A1300 транзистор. Транзистор A1300: характеристики, аналоги, применение и особенности

alexxlabРазное
Что представляет собой транзистор A1300. Каковы его основные параметры и характеристики. Где применяется данный транзистор. Какие существуют аналоги A1300. На что обратить внимание при выборе и использовании этого транзистора.

Содержание

Общая информация о транзисторе A1300

Транзистор A1300 (2SA1300) — это биполярный PNP-транзистор средней мощности. Он относится к семейству эпитаксиально-планарных транзисторов и предназначен для использования в усилителях мощности звуковой частоты и импульсных источниках питания.

Основные особенности транзистора A1300:

  • PNP-структура
  • Корпус TO-126 (SOT-32)
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
  • Максимальный ток коллектора: 1.5 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт

Характеристики и параметры A1300

Рассмотрим подробнее основные электрические параметры транзистора A1300:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 160 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo): 180 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (Vebo): 5 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора (Icm): 3 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 25 Вт
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 40-320 (при Ic = 0.5 А)
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 100 МГц
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 пФ

Области применения транзистора A1300

Благодаря своим характеристикам, транзистор A1300 находит применение в следующих областях:


  • Усилители мощности звуковой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Драйверы электродвигателей
  • Преобразователи напряжения
  • Ключевые схемы

Какие преимущества дает использование A1300 в этих приложениях? Высокое допустимое напряжение коллектор-эмиттер позволяет применять его в высоковольтных схемах. Достаточно большой максимальный ток обеспечивает возможность работы с нагрузками средней мощности. Хорошие частотные свойства делают транзистор подходящим для работы на повышенных частотах в импульсных преобразователях.

Аналоги транзистора A1300

При отсутствии или недоступности A1300 можно использовать следующие аналоги с близкими характеристиками:

  • 2SA1301
  • 2SA1302
  • 2SA1303
  • 2SA968
  • 2SA1015
  • BD140
  • TIP32C

Чем отличаются эти аналоги от A1300? Например, 2SA1301 имеет чуть меньший максимальный ток (1 А), но более высокое напряжение (180 В). BD140 выпускается в другом корпусе (TO-126), но имеет схожие электрические параметры. При выборе аналога важно сравнивать все ключевые характеристики.

Особенности корпуса и цоколевка A1300

Транзистор A1300 выпускается в пластиковом корпусе TO-126 (SOT-32). Этот корпус имеет следующие особенности:


  • 3 вывода
  • Металлическая подложка для улучшения теплоотвода
  • Возможность установки на радиатор
  • Размеры корпуса: 8.5 x 5.2 x 3.85 мм

Цоколевка транзистора A1300:

  • 1 вывод — база (B)
  • 2 вывод — коллектор (C)
  • 3 вывод — эмиттер (E)

На что нужно обратить внимание при монтаже? Важно правильно ориентировать транзистор на плате, соблюдая цоколевку. При необходимости использования радиатора нужно обеспечить надежный тепловой контакт с металлической подложкой корпуса.

Особенности применения A1300 в схемах

При использовании транзистора A1300 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:

  • Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
  • Обеспечивать достаточный теплоотвод при работе на больших мощностях
  • Учитывать зависимость коэффициента усиления от тока коллектора
  • Принимать во внимание частотные свойства при работе на высоких частотах

Какие схемотехнические решения помогут оптимально использовать A1300? В усилителях мощности часто применяют параллельное включение нескольких транзисторов для увеличения выходного тока. В импульсных преобразователях важно обеспечить быстрое переключение транзистора с помощью специальных драйверов.


Выбор и проверка транзистора A1300

При выборе и проверке транзистора A1300 рекомендуется обратить внимание на следующие аспекты:

  • Соответствие параметров в документации заявленным характеристикам
  • Отсутствие видимых повреждений корпуса
  • Проверка основных параметров (например, коэффициента усиления) с помощью тестера
  • Приобретение у надежных поставщиков для исключения подделок

Как провести базовую проверку транзистора? С помощью мультиметра можно измерить сопротивление переходов база-эмиттер и база-коллектор в прямом и обратном направлении. Это позволит выявить очевидные неисправности. Более точная проверка параметров требует специального оборудования.

Маркировка и обозначения A1300

Транзистор A1300 может иметь различные варианты маркировки в зависимости от производителя:

  • A1300
  • 2SA1300
  • A1300P

Что означают эти обозначения? Префикс «2S» указывает на биполярный транзистор, «A» — на PNP-структуру. Суффикс «P» может обозначать конкретную модификацию или тип корпуса. При заказе или поиске транзистора важно учитывать возможные варианты маркировки.


Сравнение A1300 с другими транзисторами

Как A1300 соотносится с другими популярными транзисторами средней мощности? Рассмотрим сравнение по основным параметрам:

  • A1300 vs 2N3055 (NPN): A1300 имеет более высокое допустимое напряжение, но меньший максимальный ток
  • A1300 vs BD140 (PNP): схожие характеристики, но A1300 обычно имеет лучшие частотные свойства
  • A1300 vs TIP32C (PNP): A1300 рассчитан на более высокое напряжение, но TIP32C допускает больший ток

Какие выводы можно сделать из этого сравнения? A1300 оптимально подходит для высоковольтных применений средней мощности, где не требуются очень большие токи. В низковольтных схемах могут быть более подходящие альтернативы.


Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60
15		 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2
2		 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150


xanycall

From 2022-10-01 to 2022-10-07 is the Chinese national holiday,
The orders after 2022-09-30(23:59 UTC+8) will be processed on 2022-10-08

Цена и количество

Цена:

US $ —

  • $0 — $25
  • $25 — $50
  • $50 — $100
  • $100 — $200
  • $200 and above

 

  • Все категории
  • Этикетка: xanycall

3,424 похожий продукт

  • Mobile power field effect tube 2 3A 20V SI2301 SI2302 A1SHB 20 each   Price: $5. 33299982 уже купили

  • Supply three-terminal voltage regulator L7805 TO-220 any number of shots   Price: $2.211038 уже купили

  • Supply of high-voltage regulator diode 1W 100V 1N4764A diode led imported ON brand   Price: $2.21925975 уже купили

  • SMD transistor BART AGQK BARX BHRF 8512 8525 BAR BHRS AGQZ   Price: $2.8831709 уже купили

  • SMD transistor LRG JE= CDC2N GKOY 3620 N36 N30 BAP77 OG7 P530   Price: $3. 1023808 уже купили

  • SMD 3 feet IC AMC7135 SC33C R133A 2128 8G044 DY SD 9394   Price: $3.7723312 уже купили

  • Supply NEC power high frequency transistor 2SC3356 R24 R25 2SC3357 RE55 RF51   Price: $2.65235317 уже купили

  • SMD 6-pin chip CLK 6A8M 63A07 V05 CLR 7511 5V0 EN2SA BT=N0T   Price: $4.21234186 уже купили

  • SMD transistor 1GM6 2GM5 5D D9 J9 A7 A7W A4 A2 A9 A1 C2SUB t41   Price: $3. 10233814 уже купили

  • SMD transistor N502 MON WV4 L44 L4P L43 tAN N29 ADLA   Price: $2.65234722 уже купили

  • SMD diode CM83A CM96A B2 B4 S SMD   Price: $2.65235094 уже купили

  • Transistor A1SHB A2SHB WS4X RAG3 A94V X14V AS1T Y5T ABFE A88AA   Price: $3.10235154 уже купили

  • SMD transistor NW71 12A317 25MF 25MM P5AP72 DCQV LY9Z GK65 CFRQ   Price: $3. 10235324 уже купили

  • Supply Schottky diode SR5100 SB5100 SR5200 DO-15 spot   Price: $2.21345786 уже купили

  • SMD diode printing D48G D48K A27MKB SA4BY 3437 18 68A U12 D44H   Price: $3.1064281 уже купили

  • SMD transistor A8Y3N A7SHB M0N A7H G13W A09 YA1 YB2 91A A91A 1HE   Price: $2.655465 уже купили

  • SMD 6-foot chip BZFCZ GCI OB4Y1 SMFER 2830 00Dw 73G51p FL4JA AVO   Price: $6. 45177076 уже купили

  • SMD diode EC1220 GM67 JSH UM6AA DL6N CDK 20 T6S   Price: $3.107152 уже купили

  • SMD 5 feet IC A61PE L1A6 R2RF 016N 5351A 55b8 HA2S HA L1A3 TR3FA   Price: $5.3354486 уже купили

  • SMD 5 feet IC printing 8S04B L04B ABWG 9AaXS K3D0 AD21E JAOY ID9CB   Price: $5.3354461 уже купили

  • SMD 5 feet IC printing A3LH ACA81 B7KB C024 T1IG CD24 9A26 LDQB   Price: $5. 3354558 уже купили

  • SMD 6 feet IC printing LZ02 Ht7 5717 00U1 01C LZ05 054 5G2R 0E B23JF   Price: $7.5654555 уже купили

  • SMD 6-pin power IC DP=Q1V F75 LM135 R33 62843 333N 57b7 BT=P3T   Price: $7.5654409 уже купили

  • 6 feet DVD power chip IL6BH PESI GKP35 GAN4 7CH CAIEA LEDA0712 D27E   Price: $6.4554547 уже купили

  • SMD 5-foot chip A50E F150 LD4ZB 008L HUI9U LXNZ 6QAHF GG3H AB5KA   Price: $8. 6826424 уже купили

  • Sales of power switch transistor 1 5A 13003 TO-220 original quality assurance   Price: $2.13234439 уже купили

  • Power switch transistor transistor A1300 C3279 paired tube 1 to 1 yuan   Price: $2.21354501 уже купили

  • SMD transistor APLD DJK1 DJ20 DJ5Z DJK3 N020H N010T K1R E1II N1L1   Price: $3.10354541 уже купили

  • 6 feet power chip DYAO G1Q26 Y6 152 A2 122 I9HGF 61H01 61G50   Price: $8. 6845546 уже купили

  • SMD 6 feet IC LTBMH AAAB AAAO 63A03 63A02 S79 32A39A D8LD DORD   Price: $5.33465381 уже купили

  • SMD 6-foot chip 61A38 CFBOW CA5RA CA1RB CA8RA CA9RA 63513 AV0   Price: $5.33465421 уже купили

  • SMD 6 feet IC E5U LTJZ BFQG R989 GAPA 00JD F4PA F1CA OAY Hh3JB   Price: $5.33465412 уже купили

  • SMD 6 feet IC LTBMH AAAB AAAO 63A03 63A02 S79 Z1 GA12 AA1BG K5t   Price: $5. 33465421 уже купили

  • SMD 5 feet IC C0=C23 S2LJ BWWU CWWS CWJP 1B=Q1J R519 3D3F T6G   Price: $6.45465406 уже купили

  • SMD 6 feet IC LR246 LMM26 TLW 1Z14G 63728 63909 848C26 HXP35 OC   Price: $5.33465408 уже купили

  • SMD 5 feet IC JRJX C3EG DJ-811 U35S U33W U28A P509 CGA0G 28h5   Price: $6.45465437 уже купили

  • SMD 5 feet IC ACE7 BA21 A32L IC00 BHE A1LG C1Ad CE5149   Price: $6. 45465437 уже купили

  • SMD 5 feet LCD driver IC IC5BD ID9BM LB26 LXKS LXX7 IC55K AJLC C5   Price: $4.66465388 уже купили

Yoycart на:       Facebook       Pinterest      Twitter

Datasheet и схемы

Транзисторы 13003 с демпферным диодом и без

Высоковольтный быстродействующий транзистор 13003 n-p-n проводимости, применяют в электронных балластах,преобразователях.Напряжение коллектор-эмиттер 400 Вольт,постоянный ток коллектора 1.5А,мощность 40 Вт.Эти характеристики могут немного отличаться,так как их выпускают разные производители.В таких диодах между коллектором и эмиттером ставят демпферный защитный диод от обратного напряжения.Но такой диод есть не во всех транзисторах. Как узнать,есть диод или нет? Для этого нужен даташит или тестер.

Тестер диод покажет в виде рисунка
 


А в этом транзисторе диода нет

Отобрал транзисторы,в которых диода нет

В этих транзисторах диод есть,но их меньшиство

Транзистор 13003 выпускают в разных корпусах.В корпусе ТО-220 ток коллектора будет больше и рассеиваемая мощность также больше.Есть еще в корпусе ТО-92.Также есть отечественный аналог транзистора 13003,это транзистор Кт8170,он без диода.





Линейные драйвера для светодиодных ламп на 220 Вольт

 

Драйвера для светодиодных ламп на линейных элементах имеют преимущества перед лампами,в которых применен балластный конденсатор для ограничения тока сети 220 В.У линейных драйверов уже есть стабилизация тока светодиодов а также терморегулирование. Микросхема управление током светодиодов установлена на металлическом теплоотводе вместе со светодиодами.Если произойдет перегрев светодиодов,микросхема уменьшит ток на светодиоды,тем самым создаст для них наилучший режим работы.Также в таких лампах можно изменять ток светодиодов с помощью резистора.

Первая лампа на фото собрана на трехвыводной микросхеме MT7606T.Схему срисовал с расположения деталей на плате-радиаторе.

С помощью резистора Rset можно изменять яркость светодиодов или их ток.При увеличении сопротивления,яркость понижается.

Вторая лампа выполнена на микросхеме DF6811EC.Это лампа Uniel на 8 Вт LED-GX53.В этой лампе для эксперимента заменил резистор на 27 Ом резистором на 100 Ом.Светодиоды светят менее ярче и напряжение на них упало на 20 Вольт.Было 210 а стало 190 Вольт.


У таких ламп наименьший уровень пульсаций тока на светодиодах,по сравнению с конденсаторным драйвером.



Электронный балласт на 15 Вт своими руками

Электронный балласт или ЭПРА применяется для запуска газорязрядных ламп. Они заменили громоздкие ПРА на большом дросселе и применяются в энергосберегающих лампах,для зажигания бактерицидных ламп.

Привожу схему электронного балласта на мощность 15 Вт.Схему срисовал с печатной платы и по этой схеме собрал балласт и это хорошо работает.На транзисторах собран двухтактный полумостовой преобразователь,который служит для генерации высокочастотного напряжения.Транзисторы должны быть с демпферным диодом,он указан в даташитах. После выпрямителя постоянное напряжение около 310 Вольт поступает на устройство.Генератор на транзисторах не работает и чтобы его запустить,требуется подать импульс положительной полярности на базу VT2,это делает симметричный динистор DB3.Как только  конденсатор C5

зарядится до примерно 30 Вольт,динистор пробивается и подает импульс на базу VT2.Генератор запускается и с помощью диода D1 конденсатор С5 шунтируется и работа динистора прекращается.Трансформатор намотан на кольце и содержит две обмотки управления( по три витка) и одна обмотка рабочая( шесть витков). Обмотки управления 1-2 намотаны в противофазе.Дроссель и конденсаторы С5-С6 подключены как последовательный контур для резонанса напряжений.Во время включения лампы, на конденсаторе С6 появляется высокое напряжение на сотни Вольт.Это напряжение пробивает газ в лампе,лампа зажигается  и далее этот конденсатор шунтируется лампой и резонанс пропадает.Дроссель ограничивает ток для лампы а напряжение на лампе составляет около 200 Вольт( в моем случае).Частота напряжения для лампы около 25 кГц.Все конденсаторы высоковольтные.

 


LED лампы с драйвером на балластном конденсаторе.Почему они быстро выходят из строя

Светодиодные лампы прочно заменили сегодня другие лампы,но могут довольно быстро выходить из строя.Одна из причин-драйвер для светодиодов,выполненный на балластном конденсаторе.Конденсатор емкостью 1.2 мкФ ограничивает ток от сети 220 Вольт,но вот стабилизации тока для светодиодов нет. Также нет защиты от перегрева светодиодов.Если повысится напряжение в сети,то повысится и ток,который поступает на светодиоды.К тому же  по питанию светодиодов есть пульсации.Конденсатор вносит в сеть 220 Вольт сдвиг фаз,еще  с таким драйвером бывают броски тока на светодиоды.Все это вкупе приводит к тому,что светодиоды рано выходят из строя.Такие лампы лучше не покупать,а брать лампы с драйверами на микросхемах и дросселях,там есть различная защита светодиодов.


Лампа ECOLA на 8 Вт и ток 70 мА 4200К. Драйвер выполнен на балластном конденсаторе.Еще в выпрямителе стоит конденсатор фильтра на 250 Вольт.При выходе из строя светодиода, этот конденсатор также выходит из строя.В этой лампе я его заменил на 400 Вольт а нерабочий светодиод закоротил.Тип светодиодов указан на теплоотводе,в этой лампе светодиоды 2835,а ток можно примерно узнать по мощности лампы.


Вот еще одна лампа с конденсатором.ASD,7.5Вт 3000К. Конденсатор по питанию также вышел из строя вслед за светодиодом.


 


 


Микросхема из елочной гирлянды QD803A.Как ее подключить и проверить

 Микросхема QD803A применяется в дешевых елочных гирляндах.У нее семь режимов работы для  светодиодов или другой нагрузки,четыре выхода.Нажимая на одну кнопку,можно выбирать режимы.Проверить работу этой микросхемы можно,подключив питание 7.4 В(ниже не проверял),а на вывод 10 надо подать сигнал-синусоиду частотой 50 Гц( с трансформатора на 12 Вольт подавал сигнал),наверно возможно можно и другой частоты и формы,без этого сигнала микросхема работать не будет.В нагрузку подключил по светодиоду через резисторы по 270 Ом.

Также есть похожая микросхема YD803-A,эту микросхему не проверял.


 

Антишансон своими руками

 

Есть в легальной продаже устройство под названием Антишансон. Это глушилка FM радиостанций на небольшом радиусе действия,примерно от 10 до 50 метров,в зависимости от цены.Примерно такое-же устройство можно собрать и самому и очень даже легко,только без цифрового управления.Глушит сигнал на частоте 100 МГц в радиусе 15 метров,дальше не проверял и это в городе.В пригороде радиус действия будет больше,поэтому надо иметь ввиду,что нельзя мешать работе коммерческим и служебным радиостанциям,за это могут быть последствия в виде штрафа.

Устройство представляет мультивибратор на двух транзисторах 2sc3355,их напряжение к-э 12 В максимальное.Катушки содержат по 7 витков провода диаметром 0.7мм,намотанных на оправке 4мм. Антенна А1 имеет длину 14см,антенна А2 длину 45 см.Настройку на нужную частоту производят ферритовым сердечником в той катушке,где антенна А2.


Усилитель звука на трех транзисторах

 Усилитель низкой частоты на трех транзисторах,выходная мощность около 200 мВт при питании 9В. При настройке,надо выставить напряжение на эмиттерах транзисторов выходного каскада,которое будет равно половине напряжения питания.Это достигается изменением сопротивления резистора на 1 кОм,в моем случае я установил резистор на 470 Ом.Потребляемый ток в режиме молчания около 20 мА,при максимальной громкости 80 мА.Подстроечным резистором надо согласовать выход источника звука с входом усилителя,чтобы не было помех.Хорошо подойдет для усиления сигнала с телефона,плеера.Работает до частот 100 кГц без уменьшения амплитуды сигнала.


АМ передатчик на короткие волны на транзисторах

 Это простой коротковолновый передатчик без катушек индуктивности в генераторе,который использует амплитудную модуляцию для передачи голосом.Частота передатчика зависит от частоты кварцевого резонатора,я применил резонатор на частоту 4. 43 МГц от телевизора.Дальность действия с небольшой 10 см антенной в пределах квартиры,если применить хорошую антенну,до несколько сотен метров должен брать.Если передачи вы слышите в приемнике с хриплостью,то передатчик надо чуть настроить.Кварц лучше использовать на 3.5 МГц,там можно вещать никому не мешая.

Блинкер для сотового телефона

 Были когда-то в продаже такие устройства для сотовых телефонов под названием блинкер. Когда к вам поступает звонок или SMS  или когда вы звоните,светодиод блинкера начинает мигать,сигнализируя о звонке. Блинкер может быть с питанием и без питания.На микросхеме LM358 показана схема устройства с питанием от двух дисковых элементов.Реагирует на звонок с расстояния примерно 30-40 см от телефона,но надо учитывать,что устройство работает только с операторами,сигнал которых мы слышим как наводку на динамики. Вот именно на такой сигнал блинкер и будет работать.Потребляемый ток в дежурном режиме около 700 мкА.

Блинкер можно сделать и без питания.Для этого нужны два германиевых диода ГД507 и плоский светодиод,который применяется в светодиодных лампах,он способен работать при небольшом токе.Диоды также можно попробовать применить Шоттки высокочастотные.Антенны две,вторую я не показал на схеме,она подключается к одному из выводов светодиода.Длина антенн примерно по 3 см,это надо подобрать экспериментально,по максимальному свечению светодиода при звонке.Устройство прикрепляется к телефону.Его работу и внешний вид вы можете увидеть в ролике.



Двуполярный источник питания из однополярного на LM358

 Иногда,для питания электронных конструкций,требуется двуполярный источник питания. Такой источник питания можно реализовать из однополярного с помощью усилителя тока на операционном усилителе и двух транзисторов-эмиттерных повторителей.Подстроечным резистором надо выставить на выводе 3 микросхемы напряжение,которое равняется половине напряжения питания.Допустим при питании 12 В напряжение должно быть 6 Вольт.На конденсаторах по 1000мкФ при этом также будет по 6 Вольт.Вот и вся настройка.Если нагрузка будет потреблять ток 300 мА,то радиаторы транзисторам не нужны.


Ограничитель пускового тока заряда конденсатора

ограничитель пускового тока конденсатора

Это устройство поможет ограничить пусковой ток конденсатора и тем самым спасти диоды выпрямителя или чувствительные к такому току микросхемы питания.Когда конденсатор разряжен,его сопротивление небольшое и если к нему подключить плюс и минус источника питания,в начальный момент зарядки через конденсатор пройдет большой ток. Это можно представить как короткое замыкание по питанию на доли секунды.Чтобы этого не происходило,есть схема устройства,которое будет постепенно подавать напряжение на выходе,тем самым будет меньше пусковой ток конденсатора,который играет роль фильтра по питанию.Время нарастания напряжения зависит от емкости конденсатора на 47 мкФ.С ним это время будет 3-5 секунд.

 


Импульсный преобразователь напряжения от 1.5 Вольт на двух транзисторах

Импульсный преобразователь напряжения,способный работать при питании от 1.2 Вольта и поджигать при этом неоновую лампочку.При питании примерно 2.5 Вольт начинает светить светодиодная лампа на 220 Вольт.

Трансформатор взят от зарядного устройства для телефона.Вначале наматывают обмотку 2,она содержит 350 витков провода примерно 0. 12 мм,далее слой изоляции и обмотка 1,содержащая 15 витков провода 0.3мм.

Транзистор кт816 установлен на небольшой радиатор.Устройство налаживания не требует,работать должно сразу.


 


УКВ радиоприемник на микросхеме TA2003P

укв радиоприемник своими руками

УКВ радиоприемник,способный принимать сигналы радиостанций в диапазоне частот 88- 145 МГц.Выполнен на микросхеме TA2003.Звук радиостанций чистый,вообщем можно собирать.Катушка L1 гетеродина и L2 усилителя высокой частоты намотаны на оправке диаметром 5мм проводом диаметром 0.7мм.L1 содержит 5 витков а L2 четыре витка провода.Варикапы применял кв109а. Перекрытие по диапазону с этими варикапами было примерно 90-104 МГц.Чтобы выйти на нужный диапазон частот,надо у катушки L2 отодвинуть в сторону крайний виток провода. Также можно поступить с катушкой L1.Для приема сигналов на частотах примерно до 145 МГц и чуть выше,катушка L2 должна содержать три витка а L1 четыре витка.


 

Элементарный терменвокс на двух микросхемах cd4011

терменвокс своими руками как сделать

Простое электронное музыкальное устройство под названием терменвокс. Представляет из себя два генератора,частота одного изменяется если подносить или убирать руку от антенны.Разность двух частот генератора мы слышим из динамика.Собрано устройство на двух микросхемах cd4011.Подстроечным резистором настраиваем на нужный нам тон и чувствительность устройства.Громкость динамика можно изменять резистором в эмиттере кт972. Питание 5-7 Вольт.Антенна -провод длиной 25 см,можно и другой длины.


  Сигнал на выводе 10 микросхемы с антенной имеет форму прямоугольника с частотой примерно 88 кГц.


Бесконтактный ключ-передатчик и приемник,для управления нагрузкой на расстоянии

С помощью этого устройства,можно бесконтактно открывать ключом дверь или включать различные механизмы.Устройство состоит из  передатчика сигнала и приемника-исполнителя.Подносим катушку передатчика к катушке приемника на расстоянии до 5 см,и реле срабатывает коммутируя сильноточную нагрузку.

Катушки намотаны на каркасе диаметром 25 мм проводом 0.18 мм.Катушка передатчика содержит 10+10 витков,катушка приемника 30 витков,можно намотать и больше.Потребляемый ток передатчиком составляет около 120 мА.

Проверить работу передатчика можно с помощью приемной катушки и светодиода.Поднося такую катушку к катушке передатчика,светодиод начнет очень ярко светить.



Как проверять на исправность полевые транзисторы без мультиметра

как проверять полевые транзисторы

Полевые транзисторы можно проверять на исправность с помощью лампы накаливания или светодиода и источника питания.
Проверка полевого MOSFET транзистора с изолированным затвором.У таких транзисторов есть между затвором и истоком входная емкость или конденсатор.Если начать заряжать этот конденсатор,то сопротивление канала сток-исток транзистора начнет уменьшаться и лампочка начнет ярко светить.Если разрядить этот конденсатор,лампочка погаснет.Если будут наблюдаться эти явления,значит транзистор исправен.


проверка полевого транзистора лампочкой

Итак,к истоку подключаем минус питания а к стоку плюс питания через лампочку накаливания на 12 Вольт,питание также 12 Вольт. Вначале лампочка не светит так как сопротивление сток-исток большое.Теперь берем пальцем касаемся затвора и стока.Конденсатор между затвором и истоком мгновенно зарядиться и лампочка светит.


полевой транзистор с изолированным затвором

Чтобы выключить лампочку и разрядить конденсатор,касаемся пальцем затвора и истока.Все,транзистор исправен.

Теперь как проверить полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода,это такие  транзисторы типа кп103. Подключаем к истоку плюс питания,к стоку подключаем анод светодиода а к катоду минус питания.Питание 5 Вольт.Светодиод будет светить,в отличие от транзисторов с изолированным затвором.Теперь пальцем быстро касаемся затвора и убираем палец.Светодиод на мгновение погаснет и сразу опять вспыхнет.Если есть такая реакция,значит транзистор исправен.

полевой транзистор с затвором p-n перехода как проверить


Повышающий преобразователь напряжения на одном германиевом транзисторе

 

повышающий преобразователь напряжения
 
Простой и довольно эффективный получился импульсный повышающий преобразователь напряжения всего на нескольких деталях.Транзистор при работе не нагревается,если нагрузка будет подходящая,типа светодиодной лампы на 12 Вт*220В. Лампа светит очень ярко,питание при этом 6.5 Вольт и потребляемый ток около 700мА.

Трансформатор взял сетевой понижающий с двумя понижающими обмотками,по одному выводу из этих обмоток соединил вместе.Их сопротивление прозвонка показала по нулям,а сетевая обмотка 73 Ом.


При подходящей нагрузке-светодиодной лампы,форма сигнала на ней будет прямоугольная.Преобразователь работает от 1.5 Вольт,но частота будет низкая и лампа будет заметно мигать. Также проверял с другой лампой и с ней сигнал искажается и транзистор при этом будет нагреваться.


Как работает такой преобразователь можно увидеть в ролике


Светодиодная мигалка на одном транзисторе кт315

мигалка на одном транзисторе кт315

У биполярного транзистора кт315 и некоторых других,есть интересный эффект под названием лавинный пробой.Он происходит когда на эмиттер подключить плюс питания а на коллектор минус,на базу напряжение не подается.При достижении примерно 9 Вольт переход транзистора пробивается и транзистор открыт.При достижении напряжения примерно 8.5 Вольт транзистор закрывается.Используя этот эффект,можно собрать простую мигалку на одном транзисторе.Переменным резистором регулируется напряжение на конденсаторе и заодно частоту вспышек светодиода.

 


Микросхема к561тл1.Четыре инвертирующих триггера Шмитта.Преобразователь напряжения на к561тл1

микросхема к561тл1 триггер шмитта инвертирующий

Микросхема к561тл1 представляет из себя четыре инвертирующих триггера Шмитта с логикой 2и-не.Зарубежный аналог cd4093.Напряжение питания 3-18В,ток на выходе каждого инвертора при питании 5 Вольт составляет 0.5мА.

Повышающий преобразователь напряжения без индуктивностей.На одном элементе этой микросхемы собран генератор прямоугольного сигнала частотой 117 кГц.Этот сигнал поступает на умножитель напряжения на диодах и двух конденсаторах.В итоге на выходе напряжение будет 6.4 Вольт при питании 3.7 Вольт.Нагрузка только маломощная.


повышающий преобразователь напряжения на к561тл1

 


Передатчик на частоту 13.56 МГц своими руками

передатчик на частоту 13.56 МГц

Простой передатчик на частоту 13.56 МГц.Роль задающего генератора играет сигнал-генератор на частоту 13.56 МГц.Мощность задающего генератора менее 100 мВт и эта мощность поступает на вход усилителя мощности на транзисторе IRF510.Подстроечным резистором выставляют ток покоя полевого транзистора 400 мА.Катушка L1 это дроссель ДПМ 2.4, L2 содержит 4 витка провода 0.5 мм и размеры сторон рамки 5.5*3.5см. Переменным конденсатором настраивают на максимальную мощность излучаемую L2.


Излучение L2 можно проверить пробником,выполненным в виде такой-же рамки нагруженной на лампу накаливания 2.5 В.На расстоянии 2-3 см лампочка должна светить.


Если поднести к L2 бесконтактную карту оплаты,она начнет нагреваться,лучше этого не делать,если еще нужна карта.

 


Доплеровский датчик движения СВЧ своими руками

микроволновый датчик движения своими руками

Простой микроволновый датчик движения,способен обнаружить перемещение человека или предметов на расстоянии 10 метров и более,это зависит от размера предмета.Работает на эффекте Доплера.
На транзисторе BFR93a собран приемо-передатчик.Он излучает СВЧ сигнал и его принимает.Когда предмет начнет перемещаться,отраженная от него волна будет чуть выше или ниже частоты сигнала,который излучает передатчик. Эту разность сигнала усиливает усилитель и компаратор переключает светодиод.Он всегда светит,при перемещении предметов свечение прекращается.
Антенна А1 представляет из себя медную фольгу длиной 25 мм и шириной 5 мм.Антенна А2 тоже фольга,замкнутый прямоугольник вокруг А1 на расстоянии от А1 1.5мм. Транзистор СМД подключен к этим двум антеннам,на фото его не видно.
Антенна должна «смотреть» на охраняемый объект.Мое перемещение чует на расстоянии 13 метров,точно 6-7 метров,дальше не проверял.


 


Предыдущие Главная страница

Подписаться на: Сообщения (Atom)

транзистор%201300%203b техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть org/Product»> SCT3030AR РОМ Полупроводник 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3060AR РОМ Полупроводник 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3105KL РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор org/Product»> SCT3022KL РОМ Полупроводник 1200 В, 95 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3040KR РОМ Полупроводник 1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3080KL РОМ Полупроводник 1200 В, 31 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор

транзистор%201300%203b Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентных транзисторов NPN
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012

Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 санкен SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

STGW38Ih230D техпаспорт — 33 А — 1300 В — Очень быстрый IGBT Спецификация 33 А

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: STGW38Ih230D
Часть STGW080 9h
Категория Дискретные => БТИЗ (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Описание 33 А — 1300 В — очень быстродействующий IGBT
Спецификация 33 A — 1300 В — очень быстродействующий IGBT
Компания ST Microelectronics, Inc.
Лист данных Загрузить STGW38Ih230D Лист данных
Крест. Аналогичные детали: NGTB40N120IHRWG, NGTB30N120IHSWG
Цитата

Где купить

 

 

Особенности, применение

Особенности

Низкое напряжение насыщения Высокая допустимая нагрузка по току Низкие коммутационные потери Низкое статическое и пиковое прямое падение напряжения Диод свободного хода

Области применения
Индукционная плита, микроволновая печь Применение мягкого переключения
Описание

В этом IGBT используется усовершенствованный процесс PowerMESHTM, обеспечивающий превосходный компромисс между эффективностью переключения и низким поведением в открытом состоянии. Это устройство хорошо подходит для приложений резонансного или мягкого переключения. Рисунок 1. Внутренняя принципиальная схема

Обозначение GW38Ih230D Пакет ТО-247 Длинные выводы Трубка ТО-247 Упаковка

Это предварительная информация о новом продукте, который находится в разработке или проходит испытания. Детали могут быть изменены без предварительного уведомления.

Значение Параметр Длинные выводы TO-247 Напряжение коллектор-эмиттер (VGE = 0) Непрерывный ток коллектора 25 C Непрерывный ток коллектора 100 C Ток фиксации при выключении Импульсный ток коллектора Напряжение затвор-эмиттер Суммарное рассеяние 25 C Среднеквадратичное значение прямого тока диода 25 C Импульсный ток неповторяющийся прямой ток 10 мс синусоидальный Рабочая температура перехода TO-247 C Unit

2. Vclamp Tj =150 C, В 3. Ширина импульса ограничена максимально допустимой температурой перехода и отключением в пределах RBSOA

Значение Параметр Длинные выводы TO-247 Тепловое сопротивление переход-корпус IGBT Тепловое сопротивление переход-корпус диода Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 0,7 2,1 C/Вт Единица измерения


 

Некоторые номера деталей того же производителя ST Microelectronics, Inc.
STD55N4F5 Силовой МОП-транзистор-канальный 40 В, 7,1 м?, 40 А, DPAK STripFET V Power MOSFET
STS10DN3LH5 Power MOSFETДвойной N-канальный 30 В, 0,019 Ом, 10 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET
STD5N52U Силовой МОП-транзистор-канальный 525 В, 1,28 Ом, 4,4 А, ДПАК, ТО-220FP UltraFASTmesh Power MOSFET
STP78N75F4 Power MOSFETsТехнические данные N-канальный 75 В, 0,008 Ом, 78 A TO-220, DPAK STripFET DeepGATE Power MOSFET
STD5N95K3 Силовой МОП-транзистор-канальный 950 В, 2,5 Ом, 3,5 А, ДПАК, ТО-220, ТО-220ФП, ИПАК СуперМЭШ4 Силовой МОП-транзистор
СТФ13Н95К3 Силовой МОП-транзистор-канальный 950 В, 0,68 Ом, 10 А, ТО-220, ТО-220ФП, ТО-247 СуперМЭШ4 Силовой МОП-транзистор
ST13003N Высоковольтный быстропереключаемый силовой транзистор NPNВысоковольтный быстропереключаемый силовой транзистор NPN
STT13005FP
STD830CP20 Пара дополнительных транзисторов в одной упаковкеДополнительная пара транзисторов в одной упаковке
STAP1011-180 Силовой ВЧ-транзистор семейства LdmoST, N-канальные боковые полевые МОП-транзисторы с расширенным режимом RF транзисторы семейства LdmoST, N-канальные боковые полевые МОП-транзисторы с расширенным режимом
STAP57060 Силовой ВЧ-транзистор, семейство LdmoST, пластиковый N-канальный боковой полевой МОП-транзистор с расширенным режимом, RF силовой транзистор, семейство LdmoST, пластиковый, N-канальный боковой полевой МОП-транзистор с расширенным режимом
STEVAL-CCA011V1 Оценочные платы для демонстрационной платы стереофонического усилителя мощности класса D мощностью 2×2,5 Вт без аудиофильтров на основе TS2012FC
STTh20LCD06 Ultrafast RectifiersTurbo2 ultrafast — высоковольтный выпрямитель для плоскопанельных дисплеев
STP16DPPS05 Драйверы светодиодов, контроллеры передней панелиНизковольтный 16-разрядный драйвер светодиодов постоянного тока с функцией обнаружения ошибок на выходе и автоматическим энергосбережением
STG3P3M25K120 IGBT МодулиТехническое описание Трехфазный инвертор IGBT — модуль SEMITOP3
L5989D Преобразователь постоянного тока в постоянный4 Непрерывный (импульсный ток более 5 А) понижающий импульсный стабилизатор с синхронным выпрямлением
LD39015JXX12 Очень низкое падение напряжения 150 мА, низкий ток покоя, малошумящий регулятор напряжения
ESDA14V2-1BF3 Зажимной массив TVSОднолинейный двунаправленный массив Transil для защиты от электростатических разрядов
ESDALC6V1-1BU2 Зажимной массив TVSОднолинейный Transil\\TM с низкой емкостью для двунаправленной защиты от электростатического разряда
LIS302DLH Датчики движения (MEMS) Датчик движения MEMS с цифровым выходом, сверхмаломощный, высокопроизводительный 3-осевой пикколо-акселерометр
ИС датчика касания STMPE3213-канальный контроллер емкостной сенсорной кнопки

74VHCT240ATTR : Восьмеричный буфер шины VHC/VHCT->Low Noise HCMOS с 3 выходами состояний (ИНВЕРТИРОВАННЫЙ)

HCF4067BM1 : Аналоговый мультиплексор/демультиплексор серии HCF->CMOS 4000B

M27C256B-15B6TR: 256 Кбит (32 КБ X 8) УФ EPROM и OTP EPROM

TS68HC901CP4 : Многофункциональное периферийное устройство Hcmos

LNBTVS4-221S: LNBTVSx-22xx — это специальный электрическая защита от перенапряжения для LNB стабилизаторы напряжения в спутниковой приставке Приложения. Это устройство обеспечивает молниезащиту требуется для прохождения правил IEC и FCC. Доступны в осевых корпусах, корпусах SMB и SMC. Дев

TDA7495SA_07 : Усилитель 11 Вт + 11 Вт

ST52F510G3B6: 8-БИТ, ФЛЭШ, 24 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, PDSO20 Характеристики: Стадия жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Тактовая частота: 24 МГц; Тип ПЗУ: флэш-память; Напряжение питания: от 2,4 до 5,5 вольт; Порты ввода/вывода: 14; Тип упаковки: Другой, ПЛАСТИКОВЫЙ, SO-20 ; Рабочий диапазон: промышленный; Количество выводов: 20; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F); Особенности: ШИМ

STPS330S : 3 А, 30 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Упаковка: ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-2 ; Количество выводов: 2; ЕСЛИ: 3000 мА; ВРРМ: 30 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

Та же категория

2N3789X : Доступные параметры экранирования = ;; Полярность = PNP ;; Пакет = ТО3 (ТО204АА) ;; Vceo = 60В ;; IC(cont) = 10А ;; HFE(мин) = 25 ;; HFE(max) = 175 ;; @ Vce/ic = 2В/1А ;; FT = 4 МГц ;; ПД = 150 Вт.

BC369 : Кремниевый транзистор PNP. q Высокий коэффициент усиления по току q Высокий ток коллектора q Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер q Дополнительный тип: BC 368 (NPN) 1 3 Максимальные номинальные параметры Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Пиковый ток коллектора Ток базы Пиковый базовый ток Суммарная рассеиваемая мощность, 90 C2) Температура перехода Хранение.

BT138-600 : Серия BT138; Триаки. Пассивированные симисторы в пластиковом корпусе, предназначенные для использования в приложениях, требующих высоких двунаправленных переходных и запирающих напряжений и высоких характеристик термоциклирования. Типичные области применения включают управление двигателем, промышленное и бытовое освещение, отопление и статическое переключение. СИМВОЛ ПАРАМЕТР BT138BT138BT138 Повторяющиеся пиковые напряжения в выключенном состоянии.

D45h2B : IC(A) = 10, VCBO(V) = 20, VCEO(V) = 10, PD(W) = 60, Пакет = TO-220, HFE(Min/Max) = 80, IC/ VCE(A/V) = 6,0/4,0, VCE(SAT)(V) = 0,6, ic/IB(A/мА) = 6,0/600.

ESDAXXLSeries : Двойной переходный массив для защиты от электростатических разрядов. ПРИМЕНЕНИЕ Там, где требуется защита от кратковременных перенапряжений в оборудовании, чувствительном к электростатическому разряду, таком как: — КОМПЬЮТЕРЫ — ПРИНТЕРЫ — СИСТЕМЫ СВЯЗИ Это особенно рекомендуется для защиты портов ввода-вывода RS232, где линейный интерфейс выдерживает только скачки электростатического разряда 2 кВ. 2 ФУНКЦИИ ОДНОНАПРАВЛЕННОГО ПЕРЕХОДА. НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ: IR макс. 20А на ВБР.

FQU5N30 : 300 В N-канальный QFET.

HD122 : 100V 4A NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона для средних линейных и коммутационных приложений.

KTC1003 : = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-220ИС.

2STF2360 : Низковольтный быстропереключаемый силовой транзистор pnp. Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Высокая характеристика усиления по току Высокая скорость переключения В соответствии с Европейской директивой 2002/93/EC Устройства для поверхностного монтажа средней мощности SOT-223 и SOT-89пакеты Доступны в упаковке на ленте и в рулонах Области применения Аварийное освещение Драйверы светодиодов CCFL (задняя подсветка) Регулировка напряжения Драйвер реле.

08732X4R66-F : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.

CD1200 : ТРАНСФОРМАТОР ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ТОКА 35 А. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Current-Sense; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая частота: от 20000 до 50000 Гц.

MKP1841-268/634-M : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ, ПОЛИПРОПИЛЕН, 630 В, 0,0068 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: Полипропилен ; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0068 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 630 вольт; Монтаж.

MSC1808 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 3000 В, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1808. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

NTG103-3380-1 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ от ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 1 +/- %; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Рабочая температура: от -50 до 250 C (от -58 до 482 F).

PR1-100-GB : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 1 Вт, 2 %, 100 ppm, 10 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 10 Ом; Допуск: 2 +/- %; Температурный коэффициент: 100 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока:.

SDR953Z : 50 А, 300 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель, ГИПЕРБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ЕСЛИ: 50000 мА; трр: 0,0350 нс.

2SD794-P : 3000 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN.

671-7857 : ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЙ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Телекоммуникации; Монтаж: Чип-трансформер.

 

0-C     D-L     M-R     S-Z    

Datasheet begin, distributors inventory

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 2-1 2-2 2-3 ​​

© 2004-2022 digchip.com

Сравнение Snapdragon 870 и Dimensity 1300: тесты и тесты

против

Львиный зев 870

Размерность 1300

Мы сравнили два 8-ядерных процессора: Qualcomm Snapdragon 870 (с графикой Adreno 650) и MediaTek Dimensity 1300 (Mali-G77 MC9). Здесь вы найдете плюсы и минусы каждого чипа, технические характеристики и всесторонние тесты в тестах, таких как AnTuTu и Geekbench.

9
  • AnTuTu v9
  • GeekBench 5

    Обзор

    Общее сравнение производительности, энергопотребления и других показателей

    Производительность процессора

    Тесты одноядерных и многоядерных процессоров

    Snapdragon 870

    76

    Dimensity 1300

    74

    Gaming Performance

    GPU performance in games and OpenCL/Vulcan

    Snapdragon 870

    76

    Dimensity 1300

    77

    Battery life

    Efficiency of battery consumption

    Snapdragon 870

    79

    Dimensity 1300

    84

    Оценка NanoReview

    Общая оценка чипа

    Snapdragon 870

    78

    Dimensity 1300

    78

    Ключевые отличия

    Основные отличия и преимущества каждого чипа

    Плюсы Qualcomm Snapdragon 870

    • Разработчики чаще оптимизируют игры под процессоры Snapdragon, чем под Dimensity
    • Поддерживает пропускную способность памяти на 29% выше (44 против 34,1 ГБ/с)
    • Тактовая частота процессора выше на 7% (3200 против 3000 МГц) )

    Плюсы MediaTek Dimensity 1300

    • Размер кэш-памяти L3 на 4 МБ больше, чем у Snapdragon 870
    • Более высокая частота графического процессора (~26%)
    • Имеет транзистор меньшего размера (6 вместо 7 нм)
    • Анонсировано через 1 год и 2 месяца

    Контрольные показатели

    Тесты производительности в популярных бенчмарках

    SoC:

    Snapdragon 870

    против

    Dimensity 1300

    Антуту 9

    AnTuTu Benchmark измеряет производительность ЦП, ГП, ОЗУ и операций ввода-вывода в различных сценариях.

    Львиный зев 870

    6

    Размерность 1300 +1%

    697426

    ЦП 194048 170384
    ГП 241854 246400
    Память 110520 135010
    UX 148242 147092
    Общий балл 6 697426

    ▶️ Отправьте свой результат AnTuTu

    GeekBench 5

    Тест GeekBench показывает чистую однопоточную и многопоточную производительность процессора.

    Одноядерный Оценка

    Snapdragon 870 +7%

    999

    Размерность 1300

    937

    Оценка многоядерности

    Snapdragon 870 +6%

    3371

    Размерность 1300

    3173

    Сжатие изображения 180,6 Мпикс/с —
    Распознавание лиц 25,25 изображений/с —
    Распознавание речи 54,7 слова/с —
    Машинное обучение 56,95 изображений/с —
    Фотокамера 28 изображений/с —
    HTML 5 3 млн узлов/с —
    SQLite 989,1 Кроус/с —

    3DMark

    Кроссплатформенный бенчмарк, оценивающий производительность графики в Vulkan (Metal).

    3DMark Wild Life Performance

    Львиный зев 870

    4260

    Размерность 1300 +8%

    4602

    Стабильность 90% 62%
    Графический тест 25 кадров в секунду 27 кадров в секунду
    Оценка 4260 4602

    Игры

    Таблица среднего FPS и настроек графики в мобильных играх

    ПУБГ Мобильный 88 кадр/с
    [Ультра]    		 —
    Служебный долг: мобильный 59 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Фортнайт 27 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Легенды Shadowgun 102 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Мир танков Блиц 107 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Геншин Импакт 49 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Мобильные легенды: Bang Bang 60 кадров в секунду
    [Ультра]    		 —
    Устройство Xiaomi Black Shark 4
    1080 x 2400    		 —

    Мы предоставляем средние результаты. FPS может отличаться в зависимости от версии игры, ОС и других факторов.

    Технические характеристики

    Полный список технических характеристик Snapdragon 870 и Dimensity 1300

    Архитектура 1x 3,2 ГГц — Kryo 585 Prime (Cortex-A77)
    3x 2,42 ГГц — Kryo 585 Gold (Cortex-A77)
    4x 1,8 ГГц — Kryo 585 Silver (Cortex-A55)    		 1x 3 ГГц — Cortex-A78
    3x 2,6 ГГц — Cortex-A78
    4x 2 ГГц — Cortex-A55
    Сердечники 8 8
    Частота 3200 МГц 3000 МГц
    Набор инструкций ARMv8.2-A ARMv8.2-A
    Кэш L1 1 КБ 32 КБ
    Кэш L2 1,8 МБ 320 КБ
    Кэш L3 4 МБ 8 МБ
    Процесс 7 нм 6 нм
    Расчетная мощность 10 Вт 10 Вт

    Графика

    Имя графического процессораАдрено 650 Мали-G77 MC9
    Архитектура Адрено 600 Валхалл
    Частота графического процессора 675 МГц 850 МГц
    Исполнительные блоки 2 9
    Затеняющие блоки 512 144
    ФЛОПС 1372 гигафлопс —
    Версия Вулкан 1,1 1,1
    Версия OpenCL 2,0 2,0
    Версия DirectX 12 12

    Память

    Тип памяти ЛПДДР5 LPDDR4X
    Частота памяти 2750 МГц 4266 МГц
    Автобус 4x 16 бит 4x 16 бит
    Максимальная пропускная способность 44 Гбит/с 34,1 Гбит/с
    Максимальный размер 16 ГБ 16 ГБ

    Мультимедиа (ISP)

    Нейронный процессор (NPU) Шестигранник 698 Да
    Тип хранения УФС 3. 0, УФС 3.1 УФС 3.1
    Максимальное разрешение экрана 3840 x 2160 2520 х 1080
    Максимальное разрешение камеры 1x 200 МП, 2x 25 МП 1x 200MP
    Видеосъемка 8K при 30 кадрах в секунду, 4K при 60 кадрах в секунду 4K при 60 кадрах в секунду
    Воспроизведение видео 8K при 30 кадрах в секунду, 4K при 60 кадрах в секунду 4K при 60 кадрах в секунду
    Видеокодеки Н.264, Н.265, ВП8, ВП9 Н.264, Н.265, АВ1, ВП9
    Аудиокодеки AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

    Связь

    Модем Х55 —
    Поддержка 4G LTE ​​Кат. 24 LTE ​​Кат. 21
    Поддержка 5G Да Да
    Скорость загрузки До 2500 Мбит/с —
    Скорость загрузки До 316 Мбит/с —
    Wi-Fi 6 6
    Bluetooth 5,2 5,2
    Навигация GPS, ГЛОНАСС, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS, NAVIC GPS, ГЛОНАСС, Beidou, Galileo, QZSS, NAVIC
    Объявлено Январь 2021 март 2022
    Класс Флагман Флагман
    Номер модели SM8250-AC МТ6893З
    Официальная страница Qualcomm Snapdragon 870 официальный сайт MediaTek Dimensity 1300 официальный сайт

    Отдай свой голос

    Итак, какой SoC вы бы выбрали?

    Snapdragon 870

    1296 (58,3%)

    Dimensity 1300

    928 (41,7%)

    Всего голосов: 2224

    Родственные сравнения

    1. Qualcomm Snapdragon 778G или Qualcomm Snapdragon 870

    2. Qualcomm Snapdragon 865 или Qualcomm Snapdragon 870

    3. Apple A15 Bionic или Qualcomm Snapdragon 870

    4. Qualcomm Snapdragon 778G Plus или Qualcomm Snapdragon 870

    5. MediaTek Dimensity 8100 или Qualcomm Snapdragon 870

    6. Qualcomm Snapdragon 865 или MediaTek Dimensity 1300

    7. Qualcomm Snapdragon 860 или MediaTek Dimensity 1300

    ▶️ Сравните другие чипсеты

    Транзистор PNP, сильноточный усилитель SI

    • {{выделение}}

    2,48 $

    Деталь №: NTE12

    Купить 1+ 2,48 $  
    Купить 50+ 2,07 $ Сохранить задачу%
    Купить 100+ 1,91 $ Сохранить задачу%
    Купить 200+ 1,77 $ Сохранить задачу%
    Купить 500+ 1,65 $ Сохранить задачу%
    prices.length > 1″ border=»0″ cellpadding=»0″ cellspacing=»0″>
    Купить {{ price.low }}+ ${{ parseFloat(price.price).toFixed(2) }} Сохранить {{ Math.floor(((product_selected().prices[0].price — price.price) / product_selected().prices[0].price) * 100) }}%  

    Посмотреть корзину »

    {{ product_selected().in_stock }} в наличии для немедленной отправки.

    Этот продукт не доступен в настоящее время.

    Посмотреть корзину »

    Рекомендуемые продукты

    {{ rp[‘product_title’] }}

    ${{ rp[‘product_price’] }}

    Описание продукта

    NTE Semiconductors

    Номер детали NTE: NTE12
    Описание: T-PNP,SI HIGH CURRENT AMP
    Кол-во в упаковке: 1

    Позвоните или напишите нам, чтобы узнать о состоянии запасов.
    Срок доставки товаров, которых нет в наличии, составляет 1-2 недели.

    Щелкните здесь, чтобы просмотреть техническое описание для NTE12.
    Если эта ссылка на техническое описание не работает, техническое описание все еще может быть доступно на сайте nteinc.com.

    Эта деталь является эквивалентной заменой для следующих деталей:
    183896, 184070, 2SA1271, 2SA1273 (существует небольшая электрическая разница, но устройство будет работать в большинстве приложений), 2SA1296, 2SA1296GR, 2SA1206YSA, 30, 2SA11200 GR , 2SA1431, 2SA1585-S, 2SB1050 (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SB1050P (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SB1050(Q), 2SB1050Q (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SB1050 (R), 2SB1050R (Может не являться точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SB1058B, 2SB1058C, 2SB1068, 2SB1068K, 2 СБ1068Л, 2СБ1300, 2СБ1300К, 2СБ1300Л, 2СБ1426, 2СБ738Б, 2СБ738К, 2СБ739C, 2SB893, 2SB893E, 2SB893F, 2SB893G, 2SB926, 2SB926R, 2SB926S, 2SB926-T, 2SB926T, 2SB976, 2SB976P, 2SB976-Q, 2SB976(Q), 2SB976Q, 2SB976-R, 78 3SB972-R, 6 (97-R, 2SB992-R), 130-47238 (Может не являться точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 483513047238, 4835-130-47407, 483513047407, 4-8A16, 48-A16, 48XA16 , 61260, 61261, A1273 (Существует незначительная электрическая разница, но устройство будет работать в большинстве приложений.), A1296GR(Транс), A1296(Транс), A1296Y(Транс), A1300GR(Транс), A1300(Транс), A1300Y(Транс), A1431, A1585-S(Транс), B1050 (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом , Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений. ), B1050P(TRANS) (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), B1050Q(TRANS) (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он обеспечивает приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), B1050R(TRANS) (Может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных применений.), B1058B(TRANS), B1058C(TRANS), B1068K(TRANS), B1068L(TRANS), B1068(TRANS), B1300K(TRANS), B1300L(TRANS), B1300 (Транс), B1426 (Транс), B738B (Транс), B738C (Транс), B739B (транс), B739C (транс), B893E (транс), B893F (транс), B893G (транс), B893 (транс), B926R (транс), B926S (транс), B926 (транс), B926T (транс), B976Q(TRANS), B976-R, B976(TRANS), ECG12, EW15X341, NTE12, SK9919, SK9919/12, TB3T009260

    Vetco располагает полным ассортиментом электронных компонентов, включая интегральные схемы (ИС), транзисторы, диоды, и светодиоды.
    Ищете дополнительную информацию? Пожалуйста, нажмите здесь для поиска онлайн-компонента NTE ПОИСК ПО ПЕРЕКРЕСТНЫМ ССЫЛКАМ

    Состояние продукта: Новый

    ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ : Рак и репродуктивный вред – www.P65Warnings.ca.gov.

    ПОМОЩЬ: QSC USA 1300 Реле не включается | Страница 3

    тауро0221
    Участник

    #41