Каковы основные параметры и особенности транзистора BC817. Где применяется этот NPN-транзистор. Какие есть аналоги BC817. Как правильно подключать и использовать BC817 в электронных схемах.
Общая характеристика транзистора BC817
BC817 — это популярный биполярный NPN-транзистор общего назначения в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Данный транзистор широко используется в маломощных аналоговых и цифровых схемах благодаря своим хорошим характеристикам и доступности.
Основные параметры BC817:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальный ток коллектора: 500 мА
- Коэффициент усиления по току: 100-600
- Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Граничная частота: 100 МГц
- Корпус: SOT-23 (SMD)
Области применения транзистора BC817
Благодаря своим характеристикам BC817 нашел широкое применение во многих областях электроники:
- Маломощные усилители
- Коммутационные схемы
- Схемы управления светодиодами
- Предусилители для аудиосистем
- Высокочастотные схемы до 100 МГц
- Источники питания
- Драйверы электродвигателей малой мощности
Особенности подключения и использования BC817
При использовании транзистора BC817 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер не должно превышать 45 В
- Ток коллектора не должен быть выше 500 мА
- Рекомендуемый ток базы для надежного открытия транзистора — 1/10 от тока коллектора
- При работе на высоких частотах необходимо минимизировать паразитные емкости в цепи базы
- Для защиты от перенапряжений рекомендуется использовать ограничительные диоды
Распиновка и маркировка транзистора BC817
BC817 выпускается в корпусе SOT-23 с тремя выводами. Распиновка транзистора следующая:
- База
- Эмиттер
- Коллектор
На корпусе обычно нанесена маркировка «6C». Важно правильно определять выводы при монтаже, чтобы избежать повреждения компонента.
Аналоги и заменители BC817
В качестве аналогов BC817 могут использоваться следующие NPN-транзисторы с похожими характеристиками:
- 2N3904
- BC547
- BC337
- MMBT3904
- BC846
При замене важно сверять основные параметры транзисторов, такие как максимальное напряжение, ток и коэффициент усиления.
Основные электрические параметры BC817
Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзистора BC817:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 500 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт (при 25°C)
- Коэффициент усиления по току: 100-600 (типовое значение 300)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Емкость коллекторного перехода: 4 пФ
Особенности использования BC817 в схемах
При проектировании схем с использованием BC817 следует учитывать некоторые особенности:
- Для надежного открытия транзистора ток базы должен составлять около 1/10 от тока коллектора
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет около 0,2 В
- При работе на высоких частотах необходимо минимизировать паразитные емкости
- Для защиты от перенапряжений рекомендуется использовать ограничительные диоды
- При больших токах коллектора необходимо обеспечить адекватный теплоотвод
Применение BC817 в усилительных каскадах
BC817 часто используется в схемах усиления сигналов малой мощности. Рассмотрим типовую схему усилительного каскада на этом транзисторе:
- Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор
- Смещение базы задается резистивным делителем
- В цепь коллектора включается нагрузочный резистор
- Выходной сигнал снимается с коллектора через разделительный конденсатор
- Эмиттер заземляется через резистор для температурной стабилизации
При правильном выборе номиналов компонентов такой каскад обеспечивает усиление по напряжению до 50-100 раз.
BC817 в ключевых схемах
Благодаря хорошим ключевым свойствам BC817 часто применяется в схемах коммутации:
- Для управления реле и другими индуктивными нагрузками
- В схемах управления светодиодами
- Для коммутации сигналов в цифровых устройствах
- В драйверах электродвигателей малой мощности
В ключевом режиме транзистор работает в режимах насыщения и отсечки. Важно обеспечить достаточный ток базы для надежного открытия транзистора.
Заключение
BC817 является универсальным и надежным NPN-транзистором, который благодаря своим характеристикам нашел широкое применение в современной электронике. При правильном использовании этот компонент позволяет создавать эффективные схемы усиления и коммутации сигналов. Важно соблюдать рекомендации по эксплуатации для обеспечения стабильной работы устройств на основе BC817.
BC817-40 n-p-n транзистор 45В 500мА в SOT23
| ||||||||||
Цены в формате .pdf, . xls |
- Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
- Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
- Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
- Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….5 В
- Ток коллектора, max……………………………………………………………………..500
- Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером.. ……250….600*
- Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………250 мВт
- Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
- Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
- Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
- Корпус………………………………………………………………………………………SOT23
Транзистор BC817-40 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.
Технические характеристики и маркировка транзистора BC817-40
Комплементарной парой к n-p-n транзистору BC817-40 является p-n-p транзистор BC807-40
Для работы в схемах где ток коллектора не превышает 100 мА предназначены транзисторы серии BC847 / ВC857. Со склада в Москве поставляются p-n-p транзистор BC857B / BC857C и n-p-n транзистор BC847B / BC847C выполненные в корпусе SOT23. В меньших SMD корпусах, SOT323, поставляются транзисторы BC847CW и BC857CW.
Для использования в цепях, сила тока в которых не превышает 200 мА широко используются биполярные транзисторы MMBT3904LT1 и MMBT3906LT1 разработанные фирмой Motorola.
В цепях с большим рабочим напряжением могут использоваться SMD транзисторы.
Для работы в высоковольтных цепях со склада поставляются транзисторы KST42, KST92. Эти транзисторы идентичны MMBTA42LT1 и MMBTA92LT1 созданные компанией Motorola. Максимальное напряжение Коллектор Эмиттер этих транзисторов составляет 300В.
В корпусах SOT23 выпускаются транзисторы способные управлять током до нескольких ампер. Эти транзисторы имеют MOSFET структуру и работают на полевом эффекте. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF позволяют коммутировать ток 3 – 4 А. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF в корпусе TO 252 допускает предельный ток сток –и исток 30 А. В меньшем корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В и предельным током 0,32 А.
Для работы в низкочастотных усилителях выпускаются биполярные транзисторы средней мощности HE8550 и HE8050 они выполнены в SOT89 и имеют предельное значение тока коллектора 1,5 А.
Уникально высокое значение статического коэффициента передачи по току 1200 -2700 имеет составной транзистор Дарлингтона 2SD2114K.
BC817-40LT1G от 14.4 рублей в наличии 6510 шт производства ONSEMI BC817-40LT1G
всего в наличии 6510 шт
Количество | Цена ₽/шт |
---|---|
5 | 48 |
10 | 15570″> 39 |
100 | 14.7 |
500 | 05706″> 14.4 |
В корзину
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
Купить BC817-40LT1G от 5 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.
BC817-40LT1G описание и характеристики
Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Вид упаковки
лента
Вид упаковки
бобина
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Рассеиваемая мощность
225мВт
Ток коллектора
0,5А
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Тип транзистора
NPN
Полярность
биполярный
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Вес
0. 018g
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
Смежные товары
5-078-13
Пинцет; немагнитный; Концы губок: заостренные; Дл.пинцета: 130мм
по запросу
Подробнее
5-062-13
Пинцет; кончики изогнуты под углом 35°,немагнитный; SMD; ESD
по запросу
Подробнее
5-067-13
Пинцет; немагнитный; Концы губок: плоские; Дл.пинцета: 120мм; SMD
по запросу
Подробнее
P-830
Инструмент: вакуумный захват
по запросу
Подробнее
5-068-13
Пинцет; немагнитный; Концы губок: трапециевидные; SMD; ESD
по запросу
Подробнее
EL. VAMPIRE-ESD
Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD
по запросу
Подробнее
5-060
Набор: пинцеты; SMD; ESD; Устойчивы к: большинству кислот; футляр
по запросу
Подробнее
SVP 100
Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD
по запросу
Подробнее
SMA10SL
Клей для элементов SMD; шприц; 10мл
по запросу
Подробнее
PR2035E/5R
Клей для элементов SMD; шприц; 10мл
по запросу
Подробнее
Похожие товары
2SC3648S-TD-E
Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 0,7А; 0,5Вт; SOT89
от 58 ₽
+87000 баллов
Подробнее
RN1411(TE85L,F)
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 10кОм
от 8. 2 ₽
+615 баллов
Подробнее
MMBTRC105SS
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23; R2: 47кОм
от 4.1 ₽
+7380 баллов
Подробнее
2SC5824T100R
Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 500мВт; SC62,SOT89
от 53 ₽
+198750 баллов
Подробнее
DTC144EU3HZGT106
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 2Вт; SC70,SOT323
от 11.1 ₽
+74925 баллов
Подробнее
FSB649
Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 3А; 0,5Вт; SOT23
от 36 ₽
+129600 баллов
Подробнее
2SC2412-Q
Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,15А; 200мВт; SOT23
от 2. 9 ₽
+6525 баллов
Подробнее
UMG8NTR
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; R1: 4,7кОм
от 11.7 ₽
+5265 баллов
Подробнее
MMBT3904 RFG
Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,2А; 300мВт; SOT23-3
от 5.1 ₽
+9180 баллов
Подробнее
BFU530WX
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 24В; 40мА; 450мВт; SOT323
от 75 ₽
+5625 баллов
Подробнее
PBSS4041NX,115
Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 6,2А; 2,5Вт; SC62,SOT89
от 87 ₽
+6525 баллов
Подробнее
2SC4081U3T106R
Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,15А; 200мВт; SC70,SOT323
от 5. 7 ₽
+4275 баллов
Подробнее
Ваша заявка отправлена. В ближайшее время мы свяжемся с Вами по указанным контактам.
20800078
Enclosure, Accessory, Coding Pegs Срок поставки 3-4 недели
Поздравляем! Вы получили бесплатную доставку на ваш заказ!
Оформить заказ
Заказанное количество не является кратным. Правильное количество должно быть кратным .
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом для регистрации», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Сохранение профиля
Данные сохранены!
Отменить удаление будет невозможно
Введите название Запись начинается на строке12
Предварительный просмотр вашего файла отображается ниже. Ваши столбцы были сопоставлены на основе содержания вашего файла. Пожалуйста, просмотрите выбранные варианты и используйте выпадающие списки над каждым столбцом, чтобы внести какие-либо изменения, а также сопоставить столбцы, которые мы не смогли отобразить автоматически. Требуется столбец как для номера детали, так и для количества.
Куда доставить заказ?
Москва
Добавьте точный адрес, удобный пункт выдачи или постамат, чтобы заранее увидеть условия доставки товаров
Выберите город
BC817 Transistor SMD Pinout, Datasheet, Equivalent, Circuit & Specs
1 сентября 2021 — 0 комментариев
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Базовый | Управляет смещением транзистора |
2 | Излучатель | Электроны, вылетевшие из эмиттера в первый PN-переход |
3 | Коллектор | Электроны, испускаемые эмиттером, собираются коллектором |
Характеристики и характеристики
- Биполярный транзистор NPN
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) составляет 5 В
- Базовый ток (IB) составляет максимум 50 мА
- Доступен в упаковке SOT-323/SC70
- Максимальное напряжение коллектор-база |Vcb|: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 0,46 Вт
- Частота перехода: 100 МГц
- Коэффициент шума – 2 дБ
- Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении от -65 до +175 °C
- Емкость коллектора 5 пФ
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) равен максимум 600
BC817 Эквивалент
BC547, BC548, BC549, 2n3904, BC107, 2N2222, 2N3053, 2N2907, BC177B 9 0003
Примечание: Дополнительные технические характеристики транзистора BC817 можно найти в техническом описании BC817 . прилагается в конце этой страницы.
Основные принципы работы транзистора
Транзистор BC817 представляет собой N-P-N транзистор общего назначения ; Переходной транзистор представляет собой просто конструкцию, зажатую между двумя слоями материала N-типа или материала P-типа. В зависимости от конструкции транзисторы делятся на две категории транзисторов NPN и транзисторов PNP, которые показаны ниже, транзисторы состоят из кремния или германия, в зависимости от выбранного применения.
Общее описание транзистора BC817
BC817 — это универсальное полупроводниковое устройство, которое можно использовать для усиления или переключения сигнала или мощности. BC817 — это Транзистор NPN , поэтому нам необходимо подать небольшое количество положительного напряжения на базу транзистора через токоограничивающий резистор, обычно называемый RB (базовый резистор), когда требуемое количество тока протекает через базу транзистора, транзистор включится. Чтобы использовать этот транзистор в качестве усилителя, вам необходимо получить значение усиления из таблицы данных устройства, значение усиления может отличаться в зависимости от производителя, поэтому настоятельно рекомендуется проверить таблицу данных конкретного устройства, прежде чем выполнять расчет. Максимальный ток коллектора этого транзистора составляет 500 мА при максимальном напряжении базы эмиттера 45 В. Этот транзистор имеет напряжение коллектор-эмиттер 45В и напряжение базы коллектора 5В. Этот транзистор может работать при 150*C. Прежде чем выбрать этот транзистор, обратите внимание, что этот транзистор может обеспечить довольно небольшую мощность по сравнению с его размером, поэтому необходимы надлежащие тепловые характеристики.
Когда этот транзистор находится в смещенном состоянии, он может пропускать максимальный ток 500 мА с максимальной мощностью 0,46 Вт через переход CE (коллектор-эмиттер). Это состояние транзистора называется состоянием насыщения и нагрузка, потребляющая ток более 500 мА, может повредить устройство в этом состоянии. Как вы, возможно, уже знаете, транзистор — это устройство, управляемое током , поэтому, когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, на этом этапе транзистор работает в своем режиме .0025 Зона отсечки , а напряжение базового эмиттера может составлять около 500 мВ.
Как использовать транзистор BC817
В отличие от MOSFET-транзисторов, это устройства с управлением по току, что означает, что они могут включаться или выключаться путем подачи требуемого тока базы, для транзистора BC817 это 100 мА для 500 мА тока коллектора, как показано на графике ниже. именно это.
BC817 — это NPN-транзистор, что означает, что он останется открытым, когда на его базу не подается ток, но когда мы применяем базовое напряжение с токоограничивающим резистором, небольшое количество базового тока будет протекать через базу транзистора. транзистор и он включится. Смоделированная схема ниже показывает, как ведет себя этот транзистор, когда на базу подается ток базы и когда на базу ток не подается.
Когда мы включаем транзистор, подавая требуемый ток на базу транзистора, он остается открытым до тех пор, пока напряжение на базе транзистора не достигнет нуля. База транзистора не может оставаться плавающей, иначе может произойти ложное срабатывание транзистора, что может привести к проблемам в цепи. Чтобы решить эту проблему, нам нужно добавить подтягивающие резисторы. Например, резистор 10К используется для подтягивания базы транзистора.
Области применения
BC817 Транзистор является очень универсальным устройством, его широкий диапазон частот и широкая полоса пропускания делают его подходящим для многих различных применений.
- Светодиодные диммеры или мигалки
- Переключение приложений
- Предусилитель для усилителя мощности
- Высокочастотное переключение
- Модулятор и демодулятор для радиочастоты
2D-модель и размеры
Если вы разрабатываете какие-либо проекты, требующие измерения компонента, обратите внимание на размеры устройства. Дополнительную информацию можно найти в таблице данных устройства, ссылка на которую приведена ниже.
Теги
Транзистор
SMD
Силовой транзистор
Транзистор BC817: распиновка, аналог, спецификация, спецификация
Byadharsh Обновлено
Транзистор BC817 Спецификация BC817- BC817 представляет собой транзистор SMD общего назначения NPN
- Напряжение между коллектором и эмиттером 45 В
- Напряжение между коллектором и базой 50 В
- Напряжение между эмиттером и базой 5В
- Ток коллектора 500 мА
- Рассеиваемая мощность 460 мВт
- Коэффициент усиления постоянного тока от 250 до 600hFE
- Текущая частота усиления-перехода ( F T ) равна 100 МГц
- Температура перехода от -55 до 150℃
- Термическое сопротивление перехода к окружающей среде составляет 272℃/Вт
- Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT) ) равно 7 В
- Выходная емкость (C об ) 10 пФ
- Усилитель средней мощности
- Устройство SMD LOW Power
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | База | База используется для запуска транзисторного устройства |
2 | Излучатель | Ток протекает через эмиттер |
3 | Коллектор | Прохождение тока через коллектор |
Корпус BC817
SMD-транзистор BC817 представляет собой маломощный транзистор общего назначения с SMD-корпусом SOT-23. Это базовый пакет компонентов для обычного транзисторного устройства.
Корпус SOT-23 SMD представляет собой трехконтактное устройство, изготовленное из эпоксидно-пластикового материала, способного выдерживать высокие температуры, и обеспечивает меньший вес корпуса полупроводниковых компонентов.
SOT-23 представляет собой компактный корпус устройства, это поможет компоненту для использования во многих приложениях.
SMD-транзистор BC817 описание электрических характеристик/применениеВ этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики SMD-транзистора BC817.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения SMD-транзистора BC817: напряжение между коллектором и эмиттером составляет 45 В, напряжение между коллектором и базой составляет 50 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 0,7 В, значение напряжения указывает на переключение области.
Характеристики общего напряжения SMD-транзистора BC817 показывают, что это маломощное устройство с широким спектром применений.
Характеристики токаЗначение тока SMD-транзистора BC817 составляет 500 мА, а значение тока устройства показывает максимальную нагрузочную способность.
Характеристики рассеиванияРассеиваемая мощность транзистора BC817 составляет 460 мВт, рассеиваемая мощность устройства показывает мощность, выдерживаемую корпусом.
Характеристики усиления по токуЗначение усиления по току транзистора BC817 составляет от 250 до 600Hfe, это способность транзистора воспроизводить усиление при работе.
Частота переходаЗначение частоты перехода транзистора BC817 составляет 100 МГц, это максимальный диапазон частот устройства в цепях.
Температура перехода/рабочая температураТемпература перехода/рабочая температура устройства составляет от -55 до +150℃.
Выходная емкостьЗначение выходной емкости SMD-транзистора BC817 составляет 10 пФ
0025 нажмите на эту ссылку эквивалент транзистора BC817Транзисторные устройства, такие как FMMT619, FMMTA05, KST05, 2SC3913, 2SC3915 и BC177B, являются эквивалентными транзисторами SMD-транзистора BC817.
Каждое из транзисторных устройств SMD имеет аналогичный набор электрических характеристик, поэтому мы можем легко использовать его в схеме вместо транзисторного устройства BC817.
Перед заменой необходимо проверить важные характеристики, такие как напряжение, PINOUT и усиление постоянного тока.
Дополнительная пара транзисторов BC817 SMDТранзистор BC817 SMD NPN имеет комплементарную пару PNP BC807, электрические характеристики этого транзистора аналогичны и противоположны.
BC817 vs BC847 vs MMBTA05В этой сравнительной таблице мы сравниваем электрические характеристики устройств BC817 и BC847, это очень полезно для лучшего понимания.
\ | BC817 | BC847 | MMBTA05 |
---|---|---|---|
Напряжение между коллектором и базой (VCB) | 50 В | 50 В | 60 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | 45 В | 45 В | 60 В |
Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | 5 В | 6 В | 4 В |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT)) | 0,7 В | от 200 до 900 мВ | — |
Ток коллектора (IC) | 500 мА | 100 мА | 500 мА |
Рассеиваемая мощность | 250 мВт | 310 мВт | 310 мВт |
Температура перехода (TJ) | от -55 до +150°C | от -65 до +150°C | от -55 до +150°C |
Термостойкость | 272 ℃/Вт | 403 ℃/Вт | 403℃/Вт |
Частота перехода (FT) | 100 МГц | 300 МГц | — |
Коэффициент усиления (hFE) | от 250 до 600hFE | от 110 до 800hFE | от 110 до 800hFE |
Выходная емкость | 10 пФ | от 3,5 до 6 пФ | — |
Упаковка | СОТ-23 | СОТ-23 | СОТ-23 |
В сравнительной таблице видно, что каждое из этих транзисторных устройств имеет схожий набор электрических характеристик.
BC817 Применение транзисторов SMD- Автомобильные и другие применения
- Переключение приложений
- Цепь предусилителя
- Высокочастотные переключатели
На рисунке показаны характеристики усиления постоянного тока транзистора BC817 SMD NPN, график построен с зависимостью усиления постоянного тока от тока коллектора.
При постоянном значении напряжения между коллектором и эмиттером при трех разных значениях температуры значение тока вычисляется относительно тока коллектора.
Характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора BC817На рисунке показаны характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора BC817, график построен с зависимостью напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
При постоянном значении тока базы значение напряжения насыщения увеличивается от более низкого значения до более высокого значения по отношению к току коллектора.
Характеристики области безопасной работы транзистора BC817На рисунке показаны характеристики области безопасной работы транзистора BC817, график построен с зависимостью тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, температурными пределами и скоростью переключения.
Почтовые теги: #BC817 Распиновка#BC817 Транзистор
Похожие сообщения
Транзистор
Транзистор TIP50: распиновка, аналог, спецификация, даташит
Byadharsh
Транзистор TIP50 Спецификация TIP50 TIP50 — это устройство на транзисторе NPN POWER Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В Напряжение между коллектором и базой составляет 500 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Ток коллектора…
Подробнее Транзистор TIP50: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить
Транзистор
Транзистор 2SC458: техническое описание, распиновка, аналог, Использование
Byadharsh
Спецификация транзистора 2SC458 Это маломощный NPN-транзистор. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 30 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 30 В. Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В. Ток коллектора составляет…
Подробнее Транзистор 2SC458: техническое описание, распиновка, эквивалент, использованиеПродолжить
Транзистор
Транзистор 2N3053: аналог, распиновка, спецификация
Byadharsh
Транзистор 2N3053 Транзистор 2N3053 Электрические характеристики 2N3053 — силовой транзистор NPN общего назначения Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…
Подробнее Техническое описание транзистора 2N3053: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить
Транзистор
ТранзисторMPSA06: аналог, распиновка, характеристики, спецификация
Byadharsh