1N4448 характеристики: 1N4448, Диод 150мА 100В [DO-35] (= КД510А), Diotec

Содержание

Диод 1N4148 1N4448 импульсный малосигнальный диод

 Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка…

Представляет из себя цилиндрический стеклянный корпус с гибкими проволочными выводами. Данный диод имеет высокую надежность.

Характеристики диода

1N4148 

 

Uобр.max (постоянное напряжение )

75В

Uобр.max (импульсное напряжение)

100В

Iпрям.max

150мA*

Iпрям.max (импульс. 1S однократно)

500мA*

Максимальная мощность (рассеиваемая)

500мВт

Uпрям. (не более)

Iобрат. (при t=+25°C, не более)

5µA*

C (ёмкость перехода)

4пF

Время воcстановления

< 4nS

Диапазон температур

-50…+150°C

Вес

0,15g

Тип корпуса

DO-35

Аналоги

КД521А, КД522Б

 

 

* Параметры диодов 1N4148 у различных производителей могут незначительно  отличаться. Данные параметры представлены для диодов производимых фирмой Micro Commercial Components.

 

Цоколевка и все необходимые параметры и габариты диода в DATASHEET-1N4148DO-35,

Обратный ток с повышением температуры возрастает.

 

 

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет — УПИ»

Отчёт

По лабораторной работе №1

«Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) p – n  перехода»

Вариант №10

Выполнила: Соболева Е.Ю.

Группа: Фт-35051.

Проверил: Пономарёв А.В.

Екатеринбург, 2008

Схема.

Результаты измерений.

Ток через диод, А

Напряжение на диоде, В

9.85E-07

0.343

9.96E-06

0.408

5.00E-05

0.453

2.00E-04

0.491

4.99E-04

0.516

1.00E-03

0.536

5.00E-03

0.581

5.00E-02

0.648

1.00E-01

0.671

1.00E-02

0.600

Графики.

Начальный участок вольт-амперной характеристики диода 1N4942GP.

I – ток протекающий через диод в амперах.

U – напряжение на диоде в вольтах.

Вольт-амперная характеристика диода 1N4942GP в логарифмическом представлении.

I – ток протекающий через диод в амперах.

U – напряжение на диоде.

Ответы на вопросы.

1.В эксперименте используется источник тока, к которому подключён диод 1N4942GP (прямое включение), последовательно в цепь включен амперметр для снятия значений тока через диод, а параллельно диоду - вольтметр для снятия значений напряжения на нём.

2.ВАХ показывает зависимость тока через диод от приложенного напряжения. Исходя из вида графика, можно говорить о понижении потенциального барьера p-n перехода и понижении напряжения прямого смещения.

3.При прямом напряжении в p-n переходе наряду с туннельным током появляется диффузионный ток. При расхождении границы зоны проводимости n-области с границей валентной зоны p-области, существует только диффузионный ток. Таким образом, диффузионный ток основных носителей заряда является доминирующим, при прямом включении p-n перехода.

4.Так как напряжение отпирания составляет 0.6 В, то диод выполнен из кремния, если бы напряжение было меньше или равно 0.2 В, то это был бы уже диод, сделанный из германия.

3.9.8. Исследование характеристик диодов

Исследование прямой ветви ВАХ диодов производится с помощью схемы, приведенной на рисунке 14. Она состоит из источника постоянного напряжения V1, амперметра А, исследуе­мого диода D1 и вольтметра V для измерения напряжения на диоде.

Рис. 14. Схема для исследования прямой ветви ВАХ диода

Для исследования обратной ветви ВАХ диода используется схема, приведенная на рисунке 15.

Рис. 15. Схема для исследования обратной ветви ВАХ диода

3.9.9. Задание на лабораторную работу

  1. Исследовать прямую ветвь ВАХ двух диодов (см. таблицу 1).

    1. Собрать схему (рисунок 14).

    2. Меняя последовательно значения напряжения источника V1 от 0 до 1 В, снимать показания измерительных приборов. Значения токов и напряжений заносить в таблицу Excel.

  2. Исследовать обратную ветвь ВАХ двух диодов из п. 1.

    1. Собрать схему (рисунок 15).

    2. Меняя последовательно значения напряжения источника V1 от 0 до значений, когда ток через диод начнет резко возрастать (пробой), снимать показания измерительных приборов. Значения токов и напряжений заносить в таблицу Excel.

  3. Сравнить эти данные с результатами расчетов по формуле (1). Построить график рассчетной ВАХ для двух диодов.

  4. На основе созданных таблиц построить график ВАХ для двух диодов.

  5. Собрать схему для исследования светодиода (рисунок 14). Определить значение тока, при превышении которого светодиод загорается.

Таблица 1. Задание на лабораторную работу

варианта

1

2

3

4

5

6

7

Диод

1N4942GP

1N4585GP

1N4586GP

1N4248GP

1N4249GP

1N3611GP

1N3612GP

Диод

1N3064

1N4009

1N4148

1N4149

1N4150

1N4151

1N4152

Светодиод

голубой

красный

зеленый

оранж.

желтый

ИК

красный

варианта

8

9

10

11

12

13

14

Диод

1N3613GP

1N3614GP

N3957GP

1N4001GP

1N4002GP

1N4003GP

1N4004GP

Диод

1N4153

1N4154

1N4446

1N4447

1N4448

1N4449

1N5850

Светодиод

зеленый

оранж.

голубой

ИК

желтый

оранж.

голубой

варианта

15

16

17

18

19

20

Диод

1N4005GP

1N4006GP

1N4007GP

1N4245GP

1N4246GP

1N4247GP

Диод

1N5851

1N6478

1N6479

1N6480

1N6481

1N6482

Светодиод

зеленый

ИК

желтый

красный

голубой

оранж.

3.9.10. Контрольные вопросы

  1. Устройство полупроводникового диода.

  2. Типы р-n переходов.

  3. Формула, описывающая вольтамперную характеристику рn перехода.

  4. Типы пробоев р-n перехода и их краткая характеристика.

  5. Составляющие емкости р-n перехода.

  6. Принцип действия светодиодов.

  7. Известные основные типы полупроводниковых диодов и их краткая характеристика.

Быстрокоммутируемые диоды DСCOM широкого применения

Быстрокоммутируемые диоды DСCOM широкого применения

Описание: Тайваньская фирма DC Components выпускает быстрокоммутируемые диоды для широкого круга применения. Их отличает низкие потери мощности, низкий ток утечки, высокая скорость переключения и высокая надежность. Диоды выпускаются в корпусах DO34 и DO35.

Корпус и размеры

Предельно допустимые параметры и температурные характеристики
Параметр Обозначение 1N914 1N4148 1N4150 1N4151 1N4154 1N4448 1N4454 Единица измерения
Пиковое обратное напряжение VRRM 100 100 50 75 35 100 75 V
Выпрямленный ток IO 75 150 200 150 150 150 150 mA
Мощность реассеивания (Tamb=25°C) Ptot 250 500 500 500 500 500 500 mW
Прямое напряжение VF 1.0/10 1.0/10 1.0/200 1.0/50 1.0/30 1.0/100 1.0/10 V/mA
Обратный ток IR 5000/75 5000/75 100/50 50/50 100/25 5000/75 100/10 nA/V
Время восстановления trr 4.0 4.0 4.0 2.0 2.0 4.0 4.0 ns
Типовая емкость перехода Cj 4.0 pF
Температура перехода и температура хранения TJ, Tstg -65 to + 200 °C

Графики и зависимости

Диод fr154 характеристики аналоги — Морской флот

/

/

Диод fr154 характеристики аналоги

Вы можете купить FR154 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FR154 компании Rectron распространяется гарантия год

Описание: Rectifiers Use 583-FR154-B HISTX 583-FR154-B

Диод: выпрямительный; THT; 400В; 1,5А; Упаковка: лента; DO15; 150нс

Диод: выпрямительный; THT; 400В; 1,5А; Упаковка: лента; DO15; 150нс

RoHS

Код TME:FR154-YAN
Обозначение производителя:FR154
Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
Документация: (1)
Каталожное опис.: подробности

Информация об упаковке

Коробка=3000 [pcs]

Есть вопросы?
+(48) 42 645 54 44
[email protected]

Информация об упаковке

Коробка=3000 [pcs]

Есть вопросы?
+(48) 42 645 54 44
[email protected]

ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Тип диодавыпрямительный
МонтажTHT
Обратное напряжение макс.400В
Прямой ток1,5А
Конструкция диодаодиночный диод
Характеристики полупроводниковых элементовбыстрый диод
Вид упаковкилента
КорпусDO15
Время готовности150нс
Импульсный ток50А
Падение напряжения макс.1,3В

Дополнительная информация

  • Масса брутто: 0.41 g

TME – это свыше 800 работников, которые профессионально выполняют свои обязанности на всех этапах процесса реализации заказа.

В нашем предложении имеется 250 000 электронных компонентов от 950 производителей.

С 1990 года мы динамично развиваемся и наращиваем наш потенциал в мире. Ежедневно мы высылаем 5000 посылок и заботимся о том, чтобы они поступали заказчику в кратчайшее время.

ДИОДЫ, АНАЛОГИ


Здесь представлена самая большая таблица взаимозаменяемости импортных и отечественных диодов собраных в интернете. Часть 2. Полные и функциональные аналоги диодов. Даташит на каждый диод можно посмотреть введя её название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали можно посмотреть в любом интернет магазине.


1N3064 КД521А
1N3064M КД521А
1N3065 КД521А
1N3067 КД521Г
1N3082 КД205Г
1N3083 КД205Б
1N3121 Д220
1N3184 КД205А
1N3193 КД205Л
1N3194 Д229Л
1N3228 КД105Г
1N3229 КД205А
1N3238 Д229Ж
1N3239 КД205Л
1N3253 КД205Л
1N3254 Д229Л
1N3270 Д246Б
1N3277 КД205Л
1N3278 Д229Л
1N3282 МД218
1N3545 КД205Г
1N3547 Д229Л
1N3600 КД209А
1N3604 КД521А
1N3606 КД521А
1N3607 КД521А
1M3639 КД205Л
1N3640 Д229Л
1N3657 Д246Б
1N3659 КД205Л
1N3748 КД205Г
1N3749 КД205Б
1N3750 КД205Ж
1N3827 КС456А
1N3827A КС456А
1N3873 КД509А
1N3873H КД509А
1N3954 КД509А
1N4001 КД208, КД209, КД226А, КД243А
1N4002 КД243Б
1N4003 КД243В
1N4004 КД243Г
1N4005 КД243Д
1N4006 КД243Е
1N4007 КД243Ж
1N4008 МД3Б
1N4099 КС168А
1N4147 КД503А
1N4148 КД510, КД521А, КД522Б, КД106А
1N4149 КД521А
1N4150 КД522Б, КД106А
1N4153 КД521А
1N4305 КД521А
1N4364 Д229Ж
1N4365 КД205Л
1N4366 Д229К
1N4367 Д229Л
1N4437 Д246
1N4438 КД206В
1M4439 КД210Б
1N4446 КД521А, КД522Б
1N4447 КД521А
1N4448 КД521А
1N4449 КД521А
1N4454 КД521А
1N4531 КД521А
1N4622 КС139А
1N4624 КС147А
1N4655 КС456А
1N4686 КС139А
1N4688 КС147А
1N4734 КС456А
1N4817 КД208А
1N5151 КД521А
1N5209 Д223Б
1N5216 КД205Б
1N5217 КД205Ж
1N5318 КД521А
1N5392 КД208А
1N5393 КД258А
1N5395 КД258Б
1N5397 КД258В
1N5398 КД258Г
1N5399 КД258Д
1N5400 КД280А
1N5401 КД227А, КД280Б
1N5402 КД280В
1N5404 КД280Г
1N5406 КД280Д
1N5407 КД280Е
1N5408 КД280Ж
1N5624 КД257А
1N5720 КД503А
1N5819 КДШ2105В
1P644 Д229В
1P647 Д229Е
1S032 КД205Л
1S034 Д229Л
1S41 КД205Л
1S43 Д229Л
1S101 КД205Л
1S103 Д229Л
1S113 Д229Е
1S148 Д229К
1S162 Д243
1S163 Д245
1S164 Д246
1S165 КД206Б
1S307 Д18
1S313 КД205В
1S314 КД205Б
1S315 КД205А
1S421 Д243
1S423 Д246
1S427 КД210Б
1S473 Д811
1S544 КД210Б
1S558 КД205А
1S559 КД205В
1S1219 КД521Г
1S1220 КД521Г
1S1230 КД205Б
1S1231 КД205А
1S1232 КД205Ж
1S1473 КД521Г
1S1763 КД205Б
1S1943 КД205Б
1S1944 КД205Ж
1T502 КД205Г
1T504 КД205Б
1T505 КД205А
1T506 КД205Ж
20S5 КД205Г
20TQ045 КДШ2965Б
20TQ060 КДШ2965А
24J2 Д223Б
2A04 КД411ЕМ
2A05 КД411ВМ-ДМ
2A06 КД411АМ, БМ, НМ
2T502 КД205Г
2T504 КД205Б
2T505 КД205А
2T506 КД205Ж
3C15 Д303
3T502 КД205Г
4T502 КД205Г
7,00E+01 Д229Ж
7J1 Д229Ж
7J2 КД205Л
75R2B КД205Л
BAS32 КД811А
BAV682 КД811Б
BY296P КД266А
BY297P КД226Б
BY298P КД226В
BY299P КД226Д
DL4148 КД521А, 522Б-SMD
ESP5300 Д245Б
F0100 КД509А
F1E3 Д245Б
F1K3 Д248Б
F2B3 Л242
F2h4 КД206Б
F2M3 КД203Г
F2N3 КД210Б
FD600 КД521А
FDN600 КД521А
FPZ5V6 КС456А
FR101 КД247Е
FR102 КД247А
FR103 КД247Б
FR104 КД247В
FR105 КД247Г
FR106 КД247Д
FR153 КД258А
FR154 КД258Б
FR155 КД258В
FR156 КД258Г
FR157 КД258Д
FR202 КД226А
FR203 КД226Б
FR204 КД226В
FR205 КД226Г
FR206 КД226Д
FR303 КД257А
FR304 КД257Б
FR305 КД257В
FR306 КД257Г
FR307 КД257Д
G65HZ Д248Б
G1010 Д242
G3010 Д245
G4010 Д246
GP15d КД258А
GP15g КД258Б
GP15j КД258В
GP15k КД258Г
GP15m КД258Д
HDS901 КД521Г
HDS9003 КД509А
HMG626A Д220
HMG662 Д220Б
HMG662A Д220Б
HMG663 Д220Б
HMG844 Д220Б
HMG904 КД521Г
HMG904A КД521Г
HMG907 КД521Г
HMG907A КД521Г
HMG2873 КД509А
HMG3064 КД521А
HMG3596 КД521Г
HMG3598 КД521А
HMG3600 КД509А
HMG4150 КД509А
HMG4319 КД521А
HMG4322 КД509А
HR9 Д818А
HS033A КС133А
HS033B КС133А
HS2039 КС139А
HS7033 КС133А
HS9010 КД521Г
HS9501 КД521А
HS9504 КД521А
HS9507 КД521А
JE2 КД205Л
LAC2002 КС147А
LD57C АЛ336В
LDD5 КД521Б
LDD10 КД521Б
LDD15 КД521Б
LDD50 КД521Б
LR33H КС133А
M1B1 КД208А
M1B5 КД208А
M1B9 КД208А
M4HZ Д229Е
M14 Д229В
M68 Д229Ж
M69B КД205Л
M69C КД205Г
M500B КД205Е
M500C КД205А
R604 Д246
R606 КД206В
R612 Д243
R614 Д246
R616 КД206В
RGP10a КД247Е
RGP10b КД247А
RGP10d КД247Б
RGP10g КД247В
RGP10j КД247Г
RGP10k КД247Д
RGP15d КД258А
RGP15g КД258Б
RGP15j КД258В
RHP15k КД258Г
RGP15m КД258Д
RGP30d КД257А
RGP30g КД257Б
RGP20j КД257В
RGP30k КД257Г
RGP30m КД257Д
RL204 КД411ЕМ
RL205 КД411ВМ-ДМ
RL206 КД411АМ, БМ, НМ
RZ18 КС218Ж
RZ22 КС222Ж
RZZ11 КС211Ж
S1,5-0,1 КД208А
S2A-12 Д243
S2E20 КД205Г
S2E60 КД205Ж
S5A1 Д304
S5A2 Д243Б
S5A3 Д245Б
S5A6 Д248Б
S5AN12 КД206Б
S6AN12 КД206В
S7AN12 КД203Г
S8AN12 КД210Б
S15 КД205А
S17 КД205Г
S18 КД205А
S18A КД205А
S19 Д7Ж
S20-06 Д248Б
S23A КД205Ж
S26 Д229К
S28 КД105Г
S30 КД205Ж
S31 КД205В
S83 Д229К
S92A КД205Л
S101 КД205Г
S106 Д7Ж
S205 Д210
S206 Д211
S208 МД217
S210 МД218
S219 Д7Ж
S222 КД205Г
S223 КД205В
S234 КД105Г
S252 КД205Г
S253 КД205В
S256 КД105Ж
S425 КД206В
S427 КД210Б
S65250 КД509А
SD1A КД205Ж
SD11 Д101
SD17Z КД205Г
SD91A Д229Ж
SD92A КД205Л
SD93 Д229К
SE05B КД205Ж
SE05S КД205Г
SE1,5SS КД208А
SFD43 КД521Г
SFD83 КД521Г
SG203E, K Д243Б
SG5200 КД521А
SG5260 КД521А
SJ103E, K Д304
SJ104E, K Д242
SJ204E, K Д243
SL3 Д245Б
SM20 КД205Л
SM230 Д229К
SV131 Д818А
SV134 Д811
SVM91 Д818А
SVM905 Д818А
SVM9010 Д818А
SVM9011 Д818А
SVM9020 Д818А
SVM9021 Д818А
SW05B КД205Ж
SW05S КД205Г
SW1S Д229Ж
SW1SS КД205Л
SZ9 Д818А
SZ11 Д811
TIC106 КУ223И
TF24 Д226В
TK20 КД205Л
TK40 Д229Л
TMD45 Д207
TS1 Д229Ж
TS2 КД205Л
TS4 Д229Л
UR215 Д303
UP12069 КД205Л
UP12070 Д229Л
UP12070A Д229Л
URE100X Д304
URF100X Д304
URG100X Д304
UT112 Д229Ж
UT113 КД205Л
UT114 Д229К
UT115 Д229Л
UT212 Д229К
UT213 Д229Л
XS10 Д229Ж
XS17 КД205Л
Z1550 КС156А
Z1555 КС156А
Z1560 КС156А
Z1565 КС156А
Z1570 КС156А
Z1A5,6 КС156А
Z1A6,8 КС168А
Z1A11 Д811
Z1B5,6 КС156А
Z1B6,8 КС168А
Z1B11 Д811
Z1C5,6 КС156А
Z1C11 Д811
Z1D6,8 КС168А

Исследование характеристик диодов

⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 14Следующая ⇒

Исследование прямой ветви ВАХ диодов производится с помощью схемы, приведенной на рис. 30. Она состоит из источника постоянного напряжения V1, амперметра А, исследуе­мого диода D1 и вольтметра V для измерения напряжения на диоде.

Для исследования обратной ветви ВАХ диода используется схема, приведенная на рис. 31.

Рис. 30. Схема для исследования прямой ветви ВАХ диода

Рис. 31. Схема для исследования обратной ветви ВАХ диода

Задание на лабораторную работу

1. Исследовать прямую ветвь ВАХ двух диодов (см. табл. 1).

1.1. Собрать схему (рис. 30).

1.2. Меняя последовательно значения напряжения источника V1
от 0 до 1 В, снимать показания измерительных приборов. Значения токов и напряжений заносить в таблицу Excel.

2. Исследовать обратную ветвь ВАХ двух диодов из п. 1.

2.1. Собрать схему (рис. 31).

2.2. Меняя последовательно значения напряжения источника V1 от 0 до значений, когда ток через диод начнет резко возрастать (пробой), снимать показания измерительных приборов. Значения токов и напряжений заносить в таблицу Excel.

3. Сравнить эти данные с результатами расчетов по формуле (1). Построить график рассчетной ВАХ для двух диодов.

4. На основе созданных таблиц построить график ВАХ для двух диодов.

5. Собрать схему для исследования светодиода (рис. 30). Определить значение напряжения (и соответствующего ему тока), при превышении которого светодиод загорается.

Таблица 1

Задание на лабораторную работу №1

№ варианта
Диод 1N4942GP 1N4585GP 1N4586GP 1N4248GP 1N4249GP 1N3611GP 1N3612GP
Диод 1N3064 1N4009 1N4148 1N4149 1N4150 1N4151 1N4152
Светодиод голубой красный зеленый оранж. желтый ИК красный
№ варианта
Диод 1N3613GP 1N3614GP 1N3957GP 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP
Диод 1N4153 1N4154 1N4446 1N4447 1N4448 1N4449 1N5820
Светодиод зеленый оранж. голубой ИК желтый оранж. голубой

 

№ варианта
Диод 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP 1N4245GP 1N4246GP 1N4247GP
Диод 1N5821 1N6478 1N6479 1N6480 1N6481 1N6482
Светодиод зеленый ИК желтый красный голубой оранж.

 

Контрольные вопросы

 

1. Устройство полупроводникового диода.

2. Типы р-n переходов.

3. Формула, описывающая вольтамперную характеристику р—n перехода.

4. Типы пробоев р-n перехода и их краткая характеристика.

5. Составляющие емкости р-n перехода.

6. Принцип действия светодиодов.

7. Известные основные типы полупроводниковых диодов и их краткая характеристика.

Лабораторная работа №2.

Исследование выпрямительных схем

Для электропитания радиоэлектронной аппаратуры используются источники питания сети переменного тока промышленной частоты 50 Гц, автономные сети повышенной частоты 400 или 1000 Гц или химические источники питания. На практике наибольшее распространение получил способ питания, основанный на выпрямлении переменного тока внешней сети. Устройства, осуществляющие выпрямление, принято называть выпрямителями.

 

 

Поиск по сайту:

1N4448 Техническое описание — Быстрый диод с высокой проводимостью

1N6103 : Ограничитель переходных напряжений, Упаковка: e.

2SA1297 : Транзистор (усилитель мощности, коммутационные приложения).

ARS35A : Упаковка = Ars ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 50 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 35 ;; Ifsm (A) = 500.

BCX19 / T1 : Транзистор Сот-23. Сильный ток (500 мА) Низкое напряжение (45 В). ПРИМЕНЕНИЕ Усиление общего назначения. Насыщенная коммутация и драйверные приложения.Транзистор NPN в пластиковом корпусе СОТ23. Дополнение PNP: BCX17. ТИП МАРКИРОВКИ BCX19 Примечание p: Сделано в Гонконге. т: Сделано в Малайзии. Рис.1 КОД МАРКИРОВКИ (1) ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ в соответствии с абсолютным максимальным рейтингом.

FS20UM-6 : N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, высокоскоростное переключение Использование: 300 В, 20 А. ПРИМЕНЕНИЕ SMPS, преобразователь постоянного тока в постоянный, зарядное устройство, питание принтера, копировального аппарата, жесткого диска, дисковода дисковода, телевизора, видеомагнитофона, персонального компьютера и т. Д. Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока Ток стока (импульсный) Максимальная рассеиваемая мощность Канал температура Температура хранения Вес VGS = 0V VDS = 0V Обозначение V (BR) DSS V (BR) GSS IGSS IDSS VGS (th).

FS30AS-06 : N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, высокоскоростное переключение Использование: 60 В, 30 А. ПРИВОД 10В VDSS. 60 В rDS (ВКЛ.) (МАКС.). 30м ID. Встроенный диод быстрого восстановления на 30 А (ТИП.). 65ns ПРИМЕНЕНИЕ Управление двигателем, управление лампой, управление соленоидом, преобразователь постоянного тока в постоянный и т. Д. Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (Импульсный) Ток стока лавины (Импульсный) Ток источника Ток источника (Импульсный) Максимальная мощность.

MJE13005 : = переключающий транзистор ;; Пакет = ТО-220АБ.

SF17G : Стекло пассивировано. Пакет = ДО-41 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 500 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 1 ;; Ifsm (A) = 30.

SML75EUZ12JD : Доступны варианты досмотра = ;; Пакет = SOT227 (TO254AA) ;; Тип = C3 Усовершенствованный сверхбыстрый параллельный диод ;; Напряжение (В) = 1200 В ;; Ток (А) = 75А ;; VF (cont) = 3V ;; Trr (тип.) = 55 нс.

SPI07N60S5 : Для минимальных потерь проводимости. Характеристика Новая революционная технология высокого напряжения Лучший в мире R DS (вкл.) TO 220 Сверхнизкий заряд затвора Периодическая лавинная нагрузка Максимальный номинальный dv / dt Сверхнизкая эффективная емкость Улучшенная помехоустойчивость Максимальные номинальные значения, = 25 ° C, если не указано иное Параметр Непрерывный ток стока Импульсный ток стока , tp ограничено Tjmax энергией лавины ,.

TIP117 : ti TIP117, PNP Darlington — Кремниевые силовые транзисторы с подключением. ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ Компания Texas Instruments и ее дочерние компании (TI) оставляют за собой право вносить изменения в свои продукты или прекращать выпуск любого продукта или услуги без предварительного уведомления и рекомендовать клиентам получить последнюю версию соответствующей информации для проверки перед размещением заказов, что информация полагается, является актуальным и полным. Все товары продаются.

BLS6G3135-120 : Силовой транзистор LDMOS для радара S-диапазона мощностью 120 Вт LDMOS-транзистор, предназначенный для применения в радарах в 3.Диапазон от 1 ГГц до 3,5 ГГц. ВНИМАНИЕ! Это устройство чувствительно к электростатическому разряду (ESD). Поэтому следует соблюдать осторожность при транспортировке и обращении.

B54 : РЕЗИСТОР, СЕТЬ, ПЛЕНКА, ШИНА, ПОВЕРХНОСТЬ, 1206; 1608; 2512. s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 1206, 2512, CHIP; Рабочая температура: от -55 до 70 C (от -67 до 158 F).

F980G156MMA : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛ, ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 4 В, 15 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые; : Поляризованный; Диапазон емкости: 15 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 4 вольта; Тип установки: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 85 C (-67,

FD600R06ME3_S2 : 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канал; Тип упаковки: МОДУЛЬ-9; Количество блоков в ИС: 1.

KBP200-LF : 2 А, 50 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 60000 мА; VBR: 50 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBP, SIP-4; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4.

LD023A100FAB4A : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 25 В, C0G, 0,00001 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0402. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 1.00E-5 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

160R15Y105ZV4E : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 16 В, Y5V, 1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допуск емкости: 80 (+/-%); WVDC: 16 вольт; Тип монтажа: Поверхность.

80CPQ060 : 80 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-247AC. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, КПД; IF: 80000 мА; Пакет: ТО-3, ПЛАСТИК, ТО-3П, 3 ПИН; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

1N4448 лист данных — дискретные диоды, стандартные

2SA1909 :. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP (дополнение к типу 2SC5101) s Абсолютные максимальные характеристики Символ VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg +150 (Ta = 25C) Единица C Символ ICBO IEBO V (BR) CEO hFE VCE (sat) fT Условия COB VCB = 10 В, f = 1 МГц.

2SC3908 : Питание. Эпитаксиальный плоский тип NPN.

2SJ530 : для общего переключения. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp.1 апреля 2003 года производство полупроводников Mitsubishi Electric и Hitachi было передано Renesas Technology Corporation. Эти операции включают микрокомпьютер, логические, аналоговые и дискретные устройства, а также микросхемы памяти.

BAR64 : Кремниевый штыревой диод. Диапазон частот от 1 МГц до 3 ГГц Низкое сопротивление и длительный срок службы несущей Очень низкая емкость при нулевом обратном напряжении Максимальные характеристики Параметр Обратное напряжение диода Прямой ток Общая рассеиваемая мощность Температура перехода Диапазон рабочих температур Температура хранения TS 65C Символ VR IF Ptot Tj Top Tstg Значение C Единица измерения мА мВт 1 Для расчета.

BUK9510-30 : Транзисторный полевой уровень транзистора. N-канальный полевой силовой транзистор с логическим уровнем логического уровня в пластиковом корпусе с использованием технологии «траншеи». Устройство имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии и имеет встроенные стабилитроны, обеспечивающие защиту от электростатического разряда. Он предназначен для использования в автомобилях и в коммутационных устройствах общего назначения. СИМВОЛ VDS ID Ptot Tj RDS (ON) ПАРАМЕТР Напряжение сток-исток.

BZX79C11 : стабилитрон 11 В, 0,5 Вт. Диапазон температур хранения Максимальная рабочая температура перехода Температура свинца (1/16 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) Суммарное рассеяние устройства снижается при импульсной мощности выше 25 ° C ** * Эти номинальные значения являются предельными значениями, превышение которых может ухудшить работоспособность диода.** Однократная прямоугольная волна PW = 8,3 мс, TA = 50 ° C. ПРИМЕЧАНИЯ: 1) Эти рейтинги основаны.

SF201-T3 : 2.0a Выпрямитель с программным быстрым восстановлением.

VKM60-01P1 : Модули полевых МОП-транзисторов с Н-мостом. N-Channel Enhancement Mode High dv / dt, Low trr, символ полевых МОП-транзисторов семейства HDMOSTM VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv / dt Условия тестирования символа PD до 150 ° C; RGS 1 M Непрерывный переходный процесс = 25C, длительность импульса ограничена TJM 25C IS IDM, di / dt 100 A / s, VDD VDSS, = 25C ​​Условия испытаний Максимальные характеристики мДж В / нс W Технология HiPerFETTM — низкий RDSon — низкий уровень затвора.

BDY97.MOD : 10 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-3, 2 КОНТАКТА.

CD2811 : КРЕМНИЙ, ДИАПАЗОН УКВ, СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: Смеситель.

CMLM0575 : 650 мА, 20 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 20 вольт; rDS (вкл.): 0,2300 Ом; Тип упаковки: ПИКОМИНИ-6; Количество блоков в ИС: 1.

CRNA15-1000L3 : 9,5 А, 1000 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Упаковка: TO-220AB ИЗОЛИРОВАННАЯ, 3 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 1000 вольт; IF: 9500 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

DL5221-TP : 2,4 В, 0,5 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.

FCA4390RJ : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 4 Вт, 5%, 20 ppm, 390 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 390 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 20 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 4 Вт (0.0054 л.с.); Стандарты.

FP-5330 : ВЧ-ТРАНСФОРМАТОР 1 МГц — 100 МГц. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: RF; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -54 до 100 C (от -65 до 212 F).

NC1200224J : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 220000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), CHIP; Диапазон сопротивления: 220000 Ом; Допуск: 5 +/-%; Номинальная мощность: 0.1200 Вт (1.61E-4 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 150 C (от -67 до 302 F).

RSS551KJ : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 5 Вт, 5%, 200 ppm, 51000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: металлооксид; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 51000 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 5 Вт.

YG981S6R : 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AC.s: Упаковка: PLASTIC, TO-220F, 2 PIN; Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт; IF: 80000 мА; trr: 0,0260 нс.

1N4148 и 1N914 или 1N4448

1N4148 против 1N914 или 1N4448

Многие молодые инженеры имеют проблемы с таким количеством каталожных номеров переключающих диодов общего назначения и не знают, как сделать выбор.

“Диоды 1N914 и 1N4148 могут использоваться как взаимозаменяемые. 1N4148 считается продвинутой версией 1N914, но технически особой разницы нет.Единственное отличие состоит в том, что 1n4148 имеет меньший ток утечки, чем 1n914, но даже для некоторых производителей ток утечки одинаков для обоих диодов.
Вы не указали, в какой схеме вы его используете, если использование не критично, вы даже можете использовать многие другие эквивалентные диоды, такие как 1N914, 1N914A, 1N914B, 1N916, 1N916A, 1N916B, 1N4148, 1N4448 ».

ссылка на дайджест цепи

«1N4448 может обрабатывать около 500 мА по сравнению с только 200 мА для 1N4148
Прямое напряжение под нагрузкой примерно такое же при максимальном напряжении 1 В»

Instructables link

Отличий:

Большинство переключающих диодов общего назначения изготавливаются с использованием одного и того же процесса изготовления полупроводниковых пластин с небольшими изменениями в параметрах измерения и экранировании.

Это очень похоже на покупку яиц в супермаркете. Яйца с разных ферм разного размера.

Производители диодов создавали множество номеров деталей с небольшими вариациями или даже без вариаций ради упрощения маркетинга.

1N914 и 1N4148 имеют одинаковые характеристики.

1N4148 более удачлив, чтобы быть выбранным массовыми производителями, когда они делали дешевые игрушки и клавиатуры в начале 80-х. В каждой 144-клавишной клавиатуре было 144 штуки 1N4148, но в настоящее время они были заменены микроконтроллерами.

1N4448 и 1N4148 одинаковые

1N4448 и 1N4148 одинаковы технически, но с разными характеристиками по текущему обращению.

Технически перегрузка по току (мощности) ограничена пакетом DO35. Если 1N4448 может выдерживать ток 500 мА, то 1N4148 тоже.

Заключение

Как сделать выбор?

В соответствии с хорошей инженерной практикой стоимость компонентов является первым приоритетом. Если 1N4148 можно использовать технически, используйте 1N4148 вместо других диодов общего назначения.Вероятно, вы можете купить 1N4148 за небольшую часть стоимости по сравнению с другими диодами, такими как 1N914 или 1N4448.

Автор был глобальным бизнес-менеджером дискретного подразделения National Semiconductor в Кремниевой долине в конце 80-х.

Купить 1N4148 можно на сайте 1N4148.com.

Как это:

Нравится Загрузка …

[PDF] СПЕЦИФИКАЦИЯ. 1N4148; 1N4446; 1N4448 Быстродействующие диоды ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Sep 03

Скачать СПЕЦИФИКАЦИОННЫЙ ЛИСТ.1N4148; 1N4446; 1N4448 Быстродействующие диоды ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Сен 03 …

ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

ПАСПОРТ

M3D176

1N4148; 1N4446; 1N4448 Высокоскоростные диоды Спецификация продукта Заменяет данные апреля 1996 г. Файл в разделе Discrete Semiconductors, SC01

1996 Sep 03

Philips Semiconductors

Спецификация

Diodes rapides

1N4148; 1N4446; 1N4448

Характеристики

ОПИСАНИЕ

• Герметизация капсул в блоке SOD27 (DO-35)

Les 1N4148, 1N4446, 1N4448 не содержит диодов коммутации, ускоряющих использование этой технологии. -35).

• Скорость коммутации: макс. 4 нс • Общее применение • Обратное продолжение натяжения: макс. 75 В • Повторяющееся обратное напряжение де пуанта: макс. 75 В

справочник, половина страницы k

a

• Courant direct de pointe retitif: макс. 450 мА. ПРИМЕНЕНИЕ • Быстрая коммутация.

MAM246

Рис.1 Упрощение Буатье (SOD27; DO-35) и символы.

Valeurs limits En accord avec les valeurs maximums absolues du systeme (IEC 134). Обозначение

Параметр

Условия

МИН.

МАКС.

UNITE

VRRM

Натяжение де-пуанта, повторяющееся, обратное

75

В

VR

Продолжение натяжения, обратное

75

200

мА

IFRM

Courant direct de pointe repetitif

450

мА

IFSM

Courant direct de pointe без повторов Onde carree; Tj = 25 ° C —

4

на рис.2; примечание 1

t = 1 мкс

A

t = 1 мс

1

A

t = 1 с

0,5

A

000 500

000 складской запас

−65

+200

° C

Температурный режим

200

° C

Ptot

Общая производительность

Tstg Tj

=

примечание 1

примечание 1.Композитный монтируемый элемент на цепи, пропитанный длиной 10 мм

1996 Sep 03

2

мВт

Philips Semiconductors

Specification

Diodes rapides

1N4148; 1N4446; 1N4448

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Tj = 25 ° C; sauf информация противоположная. Обозначение VF

Параметр

Условия

МАКС.

UNITE

Направление натяжения 1N4148

IF = 10 мА

1.0

В

1N4446

IF = 20 мА

1,0

В

1N4448

IF = 5 мА

0,62

0,72

IF = 100 мА IR

МИН.

Обратный Курант

VR = 20 В

25

нА

VR = 20 В; Tj = 150 ° C

50

мкА

IR

Курант обратный; 1N4448

VR = 20 В; Tj = 100 ° C

3

мкА

Cd

Диодная емкость

f = 1 МГц; V R = 0

4

пФ

trr

Обратный темп восстановления

Коммутация среднего значения: I F = 10 мА a IR = 60 мА; RL = 100 Ом; измерение a IR = 1 мА

4

нс

Vfr

Прямое восстановление напряжения

Коммутация среднего значения IF = 50 мА; tr = 20 нс

2.5

V

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМИКА Обозначение

Параметр

Условия

Valeur

Unite

Rth j-tp

Сопротивление 10000 K / 9000 240/9000 Длина 9000 мм 240/2000 W

Rth ja

Сопротивление термическому сжатию с воздухом

longueur des broches 10 мм; примечание 1

350

K / W

Примечание 1.Композитный монтаж для цепи без покрытия

1996 сен 03

3

Philips Semiconductors

Спецификация продукта

Diodes Rapides 48

1N4 1N4446; 1N4448

ГРАФИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

MBG451

300

MBG464

600

справочник, половина страницы

справочник, половина страницы

IF (мА)

IF (мА) 200

100

(3)

200

0

0 0

100

Tamb (oC)

200

0

1

2

VF (V)

= 175 ° С; типовые значения.(2) Tj = 25 ° C; типовые значения. (3) Tj = 25 ° C; максимальные значения.

Устройство, установленное на печатной плате FR4; длина провода 10 мм.

Рис. 2

(2)

Максимально допустимый постоянный прямой ток в зависимости от температуры окружающей среды.

Рис.3

Прямой ток как функция прямого напряжения.

MBG704

102 справочник, полная ширина страницы IFSM (A)

10

1

10-1 1

10

102

103

tp (мкс)

волновых токов.Tj = 25 ° C до помпажа.

Рис.4 Максимально допустимый непериодический пиковый прямой ток как функция длительности импульса.

1996 Sep 03

4

104

Philips Semiconductors

Технические характеристики изделия

Высокоскоростные диоды

1N4148; 1N4446; 1N4448

MGD290

103 справочник, половина страницы

MGD004

1,2

справочник, половина страницы

ИК (мкА)

10

Cd (pF)

1

0 (1)

(2)

10 0,8 1

0,6

10-1

10-2 0

100

Tj (oC)

0,4

200

0

(1 ) VR = 75 В; типовые значения. (2) VR = 20 В; типовые значения.

Рис.5

VR (V)

20

f = 1 МГц; Tj = 25 ° С.

Обратный ток как функция температуры перехода.

1996 Sep 03

10

Рис.6

5

Зависимость емкости диода от обратного напряжения; типовые значения.

Philips Semiconductors

Технические характеристики

Высокоскоростные диоды

1N4148; 1N4446; 1N4448

справочник, полная ширина страницы

tr

tp t

D.U.T.

10%

IF

RS = 50 Ом

IF

ОСЦИЛЛОСКОП ПРОБ

t rr t

R i = 50 Ом

V = VR IF x RS

MGA881

90%

VR

входной сигнал

выходной сигнал

(1) IR = 1 мА.

Рис.7 Схема испытания напряжения обратного восстановления и формы сигналов.

I

1 кОм

450 Ом

В

I 90%

R S = 50 Ом

D.U.T.

ОСЦИЛЛОСКОП

V fr

R i = 50 Ом 10% MGA882

t tr

входной сигнал

Рис.8 Схема прямого восстановления восстанавливающегося напряжения и формы сигналов.

1996 Sep 03

6

t

tp

выходной сигнал

Philips Semiconductors

Технические характеристики продукта

Высокоскоростные диоды

1N4148; 1N4446; 1N4448

ОПИСАНИЕ ПАКЕТА

и книга, полная ширина страницы

0.56 макс. 1,85 макс.

4,25 макс.

25,4 мин.

25,4 мин.

MLA428 — 1

Размеры в мм.

Рис.9 СОД27 (ДО-35).

ОПРЕДЕЛЕНИЯ Таблица данных Статус Объективная спецификация

Эта таблица данных содержит целевые или целевые спецификации для разработки продукта.

Предварительная спецификация

Этот лист данных содержит предварительные данные; дополнительные данные могут быть опубликованы позже.

Технические характеристики продукта

Этот лист данных содержит окончательные технические характеристики продукта.

Предельные значения Приведенные предельные значения соответствуют Системе абсолютных максимальных номиналов (IEC 134). Напряжение выше одного или нескольких предельных значений может привести к необратимому повреждению устройства. Это только номинальные нагрузки, и работа устройства при этих или любых других условиях, превышающих указанные в разделах «Характеристики» спецификации, не подразумевается. Воздействие предельных значений в течение продолжительного времени может повлиять на надежность устройства. Информация о приложении Информация о приложении носит рекомендательный характер и не является частью спецификации.ПРИЛОЖЕНИЯ ДЛЯ ЖИЗНЕННОЙ ПОДДЕРЖКИ Эти продукты не предназначены для использования в приборах, устройствах или системах жизнеобеспечения, неисправность которых может привести к травмам. Клиенты Philips, использующие или продающие эти продукты для использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск и соглашаются полностью возместить Philips любой ущерб, возникший в результате такого ненадлежащего использования или продажи

1996 Sep 03

7

Datasheet Search Sites for Semiconductor

Что такое лист данных?

Техническое описание представляет собой своего рода руководство для полупроводников, интегральных схем .Таблица — это документ, печатный или электронный, который предоставляет подробную информацию о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программное обеспечение. Таблица включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Содержимое файла обычно содержит подробную информацию, пакеты, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся в виде книги, которая называлась книгой данных, но теперь она доступна в виде файла PDF.Обычно он предоставляется в виде файла PDF. В общем, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверять самые свежие таблицы.

Тем не менее, я рекомендую вам сверяться с таблицей данных за тот период времени, когда вы знаете год производства принадлежащих вам деталей.

Ссылки сайтов

1. Сайт с техническими данными, предоставленный магазином полупроводников

  • https://www.arrow.com/
  • https://www.digikey.com/
  • https://www.mouser.com/
  • http: // www.element14.com/
  • https://www.verical.com/
  • http://www.chip1stop.com/
  • https://www.avnet.com/
  • http://www.newark.com/
  • http://www.futureelectronics.com/
  • https://www.ttiinc.com/

2. Семейство сайтов поиска по таблицам

  • http://www.datasheet39.com/
  • http://www.datasheet4u.com/
  • http://www.datasheetcatalog.com/
  • http: //www.alldatasheet.com /
  • http://www.icpdf.com/
  • http://www.htmldatasheet.com/
  • http://www.datasheets360.com/
  • https://octopart.com/

Octopart — это поисковый двигатель для электронных и промышленных деталей. Найдите данные по запчастям , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

3. Другие семейства веб-сайтов, связанные с таблицами

  • https: // ru.wikipedia.org/wiki/Datasheet
  • http://www.smdcode.com/en/
  • http://www.s-manuals.com/smd
  • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать техническое описание

Статьи по теме в Интернете

1N4148-1N4448-1N4446

  • 8/7/2019 1N4148-1N4448-1N4446

    1/7

    ПАСПОРТ

    Спецификация продукта

    Заменяет данные апреля 1996 г. Сен 03

    ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

    1N4148; 1N4446; 1N4448 Высокоскоростные диоды

    M3D176

  • 7.08.2019 1N4148-1N4448-1N4446

    2/7

    1996 Sep 03 2

    Philips Semiconductors Спецификация продукции

    Высокоскоростные диоды 1N 1N4446; 1N4448

    ОСОБЕННОСТИ

    Герметичное витражное стекло

    Корпус SOD27 (DO-35)

    Высокая скорость переключения: макс.4 нс

    Общее применение

    Длительное обратное напряжение:

    макс. 75 В

    Повторяющееся пиковое обратное напряжение:

    макс. 75 В

    Повторяющийся пиковый прямой ток:

    макс. 450 мА.

    ПРИЛОЖЕНИЯ

    Высокоскоростная коммутация.

    ОПИСАНИЕ

    1N4148, 1N4446, 1N4448 — это высокоскоростные переключающие диоды, изготовленные по планарной технологии

    и заключенные в герметичные корпуса из свинцового стекла

    SOD27 (DO-35).

    Рис.1 Упрощенный контур (SOD27; DO-35) и символ.

    Диоды марочные.

    справочник, половина страницы

    MAM246

    k a

    ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

    В соответствии с Абсолютной максимальной рейтинговой системой (IEC 134).

    Примечание

    1. Устройство, установленное на печатной плате FR4; длина провода 10 мм.

    СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МИН. МАКСИМУМ. БЛОК

    Повторяющееся пиковое обратное напряжение VRRM 75 В

    Постоянное обратное напряжение VR 75 В

    ПЧ непрерывное прямое напряжение см. Рис.2; примечание 1 200 мА

    IFRM повторяющийся пиковый прямой ток 450 мА

    IFSM неповторяющийся пиковый прямой ток прямоугольной формы; Tj = 25 C до выброса

    ; см. рис. 4

    t = 1 с 4 A

    t = 1 мс 1 A

    t = 1 с 0,5 A

    Ptot общая рассеиваемая мощность Tamb = 25 C; примечание 1500 мВт

    Температура хранения Tstg 65 +200 C

    Температура перехода Tj 200 C

  • 8/7/2019 1N4148-1N4448-1N4446

    3/7

    1996 Sep 03 3

    Philips Semiconductors Продукт спецификация

    Диоды быстродействующие 1N4148; 1N4446; 1N4448

    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

    Tj = 25 C; если не указано иное.

    ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

    Примечание

    1. Устройство установлено на печатной плате без металлизации.

    СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МИН. МАКСИМУМ. UNIT

    Прямое напряжение VF см. Рис. 3

    1N4148 IF = 10 мА 1,0 В

    1N4446 IF = 20 мА 1,0 В

    1N4448 IF = 5 мА 0,62 0,72 В

    IF = 100 мА 1,0 В

    Обратное ИК ток VR = 20 В; см. рис. 5 25 нА

    VR = 20 В; Tj = 150 ° C; см. рис.5 50 А

    ИК обратный ток; 1N4448 VR = 20 В; Tj = 100 ° C; см. рис.5. 3 Емкость диода ACd f = 1 МГц; VR = 0; см. рис. 6 4 пФ

    trr Время обратного восстановления при переключении с IF = 10 мА на

    IR = 60 мА; RL = 100;

    измерено при IR = 1 мА; см. рис. 7

    4 нс

    Vfr прямое восстанавливающееся напряжение при переключении с IF = 50 мА;

    tr = 20 нс; см. рис. 8

    2,5 В

    СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ЗНАЧЕНИЕ ЕДИНИЦА

    Rth j-tp термическое сопротивление от соединения до соединительной точки, длина провода 10 мм 240 K / WRth j-a тепловое сопротивление от соединения до окружающей среды, длина 10 мм; примечание 1350 K / W

  • 8/7/2019 1N4148-1N4448-1N4446

    4/7

    1996 сен 03 4

    Philips Semiconductors Спецификация продукции

    Высокоскоростные диоды 1N4148; 1N4446; 1N4448

    ГРАФИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

    Рис.2 Максимально допустимый непрерывный прямой ток

    в зависимости от температуры окружающей среды

    .

    справочник, половина страницы

    0100200

    300

    200

    0

    100

    MBG451

    Tamb (oC)

    IF (mA)

    Устройство установлено на печатной плате FR4 длина провода 10 мм.

    Рис.3 Зависимость прямого тока от прямого напряжения

    .

    справочник, половина страницы

    0 1 2

    600

    0

    200

    400

    MBG464

    VF (V)

    IF (mA)

    (1) (2)

    (1) (2)

    (1) Tj = 175 ° C; типовые значения.

    (2) Tj = 25 ° C; типовые значения.

    (3) Tj = 25 ° C; максимальные значения.

    Рис.4 Максимально допустимый непериодический пиковый прямой ток как функция длительности импульса.

    На основе прямоугольных токов.

    Tj = 25 C до помпажа.

    справочник, полная ширина страницы

    MBG704

    10 тп (с) 1

    IFSM (A)

    102

    101

    104102 103

    10

    1

  • 1/19842

  • 1N4448-1N4446

    5/7

    1996 Sep 03 5

    Philips Semiconductors Спецификация продукции

    Высокоскоростные диоды 1N4148; 1N4446; 1N4448

    Рис.5 Обратный ток как функция температуры перехода

    .

    (1) VR = 75 В; типовые значения.

    (2) VR = 20 В; типовые значения.

    справочник, половина страницы

    0 100Tj (

    oC) 200

    103

    102

    101

    102

    10 (1)

    1

    IR (A)

    ) MG

    Рис.6 Зависимость емкости диода от обратного напряжения

    ; типовые значения.

    f = 1 МГц; Tj = 25 С.

    справочник, половина страницы

    0 10 20

    1,2

    1,0

    0,6

    0,4

    0,8

    MGD004

    VR (V)

    Cd (pF)

  • 8/14842 -1N4448-1N4446

    6/7

    1996 Sep 03 6

    Philips Semiconductors Спецификация продукции

    Высокоскоростные диоды 1N4148; 1N4446; 1N4448

    Рис.7 Схема испытания напряжения обратного восстановления и формы сигналов.

    справочник, полная ширина страницы

    t rr

    (1)

    IFt

    выходной сигнал

    t rt

    tp

    10%

    90% VR

    FS входной сигнал

    V = VI

    R = 50S

    IF

    D.U.T.

    R = 50i

    ОТБОР ПРОБ ОСЦИЛЛОСКОП

    MGA881

    (1) IR = 1 мА.

    Рис.8 Схема испытания прямого восстанавливающегося напряжения и формы сигналов.

    t r

    tt p

    10%

    90% I

    входной сигнал

    R = 50S

    I

    R = 50i

    ОСЦИЛЛОСКОП

    1 k 450 9000.T 9.000

    MGA882

    Vfr

    t

    выходной сигнал

    V

  • 8/7/2019 1N4148-1N4448-1N4446

    7/7

    1996 Sep 03 7

    диоды скорости 1N4148; 1N4446; 1N4448

    ОПИСАНИЕ ПАКЕТА

    ОПРЕДЕЛЕНИЯ

    ПРИЛОЖЕНИЯ ДЛЯ ПОДДЕРЖКИ ЖИЗНИ

    Эти продукты не предназначены для использования в приборах, устройствах или системах жизнеобеспечения, неисправность которых может привести к травмам.Клиенты Philips, использующие или продающие эти продукты для

    использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск и соглашаются полностью возместить Philips любой ущерб, возникший в результате такого

    ненадлежащего использования или продажи

    Статус таблицы

    Объективная спецификация Настоящая таблица данных содержит целевые или целевые спецификации для разработки продукта.

    Предварительная спецификация В этом техническом паспорте содержатся предварительные данные; дополнительные данные могут быть опубликованы позже.

    Технические характеристики продукта В этом техническом паспорте содержатся окончательные технические характеристики продукта.

    Предельные значения

    Приведенные предельные значения соответствуют Системе абсолютных максимальных номинальных значений (IEC 134). Напряжение выше одного или

    или более

    предельных значений может привести к необратимому повреждению устройства. Это только номинальные нагрузки, и работа

    устройства при этих или любых других условиях, превышающих указанные в разделах «Характеристики» спецификации

    , не подразумевается. Воздействие предельных значений в течение продолжительного времени может повлиять на надежность устройства.

    Информация о приложении

    Информация о приложении носит рекомендательный характер и не является частью спецификации.

    Рис.9 СОД27 (ДО-35).

    Размеры в мм.

    ndbook, полная ширина страницы

    MLA428 — 125,4 мин.

    4,25max

    1.85max

    25,4 мин.

    0,56max

  • Купить современный диод 1n4448 для ваших нужд Бесплатный образец сейчас О 9000 продукты и поставщики:

     

    Выберите диод 1n4448 из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив из диодов 1n4448 , включая, помимо прочего, светодиоды, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы. Вы можете выбрать диод 1n4448 из широкого набора основных параметров, спецификаций и номиналов, которые подходят для ваших целей.

    диод 1n4448 на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высоких классов обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии.Диод 1n4448 используется в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются в качестве выпрямителя, датчика освещенности, излучателя света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Для диода 1n4448 предлагается различная физическая упаковка, подходящая для монтажа на печатной плате, теплоотвода, проводного монтажа и поверхностного монтажа.

    Отличительными особенностями диода 1n4448 являются толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая нагрузка, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементным перенапряжениям, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые для диода . 1n4448 включает в себя различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *