3904 транзистор характеристики: 2N3904 , , datasheet, , ,

Содержание

2N3904 транзистор характеристики и его российские аналоги

Юмор:
Кто последний, тот и папа.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N3904.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N3904 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N3904
транзистором 2N3904;
транзистором 2N4401;
транзистором BC349B;
транзистором КТ375А;
транзистором SC147;
транзистором SC147A;
транзистором SC147B;
транзистором SC148;
транзистором SC148A;
транзистором SC148B;

транзистором MPS6571;
транзистором GS9014;
транзистором GS9011I;
транзистором GS9014;
транзистором GS9011H;
транзистором MPSA20;
транзистором GS9014B;
транзистором GS9014C;
транзистором GS9011G;
транзистором GS9014A;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-11-28 00:03:16

дата записи: 2016-02-02 14:34:01

дата записи: 2018-01-27 10:33:27

дата записи: 2019-02-14 14:13:03

Добавить аналог транзистора 2N3904.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N3904? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2N3904 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3904

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.

31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

2N3904 Datasheet (PDF)

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA FEATURE NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and TO-92 Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emi

2N3904-T18 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 5. 84 (0.230) 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) GENERAL PURPOSE HERMETIC NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES • SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR 0.48 (0.019) • HERMETIC TO18 PACKAGE 0.41 (0.016) dia. • HI-REL SCREENING OPTIONS AVAILABLE • HIGH SPEED SATURATED SWITCHING 2.54 (0.100) Nom. APPLICATIONS A h

2N3904N Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Descriptions • General small signal application • Switching application Features • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.3V(MAX.) @ IC=50mA, IB=5mA • Low collector output capacitance : Cob = 3pF(Typ.) @ VCB=5V, IE=0, f=1MHz • Complementary pair with STA3906A Ordering Information Type NO. Mark

SEMICONDUCTOR 2N3904SC TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ·Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. ·Excellent DC Current Gain Linearity. ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. ·Complementary to 2N3906SC. MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC SYMB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N3903/D General Purpose Transistors 2N3903 NPN Silicon * 2N3904 *Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29�04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO�92 (TO�226AA) Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector�Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc C

1.6. 2n3904 3.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N3904 NPN switching transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 15 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor 2N3904 FEATURES PINNING � Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � High-speed switch

2N3904 � SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Ordering Code Marking Package / Shipment 2N3904 2N3904 TO-92 / Bulk 2N3904-AP 2N3904 TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY THE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS 2N3906 TO-92 TO-92 APPLICATIONS Bulk Ammopack WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENT S

2N3904 MMBT3904 PZT3904 C C E E C C TO-92 B B SOT-23 B E SOT-223 Mark: 1A NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Absolute Maximum Ratings* TA = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V

1.9. 2n3904.pdf Size:169K _fairchild_semi

October 2011 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904 NPN General Purpose Amplifier Features � This device is designed as a general purpose amplifier and switch. � The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 2N3904 PZT3904 MMBT3904 C C E E C B TO-92 SOT-23 SOT-223 B Mark:1A EBC Absolute Maximum Ratings* Ta = 25�C unless otherwise noted Symbol Param

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 � Fax: (631) 435-1824

MCC Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth 2N3904 Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant.

See ordering information) NPN General Capable of 600mW of Power Disspation and 200mA Ic Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Purpose Amplifi

2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon Features http://onsemi.com � Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 2 BASE Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 1 Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current — Continuous IC 200 mAdc Total Device Dissipation PD @ TA = 25�C 625

1.13. 2n3904.pdf Size:214K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N3904 NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW * Complementary to 2N3906 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2N3904L-T92-B 2N3904G-T92-B TO-92 E B C Tape Box 2N3904L-T92-K 2N3904G-

1.14. 2n3904.pdf Size:162K _auk

2N3904 NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection • General small signal application C • Switching application Features B • Low collector saturation voltage • Collector output capacitance E • Complementary pair with 2N3906 TO-92 Ordering Information Type NO.

Marking Package Code 2N3904 2N3904 TO-92 Absolute maximum ratings Ta=25°C Characteri

1.15. 2n3904.pdf Size:378K _secos

2N3904 0.2A, 60V NPN General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead free FEATURES TO-92 Power Dissipation PCM: 625mW (Ta=25°C) G H 1Emitter 1 1 1 Collector Current ICM: 200mA 2Base 2 2 2 Collector – Base Voltage V(BR)CBO: 60V 3Collector 3 3 3 J A D CLASSIFICATION OF hFE(1) Milli

SEMICONDUCTOR 2N3904V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES Low Leakage Current DIM MILLIMETERS 2 _ : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 @VCE=30V, VEB=3V. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 Excellent DC Current Gain Linearity. _ E 1.2 + 0.05 Low Saturation Voltage _ G 0.8 0.05

SEMICONDUCTOR 2N3904E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION. E B DIM MILLIMETERS FEATURES _ + A 1.60 0.10 D Low Leakage Current _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ @VCE=30V, VEB=3V. E 1.60 0.10 + _ + 1.00 0.10 G Excellent DC Current Gain Linearity. H

SEMICONDUCTOR 2N3904C TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Excellent DC Current Gain Linearity. D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=0.3V(Ma

1.19. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS FEATURES _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 Low Leakage Current C 1.30 MAX 2 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.

20 @VCE=30V, VEB=3V. 1 G 1.90 H 0.95 Excellent DC Current Gain Linearity. J 0.13+0.1

1.20. 2n3904.pdf Size:51K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Excellent DC Current Gain Linearity. D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=0.3V(Max.)

SEMICONDUCTOR 2N3904U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E M B M DIM MILLIMETERS FEATURES _ A + 2.00 0.20 D 2 Low Leakage Current _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 @VCE=30V, VEB=3V. G 0.65 Excellent DC Current Gain Linearity. H 0.15+0

1.22. 2n3904a.pdf Size:657K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Low Saturation Voltage D 0.45 E 1.00 : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. F 1.27 G 0.85 Low Collector Outp

1.23. 2n3904.pdf Size:307K _lge

2N3904(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended This transistor is also available in the SOT-23 case with the type designation MMBT3904 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)

1.24. 2n3904.pdf Size:612K _wietron

2N3904 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO 6. 0 Vdc Collector Current IC 200 mAdc PD 625 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C Storage, Temperatur

1.25. h3n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.11.25 Revised Date : 2005.01.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 h3N3904 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The h3N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature.

1.26. 2n3904 to92.pdf Size:398K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA FEATURE NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and TO-92 Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emi

1.27. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904S TECHNICAL DATA General Purpose Transistor • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 2N3904S 1AM 3000/Tape & Reel 2 1 MAXIMUM RATINGS SOT–23 Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO 60 Vdc 3 COLLECTOR Emitter–Base Vo

1.28. 2n3904u.pdf Size:201K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904U TECHNICAL DATA General Purpose Transistor • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping AM 2N3904U 3000/Tape & Reel 1 2 SC-70 / SOT– 323 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 COLLECTOR Collector–Base Voltage VCBO 60 Vdc 1 Emi

1.29. 2n3904.pdf Size:383K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd 2N3904 NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW * Complementary to 2N3906 Lead-free: 2N3904L Halogen-free:2N3904G ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Plating Halogen Fre

NPN транзистор 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Это устройство предназначено как усилитель общего назначения и переключатель.

Полезные динамический диапазон простирается до 100 мА как переключатель и до 100 МГц в качестве усилителя.

Наименование производителя: 2N3904

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 135

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 4

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

 

 

Скачать описание 2N3904 datasheet

 

 

Транзистор и его аналоги:

 Ucb  Uce  Ueb  Ic  Ft  Caps
2N3904  Si  NPN  0. 31  60  40  0.2  135  40  TO92
2N3904A  Si  NPN  1.5  60  40  0.2  150  100  TO92
2N3904C  Si  NPN  0.625  60  40  0.2  150  100  TO92
2SC1213AKC  Si  NPN  0.4  0  50  0.5  100  TO92(1)
2SC1213AKD  Si  NPN  0.4  0  50  0.5  160  TO92(1)
2SC2474  Si  NPN  0.6  60  0  0.2  150  150  TO92
2SC2475  Si  NPN  0.6  60  0  0.6  150  200  TO92
2SC2477  Si  NPN  0. 6  60  0  0.6  150  150  TO92
2SC4145  Si  NPN  1.2  80  0  2  150  200  TO92
2SC6132  Si  NPN  0  0  80  1  100  TO92
2SC6136  Si  NPN  0.5  600  285  0.7  0  TO92
2SD1015  Si  NPN  0.9  140  50  2  150  150  TO92
2SD1209  Si  NPN  0.9  60  0  1  150  4000  TO92
2SD1388  Si  NPN  0.7  60  0  1  150  250  TO92
2SD1490  Si  NPN  0. 75  70  0  1  150  60  TO92
2SD1642  Si  NPN  0.7  100  0  2  150  40  TO92
2SD1698  Si  NPN  0.75  100  0  0.8  150  10000  TO92
2SD1701  Si  NPN  0.75  1700  0  0.8  150  10000  TO92
2SD1853  Si  NPN  0.7  80  60  1.5  150  2000  TO92
2SD1929  Si  NPN  1.2  60  0  2  150  5000  TO92
2SD1930  Si  NPN  1.2  100  0  2  150  5000  TO92
2SD1931  Si  NPN  1. 2  60  0  2  150  10000  TO92
2SD1978  Si  NPN  0.9  120  0  1.5  150  10000  TO92
2SD1981  Si  NPN  1  100  80  2  150  24000  TO92
2SD2068  Si  NPN  1  60  0  1  150  18000  TO92
2STL1360  Si  NPN  0  80  60  3  160  TO92L
2STL2580  Si  NPN  0  800  400  1  60  TO92MOD
2STX1360  Si  NPN  0  80  60  3  160  TO92
3TE440  Si  NPN  10  80  0  1. 5  150  40  TO92
3TE450  Si  NPN  5  80  0  0.5  150  40  TO92
BFX152  Si  NPN  0.83  100  0  0.3  175  75  TO92
C266  Si  NPN  0.825  0  60  2  175  45  TO92
ECG123AP  Si  NPN  0.5  75  40  0.8  175  200  TO92
ECG2341  Si  NPN  0.8  0  80  1  150  2000  TO92
HEPS0015  Si  NPN  0.31  60  40  0.6  135  200  TO92
HEPS0025  Si  NPN  0.35  60  40  0. 6  150  100  TO92
HIT667  Si  NPN  0.9  0  100  1  140  TO92Mod
HSE424  Si  NPN  0.31  60  40  0  150  80  TO92
KN3903  Si  NPN  0.625  0  40  0.2  50  TO92
KN3904  Si  NPN  0.625  60  40  0.2  150  100  TO92
KN4400  Si  NPN  0.625  0  40  0.6  50  TO92
KN4401  Si  NPN  0.625  0  40  0.6  100  TO92
KSC1072  Si  NPN  0.8  60  45  0. 7  150  40  TO92
KSP8097  Si  NPN  0.625  60  40  0.2  150  250  TO92
KTC1006  Si  NPN  1  0  80  0.8  175  100  TO92
KTC1027  Si  NPN  1  0  120  0.8  175  80  TO92
KTC3227  Si  NPN  1  0  80  0.4  175  70  TO92
KTC3228  Si  NPN  1  0  160  1  175  60  TO92
KTC3245  Si  NPN  0.625  400  350  0.3  150  50  TO92
NTE2341  Si  NPN  1  100  80  1  2000  TO92
NTE46  Si  NPN  0. 625  100  100  0.5  10000  TO92
NTE48  Si  NPN  1  60  50  1  25000  TO92
P2N2222A  Si  NPN  0.625  0  40  0.6  100  TO92
STL73D  Si  NPN  0  700  400  1.5  0  TO92
STPSA42  Si  NPN  0  300  300  0  40  TO92
STSA1805  Si  NPN  0  150  60  5  150  TO92
STSA851  Si  NPN  0  150  60  5  85  TO92
STX0560  Si  NPN  0  800  600  0  70  TO92
STX112  Si  NPN  0  100  100  2  1000  TO92
STX616  Si  NPN  0  980  500  1. 5  0  TO92
STX715  Si  NPN  0  140  80  1  40  TO92

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора 2N3904

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N3904  Si  NPN  0.31 60 40 6  0.2 135 300 4 40  TO92
2N3904A  Si  NPN  1. 5 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
2N3904C  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
2N3904G  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 100  TO92
2N3904N  Si  NPN  0.4 60 40 6  0.2 150 300 3 100  TO92N
2SC2474  Si  NPN  0.6 60 6  0.2 150 150  TO92
2SC2475  Si  NPN  0.6 60 6  0.6 150 200  TO92
2SC2477  Si  NPN  0. 6 60 6  0.6 150 150  TO92
2SC4145  Si  NPN  1.2 80 2 150 200  TO92
2SC6136  Si  NPN  0.5 600 285 8  0.7 150 100  TO92
2SD1015  Si  NPN  0.9 140 50 50 2 150 150  TO92
2SD1209  Si  NPN  0.9 60 1 150 4000  TO92
2SD1388  Si  NPN  0.7 60 1 150 250  TO92
2SD1490  Si  NPN  0.75 70 1 150 60  TO92
2SD1642  Si  NPN  0. 7 100 2 150 40  TO92
2SD1698  Si  NPN  0.75 100  0.8 150 10000  TO92
2SD1701  Si  NPN  0.75 1700  0.8 150 10000  TO92
2SD1853  Si  NPN  0.7 80 60 6  1.5 150 2000  TO92
2SD1929  Si  NPN  1.2 60 2 150 5000  TO92
2SD1930  Si  NPN  1.2 100 2 150 5000  TO92
2SD1931  Si  NPN  1.2 60 2 150 10000  TO92
2SD1978  Si  NPN  0. 9 120  1.5 150 10000  TO92
2SD1981  Si  NPN 1 100 80 6 2 150 24000  TO92
2SD2068  Si  NPN 1 60 1 150 18000  TO92
2SD2206A  Si  NPN  0.9 120 2 2000  TO92MOD
2SD2213  Si  NPN  0.9 150 80 8  1.5 150 1000  TO92MOD
2STL2580  Si  NPN  1.5 800 400 9 1 150 60  TO92MOD
3DG3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0. 2 150 300 4 100  TO92
3TE440  Si  NPN 10 80  1.5 150 350 40  TO92
3TE450  Si  NPN 5 80  0.5 150 350 40  TO92
BFX152  Si  NPN  0.83 100  0.3 175 500 75  TO92
BTN3904A3  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
C266  Si  NPN  0.825 60 10 2 175 45  TO92
CE1N2R  Si  NPN 1 60 60 15 2 150 1000  TO92
CE2F3P  Si  NPN 1 60 60 15 2 150 1000  TO92
ECG123AP  Si  NPN  0. 5 75 40  0.8 175 300 200  TO92
ECG2341  Si  NPN  0.8 80 1 150 2000  TO92
h3N3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
HEPS0015  Si  NPN  0.31 60 40  0.6 135 300 200  TO92
HEPS0025  Si  NPN  0.35 60 40  0.6 150 300 100  TO92
HIT667  Si  NPN  0.9 120 100 6 1 150 140  TO92MOD
HSE424  Si  NPN  0. 31 60 40 150 400 80  TO92
KN3903  Si  NPN  0.625 40  0.2 50  TO92
KN3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
KN4400  Si  NPN  0.625 40  0.6 50  TO92
KN4401  Si  NPN  0.625 40  0.6 100  TO92
KSC1072  Si  NPN  0.8 60 45 8  0.7 150 40  TO92
KSP8097  Si  NPN  0.625 60 40 6  0. 2 150 4 250  TO92
KTC1006  Si  NPN 1 80  0.8 175 100  TO92
KTC1027  Si  NPN 1 120  0.8 175 80  TO92
KTC3227  Si  NPN 1 80  0.4 175 70  TO92
KTC3228  Si  NPN 1 160 1 175 60  TO92
KTC3245  Si  NPN  0.625 400 350 6  0.3 150 50  TO92
NTE2341  Si  NPN 1 100 80 7 1 2000  TO92
NTE46  Si  NPN  0. 625 100 100 12  0.5 10000  TO92
NTE48  Si  NPN 1 60 50 12 1 25000  TO92
P2N2222A  Si  NPN  0.625 40  0.6 300 100  TO92
SK3854  Si  NPN  1.2 75 40 6  0.8 300 200  TO92
STX0560  Si  NPN  1.5 800 600 7 1 150 70  TO92
TSC873CT  Si  NPN 1 600 400 9  0.3 150 80  TO92

Биполярный транзистор 2N3904 — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты

Наименование производителя: 2N3904

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
  • Корпус транзистора: TO92

Автор: Редакция сайта

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Выходные характеристики Q2N3904.

OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Выходные характеристики Q2N3904

Для получения выходных характеристик вернемся к схеме на рис. 10.1. Создайте новый проект в Capture с именем bjtchar. Введем компонент IDC, затем R (для RB), затем снова R (для RC), затем VDC и 0 для «земли». Затем выберем транзистор типа Q2N3904 из библиотеки eval. Установим имена и значения компонентов, соответствующие рисунку, и соединим компоненты проводами. Пронумеруйте узлы, как на рис. 10.1 (с помощью Place, Netlist). Небольшое замечание касается условного направления тока через RС. Ниже приведена команда PSpice для ввода резистора RС.

RC 4 3 0.01

Порядок следования узлов (4, 3) означает, что ток резистора будет положителен, когда он направлен справа налево, то есть от узла 4 к узлу 3. Применим это соглашение к нашему анализу в Capture. Выберите RС и дважды поверните появившееся изображение, чтобы привести направление в соответствие с порядком следования узлов. Схема показана на рис. 15.1.

Рис. 15.1. Схема для биполярного транзистора, полученная в Capture

Для моделирования используйте имя Bjt1 и выберите тип анализа DC Sweep. Команда для анализа на PSpice:

.dc VCC 0 10V 0.05V IB 5uA 25uA 5uA

используется, чтобы выполнить вложенную вариацию. В Capture, для внутреннего цикла выбирается в качестве переменной напряжение источника VCC, которое линейно изменяется от 0 до 10 В с шагом 0,05 В, как показано на рис. 15.2. Переменной внешнего цикла является ток IB, изменяющийся от 5 до 25 мкА с шагом 5 мкА (рис. 15.3).

Рис. 15.2. Установки для моделирования биполярного транзистора

Рис. 15.3. Использование источника тока для внешнего цикла вариации параметров 

Выполните моделирование и в Probe получите график I(RC). При этом будет выведено необходимое семейство характеристик, с одной кривой для каждого приращения тока базы в 5 мкА. Результаты показаны на рис. 15.4.

Рис. 15.4. Выходные характеристики биполярного транзистора

Выходной файл, полученный в Capture, показан на рис. 15.5. Сравните его с соответствующим выходным файлом, приведенным в главе 10. Отметим две команды, приведенные под заголовком Analysis directives: и порядок следования узлов для строки, вводящей RC

R RC 4 3 0.01

**** 09/27/99 14:13:33 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **********

** circuit file for profile: Bjt1

*Libraries:

* Local Libraries :

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:

.lib nom.lib

*Analysis directives:

.DC LIN V_VCC 0 10V 0.05V

+ LIN I_IB 5uA 25uA 5uA

.PROBE

*Netlist File:

.INC "bjtchar-SCHEMATIC1.net"

*Alias File:

**** INCLUDING bjtchar-SCHEMATIC1.net ****

* source BJTCHAR

V_VCC 4 0 10V

R_RC  4 3 0.01

R_RB  12 0.01

I_IB  0 1 DC 25uA

Q_Q1  3 2 0 Q2N3904

**** RESUMING bjtchar-SCHEMATIC1-Bjt1. sim.cir ****

.INC "bjtchar-SCHEMATIC1.als"

**** INCLUDING bjtchar-SCHEMATIC1.als ****

.ALIASES

V_VCC VCC(+=4 -=0 )

R_RC  RC(1=4 2=3 )

R_RB  RB(1=1 2=2 )

I_IB  IB(+=0 -=1 )

Q_Q1  Q1(c=3 b=2 e=0 )

_     _(1=1)

_     _(2=2)

_     _(3=3)

_     _(4=4)

.ENDALIASES

**** BJT MODEL PARAMETERS

Q2N3904 NPN

IS 6.734000E-15 BF 416.4

Рис. 15.5. Выходной файл для биполярного транзистора 

Такой порядок был определен, когда мы дважды повернули RC из первоначальной позиции. Транзистор введен строкой

Q_Q1 3 2 0 Q2N3904

Полюса 3, 2, 0 соответствуют коллектору, базе и эмиттеру.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.

Продолжение на ЛитРес

Какое идеальное сопротивление для значения базового резистора 2N3904 при использовании логики RTL?

Каждый транзистор имеет коэффициент усиления по току, обычно ββ или часеечасеев таблице. Типичные значения порядка 100. Когда транзистор не насыщен, то ток базы и ток коллектора связаны этим фактором:

ясзнак равночасееябясзнак равночасееяб

Когда базовый ток увеличивается до точки, в которой ток коллектора больше не может увеличиваться, транзистор называется насыщенным . Ток коллектора больше не может увеличиваться, потому что он не может допустить больше тока - ток полностью ограничен R1 на вашей диаграмме, а напряжение от эмиттера до коллектора минимально.

Когда мы разрабатываем цифровую логику, мы не хотим просто насыщать транзисторы. Мы хотим их насытить. Это обеспечивает дополнительную маржу против изменений вчасеечасее, а также принимает во внимание, что для более высоких частот (необходимых для быстрых переходов из высоких / низких частот), часеечасее эффективно снижается.

Основное правило: в цифровой логике расчет тока коллектора в 15 раз больше, чем базовый ток.

Итак, здесь вы выбрали коллекторный резистор 1 кОм. При насыщении напряжение эмиттер-коллектор намного меньше напряжения питания, поэтому мы можем оценить ток коллектора как:

ясзнак равно5 В1 к Ω= 5 мясзнак равно5В1КΩзнак равно5мA

Мы хотим, чтобы базовый ток составлял 1/15, что (0,33 мА), а напряжение на базовом резисторе будет напряжением питания, меньше примерно 0,65 В от соединения база-эмиттер Q1. Так:

р2знак равно5 В - 0,65 В0,33 м А= 13 к Ωр2знак равно5В-0,65В0,33мAзнак равно13КΩ

Ваш выбор 10 кОм достаточно близок.

Вы также можете увеличить значения резистора, поддерживая соотношение тока базы и коллектора, но уменьшая общий ток. Это уменьшает ваше энергопотребление, но также снижает логическую скорость, так как меньшие токи способны заряжать паразитные емкости менее быстро. Это компромисс между производительностью и потреблением энергии, который вы можете получить в качестве инженера.

Хаб на транзисторах КТ315Г

Хаб на транзисторах* 


Аналог 2N3904A - КТ315Г

Russian Ref

Europa/USA Ref

Function

KT315Г 2N3904A NPN transistor

Таблица взята отсюда

Примечание ККВ: в разделе Справочник приведена разводка сетевого разъема, как T, так и T4. По справочнику нашел отечественный аналог  транзистора 2N3904A – это КТ375А и Б. Их характеристики:

КТ375А

КТ375Б
Fгр 250МГц 250МГц
h21Э  10…100 50…280
Ik, max 100mA 100mA
UКЭ, max 2B  2B 
UЭБ, max
 Обратно
© 2004 Александр Джулай

2N3903 - NPN транзисторы общего назначения

% PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc. 2020-08-10T12: 47: 06 + 02: 002012-08-03T09: 35: 31-07: 002020-08-10T12: 47: 06 + 02: 00application / pdf

  • 2N3903 - NPN транзисторы общего назначения
  • ON Semiconductor
  • Acrobat Distiller 9.5.1 (Windows) uuid: f9ea5f66-3e52-40eb-8263-a4c7a93002b8uid: 453c8130-2c91-4a01-a82c-15637ada5b0a конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > поток HYOIǥ} OQ4]} jQ, + 3 g} $ 3vGc 챉 㡺 uj ('+ o # px ,. -LBf ~ geYŰxSGHSa # BtL UïoEˠTUHqc-N9hz6 / 揫 rby1.Yl & u {

    2N3904 Информация о распиновке транзисторов, эквивалент, использует

    Этот пост описывает информацию о транзисторе 2N3904 о распиновке, эквиваленте, использовании, описании, как использовать и где использовать в электронной схеме.

    Характеристики / технические характеристики:
    • Тип упаковки: TO-92
    • Тип транзистора: NPN
    • Максимальный ток коллектора (I C ): 200 мА
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
    • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 60 В
    • Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
    • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 625 милливатт
    • Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
    • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40-300
    • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

    PNP Дополнительный:

    PNP Дополнительным к 2N3904 является 2N3906

    Аналог:

    2N2222, S8050, 2N4401, BC537, SS9013 (конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от 2N3904, поэтому проверьте конфигурацию выводов перед заменой в цепи)

    2N3904 Транзистор объяснил / Описание:

    2N3904 - широко используемый транзистор общего назначения. Он в основном используется студентами-электронщиками и любителями в своих проектах, но он также используется в коммерческих электронных продуктах. Его можно использовать в широком спектре электронных приложений для коммутации и усиления. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 200 мА, поэтому пользователь может управлять нагрузками до 200 мА в своих электронных приложениях. Кроме того, 2N3904 также хорошо работает в качестве усилителя, полное рассеивание устройства составляет 625 мВт, благодаря чему его также можно использовать для аудио и радиосигнала. в целях усиления.

    Где и как использовать:

    2N3904 может использоваться в любых электронных приложениях, которые подпадают под его электрические характеристики, допустим, если вы хотите переключить нагрузку в электронном приложении, которое требует тока менее 200 мА, тогда этот транзистор будет работать достаточно хорошо, и вы можете управлять различными нагрузками с этим. транзисторы, например реле, мощные транзисторы, светодиоды, часть электронной схемы и т. д.При использовании в качестве усилителя его можно использовать в каскадах усиления звука, в качестве усилителя для управления небольшими динамиками, в качестве предусилителя звука, а также его можно использовать в каскадах усиления радиочастотных приложений.

    Приложения:

    Коммутационная нагрузка до 200 мА

    Цепи датчика

    Предусилители звука

    каскады усилителя звука

    Дарлингтонские пары

    Как безопасно продолжать работу в цепи:

    Чтобы обеспечить хорошую и долгосрочную работу этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА, всегда использовать подходящий базовый резистор, не обеспечивать напряжение коллектор-эмиттер более 40 В и всегда работать или хранить при температурах выше -55 градусов по Цельсию. и ниже +150 по Цельсию.

    2N3904 npn-транзистор, дополнительный pnp, замена, распиновка, конфигурация выводов, замена, маркировка 2N 3904, модель spice, аналог smd, даташит

    Характеристики транзистора 2N3904

    • Тип - NPN
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
    • Напряжение коллектор-база: 60 В
    • Напряжение эмиттер-база:
    • Ток коллектора: 0. 2 A
    • Рассеиваемая мощность коллектора - 0,625 Вт
    • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ) - 100 до 300
    • Частота перехода - 300 МГц
    • Уровень шума - 9000 дБ
    • Диапазон температур соединения при эксплуатации и хранении от -55 до +150 ° C
    • Упаковка - TO-92

    Распиновка 2N3904

    2N3904 изготовлен в пластиковом корпусе TO-92.Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо - это выводы эмиттера, базы и коллектора.
    Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.

    Дополнительный транзистор PNP

    2N3906 представляет собой дополнительный транзистор PNP для 2N3904.

    Версия SMD 2N3904

    2SC1623 (SOT-23), 2SC2712 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX3904 (SOT-323), FJX945 (SOT-323) , FMMT3904 (SOT-23), KN3904S (SOT-23), KSC1623 (SOT-23), KST3904 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), MMBT3904 (SOT-23), MMBT3904L (СОТ-23), MMBT3904LT1 (СОТ-23), MMBT3904LT1G (СОТ-23), MMBT3904LT3 (СОТ-23), MMBT3904LT3G (СОТ-23), MMBT3904T (СОТ-523904), MMBT3904T (СОТ-523904), MMBT3904T (СОТ-523904) (SOT-416), MMBT3904WT1 (SOT-323), MMBT3904WT1G (SOT-323), MMST3904 (SOT-323), PMBS3904 (SOT-23), PMBT3904 (SOT-23), PMST3904 (SOT-323904), PMST3904 (SOT-32390) SOT-223) и TMBT3904 (SOT-23) - это SMD-версия транзистора 2N3904.

    2N3904 Транзистор в корпусе TO-92

    KN3904 - это версия корпуса 2N3904 в корпусе TO-92.

    Замена и аналог 2N3904

    Вы можете заменить 2N3904 на 2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP22K, KSP222, KSPA22, KSP222 MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS8098, MPS8098G, MPS8099, MPS8099G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW P202, MPSW5G06, MPSW02, PN22, MPSW02 PN2222A, PN3569, PN4033 или ZTX450.

    2N3904 Spice Модель

     .MODEL 2N3904 PNP (
    + IS = 1.26532e-10
    + BF = 206,302
    + NF = 1,5
    + VAF = 1000
    + IKF = 0,0272221
    + ISE = 2.30771e-09
    + NE = 3,3 · 1052
    + BR = 20,6302
    + NR = 2,89609
    + VAR = 9,39809
    + ИКР = 0,272221
    + ISC = 2.30771e-09
    + NC = 1.9876
    + RB = 5,8376
    + IRB = 50,3624
    + RBM = 0,634251
    + RE = 0,0001
    + RC = 2.65711
    + XTB = 0,1
    + XTI = 1
    + EG = 1,05
    + CJE = 4.64214e-12
    + VJE = 0,4
    + MJE = 0.256227
    + TF = 4.19578e-10
    + XTF = 0,
  • 7 + VTF = 8,75418 + ITF = 0,0105823 + CJC = 3,76961e-12 + VJC = 0,4 + MJC = 0,238109 + XCJC = 0,8 + FC = 0,512134 + CJS = 0 + VJS = 0,75 + MJS = 0,5 + TR = 6.82023e-08 + ПТФ = ​​0 + KF = 0 + AF = 1)
  • 2N3904

    2N3904 - это малосигнальный NPN-транзистор общего назначения. Это один из самых дешевых транзисторов общего назначения, доступных в настоящее время на рынке, и он хорошо сравнивается с линейкой NPN-транзисторов BC.

    Этот транзистор также доступен в версиях для сквозных отверстий TO-92 Bulk и Ammopack. Версия SMD - MMBT3904 в корпусе SOT-23. Он также называется PZT3904 и доступен в SMD-корпусе SOT-223.

    Он имеет множество современных применений и применений. Он часто используется в предусилителях малых сигналов, генераторах и даже в радиосхемах.

    Его можно использовать в качестве переключателя для управления небольшими нагрузками до 200 мА. Он может управлять светодиодами, цепями датчиков температуры NTC, двигателями малой мощности и миниатюрными реле.


    Эквивалентный транзистор

    2N3904 имеет максимальный ток коллектора 200 мА и рассеиваемую мощность 625 мВт. Это хорошо сравнимо с транзисторами общего назначения BC547, BC548 и BC549, которые имеют пиковую мощность коллектора 200 мА и рассеиваемую мощность 500 мВт.

    2N3904 по сравнению с BC547

    Его электрические свойства намного лучше отличаются от BC547, где Vcbo = 50 В, Vces = 50 В, Vceo = 45 В, Vebo = 6 В. Это аналогично характеристикам 2N3904, где Vcbo = 60 В, Vceo = 40 В, Vebo = 6 В.

    Однако BC550 является еще более подходящим вариантом с Vcbo = 50 В, Vceo = 45 В, Vebo = 5 В.

    Для некритичных низковольтных систем часто можно произвести прямую замену в некоторых цепях; Если у вас есть хобби-проект, чтобы зажечь пару светодиодов или управлять небольшим реле, то это нормально.

    Однако учтите, что расположение выводов на двух транзисторах разное. Распиновка 2N3904 - это эмиттер, база, коллектор, а для диапазона BC - коллектор, база, эмиттер.Таким образом, замещающий транзистор BC должен быть направлен в противоположном направлении.

    Распиновка транзистора

    Конфигурация выводов этого транзистора очень проста. Как вы можете видеть на изображении выше, когда плоская сторона обращена к вам, выводы являются эмиттером, базой, коллектором. Это очень простая ориентация.

    Символ

    Вот символ транзистора NPN.

    hFE Значение

    Коэффициент усиления по постоянному току этого транзистора также находится в том же диапазоне, что и диапазон BC NPN-транзисторов общего назначения.Максимальное значение 300 может быть достигнуто при Ic = 10 мА и Vce = 1 В.

    Базовое напряжение

    Диапазон напряжения насыщения база-эмиттер составляет минимум 0,65 В и максимум 0,95 В. Предполагая, что базовый ток Ib равен 5 мА, ток коллектора Ic будет 50 мА.


    Стоимость

    2n3904 - один из самых дешевых транзисторов общего назначения. Его можно найти во многих магазинах электроники. Ваш местный магазин Maplin продаст один примерно за 49 пенсов. Код заказа: QR40T.

    Текущая рыночная цена на eBay составляет около двух фунтов за 100 штук у продавцов в Китае. Или два фунта за 20 штук у британских продавцов.

    Это один из многих транзисторов общего назначения, доступных в настоящее время, и в обозримом будущем цены должны оставаться низкими.

    Очень простая схема усилителя на транзисторе 2N3904

    Привет, Друзья.
    Сегодня я получил электронное письмо от Кунала Банерджи, отправил проект предусилителя в публикацию для всеобщего обозрения.Это очень простая схема усилителя, использующая только транзистор 2N3904. Хотя он очень маленький, но он все же имеет много применений. Также я собираюсь показать вам крошечный усилитель, использующий 2N3904 ниже.

    Очень простая схема усилителя на транзисторе 2N3904

    Как это работает

    Он говорит, что в ней низкий уровень шума, чем в обычных микросхемах. и чрезвычайно низкие искажения. Частотная характеристика : от 20 Гц до 20 кГц.
    Это высокий коэффициент усиления, но низкая выходная мощность и инвертирование выходного сигнала.

    Схема очень простых предусилителей, использующих 2N3904

    Внутрисхемную схему или схему, которая установлена ​​в цепи общего эмиттера .

    В электронике усилитель с общим эмиттером используется в качестве усилителя напряжения .

    В этой схеме вывод базы транзистора служит входом, коллектор - выходом, а эмиттер - общим.

    Мы можем использовать эту схему для увеличения нижнего сигнала до более высокого, прежде чем отправлять на обычный усилитель с низким коэффициентом усиления, но высокой мощностью.

    Как собрать it

    Также он прислал мне PCB SILK в виде компоновки компонентов, см. Ниже.
    PCB SILK

    И разводка PCB.
    ПЛАТА

    Списки деталей

    Конденсатор
    C1: 1 мкФ 25 В Электролитический
    C2: 0,1 мкФ 50 В Керамический или майларовый

    Резистор
    R1: 10K
    R2: 100K

    Q1: 2N0007

    Q1: 2N Мало того, что см. Усилитель более высокой мощности, чем этот ниже.

    Базовая схема усилителя на транзисторах с использованием 2N3904

    Это основная схема усилителя на транзисторах. Подходит, чтобы узнать, как работает транзистор.

    Рабочий диапазон транзистора можно разделить на 3 диапазона.

    Читайте также: Как работает транзистор

    Базовая схема усилителя транзисторов с использованием 2N3904

    Как это работает

    Когда есть входной сигнал, он проходит через C1. Чтобы отфильтровать только звуковой сигнал, подайте его на Q1 на выводе B. Это первое расширение (предусилитель). Какие конструкторы организуют схему усилителя в виде общего эмиттера.

    И есть R1 и R2 для подключения в цепи делителя напряжения для Q1.Но выходной сигнал на коллекторе (С) недостаточно сильный.

    Необходимо снова увеличить этот сигнал на Q2 и Q3. Какие Q2 и Q3 ต่อ กัน เป็น цепи Дарлингтона. Это соединение 2-х транзисторов с похожими характеристиками. Следовательно, выигрыш в большем расширении.

    Некоторые называют это hFE2. Например, если каждый транзистор имеет hFE = 100, общий коэффициент усиления будет равен (100 × 100) = 10 000 раз. Оттуда усиленный сигнал подается на проход C3 громкоговорителя SP1.

    Детали, которые вам понадобятся

    Резисторы 0,25 Вт, допуск: 5%

    • R1: 3,3 МОм
    • R2: 820K
    • R3: 39K
    • R4: 10K
    • R5: 330 Ом
      64

    900 Конденсаторы

    • C1: 1 мкФ 16 В
    • C2: 47 мкФ 16 В
    • C3: 220 мкФ 16 В

    Полупроводники и др.

    • Q1: 2SC1815, 45V 0.1A, NPN Transistor
      04
      04 Транзистор NPN 40 В, 0,2 А
    • SP1: 8 Ом Динамик 0.5 Вт
    • B1: батарея 6 В

    Отобранные статьи по теме, которые вы можете прочитать:

    ПОЛУЧИТЬ ОБНОВЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ЭЛЕКТРОННУЮ ПОЧТУ

    Я всегда стараюсь сделать Electronics Learning Easy .

    2N3904 NPN транзистор, Utsource

    Номер детали: 2N3904

    Введение :

    2N3904 - это транзистор NPN, который используется для общего назначения, включая переключение и усиление.Он имеет три терминала: Эмиттер, База и Коллектор. Это тип биполярного переходного транзистора BJT, поскольку это транзистор с регулируемым током. В 2N3904, когда базовый штырь заземлен, эмиттер и коллектор будут открыты, что называется обратным смещением, в то время как эмиттер и коллектор будут закрыты, когда сигналы будут переданы на базовый штырь, это называется прямым смещением.

    2N3904 Конфигурация контактов

    Штифт #

    Имя контакта

    Рабочий

    1

    Излучатель

    Ток выходит через эмиттер

    2

    База

    Управляет смещением транзистора

    3

    Коллектор

    Ток проходит через коллектор

    Усилительная способность транзистора определяется значением усиления транзистора NPN, которое составляет 300 для 2N3904.Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА. Таким образом, мы не можем использовать этот транзистор для нагрузок, потребляющих более 200 мА. Мы должны подавать ток на вывод базы для смещения транзистора, и это значение тока должно быть ограничено до 5 мА.

    Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в двух режимах; обрезанная область и область насыщенности. Когда трансформатор полностью смещен, через эмиттер и коллектор проходит полный ток, который составляет 200 мА.Этот режим называется областью насыщения. Когда ток через базу снимается, транзисторы полностью выключены, тогда этот режим называется зоной отсечки. Когда он действует как переключатель, максимальный ток, который он может поддерживать, составляет 100 мА, а в качестве усилителя он может поддерживать максимальную частоту 100 МГц.

    Номинальное напряжение / ток:

    Параметры

    Значения

    Шт.

    Тип транзистора

    Биполярный переходной транзистор BJT

    -

    Тип BJT

    НПН

    -

    Напряжение Макс.

    40

    В

    Ток Макс.

    200

    мА

    2N3904 NPN Технические характеристики и характеристики 参数

    • Биполярный NPN-транзистор
    • 2N3904 обычно используется для усиления и быстрого переключения
    • Максимальный ток коллектора (Ic) 200 мА
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce) 40V
    • Максимальное напряжение коллектор-база (Vcb) 60V
    • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO) 6V
    • Рабочая температура (To) от -55 до 155 C

    2N3904 в качестве коммутатора

    Когда транзистор работает как переключатель, он работает в области насыщения двух режимов и отсекает область, как объяснялось ранее.Когда мы обеспечиваем необходимое количество тока на базовом выводе, транзистор будет разомкнутым переключателем, когда он смещен в прямом направлении, и замкнутым переключателем, когда он смещен в обратном направлении. Ток на выводе базы должен быть не более чем на 5 мА больше, чем он разрушит транзистор. Вот почему резистор включен последовательно с базовым выводом. Это значение резистора можно рассчитать как

    RB = VBE / IB

    2N3904 как усилитель

    Транзистор может усиливать мощность, ток и напряжение в различных конфигурациях.Он действует как усилитель при работе в активной области. В схеме усилителя используются следующие конфигурации:

    ● Усилитель с общим эмиттером ● Усилитель с общей базой ● Усилитель с общим коллектором

    Когда он действует как усилитель, коэффициент усиления транзистора по постоянному току можно рассчитать по следующей формуле:

    Постоянного тока ...

    Читать далее "

    [PDF] Экспертиза (PSpice) BJT (2N3904

    Скачать экзамен (PSpice) BJT (2N3904...

    Исследование (PSpice) BJT (2N3904) Характеристики Цель Два полупроводниковых перехода, соединенных надлежащим образом встречно-спина, используются для формирования транзистора. Однако дело не в простом подключении двух дискретных диодов. Важно, чтобы между двумя соединениями была тесная связь, обеспечиваемая образованием соединений, расположенных близко друг к другу в одной и той же кристаллической среде. В этой заметке качественно обсуждаются физические соотношения, которые различают просто отдельные переходы от биполярного транзистора, и из этого обсуждения выводятся характеристики выводов биполярного переходного транзистора (BJT).Статические характеристики выводов типичного транзистора (2N3904) исследуются в компьютерном анализе PSpice с использованием точной нелинейной модели для этого устройства. Биполярный переходной транзистор Два полупроводниковых перехода, соединенных встречно-встречно, используются для образования транзистора. Однако дело не только в соединении двух диодов. Важно, чтобы фоновые кристаллические атомные силы для обоих переходов были непрерывными, и, кроме того, для эффективной работы транзистора важно, чтобы ширина области, разделяющей два перехода, была достаточно узкой.Есть две ориентации, в которых могут быть расположены стыковые соединения; в одном случае (NPN) соединения имеют общую P-область, а в другом случае (PNP) они имеют общую N-область. Эта общая область является «базой» устройства, и ее легирование однозначно характеризует тип транзистора. Природа транзисторных явлений формально одинакова для обеих ориентаций; различие между ними заключается в обмене ролями электронов (основного носителя для NPN) и дырок (основного носителя для PNP).Однако существуют важные практические различия в отношении полярности напряжения на клеммах, а также различия в параметрах материалов. Для данной цели для иллюстрации используется конкретное устройство NPN, 2N3904. При нормальной работе один переход, эмиттерный переход, обычно смещен в прямом направлении и используется для ввода носителей в первую очередь в центральную (базовую) область. Это соединение оптимизировано (и идентифицировано как таковое) производителем устройства для выполнения этой функции впрыска. Для устройства NPN, например, сторона N эмиттерного перехода сильно легирована n-типом по сравнению с базой, чтобы обеспечить большое количество электронов, которые будут инжектироваться в базу и диффундировать к другому переходу.И наоборот, сторона основания эмиттерного перехода относительно слабо легирована p-типом, чтобы уменьшить поток отверстий из основания. Такое предпочтительное введение носителей в базу по направлению к другому переходу характерно для «хорошего» транзисторного эмиттера. (Примечание: поменяйте роли носителей для устройства PNP, т. Е. Предпочтительно вводить дырки в базу n-типа.) Обычно электроны, инжектированные в базу, по мере того, как они проникают в базу, будут быстро захвачены дырками, образованными основные акцепторные примеси.Однако, если ширина базы сделана достаточно (очень) узкой, встречи между электронами и акцепторами становятся относительно редкими, и практически не происходит захвата до того, как инжектированные электроны достигнут второго «коллекторного» перехода (также оптимизированного и идентифицируемого производителем как коллектор). Этот переход обычно работает с обратным смещением, так что собственный ток коллекторного перехода представляет собой очень небольшой ток обратного смещения. Напомним, что этот собственный ток обратного смещения состоит из носителей, которые случайным образом блуждают в коллекторном переходе, где электрическое поле перехода перемещает их в коллектор.Обычно ток обратного смещения невелик, потому что мало электронов на базовой стороне перехода и мало дырок на коллекторной стороне перехода. Однако имеющееся электрическое поле перехода не различает электроны, присутствующие от того или иного источника, и действие качания через коллекторный переход также применяется к инжектированным электронам, переносимым через узкую базу от эмиттера. Что делает эту схему особенно интересной, так это то, что ток эмиттерного перехода (состоящий в основном из электронов, инжектированных в базу) может изменяться в большом диапазоне с небольшими изменениями напряжения эмиттерного перехода.Это обычное поведение перехода с прямым смещением, за исключением того, что особое внимание уделяется соответствующему легированию в пользу инжекции электронов в основание через поток дырок из базы. Поскольку практически все носители, вводимые в эмиттер, достигают коллекторного перехода (ширина базы сделана очень узкой, чтобы добиться этого примечания по вводной электронике Мичиганский университет Дирборн

    40-1

    ток коллектора - это, по сути, просто ток эмиттера (если пренебречь сравнительно небольшим собственным током утечки).Этот усиленный ток обратного смещения не чувствителен к напряжению коллектора (при условии, что коллекторный переход остается смещенным в обратном направлении и не подвержен обратному пробою). Следовательно, небольшое количество энергии, расходуемое на эмиттерном переходе, может управлять гораздо большей мощностью (тот же ток, больший диапазон напряжений) на коллекторе. Существуют различные эффекты второго порядка и другие проблемы для более полного понимания работы транзистора, но именно описанный механизм управления током является важной способностью транзистора.Транзистор ведет себя как управляемый источник тока с чувствительной зависимостью от напряжения эмиттерного перехода. Описанный тип транзистора называется биполярным переходным транзистором (BJT), потому что в отличие от устройств, описанных в другом месте, в формировании переходов участвуют как электроны, так и дырки. Значок, используемый для обозначения транзистора NPN, показан ниже. Имена имеют историческое происхождение в результате экспериментов, которые привели к разработке устройства. Как показано на рисунке, излучатель легко идентифицируется как единственный провод со стрелкой.Стрелка эмиттера всегда указывает P -> N, от основания в случае устройства NPN. Значок устройства PNP идентичен, за исключением того, что стрелка указывает от эмиттера на базу.

    Характеристики коллектора 2N3904 BJT с общей базой (модель PSpice) Ниже приводится компьютерный анализ, в котором нелинейная модель PSpice 2N3904 (NPN) BJT сравнивается с кусочно-линейной (Ebers-Moll) моделью того же устройства. Одновременно используется качественное описание явлений устройства для сравнения «экспериментальных» компьютерных данных с ожидаемыми.Транзистор подключен по схеме «общая база», что означает просто, что база обеспечивает общий вывод между портами ввода и вывода. Чтобы проиллюстрировать основные характеристики устройства, вычисляются характеристики «коллектора». Это набор параметрических кривых, показывающих зависимость тока коллектора от напряжения коллектора, с фиксированным током эмиттера для каждой кривой. Список соединений справа внизу обеспечивает вход PSpice, соответствующий схеме, нарисованной слева. Напряжение коллектор-база изменяется для нескольких параметрических значений тока эмиттера.* 2N3904 Характеристики с общей базой IEMITTER 1 0 DC 0 Q1 2 0 1 Q2N3904 VCB 2 0 DC 0V .LIB EVAL.LIB .DC VCB -,8V 10V .1 + IEMITTER 0 0,012 0,002 .PROBE .END

    Вводная электроника Примечания Мичиганский университет в Дирборне

    40-2

    Авторские права © MH Miller: 2000 исправлено

    Выходные данные PSpice показаны ниже

    Мы начинаем рассмотрение графика с характеристики для IE = 0; поскольку эмиттерный переход выключен, это, по сути, характеристика диода коллекторного перехода.Поскольку в базу практически не вводятся электроны, нет переноса через базу и увеличения тока коллекторного перехода. (Поскольку коллекторный переход обычно работает в режиме обратного смещения, правила полярности, используемые для транзистора, таковы, чтобы сделать ток прямого смещения коллекторного перехода отрицательным; экспоненциальная часть характеристики перехода, таким образом, появляется в левой части графика транзистора. Это помещает наиболее интересную часть характеристик в первый квадрант.Теперь обратите внимание, что другие характеристики, по сути, являются смещениями характеристики IE = 0, то есть введенный ток (на самом деле немного меньшая величина) просто добавляется к собственному току коллекторного перехода. Приращение смещения тока немного меньше приращения тока эмиттера, потому что инжектированные носители имеют небольшую потерю на рекомбинацию дырок, когда они пересекают базу. Однако, как правило, потери вряд ли достигают 5% и более чем вероятно будут ближе к 1% от потока носителя.В «нормальном» рабочем режиме (эмиттерный переход с прямым смещением, коллекторный переход с обратным смещением) характеристика транзистора как управляемого источника тока явно уместна. Фактически коллекторный переход может быть слегка смещен в прямом направлении до того, как ток будет введен коллектором обратно в базу; переход имеет очень небольшой прямой ток для прямого смещения ниже «коленного» напряжения примерно 0,5 В (для кремния). Модель Эберса-Молла Широко используемое представление первого порядка BJT (модель Эберса-Молла) предполагает независимую работу двух соединений «спина к спине», одно для обеспечения механизма инжекции носителей, а другое - для механизма сбора носителей. .(См. Рисунок ниже.} К этому добавляется, и это то, что отличает транзистор от прямого диодного соединения, управляемый источник тока, представляющий «действие транзистора», то есть механизм, с помощью которого носители вводятся в база через смещенный в прямом направлении эмиттерный переход почти все достигают и проходят через смещенный в обратном направлении коллекторный переход, чтобы добавить к току коллектора. Схема ниже (список соединений справа) моделирует представление Эберса-Молла BJT как два независимых «обратных соединения» Добавлены диоды и управляемый источник тока для представления инжекции носителей эмиттерного перехода в базу и последующего сбора коллекторным переходом.(Строго говоря, через эмиттерный переход должен быть источник тока, отражающий возможную «обратную» работу, то есть с использованием назначенного эмиттерного перехода в качестве коллектора и наоборот. Поскольку коллекторный переход является плохим эмиттером, а эмиттерный переход - плохим коллектором эта «обратная» операция используется редко, если вообще используется, и, отражая такое неиспользование, источник тока эмиттера просто опущен для простоты.)

    Общие примечания по электронике Университет Мичигана-Дирборн

    40-3

    Copyright © MH Miller: 2000 доработанная

    * МОДЕЛЬ ЭМ для диодов 2N3904 * 1N4004 и α = 0.99 IEMITTER 1 0 DC .002 VBE 3 1 DC 0V DBE 0 3 D1N4004 DBC 0 2 D1N4004 VCB 2 0 DC 0V FVIE 2 0 VBE 0,99 .MODEL D1N4004 D (Is = 14,11n + N = 1,984 + Rs = 33,89 м Ikf = 94,81 Xti = 3 + Eg = 1,11 Cjo = 25,89p M = 0,44 Vj = 0,3245 ​​+ Fc =. Bv = 600 Ibv = 10u Tt = 5,7u) .DC VCB -,8V 0V .1 + IEMITTER0 .012 .002 .PROBE .END Выполняются два вычисления. В первом используется модель нелинейного диода 1N4004 PSpice как репрезентативная для «реальных» характеристик диода. Это отражает физику БЮТ, на котором основана модель Эберса-Молла. (Примечание: источник напряжения VBE вставлен для последующего использования; его сила установлена ​​на 0, и поэтому фактически является коротким замыканием для этого конкретного вычисления.) Следует признать, что модель не учитывает все рабочие характеристики нелинейной модели BJT; более сложные аспекты, такие как частотная характеристика, насыщенность и температурная чувствительность, являются некоторыми упущениями. Параметр «усиление» управляемого источника тока (соответствующий коэффициенту усиления транзистора по току α) равен 0,99; это значение взято из спецификации производителя 2N3904. Обратите внимание на предыдущую характеристику коллектора, что α практически постоянно. Вычисленные характеристики (см. Ниже) полностью соответствуют предыдущим результатам.Как отмечалось ранее, показанная модель BJT действительна только для нормальной работы в прямом направлении, поскольку обратное действие транзистора не учитывается. (Для этого добавьте управляемый источник тока, представляющий инжекцию в коллекторном переходе; параметр усиления, однако, будет меньше. Однако, как отмечалось ранее, BJT вряд ли будет работать в реверсивном режиме, и этот источник тока не будет влиять на вычислений в нормальном режиме.) Рассчитанные коллекторные характеристики модели показаны ниже.Сравнение характеристик коллектора, моделируемого диодом, и более точной нелинейной модели коллектора оставлено в качестве упражнения.

    Идеализированная модель диода Для простоты вычислений можно использовать идеализированные модели диодов, а не нелинейные модели диодов. Это использование в первую очередь для ручных расчетов, но иногда в педагогических целях может быть полезно компьютерное моделирование идеализированных диодных моделей. Таким образом, DIDEAL в списке соединений ниже изменяет параметр излучения диода N (как описано в другом месте) для моделирования идеализированного диода.Номинальное смещение эмиттерного перехода учитывается VBE (установлено на 0,7 В), поскольку напряжение колена идеализированной модели было искусственно сделано незначительным. Обратите внимание, что подобный допуск для коллекторного перехода не делается, поскольку Примечания по вводной электронике 40-4 Copyright © MH Miller: 2000 Университет Мичигана-Дирборн пересмотрел упрощение

    . В условиях, когда будут использоваться упрощенные модели, это редко является особенно важным упущением. Конечно, при желании такой источник можно легко включить.Замечание о нижнем пределе диапазона напряжения развертки уместно. Прямой ток модели диода является экспоненциальной функцией прямого напряжения, и с уменьшенным параметром излучения ток удвоится примерно на нановольтное изменение напряжения. Таким образом, очень малые прямые напряжения соответствуют очень большим прямым токам. График текущих данных может непреднамеренно скрыть желаемую информацию из-за неподходящего масштаба, используемого для покрытия теоретически искусственного очень большого диапазона. Используйте масштабирование диапазона датчика, чтобы установить подходящий диапазон для интересующих данных.Далее следуют модифицированный список соединений и график вычисленных характеристик. Конечно, использование идеализированных диодов делает модель приближенной PWL, как видно из компьютерного графика. Здесь также сравнения оставлены в качестве упражнения. * 2N3904 Характеристики CB * МОДЕЛЬ EM Идеализированные диоды α = 0,99 IEMITTER 1 0 DC .004 VBE 3 1 DC 0,7V DBC 0 2 DIDEAL DBE 0 3 DIDEAL VCB 2 0 DC -0,1V FVIE 2 0 VBE 0,99 .MODEL DIDEAL D (N = 1U, RS = .001) .DC VCB -0,8V 10V .1V IEMITTER 0 .012 .002 .PROBE .END

    Общие характеристики коллектора эмиттера (2N3904) При интерпретации характеристик транзистора есть сюрпризы для неосторожных.Например, параметр усиления тока выключателя α существенно, но не совсем постоянен. Существует эффект второго порядка, который вызывает небольшие изменения α, слишком малые, чтобы их можно было легко различить в представлении CB характеристик коллектора. Но даже эффекты второго порядка могут стать важными в обстоятельствах, которые приуменьшают внимание к эффектам первого порядка, обычно маскирующим их. Это особенно хорошо иллюстрируется вычислением характеристик коллектора с общим эмиттером точно такой же нелинейной модели 2N3904, которая использовалась ранее.Стоит подчеркнуть (неоднократно), что модель транзистора для представления данных CE идентична модели, используемой для представления CB. Производительность устройства точно такая же, как и для вычисления CB. Отличается только способ представления информации, и это просто представление, которое подчеркивает эффекты второго порядка .. Введение в электронику Примечания Мичиганский университет Дирборн

    40-5

    Copyright © MH Miller: 2000 revised

    Рассматриваемый здесь конкретный эффект второго порядка называется ранним эффектом и связан с изменением электрической ширины полупроводникового перехода при изменении напряжения на переходе.Хотя это происходит как на эмиттере, так и на коллекторном переходе, именно последний переход является важным; при нормальной работе смещенное в прямом направлении напряжение эмиттера меняется очень мало даже при больших изменениях прямого тока. Ширина перехода немного увеличивается по мере увеличения обратного смещения на коллекторном переходе, что имеет два последствия. Во-первых, увеличение ширины коллекторного перехода уменьшает ширину базы, через которую носители, инжектированные в эмиттер, должны пересекать, чтобы достичь коллекторного перехода.База - враждебный регион для этих авианосцев. Электроны, введенные в основание устройства NPN, например, находятся в области p-типа, в которой они могут притягиваться и захватываться относительно высокой концентрацией дырок. Эта возможность, хотя и сделана очень маленькой по конструкции, несколько снижается из-за уменьшения времени воздействия инжектированных носителей, поэтому ток коллектора немного увеличивается. Следовательно, будет очень небольшая зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.Также есть небольшое увеличение (для увеличения ширины коллекторного перехода) транспортировки носителя по базе. Основной транспортный механизм - это прежде всего диффузия; Увеличение ширины перехода и, таким образом, уменьшение ширины базы имеет тенденцию немного увеличивать градиент концентрации носителей заряда и, следовательно, ток коллектора. Предположим, вы проводите измерения, чтобы получить данные, с помощью которых можно построить данную характеристику CB, и только что завершили считывание для точки на характеристиках. Чтобы получить данные для следующей точки, увеличивайте напряжение коллектор-эмиттер; поскольку напряжение эмиттерного перехода более или менее постоянно, это означает, что обратное смещение на коллекторном переходе увеличивается.Затем ранний эффект вызывает немного более эффективную передачу тока через базу. Базовый ток уменьшается; меньше перевозчиков теряется при базовом транзите. И это все ранний эффект, и все очень небольшое увеличение тока коллектора, которое проявляется на характеристических кривых. Но в отличие от представления CB, кривые CE предназначены для фиксированных базовых токов. Следовательно, чтобы завершить измерение для графика, базовая сила источника тока увеличивается, чтобы восстановить текущий уровень, соответствующий кривой, для которой берутся данные.Затем, из-за этого приращения базового тока, ток коллектора увеличивается, и это последнее увеличение не связано с ранним эффектом. Небольшое изменение, связанное с физикой транзисторов, искусственно «усиливается», чтобы соответствовать способу отображения данных. Данные, представленные на графике, показывают гораздо более существенное увеличение тока коллектора с напряжением коллектора, поскольку ток базы должен поддерживаться постоянным. Нелинейная модель PSpice BJT учитывает эффект Раннего, и эта модель используется для иллюстрации предыдущего обсуждения.Еще раз отметим, что это точно такая же модель транзистора, которая использовалась для предыдущих расчетов. Анализируемая схема изображена слева; базовый ток ступенчатый, чтобы обеспечить набор параметрических кривых CE для IC по сравнению с V CE, и они показаны ниже. График построен в широком диапазоне напряжений коллектора, чтобы подчеркнуть эффект раннего периода, который проявляется в виде заметного наклона характеристических кривых. Кривые экстраполируются на общую точку пересечения на оси напряжения, называемую ранним напряжением, значение, которое появляется как часть спецификаций производителя для устройства.Несколько показанных кривых экстраполированы для определения начального напряжения около -74 вольт. * 2N3904 Характеристики коллектора IBASE 0 1 DC 10U RBASE 1 0 10MEG Q1 2 1 0 Q2N3904 VCC 2 0 10 .LIB EVAL.LIB .DC VCC -50V 50V .1 IBASE 0 50U 10U .PROBE .END Для многих целей особого учета не требуется быть сделано для раннего эффекта; он встроен в нелинейную модель, подходящую для компьютерного анализа, и, как правило, не особенно важен для приближенных моделей PWL, используемых для оценки и определения важных взаимосвязей.(Конечно, при желании это можно учесть в модели PWL различными способами.) Вводные примечания по электронике Мичиганский университет Дирборн

    40-6

    те же данные для меньшего диапазона напряжений коллектора, чтобы обеспечить лучшую перспективу влияния эффекта Early в более обычном диапазоне работы. Обратите внимание, что за пределами рабочего диапазона «насыщения» (т.е. для VCE> 0,4 ​​В или около того) кривые аппроксимируют теоретически ожидаемые параллельные равноотстоящие (для равных приращений базового тока) линии, измененные наклоном, соответствующим эффекту раннего.

    Для некоторых приложений полезны подробные сведения о области насыщения CE. Насыщение происходит, когда коллекторный переход становится смещенным в прямом направлении, инжектируя носители в базу и обратно к эмиттеру. Это уменьшает чистый ток в коллекторе все больше и больше по мере уменьшения напряжения коллектора. Помните, что напряжение коллекторного перехода - это разница между напряжением коллекторного эмиттера и напряжением на эмиттерном переходе, смещенным в прямом направлении. Следовательно, коллекторный переход начинает смещаться в прямом направлении при напряжении коллектор-эмиттер примерно 0.7 вольт. Позвольте дополнительно понизиться на несколько десятых вольт, чтобы преодолеть «изгиб» диода, и на этом основании ожидайте, что насыщение начнет проявляться для напряжений коллектор-эмиттер в несколько десятых вольт. На следующем рисунке (см. Ниже) показан рабочий диапазон насыщения. Наконец, на следующем рисунке показан коэффициент усиления тока как функция тока базы; каждая кривая соответствует постоянному напряжению коллектора (вертикальная линия на характеристиках коллектора). За исключением более низких базовых токов (когда ток утечки коллекторного перехода вносит значительный вклад) ß (определенный на рисунке) относительно нечувствителен к изменениям либо тока коллектора, либо напряжения коллектора.

    Примечания по вводной электронике Университет Мичигана-Дирборн

    40-7

    Авторские права © MH Miller: 2000 исправлено

    PieceWise Linear CE BJT Model Для многих, если не самых простых ручных расчетов идеализированное диодное упрощение модели Эберса-Молла делает важную аналитическую информацию о характеристиках схемы BJT доступной с помощью упрощенных расчетов. По этой причине стоит рассмотреть и расширить предыдущее обсуждение модели Эберса-Молла.Базовая модель (версия NPN), представленная выше, воспроизводится на рисунке ниже слева. Иконки диодов заполнены просто, чтобы указать, что подразумевается экспоненциальная характеристика диода.

    Рассмотрение внутренней физики устройства позволяет выразить ток коллектора в терминах вводной электроники. Примечания Мичиганский университет Дирборн

    40-8

    Copyright © MH Miller: 2000 revised

    ток эмиттера вполне естественно . Однако с точки зрения использования схемы оказывается более удобным заменить ток эмиттера током базы в качестве дескриптора характеристик транзистора.По сути, это вопрос выбора, поскольку текущий закон Кирхгофа требует IE = IC + IB. Переопределение сделано справа от модели E-M, и, чтобы подчеркнуть изменение, схема перерисовывается, меняя местами ориентацию базы и эмиттера на чертеже. Опять же, это вопрос предпочтения, без электрических последствий. Обратите особое внимание на повторное выражение тока управляемого источника через IB. Последним упрощением является использование идеализированных моделей диодов вместо «экспоненциальных» диодов.Замена эмиттерного диода также включает в себя определение номинального напряжения прямого смещения эмиттерного перехода, хотя обычно это не делается для коллекторного перехода. Окончательная модель PWL, диоды теперь являются идеализированными диодами, показана справа. Нормальная работа «вперед» соответствует закрытому эмиттерному диоду и открытому коллекторному диоду; IB = ß I B. Для этого требуется базовое напряжение ≥ VBE и напряжение коллектора выше, чем базовое напряжение. Отсечка (эмиттерный диод открыт) соответствует напряжению базы ≤ VBE, а насыщение соответствует напряжению коллектора, равному напряжению базы.Поскольку модель не подходит для «обратного» режима, предполагается, что напряжение коллектор-эмиттер положительно. Подробное рассмотрение характеристических кривых, предсказываемых моделью, оставлено для упражнения.

    Примечания по вводной электронике Мичиганский университет в Дирборне

    40-9

    Авторские права © М. Х. Миллер: 2000 исправлено

    ПРОБЛЕМЫ 1) 2N3906 является PNP аналогом NPN 2N3906. Вычислите (постройте) коллекторные характеристики этого транзистора.Параметры модели PSpice приведены ниже. .МОДЕЛЬ Q2N3906 PNP (Is = 1,41f Xti = 3 Eg = 1,11 Vaf = 18,7 Bf = 180,7 Ne = 1,5 + Ise = 0 Ikf = 80 м Xtb = 1,5 Br = 4,977 Nc = 2 Isc = 0 Ikr = 0 Rc = 2,5 Cjc = 9,728p + Mjc = 0,5776 Vjc = 0,75 Fc = 0,5 Cje = 8,063p Mje = 0,3677 Vje = 0,75 Tr = 33,42n + Tf = 179,3p Itf = 0,4 Vtf = 4 Xtf = 6 Rb = 10 ) 2) Транзистор PWL моделирует действие транзистора с источником тока коллектора, пропорциональным току базы. Вычислить и построить график зависимости тока коллектора от тока базы; см. схему тестовой цепи.Затем нарисуйте типичную характеристику модели PWL, оценив соответствующее значение для ß. 3) Измените схему для задачи 2, заменив источник тока базы IB на источник напряжения VB. Вычислите ток коллектора как функцию напряжения базы (от 0,1 до 0,8 вольт с шагом 0,01 вольт). Из графика зависимости log (I (IC (Q1))) от VB следует заметить, что ток коллектора является экспоненциальной функцией напряжения базы. Постройте производную от логарифма, чтобы оценить показатель степени. 4) Транзистор с диодным соединением (VCC ≥ 0) представляет собой схемное соединение, часто используемое в интегральных схемах (по причинам, которые будут описаны позже).Рассчитайте вольт-амперную характеристику с помощью транзистора 2N3904. Кратко обсудите, чем это двухконтактное соединение отличается от диода. Транзистор работает в режиме насыщения? Какая связь между током, подаваемым VCC, и током эмиттера? Примечание. Приближение PWL справа может быть полезно при оценке характеристик схемы. 5) Составной «транзистор» формируется путем соединения устройств NPN и PNP, как показано. Устройство NPN обеспечивает базовый ток для устройства PNP. Оцените коэффициент усиления тока для комбинированных устройств по значениям ß отдельных устройств.Для 0 ≤ IB ≤ 1 мкампер вычислите ток эмиттера PNP I. Сравните крутизну наклона с оценкой ß. 6) Комбинация двух транзисторов (здесь NPN-устройства) показана в так называемом соединении Дарлингтона.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *