Каковы основные характеристики транзистора 2TY. Где применяется транзистор 2TY в электронных схемах. Какие существуют аналоги транзистора 2TY. Как правильно подобрать замену для 2TY.
Основные характеристики транзистора 2TY
Транзистор 2TY представляет собой биполярный PNP транзистор в корпусе SOT-23. Основные технические характеристики данного транзистора:
- Структура: PNP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальный ток коллектора: 0,5 А
- Коэффициент усиления по току: 120-250
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0,3 Вт
- Граничная частота: 150 МГц
- Корпус: SOT-23
Транзистор 2TY относится к маломощным высокочастотным транзисторам общего назначения. Благодаря своим характеристикам он находит широкое применение в различных электронных устройствах.
Области применения транзистора 2TY
Рассмотрим основные сферы использования данного транзистора:
- Усилители низкой частоты
- Переключающие и импульсные схемы
- Источники питания
- Драйверы светодиодов
- Схемы управления и автоматики
- Портативная электроника
Транзистор 2TY часто применяется в качестве усилительного элемента в предварительных каскадах усилителей звуковой частоты. Его высокий коэффициент усиления позволяет получить хорошее усиление сигнала при низком уровне шумов.
В импульсных схемах 2TY используется как быстродействующий ключ благодаря высокой граничной частоте. Это позволяет применять его в преобразователях напряжения, широтно-импульсных модуляторах и других подобных устройствах.
Аналоги и заменители транзистора 2TY
При отсутствии или недоступности транзистора 2TY его можно заменить следующими аналогами с близкими характеристиками:
- S8550
- SS8550
- MMBT3906
- BCX19
- BCP56
- BC856
При выборе замены следует обращать внимание на следующие ключевые параметры:
- Тип проводимости (PNP)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- Максимальный ток коллектора
- Коэффициент усиления
- Граничная частота
- Корпус (SOT-23 или совместимый)
Важно подбирать аналог с характеристиками не хуже оригинального 2TY, чтобы обеспечить корректную работу электронного устройства.
Как правильно проверить транзистор 2TY
Для проверки исправности транзистора 2TY можно использовать следующие методы:
- Проверка мультиметром в режиме «прозвонки диодов»
- Измерение коэффициента усиления с помощью специального тестера транзисторов
- Проверка работоспособности в реальной схеме
При проверке мультиметром следует учитывать, что 2TY является PNP-транзистором. Прямое падение напряжения на переходах база-эмиттер и база-коллектор должно составлять около 0,6-0,7 В. В обратном направлении переходы должны показывать высокое сопротивление.
Особенности монтажа и эксплуатации 2TY
- Использовать антистатические меры защиты при монтаже
- Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
- Обеспечивать достаточный теплоотвод при работе на большой мощности
- Правильно определять цоколевку транзистора перед монтажом
Корпус SOT-23 имеет три вывода, их назначение для 2TY следующее:
- Эмиттер
- База
- Коллектор
Ошибка в определении выводов может привести к некорректной работе схемы или выходу транзистора из строя.
Типовые схемы включения транзистора 2TY
Рассмотрим несколько базовых схем с использованием 2TY:
Усилитель с общим эмиттером
Это классическая схема усиления сигнала, где 2TY включен по схеме с общим эмиттером. Такое включение обеспечивает хорошее усиление по напряжению и току.
Эмиттерный повторитель
В этой схеме 2TY работает в режиме эмиттерного повторителя, обеспечивая согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой.
Ключевой каскад
Здесь транзистор 2TY используется как электронный ключ, управляемый входным сигналом. Такая схема часто применяется для коммутации нагрузок.
Каждая из этих схем имеет свои особенности и область применения, что делает транзистор 2TY универсальным компонентом для различных электронных устройств.
Сравнение 2TY с другими популярными транзисторами
Проведем сравнительный анализ характеристик 2TY и некоторых распространенных транзисторов:
| Параметр | 2TY | BC557 | 2N3906 |
|---|---|---|---|
| Тип | PNP | PNP | PNP |
| Макс. напряжение К-Э | 40 В | 45 В | 40 В |
| Макс. ток коллектора | 0,5 А | 0,1 А | 0,2 А |
| Коэффициент усиления | 120-250 | 110-800 | 100-300 |
| Граничная частота | 150 МГц | 100 МГц | 250 МГц |
Как видно из таблицы, 2TY имеет сбалансированные характеристики, что делает его универсальным выбором для многих применений. Он превосходит BC557 по максимальному току и граничной частоте, но уступает 2N3906 в высокочастотных параметрах.
аналоги, чем заменить, характеристики, аналог
Аналоги транзистора 2TY:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Hfe | Caps |
| 2N4403SC | Si | PNP | 0.35 | 60,00 | 40,00 | 5,00 | 0.6 | 150,00 | 250,00 | 150,00 | SOT23 |
| 2STR2160 | Si | PNP | 0.5 | 60,00 | 60,00 | 5,00 | 1,00 | 150,00 | 250,00 | SOT23 | |
| 50A02CH-TL-E | Si | PNP | 0.7 | 50,00 | 50,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 690,00 | 200,00 | SOT23 |
| 50A02CH-TL-H | Si | PNP | 0.7 | 50,00 | 50,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 690,00 | 200,00 | SOT23 |
| 8550HQLT1 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 1.5 | 150,00 | 150,00 | SOT23 | |
| 8550QLT1 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.8 | 150,00 | 150,00 | SOT23 | |
| 8550SLT1 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| BCR569 | Si | 0.33 | 50,00 | 50,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 | |
| BCV46 | Si | PNP | 0.36 | 80,00 | 60,00 | 10,00 | 0.5 | 150,00 | 200,00 | 10000,00 | SOT23 |
| BSP62T1 | Si | PNP | 1.5 | 100,00 | 80,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 5000,00 | SOT23 |
| BSP62T3 | Si | PNP | 1.5 | 100,00 | 80,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 5000,00 | SOT23 |
| BTB1198N3 | Si | PNP | 0.56 | 80,00 | 80,00 | 8,00 | 1,00 | 150,00 | 200,00 | 120,00 | SOT23 |
| BTB1424N3 | Si | PNP | 0.9 | 50,00 | 50,00 | 5,00 | 3,00 | 150,00 | 240,00 | 180,00 | SOT23 |
| BTB718N3 | Si | PNP | 0.625 | 50,00 | 30,00 | 7,00 | 3,00 | 150,00 | 190,00 | 180,00 | SOT23 |
| CMMT591A | Si | PNP | 0.5 | 40,00 | 40,00 | 5,00 | 1,00 | 150,00 | 150,00 | 300,00 | SOT23 |
| CMPT591E | Si | PNP | 0.35 | 80,00 | 60,00 | 5,00 | 1,00 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| DPLS160 | Si | PNP | 0.3 | 60,00 | 1,00 | 150,00 | 150,00 | SOT23 | |||
| KMMT720 | Si | PNP | 0.35 | 40,00 | 40,00 | 5,00 | 1.5 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| KST8550S | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| KST9012 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| KST9012C | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 144,00 | SOT23 |
| KTC9012SC | Si | PNP | 0.35 | 40,00 | 30,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| MMS8550-H | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| MMS8550-L | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| MMS9012-H | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| MMS9012-L | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| MPS8550SC | Si | PNP | 0.35 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 1.2 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| PBSS4041PT | Si | PNP | 0.3 | 60,00 | 60,00 | 5,00 | 2.7 | 150,00 | 150,00 | 200,00 | SOT23 |
| PBSS5140T | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 40,00 | 5,00 | 1,00 | 150,00 | 150,00 | 300,00 | SOT23 |
| S8550 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| S8550LT1 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| S9012 | Si | PNP | 0.3 | 40,00 | 25,00 | 5,00 | 0.5 | 150,00 | 150,00 | 120,00 | SOT23 |
| TFN1424 | Si | PNP | 0.9 | 50,00 | 50,00 | 5,00 | 3,00 | 150,00 | 240,00 | 180,00 | SOT23 |
| ZXTC2045E6 | Si | NPN*PNP | 1.1 | 40,00 | 30,00 | 7,00 | 1.5 | 150,00 | 180,00 | SOT236 | |
| ZXTP05120HFF | Si | PNP | 1.5 | 120,00 | 1,00 | 150,00 | 3000,00 | SOT23F | |||
| ZXTP19060CFF | Si | PNP | 1.5 | 60,00 | 4,00 | 180,00 | 200,00 | SOT23F | |||
| ZXTP2025F | Si | PNP | 1.2 | 50,00 | 5,00 | 190,00 | 200,00 | SOT23 | |||
| ZXTP2041F | Si | PNP | 0.35 | 40,00 | 1,00 | 150,00 | 250,00 | SOT23 | |||
| ZXTP25040DFH | Si | PNP | 1.25 | 40,00 | 3,00 | 270,00 | 200,00 | SOT23 | |||
| ZXTP25040DFL | Si | PNP | 0.35 | 40,00 | 1.5 | 270,00 | 300,00 | SOT23 | |||
| ZXTP25100CFH | Si | PNP | 1.25 | 100,00 | 1,00 | 180,00 | 180,00 | SOT23 |
Автор: Редакция сайта
Ao3401 транзистор характеристики — JSFiddle
Editor layout
Classic Columns Bottom results Right results Tabs (columns) Tabs (rows)
Console
Console in the editor (beta)
Clear console on run
General
Line numbers
Wrap lines
Indent with tabs
Code hinting (autocomplete) (beta)
Indent size:2 spaces3 spaces4 spaces
Key map:DefaultSublime TextEMACS
Font size:DefaultBigBiggerJabba
Behavior
Auto-run code
Only auto-run code that validates
Auto-save code (bumps the version)
Auto-close HTML tags
Auto-close brackets
Live code validation
Highlight matching tags
Boilerplates
Show boilerplates bar less often
Snippet revisions — Bitbucket
+Транзистор 5n60 характеристики
+========================
+———————————————————
+\>\>\> [СКАЧАТЬ ФАЙЛ](http://eazoo.filesgeter.ru/?key=%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80+5n60+%D1%85%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BA%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D0%BA%D0%B8&mark=bbt&username=omitcomgeou1979) <<<
+———————————————————
+Проверено, вирусов нет!
+———————————————————
+
+Транзистор FQPF5N60C \(FQPF5N60\) \- Power MOSFET, N\-Channel, 600V, 5A, TO\-220FP и другие электронные компоненты по оптовой цене \! | Доставка\. The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on\-state\. Благодаря вашему ролику проверил транзистор, оказался битый\. На полевой транзистор Gate и Source даётся тоже 12 вольт\. В современной радиоэлектронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы\. Как доказала практика\. Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET\. из нужных характеристик функционирования агрегата пусковой, рабочий\. Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N\-канальных, logic\- level , полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на\. Это видео рассказывает о том, как проверить мультиметром транзисторы NPN и PNP типа\. Я использовал цифровой мультиметр с\. 5N60C найти не могу, думаю поставить 6N60C, он вродь только чуть\. Скажите какого номинала у вас стоит датчик тока транзистора\. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра\. Статья для начинающих\. При прозвонке STR10006 выяснилось, что выходной транзистор цел\. заменил все транзисторы в БП, изначально были 5N60, C9014\. \(Или как прозвонить транзистор\) Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно\. Проверка транзистора мультиметром \( тестером\) \(прозвонка\. remote controller ic · wholesale remote level indicator · wholesale remote ic · wholesale 2ty transistor · wholesale 2sk135 2sj50 · wholesale 5n60c transistor\. Повсеместно в Отверстие power mosfet транзистор d1047, Цена FOB:US\. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ \(Ta = 25 & 8451; если не указано иное\)\. Плоских Mosfet 5N60/5N60F 600 В 4\.5A TO\-220/220F n\-канальный Режим\. Высокочастотный малошумящий транзистор 2SC3195, Цена FOB:US $ 0\.13\- 0\.14, Порт:Dalian, Мин\. заказ: 5 шт\. технические Характеристики\. Пластиковый пакет биполярный транзисторы 13003, Цена FOB:US\. Пластиковый пакет биполярного транзисторы силы 13003\. Характеристика\. MOSFET Power: 5N60C\. MainBoard\. Технические характеристики\. При его обрыве следует проверить силовые элементы транзисторы и диоды\. FQPF5N60 : 600V N\-channel QFET FQPF 5 N 60 · FQPF5N60C : 600V N\- channel Advance Q\-FET C\-series\. FQPF 5 N 60C · FQPF5N80 : 800V N\-channel QFET
где применяются, область использования транзисторов
Полупроводниковый транзистор – радиоэлемент, изготавливаемый из полупроводникового материала, чаще всего кремния. Основное назначение транзистора – управление током в электрической цепи. Транзистор управляет током на выходе пропорционально изменению силы входного тока и величины входного напряжения, причем при незначительном изменении входных параметров при определенных условиях можно добиться существенного усиления выходного сигнала. Поэтому полупроводниковые транзисторы часто применяются в усилительных схемах.
Области, где используются транзисторы, зависят от технических характеристик последних. Транзисторы разного конструктивного исполнения рассчитаны на работу в ключевом или усилительном режимах.
Применение транзисторов
Транзисторы востребованы практически во всех отраслях народного хозяйства. Минимализация габаритов этих приборов обеспечивает рост быстродействия электронных компонентов при снижении количества потребляемой энергии и выделения тепла.
Производство слуховых аппаратов
Благодаря практическому применению усиливающих свойств полупроводникового транзистора, стало возможным создание для слухового аппарата мощного микрофона с миниатюрными размерами.
Принцип работы слухового аппарата:
- звуковые волны, попадая на микрофон, преобразуются в электрический сигнал;
- транзистор усиливает поступивший на него электрический сигнал;
- усиленный электрический импульс преобразуется в акустический сигнал, и владелец слухового аппарата получает доступ к звуковой информации.
Производство компьютеров и калькуляторов
Полупроводниковые транзисторы используются во всех электронных компонентах компьютеров и калькуляторов. Они находятся в составе материнских плат, процессоров, карт расширения, периферийных устройств. Системы обработки, передачи и защиты данных – одни из основных областей, где применяются полупроводниковые транзисторы.
Транзисторы, работающие в ключевом режиме, используются для защиты программ от взлома и предотвращения кражи информации. Управление силой тока – аналоговое, регулирование – с помощью ширины импульса.
Транзисторы Дарлингтона (сборного типа)
Это составной транзистор, состоящий из двух или нескольких биполярных транзисторов, расположенных на одном монокристалле и заключенных в общий корпус. В высоковольтной электронике используются составные гибридные транзисторы IGBT, в состав которых входят биполярные и полевые модели. Основное назначение транзистора сборного типа – получение высокомощного сигнала в электрической цепи. Однако из-за низкого быстродействия они эффективны только в низкочастотной аппаратуре.
Силовые преобразователи инверторного типа
Мощные транзисторы с изолированным затвором применяются в оборудовании, рассчитанном на питание током высокого напряжения. Это индукционные нагреватели, мощные сварочные аппараты, мостовые и полумостовые резонансные преобразователи.
Где применяются транзисторы — видео
В этой статье мы только кратко перечислили области применения полупроводниковых транзисторов, присутствующих практически во всех электронных компонентах современных приборов и аппаратов. Более того, без этих радиоэлементов были бы невозможны достижения современной микроэлектроники, полеты в космос, создание систем наземного и воздушного наблюдения, связи, радиолокации и многих других.
Была ли статья полезна?
Да
Нет
Оцените статью
Что вам не понравилось?
Другие материалы по теме
Анатолий Мельник
Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.
бесплатная доставка s8050 j3y transistor on Ru Nexar Mall
бесплатная доставка s8050 j3y transistor on Ru Nexar Mall🔍
100PCS SMD S8050 8050 J3Y NPN SMD Transistor SOT-23 New Original
US 0.8050PCS SMT S8050 SS8550/BAT54S printed J3Y NPN power transistor package SOT-23 S9013/MMBT5401/MMBT2907/BC846B/222A
US 0.68100pcs S8050 S8550 SS8050 SS8550 Y2 J3Y Y1 2TY SOT23 SMD transistor SOT-23
US 0.80100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.75Free Shipping 100PCS S8050 J3Y SOT-23 S8050 SMD new and original
US 0.9950PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23 and original
US 0.45100PCS S8050 J3Y SOT-23 S8050 SMD transistor new and original
US 0.85100PCS/Lot New J3Y S8050 SS8050 SMD SOT-23 Triode NPN SMD Transistor
US 0.6650Pcs SMD NPN Power Transistor IC SOT-23 S9018 J8 S9013 J3 S8550 Y2 S8050 J3Y S9015 M6 S9014 J6 S8550 2TY Triode
US 1.01100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.75100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.7550PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23
US 0.38100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100PCS S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor
US 0.6850PCS S8050 J3Y S8550 2TY SS8050 Y1 SS8550 Y2 SOT23 SMD transistor
US 0.32100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100pcs/Lot S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.5850PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23
US 0.3850pcs S8050 S8550 SS8050 SS8550 Y2 J3Y Y1 2TY SOT23 SMD transistor SOT-23
US 0.40100PCS S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.71100PCS SMD S8050 8050 J3Y NPN SMD Transistor SOT-23 New Original Free Shipping
US 0.68100PCS S8050 J3Y SOT-23 S8050 SMD transistor new and original
US 0.7850PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23
US 0.45100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100pcs/lot S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.71100pcs/lot S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100pc S8050 J3Y 0.5A/25V NPN SOT23 SMD transistors
US 0.7050PCS S8050 J3Y S8550 2TY SS8050 Y1 SS8550 Y2 SOT23 SMD transistor
US 1.08100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor
US 0.70100PCS S8050 SOT-23 8050 J3Y SMD Transistor SOT-23 New
US 0.70100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.75100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.75100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100Pcs/Lot S8050 Triode SOT-23 J3y PN
US 0.75100pcs/lot S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100PCS S8050 J3Y SOT23 MMBT8050 MMBT8050LT1G SMD SOT-23 Transistor New Original
US 0.76100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100PCS S8050 J3Y S8550 2TY SS8050 Y1 SS8550 Y2 SOT23 Each 50PCS (SS8050 Y1+SS8550 Y2) (S8050 J3Y+S8550 2TY) SMD transistor
US 0.48100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70(100 pcs) S8050 J3Y SOT-23 NPN SMD triode Signal transistor NEW original
US 0.75100pcs S8050 SOT23 S8050LT1G J3Y SOT-23 NEW
US 0.7250PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23
US 1.1050PCS S8050 S8550 SS8050 SS8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 J3Y STY Y1 Y2 2T1 J3 J6 M6 J8 SMD Transistor SOT23
US 0.45SMD S8050 J3Y SMD transistor SOT-23 [20pcs / lot]
US 0.83100PCS SMD S8050 J3Y NPN SMD Transistor SOT-23
US 0.60100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70100pcs/lot S8050 J3Y S8550 2TY SOT-23-3 NPN SMD Transistor In Stock
US 0.70SMD Transistor Assorted (sot-23) 100PCS S8050 and S8550, 8050 J3Y and 8550 2TY ,SOT-23 SMD CHIP Transistor EACH 50PCS
US 0.6050Pcs SMD NPN Power Transistor IC Triode S9018 J8 S9013 J3 S8550 Y2 S8050 J3Y S9015 M6 S9014 J6 S8550 2TY SOT-23
US 1.0150Pcs SMD NPN Power Transistor IC S9018 J8 S9013 J3 S8550 Y2 S8050 J3Y S9015 M6 S9014 J6 S8550 2TY SOT-23 Triode
US 1.01
Пользуясь услугами, вы соглашаетесь соблюдать эти правила.
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
| HW-08-20-SM-D-802-110 | Samtec Inc | Соединитель для штабелирования плат, 16 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV-P-TR | Samtec Inc | разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV | Samtec Inc | разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| ССМ-120-СМ-ДВ-К | Samtec Inc | разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| SSM-120-SM-DV-BE | Samtec Inc | разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, | Бесплатный образец | ||
| HW-17-20-SM-D-650-SM-A | Samtec Inc | Разъем для штабелирования плат, 34 контакта, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, | Бесплатный образец |
2TY.pdf — PDFCOFFEE.COM
BL Galaxy Electrical Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ОСОБЕННОСТИ z Высокий ток коллектора. (
Просмотры 15 Загрузки 1 Размер файла 293KB
Отчет DMCA / Copyright
СКАЧАТЬ ФАЙЛ
Цитирование: предварительный просмотрBL Galaxy Electrical
Производственная спецификация
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ХАРАКТЕРИСТИКИ z
Высокий ток коллектора.(IC = -500 мА)
z
Дополняет S8050.
z
Отличная линейность HFE.
S8550
Pb Бессвинцовый
ПРИМЕНЕНИЯ z
Высокий ток коллектора
000
000 ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Тип №
Маркировка
S8550
2TY
Код упаковки SOT-23
МАКСИМАЛЬНОЕ РЕЙТИНГ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Символ
Параметр
Значение
9000 Коллекторные блоки
9000B Базовое напряжение-40
В
VCEO
Напряжение коллектор-эмиттер
-25
В
VEBO
Напряжение эмиттер-база
-5
IC
Непрерывный ток коллектора-500
мА
PC
Рассеиваемая мощность коллектора
300
мВт
Tj, Tstg
Junction and Stora ge Температура
-55 ~ 150
℃
Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A
www.galaxycn.com 1
BL Galaxy Electrical
Производственная спецификация
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃
S8550, если не указано иное
Параметр
Условия испытания
Напряжение пробоя коллектор-база
В (BR) CBO
IC = -100 мкА, IE = 0
-40
В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
В (BR) CEO
IC = — 1 мА, IB = 0
-25
В
Напряжение пробоя эмиттер-база
В (BR) EBO
IE = -100 мкА, IC = 0
-5
В
Ток отключения коллектора
ICBO
VCB = -40 В, IE = 0
-0.1
мкА
Ток отключения коллектора
ICEO
VCE = -20V, IB = 0
-0,1
мкА
Ток отключения эмиттера
IEBO
VEB = -20V 0
-0,1
мкА
Коэффициент усиления постоянного тока
hFE
VCE = -1V, IC = -50mA
120
VCE = -1V, IC = -500mA
50
MAX
UNIT
350
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
VCE (насыщ.)
IC = -500 мА, IB = -50 мА
-0.6
В
Напряжение насыщения база-эмиттер
VBE (насыщ.)
IC = -500 мА, IB = -50 мА
-1,2
В
Частота перехода
fT
VCE = -6 В, IC = -20 мА f = 30 МГц
КЛАССИФИКАЦИЯ
OF
Диапазон рангов
Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A
150
МГц
hFE (1) L
H
120-2009
200-350
www.galaxycn.com 2
BL Galaxy Electrical
Производственная спецификация
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор
S8550
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное
/Номер документа: BL Ред.A
www.galaxycn.com 3
BL Galaxy Electrical
Производственная спецификация
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор
S8550
ОПИСАНИЕ УПАКОВКИ Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23
SOT-23 Dim
Макс
A
2,85
2,95
B
1,25
1,35
C
1,0 Типичный
D
0,37
0.43
E
0,35
0,48
G
1,85
1,95
H
0,02
0,1
JK
0,1Typical 2.35
0009УПАКОВКА
Единица: мм ИНФОРМАЦИЯ
Устройство
Упаковка
Транспортировка
S8550
SOT-23
3000 / Tape & Reel
Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A
www.galaxycn.com 4
www.s-manuals.com
КСТ8550С
DtSheet- Загрузить
КСТ8550С
Открыть как PDF- Похожие страницы
- SMD Тип IC Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- 2SC2412 (2SC2412K)
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- Тип SMD Диоды типа SMD Транзисторы типа SMD
- KEXIN 2SC1815
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа DIP
- Транзисторы типа DIP
- Транзисторы типа SMD
- Транзисторы типа SMD
- KEXIN KST9013
- SMD Тип IC Транзисторы типа SMD
- TGS S8050
- Транзисторы типа SMD
- Тип SMD Тип SMD IC Транзисторы Тип SMD
- KEXIN KST9012
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесьS8550 Лист данных.Www.s manuals.com. Galaxy
Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD 2T, 2T1, 2T = ***, 2TIL, 2TY. Даташиты ICS5OSK482TILF, KST4403, MMBT4403, RT9013-23GB, S8550, S9012.
Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF.
Количество страниц: 5
BL Galaxy Electrical Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ОСОБЕННОСТИ z Высокий ток коллектора (IC = -500 мА). z Дополняет S8050. z Превосходная линейность HFE. S8550 Pb Без свинца ПРИЛОЖЕНИЯ z Большой ток коллектора.СОТ-23 ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Тип № Маркировка S8550 2TY Код пакета СОТ-23 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Условное обозначение Параметр Ценить Единицы VCBO Напряжение коллектор-база -40 V VCEO Напряжение коллектор-эмиттер -25 V ВЭБО Напряжение эмиттер-база -5 V IC Ток коллектора - непрерывный -500 мА ПК Коллекторное рассеивание 300 мВт Tj, Tstg Температура перехода и хранения -55 ~ 150 ℃ Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃ S8550 если не указано иное Параметр Условное обозначение Условия испытаний MIN Напряжение пробоя коллектор-база V (BR) CBO IC = -100 мкА, IE = 0 -40 V Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V (BR) генеральный директор IC = -1 мА, IB = 0 -25 V Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO IE = -100 мкА, IC = 0 -5 V Ток отключения коллектора ICBO VCB = -40 В, IE = 0 -0.1 мкА Ток отключения коллектора ICEO VCE = -20 В, IB = 0 -0,1 мкА Ток отключения эмиттера IEBO VEB = -3V, IC = 0 -0,1 мкА Коэффициент усиления постоянного тока hFE VCE = -1 В, IC = -50 мА 120 VCE = -1 В, IC = -500 мА 50 МАКСИМУМ ЕД. ИЗМ 350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (сб) IC = -500 мА, IB = -50 мА -0,6 V Напряжение насыщения база-эмиттер VBE (сб) IC = -500 мА, IB = -50 мА -1,2 V Частота перехода fT VCE = -6 В, IC = -20 мА f = 30 МГц КЛАССИФИКАЦИЯ ИЗ Классифицировать Диапазон Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A 150 МГц hFE (1) L ЧАС 120-200 200–350 www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор S8550 ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор S8550 ОПИСАНИЕ ПАКЕТА Пластиковый корпус для поверхностного монтажа СОТ-23 СОТ-23 Тусклый Мин. Максимум А 2,85 2,95 B 1,25 1,35 C 1.0 Типичный D 0,37 0,43 E 0,35 0,48 грамм 1,85 1,95 ЧАС 0,02 0,1 J K 0.1 Типичный 2.35 2,45 Все размеры указаны в мм. ОТПЕЧАТКИ ПАЙКИ УПАКОВКА Единица измерения: мм ИНФОРМАЦИЯ Устройство Упаковка Перевозки S8550 СОТ-23 3000 / Лента и катушка Номер документа: BL / SSSTC080 Rev.A www.galaxycn.com 4 www.s-manuals.com
Исходные данные Exif:
Тип файла: PDF Расширение типа файла: pdf Тип MIME: приложение / pdf Версия PDF: 1.4 Линеаризованный: Нет Набор инструментов XMP: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, Вс 01 окт 2006 17:14:39 Производитель: Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) Инструмент для создания: PScript5.dll версии 5.2 Дата изменения: 2012: 11: 22 01: 44: 51 + 02: 00 Дата создания: 2008: 01: 18 11: 24: 28 + 08: 00 Дата метаданных: 2012: 11: 22 01: 44: 51 + 02: 00 Формат: заявка / pdf Название: S8550 - Datasheet. www.s-manuals.com. Создатель: Тема: S8550 - Лист данных.www.s-manuals.com. Идентификатор документа: uuid: 1f2e0609-5ec9-42b7-b0bd-14b4e94ab848 Идентификатор экземпляра: uuid: a02353ac-cc39-4899-90d5-0a02d44c67b3 Количество страниц: 5 Ключевые слова: S8550, -, Datasheet., Www.s-manuals.com. Предупреждение: [Незначительное] Игнорирование повторяющегося информационного словаряМетаданные EXIF, предоставленные EXIF.tools
Лист данных MMS8550 — Тип корпуса: Биполярные транзисторы в пластиковом корпусе SOT-23,
2N6689 : Транзистор NPN, Корпус: TO-61.Соответствует стандарту MIL-PRF-19500/537 Устройства 2N6689 2N6690 Уровень квалификации JAN JANTX JANTXV Номинальные характеристики Коллектор-Эмиттер Напряжение Коллектор-База Напряжение Коллектор-База Напряжение Эмиттер-База Напряжение Базовый Ток Коллектор Ток Символ VCEO VCBO VCEX VEBO to +200 Макс. 1.0 Единица Vdc Adc = + 250C (1) Диапазон рабочих температур и температур хранения Характеристики рассеиваемой мощности.
2SC3708 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, применение низкочастотного драйвера.
2SJ172 : МОП-транзистор To-220.Низкое сопротивление при включении Высокая скорость переключения Низкий ток привода Устройство привода затвора 4 В Может работать от источника 5 В Подходит для моторного привода, преобразователя постоянного тока в постоянный, выключателя питания и соленоидного привода Позиция Сток к напряжению источника Затвор к напряжению источника Ток стока Пик стока ток Ток обратного стока между телом и стоком диода Рассеяние в канале Температура канала.
BDY28 : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO3 (TO204AA) ;; Vceo = 250 В ;; IC (продолжение) = 6А ;; HFE (мин) = 15 ;; HFE (макс.) = 180 ;; @ Vce / ic = 4V / 2A ;; FT = 10 МГц ;; PD = 85Вт.
C795 / 6RT305 : 100 мм, 3200 В, 3800 A. Тиристор типа C795 подходит для приложений с фазовым регулированием, таких как высоковольтные клапаны, используемые в статических компенсаторах реактивной мощности, и последовательная компенсация с тиристорным управлением. Он особенно оптимизирован для обработки часто применяемых сильных импульсных токов, необходимых для импульсных силовых цепей. Кремниевый переход изготавливается с помощью проверенного многодиффузионного процесса.
ESM4045DV : Силовой модуль NPN Darlington. БИПОЛЯРНЫЙ МОДУЛЬ ВЫСОКОГО ТОКА МОЩНОСТИ ОЧЕНЬ НИЗКИЙ СЛУЧАЙ РАБОТЫ Rth, УКАЗАННЫЙ СЛУЧАЙНОЙ ПЕРЕГРУЗКОЙ, Сверхбыстрая диодная изоляция (СООТВЕТСТВИЕ СООТВЕТСТВУЮЩИМ) ИБП. V CEV Напряжение коллектор-эмиттер V) V CEO (sus) Коллектор-эмиттер.
SI4410DY : SI4410DY; N-канальный полевой транзистор в режиме расширения ;; Пакет: SOT96-1 (SO8).
CSD17305Q5A : силовой МОП-транзистор NexFET с N каналом, 30 В, силовой МОП-транзистор с N-каналом, NxFET.
05002-1R2KAZ : КРЫШКА, КЕРАМИЧЕСКАЯ, 1.2PF, 250VDC, .05PF -TOL, .05PF + TOL, C0G TC CODE, -30,30PPM TC, 0603 КОРПУС. s: Диэлектрик: Керамический состав.
DZ2S110 : 11 В, 0,15 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.
EDBS06LTE : ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, КРЕМНИЙ, ДИОД TVS. s: Тип диода: Диоды-ограничители переходных напряжений; VBR: от 6 до 10 вольт; Пакет: SOT23, SOT-23, 6 PIN; Количество контактов: 6; Количество диодов: 4.
FDC6561AND87Z : 2500 мА, 30 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0,0950 Ом; Тип упаковки: СУПЕРСОТ-6; Количество блоков в ИС: 2.
MLS781M100EA0A : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 100 В, 770 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 770 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Ток утечки: 154 мкА; СОЭ: 238 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (-67,
NOSY377M002A0100 : КОНДЕНСАТОР, НИОБИЙ, 2,5 В, 330 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 7343LM. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: ниобий / оксид ниобия; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 330 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 2.5 вольт; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Операционная.
THS105R0J : РЕЗИСТОР, ПРОВОДКА, 10 Вт, 5%, 50 ppm, 5 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / Упаковка: шасси на болтах, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 5 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 10 Вт (0,0134 л.с.).
UVZ1E470MDD1TA : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 47 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 47 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 35,25 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 105 C (-67,
DRDzzzzW Datasheet от Diodes Incorporated
DS30573 Ред. 10-2
3 из 9
www.diodes.com DRD (xxxx) W
© Diodes Incorporated
Электрические характеристики, транзистор DRDN010W NPN @TA если не указано иное
Характерный символ Мин. макс. условие испытания блока
Коэффициент усиления постоянного тока hFE 150 800 IC = 100 мА, VCE = 1 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ 0.5 В IC = 300 мА, IB = 30 мА
Напряжение пробоя коллектор-база V (BR) CBO 45 мкВ IC = 100 мкА, IE = 0
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V (BR) CEO 18 мкВ IC = 1 мА, IB = 0
Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO 5 ⎯ В IE = 100 мкА, IC = 0
Ток отсечки коллектора ICBO ⎯ 1 мкА VCB = 40 В, IE = 0
Ток отсечки эмиттера IEBO ⎯ 1 мкА VEB = 4 В, IC = 0
Произведение коэффициента усиления по току и полосы пропускания fT100 МГц VCE = 10 В, IC = 50 мА, f = 100 МГц
Емкость Cobo ⎯ 8 пФ VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц
Электрические характеристики , DRDN005W Транзистор NPN @TA = 25 ° C, если не указано иное
Характерный символ Мин. Макс. Условие испытания блока
Напряжение пробоя коллектор-база В (BR) CBO 80 мкВ IC = 100 мкА, IE = 0
Пробой коллектор-эмиттер Напряжение V (BR) CEO 80 V IC = 1.0 мА, IB = 0
Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO 4,0 В IE = 100 мкА, IC = 0
Ток отсечки коллектора ICBO ⎯ 100 нА VCB = 60 В, IE = 0
VCB = 80 В, IE = 0
Ток отсечки коллектора ICES ⎯ 100 нА VCE = 60 В, IBO = 0 В
VCE = 80 В, IBO = 0 В
Коэффициент усиления постоянного тока hFE 100 ⎯ IC = 10 мА, VCE = 1,0 В
IC = 100 мА, VCE = 1,0 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ 0,25 В IC = 100 мА, IB = 10 мА
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE (SAT) ⎯ 1.2 В IC = 100 мА, VCE = 1,0 В
Произведение коэффициента усиления по току и полосы пропускания fT100 ⎯ МГц VCE = 2,0 В, IC = 10 мА,
f = 100 МГц
Электрические характеристики, транзистор DRDP006W PNP @ TA = 25 ° C, если не указано иное
Характерный символ Мин. макс. условия испытания устройства
Коэффициент усиления постоянного тока hFE 100 300 IC = -150 мА, VCE = -10 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (SAT) ⎯ -0,4 В IC = -150 мА, IB = -15 мА
Напряжение пробоя коллектор-база В (BR) CBO -60 мкВ IC = -10 мкА, IE = 0
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер В (BR) CEO -60 мкВ IC = -10 мА, IB = 0
Напряжение пробоя эмиттер-база В (BR) EBO -5 В IE = -10 мкА, IC = 0
Ток отсечки коллектора ICBO -10 нА
VCB = -50 В, IE = 0
Полоса пропускания усиления по току Продукт fT200 ⎯ МГц VCE = -20 В, IC = -50 мА, f = 100 МГц
Емкость Cobo ⎯ 8 пФ VCB = -10 В, IE = 0, f = 1 МГц
900 07 Электрические характеристики, предварительно смещенный NPN-транзистор DRDNB16W @TA = 25 ° C, если не указано иноеХарактеристический символ Мин. Тип Макс.3 ⎯ ⎯ V VCC = 5 В, IO = 100 мкА
Входное напряжение Vl (вкл.) ⎯ ⎯ 2,0 В VO = 0,3 В, IO = 20 мА
Выходное напряжение VO (вкл.
