ЧАСТЬ Описание Производитель 2N3723 2N2787 2N706B/46 2N3409 2N5188 2N3728
30 В, 2 КАНАЛА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-78 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 25В В(BR)Генеральный директор | 1А I(С) | TO-39 5-контактный µP контрольные цепи со сторожевым устройством и ручным сбросом ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 15В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-46 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 35В В(BR)Генеральный директор | 800 мА I (С) | ТО-5 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 500 мА I (С) | ТО-5 СЕМИКОА КОРП ФЗТ491 ФЗТ491А NPN Low Sat Transistor NPN Med Power Transistor SOT223 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ Тип: настенная розетка; Расположение вставок: 18-11 Зетекс Полупроводники Диоды Инкорпорейтед КТЦ1008 КТЦ1008ГР КТЦ1008-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN Транзистор общего назначения 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 KEC (Korea Electronics) Korea Electronics (KEC) 2N6132 2N6101 2N6491 2N6486 2N6487 2N6489 2N6099 2 КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 15 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB (2N6130 — 2N6134) NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР Силовой транзистор общего назначения с выводами Силовой транзистор с выводами Darlington http:// ON Semiconductor Central Semiconductor Corp. Advanced Semiconductor CENTRAL[Central Semiconductor Corp] Central Semiconductor C… BC550C BC549B BC549B-D BC549C BC550B
ТРАНЗИСТОР|BJT|NPN|45VV(BR)CEO|100MAI(C)|TO-92 Малошумящие транзисторы NPN Silicon(硅NPN低噪声晶体管) 100 мА, 45 В, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Низкий шум транзистор NPN Кремний (30 В 硅 npn 低噪声 晶体管) 低噪声 晶体管 npn 硅 (30 В 的 硅 npn 型 低 噪声 晶体管) ON Semiconductor http:// 2N1122 2N1405 2N1407 2N1101 2N1140 2N1535 2N1472 2 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 11В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-24 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 20В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-12 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 15В В(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | ТО-22 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 45В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 25В В(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | ТО-9 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 50В В(BR)Генеральный директор | 3,5 А I(С) | ИСТ-3РТ-1/2 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-5 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 50А I(С) | TO-36 5-контактный µP контрольные схемы со сторожевым устройством и ручным сбросом ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 150В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | ТО-82 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 250В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | ТО-82 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 50В В(BR)Генеральный директор | 12А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 110В В(BR)Генеральный директор | ТО-5 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 30В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-5 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 35В В(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | ТО-5 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 25МА I(С) | ТО-22ВАР ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 25А I(С) | ТО-36 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 20В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 30В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 90В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 50В В(BR)Генеральный директор | 7А I(С) | TO-3 晶体管|晶体管|进步党| 50V五(巴西)总裁| 7A条一(c)| ИС с 5 выводами, несколькими входами, программируемой перезагрузкой. 12V的五(巴西)总裁| 100 мА的一(c)| ИС с 5 выводами, несколькими входами, программируемой перезагрузкой. 65V的五(巴西)总裁|5A一(c)|6 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 15А I(С) | ТО-36 ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 38В В(BR)Генеральный директор | 15А I(С) | ТО-41 NXP Semiconductors N.V. Microsemi, Corp. 164-22 163-28 163-12 164-12 164-26 164-20 164-30 1 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 220В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 120В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 260В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 200В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 300В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 240В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 160В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 晶体管|晶体管|叩| 160V五(巴西)总裁|甲一c)| STR-5/16 晶体管|晶体管| npn型| 120伏特五(巴西)总裁|甲一c)| STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 40В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 晶体管|晶体管|叩| 40V的五(巴西)总裁|甲一(c)| STR-5/16 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 280В В(BR)Генеральный директор | 20А I(С) | STR-5/16 晶体管|晶体管| npn型| 280伏特五(巴西)总裁|甲一(c)| СТР-5/16 Эклиптек, Корпорация БУД7312 БУД7312-СМД 3 А, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-251 3 A, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-252 Из старой системы спецификаций Кремниевый NPN Высоковольтный переключающий транзистор ВИШАЙ ТЕЛЕФУНКЕН УПА1476 УПА1476Х 2 A, 115 В, 4 КАНАЛА, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВАЯ СИЛОВАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ МАТРИЦА НИЗКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ NEC Corp. NEC[NEC] 2DD2678-13 2DD2678 2DD2678-15 Дискретный — Биполярные транзисторы — Транзистор (BJT) Основная таблица — Транзисторы 3000 мА, 12 В, NPN, Si, ТРАНЗИСТОР С МАЛЫМ СИГНАЛОМ, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, 4 ВЫВОДА Diodes, Inc. Diodes Incorporated