Каковы основные характеристики транзистора 2N6517. Какие параметры важны при выборе этого транзистора. Где применяется 2N6517 в электронных схемах. Какие есть аналоги этого транзистора.
Основные характеристики транзистора 2N6517
2N6517 — это высоковольтный биполярный NPN-транзистор производства компании ON Semiconductor (ранее Motorola). Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 350 В
- Максимальный ток коллектора: 0,5 А
- Граничная частота: 200 МГц
- Корпус: TO-92
- Рассеиваемая мощность: 0,625 Вт
Высокое пробивное напряжение в сочетании с хорошими частотными характеристиками делают 2N6517 подходящим для применения в высоковольтных импульсных схемах.
Важнейшие параметры при выборе транзистора 2N6517
При выборе 2N6517 для конкретного применения следует обратить внимание на следующие ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 350 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 0,5 А
- Коэффициент усиления по току (hFE): 40-160 при IC = 2 мА
- Граничная частота (fT): 200 МГц
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 0,625 Вт при 25°C
Как правильно интерпретировать эти параметры при разработке схемы? VCEO определяет максимальное рабочее напряжение. IC задает предельный ток через транзистор. hFE показывает коэффициент усиления. fT важна для высокочастотных применений. Ptot ограничивает тепловыделение.
Области применения транзистора 2N6517
Благодаря своим характеристикам, 2N6517 находит применение в следующих областях:
- Высоковольтные импульсные источники питания
- Драйверы электродвигателей
- Схемы управления индуктивными нагрузками
- Высоковольтные линейные стабилизаторы
- Усилители высокого напряжения
Какие конкретные преимущества дает использование 2N6517 в этих схемах? Высокое пробивное напряжение позволяет работать с большими перепадами напряжения. Хорошие частотные свойства обеспечивают быстрое переключение. Приемлемый коэффициент усиления упрощает схемотехнику.
Особенности применения 2N6517 в высоковольтных схемах
При использовании 2N6517 в высоковольтных применениях следует учитывать некоторые особенности:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод из-за значительного тепловыделения
- Рекомендуется использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений
- Следует контролировать время рассасывания накопленного заряда при выключении
- Важно учитывать эффект Миллера, влияющий на скорость переключения
Каковы типичные схемы включения 2N6517? В импульсных преобразователях он часто используется как ключевой элемент. В линейных схемах применяется в каскадных конфигурациях для повышения пробивного напряжения.
Аналоги и замены транзистора 2N6517
При отсутствии 2N6517 можно рассмотреть следующие аналоги:
- 2N6515 — очень близкий аналог с немного меньшим напряжением VCEO
- BUL128 — транзистор с похожими параметрами от STMicroelectronics
- MJE340 — более мощный аналог в корпусе TO-225
- MPSA44 — маломощный высоковольтный транзистор
Как правильно подобрать замену? Следует сравнить ключевые параметры: VCEO, IC, hFE, fT. Важно также учесть корпус и тепловые характеристики. При замене может потребоваться корректировка режимов работы схемы.
Особенности монтажа и эксплуатации 2N6517
При работе с 2N6517 следует соблюдать следующие правила:
- Использовать антистатические меры защиты при монтаже
- Не превышать максимально допустимые токи и напряжения
- Обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора
- Учитывать влияние температуры на параметры транзистора
- При пайке соблюдать температурный режим во избежание перегрева
Какие типичные ошибки допускают при использовании 2N6517? Часто недооценивают необходимость теплоотвода, что приводит к перегреву. Иногда не учитывают снижение коэффициента усиления при больших токах. Важно также правильно рассчитывать цепи защиты от перенапряжений.
Измерение параметров и диагностика 2N6517
Для проверки исправности и измерения параметров 2N6517 можно использовать следующие методы:
- Измерение напряжения пробоя коллектор-эмиттер
- Определение коэффициента усиления по току при разных режимах
- Проверка остаточного напряжения коллектор-эмиттер в режиме насыщения
- Измерение токов утечки коллектора и эмиттера
- Оценка частотных свойств в динамическом режиме
Какие приборы потребуются для диагностики? Понадобится источник высокого напряжения, измеритель характеристик транзисторов, осциллограф с высоковольтным пробником. Для точных измерений рекомендуется использовать специализированные анализаторы полупроводниковых приборов.
Транзистор 2N6517 остается востребованным компонентом для высоковольтных применений благодаря удачному сочетанию параметров. При правильном применении он обеспечивает надежную работу в импульсных преобразователях, драйверах и других схемах с большими перепадами напряжения.
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0 |
||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
2N6517 (транзистор біполярний NPN) Motorola від 5.4 грн
Код товару: 2361
Виробник: Motorola
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 350 V
Ucbo,V: 350 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
в наявності: 2041 шт
1586 шт — склад Київ
9 шт — РАДІОМАГ-Київ
20 шт — РАДІОМАГ-Львів
17 шт — РАДІОМАГ-Харків
409 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
| 5+ | 7 грн |
| 10+ | 6 грн |
| 100+ | 5.4 грн |
Технічний опис 2N6517 (транзистор біполярний NPN) Motorola
З цим товаром купують
| MPSA92 Код товару: 4434 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,1 A
h31,max: 40
49 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 56667 шт — ціна та термін постачання
|
5 грн| 33mH 10% (DR 0912 33mH Bochen) (Idc=0,065А, Rdc max=45 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123717 |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 33 mH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 33mH±10%, Idc=0.065А, Rdc мax=45 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,065 A
32 шт — РАДІОМАГ-Київ
16 шт — РАДІОМАГ-Львів
20 шт — РАДІОМАГ-Харків
20 шт — РАДІОМАГ-Одеса
16 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
9 грн| 2,2 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2K2R-Hitano) (S) Код товару: 13767 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,2 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
14313 шт — склад Київ
785 шт — РАДІОМАГ-Київ
600 шт — РАДІОМАГ-Львів
84 шт — РАДІОМАГ-Харків
555 шт — РАДІОМАГ-Одеса
1000 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
|
| Можливі заміни |
2,2 kOhm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-2K2)Код товару: 85081 |
| BC327-25 Код товару: 15290 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,8 A
h31,max: 450
2409 шт — склад Київ
665 шт — РАДІОМАГ-Київ
333 шт — РАДІОМАГ-Львів
119 шт — РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 249695 шт — ціна та термін постачання
|
| STBV32Z (ST13001) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 16004 |
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A
h31: 35
Монтаж: THT
2N6515, 2N6517 (НПН), 2N6520 (ПНП)
%PDF-1.
4
%
1 0 объект
>
эндообъект
5 0 объект
>
эндообъект
2 0 объект
>
эндообъект
3 0 объект
>
транслировать
Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows)2007-03-19T14:35:24-07:00BroadVision, Inc.2020-09-09T10:52:21+02:002020-09-09T10:52:21+02:00приложение/ pdf
