2N5401 datasheet. 2N5401: мощный PNP-транзистор для промышленного и аэрокосмического применения

alexxlabРазное
Какие основные характеристики имеет транзистор 2N5401. Каковы его ключевые параметры и области применения. Для каких задач подходит этот PNP-транзистор. Какие преимущества дает использование 2N5401 в электронных схемах.

Общая характеристика транзистора 2N5401

2N5401 представляет собой мощный биполярный PNP-транзистор, широко используемый в различных электронных устройствах. Этот компонент обладает рядом важных особенностей:

  • Корпус TO-92
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 150 В
  • Максимальный ток коллектора: 600 мА
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 625 мВт
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 60-240
  • Граничная частота: 100 МГц

Транзистор 2N5401 отличается высокой надежностью и стабильностью параметров, что делает его подходящим для применения в ответственных промышленных и аэрокосмических системах.

Ключевые электрические параметры 2N5401

Рассмотрим подробнее основные электрические характеристики транзистора 2N5401:


  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -150 В
  • Напряжение коллектор-база (VCBO): -180 В
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора (IC): -600 мА
  • Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): -1 А
  • Коэффициент усиления по току (hFE) при IC = -10 мА: 60-240
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): -0.2 В при IC = -50 мА
  • Граничная частота (fT): 100 МГц

Эти параметры позволяют использовать 2N5401 в широком диапазоне приложений, требующих высокой надежности и стабильности.

Области применения транзистора 2N5401

Благодаря своим характеристикам, 2N5401 находит применение во многих областях электроники:

  • Промышленная автоматика
  • Измерительное оборудование
  • Телекоммуникационные системы
  • Источники питания
  • Усилители низкой частоты
  • Драйверы светодиодов
  • Аэрокосмическая электроника
  • Военная техника

Высокая надежность и стабильность параметров делают 2N5401 особенно востребованным в ответственных применениях, где требуется длительный срок службы и работа в жестких условиях эксплуатации.


Преимущества использования 2N5401 в электронных схемах

Использование транзистора 2N5401 в электронных устройствах дает ряд существенных преимуществ:

  1. Высокая надежность и долговечность
  2. Стабильность параметров в широком диапазоне температур
  3. Высокое пробивное напряжение (150 В)
  4. Низкое напряжение насыщения
  5. Хорошие частотные характеристики
  6. Доступность и невысокая стоимость
  7. Совместимость со многими схемотехническими решениями

Эти преимущества делают 2N5401 популярным выбором для разработчиков электронной аппаратуры различного назначения.

Особенности применения 2N5401 в высоконадежной электронике

При использовании 2N5401 в высоконадежной электронике следует учитывать несколько важных аспектов:

  • Тщательный контроль режимов работы транзистора
  • Обеспечение эффективного теплоотвода
  • Защита от перенапряжений и импульсных помех
  • Использование качественных комплектующих в обвязке
  • Применение специальных методов монтажа и герметизации

Соблюдение этих требований позволяет максимально реализовать потенциал 2N5401 в ответственных применениях.


Сравнение 2N5401 с аналогами

Как сравнивается 2N5401 с другими популярными PNP-транзисторами? Рассмотрим основные параметры:

Параметр2N54012N3906BC557
VCEO, В-150-40-45
IC max, мА600200100
hFE		60-240100-300110-450
fT, МГц100250150

Как видно, 2N5401 выделяется более высоким пробивным напряжением и большим допустимым током, что делает его предпочтительным для мощных применений.

Рекомендации по выбору режимов работы 2N5401

Для обеспечения надежной работы транзистора 2N5401 важно правильно выбрать режим его работы:

  • Не превышать максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 150 В
  • Ограничивать ток коллектора на уровне не более 600 мА
  • Обеспечивать рассеиваемую мощность не выше 625 мВт
  • Учитывать зависимость коэффициента усиления от тока коллектора
  • При работе на высоких частотах учитывать снижение коэффициента усиления

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить стабильную и долговременную работу устройств на базе 2N5401.

Температурные характеристики 2N5401

Транзистор 2N5401 обладает хорошей температурной стабильностью. Его основные параметры в зависимости от температуры:


  • Рабочий диапазон температур: -55°C до +150°C
  • Температурный коэффициент напряжения база-эмиттер: -2.1 мВ/°C
  • Температурный коэффициент коэффициента усиления: около 0.5%/°C

Эти характеристики позволяют использовать 2N5401 в широком диапазоне температур без значительного изменения параметров схемы.

Особенности монтажа 2N5401

При монтаже транзистора 2N5401 следует соблюдать несколько важных правил:

  1. Использовать антистатические меры предосторожности
  2. Не превышать максимально допустимую температуру пайки (300°C в течение 10 секунд)
  3. Обеспечивать минимальное механическое напряжение на выводах
  4. При необходимости использовать теплоотвод
  5. Соблюдать полярность подключения выводов

Правильный монтаж обеспечит надежную работу транзистора и всего устройства в целом.

Применение 2N5401 в импульсных схемах

Транзистор 2N5401 может эффективно использоваться в импульсных схемах благодаря следующим характеристикам:

  • Время включения: около 35 нс
  • Время выключения: около 300 нс
  • Емкость коллектор-база: 4.5 пФ
  • Емкость эмиттер-база: 10 пФ

Эти параметры позволяют использовать 2N5401 в схемах с частотой переключения до нескольких мегагерц, что достаточно для многих практических применений.


Защита 2N5401 от перегрузок

Для обеспечения надежной работы 2N5401 в условиях возможных перегрузок рекомендуется применять следующие меры защиты:

  1. Ограничение тока коллектора с помощью резистора в цепи эмиттера
  2. Защита от перенапряжений с помощью стабилитрона параллельно переходу коллектор-эмиттер
  3. Применение термокомпенсации для стабилизации рабочей точки
  4. Использование предохранителей в цепи питания
  5. Применение схем электронной защиты от перегрузки

Комплексное применение этих мер позволит существенно повысить надежность и долговечность устройств на базе 2N5401.


2N5401 Спецификация PDF | BJT Transistor, BJT

2N5401 Спецификация PDF | BJT Transistor, BJT — AiPCBA

Даташит компонента > BJT Transistor, BJT > 2N5401 Спецификация PDF

Поделиться

2N5401 BJT Transistor, BJT Спецификация PDF

2N5401 Спецификация PDF BJT Transistor, BJT

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 150V 0. 6A 3Pin TO-92

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
Diotec Semiconductor

Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; 625mW; TO92

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
Central Semiconductor

Trans Pnp 150V 0. 6A To-92

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
Multicomp

Ic, Linear Voltage Regulator, 24V, To-92

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
NXP

Trans GP BJT PNP 150V 0.

3A 3Pin SPT Bulk

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
Fairchild

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92

2N5401
Спецификация PDF
17 Страницы
UTC

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

2N5401
Спецификация PDF
5 Страницы
KEC(Korea Electronics)

High Voltage Transistor

2N5401G
Спецификация PDF
17 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

2N5401RLRAG
Спецификация PDF
7 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0.6A

2N5401RLRA
Спецификация PDF
17 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

2N5401BU
Спецификация PDF
17 Страницы
Fairchild

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92 Bulk

2N5401RL1G
Спецификация PDF
10 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

2N5401TA
Спецификация PDF
10 Страницы
Fairchild

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo

2N5401RL1
Спецификация PDF
6 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

2N5401RLRM
Спецификация PDF
6 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0.6A

2N5401YBU
Спецификация PDF
5 Страницы
ON Semiconductor

High Current PNP Bipolar Transistor, TO-92

2N5401ZL1
Спецификация PDF
6 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

2N5401-AP
Спецификация PDF
5 Страницы
Micro Commercial Components

TO-92 PNP 150V 0.6A

2N5401RLRMG
Спецификация PDF
10 Страницы
ON Semiconductor

TO-92 PNP 150V 0. 6A

Еще 2N5401 Спецификация PDF >

Поиск в формате PDF Даташит

Поиск

100 миллионов листов данных в формате PDF, обновляйте более 5000 файлов PDF в день.

Связанные части

Популярные части Новые части

Свяжитесь с нами онлайн

Bonnie — Менеджер по продажам AiPCBA онлайн, 5 минут назад

Сообщение *

Отправить

[email protected]

Сертификат

Службы доставки

©2015 — 2023 AiPCBA, Все права защищены.

Описание продукта: 2n5401 — Принадлежности для кремния | голый умереть | Вафли | Dice

2N5401 представляет собой экситаксиальный кремниевый транзистор PNP, подходящий для линейных и переключающих устройств. Дополнение NPN — 2N5551.

Эти высоконадежные транзисторы подходят для сборки на толстопленочных и тонкопленочных гибридных схемах с высоким механическим качеством и золотой металлизацией. Электрически они характеризуются повышенной температурой и поставляются в нескольких вариантах исполнения.

Особенности:

  • Непосредственно заменяет устаревшие транзисторы Fairchild, Microsemi, Motorola и National Semiconductor.
  • Подходит для использования в промышленной, медицинской, военной и аэрокосмической промышленности.
  • Небольшие размеры для высокой степени интеграции и близкого расположения к источнику сигнала.
  • Гарантированная долгосрочная поддержка без смены маски штампа.

Поставщик:
Силиконовые материалы