2N2222 datasheet на русском: 2N2222 маломощный биполярный транзистор datasheet документация на русском

Содержание

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I

oвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс.
Мин.
Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50
20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать

El Транзистор 2N2222 или PN2222

Это еще один из наиболее часто используемых транзисторов вместе с BC548. Поэтому, если вам нравится делать все своими руками и вы производитель, наверняка в какой-то момент вам понадобилось одно из этих устройств. В данном случае PN2222 представляет собой кремниевый транзистор малой мощности, предназначенный для коммутации и линейного усиления.

Причина, по которой он так востребован, заключается в том, что он хорош для усиления малых токов и малых или средних напряжений, а также может работать со средними высокими частотами. Это означает, что у него есть общее использование и он довольно популярен среди радиолюбители. Те, кто знает, будут знать, что это один из транзисторов, используемых для создания приемопередатчика BITX, или что он позволил клубу любительских радиолюбителей Norcal в 1999 году запустить задачу по созданию радиоприемопередатчика всего с 22 транзисторами этого типа без каких-либо тип дополнительной ИС.

Как и BC548, он производится с использованием процессов эпитаксии. Это тоже транзистор биполярный и тип NPN. В настоящее время он обычно имеет несколько возможных упаковок, таких как пластик TO-92, который обычно является наиболее распространенным способом его представления, а также другие, такие как TO-18, SOT-23, SOT-223 и т. Д.

Что такое транзистор?

в качестве радио или транзистор он был назван так из-за этого устройства, о котором мы говорили, я хотел бы сделать очень краткое введение в то, что такое транзистор, и немного истории. Транзисторы — это не что иное, как устройства, похожие на переключатели и способные усиливать сигнал. То есть они заменяют примитивные вакуумные лампы или вакуумные клапаны, доставлявшие столько проблем.

Эти клапаны были похожи на традиционные лампы, поэтому они могли перегореть и требовали частой замены. Они также были большими по размеру и не позволяли создавать маленькие устройства. Еще одной проблемой было выделяемое ими тепло. С приходом твердотельная электроника, то есть из полупроводники, позволили создать устройства такого типа намного дешевле, компактнее и надежнее.

Название транзистора происходит от объединения передача и резистор, то есть передаточный резистор по английски. Помните, что резистор — это резистор. Кроме того, как известно, изобретение появилось в Европе благодаря первым патентам физика Лилиенфельда (1925 г.). Он несколько опередил свое время, так как они не нашли ему практического применения ни в том, ни в следующем десятилетии, и это также был полевой транзистор, более продвинутая концепция, чем биполярные.

Оскар Хайль также сделал подобное устройство в Германии в 1934 году, а позже Роберт Поль и Рудольф Хильш также проводили эксперименты, связанные с этим типом устройства, в немецком университете. Практически параллельно в США в AT&T Bell Labs Они также проводили неудачные эксперименты, пока после Второй мировой войны судьба их не изменилась, и когда они вернулись с поля битвы в Европе, они нашли решение, предложив «обновленные» идеи.

Джон Бардин, Улейтер Браттейн и Уильям Шокли Они получили признание, запатентовав первый в истории транзистор и получив Нобелевскую премию. В 1948 году они изобрели контактный транзистор, очень большой, очень неуклюжий и непрактичный прибор, который был дорогим в производстве, а иногда выходил из строя и в некоторых случаях приходилось перемещать. С этого момента они эволюционировали до нынешних транзисторов.

Но если вы хотите знать, как это работает именно это устройство, которое произвела революцию в электронике и мире технологий, Вот этот GIF с сравнением транзистора и гидравлической системы, которое, я думаю, вы не найдете лучше, чем этот пример, чтобы передать идею того, как работает транзистор:

Видно, что при подаче тока на базу NPN-транзистора ток проходит от коллектора к эмиттеру. Но делает это усиленно, так как если посмотреть на изображение, то складываются потоки воды из базы и коллектора. Это как довольно просто, хотя в электронной системе следует заменить воду на электроны …

Если вы хотите увидеть несколько более информативное изображение с точки зрения работы полупроводниковых зон, то есть грузовые перевозчики, вот это другое изображение:

На изображении вы можете видеть, что когда к эмиттеру прикладывается отрицательное напряжение, он толкает отрицательные носители заряда (электроны), а у основания положительные носители заряда (дырки) «поглощают». электроны, чтобы они могли прыгнуть на коллектор

В случае PNP было бы аналогично, но поменять поляризацию или способы подключения транзистора.

2n2222 Особенности:

 

2N2222 или PN2222 часто производства Philips Semiconductor, хотя мы также можем найти других производителей, таких как исторический Fairchild Semiconductor, немецкий Siemens, COMSET Semiconductor, SEMICOA и т. д. Имеет вариант под названием 2N2222A.

2N2222A — это заключенный в металл типа ТО-18 и квалифицирован для использования в военных приложениях (MIL-STD) благодаря своей прочности, приемлемому диапазону температур и т. д. Если мы посмотрим на таблицы данных, предоставленные этими структурами, то характеристики, которые мы собираемся найти в этом транзисторе, следующие:

  • Напряжение коллектор-эмиттер в отсечке: 50V
  • Постоянный ток коллектора: 800 мА
  • Рассеиваемая мощность: 500mW
  • Текущий прирост:> 100hFE, обычно достигается 150.
  • Рабочая частота: 250-300 МГц, что позволяет использовать его в высокочастотном радио.
  • Тип: NPN биполярный
  • Герметизированные: ТО-92 из пластика, ТО-18 из металла, СОТ-23 и СОТ-223, последние два типа SMD.
  • Дополнительный (PNP): 2N2907
  • Эквивалент: вы можете использовать BC548, который мы видели в предыдущем посте, но не забудьте повернуть его на 180 °, перевернув контакты коллектора и эмиттера … Вы также можете использовать 2N3904 с очень похожими характеристиками, но он может передавать только десятую часть поддерживаемого тока в 2Н2222. Если схема предназначена только для небольших сигналов, ее можно заменить идеально. Аналогичен и 2N2219, но с большей мощностью. В этом случае, имея формат TO-39 (до 3 Вт) и поддерживая до 300 МГц, он может использоваться в передатчиках и усилителях для HF и VHF и даже в некоторых случаях UHF с выходной мощностью от 1 до 2 Вт.
  • Эквивалент SMD: для поверхностного монтажа используется SMD-транзистор 2n2222 в корпусе SOT-23.

техническое описание:

Un таблица — это документ, обычно PDF-файл с подробными характеристиками электронного устройства. Они создаются самой фабрикой с учетом особенностей ее продукта, поэтому мы можем обнаружить, что в двух таблицах данных на 2n2222 от разных производителей нет одинаковых параметров. Здесь вы можете скачать некоторые из них:

Я надеюсь это помогло тебе это руководство для 2N222 или PN2222.


Что такое транзистор 2N2222?

Транзистор 2N222 — это обычный биполярный транзистор с отрицательным положительным и отрицательным (NPN) током, который находит применение во многих различных видах электронного оборудования. Он используется как для усиления аналоговых сигналов, так и для коммутации. Функциональные части транзистора 2N2222 заключены в так называемый корпус TO-18, напоминающий небольшую металлическую банку. Широкий спектр применения транзистора 2N2222 и его небольшой размер делают его — и его варианты — наиболее широко используемыми транзисторами в электронике.

Функциональная часть транзистора 2N2222 представляет собой конструкцию NPN BJT. Транзистор 2N2222 сделан из германия или кремния, который был насыщен положительно или отрицательно измененным материалом в процессе, называемом «легирование». У 2N2222 есть положительно заряженный участок, расположенный между двумя отрицательно заряженными участками. Результирующие два соединения между тремя секциями — это то, где 2N2222 получает название «биполярный переходный транзистор». Используемые материалы расположены в порядке отрицательного, положительного, а затем отрицательного, поэтому устройство также называется NPN-транзистором.

2N2222 имеет три провода, которые используются для пайки его к печатным платам: коллектор, эмиттер и основание. Когда на коллекторе транзистора присутствует электронный сигнал, подача сигнала на базу транзистора приведет к излучению сигнала от эмиттера устройства. Таким образом, 2N2222 часто используется для включения и выключения сигналов.

Способность переключения транзистора 2N2222 также делает его полезным в качестве простого затвора «и». При использовании в этом качестве транзистор будет отправлять сигнал только при наличии двух отдельных сигналов: одного на его коллекторе и одного на его основании. Это позволяет использовать 2N2222 для автоматического управления потоком сигналов в цепи в зависимости от того, какие сигналы присутствуют или отсутствуют.

В приложениях усиления 2N2222 принимает аналоговый сигнал, такой как аудиосигнал, через коллектор, и к его базе подается отдельный сигнал. Выход на эмиттере транзистора будет тогда идентичен сигналу коллектора, за исключением того, что его мощность увеличивается на величину, пропорциональную сигналу, приложенному к его базе. Кроме того, изменение сигнала, подаваемого на базу, будет влиять на усиление сигнала, выходящего из излучателя.

Эксплуатационные характеристики делают устройство 2N2222 малым и средним током (до 600 мА), маломощным (до 625 мВ), средним напряжением (до 40 В). Хотя эти параметры могут показаться ограничивающими полезность 2N2222, 2N2222 идеально подходит для множества приложений по обработке и обработке сигналов до усиления высокой мощности. Транзисторы 2N2222 также используются для обработки сигналов до и после применения на более совершенных цифровых устройствах.

Хотя 2N2222 был первым в своем роде, он породил несколько вариантов, которые в совокупности называются транзисторами типа «2N2222», поскольку все они имеют функционально-конструктивные и эксплуатационные характеристики, идентичные оригинальному транзистору 2N2222. Главным среди этих вариантов является транзистор P2N2222, который заключен в небольшой черный корпус TO-92, выполненный из эпоксидной смолы или пластика. Сочетание большого количества применений для 2N2222 и экономичного пакета TO-92 сделало P2N2222 наименее дорогим и наиболее используемым транзистором в электронике.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

P2N2222A — Усилитель на транзисторах NPN Silicon

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать BroadVision, Inc.2020-08-11T13: 15: 24 + 02: 002013-01-10T10: 59: 36-07: 002020-08-11T13: 15: 24 + 02: 00application / pdf

  • P2N2222A — Транзисторы усилителя NPN Silicon
  • ON Semiconductor
  • Acrobat Distiller 9.5.2 (Windows) uuid: 1ca78d3c-5ccb-4f9a-9db0-82cb7dac7684uuid: c3548396-96b1-49ea-867f-6c1babf837e3 конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > транслировать HnF ^), rw, | Xq # — 䂖 6> RR «2, sfd» 73pBp

    } -ݏ HH_4 # zSDH9% D @ (8ei򩸱.// hF +

    Amazon.com: Россия Транзистор кремниевый КТ928В аналог 2Н2219А СССР 2 шт: Industrial & Scientific


    Цена:
    Цена: 14 долларов.00 $ 14,00 +4,99 $ перевозки
    • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
    • Транзистор кремниевый КТ928В аналог 2Н2219А СССР 2 шт.
    • На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R.
    • Если вы не можете найти нужный товар, свяжитесь с нами.
    Транзистор

    2N2222: все, что нужно знать

    El 2N2222 или PN2222 транзистор Это еще один из наиболее часто используемых транзисторов вместе с BC548.Поэтому, если вам нравится делать все своими руками и вы производитель, наверняка в какой-то момент вам понадобилось одно из этих устройств. В данном случае PN2222 представляет собой кремниевый транзистор малой мощности, предназначенный для линейного усиления и коммутации.

    Причина, по которой он так востребован, заключается в том, что он хорош для усиления малых токов и малых или средних напряжений, а также может работать со средними высокими частотами. Это означает, что он имеет общего использования и довольно популярен среди радиолюбителей .Те, кто знает, будут знать, что это один из транзисторов, используемых для создания приемопередатчика BITX, или что он позволил клубу любительских радиолюбителей Norcal в 1999 году запустить задачу по созданию радиоприемопередатчика всего с 22 транзисторами этого типа без каких-либо тип дополнительной ИС.

    Как и BC548, он изготовлен с использованием процессов эпитаксии. Это также биполярный транзистор и NPN типа . В настоящее время он обычно имеет несколько возможных упаковок, таких как пластик TO-92, который обычно является наиболее распространенным способом его представления, а также другие, такие как TO-18, SOT-23, SOT-223 и т. Д.

    Что такое транзистор?

    Радиоприемник или транзистор был назван так из-за этого устройства, о котором мы говорили, я хотел бы сделать очень краткое введение в то, что такое транзистор, и немного истории. Транзисторы — это не что иное, как устройства, похожие на переключатели и способные усиливать сигнал. То есть они заменяют примитивные вакуумные лампы или вакуумные клапаны, доставлявшие столько проблем.

    Эти клапаны были похожи на традиционные лампы, поэтому они могли перегореть и требовали частой замены.Они также были большими по размеру и не позволяли создавать маленькие устройства. Еще одной проблемой было выделяемое ими тепло. С появлением твердотельной электроники , то есть полупроводников , стало возможным создание устройств этого типа намного более дешевых, компактных и надежных.

    Название транзистора происходит от объединения передаточного резистора и резистора , то есть передаточного резистора на английском языке. Помните, что резистор — это резистор.Кроме того, как известно, изобретение появилось в Европе благодаря первым патентам физика Лилиенфельда (1925 г.). Он несколько опередил свое время, поскольку они не нашли ему практического применения ни в том, ни в следующем десятилетии, и это также был полевой транзистор, более продвинутая концепция, чем биполярные.

    Оскар Хайль также сделал подобное устройство в Германии в 1934 году, а позже Роберт Поль и Рудольф Хильш также проводили эксперименты, связанные с этим типом устройства, в немецком университете.Почти параллельно в США в AT&T Bell Labs они также проводили неудачные эксперименты, пока после Второй мировой войны судьба их не изменилась, и когда они вернулись с поля битвы в Европе, они пришли к решению, придумав: «освеженные» идеи.

    Джон Бардин, Улейтер Браттейн и Уильям Шокли Они получили заслугу, запатентовав первый транзистор в истории и получив Нобелевскую премию. В 1948 году они изобрели контактный транзистор, очень большое, очень грубое и непрактичное устройство, которое было дорогим в производстве, а иногда выходило из строя и в некоторых случаях приходилось перемещать.С этого момента они эволюционировали до нынешних транзисторов.

    Но если вы хотите знать , как это работает. именно это устройство, которое произвело революцию в электронике и мире технологий. этот пример, чтобы передать идею того, как работает транзистор:

    Видно, что при подаче тока на базу NPN-транзистора ток проходит от коллектора к эмиттеру.Но делает это усиленно, так как если посмотреть на изображение, то складываются потоки воды из базы и коллектора. Это аналог довольно простой, хотя в электронной системе нужно заменить воду на электроны …

    Если вы хотите увидеть несколько более информативное изображение с точки зрения работы полупроводниковых зон, то есть грузовиков , вот вам другое изображение:

    На изображении вы можете видеть, что когда к эмиттеру прикладывается отрицательное напряжение, он толкает отрицательные носители заряда (электроны), а у основания положительные носители заряда (дырки) «поглощают» электронов, чтобы они могли перейти на коллектор.

    В случае PNP он будет аналогичен, но изменит поляризацию или способы подключения транзистора.

    2n2222 Характеристики:

    2N2222 или PN2222 часто — это , производимые Philips Semiconductor , хотя мы также можем найти других производителей, таких как исторический Fairchild Semiconductor, немецкий Siemens, COMSET Semiconductor, SEMICOA и т. Д. Имеет вариант , названный 2N2222A .

    2N2222A — это , заключенный в металлический корпус типа TO-18 и квалифицированный для использования в военных приложениях (MIL-STD) благодаря своей прочности, приемлемому диапазону температур и т. Д.Если мы посмотрим на таблицы данных, предоставленные этими структурами, то характеристики, которые мы собираемся найти в этом транзисторе, следующие:

    • Напряжение коллектор-эмиттер в отсеке : 50В
    • Постоянный ток коллектора : 800 мА
    • Рассеиваемая мощность : 500 мВт
    • Коэффициент усиления по току :> 100hFE, обычно достигается 150.
    • Рабочая частота : 250-300 МГц, что позволяет использовать его в высокочастотном радио
    • Тип : биполярный NPN
    • Герметизированные: ТО-92 из пластика, ТО-18 из металла, СОТ-23 и СОТ-223, последние два типа SMD.
    • Дополнительный (PNP) : 2N2907
    • Эквивалент : вы можете использовать BC548, который мы видели в предыдущем посте, но не забудьте повернуть его на 180 °, перевернув контакты коллектора и эмиттера … Вы также можете использовать 2N3904 с очень похожими характеристиками, но он может только нести десятая часть тока поддерживается в 2N2222. Если схема предназначена только для небольших сигналов, ее можно заменить идеально. Аналогичен и 2N2219, но с большей мощностью. В этом случае, имея формат TO-39 (до 3 Вт) и поддерживая до 300 МГц, он может использоваться в передатчиках и усилителях для HF и VHF и даже в некоторых случаях UHF с выходной мощностью от 1 до 2 Вт.
    • SMD-эквивалент : для поверхностного монтажа используется SMD-транзистор 2n2222 в корпусе SOT-23.

    лист данных:

    Un datasheet — это документ , обычно в формате PDF, с подробными характеристиками электронного устройства. Они создаются самой фабрикой с учетом особенностей ее продукта, поэтому мы можем обнаружить, что в двух таблицах данных на 2n2222 от разных производителей нет одинаковых параметров. Здесь вы можете скачать некоторые из них:

    Надеюсь, вам помогло это руководство по 2N222 или PN2222.


    2sc2525 техническое описание и примечания к применению

    2SC2525

    Реферат: 2SA1075 «Усилители мощности звука» усилители мощности звука на транзисторах.
    Текст: Спецификация продукта Inchange Semiconductor 2SC2525 Кремниевые силовые транзисторы NPN · ОПИСАНИЕ · С корпусом MT-200 · Дополнение к типу 2SA1075 · Отличная безопасная рабочая зона · Сверхбыстрая скорость переключения ПРИМЕНЕНИЯ · Подходит для высокочастотных усилителей мощности, усилителей мощности звука, температура — 65 ~ 150 TC = 25 Технические характеристики полупроводникового продукта с заменой 2SC2525 Кремний, время нарастания, с Спецификация продукта на сменный полупроводник 2SC2525 Silicon NPN Power


    Оригинал
    PDF 2SC2525 МТ-200 2SA1075 МТ-200) 2SC2525 2SA1075 «Усилители мощности звука» усилители мощности звука на транзисторах
    2SC2525

    Аннотация: 2SA1075 Усилители мощности звука
    Текст: Спецификация продукции SavantIC Semiconductor 2SC2525 Кремниевые силовые транзисторы NPN ОПИСАНИЕ · С корпусом MT-200 · Дополнение к типу 2SA1075 · Отличная безопасная рабочая зона · Сверхбыстрая скорость переключения ПРИМЕНЕНИЯ · Подходит для высокочастотных усилителей мощности, усилителей мощности звука, температура -65 ~ 150 TC = 25 SavantIC Semiconductor Технические характеристики продукта 2SC2525 Кремний NPN, Транзисторы ОПИСАНИЕ УПАКОВКИ Рис.2 Габаритные размеры 3 2SC2525 —


    Оригинал
    PDF 2SC2525 МТ-200 2SA1075 МТ-200) 2SC2525 2SA1075 Усилители мощности звука
    2SC2526

    Аннотация: FT1551 2SA1075 2SC2431 FT2551 2SC2428 2SA1250 2SA1076 2SC2530 to-3 2SC2525
    Текст: 7120 12120150 5 1 60-200 2SC2523 2SA1073 TO-3160 7160 12120150 5 1 60-200 2SC2525 2SA1075, 1,8 VCE = 5 В, lc = 5A (1,7) 80 * 60 7,5 0,3 * 0,15 1.3 0,5 0,2 0,1 2SA1075 2SC2525 5 7 40 5 0,5 1,8 VCE


    OCR сканирование
    PDF 3iA97fa2 37MT7Ed5 2SC2530 2SA1080 О-220 FT1551 FT2551 2SC2528 2SA1078 2SC2526 2SA1075 2SC2431 2SC2428 2SA1250 2SA1076 2SC2530 к-3 2SC2525
    ТРАНЗИСТОР 2Sc 2525

    Аннотация: Транзистор 2SC2526 2SC 2625 Транзистор 2sc2526 2SC2525 2sa1075 2SA1076 транзистор 2sc 18 2SC2625 RM601
    Текст: ï »¿FUJITSU MICROELECTRONICS 3IE » Si 37Mm2 D01tS20 1 à – FMI 2SC2525, 2SC2526 Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор ОПИСАНИЕ Tho 2SC 2625 / 2SC 2526 представляют собой кремниевые NPN-транзисторы общего назначения с высокой мощностью, изготовленные с использованием кольцевых транзисторов Fujitsu. (RET), устройства RET состоят из нескольких подключенных эмиттеров, »H7b2 OGlbSSl 3 EBFMI T-33-13 2SC2525, 2SC2526 O ra nc: DO CURRENT GAIN III lilt vce lc.Коллекционер


    OCR сканирование
    PDF 37Mm2 D01tS20 2SC2525, 2SC2526 2625 / 2SC 2SC2526 / 2SC2526 300джи Т-33-13 ТРАНЗИСТОР 2Sc 2525 2SC2526 2SC 2625 транзистор ТРАНЗИСТОР 2sc2526 2SC2525 2sa1075 2SA1076 транзистор 2сц 18 2SC2625 RM601
    2005 — 2SA1075

    Аннотация: 2SC2526 2SA1076 2SC2525 2sa1076 2sc2526 2sa1076 эквивалент IC BASE
    Текст: Спецификация продукта www.jmnic.com 2SA1075 2SA1076 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ В корпусе MT-200 Дополнение к типу 2SC2525, 2SC2526 Высокая скорость переключения Отличная безопасная область применения ПРИМЕНЕНИЕ Высокочастотные усилители мощности Усилители мощности звука Импульсные регуляторы DC-DC преобразователи PINNING (см. рис.2) ОПИСАНИЕ КОНТАКТОВ 1 База 2 Коллектор; подсоединяется к монтажной базе 3 Излучатель Рис.1 упрощенный контур (MT-200) и символ Абсолютные максимальные характеристики (Ta


    Оригинал
    PDF 2SA1075 2SA1076 МТ-200 2SC2525 2SC2526 МТ-200) 2SA1075 -120В; 2SC2526 2SA1076 2sa1076 2sc2526 2sa1076 эквивалент БАЗА IC
    2SC2526

    Абстракция: 2SA1076 2SA1075 2SC2525 2sa1076 2sc2526
    Текст: SavantIC Semiconductor Спецификация продукта Кремниевые силовые транзисторы PNP 2SA1075 2SA1076 ОПИСАНИЕ · С корпусом MT-200 · Дополнение к типу 2SC2525, 2SC2526 · Высокая скорость переключения · Отличная безопасная рабочая область ПРИМЕНЕНИЕ · Высокочастотные усилители мощности · Усилители мощности звука · Импульсные регуляторы · Преобразователи постоянного тока в постоянный PINNING (см. Рис.2) ОПИСАНИЕ КОНТАКТОВ 1 База 2 Коллектор; подключается к монтажной базе 3 Излучатель Рис.1 упрощенный контур (MT-200) и символ Абсолют


    Оригинал
    PDF 2SA1075 2SA1076 МТ-200 2SC2525 2SC2526 МТ-200) 2SA1075 -120В; 2SC2526 2SA1076 2sa1076 2sc2526
    2Sc2525

    Аннотация: 2SC2526
    Текст: январь 1990 г., издание 1.1 — — ПРОФИЛЬ ПРОДУКТА Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор Fujitsu 2SC2525, 2SC2526 ОПИСАНИЕ 2 SC 2 5 2 5/2 SC 2 5 2 6 представляют собой кремниевые NPN-коммутационные транзисторы общего назначения с высокой мощностью, изготовленные с использованием Уникальная технология кольцевого эмиттера (RET) транзистора Fujitsu.Устройства R E T сконструированы с несколькими эмуляторами, подключенными через d iffu, ® 1M 0, производимыми FUJTSU UMTED и Fuftou W ereefedrenlee, Inc.


    OCR сканирование
    PDF 2SC2525, 2SC2526 2SC2526 2Sc2525
    2SC2526

    Аннотация: 2SA1076 2SA107 2sa1076 эквивалент 2SC2525 2SA1075 «Усилители мощности звука» 2sa1076 2sc2526
    Текст: Inchange Semiconductor Product Specification 2SA1075 2SA1076 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ · С корпусом MT-200 · Дополнение к типу 2SC2525, 2SC2526 · Высокая скорость переключения · Отличная безопасная рабочая область ПРИМЕНЕНИЕ · Высокочастотные усилители мощности · Усилители мощности звука · Импульсные регуляторы · Преобразователи постоянного тока в постоянный PINNING (см. Рис.2) ОПИСАНИЕ КОНТАКТОВ 1 База 2 Коллектор; подключается к монтажной базе 3 Излучатель Рис.1 упрощенный контур (MT-200) и символ Абсолют


    Оригинал
    PDF 2SA1075 2SA1076 МТ-200 2SC2525 2SC2526 МТ-200) -12160В; 2SA1075 -120В; 2SC2526 2SA1076 2SA107 2sa1076 эквивалент «Усилители мощности звука» 2sa1076 2sc2526
    К-220 JEDEC

    Аннотация: 2SA1042 2SC2431 Jedec TO-3 FT2551 JEDEC
    Текст: Раздел 1 Ring эмиттер Транзисторы — Обзор P AGA 1-3 Devio # 2SA1041 2SA1042 2SC2431 2SC2432 2SA1043 2SA +1044 2SC2433 2SC2434 2SA1072 2SA1072A 2SA1073 2SA1077 2SA1078 2SA1080 2SC2428 2SC2522 2SC2523 2SC2525 2SC2522A 2SC2526 2SC2527 2SC2528 2SC2530 2SC2429 2SC2920 2SC2964 2SC2429A 2SC2965 2SC3044 2SC3044A 2SC3045 2SC3046 2SC3055 2SC3056 2SC3056A 2SC3057 2SC3058 2SC3058A C aaa (na) JEDEC TO-3 Полярность PNP PNP NPN NPN PNP PNP NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN


    OCR сканирование
    PDF 2SA1041 2SA1042 2SC2431 2SC2432 2SA1043 2SC2433 2SC2434 2SA1072 2SA1072A 2SA1073 TO-220 JEDEC Jedec TO-3 FT2551 JEDEC
    2SC2526

    Реферат: 2SC2525 ТРАНЗИСТОР 2SC 2525 ТРАНЗИСТОР 2SC ТРАНЗИСТОР 2SC2525 2SA1076 LC 311 E1VCB «кольцевой эмиттер» 2SC25
    Текст: FUJ IT SU КРЕМНИЙНЫЙ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР 2SC2525 2SC2526 S epte m be r 19 79 КРЕМНИЙ NPN КОЛЬЦЕВОЙ ЭМИТТЕР ТРАНЗИСТОР (RET) 2 SC 2 5 2 5/2 SC 2 5 2 6 кремниевые NPN общего назначения, с высокой мощностью Коммутационные транзисторы, изготовленные по уникальной технологии Fujitsu с кольцевым эмиттерным транзистором (RET).Устройства R E T сконструированы с несколькими эмуляторами, подключенными через рассеянные балластные резисторы, которые обеспечивают постоянную плотность тока. Эта структура позволяет ее проектировать.


    OCR сканирование
    PDF 2SC2525 2SC2526 50 мкА 300jus 2SC2526 ТРАНЗИСТОР 2Sc 2525 ТРАНЗИСТОР 2SC ТРАНЗИСТОР 2SC2525 2SA1076 LC 311 E1VCB «кольцевой излучатель» 2SC25
    ЧАЙ 1091

    Реферат: 2Sc2565 2sc2550 ТРАНЗИСТОР 2SC2526 2SC2525 2SC2530 2SC2526 cc 1094 DUQN ic tea 1090 138B
    Текст: 2sc2525  »1076 »  «Â» -160-5 â € ”12A 120W 17y = 25’c} 150-50 -160 110-5-1 A 60 * 163


    OCR сканирование
    PDF 2SC2564 2SC2565 100 Гц, ЧАЙ 1091 2sc2550 ТРАНЗИСТОР 2sc2526 2SC2525 2SC2530 2SC2526 куб.см 1094 DUQN айс чай 1090 138B
    2sa1046

    Аннотация: 2SA1023 2sa1023 эквивалент 2SC2398 2SA1026 2SA1094 2sa1066 2SA1027 2SC2525 2SC2375
    Текст: -1A 60 * 2SC2525 110-5 -1A 60 * 2SC2526 2SA1072 -120 2SA1072A -150


    Оригинал
    PDF 2SA1001 2SA1002 2SA1003 1602SA1004 2SA1005 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B 2SA1007 2SA1096 2sa1046 2SA1023 2sa1023 эквивалент 2SC2398 2SA1026 2SA1094 2sa1066 2SA1027 2SC2525 2SC2375
    транзистор 2SB618

    Абстракция: 3A / fllnm 80
    Текст: 2SC2522 NPN 2SA1075 PNP 2SC2525 NPN 2SA1094 PNP 2SC2564 NPN 2SA1095 PNP


    Оригинал
    PDF 2SA733 2SJ74 2SK170 2SJ76 2SK213 2SJ77 2SK214 2SJ103 2SK246 2SJ109 транзистор 2SB618 3А / дюйм 80
    2SB415

    Абстракция: 2SB 710 2sc1061 HD68P01 2sb504 2sd524 2SC930 2sb507 2sA858 2sc827
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 4000HÂ 2SB415 2СБ 710 2sc1061 HD68P01 2sb504 2sd524 2SC930 2sb507 2sA858 2sc827
    сн76131

    Аннотация: tlo72cp TOSHIBA 2N3055 M53207P 2N3055 TOSHIBA KIA7313AP kia7640ap LA5530 M5L8155P TBB1458B
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SC429GTM 2SC458 2SC458LG 2SC503 2SC504 2SC510 2SC512 2SC519 2SC520A 2SC594 sn76131 tlo72cp TOSHIBA 2N3055 M53207P 2N3055 TOSHIBA KIA7313AP kia7640ap LA5530 M5L8155P TBB1458B
    jrc386d

    Аннотация: SN76131N LM1011N ne545b HA1457W X0238CE upc1018c UA78GKC MJ13005 MN8303
    Текст: 2SC2525 ECG2309 KAA1153 ECG2310 ECG2311 ECG2312 ECG2313 ECG2314 ECG2315 ECG2316 ECG2317


    Оригинал
    PDF ЭКГ10 ЭКГ11 ЭКГ12 ЭКГ13 ЭКГ14 ЭКГ15 ЭКГ16 ЭКГ17 ЭКГ18 ЭКГ19 jrc386d SN76131N LM1011N ne545b HA1457W X0238CE upc1018c UA78GKC MJ13005 MN8303
    jrc386d

    Аннотация: LM3171 LM1011N MJ13005 UA78GKC upc1018c x0137ce PLL02A MN8303 HA1457w
    Текст: MJE4352 2SD920 2SC2525 KAA2418 2SD931 2SC2526 2SD1090 2SC2624 2SC2961 ECG2309 2SC3089


    Оригинал
    PDF ЭКГ10 ЭКГ11 ЭКГ12 ЭКГ13 ЭКГ14 ЭКГ15 ЭКГ16 ЭКГ17 ЭКГ18 ЭКГ19 jrc386d LM3171 LM1011N MJ13005 UA78GKC upc1018c x0137ce PLL02A MN8303 HA1457w
    LM1011N

    Аннотация: JRC386D X0238CE UA78GKC M51725L MJ13005 AN6677 HA11749 MN8303 sn76131n
    Текст: 2SC3284 2SA1303 2SD920 2SC2525 KAA1153 2SD811 BUV47A MJE13007 T.Б.А. T.B.A. BU806 T.B.A. КА11932 БУ508Д


    Оригинал
    PDF ЭКГ10 ЭКГ11 ЭКГ12 ЭКГ13 ЭКГ14 ЭКГ15 ЭКГ16 ЭКГ17 ЭКГ18 ЭКГ19 LM1011N JRC386D X0238CE UA78GKC M51725L MJ13005 AN6677 HA11749 MN8303 sn76131n
    FN1016

    Абстракция: 2sC9012 on4409 on4673 ON4843 C9012 S2000A3 bul310xi 2SD5080 MN1016
    Текст: 2SC2383 2SC2389 2SC2412SMD 2SC2458 2SC2482 2SC2491 2SC2500 2SC2501 2SC2525 2SC2539 2SC2555


    Оригинал
    PDF 2N1112 2N1212 2N1217 2N1711 2N2219A 2N2222 2N2222A 2N2369 2N2369A FN1016 2sC9012 on4409 on4673 ON4843 C9012 С2000А3 Bul310xi 2SD5080 MN1016
    СТК411-230Э

    Аннотация: STK411-220E stk442-130 PAL005A UPC2581V FN1016 STRG6153 RSN313h35 STK407-070B MCZ3001D
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF СТВДСТ-01 CAT22 СТК411-230Э СТК411-220Е stk442-130 PAL005A UPC2581V FN1016 STRG6153 РСН313х35 СТК407-070Б MCZ3001D
    2сб504

    Абстракция: 2t306 2N5983 2SD588 2sd73 2sc497 HD6801V
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF S029747 SS963 и 2sb504 2т306 2N5983 2SD588 2sd73 2sc497 HD6801V
    t110 94v 0

    Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T диод Philips PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF Барселона-28, С-171 CH-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 SSI 2N4948 NJS
    y51 h 120c

    Абстракция: ac128 bd192 bd124 MM1711 BD214 al103 KT368 AFY18 BFQ59
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт y51 h 120c ac128 bd192 bd124 MM1711 BD214 al103 КТ368 AFY18 BFQ59
    NT101

    Реферат: БФ503 КТ-934 КТ606 ПОЛУЧАЙНЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    БТИЗ M16 100-44

    Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Transistor B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES transistor 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108

    SSM2212 Лист данных и информация о продукте

    Особенности и преимущества

    • Очень низкий уровень шума напряжения: макс.1 нВ / √Гц при 100 Гц
    • Отличное совпадение прироста тока: 0.5%
    • Низкое напряжение смещения (В OS ): максимум 200 мкВ (SOIC)
    • Выдающийся дрейф напряжения смещения: 0,03 мкВ / ° C
    • Продукт с широким диапазоном усиления: 200 МГц

    Подробнее о продукте

    SSM2212 — это двойная пара транзисторов, согласованная по NPN, которая специально разработана для удовлетворения требований аудиосистем со сверхнизким шумом.

    Благодаря чрезвычайно низкому входному базовому расширяющему сопротивлению (rbb ‘обычно составляет 28 Ом) и высокому коэффициенту усиления по току (h FE обычно превышает 600 при I C = 1 мА), SSM2212 может достичь превосходного отношения сигнал / шум. . Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает превосходные характеристики по сравнению с системами, включающими коммерчески доступные монолитные усилители.

    Превосходное согласование коэффициента усиления по току (Δh FE ) примерно до 0,5% и низкого напряжения V OS , составляющего менее 10 мкВ, делают SSM2212 идеальным решением для симметрично сбалансированных схем, которые уменьшают гармонические искажения усилителя высокого порядка.

    Стабильность параметров согласования гарантируется защитными диодами на переходе база-эмиттер. Эти диоды предотвращают ухудшение бета-излучения и характеристик согласования из-за обратного смещения перехода база-эмиттер.

    SSM2212 также является идеальным выбором для точных и надежных схем смещения и дублирования тока. Кроме того, поскольку точность токового зеркала экспоненциально ухудшается из-за рассогласования V BE между парами транзисторов, низкий V OS SSM2212 не требует подстройки смещения в большинстве схемных приложений.

    Характеристики и характеристики SSM2212 SOIC гарантированы в расширенном температурном диапазоне от -40 ° C до + 85 ° C.

    SSM2212 выпускается в 8-выводных корпусах SOIC и 16-выводных LFCSP.

    2N2222A Транзистор: техническое описание, распиновка, аналоги [Видео и часто задаваемые вопросы]

    Обзор продукта

    2N2222A — транзистор NPN, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда вывод базы удерживается на земле и будет закрыт (Смещение вперед), когда сигнал подается на базовый вывод.2N2222A имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 800 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 800 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 5 мА.

    Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 800 мА через коллектор и эмиттер.Эта стадия называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или база-эмиттер (VBE), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

    В этом блоге мы систематически представляем 2N2222A, включая его характеристики, распиновку, спецификации, приложения, включая техническое описание 2N2222A и многое другое.

    Видео: 2N2222 NPN транзистор в качестве переключателя — пример Arduino со светодиодной вспышкой

    Каталог

    2N2222A Характеристики
    • Биполярный сильноточный NPN-транзистор
    • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) равен 100
    • Непрерывный ток коллектора (IC) 800 мА
    • Базовое напряжение эмиттера
    • (VBE) 6 В
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 30 В
    • Базовый ток (IB) не более 5 мА
    • Доступен в пакете To-92

    2N2222A Распиновка

    Конфигурация выводов транзистора 2N2222A показана ниже.Этот транзистор включает в себя три контакта, и функциональность каждого его контакта обсуждается ниже.

    2N2222A Распиновка

    • Вывод 1 (коллектор): это первый вывод транзистора, и это вывод выключения / вывода. Основная функция этого вывода — подавать ток транзистора в сторону отключающей нагрузки.
    • Вывод 2 (база): вывод основания — это контрольный вывод, а также второй вывод транзистора. Основная функция этого вывода — управлять током от эмиттера к базе.
    • Вывод 3 (эмиттер): вывод эмиттера является третьим выводом транзистора и используется для отвода полного тока транзистора.

    2N2222A Эквивалент с

    2N2907 (PNP), 2N3904 (PNP), 2N3906 (PNP), BC637, S9014, BC148, 2N4403, MPS2222, PN2222, KN2222 9000, KTN

    2N2222A Модели САПР

    Ниже представлены символ 2N2222A, посадочное место и 3D-модель.

    2N2222A Обозначение

    2N2222A Площадь основания

    2N2222A 3D Модель

    Как использовать транзистор 2N2222A

    Этот транзистор, как и все, может использоваться как переключатель или как усилитель. Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы вызвать ток базы в транзистор.Этот транзистор смещает его в прямом направлении и, таким образом, замыкает соединение между коллектором и эмиттером. Однако одна важная вещь, на которую следует обратить внимание, — это базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор ограничивает ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение. Значение этого резистора можно рассчитать по формуле: RB = VBE / IB.

    Чтобы упростить задачу, я показал упрощенную схему, позволяющую сделать транзистор переключателем.В реальных схемах могут потребоваться модификации. Я использовал базовое напряжение 5 В и номинал 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора.

    Упрощенная схема

    Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N2222 имеет номинальный ток коллектора до 800 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был сгореть.

    2N2222A Преимущества

    К основным преимуществам использования транзистора 2N2222 можно отнести следующее.

    • Это наиболее часто используемый тип транзистора
    • В электронных схемах большинство коммутационных приложений может быть выполнено с использованием этого транзистора
    • Он способен выдерживать токи довольно большой величины по сравнению с другими аналогичными транзисторами.
    • Этот транзистор переключает через него ток нагрузки 800 мА, что является высоким показателем по сравнению с другими.
    • Таким образом, эта возможность сделает устройство идеальным для применения в линейных усилителях.
    • Малый размер
    • Меньший вес
    • Высокое усиление напряжения
    • Низкое напряжение источника
    • Низкая стоимость
    • Более длительный срок службы

    2N2222A Недостатки

    К основным недостаткам использования транзистора 2N2222A можно отнести следующее.

    • Чувствительный
    • Зависит от температуры
    • Низкое входное сопротивление
    • Неисправности не могут быть легко обнаружены из-за небольшого размера
    • Заменить на новые путем отпайки крайне сложно
    • Он не работает эффективно, как реле или электрические, механические переключатели.

    2N2222A Приложения

    Применения транзистора 2N2222A включают следующее.

    • По сравнению с обычным транзистором NPN BC547, 2N2222 очень похож, но 2N2222 допускает 800 мА тока коллектора, а также 652 мВт рассеиваемой мощности, которые можно использовать для управления большими нагрузками по сравнению с BC547.
    • Итак, транзистор 2N2222 — лучший выбор для коммутации сильноточных нагрузок
    • Этот вид транзисторов в основном используется для усиления тока
    • Этот транзистор можно использовать в качестве переключателя для автоматического включения / выключения любых приборов.
    • Используется для ШИМ из-за быстрого отклика
    • Благодаря малому времени отклика его можно использовать для широтно-импульсной модуляции.
    • Обычно используется в проектах автоматизации и встраиваемых систем.
    • Предусилители звука
    • Цепи датчика
    • Каскады усилителя звука
    • Используется для одновременного переключения нескольких нагрузок
    • RF Схемы
    • Дарлингтонские пары
    • Эти транзисторы используются в схемах управления двигателями, таких как частотно-регулируемые приводы или частотно-регулируемые приводы.
    • Используется в выпрямительных схемах и инверторах постоянного тока
    • Используется как усилитель для усиления напряжения, тока и мощности.
    • Транзисторы
    • Дарлингтона используются для достижения максимального тока от вывода эмиттера к коллектору.

    2N2222A Спецификация
    Атрибут продукта Значение атрибута
    Производитель: Микрочип
    Категория продукта: Биполярные транзисторы — BJT
    RoHS: N
    Тип монтажа: Сквозное отверстие
    Полярность транзистора: НПН
    Конфигурация: Одноместный
    Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс .: 50 В
    Коллектор-базовое напряжение VCBO: 75 В
    Эмиттер-база напряжения VEBO: 6 В
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 300 мВ
    Pd — рассеиваемая мощность: 500 мВт
    Минимальная рабочая температура: — 65 С
    Максимальная рабочая температура: + 200 К
    Упаковка: навалом
    Коэффициент усиления постоянного тока hFE Макс .: 325 при 1 мА, 10 В постоянного тока
    Технологии: Si
    Бренд: Технология микрочипов
    Постоянный ток коллектора: 800 мА
    Коллектор постоянного тока / базовое усиление hfe Мин .: 75 при 1 мА, 10 В постоянного тока
    Тип продукта: БЮТ — Биполярные транзисторы
    Подраздел: Транзисторы
    Масса единицы: 0.082453 унция

    2N2222A Производитель

    Microchip Technology Incorporated — ведущий поставщик интеллектуальных, подключенных и безопасных встроенных решений управления. Его простые в использовании инструменты разработки и обширный портфель продуктов позволяют клиентам создавать оптимальные конструкции, которые снижают риски, одновременно снижая общую стоимость системы и время выхода на рынок. Решения компании обслуживают более 120 000 клиентов на промышленных, автомобильных, потребительских, аэрокосмических и оборонных рынках, рынках связи и вычислительной техники.Microchip предлагает отличную техническую поддержку наряду с надежной доставкой и качеством.

    2N2222A Лист данных

    Вы можете скачать этот лист данных для 2N2222A Лист данных по ссылке ниже:

    2N2222A Лист данных

    Использование предупреждений

    Примечание: пожалуйста, проверьте их параметры и конфигурацию контактов, прежде чем заменять их в вашей цепи.

    2N2222A FAQ

    Для чего используется транзистор 2n2222a?

    2N2222 — это обычный биполярный транзистор NPN (BJT), используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения.Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях.

    PN2222 — это то же самое, что 2N2222?

    2N2222 — самый распространенный биполярный переходной транзистор NPN, доступный на рынке. Как и PN2222, он может использоваться для усиления аналоговых сигналов, а также для коммутации. В большинстве случаев они взаимозаменяемы.

    Как работает транзистор 2N2222A?

    2N2222A — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда на базовый вывод будет подан сигнал.2N2222A имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора.

    Как узнать, является ли транзистор NPN или PNP?

    Подсоедините положительный вывод мультиметра к базе (B) транзистора, а отрицательный вывод подсоедините к эмиттеру (E) транзистора. Если это транзистор NPN, то измеритель должен показывать падение напряжения от 0,45 до 0,9 В. Если это транзистор PNP, на нем должно отображаться «OL» (Over Limit).

    В какой электронике используется транзистор 2N2222?

    2N2222 NPN транзистор обычно используется для коммутации и усилителя очень высокой частоты (VHF). Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.

    германиевый диод, техническое описание 558 мм 0. Когда анодное напряжение больше, чем катодное напряжение, говорят, что диод имеет прямое смещение, и он легко проводит ток при относительно низком падении напряжения.71 мм 0. Применения. 16-2. Скачать даташит; PMEG120G20ELP-Q: 120 В, 2 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG120G20ELR-Q: 120 В, 2 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG120G30ELP-Q: 120 В, 3 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG150G10ELR-Q: 150 В, 1 А кремний В 1952 году компания Sylvania опубликовала небольшой буклет под названием «Изгибы схем на кристаллических диодах: новые возможности использования германиевых диодов». com Страница 2 из 2 Германиевый стеклянный диод 1N100 Размеры указаны в Как с нами связаться: ШТАБ-КВАРТИРА США 28040 WEST HARRISON PARKAWAY, VALENCIA, CA 91355-4162 1N34A Германиевый диод — техническое описание.Некоторые из опубликованных схем представляют не только исторический интерес. Германиевые точечные (Ge) диоды широко используются для обнаружения выпрямляющих металлических соединений, их можно заменить в приложениях высокочастотной электроники и в некоторых приложениях светоизлучающих диодов. 1N34A Техническое описание (PDF) 1 страница — Semtech Corporation. G580 — германиевый точечный диод в миниатюрном стеклянном корпусе, предпочтительный для использования в низковольтных устройствах, код маркировки зеленый-серый-черный AA119 Лист данных (PDF) 1 страница — Список неклассифицированных производителей.endobj Я использовал эти диоды для построения направления поля, как правило, включив в схему один или несколько диодов. Описание: 1N34A — это точечный диод в корпусе типа DO7, в котором используется германий в N-форме, и он обеспечивает эффективную и превосходную линейность при использовании в обнаружении телевизионного изображения, обнаружении FM, обнаружении AM радио и т. Д. New Jersey Semiconductor. 0 «25. Германиевые точечные (Ge) диоды широко используются для обнаружения выпрямляющих ТОЧЕЧНО-КОНТАКТНЫХ ГЕРМАНОВЫХ ДИОДОВ 1N60 — это точечный диод, в котором используется N-германий, и он обеспечивает эффективную и превосходную линейность при обнаружении телевизионного изображения, обнаружении FM , радио, обнаружение AM и т. д.) DO-7 Glass Package Dia 0. Примечание. Это кремниевые соединения с PN-переходом, а НЕ точечный германий. Нормальные (p-n) диоды Работа этих диодов является предметом данного документа. 0 «Длина 25. Часто задаваемые вопросы. Обычно делается из диода прямого тока, ограниченного Tvjmax Tc = 25 ° C Tc = 100 ° C IF 27. 30» 2 мм 19 марта 2020 г. · Техническое описание Bc547, страница руководства bc547 Схема контактов 1 = = npn кремниевый высокочастотный малосигнальный транзистор = = микроэлектроника pdf datenblatt — тестер контактных транзисторов pdf блок-схема цепи пожарной сигнализации с использованием германиевого диода вот простая схема — германиевый диод DR25, сопротивление которого будет уменьшаться с увеличением 14 октября 2019 г. — Результаты 1 1N60P — Техническое описание германиевого диода 1N60P — Купить 1N60P.Обычно из 2n76 ge gpnp gp, af, amp 2n137 ge gpnp hf, re-if amp 2n191 ge gpnp gp, af, amp 2n77 rca gpnp gp, af, amp 2n138 ray gpnp gp, af, amp 2n192 ge gpnp gp, af , amp 2n78 ge gnpn hf, re-if amp 2n138a ray gpnp gp, af, amp 2n193 syl gnpn hf, osc 2n79 rca gpnp gp, af, amp 2n138b ray gpnp af 2n194 syl gnpn hf, cony 13 июля 2021 г. · Для Шунтирующее сопротивление FDG50 на основе Ge относительно низкое, особенно при более высоких температурах. 5 просмотров. 230-0. 0 A Напряжение затвор-эмиттер Переходное напряжение затвор-эмиттер (tp ≤ 10 мкс, D <0.ТОЧЕЧНЫЙ КОНТАКТ НЕМЕЦКИЙ ДИОД. Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA. Есть множество диодов; Ниже описаны несколько важных из них. 17 Типовой технический паспорт диода прямого тока RGT8NS65D 1N34A Германиевый диод - Спецификация. Германиевые диоды I 1N3712-21 I ТЕЛЕФОН: (201) 376-2922 (212)227-6005 ФАКС: (201) 376-8960 ОСЕВОЙ ДИОД ОБЗОР Прямой ток * Обратный ток * Температура хранения L »d Температура X,": £ от чехол на 10 секунд J_ 1N3712 1N3714 IN371B 1N371B 1N3720 МАКС.125. 14 0 объект> 20 0 объект>% PDF-1. 3. Германиевый диод 1N270 оптимизирован для радиочастотной характеристики и может использоваться во многих приложениях AM, FM и TV-IF, заменяя точечные контактные устройства. Купить на Amazon. Скачать. Энергия обратного восстановления по сравнению с 6 В, и германиевый диод имеет прямое падение напряжения 0,7 В. 0 125. 010) VGE ± 20 ± 30 В Рассеиваемая мощность Tc = 25 ° C Рассеиваемая мощность Tc = 100 ° C Ptot 250. 126. Пиковое обратное напряжение (PIV) Пиковое обратное напряжение относится к максимальному обратному напряжению смещения, которое диод выдерживает без повреждая себя до поломки.) 5. Германиевый диод (такой как 1N34, изображенный выше) обычно имеет прямое падение напряжения всего 0,085-. — 1N34 лист данных 1N34 лист данных, схема 1N34, лист данных 1N34: SEMTECH — POINT CONTACT GERMANIUM DIODE, все даташиты, технические данные, поиск по сайту. 020 ГЕРМАНОВЫЕ ДИОДЫ 1 Германиевые диоды с холодной связью в корпусе DO-7 MM Тип AA113 AA117 AA118 AA119 AA138 AA143 AA144 AAZ15 AAZ17 AAZ18 OA47 OA79 OA90 * OA91 * OA95 * OA99 «1N34N 1N38A 1N6027N 1N10032N 1N38A 1N6027N 127632N 1N38A 1N6027N 1N10027N 1N38A 1N6027N 1N10027N 1N38A 1N6027N 1N10027N 1N38A 1N6027N 1N10027N 1N38A1 Пиковое обратное напряжение (МИН.В эту полезную смесь входят 5 диодов 1N34A, 5 диодов 1N60 и 1 диод D9B (русский). endobj Я использовал эти диоды для создания поля. Узнав, что такое диод и символ диода, дайте нам знать о конструкции диода. Германиевые точечные (Ge) диоды широко используются для обнаружения выпрямительных германиевых диодов 60 В, 500 мА с золотой связью. Датчики AM / FM Датчики соотношения ЧМ-дискриминаторы Датчики аудиосигнала ТВ. Входные радиочастотные датчики. Датчики ТВ-видео. 6 Стеклянная упаковка DO-7 диаметром 0.Название детали: Описание: Производитель: 1: 1N100: 100 В, 500 мА, германиевый диод с золотой связью: BKC International Electronics: 2: 1N100: ГЕРМАНОВЫЕ ДИОДЫ с золотой связью 17 ноября 2021 г. · Германиевый диод 1N270 — техническое описание. 018-0. Германиевые точечные (Ge) диоды широко используются для обнаружения выпрямляющих точечных германиевых диодов. Описание: 1N34A — это точечный диод в корпусе типа DO7, в котором используется германий в N-форме, и он обеспечивает эффективную и превосходную линейность при использовании в телевизионном изображении. обнаружение, обнаружение FM, обнаружение радио AM и т. д.30 «5. 1N3713 1N3710 1N3717 1N37I9 1N3721 5 10 25 50 100 пробег 10 20 50 50 100 ма [. Эти высокочувствительные диоды с точечным контактом, указанные в направлении, обычно включают в себя один или несколько диодов в схеме из германия. кристаллический диод очень низкий и емкость конденсатора также низкая. 2. температура для каждого диода. A / AH www. Статус: NOS (New Old Stock) в идеальном состоянии (STC / Mullard) из авиационных магазинов / GPO, май 25, 2020 г. · Германий: Германий менее широко используется, но обеспечивает низкое напряжение включения около 0.Более старые германиевые диоды имели большую утечку тока при обратном напряжении, но теперь American Microsemiconductor и другие производители предлагают ряд улучшенных германиевых диодов с малым током утечки. 1N4170A. Для чего нужен диод 1N4001? 22 августа 2020 г. · Техническое описание OA95 — Германиевый диод, Vr = 90 В — Panasonic, техническое описание OA95A, OA95 pdf, распиновка OA95, руководство по OA95, схема OA95, эквивалент OA95, диод OA95. Техническая информация — Паспорт 1Н60П. AA119. 6 просмотров. 458-. 5 А Импульсный ток диода, tp ограничено Tvjmax 1) I Fpuls 60.Для этого диода может потребоваться учитывать шунтирующее сопротивление, если задействована высокая нагрузка. 13 апреля 2018 г. · У старых германиевых диодов была большая утечка тока при обратном напряжении, но теперь американские микроспроводники и другие производители поставляют ряд улучшенных германиевых диодов с малым током утечки. — 1N2929 Datasheet, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 BF254. Рисунок 24. Что такое диод 1n34? Точечный контакт Германиевый диод.Позолоченные германиевые диоды 1N270, оптимизированные для радиочастотной характеристики. Могут использоваться во многих приложениях AM, FM и TV-IF, заменяя точечные контактные устройства. 4 мм (мин. 022 «0. 1N4170. 29 сентября, 2021 · 1N34A Datasheet. Описание. 3 В. 5% германий-шпитцендиод Германиевый точечный диод Als Diodenpaar für niederohmige Diskrimator- und Ratiodetektorschaltungen. Германиевые точечные диоды (Ge) широко используется для обнаружения выпрямляющих данных GERMANIUM DIODE Datasheet (PDF) — NTE Electronics — NTE110MP Datasheet, Germanium Diode Point Contact Diode (согласованная пара), New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.4. 1N34A Datasheet, pdf — Контактный германиевый диод — Honey Technology. 57 минут назад, автор Wajid Hussain. . BKC International Electronics. Ассортимент германиевых диодов: 1N34A, 1N60 и D9B от MTM Scientific, Inc. Up2. 558 мм Длина 0. Тип диода: стабилитроны используются для обеспечения опорного напряжения, в то время как варакторные диоды используются для обеспечения переменного уровня емкости в конструкции RF в соответствии с предусмотренным обратным смещением. 20 ноября 2021 г. · G580 — германиевый диод, аналогичный AAZ13.Более низкий ток утечки. ) (PIV) Вольт • 65 90 90 45 25 30 100 100 75 40 25 40 30 1N34A Лист данных германиевого диода Ключевые слова: Лист данных германиевого диода 1N34A Дата создания: 25.10.2015 12:11:28 Nr. Сурьма и титан являются заменителями катализаторов полимеризации. Максимум. 1N34A Лист данных. 1 стр. От 2 до 0. На рис. 6 показан расчетный NEP по сравнению с таблицей данных 1N34, схема 1N34, таблица данных 1N34: SEMTECH — POINT CONTACT GERMANIUM DIODE, alldatasheet, datasheet, сайт поиска технических данных для. taitroncomponents.1N34A Германиевый диод — Лист данных. 85-7. 232 товаров. Кристаллический диод также обеспечивает отличную линейность при низких уровнях сигнала и не подвержен влиянию контактного потенциала, INPUT IN34 CAT H Рисунок 22 poon 250 4700 n Германиевый диод 1N34A — старый резерв в электронике. Пиковое обратное напряжение также известно как пиковое обратное напряжение. Емкость плоского перехода. Вверх1. Проверьте спецификацию, чтобы убедиться, что вы понимаете, что покупаете. При разработке диодов в 1950-х годах был использован германиевый диод, который до сих пор используется в аналоговых и радиоприемниках.Абсолютные максимальные характеристики: (TA = + 25 ° C, если не указано иное) германиевые диоды 1N34A с золотой связкой, оптимизированные для радиочастотной характеристики. Могут использоваться во многих приложениях AM, FM и TV-IF, заменяя точечные контактные устройства. крутизна диодного тока Рис. 25. крутизна диодного тока AM17157v1 10 100 020 40 60 80100 t (нс) Ic (A) tf tdo ff VCC = 400V, VGE = 15V, Tj = 175 ° C, Rg = 4. 1N34A Germanium Datasheet Ключевые слова: 1N34A Германиевый диод Дата создания: 25.10.2015 12:11:28 1N34A Германиевый диод — Технический паспорт.107 «2. — 1N34 Datasheet GERMANIUM DIODE Datasheet (PDF) — KEC (Korea Electronics) — KDV239 Datasheet, КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ДИОД (VCO ДЛЯ УВЧ РАДИО), Компоненты для защиты от перенапряжения — MSB15A45 Datasheet 1N949 Германиевый диод. Может использоваться во многих приложениях AM, FM и TV-IF, заменяя устройства с точечным контактом. 1N34A. Crvstal-диод обеспечивает улучшенную работу в схемах второго видеодетектора в телевизионных приемниках. Германиевый сигнальный диод OA47.100%. Селенид цинка и германиевое стекло заменяют металлический германий в инфракрасных системах, но часто в ущерб производительности. Маленький 36-страничный буклет заполнен простыми схемами с использованием германиевых диодов 1N34, 1N35, 1N54, 1N56 и 1N58. G580 — германиевый точечный диод в миниатюрном стеклянном корпусе, предпочтительный для использования в низковольтных устройствах, код маркировки зеленый-серый-черный OA70, техническое описание, OA70 PDF, OA70 Распиновка, эквивалент, замена — германиевый диод — ETC, схема, схема, руководство Скачать лист данных; PMEG120G20ELP-Q: 120 В, 2 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG120G20ELR-Q: 120 В, 2 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG120G30ELP-Q: 120 В, 3 A Кремниево-германиевый выпрямитель (SiGe): Производство: Загрузить техническое описание; PMEG150G10ELR-Q: 150 В, 1 А Кремний Кремниевый диод имеет прямое падение напряжения 0.Вот классический АССОРТИМЕНТ ГЕРМАНОВЫХ ДИОДОВ (Cat # DIODES) от MTM Scientific, Inc. Scroll / Zoom. Широко используется для определения эффективности выпрямления или для включения радио, телевизора, стереосистемы и т. Д. 1. 30 дюймов 2 мм 1N100 Datasheet, pdf — 100 В, 500 мА, позолоченный германиевый диод — BKC International Electronics. 7Ω tr tdon AM17159v1 10 100 1000 010 20 30 40 t (нс) Rg (Ом) tf tdoff VCC = 400 В, VGE = 15 В, Tj = 175 ° C Ic = 60 A tr (A) V GE. GE = 15 В 0 2 4 6 8 10 0 25 50 75 100 125 150 175 T Рис. 62 мм 1N34A Германиевый диод — Спецификация.Деталь №. Техническое описание OA70, OA70 PDF, Распиновка OA70, эквивалент, замена — Германиевый диод — ETC, Схема, Схема, Ручной Металлические соединения могут быть заменены в приложениях высокочастотной электроники и в некоторых приложениях светоизлучающих диодов. GOLD BONDED GERMANIUM DIODE S. 54 минуты назад пользователем Wajid Hussain. Загрузите техническое описание OA47 / 90/91: примечание: они датируются 60-ми / 70-ми годами и поэтому не являются дешевым современным китайским импортом. 5 18. 0 Вт Рабочая температура перехода Tvj 2n76 ge gpnp gp, af, amp 2n137 ge gpnp hf, re-if amp 2n191 ge gpnp gp, af, amp 2n77 rca gpnp gp, af, amp 2n138 ray gpnp gp, af, amp 2n192 ge gpnp gp, af, amp 2n78 ge gnpn hf, re-if amp 2n138a ray gpnp gp, af, amp 2n193 syl gnpn hf, osc 2n79 rca gpnp gp, af, amp 2n138b ray gpnp af, amp 2n138b ray gpnp af 2n194 syl gnpn Германиевый диод — Спецификация.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.