Bc237 транзистор характеристики. Транзистор BC237: характеристики, применение и аналоги

alexxlabРазное
Каковы основные параметры транзистора BC237. Где используется BC237 и какие у него есть аналоги. Как правильно подключить BC237 в схему. На что обратить внимание при работе с BC237.

Содержание

Основные характеристики транзистора BC237

BC237 — это кремниевый биполярный NPN-транзистор общего назначения. Он широко применяется в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
  • Максимальный ток коллектора: 100 мА
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Коэффициент усиления по току: 100-600
  • Граничная частота: 300 МГц
  • Корпус: TO-92

Эти параметры делают BC237 универсальным транзистором для маломощных схем усиления и коммутации.

Области применения BC237

Благодаря своим характеристикам, транзистор BC237 находит применение во многих областях электроники:

  • Малошумящие усилители аудиосигналов
  • Предварительные каскады радиоприемников
  • Импульсные схемы и генераторы
  • Ключевые схемы
  • Схемы управления светодиодами
  • Датчики и сенсорные схемы

BC237 хорошо подходит для маломощных аналоговых и цифровых применений, где не требуются высокие токи и напряжения.


Цоколевка и подключение BC237

Транзистор BC237 выпускается в корпусе TO-92 с тремя выводами. Цоколевка выводов следующая:

  • 1 — Коллектор (C)
  • 2 — База (B)
  • 3 — Эмиттер (E)

При подключении BC237 в схему важно правильно определить выводы и соблюдать полярность. Эмиттер всегда должен быть подключен к наиболее отрицательному потенциалу схемы. База управляет током коллектора.

Аналоги транзистора BC237

BC237 имеет множество аналогов с близкими характеристиками, которые можно использовать для замены:

  • 2N3904 — популярный американский аналог
  • BC547 — очень близкий по параметрам европейский аналог
  • KT3102 — советский/российский аналог
  • 2SC1815 — японский аналог
  • BC337 — аналог с немного большим током

При замене важно сравнивать ключевые параметры транзисторов, особенно максимальные напряжения и токи.

Особенности работы с BC237

При использовании транзистора BC237 в схемах нужно учитывать следующие моменты:

  • Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
  • Обеспечивать хороший теплоотвод при работе на предельных режимах
  • Защищать от статического электричества при монтаже
  • Учитывать разброс параметров у разных экземпляров
  • При необходимости использовать цепи температурной стабилизации

Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную работу схем на BC237.


Сравнение BC237 с другими популярными транзисторами

Рассмотрим, как BC237 соотносится по характеристикам с некоторыми распространенными транзисторами:

ПараметрBC2372N3904BC547BC337
Макс. напряжение К-Э45 В40 В45 В45 В
Макс. ток коллектора100 мА200 мА100 мА800 мА
Коэффициент усиления100-600100-300110-800100-600
Граничная частота300 МГц300 МГц300 МГц100 МГц

Как видно, BC237 имеет схожие параметры с аналогами, но отличается по максимальному току. Это нужно учитывать при проектировании схем.

Типовые схемы включения BC237

Рассмотрим несколько базовых схем включения транзистора BC237:

Схема с общим эмиттером

Это наиболее распространенная схема включения BC237 для усиления сигнала:


      +Vcc
       |
       R1
       |
    |--+
    |  |
 Vin|  R2
    |  |
    +--+--+
    |     |
    B     |
  BC237   R3
    E     |
    |     |
    +-----+
       |
      GND

В этой схеме входной сигнал подается на базу, а усиленный выходной снимается с коллектора. R1 и R2 задают режим по постоянному току, R3 — нагрузка.


Ключевая схема

BC237 часто используется как электронный ключ:


   +Vcc
    |
    RL
    |
    C
  BC237
    E
    |
   GND
    
Vin --[R]--+
           |
           B

При подаче положительного напряжения на базу транзистор открывается и пропускает ток через нагрузку RL.

Эти базовые схемы можно модифицировать под конкретные задачи, добавляя обратные связи, дополнительные каскады и т.д.

Советы по выбору BC237 для конкретных применений

При выборе транзистора BC237 для вашего проекта обратите внимание на следующие моменты:

  • Для аудиоприменений выбирайте экземпляры с низким уровнем шума
  • Для высокочастотных схем важна высокая граничная частота
  • В ключевых схемах критично низкое напряжение насыщения
  • Для усилителей тока нужен высокий коэффициент усиления
  • В схемах с большими токами лучше использовать BC337 или мощные аналоги

Также при выборе учитывайте температурный диапазон работы вашего устройства и требования к надежности. В ответственных применениях лучше использовать транзисторы проверенных производителей.


Измерение параметров BC237

Для проверки исправности и измерения характеристик BC237 можно использовать следующие методы:

  • Проверка прозвонкой переходов мультиметром
  • Измерение коэффициента усиления с помощью транзистометра
  • Снятие вольт-амперных характеристик на измерителе параметров транзисторов
  • Измерение граничной частоты высокочастотным генератором и осциллографом

Простейшая проверка работоспособности — измерение сопротивления переходов. У исправного BC237 сопротивление база-эмиттер и база-коллектор должно быть около 600-700 Ом в прямом направлении и бесконечность в обратном.


Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33
33		 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150


Транзистор 9014 аналог

Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы. Аналог транзистора DT. Выбор тестера SMD компонентов. Замена составного транзистора парой простых — расчет? Изготовление печатных плат.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Аналоги для s9014
  • BC237 биполярный n-p-n транзистор характеристики и аналоги документация на русском
  • Функциональные аналоги биполярных и полевых транзисторов производства ОАО «ИНТЕГРАЛ»
  • Транзистор SS8050 (J3Y,Y1)
  • Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23
  • Аналоги биполярных транзисторов
  • Справочная информация о аналогах транзистора 9014
  • Аналоги и замена зарубежных транзисторов

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить транзистор мультиметром

Аналоги для s9014


Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов.

Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Партнер статьи: Electronoff. Снижение расхода топлива в авто. Ремонт зарядного В. Солнечная министанция. Самодельный ламповый. Фонарики Police. Генератор ВЧ и НЧ. Порядок вывода комментариев: По умолчанию Сначала новые Сначала старые.

Добрый день! Автомобильная электроника Блоки питания Зарядные устройства Паяльники и инструменты Измерительные приборы Самодельные сигнализации Телевизоры и видео Усилители звука. Компьютерная электроника Самодельные металлоискатели Контроллеры и микросхемы Начинающим радиолюбителям Приёмные устройства Ламповая техника Светодиоды и лампы Электрика своими руками.

Электросхемы для самостоятельной сборки радиоэлектронных приборов и конструкций. Полезная информация для начинающих радиолюбителей и профессионалов. Все права защищены. Вход Почта Мобильная версия.


BC237 биполярный n-p-n транзистор характеристики и аналоги документация на русском

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Чтобы защитить стержень от обгорания, его нужно обмазать тонким слоем смеси силикатного клея и сухой минеральной краски окись железа, цинка и магния.

LabKit — Аналоги зарубежных транзисторов. транзисторов. Жирный шрифт обозначает обратный аналог, например: .. SSC, КТБ, КТВ.

Функциональные аналоги биполярных и полевых транзисторов производства ОАО «ИНТЕГРАЛ»

Добрый вечер! Вместо слабенького транзистора в то92 пихать мощный в то? Самому не показалось это странным? Согласен с А вот в место полевика хорошо подходит! А так там два любых биполярника поидут пнп и нпн ну и мощныи на раскачке катушки! Евгений, я уже кг взял за месяц, теперь надо крону купить и место другое искать. Виктор, Я за 6ч кг. Виктор, Я за два вечера по 3ч вчера и сегодня поднял.

Транзистор SS8050 (J3Y,Y1)

Регистрация Забыл пароль. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить MMBTLT1G, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

Общая сумма с учетом скидки пусто.

Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23

Switch to English регистрация. Телефон или email. Чужой компьютер. Выкладывайте здесь свои опыты по замене на аналоги. Вместо конденсатора 1nF подходят любые nF. Посмотреть все изображения.

Аналоги биполярных транзисторов

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Партнер статьи: Electronoff.

Скачать с схема rtf Транзисторы s TO Honest buyer_обзоры посылок. C Аналоги для s — Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.

Справочная информация о аналогах транзистора 9014

Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. SS и SS подойдут?

Аналоги и замена зарубежных транзисторов

Кашкаров А. Популярный справочник радиолюбителя. Как заменить радиоэлементы? Как подобрать отечественные компоненты вместо зарубежных? Как быстро и просто подключить силовые оконечные коммутационные узлы? Об этом и многом другом расскажет вам эта книга.

Компьютер шумно разгоняется кулер и лампочка мигает а потом кулер работает более-менее тихо и лампочка горит. Четыре месяца назад приобрел новый системный блок.

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума FШ , во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала Rs на частоте генерации 1 кГц. У s коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера.

Ru — форумы для гитаристов У нас самая большая гитарная тусовка. Добро пожаловать, Гость. Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь. Не получили письмо с кодом активации?


Транзисторы BC 224 — BC 290 основные характеристики, аналоги, цоколевка

Справочник радиолюбителя

TypeDeviceShort descriptionFig. Comparison type
BC 224Si-PUni, 30V, 30mA, 0,25W7cBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 225Si-PNF, га, 40V, 0,1A, 0,2W, 70MHz8aBC 415…416, BC 560
BC 226 [ATES]Si-NNF-Tr, 40V, 0,1 A, 0,8W, 40MHz2aBC 140… 141, BC 337, BC 635, BC 637
BC 226(A) [Riz]Si-PNF-Tr, 30…40V, 0,6A, 0,3W, 200MHz2aBC 327…328, BC 636, BC 638, BC 640
BC 231Si-PNF-Tr, 40V, 0,4A, 0.625W, 250MHz7cBC 327, BC 636, BC 638, BC 640
BC 232Si-NNF-Tr, 40V, 0,4A, 0.625W, 300MHz7cBC 337, BC 635, BC 637, BC 639
BC 234(A)Si-NUni, 30. ..45V, 0,1 A, 0,3W, 350MHz2aBC 167, BC 183, BC 237, BC 547
BC 235(A)Si-NUni, 30…45V, 0,1 A, 0,3W, 350MHz2aBC 167, BC 183, BC 237, BC 547
BC 236Si-NNix, 120V, 50mA, 0,3W8aBF 297…299, BF422, BSS 38, BSX21
BC 237Si-NUni, 50V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz7aBC 167, BC 182, BC 547
BC 237 РSi-NUni, 50V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz40eBC 167, BC 182, BC 547
BC 238Si-NUni, 30V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz7aBC 168, BC 183, BC 548
BC 238 РSi-NUni, 30V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz40eBC 168, BC 183, BC 548
BC 239Si-NUni, ra, 30V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz7aBC 169, BC 184, BC 549
BC 239 РSi-NUni, ra, 30V, 0,1 A, 0,3W, 250MHz40eBC 169, BC 184, BC 549
BC 250Si-PUni, 20V, 0,1A, 0,3W, 180MHz7aBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 251Si-PUni, 50V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7aBC 212, BC 257, BC 307, BC 557
BC 252Si-PUni, 30V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7aBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 253Si-PUni, ra, 30V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7aBC 214, BC 259, BC 309, BC 559
BC 254 [Texas]Si-NUni, 100V, 30mA, 0,25W7cBC 546, BF297. ..299, BF422, 2SC1890A
BC 254(A) [Riz]Si-NUni, 18..,25V, 0,1 A, 0,3W, 120MHz2aBC 168, BC 183, BC 238, BC 548
BC 255 [Texas]Si-NUni, 100V, 30mA, 0,625W7cBC 546, BF297…299, BF422, 2SC1890A
BC 255(A) [Riz]Si-NUni, 18…25V, 0,1A, 0,3W, 120MHz2aBC 168, BC 183, BC 238, BC 548
BC 256Si-PUni, 64V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7aBC 212, BC 266, BC 556
BC 257Si-PUni, 50V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7cBC 212, BC 257, BC 557
BC 258Si-PUni, 30V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7cBC 213, BC 258, BC 558
BC 259Si-PUni, ra, 25V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz7cBC 213, BC 259, BC 559
BC 260Si-PUni, 20V, 0,1 A, 0,3W. 180MHz2aBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 261Si-PUni, 50V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz2aBC 212, BC 257, BC 307, BC 557
BC 262Si-PUni, 30V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz2aBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 263Si-PUni, ra, 30V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz2aBC 241, BC 259, BC 309, BC 559
BC 264N-FETNF-V, ra, symm, 30V, ldss>2mA, Up<1,6V7fBF 244, BF 245, BFS 71, 2N3822
BC 264 LN-FETNF-V, ra, symm, 30V, ldss>2mA, Up<1,6V7eBF 244, BF 245, BFS 71, 2N3822
BC 266Si-PUni, 64V, 0,1 A, 0,3W, 130MHz2aBC 212, BC 256, BC 556
BC 267Si-NUni, 50V, 0,5A, 0,375W, 200MHz2aBC 337, BC 637, BC 639
BC 268Si-NUni, 30V, 0,5A, 0,375W, 200MHz2aBC 337. ..338, BC 635, BC 637, BC 639
BC 269Si-NUni, ra, 30V, 0,5A, 0,375W, 200MHz2aBC 337…338, BC 635, BC 637, BC 639
BC 270Si-NUni, 20V, 0,5A, 0,375W, 200MHz2aBC 337…338, BC 635, BC 637, BC 639
TypeDeviceShort descriptionFig.Comparison type
BC 271Si-NUni, 25V, 1A, 0,3W, 225MHz2aBC 337…338, BC 635, BC 637, BC 639
BC 272Si-NUni, 45V, 1A, 0,3W, 150MHz2aBC 337, BC 635, BC 637, BC 639
BC 274Si-PUni, 50V, 0,1 A, 0,33W, 130MHz8aBC 212, BC 257, BC 307, BC 557
BC 275Si-PUni, 30V, 0,1 A, 0,33W, 130MHz8aBC 213, BC 258, BC 308, BC 558
BC 276Si-PUni, ra, 30V, 0,1 A, 0,33W, 130MHz8aBC 214, BC 259, BC 309, BC 559
BC 277Si-NUni, 45V, 0,1 A, 0,3W, 150MHz8aBC 167, BC 183, BC 237, BC 547
BC 278Si-NUni, 20V, 0,1 A, 0,3W, 150MHz8aBC 168, BC 183, BC 238, BC 548
BC 279Si-NUni, ra, 20V, 0,1 A, 0,3W, 150MHz8aBC 169, BC 184, BC 239, BC 549
BC 280Si-NNF, ra, 45V, 0,1A, 0,36W, 130. .,250MHz2aBC 184, BC 413…414, BC 550
BC 281Si-PNF, ra, 45V, 0,2A, 0,36W, 130…250MHz2aBC 214, BC 415…416, BC 560
BC 282Si-NNF-Tr, 60V, 0,6A, 0,4W, 170MHz2aBC 337, BC 637, BC 639
BC 283Si-PNF-Tr, 30V, 0,6A, 0,4W, 110MHz2aBC 327, BC 636, BC 638, BC 640
BC 284Si-NUni, 40V, 0,2A, 0,5W, 60MHz2aBC 167, BC 183, BC 237, BC 547
BC 285Si-NNix, Uni, 120V, 0.36W, 80MHz2aBF 297…299, BF 422, 2SC1890A
BC 286Si-NNF-Tr/E, 70V, 1A, 0,8W, 100MHz2aBC 140…141, BCХ40, 2N3019. ..3020
BC 287Si-PNF-Tr/E, 60V, 1A, 0,8W, 200MHz2aBC 161, BC 461, BCХ 60, 2N4235…4236
BC 288Si-NNF-E, 80V, 5A, 0,8W, 80MHz2aВFT 32…34, BDX 35…37, 2N5336…5339
BC 289Si-NUni, 45V, 0,1 A, 0,36W2aBC 167, BC 183, BC 237, BC 547
BC 290Si-NUni, ra, 45V, 0,1 A, 0,36W2aBC 184, BC 413…414, BC 550

Словарь сокращений и терминов используемых в справочнике смотрите здесь — http://www.xn--b1agveejs.su/radiotehnika/186-terminy-v-spravochnikah-rashifrovka.html

Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог зарубежных транзисторов и микросхем

Характеристики транзистора, datasheet и аналоги

По своим техническим характеристикам, транзистор 2N3904 подходит для использования в переключающих схемах и предварительных каскадов усилителей низкой частоты. Это кремниевое устройство n-p-n структуры, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Его отличительной особенностью является низкое напряжение насыщения на коллекторе и маленькая выходная ёмкость.

Цоколевка

Цоколевку 2N3904 будем рассматривать в корпусе ТО-92. Есть также аналоги в SOT-223 и SOT-23 (MMBT3904), который маркируется как «1А». Если транзистор расположить так, чтобы сторона с маркировкой была прямо перед вами, а ножки смотрели вниз, то ножки будут расположены так: слева коллектор, в середине база, а справа эмиттер. Внешний вид и геометрические размеры 2N3904 представлены на рисунке.

Технические характеристики

Теперь рассмотрим предельно допустимые параметры, так как они являются наиболее важными и именно на них нужно смотреть при поиске замены и конструировании новых устройств. Работа транзистора при значениях выше максимальных приведёт к выходу устройства из строя. Тестирование проводилось при температуре +25°С.

Для 2N3904 эти характеристики равны:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = 60 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = 40 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = 6 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 200 мА;
  • мощность Pк max (PD) = 0,625 Вт;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
  • предельная температура кристалла Тj = 150°С.

Следующими идут электрические значения, они важны для понимания функциональных возможностей устройства. Измеряются при стандартной комнатной температуре +25°С. Остальные значения приведены в отдельной колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N3904 (при Т = +25°C)
ПараметрыОбозначенияУсловия измеренияminmaxЕд. изм
Напряжение пробоя К – БUкб(проб.) (BVCBO)IК=-10 мA, IЭ=060В
Напряжение пробоя К –ЭUкэ(проб.) (BVCЕO)IК=-1 мA, IБ=040В
Напряжение пробоя Э – БUэб(проб.) (BVЕBO)IЭ=-10 мкA, IК=06В
Обратный ток К-ЭIкэо (ICEX)Uкэ= 30 В, IЭб=3 В50нА
Статический к-т передачи токаh21эIК=-10 мA, Uкэ=-1 В100300
Напряжение насыщения К — ЭUкэ(нас. ) (VCE(sat))IК = 50 мA, IБ = 5 мA0,3В
Граничная частота к-та передачи токаfгрUкэ = 20 B,IК = 10мA f= 100 МГц300МГц
Ёмкость коллекторного переходаCк (Cob)Uкб = 5 В, IЭ = 0, f=1мГц4пФ
Время задержкиtзд (td)VCC=3Vdc, VBE(off)=0,5Vdc.

IC=10 mAdc,

IB1= 1 mAdc

35нс
Время нарастанияtнр (tr)35нс
Время рассасыванияtрас (ts)VCC=3Vdc,IC=10mAdc,

IB1=IB2=1mAdc

200нс
Время спадаtсп (tf)50нс

Аналоги

Заменить 2N3904 можно на следующие аналоги:

  • 2N4124;
  • 2N4401;
  • 9013;
  • BC237;
  • MPSA20;
  • MPSA06.

При необходимости можно заменить данное устройство на 2N3903, но при этом нужно понимать, какие параметры важны в данном случае и изучить технические параметры обеих транзисторов. Имеются также российские аналоги:

  • КТ3117Б;
  • КТ375А;
  • КТ375Б;
  • КТ6137А.

Комплементарная пара для рассматриваемого устройства – 2N3906.

Производители и Datasheet

Ниже производителей производителей и их dataheet на 2N390:

  • Unisonic Technologies;
  • KEC(Korea Electronics);
  • Micro Commercial Components;
  • First Silicon;
  • Seme LAB;
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
  • AUK corp;
  • NXP Semiconductors;
  • STMicroelectronics;
  • Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах продаются транзисторы следующих компаний:

  • ON Semiconductor;
  • Fairchild Semiconductor;
  • Dc Components;
  • Central Semiconductor;
  • Diotec Semiconductor.

справочник транзисторов — Стр 2

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2073

BD239D, 2SC1669, 2SD608A, 2SD1138

SI-N

150

1,5

25

4

 

 

 

 

 

 

 

2SC2075

2SC1306, 2SC1816, 2SC1909, 2SC2092

SI-N

80

4

 

27

2SC2078

2SC1306, 2SC1816, 2SC1909, 2SC2092

SI-N

80

3

 

25

2SC2120

BC337. .338..635..637..639

SI-N

30

0,8

0,6

120

2SC2166

2SC1944, 2SC1969, 2SC2043, 2SC2119

SI-N

75

4

 

27

 

 

 

 

 

 

 

2SC2188

BF225, BF310, BF314, BF502..503

SI-N

45

0,05

0,6

500

 

 

 

 

 

 

 

2SC2230

BF298..299, BF420A, 2SC3467..69

SI-N

200

0,1

0,8

50

2SC2235

2SC2383, 2SC3228, 2SD667, 2SD1812

SI-N

120

0,8

0,9

120

2SC2236

2SC3328, 2SD1014, 2SD1146, 2SD1207

SI-N

30

1,5

0,9

120

2SC2240

2SC2362, 2SC2389, 2SC2459, 2SC2631

SI-N

120/120

0,1

0,3

100

 

 

 

 

 

 

 

2SC2267

MPS-A44. .45, 2SC3118, 2SC3469, 2SD1350

SI-N

400/360

0,1

0,4

70

 

 

 

 

 

 

 

2SC2271E

2SC3468..69

SI-N

300

0,1

0,9

50

2SC2331

BD239F, 2SC2660, 2SD760, 2SD1138

SI-N

150

2

15

 

2SC2334

BD243F, BU409, BUW64C, TIP150..152

SI-N

150

7

40

 

2SC2335-0

C3039, C4242, C2739, C2427

SI-N

500/400

7

40

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2344

2SC2238A, B, 2SC2660, 2SD608A

SI-N

180/160

1,5

25

100

 

 

 

 

 

 

 

2SC2383

2SC3228, 2SD1812

SI-N

160

1

0,9

20

2SC2458

BC184, BC414, BC550, 2SC2240

SI-N

50

0,154

0,2

>80

2SC2482

2SC3468, 2SC4166

SI-N

300/300

0,1

0,9

 

2SC2484

BD245B, 2SD718, 2SD895, 2SD1046

SI-N

80/80

5

60

15

 

 

 

 

 

 

 

2SC2500

2SC3328, 2SD1146, 2SD1207, 2SD1247

SI-N

30

2

0,9

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC2570

2SC3037, 2SC3512

SI-N

25

0,07

 

5000

2SC2577

BD245C, 2SC2706, 2SC2837, 2SC2987

SI-N

120

6

60

20

2SC2581

BD245F, 2SC3263. .64

SI-N

200

10

100

20

2SC2594

MJE200, 2SC3420, 2SD741, 2SD826

SI-N

40

5

10

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC2625

BUW12A, 2SC2541, 2SC2740, 2SC2789

SI-N

450

10

80

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2655

2SC3328, 2SC3669, 2SD1207, 2SD2177

SI-N

60

2

0,9

100

2SC2682

BF415, BF417, BF458. .459, 2SC3416

SI-N

180

0,1

8

200

2SC2688

BF417, BF459, C3417, C3503

SI-N

300

0,2

10

80

2SC2705

BF297..299, BF422A, 2SC3467..69

SI-N

150

0,05

0,8

200

 

 

 

 

 

 

 

2SC3039

BUT56A, BUT54, 2SC2739, 2SC3170

SI-N

500/400

7

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3070

2SC4389, 2SD1581. .82, 2SD1779

SI-N

30

1,2

 

 

2SC3150

BUT11A, BUV46A, 2SC3490,, 3491

SI-N

900/800

3

40

15

2SC3181N

BD245C, 2SC2681, 2SC2837, 2SC2987A

SI-N

120

8

80

30

2SC3198

C1775, C2240, C2390, C2459

SI-N

60

0,15

0,4

130

 

 

 

 

 

 

 

2SC3199GR

2SC1775, 2SC2240, 2SC2390, 2SC2459

SI-N

60

0,15

0,2

130

 

 

 

 

 

 

 

2SC3205

C3328, D1014, D1146, D1207

SI-N

30

2

1

120

2SC3207

2SC3468. .69, 2SC3249

SI-N

300

0,1

0,9

70

2SC3209

BF299, BF393, BFR89, 2SC3468

SI-N

300/300

0,2

1

50

2SC3246

C3225, C4398

SI-N

30

1,5

0,9

130

 

 

 

 

 

 

 

2SC3279

MPS650, 2SC3205, 2SC3226, 2SD1207

SI-N

30

2

0,75

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC3281

2SC4029

SI-N

200/200

15

150

30

2SC3298

2SC3364, 2SC4159

SI-N

160

1,5

20

100

2SC3309F

BUX84. .85, 2SC2333, 2SC2534, 2SC2738

SI-N

500/400

2

20

 

2SC3331

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,2

0,5

200

11

Справочник радиолюбителя

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3377

BC337, BC635, BC637, BC639

SI-N

40

1

0,5

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC3402

KSR1002, 2SC3656

SI-N+R

50

0,1

 

250

2SC3457

MJE8502. .8503, 2SC3050

SI-N

1100/800

3

50

 

2SC3460

BU902, C3643

SI-N

1100/800

6

100

15

2SC3461

BU902, C3643

SI-N

1100/800

8

140

15

 

 

 

 

 

 

 

2SC3502

2SC3416..17, 2SC3600..01

SI-N

200

0,1

7

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC3576

2SC3068, 2SC3836

SI-N

30

0,3

 

 

2SC3688

BU2520A

SI-N

1500/800

10

150

 

2SC369

BC169, BC184, BC239, BC549

SI-N

25

0,1

0,2

150

2SC3752

2SC4234

SI-N

1100/800

3

30

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3795

BUT11AF, 2SC3353, 2SC3750

SI-N

800/500

5

40

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3795A

BUT11AF, BUT18AF, BUT21CF

SI-N

900/500

5

40

 

2SC3795B

BUT11AF, BUT18AF, BUT21CF

SI-N

900/500

5

40

 

2SC3852

2SD2092

SI-N

80

3

25

15

2SC3866

C3559, C4303

SI-N

900/800

3

40

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3883

BU508D, BU706D, 2SC3481, 2SC4291

SI-N+Di

1500/800

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC3895

2SC3885A

SI-N

1500/800

7

60

 

2SC3909

BUW11A, BUV89, 2SC3153, 2SC3232

SI-N

900/800

5

100

 

2SC3927

BUV47A, BUW12A, 2SC3637

SI-N

900/550

10

120

 

2SC3940

C2236, C3226, C1270, D1331

Si-N

30

1

1

200

 

 

 

 

 

 

 

2SC3979

BUT11AF, 2SC3752, 2SC4234

Si-N

900/800

3

40

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4106

BUT54, BUT56, 2SC3170, 2SC4055

SI-N

500/400

7

50

 

2SC4161

2SC3571, 2SC3574, 2SC4056, 2SC4130

SI-N

500/400

7

30

 

2SC4204

C3070, C3223, C3673, D1582

Si-N

30

0,7

 

 

2SC4235

BU706, 2SC3387, 2SC3642

SI-N

1200/800

3

80

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4236

BUV89, 2SC3466, 2SC3643

SI-N

1200/800

6

100

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4237

BUV48B, 2SC3644, 2SC4023

SI-N

1200/800

10

150

 

2SC4242

BUT56A, C3170, C4055, C4106, MJE13007

Si-N

450/400

7

40

 

2SC4304

BUT11AF, 2SC3559, 2SC4234, 2SD1591

SI-N

900/800

3

35

 

2SC4369

2SC3297, 2SC3690

SI-N

30

3

15

100

 

 

 

 

 

 

 

2SC4408

2SC3328

SI-N

80

2

0,9

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4429

2SC4199, 2SC4585

SI-N

1100/800

8

60

15

2SC4517

BUT11AF, C4304, C3559, C3979A

Si-N

900/550

3

30

 

2SC4742

BU508D 2SC3842, 2SC3682, 2SC4292

SI-N+DI

1500

6

50

 

2SC4804

2SC3559, 2SC43042, SC4517, 2SC4908

SI-N

900/600

3

30

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4833

BUT11AF, C4054, C4073, C4371

Si-N

500/400

5

35

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC4834

BU306F, BUT12, 2SC4130, 2SC4161

SI-N

500/400

8

45

 

2SC4927

BU2508DF, 2SC3893A, 2SC4763, 2SD2371

SI-N+Di

1500

8

50

 

2SC5027

2SC3271, 2SC3789. .90, 2SC4828

SI-N

300/300

0,1

 

70

2SC5048

BU2525AF, BU2527AF

SI-N

1500/600

12

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC5129

BU2520AF, BUH715, 2SC4542

SI-N

1500/600

10

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC5148

BU2525AF, 2SC3896, 2SC4758

SI-N

1500/600

8

50

 

2SC5239

BUT11A, BUV46A, 2SC3148, 2SC3150

SI-N

900/550

3

50

6

2SC5249

BUT11AF, 2SC4054, 2SC4304, 2SD1571

SI-N

600/600

3

35

6

2SC5250

BU2520DF, 2SC4763

SI-N+Di

1500

8

50

 

12

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC536

BC183, BC237, BC547, BF254..255

SI-N

55

0,1

0,2

180

 

 

 

 

 

 

 

2SC815

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,2

0,25

200

2SC945P

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,2

0,25

250

2SD1111

BC618, BC877, BC879, BSR51. .52

SI-N+Darl

80

0,7

0,6

 

2SD1140

2SD1536, 2SD1786, 2SD1861, 2SD2046

SI-N+Darl

30

1,5

0,9

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1148

BD245D, 2SC2706, 2SC2987, 2SD1047

SI-N-HiFi

140/140

10

100

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1207

2SC3328, 2SC4145, 2SD2096, 2SD2485

SI-N

60

2

1

150

2SD1266

BDT31F, 2SC3851, 2SD1408, 2SD2000

SI-N

60

3

35

30

2SD1273

2SD1259, 2SD1944, 2SD2092, 2SD2156

SI-N

80

3

40

50

2SD1275

BDT61F, 2SD1790, 2SD1825, 2SD1987

SI-N-

60

2

35

20

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

2SD1276

BDT61F, 2SD1790, 2SD1825, 2SD1987

SI-N-

60

4

40

20

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

2SD1292

2SC2383, 2SC3228, 2SD667, 2SD1812

SI-N

120

1

0,9

100

 

 

 

 

 

 

 

2SD1347

2SC4487, 2SC4482, 2SD1145

SI-N

60

3

1

150

 

 

 

 

 

 

 

2SD1391

BU508A, BU908, C3485, D1496

SI-N

1500/700

5

100

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1398

BU508D, 2SC3481, 2SD1730, 2SD1878

Si-N+Di

1500/800

5

80

 

2SD1402

BU508A, BU908, C3485, D1496

SI-N

1500

5

120

 

2SD1403

BU508A, BU908, C3486, D1497

SI-N

1500/800

6

120

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1426

BU706D, 2SC3480, 2SD1729, 2SD1877

SI-N+Di

1500/600

3,5

80

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1427

BU508D, 2SC3481, 2SD1730, 2SD1878

SI-N+Di

1500/600

5

80

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1428

BU508D, 2SC3482, 2SD1732, 2SD1879

SI-N+Di

1500/600

6

80

 

2SD1431

BU508A, BU908, 2SC3485. .86, 2SC4291

SI-N

1500/600

5

80

 

2SD1455

BU508A, BU908, 2SC3485..86, 2SD1496..97

SI-N

1500/600

5

50

 

2SD1497

BU508A, BU908, 2SC3482, 2SC3685

SI-N

1500/600

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1541

BU508DF, 2SC3480, 2SD1554, 2SD1650

SI-N+Di

1500

3

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1545

BU2508AF, BU708F, 2SC4142, 2SD1655

SI-N

1500/600

5

50

 

2SD1548

BU2520AF, BUH715, 2SC3897, 2SC4199

SI-N

1400/600

10

50

 

2SD1554

BU508DF, BU706DF, D1650, D2089

SI-N+Darl

155/600

3,5

40

 

2SD1555

BU508DF, D1651, D2095, D2125

SI-N+Darl

155/600

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1556

BU508DF, 2SC3892A, 2SD1652, 2SD2125

SI-N+Di

1500/600

6

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1650

BU708DF, 2SD1554, 2SD2089

SI-N+Di

1500/800

3,5

50

 

2SD1651

BU508DF, 2SD1555, 2SD2095, 2SD2125

SI-N+Di

1500/800

5

60

 

2SD1652

BU508DF, 2SC4293, 2SD1556, 2SD2125

SI-N+Di

1500/800

6

60

 

2SD1710

BU508AF, C4142. .43, D1655..56

SI-N

1500/800

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1760

2SC3592, 2SC3386, 2SD1221, 2SD1802

SI-N

60

3

15

90

 

 

 

 

 

 

 

2SD1761

2SC3690, 2SC3746, 2SC3851, 2SD1586

SI-N

80

3

30

8

2SD1796

2SD1788

SI-N-

60

4

25

60

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

2SD1853

2SD1153, 2SD1660

SI-N-

80

1,5

0,7

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

2SD1877

BU708DF, 2SD1554. .55, 2SD1651, 2SD2089

SI-N+Di

1500/800

4

50

 

2SD1878

DBU508DF, 2SD1555, 2SD2095, 2SD2125

SI-N+Di

1500/800

5

60

 

2SD1879

BU508DF, 2SC4294, 2SD1556, 2SD2125

SI-N+Di

1500/800

6

60

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1881

BU2520DF, 2SC4125, 2SC4531

SI-N+Di

1500/800

10

70

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1883

BU706DF, D1544, D1654

SI-N

1500/800

4

50

 

13

Справочник радиолюбителя

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1884

BU508AF, 2SC4142, 2SD1545, 2SD1655

SI-N

1500/800

5

60

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD1886

BU508AF, 2SC3896

SI-N

1500/800

8

70

 

2SD1887

BU2520AF, 2SC3897

SI-N

1500/800

10

70

 

2SD1889

2SD1785, 2SD2025, 2SD1590

SI-N-

120/120

6

30

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

2SD1933

BD647F, 2SD1589, 2SD1788, 2SD1928

SI-N-

80/80

4

30

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

2SD1941

BU508AF, C4143, D1545, D1652

SI-N

1500/650

6

50

 

2SD1944

2SD1273, 2SD2092, 2SD2156, 2SD2375

SI-N

80

3

40

50

 

 

 

 

 

 

 

2SD1991

BC168, BC183, BC283, BC548, 2SD636

SI-N

30

0,1

0,4

150

 

 

 

 

 

 

 

2SD1994AR

2SD973A

SI-N

60

1

1

200

2SD2012

BD935F, 2SD1406, 2SD1585, 2SD1913

SI-N

60

3

25

3

2SD2058

2SC3851. .52, 2SD1585, 2SD1985, 2SD2012

SI-N

60

3

25

3

2SD2061

2SC3691, 2SC3851, 2SD2000

SI-N

80

 

40

8

 

 

 

 

 

 

 

2SD2092

2SD2076

SI-N+Di

100

3

 

140

 

 

 

 

 

 

 

2SD2095

BU508DF, 2SD1555, 2SD1651, 2SD2125

SI-N+Di

1500/600

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD2132

2SC4204, 2SD2144. .45, 2SD2191..92

SI-N

25

0,5

 

 

2SD2331

BU705DF, 2SD1554, 2SD1650, 2SD2089

SI-N+Di

1500/600

3

60

 

2SD2333

BU508DF, BU706DF, D1555, D2125

SI-N+Di

1500/600

5

80

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD2389

BDV67D, 2SD1123

SI-N-Darl

160/150

8

80

80

 

 

 

 

 

 

 

2SD2394

BD937F, BDT31F, 2SC3475, 2SC3851

SI-N

80

3

25

8

 

 

 

 

 

 

 

2SD2499

2SC4764

SI-N+Di

1500/600

6

50

 

2SD400

C4483. .4485, D1207

SI-N

25

1

0,9

180

2SD471

BC337..338, BC635, BC637, BC639

SI-N

30

1

1

130

 

 

 

 

 

 

 

2SD560

D830, D1128, D1169, D1590

SI-N+Darl

150

5

30

 

 

 

 

 

 

 

 

2SD667

2SC2383, 2SC3228, 2SD1292, 2SD1812

SI-N

120

1

0,9

140

 

 

 

 

 

 

 

2SD734

C4483, D1207, D1302, D1616

SI-N

25

0,7

0,6

250

2SD879

2SD1347

SI-N

30

 

0,75

200

2SD880

BD241A, BD537, BD937, 2SD712

SI-N

60

3

30

3

2SD882P

BD785, MJE240. .244, 2SD794

SI-N

40

3

10

90

 

 

 

 

 

 

 

2SD882Q

BD785, MJE240..244, 2SD794

SI-N

40

3

10

90

 

 

 

 

 

 

 

2SD965

2SC3671, 2SD1145, 2SD1244, 2SD2249

SI-N

40

5

0,75

150

2SK1096

2SK1034, 2SK1306, 2SK1558

MOS-

60

13

30

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1117

K1402, K1801, K1639, K1643

MOS-

600

6

100

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1118

2SK1404, 2SK1637, 2SK2044

MOS-

600

6

45

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1284

2SK1113, 2SK1254, 2SK1299

MOS-

100

3

20

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1341

2SK1358, 2SK1462, 2SK1502, 2SK1614

MOS-

900

6

100

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1357

2SK727, 2SK794, 2SK1341, 2SK1649. .50

MOS-

900

5

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1358

2SK1342, 2SK1502, 2SK1614, 2SK1796

MOS-

900

9

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1404

2SK1118, 2SK1637

MOS-

600

5

35

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1460

2SK1356

MOS-

900

3,5

50

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1462

2SK1358, 2SK1502, 2SK1614, 2SK1795

MOS-

900

8

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1464

2SK1685

MOS-

900

8

80

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1487

2SK896, 2SK1488, 2SK1723, 2SK1752

MOS-

450

10

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1535

2SK1356, 2SK1460

MOS-

900

3

30

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1611

2SK1356, 2SK1460

MOS-

800

3

50

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1692

2SK1342, 2SK1358, 2SK1614, 2SK1795

MOS-

900

7

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1821

BUK445-600, 2SK1142, 2SK1834

MOS-

600

2

30

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1833

BUK444-500, 2SK1758

MOS-

500

2,5

40

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1917

2SK526, 2SK1036

MOS-

250

10

50

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK1953

BUK445-600, 2SK1142, 2SK1834

MOS-

600

2

25

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2039

2SK727, 2SK1341, 2SK1649. .50, 2SK1794

MOS-

900

5

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2043

BUK445-600, 2SK1142, 2SK1834

MOS-

600

2

25

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2056

2SK1808

MOS-

800

4

40

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK212

BF410A, 2N5484

N-FET

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2134

BUK456-200, BUZ255, IRF640, IRF642

MOS-

200

13

70

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2141

2SK1118, 2SK1404

MOS-

600

6

35

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK2275

2SK1356, 2SK1460

MOS-

900

3,5

35

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK241

BF510, 2SK238

N-FET

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK544

2SK192

MOS-

20

0,03

 

 

N-FET-d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK725

BUZ338, 2SK788, 2SK899, 2SK1610

MOS-

500

15

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK727

2SK685, 2SK1461, 2SK1760, 2SK1794

MOS-

900

5

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK903

2SK1356, 2SK1460, 2SK1995

MOS-

800

3

40

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK904

BUK456-800, 2SK791. .792, 2SK1600..01

MOS-

800

3

80

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK955

2SK534, 2SK604, 2SK695, 2SK727, 2SK793

MOS-

800

5

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

15

Справочник радиолюбителя

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SK962

2SK1358, 2SK1614, 2SK1502, 2SK1795

MOS-

900

8

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3N60

BUZ90, 2SK513

MOS-

600

3

75

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6N60

K1118, K1404, K1637, K2118

MOS-

600

3,4

70

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6N60FI

K1118, K1404, K1637, K2118

MOS-

600

3,4

70

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AC03E

TAG137

Thir

500

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BC107B

BC162, BC182, BC237, BC547

SI-N

50

0,1

0,3

300

BC158

BC213, BC258, BC558

SI-P

30

0,1

0,3

130

BC182

BC174, BC190, BC546

SI-N

60

0,2

0,3

 

BC327-40

BC638, BC640, 2SB647, C327xx

SI-P

40

0,8

0,625

100

 

 

 

 

 

 

 

BC337

BC637, BC639, 2SD667, C337xx

SI-N

50

0,8

0,625

100

 

 

 

 

 

 

 

BC368

BC337. .38, BC635, BC637, BC639

SI-N

25

1

0,8

65

BC369

BC303, BC640

SI-P

80

0,5

0,3

 

BC517

MPS-A25

SI-N+Darl

40

0,4

0,625

220

BC546

2SC2240, 2SC2459, 2SC2674..75, 2SC3378

SI-N

80

0,1

0,5

300

 

 

 

 

 

 

 

BC547

BC167, BC182, BC327

SI-N

50

0,1

0,5

300

 

 

 

 

 

 

 

BC548

BC168, BC183, BC283

SI-N

30

0,1

0,5

300

 

 

 

 

 

 

 

BC556B

2SA970, 2SA1049, 2SA1136

SI-P

80

0,1

0,5

150

BC557B

BC212, BC257, BC307

SI-P

50

 

0,5

150

BC558B

BC213, BC258, BC308

SI-P

30

 

0,5

150

 

 

 

 

 

 

 

BC637

BC537. .538, 2SD667, 2N3700..01

SI-N

60

1

0,8

130

 

 

 

 

 

 

 

BC638

BC527..28, 2SB647, 2SA1013

SI-P

60

1

0,8

50

 

 

 

 

 

 

 

BC639

2SD667, 2N3700..01, 2SC2383

SI-N

100

1

0,8

130

BD136

KT814B, BD227, BD376, BD786

SI-P

45

1,5

12,5

>50

BD139

BD230, BD379, BD791

SI-N

100

1,5

12,5

>50

BD241C

BD243A, BD539B, BD543B, BD937

SI-N

70

3

40

3

 

 

 

 

 

 

 

BD242C

BD244C, BD540D, BD544D, BD940

SI-P

115

3

40

3

 

 

 

 

 

 

 

BD243C

BD543D, BD801, 2SD866

SI-N

115

6

65

3

BD244C

BD544D, BD802, 2SB870

SI-P

115

6

65

3

BD434

BD186, 2N5193

SI-P

22

4

36

3

BD677A

BD777, 2N6038

SI-N-

60

4

40

>10

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

BF421

BF437, 2SA1371. .72, 2SA1251

SI-P

300

0,05

0,83

>60

 

 

 

 

 

 

 

BF422

BF298..99, BF483, BFR88..99

SI-N

250

0,05

0,83

>60

 

 

 

 

 

 

 

BF423

BF436..37, 2SA1371..72, 2SA1251

SI-P

250

0,05

0,83

60

BF472

BF418, 2SA1353..54

SI-P

300

0,03

2

>60

BF487

2SC2267, 2SC3469, 2SC4166, 2SD1385

SI-N

400

0,05

0,83

>70

BF869

BF583, BF615, BF858. .859, BF880..881

SI-N

250

0,05

5

>60

 

 

 

 

 

 

 

BF871

BF583, BF617, BF859, BF880..81

SI-N

300

0,05

5

>60

 

 

 

 

 

 

 

BF960

BF900, BF965..66

MOS-

20

 

 

 

N-FET-d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BF979

KT3109A, BF479

SI-P

 

 

 

1600

BT136-500

TCX10H500, TAG230-500, TAG231-500

TRIAC

500

4

 

 

16

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BT136-600

TCX10H600, TAG230-600, TAG231-600

TRIAC

600

4

 

 

BT137-600

TAG224-600, MAC222A-600, TXD10H600

TRIAC

600

8

 

 

BT138-600

TAG225-600, TAG256-600, TXD10H600P

TRIAC

600

12

 

 

BT138-800

TAG225-800, TAG256-800, TXD10H800P

TRIAC

800

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BU208A

KT838A, BU508, 2SC2928, 2SD350, 2SD820

SI-N

1500/700

5

12,5

 

 

 

 

 

 

 

 

BU2508DF

C3893A

SI-N+Di

1500/700

8

45

 

BU2508DX

2SC3893A

SI-N+Di

1500/700

8

45

 

BU2520AF

2SC4542

SI-N

1500/800

10

45

 

BU2520DF

2SC4763

SI-N+Di

1500/800

10

45

 

 

 

 

 

 

 

 

BU2520DX

2SC4763

SI-N+Di

1500/800

10

45

 

 

 

 

 

 

 

 

BU2522AF

2SC4542

SI-N

1500/800

10

45

 

BU2525A

BUh2015

SI-N

1500/800

12

125

 

BU2525AF

2SC4692

SI-N

1500/800

12

45

 

BU2525AX

2SC4692

SI-N

1500/800

12

45

 

 

 

 

 

 

 

 

BU406

BU104P, BU408, 2SC3175, 2SC3591

SI-N

400/200

7

60

 

 

 

 

 

 

 

 

BU508A(F)

S2000AF, C3886A, C3996, D1548

SI-N

1500/700

8

34

 

BU508D(F)

S2055AF, C3893, C4124

SI-N+Di

1500/700

8

34

 

BU807

BU184, BU189

SI-N-

330/150

8

60

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

BUh415

BU2508AF, 2SC3884. .84, 2SC3894..95

SI-N

1500/700

5

50

 

BUh415D

BU2508DF, 2SC3892A

SI-N+Di

1500/700

5

50

 

 

 

 

 

 

 

 

BUH515

BU2508AF, 2SC3886A, 2SC3896

SI-N

1500/700

8

60

 

 

 

 

 

 

 

 

BUH515D

BU2508DF, BU2520DF

SI-N+Di

1500/700

8

60

 

BUK444-

BUK445-600, 2SK1611, 2SK1758, 2SK1834

MOS-

600

1,5

25

 

600B

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

BUK444-

BUK446-1000, 2SK808

MOS-

800

1,6

25

 

800

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

BUT11A

BUV46A, MJE8502, 2SC3050

SI-N

1000/450

5

100

 

BUT11AF

BUT18AF

SI-N

1000/450

 

20

 

BUT11AX

BUT18AF

SI-N

1000/450

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

BUT56A

BUT12A, BUT76A, BUV56A

SI-N

1000/450

8

100

10

 

 

 

 

 

 

 

BUV48

BUW13A, 2SC3552

SI-N

850/450

15

150

5

 

 

 

 

 

 

 

BUV48A

BUW13A, 2SC3552

SI-N

1000/450

15

150

5

BUV48B

2SC3644

SI-N

1200/600

15

150

5

BUW12A

BUV47A, BUV48A. .C

SI-N

1000/450

10

125

 

BUW13A

BUV48A..C, 2SC3552

SI-N

1000/450

15

175

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ11

BUK456-100, BUZ12

MOS

50

30

75

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ11A

BUK456-100, BUZ12

MOS-

50

26

75

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ332A

K684, K1032

MOS-

600

8

150

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ71A

BUZ10, IRF530, K888, K1416

MOS-

50

13

40

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ80

BUZ81, 2SK513, 2SK792, 2SK1793

MOS-

800

2,6

75

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

17

Справочник радиолюбителя

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ80AFI

2SK1356, 2SK1460

MOS-

800

2,6

35

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ90

BUK455/600, 2SK1117, 2SK1402, 2SK1809

MOS-

600

4,5

70

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ90A

BUZ90, 2SK1117, 2SK1402, 2SK1809

MOS-

600

4

75

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ90AF

BUK455, BUK600A, B

MOS-

600

4,3

75

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ91A

BUK657-600

MOS-

600

8

150

 

N-Fet-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DTA114ES

AN1A4M, RN2002, UN4111, 2SA1348

SI-P+R

50

0,05

0,3

 

DTA124ES

AN1F4M, RN2003, UN4112, 2SA1346

SI-P+R

50

0,1

0,3

 

DTA144ES

AN1L4M, RN2004, UN4113, 2SA1345

SI-P+R

50

0,03

0,3

 

DTC114ES

AA1A4M, RN1002, UN4211, 2SC3402

SI-N+R

50

0,05

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

DTC124ES

AA1F4M, RN1003, UN4212, 2SC3400

SI-N+R

50

0,03

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

DTC143TS

AA1L3M,, RN1001, UN421L, 2SC4363

SI-N+R

50

0,1

0,3

 

DTC144EL

AA1L4M, RN1004, UN4213, 2SC3399

SI-N+R

50

0,03

0,3

 

IRF BC30

BUZ90, 2SK1117, 2SK1402, 2SK1809

MOS-

600

3,6

74

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF BC40

BUK657-600, BUZ91

MOS-

600

6,2

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF BE30

BUZ81, 2SK1639, 2SK1501, 2SK1807

MOS-N-

800

4,1

125

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF P450

BUZ338, 2SK788, 2SK899, 2SK1610

MOS-

500

14

190

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF Z24

BUZ21, 2SK942, 2SK1115, 2SK1417

MOS-

60

17

60

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF Z40

BUZ11. .12, PRFZ42, 2SK1418, 2SK1542

MOS-

50

35

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF Z44

BUK556-60

MOS-

60

50

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF Z46

BUK456-50, BUK556-60, BUZ100

MOS-

50

50

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF540

BUK456-100, BUZ22

MOS-

100

28

150

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF620

BUZ60, MTP5N20, 2SK358, 2SK924,

MOS-

200

5,2

50

 

2SK1391

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

IRF630

BUZ31. .32, 2SK459, 2SK925, 2SK1393

MOS-

200

9

74

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF640

BUZ30A

MOS-

200

18

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF710

BUZ74, MTP2N40, 2SK382, 2SK892

MOS-

400

2

36

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF730

BUZ60, 22SK552. .53, 2SK1156, 2SK1246

MOS-

400

5,5

74

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF740

BUZ61, MTP10N40, 2SK1378

MOS-

400

10

125

 

N-FET-e

 

 

 

 

 

 

 

IRF822

BUZ74, MTP3N50, 2SK382, 2SK892,

MOS-N-

500

2,2

50

 

2SK1244

FET-e

 

 

 

 

 

 

18

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF822FI

BUK444-500, BUK445-600, 2SK1833

MOS-N-

500

1,5

30

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF830

BUZ41A, MTP6N55, 2SK553, 2SK893

MOS-N-

500

4,5

74

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF840

MTP8N50, 2SK555, 2SK894, 2SK1496

MOS-N-

500

8

125

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF840FI

2SK1232, 2SK1608, 2SK1567, 2SK1627

MOS-N-

500

4,5

40

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF9610

BUZ173, MTP3P25

MOS-P-

200

1,8

20

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF9620

BUZ173, MTP3P25

MOS-P-

200

3,5

40

 

FET-e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MCR100-6

BRY55/400, TAG70D, TAG72D, 2N6565

Thy

400

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MPS-A56

BC640, 2SB647, 2SB910, 2SB1116A

SI-P

80

0,5

0,625

100

MPS-A92

BF493, BF421A, BFP26, 2SB1074

SI-P

300/300

0,5

0,625

50

S2000AFI

BU508AF

SI-N

1500

8

50

 

S2055AF

BU508DF

SI-N+Di

1500

8

50

 

 

 

 

 

 

 

 

S8050

MPS651, 2SD1207, 2SD1227, 2SD1331

SI-N

40

1,5

1

190

 

 

 

 

 

 

 

S8550

MPS751, 2SB892, 2SB911, 2SB978

SI-P

40

1,5

1

120

S9012

BC327, BC636, BC638, BC640

SI-P

40

0,5

0,625

 

S9013

BC337, BC635, BC637, BC639

SI-N

40

0,5

0,625

 

S9014

BC414, BC550, 2SC2240, 2SC2675

SI-N

50

0,1

0,45

270

 

 

 

 

 

 

 

S9018

BF225, BF255, BF314, BF505, BF507

SI-N

30

0,05

0,4

1100

 

 

 

 

 

 

 

TIP107

BD650, BD902, BDW74C. .D, BDX54C..F

SI-P-

100

8

80

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TIP122

BD649, BD901, BDW23C, BDW63C

SI-N-

100

5

65

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TIP127

BD650, BD902, BDW24C, BDW64C

SI-P-

100

5

65

 

Darl+Di

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TIP29C

BD239C, BD241C, BD539D, BD935

SI-N

115

2

30

>3

 

 

 

 

 

 

 

TIP31C

BD241C, BD243C, BD539D, BD543D BD935

SI-N

115

3

40

>3

TIP32C

BD242C, BD244C, BD540D, BD544D, BD940

SI-N

115

3

40

>3

TIP35C

BD249C, 2SD1049

SI-N

115

25

125

>3

TIP42C

BD244C, BD544D, BD802, 2SB870

SI-P

115

6

65

>3

1. 3. Полевые транзисторы. Справочные данные и электрические характеристики

Полевые транзисторы прочно завоевали свою нишу в повседневных творческих буднях радиолюбителя.

Внимание. Полевые транзисторы созданы на основе МОП-структуры и имеют большое сопротивление электрическому току между

19

Справочник радиолюбителя

стоком и истоком, что позволяет применять их в конструкциях таймеров различного назначения, усилителях, системах охраны, входных каскадов сенсорных и других электронных устройств, использующих чувствительные датчики. Спектр их применения практически неограничен.

Популярные еще десятилетие назад полевые транзисторы типа КП301—КП305 «боялись» статического электричества и требовали к себе осторожное отношение при монтаже. Развитие электронной промышленности способствует появлению на рынке (в свободной продаже)

современных полевых транзисторов. Их доступная стоимость и широкие возможности позволяют предположить, что в будущем они не только сохранят сегодняшнюю популярность среди радиолюбителей, но будут распространяться еще шире.

Мощные полевые транзисторы (типа КП741—КП745, КП922 и дру-

гие) позволяют коммутировать электрические цепи с большим током и в некоторых случаях заменять электромагнитные реле.

В табл. 1.3 и табл. 1.4 представлен справочный материал по взаимозаменяемости популярных отечественных (СНГ) и импортных аналогов полевых транзисторов. Подборка осуществлена с применением отечественных и импортных справочников, личного опыта взаимозамен.

Отечественные популярные полевые транзисторы и зарубежные аналоги

Таблица 1.3

Отечественный

Зарубежный

транзистор

аналог

 

 

КП150

IRF150

КП240

IRF240

КП250

IRF250

 

 

КП340

IRF340

 

 

КП350

IRF350

КП365А

BF410C

КП382А

BF960

КП440

IRF440

 

 

КП450

IRF450

 

 

КП501А

ZVN2120

 

 

КП502

BSS124

КП503

BSS129

КП504

BSS88

 

 

КП505

BSS295

 

 

КП510

IRF510

 

 

КП520

IRF520

Отечественный

Зарубежный

транзистор

аналог

 

 

КП530

IRF530

КП540

IRF540

КП610

IRF610

 

 

КП620

IRF620

 

 

КП630

IRF630

КП640

IRF640

КП707Б1

BUZ90

КП710

IRF710

 

 

КП717Б

IRF350

 

 

КП718А

BUZ45

 

 

КП718Е1

IRF453

КП720

IRF720

КП722А

BUZ36

 

 

КП723А

IRFZ44

 

 

КП723Б

IRFZ45

 

 

КП723В

IRFZ40

20

чем заменить традиционные планарные транзисторы / Блог компании CloudMTS / Хабр


Обсуждаем альтернативы подходы к разработке полупроводниковых изделий.


/ фото Taylor Vick Unsplash
В прошлый раз мы говорили о материалах, которые могут заменить кремний в производстве транзисторов и расширить их возможности. Сегодня обсуждаем альтернативные подходы к разработке полупроводниковых изделий и какое применение они найдут в дата-центрах.

Пьезоэлектрические транзисторы

Такие устройства имеют в своей структуре пьезоэлектрический и пьезорезистивный компоненты. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые. Второй — поглощает эти звуковые волны, сжимается и, соответственно, открывает или закрывает транзистор. В качестве пьезорезистивного вещества используется селенид самария (слайд 14) — в зависимости от давления он ведет себя или как полупроводник (с высоким сопротивлением), или как металл.
Одними из первых концепцию пьезоэлектрического транзистора представили в IBM. Инженеры компании занимаются разработками в этой области еще с 2012 года. Также в этом направлении работают их коллеги из Национальной физической лаборатории Великобритании, университета Эдинбурга и Оберна.

Пьезоэлектрический транзистор рассеивает значительно меньшее количество энергии, чем кремниевые устройства. В первую очередь технологию планируют применять в небольших гаджетах, от которых сложно отводить тепло — смартфонах, радиоприборах, радарах.

Также пьезоэлектрические транзисторы могут найти применение в серверных процессорах для дата-центров. Технология повысит энергоэффективность аппаратного обеспечения и позволит сократить расходы операторов ЦОД на ИТ-инфраструктуру.

Туннельные транзисторы

Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта.
Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.

Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.


/ фото PxHere PD

В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

  • Маркировка: D1415B
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220SIS

Спиновые транзисторы

Их работа основана на перемещении спинов электронов. Движутся спины с помощью внешнего магнитного поля, упорядочивающего их в одном направлении и формирующего спиновый ток. Устройства, работающие с таким током, потребляют в сто раз меньше энергии, чем кремниевые транзисторы, и могут переключаться со скоростью миллиард раз в секунду.

Главным достоинством спиновых приборов является их многофункциональность. Они совмещают функции накопителя информации, детектора для её считывания и коммутатора для её передачи другим элементам чипа.

Считается, что первыми концепцию спинового транзистора представили инженеры Суприйо Датта (Supriyo Datta) и Бисваджит Дас (Biswajit Das) в 1990 году. С тех пор разработками в этой области занялись крупные ИТ-компании, например Intel. Однако, как признают инженеры, спиновые транзисторы еще нескоро появятся в потребительских продуктах.

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой.
Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

По оценкам разработчиков, рабочая частота транзисторов нового типа превысит сотни гигагерц. Выход технологии в массы расширит возможности вычислительных систем и увеличит производительность серверов в дата-центрах.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок. О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

  • VMware EMPOWER 2021: делимся впечатлениями
  • Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
  • Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
  • Развитие дата-центров: технологические тренды
  • Как повысить энергоэффективность дата-центра
  • Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
  • «Как дела у VMware»: обзор новых решений

Сайт установщиков

Жирный шрифт обозначает обратный аналог, например: 2N3903, его аналог КТ645А 2L15B является аналогом КТ937Б

ТранзисторАналог
1561-10082Т874А
1561-10152Т874Б
2005A2Т942Б
2023-1,52Т9155Б
2023-1,5TКТ9153А
2023-32Т9155А
2023-62Т9146А, 2Т9158Б
2023-122Т9146Б
2023-162Т9146В
2307(A)2Т9103А
461202Т962Б
2224302Т9158А
27AM05КТ9170А
2L082Т937А
2L15A2Т937Б
2L15BКТ937Б
2N656КТ6111А, Б
2N657КТ6111В, Г
2N709КТ397А
2N735A2Т3130Г
2N739КТ117БМ
2N844КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051КТ6110В, Г, Д
2N1573КТ117ВМ
2N18202Т862А
2N1923КТ117АМ
2N22182Т649А
, КТ928А
2N2218AКТ647А
2N2219КТ928Б
2N2219AКТ928В
2N2221КТ3117А
2N2222AКТ3117Б
2N2224КТ638А
2N2369КТ3142А
2N24592Т3130В
2N24632Т3130Б
2N2615КТ3132Д
2N2616КТ3132Е
2N2646КТ132АОднопереходный
2N2647КТ132БОднопереходный
2N2712КТ315А, Б
2N2784КТ3101АМ
2N2906КТ313А
2N2906AКТ313Б, 2Т3160А
2N3054КТ723А
2N3055КТ819ГМ, КТ729А
2N3114КТ6117А
2N3397КТ315Ж…Р
2N35842Т881Д
2N3712КТ6117Б
2N3725КТ635Б
2N3737КТ659А
2N3839КТ370А
2N3903КТ645А
2N3904КТ3117Б, КТ6137А
2N3905КТ313А
2N3906КТ313Б, КТ6136А
2N4123КТ503А
2N4124КТ503Б
2N4125КТ502А
2N4126КТ502Б
2N4128КТ997В
2N4237КТ719А
2N4238КТ721А
2N42602Т3135А
2N42612Т3135Б
2N4400КТ660А, КТ645А, КТ645Б
2N4401КТ660А
2N4402КТ685А
2N4403КТ685В
2N4411КТ3127А
2N4440КТ972В
2N4870КТ133АОднопереходный
2N4871КТ133БОднопереходный
2N4913КТ866Б
2N4914КТ890А
2N4915КТ890Б
2N49342Т939А
2N4976КТ996А
2N50502Т892В
2N5086КТ3107Б
2N5087КТ3107К
2N5088КТ3102Е
2N5089КТ3102Е
2N5102КТ921А, В
2N51772Т998А
2N5210КТ3102Б
2N5240КТ898А
2N5400КТ698И, КТ6116Б
2N5401КТ698К, КТ6116А
2N5402КТ6116Б
2N5550КТ6117Б, КТ6127И
2N5551КТ6117А, КТ6127К
2N56422Т945В, Г
2N56432Т949А
2N5651КТ390Б
2N5839КТ862Б
2N5840КТ862В
2N5995КТ972Г
2N59962Т945А, Б
2N6077КТ898Б
2N61802Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181КТ9180В, Г
2N6278КТ879Б
2N6279КТ879А
2N6388КТ899А
2N6428КТ3117Б
2N6428AКТ3117Б
2N6515КТ504Б
2N6516КТ504В
2N6517КТ504А
2N6518КТ505Б
2N6519КТ505А
2N6520КТ505А
2N6546КТ878Б
2N6679КТ640Б
2N6701КТ647А
2N7002LT1КП214А9
2N70892П712Б
2SA555КТ361А, Г, Д
2SA556КТ361Ж, И
2SA715BКТ664А
2SA715CКТ664Б
2SA715DКТ6102А
2SA733 GКТ3107И
2SA733 LКТ3107И
2SA733 OКТ3107А
2SA733 RКТ3107А
2SA733 YКТ3107Б
2SA738BКТ6116А, Б
2SA876HКТ313Г
2SA1009AM2Т887А, Б
2SA1015КТ502Е
2SA1090КТ313В
2SA1175КТ3107
2SA15842Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA16602Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815КТ503Е
2SA2785КТ3102
2SB596КТ9176А
2SB834КТ842В
2SB1220Q2Т3129А
2SC40КТ3101АМ
2SC64КТ6110А, Б
2SC380КТ315Г
2SC388КТ315Г
2SC404КТ359А
2SC495КТ646А
2SC496КТ646Б
2SC543-5КП302А1-Г1
2SC601КТ396А
2SC633КТ315А, Б
2SC634КТ315Д, Е
2SC641КТ315Ж…Р
2SC6512Т610А
2SC945GКТ3102Б
2SC945LКТ3102Б
2SC945OКТ3102А
2SC945RКТ3102А
2SC945YКТ3102Б
2SC976КТ996Б
2SC1173КТ862Г
2SC12692Т642В
2SC12702Т642Г
2SC1334КТ962А
2SC1365КТ610А, Б
2SC14362Т862В
2SC1440КТ945Б
2SC1443КТ879Б
2SC15512Т682Б
2SC15522Т682В
2SC1618КТ808БМ
2SC1619AКТ808АМ
2SC1624КТ863Б
2SC1625КТ863В
2SC17862Т862Б
2SC1815BLКТ3102Б
2SC1815GRКТ3102Б
2SC1815LКТ3102Б
2SC1815OКТ3102А
2SC1815YКТ3102Б
2SC2027КТ828Б
2SC2033КТ934В, Д
2SC20932Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229КТ940А
2SC2240BLКТ503Е
2SC2240GRКТ503Е
2SC2482КТ940А
2SC2642КТ934Б
2SC2688КТ846
2SC2794КТ866А
2SC3150KКТ8137А, КТ8144Б
2SC3218КТ9142А
2SC3271КТ940А
2SC3272КТ940А
2SC3306КТ8144А
2SC3455LКТ878В
2SC3596FКТ9142А
2SC3660КТ9152А
2SC3812КТ9151А
2SC3994LКТ878А
2SC4055КТ8146Б, КТ8150А
2SC4242КТ8110А
2SC4296КТ858А
2SD401AКТ8146А, КТ8147Б
2SD405B2Т9117Б
2SD675AКТ945В
2SD691КТ945Г
2SD734КТ660Б
2SD814КТ3176А
2SD1220QКТ3169А
2SD1279КТ846Б
2SD1554КТ838
2SD1761КТ819
2SD1878КТ838
2SK492П336А1, Б
1
2SK4442П340Б1
2SK5082П340А
1
2SK513КП803Б
2SK6533П345А2, Б2, КП364А…И
2SK659КП960А, Б, В
2SK14092П934А
2SK2498AКП775А
2SK2498BКП775Б
3N169КП909А, Б, В
3SK132КП403А
3SK162КП333А
3SR137КП333Б
A5916КТ934А
A5918КТ934Г
AD545П216Б
A630КТ946А
AD1202П213Б
AD1203П214Б
ADP665ГТ403Б
ADP666ГТ403Г
ADP670П201АЭ
ADP671П201АЭ
ADP672П203Э
ADY27ГТ703Б
AF106ГТ328Б
AF106AГТ328В
AF109ГТ328А
AF139ГТ346Б
AF178ГТ309Б
AF200ГТ328А
AF201ГТ328А
AF202ГТ328А
AF239ГТ346А
AF239SГТ346А
AF240ГТ346Б
AF251ГТ346А
AF252ГТ346А
AF253ГТ328А
AF256ГТ348Б
AF260П29А
AF261П30
AF266МП42Б, МП20А
AF271ГТ322В
AF272ГТ322В
AF275ГТ322Б
AF279ГТ330Ж
AF280ГТ330И
AF426ГТ322Б
AF427ГТ322Б
AF428ГТ322Б
AF429ГТ322Б
AF430ГТ322В
AF429ГТ322Б
AF430ГТ322В
AFY11ГТ313А
AFY12ГТ328Б
AFY13ГТ305В
AFY15П30
AFY29ГТ305Б
AFZ11ГТ309Б
AL100ГТ806В
AL102ГТ806В
AL103ГТ806Б
AM1416-2002Т975А, Б
AM14162002Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11МП42Б
ASX12МП42Б
ASY26МП42А, МП20А
ASY31МП42А
ASY33МП42А, МП20А
ASY34МП42А, МП20А
ASY35МП42Б, МП20А
ASY70МП42
ASY76ГТ403Б
ASY76ГТ403Г
ASY80ГТ403Б
ASZ15П217А, ГТ701А
ASZ16П217А
ASZ17П217А
ASZ18П217В, ГТ701А
ASZ1015П217В
ASZ1016П217В
ASZ1017П217В
ASZ1018П217В
AT005102Т657А
AT005352Т657Б
AT005702Т657В
AT270МП42Б, МП20А
AT275МП42Б, МП20А
AT12570-5КТ648А
AU103ГТ810А
AU104ГТ810А
AU107ГТ810А
AU108ГТ806Б
AU110ГТ806Д
AU113ГТ810А
AUY10П608А, ГТ905А
AUY18П214А
AUY19П217
AUY20П217
AUY21П210Б
AUY21AП210Б
AUY22П210Б
AUY22AП210Б
AUY28П217
AUY35ГТ806А
AUY38ГТ806В
BAL004100КТ970А
BC11КТ638
BC12КТ638
BC13КТ638
BC14КТ638
BC15КТ638
BC16КТ638
BC100КТ605А
BC101КТ301Е
BC107КТ342А
BC107AКТ342А
BC107APКТ3102А
BC107BКТ342Б
BC107BPКТ3102Б
BC108КТ342
BC108AКТ342А
BC108APКТ3102В
BC108BКТ342Б
BC108BPКТ3102В
BC108CКТ342В
BC108CPКТ3102Г
BC109BКТ342Б
BC109BPКТ3102Д, И
BC109CКТ342В
BC109CPКТ3102Е, К
BC140КТ630Г
BC141КТ630Г
BC141-16КТ630Г
BC147AКТ373А
BC147BКТ373Б
BC148AКТ373А
BC148BКТ373Б
BC148CКТ373В
BC149BКТ373Б
BC149CКТ373В
BC157КТ361Г
BC158AКТ349В
BC160BКТ933Б
BC161BКТ933А
BC167AКТ373А
BC167BКТ373Б
BC168AКТ373А
BC168BКТ373Б
BC168CКТ373В
BC169BКТ373Б
BC169CКТ373В
BC170AКТ375Б
BC170BКТ375Б
BC171AКТ373А
BC171BКТ373Б
BC172AКТ373А
BC172BКТ373Б
BC172CКТ373В
BC173BКТ373Б
BC173CКТ373В
BC174КТ3102
BC177APКТ3107А, Б
BC177VIPКТ3107Б, Б
BC178AКТ349В
BC178APКТ3107В
BC178BPКТ3107Д
BC178VIPКТ3107В, Г
BC179APКТ3107Е, Д
BC179BPКТ3107Ж, И
BC182КТ3102
BC182AКТ3102А
BC182BКТ3102Б
BC182CКТ3102Б
BC183AКТ3102А
BC183BКТ3102Б
BC183CКТ3102Б, КТ3102Г
BC184AКТ3102Д
BC184BКТ3102Е
BC192КТ351Б
BC212AКТ3107Б
BC212BКТ3107И
BC212CКТ3107К
BC213AКТ3107Б
BC213BКТ3107И
BC213CКТ3107К
BC216КТ351А
BC216AКТ351А
BC218КТ340Б
BC218AКТ340Б
BC223AКТ660Б
BC223BКТ660Б
BC226КТ351Б
BC226AКТ351Б
BC234КТ342А
BC234AКТ342А
BC235КТ342Б
BC235AКТ342Б
BC237КТ373Б
BC237AКТ3102А
BC237BКТ3102Б
BC237CКТ3102Б
BC238КТ373В, КТ3102В
BC238AКТ3102А, КТ3102В
BC238BКТ3102В
BC238CКТ3102В, Г
BC239AКД3102Д
BC239BКТ3102Д, Ж
BC239CКТ3102Д, Е
BC250AКТ361А
BC250BКТ361Б
BC285П308
BC300КТ630Б
BC307AКТ3107Б
BC307BКТ3107И, ИМ
BC307CКТ3107И
BC308КТ3107Г
BC308AКТ3107Б, БМ
, КТ3107Г,
ГМ
BC308BКТ3107Д, ДМ
BC308CКТ3107К, КМ
BC309AКТ3107Е
BC309BКТ3107Ж, ЖМ
BC309CКТ3107Л, ЛМ
BC320AКТ3107Б
BC320BКТ3107Д
BC321AКТ3107Б
BC321BКТ3107И
BC321CКТ3107К
BC322BКТ3107Ж
BC322CКТ3107Л
BC327КТ685А, КТ313
BC327-16КТ686А
BC327-25КТ686Б
BC327-40КТ686В
BC328КТ313
BC328-16КТ686Г
BC328-25КТ686Д
BC328-40КТ686Е
BC337КТ3102Б, КТ660А
BC337-16КТ660А
BC337-25КТ660А
BC337-40КТ660А
BC337CКТ660А, КТ928
BC338КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16КТ660Б
BC338-25КТ660Б
BC338-40КТ660Б
BC338CКТ660Б
BC355КТ352Б
BC355AКТ352А
BC382BКТ3102Б
BC382CКТ3102Г
BC383BКТ3102Д
BC383CКТ3102Е
BC384BКТ3102Д
BC384CКТ3102Е
BC440КТ630
BC446КТ3107
BC451КТ3102В
BC453КТ3102Д
BC454AКТ3107Б
BC454BКТ3107И
BC454CКТ3107К
BC455AКТ3107Г
BC455BКТ3107Д, Е
BC455CКТ3107К
BC456AКТ3107Е
BC456BКТ3107Ж, И
BC456CКТ3107Л
BC513КТ345А
BC516КТ686Ж
BC517КТ645А
BC526CКТ3107К, Л
BC527КТ342Б, КТ342В
BC527-6КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10КТ6112В
BC528КТ342В
BC546AКТ503Д
BC546BКТ3102Б, КТ3117Б
BC546CКТ3117Б
BC547КТ3103А
BC547AКТ3102А, КТ3102АМ
BC547BКТ3102Б, КТ3102БМ
BC547CКТ3102Б, Г
BC548КТ373А
BC548AКТ3102А, В
BC548BКТ3102В, КТ3102ВМ
BC548CКТ3102В, Г
BC549AКТ3102В
BC549BКТ3102В
BC549CКТ3102В, КТ3102ДМ
BC550AКТ3102А
BC550BКТ3102Б
BC550CКТ3102Б
BC556КТ3107Б, КТ668А
BC556AКТ502Д
BC556BКТ502Д
BC556CКТ502Д
BC557КТ3107, КТ668Б
BC557AКТ3107Б
BC557BКТ3107И
BC557CКТ3107И
BC558КТ668В
BC558AКТ3107Г
BC558BКТ3107Д
BC558CКТ3107К
BC559AКТ3107Е
BC559BКТ3107Ж
BC559CКТ3107Л
BC560AКТ3107Б
BC560BКТ3107И
BC560CКТ3107И
BC635КТ503Б
BC636КТ502Б, КТ684А
BC637КТ503Г
BC638КТ502Г, КТ684Б
BC639КТ503Е
BC640КТ502Е, КТ684В
BC847AКТ3189А9
BC847BКТ3189Б9
BC847CКТ3189В9
BC857AКТ3129Б9
BC858AКТ3129В9
BC858BКТ3129Г9
BCW31КТ3130В9
BCW47BКТ3187А
BCW71КТ3130А9
BCW72КТ3130Б8
BD135КТ815Б, КТ961В
,КТ8272А
BD136КТ626А, Е
, КТ814Б,
КТ6109А
, КТ8271А
BD136-6КТ639А
BD136-10КТ639Б
BD136-16КТ639В
BD137КТ815В, КТ961Б
,КТ8272Б
BD138КТ814В, КТ6104А
, КТ8271Б
BD136-10КТ639Г
BD136-16КТ639Д
BD139КТ815Г, КТ961А
, КТ8272В
BD140КТ626Ж
, КТ814Г,
КТ6109А
, КТ8271В
BD136-10КТ639Е
BD136-16КТ639Ж
BD165КТ728А
BD166КТ720А
BD168КТ722А
BD170КТ724А
BD2022Т818А
BD2042Т818Б
BD223КТ856А
BD233КТ817Б
BD234КТ816Б
BD235КТ817В
BD236КТ816В
BD237КТ817Г
BD238КТ816Г
BD243CКТ819
BD370A6КТ639А
BD372КТ639Б
BD372A6КТ639В
BD372A10КТ639Г, Д
BD522КП932А
BD676КТ852Г
BD677КТ829В
BD678КТ852В
BD8252Т642А
BD875КТ972А, Б
BD876КТ973А, Б
BD877КТ972А
BD878КТ973А
BD944КТ856Б
BD946КТ896А
BD948КТ896Б
BDT21(A)КТ8101Б
BDV64КТ8159В
BDV65КТ8158В
BDV65FКТ8251А
BDW94КТ818В
BDX782Т818В
BDX852Т716В
BDX85B2Т716Б
BDX85C2Т716
А
BF177КТ671А, 2Т3130Е
BF179BКТ682Б
BF189КТ3172А
BF244AКП307Ж
BF245КП303Е
BF258КТ638Б
BF336КТ6103А
BF337КТ6113А, Б, В
BF339КТ6113Г, Д, Е
BF371КТ633Б
BD386КТ629А
BF391КТ698К
BF392КТ504Б
BF393КТ504В
BF410A2П337АР, Б
Р
BF422КТ940А
BF423КТ9115А
BF423SКТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457КТ940Б
BF458КТ940А
BF459КТ940В
BF469КТ969А
BF471КТ846
BF491КТ6127К
BF492КТ505Б
BF493КТ505А
BF506КТ3126А
BF569КТ3192А9
BF599КТ368А9
BF680КТ3109А
BF970КТ9109В
BF979КТ9109Б
BF9982П347А2, КП402А
BFJ57КТ6105А
BFL545КП954А, Б
BFP23КТ868А, Б
BFP720КТ315В
BFP722КТ315Г
BFR30КП302А1-Г1
BFR37КТ939А
BFY802Т3130А
BLF242(A)КП961А, Б, В
BLF544BКП953А, Б, В
BLY47A2Т892А, Б
BSS88КП504А
BSS92КП508А
BSS124КП502
BSS129КП503А
BSS131КП509А9, Б9, В9
BSS207КП523А
BSS295КП505А
BSS297КП523А
BSS315КП507А
BSW62AКТ361К, Л, М
BSW63AКТ361Н, П
BU108КТ8107А, Б
BU126КТ840Б
BU205КТ838Б
BU208AКТ8104А
BU289КТ8101А
BU326AКТ840А
BU407КТ8255А
BU5052SD818, BU705, KSD5064
BU508КТ872А, Б, В
BU508AКТ872А
Б,
КТ8107А
BU508ADКТ872А, Б
BU508AWBU508, BU508A
BU508DКТ846, КТ872В, Г
BU508DWBU508AD, BU508D, BU508DR
BU807КТ8156А
BU932ZКТ892Б
BU2506DКТ8248А
BU2506FКТ8248А
BU2508AКТ8224А
BU2508DКТ8224Б
BU2520DWKSD5090
BU2720DX2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX2SD2553
BU4506AF2SD2381
BU4506AX2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065, KSD5075
BU4506DX2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF2SD2301, 2SD2311
BU4508AX2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513 BU908, BUH515, S2000, S2000A, S2000AF, S2000AFI, S2000F
BU4508DF2SD2299, 2SD2300
BU4508DX2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX2SD2349, 2SD2514
BU4525AX2SD1887
BU4525DX2SD1881
BUD44D2КТ8261А
BUh200КТ8290А
BUL42D2КТ8247А
BUX48КТ856Б
BUX48AКТ856А
BUX97КТ8106А
BUX97AКТ8106Б
BUX98КТ878А
BUX98AКТ878В
BUY21КТ867А
BUY90КТ8107В, Г
BUZ36КП722А
BUZ45КП718Е, Е1
BUZ71КП727А
BUZ80AКП786А
BUZ90КП726
BUZ91AКП787А
BUZ307КП728
BV104PКТ8126А
BV23102П803А
BVK462КП959А, Б, В
BVP38КТ878Б
BVR11КТ867А
BVT91КТ879А
BVX14КТ846В
BVZ90КП809В, Г
BVZ90(A)КП809Д, Е
CD14122Т946А
CD6105КТ930А
CDR0752Т9118А
CX9542Т370Б
D44H7КТ9181А, Б
D62T4040КТ886А
DC51082Т370А
DC54452Т642А
DI4044КТ222АС-ВС
DVZ216КП810А
F1014КП953Г, Д
F10532П917А, Б, КП934А
FJ201E2Т642Б
FLM5964-4C3П927А2
FLV5964-8C3П927Б2
HXTR4105КТ640А
I02015AКТ9116Б
IRF9Z34КП784А
IRF250КП778А
IRF350КП717Е, Е1
IRF450КП725А, КП779А
IRF510КП743А
IRF511КП743Б
IRF512КП743В
IRF520КП744А
IRF521КП744Б
IRF522КП744В
IRF530КП745А, Б
IRF531КП745Б
IRF532КП745В
IRF540КП746А, А1, Б
IRF541КП746Б, Б1
IRF542КП746В, В1, Г, Г1
IRF610КП748А
IRF611КП748Б
IRF612КП748В
IRF620КП749А
IRF621КП749Б
IRF622КП749В
IRF630КП737А
IRF634КП737Б
IRF635КП737В
IRF640КП750А, А1
IRF641КП750Б, Б1
IRF642КП750В, В1
IRF710КП731А
IRF711КП731А
IRF712КП731Б
IRF720КП751А, А1
IRF721КП751Б, Б1
IRF722КП751В, В1
IRF730КП752А
IRF731КП752Б
IRF732КП752В
IRF740КП776А
IRF741КП776Б
IRF742КП776В
IRF820КП780А
IRF821КП780Б
IRF822КП780В
IRF830КП753А
IRF831КП753Б
IRF832КП753В
IRF840КП777А
IRF841КП777Б
IRF842КП777В
IRF3205КП783А
IRF5210КП7128А
IRF5532КП719Б
IRF9540КП785А
IRF9634КП796А
IRFBG30КП803А
IRFP150КП747А
IRFP350КП784А
IRFR024КП945А, Б
IRFU420КП780АС1
IRFZ10КП739Б
IRFZ14КП739А
IRFZ15КП739В
IRFZ20КП740Б
IRFZ24КП740А
IRFZ25КП740В
IRFZ30КП727Б
IRFZ34КП727В
IRFZ35КП727Г
IRFZ40КП723В
IRFZ44КП723А
IRFZ45КП723Б
IRFZ46КП741Б
IRFZ48КП741А
IRK630КП737А
IRL530КП744Г, КП745Г
IRL540КП746Г
IRL640КП750Г
IRLML2402КП510А9
IRLZ44КП723Г
IRLZ46КП741А
IRLZ48КП741Б
IXTP3N80(A)КП809А,
Б
KC508КТ342А
KF4232Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSC1623КТ220А9, Б9, В9, Г9
KSD882GКТ8269Г
KSD882OКТ8269Б
KSD882RКТ8269А
KSD882YКТ8269В
LDR405B2Т9118Б
LOT-1000D1-12BКТ979А
LT1739КТ9171В
MA42181-510КТ937А
MGF18023П606А2…В2
MI10000КТ892Б, В
MI10004PF1КТ892А
MIE13005КТ8121А
MIL13004КТ8121Б
MJ3055КТ728А
MJE304КТ504В
MJE350КТ505А
MJE13001КТ538А, КТ8270А
MJE13002КТ8170Б1
MJE13003КТ8170А1
MJE13004КТ8164Б
MJE13005КТ8121А,
КТ8164А
MJE13006КТ8126Б
MJE13007КТ8126А
MJE2801TКТ9177А
MMBT3904КТ3197А9
MMBT3906КТ3196А9
MPF8732Т987А
MPS404КТ209
MPS706КТ648А, КТ682А
MPS38662Т633А
MPS6512КТ3184А
MPS6513КТ3184Б
MPSL07B
MPS A-42КТ604В
MPS A-43КТ3127К
MPS A-92КТ505А
MPS A-93КТ698К
MRF1362П942А, Б, В
MRF3272Т970А
MRF422КТ9160А, Б, В
MRF430КТ9181В, Г
MRF515КТ606А
MRF5442Т9159А
MRF627КТ606Б
MRF840КТ962Б
MRF8462Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA2Т962В
MRF1035MCКТ962В
MRF2016M2Т948А
MSC0204100КП934В
MSC81325M2Т9127Д, Е
MSC81400M2Т9127В, Г
MSC858532Т637А
MSM5964-23П927В2
MSM5964-53П927Г2
MSM5964-10ЗП927Д2
MTh50N06КП723Г
MTP4N102П703Б
MTP5N05КП932А
MTP6N60КП924Б
MTP8P102П712В
MTP12P082П712А
NE080481E-122Т9109А
NE1010E2Т962А
NE30012Т9119А2
NE243182Т640А
NE567552Т647А, 2Т648А
NE567872Т642А
NE568542Т971А
NE568872Т634А, КТ634Б
NE578352Т682А
NE243188КТ642А, 2Т643А
NE2432872Т643Б
NE2434992Т9108А
NEM2015КТ948А
NTP7N05КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B2Т3158А
PBC108A2Т3133А
PBC108B2Т3133А
PDE1001КТ607Б
PEE1000U2Т607А
PEE1001TКТ607А
PFP12P08КП719А
Ph2214-602Т9122Б
PKB20010UКТ948Б
PN2905AКТ644А
PN2906КТ644Б, КТ685А
PN2906AКТ685Б
PN2907КТ644В, КТ685В
PN2907AКТ644Г, КТ685Г
PN3691КТ3117Б
PN5132КТ3117А
PWB2010U2Т948Б
PXT2222КТ3153А
PZB27020V2Т9122А
RRF6232П703А
S923TS2Т3152А, Г, Д
S2055AFКТ838
SD1015КТ9116А
SDR0752Т9117А
SDT3207КТ9171А, Б
SDT695042Т880Д
SE5035КТ939Б
SF123A2Т672А
SF123CКТ6107А
SG7692Т3133А
SML723КТ828В
SML804КТ828А
SML55401КТ886Б
SS8050BКТ968В, КТ6114А
SS8050CКТ968В, КТ6114Б
SS8050DКТ968В, КТ6114В
SS8550BКТ6127В, КТ6115А
SS8550CКТ6127В, КТ6115Б
SS8550DКТ6127В, КТ6115В
SS9012DКТ681А, КТ6109А
SS9012EКТ681А, КТ6109Б
SS9012FКТ681А, КТ6109В
SS9012GКТ681А, КТ6109Г
SS9012HКТ681А, КТ6109Д
SS9013DКТ680А, КТ6110А
SS9013EКТ680А, КТ6110Б
SS9013FКТ680А, КТ6110В
SS9013GКТ680А, КТ6110Г
SS9013HКТ680А, КТ6110Д
SS9014AКТ3102А, КТ6111А
SS9014BКТ3102Б, КТ6111Б
SS9014CКТ3102Б, КТ6111В
SS9014DКТ3102Б, КТ6111Г
SS9015AКТ3107А, КТ6112А
SS9015BКТ3107И, КТ6112Б
SS9015CКТ3107И, КТ6112В
SS9016DКТ6128А
SS9016EКТ6128Б
SS9016FКТ6128В
SS9016GКТ6128Г
SS9016HКТ6128Д
SS9016IКТ6128Е
SS9018DКТ6113А
SS9018EКТ6113Б
SS9018FКТ6113В
SS9018GКТ6113Г
SS9018HКТ6113Д
SS9018IКТ6113Е
ST1053КП934Б
STD18202КТ828Г
STD55476КТ846А
STH75N05КП742Б
STH75N06КП742А
STH80N05КП742Б
STP40N10КП771А, Б, В
TBC547AКТ3186А
TCC1821G2Т942А, КТ942В
TCC2023-6LКТ9150А, 2Т9155В
THA-152Т9111А
THX-152Т9111Б
TIP31AКТ8176А
TIP31BКТ8176Б
TIP31CКТ8176В
TIP32AКТ8177А
TIP32BКТ8177Б
TIP32CКТ8177В
TIP41КТ819Б
TIP41AКТ8212В
TIP41BКТ8212Б
TIP41CКТ8212А
TIP42КТ818Б
TIP42AКТ8213В
TIP42BКТ8213Б
TIP42CКТ8213А
TIP110КТ8214В
TIP111КТ8214Б
TIP112КТ8214А
TIP120КТ8116В
TIP121КТ8116Б
TIP122КТ8116А, КТ8147А
TIP125КТ8115В
TIP126КТ8115Б
TIP127КТ8115А
TIP132КТ8116А, КТ8147А
TIP150КТ8111А
TIP151КТ8109А, КТ8111Б
TIP661КТ879А
TIP662КТ879В
TN0536КП511А
TN0540КП511Б
TN202Т9130А
TPV-375КТ9116Б
TPV-376КТ9133А
TPV-394КТ9116А
TPV-595КТ9150
UMIL70КТ930Б
VN1204N12П923А
YTF832КП810Б, В
ZVN2120КП501АМДП

BC237 техническое описание — NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор

Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Общего назначения => NPN Название Эпитаксиальный Описание Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN Компания Fairchild Semiconductor Техническое описание Загрузить BC237 Техническое описание Крест. Аналогичные детали: LP395, 2N390, 2N4401, BC237A, MPSA06, HBC237 Цитата

Где купить

 

 

Функции, приложения

Абсолютные максимальные значения Ta=25C, если не указано иное

Обозначение VCES VCEO VEBO PC TJ TSTG Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллекторный ток (DC) Мощность коллектора Рассеивание Температура перехода Температура хранения : BC238/239

Символ BVCEO Параметр Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: BC238/239 Напряжение пробоя базы эмиттера: BC238/239 Ток отключения коллектора BC238/239 Коэффициент усиления по постоянному току Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-база Напряжение насыщения база-эмиттер Полоса пропускания коэффициента усиления по току Выходная емкость продукта Входная емкость Базовая емкость Шум Рисунок: BC239Условия испытаний IC=2 мА, IB=0 Мин. МГц пФ дБ Тип. Максимум. Единицы nA


Рис. 4. Напряжение насыщения база-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 

Связанные продукты с тем же паспортом
БК237А
БК237Б
Некоторые номера деталей того же производителя Fairchild Semiconductor
BC237A NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор
BC238
BC239
BC307 PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор
BC308
BC309
BC327
BC328
БК337 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
BC337-16 NPN Усилитель общего назначения
BC33716 16 — Усилитель общего назначения NPN
BC33725 25 — Усилитель общего назначения NPN
БК337А НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
BC338
Усилитель общего назначения BC368 NPN
Усилитель общего назначения BC369 PNP
BC516 PNP Дарлингтон транзистор
БК546 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
BC547 Усилитель общего назначения NPN
БК547А
БК547Б

74LCX16373MEAX : CMOS/BiCMOS->LVT/ALVT/LCX/LPT Family->Low Voltage Низковольтная 16-битная прозрачная защелка с допустимыми входами и выходами 5 В

DM74LS20M: семейство Bipolar->LS, двойной вентиль NAND с 4 входами

NC7NZ34 : Тройной буфер Tinylogic Uhs

P6KE11CA : Подавители переходного напряжения 600 Вт

PN200RM : Усилитель PNP Усилитель общего назначения

RMBA09501 : Базовая станция сотовой связи 2 Вт pa

TMC2249AH6C : Цифровой микшер

h21AA814B. W : 4-контактные фототранзисторные оптопары

NMC27C64QE: 65 536-битная (8192 X 8) CMOS Eprom

NC7SZ05CW : СЕРИЯ LVC/LCX/Z, ИНВЕРСНЫЙ ЗАТВОР С 1 ВХОДОМ, UUC4 Технические характеристики: Тип затвора: НЕ; Тип выхода: Открытый сток; Семейство логики: CMOS; Входы: 1 ; Количество выводов: 4

Та же категория

1FI150B-060 : Диодные модули быстрого восстановления. Короткое обратное время восстановления Разнообразие меню подключения Изолированный тип Применение Сварочные аппараты для дуговой сварки Диодные быстродействующие выпрямители Абсолютные максимальные характеристики Параметр Повторяющееся пиковое обратное напряжение Неповторяющееся пиковое обратное напряжение Средний выходной ток Импульсный ток I2t Рабочая температура перехода Температура хранения Напряжение изоляции Винт.

BAS20W : Быстродействующий диод для поверхностного монтажа.

DTA115GKA : . ! 1) Встроенные резисторы смещения состоят из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией, позволяющей обеспечить положительное смещение входа, а паразитные эффекты почти полностью исключены. 2) Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что упрощает проектирование устройства. 3) Может быть достигнута более высокая плотность монтажа. !Внешние размеры (единицы: мм) Параметр.

ФС3 : ЕСЛИ(А) = 3 ;; Ifsm (А) = 100 ;; VRRM (В) = 50 1000. 3 Ампер. Стеклянный пассивированный выпрямитель с поверхностным монтажом Стеклянный пассивированный переход Выдерживает высокие токи Пластиковый материал соответствует U/L 94 V-0 Низкопрофильный корпус Простота установки и монтажа Высокотемпературная пайка C 10 с . Стандартная упаковка: 8 мм. лента (ОВОС-РС-481). Вес: 1,12 г. Маркировка.

IRFBF20S/L : HexFET (r) Силовой МОП-транзистор: 900 В, 1,7 А. Поверхностный монтаж (IRFBF20S) Низкопрофильное сквозное отверстие (IRFBF20L) Доступен на ленте и на катушке (IRFBF20S) Динамический номинал dv/dt Рабочая температура 150C переключение, прочная конструкция устройства, низкое сопротивление во включенном состоянии и экономичность.

IRLR/U3303 : HexFET (r) Силовой МОП-транзистор: 30 В, 35 А. Привод затвора логического уровня Поверхностный монтаж со сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (IRLR3303) Прямой вывод (IRLU3303) Усовершенствованная технология обработки Быстрое переключение Полностью лавинный номинал МОП-транзисторных транзисторов пятого поколения от International Rectifier использует передовые методы обработки для достижения минимально возможного сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Эта польза в сочетании с постом.

JAN1N6674 : сверхбыстрый выпрямитель (менее 100 нс), упаковка: TO-254. ПИТАНИЕ ПРОДУКТ A ДВОЙНОЙ СВЕРХБЫСТРЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ С ОБЩИМ КАТОДОМ, 500 В: n ПЕРЕЧЕНЬ СООТВЕТСТВУЮЩИХ ЧАСТЕЙ MIL-PRF-19500/617 n НИЗКОЕ ПАДЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ n ИЗОЛИРОВАННЫЙ ГЕРМЕТИЧНО ЗАПЕЧАТАННЫЙ КОРПУС n ПРОЧНАЯ КЕРАМИЧЕСКАЯ КОНСТРУКЦИЯ Абсолютные максимальные номинальные значения: Символ VRWM VRRM VR IO IFSM ROJC ROJA Tj Tstg Параметр Пиковое повторяющееся обратное напряжение Рабочее пиковое обратное напряжение.

MMSD914 : Быстродействующий диод с высокой проводимостью. Максимальное повторяющееся обратное напряжение Средний выпрямленный прямой ток Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток Ширина импульса = 1,0 секунды Длительность импульса = 1,0 мкс Диапазон температур хранения Рабочая температура перехода Рассеиваемая мощность PD RJA.

MPS3640 : Переключающий транзистор. Номинальное значение Напряжение коллектора Эмиттер Напряжение базы коллектора Напряжение базы эмиттера Ток коллектора Непрерывный Суммарное рассеивание устройства = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Общее рассеивание устройства = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Эксплуатация и хранение Диапазон температур перехода Символ VCEO VCBO VEBO IC PD TJ, Tstg Значение до +150 Единица измерения В постоянного тока mAdc мВт мВт/C Вт мВт/C C Характеристика.

MTP7N20 : N-канальные силовые МОП-транзисторы, 7a, 150–200 В.

ZHCS506TA : Диод Шоттки Сот-23. SOT23 СИЛЬНОТОЧНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ «SuperBAT» ВЫПУСК 1 — Сентябрь 1997: Низкое напряжение F Высокая способность по току ПРИМЕНЕНИЕ: — Преобразователи постоянного тока Мобильная связь PCMCIA PARTMARK DETAIL: S56 7 ПАРАМЕТР Постоянное обратное напряжение Прямой ток (непрерывный) Прямое напряжение = 500 мА Средний пик вперед Текущий; DC = 50% неповторяющийся вперед.

ADT3727S : АУДИО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Аудио, ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.

FS20R06VE3 : 25 А, 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канальный ; Тип упаковки: МОДУЛЬ-13; Количество единиц в IC: 6.

MPSA93P : 500 мА, 200 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-3.

RJSE1Z0500-R : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ 100 BASE-T. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформер.

16NA220MCA8X11.5 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, НЕПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 16 В, 220 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ В СКВОЗНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 220 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 16 вольт; Ток утечки: 106 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

23ESA472MLA50N : РЕЗИСТОР, ПОТЕНЦИОМЕТР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 1 ОБОРОТ, 0,4 Вт, 4700 Ом. s: Тип потенциометра: стандартный потенциометр; Конус сопротивления: линейный; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 4700 Ом; Допуск: 20 +/- %; Стандарты и сертификаты: RoHS.

BC237 техническое описание — кремниевый транзистор NPN, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: BC237
Part BC237
Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Универсальные
Описание Транзистор кремниевый NPN, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
Компания ON Semiconductor
Техническое описание Загрузить BC237 Техническое описание
Крест. Аналогичные детали: LP395, 2N390, 2N4401, BC237A, MPSA06, HBC237
Цитата

Где купить

 

 

Функции, приложения

Номинальные данные Напряжение коллектора-эмиттера Напряжение коллектора-эмиттера Напряжение базы коллектора Ток непрерывного тока Суммарное рассеивание устройства = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Общее рассеивание устройства = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Диапазон температур перехода Символ VCEO VCES VEBO IC PD TJ, Tstg 30 5,0 Единица измерения В пост. тока мА пост. тока

Характеристическое тепловое сопротивление, переход к окружающей среде Тепловое сопротивление, переход к корпусу Обозначение RqJA RqJC Макс. 357 125 Единица C/W 2 БАЗА 3 КОЛЛЕКТОР ИЗЛУЧАТЕЛЯ 1

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (IC = 2,0 мА, = 0) Напряжение пробоя базы-эмиттера (IE = 100 мА, = 0) Ток отсечки коллектора (VCE 30 В, VBE BC239 BC237 V(BR)CEO A V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25°C, если не указано иное) (продолжение)

Напряжение коллектор-эмиттер (IC = 10 мА, = 0,5 мА) (IC = 100 мА, = 5,0 мА) Напряжение насыщения база-эмиттер (IC = 10 мА, = 0,5 мА) (IC = 100 мА, = 5,0 мА) Напряжение включения базового излучателя (IC = 100 А, VCE 5,0 В) (IC = 2,0 мА, VCE 5,0 В) (IC = 100 мА, VCE 5,0 В)

CurrentGain Bandwidth Product (IC = 0,5 мА, VCE = 100 МГц) BC238 BC239 Cobo Cibo NF BC239 (IC = 0,2 мА, VCE = 1,0 кГц, = 200 Гц) пФ дБ МГц

Емкость коллекторной базы (VCB = 1,0 МГц) Емкость эмиттерной базы (VEB = 1,0 МГц) Коэффициент шума (IC = 0,2 мА, VCE = 1,0 кГц)


 

Связанные продукты с тем же паспортом
БК237А
BC237BRL1
BC237BZL1
БК237С
BC238BRL1
БК238К
кремний НПН транзистора кремний НПН транзисторов усилителя NPN транзисторов усилителя BC239 кремний ПНП транзистора
Некоторые номера деталей того же производителя ON Semiconductor
BC237A Транзисторный кремний NPN, упаковка: TO-92 (TO-226), Pin=3
BC237B Транзистор общего назначения Npn, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
БК237БРЛ1, пакет: ТО-92 (ТО-226), контакты=3
BC238 Усилитель NPN Кремний
БК238Б
BC238BRL1 Транзисторный кремний NPN, пакет: TO-92 (TO-226), контакты = 3
кремний
BC239C Транзистор общего назначения Npn, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC307 Транзистор усилителя PNP
BC307B, пакет: TO-92 (ТО-226), контакты=3
BC308 Транзистор усилителя PNP
BC308C Транзистор общего назначения PnP, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC309 Транзистор усилителя PNP
Кремниевый транзистор BC309B PNP
BC327 Транзисторный кремниевый пластик PNP, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC327-040 SS T092 GP XSTR PNP 45 В, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC327-16 Транзисторный кремниевый пластик PNP, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC327-25RL1 SS T092 GP XSTR PNP 45 В, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC327-25ZL1 Транзисторный кремниевый пластик PNP, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC327ZL1 SS T092 GP XSTR PNP 45 В, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3
BC328 Усилитель PNP Кремний

MC14503BD: буферы шестнадцатеричный буфер с 3 состояниями, упаковка: Soic, контакты = 16

MC74LVXT4066M: Аналоговые переключатели Счетверенный аналоговый переключатель/мультиплексор/демультиплексор, упаковка: Soic, контакты = 14

MC7818BT: 1 А, 15 В, допуск ±2 %, регулятор напряжения, ta = от 0°C до +125°C, упаковка: TO-220, контакты = 3

MMFT3055VLT3-LF: заменить на NTF3055L108T1 или NTF3055L175T1, упаковка: SOT-223 (TO-261), контакты = 4

MSD1328-ST1: пластиковый Npn для малых сигналов, упаковка: SC-59, контакты = 3

SMF22AT1: Zener TVS SOD123FL, упаковка: SOD-123FL, контакты = 2

MC10h310MG : Двойной вентиль ИЛИ-ИЛИ с 3 входами и 3 выходами

MC74HC4053ADWR2G: Аналоговые мультиплексоры/демультиплексоры с управлением эффектом инжекции тока

NCP301LSN16T1G : Детектор напряжения серии

MUN2236T1G : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 100 мА, 50 В, 338 мВт, NPN — с предварительным смещением; TRANS BRT NPN 50V SC59 Технические характеристики: Тип транзистора: NPN — предварительно смещенный; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс. ): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 338 мВт; Резистор — база (R1) (Ом): 100K; Резистор — База эмиттера (R2) (Ом): 100K; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 250 мВ при 300 А, 10 мА; Курс

Та же категория

AM27S191A50B3A : 16 384 бит (2048 X 8) биполярный пром.

CM600E2Y-34H : Модули. Переключение высокой мощности использует изолированный тип. . нге. Конкретными для последнего предмета являются: Th tric li Note Parame Som HVIGBT (Высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором) Модули q IC. 600А с ВКЭС. 1700 В изолированного типа в упаковке (для тормоза) МОДУЛИ HVIGBT (высоковольтные биполярные транзисторные модули с изолированным затвором) 19 февраля99 . нге. Конкретной темой последней части являются e: Th tric li Notice.

FG4000BX-90DA : Стиль = управление фазой ;; Тип = Гто ;; Напряжение = 4500В ;; Ток = 4000А;; Конфигурация цепи = асимметричная.

MPD8021 : Высокое напряжение. MPD8021 EZ-Analog Полузаказной высоковольтный массив. Это полузаказная, высоковольтная, смешанная, мощная ASIC (специальная интегральная схема), подходящая для количеств от 100 000 штук. Клиенты могут начать разработку специализированных ASIC с помощью недорогого симулятора SPICE и бесплатного комплекта проектирования MPD8021, доступного для загрузки через Интернет. Технология MPD8021 биполярный/CMOS/DMOS высоковольтный.

STTH806D : Тандемные диоды 600 В. Tandem 600V Hyperfast Boost Diode. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКЦИИ IF(AV) VRRM Tj (макс.) VF (макс.) IRM (тип.) trr (тип.) И ПРЕИМУЩЕСТВА ОСОБЕННО ПОДХОДЯТ В КАЧЕСТВЕ ПОВЫШАЮЩЕГО ДИОДА В НЕПРЕРЫВНОМ РЕЖИМЕ КОРРЕКТОРЫ КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ И ЖЕСТКИХ УСЛОВИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ РАБОТЫ С ВЫСОКИМ DI/DT . СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ТОКА ДЛЯ КОНКУРЕНЦИИ С УСТРОЙСТВАМИ SIC. ПОЗВОЛЯЕТ УМЕНЬШИТЬ РАЗМЕРЫ MOSFET И ВНУТРЕННЕЙ КЕРАМИКИ РАДИАТОРА.

TVS-P4KES Series : Дискретный, TVS. n ЗАЩИТА ОТ ПИКОВОЙ МОЩНОСТИ 400 ВАТТ n ПРЕВОСХОДНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ ЗАЖИМА n БЫСТРОЕ ВРЕМЯ РЕАКЦИИ n ТИПИЧНЫЙ < 1A ВЫШЕ 10 В n КОНСТРУКЦИЯ СТЕКЛЯННОГО ПАССИВИРОВАННОГО ЧИПСА n СООТВЕТСТВУЕТ UL 94V-0 Серия P4KE Максимальные номинальные значения Пиковое рассеивание мощности PPK = 1 мс (Примечание 5) Рассеивание мощности в установившемся режимеPD = 75C 4 0. Неповторяющийся пиковый прямой импульсный токIFSM при номинальных условиях нагрузки,.

UF1A : . СВЕРХБЫСТРЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ НА ПОВЕРХНОСТНОЙ МОНТАЖЕ до 1000 Вольт НАПРЯЖЕНИЕ 2,0 А ТОК Для поверхностного монтажа Низкопрофильный корпус Встроенная защита от натяжения Простота установки Сверхбыстрое время восстановления для высокой эффективности Пластиковая упаковка имеет класс воспламеняемости лаборатории страховщиков 94V-O Соединение, пассивированное стеклом. Корпус: литой пластик JEDEC DO-214AA.

CPT60050A : 300 А, 50 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Схема: общий анод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 300000 мА; Количество выводов: 2; Количество диодов: 2.

CSR13J333KM : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛОВЫЙ, ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 100 В, 0,033 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые ; : поляризованный; Диапазон емкости: 0,0330 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 100 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

DZ2S043 : 4,305 В, 0,15 Вт, КРЕМНИЕВЫЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ; Соответствует RoHS: RoHS.

FR301-LF : 3 А, 50 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-201AD. s: Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 50 вольт; ЕСЛИ: 3000 мА; трр: 0,1500 нс; Соответствует RoHS: RoHS.

GA40-102KLF : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройства в пакете: 1 ; Тип руководства: Осевой, ПРОВОДНОЙ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/- %); DCR: 0,0170 Ом; Номинальный постоянный ток: 5173 мА; Частота тестирования: 1 кГц; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

LQh4N120K04M01 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 12 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль ведения: J ; Применение: общего назначения, радиочастотный дроссель; Диапазон индуктивности: 12 мкГн; Номинальный постоянный ток: 180 мА; Рабочая температура: от -25 до 85 C (от -13 до 185 F).

MP61001 : 200 В, КРЕМНИЙ, PIN-ДИОД. s: Количество диодов: 1. Серия кремниевых PIN-диодов ASI MP61000 предназначена для использования в переключателях, аттенюаторах и фазовращателях. .

PG865C15R : 150 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Общий катод; Тип диода: Универсальный, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 150000 мА; Комплектация: ТО-3, ТО-3ПФ, 3 PIN ; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2.

SQ1902EL-T1-GE3 : 780 мА, 20 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 20 вольт; RDS(вкл.): 0,4150 Ом; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SC-70, 6 PIN; Количество единиц в IC: 2.

 

0-C     D-L     M-R     S-Z    

Datasheet begin, distributors inventory

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 2-10007 2-2 2-3

© 2004-2022 Digchip.com

Транзистор%20BC237%20BC337 DataSheet & Applicatoin Notes

Верхний

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть org/Product»> SCT3030AR РОМ Полупроводник 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3060AR РОМ Полупроводник 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3105KL РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор org/Product»> SCT3022KL РОМ Полупроводник 1200 В, 95 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3040KR РОМ Полупроводник 1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3080KL РОМ Полупроводник 1200 В, 31 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор

транзистор%20bc237%20bc337 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный 2sc5198, эквивалентный транзистору NPN
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР PNP
КХ520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012

Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Резюме: транзистор Дарлингтона KD224510 250A Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур схема KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Модуль gsm с микроконтроллером p-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-channel Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Спецификация силового транзистора для телевизора

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалентный 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалентный транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

транзистор bc337: распиновка, упаковка, цена, применение и техническое описание

Byadharsh Обновлено

Транзистор bc337 Транзистор bc337

Характеристики BC337
  • Транзистор NPN
  • Напряжение между коллектором и базой ( В CB ) составляет 50 В
  • Напряжение между коллектором и эмиттером ( В CE ) составляет 45 В
  • Напряжение между эмиттером и базой ( В EB ) составляет 5 В
  • Диапазон коэффициента усиления постоянного тока от 100 до 630 ч FE
  • Ток коллектора (I C ) 800 мА
  • Частота перехода ( F T ) составляет 210 МГц
  • Температура перехода (T Дж ) +150°С

Распиновка BC337
Номер контакта Имя контакта Описание
1 Коллектор Ток протекает через коллектор
2 База База триггерная для устройства
3 Излучатель Ток протекает через эмиттер

 

Распиновка BC337

Корпус TO-92
  • Корпус TO-92 используется на транзисторе BC337, BC337 является транзистором общего назначения, поэтому TO-92 называют менее дорогим корпусом.
  • Для изготовления корпуса BC337 используется смесь эпоксидной смолы и пластика, благодаря этим материалам транзистор BC337 компактен.
Пакет TO-92

Если вам нужна спецификация в формате pdf, нажмите на эту ссылку

BC337 Описание

Транзистор BC337 представляет собой транзистор общего назначения, используемый в маломощных схемах, и применение транзистора BC337 в обычных устройствах огромно.

Максимальный коэффициент усиления по току транзистора BC337 составляет от 100 до 630hFE, причем значение коэффициента усиления более важно в цепях усилителя.

Максимальный ток коллектора или ток нагрузки транзистора BC337 составляет 800 мА, что означает допустимую пиковую нагрузку для этого транзистора.

Рассеиваемая мощность на этом транзисторе составляет 625 мВт, это значение указывает на максимальную рассеиваемую мощность на этом транзисторном устройстве.

Частота перехода транзистора BC337 составляет 210 МГц, это важный фактор, когда транзистор работает в приложениях с высоким переключением.

Максимально допустимая температура перехода транзистора BC337 составляет 150°C.

Техническое описание BC337 Техническое описание BC337

Если вам нужно техническое описание в формате pdf, нажмите на эту ссылку04, 2n4404, 2n7031 и BC358.

  • Транзисторы, отличные от 2n4404, являются эквивалентом NPN для транзистора BC337, 2n4404 является эквивалентом PNP для транзистора BC337.
  • Электрические и физические характеристики всех транзисторов в этом списке почти одинаковы.  

    • BC337 vs 2n2222 vs BC547 vs BC237
    • В таблице ниже мы пытаемся сравнить электрические характеристики BC337 vs 2n2222, BC547 vs BC337 и BC237 vs BC337.
    • Это электрическое сравнение транзисторов поможет нам определить конкретный транзистор для замены или других целей.
    Характеристики BC337 BC547 2N2222 BC237
    Напряжение между коллектором и базой (VCB) 50 В 50 В 60 В 50 В
    Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) 45 В 45 В 30 В 45 В
    Напряжение между эмиттером и базой (VEB) 5 В 6 В 5 В 6 В
    Ток коллектора (IC) 800 мА 100 мА 800 мА 100 мА
    Рассеиваемая мощность 625 мВт 500 мВт 500 мВт 350 мВт
    Температура перехода (ТДж) 150°C 150°C 200°С 150°С
    Частота перехода (FT) 210 МГц 300 МГц 250 МГц 100 МГц
    Шум (Н) — 10 дБ — 10 дБ
    Коэффициент усиления (hFE) от 100 до 630hFE от 110 до 800hFE от 30 до 300hFE от 150 до 460hFE
    Пакет ТО-92 ТО-92 ТО-18 ТО-92


    Транзистор BC337 использует        
    • Аудиоусилитель малой мощности
    • Малый усилитель сигнала
    • Цепи переключения
    • Драйвер звуковой частоты
    • Цепи управления двигателем

    Схема усилителя BC337
    • Это схема усилителя на транзисторе BC337 с комплементарным PNP-транзистором BC327.
    • Усилитель состоит из трех транзисторов BC337, BC327 и BC547.
    • Это усилитель класса AB, когда звук достигает цепи, транзистор BC547 действует как предусилитель и усиливает сигнал и проходит в основную часть.
    • Основная секция усилителя состоит из двухтактной секции BC337 и BC327, оба транзистора выполняют усиление и передают сигнал на 8-омный динамик.
    BC337 схема усилителя

    Цепь переключателя BC337 Цепь переключателя BC337
    • На рисунке показана схема транзисторного переключателя BC337, нагрузкой в ​​цепи являются светодиоды.
    • Когда ключ замыкается, базовый резистор передает триггерный импульс на базу транзистора, и транзистор включается.
    • Затем транзистор передает напряжение на светодиоды.
    • Это приводит к включению светодиодов.
    • Транзисторы BC337 нашли широкое применение в маломощных коммутационных схемах.

    Драйвер реле BC337   Драйвер реле BC337
    • Драйвер реле с использованием транзистора BC337 представляет собой простой процесс.
    • Транзистор BC337 используется для управления потоком тока в цепи реле и создания пути для протекания сильного тока.
    • Совместная работа маховикового диода и транзистора образует хорошую схему управления реле.

    BC337 цена
    • Транзистор BC337 представляет собой маломощный транзистор общего назначения, BC337 применяется в устройствах общего назначения и цепях.
    • Цена транзистора BC337 составит 15 рупий за 5 штук или 0,20 доллара США.

    Похожие сообщения

    Транзистор

    Транзистор MJE13009A: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, даташит

    Byadharsh

    Транзистор MJE13009A Спецификация транзистора MJE13009A MJE13009 представляет собой силовой транзистор типа NPN. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 700 В. Напряжение между эмиттером и базой составляет 9 В. V Коллектор…

    Подробнее Транзистор MJE13009A: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, техническое описаниеПродолжить

    Транзистор

    Транзистор 2SC1815: аналог, распиновка, упаковка, спецификация и техническое описание

    Byadharsh

    Транзистор 2SC1815 Спецификация транзистора 2SC1815 2SC1815 представляет собой транзистор NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 50 В Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Ток коллектора составляет…

    Подробнее Транзистор 2SC1815: аналог, распиновка, корпус, спецификация и техническое описаниеПродолжить

    Транзистор

    Транзистор

    MMBT3904: аналог, распиновка, спецификация, даташит

    Byadharsh

    Транзистор MMBT3904 Транзистор MMBT3904 SMD электрические характеристики Эпитаксиальный планер MMBT3904 Транзистор NPN SMD Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

    Подробнее Транзистор MMBT3904: эквивалент, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить

    Транзистор

    Транзистор 2N5551: эквивалент, распиновка, спецификация, дополнение, техническое описание

    Byadharsh

    Транзистор 2N5551 Транзистор 2N5551 электрические характеристики 2N5551 представляет собой высоковольтное транзисторное устройство NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 160 В Напряжение между коллектором и базой составляет 180 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

    Подробнее Транзистор 2N5551: эквивалент, распиновка, спецификация, дополнение, техническое описаниеПродолжить

    Транзистор

    Техническое описание транзистора

    2655: аналог, распиновка, спецификация

    Byadharsh

    Транзистор 2655/2SC2655 Транзистор 2655/2SC2655 Электрические характеристики 2655 представляет собой кремниевый транзистор эпитаксиального типа NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 50 В Напряжение между коллектором и базой составляет 50 В Напряжение между эмиттером и базой…

    Подробнее Техническое описание транзистора 2655: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить

    Транзистор

    Транзистор

    2n3055: характеристики, распиновка, корпус, эквивалент и техническое описание

    Byadharsh

    Транзистор 2n3055 Спецификация 2n3055 Это биполярный транзистор NPN BJT. Коэффициент усиления постоянного тока составляет от 20 до 70hFE. Ток коллектора (IC) составляет 15 А.0059

    Подробнее Транзистор 2n3055: спецификация, распиновка, упаковка, эквивалент и техническое описаниеПродолжить

    Поиск

    Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, вам понравится
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓Доставка по всему миру!
    ✓Ограниченная распродажа
    ✓Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна отправка немедленно
    № модели.
    Код ТН ВЭД 8529

    0

    Минимальное количество Начиная с одной детали
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Поиск
    • идентификатор продукта
    артикул
    gtin14
    мпн
    Статус детали Активный

    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары отправляются с использованием почтовых услуг и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация об отслеживании
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная авиапочта 15-25 дней В наличии
    ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ 5-10 дней В наличии
    Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Спасибо за покупку нашей продукции на нашем сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
    Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по истечении 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

    Подробнее о программе защиты покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните деньги.
    Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
    Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    Защита покупателя PayPal
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат средств, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от наше описание продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

    Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
  • Достаточный запас по вашему срочному требованию.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
  • Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточно.

    • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, регулируемые R
    Звук специального назначения Аксессуары Реле
    Часы/хронометраж Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Диакс, Сидак Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и осцилляторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Соединители, межсоединения
    Логика ВЧ полевые транзисторы Конденсаторы
    Память ВЧ-транзисторы (BJT) Изоляторы
    PMIC SCR Светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Триаки

    Какова цена?

  • Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.

    • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

    • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).

    • Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

  • Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить столько, сколько захотите.

    • Когда вы отправите мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

    • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.

    • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, примечаниями по применению, замена, даташит в pdf, инструкция, схема, аналог, перекрестная ссылка.

    • Предоставляете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6-месячную гарантию на наш продукт.

    • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как нашего друга и работаем добросовестно!

    • По любым другим вопросам, пожалуйста, обращайтесь к нам. Мы всегда к вашим услугам!

    Транзистор Bc237

    Для этого Вам необходимо войти или зарегистрироваться. JavaScript отключен. Пожалуйста, включите JavaScript, чтобы использовать все функции веб-сайта. Этот продукт может быть недоступен.


    Ищем данные по вашему запросу:

    Схемы, справочники, даташиты:

    Прайс-листы, цены:

    Обсуждения, статьи, инструкции в конце поиска: Поиск все базы данных.
    По завершении появится ссылка для доступа к найденным материалам.

    Содержание:

      пакет транзистора 45В 100мА ТО-92 усилителя общего назначения
    • БК237 НПН ТО-92
    • {{store.name}}
    • Спецификации для BC237
    • BC237 Биполярный транзистор
    • Полупроводник: BC237 (BC 237) — NPN КРЕМНИЕВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОР…
    • BC237 / BC237 В
    • BC237 — Транзистор NPN
    • Малый транзистор BC237

    СМОТРЕТЬ СВЯЗАННОЕ ВИДЕО: BC547 VE BC237 Transistör ile Flip-Flop Devresi Yapımı

    BC237 NPN Транзисторный усилитель общего назначения 45 2 7 90 90 8 920mA TO-920mA

    Полную информацию см. в листинге продавца. См. все определения условий. Бренд: Generic. Упаковка должна быть такой же, как и в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар был упакован производителем в нерозничную упаковку, неповрежденный товар в оригинальной упаковке, К эпоксидному транзистору NPN, Это для 2, где применима упаковка.

    BC Универсальный транзистор 2 шт. Каждый комплект тормозной магистрали Yana Shiki собирается на месте из фитингов из нержавеющей стали высочайшего качества, обжатых непосредственно на жестко вытянутый эластичный плетеный шланг из нержавеющей стали. Посетите домашнюю страницу магазина для получения кода купона, Художник оставляет за собой все права на воспроизведение, Материал: Подлинный Балтийский янтарь, Большой — длина по спинке более 17 дюймов, но менее 19 дюймов. нанесенный мной на каждую карту. Мы используем полиуретан для герметизации и защиты от элементов.

    BC Generic Transistor 2 шт. Вам будет отправлен по электронной почте цифровой файл, содержащий изображения без водяных знаков, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы решить проблему, прежде чем оставлять отрицательный отзыв. Никакие другие товары не могут быть изготовлены с использованием этого шаблона дизайна без письменного разрешения.

    Пожалуйста, проверьте как можно больше, чтобы убедиться, что товар именно тот, который вам нужен. Вмещает 60 унций вашего любимого напитка и долговечную пену для валяния иглой, а подкладка из термофлиса обеспечивает комфорт. Универсальный транзистор BC 2 шт. En VIDAMIA ofrecemos una amplia Variadad de platillos que exaltan el arte culinario que van desde nuestras паста, пицца, панини, постры и т. д.

    Рекомендуем. Excelente servicio y calidad en la comida, персональный, дружелюбный и знакомый.


    {{store.name}}

    Наш веб-сайт использует файлы cookie, в том числе профилирующие файлы cookie авторизованных третьих лиц, чтобы предоставить вам лучший опыт просмотра, и, продолжая использовать наш сайт, вы принимаете нашу политику использования файлов cookie. Узнайте больше о том, как мы используем файлы cookie и как вы можете изменить свои настройки, нажав здесь. Все права защищены. Microsemi и логотип Microsemi являются зарегистрированными товарными знаками корпорации Microsemi. Все другие товарные знаки и знаки обслуживания являются собственностью их соответствующих владельцев. Программное обеспечение для аудио, голоса и линейных цепей. Аудио, голосовые и линейные документы.

    Вопрос: Создайте логические элементы «не», «и» или «или», используя транзистор BC. Укажите значения сопротивлений. Мне нужен РТЛ. Эта проблема решена!

    Спецификации для BC237


    Настройки файлов cookie на этом веб-сайте настроены таким образом, чтобы разрешить использование всех файлов cookie, чтобы вам было максимально комфортно. Если вы продолжите без изменения настроек файлов cookie, мы будем считать, что вы согласны получать все файлы cookie на нашем веб-сайте. Однако, если вы хотите, вы можете изменить свои настройки в любое время, используя ссылку «Изменить настройки файлов cookie» в специальном меню. Изменить настройки Закрыть. Отправка сведений о транзисторе BC. Просмотр подробных изображений 1. Номер позиции.

    Биполярный транзистор BC237

    Лист Dt. Транзистор смонтирован на печатной плате ФР4. Размеры клемм в этой зоне не контролируются, чтобы учесть поток пластика и неровности клемм. Предварительная спецификация Этот лист данных содержит предварительные данные; дополнительные данные могут быть опубликованы позже.

    Предварительный просмотр недоступен! Коллектор 2.

    Полупроводник: BC237 (BC 237) — NPN КРЕМНИЕВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОР…


    Категории товаров. Изображения приведены для справки. См. Спецификацию продукта. Более подробную информацию о БК можно увидеть ниже. Ищете БК?

    BC237 / BC237 B

    Cetronic использует файлы cookie на этом веб-сайте для улучшения навигации. Если вы продолжите серфинг, мы будем считать, что вы принимаете его использование. ОК Дополнительная информация. Новый аккаунт. Условия продажи. Платежные средства. Стоимость доставки.

    до нашей эры | микросеми. Главная · Силовые дискреты и модули · BJT (биполярный переходной транзистор) · NPN-транзистор; ДО Н.Э (#).

    BC237 — Транзистор NPN

    Полную информацию см. в листинге продавца. См. все определения условий. Бренд: Generic. Упаковка должна быть такой же, как и в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар был упакован производителем в нерозничную упаковку, неповрежденный товар в оригинальной упаковке, К эпоксидному транзистору NPN, Это для 2, где применима упаковка. BC Generic Transistor 2 шт. Каждый комплект тормозной магистрали Yana Shiki собирается на месте из фитингов из нержавеющей стали самого высокого качества, обжатых непосредственно на жестко вытянутый эластичный плетеный шланг из нержавеющей стали.

    Маленький транзистор BC237


    США Великобритания. При переключении между магазинами товары будут удалены из вашей текущей корзины.

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *