Что такое стабилитрон 1N4756A. Каковы его основные параметры. Где применяется стабилитрон 1N4756A. Как правильно выбрать и использовать стабилитрон 1N4756A. На что обратить внимание при работе с 1N4756A.
Общая характеристика стабилитрона 1N4756A
Стабилитрон 1N4756A представляет собой полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Данный компонент относится к семейству стабилитронов серии 1N47xx и обладает следующими ключевыми параметрами:
- Номинальное напряжение стабилизации: 47 В
- Допуск напряжения стабилизации: ±5%
- Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Корпус: DO-41 (осевые выводы)
- Количество выводов: 2
- Максимальная рабочая температура: 150°C
Стабилитрон 1N4756A широко применяется в различных электронных устройствах для стабилизации напряжения на уровне 47 В. Его основная функция — поддержание постоянного напряжения в цепи при изменениях входного напряжения или нагрузки.
Принцип работы стабилитрона 1N4756A

Это свойство и используется для стабилизации напряжения. При увеличении тока через стабилитрон напряжение на нем меняется незначительно, что позволяет поддерживать постоянное напряжение на нагрузке.
Основные области применения 1N4756A
Где используется стабилитрон 1N4756A? Основные сферы применения включают:
- Источники питания электронной аппаратуры
- Стабилизаторы напряжения
- Ограничители напряжения
- Генераторы опорного напряжения
- Защита чувствительных компонентов от перенапряжения
Стабилитрон 1N4756A часто используется в схемах, где требуется надежная стабилизация напряжения на уровне 47 В при относительно небольших токах.
Особенности выбора и применения 1N4756A
На что обратить внимание при выборе стабилитрона 1N4756A? Ключевые моменты:
- Напряжение стабилизации должно соответствовать требованиям схемы (47 В ±5%)
- Максимальный ток через стабилитрон не должен превышать расчетное значение
- Рассеиваемая мощность не должна превышать 1 Вт
- Температурный диапазон применения должен соответствовать условиям эксплуатации
При использовании 1N4756A важно обеспечить правильное подключение (соблюдая полярность) и не превышать максимально допустимые параметры.

Сравнение 1N4756A с аналогами
Как 1N4756A соотносится с другими стабилитронами? Рассмотрим сравнение с некоторыми аналогами:
- 1N4755A: напряжение стабилизации 43 В, остальные параметры аналогичны
- 1N4757A: напряжение стабилизации 51 В, остальные параметры аналогичны
- BZX79C47: напряжение 47 В, но меньшая мощность — 0,5 Вт
Выбор конкретной модели зависит от требуемого напряжения стабилизации и мощности в конкретной схеме.
Особенности монтажа и эксплуатации 1N4756A
Как правильно монтировать и эксплуатировать стабилитрон 1N4756A? Основные рекомендации:
- Соблюдать полярность при монтаже (катод обозначен полосой на корпусе)
- Использовать теплоотвод при работе на предельных режимах
- Не превышать максимально допустимую температуру p-n перехода (150°C)
- Учитывать изменение напряжения стабилизации при изменении температуры
- Обеспечить ограничение тока через стабилитрон (например, резистором)
Правильный монтаж и эксплуатация в допустимых режимах обеспечат надежную и долговременную работу стабилитрона 1N4756A.

Типовые схемы включения 1N4756A
Какие существуют типовые схемы с применением 1N4756A? Рассмотрим наиболее распространенные варианты:
- Параметрический стабилизатор напряжения
- Ограничитель напряжения
- Источник опорного напряжения
- Защита от перенапряжения
В простейшем случае стабилитрон 1N4756A включается последовательно с токоограничивающим резистором. Такая схема обеспечивает стабильное напряжение 47 В на нагрузке при изменениях входного напряжения или тока нагрузки в определенных пределах.
Альтернативы стабилитрону 1N4756A
Какие существуют альтернативы использованию стабилитрона 1N4756A? В некоторых случаях можно рассмотреть следующие варианты:
- Интегральные стабилизаторы напряжения (например, серии 78xx)
- Импульсные стабилизаторы напряжения
- Параметрические стабилизаторы на полевых транзисторах
- Стабилизаторы на операционных усилителях
Выбор альтернативы зависит от конкретных требований к стабильности, КПД, габаритам и стоимости устройства. Однако для простых схем стабилизации стабилитрон 1N4756A часто остается оптимальным выбором.

1N4756A от 5.26 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства MULTICOMP
Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Запросить
Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽
ZENER DIODE, 1W, 47V, DO-41.
Линия Продукции | — | Ничего не выбрано | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised | ||
Количество Выводов | 2вывод(-ов) | ||
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | ||
Упаковка | Cut Tape | ||
Стиль Корпуса Диода | DO-41 | ||
Рассеиваемая Мощность | 1Вт | ||
Типичное Значение Напряжения Зенера Vz | 47В | ||
Допуск Зенера ± | 5% |
Техническое описание
- 1N4756A скачать
Pdf, 186.
68 KB
Вы можете купить 1N4756A от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену 1N4756A и наличие сообщим по вашему запросу.
- 1N4756A Datasheet
Архив даташитов
Сопутствующие товары
80-4-5CHEMTRONICS
BRAID, DESOLDERING, ROSIN SD, 5FT
1N4756A от 19.59 рублей, доступно 5060 шт, производитель ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
5060 шт.
341.68 ₽
PDF, 1.17 MB
Описание
ON SEMICONDUCTOR — 1N4756A — Диод Зенера, 47 В, 1 Вт, DO-204AL, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C
Номенклатурный номер
OC2824906
Условия
61″>Срок поставки 4-7 недельЦена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
5+
68.34 ₽
10+
55.81 ₽
100+
29.61 ₽
500+
19.59 ₽
1N4756A характеристики:
Допуск Зенера ± | 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 |
Типичное Значение Напряжения Зенера Vz | 47 |
Стиль Корпуса Диода | DO-204AL |
Рассеиваемая Мощность | 1 |
Стандарты Автомобильной Промышленности | — |
Количество Выводов | 2 |
Линейка Продукции | — |
Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Перезвоните мне
Спасибо!
Ваша заявка отправлена. В ближайшее время мы свяжемся с Вами по указанным контактам.
Товар добавлен в корзину
1N4756A
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
Поздравляем!
Вы получили бесплатную доставку на Ваш заказ
Продолжить покупки
Перейти к заказу
Ошибка!
Заказанное количество не является кратным. Правильное количество должно быть кратным .
Извините, произошла ошибка
1N4756A
Срок поставки: 5-12 дней
Продолжить покупки
Зарегистрироваться
и получить скидку 100₽
на первый заказ
Введите Ваш номер мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом для регистрации», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Войти в личный кабинет
и получить скидку
на заказ
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Сохранение профиля
Данные сохранены!
Вы уверены?
Отменить удаление будет невозможно
Скопировать BOM
Введите названиеКвота запрошена
Отображение загруженного файла
Запись начинается на строке12
Предварительный просмотр вашего файла отображается ниже. Ваши столбцы были сопоставлены на основе содержания вашего файла. Пожалуйста, просмотрите выбранные варианты и используйте выпадающие списки над каждым столбцом, чтобы внести какие-либо изменения, а также сопоставить столбцы, которые мы не смогли отобразить автоматически. Требуется столбец как для номера детали, так и для количества.
Спасибо!
Ваша заявка отправлена
1N4756A техническое описание — стабилитрон 47 В, 1 Вт

Где купить
Функции, приложения |
Символ Параметр PD Рассеиваемая мощность TL 50C, длина провода = 3/8 дюйма Снижение номинальных характеристик выше 50C TJ, TSTG Диапазон рабочих температур и температур хранения * Эти номиналы являются предельными значениями, выше которых работоспособность диода может ухудшиться.Электрические характеристики (продолжение) T = 25°C, если не указано иное Примечания: 1. Напряжение стабилитрона (VZ) Напряжение стабилитрона измеряется, когда переход устройства находится в тепловом равновесии при температуре вывода (TL) 1°C и длине вывода 3/8 дюйма. |
Связанные продукты с тем же паспортом |
1N4756A_T50A |
1N4756A_T50R |
Номер детали того же производителя Fairchild Semiconductor |
1N4756A_T50A 47 В, 1 Вт Стабилитрон |
1N4757A 51 В, 1 Вт стабилитрон |
1N4758A 56 В, 1 Вт стабилитрон |
1N4760A 68 В, 1 Вт стабилитрон |
1N4764A 100 В, 1 Вт стабилитрон |
1N485B 1N485B — Диод общего назначения с малой утечкой |
1N486B Универсальный диод с малой утечкой |
1N4933 Выпрямители с быстрым восстановлением на 1,0 ампера |
1N4933GP 1,0 выпрямители тока | спасения ампера пассивированные стеклом быстрые
1N4934 Выпрямители с быстрым восстановлением на 1,0 ампера |
1N4934GP 1,0 выпрямители | быстрого спасения ампера пассивированные стеклом
1N4935 Выпрямители с быстрым восстановлением на 1,0 ампера |
1N4935GP 1,0-амперные стеклянные пассивированные выпрямители с быстрым восстановлением |
1N4936 Выпрямители с быстрым восстановлением на 1,0 ампера |
1N4936GP 1,0 выпрямители | быстрого спасения ампера пассивированные стеклом
1N4937 Выпрямители с быстрым восстановлением на 1,0 ампера |
1N4937GP 1,0 выпрямители тока | спасения ампера пассивированные стеклом быстрые
1N4938 |
1N4938 Быстрый диод с высокой проводимостью |
1N5221B 1N5221B — стабилитрон 2,4 В, 0,5 Вт |
1N5222B Стабилитрон |
1N485BTR : 1N485B — Диод общего назначения с малой утечкой 2N6800TX : FDG6322C : Цифровой полевой транзистор с двумя каналами N и P KSR2211 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP NM27C040Q200: 4 194 304 бит (512K X 8) Высокопроизводительная CMOS EPROM TMC3003R2C30 : ИС шины данных Тройной цифро-аналоговый преобразователь видеосигнала RM4741D : Операционный усилитель общего назначения MM74C90_02 : 4-битный счетчик декад FDLL4448_D87Z : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА, 100 В, стандарт; ДИОД МАЛЫЙ СИГНАЛ 100В LL-34 Характеристики: Тип диода: Стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс. MCT5200.3SDL : 1-КАНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Спецификации: Выход: Фототранзистор; Напряжение изоляции: 5300 вольт; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 30 вольт MPSL01L34Z : 200 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 Технические характеристики: Полярность: NPN |
Та же категория |
MA137 : Обозначение = MS ;; VR(V) = 80 ;; ЕСЛИ(мА) = 100 ;; ИК(нА) = 100 ;; Trr(ns) = 3 ;; Пакет = ССМини3-Ф2. PS100R : . Пластиковая упаковка имеет классификацию воспламеняемости лаборатории андеррайтеров 94V-O с использованием огнезащитного эпоксидного формовочного компаунда. Низкая утечка. Превосходит экологические стандарты MIL-S-19500/228 Быстрое переключение для высокой эффективности. XB15A204 : . NLong Carrier Life Life NLow Distortion NLarge Dynamic Range GCar Radio РЧ-аттенюаторы GFilter Switches GCATV РЧ-аттенюаторы PIN-диод XB15A204 использует высоконадежный стеклянный корпус, предназначенный для аттенюаторов слабых РЧ-сигналов в приборах VHF, UHF. Ta=25 OC СИМВОЛ P Tj Tstg ПАРАМЕТР Повторяющееся пиковое обратное напряжение Мощность обратного напряжения. 05002-100AMMC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0,00001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,00E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления: поверхностный. B41866C0337M012 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 75 В, 330 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. BAV4 : 0,1 А, 4000 В, КРЕМНИЕВЫЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-204AC. s: Упаковка: DO-15, ПЛАСТИКОВАЯ, DO-15, 2 PIN; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 100 мА. BSME100EBC101MF11D : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, НЕПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 100 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ В СКВОЗНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 60 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40, CFR02AMB103JM : КРЫШКА, MET PLASTIC F., 10NF, 100VDC, 5% -TOL, 5% +TOL. s: Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения. KDV251MA : 1,76 пФ, 12 В, КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. LT2323E : МАЛЫЙ СИГНАЛ, FET. s: Тип упаковки: SOT23, SOT-23, 3 PIN. LT2323E — это мощные полевые транзисторы с режимом улучшения логики P-Channel, которые производятся с использованием траншейной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс высокой плотности специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии. Эти устройства особенно подходят для приложений с низким напряжением, таких как управление питанием сотовых телефонов и ноутбуков. RL10FTNR100 : РЕЗИСТОР, ИЗМЕРЕНИЕ ТОКА, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ЛАЗУРОВКА/ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 1 %, 250 частей на миллион, 0,1 Ом, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Категория/Применение: Измерение тока, общего назначения; Технология/конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), 0805, ЧИП, БЕЗ СВИНЦА; Диапазон сопротивления: 0,1000 Ом; Допуск: 1 +/- %; Температура. RW80 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 1,5 Вт, 5; 10 %, 5 — 6000 частей на миллион, 0,1 Ом — 3160 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 55 вольт; Рабочая температура: 25 C (77 F). 1NF1EWB105KCS10020 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 50,75 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40. 200L1500 : КРЫШКА, AL2O3, 150 мкФ, 200 В постоянного тока, 10% -ПОЛ, 50% +ПОЛ. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: алюминиевые электролитические. |
1N4756A R0 | Taiwan Semi, 47V Zener Diode 5% 1 W Through Hole 2-Pin DO-41
Посмотреть все Стабилитроны
250 В наличии для отправки в тот же день
Добавить в корзинуtickAdded
Посмотреть корзину
a Pack of 50)
kr 3,747
(exc. VAT)
kr 4,684
(inc. VAT)
Units | Per unit | Per Pack* |
50 — 200 | kr 3,747 | kr 187,35 |
250 + | kr 3,692 | kr 184,60 |
*price indicative |
Packaging Options:
checkmarkСтандартная упаковка
empty-checkmarkПроизводственная упаковка
- RS Артикул:
- 687-5481
- Произв.
Деталь №:
- 1N4756A R0
- Марка:
- Тайваньский полупроводник
Technical Reference
- docPdf1N4740A — 1M200Z Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode Data Sheet
- docZipBuild or Request PCB Symbol & Footprint
Legislation and Compliance
Product Details
Zener Diodes 1W , Серия 1N47xxA, Taiwan Semiconductor
Стабилитроны, Taiwan Semiconductor