Bc517 транзистор характеристики. BC517: характеристики, применение и особенности транзистора Дарлингтона NPN

Каковы основные параметры транзистора BC517. Какие у него особенности и преимущества. Где применяется BC517 в электронных схемах. Как правильно использовать этот транзистор Дарлингтона.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора BC517

BC517 — это NPN транзистор Дарлингтона в корпусе TO-92. Основные параметры этого транзистора:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
  • Максимальный ток коллектора: 1,2 А
  • Рассеиваемая мощность: 625 мВт
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 30000
  • Граничная частота: 220 МГц
  • Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Ключевой особенностью BC517 является очень высокий коэффициент усиления по току, что делает его отличным выбором для схем, требующих большого усиления при малом входном токе.

Преимущества использования транзистора BC517

Транзистор BC517 обладает рядом преимуществ по сравнению с обычными биполярными транзисторами:

  • Сверхвысокий коэффициент усиления (30000) позволяет управлять большим выходным током малым входным сигналом
  • Низкое напряжение насыщения (около 1 В) обеспечивает эффективное использование в ключевых режимах
  • Компактный корпус TO-92 удобен для монтажа
  • Широкий температурный диапазон делает BC517 универсальным для различных применений

Эти особенности позволяют использовать BC517 в разнообразных схемах усиления и коммутации с высокой эффективностью.


Области применения транзистора BC517

Благодаря своим характеристикам, BC517 находит применение во многих электронных устройствах и схемах:

  • Аудиоусилители и предусилители
  • Драйверы светодиодов и ламп
  • Схемы управления электродвигателями
  • Импульсные источники питания
  • Переключатели с высоким коэффициентом усиления
  • Схемы сопряжения с низковольтной логикой

Особенно эффективен BC517 в схемах, где требуется управление значительным током при малом управляющем сигнале.

Как правильно использовать BC517 в схемах

При использовании транзистора BC517 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:

  1. Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
  2. Обеспечить достаточное охлаждение при работе на больших токах
  3. Использовать токоограничивающий резистор в цепи базы
  4. Учитывать высокий коэффициент усиления при расчете схем
  5. При необходимости применять цепи температурной стабилизации

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности BC517 в ваших проектах.


Сравнение BC517 с другими транзисторами

Чтобы лучше понять особенности BC517, сравним его характеристики с некоторыми распространенными транзисторами:

ПараметрBC517BC5472N3904
ТипNPN ДарлингтонNPNNPN
Макс. Vce30 В45 В40 В
Макс. Ic1,2 А0,1 А0,2 А
hFE30000110-800100-300

Как видно из сравнения, BC517 выделяется значительно более высоким коэффициентом усиления и способностью работать с большими токами.

Особенности конструкции транзистора Дарлингтона BC517

BC517 имеет внутреннюю структуру транзистора Дарлингтона, которая определяет его уникальные свойства:

  • Два транзистора NPN, соединенных каскадом внутри одного корпуса
  • Общий коллектор для обоих транзисторов
  • База первого транзистора является входом схемы
  • Эмиттер второго транзистора — выход схемы

Эта конструкция обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току, но также приводит к увеличению напряжения насыщения по сравнению с обычными транзисторами.


Рекомендации по выбору аналогов BC517

Если по каким-либо причинам использование BC517 невозможно, можно рассмотреть следующие аналоги:

  • MPSW45A — близкий аналог с похожими характеристиками
  • 2N6426 — транзистор Дарлингтона с похожими параметрами
  • TIP120 — силовой транзистор Дарлингтона для больших токов
  • BC516 — комплементарная PNP-пара к BC517

При выборе аналога важно учитывать не только основные параметры, но и особенности применения в конкретной схеме.

Типовые схемы включения транзистора BC517

Рассмотрим несколько типовых схем, демонстрирующих применение BC517:

Схема усилителя тока

В этой схеме BC517 используется для усиления слабого входного тока:


         +Vcc
           |
           R1
           |
    Vin----+-----|
           |     |
           |   |-B-|
           |   |   |
          R2   | C |  BC517
           |   |   |
           |   |-E-|
           |     |
          GND    |
                 |
               Rload
                 |
                GND

Здесь R1 — токоограничивающий резистор базы, R2 — резистор смещения, Rload — нагрузка. Благодаря высокому усилению BC517, даже малый ток базы может управлять значительным током через нагрузку.


Схема драйвера светодиода

BC517 отлично подходит для управления мощными светодиодами:


        +Vcc
          |
    Vin---R1-----|
                 |
               |-B-|
               |   |
               | C |  BC517
               |   |
               |-E-|
                 |
                 |
               LED
                 |
                R2
                 |
                GND

В этой схеме транзистор работает как ключ, управляемый низковольтным логическим сигналом. R1 ограничивает ток базы, R2 задает рабочий ток светодиода.

Эти схемы демонстрируют базовые принципы использования BC517, которые можно адаптировать под конкретные задачи.


NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 1А; 0,625Вт; TO92 производства CDIL BC517-CDI

  • Корпус

    TO92

  • Коэффициент усиления по току

    30000

  • Тип транзистора

    NPN

  • Ток коллектора

  • Вид транзистора

    Дарлингтон

  • Полярность

    биполярный

  • Рассеиваемая мощность

    0,625Вт

  • Напряжение коллектор-эмиттер

    30В

  • Монтаж

    THT

  • Частота

    200МГц

  • Производитель

    CDIL

  • Вес

    0. 206g

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи


2N2907 to-92 | Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2907

2N2907 — PNP Transistor 0.8A, 60V, TO-92

 

Особенности

  • NPN silicon planar switching transistors.
  • Fast switching devices exhibiting short turn-off and low saturation voltage characteristics.
  • Switching and linear application DC and VHF amplifier applications.
Код товара :M-150-8334
Обновление:2022-09-22
Тип корпуса :TO-92

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N2907 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2N2907 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
83342N2907 to-92Транзистор 2N2907 — PNP Transistor 0.8A, 60V, TO-921.5 pyб.
45632SC2655 to-92modТранзистор 2SC2655 (маркировка C2655) — Power Amplifier Applications, Power Switching Applications, 2A, 50V, NPN, TO-92MOD3.2 pyб.
1928S9012 to-92Транзистор S9012 — PNP Transistor, 40V, 0. 5A, TO-922.1 pyб.
10349BC517Транзистор BC517 — NPN Silicon Darlington Transistor 30V, 1A, TO-927.5 pyб.
83372SC1008Транзистор 2SC1008 (маркировка C1008) — NPN Transistor 0.7A, 80V, TO-922.1 pyб.
107002SA733Транзистор 2SA733 (маркировка A733) — PNP General Purpose Amplifier, 60V, 500mA, TO-922.1 pyб.
10185Ручка переменного резистора (AG2, синяя)Пластмассовая ручка для переменных резисторов Wh248, R097 и других, с диаметром вала 6 мм, синяя7.5 pyб.
8003S9018 to-92Транзистор S9018 — NPN Silicon Transistor, 25V, 50mA, TO-923.2 pyб.
7396S9014 to-92Транзистор S9014 — Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, TO-922.1 pyб.
26802SD965Транзистор 2SD965 — Silicon NPN epitaxial planer type. For low-frequency power amplification. For stroboscope, Low collector to emitter saturation voltage, TO-923.2 pyб.

 

Транзистор BC517 Распиновка, эквивалент, использование, особенности и применение

Сегодня мы собираемся обсудить транзистор BC517, распиновку, эквивалент, использование, особенности, области применения, где и как использовать в схеме и как безопасно использовать в электронной схеме.

Объявления

 

Объявления

Особенности/технические характеристики:
  • Тип упаковки: ТО-15

  • Тип транзистора: НПН Дарлингтон
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 1,2 А
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 30 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 40 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 10 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 625 мВт
  • Макс. частота перехода (fT): 200 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч FE ): 30000
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

 

PNP Complementary:

PNP Complementary of BC517 is BC516

 

Replacement and Equivalent:

MPSW45A, 2N6426 (Pin configuration of these transistors are different from BC517, check pin configuration before replacing в цепи)

 

Транзистор BC517 Объяснение / Описание:

BC517 представляет собой транзистор Дарлингтона NPN, изготовленный в корпусе TO-92, транзистор Дарлингтона представляет собой пару комбинированных двух транзисторов BJT, соединенных друг с другом в проводке, называемой парой Дарлингтона, в одном корпусе. для получения высокого коэффициента усиления и включения более высокого тока при очень малом базовом токе.

 

Транзистор BC517 также имеет очень высокий коэффициент усиления по постоянному току по сравнению с другими обычными NPN-транзисторами, который составляет 30 000, благодаря чему это устройство можно использовать в качестве переключателя там, где доступен очень маленький или низкий ток базы. и где другие обычные транзисторы BJT NPN не насыщаются при этом небольшом токе. Он может управлять нагрузкой 1,2 А на своем выходе, что является хорошей характеристикой для управления различными нагрузками с очень малым током. Он также будет хорошо работать в каскадах усиления звука в аудиосхемах.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Это транзистор с очень высоким коэффициентом усиления, поэтому его можно использовать для усиления токовых сигналов с низким коэффициентом усиления до высокого коэффициента усиления, и его можно использовать поэтапно. там, где требуется усиление сигналов с низким коэффициентом усиления. Например, в каскадах предусилителя звука он обеспечивает хорошее усиление очень слабых звуковых сигналов. Помимо аудиосхем, его можно использовать для усиления различных сигналов с низким коэффициентом усиления. При использовании в качестве переключателя он насыщается при очень малом токе. Его можно использовать для управления светодиодами, реле, двигателями, другими транзисторами и частями электронных цепей до 1200 мА. Это идеальный транзистор для использования в образовательных, любительских и коммерческих электронных схемах.

Приложения:

Схема датчиков

Аудиоребплификаторы

Аудио -усилитель. Схема:

Для безопасной работы этого транзистора и для длительного использования в ваших схемотехнических или электронных проектах рекомендуется не эксплуатировать этот транзистор от напряжения выше 30 В, правильно подключать его выводы в цепи, а также не подключать нагрузку более 1,2 А или 1200 мА. Минимальная и максимальная температура этого транзистора составляет от -55°С до +150°С, поэтому не используйте и не храните его при температурах выше +150°С и ниже -55°С.

BC517 Транзистор Дарлингтона: распиновка, спецификация, эквивалент

Byadharsh Обновлено

Транзистор Дарлингтона BC517

Транзистор Дарлингтона BC517 Электрические характеристики
  • TIP121 Транзистор Дарлингтона NPN
  • Напряжение между коллектором и эмиттером 30 В
  • Напряжение между коллектором и базой 40 В
  • Напряжение между эмиттером и базой 10 В
  • Ток коллектора 2A
  • Рассеиваемая мощность 625 мВт
  • Коэффициент усиления постоянного тока 30000hFE
  • Температура перехода и рабочая температура от -55 до +150℃
  • Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT) ) равно 1 В
  • Термическое сопротивление 3℃/Вт
  • Частота перехода 220 МГц
  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Сильноточный
  • Низкое напряжение

Транзистор Дарлингтона BC517 Распиновка Транзистор Дарлингтона BC517 Распиновка
Номер контакта Имя контакта Описание
1 Коллектор Ток протекает через коллектор
2 База Базовая клемма используется для запуска транзистора
3 Излучатель Ток протекает через эмиттер

 

Транзисторный корпус BC517

Транзистор Дарлингтона BC517 имеет корпус TO-92, это маломощный транзисторный корпус.

Корпус TO-92 изготавливается из эпоксидной смолы или пластика, поэтому они обладают более высокими прочностными характеристиками и малым весом. Оба эти свойства делают корпус более мощным, чтобы выдерживать транзистор Дарлингтона BC517.

Описание электрических характеристик транзистора Дарлингтона BC517/применение

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики транзистора BC517, это подробное объяснение поможет нам лучше понять транзистор и поможет в процессе замены.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения транзистора BC517 следующие: напряжение между коллектором и эмиттером составляет 30 В, напряжение между коллектором и базой составляет 40 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 10 В, значение напряжения этого устройства низкое.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 1 В, это среднее значение напряжения для полупроводникового устройства.

Характеристики напряжения транзистора BC517 показывают, что они имеют характеристики низкого напряжения по сравнению с другими транзисторными устройствами Дарлингтона.

Характеристики тока

Ток коллектора транзистора BC517 составляет 1,2 А, коммутационная нагрузка этого транзистора ниже этого значения.

Характеристики рассеяния

Значение рассеиваемой мощности транзистора BC517 составляет 625 мВт, значение рассеиваемой мощности этого устройства будет указано на корпусе транзистора.

Коэффициент усиления по току

Коэффициент усиления по постоянному току транзистора BC517 составляет 30000Hfe, это важная характеристика этого устройства.

Температура перехода/температура хранения

Значения температуры перехода и рабочей температуры составляют от -55 до 150℃, а также для транзистора BC517.

Тепловое сопротивление

Тепловое сопротивление перехода транзистора Дарлингтона BC517 к корпусу составляет 83,3℃/Вт -Диапазон частот.

BC517 Транзистор Дарлингтона NPN ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ

Если вам нужно техническое описание в формате pdf, нажмите на эту ссылку

Эквивалент транзистора Дарлингтона BC517

Транзистор Дарлингтона BC517 имеет эквивалентные устройства, такие как MPSW45A и 2N6426, оба этих транзистора Дарлингтона имеют почти одинаковые электрические и физические характеристики, поэтому мы можем использовать их в качестве замены транзистору BC517.

Транзистор Дарлингтона BC517 комплиментарный

Транзистор Дарлингтона BC516 PNP является дополнительным транзистором транзистора Дарлингтона BC517 NPN.

BC517 и BC547

В приведенной ниже таблице мы пытаемся сравнить два транзисторных устройства, таких как BC517 и BC547.

Характеристики BC517 BC547
Напряжение между коллектором и базой (VCB)      40 В 50 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) 30 В 45 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB) 10 В 6 В
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (VCE (SAT)) 1 В от 90 до 600 мВ
Ток коллектора (IC) 1,2 А 100 мА
Рассеиваемая мощность 625 мВт 500 мВт
Температура перехода (TJ) от -55 до +150°C от -65 до +150°C
Термостойкость 83,3℃/Вт
Коэффициент усиления (hFE) 30000hFE от 110 до 800hFE
Частота перехода 220 МГц 300 МГц
Пакет ТО-92 ТО-92

Оба этих транзистора имели одинаковое напряжение и характеристики корпуса, за исключением того, что этот транзистор BC517 имел самое высокое значение коэффициента усиления по постоянному току, чем транзистор BC547.

BC517 представляет собой устройство на транзисторе Дарлингтона NPN, поэтому, естественно, его коэффициент усиления выше, и приложениям хотелось бы, чтобы транзисторы BC547 применялись в небольших масштабах.

Применение транзистора Дарлингтона NPN BC517
  • Схема предусилителя
  • Цепь усилителя звука
  • Цепь датчика
  • Цепь зарядного устройства аккумулятора
  • Цепь регулятора
  • Цепь драйвера управления двигателем
  • Применение Н-моста
  • Переключение приложений
  • Цепь мультивибратора

Кривые характеристик устройства Дарлингтона BC517 NPN Характеристики усиления постоянного тока транзистора BC517

На рисунке показаны характеристики коэффициента усиления по постоянному току транзистора BC517, график построен с зависимостью коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

При постоянном напряжении между коллектором и эмиттером, когда устройство начинает работу с самого высокого значения по отношению к току коллектора, а усиление уменьшается к концу.

Характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора BC517

На рисунке показаны характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора Дарлингтона BC517, график построен с зависимостью напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Графики характеристик при трех различных значениях температуры и увеличение значения насыщения каждой кривой одинаковы по отношению к току коллектора.

Почтовые теги: #Приложения BC517#Технические характеристики BC517#Эквивалент BC517#Распиновка BC517

Похожие сообщения

Транзистор

Транзистор

2N5133: распиновка, спецификация, даташит

Byadharsh

Спецификация транзистора 2N5133 Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) составляет 18 В. Напряжение между коллектором и базой (VCB) составляет 20 В. Напряжение между эмиттером и базой (VEB) составляет 3 В. Ток коллектора составляет (IC) 05 А. Мощность…

Подробнее Транзистор 2N5133: распиновка, спецификация, даташитПродолжить

Транзистор

Транзистор

MPSA18: аналог, распиновка, спецификация, даташит

Byadharsh

Транзистор MPSA18 Спецификация MPSA18 MPSA18 представляет собой транзистор NPN общего назначения Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 45 В Напряжение между коллектором и базой составляет 45 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Коллектор…

Подробнее Транзистор MPSA18: эквивалент, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Техническое описание транзистора

2N4402: распиновка, спецификация, аналог

Byadharsh

Транзистор 2N4402 Спецификация 2N4402 2N4402 представляет собой кремниевый транзистор BJT общего назначения PNP Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 40 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Подробнее Техническое описание транзистора 2N4402: распиновка, спецификация, эквивалентПродолжить

Транзистор

Техническое описание транзистора

2SC4793: распиновка, эквивалент, спецификация

Byadharsh

Транзистор 2SC4793 Спецификация 2SC4793 2SC4793 представляет собой кремниевый транзистор эпитаксиального типа NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 230 В Напряжение между коллектором и базой составляет 230 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В…

Подробнее Техническое описание транзистора 2SC4793: распиновка, эквивалент, спецификацияПродолжить

Транзистор

Транзистор

BC237: распиновка, аналог, спецификация, даташит

Byadharsh

Транзистор BC237 Спецификация BC237 BC237 представляет собой кремниевый биполярный транзисторный усилитель NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) составляет 45 В Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) составляет 50 В Напряжение коллектор-база…

Подробнее Транзистор BC237: распиновка, аналог, спецификация, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор

BC556: аналог, распиновка, спецификация, корпус, даташит

Byadharsh

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *