азия | 7-15 дней | |
| Основные страны Европы и Америки | 15-20 дней | ||
| Другая страна | 18-35 дней | ||
| Бразилия, Аргентина, Россия, Мексика | 30-40 дней | ||
| Почта Китая | Азия | 7-15 дней | |
| Основные страны Европы и Америки | 15-20 дней | ||
| Другая страна | 18-35 дней | ||
| Бразилия, Аргентина, Россия, Мексика | 30-40 дней | ||
| Электронный пакет | Страна прибытия | 7-20 дней | |
| Ускоренная доставка | ДХЛ | 3-5 дней | |
| Скорая помощь | 5-12 дней | ||
| Федерал Экспресс | 5-7 дней | ||
| Арамекс | 6-9 дней |
Если у товара нет цены, пожалуйста, свяжитесь с нами для подтверждения.
