6863D транзистор характеристики. Характеристики и применение транзисторов со встроенным резистором смещения (БРТ)

Какие основные параметры важны для транзисторов БРТ. Как правильно читать их технические характеристики. На что обратить внимание при выборе БРТ для конкретного применения. Какие преимущества дает использование транзисторов со встроенным резистором смещения.

Содержание

Что такое транзисторы БРТ и их особенности

Транзисторы со встроенным резистором смещения (БРТ) — это специальные биполярные транзисторы, которые имеют интегрированный резистор между базой и эмиттером. Такая конструкция дает ряд преимуществ:

  • Упрощение схемы за счет исключения внешнего резистора смещения
  • Улучшение температурной стабильности
  • Уменьшение размеров и стоимости устройства
  • Повышение надежности

БРТ широко применяются в цифровых и аналоговых схемах, особенно в портативной электронике, где важны компактность и энергоэффективность. Чтобы правильно использовать такие транзисторы, необходимо понимать их ключевые параметры и особенности применения.


Основные электрические характеристики БРТ

При выборе и использовании транзисторов БРТ следует обращать внимание на следующие основные параметры:

1. Входное напряжение включения VI(ON)

Это минимальное напряжение между базой и эмиттером, необходимое для надежного открытия транзистора при заданном токе коллектора. Чем ниже VI(ON), тем меньшее управляющее напряжение требуется.

2. Входное напряжение выключения VI(OFF)

Максимальное напряжение база-эмиттер, при котором транзистор гарантированно закрыт. Важный параметр для цифровых схем, определяющий помехоустойчивость.

3. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)

Остаточное напряжение на открытом транзисторе. Чем оно меньше, тем меньше потери в ключевом режиме.

4. Максимальный ток коллектора IC(max)

Предельно допустимый ток через транзистор. Определяет область безопасной работы.

5. Коэффициент усиления по току hFE

Отношение тока коллектора к току базы. Важен для расчета схем усиления.

Как читать технические характеристики БРТ

При анализе datasheet транзистора БРТ обратите внимание на следующие моменты:


  • Все параметры обычно указываются для температуры 25°C, если не оговорено иное
  • Приводятся минимальные, типовые и максимальные значения параметров
  • Важно учитывать условия измерения (ток коллектора, напряжение и т.д.)
  • Обязательно изучите графики зависимостей параметров от температуры, тока и напряжения

Например, входное напряжение включения VI(ON) может быть указано так:

ПараметрУсловияМин.Тип.Макс.
VI(ON)IC = 1 мА, VCE = 5 В0.7 В0.75 В0.85 В

Это означает, что при токе коллектора 1 мА и напряжении коллектор-эмиттер 5 В транзистор гарантированно откроется при напряжении база-эмиттер не более 0.85 В.

Особенности применения БРТ в схемах

При использовании транзисторов БРТ в электронных устройствах следует учитывать некоторые нюансы:

Выбор рабочей точки

Важно правильно выбрать рабочую точку транзистора, обеспечив необходимый ток базы. При этом нужно учитывать, что встроенный резистор уже создает некоторое смещение.


Температурная зависимость

Хотя БРТ обеспечивают лучшую температурную стабильность по сравнению с обычными транзисторами, все же стоит учитывать изменение параметров при нагреве. Особенно это важно для мощных применений.

Частотные свойства

Встроенный резистор может ограничивать быстродействие транзистора на высоких частотах. Это следует учитывать при разработке высокочастотных схем.

Выбор номинала встроенного резистора

Производители обычно предлагают БРТ с разными номиналами встроенных резисторов. Выбор конкретного номинала зависит от требуемого тока базы и входного напряжения в вашей схеме.

Типовые применения транзисторов БРТ

Благодаря своим особенностям, транзисторы со встроенным резистором смещения нашли широкое применение в различных областях электроники:

  • Цифровые логические схемы
  • Интерфейсы ввода-вывода микроконтроллеров
  • Драйверы светодиодов
  • Маломощные ключи и переключатели
  • Усилители малых сигналов
  • Источники питания и преобразователи напряжения

Во всех этих применениях БРТ позволяют упростить схему, уменьшить количество компонентов и повысить надежность устройства.


Сравнение БРТ с обычными биполярными транзисторами

Чтобы лучше понять преимущества и особенности БРТ, сравним их с обычными биполярными транзисторами:

ПараметрБРТОбычный транзистор
СхемотехникаПроще (не нужен внешний резистор смещения)Требует дополнительных компонентов
Температурная стабильностьВышеНиже
Размер устройстваМеньшеБольше
Стоимость решенияНиже (за счет меньшего количества компонентов)Выше
Гибкость настройкиОграничена (фиксированный резистор)Выше (можно менять внешний резистор)

Как видно, БРТ имеют ряд преимуществ, особенно в компактных устройствах массового производства. Однако в некоторых специфических применениях обычные транзисторы могут быть предпочтительнее из-за большей гибкости настройки.

Рекомендации по выбору БРТ для конкретного применения

При выборе транзистора БРТ для вашего проекта учитывайте следующие факторы:

  1. Требуемый ток коллектора — выбирайте транзистор с соответствующим максимальным током IC(max)
  2. Рабочее напряжение схемы — убедитесь, что максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO транзистора достаточно
  3. Входное напряжение управления — сверьтесь с параметрами VI(ON) и VI(OFF)
  4. Требуемое быстродействие — обратите внимание на частотные характеристики
  5. Температурный диапазон работы устройства — проверьте графики температурных зависимостей
  6. Тип корпуса — выберите подходящий для вашего применения (SMD или выводной)

Также рекомендуется изучить примеры типовых схем применения, которые обычно приводятся в datasheet транзистора.


Заключение

Транзисторы со встроенным резистором смещения (БРТ) — это эффективное решение для многих электронных устройств. Они позволяют упростить схемотехнику, уменьшить размеры и повысить надежность. Однако для их правильного применения необходимо хорошо понимать их особенности и уметь правильно читать технические характеристики.

Грамотный выбор и использование БРТ может значительно улучшить параметры вашего устройства, особенно в области портативной электроники и массового производства. При этом важно учитывать специфику конкретного применения и тщательно анализировать все параметры транзистора.


транзистор%20sr%206863%20to-126 техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть BD6047AGUL РОМ Полупроводник Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором БМ2П016-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий МОП-транзистор
БМ2П0361К-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного/постоянного тока ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором BD9B305QUZ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БД9Д300МУВ РОМ Полупроводник Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БМ2П104ЭФ РОМ Полупроводник Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС

транзистор%20sr%206863%20to-126 Листы данных Context Search

Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP

Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером p-канальный mosfet Транзисторы mosfet p-канал Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Далее

Как читать техпаспорт (электрические характеристики) резистора смещения встроенного транзистора (БРТ) | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Как читать техническое описание (электрические характеристики) резистора смещения встроенного транзистора (BRT) | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Азия-английский

Эта страница частично использует JavaScript. Эта страница может работать неправильно, если эти функции не поддерживаются вашим браузером или настройка отключена.​
Пожалуйста, ищите необходимую информацию на следующих страницах:

Рис. 1 Эквивалентная схема NPN BRT

Основные электрические характеристики BRT поясняются ниже.
В техпаспорте электрические характеристики указаны при температуре окружающей среды (T и ) 25°C, если не указано иное. Обязательно обращайтесь к графикам в дополнение к значениям, показанным в таблице электрических характеристик.

Рисунок 2 I C – V I(ON)

1. Входное напряжение (ON), В I(ON)
V I(ON) – входное напряжение, необходимое для прохождения транзистором заданный ток при заданных условиях. Для безотказного включения БРТ необходимо подать напряжение выше максимального входного напряжения (ВКЛ) (В I(ВКЛ) ) на выводы базы (Б) и эмиттера (Э).
Кривые IC – VI(ON) показывают, что VI(ON) уменьшается с повышением температуры.

Рисунок 3 I C – V I(OFF)

2. Входное напряжение (OFF), В I(OFF)
V I(OFF) – входное напряжение, необходимое для выполнения условий, при которых BRT определяется как выключенный. Для обязательного выключения БРТ необходимо подать напряжение ниже минимального входного напряжения (ВЫКЛ) (В I(ВЫКЛ) ) на выводы базы (Б) и эмиттера (Э). Как и в случае с V I(ON) , V I(OFF) уменьшается при повышении температуры.

Входное напряжение отключения по продуктам
Характеристика Символ Тестовая схема Условия тестирования Мин. Тип. Максимум Блок
Входное напряжение (ВЫКЛ.) РН1401 по 1404 В I (ВЫКЛ.) В CE = 5 В, I C  = 0,1 мА 1,0 1,5 В
РН1405, 1406 0,5 0,8

БРТ при работе в области насыщения при заданном токе. В 9Кривые 0548 CE(sat) – I C показывают, что V CE(sat) увеличивается с повышением температуры.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *