13003 транзистор характеристики, цоколевка, аналоги, datasheet
В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.
Режим RBSOA
В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.
В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.
Комплементарная пара
Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Замена и эквиваленты
Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.
И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.
Производители
Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.
13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги
В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V CEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.
Режим RBSOA
В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V
В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.
Комплементарная пара
Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Замена и эквиваленты
Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.
И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.
Производители
Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.
Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009
Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).
Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.
Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена
Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003
Транзистор 13001 Цоколевка
В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»
параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001
Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92
Collector-Base Voltage V CBO 500 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter- Base Voltage V EBO 9 V
Collector Current I C 0.3 A
Total Power Dissipation P C 7 W
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Tstg -65-150 °C
параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 100W | 700V | 9V | 12A | 150°C | — | 160 | 8/40 |
Транзистор 13005 Цоколевка
Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009
Профилактика и ремонт китайских настольных энергосберегалок
Автор: Antares
Опубликовано 11.04.2013
Создано при помощи КотоРед.
Мяу, товарищи!) Всем доброго времени суток!) Это – первая моя статья, поэтому прошу больно не бить.) Сегодня я расскажу Вам, какие неприятности может принести китайская экономия Вашей настольной лампе, как их ликвидировать и предотвратить.
В общем, история такова. Подарили мне как-то на день рождения настольную лампу. С люминесцентной лампочкой!) Счастья было полный лоток!) Радовался я ей, радовался, да не долго… Проработала она у меня с пол-года, а потом я выдернул из той же розетки, куда была включена эта лампа, советскую лампу дневного света с дроссельно-стартерным пуском… Из настольной лампы раздался звук выстрелившего пистона, лампочка погасла, и по комнате пополз запах радио.((( Я так понял, что причиной стал выброс напряжения из-за резкого отключения индуктивной нагрузки (советской лампы). Вскрытие пациента показало стандартную китайскую халтуру: тёмный припой, остатки активного флюса на плате, и… Полное отсутствие каких-либо фильтров и защит на входе 220 платы. Мало того, что такая кончина этой лампы была неизбежна, так ещё она неплохо какала в сеть помеху во время работы (да, забыл сказать, что в лампе используется импульсный ЭПРА по стандартной схеме двухтактного автогенератора). После обследования пациента с помощью мультиметра, выяснилось, что сгорели оба транзистора автогенератора (их разорвало на части) и четыре резистора (стояли в базовой и коллекторной цепях сгоревших транзисторов). К сожалению, я не сфотографировал платы со взорванными транзисторами, все фотки сделаны уже после ремонта.
Вот, собственно, пациент)
А вот и коробка, в которой он продавался. Если у Вас такой – настоятельно рекомендую взглянуть на плату ЭПРА. Возможно, там тоже нет никаких защит.
Плата. Вид сверху.
Итак, ЭПРА лампы сгорел. Что делать?
Покупать новую лампу я не собирался, благо у меня лежит куча рабочих пускателей от дохлых энергосберегалок, а схемы ЭПРА у них и пациента практически совпадают. Поэтому можно просто заменить горелые компоненты с одной платы на такие же с другой. Главное – проверить мультиметром исправность компонентов-доноров, иначе бабах может повториться). Замена компонентов занимает от силы 10 минут. В моём случае немного различаются номиналы резисторов (так я поставил 1 Ом вместо 1,2 Ом в эмиттерные цепи транзисторов и 10 Ом вместо 12 Ом – в базовые), но это вполне терпимо. А вот с транзисторами может получиться небольшая пакость. Дело в том, что у разных транзисторов может различаться цоколёвка. Так, у родных транзисторов 13001 цоколёвка была БКЭ, а у доноров 13002 цоколёвка уже ЭКБ, хотя оба выпускаются в одинаковых корпусах ТО-92. Называется, повернись избушка… Этот момент нужно учесть при замене транзисторов, иначе, в лучшем случае, генератор может не запуститься.
При замене транзисторов я бы рекомендовал не изобретать велосипед и ставить транзисторы серий 13001-13007, т.к. они специально разработаны для таких преобразователей, и их легко достать. Если таковых транзисторов у Вас нет – открываем даташит на родные транзисторы и смотрим максимальные напряжение коллектор-эмиттер, напряжение база-эмиттер, ток коллектора и коэффициент передачи тока h31. В моём случае Uke = 400V, Ube = 9V, Ik = 300mA, h31 = 8. Подбираем транзисторы-доноры по параметрам так, чтобы они были не хуже родных. Да, с составными транзисторами эта схема скорее всего не запустится, т.к. не хватит напряжения, даваемого коммутирущим трансформатором, для их открывания. И ещё, при замене транзисторов всегда меняем пару, а не один транзистор, даже если второй подаёт признаки жизни, причём транзисторы-доноры тоже должны быть из одного полумоста. В противном случае можно получить перекос напряжения на выходе преобразователя и нестабильную работу лампы.
Итак, горелые детали заменили на исправные, включаем первый раз лампу в сеть последовательно с лампочкой накаливания на 60 Вт. Лампочка в пациенте должна зажечься, а 60-ваттная лампа – максимум моргнуть при старте. Если лампа так и не заработала – продолжаем искать неисправные компоненты и ещё раз проверяем цоколёвку транзисторов. В первую очередь проверяем все полупроводниковые компоненты (диоды и транзисторы). Также часто пробиваются высоковольтные конденсаторы, подключаемые к лампочке. Для прозвонки нужно выпаивать компонент, т.к. низкоомные резисторы и обмотки трансформатора могут шунтировать цепи.Причём проверка мультиметром при низком напряжении показывает, что конденсатор исправен. В этом случае помогает проверка заменой. Также не забываем проверить целостность лампочки пациента и её нитей накала.
Лампа (снова) работает! Как избежать проблем в будущем?
Ну вот, лампу мы-то отремонтировали, но надолго ли? Если у Вас нет на входе защит и фильтров (как у меня), то ближайший всплеск напряжения в сети снова поджарит транзисторы в преобразователе. Причём, не обязательно выдёргивать советскую лампу из соседнего гнезда одной розетки – такой импульс даст отключение от сети любого более-менее мощного трансформатора.1)) = 430В.
Предохранитель F1 – выводной, от сгоревшей энергосберегалки. Обозначения на нём не было, но точно больше 0,5А, т.к. полуамперный предохранитель сгорел на втором пуске, хотя суммарная ёмкость фильтрующих конденсаторов 1,65 мкФ.
Всё это хозяйство можно смонтировать на небольшую плату, но, т.к. деталей в фильтре мало, я собрал его навесным монтажом и закрутил изолентой. В любом случае, нужно надёжно заизолировать все токоведущие части друг от друга и от окружающей среды, что избежать замыканий между компонентами фильтра и платой преобразователя. Полученный «кокон» укладываем в корпус преобразователя, находящийся в основании лампы, благо места там предостаточно. Я пытался приклеить его к стенке корпуса «моментом», но пластик пациента это клей не взял.(
Фильтр в изоленте
Вот на этом всё.) Разрешите откланяться. Да, не забывайте, что в данной схеме мы имеем дело с сетевым напряжением, что вполне себе смертельно опасно. Поэтому не забываем ВЫКЛЮЧАТЬ ЛАМПУ ИЗ РОЗЕТКИ, прежде чем что-то делать.
Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы MJE13003 и 13003
Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n,
Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А
— 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —
— не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
На главную страницу
13003D транзистор параметры цоколевка
Транзисторы MJE13001 и 13001
Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.
Граничная частота передачи тока — 8МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Транзисторы MJE13003 и 13003
Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные
- Наименование: MJE13003
- Тип: NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 400 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 700 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 9 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 1.5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 20 Вт
Граничная частота ft (fГР): 4 МГц
В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.
Режим RBSOA
В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.
В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.
Комплементарная пара
Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Замена и эквиваленты
Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.
И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.
Производители
Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.
РАЗНОСТОРОННИЙ ТРАНЗИСТОР 13003 | Дмитрий Компанец
Транзистор Двух типов проводимостиТранзистор Двух типов проводимости
Фантастический транзистор 13003 обладающий одновременно двумя типами проводимости я испытал не только разными приборами
но и построил на нем усилитель поменяв местами базу и коллектор. Усилитель оказался вполне работоспособным, вот только схема его выглядеть будет крайне странно если её нарисовать по правилам.
Не я один удивляюсь этому парадоксу — электронщики разных городов проверяя эти 13003 транзисторы, которые частенько стоят в импульсных схемах и лампочках экономках сталкиваются с этим феноменом проявляющемся на очень разных приборах
И вовсе я не собираюсь делать громогласных заявлений про Величайшее открытие Века, мне просто интересно изучать радиосхемы и радиодетали, преподносящие нам самые удивительные загадки и парадоксы.
Разумеется мне было бы гораздо проще собрать Стандартную Типовую Схему по готовым лекалам как тысячи СхемоПаятелей самоучек и мастеров и быть таким как Все, но это скучно мне! И потому Усилитель с Транзистором НАОБОРОТ уже играет победный марш или полонез =)
Раньше я провел целое исследование посвященное этому замечательному со всех сторон транзистору, выявил его разновидности и особенности внутренней структуры, этому посвящены целые статьи и мои ролики
✅ Секреты Феномена 13003 ✈️ Завеса Тайны Приоткрыта ✈️ ОН не всегда Транзистор!
🚀 РАЗГАДЫВАЕМ ТАЙНУ ТРАНЗИСТОРА 13003 ✅ PNP или NPN
Читая техническое описание Транзисторов я иногда нахожу просто ошибки, а иногда прозвонка транзистора меня ставит просто в тупик. Один из странных транзисторов 13003
Что может быть удивительного в самом ходовом и часто встречающемся транзисторе 13003 ? Этот транзистор очень часто можно встретить в схемах импульсных блоков питания к примеру в таких которые используются в лампах экономках или в электронных балластах для люминисцентных ламп дневного света.
Транзистор 13003 выпускают множество фирм и это отражено на маркировке. Корпуса транзисторов тоже не унифицированные под маркой 13003 можно встретить маломощные транзисторы в корпусе ТО92, а в более мощных блоках питания эти транзисторы стоят уже в корпусе под радиатор ТО220.
То что в разных корпусах выводы располагаются по разному, можно понять, это случается даже для одинаковых транзисторов разных производителей, но вот ТИП ПРОВОДИМОСТИ !?!?!
Вы видели чтобы транзисторы одного наименования 13003 были одновременно проводимости NPN и PNP с разницей лишь в типе корпуса
Я столкнулся с этим когда собирал очередную схему из деталей выпаянных из лампы экономки. Организуя пару Дарлингтона для увеличение коэффициента усиления, я попытался использовать 13003 транзисторы в разных корпусах, но, прозванивая их на годность обнаружил несоответствие типов проводимости.
Возможно я и ошибаюсь и на корпусе транзисторов 13003 есть еще и маркировка типа проводимости, но пока ни в справочниках ни в схемах я не нашел такого описания и делаю схемы с этими транзисторами используя собственные навыки и представления об их работе.
#секреттранзистора13003 #13003PNPилиNPN
Подписывайтесь на канал Яндекс.Дзен и узнавайте первыми о новых материалах, опубликованных на сайте.
ЕСЛИ СЧИТАЕТЕ СТАТЬЮ ПОЛЕЗНОЙ,
НЕ ЛЕНИТЕСЬ СТАВИТЬ ЛАЙКИ И ДЕЛИТЬСЯ С ДРУЗЬЯМИ.
| |||||
| |||||
| |||||
| |||||
| |||||
| |||||
| |||||
Как проверить транзистор 13003 мультиметром
Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.
Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.
Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.
Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.
Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).
Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.
Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.
Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).
Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром» при проверке полупроводникового диода.
Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.
Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер – n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.
В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.
Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.
Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе.
Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э, что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.
По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.
Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.
Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.
Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».
Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К, результат должен быть аналогичным.
Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».
Меняем полярность ( красный -коллектор, черный– эмиттер) результат – «1».
Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.
Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.
При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.
А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:
ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!
NPN и PNP транзисторы
Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.
На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:
Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:
где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.
Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.
Вот его схематическое изображение на схемах
Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!
Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.
Проверяем исправный транзистор
Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:
Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.
Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.
А вот и схемка распиновки из даташита:
Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер
Возвращаемся к нашему рисунку
Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.
Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору
Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.
Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.
Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.
Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.
Все ОК, так как видим единичку.
Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.
Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.
Проверяем неисправный транзистор
Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.
Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.
Проверка транзистора с помощью транзисторметра
Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр
Заключение
В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.
Опытные электрики и электронщики знают, что для полной проверки транзисторов существуют специальные пробники.
С помощью них можно не только проверить исправность последнего, но и его коэффициент усиления — h31э.
СОДЕРЖАНИЕ (нажмите на кнопку справа):
Необходимость наличия пробника
Пробник действительно нужный прибор, но, если вам необходимо просто проверить транзистор на исправность вполне подойдет и мультиметр.
Устройство транзистора
Прежде, чем приступить к проверке, необходимо разобраться что из себя представляет транзистор.
Он имеет три вывода, которые формируют между собой диоды (полупроводники).
Каждый вывод имеет свое название: коллектор, эмиттер и база. Первые два вывода p-n переходами соединяются в базе.
Один p-n переход между базой и коллектором образует один диод, второй p-n переход между базой и эмиттером образует второй диод.
Оба диода подсоединены в схему встречно через базу, и вся эта схема представляет собой транзистор.
Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе
Как сразу найти коллектор.
Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.
Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.
Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.
Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.
Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.
Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.
Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.
Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.
Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?
Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.
Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.
Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.
Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.
Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.
Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.
Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.
Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.
Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.
Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.
Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.
А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.
Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.
Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.
В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.
Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.
Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.
Как проверить транзистор на исправность
Чтобы проверить транзистор мультиметром на исправность достаточным будет измерить обратное и прямое сопротивление двух полупроводников (диодов), чем мы сейчас и займемся.
В транзисторе обычно существуют две структуру перехода p-n-p и n-p-n.
P-n-p – это эмиттерный переход, определить это можно по стрелке, которая указывает на базу.
Стрелка, которая идет от базы указывает на то, что это n-p-n переход.
P-n-p переход можно открыть с помощью минусовое напряжения, которое подается на базу.
Выставляем переключатель режимов работы мультиметра в положение измерение сопротивления на отметку «200».
Черный минусовой провод подсоединяем к выводу базы, а красный плюсовой по очереди подсоединяем к выводам эмиттера и коллектора.
Т.е. мы проверяем на работоспособность эмиттерный и коллекторный переходы.
Показатели мультиметра в пределах от 0,5 до 1,2 кОм скажут вам, что диоды целые.
Теперь меняем местами контакты, плюсовой провод подводим к базе, а минусовой поочередно подключаем к выводам эмиттера и коллектора.
Настройки мультиметра менять не нужно.
Последние показания должны быть на много больше, чем предыдущие. Если все нормально, то вы увидите цифру «1» на дисплее прибора.
Это говорит о том, что сопротивление очень большое, прибор не может отобразить данные выше 2000 Ом, а диодные переходы целые.
Преимущество данного способа в том, что транзистор можно проверить прямо на устройстве, не выпаивая его оттуда.
Хотя еще встречаются транзисторы где в p-n переходы впаяны низкоомные резисторы, наличие которых может не позволить правильно провести измерения сопротивления, оно может быть маленьким, как на эмиттерном, так и на коллекторном переходах.
В данном случае выводы нужно будет выпаять и проводить замеры снова.
Признаки неисправности транзистора
Как уже отмечалось выше если замеры прямого сопротивления (черный минус на базе, а плюс поочередно на коллекторе и эмиттере) и обратного (красный плюс на базе, а черный минус поочередно на коллекторе и эмиттере) не соответствуют указанным выше показателям, то транзистор вышел из строя.
Другой признак неисправности, это когда сопротивление p-n переходов хотя бы в одном замере равно или приближено к нулю.
Это указывает на то, что диод пробит, а сам транзистор вышел из строя. Используя данные выше рекомендации, вы легко сможете проверить транзистор мультиметром на исправность.
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-канальный МОП-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалентный 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в горизонтальном выводе | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
МОТОРОЛА 13003BR
DtSheet- Загрузить
МОТОРОЛА 13003BR
Открыть как PDF- Похожие страницы
- ONSEMI MJ10015
- ONSEMI MJ10009
- MOTOROLA BUV48A
- MOTOROLA MJE1320
- ONSEMI MJE16002
- ONSEMI MJW16018
- MOTOROLA BUT33
- MOTOROLA MJW16010A
- MOTOROLA MJE13007
- МОТОРОЛА MJh26006
- МОТОРОЛА MJh21021
- ONSEMI MJ11022
- MOTOROLA MJE16204
- ONSEMI BUH51
- ONSEMI MJW16012
- МОТОРОЛА БУХ250
- ONSEMI MJF4343
- ONSEMI MJE18008
- ONSEMI MJh26006A
- MOTOROLA MJE4342
- ONSEMI MJE18004
- MOTOROLA MJE16106
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесьРаспиновка транзистора D882, эквивалент, применение, характеристики
2SD882 или D882 — это транзистор общего назначения в корпусе TO-126, в этом посте вы найдете распиновку транзистора D882, эквивалент, использование, функции, альтернативные замены и другие подробности об этом транзисторе.
Характеристики / технические характеристики:- Тип корпуса: TO-126
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 3A
- Макс.напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 30 В
- Макс.напряжение коллектор-база (В CB ): 40 В
- Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 10 Вт
- Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 60-400
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
PNP Дополнительный 2SD882 — 2SB772.
Аналог:BD349, MJE802, BD185, MJE182, BD189, TIP122L, BD131, BD187, 2SD1693, 2SC4342, 2SD1018, 2SD1712 (конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от D882, всегда проверяйте конфигурацию выводов перед использованием или заменой
в цепи) 2SD882 Описание транзистора / Описание:2SD882 — транзистор общего назначения, и это устройство с довольно высокими характеристиками, в соответствии с его характеристиками, этот транзистор идеально подходит для использования в широком спектре электронных проектов для образовательных, коммерческих и любительских.D882 может использоваться для самых разных целей переключения и усиления. Он обладает некоторыми очень интересными функциями, максимальный ток коллектора составляет 3 А, чего достаточно для управления многими реле, светодиодами, лампами, двигателями, некоторыми частями электронной схемы и т. Д., Минимальное напряжение насыщения коллектора составляет всего 0,3 В.
Кроме того, с его выходной мощностью 10 Вт его можно использовать в выходном каскаде аудиоусилителя или отдельно в качестве усилителя.
Где и как использовать:
2SD882 можно использовать в различных приложениях.Например, он может использоваться в цепях питания, цепях регулятора напряжения, цепях зарядного устройства, приводных двигателях, переключении любой нагрузки до 3 А и т. Д. Часть из вышеуказанных приложений он также будет работать при использовании для усиления аудиосигналов, и его можно использовать в небольших усилителях звука, выходных каскадах цепей приемника, цепях звонка, цепях, связанных со звуком и т. д.
Приложения:Драйвер реле
Усилитель звука
Коммутационные нагрузки до 3А
Дарлингтонские пары
Как безопасно долго работать в цепи:Чтобы получить максимальную производительность от этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой более 3 А, всегда оставаться ниже 200 мА от максимальной номинальной нагрузки для безопасности и всегда использовать соответствующий радиатор.Не используйте устройство при напряжении выше 30 В и всегда используйте подходящий базовый резистор. Не эксплуатируйте и не храните транзистор при температуре ниже -55 и выше +150 по Цельсию.
Электронный компонент: 13003BR | Скачать: PDF ZIP |
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Рассеиваемая мощность
P
СМ
: 1,25 Вт
Тамб. = 25
Коллекторный ток
I
СМ
: 1.5 А
Напряжение коллектор-база
В
(BR) CBO
: 700 В
Tamb = 25, если не указано иное
Параметр
Символ
Условия испытаний
МИН.
ТИП
МАКС
ЧАСТЬ
Напряжение пробоя коллектор-база
В (BR)
CBO
Ic = 1000
А Я
E
= 0
700
В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
В (BR)
Генеральный директор
Ic = 10 мА I
В
= 0
400
В
Напряжение пробоя эмиттер-база
В (BR)
EBO
I
E
= 1000
А Я
С
= 0
9
В
Ток отключения коллектора
Я
CBO
В
CB
= 700 В I
E
= 0
1000
А
Ток отключения коллектора
Я
Генеральный директор
В
CE
= 400 В I
В
= 0
500
А
Ток отключения эмиттера
Я
EBO
В
EB
= 9 В I
С
= 0
1000
А
H
FE 1
В
CE
= 10 В, я
С
= 150 мА
8
40
Коэффициент усиления постоянного тока (примечание)
H
FE 2
В
CE
= 10 В, я
С
= 0.5 мА
5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
В
CE
(сб)
I
С
= 1000 мА, я
В
= 250 мА
1
В
Напряжение насыщения база-эмиттер
В
BE
(сб)
I
С
= 1000 мА, я
В
= 250 мА
1,2
В
Напряжение база-эмиттер
В
BE
I
E
= 2000 мА
3
В
Частота перехода
ж
т
В
CE
= 10 В, Ic = 100 мА
f = 1 МГц
5
МГц
Время падения
т
ж
0.5
с
Срок хранения
т
с
I
С
= 1А, я
B1
= -I
B2
= 0,2 А
В
CC
= 100 В
2,5
с
КЛАССИФИКАЦИЯ H
FE (1)
Рейтинг
Диапазон
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
1 2 3
К 126
1.БАЗА
2. КОЛЛЕКТОР
3.EMITTER
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.) Ltd.
Тел .: (852) 2341 9276 Факс: (852) 2797 8153
Домашняя страница:
http://www.wingshing.com
Эл. Почта: [email protected]
MJE13003
КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
13003br техническое описание (1/3 страницы) HSMC | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Спец. №: HT200210
Дата выпуска: 2001.01.01
Дата пересмотра: 2002.05.08
Номер страницы: 1/3
HMJE13003
HSMC Спецификация продукта
HMJE13003
000 Описание NPN EPITAXIAL
000
• Высоковольтный, высокоскоростной выключатель питания
• Регуляторы переключения
• Инверторы с ШИМ и управление двигателем
• Драйверы соленоидов и реле
• Цепи отклонения
Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25
° C)
• Максимальные температуры
Температура хранения…………………………………………… ………………………………….. -50 ~ +150
° С
Температура перехода ………………………………………. …………………………………. 150
° C Максимум
• Максимум Рассеиваемая мощность
Общая рассеиваемая мощность (Tc = 25
° C) ……………………………. ………………………………………….. 40 Вт
• Максимальные напряжения и токи (Ta = 25 ° C)
Напряжение коллектор-эмиттер VCEX…………………………………………… …………………………… 700 В
VCEO Напряжение коллектора-эмиттера …….. ………………………………………….. …………………….. 400 В
VEBO Напряжение эмиттера на базу …………… ………………………………………….. ……………………….. 9 В
Ток коллектора IC ………….. ………………………………………….. …………………… Непрерывный 1.5 A
IB Базовый ток ……………………………………. ………………………………………….. Непрерывно 0,75 A
Характеристики (Ta = 25
° C)
Символ
Мин.
Тип.
Макс.
Агрегат
Условия испытаний
BVCEX
700
—
—
В
IC = 1 мА, VBE (выкл.) = 1,5 В
BVCEO
400
IC = 10 мА
IEBO
—
—
1
мА
VEB = 9V
ICEX
—
—
1
700V,VCEB (выкл.)
VCE (выкл.)
VCE (выкл.)
VCE (выкл.) = 1.5 В
* VCE (насыщ.) 1
—
—
500
мВ
IC = 0,5 A, IB = 0,1 A
* VCE (насыщ.) 2
—
—
1
В
IC = 1A, IB = 0,25A
* VCE (sat) 3
—
—
3
V
IC = 1.5A, IB = 0.5A
* VBE (sat)
—
—
1
V
IC = 0,5 A, IB = 0,1 A
* VBE (нас.)
—
—
1.2
В
IC = 1 А, IB = 0,25 А
* hFE1
8
—
40
IC = 0,5 А, VCE = 2 В
* hFE2
5
—
—
—
IC = 1 А, VCE = 2 В
* Импульсный тест: ширина импульса
≤380 мкс, рабочий цикл ≤2%
TO-126
| Обновление до | المصنعين | ||
| BQ24765 | Зарядное устройство для мультихимических аккумуляторов с управлением через шину SMB | Texas Instruments | |
| BQ24770 | bq2477x Контроллер заряда аккумулятора NVDC с системным монитором мощности и индикатором горячего состояния процессора | Texas Instruments | |
| BQ24773 | bq2477x Контроллер заряда аккумулятора NVDC с системным монитором мощности и индикатором горячего состояния процессора | Texas Instruments | |
| BQ24780S | bq24780S 1–4-элементный гибридный контроллер заряда аккумулятора в режиме повышения мощности с контролем мощности и горячего процессора (Rev.А) | Texas Instruments | |
| BQ24901 | bq24901 Одноэлементная литий-ионная и литий-полимерная микросхема управления зарядкой | Texas Instruments | |
| BQ25012 | Одночиповое зарядное устройство и ИС преобразователя постоянного тока в постоянный для Bluetooth (bqHYBRID) (Rev. B) | Texas Instruments | |
| BQ25017 | Одночиповое зарядное устройство и ИС преобразователя постоянного / постоянного тока для портативных приложений (Rev.А) | Texas Instruments | |
| BQ2502 | Интегрированное резервное устройство | Texas Instruments | |
| BQ25040 | Зарядное устройство для одноячеечной литий-ионной батареи, 1,1 А, с одним входом и LDO 50 мА (версия B) | Texas Instruments | |
| BQ25046 | 1.1A ИС источника питания 5 В с одним входом для приложений бесконтактной зарядки | Texas Instruments | |
| BQ25050 | Зарядное устройство для одноячеечной литий-ионной батареи, 1 А, с одним входом, 50 мА LDO и минимум | Texas Instruments | |
| BQ25060 | Зарядное устройство для одноячеечной литий-ионной батареи с одним входом, 1 А, LDO 50 мА и Externa | Texas Instruments | |
| BQ25070 | Линейное зарядное устройство LiFePO4 для одноячеечной батареи с одним входом, 1 А, 50 мА, LDO | Texas Instruments | |
| BQ25071 | bq25071 Линейное зарядное устройство LiFePO4 для одноячеечной батареи с одним входом, 1-A, с 50 мА LDO | Texas Instruments | |
| BQ25071-Q1 | bq25071-Q1 1-A Автомобильное сертифицированное одноэлементное линейное зарядное устройство LiFePO4 с 50 мА LDO | Texas Instruments | |
| бк 25100 | bq2510x Зарядные устройства для одноэлементных литий-ионных аккумуляторов на 250 мА Конечная нагрузка на 1 мА, 75 нА утечки в батарее (Rev.В) | Texas Instruments | |
| BQ25100A | bq2510x Зарядные устройства для одноэлементных литий-ионных аккумуляторов на 250 мА Конечная нагрузка на 1 мА 75 нА Утечка в батарее (Rev. C) | Texas Instruments |
13003BR 中文 资料 — 百度 文库
HI-SINCERITY
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА КОРП
.
Спец. №: HT200210
Дата выдачи: 2001.01.01
Дата редакции: 2002.05.08
Номер страницы: 1/3
HMJE13003
HSMC Спецификация продукции
HMJE13003
NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ ТРАНЗИСТОР
Описание
•
Высоковольтный, высокоскоростной выключатель питания
•
Выключатель-регуляторы
•
Инверторы PWM и элементы управления двигателем
•
Драйверы соленоидов и реле
•
Цепи отклонения
Абсолютные максимальные характеристики
(Ta = 25
°
C)
•
Максимальные температуры
Температура хранения…………………………………………… ………………………………….. -50 ~ +150
°
C
Температура перехода …………………………………….. …………………………………… 150
°
C Максимум
•
Максимальное рассеивание мощности
Суммарное рассеивание мощности (Tc = 25
°
C) ……………………………. …………………………………………… 40 Вт
•
Максимальные напряжения и токи (Ta = 25
°
C)
Напряжение коллектор-эмиттер VCEX ……………………………………. ………………………………….. 700 В
VCEO Напряжение коллектора-эмиттера ………………………………………….. ……………………………. 400 В
VEBO Напряжение эмиттера на базу ……. ………………………………………….. ………………………………. 9 В
Ток коллектора IC ……………….. ………………………………………….. ……………… Непрерывный 1,5 A
IB Базовый ток …………………… ………………………………………….. ………………. Продолжительный 0,75 A
Характеристики
(Ta = 25
°
C)
Символ
Мин.
Тип.
Макс.
Установка
Условия испытаний
BVCEX
700
—
—
В
IC = 1 мА, VBE (выкл.) = 1.5 В
BVCEO
400
—
—
В
IC = 10 мА
IEBO
—
—
1
мА
VEB =
ICEX
—
—
1
мА
VCE = 700 В, VBE (выкл.) = 1,5 В
* VCE (сб.) 1
—
—
500
000000IC = 0,5 A, IB = 0,1 A
* VCE (насыщ.) 2
—
—
1
V
IC = 1A, IB = 0.25A
* VCE (sat) 3
—
—
3
V
IC = 1,5A, IB = 0,5A
* VBE (sat)
—
—
1
ВIC = 0,5 А, IB = 0,1 А
* VBE (насыщ.
