Bc817 транзистор характеристики: BC817 SMD транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

Содержание

BC817-40 n-p-n транзистор 45В 500мА в SOT23

Наименование	Маркировка на корпусе	Описание транзистора	Склад	Заказ
BC817-40	6С	n-p-n транзистор в SOT23 45В 500мА

Цены в формате .pdf, .

xls

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC817-40 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора BC817-40

Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….5 В
Ток коллектора, max……………………………………………………………………..500
Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером..
……250….600*
Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………250 мВт
Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
Корпус………………………………………………………………………………………SOT23

Транзистор BC817-40 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора BC817-40

Технические характеристики и маркировка транзистора BC817-40

Биполярные и полевые транзисторы в SOT 23 и SOT89

Комплементарной парой к n-p-n транзистору BC817-40 является p-n-p транзистор BC807-40

Для работы в схемах где ток коллектора не превышает 100 мА предназначены транзисторы серии BC847 / ВC857. Со склада в Москве поставляются p-n-p транзистор BC857B / BC857C и n-p-n транзистор BC847B / BC847C выполненные в корпусе SOT23. В меньших SMD корпусах, SOT323, поставляются транзисторы BC847CW и BC857CW.

Для использования в цепях, сила тока в которых не превышает 200 мА широко используются биполярные транзисторы MMBT3904LT1 и MMBT3906LT1 разработанные фирмой Motorola.

В цепях с большим рабочим напряжением могут использоваться SMD транзисторы.

Для работы в высоковольтных цепях со склада поставляются транзисторы KST42, KST92. Эти транзисторы идентичны MMBTA42LT1 и MMBTA92LT1 созданные компанией Motorola. Максимальное напряжение Коллектор Эмиттер этих транзисторов составляет 300В.

В корпусах SOT23 выпускаются транзисторы способные управлять током до нескольких ампер. Эти транзисторы имеют MOSFET структуру и работают на полевом эффекте. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF позволяют коммутировать ток 3 – 4 А. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF в корпусе TO 252 допускает предельный ток сток –и исток 30 А.

В меньшем корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В и предельным током 0,32 А.

Для работы в низкочастотных усилителях выпускаются биполярные транзисторы средней мощности HE8550 и HE8050 они выполнены в SOT89 и имеют предельное значение тока коллектора 1,5 А.

Уникально высокое значение статического коэффициента передачи по току 1200 -2700 имеет составной транзистор Дарлингтона 2SD2114K.

BC817-40LT1G от 14.4 рублей в наличии 6510 шт производства ONSEMI BC817-40LT1G

всего в наличии 6510 шт

Количество	Цена ₽/шт
5	48
10	15570″> 39
100	14.7
500	05706″> 14.4

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+2 балла

Купить BC817-40LT1G от 5 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BC817-40LT1G описание и характеристики

Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

Вид упаковки

лента
Вид упаковки

бобина
Корпус

SOT23
Монтаж

SMD
Рассеиваемая мощность

225мВт
Ток коллектора

0,5А
Напряжение коллектор-эмиттер

50В

Тип транзистора

NPN
Полярность

биполярный
Производитель

ON SEMICONDUCTOR
Вес

0. 018g

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Смежные товары

5-078-13

Пинцет; немагнитный; Концы губок: заостренные; Дл.пинцета: 130мм

по запросу

Подробнее

5-062-13

Пинцет; кончики изогнуты под углом 35°,немагнитный; SMD; ESD

по запросу

Подробнее

5-067-13

Пинцет; немагнитный; Концы губок: плоские; Дл.пинцета: 120мм; SMD

по запросу

Подробнее

P-830

Инструмент: вакуумный захват

по запросу

Подробнее

5-068-13

Пинцет; немагнитный; Концы губок: трапециевидные; SMD; ESD

по запросу

Подробнее

EL. VAMPIRE-ESD

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

5-060

Набор: пинцеты; SMD; ESD; Устойчивы к: большинству кислот; футляр

по запросу

Подробнее

SVP 100

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

SMA10SL

Клей для элементов SMD; шприц; 10мл

по запросу

Подробнее

PR2035E/5R

Клей для элементов SMD; шприц; 10мл

по запросу

Подробнее

Куда доставить заказ?

Москва

Добавьте точный адрес, удобный пункт выдачи или постамат, чтобы заранее увидеть условия доставки товаров

Выберите город

BC817 Transistor SMD Pinout, Datasheet, Equivalent, Circuit & Specs

1 сентября 2021 — 0 комментариев

BC817 Транзистор SMD

Распиновка BC817

Конфигурация выводов BC817

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Базовый	Управляет смещением транзистора
2	Излучатель	Электроны, вылетевшие из эмиттера в первый PN-переход
3	Коллектор	Электроны, испускаемые эмиттером, собираются коллектором

Характеристики и характеристики

Биполярный транзистор NPN
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
Базовое напряжение эмиттера (VBE) составляет 5 В
Базовый ток (IB) составляет максимум 50 мА
Доступен в упаковке SOT-323/SC70
Максимальное напряжение коллектор-база |Vcb|: 50 В
Рассеиваемая мощность: 0,46 Вт
Частота перехода: 100 МГц
Коэффициент шума – 2 дБ
Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении от -65 до +175 °C
Емкость коллектора 5 пФ
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) равен максимум 600

BC817 Эквивалент

BC547, BC548, BC549, 2n3904, BC107, 2N2222, 2N3053, 2N2907, BC177B 9 0003

Примечание: Дополнительные технические характеристики транзистора BC817 можно найти в техническом описании BC817 . прилагается в конце этой страницы.

Основные принципы работы транзистора

Транзистор BC817 представляет собой N-P-N транзистор общего назначения ; Переходной транзистор представляет собой просто конструкцию, зажатую между двумя слоями материала N-типа или материала P-типа. В зависимости от конструкции транзисторы делятся на две категории транзисторов NPN и транзисторов PNP, которые показаны ниже, транзисторы состоят из кремния или германия, в зависимости от выбранного применения.

Общее описание транзистора BC817

BC817 — это универсальное полупроводниковое устройство, которое можно использовать для усиления или переключения сигнала или мощности. BC817 — это Транзистор NPN , поэтому нам необходимо подать небольшое количество положительного напряжения на базу транзистора через токоограничивающий резистор, обычно называемый RB (базовый резистор), когда требуемое количество тока протекает через базу транзистора, транзистор включится. Чтобы использовать этот транзистор в качестве усилителя, вам необходимо получить значение усиления из таблицы данных устройства, значение усиления может отличаться в зависимости от производителя, поэтому настоятельно рекомендуется проверить таблицу данных конкретного устройства, прежде чем выполнять расчет. Максимальный ток коллектора этого транзистора составляет 500 мА при максимальном напряжении базы эмиттера 45 В. Этот транзистор имеет напряжение коллектор-эмиттер 45В и напряжение базы коллектора 5В. Этот транзистор может работать при 150*C. Прежде чем выбрать этот транзистор, обратите внимание, что этот транзистор может обеспечить довольно небольшую мощность по сравнению с его размером, поэтому необходимы надлежащие тепловые характеристики.

Когда этот транзистор находится в смещенном состоянии, он может пропускать максимальный ток 500 мА с максимальной мощностью 0,46 Вт через переход CE (коллектор-эмиттер). Это состояние транзистора называется состоянием насыщения и нагрузка, потребляющая ток более 500 мА, может повредить устройство в этом состоянии. Как вы, возможно, уже знаете, транзистор — это устройство, управляемое током , поэтому, когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, на этом этапе транзистор работает в своем режиме .0025 Зона отсечки , а напряжение базового эмиттера может составлять около 500 мВ.

Как использовать транзистор BC817

В отличие от MOSFET-транзисторов, это устройства с управлением по току, что означает, что они могут включаться или выключаться путем подачи требуемого тока базы, для транзистора BC817 это 100 мА для 500 мА тока коллектора, как показано на графике ниже. именно это.

BC817 — это NPN-транзистор, что означает, что он останется открытым, когда на его базу не подается ток, но когда мы применяем базовое напряжение с токоограничивающим резистором, небольшое количество базового тока будет протекать через базу транзистора. транзистор и он включится. Смоделированная схема ниже показывает, как ведет себя этот транзистор, когда на базу подается ток базы и когда на базу ток не подается.

Когда мы включаем транзистор, подавая требуемый ток на базу транзистора, он остается открытым до тех пор, пока напряжение на базе транзистора не достигнет нуля. База транзистора не может оставаться плавающей, иначе может произойти ложное срабатывание транзистора, что может привести к проблемам в цепи. Чтобы решить эту проблему, нам нужно добавить подтягивающие резисторы. Например, резистор 10К используется для подтягивания базы транзистора.

Области применения

BC817 Транзистор является очень универсальным устройством, его широкий диапазон частот и широкая полоса пропускания делают его подходящим для многих различных применений.

Светодиодные диммеры или мигалки
Переключение приложений
Предусилитель для усилителя мощности
Высокочастотное переключение
Модулятор и демодулятор для радиочастоты

2D-модель и размеры

Если вы разрабатываете какие-либо проекты, требующие измерения компонента, обратите внимание на размеры устройства. Дополнительную информацию можно найти в таблице данных устройства, ссылка на которую приведена ниже.

Транзистор BC817: распиновка, аналог, спецификация, спецификация

Byadharsh Обновлено 10 октября 2022 г.

Транзистор BC817

Спецификация BC817

BC817 представляет собой транзистор SMD общего назначения NPN
Напряжение между коллектором и эмиттером 45 В
Напряжение между коллектором и базой 50 В
Напряжение между эмиттером и базой 5В
Ток коллектора 500 мА
Рассеиваемая мощность 460 мВт
Коэффициент усиления постоянного тока от 250 до 600hFE
Текущая частота усиления-перехода ( F _T ) равна 100 МГц
Температура перехода от -55 до 150℃
Термическое сопротивление перехода к окружающей среде составляет 272℃/Вт
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В _{CE (SAT)} ) равно 7 В
Выходная емкость (C _об ) 10 пФ
Усилитель средней мощности
Устройство SMD LOW Power

Распиновка BC817 Распиновка BC817

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	База	База используется для запуска транзисторного устройства
2	Излучатель	Ток протекает через эмиттер
3	Коллектор	Прохождение тока через коллектор

Корпус BC817

SMD-транзистор BC817 представляет собой маломощный транзистор общего назначения с SMD-корпусом SOT-23. Это базовый пакет компонентов для обычного транзисторного устройства.

Корпус SOT-23 SMD представляет собой трехконтактное устройство, изготовленное из эпоксидно-пластикового материала, способного выдерживать высокие температуры, и обеспечивает меньший вес корпуса полупроводниковых компонентов.

SOT-23 представляет собой компактный корпус устройства, это поможет компоненту для использования во многих приложениях.

SMD-транзистор BC817 описание электрических характеристик/применение

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики SMD-транзистора BC817.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения SMD-транзистора BC817: напряжение между коллектором и эмиттером составляет 45 В, напряжение между коллектором и базой составляет 50 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 0,7 В, значение напряжения указывает на переключение области.

Характеристики общего напряжения SMD-транзистора BC817 показывают, что это маломощное устройство с широким спектром применений.

Характеристики тока

Значение тока SMD-транзистора BC817 составляет 500 мА, а значение тока устройства показывает максимальную нагрузочную способность.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность транзистора BC817 составляет 460 мВт, рассеиваемая мощность устройства показывает мощность, выдерживаемую корпусом.

Характеристики усиления по току

Значение усиления по току транзистора BC817 составляет от 250 до 600Hfe, это способность транзистора воспроизводить усиление при работе.

Частота перехода

Значение частоты перехода транзистора BC817 составляет 100 МГц, это максимальный диапазон частот устройства в цепях.

Температура перехода/рабочая температура

Температура перехода/рабочая температура устройства составляет от -55 до +150℃.

Выходная емкость

Значение выходной емкости SMD-транзистора BC817 составляет 10 пФ

0025 нажмите на эту ссылку

эквивалент транзистора BC817

Транзисторные устройства, такие как FMMT619, FMMTA05, KST05, 2SC3913, 2SC3915 и BC177B, являются эквивалентными транзисторами SMD-транзистора BC817.

Каждое из транзисторных устройств SMD имеет аналогичный набор электрических характеристик, поэтому мы можем легко использовать его в схеме вместо транзисторного устройства BC817.

Перед заменой необходимо проверить важные характеристики, такие как напряжение, PINOUT и усиление постоянного тока.

Дополнительная пара транзисторов BC817 SMD

Транзистор BC817 SMD NPN имеет комплементарную пару PNP BC807, электрические характеристики этого транзистора аналогичны и противоположны.

BC817 vs BC847 vs MMBTA05

В этой сравнительной таблице мы сравниваем электрические характеристики устройств BC817 и BC847, это очень полезно для лучшего понимания.

\	BC817	BC847	MMBTA05
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	50 В	50 В	60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	45 В	45 В	60 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	5 В	6 В	4 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT))	0,7 В	от 200 до 900 мВ	—
Ток коллектора (IC)	500 мА	100 мА	500 мА
Рассеиваемая мощность	250 мВт	310 мВт	310 мВт
Температура перехода (TJ)	от -55 до +150°C	от -65 до +150°C	от -55 до +150°C
Термостойкость	272 ℃/Вт	403 ℃/Вт	403℃/Вт
Частота перехода (FT)	100 МГц	300 МГц	—
Коэффициент усиления (hFE)	от 250 до 600hFE	от 110 до 800hFE	от 110 до 800hFE
Выходная емкость	10 пФ	от 3,5 до 6 пФ	—
Упаковка	СОТ-23	СОТ-23	СОТ-23

В сравнительной таблице видно, что каждое из этих транзисторных устройств имеет схожий набор электрических характеристик.

BC817 Применение транзисторов SMD

Автомобильные и другие применения
Переключение приложений
Цепь предусилителя
Высокочастотные переключатели

Кривые характеристик транзистора BC817 SMD NPN Характеристики усиления постоянного тока транзистора BC817

На рисунке показаны характеристики усиления постоянного тока транзистора BC817 SMD NPN, график построен с зависимостью усиления постоянного тока от тока коллектора.

При постоянном значении напряжения между коллектором и эмиттером при трех разных значениях температуры значение тока вычисляется относительно тока коллектора.

Характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора BC817

На рисунке показаны характеристики напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора BC817, график построен с зависимостью напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

При постоянном значении тока базы значение напряжения насыщения увеличивается от более низкого значения до более высокого значения по отношению к току коллектора.

Характеристики области безопасной работы транзистора BC817

На рисунке показаны характеристики области безопасной работы транзистора BC817, график построен с зависимостью тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, температурными пределами и скоростью переключения.

Почтовые теги: #BC817 Распиновка#BC817 Транзистор

BC817-40 n-p-n транзистор 45В 500мА в SOT23