Bd243C параметры: BD243C, Транзистор NPN 100В 6А 65Вт [TO-220], ST Microelectronics

alexxlabРазное

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

На нашем сайте отображены товары, которые автоматически импортируются с сайта allegro.pl и переводятся на русский язык.

Так как мы не являемся продавцами товара, который отображен на нашем сайте, мы не можем обладать всей информацией о том или ином товаре. Дополнительную информацию о товарах можно узнать несколькими способами:

1. Подробно ознакомиться с описанием. Обычно вся необходимая информация находится в официальном описании на странице лота.

2. Если интересующей вас информации в описании не оказалось, можно задать вопрос напрямую продавцу. Он ответит вам в течение одного рабочего дня.

3. Если вы обладаете богатым опытом серфинга в интернете, возможно, вы сможете найти информацию о данном товаре на различных форумах и других интернет-ресурсах, воспользовавшись глобальными службами интернет-поиска.

4. Если вы не владеете языком или не желаете уточнить информацию по какой-либо другой причине, пожалуйста, обращайтесь к нам — мы с радостью вам поможем. Для того, чтобы мы задали вопрос продавцу, оформите заказ и в комментариях к товару пропишите интересующие вопросы. В течении дня мы сделаем запрос продавцу, комментарии появятся в личном кабинете.

Точный вес товара становится известным, только когда товар поступает на склад. Узнать примерный вес товара можно характеристиках товара, но не все продавцы его пишут.

Избежать некачественного товара можно путем тщательного отбора продавцов, т.е. старайтесь не гнаться за дешевыми товарами, которые продаются у продавцов с низким рейтингом. Доверяйте только проверенным интернет-магазинам. Если вы покупаете товар и сомневаетесь в надёжности продавца, то лучше заказать дополнительные фотографии.

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 2 А, 10 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А, 30 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 16 А, 150 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 16 А, 150 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1. 5 А, 10 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 1.5 А, 10 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1.5 А, 10 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 3 А, 25 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 3 А, 25 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 25 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А, 25 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 15 А, 100 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 15 А, 100 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 70 В, 20 А, 125 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А, 60 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 8 А, 60 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 2 А, 5 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7. 5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 55 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 55 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 7.5 А, 30 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 10 А, 50 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 2 А, 25 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 2 А, 25 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2.5 А, 50 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 2.5 А, 50 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 3 А, 40 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 10 А, 100 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 20 А, 125 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 20 А, 150 Вт

Кремний

Isowatt-218 (КТ-43А)

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 20 А, 60 Вт

Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 2,5МГц

TO-247

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 15 А, 125 Вт

TO-220AB

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7. 5 А, 30 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 3 А, 25 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 7.5 А, 30 Вт

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 75 Вт

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А, 75 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 5 А, 50 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 20 А, 125 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 20 А, 125 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 10 А, 50 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 15 А, 100 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 7 А, 60 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 15 А, 100 Вт

Кремний

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 10 А, 60 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 10 А, 100 Вт

Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 8 А, 150 Вт

TO-220

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 А, 90 Вт

TO-220

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 15 А, 90Вт

Кремний

Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 2 А, 5 Вт

Philips

SOT199

Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 8 А, 45 Вт

Philips

TO-220F

Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 8 А, 35 Вт

TO-220F

Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 5 А

Кремний

TO-225AA

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1. 5 А, 10 Вт

Кремний

Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 1 А, 5 Вт

TO-220F

Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 4 А, 30 Вт

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 30 А, 250 Вт

дополнительных кремниевых пластиковых силовых транзисторов

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать 2014-11-11T12:01:44+01:00BroadVision, Inc.2020-09-16T13:30:17+02:002020-09-16T13:30:17+02:00Приложение Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows)/ pdf

  • BD243B — Комплементарные кремниевые пластиковые силовые транзисторы
  • ОН Полупроводник
  • Эти устройства предназначены для использования в усилителях и переключателях общего назначения.
    • uuid: 581d4323-a9b4-4f6a-83cd-a827a3823abauuid: 2521b9e5-8a32-432c-8ca1-826e6434dea8Print конечный поток эндообъект 4 0 объект >
    эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект >
    транслировать HVMSHڣQڂa?L ׋��-RD$*3# ;X»a |Nd| b`bL w@9bixHLje>h̓Err0~qAs2 )Xl k|-s-ayÌYB(e. ؖ˺Z]>UQu-\⳶kʢ=ϟ’G)DO;Vr_1″pK YuNb{W4ĥDxŧPPgBYL.2ÉH 0R8#9 0O#[bt۔˼+ lVEӝ8#RlJOϸ’g1XPo

    BD243C техническое описание — NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор

    Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: BD243C
    Part БД243К
    Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Общего назначения => NPN
    Название Эпитаксиальный
    Описание Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN
    Компания Fairchild Semiconductor
    Техническое описание Загрузить BD243C Техническое описание
    Крест. Аналогичные детали: BD243CG, TIP41C, BD911, BD241C, BD239C, TIP29C, 2SC1108, 2SC1110
    Цитата

    Где купить

     

     

    Функции, приложения

    Абсолютные максимальные значения TC=25C, если не указано иное

    Символ VCBO Параметр Напряжение коллектор-база: BD243C VCEO Напряжение коллектор-эмиттер: BD243C Напряжение эмиттер-база TC=25C) Температура перехода Температура хранения C Единицы измерения

    Символ VCEO(sus) Параметр * Поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер: BD243C Ток отсечки коллектора Ток отсечки коллектора: BD243C Условия испытаний IC=30 мА, IB=0 Мин. В тип. Макс. Единицы мА

    Ток отключения эмиттера * Коэффициент усиления постоянного тока * Напряжение насыщения коллектор-эмиттер * Напряжение включения база-эмиттер

     

    Некоторые номера деталей того же производителя Fairchild Semiconductor
    BD244 PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД244А
    БД244Б
    BD244C
    БД375 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД376 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД377 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД378 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД379 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    BD380 PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор
    BD411 Линейные и коммутационные устройства средней мощности
    БД433 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД434 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД435 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД436 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД437 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД438 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД439 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД440 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД441 НПН эпитаксиальный кремниевый транзистор
    БД442 ПНП эпитаксиальный кремниевый транзистор

    FQI4N20L : Логический уровень 200 В N-канальный логический уровень QFET

    MPSA93 :

    NM24C03FLM8: стандартная 2-проводная шина 2 кбит

    FAN7535M : ИС управления PFC и балластом

    74LVQ244SJX : Логика — буферы, драйверы, приемники, интегральная схема приемопередатчика (ics) Буферный/линейный драйвер, неинвертирующая лента и катушка (TR) 12 мА, 12 мА 2 В ~ 3,6 В; IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SOP Технические характеристики: Тип логики: Буферный/линейный драйвер, неинвертирующий; Пакет/кейс: 20-СОИК (0,209″, ширина 5,30 мм); Упаковка: Лента и катушка (TR); Тип монтажа: Поверхностный монтаж; Количество бит на элемент: 4; Количество элементов: 2; Рабочая температура: -40C ~ 85C; Напряжение питания: 2 В ~ 3,6

    KA75270ZTA: Pmic — интегральная схема супервизора (ics) Простой сброс/сброс при включении Лента и коробка (TB) 1; IC VOLTAGE DETECTOR 2. 7V TO-92 Технические характеристики: Выход: открытый сток или открытый коллектор; Сброс: активный низкий; Пакет/кейс: ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Формованные выводы ; Упаковка: лента и коробка (ТБ); Количество контролируемых напряжений: 1; Время ожидания сброса: — ; Тип: простой сброс/сброс при включении питания; Напряжение — Порог: 2,7 В; Рабочая температура

    FDFS6N303L86Z : 6 A, 30 В, 0,035 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.): 0,0350 Ом; PD: 2000 мВт; Тип упаковки: SO-8, SO-8; Количество единиц в IC: 1

    MM74HC02MX : СЕРИЯ HC/UH, СЧЕТВЕРЕННЫЙ 2-ВХОДНОЙ НОРМАЛЬНЫЙ ВЕНТИЛЬ, PDSO14 Технические характеристики: Тип вентиля: ИЛИ-НЕ; Напряжение питания: 4,5 В; Семейство логики: CMOS; Входы: 2 ; Задержка распространения: 113 нс; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F); Количество выводов: 14; Тип корпуса ИС: TSSOP, Другой, 4,40 мм, БЕССВИНЦОВЫЙ, MO-153, TSSOP-14

    Та же категория

    2SC3030 : . ТРОЙНОЙ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫЙ ПЛАНЕР ТИПА HIGH POWER DARLINGTON ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Высокое напряжение, высокоскоростное переключение Высокая надежность Применение Импульсные регуляторы Генераторы Uitrasonic Высокочастотные инверторы Усилители мощности общего назначения Абсолютные максимальные номинальные значения (Tc=25C, если не указано иное) Элемент Напряжение коллектор-база Коллектор -Эмиттер.

    ADB5004P : . 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA

    U.S.A. Тел.: (310) 767-1052 Факс: (310) 767-7958 Суффикс «P» указывает на литой ПЛАСТИК со встроенным радиатором И ОТВОД ТЕПЛА (пустоты припоя: обычно < 2 %, макс. 10 % площади кристалла) ВСТРОЕННЫЙ МЕХАНИЗМ СНИЖЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЙ ДЛЯ ПРЕВОСХОДНОЙ НАДЕЖНОСТИ.

    C10T06QH-11A : Устройство = SBD ;; Резкое пиковое обратное напряжение (В) = 60 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 10 ;; Условие (cace или температура окружающей среды) = Tc=128 ;; Импульсный прямой ток (А) = 120 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150; Температура хранения (С) = от -40 до 150; Пиковое прямое напряжение (В) = 0,66;; Пиковый прямой ток (А) = 5 ;; Пик Реверс.

    DDTA113TCA-7

    : Малосигнальный транзистор Sot-23 с предварительным смещением PNP для двойного поверхностного монтажа.

    FQI10N20L : 200 В N-канальный QFET с логическим уровнем. Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным усовершенствованным режимом производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild планарной полосовой технологии DMOS. Эта передовая технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо.

    HGTh30N40C1 : 15a, 20a, 400v и 500v N-канальные Igbts. 15 А и 20 А, 400 В и 500 В VCE(ON) 2,5 В TFI 1 с, 0,5 с Низкое напряжение в открытом состоянии Быстрая скорость переключения Высокое входное сопротивление Нет применения встречно-параллельных диодов Источники питания Моторные приводы Схемы защиты HGTP15N40E1, HGTP15N50C1 и HGTP15N50E1 не биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) с улучшенным каналом, предназначенные для работы при высоком напряжении и малом рассеянии во включенном состоянии.

    MA4SPS502 : ВЧ/СВЧ диоды. Монолитный диодный чип с поверхностным монтажом. Устройство для поверхностного монтажа Не требует проволочных соединений Прочная конструкция из кремниевого стекла Пассивация из нитрида кремния Полимерная защита от царапин Низкие паразитные емкость и индуктивность Высокая потребляемая мощность (эффективный теплоотвод) Это устройство представляет собой микросхему PIN-диода из кремниевого стекла, изготовленную с использованием запатентованного M/A-COM процесса HMICTM. В это устройство встроены две кремниевые пьедесталы.

    NTE2368 : Цифровые кремниевые комплементарные транзисторы с двумя встроенными резисторами смещения 4,7 кОм.

    DSR6U600P5 : DIODESTARTM (диоды 600 В PFC выпрямители) DSR6U600P5 Разработан для мягкого и быстрого переключения с низким уровнем электромагнитных помех Рабочая температура перехода 175°C Бессвинцовая отделка, соответствующая требованиям RoHS зеленая формовочная смесь (без Br, Sb).

    03029-BR181AKZP : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BR, 0,00018 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0402. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 1,80E-4 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

    CSR210002 : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛОВЫЙ, ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 6 В, 150 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые ; : поляризованный; Диапазон емкости: 150 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 6 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 85 C (-67.

    LQM2HPN1R0MG0B : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль ведения: WRAPAROUND; Стандарты и сертификаты: RoHS; Литой/экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1 мкГн; Номинальный постоянный ток:.

    MB201.510100 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ, ПОЛИЭФИР, 100 В, 1,5 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: полиэстер; Диапазон емкости: 1,5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 100 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Операционная.

    120-OF : АВТОТРАНСФОРМАТОР 200 ВА. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: аудио, автотрансформатор; Крепление: шасси ; Входное напряжение: 230 вольт; Номинальная мощность (ВА): 200 ВА.

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *