2N5551 транзистор характСристики. Вранзистор 2N5551: характСристики, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

КакиС основныС характСристики транзистора 2N5551. Для ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… схСм ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚. КакиС Ρƒ Π½Π΅Π³ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ 2N5551 Π² схСмС.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики транзистора 2N5551

Вранзистор 2N5551 прСдставляСт собой ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ биполярный NPN-транзистор, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для использования Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ примСнСния. Рассмотрим Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ характСристики:

  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: 160 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°: 180 Π’
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: 600 мА
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 625 ΠΌΠ’Ρ‚ (для корпуса TO-92)
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (hFE): 30-250 (зависит ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹)
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: 100-300 ΠœΠ“Ρ†
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ: TO-92 (основной), Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ встрСчаСтся Π² SOT-23 ΠΈ SOT-89

Благодаря высокому допустимому Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Π½Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΈΠΌ частотным характСристикам, 2N5551 Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… схСмах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с высоким напряТСниСм.


ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния транзистора 2N5551

Вранзистор 2N5551 часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… схСм ΠΈ устройств:

  • Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹
  • УсилитСли ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния
  • Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания
  • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ газоразрядных ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²
  • Π’Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ управлСния элСктродвигатСлями
  • АудиоусилитСли срСднСй мощности

Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ спСктр примСнСния обусловлСн сочСтаниСм высокого Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΠΈ достаточно Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ… частотных свойств транзистора.

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ транзистор 2N5551 Π² схСмС?

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора 2N5551 Π² схСму Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹:

  1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΡƒ транзистора. Для корпуса TO-92 ΠΎΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ (Ссли ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΡƒΡŽ сторону корпуса): эмиттСр-Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.
  2. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру.
  3. НС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ максимально допустимыС значСния напряТСний ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.
  4. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ для контроля Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  5. ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄, Ссли рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ приблиТаСтся ΠΊ максимальной.

БоблюдСниС этих ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора Π² схСмС.


Аналоги транзистора 2N5551

2N5551 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ряд Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² с ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠΌΠΈ характСристиками, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ схСм:

  • KSP44 — ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ с ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ
  • MPSA44 — Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ характСристикам
  • 2N5550 — отличаСтся Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшим ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм
  • KT6117 — отСчСствСнный Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ с Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ
  • BC546 — ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ 2N5551

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π° Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики, особСнно Ссли транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ части схСмы.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ 2N5551 ΠΏΡ€ΠΈ высоких напряТСниях

ИспользованиС 2N5551 Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… схСмах Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… нюансов:

  • ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с напряТСниями Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, слСдуСт ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄
  • НСобходимо ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пробоя ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ
  • РСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ для прСдотвращСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ бСзопасной области Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° высоких частотах Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ влияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй транзистора

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ этих Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ максимально эффСктивно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ возмоТности транзистора 2N5551 Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… примСнСниях.


Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2N5551 с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ популярными транзисторами

Для понимания мСста 2N5551 срСди Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов, сравним Π΅Π³ΠΎ с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ распространСнными модСлями:

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€2N55512N3904BC547
Макс. напряТСниС К-Π­160 Π’40 Π’45 Π’
Макс. Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°600 мА200 мА100 мА
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния30-250100-300110-800
Граничная частота100-300 ΠœΠ“Ρ†300 ΠœΠ“Ρ†150 ΠœΠ“Ρ†

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· сравнСния, 2N5551 выдСляСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким допустимым напряТСниСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ опрСдСляСт Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния.

Как Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ для 2N5551?

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора 2N5551 зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ нСсколько ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΉ:

  • Для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π² сСрСдинС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ участка характСристики
  • Π’ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ достаточный Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ насыщСния транзистора
  • ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° высоких частотах слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния ΠΎΡ‚ частоты
  • Для максимальной линСйности Π² аудиопримСнСниях часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ класса AB
  • Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… схСмах Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, выбирая ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» транзистора 2N5551 Π² ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмС.



Вранзистор 2N5551: характСристики, российкиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Главная Β» Вранзистор

2N5551 β€”Β ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ, NPN, Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор для ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ примСнСния. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ исполнСниС – TO-92 ΠΈ SMD (SOT-23 ΠΈ Π΄Ρ€.).

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹
  2. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
  3. Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ особСнности
  4. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики
  5. ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
  6. ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ (вСрсии) транзистора
  7. Аналоги
  8. ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ производство
  9. Π—Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ производство
  10. ГрафичСскиС ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ характСристик

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, тСлСфония ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ газоразрядных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²).

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ особСнности

  • ВысокоС ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: UCBO = 180 Π’, UCEO =160 Π’.
  • ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ: ICBO = 50 нА ΠΏΡ€ΠΈ UCE = 120 Π’.
  • НизкоС напряТСниС насыщСния: UCE(sat) = 0,2 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ IC = 50 мА.
  • Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²: NF ≀ 8 Π΄Π‘.
  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°: 2N5401.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π°Ρ… Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ срСды Ta=25Β°C, Ссли Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡΡ‚ΠΈΠΊΠ°ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°
НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – Π±Π°Π·Π° транзистора, Π’UCBO180
НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр транзистора, Π’UCEO160
НапряТСниС эмиттСр – Π±Π°Π·Π° транзистора, Π’UEBO6
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° постоянный, АIC0,6
ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π’Ρ‚TO-92PC0,625
SOT-23 Ω­PC0,35
ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры, Β°Π‘Tj150
Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ эксплуатации, Π‘Β°Tstg-55…+150
Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ – корпус транзистора, Β°Π‘/Π’Ρ‚TO-92RƟJΠ‘83,3
SOT-23
Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ – внСшняя срСда, Β°Π‘/Π’Ρ‚TO-92RƟJA200
SOT-23357

Ω­ β€” транзистор 2N5551 Π² корпусС SOT-23 ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³Ρƒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ MMBT5551 (ΠΏΠΎ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ β€œFairchild”).

ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡΡ‚ΠΈΠΊΠ°ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ измСрСнияхЗначСния
Π₯арактСристики Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния
НапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°, Π’U(BR)CBOIC = 1 мкА, IE = 0β‰₯ 180
НапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, Π’U(BR)CEOIC = 1,0 мА, IB = 0β‰₯ 160
НапряТСниС пробоя эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, Π’U(BR)EBOIE = 10,0 мкА, IC = 0β‰₯ 6
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ,ICBO (1), нАUCB = 120 Π’, IE = 0≀ 50
ICBO (2), мкАUCB = 120 Π’, IE = 0, Ta = 100Β°C≀ 50
Π’ΠΎΠΊ эмиттСра Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, нАIEBOUEB = 4,0 Π’, IC = 0≀ 50
Π₯арактСристики Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния
НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, Π’UCE(sat) (1)IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА≀ 0,15
UCE(sat) (2)IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА≀ 0,20
НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, Π’UBE(sat) (1)IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА≀ 1,0
UBE(sat) (2)IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА≀ 1,0
БтатичСский коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ hFE (1) UCE = 5,0 Π’, IC = 1,0 мАβ‰₯ 80
hFE (2)UCE = 5,0 Π’, IC = 10,0 мА80…250
hFE (3)UCE = 5,0 Π’, IC = 50,0 мАβ‰₯ 30
Π₯арактСристики Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала
Граничная частота усилСния (частота срСза), ΠœΠ“Ρ†fTIC = 10 мА, UCE = 10 Π’, f = 100 ΠœΠ“Ρ†100…300
Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°), ΠΏΠ€CobUCB = 10 Π’, IE = 0, f = 1 ΠœΠ“Ρ†6
Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°), ΠΏΠ€CibUBE = 0,5 Π’, IE = 0, f = 1 ΠœΠ“Ρ†20
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигналаhfeIC = 1,0 мА, UCE = 10 Π’, f = 1 ΠΊΠ“Ρ†50…250
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ°NFIC = 250 мкА, UCE = 5 Π’,
RS = 1 кОм, f = 10 Гц…15,7 ΠΊΠ“Ρ†
≀ 8

ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ (вСрсии) транзистора

Π’ΠΈΠΏ PCUCBUCEUEB ICTJ hFE fT Cob NF hfeΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅
2N55510,62518016060,615020-250100-3006850-200TO-92
2N5551C0,62518016060,615030-250100-3006850-200TO-92
2N5551CN0,418016060,615030-2501503TO-92N
2N5551CSM0,3518016060,615030-250100-3006850-200LCC1 Ω­
2N5551DCSM0,351600,680100LCC2 Ω­Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ MO-041BB
2N5551G0,62518016060,615080-400100-30068TO-92Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ hFE: A/B/C
2N5551G0,518016060,615080-400100-30068SOT-89Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ hFE: A/B/C
2N5551HR0,3618016060,620020-25061-50TO-18
2N5551HR0,5818016060,520020-25061-50LCC3, UB Ω­
2N5551K0,62518016060,615050-300100-3006TO-92Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ hFE: A/B/C
2N5551N0,418016060,615030-2501503TO-92N
2N5551S0,3518016060,615030-250100-3006850-200SOT-23ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: ZF
2N5551SC0,3518016060,6150150-250100-300SOT-23(1)ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: ZFC
BTN5551K30,918016060,6150β‰₯ 50β‰₯ 1006TO-92L
h3N55510,62518016060,615050-400100-3006TO-92Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ hFE: A/N/C
H55510,62518016060,615030-280100-300TO-92
2N5551SQ0,518016060,615030-250100-3006SOT-89ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: BG1
MMBT55510,3518016060,615030-250100-3006850-200SOT-23ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: 3S

Ω­ β€” корпуса SMD Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LCC 1/2/3 ΠΈ UB – для тяТСлых условий эксплуатации, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… высокой стСпСни надСТности.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ hFE – статичСский (ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ) коэффициСнт усилСния. hfe – коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала (Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частотС).

Аналоги

Для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ транзисторы ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅, со структурой NPN, ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² высокочастотных устройствах Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ примСнСния с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм питания.

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ производство

Π’ΠΈΠΏPCUCBUCEUEBICTJhFEfTCobNFhfeΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅
2N55510,62518016060,615020-250100 — 3006850-200TO-92
КВ6117А0,62518016060,615080-2501006КВ-26Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ TO-92
КВ6127И0,616042150β‰₯ 30β‰₯ 15074КВ-26Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ TO-92
КВ6127К0,620042150β‰₯ 30β‰₯ 15074КВ-26Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ TO-92
КВ683А1,21501507115040-1205015SOT-32

Π—Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ производство

Π’ΠΈΠΏ PCUCBUCEUEB ICTJ hFEfTCobNF hfeΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
2N55510,62518016060,615020-250100-3006850-200TO-92
2N55500,62516014060,615020-250100-30061050-200TO-92
2N51750,213010050,02512555TO-98-1
2SC61360,560028580,715060-200TO-92
2SD17010,75170080,815010000TO-92
ECG1940,351801600,6150100100TO-92
HEPS00050,311801600,6150160200TO-92

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π°Ρ… взяты ΠΈΠ· Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ-ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

ГрафичСскиС ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ характСристик

Рис. 1. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ статичСского коэффициСнта усилСния hFE ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ IC.

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ снята ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр UCE = 5 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… значСниях Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ срСды Ta.

Рис. 2. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния UCE(sat) ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ IC ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… срСды.

Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² IC / IB = Ξ² = 10.

Рис. 3. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния UBE(sat) ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ IC ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… срСды.

Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² IC / IB = Ξ² = 10.

Рис. 4. Входная характСристика транзистора: Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ напряТСниСм Π±Π°Π·Π°-эмиттСр UBE ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC.

Π₯арактСристика снята ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… срСды ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ напряТСнии UCE = 5 Π’.

Рис. 5. ВлияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ внСшнСй срСды Ta Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора ICBO.

Π₯арактСристика снята ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° UCB = 100 Π’.

Рис. 6. Зависимости Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π‘ib ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости Ccb ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния UCE ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.

Π₯арактСристика ΠΏΡ€ΠΈ частотС сигнала f = 1 ΠœΠ“Ρ†.

Рис. 7. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала hfe ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ IC.

Π₯арактСристика снята ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр UCE = 10 Π’ Π½Π° частотС 20 ΠœΠ“Ρ†.

Рис. 8. ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ рассСиваСмой мощности транзистора PC ΠΏΡ€ΠΈ возрастании Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ корпуса TC.

Π₯арактСристика Π΄Π°Π½Π° для Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… конструктивных исполнСний: TO-92 ΠΈ SOT-23.

2N5551: Π₯арактСристики транзистора, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Вранзистор 2N5551, ΠΏΠΎ тСхничСским характСристикам, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСмах, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΈΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² усилитСлях ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния.

ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ нСвысоким ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ (Π΄ΠΎ 300 мА) ΠΏΡ€ΠΈ высоком напряТСнии (Π΄ΠΎ 160 Π’). ЯвляСтся ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ, биполярным с n-p-n структурой.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ 2N5551 Π² корпусС ВО-92, Π½ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ SOT-23 (маркируСтся ΠΊΠ°ΠΊ Β«G1Β») ΠΈΠ»ΠΈ SOT-89 (маркируСтся ΠΊΠ°ΠΊ Β«1G6Β»). Если Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ транзистор Π² ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ВО-92 Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ прямо Π½Π° ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ, Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Π½ΠΈΠ·Ρƒ, Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΠΆΠΊΠΈ располоТатся Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ порядкС, слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ: эмиттСр, Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ 2N5551, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, гСомСтричСскиС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ располоТСниС Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ прСдставлСны Π½Π° рисункС.

ВСхничСскиС характСристики

Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ рассмотрим максимально допустимыС тСхничСскиС характСристики. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΏΡ€ΠΈ значСниях, Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимых, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Ρ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ устройства ΠΈΠ· строя. ИмСнно Π½Π° эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ своих конструкций ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ устройства для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹. ВсС измСрСния Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ стандартной Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ +25Β°Π‘.

Для 2N5551 эти характСристики Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹:

  • напряТСниС К-Π‘: VCBO = 180 Π’;
  • напряТСниС К-Π­: VCEO = 160 Π’;
  • напряТСниС Π­-Π‘: VEBO = 6 Π’;
  • Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC = 600 мА;
  • ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅
  • Π² корпусС ВО-92: Π Π‘ = 625 ΠΌΠ’Ρ‚;
  • Π² корпусС SOT-23: Π Π‘ = 350 ΠΌΠ’Ρ‚.
  • коэффициСнт сниТСния мощности ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
  • Π² корпусС ВО-92: 5 ΠΌΠ’Ρ‚/Β°Π‘;
  • Π² корпусС SOT-23: 2,8 ΠΌΠ’Ρ‚/Β°Π‘.
  • Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС кристалл-корпус 83,3 Β°Π‘/Π’Ρ‚;
  • Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС кристалл-Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…
  • Π² корпусС ВО-92: 200 Β°Π‘/Π’Ρ‚;
  • Π² корпусС SOT-23: 357 Β°Π‘/Π’Ρ‚.
  • Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла: Tj = 150Β°Π‘;
  • Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ хранСния: Tstg = -55 … 150Β°Π‘.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Ρ‘ΠΌ ΠΊ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ элСктричСских Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½. ИмСнно ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΡ… зависят возмоТности транзисторов. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ для ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ +25Β°Π‘.

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ тСстирования, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ столбцС Β«ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ тСстирования».

ЭлСктричСскиС характСристики транзистора 2N5551 (ΠΏΡ€ΠΈ Π’ = +25 ΠΎC)
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€.Обозн.минмаксЕд. ΠΈΠ·ΠΌ
НапряТСниС К β€” Π­(ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ)IC = 1 ΠΌA, IΠ’= 0V(BR)CEО160Π’
НапряТСниС К – Π‘ (ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ)IC = 100 ΠΌΠΊA, IΠ• = 0V(BR)CΠ’O180Π’
НапряТСниС Π­ β€” Π‘(ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ)IE= 10 ΠΌΠΊA, IC= 0V(BR)EBO6Π’
Π’ΠΎΠΊ К – Π‘ (Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅)VCΠ’ = 120 Π’, IΠ• = 0ICΠ’O50нА
Ва = 100 °Б50мкА
Π’ΠΎΠΊ Π­ –Б (Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅)VEB = 4 Π’, IC = 0IEBO50нА
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСнияVCE=5 Π’,IC= 1 ΠΌAhFE 80250
VCE=5 Π’,IC= 10 ΠΌA80
VCE=5 Π’,IC= 50 ΠΌA30
Π Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC=10 ΠΌA, IB=1 ΠΌAV CE(sat)0,15Π’
IC=50 ΠΌA, IB=5 ΠΌA0,2
Π Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрIC=10 ΠΌA, IB=1 ΠΌAV Π’E(sat)1Π’
IC=50 ΠΌA, IB=5 ΠΌA1
Граничная частота ΠΊ-Ρ‚Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE=10Π’, IC= 10ΠΌA, f=100 ΠœΠ“Ρ†fT100300ΠœΠ“Ρ†
Выходная коллСкторная Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒVCΠ’= 10 Π’, IΠ•= 0ΠΌA, f = 1ΠœΠ“Ρ†Cob6ΠΏΠ€

Аналоги

Вранзистор 2N5551 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ срСди Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ…:

  • 2N5550;
  • NTE194.

БущСствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ российскиС устройство с ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ КВ6117А. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π° – 2N5401.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌΠΈ производитСлями 2N5551 ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ устройства (datasheet ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ½ΡƒΠ² ΠΏΠΎ названию):

  • Daya Electric Group;
  • Unisonic Technologies;
  • KEC(Korea Electronics);
  • Bruckewell Technology;
  • AUK corp;
  • Inchange Semiconductor Company;
  • First Silicon;
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

Π’ отСчСствСнных ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ:

  • Multicomp;
  • Dc Components;
  • Fairchild Semiconductor;
  • ON Semiconductor;
  • Diotec Semiconductor.

Вранзистор 2N5551: эквивалСнт, распиновка, спСцификация, Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, тСхничСскоС описаниС

  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром 160 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ 180 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ 6Π’
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 300 мА
  • ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 100 мА
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 630 ΠΌΠ’Ρ‚
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 250hFE
  • ВСкущая полоса пропускания ( F T ) составляСт ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ†
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150℃
  • НапряТСниС насыщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ( Π’ CE (SAT) ) составляСт ΠΎΡ‚ 150 Π΄ΠΎ 200 ΠΌΠ’
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 10 Π΄Π‘
  • Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор
  • Низкий Ρ‚ΠΎΠΊ
  • БыстроС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • МСньшС напряТСния ошибки
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора 2N5551 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора 2N5551
    НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Имя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ОписаниС
    1 ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Β  Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
    2 Π‘Π°Π·Π° Π‘Π°Π·Π° являСтся Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠΌ для транзистора
    3 Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠžΡ‚ эмиттСра Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ

    Β 

    Вранзисторный Π±Π»ΠΎΠΊ 2N5551

    Вранзисторный Π±Π»ΠΎΠΊ 2N5551 β€” TO-92, этот корпус Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для транзисторов ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΡŽΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

    ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора TO-92 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ эпоксидная смола ΠΈ пластик, использованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ тСрмостойким ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ. Β 

    Вранзистор LM195

    ЭлСктричСскиС характСристики транзистора 2N5551 ΠΈ объяснСниС примСнСния

    Π’ этом Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΌΡ‹ попытаСмся ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ элСктричСскиС характСристики транзистора 2N5551 ΠΈ примСчания ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ.

    Π₯арактСристики напряТСния

    Π₯арактСристики напряТСния Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… транзистора 2N5551: напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 180 Π’, напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 160 Π’, Π° напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 6 Π’, характСристики напряТСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор. .

    НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр составляСт ΠΎΡ‚ 150 Π΄ΠΎ 200 ΠΌΠ’.

    Π₯арактСристики Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

    Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 300 мА, это общая нагрузочная ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора Π²ΠΎ всСх схСмах.

    Π₯арактСристики рассСяния

    Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рассСиваСмой мощности этого транзистора составляСт 630 ΠΌΠ’Ρ‚. .

    ВСкущая частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° коэффициСнта усилСния ΠΊ полосС пропускания

    Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° полосы пропускания транзистора 2N5551 составляСт ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ†, это Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот этого транзистора.

    Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°

    ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ 150 ℃ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора Π² основном зависит ΠΎΡ‚ корпуса.

    ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ°

    Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡˆΡƒΠΌΠ° транзистора 2N5551 составляСт 10 Π΄Π‘, это срСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°.

    2N5551 Вранзисторный Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π°

    Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² PDF, поТалуйста, НаТмитС Π½Π° эту ссылку

    2N5551 Вранзистор эквивалСнт

    . до н.э.637.

    ЭлСктричСскиС характСристики ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· этих транзисторов ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ транзистора 2N5551, поэтому ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ схСмы.

    ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ процСссом Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ PINOUT ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

    ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ транзистор 2N5551

    NPN-транзистор 2N5551 ΠΈΠΌΠ΅Π» ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ PNP-транзистор 2N5401, эта комплСмСнтарная ΠΏΠ°Ρ€Π° нашла мноТСство ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² цСпях.

    Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ SMD транзистора 2N5551

    Вранзистор 2N5551 ΠΈΠΌΠ΅Π» Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ транзисторов SMD, ΠΊΠ°ΠΊ 2N5551S (SOT-23), KST43 (SOT-23), DXT5551 (SOT-89) ΠΈ DZT5551 (SOT-223).

    2N5551, 2N2222 ΠΈ 2N3904

    Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ элСктричСскиС характСристики ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 2N5551, 2N2222 ΠΈ 2N39.04, это сравнСниС Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для процСсса Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹.

    Π₯арактСристики 2N5551 2N2222 2N3904
    НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (VCB) Β Β Β Β  180 Π’ 60 Π’ 60 Π’
    НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром (VCE) 160 Π’ 30 Π’ 40 Π’
    НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (VEB) 6 Π’ 5Π’ 6Π’
    НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCE (SAT)) 150–200 ΠΌΠ’ 0,4–1,6 Π’ 0,2–0,3 Π’
    Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) 300 мА 800 мА 200 мА
    РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 630 ΠΌΠ’Ρ‚ 500 ΠΌΠ’Ρ‚ 625 ΠΌΠ’Ρ‚
    Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (TJ) ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150Β°C ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +200Β°C ΠΎΡ‚ -55 Π΄ΠΎ +150Β°C
    Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (FT) ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ† 250 ΠœΠ“Ρ† 300 ΠœΠ“Ρ†
    ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния (hFE) ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 250hFE ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 300hFE ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 300hFE
    ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° (NF) 10 Π΄Π‘ 5 Π΄Π‘
    ВрСмя нарастания (tr) 25 нс 35 нс
    ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ВО-92 ВО-18 ВО-92

    Вранзистор 2n55551 ΠΈΠΌΠ΅Π» Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Π° транзисторы 2n2222 ΠΈ 2n3904 ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

    2N5551 ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов
    • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм
    • Π¦Π΅ΠΏΠΈ усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ°
    • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² свСтодиодов
    • ΠŸΠ°Ρ€Π° Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°
    • Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ сигнала
    • Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
    • ΠœΠ°Π»Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ усилитСля сигнала

    Π₯арактСристики транзистора 2N5551 Π₯арактСристики усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора 2N5551

    На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ характСристики усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора 2N5551, Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ построСн с Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

    Π₯арактСристики ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ значСниям Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

    характСристики области насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора 2N5551

    На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ характСристики области насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора 2N5551, Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ построСн с Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.

    2N5551T — Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния NPN

    %PDF-1.4 % 1 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 5 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ /Title (2N5551T — Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния NPN) >> ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 2 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 3 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 4 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > Ρ‚Ρ€Π°Π½ΡΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅/pdf

  • onsemi
  • 2N5551T — Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния NPN
  • описаниС Π­Ρ‚ΠΎ устройство ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² газоразрядных дисплССв.
  • 2022-11-22T13:26:13+01:00BroadVision, Inc.2022-11-22T13:27:07+01:002022-11-22T13:27:07+01:00Acrobat Distiller 22.0 (Windows)uuid:322ebc90- 751b-41f9-bebb-0e948b8b1e23uuid:73c331e5-a1d9-4b35-8949-18a0d9fa0c9d ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 6 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 7 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 8 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 90 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 10 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 11 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 12 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 13 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 14 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 15 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 16 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 17 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 18 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 19 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 20 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 21 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > ΡΠ½Π΄ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ 22 0 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ > Ρ‚Ρ€Π°Π½ΡΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ HTVI6-Sh rΡ€{*OqHiD-% q8epbidid$J/Mt15k,!Y-]T3.

    Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

    Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *