AP9T18GH-HF-16_8376966.PDF Datasheet Download — IC-ON-LINE
AP9T18GH-HF-16_8376966.PDF Datasheet Download — IC-ON-LINE
|
|
|
||||||||||||||||||||
33K /
5 Page| Full text search : Fast Switching Characteristic |
| Related Part Number | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Related keyword From Full Text Search System | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![](/800/600/http/d31wxntiwn0x96.cloudfront.net/chhbca/productimages/208.png?width=800&etag="3380e5723ea5f3f83cb305d01bc2bde2")
..
| Price & Availability of AP9T18GH-HF-16 by |
|
All Rights Reserved © IC-ON-LINE 2003 — 2022 |
| [Add Bookmark] [Contact Us] [Link exchange] [Privacy policy] |
Mirror Sites : [www. datasheet.hk]
[www.maxim4u.com] [www.ic-on-line.cn]
[www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net]
[www.alldatasheet.com.cn]
[www.gdcy.com]
[www.gdcy.net] |
| We use cookies to deliver the best possible web experience and assist with our advertising efforts. By continuing to use this site, you consent to the use of cookies. For more information on cookies, please take a look at our Privacy Policy. | X |
To-252 в Благовещенске: 99-товаров: бесплатная доставка, скидка-15% [перейти]
Партнерская программаПомощь
Благовещенск
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Детские товары
Детские товары
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Электротехника
Электротехника
Дом и сад
Дом и сад
Промышленность
Промышленность
Вода, газ и тепло
Вода, газ и тепло
Торговля и склад
Торговля и склад
Все категории
ВходИзбранное
To-252
nCP1117DTARKG-252 117AJG TO-252 с разбора Партномер: 117AJG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор AZ1084CD TO-252 с разбора Партномер: AZ1084CD
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p1903ND5G TO-252 с разбора Партномер: P1903ND5G
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p75N02LDG TO-252 с разбора P75N02 Партномер: P75N02
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор P0903BDG TO-252 с разбора Партномер: P0903BDG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p0903BDG TO-252 с разбора Партномер: P0903BDG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
fDD8896 8896 TO-252 с разбора Партномер: FDD8896
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема a20N03 TO-252 с разбора Партномер: A20N03
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема gS1085LD TO-252 с разбора Партномер: GS1085LD
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор D35P03 TO-252 с разбора Партномер: D35P03
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
2SC5707 to-252 Тип: транзистор, Производитель: Sanyo
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
SPD50P03 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SK3373 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
ME70N03A TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SK3366 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SA1412 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SA1952 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
FCD7N60 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
КТ816Г9 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
GD18N40LZ TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SJ599 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
WMO25N06TS TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
HY1403 to-252 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SB1182 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SC2020 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SC3518L TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SB772 to-252 Тип: транзистор, Производитель: NEC
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SB1214 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
TK10P60W TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SB1516 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SK3025 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
RJP30h2 to-252 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
IRG7R313U to-252 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
STU426S TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
MUR620CT to-252 Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
IRFR5305 to-252 Тип: транзистор, Производитель: International Rectifier
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2SK3919 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
02NB80C3 TO-252 (D-PAK)
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
nCP1117DTARKG-252 117AJG TO-252 с разбора Партномер: 117AJG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор AZ1084CD TO-252 с разбора Партномер: AZ1084CD
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p1903ND5G TO-252 с разбора Партномер: P1903ND5G
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p75N02LDG TO-252 с разбора P75N02 Партномер: P75N02
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор P0903BDG TO-252 с разбора Партномер: P0903BDG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема p0903BDG TO-252 с разбора Партномер: P0903BDG
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
fDD8896 8896 TO-252 с разбора Партномер: FDD8896
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема a20N03 TO-252 с разбора Партномер: A20N03
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
микросхема gS1085LD TO-252 с разбора Партномер: GS1085LD
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
транзистор D35P03 TO-252 с разбора Партномер: D35P03
В МАГАЗИНЕще цены и похожие товары
2 страница из 14
AP9T18GH техническое описание — N-channel Enhancement MODE Power Mosfet
Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: AP9T18GH
| Деталь | AP9T18GH |
| Категория | |
| Описание | N-канальный Enhancement MODE Power Mosfet |
| Компания | Передовая силовая электроника |
| Техническое описание | Загрузить AP9T18GH Техническое описание |
| Цитата |
Где купить |
| Функции, приложения |
| Низкая зарядка затвора Способен управлять затвором 2,5 В Корпус для поверхностного монтажа Соответствует RoHS Описание Мощные МОП-транзисторы повышенной мощности от APEC обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, сверхнизкого сопротивления во включенном состоянии и стоимости. Символ VDS VGS ID@TC=25 ID@TC=100 IDM PD@TC=25 TSTG TJ Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Непрерывный ток стока, при 4,5 В Непрерывный ток стока, при 4,5 В Импульсный ток стока Общая рассеиваемая мощность Линейный коэффициент снижения номинальных характеристик Диапазон температур хранения Диапазон рабочих температур перехода Символ Rthj-c Rthj-a Параметр Тепловое сопротивление соединение-корпус Тепловое сопротивление соединение-окружающая среда Макс. Значение 4 110 ед./Вт Символ BVDSS BVDSS/Tj RDS(ON) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf Ciss Coss Crss Rg Параметр Напряжение пробоя сток-исток Условия испытаний VGS=0 В, ID=250 мкА Мин. . 20 0,5 Тип. Максимум. Единицы нс пФ Статическое сопротивление сток-исток Пороговое напряжение затвора Прямая крутизнаТок утечки сток-исток (Tj=25 C) Ток утечки сток-исток (Tj=150 C) Заряд затвор-исток Затвор-сток («Миллер») Поворот заряда -Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость Сопротивление затвора 1. Ширина импульса ограничена безопасной рабочей зоной. 2. Ширина импульса <300 мкс, рабочий цикл <2%.
Рис. 6. Пороговое напряжение затвора в зависимости от Температура перехода |
эффективность.
| Некоторые номера деталей того же производителя Advanced Power Electronics |
| AP4409GEM P-channel Enhancement MODE Power Mosfet |
| AP25G45EM N-канальный биполярный транзистор с изолированным затвором |
| AP9985M N-канальный режим расширения |
| AP4407GM P-channel Enhancement MODE Power Mosfet |
| AP0903GMA N-channel Enhancement MODE Power Mosfet |
| АП9475М |
| АП0503ГМА |
| АП2308ГЕН |
| AP2531GY N- и P-канальный Enhancement MODE Power Mosfet |
| AP2304AGN N-channel Enhancement MODE Power Mosfet |
| АП9478ГМ |
| AP85T03GH |
| AP9916J N-канальный режим расширения |
 Предназначен для управления внешним N-канальным МОП-транзистором.
|
| APU1205 Устройство APU1205 представляет собой эффективный линейный регулятор напряжения с погрешностью начального напряжения более 2 %, очень низким падением напряжения и очень низким током заземления, разработанный специально для портативных аккумуляторов |
| APU3037 Микросхема контроллера APU3137 предназначена для обеспечения недорогого и высокопроизводительного синхронного понижающего регулятора для встроенных преобразователей постоянного тока в постоянный. Выходное напряжение может быть установлено на уровне 0,8 В |
| AP4002T Выполненная в корпусе TO-92 со сквозными отверстиями, модель AP4002T подходит для слаботочных приложений, таких как небольшие источники питания и переключатели нагрузки. N-канальный мощный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом оснащен BVDSS |
АРЕ2902 APE2902 — это высокоэффективный повышающий DC/DC преобразователь VFM для небольших систем с низким входным напряжением или систем с батарейным питанием и сверхнизким потребляемым током. APE2902 принимает положительное входное напряжение |
| APE8968MP-HF3 Компания Advanced Power Electronics, ведущий тайваньский производитель силовых МОП-полупроводников для преобразователей постоянного тока в постоянный, представила APE8968MP-HF3, новую серию 3A со сверхнизким падением напряжения | .
| AP9922GEO-HF-3 Подходит для приложений управления батареями и защиты, модель AP9Двойной N-канальный МОП-транзистор 922GEO-HF-3 имеет RDS(on) 16 мОм, а двухканальный P-канальный модуль модели AP9923GEO-HF-3 имеет RDS(on) 25 мОм. |
| AP0103GMT-HF Технические характеристики: Полярность: N-канальная; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 40 вольт; RDS(вкл.): 0,0036 Ом; PD: 5000 милливатт; Тип упаковки: 6 X 5 ММ, БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЯ ROHS, PMPAK-8 |
|
APE1085h28 : 3A регулятор положительного напряжения с малым падением напряжения или регулятор фиксированного режима AP2326GN-HF: 4,7 А, 30 В, 0,042 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл. AP2608AGK-HF: 150 В, 1,5 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 150 вольт; RDS(вкл.): 1,5 Ом; PD: 2800 мВт; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS ПАКЕТ-4; Количество единиц в ИС: 1 AP50T10GI-HF : 37 А, 100 В, 0,03 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-252 Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,0300 Ом; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЯ ROHS ПАКЕТ-3; Количество единиц в IC: 1 AP62T02GH : 48 А, 30 В, 0,012 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-252 Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.): 0,0120 Ом; Тип пакета: СВИНЦОВЫЙ ПАКЕТ-3; Количество единиц в ИС: 1 AP98T07GP-HF : 67 А, 60 В, 0,005 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 60 вольт; RDS(вкл. AP9964GM: 9 А, 40 В, 0,016 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 40 вольт; RDS(вкл.): 0,0160 Ом; PD: 2000 мВт; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SOP-8; Количество единиц в IC: 2 APE6810N-B-HF: 1-КАНАЛЬНАЯ СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ, CKT, PDSO3. Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F) APE8861U5-10: ФИКСИРОВАННЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO, PDSO5 Технические характеристики: Тип регулятора: Малый сброс; Выходная полярность: положительная; Тип выходного напряжения: фиксированный; Тип упаковки: SC-70, Другое, БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SC-70, 5 PIN; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ APE8865NL-24-HF : ФИКСИРОВАННЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ LDO-РЕГУЛЯТОР 1,2 В, DROPOUT 1 В, PDSO3 Технические характеристики: Тип регулятора: Малый сброс; Выходная полярность: положительная; Тип выходного напряжения: фиксированный; Тип упаковки: SOT23, Другое, БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SOT-23, 3 PIN; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Выходное напряжение: от 1,18 до 1,22 В; VIN: от 2,8 до 5,5 вольт; Падение напряжения: 1 вольт |
): 0,0420 Ом; PD: 1380 мВт; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЯ ROHS ПАКЕТ-3; Количество единиц в IC: 1 
): 0,0050 Ом; Тип упаковки: TO-220, БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TO-220CFM, 3 PIN; Количество единиц в IC: 1 | Та же категория |
| 2SD1877 : Планарный кремниевый транзистор с тройным рассеиванием NPN, приложение для цветного телевидения с горизонтальным отклонением. IRFM220B : 200 В N-канальный B-FET / Заменитель IRFM220A. Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной планарной DMOS-технологии Fairchild. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо. KA3511 : Интеллектуальный режим ШИМ напряжения ic. Полное ШИМ-управление и вспомогательная схема Небольшое количество внешних компонентов Прецизионное опорное напряжение уменьшено до 2% Двойной выход для двухтактного режима Каждый выход TR для потребляемого тока 200 мА Изменяемый рабочий цикл за счет контроля мертвого времени Возможность плавного пуска за счет контроля мертвого времени Двойная логика подавления импульсов Защита от перенапряжения для / 12V Пониженное напряжение. M5R73RH : 9×14 мм, 3,3 В, Lvpecl/lvds, тактовый генератор. MtronPTI оставляет за собой право вносить изменения в описанные здесь продукты и услуги без предварительного уведомления. Никакая ответственность не принимается в результате их использования или применения. Пожалуйста, посетите www.mtronpti.com для ознакомления с нашим полным предложением и подробными описаниями. Свяжитесь с нами, чтобы узнать о конкретных требованиях вашего приложения: MtronPTI 1-800-762-8800. . STPS15h200CH : Высоковольтный силовой выпрямитель Шоттки. Незначительные коммутационные потери Низкий ток утечки Хорошее соотношение между током утечки и прямым падением напряжения Низкое тепловое сопротивление Указана лавинная способность STPS15h200CB DPAK STPS15h200CH IPAK Выпрямитель Шоттки с двумя центральными выводами, подходящий для импульсного источника питания и преобразователей высокой частоты в постоянный ток. Упаковано в ДПАК и ИПАК данное устройство. RLZ27C : Кремниевые эпитаксиальные планарные стабилитроны. Применения для управления постоянным напряжением Небольшой тип поверхностного монтажа Высокая надежность Параметр Рассеивание мощности Температура перехода Диапазон температур хранения Обозначение Tj TS Значение до 175 Единица измерения мВт (дочерняя компания Sino-Tech International Holdings Limited, компании, котирующейся на Гонконгской фондовой бирже, биржевой код: 724 ). UCW1h570MNL1GS : Радиальный алюминиевый конденсатор 47F, банка — SMD 50 В; КОЛПАЧОК ALUM 47UF 50V 20% SMD. с: Емкость: 47F; ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): — ; : Общее назначение ; Срок службы при температуре: 7000 часов при 105°C; Размер / размер: диаметр 0,315 дюйма (8,00 мм); расстояние между выводами: -; размер площадки для поверхностного монтажа: 0,327 дюйма (Д) x 0,327 дюйма (Ш) (8,30 мм x 8,30 мм); тип монтажа: для поверхностного монтажа; упаковка. M24308/24-39F : Золотое сквозное отверстие, прямоугольные разъемы D-sub, соединительная вилка, вилки; СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ ВИЛКА 25POS R/A GOLD. BK/GMA-V-5A : Предохранитель цепи защиты 5A 125VAC Быстродействующий; ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5A 125V FAST GLASS ОСЕВОЙ. с: Ток: 5А; Напряжение — Номинальное: 125 В переменного тока; Упаковка/футляр: осевой, 5×20 мм; Тип предохранителя: Быстродействующий; Тип крепления: Сквозное отверстие; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS. 0761504010 : Золотое сквозное отверстие, прямоугольная объединительная плата — специальные разъемы, межблочная розетка, розетки; УДАР DC 6X10 ГР СН/ПБ. с: Цвет: черный; Тип соединителя: Ударный; Тип разъема: розетка, розетки; Использование коннектора: Coplanar, Daughtercard; Контактная отделка: золото; Толщина контактного покрытия: 30 дюймов (0,76 м); Схема контакта, типичная:. 24 : Реле питания более 2 А; РЕЛЕ ГЕНЕРАЛЬНОЕ НАЗНАЧЕНИЕ SPDT 6А 120В. s: Тип реле: общего назначения; Контактная форма: SPDT (1 форма C); Номинал контакта (ток): 6А; Напряжение переключения: 250 В переменного тока, 250 В постоянного тока — макс.; Тип катушки: без фиксации; Ток катушки: 3,5 мА; Напряжение катушки: 120 В переменного/постоянного тока; Напряжение включения (макс.): — ; Напряжение выключения (мин.): — ; Тип монтажа: DIN-рейка; Прекращение. 5-1879338-0 : 86,6 кОм 0,063 Вт, чип-резистор 1/16 Вт — поверхностный монтаж; RES 86,6K OHM 1/16W 1% 0603. s: Сопротивление (Ом): 86,6K; Мощность (Ватт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 50ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS. UNR511DG0L : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 100 мА 50 В 150 мВт PNP — с предварительным смещением; ТРАНС PNP W/RES 30HFE SMINI. EZ1083BCTT : РЕГУЛИРУЕМЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ LDO-РЕГУЛЯТОР 1,3–5,7 В, DROPOUT 1,45 В, PSFM3. s: Тип регулятора: с малым падением напряжения; Выходная полярность: положительная; Тип выходного напряжения: регулируемый/переменный; Тип упаковки: Другой, ТО-220, 3 PIN; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Выходное напряжение: от 1,3 до 5,7 вольт; IВЫХОД: 7,5 ампер; Падение напряжения: 1,45 вольта. SPB134-0R3 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,3 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Стиль ведения: Чайка; Литой/экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 0,3000 мкГн; Номинальный постоянный ток: 36000 мА. |
s: Тип разъема: вилка, штыревые контакты; Контактная отделка: золото; : — ; Характеристика фланца: Корпус/оболочка (без резьбы); Тип крепления: сквозное отверстие, под прямым углом; Количество позиций: 25 ; Количество рядов: 2 ; Прекращение: припой; Толщина контактного покрытия:. 
s: Тип транзистора: PNP — предварительно смещенный; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 150 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 47K; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом):. 
© digchip.com, 2004–2023 гг.0031
18A的P沟道增强型MOSFET晶体
