2N5551 datasheet: Page Not Found (404) — NXP® Semiconductor

Содержание

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74...).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5...2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4
0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

РКС Компоненты - РАДИОМАГ

Внимание! Изменение графика работы на праздничные дни.

В сети магазинов Радиомаг:
22.08.2021 - Выходной день.
23.08.2021 - Выходной день.
24.08.2021 - Выходной день.

В отделе продаж и интернет магазине:
21.08.2021 - Выходной день.
22.08.2021 - Выходной день.
23.08.2021 - Выходной день.
24.08.2021 - Выходной день.

17/08/2021

Наш склад пополнился припоями и флюсами производства CYNEL

Припои с флюсом, припои без флюса, серебросодержащие припои, флюсы.

Полный список поставки смотрите ниже либо на странице нашего сайта по ссылке

21/04/2021

Полный список  смотрите  по ссылке.

02/04/2021

Контроллер температуры и влажности, Тестер емкости аккумулятора, Тестер полупроводников, Компактный усилитель мощности, 

Bluetooth аудиомодуль ,Цветной USB тестер (вольтметр, амперметр, контроллер заряда), Цифровой портативный осциллограф, 
Двухсторонняя клейкая акриловая лента, Антистатические пинцеты


Полный список поставки смотрите по ссылке

 

02/04/2021

Пополнение склада и расширение ассортимента от производителя Hantek Electronics.


Измерительные приборы
Аксессуары для инструмента и оборудования

01/04/2021

Пополнение склада и расширение ассортимента от производителя LiitoKala.


Аккумуляторы и батарейки
Блоки питания, сетевые адаптеры, зарядные устройства

01/04/2021

Расширен ассортимент радиомодулей с интерфейсами: UART, UART/IO, IO,  USB, SPI.

Полный список поставки по ссылке HOPE RF

26/11/2020

Паяльное оборудование производителей YIHUA и AOYUE на складе, а также в сети магазинов РАДИОМАГ
На нашем складе обновился ассортимент таких товарных групп как: паяльные станции, паяльники, фены, жала, насадки на фен, уловитель дыма.

Полный перечень пополнения смотрите по ссылке, либо в разделе
Паяльное оборудование, расходные для пайки

24/11/2020

Просим обратить внимание.


Магазин Радиомаг в Киеве меняет свой график работы:
Пн. - Сб. работает  9:00-16:00
Вс. - Выходной

23/11/2020

Расширен складской запас энкодеров

Перечень поставки смотрите по ссылке либо в разделе сайта.

01/11/2020

2n5551 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

Биполярный транзистор 2SC5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5551

Маркировка: EB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: PCP

2SC5551


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)

• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

1.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 1.3. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

1.4. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор CXT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CXT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT-89

CXT5551


Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC5552 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5552.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5552
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

1.2. 2sc5552.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5552
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Wide area of safe operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

 4.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

4.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 4.3. 2sc5550.pdf Size:208K _toshiba



4.4. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

 4.5. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

4.6. 2sc5553.pdf Size:55K _panasonic

Power Transistors
2SC5553
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

4.7. 2sc5556.pdf Size:65K _panasonic

Transistors
2SC5556
Silicon NPN epitaxial planar type
For UHF band low-noise amplification
Unit: mm
0.40+0.10
0.05
0.16+0.10
0.06
Features
3
Low noise figure NF
High transition frequency fT
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing (0.95) (0.95)
1.90.1
2.90+0.20
0.05
Absolu

4.8. 2sc5554.pdf Size:49K _hitachi

2SC5554
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-692 (Z)
1st. Edition
Oct. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is YH-.
2SC5554
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

4.9. 2sc5555.pdf Size:46K _hitachi

2SC5555
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-693 (Z)
1st. Edition
Nov. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is ZD-.
2SC5555
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

Биполярный транзистор CZT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CZT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT223

CZT5551


Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 2N5551CN — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551CN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO-92N

2N5551CN


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 3.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

3.2. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

KST5551 Datasheet (PDF)

1.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST5551
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
3
Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW
2
SOT-23
1
Mark: G1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEBO Emitter-Base Voltage

4.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi

KST5550
High Voltage Transistor
3
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 600 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperatu

 5.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V
3
KST56: — 80V
Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW
Complement to KST05/06
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector Base Voltage
: KST55 -60 V
: KST56 -80 V

5.2. kst55.pdf Size:21K _samsung

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DRIVER TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Emitter-Base Voltage VEBO -4 V
Collector Current IC -500 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
Thermal R

Биполярный транзистор 2N5551C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO92

2N5551C


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

CZT5551 Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

CXT5551 Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

PZT5551L3 Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

2N5551C Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Биполярный транзистор PZT5551L3 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: PZT5551L3

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT-223

PZT5551L3


Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Оцените статью:

Tl5551 datasheet на русском - Морской флот

Каждый радиолюбитель не раз встречался с микросхемой NE555. Этот маленький восьминогий таймер завоевал колоссальную популярность за функциональность, практичность и простоту использования. На 555 таймере можно собрать схемы самого различного уровня сложности: от простого триггера Шмитта, с обвеской всего в пару элементов, до многоступенчатого кодового замка с применением большого количества дополнительных компонентов.

В данной статье детально ознакомимся с микросхемой NE555, которая, несмотря на свой солидный возраст, по-прежнему остается востребована. Стоит отметить, что в первую очередь данная востребованность обусловлена применением ИМС в схемотехнике с использованием светодиодов.

Описание и область применения

NE555 является разработкой американской компании Signetics, специалисты которой в условиях экономического кризиса не сдались и смогли воплотить в жизнь труды Ганса Камензинда. Именно он в 1970 году сумел доказать важность своего изобретения, которое на тот момент не имело аналогов. ИМС NE555 имела высокую плотность монтажа при низкой себестоимости, чем заслужила особый статус.

Впоследствии её стали копировать конкурирующие производители из разных стран мира. Так появилась отечественная КР1006ВИ1, которая так и осталась уникальной в данном семействе. Дело в том, что в КР1006ВИ1 вход останова (6) имеет приоритет над входом запуска (2). В импортных аналогах других фирм такая особенность отсутствует. Данный факт следует учитывать при разработке схем с активным использованием двух входов.

Однако в большинстве случаев приоритеты не влияют на работу устройства. С целью снижения мощности потребления, ещё в 70-х годах прошлого века был налажен выпуск таймера КМОП-серии. В России микросхема на полевых транзисторах получила название КР1441ВИ1.

Наибольшее применение 555 таймер нашёл в построении схем генераторов и реле времени с возможностью задержки от микросекунд до нескольких часов. В более сложных устройствах он выполняет функции по исключению дребезга контактов, ШИМ, восстановлению цифрового сигнала и так далее.

Особенности и недостатки

Особенностью таймера является внутренний делитель напряжения, который задаёт фиксированный верхний и нижний порог срабатывания для двух компараторов. Ввиду того что делитель напряжения нельзя исключить, а пороговым напряжением нельзя управлять, область применения NE555 сужается.

Таймер на биполярных транзисторах имеет один существенный недостаток, связанный с переходом выходного каскада из одного состояния в противоположное. Каждое переключение сопровождается паразитным сквозным током, который в пике может достигать 400 мА, увеличивая тепловые потери. Решение проблемы заключается в установке полярного конденсатора ёмкостью до 0,1 мкФ между выводом управления (5) и общим проводом. Благодаря ему, повышается стабильность при запуске и надёжность всего устройства. Кроме того, для повышения помехоустойчивости цепь питания дополняют неполярным конденсатором 1 мкФ.

Таймеры, собранные на КМОП-транзисторах, лишены перечисленных недостатков и не нуждаются в монтаже внешних конденсаторов.

Основные параметры ИМС серии 555

Внутреннее устройство NE555 включает в себя пять функциональных узлов, которые можно видеть на логической диаграмме. На входе расположен резистивный делитель напряжения, который формирует два опорных напряжения для прецизионных компараторов. Выходные контакты компараторов поступают на следующий блок – RS-триггер с внешним выводом для сброса, а затем на усилитель мощности. Последним узлом является транзистор с открытым коллектором, который может выполнять несколько функций, в зависимости от поставленной задачи.

Рекомендуемое напряжение питания для ИМС типа NA, NE, SA лежит в интервале от 4,5 до 16 вольт, а для SE может достигать 18В. При этом ток потребления при минимальном Uпит равен 2–5 мА, при максимальном Uпит – 10–15 мА. Некоторые ИМС 555 КМОП-серии потребляют не более 1 мА. Наибольший выходной ток импортной микросхемы может достигать значения в 200 мА. Для КР1006ВИ1 он не выше 100 мА.

Качество сборки и производитель сильно влияют на условия эксплуатации таймера. Например, диапазон рабочих температур NE555 составляет от 0 до 70°C, а SE555 от -55 до +125°C, что важно знать при конструировании устройств для работы в открытой окружающей среде. Более детально ознакомиться с электрическими параметрами, узнать типовые значения напряжения и тока на входах CONT, RESET, THRES, и TRIG можно в datasheet на ИМС серии XX555.

Расположение и назначение выводов

NE555 и её аналоги преимущественно выпускаются в восьмивыводном корпусе типа PDIP8, TSSOP или SOIC. Расположение выводов независимо от корпуса – стандартное. Условное графическое обозначение таймера представляет собой прямоугольник с надписью G1 (для генератора одиночных импульсов) и GN (для мультивибраторов).

  1. Общий (GND). Первый вывод относительно ключа. Подключается к минусу питания устройства.
  2. Запуск (TRIG). Подача импульса низкого уровня на вход второго компаратора приводит к запуску и появлению на выходе сигнала высокого уровня, длительность которого зависит от номинала внешних элементов R и С. О возможных вариациях входного сигнала написано в разделе «Одновибратор».
  3. Выход (OUT). Высокий уровень выходного сигнала равен (Uпит-1,5В), а низкий – около 0,25В. Переключение занимает около 0,1 мкс.
  4. Сброс (RESET). Данный вход имеет наивысший приоритет и способен управлять работой таймера независимо от напряжения на остальных выводах. Для разрешения запуска необходимо, чтобы на нём присутствовал потенциал более 0,7 вольт. По этой причине его через резистор соединяют с питанием схемы. Появление импульса менее 0,7 вольт запрещает работу NE555.
  5. Контроль (CTRL). Как видно из внутреннего устройства ИМС он напрямую соединен с делителем напряжения и в отсутствие внешнего воздействия выдаёт 2/3 Uпит. Подавая на CTRL управляющий сигнал, можно получить на выходе модулированный сигнал. В простых схемах он подключается к внешнему конденсатору.
  6. Останов (THR). Является входом первого компаратора, появление на котором напряжения более 2/3Uпит останавливает работу триггера и переводит выход таймера в низкий уровень. При этом на выводе 2 должен отсутствовать запускающий сигнал, так как TRIG имеет приоритет перед THR (кроме КР1006ВИ1).
  7. Разряд (DIS). Соединен напрямую с внутренним транзистором, который включен по схеме с общим коллектором. Обычно к переходу коллектор-эмиттер подключают времязадающий конденсатор, который разряжается, пока транзистор находится в открытом состоянии. Реже используется для наращивания нагрузочной способности таймера.
  8. Питание (VCC). Подключается к плюсу источника питания 4,5–16В.

Режимы работы NE555

Таймер 555 серии работает в одном из трёх режимов, рассмотрим их более детально на примере микросхемы NE555.

Одновибратор

Принципиальная электрическая схема одновибратора приведена на рисунке. Для формирования одиночных импульсов, кроме микросхемы NE555, понадобится сопротивление и полярный конденсатор. Схема работает следующим образом. На вход таймера (2) подают одиночный импульс низкого уровня, который приводит к переключению микросхемы и появлению на выходе (3) высокого уровня сигнала. Продолжительность сигнала рассчитывается в секундах по формуле:

По истечении заданного времени (t) на выходе формируется сигнал низкого уровня (исходное состояние). По умолчанию вывод 4 объединен с выводом 8, то есть имеет высокий потенциал.

Во время разработки схем нужно учесть 2 нюанса:

  1. Напряжение источника питания не влияет на длительность импульсов. Чем больше напряжение питания, тем выше скорость заряда времязадающего конденсатора и тем больше амплитуда выходного сигнала.
  2. Дополнительный импульс, который можно подать на вход после основного, не повлияет на работу таймера, пока не истечет время t.

На работу генератора одиночных импульсов можно влиять извне двумя способами:

  • подать на Reset сигнал низкого уровня, который переведёт таймер в исходное состояние;
  • пока на вход 2 поступает сигнал низкого уровня, на выходе будет оставаться высокий потенциал.

Таким образом, с помощью одиночных сигналов на входе и параметров времязадающей цепочки можно получать на выходе импульсы прямоугольной формы с чётко заданной длительностью.

Мультивибратор

Мультивибратор представляет собой генератор периодических импульсов прямоугольной формы с заданной амплитудой, длительностью или частотой, в зависимости от поставленной задачи. Его отличие от одновибратора состоит в отсутствии внешнего возмущающего воздействия для нормального функционирования устройства. Принципиальная схема мультивибратора на базе NE555 показана на рисунке.

В формировании повторяющихся импульсов участвуют резисторы R1, R2 и конденсатор С1. Время импульса (t1), время паузы(t2), период (T) и частоту (f) рассчитывают по нижеприведенным формулам: Из данных формул несложно заметить, что время паузы не сможет превысить время импульса, то есть достичь скважности (S=T/t1) более 2 единиц не удастся. Для решения проблемы в схему добавляют диод, катод которого соединяют с выводом 6, а анод с выводом 7.

В datasheet на микросхемы часто оперируют величиной, обратной скважности — Duty cycle (D=1/S), которую отображают в процентах.

Схема работает следующим образом. В момент подачи питания конденсатор С1 разряжен, что переводит выход таймера в состояние высокого уровня. Затем С1 начинает заряжаться, набирая ёмкость до верхнего порогового значения 2/3 UПИТ. Достигнув порога ИМС переключается, и на выходе появляется низкий уровень сигнала. Начинается процесс разряда конденсатора (t1), который продолжается до нижнего порогового значения 1/3 UПИТ. По его достижении происходит обратное переключение, и на выходе таймера устанавливается высокий уровень сигнала. В результате схема переходит в автоколебательный режим.

Прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером

Внутри таймера NE555 встроен двухпопроговый компаратор и RS-триггер, что позволяет реализовывать прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером на аппаратном уровне. Входное напряжение делится компаратором на три части, при достижении каждой из которых происходит очередное переключение. При этом величина гистерезиса (обратного переключения) равна 1/3 UПИТ. Возможность применения NE555 в качестве прецизионного триггера востребована в построении систем автоматического регулирования.

3 наиболее популярные схемы на основе NE555

Одновибратор

Практический вариант схемы одновибратора на TTL NE555 приведен на рисунке. Схема питается однополярным напряжением от 5 до 15В. Времязадающими элементами здесь являются: резистор R1 – 200кОм-0,125Вт и электролитический конденсатор С1 – 4,7мкФ-16В. R2 поддерживает на входе высокий потенциал, пока некоторое внешнее устройство не сбросит его до низкого уровня (например, транзисторный ключ). Конденсатор С2 защищает схему от сквозных токов в моменты переключения.

Активизация одновибратора происходит в момент кратковременного замыкания на землю входного контакта. При этом на выходе формируется высокий уровень длительностью:

Таким образом, данная схема формирует задержку выходного сигнала относительно входного на 1 секунду.

Мигание светодиодом на мультивибраторе

Отталкиваясь от рассмотренной выше схемы мультивибратора можно собрать простую светодиодную мигалку. Для этого к выходу таймера последовательно с резистором подключают светодиод. Номинал резистора находят по формуле:

UВЫХ – амплитудное значение напряжения на выводе 3 таймера.

Количество подключаемых светодиодов зависит от типа применяемой микросхемы NE555, её нагрузочной способности (КМОП или ТТЛ). Если необходимо мигать светодиодом мощностью более 0,5 Вт, то схему дополняют транзистором, нагрузкой которого станет светодиод.

Реле времени

Схема регулируемого таймера (электронное реле времени) показана на рисунке. С её помощью можно вручную задавать длительность выходного сигнала от 1 до 25 секунд. Для этого последовательно с постоянным резистором в 10 кОм устанавливают переменный номиналом в 250 кОм. Ёмкость времязадающего конденсатора увеличивают до 100 мкФ.

Схема работает следующим образом. В исходном состоянии на выводе 2 присутствует высокий уровень (от источника питания), а на выводе 3 низкий уровень. Транзисторы VT1, VT2 закрыты. В момент подачи на базу VT1 положительного импульса по цепи (Vcc-R2-коллектор-эмиттер-общий провод) протекает ток. VT1 открывается и переводит NE555 в режим отсчета времени. Одновременно на выходе ИМС появляется положительный импульс, который открывает VT2. В результате ток эмиттера VT2 приводит к срабатыванию реле. Пользователь может в любой момент прервать выполнение задачи, кратковременно закоротив RESET на землю.

Транзисторы SS8050, приведенные на схеме, можно заменить на КТ3102.

Рассмотреть все популярные схемы на основе NE555 в одной статье невозможно. Для этого существуют целые сборники, в которых собраны практические наработки за всё время существования таймера. Надеемся, что приведенная информация послужит ориентиром во время сборки схем, в том числе нагрузкой которых служат светодиоды.

Теория и практика применения таймера 555. Часть первая.

Часть первая. Теоретическая.

Наверное нет такого радиолюбителя (Мяу, и его кота! – Здесь и далее прим. Кота), который не использовал бы в своей практике эту замечательную микросхему. Ну а уж слышали о ней так точно все.

Её история началась в 1971 году, когда компания Signetics Corporation выпустила микросхему SE555/NE555 под названием "Интегральный таймер" (The IC Time Machine).
На тот момент это была единственная "таймерная" микросхема доступная массовому потребителю. Сразу после поступления в продажу микросхема завоевала бешеную популярность и среди любителей и среди профессионалов. Появилась куча статей, описаний, схем, использующих сей девайс.
За прошедшие 35 лет практически каждый уважающий себя производитель полупроводников считал свои долгом выпустить свою версию этой микросхемы, в том числе и по более современным техпроцессам. Например, компания Motorola выпускает CMOS версию MC1455. Но при всем при этом в функциональности и расположении выводов никаких различий у всех этих версий нет. Все они полные аналоги друг друга.
Наши отечественные производители тоже не остались в стороне и выпускают эту микросхему под названием КР1006ВИ1.

А вот список заморских производителей, которые выпускают таймер 555 и их коммерческие обозначения:

Производитель

Название микросхемы

В некоторых случаях указано два названия. Это означает, что выпускается две версии микросхемы – гражданская, для коммерческого применения и военная. Военная версия отличается большей точностью, широким диапазоном рабочих температур и выпускается в металлическом или керамическом корпусе. Ну и дороже, разумеется.

Начнем с корпуса и выводов.

Микросхема выпускается в двух типах корпусов – пластиковом DIP и круглом металлическом. Правда, в металлическом корпусе она все же выпускалась – сейчас остались только DIP-корпуса. Но на случай, если вам вдруг достанется такое счастье, привожу оба рисунка корпуса. Назначения выводов одинаковые в обоих корпусах. Помимо стандартных, выпускается еще две разновидности микросхем – 556 и 558. 556 – это сдвоенная версия таймера, 558 – счетверенная.

Функциональная схема таймера показана на рисунке прямо над этим предложением.
Микросхема содержит около 20 транзисторов, 15 резисторов, 2 диода. Состав и количество компонентов могут несущественно меняться в зависимости от производителя. Выходной ток может достигать 200 мА, потребляемый – на 3- 6 мА больше. Напряжение питания может изменяться от 4,5 до 18 вольт. При этом точность таймера практически не зависит от изменения напряжения питания и составляет 1% от расчетного. Дрейф составляет 0,1%/вольт, а температурный дрейф – 0,005%/С.

Теперь мы посмотрим на принципиальную схему таймера и перемоем ему кости, вернее ноги – какой вывод для чего нужен и что все это значит.

Итак, выводы (Мяу! Это он про ноги. ):

1. Земля. Особо комментировать тут нечего – вывод, который подключается к минусу питания и к общему проводу схемы.

2. Запуск. Вход компаратора №2. При подаче на этот вход импульса низкого уровня (не более 1/3 Vпит) таймер запускается и на выходе устанавливается напряжение высокого уровня на время, которое определяется внешним сопротивлением R (Ra+Rb, см. функциональную схему) и конденсатором С – это так называемый режим моностабильного мультивибратора. Входной импульс может быть как прямоугольным, так и синусоидальным. Главное, чтобы по длительности он был короче, чем время заряда конденсатора С. Если же входной импульс по длительности все-таки превысит это время, то выход микросхемы будет оставаться в состоянии высокого уровня до тех пор, пока на входе не установится опять высокий уровень. Ток, потребляемый входом, не превышает 500нА.

3. Выход. Выходное напряжение меняется вместе с напряжением питания и равно Vпит-1,7В (высокий уровень на выходе). При низком уровне выходное напряжение равно примерно 0,25в (при напряжении питания +5в). Переключение между состояниями низкий – высокий уровень происходит приблизительно за 100 нс.

4. Сброс. При подаче на этот вывод напряжения низкого уровня (не более 0,7в) происходит сброс выхода в состояние низкого уровня не зависимо от того, в каком режиме находится таймер на данный момент и чем он занимается. Reset, знаете ли, он и в Африке reset. Входное напряжение не зависит от величины напряжения питания – это TTL-совместимый вход. Для предотвращения случайных сбросов этот вывод настоятельно рекомендуется подключить к плюсу питания, пока в нем нет необходимости.

5. Контроль. Этот вывод позволяет получить доступ к опорному напряжению компаратора №1, которое равно 2/3Vпит. Обычно, этот вывод не используется. Однако его использование может весьма существенно расширить возможности управления таймером. Все дело в том, что подачей напряжения на этот вывод можно управлять длительностью выходных импульсов таймера и таким образом, забить на RC времязадающую цепочку. Подаваемое напряжение на этот вход в режиме моностабильного мультивибратора может составлять от 45% до 90% напряжения питания. А в режиме мультивибратора от 1,7в до напряжения питания. При этом мы получаем ЧМ (FM) модулированный сигнал на выходе. Если же этот вывод таки не используется, то его рекомендуется подключить к общему проводу через конденсатор 0,01мкФ (10нФ) для уменьшения уровня помех и всяких других неприятностей.

6. Останов. Этот вывод является одним из входов компаратора №1. Он используется как эдакий антипод вывода 2. То есть используется для остановки таймера и приведения выхода в состояние (Мяу! Тихой паники?!) низкого уровня. При подаче импульса высокого уровня (не менее 2/3 напряжения питания), таймер останавливается, и выход сбрасывается в состояние низкого уровня. Так же как и на вывод 2, на этот вывод можно подавать как прямоугольные импульсы, так и синусоидальные.

7. Разряд. Этот вывод подсоединен к коллектору транзистора Т6, эмиттер которого соединен с землей. Таким образом, при открытом транзисторе конденсатор С разряжается через переход коллектор-эмиттер и остается в разряженном состоянии пока не закроется транзистор. Транзистор открыт, когда на выходе микросхемы низкий уровень и закрыт, когда выход активен, то есть на нем высокий уровень. Этот вывод может также применяться как вспомогательный выход. Нагрузочная способность его примерно такая же, как и у обычного выхода таймера.

8. Плюс питания. Как и в случае с выводом 1 особо ничего не скажешь. Напряжение питания таймера может находиться в пределах 4,5-16 вольт. У военных версий микросхемы верхний диапазон находится на уровне 18 вольт.

Впитали? Едем дальше.
Большинство таймеров нуждаются во времязадающей цепочке, обычно состоящей из резистора и конденсатора. Таймер 555 не исключение. Давайте посмотрим на диаграмму работы микросхемы.

Итак, предположим, что мы подали питание на микросхему. Вход находится в состоянии высокого уровня, на выходе – низкий уровень, конденсатор С разряжен. Все спокойно, все спят. И тут БАХ – мы подаем серию прямоугольных импульсов на вход таймера. Что происходит?
Первый же импульс низкого уровня переключает выход таймера в состояние высокого уровня. Транзистор Т6 закрывается и конденсатор начинает заряжаться через резистор R. Все то время пока конденсатор заряжается, выход таймера остается во включенном состоянии – на нем сохраняется высокий уровень напряжения. Как только конденсатор зарядится до 2/3 напряжения питания, выход микросхемы выключается и на нем появляется низкий уровень. Транзистор T6 открывается и конденсатор С разряжается.
Однако есть два нюанса, которые показаны на графике пунктирными линиями.
Первый – если после окончания заряда конденсатора на входе сохраняется низкий уровень напряжения – в таком случае выход остается активным – на нем сохраняется высокий уровень до тех пор, пока на входе не появится высокий уровень. Второй – если мы активируем вход Сброс напряжением низкого уровня. В этом случае выход сразу же выключится, не смотря на то, что конденсатор все еще заряжается.
Так, лирическую часть закончили – перейдем к суровым цифрам и расчетам. Как же нам определить время, на которое будет включаться таймер и номиналы RC цепочки, необходимые для задания этого времени? Время, за которое конденсатор заряжается до 63,2% (2/3) напряжения питания называется временной константой, обозначим её буковкой t. Вычисляется это время потрясающей по своей сложности формулой. Вот она: t = R*C, где R – сопротивление резистора в МегаОм-ах, С – емкость конденсатора в микроФарад-ах. Время получается в секундах.

К формуле мы еще вернемся, когда будем подробно рассматривать режимы работы таймера. А сейчас пока посмотрим на простенький тестер для этой микросхемы, который запросто скажет вам – работает ваш экземпляр таймера или нет.

Если после включения питания мигают оба светодиода – значит все хорошо и микросхема во вполне рабочем состоянии. Если же хотя бы один из диодов не горит или наоборот – горит постоянно, значит такую микросхемы можно спустить в унитаз с чистой совестью или вернуть назад продавцу, если вы её только что купили. Напряжение питания – 9 вольт. Например, от батареи "Крона".

Теперь рассмотрим режимы работы этой микросхемы.
Собственно говоря, режимов у нее две штуки. Первый – моностабильный мультивибратор. Моностабильный – потому что стабильное состояние у такого мультивибратора одно – выключен. А во включенное состояние мы его переводим временно, подав на вход таймера какой-либо сигнал. Как уже отмечалось выше, время, на которое мультивибратор переходит в активное состояние, определяется RC цепочкой. Эти свойства могут быть использованы в самых разнообразных схемах. Для запуска чего-либо на определенное время или наоборот – для формирования паузы на заданное время.

Второй режим – это генератор импульсов. Микросхема может выдавать последовательность прямоугольных импульсов, параметры которых определяются все той же RC цепочкой. (Мяу! Хочу цепочку. На хвост. Ну или браслетик. Антистатический.)
Все-таки Кот у нас – зануда.
Начнем сначала, то есть с первого режима.

Схема включения микросхемы показана на рисунке. RC цепочка включена между плюсом и минусом питания. К соединению резистора и конденсатора подключен вывод 6 – Останов. Это вход компаратора №1. Сюда же подключен вывод 7 – Разряд. Входной импульс подается на вывод 2 – Запуск. Это вход компаратора №2. Совершенно простецкая схема – один резистор и один конденсатор – куда уж проще? Для повышения помехоустойчивости можно подключить вывод 5 на общий провод через конденсатор емкостью 10нФ.
Итак, в исходном состоянии, на выходе таймера низкий уровень – около нуля вольт, конденсатор разряжен и заряжаться не хочет, поскольку открыт транзистор Т6. Это состояние стабильное, оно может продолжаться неопределенно долгое время. При поступлении на вход импульса низкого уровня, срабатывает компаратор №2 и переключает внутренний триггер таймера. В результате на выходе устанавливается высокий уровень напряжения. Транзистор Т6 закрывается и начинает заряжаться конденсатор С через резистор R. Все то время, пока он заряжается, на выходе таймера сохраняется высокий уровень. Таймер не реагирует ни на какие внешние раздражители, буде они поступают на вывод 2. То есть, после срабатывания таймера от первого импульса дальнейшие импульсы не оказывают никакого действия на состояние таймера – это очень важно. Так, что там у нас происходит то? А, да – заряжается конденсатор. Когда он зарядится до напряжения 2/3Vпит, сработает компаратор №1 и в свою очередь переключит внутренний триггер. В результате на выходе установится низкий уровень напряжения, и схема вернется в свое исходное, стабильное состояние. Транзистор Т6 откроется и разрядит конденсатор С.

Время, на которое таймер, так сказать "выходит из себя", может быть от одной миллисекунды до сотен секунд.
Считается оно так: T=1.1*R*C
Теоретически, пределов по длительности импульсов нет – как по минимальной длительности, так и по максимальной. Однако, есть некоторые практические ограничения, которые обойти можно, но сначала стоит задуматься – нужно ли это делать и не проще ли выбрать другое схемное решение.
Так, минимальные значения, установленные практическим образом для R составляет 10кОм, а для С – 95пФ. Можно ли меньше? В принципе – да. Но при этом, если еще уменьшить сопротивление резистора – схема начнет трескать слишком много электричества. Если уменьшить емкость С, то всякие паразитные емкости и помехи могут существенно повлиять на работу схемы.
С другой стороны, максимальное значение резистора примерно равно 15Мом. Здесь ограничение накладывает ток, потребляемый входом Останов (около 120нА) и ток утечки конденсатора С. Таким образом, при слишком большом значении резистора таймер просто никогда не выключится, если сумма токов утечки конденсатора и тока входа превысит 120 нА.
Ну а что касается максимальной емкости конденсатора, то дело не столько в самой емкости, сколько в токе утечки. Понятно, что чем больше емкость, тем больше ток утечки и тем хуже будет точность таймера. Поэтому, если таймер будет использоваться для больших временных интервалов, то лучше пользоваться конденсаторами с малыми токами утечки – например, танталовыми.

Перейдем ко второму режиму.

В эту схему добавлен еще один резистор. Входы обоих компараторов соединены и подключены к соединению резистора R2 и конденсатора. Вывод 7 включен между резисторами. Конденсатор заряжается через резисторы R1 и R2.
Теперь посмотрим, что же произойдет, когда мы подадим питание на схему. В исходном состоянии конденсатор разряжен и на входах обоих компараторов низкий уровень напряжения, близкий к нулю. Компаратор №2 переключает внутренний триггер и устанавливает на выходе таймера высокий уровень. Транзистор Т6 закрывается и конденсатор начинает заряжаться через резисторы R1 и R2.

Когда напряжение на конденсаторе достигает 2/3 напряжения питания, компаратор №1 в свою очередь переключает триггер и выключает выход таймер – напряжение на выходе становится близким к нулю. Транзистор Т6 открывается и конденсатор начинает разряжаться через резистор R2. Как только напряжение на конденсаторе опустится до 1/3 напряжения питания, компаратор №2 опять переключит триггер и на выходе микросхемы снова появится высокий уровень. Транзистор Т6 закроется и конденсатор снова начнет заряжаться. фууу, чет у меня голова закружилась уже.
Короче говоря, в результате всего этого шаманства, на выходе мы получаем последовательность прямоугольных импульсов. Частота импульсов, как вы вероятно уже догадались, зависит от величин C, R1 и R2. Определяется она по формуле:

Значения R1 и R2 подставляются в Омах, C – в фарадах, частота получается в Герцах.
Время между началом каждого следующего импульса называется периодом и обозначается буковкой t. Оно складывается из длительности самого импульса – t1 и промежутком между импульсами – t2. t = t1+t2.
Частота и период – понятия обратные друг другу и зависимость между ними следующая:
f = 1/t.
t1 и t2 разумеется тоже можно и нужно посчитать. Вот так:
t1 = 0.693(R1+R2)C;
t2 = 0.693R2C;

Ну, с теоретической частью вроде бы покончили. В следующей части рассмотрим конкретные примеры включения таймера 555 в различных схемах и для самого разнообразного использования.
Если у вас еще остались вопросы – их можно задать тут.

Номер в каталогеОписание (Функция)производитель
TL555ILinCMOS? TimerTexas Instruments
Другие PDFнедоступен.
TL555I Datasheet PDF :

Description
The TLC555 is a monolithic timing circuit fabricated using the TI LinCMOS™ process. The timer is fully compatible with CMOS, TTL, and MOS logic, and operates at frequencies up to 2 MHz. Because of its high input impedance, this device uses smaller timing capacitors than those used by the NE555. As a result, more accurate time delays and oscillations are possible. Power consumption is low across the full range of power-supply voltage.
Like the NE555, the TLC555 has a trigger level equal to approximately one-third of the supply voltage and a threshold level equal to approximately two-thirds of the supply voltage. These levels can be altered by use of the control voltage terminal (CONT). When the trigger input (TRIG) falls below the trigger level, the flip-flop is set and the output goes high. If TRIG is above the trigger level and the threshold input (THRES) is above the threshold level, the flip-flop is reset and the output is low. The reset input (RESET) can override all other inputs and can be used to initiate a new timing cycle. If RESET is low, the flip flop is reset and the output is low. Whenever the output is low, a low-impedance path is provided between the discharge terminal (DISCH) and GND. All unused inputs must be tied to an appropriate logic level to prevent false triggering.

Features
• Very Low Power Consumption:
– 1 mW Typical at VDD = 5 V
• Capable of Operation in Astable Mode
• CMOS Output Capable of Swinging Rail to Rail
• High Output Current Capability
– Sink: 100 mA Typical
– Source: 10 mA Typical
• Output Fully Compatible With CMOS, TTL, and MOS
• Low Supply Current Reduces Spikes During
Output Transitions
• Single-Supply Operation From 2 V to 15 V
• Functionally Interchangeable With the NE555;
Has Same Pinout
• ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015.2
• Available in Q-Temp Automotive
– High-Reliability Automotive Applications
– Configuration Control and Print Support
– Qualification to Automotive Standards

Applications
• Precision Timing
• Pulse Generation
• Sequential Timing
• Time Delay Generation
• Pulse Width Modulation
• Pulse Position Modulation
• Linear Ramp Generator

Генератор на базе таймера NE555

Микросхема интегрального таймера 555 была разработана 44 года назад, в 1971 году и до сих пор популярна. Пожалуй, ещё ни одна микросхема так долго не служила людям. Чего только на ней не собирали, даже поговаривают, что номер 555 — это число вариантов её применения 🙂 Одно из классических применений 555 таймера — регулируемый генератор прямоугольных импульсов.
В этом обзоре будет описание генератора, конкретное применение будет в следующий раз.

Плату прислали запечатанной в антистатический пакетик, но микросхема очень дубовая и статикой её так просто не убить.

Качество монтажа нормальное, флюс не отмыт


Схема генератора стандартная для получения скважности импульсов ≤2

Даташит NE555

Красный светодиод подключен на выход генератора и при малой выходной частоте — мигает.
По китайской традиции, производитель забыл поставить ограничивающий резистор последовательно с верхним подстроечником. По спецификации, он должен быть не менее 1кОм, чтобы не перегружать внутренний ключ микросхемы, однако, реально схема работает и при меньшем сопротивлении — вплоть до 200 Ом, при котором происходит срыв генерации. Добавить ограничивающий резистор на плату затруднительно из-за особенности разводки печатной платы.
Диапазон рабочих частот выбирается установленной перемычной в одной из четырёх позиций
Частоты продавец указал неверно.

Реально измеренные частоты генератора при питающем напряжении 12В
1 — от 0,5Гц до 50Гц
2 — от 35Гц до 3,5kГц
3 — от 650Гц до 65кГц
4 — от 50кГц до 600кГц
On-Line расчёт цепей генератора (примерный)
Нижний резистор (по схеме) задаёт длительность паузы импульса, верхний резистор задаёт период следования импульсов.
Напряжение питания 4,5-16В, максимальная нагрузка на выходе — 200мА

Стабильность выходных импульсов на 2 и 3 диапазонах невысока из-за применения конденсаторов из сегнетоэлектрической керамики типа Y5V — частота сильно уползает не только при изменении температуры, но даже при изменении питающего напряжения (причём в разы). Рисовать графики не стал, просто поверьте на слово.
На остальных диапазонах стабильность импульсов приемлемая.

Вот что он выдаёт на 1 диапазоне
На максимальном сопротивлении подстроечников

В режиме меандр (верхний 300 Ом, нижний на максимуме)

В режиме максимальной частоты (верхний 300 Ом, нижний на минимум)

В режиме минимальной скважности импульсов (верхний подстроечник на максимуме, нижний на минимуме)

Для китайских производителей: добавьте ограничивающий резистор 300-390 Ом, замените керамический конденсатор 6,8мкФ на электролитический 2,2мкФ/50В, и замените конденсатор 0,1мкФ Y5V на более качественный 47нФ X5R (X7R)
Вот готовая доработанная схема

Себе генератор не переделывал, т.к. указанные недостатки для моего применения не критичны.

Вывод: полезность устройства выясняется, когда какая-либо Ваша самоделка потребует подать на неё импульсы 🙂
Продолжение следует…

2N5551 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание транзистора

Конфигурация контактов:

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Характеристики:

  • Усилитель NPN-транзистор
  • Усиление высокого постоянного тока (hFE), обычно 80 при IC = 10 мА
  • Непрерывный ток коллектора (IC) 600 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 160 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 180 В
  • Базовое напряжение эмиттера
  • (VBE) составляет 6 В
  • Частота перехода составляет 100 МГц
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N5551 , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативные транзисторы NPN:

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

2N5551 эквивалентных транзисторов:

NTE194, 2N5833, 2N5088, 2N3055, 2N5401 (PNP)

Транзисторы того же семейства:

2N5550

Где использовать 2N5551:

2N5551 представляет собой усилитель NPN на транзисторе с коэффициентом усиления (hfe) 80 при токе коллектора 10 мА.Он также имеет неплохие коммутационные характеристики (частота перехода составляет 100 МГц), следовательно, может усиливать сигналы низкого уровня.

Благодаря этой особенности транзистор обычно используется для усиления аудио или других сигналов малой мощности. Поэтому, если вы ищете транзистор NPN для схемы усилителя, этот транзистор может быть правильным выбором.

Как использовать 2N5551:

Как уже говорилось ранее, для усиления широко используется NPN-транзистор 2N5551.Ниже показана очень простая минимальная схема работы транзистора в качестве усилителя. Также можно найти график моделирования, который показывает усиленную синусоидальную волну на выходе.

Здесь входная синусоида величиной 8 мВ (желтый цвет) усиливается до 50 мВ (розовый цвет), как показано на графике. В приведенной выше схеме резисторы R3 и R4 образуют делитель потенциала, который определяет напряжение эмиттер-база (V BE ). Резистор R1 - это нагрузочный резистор, а резистор R2 - эмиттерный резистор.Изменение значения R L повлияет на усиление выходной волны.

Транзистор обычно является усилителем тока, то есть ток, протекающий через базу, будет усилен током, протекающим через коллектор. Это усиление зависит от коэффициента усиления (h fe ), который составляет 80 для 2N5551. Это означает, что ток коллектора будет усилен в 80 раз, чем ток базы.

I c = βI b

Другой ток, который мы принимаем во внимание, - это ток эмиттера (I E ), но из-за действия транзистора мы предполагаем, что ток эмиттера почти равен значению тока коллектора, однако разницу между ними можно найти с помощью значение α.Обычно значение тока коллектора равно

.

I E = I C + I B

Выходной сигнал получается через коллектор, который представляет собой напряжение коллектор-эмиттер (V CE ). Это выходное напряжение зависит от входного напряжения (Vcc, здесь 12 В) без падения напряжения на нагрузочном резисторе (R1). Следовательно, выходное напряжение Vout может быть задано как

Vout = VCE = (Vcc - IcRc)

Заявки:

  • Усилители малой мощности
  • Усилители тока
  • Усилители малой мощности
  • Усилители звуковых или других сигналов
  • Дарлингтон пара

2D модель детали:

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из 2N5551 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

2N5551 Транзистор: распиновка, характеристики, техническое описание [видео]

2N5551 - транзистор усилителя NPN.

Он разработан для приложений общего назначения, поэтому его можно использовать для усиления и переключения.

Максимальное напряжение от коллектора до эмиттера составляет 160 В, а максимальное напряжение от коллектора до базы - 180 В, что упрощает использование в цепях с напряжением ниже 160 В. Максимальная выходная нагрузка, которую может выдержать этот транзистор, составляет 600 мА и максимальная потребляемая мощность коллектора 625мВт.

В этом блоге представлен базовый обзор транзистора 2N5551 , включая описания его контактов, функции, приложения, аналогичные продукты и т. Д., Чтобы помочь вам быстро понять, что такое 2N5551.

Будем рады узнать, что этот блог может быть полезен людям, любящим электронные компоненты;)

Если вы хотите узнать больше о 2N5551 и его сходствах 2N5451 ...

Каталог


2N5551 Распиновка транзисторов

2N5551 имеет три контакта, как и любой другой транзистор, а именно эмиттер, база и коллектор .

№ контакта.

Название контактов

Символ

Функция контактов

1

Излучатель

E

Количество излучаемых электронов

2

База

Б

Управляет количеством электронов

3

Коллектор

С

Собирает количество электронов


2N5551 Характеристики транзисторов

  • Тип - NPN

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 160 В

  • Напряжение коллектор-база: 180 В

  • Напряжение эмиттер-база: 6 В

  • Ток коллектора: 0.6 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора - 0,625 Вт

  • Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) - от 80 до 250

  • Частота перехода - 100 МГц

  • Коэффициент шума - 8 дБ

  • Диапазон температур соединения при эксплуатации и хранении от -55 до +150 ° C

  • Упаковка - ТО-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N5551 , приведенной в конце этой страницы.


2N5551 Advantage

2N5551 - это NPN-транзистор общего назначения, предназначенный для использования в цепях высокого напряжения. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 160 В, а напряжение между коллектором и базой - 180 В, благодаря чему его можно легко использовать в цепи с напряжением ниже 160 В. Максимальная выходная нагрузка, с которой может работать этот транзистор, составляет 600 мА, а максимальное рассеивание коллектора - 625 мВт. Транзистор предназначен для использования в приложениях общего назначения, поэтому его можно использовать для усиления и переключения.


2N5551 Альтернативный транзистор

2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200, BC549, BC636, BC639, BC547,


2N5551 Эквивалент транзистора

2N5088, 2N3055, NTE194, 2N5833, 2N5401 (PNP)


2N5551 Сходства транзисторов

2N5550


Где использовать 2N5551

2N5551 - это транзисторный усилитель NPN с коэффициентом усиления (hfe) 80 при токе коллектора 10 мА. Он также имеет неплохие коммутационные характеристики (частота перехода составляет 100 МГц), поэтому сигналы низкого уровня могут быть усилены.

Благодаря этой особенности транзистор обычно используется для усиления звука или других сигналов малой мощности. Так что, если вы ищете транзистор NPN для схемы усилителя, этот транзистор может быть правильным выбором.


Как использовать 2N5551

Как было сказано ранее, 2N5551 NPN-транзистор широко используется для усиления. Очень простая минимальная схема транзистора для работы в качестве усилителя показана ниже. Также можно найти график моделирования, показывающий усиленный выход синусоидальной волны.

Здесь входная синусоида величиной 8 мВ (желтый цвет) усиливается до 50 мВ (розовый цвет), как показано на графике. В схеме, упомянутой выше, резисторы R3 и R4 образуют делитель потенциала, который определяет выходное базовое напряжение (VBE). Резистор R1 - это резистор нагрузки, а резистор R2 - резистор эмиттера. Изменение значения RL повлияет на усиление выходной волны.

Транзистор обычно является усилителем тока, что означает, что ток, протекающий через базу, будет усилен током, протекающим через коллектор.Это усиление зависит от коэффициента усиления (hfe) 80 для 2N5551. Это означает, что ток коллектора будет усилен в 80 раз по сравнению с током базы.

Ic = βIb

Другой ток, который мы приняли во внимание, - это ток эмиттера (IE), но из-за действия транзистора мы предполагаем, что ток эмиттера почти равен значению тока коллектора, хотя разницу между ними можно найти с помощью значение 5-007. Обычно значение токосъемника выражается как e:

.

IE = IC + IB

Выходной сигнал получается через коллектор, который представляет собой напряжение коллектор-эмиттер (VCE).Это выходное напряжение зависит от входного напряжения (Vcc, здесь 12 В) без падения напряжения на нагрузочном резисторе (R1). Следовательно, выходное напряжение Vout можно указать как

Vout = VCE = (Vcc - IcRc)


Как продлить срок службы транзистора 2N5551 в цепи

Чтобы получить производительность от этого транзистора и обеспечить его длительную работу в электронной схеме, рекомендуется не подавать напряжение выше 160 В на этот транзистор и оставаться на 5–10 В ниже максимальных значений. чтобы быть в безопасности.Всегда используйте подходящий базовый резистор для обеспечения требуемого базового тока, не работайте с нагрузкой выше 600 мА и всегда храните или работайте при температуре выше -55 и ниже +150 по Цельсию.


2N5551 Применение транзистора

  • Усилители малой мощности
  • Усилители тока
  • Усилители малой мощности
  • Усилители звуковых или других сигналов
  • Дарлингтон пара

2N5551 Пакет транзисторов

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, для определения типа и размеров корпуса будет полезно следующее изображение из технического описания 2N5551 .


Вот и все, что касается 2N5551 . Если вы найдете этот блог полезным, добавьте в закладки наш веб-сайт Apogeeweb, мы предоставим вам блоги по электронным компонентам, новости отрасли, инструменты и т. Д., Которые вас интересуют. Следите за новостями в нашем следующем блоге ...

Component Datasheet

2N5551 Лист данных


2N5551 лист данных - 2N5550; 2N5551; Высоковольтные транзисторы NPN ;; Упаковка:

74HC4049: 74HC4049; Hex Inverting High-to-Low Level Shifter ;; Пакет: SOT109-1 (SO16), SOT338-1 (SSOP16), SOT38-4 (DIP16)

BF494B: Усилитель BF494; BF495; Среднечастотные транзисторы NPN

HEF4755VDF: CMOS / BiCMOS-> 4000 Семейство HEF4755V LSI; Приемопередатчик для последовательной передачи данных

MAX6401-22UK: BZA800A-серия; Счетверенный ограничитель переходных напряжений ESD

SAA3010P / S285: Инфракрасный передатчик дистанционного управления Rc-5

TDA1514A: одноканальный TDA1514A; Усилитель Hi-Fi мощностью 50 Вт

ISP1761: Контроллер Hi-Speed ​​Universal Serial Bus On-The-Go ISP1761 - это однокристальный контроллер высокоскоростной универсальной последовательной шины (USB) On-The-Go (OTG), интегрированный с усовершенствованным ведомым хост-контроллером Philips и периферийным контроллером Philips ISP1582.Высокоскоростной хост-контроллер USB и периферия

TZA3026: Трансимпедансный усилитель SDH / SONET STM4 / OC12 TZA3026 - это трансимпедансный усилитель с автоматической регулировкой усиления (AGC), разработанный для использования в волоконно-оптических линиях связи STM4 / OC12. Он усиливает ток, генерируемый фотодетектором (PIN-диод или лавинный фотодиод), и преобразует его в другой ток

HEF4015BPN: двойной 4-битный регистр статического сдвига HEF4015B - это 4-битный регистр статического сдвига с двойным запуском по фронту (преобразователь из последовательного в параллельный).Каждый сдвиговый регистр имеет вход последовательных данных (D), вход синхронизации (CP), четыре полностью буферизованных параллельных выхода (от Q0 до Q3) и приоритетный вход асинхронного главного сброса (

BZV85-C68: Стабилитроны Диоды-стабилизаторы напряжения средней мощности в небольших герметичных свинцовых стеклянных корпусах SOD66 (DO-41). Доступны диоды с нормализованным диапазоном допуска E24 примерно 5%. Серия состоит из 33 типов с номинальным рабочим напряжением от 3,6 В до 75 В.

LXML-PWN1-0120: Светодиоды высокой мощности - белый нейтральный белый, 120 лм, 350 мА Технические характеристики: Производитель: Philips Lumileds; Цвет подсветки: нейтральный белый; Цветовая температура: 4100 К; Световой поток: 120 лм; Угол обзора: 120 градусов; Прямой ток: 350 мА; Прямое напряжение: 3 В; Упаковка: Катушка; Индекс цветопередачи - CRI: 70; Высота: 2.1 мм; Длина: 4,61 мм; Ma

Ошибка 404 - Electronicos Caldas

Todos лос fabricantes3M4UconAavidAdafruit IndustriesAdvanced Acoustic TechnologyAGS-TECHaifMANAIM - American Iron и MetalAirpaxAllegro MicroSystemsAmerican Pro CableAmphenolams AGAnalog DevicesAosong ElectronicsArduinoASC Electronica - MagomAtmel (Microchip) Atten InstrumentsAVXB & F крепежей SupplyBBJBoschBournsBud IndustriesBurr Brown (Texas Instruments) CDILCentral SemiconductorCoilcraftComchipCoto TechnologyCRCCrydomCTCCTSCW Industries (Electro переключатель Corp.) CYGD-SUNDB UnlimitedDC ComponentsDeek-RobotDFRobotDiesel ToolsDigiDigilentDiodes Inc.DK ElectronicsEICElecFreaksElectronicas LaserElektorEnergizerEPCOSEspressif SystemsEST - Marushin electric mfg. coEvereadyEverlightExarFairchild Semiconductor (ON Semiconductor) FastronFreescaleFTDI ChipFujitsuFunduinoG-НОР ElectronicsGeekcreitGeneral Semiconductor (Vishay) GoldStarGoldSun ElectronicsGood-ArkGP BatteriesHammond ManufacturingHanwei ElectronicsHarris SemiconductorHelitrimHirose ElectricHitachiHoneywellInfineonIntelInterlink ElectronicsInternational Выпрямитель (Infineon) IntersilIsocom ComponentsIxysJaltechJCJHDJIHJIKJLJohnson ElectronicKeil ToolsKemetKerun OptoelectronicsKeystone ElectronicsKingbrightKinguangKoa Шпеер ElectronicsKobitoneLedTechLEKOLIGITEKLimingLite-OnLittelfuseLongtech OpticsLumexMagneticsMallory SonalertMaximMaxlinMazhida MotorMCCMCM ElectronicsMean WellMeasurement SpecialtiesMIC Группа RectifiersMicro ElectronicsMicro-Измерения (Vishay) MicrochipMicrosemiMikroElektronikaMilone TechnologiesMitsubishi ElectricMitsumiMolexMotorolaMulticompNational Semiconductor (Texas Instruments) NECNew Jersey Semiconductor (NJS) NexperiaNiceRFNiteo ToolsNM - Nabonasar MartinezNMB Tech гий (Minebea) NTENXP SemiconductorsOhmiteOlimexOmronON SemiconductorON Shore Технология - OSTOptekaOsblackOsramPanasonicParallaxPHILIPSPiFacePololuPowerhousePrinted ElectronicsPRO-ELECpro-SIGNALPro-Wave ElectronicsQin Gen ElectronicQT OptoelectronicsRaltronRaspberry Pi FoundationRCARectronRenesasRohm SemiconductorRollerSamsungSanDiskScanbrikSeeed StudioSemtechSenba Оптические и ElectronicSEP ElectronicSharp MicroelectronicsShuo XingSigneticsSinotechSolid государственный Inc.Songle RelaySonySprague-GoodmanSpringrcST MicroelectronicsStackpole Электроника, Inc.StingraySuntanSunwaySupertoneSwitchcraftTaiwan SemiconductorTAIYO YUDENTDKTE ConnectivityTeccorTecnologías FlashTerasic TechnologiesTexas InstrumentsTextqolThink & TinkerThomkingThunder ElectronicsTK ComponentsTocosToshibaTower ProTronexTT ElectronicsTT MotorTXCUNI-TVartaVCCVishayWakefield-VetteWing ShingWisherWuerth ElektronikXG AutoelectricXiconYAGEOYamaichi ElectronicsYHDCYoung ВС LED TechnologyZetex (Диоды Inc.)

2N5551-T - Rectron - Техническое описание, цены и инвентарь

Просмотреть все разрешенные результаты для 2N5551-T

См. Другие детали, как 2N5551-T.

Конфигурация Одинокий
Коллектор постоянного тока / базовое усиление hfe Min 30
Полярность транзистора NPN
Монтажный стиль Сквозное отверстие
Пакет / Кейс ТО-92-3
Pd - Рассеиваемая мощность 625 мВт
Эмиттер-база напряжения VEBO 6 В
Максимальная рабочая температура + 150 С
Технология Si
Минимальная рабочая температура - 55 С
Коллектор-база напряжения VCBO 180 В
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Max 160 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.2 В
Продукт усиления полосы пропускания fT 100 МГц
категория продукта Биполярные транзисторы - BJT

Rectron также может упоминаться как

البيانات (PDF) البحث ي الموقع

رم القطعة Обновление до المصنعين PDF
6CA4 Двойной диод
и др.
PDF
6CA4 Полноволновой вакуумный выпрямитель
RCA
PDF
6CA4 Двойной диод
GE
PDF
6CA4 Диод
MAZDABELVU
PDF
6CA4EH Полноволновой выпрямитель
и др.
PDF
A940 2SA940
Обменный полупроводник
PDF
A940 ПНП КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Компьютерные компоненты Wing Shing
PDF
BD2626 Двухдиапазонный двухполосный делитель мощности для поверхностного монтажа
BeRex
PDF
BG11C Блок усиления InGaP HBT, 50-4000 МГц, каскадный
BeRex
PDF
BG12B Блок усиления InGaP HBT, 50-4000 МГц, каскадный
BeRex
PDF
BG12C Блок усиления InGaP HBT, 50-4000 МГц, каскадный
BeRex
PDF
BG15A Блок усиления InGaP HBT, 50-4000 МГц,
BeRex
PDF
BGS1 Блок усиления SILICON GERMANIUM 50-4000 МГц
BeRex
PDF
BGS3 Блок усиления SILICON GERMANIUM 30-4000 МГц
BeRex
PDF
BGS4 Блок усиления InGaP HBT, 50-4000 МГц, каскадный
BeRex
PDF
BGS5 Блок усиления SILICON GERMANIUM 40-4000 МГц
BeRex
PDF
BGS6 Блок усиления SILICON GERMANIUM 50-4000 МГц
BeRex
PDF

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Родительский 3 0 R / Содержание [19 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *