Каковы основные параметры транзистора C2482. Где он применяется. Какие у него особенности и преимущества. Как правильно его использовать в схемах. На что обратить внимание при выборе этого транзистора.
Основные характеристики транзистора C2482
Транзистор C2482 (также известный как 2SC2482) — это кремниевый NPN биполярный транзистор, разработанный компанией Toshiba. Он обладает следующими ключевыми параметрами:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектора: 0.1 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 Вт
- Граничная частота: 120 МГц
- Корпус: TO-92mod
Эти характеристики делают C2482 подходящим для применения в высоковольтных маломощных схемах, где требуется хорошее быстродействие.
Области применения транзистора C2482
Благодаря своим параметрам, транзистор C2482 находит применение в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- DC-DC преобразователи
- Драйверы светодиодов
- Усилители высокой частоты
- Схемы коммутации
Особенно часто C2482 используется в телевизорах и мониторах для управления строчной разверткой. Его высокое пробивное напряжение и достаточно высокая граничная частота делают его оптимальным выбором для этой задачи.
Преимущества использования C2482
Транзистор C2482 обладает рядом преимуществ по сравнению с аналогичными устройствами:
- Высокое пробивное напряжение (300 В) при компактных размерах
- Хорошее быстродействие (граничная частота 120 МГц)
- Низкий ток утечки коллектора
- Высокая надежность и стабильность параметров
- Доступная цена при массовом производстве
Эти особенности делают C2482 привлекательным выбором для разработчиков электронных устройств, особенно в области бытовой техники и промышленной электроники.
Особенности включения C2482 в схемы
При использовании транзистора C2482 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, особенно при работе на предельных режимах
- Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения пробоя при коммутации индуктивной нагрузки
- Следует учитывать частотные свойства транзистора при работе на высоких частотах
- Важно правильно выбирать режим работы для обеспечения линейности усиления
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности C2482 и обеспечить надежную работу устройства.
Сравнение C2482 с аналогами
Для оценки преимуществ C2482 полезно сравнить его с некоторыми аналогичными транзисторами:
| Параметр | C2482 | 2SC3973 | 2SC4706 |
|---|---|---|---|
| Макс. напряжение К-Э | 300 В | 500 В | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 0.1 А | 7 А | 14 А |
| Граничная частота | 120 МГц | 30 МГц | 6 МГц |
Как видно из сравнения, C2482 обладает меньшим максимальным током, но лучшими частотными характеристиками, что делает его оптимальным для высокочастотных маломощных применений.
Рекомендации по выбору C2482
При выборе транзистора C2482 для конкретного применения следует обратить внимание на следующие аспекты:
- Соответствие максимального напряжения коллектор-эмиттер требованиям схемы
- Достаточность максимального тока коллектора для планируемой нагрузки
- Соответствие частотных характеристик требованиям по быстродействию
- Возможность обеспечения необходимого теплоотвода в выбранном корпусе
- Доступность компонента и его цена для планируемого объема производства
Тщательный анализ этих факторов позволит определить, является ли C2482 оптимальным выбором для конкретного проекта или стоит рассмотреть альтернативные варианты.
Типовые схемы применения C2482
Рассмотрим несколько типовых схем, в которых часто используется транзистор C2482:
Схема управления светодиодом
В этой простой схеме C2482 используется для управления яркостью светодиода с помощью ШИМ-сигнала:
«`text +5V | | R1 | 1k | +—-|—-+ | | | | _ | PWM >—|/ | | |\>—+—|>|—+ | | C2482 LED | | | | | | R2 | | | 220Ω | | | | GND GND GND R1: Ограничивающий резистор для базы R2: Токоограничивающий резистор для светодиода PWM: Вход ШИМ-сигнала «`В этой схеме C2482 работает в ключевом режиме, управляя током через светодиод в соответствии с входным ШИМ-сигналом. Высокое быстродействие C2482 позволяет эффективно управлять яркостью даже на высоких частотах ШИМ.
Схема высоковольтного ключа
Эта схема демонстрирует использование C2482 в качестве высоковольтного ключа:
«`text +300V | | R3 | 10kΩ | | | | | +—|—-+ | | | | _ | IN >-|/ | | |\>—+ | | C2482 | | | R1 | | R2 10kΩ | | 1kΩ | | | | | | GND GND OUT R1: Подтягивающий резистор R2: Ограничивающий резистор для нагрузки R3: Нагрузочный резистор IN: Управляющий вход OUT: Выход высокого напряжения «`В этой схеме C2482 используется для коммутации высокого напряжения (до 300 В) в соответствии с низковольтным управляющим сигналом. Высокое пробивное напряжение C2482 делает его идеальным для такого применения.
Заключение
Транзистор C2482 является универсальным компонентом для высоковольтных маломощных применений. Его уникальное сочетание высокого пробивного напряжения и хорошего быстродействия делает его отличным выбором для широкого спектра задач, от управления светодиодами до высоковольтной коммутации. При правильном применении C2482 может обеспечить высокую производительность и надежность в различных электронных устройствах.Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 4 | |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
C945 транзистор характеристики и его российские аналоги, dataheet
2SC5253 Datasheet (PDF)
4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba
2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1
4.2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba
4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba
4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba
4.
5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba
4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba
2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1
4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba
4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi
2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector
4.
9. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi
2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
4.10. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet
4.11. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo
4.
12. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB
4.13. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto
4.
14. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto
3DG2482S Datasheet (PDF)
Кт807б
1.1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管，
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺，
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
构和少
3.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.
45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
3.2. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
3.3. 3dg2482.pdf Size:210K _china
2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(
2SC4744 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4744.pdf Size:378K _hitachi
1.2. 2sc4744.pdf Size:221K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4744
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Built-in Damper Diode
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE
4.
1. 2sc4742.pdf Size:32K _hitachi
2SC4742
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Character display horizontal deflection output
Feature
High breakdown voltage
VCES = 1500 V
Built-in damper diode type
Outline
TO-3P
2
1
1. Base
ID
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
3
2
3
2SC4742
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to emitter voltage VCES 1500 V
Emitter to base vol
4.2. 2sc4747.pdf Size:32K _hitachi
2SC4747
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Character display horizontal deflection output
Feature
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.3 s
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC4747
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 1500 V
Collector to emitter voltage VCEO 800
4.
3. 2sc4745.pdf Size:299K _hitachi
2SC4745
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
Feature
TO-3PFM
High speed switching
tf = 0.2 s typ
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
Isolated package; TO-3PFM
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Rating Unit
1
2
3
1. Base
2. Collector
Collector to base voltage VCBO 1500 V
3. Emitter
4.4. 2sc4742.pdf Size:107K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4742
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Built-in damper diode
·High breakdown voltage
APPLICATIONS
·Character display horizontal
deflection output
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
Absolute maximum ratings
4.5. 2sc4747.pdf Size:90K _jmnic
Product Specification www.
jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4747
DESCRIPTION
·With TO-3PFM package
·High speed switching
·High breakdown voltage
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection
output
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDI
4.6. 2sc4743.pdf Size:187K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4743
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
4.7. 2sc4746.pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4746
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
4.
8. 2sc4742.pdf Size:186K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4742
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CES
·Built-in Damper Diode
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃
4.9. 2sc4747.pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4747
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
4.10. 2sc4745.
pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4745
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
Биполярный транзистор 2SC4706 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
C5353 транзистор характеристики
Наименование производителя: 2SC4706
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3P
2SC4706
Datasheet (PDF)
C4106 транзистор характеристики
1.
1. 2sc4706.pdf Size:190K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4706
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·High voltage switching transistor
APPLICATIONS
·For switching regulator and general
purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBO
1.2. 2sc4706.pdf Size:23K _sanken-ele
2SC4706
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)
Application : Switching Regulator and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4706 Unit Symbol Conditions 2SC4706 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
VCBO 900 V ICBO VCB=800V 100max A 0.1
9.6 2.0
VCEO 600 V IEBO VEB
1.3. 2sc4706.pdf Size:218K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4706
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 600V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
2SC4770 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4770.pdf Size:98K _sanyo
Ordering number:EN3666A
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4770
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
3.1
2.8
2.0 2.0
1.2. 2sc4770.pdf Size:51K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4770
DESCRIPTION
·With TO-3PML package
·High breakdown voltage, high reliability.
·High speed
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display
·Horizontal deflection output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol
Maximum absolut
1.3. 2sc4770.pdf Size:194K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4770
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXI
2SC4139 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4139.pdf Size:190K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4139
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·High voltage
·High speed switching
APPLICATIONS
·For switching regulator and general
purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.
1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
1.2. 2sc4139.pdf Size:25K _sanken-ele
2SC4139
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4139 Symbol Conditions 2SC4139 Unit
Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
9.6 2.0
VCBO 500 ICBO VCB=500V 100max A
V
VC
1.3. 2sc4139.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4139
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER
3DG2482H_A1 Datasheet (PDF)
1.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
2.1. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
3.1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管，
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺，
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.
8 W
构和少
3.2. 3dg2482.pdf Size:210K _china
2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(
2SC6042 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc6042.pdf Size:182K _toshiba
2SC6042
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6042
High-Speed, High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
• High-speed switching: tf = 0.2 ?s (max) (IC = 0.3A)
• High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 375 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Collec
4.1. 2sc6046.pdf Size:138K _update
2SC6046
FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
DESCRIPTION
Unit：mm
OUTLINE DRAWING
2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with
high collector current, low VCE（sat）.
2.8
0.65 1.5 0.65
FEATURE
①
●High collector current
IC（MAX）=600mA
②
③
●Low collector to emitter saturation voltage
VCE（sa
4.2. 2sc6040.pdf Size:182K _toshiba
2SC6040
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6040
High-Speed and High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
• High-speed switching: tf = 0.2 ?s (max) (IC = 0.3 A)
• High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 410 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Co
4.3. 2sc6044.pdf Size:36K _sanyo
Ordering number : ENN8251 2SC6044
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SC6044
High-Current Switching Applications
Applications
• Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.
Features
• Adoption of MBIT process.
• Low collector-to-emitter saturation voltage.
• High current capacity.
• High-speed switching.
Specifications
Absolute M
4.4. 2sc6043.pdf Size:248K _sanyo
Ordering number : ENN8326 2SC6043
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SC6043
High-Current Switching Applications
Applications
Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.
Features
Adoption of MBIT process.
High current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
High-speed switching.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=2
Биполярный транзистор 2SC3973B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3973B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220Fa
2SC3973B
Datasheet (PDF)
1.
1. 2sc3973b.pdf Size:117K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC3973B
DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ High voltage,high speed Ў¤ Wide area of safe operation APPLICATIONS Ў¤ For high voltage,high speed switching applications
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION
Ў
3.1. 2sc3973.pdf Size:60K _panasonic
Power Transistors
2SC3973, 2SC3973A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
Unit: mm
10.0 0.2 4.2 0.2
Features
5.5 0.2 2.7 0.2
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
? 3.1 0.1
Wide area of safe operation (ASO)
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Full-pack package which can be installed to t
3.2. 2sc3973.pdf Size:179K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3973 2SC3973A
DESCRIPTION ·
·With TO-220Fa package
·High breakdown voltage
·High speed switching
·Wide area of safe operation
APPLICATIONS
·For high breakdown voltate ,high-speed
switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.
1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol
3 Emitter
Absol
3.3. 2sc3973.pdf Size:211K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3973
DESCRIPTION ·
·Collector-Base Breakdown Voltage-
: V = 800V(Min.)
(BR)CBO
·Wide Area of Safe Operation
·High Speed Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
3.4. 2sc3973 2sc3973a.pdf Size:142K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ High breakdown voltage Ў¤ High speed switching Ў¤ Wide area of safe operation APPLICATIONS Ў¤ For high breakdown voltate ,high-speed switching applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter
2SC3973 2SC3973A
Ў¤
Fig.
1 simplified outline (TO-
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Биполярный транзистор 3DG2482S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2482S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
3DG2482S
Datasheet (PDF)
1.
1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管，
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺，
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
构和少
3.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
3.2. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （Ta=25℃） 0.8 W
终端结
3.3. 3dg2482.pdf Size:210K _china
2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Оцените статью:
C2482 Схема контактов транзистора, аналог, технические характеристики, области применения и другие сведения В этом посте мы расскажем о распиновке транзистора C2482, эквиваленте, характеристиках, применении и других подробностях об этом транзисторе.
Рекламные объявления
Рекламные объявления
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-92Л / ТО-92МОД
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 100 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 300 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 300 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт.
): 9 Вт - Макс. частота перехода (fT): 50 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 30–150
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
): 9 Вт Замена и аналог
2SC3207, 2STL2580, 3DG2482, KTC3207, BF393W1, BFP13, ECG399, SK9352, 2SC2551.
2SC2482 Описание / описание транзистора:
2SC2482 — это NPN-транзистор, доступный в TO-9.Пакет 2Л или ТО-92МОД. Этот транзистор в основном предназначен для приложений цветного телевидения, но вместо этого его также можно использовать для коммутации высокого напряжения и в целях усиления. Максимальная нагрузка по напряжению, которую может выдержать этот транзистор, составляет 300 В, а максимальный ток нагрузки, который он может выдержать, составляет 100 мА. Минимальное напряжение насыщения или базовое напряжение, при котором этот транзистор включится, составляет 1,0 В, а для управления базовым током нагрузки 10 мА он должен составлять 1 мА, а для максимального выходного тока, равного 100 мА, базовый ток должен составлять 10 мА.
Максимальное рассеивание коллектора составляет 0,9.Вт, а коэффициент усиления по постоянному току устройства составляет от 30 до 150. Транзистор доступен в двух различных классификациях коэффициента усиления, которые можно проверить, взглянув на первый алфавит под номером детали. Если этот алфавит «О», то усиление будет 70-120, а если это «Y», то усиление будет 120-140.
Транзистор доступен в двух категориях коэффициента усиления, которые можно определить, взглянув на первый алфавит под номером детали, если алфавит «O», коэффициент усиления будет 30-90, а если алфавит «Y», коэффициент усиления будет 90-150.
Где мы можем его использовать и как использовать 2SC2482 можно использовать для многих целей. Его напряжение между коллектором и эмиттером составляет 300 В, благодаря чему его можно использовать в различных приложениях переключения высокого напряжения. Помимо этого, его также можно использовать для усиления звука. Области, в которых этот транзистор будет хорошо работать, — это приложения для цветного телевидения.
Приложения
Цепи драйвера цветного телевизора
Выходные цепи цветного телевизора
Аудиоусилители
Высоковольтные устройства до 300 В
Коммутация нагрузки до 100 мА
Как обеспечить безопасную длительную работу в цепи . Ток коллектора транзистора составляет 100 мА, поэтому не подключайте нагрузку более 80 мА, а максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 300 В, поэтому не подключайте нагрузку более 240 В. Всегда храните или используйте транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/C/2/4/C2482_ToshibaSemiconductor.pdf
