Какие основные параметры имеет транзистор MJE13003. Для чего применяется этот транзистор. Как выглядит цоколевка MJE13003 в разных корпусах. На что обратить внимание при использовании MJE13003.
Основные характеристики транзистора MJE13003
MJE13003 — это биполярный NPN-транзистор, обладающий следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимальный ток коллектора: 1,5 А
- Рассеиваемая мощность: от 1,1 Вт до 50 Вт (зависит от корпуса)
- Коэффициент усиления по току: 14-57
- Граничная частота: 10 МГц
Эти характеристики делают MJE13003 подходящим для применения в импульсных источниках питания и других высоковольтных схемах.
Области применения транзистора MJE13003
Благодаря высокому пробивному напряжению и хорошим частотным свойствам, транзистор MJE13003 часто используется в следующих устройствах:
- Импульсные блоки питания
- Зарядные устройства
- Преобразователи напряжения
- Драйверы горизонтальной развертки ЭЛТ-мониторов
- Высоковольтные ключи
В этих применениях MJE13003 обычно работает в ключевом режиме, обеспечивая коммутацию больших токов при высоких напряжениях.
Цоколевка транзистора MJE13003 в разных корпусах
MJE13003 выпускается в нескольких вариантах корпусов, наиболее распространенными из которых являются:
- TO-126
- TO-220
- TO-92
Цоколевка транзистора зависит от типа корпуса:
Корпус TO-126
В корпусе TO-126 выводы MJE13003 расположены следующим образом (если смотреть на переднюю сторону):
- Слева — эмиттер (E)
- В центре — база (B)
- Справа — коллектор (C)
Корпус TO-220
Для корпуса TO-220 цоколевка аналогична TO-126:
- Левый вывод — эмиттер (E)
- Центральный вывод — база (B)
- Правый вывод — коллектор (C)
Корпус TO-92
В корпусе TO-92 расположение выводов может отличаться у разных производителей. Наиболее распространенные варианты:
- E-B-C (если смотреть на плоскую сторону корпуса)
- C-B-E (если смотреть на плоскую сторону корпуса)
Поэтому при использовании MJE13003 в корпусе TO-92 необходимо внимательно изучить документацию конкретного производителя.
На что обратить внимание при использовании MJE13003
При работе с транзистором MJE13003 следует учитывать несколько важных моментов:
- Проверка цоколевки. Из-за возможных различий в расположении выводов, особенно в корпусе TO-92, перед монтажом необходимо тщательно проверить цоколевку конкретного экземпляра транзистора.
- Обеспечение теплоотвода. При работе на высоких мощностях требуется использование радиатора для эффективного отвода тепла.
- Защита от перенапряжений. Рекомендуется применять защитные цепи для предотвращения пробоя транзистора при работе с индуктивными нагрузками.
- Учет частотных свойств. При использовании MJE13003 на частотах, близких к граничной (10 МГц), необходимо учитывать возможное снижение коэффициента усиления.
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора MJE13003 в различных электронных устройствах.
Отличия MJE13003 от других подобных транзисторов
MJE13003 имеет ряд особенностей, отличающих его от схожих транзисторов:
- Высокое пробивное напряжение. 400 В между коллектором и эмиттером — это больше, чем у многих аналогов.
- Хорошее сочетание мощности и быстродействия. MJE13003 способен работать на частотах до 10 МГц при достаточно высокой рассеиваемой мощности.
- Универсальность применения. Транзистор подходит для широкого спектра устройств — от бытовой электроники до промышленного оборудования.
- Доступность. MJE13003 выпускается многими производителями, что обеспечивает его широкую распространенность на рынке.
Эти особенности делают MJE13003 популярным выбором для разработчиков электронных устройств, требующих надежного высоковольтного транзистора.
Меры предосторожности при работе с MJE13003
При использовании транзистора MJE13003 необходимо соблюдать следующие меры безопасности:
- Защита от статического электричества. Транзистор чувствителен к электростатическому разряду, поэтому при работе с ним следует использовать антистатический браслет.
- Правильная пайка. Для предотвращения повреждения транзистора от перегрева при пайке рекомендуется использовать теплоотвод на выводах.
- Соблюдение полярности. Неправильное подключение может привести к мгновенному выходу транзистора из строя.
- Контроль напряжения. Несмотря на высокое пробивное напряжение, не следует допускать превышения максимально допустимых значений.
Соблюдение этих мер поможет обеспечить долгую и надежную работу транзистора MJE13003 в вашем устройстве.
Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn 13003 рс транзистор параметры цоколевка
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум.
Дополнения для транзистора MJE13003.Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.
Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Т
ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные.
Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии.
Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов
.Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть
от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60
У MJE13001L — от 65 до 70 .
Граничная частота передачи тока — 8 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА
— не выше 1,2 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
1.7.4. Схема импульсного стабилизатора. Электронные самоделки
1.7.4. Схема импульсного стабилизатора
Схема импульсного стабилизатора ненамного сложней обычного (рис.
1.9), но она более сложная в настройке. Поэтому недостаточно опытным радиолюбителям, не знающим правил работы с высоким напряжением (в частности, никогда не работать в одиночку и никогда не настраивать включенное устройство двумя руками — только одной!), не рекомендую повторять эту схему.
На рис. 1.9 представлена электрическая схема импульсного стабилизатора напряжения для зарядки сотовых телефонов.
Схема представляет собой блокинг-генератор, реализованный на транзисторе VT1 и трансформаторе Т1. Диодный мост VD1 выпрямляет переменное сетевое напряжение, резистор R1 ограничивает импульс тока при включении, а также выполняет функцию предохранителя. Конденсатор С1 необязателен, но благодаря ему блокинг-генератор работает более стабильно, а нагрев транзистора VT1 чуть меньше (чем без С1).
При включении питания транзистор VT1 слегка приоткрывается через резистор R2, и через обмотку I трансформатора T1 начинает течь небольшой ток. Благодаря индуктивной связи, через остальные обмотки также начинает протекать ток.
Через некоторое время ток в обмотках перестает нарастать и начинает снижаться (транзистор VT1 все это время полностью открыт). Уменьшается напряжение на обмотке II, и через конденсатор С2 уменьшается напряжение на базе транзистора VT1. Он начинает закрываться, амплитуда напряжения в обмотках уменьшается еще сильней и меняет полярность на отрицательную. Затем транзистор полностью закрывается. Напряжение на его коллекторе увеличивается и становится в несколько раз больше напряжения питания (индуктивный выброс), однако благодаря цепочке R5, C5, VD4 оно ограничивается на безопасном уровне 400…450 В. Благодаря элементам R5, C5 генерация нейтрализуется не полностью, и через некоторое время полярность напряжения в обмотках снова меняется (по принципу действия типичного колебательного контура).
Транзистор снова начинает открываться. Так продолжается до бесконечности в цикличном режиме.
На остальных элементах высоковольтной части схемы собраны регулятор напряжения и узел защиты транзистора VT1 от перегрузок по току. Резистор R4 в рассматриваемой схеме выполняет роль датчика тока. Как только падение напряжения на нем превысит 1…1,5 В, транзистор VT2 откроется и замкнет на общий провод базу транзистора VT1 (принудительно закроет его). Конденсатор С3 ускоряет реакцию VT2. Диод VD3 необходим для нормальной работы стабилизатора напряжения.
Стабилизатор напряжения собран на одной микросхеме — регулируемом стабилитроне DA1.
Для гальванической развязки выходного напряжения от сетевого используется оптрон VO1. Рабочее напряжение для транзисторной части оптрона берется от обмотки II трансформатора T1 и сглаживается конденсатором С4. Как только напряжение на выходе устройства станет больше номинального, через стабилитрон DA1 начнет течь ток, светодиод оптрона загорится, сопротивление коллектор-эмиттер фототранзистора VO 1.
2 уменьшится, транзистор VT2 приоткроется и уменьшит амплитуду напряжения на базе VT1. Он будет слабее открываться, и напряжение на обмотках трансформатора уменьшится. Если же выходное напряжение, наоборот, станет меньше номинального, то фототранзистор будет полностью закрыт и транзистор VT1 будет «раскачиваться» в полную силу. Для защиты стабилитрона и светодиода от перегрузок по току, последовательно с ними желательно включить резистор сопротивлением 100…330 Ом.
Налаживание
Первый этап: первый раз включать устройство в сеть рекомендуется через лампу 25 Вт, 220 В, и без конденсатора С1. Движок резистора R6 устанавливают в нижнее (по схеме) положение. Устройство включают и сразу отключают, после чего как можно быстрей измеряют напряжения на конденсаторах С4 и С6. Если на них есть небольшое напряжение (согласно полярности!), значит, генератор запустился, если нет — генератор не работает, требуется поиск ошибки на плате и монтаже. Кроме того, желательно проверить транзистор VT1 и резисторы R1, R4.
Если все правильно и ошибок нет, но генератор не запускается, меняют местами выводы обмотки II (или I, только не обоих сразу!) и снова проверяют работоспособность.
Второй этап: включают устройство и контролируют пальцем (только не за металлическую площадку для теплоотвода) нагрев транзистора VT1, он не должен нагреваться, лампочка 25 Вт не должна светиться (падение напряжения на ней не должно превышать пары Вольт).
Подключают к выходу устройства какую-нибудь маленькую низковольтную лампу, например, рассчитанную на напряжение 13,5 В. Если она не светится, меняют местами выводы обмотки III.
И в самом конце, если все нормально работает, проверяют работоспособность регулятора напряжения, вращая движок подстроечного резистора R6. После этого можно впаивать конденсатор С1 и включать устройство без лампы-токоограничителя.
Минимальное выходное напряжение составляет около 3 В (минимальное падение напряжения на выводах DA1 превышает 1,25 В, на выводах светодиода — 1,5 В).
Если нужно меньшее напряжение, заменяют стабилитрон DA1 резистором сопротивлением 100…680 Ом. Следующим шагом настройки требуется установка на выходе устройства напряжения 3,9…4,0 В (для литиевого аккумулятора). Данное устройство заряжает аккумулятор экспоненциально уменьшающимся током (от примерно 0,5 А в начале заряда до нуля в конце (для литиевого аккумулятора емкостью около 1 А/ч это допустимо)). За пару часов режима зарядки аккумулятор набирает до 80 % своей емкости.
О деталях
Особый элемент конструкции — трансформатор.
Трансформатор в этой схеме можно использовать только с разрезным ферритовым сердечником. Рабочая частота преобразователя довольно велика, поэтому для трансформаторного железа нужен только феррит. А сам преобразователь — однотактный, с постоянным подмагничиванием, поэтому сердечник должен быть разрезным, с диэлектрическим зазором (между его половинками прокладывают один-два слоя тонкой трансформаторной бумаги).
Лучше всего взять трансформатор от ненужного или неисправного аналогичного устройства.
В крайнем случае его можно намотать самому: сечение сердечника 3…5 мм2, обмотка I — 450 витков проводом диаметром 0, 1 мм, обмотка II — 20 витков тем же проводом, обмотка III — 15 витков проводом диаметром 0, 6…0, 8 мм (для выходного напряжения 4…5 В). При намотке требуется строгое соблюдение направления намотки, иначе устройство будет плохо работать, или не заработает совсем (придется прикладывать усилия при налаживании — см. выше). Начало каждой обмотки (на схеме) вверху.
Транзистор VT1 — любой мощностью 1 Вт и больше, током коллектора не менее 0,1 А, напряжением не менее 400 В. Коэффициент усиления по току Ь21э должен быть больше 30. Идеально подходят транзисторы MJE13003, KSE13003 и все остальные типа 13003 любой фирмы. В крайнем случае, применяют отечественные транзисторы КТ940, КТ969. К сожалению, эти транзисторы рассчитаны на предельное напряжение 300 В, и при малейшем повышении сетевого напряжения выше 220 В они будут пробиваться. Кроме того, они боятся перегрева, т.
е. требуется их установка на теплоотвод. Для транзисторов KSE13003 и MJE13003 теплоотвод не нужен (в большинстве случаев цоколевка — как у отечественных транзисторов КТ817).
Транзистор VT2 может быть любым маломощным кремниевым, напряжение на нем не должно превышать 3 В; это же относится и к диодам VD2, VD3. Конденсатор С5 и диод VD4 должны быть рассчитаны на напряжение 400…600 В, диод VD5 должен быть рассчитан на максимальный ток нагрузки. Диодный мост VD1 должен быть рассчитан на ток 1 А, хотя потребляемый схемой ток не превышает сотни миллиампер — потому что при включении происходит довольно мощный бросок тока, а увеличивать сопротивление резистора Я1для ограничения амплитуды этого броска нельзя — он будет сильно нагреваться.
Вместо моста VD1 можно поставить 4 диода типа 1N4004…4007 или КД221 с любым буквенным индексом. Стабилизатор DA1 и резистор R6 можно заменить на стабилитрон, напряжение на выходе схемы будет на 1,5 В больше напряжения стабилизации стабилитрона.
«Общий» провод показан на схеме только для упрощения графики, его нельзя заземлять и (или) соединять с корпусом устройства. Высоковольтная часть устройства должна быть хорошо изолирована.
Данный текст является ознакомительным фрагментом.
3.1.1. Электрическая схема электронных часов на ЖКИ
3.1.1. Электрическая схема электронных часов на ЖКИ Жидкокристаллический индикатор представляет собой две плоские пластинки из стекла, склеенные по периметру таким образом, чтобы между стеклами оставался промежуток, его заполняют специальными жидкими кристаллами.На
3.5.3. Расширенная схема акустического датчика
3.5.3. Расширенная схема акустического датчика
Регулировка усиления слабых сигналов с микрофона ВМ1 осуществляется переменным резистором R6 (см.
рис. 3.9). Чем меньше сопротивление данного резистора, тем больше усиление транзисторного каскада на транзисторе VT1. При
4.4.2. Электрическая схема таймера
4.4.2. Электрическая схема таймера При подключении ЭМТ к сети 220 В через ограничительный резистор R1 напряжение поступает на катушку К1 (имеющую сопротивление 3,9 кОм). С помощью системы шестеренок и приложенного к этой катушке напряжения (с помощью электромагнитной индукции)
2.6. Схема чувствительного видеоусилителя
2.6. Схема чувствительного видеоусилителя Тем, кто занимается применением схем видеоконтроля на ограниченном участке, будет полезен этот материал. Касаясь возможных вариантов обеспечения охраны в замкнутых помещениях, еще раз хочу отметить, что не всегда рентабельно
Проект 2: Схема интерфейса
Проект 2: Схема интерфейса
Основой схемы интерфейса является дешифратор 4028.
ИС 4028 считывает двоично-десятичный код логики низкого уровня с выхода ИС 74LS373, расположенной на плате УРР, и выдает соответствующие сигналы высокого уровня (см. таблицу соответствий
Проект 3: общая схема интерфейса УРР
Проект 3: общая схема интерфейса УРР Интерфейс УРР для робота-передвижки является специализированной схемой, предназначенной для конкретной цели. Следующая схема интерфейса (см. рис. 7.8) представляет собой более универсальное устройство, дающее возможность управлять
Начальная схема управления
Начальная схема управления На рис. 10.10 показан первый тестовый вариант схемы управления ШД. Для буферизации выходных сигналов с шин PIC 16F84 использованы шестнадцатеричные буферы типа 4050. Сигнал с выхода каждого буфера подается на транзистор NPN типа. В качестве таких
Электрическая схема
Электрическая схема
Электрическая схема представляет собой электронный ключ, управляемый интенсивностью светового потока.
Когда уровень средней окружающей освещенности мал (возможна подстройка порогового значения), то схема отключает питание двигателя редуктора.
ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНСПОРТА
ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНСПОРТА Трехфазный ток с частотой 50 герц из силовой сети (1) через выключатель (2) поступает в трансформатор (3). Выпрямитель (4) преобразует переменный ток высокого напряжения в постоянный. Отрицательный полюс выпрямленного тока
«Фрегат Экоджет»: новая схема самолета и новая бизнес-схема
«Фрегат Экоджет»: новая схема самолета и новая бизнес-схема Авиасалон МАКС традиционно выступает смотровой площадкой новых идей в самолетостроении. ФПГ «Росавиаконсорциум» по собственной инициативе разрабатывает программу создания широкофюзеляжного
2.
3. Структурная схема2.3. Структурная схема Структурная схема импульсного блока питания персонального компьютера конструктива ATX приведена на рис. 2.1. Рис. 2.1. Структурная схема импульсного блока питания фирмы DTK конструктива ATXВходное переменное напряжение 220 В, 50 Гц поступает на входной
2.4. Принципиальная схема
2.4. Принципиальная схема Полная принципиальная схема бестрансформаторного источника питания с максимальной вторичной мощностью 200 Вт фирмы DTK представлена на рис. 2.2. Рис. 2.2. Принципиальная схема бестрансформаторного источника питания на 200 Вт фирмы DTKВсе элементы на
3.3. Структурная схема
3.3. Структурная схема
Структурная схема импульсного блока питания для компьютеров типа AT/XT, содержащая типовой набор функциональных узлов, представлена на рис.
3.1. Модификации блоков питания могут иметь различия только в схемотехнической реализации узлов с сохранением
3.4. Принципиальная схема
3.4. Принципиальная схема Импульсные источники питания данного класса имеют несколько различных модификаций схемотехнической реализации отдельных вспомогательных узлов. Принципиальных различий в их рабочих характеристиках нет, а разнообразие объясняется множеством
Общая схема электрооборудования
Общая схема электрооборудования Электрооборудование автомобилей представляет собой сложную систему соединенных между собой электроприборово сигнализации, зажигания, предохранителей, контрольно – измерительных приборов, соединительных проводов. Рис.
Схема, устройство работа
Схема, устройство работа
В механизм газораспределения входят: распределительный вал и его привод.
Передаточные детали – толкатели с направляющими втулками, а при верхнем расположении клапанов еще штанги и коромысла, клапаны, их направляющие втулки и пружины, опорные
Маркировка: 13003,MJE13003 . Внимание! MJE13003 в корпусах ТО-92 и ТО-126 может иметь разное расположение выводов (не как на первом изображении)! Например: Если транзистор неисправен так, что мультиметром невозможно определить расположение его выводов
или тестер, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется. Некоторые 13003 содержат встроенные диоды, включенные между эмиттером и коллектором.
Их назначение – защита транзистора от импульсов обратного напряжения, возникающих при
он работает с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора. Основные параметры 13003(MJE13003). Материал транзистора: Si Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре коллектора не выше 25°, поддерживаемой радиатором.(|T c |=25° Напряжение пробоя коллектор-база |В СВО |: 700 В. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер |В СЕО |: 400 В. Напряжение пробоя эмиттер-база |В EBO |: 7 В. Максимальный непрерывный ток коллектора |I c max |: 1,5 A . Максимальная температура перехода |T j |: +150 C . Частота перехода (f t ) : 10 МГц (мин). Напряжение насыщения коллектор-эмиттер|В CE |: 1 В(IC=1A,I B =0,25A), 3 В(IC=1,5A,I B =0,5A ). Напряжение насыщения база-эмиттер|В BE |: 1 В(IC=0,5A,I B =0,1A), 1,2 В(IC=1A,I B =0 , 25А). Коэффициент передачи прямого тока |h FE | : 14-57 . Время хранения|t с |: 1 мкс. Время спада |t F |: 0,7 мкс. MJE13003 Лист данных (PDF) |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
24-сп.
ПК16-260
ПК-34-25
трансформатор 230В 12В 500мА
ПК-24-450
Трансформатор сигналов ДПК-24-50 115/230В
ДПК-28-160
ДПК-56-420
ПК-28-160
ПК-10-1000
ПК-10-2400
