2N5551 транзистор характеристики. Транзистор 2N5551: характеристики, применение и аналоги

Какие основные характеристики транзистора 2N5551. Для каких схем он подходит. Какие у него есть аналоги. Как правильно подключать 2N5551 в схеме.

Основные параметры и характеристики транзистора 2N5551

Транзистор 2N5551 представляет собой кремниевый биполярный NPN-транзистор, предназначенный для использования в высоковольтных схемах общего применения. Рассмотрим его ключевые характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
• Максимальное напряжение коллектор-база: 180 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 600 мА
• Рассеиваемая мощность: 625 мВт (для корпуса TO-92)
• Коэффициент усиления по току (h_FE): 30-250 (зависит от режима работы)
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100-300 МГц
• Корпус: TO-92 (основной), также встречается в SOT-23 и SOT-89

Благодаря высокому допустимому напряжению и неплохим частотным характеристикам, 2N5551 находит применение во многих схемах, где требуется работа с высоким напряжением.

Области применения транзистора 2N5551

Транзистор 2N5551 часто используется в следующих типах схем и устройств:

• Высоковольтные драйверы и коммутаторы
• Усилители общего назначения
• Импульсные источники питания
• Драйверы газоразрядных индикаторов
• Телекоммуникационное оборудование
• Схемы управления электродвигателями
• Аудиоусилители средней мощности

Широкий спектр применения обусловлен сочетанием высокого рабочего напряжения и достаточно хороших частотных свойств транзистора.

Как правильно подключать транзистор 2N5551 в схеме?

При подключении транзистора 2N5551 в схему необходимо учитывать следующие моменты:

1. Определить цоколевку транзистора. Для корпуса TO-92 она обычно следующая (если смотреть на плоскую сторону корпуса): эмиттер-база-коллектор.
2. Обеспечить правильную полярность подключения. Коллектор должен иметь более высокий потенциал по отношению к эмиттеру.
3. Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации.
4. Использовать ограничительный резистор в цепи базы для контроля базового тока.
5. При необходимости применять теплоотвод, если рассеиваемая мощность приближается к максимальной.

Соблюдение этих правил поможет обеспечить корректную и надежную работу транзистора в схеме.

Аналоги транзистора 2N5551

2N5551 имеет ряд аналогов с похожими характеристиками, которые могут использоваться для замены в большинстве схем:

• KSP44 — очень близкий аналог с почти идентичными параметрами
• MPSA44 — также очень близок по характеристикам
• 2N5550 — отличается немного меньшим максимальным напряжением
• KT6117 — отечественный аналог с близкими параметрами
• BC546 — подходит для низковольтных применений 2N5551

При выборе аналога важно сравнивать не только основные параметры, но и детальные характеристики, особенно если транзистор используется в критичной части схемы.

Особенности работы 2N5551 при высоких напряжениях

Использование 2N5551 в высоковольтных схемах требует учета некоторых нюансов:

• При работе с напряжениями близкими к максимальным, следует обеспечить хороший теплоотвод
• Необходимо учитывать возможность пробоя при коммутации индуктивной нагрузки
• Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения выхода за пределы безопасной области работы
• При работе на высоких частотах нужно учитывать влияние паразитных емкостей транзистора

Правильный учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора 2N5551 в высоковольтных применениях.

Сравнение 2N5551 с другими популярными транзисторами

Для понимания места 2N5551 среди других транзисторов, сравним его с некоторыми распространенными моделями:

Параметр	2N5551	2N3904	BC547
Макс. напряжение К-Э	160 В	40 В	45 В
Макс. ток коллектора	600 мА	200 мА	100 мА
Коэффициент усиления	30-250	100-300	110-800
Граничная частота	100-300 МГц	300 МГц	150 МГц

Как видно из сравнения, 2N5551 выделяется значительно более высоким допустимым напряжением, что и определяет его основную область применения.

Как выбрать правильный режим работы для 2N5551?

Выбор оптимального режима работы транзистора 2N5551 зависит от конкретного применения, но можно выделить несколько общих рекомендаций:

• Для линейного усиления лучше выбирать рабочую точку в середине линейного участка характеристики
• В ключевых режимах важно обеспечить достаточный ток базы для полного насыщения транзистора
• При работе на высоких частотах следует учитывать зависимость коэффициента усиления от частоты
• Для максимальной линейности в аудиоприменениях часто используют режим класса AB
• В импульсных схемах важно минимизировать время переключения, выбирая соответствующий ток базы

Правильный выбор режима работы позволит полностью реализовать потенциал транзистора 2N5551 в конкретной схеме.

Транзистор 2N5551: характеристики, российкие аналоги

Главная » Транзистор

2N5551 — Кремниевый, NPN, высоковольтный усилительный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – TO-92 и SMD (SOT-23 и др.).

Содержание

1. Корпус, цоколевка и размеры
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Модификации (версии) транзистора
7. Аналоги
8. Отечественно производство
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Переключающие и усилительные схемы в высоковольтных приложениях (например, телефония или драйверы газоразрядных приборов).

Характерные особенности

• Высокое пробивное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер: U_CBO = 180 В, U_CEO =160 В.
• Малый ток утечки: I_CBO = 50 нА при U_CE = 120 В.
• Низкое напряжение насыщения: U_CE(sat) = 0,2 В при I_C = 50 мА.
• Низкий уровень шумов: NF ≤ 8 дБ.
• Комплементарная пара: 2N5401.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	180
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	160
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А		IC	0,6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	TO-92	PC	0,625
	SOT-23 ٭	PC	0,35
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-55…+150
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт	TO-92	RƟJС	83,3
	SOT-23		—
Тепловое сопротивление p-n переход – внешняя среда, °С/Вт	TO-92	RƟJA	200
	SOT-23		357

٭ — транзистор 2N5551 в корпусе SOT-23 по каталогу имеет обозначение MMBT5551 (по даташит компании “Fairchild”).

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U(BR)CBO	IC = 1 мкА, IE = 0	≥ 180
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 1,0 мА, IB = 0	≥ 160
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 10,0 мкА, IC = 0	≥ 6
Ток коллектора выключения,	ICBO (1), нА	UCB = 120 В, IE = 0	≤ 50
	ICBO (2), мкА	UCB = 120 В, IE = 0, Ta = 100°C	≤ 50
Ток эмиттера выключения, нА	IEBO	UEB = 4,0 В, IC = 0	≤ 50
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) (1)	IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА	≤ 0,15
	UCE(sat) (2)	IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА	≤ 0,20
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) (1)	IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА	≤ 1,0
	UBE(sat) (2)	IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА	≤ 1,0
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 1,0 мА	≥ 80
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА	80…250
	hFE (3)	UCE = 5,0 В, IC = 50,0 мА	≥ 30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 10 мА, UCE = 10 В, f = 100 МГц	100…300
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	6
Входная емкость (базового перехода), пФ	Cib	UBE = 0,5 В, IE = 0, f = 1 МГц	20
Коэффициент усиления для малого сигнала	hfe	IC = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1 кГц	50…250
Коэффициент шума	NF	IC = 250 мкА, UCE = 5 В, RS = 1 кОм, f = 10 Гц…15,7 кГц	≤ 8

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551C	0,625	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551CN	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551CSM	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	LCC1 ٭
2N5551DCSM	0,35	—	160	—	0,6	—	80	100	—	—	—	LCC2 ٭	Тот же MO-041BB
2N5551G	0,625	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551G	0,5	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	SOT-89	Группы по hFE: A/B/C
2N5551HR	0,36	180	160	6	0,6	200	20-250	—	6	—	1-50	TO-18
2N5551HR	0,58	180	160	6	0,5	200	20-250	—	6	—	1-50	LCC3, UB ٭
2N5551K	0,625	180	160	6	0,6	150	50-300	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551N	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551S	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: ZF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150-250	100-300	—	—	—	SOT-23(1)	Маркировка: ZFC
BTN5551K3	0,9	180	160	6	0,6	150	≥ 50	≥ 100	6	—	—	TO-92L
h3N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	50-400	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/N/C
H5551	0,625	180	160	6	0,6	150	30-280	100-300	—	—	—	TO-92
2N5551SQ	0,5	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	—	—	SOT-89	Маркировка: BG1
MMBT5551	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр h_FE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. h_fe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.

Отечественно производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100 — 300	6	8	50-200	TO-92
КТ6117А	0,625	180	160	6	0,6	150	80-250	100	6	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127И	0,6	—	160	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127К	0,6	—	200	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ683А	1,2	150	150	7	1	150	40-120	50	15	—	—	SOT-32

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5550	0,625	160	140	6	0,6	150	20-250	100-300	6	10	50-200	TO-92
2N5175	0,2	130	100	5	0,025	125	55	—	—	—	—	TO-98-1
2SC6136	0,5	600	285	8	0,7	150	60-200	—	—	—	—	TO-92
2SD1701	0,75	1700	—	8	0,8	150	10000	—	—	—	—	TO-92
ECG194	0,35	180	160	—	0,6	150	100	100	—	—	—	TO-92
HEPS0005	0,31	180	160	—	0,6	150	160	200	—	—	—	TO-92

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при различных значениях температуры среды T_a.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах среды.

Соотношение токов I_C / I_B = β = 10.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах среды.

Соотношение токов I_C / I_B = β = 10.

Рис. 4. Входная характеристика транзистора: зависимость между напряжением база-эмиттер U_BE и током коллектора I_C.

Характеристика снята при разных температурах среды и коллекторном напряжении U_CE = 5 В.

Рис. 5. Влияние температуры внешней среды T_a на величину коллекторного тока выключения транзистора I_CBO.

Характеристика снята при напряжении коллектор-база U_CB = 100 В.

Рис. 6. Зависимости входной С_ib и выходной емкости C_cb от величины обратного напряжения U_CE коллектор-эмиттер.

Характеристика при частоте сигнала f = 1 МГц.

Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления в режиме малого сигнала h_fe от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В на частоте 20 МГц.

Рис. 8. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора P_C при возрастании температуры корпуса T_C.

Характеристика дана для двух разных конструктивных исполнений: TO-92 и SOT-23.

2N5551: Характеристики транзистора, аналоги, цоколевка

Транзистор 2N5551, по техническим характеристикам, может использоваться в переключающих схемах, например, в телефонии, а также в усилителях общего назначения.

Отличается невысоким коллекторным током (до 300 мА) при высоком напряжении (до 160 В). Является кремниевым, биполярным с n-p-n структурой.

Цоколевка

Чаще всего производители изготавливают 2N5551 в корпусе ТО-92, но иногда его также можно найти в упаковке SOT-23 (маркируется как «G1») или SOT-89 (маркируется как «1G6»). Если расположить транзистор в упаковке ТО-92 так, чтобы смотреть прямо на маркировку, а выводы были внизу, то ножки расположатся в следующем порядке, слева направо: эмиттер, база, коллектор. Внешний вид 2N5551, цоколевка, геометрические размеры и расположение ножек представлены на рисунке.

Технические характеристики

В первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические характеристики. Работа транзистора при значениях, больших предельно допустимых, приведёт к выходу устройства из строя. Именно на эти параметры нужно обращать при разработке своих конструкций и выборе устройства для замены. Все измерения были проведены при стандартной температуре +25°С.

Для 2N5551 эти характеристики равны:

• напряжение К-Б: V_CBO = 180 В;
• напряжение К-Э: V_CEO = 160 В;
• напряжение Э-Б: V_EBO = 6 В;
• ток коллектора I_C = 600 мА;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе
• в корпусе ТО-92: Р_С = 625 мВт;
• в корпусе SOT-23: Р_С = 350 мВт.
• коэффициент снижения мощности при повышении температуры
• в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
• в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
• тепловое сопротивление кристалл-корпус 83,3 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл-воздух
• в корпусе ТО-92: 200 °С/Вт;
• в корпусе SOT-23: 357 °С/Вт.
• температура кристалла: T_j = 150°С;
• диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических величин. Именно от них зависят возможности транзисторов. Также, как и для максимальных, они измеряются при температуре +25°С.

Остальные параметры, влияющие на результаты тестирования, приведены в таблице в отдельном столбце «Параметры тестирования».

Электрические характеристики транзистора 2N5551 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измер.	Обозн.	мин	макс	Ед. изм
Напряжение К — Э(пробой)	IC = 1 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	160		В
Напряжение К – Б (пробой)	IC = 100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	180		В
Напряжение Э — Б(пробой)	IE= 10 мкA, IC= 0	V(BR)EBO	6		В
Ток К – Б (направление обратное)	VCВ = 120 В, IЕ = 0	ICВO		50	нА
	Та = 100 °С			50	мкА
Ток Э –Б (направление обратное)	VEB = 4 В, IC = 0	IEBO		50	нА
Коэффициент усиления	VCE=5 В,IC= 1 мA	hFE	80	250
	VCE=5 В,IC= 10 мA		80
	VCE=5 В,IC= 50 мA		30
Разность потенциалов насыщения коллектор-эмиттер	IC=10 мA, IB=1 мA	V CE(sat)		0,15	В
	IC=50 мA, IB=5 мA			0,2
Разность потенциалов насыщения база-эмиттер	IC=10 мA, IB=1 мA	V ВE(sat)		1	В
	IC=50 мA, IB=5 мA			1
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=10В, IC= 10мA, f=100 МГц	fT	100	300	МГц
Выходная коллекторная ёмкость	VCВ= 10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц	Cob		6	пФ

Аналоги

Транзистор 2N5551 имеет полные аналоги среди зарубежных:

• 2N5550;
• NTE194.

Существует также российские устройство с похожими параметрами КТ6117А. Комплементарная пара – 2N5401.

Производители

Крупнейшими производителями 2N5551 являются следующие устройства (datasheet скачать кликнув по названию):

• Daya Electric Group;
• Unisonic Technologies;
• KEC(Korea Electronics);
• Bruckewell Technology;
• AUK corp;
• Inchange Semiconductor Company;
• First Silicon;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

В отечественных магазинах можно найти продукцию таких компаний:

• Multicomp;
• Dc Components;
• Fairchild Semiconductor;
• ON Semiconductor;
• Diotec Semiconductor.

Транзистор 2N5551: эквивалент, распиновка, спецификация, дополнение, техническое описание

Напряжение между коллектором и эмиттером 160 В

Напряжение между коллектором и базой 180 В

Напряжение между эмиттером и базой 6В

Ток коллектора равен 300 мА

Пиковый базовый ток 100 мА

Рассеиваемая мощность 630 мВт

Коэффициент усиления постоянного тока от 30 до 250hFE

Текущая полоса пропускания ( F _T ) составляет от 100 до 300 МГц

Температура перехода от -65 до +150℃

Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В _{CE (SAT)} ) составляет от 150 до 200 мВ

Коэффициент шума равен 10 дБ

Высоковольтный транзистор

Низкий ток

Быстрое переключение

Меньше напряжения ошибки

Схема контактов транзистора 2N5551 Схема контактов транзистора 2N5551

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Коллектор	Ток протекает через коллектор
2	База	База является триггером для транзистора
3	Излучатель	От эмиттера начинает течь ток

 

Транзисторный блок 2N5551

Транзисторный блок 2N5551 — TO-92, этот корпус в основном используется для транзисторов общего назначения, имеющих среднюю мощность.

Корпус транзистора TO-92 будет изготовлен из двух материалов, таких как эпоксидная смола и пластик, использование такого материала делает транзистор более термостойким и компактным.  

Транзистор LM195

Электрические характеристики транзистора 2N5551 и объяснение применения

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики транзистора 2N5551 и примечания по его применению.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на клеммах транзистора 2N5551: напряжение между коллектором и базой составляет 180 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет 160 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 6 В, характеристики напряжения показывают, что это высоковольтный транзистор. .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет от 150 до 200 мВ.

Характеристики тока

Значение тока коллектора составляет 300 мА, это общая нагрузочная способность транзистора во всех схемах.

Характеристики рассеяния

Значение рассеиваемой мощности этого транзистора составляет 630 мВт. .

Текущая частота перехода коэффициента усиления к полосе пропускания

Значение частоты перехода полосы пропускания транзистора 2N5551 составляет от 100 до 300 МГц, это диапазон частот этого транзистора.

Температура перехода

При температуре перехода от -65 до 150 ℃ теплоемкость транзистора в основном зависит от корпуса.

Коэффициент шума

Значение шума транзистора 2N5551 составляет 10 дБ, это среднее значение для аудиокомпонента.

2N5551 Транзисторный таблица

Если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, Нажмите на эту ссылку

2N5551 Транзистор эквивалент

. до н.э.637.

Электрические характеристики каждого из этих транзисторов почти такие же, как у транзистора 2N5551, поэтому мы можем заменить схемы.

Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить данные PINOUT каждого транзистора.

Комплементарный транзистор 2N5551

NPN-транзистор 2N5551 имел комплементарный PNP-транзистор 2N5401, эта комплементарная пара нашла множество применений в цепях.

Варианты SMD транзистора 2N5551

Транзистор 2N5551 имел такие варианты транзисторов SMD, как 2N5551S (SOT-23), KST43 (SOT-23), DXT5551 (SOT-89) и DZT5551 (SOT-223).

2N5551, 2N2222 и 2N3904

В таблице мы попытались сравнить электрические характеристики каждого транзистора, например 2N5551, 2N2222 и 2N39.04, это сравнение действительно полезно для процесса замены.

Характеристики	2N5551	2N2222	2N3904
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	180 В	60 В	60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	160 В	30 В	40 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	6 В	5В	6В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT))	150–200 мВ	0,4–1,6 В	0,2–0,3 В
Ток коллектора (IC)	300 мА	800 мА	200 мА
Рассеиваемая мощность	630 мВт	500 мВт	625 мВт
Температура перехода (TJ)	от -65 до +150°C	от -65 до +200°C	от -55 до +150°C
Частота перехода (FT)	от 100 до 300 МГц	250 МГц	300 МГц
Коэффициент усиления (hFE)	от 30 до 250hFE	от 30 до 300hFE	от 30 до 300hFE
Коэффициент шума (NF)	10 дБ	—	5 дБ
Время нарастания (tr)	—	25 нс	35 нс
Пакет	ТО-92	ТО-18	ТО-92

Транзистор 2n55551 имел более высокое значение напряжения, а транзисторы 2n2222 и 2n3904 имели одинаковое значение напряжения.

2N5551 применение транзисторов

• Используется для приложений общего назначения с более высоким напряжением
• Цепи усилителя звука
• Схемы драйверов светодиодов
• Пара Дарлингтона
• Усилитель сигнала
• Усилитель тока
• Малые цепи усилителя сигнала

Характеристики транзистора 2N5551 Характеристики усиления постоянного тока транзистора 2N5551

На рисунке показаны характеристики усиления постоянного тока транзистора 2N5551, график построен с зависимостью усиления постоянного тока от тока коллектора.

Характеристики изменяются в зависимости от напряжения между коллектором и эмиттером, коэффициент усиления по постоянному току начинает увеличиваться от предела по отношению к значениям температуры.

характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5551

На рисунке показаны характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5551, график построен с зависимостью напряжения между коллектором и эмиттером от тока базы.

2N5551T — Усилитель общего назначения NPN

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (2N5551T — Усилитель общего назначения NPN) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать приложение/pdf

onsemi

2N5551T — Усилитель общего назначения NPN

описание Это устройство предназначено для высоковольтных усилителей общего назначения и драйверов газоразрядных дисплеев.

2022-11-22T13:26:13+01:00BroadVision, Inc.2022-11-22T13:27:07+01:002022-11-22T13:27:07+01:00Acrobat Distiller 22.0 (Windows)uuid:322ebc90- 751b-41f9-bebb-0e948b8b1e23uuid:73c331e5-a1d9-4b35-8949-18a0d9fa0c9d конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > транслировать HTVI6-Sh rр{*OqHiD-% q8epbidid$J/Mt15k,!Y-]T3.