Bc337 40. Транзистор BC337-40: характеристики, применение и особенности — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры транзистора BC337-40. Где применяется этот транзистор. Какие режимы работы имеет BC337-40. Как правильно использовать BC337-40 в электронных схемах. На что обратить внимание при выборе BC337-40.

Содержание

Основные характеристики транзистора BC337-40

BC337-40 — это биполярный NPN-транзистор общего назначения в корпусе TO-92. Основные параметры транзистора:

Структура: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
Максимальный ток коллектора: 0.8 А
Рассеиваемая мощность: 0.625 Вт
Коэффициент усиления по току: 250-630
Граничная частота: 100 МГц
Рабочая температура: до +150°C

Области применения BC337-40

Транзистор BC337-40 широко используется в различных электронных устройствах благодаря своим универсальным характеристикам:

Усилители малой и средней мощности
Источники питания и стабилизаторы напряжения
Импульсные схемы
Драйверы светодиодов
Цифровые схемы в качестве ключа

Бытовая электроника

Режимы работы транзистора BC337-40

BC337-40 может работать в следующих основных режимах:

Активный режим — транзистор используется как усилитель тока или напряжения.
Режим насыщения — транзистор полностью открыт и работает как ключ.
Режим отсечки — транзистор полностью закрыт.
Инверсный активный режим — используется редко, переход коллектор-база открыт, а эмиттер-база закрыт.

Преимущества использования BC337-40

Транзистор BC337-40 обладает рядом достоинств, делающих его популярным выбором:

Низкая стоимость
Широкая доступность
Хорошие параметры для большинства применений
Высокий коэффициент усиления
Низкий уровень шумов
Компактный корпус TO-92

Особенности подключения BC337-40 в схемах

При использовании транзистора BC337-40 в электронных схемах следует учитывать некоторые моменты:

Правильно определить выводы транзистора (эмиттер, база, коллектор)
Не превышать максимально допустимые параметры
Использовать токоограничивающий резистор в цепи базы
Обеспечить достаточное охлаждение при работе на больших токах
Учитывать падение напряжения база-эмиттер около 0.7 В

Сравнение BC337-40 с аналогами

BC337-40 имеет ряд близких аналогов с похожими характеристиками:

Параметр	BC337-40	2N3904	BC547
Структура	NPN	NPN	NPN
Макс. напряжение К-Э	45 В	40 В	45 В
Макс. ток коллектора	0.8 А	0.2 А	0.1 А
Коэффициент усиления	250-630	100-300	110-800

Типовые схемы включения BC337-40

Рассмотрим несколько базовых схем с использованием транзистора BC337-40:

Простой усилитель тока

В этой схеме BC337-40 используется для усиления небольшого входного тока:

«`text +Vcc | R1 | B | C ——|—— | |-| | | | | |/ BC337-40 | |\ | | | | | | | R2 E | | | | GND GND R1 — коллекторный резистор R2 — резистор в цепи базы Vcc — напряжение питания B — база C — коллектор E — эмиттер «`

В этой схеме небольшой ток, протекающий через базу, усиливается в β раз (коэффициент усиления транзистора) и протекает через коллектор. Резистор R1 ограничивает ток коллектора, а R2 задает ток базы.

Ключевой режим

BC337-40 часто используется в качестве электронного ключа для управления нагрузкой:

«`text +Vcc | | Load | C | ——| | |/ | | BC337-40 | |\ R | | | | E | | Vin GND Load — нагрузка (например, реле или светодиод) R — резистор базы Vin — входной сигнал управления C — коллектор E — эмиттер «`

В этой схеме транзистор работает в ключевом режиме. Когда на вход Vin подается достаточное напряжение, транзистор открывается и через нагрузку протекает ток. При отсутствии сигнала на входе транзистор закрыт и ток через нагрузку не идет.

Меры предосторожности при работе с BC337-40

При использовании транзистора BC337-40 следует соблюдать некоторые меры предосторожности:

Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
Использовать антистатические меры защиты при работе с транзистором
Обеспечивать правильное охлаждение при работе с большими токами
Проверять правильность подключения выводов перед подачей питания
Использовать качественный паяльный инструмент при монтаже

Заключение

Транзистор BC337-40 является универсальным и надежным компонентом для широкого спектра электронных устройств. Его характеристики позволяют использовать его как в аналоговых, так и в цифровых схемах. При правильном применении BC337-40 обеспечивает стабильную работу и хорошие параметры усиления. Знание особенностей и режимов работы этого транзистора поможет разработчикам создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Биполярный транзистор bc337-40 (Набор — 5 шт.)

Набор биполярных транзисторов n-p-n типа bc337-40 — 5 шт.

Технические характеристики:

Тип (структура) — NPN
Макс. напр. коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи э.(Uкб макс) — 50 В;
Макс. напр. коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи б.(Uкэ макс) — 45 В;
Максимально допустимый ток к (Ік.макс.) — 500 мА;
Пиковый ток коллектора (Ік.пик.) — 1 А;
Пиковый ток базы (Іб.пик.) — 250 мА;
Максимальная рассеиваемая мощность — 0,625 Вт;
Корпус — ТО92

Документация:

bc337-40.pdf

Что такое транзистор и как он работает?

Транзистор — это электронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств.

Биполярный транзистор n-p-n типа наиболее популярен в аналоговой электронике. Его обозначение на принципиальных схемах, а так же наименование контактов показаны на рисунке справа. У транзистора есть три ножки и каждая из них имеет свое наименование. Если повернуть транзистор в корпусе ТО92 плоской частью к себе, то слева направо ножки обозначаются так: коллектор, база, эмиттер. Транзисторы n-p-n типа открываются положительным напряжением (относительно эмиттера), приложенным к базе.

Если подключить к коллектору (обозначен буквой «к») «плюс» от источника питания, а к эмиттеру (буква «э» ) — «минус», то ток через транзистор не пойдет. Но если на базу (обозначена буквой «б») подать небольшое напряжение, то через транзистор от базы к эмиттеру пойдет небольшой ток, который откроет транзистор, и тогда от коллектора к эмиттеру тоже потечет ток. Как только мы прекратим подачу напряжения на базу, то транзистор тут же закроется.

Что бы проще понять какой транзистор изображен на схеме, необходимо посмотреть куда указывает стрелка на его условном изображении. Стрелка всегда указывает куда должен пойти ток, что бы транзистор открылся. В данном вариант ток должен пойти от базы к эмиттеру и транзистор откроется.

Более подробно о биполярных транзисторах, их использовании и применении рассказано в Стартовом и Основном наборе 1-ого уровня конструкторов Эвольвектор. В указанных наборах вы сможете на практике исследовать работу транзистора применить его в мини проектах.

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t

зд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	P_пот. мВт.	t_зд.р. нс	Э_пот.пДж.	C_н. пФ.	R_н. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
Нагружаемый выход	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
Параметр	Условия измерения	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U¹_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U⁰_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах			0,8			0,8			0,8
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В	I⁰_вых= 16 мА			I⁰_вых= 8 мА			I⁰_вых= 20 мА
U¹_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
U¹_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В	I¹_вых= -0,8 мА			I¹_вых= -0,4 мА			I¹_вых= -1 мА
I¹_вых, мкА с ОК схема	U¹_и.п.= 4,5 В, U¹_вых=5,5 В			250			100			250
I¹_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 U_вх= 2 В			40			20			50
I⁰_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U_вых= 0,4 В, U_вх= 2 В			-40			-20			-50
I¹_вх, мкА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 2,7 В			40			20			50		20
I¹_{вх, max}, мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I⁰_вх, мА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
I_к.з., мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

Транзистор BC337-40, NPN, 45V, 0.8A, корпус TO-92

Описание товара Транзистор BC337-40, NPN, 45V, 0.8A, корпус TO-92

Транзистор BC337-40, NPN, 45V, 0.8A, корпус TO-92 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

Тип транзистора: NPN
Рабочее напряжение: 45V
Рабочий ток: 0.8A
Тип корпуса: TO-92

Особенности транзисторов BC337-40, NPN, 45V, 0.8A, корпус TO-92
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Качество транзисторы bc337 40 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы bc337 40 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы bc337 40 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы bc337 40, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего.

транзисторы bc337 40 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы bc337 40 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы bc337 40 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы bc337 40 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы bc337 40 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы bc337 40 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы bc337 40 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

BC337-40 (TO-92, Nexperia) NXP от 0.7 грн

BC337-40
Производитель: LGE
NPN 800mA 45V 625mW 200MHz hFE250-600 Trans. BC337-40 TO92 (Bulk) TBC33740cd
количество в упаковке: 1000 шт

под заказ 10000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель: LGE
NPN 800mA 45V 625mW 200MHz 250 количество в упаковке: 1000 шт

под заказ 8900 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель: DIOTEC

под заказ 22981 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)

308+	1.32 грн
500+	1.22 грн
2800+	1.02 грн
12000+	0.97 грн

BC337-40
Производитель: KEC
Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 0,8 A; ft, МГц = 250; hFE = 250 @ 100 мА, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.7@ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55…+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3

под заказ 5 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)

393+	1.47 грн
422+	1.37 грн
450+	1.28 грн

BC337-40
Производитель: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 800 мА; ft, МГц = 100; hFE = 250/630 @ 100; Тексп, °C = -55…+150; Тип монт. = вивідний; AMMO PACK; TO-92-3

под заказ 28 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)

318+	1.81 грн
397+	1.45 грн
455+	1.27 грн

BC337-40
Производитель: DC

под заказ 16324 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)

206+	1.99 грн
400+	1.83 грн
2000+	1.58 грн
7000+	1.53 грн

BC337-40
Производитель: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 45V 800MA
Power — Max: 625 mW
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current — Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Frequency — Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current — Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

под заказ 320000 шт
срок поставки 7-22&nbspдня (дней)

30+	3.06 грн
45+	2.92 грн
90+	2.43 грн
180+	1.83 грн
240+	1.53 грн
480+	1.45 грн
960+	1.35 грн
2000+	1.29 грн
4000+	1.22 грн

BC337-40
Производитель:
Транзистор

под заказ 64 шт
срок поставки 3-5&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель:
BC337-40 NPN General Purpose Amplifier TO-92 500mA 45V

под заказ 425 шт
срок поставки 4-5&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель: —

под заказ 685 шт
срок поставки 4&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель: Ningbo KLS electronic co.,ltd
(NPN, Uкэ=45V, Iк=0.8A, h31=250…630, 0.625Вт, 210МГц, TO-92 )(аналог КТ 660А) BC337-40-(TO-92)

под заказ 5000 шт
срок поставки 4&nbspдня (дней)

BC337-40
Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: BC337-40-DIO NPN THT transistors