2N3055 datasheet: 2N3055 Datasheet | Toshiba — Datasheetspdf.com

alexxlabРазное

Транзистор характеристики, аналоги и datasheet

Согласно техническим характеристикам, 2N3055 – это мощный кремниевый транзистор, изготовленный с использованием технологии эпитаксиальной базы. Его структура n-p-n. Обычно его устанавливают в выходных каскадах усилителей общего применения, коммутационных схемах и различных регуляторах.

Цоколевка

Распиновку 2N3055 рассмотрим в металлическом корпусе ТО-3 в котором он изготавливается. В нем имеется две ножки, база и эмиттер, а в качестве коллектора используется корпус. В комплект поставки также входит изолирующая прокладка с креплением. Расположение выводов, внешний вид и основные характеристики транзистора приведены на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально допустимые технические характеристики 2N3055. Они были измерены при стандартной температуры +25°С. Важность их обуславливается тем, что они показывают предельные возможности устройства, при превышении которых транзистор выйдет из строя. В нашем случае они равны:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = 100 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = 70 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = 7 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 13 А;
  • ток через коллектор Iб max (Iв) = 7 А;
  • мощность без теплоотвода Pк max (PD) = 6 Вт;
  • коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 34,3 мВт/°С;
  • мощность с теплоотводом Pк max (PD) = 117 Вт;
  • коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 0,67 мВт/°С;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -65 … +200°С.

Теперь следует рассмотреть электрические характеристики. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора и, как и в каких случаях можно применять устройство. Эти параметры были измерены при температуре +25°С. Остальные важные условия проведения измерений приведены в отдельной колонке таблицы.

Электрические х-ки транзистора 2N3055 (при Т = +25 оC)

Параметры

Режимы измерения

Обозн.

min

typ

max

Ед. изм

Обратный ток коллектора

VCВ = 100 В

ICEX

 

 

1

мА

VCВ = 100 В, Tj = 150 °C

 

 

5

мА

Обратный ток К-Э

VCE= 30 В, IB = 1 A

ICEО

 

 

0,7

мА

Обратный ток эмиттера

VEB = 7 В

IEBO

 

 

5

мА

Напряжение пробоя К — Э

IC = 200 мA, IB = 0 A

VCEО(SUS)

60

 

 

В

Напряжение пробоя К — Э

IC = 200 мA, RBE = 100 Ом

VCER(SUS)

70

 

 

В

Напряжение насыщения К-Э

IC= 4 A, IB = 400 мA

V CE(sat)

 

 

1

В

IC= 10 A, IB = 3,3 A

3

Напряжение Б-Э

IC= 4 A, VCE = 4 A

V ВE

 

 

1,8

В

К-т усиления по току

Ic= 4 A, VCE = 4 В

hFE

20

 

70

 

Ic= 10 A, VCE = 4 В

5

 

 

 

Граничная частота к-та передачи тока

VCE=10 В, IC= 0,5 A

fT

3

 

 

МГц

Выходная ёмкость

VCB = 10В, IЕ= 0 A, f = 1 МГц

Cob

 

 

700

пФ

Время открытия

IC = 4 A, VCC = 30 В,

IB1 = -IB1 = 0,4 A

t

on

 

 

6

мкс

Время закрытия

toff

3

 

12

мкс

Кроме всех прочих параметрах, для мощных транзисторов также важно термическое сопротивление. Оно показывает эффективность отвода тепла от устройства, ведь чем быстрее оно отводится, тем ниже вероятность перегрева. Для 2N3055 термосотпротивление кристалл корпус Rth(j-c) = 1,52 °С/Вт.

Аналоги

При поиске устройства для замены, в первую очередь, следует обратить внимание на такие зарубежные транзисторы:

  • 2N3715;
  • 2N3716;
  • BD181;
  • BDY20.

В некоторых случаях также можно использовать 2N6371, но при этом нужно предварительно определить какие параметры критически важны для используемой схемы и ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств. Существуют также отечественные аналоги 2N3055 это:

  • КТ728А;
  • КТ819ГМ.

Комплементарной парой для 2N3055 является MJ2955.

Производители и Datasheet

Среди крупных производителей 2N3055 прикрепим Datasheet от следующих:

  • Siemens Semiconductor Group;
  • Motorola;
  • Seme LAB;
  • Savantic;
  • Quanzhou Jinmei Electronic;
  • Comset Semiconductor;
  • Central Semiconductor Corp;
  • Mospec Semiconductor;
  • TRANSYS Electronics Limited;
  • TT Electronics.

В магазинах продаётся продукция таких фирм:

  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor;
  • Continental Device India Limited;
  • STMicroelectronics;
  • New Jersey Semi-Conductor Products.

2N3055 Транзистор Распиновка, Характеристики, Эквивалент и Спецификация

5 Ноября 2018 — 0 Комментарии

      2N3055 Транзистор
      2N3055 Распиновка

2N3055 представляет собой силовой транзистор общего назначения

NPN , изготовленный по технологии эпитаксиальной базы, смонтированный в герметичном металлическом корпусе. Устройство предназначено для коммутации и усилителей общего назначения.

 

2N3055 Конфигурация контактов

Как и любой другой транзистор, 2N3055 имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗУ и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация выводов 2N3055 приведена ниже.

Номер контакта

Название контакта

Описание

1

Основание (В)

Обычно используется как триггер для включения транзистора

2

Излучатель (E)

Обычно подключен к ЗАЗЕМЛЕНИЮ

ВКЛАДКА или CASE

Коллектор (С)

Обычно подключен к НАГРУЗКЕ

 

2N3055 Характеристики и характеристики
  • Транзистор средней мощности
  • Отличная безопасная рабочая зона
  • Комплементарные транзисторы NPN-PNP
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Доступны корпуса без свинца
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) до 70
  • С улучшенной линейностью hfe
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером: 60 В пост. тока
  • Максимально допустимый ток через коллектор: 15 А постоянного тока
  • Максимальное напряжение между базой и эмиттером: 7 В постоянного тока
  • Максимально допустимый ток через базу: 7 А постоянного тока
  • Максимальное напряжение между коллектором и базой: 100 В пост. тока
  • Диапазон рабочих температур: от -65°C до +200°C
  • Суммарная рассеиваемая мощность: 115 Вт

 

2N3055 Equivalents

2N6673, 2N6675, complementary pair- MJ2955

 

Similar Transistors

MJ10023, BUX98, BDW51

 

2N3055 Transistor Overview

2N3055 is preferred when you want простое коммутационное устройство для нагрузок средней мощности. 2N3055 является одним из основных транзисторов, доступных на рынке по низкой цене и с функциями, подходящими для многих приложений.

2N3055 также используется в усилителях мощности звука. Устройство имеет хороший коэффициент усиления, а также практически линейный коэффициент усиления, что делает 2N3055 одним из лучших решений для усилителей мощности.

 

Как использовать транзистор 2N3055

Как упоминалось ранее, 2N3055 можно использовать для любых транзисторов NPN, но для понимания работы устройства давайте рассмотрим простую прикладную схему, как показано ниже. Здесь мы собираемся использовать 2N3055 в качестве простого коммутационного устройства для управления двигателем в конфигурации с общим эмиттером.

 Как показано на схеме, мы используем двигатель в качестве нагрузки, а сигнал затвора для включения транзистора обеспечивается источником 5 В, а кнопка является пусковым устройством. Для работы схемы источник триггера и источник питания должны иметь общее заземление. Резистор 100 Ом предназначен для ограничения тока через базу.

В начальных условиях кнопка будет разомкнута и ток через базу транзистора не течет. При отсутствии тока базы транзистор действует как разомкнутая цепь, и на нем появляется все напряжение питания V1.

Когда кнопка нажата в определенное время, напряжение V2 образует замкнутый контур с базой-эмиттером транзистора, как показано на принципиальной схеме. В этом замкнутом контуре ток течет через базу транзистора, и при протекании тока базы транзистор включается. Если транзистор действует как короткое замыкание во включенном состоянии, коллекторный ток будет течь через двигатель, заставляя его вращаться. Этот двигатель будет продолжать вращаться до тех пор, пока не появится базовый ток.

Через определенное время после отпускания кнопки ток базы становится равным нулю и транзистор закрывается. Когда транзистор переходит в состояние высокого сопротивления в выключенном состоянии, ток коллектора также становится равным нулю, что приводит к остановке двигателя.

Способ управления силовым двигателем с помощью простой кнопки реализует использование 2N3055 в качестве переключающего устройства, и таким же образом мы можем использовать 2N3055 в других транзисторных схемах.

 

Применение
  • Силовые коммутационные цепи
  • Цепи усилителя
  • ШИМ-приложения
  • Цепи регулятора
  • Импульсный блок питания
  • Усилители сигналов

 

2D-модель

Все размеры указаны в дюймах, а размеры в скобках указаны в миллиметрах

    Метки

    Силовой транзистор

    NPN-транзистор



2N3055 Solid State Inc. | Дискретные полупроводниковые продукты

Показанное изображение является только представлением. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

Digi-Key Part Number

2383-2N3055-ND

Manufacturer

Solid State Inc.

Manufacturer Product Number

2N3055

Описание

Trans NPN 60V 15A TO3

.0003

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-3

Customer Reference
Datasheet  Datasheet

Product Attributes

Тип

Описание

SELECT

Категория

Дискретный Semicndoct Products.0003

Transistors

Bipolar (BJT)

Single Bipolar Transistors

Mfr

Solid State Inc.

Series

Package

Статус продукта

Активный

Тип транзистора

0059

Current — Collector (Ic) (Max)

15 A

Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max)

60 V

Vce Saturation ( Max) @ IB, IC

3V @ 3,3a, 10a

Ток — Collector Cutoff (Max)

DC (HFE) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) Вс

20 @ 4A, 4V

Power — Max

Frequency — Transition

2. 5MHz

Operating Temperature

— 65°C ~ 200°C (TJ)

Тип крепления

Сквозное отверстие

90 Упаковка0041

TO-204AA, TO-3

Supplier Device Package

Documents & Media

Resource Type Link
Datasheets 2N3055 , MJ3955
HTML Спецификация 2N3055, MJ3955

Экологическая и экспортная классификации

9094 Атрибут0317
Description
RoHS Status ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN EAR99
HTSUS 8541.

Похожие записи

05.09.2023 0

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

05.09.2023 0

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

05.09.2023 0

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *