2N3055 datasheet. 2N3055: мощный транзистор NPN для силовой электроники и усилителей

alexxlabРазное
Что такое транзистор 2N3055. Какие у него основные характеристики. Для чего применяется 2N3055. Как правильно использовать этот транзистор. Какие есть аналоги 2N3055.

Что представляет собой транзистор 2N3055

2N3055 — это мощный биполярный транзистор структуры NPN, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Он выпускается в металлическом корпусе TO-3 и широко применяется в силовой электронике и усилителях мощности.

Основные особенности 2N3055:

  • Структура NPN
  • Максимальный ток коллектора 15 А
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Рассеиваемая мощность до 115 Вт (с радиатором)
  • Коэффициент усиления по току 20-70
  • Рабочая частота до 3 МГц

Благодаря своим характеристикам 2N3055 является одним из самых популярных мощных транзисторов общего назначения.

Основные электрические параметры 2N3055

Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзистора 2N3055:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база: 7 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 15 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора: 20 А
  • Рассеиваемая мощность: 115 Вт (с радиатором)
  • Коэффициент усиления по току: 20-70
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1-3 В

Эти параметры позволяют использовать 2N3055 в мощных усилителях, импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других силовых приложениях.


Области применения транзистора 2N3055

Благодаря своим характеристикам 2N3055 нашел широкое применение в различных областях электроники:

  1. Выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты
  2. Импульсные источники питания
  3. Схемы управления электродвигателями
  4. Регуляторы напряжения и тока
  5. Коммутационные схемы для управления мощной нагрузкой
  6. Инверторы и преобразователи напряжения
  7. Лабораторные источники питания

Универсальность и доступность делают 2N3055 популярным выбором как для промышленных, так и для любительских проектов.

Особенности использования 2N3055

При работе с транзистором 2N3055 следует учитывать некоторые важные моменты:

  • Необходимость использования радиатора для отвода тепла при работе на больших токах
  • Изоляция корпуса от радиатора при монтаже (корпус является коллектором)
  • Защита от пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
  • Ограничение тока базы резистором для предотвращения перегрузки
  • Учет снижения коэффициента усиления при больших токах коллектора

Правильное применение этих мер позволит обеспечить надежную работу транзистора в различных схемах.


Аналоги и замена 2N3055

При необходимости 2N3055 может быть заменен на ряд аналогичных транзисторов:

  • Отечественные аналоги: КТ819, КТ837, КТ8116
  • Зарубежные аналоги: MJ2955 (PNP-структура), 2N3773, 2N3772, TIP3055

При замене следует внимательно сравнивать параметры транзисторов, так как возможны отличия в максимальных токах, напряжениях и других характеристиках.

Схема включения 2N3055 для управления нагрузкой

Рассмотрим простую схему использования 2N3055 для управления мощной нагрузкой:


     +12V
      |
      |
    /-\
   |   | 100 Ом
    \-/
      |
      |--- База
     /
2N3055
     \
      |--- Эмиттер
      |
     ___
      -  Земля

В этой схеме транзистор работает как ключ, управляемый током базы. При подаче положительного напряжения на базу транзистор открывается, пропуская ток через нагрузку, подключенную к коллектору.

Особенности монтажа 2N3055

При монтаже 2N3055 необходимо учитывать следующие моменты:

  • Корпус транзистора (коллектор) должен быть изолирован от радиатора с помощью слюдяной прокладки и изолирующих втулок
  • Для улучшения теплоотвода рекомендуется использовать теплопроводящую пасту
  • Радиатор должен быть рассчитан на рассеиваемую мощность с учетом температуры окружающей среды
  • Выводы транзистора не должны подвергаться механическим нагрузкам

Правильный монтаж обеспечит надежную работу транзистора и эффективный отвод тепла.


Измерение параметров 2N3055

Для проверки исправности и определения характеристик 2N3055 можно провести следующие измерения:

  1. Проверка целостности переходов с помощью мультиметра
  2. Измерение коэффициента усиления по току
  3. Определение напряжения насыщения коллектор-эмиттер
  4. Измерение обратных токов утечки
  5. Проверка пробивных напряжений

Эти измерения позволят оценить состояние транзистора и его соответствие паспортным данным.

2N3055 остается одним из самых популярных мощных транзисторов благодаря своей надежности, доступности и универсальности применения. Правильное использование этого транзистора позволяет создавать эффективные схемы силовой электроники и усилителей мощности.


Транзистор характеристики, аналоги и datasheet

Согласно техническим характеристикам, 2N3055 – это мощный кремниевый транзистор, изготовленный с использованием технологии эпитаксиальной базы. Его структура n-p-n. Обычно его устанавливают в выходных каскадах усилителей общего применения, коммутационных схемах и различных регуляторах.

Цоколевка

Распиновку 2N3055 рассмотрим в металлическом корпусе ТО-3 в котором он изготавливается. В нем имеется две ножки, база и эмиттер, а в качестве коллектора используется корпус. В комплект поставки также входит изолирующая прокладка с креплением. Расположение выводов, внешний вид и основные характеристики транзистора приведены на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально допустимые технические характеристики 2N3055. Они были измерены при стандартной температуры +25°С. Важность их обуславливается тем, что они показывают предельные возможности устройства, при превышении которых транзистор выйдет из строя. В нашем случае они равны:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = 100 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = 70 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = 7 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 13 А;
  • ток через коллектор Iб max (Iв) = 7 А;
  • мощность без теплоотвода P
    к max     (PD) = 6 Вт;
  • коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 34,3 мВт/°С;
  • мощность с теплоотводом Pк max (PD) = 117 Вт;
  • коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 0,67 мВт/°С;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -65 … +200°С.

Теперь следует рассмотреть электрические характеристики. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора и, как и в каких случаях можно применять устройство. Эти параметры были измерены при температуре +25°С. Остальные важные условия проведения измерений приведены в отдельной колонке таблицы.

Электрические х-ки транзистора 2N3055 (при Т = +25 оC)

Параметры

Режимы измерения

Обозн.

min

typ

max

Ед. изм

Обратный ток коллектора

VCВ = 100 В

ICEX

 

 

1

мА

VCВ = 100 В, Tj = 150 °C

 

 

5

мА

Обратный ток К-Э

VCE= 30 В, IB = 1 A

ICEО

 

 

0,7

мА

Обратный ток эмиттера

VEB = 7 В

IEBO

 

 

5

мА

Напряжение пробоя К — Э

IC = 200 мA, IB = 0 A

VCEО(SUS)

60

 

 

В

Напряжение пробоя К — Э

IC = 200 мA, RBE = 100 Ом

VCER(SUS)

70

 

 

В

Напряжение насыщения К-Э

IC= 4 A, IB = 400 мA

V CE(sat)

 

 

1

В

IC= 10 A, IB

= 3,3 A

3

Напряжение Б-Э

IC= 4 A, VCE = 4 A

V ВE

 

 

1,8

В

К-т усиления по току

Ic= 4 A, VCE = 4 В

hFE

20

 

70

 

Ic= 10 A, VCE = 4 В

5

 

 

 

Граничная частота к-та передачи тока

VCE=10 В, IC= 0,5 A

fT

3

 

 

МГц

Выходная ёмкость

VCB = 10В, IЕ= 0 A, f = 1 МГц

C

ob

 

 

700

пФ

Время открытия

IC = 4 A, VCC = 30 В,

IB1 = -IB1 = 0,4 A

ton

 

 

6

мкс

Время закрытия

toff

3

 

12

мкс

Кроме всех прочих параметрах, для мощных транзисторов также важно термическое сопротивление. Оно показывает эффективность отвода тепла от устройства, ведь чем быстрее оно отводится, тем ниже вероятность перегрева. Для 2N3055 термосотпротивление кристалл корпус Rth(j-c) = 1,52 °С/Вт.

Аналоги

При поиске устройства для замены, в первую очередь, следует обратить внимание на такие зарубежные транзисторы:

  • 2N3715;
  • 2N3716;
  • BD181;
  • BDY20.

В некоторых случаях также можно использовать 2N6371, но при этом нужно предварительно определить какие параметры критически важны для используемой схемы и ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств. Существуют также отечественные аналоги 2N3055 это:

  • КТ728А;
  • КТ819ГМ.

Комплементарной парой для 2N3055 является MJ2955.

Производители и Datasheet

Среди крупных производителей 2N3055 прикрепим Datasheet от следующих:

  • Siemens Semiconductor Group;
  • Motorola;
  • Seme LAB;
  • Savantic;
  • Quanzhou Jinmei Electronic;
  • Comset Semiconductor;
  • Central Semiconductor Corp;
  • Mospec Semiconductor;
  • TRANSYS Electronics Limited;
  • TT Electronics.

В магазинах продаётся продукция таких фирм:

  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor;
  • Continental Device India Limited;
  • STMicroelectronics;
  • New Jersey Semi-Conductor Products.

2N3055 Транзистор Распиновка, Характеристики, Эквивалент и Спецификация

5 Ноября 2018 — 0 Комментарии

          2N3055 Транзистор
          2N3055 Распиновка

      2N3055 представляет собой силовой транзистор общего назначения NPN , изготовленный по технологии эпитаксиальной базы, смонтированный в герметичном металлическом корпусе. Устройство предназначено для коммутации и усилителей общего назначения.

       

      2N3055 Конфигурация контактов

      Как и любой другой транзистор, 2N3055 имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗУ и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация выводов 2N3055 приведена ниже.

      Номер контакта

      Название контакта

      Описание

      1

      Основание (В)

      Обычно используется как триггер для включения транзистора

      2

      Излучатель (E)

      Обычно подключен к ЗАЗЕМЛЕНИЮ

      ВКЛАДКА или CASE

      Коллектор (С)

      Обычно подключен к НАГРУЗКЕ

       

      2N3055 Характеристики и характеристики
      • Транзистор средней мощности
      • Отличная безопасная рабочая зона
      • Комплементарные транзисторы NPN-PNP
      • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
      • Доступны корпуса без свинца
      • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) до 70
      • С улучшенной линейностью hfe
      • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером: 60 В пост. тока
      • Максимально допустимый ток через коллектор: 15 А постоянного тока
      • Максимальное напряжение между базой и эмиттером: 7 В постоянного тока
      • Максимально допустимый ток через базу: 7 А постоянного тока
      • Максимальное напряжение между коллектором и базой: 100 В пост. тока
      • Диапазон рабочих температур: от -65°C до +200°C
      • Суммарная рассеиваемая мощность: 115 Вт

       

      2N3055 Equivalents

      2N6673, 2N6675, complementary pair- MJ2955

       

      Similar Transistors

      MJ10023, BUX98, BDW51

       

      2N3055 Transistor Overview

      2N3055 is preferred when you want простое коммутационное устройство для нагрузок средней мощности. 2N3055 является одним из основных транзисторов, доступных на рынке по низкой цене и с функциями, подходящими для многих приложений.

      2N3055 также используется в усилителях мощности звука. Устройство имеет хороший коэффициент усиления, а также практически линейный коэффициент усиления, что делает 2N3055 одним из лучших решений для усилителей мощности.

       

      Как использовать транзистор 2N3055

      Как упоминалось ранее, 2N3055 можно использовать для любых транзисторов NPN, но для понимания работы устройства давайте рассмотрим простую прикладную схему, как показано ниже. Здесь мы собираемся использовать 2N3055 в качестве простого коммутационного устройства для управления двигателем в конфигурации с общим эмиттером.

       Как показано на схеме, мы используем двигатель в качестве нагрузки, а сигнал затвора для включения транзистора обеспечивается источником 5 В, а кнопка является пусковым устройством. Для работы схемы источник триггера и источник питания должны иметь общее заземление. Резистор 100 Ом предназначен для ограничения тока через базу.

      В начальных условиях кнопка будет разомкнута и ток через базу транзистора не течет. При отсутствии тока базы транзистор действует как разомкнутая цепь, и на нем появляется все напряжение питания V1.

      Когда кнопка нажата в определенное время, напряжение V2 образует замкнутый контур с базой-эмиттером транзистора, как показано на принципиальной схеме. В этом замкнутом контуре ток течет через базу транзистора, и при протекании тока базы транзистор включается. Если транзистор действует как короткое замыкание во включенном состоянии, коллекторный ток будет течь через двигатель, заставляя его вращаться. Этот двигатель будет продолжать вращаться до тех пор, пока не появится базовый ток.

      Через определенное время после отпускания кнопки ток базы становится равным нулю и транзистор закрывается. Когда транзистор переходит в состояние высокого сопротивления в выключенном состоянии, ток коллектора также становится равным нулю, что приводит к остановке двигателя.

      Способ управления силовым двигателем с помощью простой кнопки реализует использование 2N3055 в качестве переключающего устройства, и таким же образом мы можем использовать 2N3055 в других транзисторных схемах.

       

      Применение
      • Силовые коммутационные цепи
      • Цепи усилителя
      • ШИМ-приложения
      • Цепи регулятора
      • Импульсный блок питания
      • Усилители сигналов

       

      2D-модель

      Все размеры указаны в дюймах, а размеры в скобках указаны в миллиметрах

        Метки

        Силовой транзистор

        NPN-транзистор



      2N3055 Solid State Inc. | Дискретные полупроводниковые продукты

      Показанное изображение является только представлением. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

      Digi-Key Part Number

      2383-2N3055-ND

      Manufacturer

      Solid State Inc.

      Manufacturer Product Number

      2N3055

      Описание

      Trans NPN 60V 15A TO3

      .0003

      Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-3

      Customer Reference
      Datasheet  Datasheet

      Product Attributes

      Тип

      Описание

      SELECT

      Категория

      Дискретный Semicndoct Products.0003

      Transistors

      Bipolar (BJT)

      Single Bipolar Transistors

      Mfr

      Solid State Inc.

      Series

      Package

      Статус продукта

      Активный

      Тип транзистора

      		0059

      Current — Collector (Ic) (Max)

      15 A

      Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max)

      60 V

      Vce Saturation ( Max) @ IB, IC

      3V @ 3,3a, 10a

      Ток — Collector Cutoff (Max)

      DC (HFE) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) (hfe) Вс

      20 @ 4A, 4V

      Power — Max

      Frequency — Transition

      2. 5MHz

      Operating Temperature

      — 65°C ~ 200°C (TJ)

      Тип крепления

      Сквозное отверстие

      90 Упаковка0041

      TO-204AA, TO-3

      Supplier Device Package

      Documents & Media

      Resource Type Link
      Datasheets 2N3055 , MJ3955
      HTML Спецификация 2N3055, MJ3955

      Экологическая и экспортная классификации

      9094 Атрибут0317
      Description
      RoHS Status ROHS3 Compliant
      Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
      ECCN EAR99
      HTSUS 8541.

      Похожие записи

      21.11.2024 0

      Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

      19.11.2024 0

      Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

      19.11.2024 0

      Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

      Добавить комментарий

      Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *