Какие основные характеристики транзистора 2N2712. Для каких целей применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги 2N2712. Где используется 2N2712 в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора 2N2712
Транзистор 2N2712 представляет собой кремниевый биполярный NPN-транзистор общего назначения. Основные характеристики данного транзистора:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 18 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 18 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный ток коллектора: 500 мА
- Коэффициент усиления по току: 200-450
- Граничная частота: 300 МГц
- Корпус: TO-92
Транзистор 2N2712 обладает хорошими характеристиками по усилению и частотным свойствам, что делает его подходящим для широкого спектра применений в маломощных схемах.
Области применения транзистора 2N2712
Благодаря своим характеристикам, транзистор 2N2712 нашел применение в следующих областях:
- Маломощные усилители звуковых и высокочастотных сигналов
- Импульсные схемы
- Схемы коммутации
- Стабилизаторы напряжения
- Драйверы светодиодов
- Источники питания
- Преобразователи уровней логических сигналов
2N2712 часто используется в качестве универсального транзистора общего назначения в различных электронных устройствах, где не требуется высокая мощность.

Аналоги транзистора 2N2712
Существует ряд транзисторов со схожими характеристиками, которые могут использоваться в качестве замены 2N2712:
- 2N3904 — один из самых популярных аналогов
- 2N2222 — также широко распространенный транзистор общего назначения
- BC547 — европейский аналог
- 2N4401 — имеет близкие параметры
- MMBT3904 — SMD-версия 2N3904
- BC337 — еще один распространенный европейский аналог
При замене следует внимательно сравнивать параметры транзисторов, так как могут быть небольшие отличия в характеристиках.
Особенности использования 2N2712 в электронных схемах
При проектировании схем с применением транзистора 2N2712 следует учитывать некоторые особенности:
- Относительно низкое максимальное напряжение коллектор-эмиттер (18 В) — необходимо следить за режимом работы
- Хорошее усиление по току — позволяет работать с малыми токами базы
- Средняя граничная частота — подходит для работы на частотах до ~100 МГц
- Малая мощность рассеивания — требует теплоотвода при работе с токами более 100-150 мА
2N2712 хорошо подходит для маломощных схем, где важны компактность и низкая стоимость. При необходимости работы с большими токами или напряжениями следует выбирать более мощные транзисторы.

Типовые схемы включения транзистора 2N2712
Рассмотрим несколько типовых схем с использованием транзистора 2N2712:
Простой усилитель с общим эмиттером
Это базовая схема усилителя на транзисторе:
- Резистор в цепи базы задает ток базы и рабочую точку
- Резистор в цепи коллектора определяет коэффициент усиления
- Емкость в цепи эмиттера обеспечивает температурную стабилизацию
- Входной и выходной конденсаторы разделяют постоянную и переменную составляющие
Такая схема позволяет получить усиление по напряжению порядка 10-50 раз.
Ключевой каскад
2N2712 часто используется в ключевых схемах для коммутации нагрузок:
- Транзистор работает в режиме насыщения или отсечки
- Управляющий сигнал подается на базу через ограничительный резистор
- Нагрузка включается в цепь коллектора
- Диод защищает транзистор от обратных выбросов напряжения
Такая схема позволяет коммутировать токи до 300-400 мА.
Измерение параметров транзистора 2N2712
Для проверки работоспособности и измерения основных параметров 2N2712 можно использовать следующие методы:

- Проверка исправности p-n переходов с помощью мультиметра
- Измерение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
- Снятие входных и выходных характеристик транзистора
- Измерение граничной частоты и емкостей переходов
Эти измерения позволяют оценить соответствие параметров транзистора заявленным в документации и выявить возможные отклонения.
Рекомендации по монтажу транзистора 2N2712
При монтаже транзистора 2N2712 следует соблюдать следующие правила:
- Использовать защиту от статического электричества
- Не превышать допустимую температуру пайки (300°C не более 10 секунд)
- Оставлять достаточную длину выводов для снятия механических напряжений
- При необходимости использовать теплоотвод
- Соблюдать правильность подключения выводов (цоколевку)
Правильный монтаж обеспечит надежную работу транзистора в течение длительного срока.
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
---|---|---|---|
К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
Параметр | Условия измерения | К155 | К531 | К1531 | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин.![]() |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
U1вых, В схема |
Uи.![]() |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
I1вых= -0,8 мА | I |
I1вых= -1 мА | ||||||||||
I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.![]() |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк.![]() | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 |
Исследование биполярного транзистора — Студопедия
Поделись
Лабораторная работа №5
Цель работы.Снять статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и по полученным характеристикам определить его статические и дифференциальные параметры.
Задание 1. Выбрать транзистор из таблицы 1 в соответствии с номером задания, заданным преподавателем.
Таблица 1.
№ | ||||||||||||
Транзистор | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N | 2N |
После двойного щелчка мышью на соответствующем изображении транзистора из библиотеки компонентов выбрать транзистор и установить его на рабочем столе программы. На рисунке 1 показана процедура выбора транзистора 2N2712 из библиотеки компонентов программы EWB.
Рисунок 1. Процедура выбора транзистора 2N2712 из библиотеки компонентов.
После щелчка мышью на клавише Edit в библиотеке компонентов открыть таблицу
характеристик выбранного транзистора, рисунок 2.
Рисунок 2. Характеристики транзистора 2N2712.
Из таблицы выписать значение статического коэффициента усиления тока в схеме с общим эмиттером β (Forward current gain coefficient), который равен β = Iк / Iб при работе транзистора в активном режиме. Для транзистора 2N2712 коэффициент β = 204.
Задание 2. Собрать схему для исследования статических ВАХ биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Схема для исследования статических ВАХ транзистора показана на рисунке 3.
Рисунок 3. Схема для исследования статических ВАХ транзистора 2N2712.
На базу транзистора, включенного в схеме с ОЭ, подается постоянное напряжение от источника питания E1. При изменении входного напряжения E1 изменяются ток базы Iб и напряжение на эмиттерном переходе Uбэ. При работе транзистора в активном режиме падение напряжения на эмиттерном переходе Uбэ обычно не более 0,8В. Резистор Rб, включенный в цепь базы ограничивает ток базы.
На коллектор транзистора подается напряжение от другого источника питания Eп. Напряжение питания Еп рекомендует брать порядка (0.8 – 0.9)Uкэ max, где Uкэ max — максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. В цепи коллектора протекает ток Iк, величина которого связана с током базы Iб следующим соотношением: Iк ≈ β*Iб. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ = Eп.
Задание 3.Снять семейство статических входных характеристик транзистора.
Для этого необходимо выполнить следующие действия:
· Установить напряжение питания Eп = Uкэ = 0В.
· Активировать программу тумблером .
· Измерить ток базы Iб и напряжение Uбэ при разных значениях входного напряжения E1 и данные занести в таблицу 2а.
Eп = Uкэ = 0В Таблица 2а.
Е1, В | 0,4 | 0,8 | |||||||
Uбэ, В | |||||||||
Iб,мкА |
Значения напряжения питания E1 нужно задавать таким образом, чтобы получить как минимум 5 точек, в которых напряжение Uбэ изменяется от 0,5В до 0,8В (при этих значениях напряжения в цепи базы протекает ток базы, величина которого составляет десятки, сотни микроампер).
· Установить напряжение питания Eп = Uкэ = 6В.
· Активировать программу тумблером .
· Измерить ток базы Iб, напряжение Uбэ и ток коллектора Iк при разных значениях входного напряжения E1 и данные занести в таблицу 2б.
Eп = Uкэ = 6В Таблица 2б.
Е1, В | 0,4 | 0,8 | |||||||
Uбэ, В | |||||||||
Iб, мкА | |||||||||
Iк, мА | |||||||||
Iк/ Iб |
· Определить минимальное значение напряжения E1мин при котором напряжение Uбэ мин=0,6В и в цепи базы протекает минимальный ток Iб мин. Определить отношение тока коллектора к току базы Iк мин/Iб мин и сравнить его с паспортным значением β для транзистора.
· Определить максимальное значение напряжения E1макс при котором напряжение Uбэ макс=0,7В и в цепи базы протекает максимальный ток Iб макс. Определить отношение тока коллектора к току базы Iк макс/Iб макс и сравнить его с паспортным значением β для транзистора.
· Определить среднее значение напряжения E10 при котором в цепи базы протекает протекает ток, равный среднему значению Iб0 = ( Iб макс. + Iб мин.)/2. Определить отношение тока коллектора к току базы Iк0/ Iб0 и сравнить его с паспортным значением β для транзистора.
· Построить по данным таблиц 2а и 2б семейство входных вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, рисунок 4.
Рисунок 4. Семейство входных ВАХ биполярного транзистора 2N2712 включенного
в схему с общим эмиттером.
Задание 4. Снять семейство статических выходных характеристик транзистора.
Для этого необходимо выполнить следующие действия:
· Установить входное напряжение E1 при котором Uбэ = Uбэ мин.
· Активировать программу тумблером .
· Измерить ток коллектора Iк при разных значениях напряжения питания Eп = Uкэ и данные занести в таблицу 3а.
Uбэ мин. =0,60В (Iб = Iб мин) Таблица 3а.
Еп, В | ||||||||
Uкэ, В | ||||||||
Iк, мА |
· Установить входное напряжение E1 при котором Uбэ = Uбэ макс.
· Активировать программу тумблером .
· Измерить ток коллектора Iк при разных значениях напряжения питания Eп = Uкэ и данные занести в таблицу 3б.
Uбэ макс. =0,70В (Iб = Iб макс) Таблица 3б.
Еп, В | ||||||||
Uкэ, В | ||||||||
Iк, мА |
· Установить входное напряжение E10 при котором в цепи базы протекает ток, равный среднему значению Iб0 = ( Iб макс. + Iб мин.)/2.
· Активировать программу тумблером .
· Измерить ток коллектора Iк при разных значениях напряжения питания Eп = Uкэ и данные занести в таблицу 3в.
Uбэ макс. =0,70В (Iб = Iб макс) Таблица 3в.
Еп, В | ||||||||
Uкэ, В | ||||||||
Iк, мА |
Построить по данным таблиц 3а, 3б и 3в семейство выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, рисунок 5.
Схему для снятия ВАХ транзистора с показаниями приборов, входные и выходные ВАХ, измеренные значения статического коэффициента усиления тока вставить в отчет. |
Рисунок 5. Семейство выходных ВАХ биполярного транзистора 2N2712
в схеме с общим эмиттером.
Задание 5. Определить h-параметры биполярного транзистора.
Для этого необходимо выполнить следующие действия:
· Выполнить построения на полученных семействах входных характеристик, необходимые для определения h-параметров транзистора и определить значения коэффициентов h11э и h12э.
Рисунок 6. Построения на входной ВАХ, необходимые для определения коэффициентов h11э и h12э биполярного транзистора.
· Выполнить построения на полученных семействах выходных характеристик, необходимые для определения h-параметров транзистора и определить значения коэффициентов h21э и h22э.
Рисунок 7. Построения на выходной ВАХ, необходимые для определения коэффициентов h21э и h22э биполярного транзистора.
Контрольные вопросы
1. Изобразить структуру транзистора p-n-p (n-p-n) типа, включённого по схеме с ОЭ. Объяснить полярность питающих напряжений.
2. Объяснить принцип работы транзистора в активном режиме.
3. Объяснить, почему входные характеристики биполярного транзистора напоминают прямую ветвь ВАХ диода?
3. Объяснить, почему выходные характеристики биполярного транзистора имеют слабый наклон?
4. Объяснить физический смысл h-параметров.
Стр 1 из 5Следующая ⇒ Лабораторная работа №1. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе Цель работы: Измерение параметров простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе при включении с общим эмиттером. 1. В работе исследуется простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе при включении с общим эмиттером рис. 1.1. Рис. 1.1
Транзистор работает в активном режиме. Резисторы RБ и Rк задают режим работы по постоянному току. При этом с помощью Rб регулируется величина постоянной составляющей тока базы (1.1)
а следовательно и тока коллектора (1.2) Резистор предотвращает замыкание переменной составляющей тока коллектора через источник питания. Желательно иметь . Одновременно величина влияет на постоянную составляющую напряжения на коллекторе, т.к. (1.3)
При известных ЕК и рабочая точка транзистора по постоянному току может быть задана не двумя, а одним параметром, или или . Для измерений удобнее использовать . Для того, чтобы источник сигнала и нагрузка не влияли на режим работы транзистора по постоянному току, включены разделительные конденсаторы и имеющие б рабочем диапазоне частот малые сопротивления. Для расчета основных параметров усилительного каскада могут быть использованы формулы:
(1.4) где ; .
При наличие резистора Rэ в цепи эмиттера, создающего отрицательную обратную связь,
; (1.5) Задание на выполнение лабораторной работы. 2.1. Задание режима работы транзистора по постоянному току. Собрать схему в Multisim 10 рис.1.2 (это часть схемы усилительного каскада рис.1.1, определяющего рабочую точку транзистора). Рис. 1.2.
Установить: E2=10В RК=3,3к RБ=10-56к
Подключить вольтметры для измерения постоянных напряжений 2.1.2. Изменяя величину E1, выбрать рабочую точку транзистора так, чтобы транзистора так, чтобы UКЭ (0) = E2 /2 = 5В (*).
(*) В реальных схемах выбирают Е1 = Е2 и подбирают величину .
Измерить напряжение , рассчитать постоянные составляющие токов базы (1.6) и коллектора (1.7) и статический коэффициент передачи тока базы (1.8) Результаты измерений и расчетов занести в таблицу 1.1
2.1.3. Повторить измерения и расчеты по п. 2.1.2 для двух других рабочих точек и
Таблица 1.1
2.2. Измерение основных параметров усилительного каскада 2.2.1. Собрать в Multisim 10 схему рис. 1.3 (дополнить схему, собранную в предыдущем пункте). 2.2.2. Установить рабочую точку (см. п. 2.1.2). 2.2.3. Перевести вольтметры в режим измерения переменных напряжений. Подключить ко входу и выходу схемы осциллограф. Подать от генератора сигналов синусоидальное напряжение с частотой f=1000Гц и амплитудой такой величины, чтобы получить на выходе переменное напряжение с амплитудой .
Рис. 1.3.
Параметры элементов схемы (рис.1.3.) следующие. Сб = СК = 10,0 мкФ, RН = 1 кОм, Rб = 10 кОм, RК = 3,3кОм. С помощью осциллографа убедиться в отсутствии искажений сигнала. Убедиться, что усилительный каскад инвертирует фазу выходного напряжения относительно входного. Измерить амплитуды переменных напряжений на , на выходе и (переключив вольтметр) на выходе генератора . Результаты измерений занести в таблицу 1.2.
2.2.4. Рассчитать амплитуды переменных составляющих входного
,(1.9)
и выходного токов (1.10) а также переменной составляющей тока коллектора (1.11)
Рассчитать измеренные значения коэффициентов усиления по напряжению (1.12)
по току (1.13)
входного сопротивления (1.14)
и дифференциального коэффициента передачи тока базы (1.15) Результаты занести в таблицу 1.2. 2.2.5. Использовав измеренное значение для дифференциального коэффициента передачи тока базы h21Э, рассчитать и занести в таблицу 1.2 теоретические значения коэффициента усиления по напряжению (1.2) и входного сопротивления (1.1.) (Принять Ом). 2.2.6. Повторить измерения и расчеты по пунктам 2.2.2-2.2.5 для двух других рабочих точек и . 2. и
Построить теоретические и экспериментально измеренные зависимости
Значения , соответствующие напряжениям , взять из таблицы 1.1
2.3. Анализ влияния внешней нагрузки на работу усилительного каскада. Таблица 1.2.
Пользуясь результатами измерений по п.2.2.2-2.2.4 и формулами 1.2 и 1.4 рассчитать значения коэффициентов усиления по напряжению при кОм. Построить график зависимости .
3. Содержание отчета: 1. 2. таблицы и графики снятых зависимостей; 3. результаты расчетов; 4. выводы по результатам эксперимента.
4. Варианты заданий:
5.
1.Назначение элементов усилителя на биполярном транзисторе. 4.Как перевести транзистор из усилительного режима в ключевой? 5.Как зависит полоса пропускания усилителя от величины резистора в коллекторной цепи? 6.Охарактеризуйте режимы работы биполярного транзистора. 7.Изменится ли полоса пропускания усилителя при изменении сопротивления нагрузки? 8. Как определяются h параметры по характеристикам транзистора 9. Чем ограничивается быстродействие транзистора в ключевом режиме?
12345Следующая ⇒ ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов. |
2n2712 техническое описание и примечания по применению
Поиск в наличии
Центральная полупроводниковая корпорация2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Биполярные транзисторы — BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.![]() | |||||||||||
Маузер Электроника | 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ | 0 | — | — | — | — | 0,283 доллара США | Больше информации | |||
Авнет Америкас | 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ | Коробка | 0 | 2 500 | — | — | — | — | 0,28134 $ | Больше информации | |
Центральная полупроводниковая корпорация2N2712 PBFREE Биполярные транзисторы — BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB | |||||||||||
Маузер Электроника | 2N2712 PBFREE | 0 | — | — | — | — | 0,255 доллара США | Больше информации | |||
Авнет Америкас | 2N2712 PBFREE | Коробка | 0 | 5000 | — | — | — | — | 0,24992 доллара США | Больше информации | |
Не указано2Н2712 | |||||||||||
Бристоль Электроникс | 2Н2712 | 22 | — | — | — | — | — | Больше информации | |||
Гленэйр Инк463BS002N2712F6N АДАПТЕР — оптом (Alt: 463BS002N2712F6N) | |||||||||||
Авнет Америкас | 463BS002N2712F6N | оптом | 0 | 1 | — | — | — | — | — | Больше информации |
Технический паспорт 2n2712 (33)
Деталь | ECAD-модель | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
---|---|---|---|---|---|
2N2712 | Центральный полупроводник | Маломощный сигнальный транзистор с выводами общего назначения | Оригинал | ||
2N2712 | Аллегро МикроСистемс | Биполярный транзистор общего назначения, NPN, 18 минВ, TO-92, 3-контактный | Сканировать | ||
2N2712 | Аллегро МикроСистемс | Биполярный транзистор | Скан | ||
2N2712 | Центральный полупроводник | NPN ЭПОКСИДНЫЙ — ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ И ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Сканировать | ||
2N2712 | Континентальное устройство в Индии | Справочник по полупроводниковым устройствам, 1996 г. | Сканировать | ||
2N2712 | Континентальное устройство в Индии | ТО-92 Пластиковые транзисторы | Сканировать | ||
2N2712 | Дженерал Электрик | Справочник по полупроводникам 1971 | Сканировать | ||
2N2712 | Дженерал Электрик | Справочник по полупроводникам, 1977 г.![]() | Сканировать | ||
2N2712 | Микроэлектроника | Справочник по полупроводниковым устройствам | Сканировать | ||
2N2712 | Микроэлектроника | Кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор NPN | Сканировать | ||
2N2712 | Моторола | Библиотека спецификаций Motorola Semiconductor | Сканировать | ||
2N2712 | Моторола | Усилители низкого уровня и усилители общего назначения | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Полное перекрестное справочное руководство по полупроводникам | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Краткое техническое описание транзистораСканировать | |||
2N2712 | Другие | Vintage Transistor Листы данных | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Скан | ||
2N2712 | Другие | Базовая спецификация транзистора и перекрестная ссылка | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Краткое техническое описание транзистораи перекрестные ссылки | Сканировать | ||
2N2712 | Другие | Базовая спецификация транзистораи перекрестная ссылка | Сканировать |
Предыдущий 1 2 Next
2n2712 Листы данных Context Search
Лист данных по каталогу | MFG и тип | ПДФ | Ярлыки для документов |
---|---|---|---|
Т4 3570 Аннотация: транзистор t4 3570 2N2712 транзистор 2n2712 2N2711 2N3900 2N2713 960L на 98 2N2712 2N2714 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 Т4 3570 транзистор т4 3570 транзистор 2n2712 2Н3900 960 л до 98 2N2712 | |
2N2712 Реферат: 2n2923 2N2711 MPS6573 ps/MPS+2515 2N2925 транзистор 2n2712 | OCR-сканирование | I6O111W PS/2N6573 Т0-92А Т0-92Б МПС/2N2711 МПС/2N2712 12pFn® МПС/2N2716 МПС/2N2923 МПС/2Н2924 2Н2712 2n2923 2Н2711 MPS6573 PS/MPS+2515 2Н2925 транзистор 2n2712 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 160 мВт Т0-92М МПС/2N2923 Т0-92Б МПС/2N2711 12pFn МПС/2N2712 МПСМПС/2N3398 200 МГц Декабрь 95 | |
2N2712 Аннотация: 2Н2923 транзистор 2n3391 транзистор 2n2712 2n3394 2N3395 2N2711 mps6566 2N3398 2n3397 | OCR-сканирование | 160 мВт Т0-92А Т0-92Б МПС/2N2711 УМПС/2Н2712 12pPii@ МПС/2N2716 ИБП/2N2923 МПС/2N2924 ИБП/2N2925 2н2712 транзистор 2n3391 2Н2711 2Н3398 2Н3394 2Н2923 2n2925 2Н3397 2Н3395 | |
2N2712 Аннотация: 6573 2N2716 | OCR-сканирование | I6O111W Т0-92А Т0-92Б МПС/2N2711 МПС/2N2712 МПС/2N2716 МПС/2N2923 МПС/2N2924 МПС/2N2925 МПС/2N3390 2Н2712 6573 2Н2716 | |
2N2712 шпилька Аннотация: 2N2714 2N2712 | OCR-сканирование | О-92-1 О-92-2 О-92-3 О-92-4 2Н3397 2Н339Б 2Н3414 штифт 2N2712 2Н2714 2Н2712 | |
2N2924 Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | Т0-92А Т0-92Б I6O111W МПС/2N2711 МПС/2N2712 12pPti@ МПС/2N2716 200 МГц нн-300 9 декабря5 2Н2924 | |
2n3391 дополнение Резюме: 2N3391 2N2712 2N2713 2N3390 2N2926 2N2924 2N2923 2N2714 2N5309 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 150 мА 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н531Д 2Н5311 2n3391 дополнение 2Н3391 2Н3390 2Н2926 2Н5309 | |
н3904 Аннотация: 2N3706 2N4289 «малошумящий» npn QDD2421 2n4287 | OCR-сканирование | 2н2712 2н2714 2n2923 2n2924 2n2925 2n2926 2н4125 2н4126 2n4264 2n4287 n3904 2Н3706 2Н4289 «малошумящий» нпн QDD2421 | |
2N2712 Резюме: 2N2926 2N2714 2N2924 2N2925 2N3397 2n3414 2N2923 2N2712 штифт 2N3398 | OCR-сканирование | О-92-1 О-92-2 О-92-3 О-92-4 О-92-1 2N3392 2N3393 2Н3394 2Н2712 2Н2926 2Н2714 2Н2924 2Н2925 2Н3397 2н3414 2Н2923 штифт 2N2712 2Н3398 | |
2N2712 Резюме: 2N2714 2N2924 2N2926 2N2925 2N3414 B445 2N3391 2N3391A 2N3392 | OCR-сканирование | О-92-1 О-92-2 О-92-3 О-92-4 2N3393 О-92-1 2Н3394 2Н3395 2Н2712 2Н2714 2Н2924 2Н2926 2Н2925 2Н3414 B445 2Н3391 2Н3391А 2N3392 | |
ТП4058 Резюме: TP4059 D33021 2N2711 TP3704 2N5249 TP3703 2N3394 2N2926 2N2925 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2924 2Н2925 2N2926В TP3708 TP3709 TP3710 TP3711 TP4058 TP4058 TP4059 Д33021 ТП3704 2Н5249 ТП3703 2Н3394 2Н2926 | |
2N3564 Реферат: 2N3606 2N3565 контактный 2N3605 2N3607 ТО-921 2N3565 2N33 2N3417 2N292 | OCR-сканирование | О-92-1 О-92-2 О-92-3 О-92-4 2Н3564 2Н3606 штифт 2N3565 2Н3605 2Н3607 ТО-921 2Н3565 2Н33 2Н3417 2Н292 | |
2n2712 техпаспорт Резюме: 2N3711 эквивалент 2N3904 2N3393 2n4058 2N2926 2N2925 2N2924 2N2923 2N2714 | Оригинал | 2Н2712 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н4289 2Н4400 техпаспорт 2н2712 эквивалент 2N3711 2Н3904 2N3393 2н4058 2Н2926 2Н2925 2Н2924 2Н2923 2Н2714 | |
2N2924 Резюме: 2N3856 2N3404 2N3856A 2N2714 2N2712 2N2925 2N2713 2N2711 n3860 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 2N3856 2Н3404 2Н3856А n3860 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | G50433Ã G003SÃ ТП918 ТП930 TP2218 TP2218A TP2219 TP2219A TP2221 TP2221A | |
МПС9631 Реферат: T1S91 MPS9632 MPS9630 TIS92 SE4010 MPS9633 TIS61 MPS9600 MPS9634 | OCR-сканирование | MPS9600 О-92А MPS9601 MPS9602 MPS9630 MPS9631 Т1С91 MPS9632 ТИС92 SE4010 MPS9633 ТИС61 MPS9634 | |
2N5551YCECB Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ||
2N2712 Аннотация: 2N3606 2N3397 2N3564 | OCR-сканирование | О-92-1 2Н2712 2Н3606 2Н3397 2Н3564 | |
d33025* спецификация Аннотация: GET706 GET3646 GET3638 GET3014 GET3013 2N6002 2N6000 2N6006 2n6012 | OCR-сканирование | 50/мкА 800 мА GET706 ПОЛУЧИТЬ708 ПОЛУЧИТЬ914 ПОЛУЧИТЬ3013 ПОЛУЧИТЬ3646 GE1705 CET708 д33025* спецификация ПОЛУЧИТЬ3638 ПОЛУЧИТЬ3014 2Н6002 2Н6000 2Н6006 2н6012 | |
2N3900A Резюме: эквивалент 2N3900A эквивалент 2N2924 2N3404 2N2925 2N2924 2N2714 2N2713 2N2712 NTE377 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 2Н3900А эквивалент 2N3900A эквивалент 2N2924 2Н3404 NTE377 | |
транзистор 2n3391 Резюме: 2N2926 2N2924 2N2923 2N2714 2N2713 2N2712 2N2711 n3860 2N3405 | OCR-сканирование | 2Н2711 2Н2712 2Н2713 2Н2714 2Н2923 2Н2924 2Н2925 2Н2926 2Н3390 2Н3391 транзистор 2n3391 n3860 2Н3405 | |
СЭ4010 Резюме: 2N3565 TIS92 2N3692 TIS90 PN5138 PN4250 PN4249 PN3694 PN3566 | OCR-сканирование | PN3565 О-92А PN3566 PN3694 PN4249 PN4250 SE4010 2Н3565 ТИС92 2N3692 ТИС90 PN5138 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 1flS13fiSQ O-226AA/СТИЛЬ |
Предыдущий 1 2 3 4 5 Следующие
Транзисторы 2N2712 SSI | Весвин Электроникс Лимитед
Электронный компонент 2N2712 запущен в производство фирмой SSI, входящей в состав Transistors. Каждое устройство доступно в небольшом корпусе TO-92 и рассчитано на расширенный температурный диапазон от -40°C до 105°C (TA).
- Категории
- Транзисторы
- Производитель
- ССИ
- Номер детали Весвин
- В1070-2Н2712
- Статус без содержания свинца / Статус RoHS
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Состояние
- Новый и оригинальный — заводская упаковка
- Наличие на складе
- Запасы на складе
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 9 октября — 14 октября (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA/CAD
- 2N2712 от SnapEDA
- Условия хранения
- Сухой шкаф для хранения и комплект защиты от влаги
Ищете 2N2712? Добро пожаловать на Veswin. com, наши специалисты по продажам готовы помочь вам. Вы можете узнать о наличии компонентов и ценах на 2N2712,
просмотреть подробную информацию, включая производителя 2N2712 и таблицы данных. Вы можете купить или узнать о 2N2712 прямо здесь и прямо сейчас.
Veswin является дистрибьютором электронных компонентов для товарных, распространенных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Весвин поставляет промышленные,
Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, CEM-клиентов и ремонтных центров по всему миру. Мы поддерживаем большой склад электронных компонентов,
который может включать 2N2712, в наличии для отправки в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором 2N2712 с полным спектром услуг.
У нас есть возможность закупать и поставлять 2N2712 по всему миру, чтобы помочь вам с вашей цепочкой поставок электронных компонентов.
в настоящее время!
- Q: Как заказать 2N2712?
- О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- В: Как оплатить 2N2712?
- A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- В: Как долго я могу получить 2N2712?
- О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте. - В: 2N2712 Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- В: Техническая поддержка 2N2712?
- A: Да, наш технический инженер по продуктам поможет вам с информацией о распиновке 2N2712, примечаниями по применению, заменой, техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001. Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.
СЕРТИФИКАЦИЯ ИСО
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics являются точными, всеобъемлющими и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования гарантируют долгосрочное стремление Veswin Electronics к постоянным улучшениям.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте отображались правильные данные о продуктах. Пожалуйста, обратитесь к техническому описанию/каталогу продукта, чтобы получить подтвержденные технические характеристики от производителя перед заказом. Если вы заметили ошибку, пожалуйста, сообщите нам.
2N2712 Цена — 2N2712 в наличии
Продажи: 1
113199
5,0 из 5 звезд
1 звезда 0,2%
2 звезды 0%
3 звезды 0,2%
4 звезды 0,4%
5 звезд 99,1%
Всего продуктов: 2399931
Всего продаж: 10179481
Среднее время выполнения заказа: 0 часов
Сроки доставки (Экспресс): 0
Время доставки (Почтовое отделение): 0
Любимый
ИСПОЛЬЗОВАЛ
Бывшие в употреблении детали, сертифицированные Utsource
Бывшие в употреблении детали, сертифицированные Utsource, дают следующие гарантии:
1. Utsource проверит товар, включая осмотр внешнего вида (без серьезных повреждений внешнего вида), выберет квалифицированных и честных поставщиков и обеспечит 98%-й уровень квалификации.
2. Некоторые детали проходят машинное тестирование.
3. Детали, сертифицированные Utsource, могут быть безоговорочно возвращены и возмещены в течение 60 дней.
Транзисторы для малых сигналов
Все названия продуктов, товарные знаки, бренды и логотипы, используемые на этом сайте, являются собственностью их соответствующих владельцев. Изображение, описание или продажа продуктов с этими названиями, товарными знаками, брендами и логотипами предназначены только для целей идентификации и не предназначены для указания на какую-либо принадлежность или разрешение какого-либо правообладателя.
Атрибуты продукта
Обзоры продуктов
Представлять на рассмотрение
1844 отзывов покупателей из США
VE366236 PEDRO PENUELA
МУР1540
Соединенные Штаты Майами
Длина регистрации: 9 лет
0
0
Ответ 0
12/15/2021
Julio Cesar Mendoza
Julio Cesar Mendoza
Julio Cesar Mendoza
. IRG71C28U
Соединенные Штаты доральный
Срок регистрации:5 лет
0
0
Ответ 0
01.12.2021
90 90 Hanock 9000 ДМ74Л04НСоединенные Штаты Сент-Хеленс
Длина регистрации: 3 года
0
0
Ответ 0
11/29/2021
Mukesh Ramoutar
Mukesh Ramoutar
Mukesh Ramoutar
. IRFP9140NPBF IRFP9140 TO-247 П КАНАЛ 100В 23АСоединенные Штаты Майами
Длина регистрации: 1 Годы
0
0
Ответ 0
11/27/2021
Erick Morales/Раздел 81468
Erick Morales/Раздел 81468
Erick Morales/Раздел 81468
Eric АН28Ф512-120
Соединенные Штаты ДОРАЛЬ
Длина регистрации: 1 Годы
0
0
Ответ 0
11/25/2021
Robert Lamb
9.
1023 CY7C028V-20AXI
Соединенные Штаты Портленд
Длина регистрации: 2 года
0
0
Ответ 0
11/23/2021
John Kohls
АТ89С52-24Ю
Соединенные Штаты Чистая вода
Срок регистрации:3 года
0
0
Ответ 0
04.11.202130014
MC33074P
Соединенные Штаты Форт-Уолтон-Бич
Длина регистрации: 3 года
0
0
Ответ 0
09/01/2021
Maurici W25Q32FVSIG
Соединенные Штаты Майами
Срок регистрации:4 года
0
0
Ответить 0
29.08.20241113
Томас Далессандро
IM481H
Соединенные Штаты Майн Хилл
Длина регистрации: 5 лет
0
0
Ответ 0
08/19/2021
См. Все обзоры >>
333333.
См. Способ оплаты для Азии
Способ оплаты для Америки
Международный способ оплаты
Процесс покупки
Путеводитель по магазинам Связанный поиск Связанный поставщик Альтернативные названия
Путеводитель по магазинам
Связанный поиск
- 2N2712 Цена
- 2N2712 PDF
- 2N2712 Трудно найти
- 2N2712 Распиновка
- 2N2712 Устарело
- 2N2712 Изображение
- 2N2712 Купить
- 2N2712 Изображение
- 2N2712 Продать
- 2N2712 В наличии
- 2N2712 Поиск
- 2N2712 Распределитель
- 2N2712 Лист данных
- 2N2712 Новый и оригинальный
- 2N2712 Приложение
- 2N2712 Серия
- 2N2712 Замена
- 2N2712 ТИ(-)
- 2N2712 найти
- 2N2712 покупка
- 2N2712 нужно
- 2N2712 для покупок
- 2N2712 магазин
- 2N2712 Дешевые
- 2N2712 транзистор
- 2N2712 эквивалент
- 2N2712 Электронный компонент
- 2N2712 Малые сигнальные транзисторы
Связанный поставщик
Альтернативные названия
2N2712
2N2712 имеет несколько торговых марок по всему миру, которые могут иметь альтернативные названия для 2N2712 из-за региональных различий или приобретения. 2N2712 также может быть известен как следующие названия:
Варианты покупки
Статус запаса: 33921
Минимум: 1
Добавить в корзину
Общая цена:
Цена единицы: 3,00000
- ≥1: 3.00000 долларов США 2,70000 долларов США
Подробнее: Запрос
UTSOURCE Официальный
Расчет фрахта
Страна:
- ПЕРЕВОЗЧИК Стоимость доставки Время в пути
- 0,00 3-5 дней
- 0,00 3-5 дней
- 0,00 3-5 дней
- 7,99 8-12 дней
- 0,00 5-8 дней
- 0,00 6-10 дней
- 0,00 6-10 дней
- 0,00 8-10 дней
- 0,00 15-20 дней
- 0,00 10-15 дней
- 0,00 15-18 дней
- 0,00 8-10 дней
- 0,00 7-10 дней
- 0,00 10-12 дней
- 0,00 3-5 дней
- 0,00 2-3 дня
- 0,00 7-10 дней
- 0,00 7-10 дней
Экспресс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатная доставка первых 0,5 кг для заказов на сумму более 200 $, превышение веса оплачивается отдельно.
UtsourceGlobal Выставка Мероприятия
Почему стоит выбрать UTSOURCE для покупки электронных компонентов?
Цена
Цена продукта: Более конкурентоспособная по сравнению с другими платформами
Доставка
Логистика: основные страны мира, 2-5 дней
Несколько товаров
Покупка с несколькими номерами: доставка в одном месте, оплата за доставку один раз
Устаревшее и остановленное производство Специалист
Снятая с производства продукция: Обеспечьте электронные компоненты, производство которых прекращено
Когда заказ будет отправлен?
Почему моя кредитная карта не может оплатить?
сколько стоит?
Когда заказ будет отправлен?
STM32L162RET6TR есть в наличии?
Что делать, если возникла проблема с отображением моей страницы?
JudyCustomer Manager
(888) 766 5577
+86 15302769052
+1 (312)899-4831
(Whats Apport)
Ваша послушная служба. в любое время.
1 продавец Выбор
Посмотреть все
Богатый ассортимент, вы можете найти все электронные компоненты основных мировых брендов
UTSOURCE — глобальная платформа электронных компонентов. Мы можем предоставить продукты разных марок и разных кодов даты, особенно для устаревших и труднодоступных электронных компонентов. Мы предоставляем следующие бренды: Analog Devices (ADI) MAXIM, Texas Instruments (TI), Toshiba, Xilinx, Renesas, Eltek NSC, Altera, NXP, ON, LINEAR, ALLEGRO, Diodes Incorporated, Cypress Semiconductor, AVX, IDT, Intel, Nexperia, KEMET, FAIRCHILD, ROHM, Hongfa, TE, Autonics, Honeywell, Molex, Freescale, Panasonic, OMRON, Amphenol, Murata, ST, VISHAY, MICROCHIP, FLUKE, Dallas, Yageo, Broadcom и так далее.
Utsource ФБУ сервис
Utsource — это глобальная платформа онлайн-сервиса электронных компонентов, на которой собрано множество выдающихся поставщиков. Utsource предоставляет услугу FBU (Fulfillment by Utsource), это интегрированная услуга для пользователей малого и среднего бизнеса (малых и средних предприятий). Особенности: высокая эффективность, высокая скорость, безопасность и удобство.
- Высокая эффективность
- Высокая скорость
- Безопасность
- Удобство
2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ | Центральный полупроводник | Биполярные транзисторы — BJT
2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ | Центральный полупроводник | Биполярные транзисторы — BJT | Цепочка поставок электроники для печатных платТа омханна ле агайдх тагарта амхайн
- Уимхир Файрт
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
- Деантуар
- Центральный полупроводник
- Катагойри
- Биполярные транзисторы — BJT
- RoHS
- Билеог сонраи
2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
- Кур сиос
- Биполярные транзисторы — BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB
Сонрайохтаи
- Деантуар
- Центральный полупроводник
- Катагойри
- Биполярные транзисторы — BJT
- Напряжение коллектор-база VCBO
- 18 В
- Конфигурация
- Одноместный
- Эмиттер-База Напряжение VEBO
- 5 В
- Тип крепления
- Сквозное отверстие
- Упаковка/кейс
- ТО-92-3
- Упаковка
- оптом
- Серия
- 2N2712
- Полярность транзистора
- НПН
Каталог продуктов
Léirmheasanna is Déanaí
Scríobh Do Reivew Féin
товар очень хорошо получен очень хорошего качества
Все как написано в описании франшиза так же заслужила продовцу 5
Всем привет! Заказ получил, очень доволен. Большое спасибо!
Доставка немного 1 недели, нормальная упаковка, процедура завершена.
Заказ пришел очень быстро, до Москвы долетели за 12 дней! Большое спасибо продавцу!
Ниос мо
Мягкая кожа freisin
2N2712 PBFREE
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2714 PBFREE
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2714 ОЛОВО/СВИНЦ
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
Cheannaigh daoine ag breathnú 2N2712 TIN/LEAD вместо
2N2712 PBFREE
Центральный полупроводник
Боится кожи Чун Бом
2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2714 PBFREE
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2714 ОЛОВО/СВИНЦ
Central Semiconductor
Боится кожи Чун Бом
2N2712 TIN/LEAD Nuacht
30. 09.2022
ADM232L Маломощный, +5 В CMOS RS-232 Приемопередатчик 100 кбит/с с 2 драйверами/приемниками
30.09.2022
ADM1485 5 В, высокоскоростной (30 Мбит/с), маломощный, полудуплексный приемопередатчик EIA RS-485
29.09.2022
ADM1181A EMI/EMC-совместимый, защита от электростатического разряда ±15 кВ , Драйверы/приемники линии RS-232
29.09.2022
ADM483E 5 В, ±15 кВ Защита от электростатического разряда, ограниченная скорость нарастания, маломощный, полудуплексный приемопередатчик RS-485/RS-422
28.09/ 2022
LT1785 Приемопередатчики RS485/RS422 с защитой от сбоев 60 В
28.09.2022
LTC1688 100 Мбит/с RS485 Quad Drivers с возможностью горячей замены
27.09.2022
LTM2882 Двойной изолированный RS232 мкмодуля.
ADM2565E 3 kV RMS Signal and Power Isolated RS-485 Transceiver with ±15 kV IEC ESD
09/26/2022
ADLT2852S 3.3 V, 20 Mbps RS485/RS422 Transceiver
09/23/2022
ADN4663 Dual , 3 В, CMOS, высокоскоростной дифференциальный драйвер LVDS
23. 09.2022
ADN4662 Одиночный, 3 В, CMOS, LVDS Дифференциальный линейный приемник
Eochairfhocail ghaolmhara le haghaidh 2N27
- 2N2712 TIN/LEAD Comhtháite
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ RoHS
- 2N2712 Олово/свинец PDF Лист данных
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Cuid
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВ Ceannaigh
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Dáileoir
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ PDF
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВОЕ соединение
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ ICS
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Íoslódáil PDF
- 2N2712 TIN/LEAD Технический паспорт
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Soláthar
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Soláthraí
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Praghas
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Íomha
- 2N2712 ОЛОВО/ПРОВОД Pictiúr
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ Fardal
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Bunaidh
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Saoire
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Sármhaith
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Luaidhe saor
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Sonraíocht
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦ Цена
- 2N2712 ОЛОВО/СВИНЦОВКА Sonraí Teicniúla
Куардах Коитианта
PESD24VV2BTR
15КПЭ33А
СМАДЖ24А-Е3/61
SMBJ5. 0CA-TR
5.0SMDJ33CA
P6SMB250A
RCLAMP0534N.TCT
P6KE180CA-TP
MASMCJ70Ae3
СМБ10ДЖ13А Р5Г
МСП3В3-М3/89А
SMAJ28CA/TR13
SMF4L54A
82356120330
SMAJ8.0A-Q
P6SMB110A-Q
ТМПГ06-10АХЕ3_А/Д
SMBJ58A-QH
SMCJ58CA-H
1.5КЭ530КА-Б
824540600
SMCG90А-Е3/57Т
1.5KE13CAHE3_A/C
СМАДЖ6.5А/ТР13
SMAJ11CA-AT/TR13
ТВ04А220ДЖ-Г
P6KE8.2A/B
SMAJ160C M2G
P4SMA62CA M2G
2N2222 НПН HFE:30-300 | 2N2369 НПН HFE:40-120 | г.![]() 2N2646 Однопереходный | 2N2647 Однопереходный | 2N2712 НПН ХФЭ: 75-225 |
2Н2904 ПНП HFE: 20-35 | 2N2907 ПНП HFE:100-300 | 2N3053 НПН ХФЭ: 25-250 | г.![]() 2N3054 НПН HFE :8-80 | 2N3055 НПН HFE: 20-70 |
2N3391 НПН ХФЭ: 250-800 | 2N3702 ПНП ХФЭ: 60-300 | 2N3703 ПНП ХФЭ: 30-150 | г.![]() 2N3705 НПН ХФЭ: 50-300 | 2N3707 НПН ХФЭ: 100-400 |
2N3708 НПН ХФЭ: 45-660 | г.![]() 2N3903 НПН ХФЭ: 50-200 | 2N3904 НПН ХФЭ: 40-300 | 2N3905 ПНП ХФЭ: 30-150 | 2N3906 ПНП ХФЭ: 60-300 |
2N4400 НПН ХФЭ: 20-250 | 2N4401 НПН ХФЭ 40-500 | 2N4402 ПНП ХФЭ: 30-250 | 2N4403 ПНП ХФЭ: 60-500 | |
2N4870 Однопереходный | 2N4871 Однопереходный | 2N5088 НПН ХФЭ: 300-900 | 2N5089 НПН ХФЭ: 300-1200 |
|
2N5457 Н-чан полевой транзистор I ДСС 2-9 мА | 2N5458 Н-чан полевой транзистор I ДСС 2-9 мА | 2N5459 N-Chan FET I DSS 4-16 мА | 2N7000 Н-чан полевой транзистор I ДСС 1 мА | |
АС127 НПН HFE:~60-130 | АС128 ПНП HFE:~60-130 | АС127/128 Альтернативный | АС176 НПН HFE:~50-250 | АС187 НПН HFE:~100-500 |
АС188 ПНП HFE:~100-500 | ||||
АФ114 ПНП | АФ115 ПНП | АФ116 ПНП | АФ121 ПНП | АФ124 PNP |
АФ125 PNP | АФ126 PNP | АФ127 ПНП | ||
BC107 НПН HFE:110-450 | BC108 НПН HFE:110-800 | BC109 НПН HFE:200-800 | BC147 НПН HFE:90-180 | BC148 НПН HFE:90-520 |
BC169 НПН HFE:120-800 | BC171 НПН HFE:120-800 | BC182 НПН HFE:120-500 | BC184 НПН HFE: 240-900 | BC239 НПН HFE:500-800 |
BC546 НПН HFE:110-450 | BC547 НПН HFE:110-800 | BC548 НПН HFE:200-700 | BC549 НПН HFE:200-800 | BC550 НПН HFE:420-800 |
БД139 НПН HFE:130-170 | ||||
ГТ313 ПНП ГЕР HFE:30-200 | ||||
Дж201 Н-чан полевой транзистор I ДСС . | ||||
MPF102 Н-чан полевой транзистор I ДСС 2-20 мА | MPF103 Н-чан FET I ДСС 1-5 мА | MPF104 Н-чан FET I ДСС 1-5 мА | MPF105 Н-чан полевой транзистор I ДСС 4-16 мА | МПФ106 Н-чан полевой транзистор I ДСС 4-10 мА |
MPSA12 НПН Дарлингтон ХФЭ: 10K-20K | МПСА13 НПН Дарлингтон HFE: 5 тыс. | MPSA14 НПН Дарлингтон HFE: 10 тыс. мин | MPSA18 НПН Дарлингтон HFE:500-1500 | MPSA63 НПН Дарлингтон HFE:500-1500 |
ОС44 ПНП ГЕР HFE:~40-120 | ОС45 ПНП ГЕР HFE:~40-120 | ОС71 ПНП ГЕР HFE:~30-110 | ОС78 ПНП ГЕР HFE:~20-110 | ОС81 ПНП ГЕР HFE:~50-250 |
ОС140 НПН ГЕР HFE:~40-120 | ||||
D104 Транзисторы для микрофона/усилителя.

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.
Робб
Ага
- #1
Итак, я купил D104 на eBay и подключил его к стандартной конфигурации Ranger/Magnum. Вставил в него новую батарейку и подключил. Включил, а он шумит и ведет себя так, будто контакты на переключателе листа грязные. Отлично. Так что беру тонкий, мелкий напильник и немного подчищаю контакты. Престо; больше никаких прерывистых ключей. Но теперь есть другая проблема.
Кажется, что микрофон может говорить, но модуляция очень, очень низкая — даже когда микрофон полностью выкручен. И усиление радиомикрофона тоже значительно выше. Я начинаю задаваться вопросом, не пропали ли транзисторы в этой штуке, потому что нет усиления от микрофона. Известно ли, что транзисторы 2N2712 выходят из строя, или есть еще одна проблема с этим микрофоном, которую я еще не отследил. Кроме того, я также проверил все места пайки на плате усилителя, чтобы убедиться, что там нет плохих соединений. Мне интересно, не упустил ли я что-нибудь из виду, или эти транзисторы в этом микрофоне имеют историю выхода из строя?
Кто-нибудь знает?
фнкиколдмедина
Известный член
- #2
очень редко усилок выходит из строя . скорее всего у вас плохой элемент головы.если знаете кого-то с работающей головой попросите одолжить для теста.
Мистер Толстяк
Свежий поппин!
- #3
Вы не упомянули, что это за подставка. На некоторых подставках TUG9 есть дроссель, вы можете проверить его, если он есть. У меня также есть ранний Silver Eagle с таким же чоком.
Робб
Ага
- #4
Мистер Толстяк сказал:
Вы не упомянули, что это за подставка. На некоторых подставках TUG9 есть дроссель, вы можете проверить его, если он есть. У меня также есть ранний Silver Eagle с таким же чоком.
Нажмите, чтобы развернуть…
Верно.
Это стойка TUG9 с 6-жильным кабелем. На нем есть ленивый ключ; та самая причина, по которой я купил его — что-то вроде Серебряного Орла в этом отношении. У меня нет другой микрофонной головки, чтобы проверить, не вышел ли элемент из строя.
Каково значение дросселя? Схема не показывает его; хотя одна часть на самой плате выглядит как дроссель. Что с этим?!?
Мистер Толстяк
Свежий поппин!
- #5
Роб KI6USW сказал:
Правильно.
Стойка TUG9 с 6-жильным кабелем. На нем есть ленивый ключ; та самая причина, по которой я купил его — что-то вроде Серебряного Орла в этом отношении. У меня нет другой микрофонной головки, чтобы проверить, не вышел ли элемент из строя.
Какое значение удушения? Схема не показывает его; хотя одна часть на самой плате выглядит как дроссель. Что с этим?!?Нажмите, чтобы развернуть…
На моей схеме этого тоже нет, у этого изначально было какое-то желтое покрытие на проводе, он выглядит немного грязным, я намотал его вручную, я немного напортачил, вынув плату для фото.. Может не смотреть отлично, но работает нормально, до того, как я перемотал его, звук был очень низким…
Робб
Ага
- #6
Каковы были характеристики перемотки? Есть ли микрогенри эквивалент?!?
Я потратил три часа, работая над этим микрофоном, и он заработал — без модуляции, как и должно быть. Почему Astatic не включил его в схему? Должен ли я просто удалить его и поставить на его место перемычку?!?
пакрат
Активный член
- #7
Довольно часто люди обходили схему усилителя на микрофоне для использования с радиоприемниками, которым не требовался микрофон с усилителем. Убедитесь, что это не было сделано на вашем. обычно это означало перемещение белого аудиопровода на плате непосредственно к проводке штекера микрофона.
PR
фнкиколдмедина
Известный член
- #8
Роб, я бы ни с чем не связывался, пока ты не попробуешь новую голову. Я редко вижу, как портятся микрофонные усилители. И у меня были десятки 104-х. Если нужно для быстрого теста, сними голову, найди старый микрофонный элемент, возьмите 2 провода от элемента и вставьте их в отверстия в верхней части подставки. подставка усилит все, что вы можете подключить к головному разъему, поэтому, если вы можете подключить старый стандартный микрофонный элемент или что-то в этом роде можно быстро узнать, действительно ли стенд усиливает.
Робб
Ага
- #9
Да; это был элемент микрофона.
У меня был старый ручной микрофон D104, из которого я вынул элемент с конденсатором и поставил его на подставку TUG9.
Теперь он будет «сильно» модулировать; но я не совсем уверен, как это звучит на «другом конце».
Я не могу использовать функцию двусторонней связи на радио, потому что она слишком легко дает обратную связь…
1) Должен ли я оставить конденсатор выключенным/включенным?
2) Где найти сменный элемент для TUG9?????
Последнее редактирование:
фнкиколдмедина
Известный член
- #10
rbmicro.com продает хорошие комплекты сменных элементов, в комплекте с монтажной пеной и всем необходимым для работы. Они получают отличные отзывы. Они стоят 25 долларов.
или хорошая рабочая б/у головка может стоить дороже.
С2
Старший член
- #11
Мне удалось починить несколько. Возможно, вам повезет, и вы обнаружите, что перегородка оторвалась или что-то подобное.
С2
Старший член
- #12
Это может дать вам идею
ДАТИРОВКА ЭЛЕМЕНТОВ
Робб
Ага
- №13
Эй, спасибо за ссылку C2. Я на самом деле разобрал тот кристаллический элемент, который вышел из строя, это была деликатная операция. Собрал все обратно, но все равно не заработало; Я думал, что сделал довольно хорошую работу — правда. Проверяет на омметре на 2,5 МОм; но модулирует почему-то очень плохо. Ручной элемент D104 отлично работает, но он не подходит так, как оригинальный элемент. Поэтому я использовал немного пены, чтобы найти его и центрировать. Номер старого неисправного элемента — «MC 320»; Конечно, хотелось бы найти оригинал, который все еще работает. Даже замененные элементы имеют диаметр всего 2 дюйма, а оригинальный элемент — 2 1/2 дюйма.
Ручной микрофон также имеет конденсатор на задней панели; Я оставил его включенным. Но — разве этот колпачок не настраивает АЧХ элемента? Я попробовал его с выключенным, но, конечно, я не могу сказать, как он звучит на чужом радио. Я пока сохраню его; а если у кого есть хороший сменный элемент 2 1/2″ — пишите в личку — хотел бы купить…
фнкиколдмедина
Известный член
- №14
следите за ebay ,но даже сменная головка или элемент может стоить 30-40 долларов.иногда может повезти и за эти деньги забрать целый микрофон.но получить хорошую головку в лучшем случае повезло если не продавец говорит, что работает хорошо.
вот что… я продал целую стойку за 50,00 с доставкой…… я продам только головку за 30,00 с доставкой, если хочешь. это весь головной элемент и все такое.
Мне нравится PayPal.