2Ty транзистор характеристики: SMD транзистор S8550 / 2TY (PNP) | SOT-23

КСТ8550С

Похожие страницы

SMD Тип IC Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

2SC2412 (2SC2412K)

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

Тип SMD Диоды типа SMD Транзисторы типа SMD

KEXIN 2SC1815

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа DIP

Транзисторы типа DIP

Транзисторы типа SMD

Транзисторы типа SMD

KEXIN KST9013

SMD Тип IC Транзисторы типа SMD

TGS S8050

Транзисторы типа SMD

Тип SMD Тип SMD IC Транзисторы Тип SMD

KEXIN KST9012

dtsheet © 2021 г.

S8550 Лист данных.Www.s manuals.com. Galaxy

Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD 2T, 2T1, 2T = ***, 2TIL, 2TY. Даташиты ICS5OSK482TILF, KST4403, MMBT4403, RT9013-23GB, S8550, S9012.

Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF.
Количество страниц: 5

 BL Galaxy Electrical

Спецификация продукции

Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор
ОСОБЕННОСТИ
z

Высокий ток коллектора (IC = -500 мА).

z

Дополняет S8050.

z

Превосходная линейность HFE.

S8550

Pb
Без свинца

ПРИЛОЖЕНИЯ
z

Большой ток коллектора.СОТ-23

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Тип №

Маркировка

S8550

2TY

Код пакета
СОТ-23

МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное
Условное обозначение

Параметр

Ценить

Единицы

VCBO

Напряжение коллектор-база

-40

V

VCEO

Напряжение коллектор-эмиттер

-25

V

ВЭБО

Напряжение эмиттер-база

-5

V

IC

Ток коллектора - непрерывный

-500

мА

ПК

Коллекторное рассеивание

300

мВт

Tj, Tstg

Температура перехода и хранения

-55 ~ 150

℃

Номер документа: BL / SSSTC080
Rev.A

www.galaxycn.com
1

BL Galaxy Электрические

Спецификация продукции

Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃

S8550
если не указано иное

Параметр

Условное обозначение

Условия испытаний

MIN

Напряжение пробоя коллектор-база

V (BR) CBO

IC = -100 мкА, IE = 0

-40

V

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

V (BR) генеральный директор

IC = -1 мА, IB = 0

-25

V

Напряжение пробоя эмиттер-база

V (BR) EBO

IE = -100 мкА, IC = 0

-5

V

Ток отключения коллектора

ICBO

VCB = -40 В, IE = 0

-0.1

мкА

Ток отключения коллектора

ICEO

VCE = -20 В, IB = 0

-0,1

мкА

Ток отключения эмиттера

IEBO

VEB = -3V, IC = 0

-0,1

мкА

Коэффициент усиления постоянного тока

hFE

VCE = -1 В, IC = -50 мА

120

VCE = -1 В, IC = -500 мА

50

МАКСИМУМ

ЕД. ИЗМ

350

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

VCE (сб)

IC = -500 мА, IB = -50 мА

-0,6

V

Напряжение насыщения база-эмиттер

VBE (сб)

IC = -500 мА, IB = -50 мА

-1,2

V

Частота перехода

fT

VCE = -6 В, IC = -20 мА
f = 30 МГц

КЛАССИФИКАЦИЯ

ИЗ

Классифицировать
Диапазон

Номер документа: BL / SSSTC080
Rev.A

150

МГц

hFE (1)
L

ЧАС

120-200

200–350

www.galaxycn.com
2

BL Galaxy Электрические

Спецификация продукции

Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор

S8550

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное

Номер документа: BL / SSSTC080
Rev.A

www.galaxycn.com
3

BL Galaxy Электрические

Спецификация продукции

Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор

S8550

ОПИСАНИЕ ПАКЕТА
Пластиковый корпус для поверхностного монтажа

СОТ-23

СОТ-23
Тусклый

Мин.

Максимум

А

2,85

2,95

B

1,25

1,35

C

1.0 Типичный

D

0,37

0,43

E

0,35

0,48

грамм

1,85

1,95

ЧАС

0,02

0,1

J
K

0.1 Типичный
2.35

2,45

Все размеры указаны в мм.

ОТПЕЧАТКИ ПАЙКИ

УПАКОВКА

Единица измерения: мм
ИНФОРМАЦИЯ

Устройство

Упаковка

Перевозки

S8550

СОТ-23

3000 / Лента и катушка

Номер документа: BL / SSSTC080
Rev.A

www.galaxycn.com
4

www.s-manuals.com

 

 Тип файла: PDF
Расширение типа файла: pdf
Тип MIME: приложение / pdf
Версия PDF: 1.4
Линеаризованный: Нет
Набор инструментов XMP: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, Вс 01 окт 2006 17:14:39
Производитель: Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows)
Инструмент для создания: PScript5.dll версии 5.2
Дата изменения: 2012: 11: 22 01: 44: 51 + 02: 00
Дата создания: 2008: 01: 18 11: 24: 28 + 08: 00
Дата метаданных: 2012: 11: 22 01: 44: 51 + 02: 00
Формат: заявка / pdf
Название: S8550 - Datasheet. www.s-manuals.com.
Создатель:
Тема: S8550 - Лист данных.www.s-manuals.com.
Идентификатор документа: uuid: 1f2e0609-5ec9-42b7-b0bd-14b4e94ab848
Идентификатор экземпляра: uuid: a02353ac-cc39-4899-90d5-0a02d44c67b3
Количество страниц: 5
Ключевые слова: S8550, -, Datasheet., Www.s-manuals.com.
Предупреждение: [Незначительное] Игнорирование повторяющегося информационного словаря
 

Лист данных MMS8550 — Тип корпуса: Биполярные транзисторы в пластиковом корпусе SOT-23,

2N6689 : Транзистор NPN, Корпус: TO-61.Соответствует стандарту MIL-PRF-19500/537 Устройства 2N6689 2N6690 Уровень квалификации JAN JANTX JANTXV Номинальные характеристики Коллектор-Эмиттер Напряжение Коллектор-База Напряжение Коллектор-База Напряжение Эмиттер-База Напряжение Базовый Ток Коллектор Ток Символ VCEO VCBO VCEX VEBO to +200 Макс. 1.0 Единица Vdc Adc = + 250C (1) Диапазон рабочих температур и температур хранения Характеристики рассеиваемой мощности.

2SC3708 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, применение низкочастотного драйвера.

2SJ172 : МОП-транзистор To-220.Низкое сопротивление при включении Высокая скорость переключения Низкий ток привода Устройство привода затвора 4 В Может работать от источника 5 В Подходит для моторного привода, преобразователя постоянного тока в постоянный, выключателя питания и соленоидного привода Позиция Сток к напряжению источника Затвор к напряжению источника Ток стока Пик стока ток Ток обратного стока между телом и стоком диода Рассеяние в канале Температура канала.

BDY28 : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO3 (TO204AA) ;; Vceo = 250 В ;; IC (продолжение) = 6А ;; HFE (мин) = 15 ;; HFE (макс.) = 180 ;; @ Vce / ic = 4V / 2A ;; FT = 10 МГц ;; PD = 85Вт.

C795 / 6RT305 : 100 мм, 3200 В, 3800 A. Тиристор типа C795 подходит для приложений с фазовым регулированием, таких как высоковольтные клапаны, используемые в статических компенсаторах реактивной мощности, и последовательная компенсация с тиристорным управлением. Он особенно оптимизирован для обработки часто применяемых сильных импульсных токов, необходимых для импульсных силовых цепей. Кремниевый переход изготавливается с помощью проверенного многодиффузионного процесса.

ESM4045DV : Силовой модуль NPN Darlington. БИПОЛЯРНЫЙ МОДУЛЬ ВЫСОКОГО ТОКА МОЩНОСТИ ОЧЕНЬ НИЗКИЙ СЛУЧАЙ РАБОТЫ Rth, УКАЗАННЫЙ СЛУЧАЙНОЙ ПЕРЕГРУЗКОЙ, Сверхбыстрая диодная изоляция (СООТВЕТСТВИЕ СООТВЕТСТВУЮЩИМ) ИБП. V CEV Напряжение коллектор-эмиттер V) V CEO (sus) Коллектор-эмиттер.

SI4410DY : SI4410DY; N-канальный полевой транзистор в режиме расширения ;; Пакет: SOT96-1 (SO8).

CSD17305Q5A : силовой МОП-транзистор NexFET с N каналом, 30 В, силовой МОП-транзистор с N-каналом, NxFET.

05002-1R2KAZ : КРЫШКА, КЕРАМИЧЕСКАЯ, 1.2PF, 250VDC, .05PF -TOL, .05PF + TOL, C0G TC CODE, -30,30PPM TC, 0603 КОРПУС. s: Диэлектрик: Керамический состав.

DZ2S110 : 11 В, 0,15 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.

EDBS06LTE : ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, КРЕМНИЙ, ДИОД TVS. s: Тип диода: Диоды-ограничители переходных напряжений; VBR: от 6 до 10 вольт; Пакет: SOT23, SOT-23, 6 PIN; Количество контактов: 6; Количество диодов: 4.

FDC6561AND87Z : 2500 мА, 30 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0,0950 Ом; Тип упаковки: СУПЕРСОТ-6; Количество блоков в ИС: 2.

MLS781M100EA0A : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 100 В, 770 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 770 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Ток утечки: 154 мкА; СОЭ: 238 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (-67,

NOSY377M002A0100 : КОНДЕНСАТОР, НИОБИЙ, 2,5 В, 330 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 7343LM. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: ниобий / оксид ниобия; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 330 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 2.5 вольт; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Операционная.

THS105R0J : РЕЗИСТОР, ПРОВОДКА, 10 Вт, 5%, 50 ppm, 5 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / Упаковка: шасси на болтах, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 5 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 10 Вт (0,0134 л.с.).

UVZ1E470MDD1TA : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 47 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 47 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 35,25 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 105 C (-67,

DRDzzzzW Datasheet от Diodes Incorporated

DS30573 Ред. 10-2

3 из 9

www.diodes.com DRD (xxxx) W

© Diodes Incorporated

Электрические характеристики, транзистор DRDN010W NPN @TA если не указано иное

Характерный символ Мин. макс. условие испытания блока

Коэффициент усиления постоянного тока hFE 150 800 IC = 100 мА, VCE = 1 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ 0.5 В IC = 300 мА, IB = 30 мА

Напряжение пробоя коллектор-база V (BR) CBO 45 мкВ IC = 100 мкА, IE = 0

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V (BR) CEO 18 мкВ IC = 1 мА, IB = 0

Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO 5 ⎯ В IE = 100 мкА, IC = 0

Ток отсечки коллектора ICBO ⎯ 1 мкА VCB = 40 В, IE = 0

Ток отсечки эмиттера IEBO ⎯ 1 мкА VEB = 4 В, IC = 0

Произведение коэффициента усиления по току и полосы пропускания fT100 МГц VCE = 10 В, IC = 50 мА, f = 100 МГц

Емкость Cobo ⎯ 8 пФ VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц

Электрические характеристики , DRDN005W Транзистор NPN @TA = 25 ° C, если не указано иное

Характерный символ Мин. Макс. Условие испытания блока

Напряжение пробоя коллектор-база В (BR) CBO 80 мкВ IC = 100 мкА, IE = 0

Пробой коллектор-эмиттер Напряжение V (BR) CEO 80 V IC = 1.0 мА, IB = 0

Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO 4,0 В IE = 100 мкА, IC = 0

Ток отсечки коллектора ICBO ⎯ 100 нА VCB = 60 В, IE = 0

VCB = 80 В, IE = 0

Ток отсечки коллектора ICES ⎯ 100 нА VCE = 60 В, IBO = 0 В

VCE = 80 В, IBO = 0 В

Коэффициент усиления постоянного тока hFE 100 ⎯ IC = 10 мА, VCE = 1,0 В

IC = 100 мА, VCE = 1,0 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ 0,25 В IC = 100 мА, IB = 10 мА

Напряжение насыщения база-эмиттер VBE (SAT) ⎯ 1.2 В IC = 100 мА, VCE = 1,0 В

Произведение коэффициента усиления по току и полосы пропускания fT100 ⎯ МГц VCE = 2,0 В, IC = 10 мА,

f = 100 МГц

Электрические характеристики, транзистор DRDP006W PNP @ TA = 25 ° C, если не указано иное

Характерный символ Мин. макс. условия испытания устройства

Коэффициент усиления постоянного тока hFE 100 300 IC = -150 мА, VCE = -10 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ -0,4 В IC = -150 мА, IB = -15 мА

Напряжение пробоя коллектор-база В (BR) CBO -60 мкВ IC = -10 мкА, IE = 0

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер В (BR) CEO -60 мкВ IC = -10 мА, IB = 0

Напряжение пробоя эмиттер-база В (BR) EBO -5 В IE = -10 мкА, IC = 0

Ток отсечки коллектора ICBO -10 нА

VCB = -50 В, IE = 0

Полоса пропускания усиления по току Продукт fT200 ⎯ МГц VCE = -20 В, IC = -50 мА, f = 100 МГц

Емкость Cobo ⎯ 8 пФ VCB = -10 В, IE = 0, f = 1 МГц

Характеристический символ Мин. Тип Макс.3 ⎯ ⎯ V VCC = 5 В, IO = 100 мкА

Входное напряжение Vl (вкл.) ⎯ ⎯ 2,0 В VO = 0,3 В, IO = 20 мА

Выходное напряжение VO (вкл.