Bcp56 16 datasheet. BCP56-16: Транзистор NPN средней мощности 80В 1А от Nexperia

Каковы основные характеристики транзистора BCP56-16. Какие преимущества дает корпус SOT-223. Для каких применений подходит этот транзистор. Как выбрать оптимальный транзистор для своего проекта.

Основные характеристики транзистора BCP56-16

Транзистор BCP56-16 от компании Nexperia представляет собой биполярный NPN-транзистор средней мощности. Рассмотрим его ключевые параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
  • Максимальный ток коллектора: 1 А
  • Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
  • Корпус: SOT-223 (SC-73)
  • Тип: NPN

Данный транзистор отличается высокой нагрузочной способностью по току коллектора при компактных размерах. Как это достигается? За счет использования современного корпуса SOT-223, обеспечивающего эффективный теплоотвод.

Преимущества корпуса SOT-223 для транзистора BCP56-16

Корпус SOT-223 (SC-73) имеет ряд важных преимуществ для транзисторов средней мощности:

  • Компактные размеры: 6.5 x 3.5 x 1.65 мм
  • Улучшенный теплоотвод по сравнению с корпусами TO-92 или SOT-23
  • Возможность поверхностного монтажа (SMD)
  • Совместимость с автоматизированной пайкой
  • Низкое тепловое сопротивление переход-корпус

Благодаря чему корпус SOT-223 обеспечивает такой эффективный теплоотвод? Увеличенная площадь контактной площадки коллектора позволяет эффективно отводить тепло на печатную плату. Это дает возможность реализовать высокую нагрузочную способность в компактном корпусе.


Области применения транзистора BCP56-16

Транзистор BCP56-16 находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам. Рассмотрим основные сферы его использования:

  • Линейные стабилизаторы напряжения
  • Драйверы MOSFET-транзисторов
  • Низковольтные ключи
  • Схемы управления питанием
  • Усилители мощности
  • Устройства с батарейным питанием

Почему BCP56-16 хорошо подходит для этих применений? Высокий допустимый ток коллектора в сочетании с достаточно высоким напряжением обеспечивают широкий диапазон рабочих режимов. При этом компактные размеры позволяют использовать транзистор в портативных устройствах.

Выбор оптимального транзистора для проекта

При выборе транзистора для конкретного применения необходимо учитывать ряд ключевых параметров:

  1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
  2. Максимальный ток коллектора
  3. Рассеиваемая мощность
  4. Коэффициент усиления по току (hFE)
  5. Граничная частота усиления (fT)
  6. Тип корпуса

Как правильно выбрать транзистор с учетом этих параметров? Необходимо определить требования конкретной схемы и выбрать транзистор с запасом по основным характеристикам. Например, если в схеме требуется коммутировать ток 0.5 А, то BCP56-16 с максимальным током 1 А будет хорошим выбором.


Особенности и преимущества транзистора BCP56-16

Рассмотрим ключевые особенности, выделяющие BCP56-16 среди аналогов:

  • Высокая нагрузочная способность по току коллектора (до 1 А)
  • Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер (80 В)
  • Три варианта коэффициента усиления по току
  • Высокая рассеиваемая мощность (1.5 Вт) в компактном корпусе
  • Возможность работы на высоких частотах

Какие преимущества дают эти особенности разработчикам? Широкий диапазон рабочих режимов позволяет использовать BCP56-16 в различных схемах без необходимости подбора узкоспециализированных транзисторов. Это упрощает разработку и снижает номенклатуру комплектующих.

Сравнение BCP56-16 с аналогами

Для оценки преимуществ BCP56-16 сравним его с некоторыми аналогами:

ПараметрBCP56-16BC817-40MMBT3904
Макс. напряжение VCEO
80 В
45 В40 В
Макс. ток IC1 А0.5 А0.2 А
Рассеиваемая мощность1.5 Вт0.25 Вт0.35 Вт
КорпусSOT-223SOT-23SOT-23

Как видно из сравнения, BCP56-16 превосходит аналоги по ключевым параметрам. В чем причина такого преимущества? Использование современной технологии изготовления и оптимизированная конструкция кристалла позволяют достичь высоких характеристик при сохранении компактных размеров.


Особенности применения BCP56-16 в схемотехнике

При использовании BCP56-16 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

  • Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода
  • Учет зависимости коэффициента усиления от тока коллектора
  • Выбор оптимального рабочего режима для минимизации рассеиваемой мощности
  • Использование защитных цепей при работе с индуктивной нагрузкой

Как правильно организовать теплоотвод для BCP56-16? Рекомендуется использовать достаточную площадь медной фольги на печатной плате, соединенную с выводом коллектора. При необходимости можно применять дополнительные радиаторы, устанавливаемые на корпус транзистора.

Расчет базового тока

Для корректной работы транзистора в ключевом режиме необходимо обеспечить достаточный базовый ток. Как рассчитать требуемый базовый ток? Воспользуемся формулой:

IB = IC / hFE

где IB — базовый ток, IC — ток коллектора, hFE — коэффициент усиления по току.

Например, при токе коллектора 0.5 А и минимальном значении hFE = 63 получаем:


IB = 0.5 А / 63 ≈ 7.9 мА

Для надежной работы рекомендуется обеспечивать базовый ток с запасом 2-3 раза, то есть около 20-25 мА в данном случае.

Защита от перенапряжений

При работе с индуктивной нагрузкой возможно возникновение перенапряжений на коллекторе транзистора. Как защитить BCP56-16 от таких перенапряжений? Рассмотрим основные методы:

  • Использование защитного диода параллельно нагрузке
  • Применение RC-цепочки параллельно коллектор-эмиттер
  • Ограничение напряжения с помощью стабилитрона

Выбор конкретного метода зависит от параметров нагрузки и требований к быстродействию схемы. В большинстве случаев оптимальным решением является использование быстродействующего диода, например 1N4148, параллельно индуктивной нагрузке.

Рекомендации по монтажу BCP56-16

Для обеспечения надежной работы транзистора BCP56-16 необходимо соблюдать определенные правила при монтаже:

  1. Использовать технологию пайки, совместимую с корпусом SOT-223
  2. Обеспечивать достаточную площадь контактных площадок на печатной плате
  3. Соблюдать температурный профиль пайки, рекомендованный производителем
  4. Избегать механических напряжений на выводах транзистора
  5. При необходимости применять дополнительные меры по отводу тепла

Какой температурный профиль рекомендуется для пайки BCP56-16? Типичный профиль для бессвинцовой пайки включает предварительный нагрев до 150-200°C в течение 60-120 секунд, затем нагрев до пиковой температуры 260°C с выдержкой не более 10 секунд.


Рекомендуемая топология печатной платы

Правильная разработка топологии печатной платы важна для обеспечения эффективного теплоотвода и оптимальной работы транзистора. Какие основные рекомендации следует учитывать?

  • Использовать увеличенную контактную площадку для вывода коллектора
  • Применять тепловые переходные отверстия для улучшения теплоотвода
  • Располагать силовые цепи и цепи управления с учетом минимизации паразитных связей
  • Обеспечивать достаточную ширину проводников для силовых цепей

Какую площадь медной фольги рекомендуется использовать для теплоотвода? Для эффективного отвода тепла при максимальной нагрузке рекомендуется обеспечить площадь медной фольги не менее 50-100 мм² на каждый ватт рассеиваемой мощности.


BCP56-16 — Транзисторы средней мощности NPN 80 В, 1 A

BCP56-16 — Транзисторы средней мощности NPN 80 В, 1 A | Нексперия

Логин

Имя пользователя/электронная почта Пожалуйста, введите ваше имя пользователя/email

Пароль Пожалуйста введите ваш пароль Имя пользователя/электронная почта и пароль не совпадают Ваш аккаунт нуждается в дополнительной проверке.
Пожалуйста Проверьте свой адрес электронной почты продолжать. Что-то пошло не так. Пожалуйста, повторите попытку позже!

Создать учетную запись Забыли пароль?

Вы можете изменить настройки уведомления об изменении (CN) в My Nexperia. Эти настройки позволяют настроить представление CN в My Nexperia и электронных письмах CN.

По умолчанию вы увидите все доступные вам уведомления об изменениях.

Изменить настройки

Зарегистрируйтесь один раз, перетащите модели ECAD в свой инструмент САПР и ускорьте проектирование.

Щелкните здесь для получения дополнительной информации

Справка

Транзисторы средней мощности NPN 80 В, 1 А

Транзисторы средней мощности NPN в пластиковом корпусе SOT223 (SC-73) для поверхностного монтажа (SMD) средней мощности.

  • Скачать техническое описание
  • Заказать продукт

Заказные детали

Номер модели Номер детали для заказа Код заказа (12 НЗ) Пакет Купить у дистрибьюторов
БКП56-16 БКП56-16,135 933917260135 СОТ223 Заказать продукт
БКП56-16 BCP56-16,115 933917260115 СОТ223 Заказать продукт

  • Product details
  • Documentation
  • Support
  • ECAD models
  • Ordering

80 V, 1 A NPN medium power transistors

Buy from Nexperia

SKU Stock* MOQ Цена за блок ** Количество

Купить у дистрибьюторов

  • по всему миру (в складе) (NO NO)
  • EMEA (no Scent) (no stock) (no in nock) (no no)
  • (в запас) (no in in nocke) (no no)
  • . In stock)(No stock)
  • Americas(In stock)(No stock)

Seller SKU Stock MOQ   1 10 100 1,000 10,000 Purchase

Seller SKU Stock MOQ   1 10 100 1,000 10,000 Purchase

Продавец SKU Запасы MOQ 1 10 100

042
1,000 10,000 Purchase

Seller SKU Stock MOQ   1 10 100 1,000 10,000 Покупка

1 9 9004 1 9 9004
Продавец Артикул На складе MOQ2

2

10 100 1000 10 000 Приобретение

* Стоимость фондов подлежит изменению
** Отображаемая цена на единицу. продукты, находящиеся в наличии, устаревшие и снятые с производства продукты, надежность которых гарантируется торговым посредником, а не компанией Nexperia

Особенности и преимущества

  • Способность выдерживать высокие токи коллектора I C и I CM
  • Три варианта усиления тока
  • Высокая рассеиваемая мощность

Применение

  • Линейные регуляторы напряжения
  • Драйверы МОП-транзисторов
  • Выключатели нижней стороны
  • Управление питанием
  • Усилители
  • Устройства с батарейным питанием

Parametrics

Номер типа Версия пакета Название пакета Размер (мм) Полярность P TOT (MW) V Генеральный директор [MAX] (V) I C [MAX] (Max] I C [MAX] (Max] I C [MAX] I C [MAX] I C [MAX] I C [MAX] I C [Max] I C ] h FE [max] f T [min] (MHz) Automotive qualified
BCP56-16 SOT223 SC-73 6. 5 x 3.5 x 1.65 НПН 650 80 1000 63. File name Title Type Date
BCP56_SER 80 V, 1 A NPN medium power transistors Data sheet 2022-06-30
LSYMTRA Буквенные обозначения — транзисторы; General Design support 1999-05-06
BCP56-16_Nexperia_Product_Quality BCP56-16 Nexperia Product Quality Quality document 2019-05-20
BCP56-16_Nexperia_Product_Reliability BCP56-16 Nexperia Product Reliability Документ о качестве 2023-04-04
BCP56-16 BCP56-16 SPICE model SPICE model 2022-11-07
REFLOW_BG-BD-1 Reflow soldering profile Reflow soldering 2021-04-06
WAVE_BG-BD -1 Профиль для пайки волной припоя Профиль для пайки волной припоя 2021-09-08

Поддержка

скоро свяжемся с вами.

модели

Название файла Название Тип Дата
LSYMTRA Символ. General Design support 1999-05-06
BCP56-16 BCP56-16 SPICE model SPICE model 2022-11-07

Ordering, pricing & availability

Type number Orderable part number Ordering code (12NC) Packing Packing quantity Buy online
BCP56-16 BCP56-16,135 933917260135 Reel 13” or 11 ¼” Q1/T1 Order product
BCP56-16 BCP56-16,115 933917260115 Reel 7” Q1/T1 or Q2/T3 Order product

Образец

Как клиент Nexperia, вы можете заказать образцы через нашу торговую организацию или напрямую через наш Интернет-магазин образцов: https://extranet.

nexperia.com.

Доставка образцов обычно занимает 2-4 дня.

Если у вас нет прямого счета в Nexperia, наша сеть глобальных и региональных дистрибьюторов готова помочь вам с образцами Nexperia.

Эффективность побеждает

Продукция

  • Биполярные транзисторы
  • Диоды
  • Защита от электростатического разряда, TVS, формирование сигнала
  • МОП-транзисторы
  • Полевые транзисторы GaN
  • Аналоговые и логические ИС
  • Автомобилестроение

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Новый TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В, предназначен для применения в системах обезуглероживания, таких как фотогальваника

Скачать техническое описание

PCIM Европа 2023

С 9 по 11 мая. Зал 7 / Стенд 412. В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации

Полная программа здесь

Приборная панель TRAVEO™ T2G

TRAVEO™ T2G предлагает более высокое разрешение дисплея, превосходную производительность и несколько дисплеев с динамическим контентом. И все это при меньшем энергопотреблении и меньшем объеме памяти

Узнать больше

Создавая будущее мобильности

Мы сертифицированы по ISO/SAE 21434, международному стандарту для систем управления кибербезопасностью в автомобильном секторе

Открой для себя больше

Высококачественный звук для интеллектуальных устройств

Микрофоны XENSIV™ MEMS со сверхнизким уровнем шума и сверхмалым энергопотреблением обеспечивают высокое качество звука при вызове, активное шумоподавление и длительный срок службы батареи

Посмотреть вебинар по запросу

SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм

Мы расширили портфолио решений SECORA™ Pay до технологии 28 нм для обеспечения наилучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением

Узнать больше

Новости

03 апреля 2023 г.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *