Что такое NPN транзисторы. Какие основные параметры характеризуют NPN транзисторы. Для чего применяются NPN транзисторы в электронике. Какие особенности имеют современные NPN транзисторы. Как правильно выбрать NPN транзистор для конкретной схемы.
Что такое NPN транзисторы и как они работают
NPN транзисторы — это полупроводниковые приборы, состоящие из трех слоев полупроводника с различным типом проводимости. Название «NPN» отражает структуру транзистора: N (отрицательный) — P (положительный) — N (отрицательный).
Принцип работы NPN транзистора основан на управлении током коллектора с помощью тока базы. При подаче небольшого положительного напряжения на базу относительно эмиттера, в базе возникает ток, который вызывает значительно больший ток в цепи коллектор-эмиттер. Таким образом, NPN транзистор работает как усилитель тока.
Основные параметры и характеристики NPN транзисторов
Для правильного выбора и применения NPN транзисторов важно понимать их ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) — определяет предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером.
- Максимальный ток коллектора (IC) — максимально допустимый постоянный ток через коллектор.
- Коэффициент усиления по току (hFE) — отношение тока коллектора к току базы.
- Граничная частота (fT) — частота, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы.
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) — предельная мощность, которую может рассеивать транзистор.
Области применения NPN транзисторов в электронике
NPN транзисторы широко используются в различных электронных схемах благодаря своей универсальности:
- Усилители сигналов — малошумящие усилители, усилители мощности
- Ключевые схемы — для коммутации токов и напряжений
- Генераторы — для создания колебаний различной формы
- Стабилизаторы напряжения — в качестве регулирующего элемента
- Логические схемы — в составе цифровых микросхем
- Источники питания — в импульсных преобразователях
Как выбрать подходящий NPN транзистор для схемы
При выборе NPN транзистора для конкретной схемы необходимо учитывать следующие факторы:
- Максимальное напряжение и ток в схеме — транзистор должен выдерживать рабочие режимы с запасом.
- Требуемый коэффициент усиления — для эффективной работы схемы.
- Частотные свойства — граничная частота должна быть выше рабочей частоты схемы.
- Мощность рассеивания — способность транзистора отводить выделяемое тепло.
- Корпус — для монтажа и теплоотвода.
Правильный выбор транзистора обеспечит надежную и эффективную работу электронного устройства.
Современные тенденции в производстве NPN транзисторов
Развитие технологий производства полупроводников привело к появлению NPN транзисторов с улучшенными характеристиками:
- Уменьшение размеров — позволяет повысить плотность монтажа и быстродействие.
- Повышение рабочих частот — современные транзисторы работают на частотах до десятков ГГц.
- Снижение шумов — особенно важно для малосигнальных усилителей.
- Увеличение мощности — транзисторы способны коммутировать токи в десятки и сотни ампер.
- Улучшение теплоотвода — применение новых корпусов и материалов.
Особенности применения NPN транзисторов в аналоговых схемах
В аналоговых схемах NPN транзисторы часто используются для усиления сигналов. При этом важно учитывать следующие аспекты:
- Выбор рабочей точки — определяет линейность усиления и КПД.
- Температурная стабилизация — для поддержания стабильных параметров схемы.
- Частотная коррекция — для расширения полосы пропускания усилителя.
- Согласование импедансов — для максимальной передачи мощности сигнала.
- Минимизация шумов — особенно критично для малосигнальных усилителей.
Правильное применение этих принципов позволяет создавать высококачественные аналоговые устройства на NPN транзисторах.
NPN транзисторы в импульсных и цифровых схемах
В импульсных и цифровых схемах NPN транзисторы часто работают в ключевом режиме. Ключевые особенности их применения:
- Быстрое переключение — малое время включения и выключения.
- Низкое напряжение насыщения — для уменьшения потерь в открытом состоянии.
- Высокое пробивное напряжение — для надежной работы в закрытом состоянии.
- Малый заряд базы — для уменьшения потребляемой мощности управления.
- Защита от перегрузок — для повышения надежности схемы.
Эти характеристики позволяют создавать эффективные импульсные преобразователи и быстродействующие цифровые схемы.
Сравнение NPN и PNP транзисторов
Хотя NPN и PNP транзисторы имеют схожий принцип работы, между ними есть существенные различия:
- Полярность напряжений — у NPN коллектор положительнее эмиттера, у PNP — наоборот.
- Направление токов — в NPN ток течет от коллектора к эмиттеру, в PNP — от эмиттера к коллектору.
- Быстродействие — NPN транзисторы обычно быстрее из-за большей подвижности электронов.
- Распространенность — NPN транзисторы более распространены и имеют больший выбор типов.
- Применение — NPN чаще используются в схемах с общим эмиттером, PNP — с общим коллектором.
Понимание этих различий помогает правильно выбрать тип транзистора для конкретной схемы.
Особенности монтажа и эксплуатации NPN транзисторов
Для обеспечения надежной работы NPN транзисторов важно соблюдать правила их монтажа и эксплуатации:
- Соблюдение полярности — неправильное подключение может вывести транзистор из строя.
- Теплоотвод — для мощных транзисторов необходимо обеспечить эффективный отвод тепла.
- Защита от статического электричества — особенно важно для высокочастотных транзисторов.
- Правильный выбор режима работы — не превышать предельно допустимые параметры.
- Учет паразитных параметров — особенно важно на высоких частотах.
Соблюдение этих правил позволяет максимально использовать возможности NPN транзисторов и продлить срок их службы.
2sc5148 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора
Биполярный транзистор 3DA4544O — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DA4544O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220F
3DA4544O
Datasheet (PDF)
3.1. 3da4544.pdf Size:29K _update_bjt
查询»3DA4544″供应商
华晶分立器件 3DA4544
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DA4544 硅 NPN 型高频高压大功率晶体管 适用于彩色电视机色输出电路及行推动电路 其
特点如下
击穿电压高
反向漏电流小
饱和压降低
4.
5
10 0.1
封装形式 TO-220F
2.7
2 电特性
2.1 极限值
3.2
除非另有
5.1. ztx458 3da458.pdf Size:226K _update
ZTX458(3DA458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于中功率高电压电路。
Purpose: Medium power high voltage applications.
特点: 反向击穿电压高，集电极耗散功率大。
Features: High V , high P .
CEO C
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 400 V
CBO
V 400 V
CEO
V 5.0
5.2. ztx450 3da450.pdf Size:373K _update
ZTX450(3DA450) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。/Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:高集电极直流电流和集电极耗散功率。/Features: High P and I .
C C
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 60 V
CBO
V 45 V
CEO
V 5.0 V
EBO
I 1.0 A
C
Другие транзисторы… FA1L3Z-L37
, FA1L3Z-L38
, KSC5802D
, KTC601UY
, NP061A3
, 2SD1710C
, 3DD2553
, 3DA4544R
, 2SC945
, 3DA4544Y
, CHT807PTQ
, CHT807PTR
, CHT807PTS
, FJP3305h3
, RD9FE-R
, RD9FE-T
, RD9FE-V
.
Биполярный транзистор 2SC4467 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4467
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO218
2SC4467
Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4467.pdf Size:169K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC4467 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SILICON NPN TRIPLE
DIFFUSED PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar
transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the
customers with high DC current gain and high collector-base
breakdown voltage, etc.
The UTC 2SC4467 is suitable for audio and gen
1.2. 2sc4467.pdf Size:192K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4467
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SA1694
APPLICATIONS
·Audio and general purpose
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO C
1.3. 2sc4467.pdf Size:24K _sanken-ele
2SC4467
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)
Application : Audio and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4467 Unit Symbol Conditions 2SC4467 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
VCBO 160 V ICBO VCB=160V 10max A 9.6 2.0
IEBO
VCEO 120 V VEB=6V 10max A
V(BR)C
1.
4. 2sc4467.pdf Size:194K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4467
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V = 120V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SA1694
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MA
Другие транзисторы… 2SC4453
, 2SC4454
, 2SC4455
, 2SC446
, 2SC4462
, 2SC4463
, 2SC4464
, 2SC4466
, S8550
, 2SC447
, 2SC4470
, 2SC4471
, 2SC4473
, 2SC4474
, 2SC4475
, 2SC4476
, 2SC4477
.
2SC5589 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5589.pdf Size:298K _toshiba
2SC5589
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5589
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
Unit: mm
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.
)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Co
4.1. 2sc5588.pdf Size:331K _toshiba
2SC5588
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5588
Unit: mm
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY
COLOR TV FOR DIGITAL TV & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTER
4.2. 2sc5587.pdf Size:332K _toshiba
2SC5587
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5587
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.
1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
4.3. 2sc5585 2sc5663.pdf Size:68K _rohm
2SC5585 / 2SC5663
Transistors
Low frequency transistor (12V, 0.5A)
2SC5585 / 2SC5663
The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes.
External dimensions (Unit : mm)
Applications
For switching
2SC5585
For muting
(1)
(2)
(3)
0.8
Features
1.6
1) High current.
2) Low VCE(sat).
0.1Min.
(1) Emitter
R
4.4. 2sc5584.pdf Size:45K _panasonic
Power Transistors
2SC5584
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.
5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
4.5. 2sc5580.pdf Size:43K _panasonic
Transistors
2SC5580
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For high-frequency oscillation / switching
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
(0.65) (0.65)
packing.
1.30.1
2.00.2
10
Absolute Maximum Ratings Ta =
4.6. 2sc5583.pdf Size:46K _panasonic
Power Transistors
2SC5583
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.
5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
4.7. 2sc5585.pdf Size:198K _secos
2SC5585
0.5A , 15V
NPN Silicon General Purpose Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead free
SOT-523
FEATURES
High Current.
Low VCE(sat). VCE(sat)?0.25V (@IC=200mA / IB=10mA)
A
Complement of 2SC4738. M
3
3
Top View C B
Application
1
1 2
General Purpose Amplification.
L 2
K
E
MARKING
D
H J
4.8. 2sc5586 2sc5830 2sc5924.pdf Size:1332K _sanken-ele
4.9. 2sc5584.pdf Size:186K _inchange_semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5584
DESCRIPTION
·Silicon NPN triple diffusion mesa type
·High Switching Speed
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
4.10. 2sc5585.pdf Size:204K _lge
2SC5585
SOT-523 Transistor(NPN)
1. BASE
SOT-523
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features
High current.
Low VCE(sat). VCE(sat)?250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MARKING: BX
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector- Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emitter-Base Vol
4.11. 2sc5585.pdf Size:192K _wietron
2SC5585
NPN TRANSISTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
FEATURES:
SOT-523(SC-75)
* High current.
* Low VCE(sat). VCE(sat).250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MAXIMUM RATINGS (TA=25°Cunless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO 15 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6 V
Collector Current –Continuous IC 500 mA
Collector Dissipatio
Биполярный транзистор 2SC4123 — описание производителя.
Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: 2SC4123
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO218
2SC4123
Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4123.pdf Size:93K _sanyo
Ordering number:EN2956
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4123
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
On-chip damper dio
1.2. 2sc4123.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4123
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
4.1. 2sc4124.pdf Size:98K _sanyo
Ordering number:EN2962
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4124
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
Adoption of MBIT process.
unit:mm
On-chip damper diode.
2039D
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
High speed (tf=100ns typ).
16.0
5.6
3.4
High reliability (Adoption of HVP proces
4.
2. 2sc4121.pdf Size:89K _sanyo
4.3. 2sc4125.pdf Size:88K _sanyo
4.4. 2sc4126.pdf Size:47K _hitachi
2SC4126
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF and UHF wide band amplifier
Outline
MPAK-4
2
3
1
1. Collector
4
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
2SC4126
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 15 V
Collector to emitter voltage VCEO 11 V
Emitter to base voltage VEBO 2V
Collector current IC 50 mA
Collector power dissipation PC 150
4.5. 2sc4124.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4124
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
4.
6. 2sc4129.pdf Size:211K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4129
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PAR
4.7. 2sc4125.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4125
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for very high-definition color display horizontal
deflection output applicaitions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Другие транзисторы… 2SC4116
, 2SC4117
, 2SC4118
, 2SC4119
, 2SC412
, 2SC4120
, 2SC4121
, 2SC4122
, BC548
, 2SC4124
, 2SC4125
, 2SC4126
, 2SC4127
, 2SC4128
, 2SC4129
, 2SC413
, 2SC4130
.
2SC5478 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5478.pdf Size:35K _panasonic
Power Transistors
2SC5478
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
Unit: mm
15.5 0.5 3.0 0.3
? 3.2 0.1
Features
5 5
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
High-speed switching
5
Wide area of safe operation (ASO)
5
4.0
5
2.0 0.2
1.1 0.1
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.7 0.1
Paramet
4.1. 2sc5476.pdf Size:40K _sanyo
Ordering number:EN6069
NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor
2SC5476
85V/3A Driver Applications
Applications Package Dimensions
Suitable for use in switching of L load (motor
unit:mm
drivers, printer hammer drivers, relay drivers).
2041A
Features
4.5
10.0
2.8
High DC current gain.
3.2
Large current capacity and wide ASO.
Contains a Zener diode of
4.2. 2sc5472 e.pdf Size:38K _panasonic
Transistor
2SC5472 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.1 0.425
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.2dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
2
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automa
4.3. 2sc5472.pdf Size:52K _panasonic
Transistors
2SC5472
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
High gain of 8.2 dB and low noise of 1.8 dB at 3 V
1 2
Optimum for RF amplification of a portable telephone and pager
(0.65) (0.65)
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment a
4.
4. 2sc5474 e.pdf Size:37K _panasonic
Transistor
2SC5474 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
1.6 0.15
0.4 0.8 0.1 0.4
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
2
and automati
4.5. 2sc5474.pdf Size:34K _panasonic
Transistor
2SC5474 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
1.6 0.15
0.4 0.8 0.1 0.4
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
2
and automati
4.
6. 2sc5473 e.pdf Size:38K _panasonic
Transistor
2SC5473 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.10 0.425
Features
High transition frequency fT.
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
pager.
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic inse
4.7. 2sc5473.pdf Size:34K _panasonic
Transistor
2SC5473 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.10 0.425
Features
High transition frequency fT.
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
pager.
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic inse
4.
8. 2sc5470.pdf Size:42K _hitachi
2SC5470
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
ADE-208-672 (Z)
1st. Edition
Oct. 1, 1998
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.15 sec(typ.) at fH=64kHz
Outline
TO3PFM
1. Base
2. Collector
1
3. Emitter
2
3
2SC5470
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base vol
4.9. 2sc5477.pdf Size:116K _isahaya
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
http://www.idc-com.co.jp
6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN
??Keep safety in your circuit designs !
?
Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable,
but there is always the possibility that trouble may occur
4.
10. 2sc5477.pdf Size:779K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5477
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=50mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=20V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 30
Collect
2SC4467 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4467.pdf Size:169K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC4467 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SILICON NPN TRIPLE
DIFFUSED PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar
transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the
customers with high DC current gain and high collector-base
breakdown voltage, etc.
The UTC 2SC4467 is suitable for audio and gen
1.
2. 2sc4467.pdf Size:192K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4467
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SA1694
APPLICATIONS
·Audio and general purpose
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO C
1.3. 2sc4467.pdf Size:24K _sanken-ele
2SC4467
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)
Application : Audio and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4467 Unit Symbol Conditions 2SC4467 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
VCBO 160 V ICBO VCB=160V 10max A 9.6 2.0
IEBO
VCEO 120 V VEB=6V 10max A
V(BR)C
1.
4. 2sc4467.pdf Size:194K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4467
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V = 120V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SA1694
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MA
2SC4977 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc4977.pdf Size:200K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4977
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 400V(Min)
·Fast Switching Speed
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 4.0A
APPLICATIONS
·Designed for use in high-voltage, high-speed , power
switching in inductive circuit , they are parti
4.
1. 2sc4976.pdf Size:31K _sanyo
Ordering number : ENN5507B
2SA1875 / 2SC4976
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1875 / 2SC4976
High-Definition CRT Display
Video Output Applications
Features Package Dimensions
High fT : fT=400MHz(typ). unit : mm
High breakdown voltage : VCEO?200V(min). 2045B
Large current capacitance.
[2SA1875 / 2SC4976]
Small reverse transfer capacitance and excellent high
6.5
4.2. 2sc4976.pdf Size:1227K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC4976
TO-252
Unit: mm
+0.15
6.50-0.15
+0.1
2.30 -0.1
+0.2
5.30-0.2 +0.8
0.50 -0.7
■ Features
● High fT : fT=400MHz(typ).
● High breakdown voltage
● Large current capacitance. 0.127
+0.1
0.80-0.1
max
● Complementary to 2SA1875
+ 0.1
1 Base
2.3 0.60- 0.1
+0.15
4.60 -0.15
2 Collector
3 Emitter
■ Absolute Maximum Rati
Биполярный транзистор 2SC5253 — описание производителя.
Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: 2SC5253
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9
Корпус транзистора: TO220
2SC5253
Datasheet (PDF)
4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba
2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1
4.
2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba
4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba
4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba
4.5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba
4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba
2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1
4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba
4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi
2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.
2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector
4.9. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi
2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
4.10. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet
4.11. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo
4.12. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB
4.
13. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto
4.14. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
2SC5682 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba
4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo
Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.
4.3. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
4.4. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.
6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.
4.5. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.
4.6. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic
Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
2SC5686 Datasheet (PDF)
1.
1. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic
Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba
4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo
Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.
4.3. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
4.4. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
4.5. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.
4.6. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo
Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.
4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
2SC4123 Datasheet (PDF)
1.
1. 2sc4123.pdf Size:93K _sanyo
Ordering number:EN2956
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4123
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
On-chip damper dio
1.2. 2sc4123.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4123
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
4.1. 2sc4124.
pdf Size:98K _sanyo
Ordering number:EN2962
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4124
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
Adoption of MBIT process.
unit:mm
On-chip damper diode.
2039D
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
High speed (tf=100ns typ).
16.0
5.6
3.4
High reliability (Adoption of HVP proces
4.2. 2sc4121.pdf Size:89K _sanyo
4.3. 2sc4125.pdf Size:88K _sanyo
4.4. 2sc4126.pdf Size:47K _hitachi
2SC4126
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF and UHF wide band amplifier
Outline
MPAK-4
2
3
1
1. Collector
4
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
2SC4126
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 15 V
Collector to emitter voltage VCEO 11 V
Emitter to base voltage VEBO 2V
Collector current IC 50 mA
Collector power dissipation PC 150
4.
5. 2sc4124.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4124
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
4.6. 2sc4129.pdf Size:211K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4129
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PAR
4.
7. 2sc4125.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4125
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for very high-definition color display horizontal
deflection output applicaitions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
5n60c как проверить — Сайт о даче
Содержание статьи:
NPN и PNP транзисторы
Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.
На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:
Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:
где Э — это эмиттер, Б — база, К — коллектор.
Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.
Вот его схематическое изображение на схемах
Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!
Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.
Проверяем исправный транзистор
Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:
Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется «datasheet». Прямо так и забиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.
Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.
А вот и схемка распиновки из даташита:
Теперь нам понятно, что первый вывод — это база, второй вывод — это коллектор, ну а третий — эмиттер
Возвращаемся к нашему рисунку
Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.
Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять «диоды» транзистора. Для начала ставим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору
Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.
Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу «плюс» , а на эмиттер — «минус».
Видим снова падение напряжения прямого PN перехода.
Все ОК.
Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.
Все ОК, так как видим единичку.
Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.
Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору — здоров.
Проверяем неисправный транзистор
Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.
Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.
Проверка транзистора с помощью транзисторметра
Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр
Заключение
В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор.
Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.
Source: www.RusElectronic.com
Читайте также
J13009 2 как проверить
Проверка транзистора цифровым мультиметром
Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.
Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.
Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.
Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.
Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.
Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.
Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.
Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.
Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.
Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.
Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.
Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора.
В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.
Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.
Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.
Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.
Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп.
В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!
Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.
Какой мультиметр будем использовать?
В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.
Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.
Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка – это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.
— С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).
Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).
Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.
Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.
Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1».
Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.
Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…
…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.
Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.
Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.
Пробой P-N перхода транзистора.
В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление.
Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.
Обрыв P-N перехода транзистора.
При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.
Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.
В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.
В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.
Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.
То же самое проделываем и для перехода Б-Э.
Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.
Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.
Переход Б-К при обратном включении…
Переход Б-Э при обратном включении.
В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.
Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:
Определение цоколёвки транзистора и его структуры;
Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;
Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;
При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.
д.
Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.
- В поиске статуса
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 1 265
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 17 943
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 337
Darth_Vader (09.06.2011 – 08:15) писал:
- Слесарь и мне пофиг что вы не слесарь.
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 83
Цифровым мультиметром сопротивление перехода не замеряешь, только падение напряжения, на мультиметре диод нарисован, в миливольтах.
Этого вполне хватит проверить исправность биполярного транзистора. Если хочешь замерить сопротивление, мерь стрелочным.
3.ы. У меня вопрос по ходу этой темы. Есть в наличии древний транзистор П214, вот меряю падение напряжение между эмиттером и коллектором показывает 50 мВ, причем на нескольких транзисторах проверял одинакого. Так должно быть или нет?
- В поиске статуса
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 1 265
- Слесарь и мне пофиг что вы не слесарь.
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 83
- недавно на форуме
- Группа: Новички
- Сообщений: 9
- Группа: Пользователи
- Сообщений: 17 943
- Группа: Донатор
- Сообщений: 17 679
Darth_Vader (04.
11.2011 – 06:16) писал:
просто
те переключи в диод
черный щуп на исток
красным(+) сначала на сток – должна быьть бесконечность
затем на затвор – должна быьть бесконечность
и опять на сток – какие-то цифры. чем меньше тем сильнее он открылся.
NPN и PNP транзисторы
Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.
На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:
Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:
где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.
Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.
Вот его схематическое изображение на схемах
Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!
Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор.
Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.
Проверяем исправный транзистор
Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:
Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.
Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.
А вот и схемка распиновки из даташита:
Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер
Возвращаемся к нашему рисунку
Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.
Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору
Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.
Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.
Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.
Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.
Все ОК, так как видим единичку.
Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.
Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.
Проверяем неисправный транзистор
Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше.
Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.
Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.
Проверка транзистора с помощью транзисторметра
Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр
Заключение
В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.
Брошюра с описанием транзисторовC4106
Брошюра с техническими данными транзисторов C4106 Toshiba power Transistor Semiconductor Data Book 1983.
C4977 datasheet pdf 400v 40w 7a fuji, c4977 datasheet, 2sc4977 pdf, c4977 распиновка, данные, схема, микросхема, руководство, замена, детали эквивалент. Дополняет максимальные характеристики 2sa950 ta 25c характеристики символ номинал единица напряжение коллекторной базы vcbo 35 v напряжение коллекторного передатчика vceo 30 v базовое напряжение эмиттера vebo 5 v. C datasheet, c pdf, c data sheet, c manual, c pdf, c, datenblatt, electronics c, alldatasheet, free, datasheet, даташит.Bc557c транзистор pnp 45v 100ma to92 nxp semiconductors datasheet pdf data sheet free from datasheet data sheet поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Высокомощный кремниевый транзистор npn stmicroelectronics. C4106 c4106 транзистор c3205 транзистор c3205 k3505 mp67b k2255 l0307 c4106 текст таблицы данных.
Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов Mouser Electronics. Список патентной защиты полупроводниковой продукции можно найти по адресу.
Иногда префикс 2s не отмечен на упаковке, транзистор 2sc4106 может быть помечен как c4106. Текст книги проектов Arduino находится под лицензией Creative Commons a. C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, данные c4106, c4106 схема, ic, c4106 руководство, заменитель, детали, схема, ссылка. Toshiba транзистор кремниевый npn эпитаксиальный тип pct процесс 2sc2240 малошумящий звуковой усилитель приложения 2sc2240 — это транзистор для низкочастотных и малошумящих приложений.Техническое описание C4106, c4106 pdf, техническое описание c4106, техническое описание, техническое описание, pdf. Bc817dpn npnpnp транзистор общего назначения nexperia. Bc337 bc338 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Mouser Electronics.
Та же операция применима и к pnp-транзисторам, но с обратной полярностью тока и напряжения. Поскольку цель этой книги — не углубляться в физику транзисторов. C4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 data sheet, c4106 manual, c4106 pdf, c4106, datenblatt, electronics c4106, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.
C3150 datasheet, pdf 800v, npn силовой транзистор mospec, даташит 2sc3150, c3150 pdf, распиновка c3150, эквивалент c3150, данные, схема, схема c3150. 30 сентября, 2015 c4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, replace, parts, schematic, reference. Импульсный стабилизатор на кремниевом транзисторе 400v7a с тройным диффузным диффузором npn. Поскольку распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Motorola заказывает этот документ Технические характеристики полупроводников с помощью bf240d amfm-транзистора bf240 npn кремниевый коллектор 1 3 база 1 2 3 2 корпус эмиттера 2904, стиль 21 максимальные номинальные значения to92 до 226aa номинальный символ значение единица измерения напряжение передатчика vceo 40 в постоянного тока напряжение базы коллектора vcbo 40 в постоянного тока напряжение эмиттерной базы.
En2471a npn-тройной диффузионный планарный кремниевый транзистор 2sc4106 Импульсный стабилизатор 400v7a применяет размеры корпуса, высокое напряжение пробоя и высокую надежность.
Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Дополнительный кремниевый силовой транзистор Дарлингтона st microelectronics 6. Техническое описание C546, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Kst
00 3 кривые электрических характеристик sts9015 рис.B типичные характеристики 12 8 6 4 2 0 2 8 12 ток коллектора в зависимости от транзистора C4106, транзистора c3457 b824, полупроводника c4106. Кремниевый npn тройной рассеянный планарный транзистор высокого напряжения и высокоскоростное применение переключаемых транзисторов. Транзистор с резистором Pnp см. Упрощенную схему, символы и выводы для деталей корпуса. Таблицы данных по всем выпущенным продуктам и семействам продуктов доступны для загрузки в формате pdf. Спецификация продукции Savantic Semiconductor кремниевые npn-транзисторы 2sc3150 описание с корпусом to220c высоким напряжением пробоя.Спецификации, упомянутые в этой публикации, могут быть изменены без предварительного уведомления.
Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы Npn Эти транзисторы подразделяются на три группы a, b и c в соответствии с их коэффициентом усиления по току. Применения общего назначения коммутации и усиления, e. Если иное не указано в этом техническом паспорте, этот продукт является стандартным коммерческим продуктом и не предназначен для использования в нем. Содержит распиновку для разъемов и информацию о том, как строить кабели и т. Д. Это устройство предназначено для снижения коэффициента шума в области слабого сигнала. полное сопротивление источника, а также для снижения импульсного шума.Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Это означает, что вы можете копировать, повторно использовать, адаптировать и развивать текст этой книги в некоммерческих целях, в то время как: См. Подробную информацию о заказе и доставке в разделе «Размеры упаковки» на стр. 4 этих данных. Приложения для импульсных регуляторов Sanyo, все данные, технические данные, поисковый сайт для. Широкая область применения aso, безопасная для применения в импульсных регуляторах 800v3a, закрепление контактов Описание Коллектор 1base 2.Полезный динамический диапазон расширяется до 100 мА в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя. Bf240 — параметры поиска по каталогам. Китай транзистор c, транзистор c из китая поставщика найти различные транзисторы c от транзистора 2sc 2sa, транзистор 2sc, транзистор. Обычно транзисторы работают в режиме запуска, и если вторичные источники питания не установлены, они работают без нагрузки на частоте, отличной от их нормальной частоты.
BC549 является малошумным типом и доступен в группах b и c.Коллектороэмиттер напряжения 46 10 10 0 14 общий эмиттер tc25. Усилитель общего назначения Npn Это устройство выполнено в виде усилителя и переключателя общего назначения. Определение статуса продукта в техническом паспорте, определение статуса продукта, предварительная информация, формирующая или разрабатываемая, эта таблица данных содержит проектные спецификации для разработки продукта. C4106 datasheet npn transistor 2sc4106, pdf, распиновка, аналог, замена, схема, руководство, данные, схема, детали, даташит. Тепловые данные rthjcase тепловое сопротивление junctioncase max 1.En2471a npn тройной диффузионный планарный кремниевый транзистор 2sc4106 400v7a, надежность. Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию. D4206 datasheet, d4206 pdf, d4206 data sheet, d4206 manual, d4206 pdf, d4206, datenblatt, electronics d4206, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам компании Toshiba, 1983 г., корпорация toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52. Схема Дарлингтона, базовый эмиттерный коллектор.
Toshiba транзистор кремниевый npn эпитаксиальный тип pct процесс 2sc2120 аудио усилитель мощности приложения high hfe.Описание npn-транзистора в пластиковом корпусе то92 сот54. C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, данные c4106, c4106 схема, ic, c4106 руководство, заменитель, детали, схема. Основы транзисторов: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе — смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому сначала следует применить kcl. Планарный кремниевый транзистор npn с тройным рассеиванием 400в 7а.
Руководство по выбору транзисторов Напряжение VCEOIC collectoremitter V CEO V 800 c3678 c3679 c3680 c5124 c4020 c4300 c4301.C3150 datasheet, pdf 800v, npn силовой транзистор mospec. Хотя программное обеспечение кажется немного уродливым, работает на dos, но оно отлично работает с базой данных со многими компонентами и является бесплатным, делает интересным инструментом для интереса к электронике, хочет знать, когда появляется информация о конкретном компоненте или найти замену операции довольно прост и разделен по таким категориям, как. Mje172 — даташит, аналоги, поиск по каталогам. Предварительные данные о первом производстве. Этот лист данных содержит предварительные данные.Инструкции по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. Бесплатные книги по транзисторным схемам скачать электронные книги онлайн-учебники. Dtd143ec 500ma50v цифровой транзистор со встроенными резисторами техническое описание loutline значение параметра sot23 vcc 50v ic 500ma r1 4. Тип bc546 доступен в группах a и b, однако типы bc547 и bc548 могут поставляться во всех трех группах. C2335 datasheet vcbo500v, npn транзистор Fairchild, даташит ksc2335, c2335 pdf, распиновка c2335, руководство c2335, схема c2335, эквивалент c2335.
Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенного диода, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малого сигнала и усиление транзистора. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to922206 to2203.Абсолютные максимальные рейтинги t a 25c, если не указано иное. Скачать справочник эквивалента базы данных ic 100 тыс. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы. Эти транзисторы подразделяются на три группы q, r и s в соответствии с их коэффициентом усиления по постоянному току. База to126 mod 1 2 3 Абсолютные максимальные значения ta 25c обозначение элемента номинальные характеристики единица напряжение от коллектора к базе vcbo 35 В напряжение от коллектора к эмиттеру vceo 35 В от эмиттера к базе. Кремниевый транзистор npn, лист данных 2sc2001, схема 2sc2001, лист данных 2sc2001.C2335 datasheet vcbo500v, npn транзистор fairchild. Описание пиновки 1 цоколь 2 коллектор 3 эмиттер. Руководство по выбору дискретных полупроводников 2010 диоды, транзисторы, ЭСД и устройства формирования сигналов превосходные по ассортименту и характеристикам. K57 c2335 k4106 nec c1685 транзистор siemens b25353 c2335 r транзистор c2335 k1117 b25353 текст. SST3 имеет встроенные резисторы смещения, которые позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения. Транзистор c4106 c4106 t5001 ic tl8850ap c4060 транзистор tl8850 c61 em553f9t c4054 транзистор.
Сменный или аналогичный транзистор для 2sc4106, вы можете заменить 2sc4106 на 2sc2898, 2sc3039, 2sc4107, 2sc4108, 2sc4161, 2sc4162, 2sc4163, 2sc4164, 2sc4242, fjp07, kse07, mje7a07. Mjese07. Транзистор C4106 c4106 t5001 ic tl8850ap транзистор c4060 tl8850. Транзисторы To92 с пластиковым капсулированием. Транзистор s9018 npn имеет максимальные характеристики t a25. Системы полевых шин Lenze в промышленных приложениях для оптимальной связи между отдельными модулями системы, системы полевых шин все чаще используются для технологических процессов.Nec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и. Ваш c4106 на самом деле является 2sc4106, который представляет собой переключающий npn-транзистор на 7 ампер в корпусе t0220, с номинальным напряжением около 400 В и рассеиваемой мощностью 50 Вт в эквиваленте. Техническое описание C4106, pdf, техническое описание c4106, c4106, c4106. Технический паспорт, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению TP4001 в формате pdf. Транзистор C200, эквивалентный nte123a npn аудиотранзистору. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.Lenze 8200 векторные параметры параметры инвертора lenze 9300 emf23ib lenze epl 10200 e82zafcc001 e82zafpc001 lenze 9300 код неисправности c4106 транзистор c4106 текст.
81776417301 1115 1115 1455 1121 491 167 553 206 159 1142 471435 1065 738 921 349835500 229 619 1211 1255 1155 1479 255 576 169 1044 521 775 1131 1333 829 1088 42 992 13221N6628US : сверхбыстрый выпрямитель (менее 100 нс). 1N977B : стабилитрон. Обозначение PD Параметр Рассеиваемая мощность TL 75C, длина вывода = 3/8 дюйма Снижение номинальных значений выше 75 ° C TJ, TSTG Диапазон рабочих температур и температур хранения * Эти номинальные значения являются предельными значениями, при превышении которых работоспособность диода может быть нарушена. Примечания: 1. Напряжение стабилитрона ( VZ) Измерение Номинальное напряжение стабилитрона измеряется, когда переходник устройства находится в состоянии теплового равновесия. CS3351YD14 : Драйвер Дарлингтона для регулятора напряжения генератора. Интегральная схема интегрального стабилизатора переменного тока CS3341 / 3351/386/387 обеспечивает регулировку напряжения для автомобильных трехфазных генераторов переменного тока.Он управляет внешним источником питания Дарлингтона для управления током возбуждения генератора. В случае сбоя заряда предусмотрен выходной контакт лампы для управления внешним транзистором Дарлингтона, способным к переключению. NTE107 : Кремниевый NPN-транзистор. Unf Oscillator For Tuner ..: кремниевый NPN-планарный эпитаксиальный транзистор в корпусе типа TO92, разработанный специально для высокочастотных приложений. Это устройство подходит для использования в качестве генератора в телевизионных тюнерах УВЧ. Абсолютные максимальные номинальные значения: (TA = + 25C, если не указано иное), напряжение коллекторной базы, VCBO.Напряжение коллектор-эмиттер 30В, VCEO. 12V EmitterBase. ST380CH04C0 : 400 В, 960 А, тиристор с фазовым регулированием в корпусе TO-200AB (E-Puk). Центральный усилительный вентиль Металлический корпус с керамическим изолятором Корпус международного стандарта TO-200AB (E-PUK) Низкопрофильный хоккейный блок для увеличения токоведущей способности Расширенный температурный диапазон Типичные области применения Элементы управления двигателями постоянного тока Управляемые источники питания постоянного тока Контроллеры переменного тока V DRM / V RRM, Максимум. повторяющееся пиковое напряжение и напряжение в закрытом состоянии V I T (AV) Макс. в среднем. 0805R-101G : 1 ЭЛЕМЕНТ, 100 мкГн, КЕРАМИЧЕСКИЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: керамика; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 100 мкГн; Допуск индуктивности: 2 (+/-%); DCR: 0,4600 Ом. CB10Lh571M : РЕЗИСТОР, ТРИММЕР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 1 ОБОРОТ (S), 0,15 Вт, 470 Ом. s: Тип потенциометра: Триммер; Конус сопротивления: линейный; Монтаж / Упаковка: Сквозное отверстие, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 470 Ом; Допуск: 20 +/-%; Стандарты и сертификаты: RoHS. CMKT3920 : МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. CMKT3920 ПОВЕРХНОСТНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ДВОЙНОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN С МАЛЫМ СИГНАЛОМ: Central Semiconductor CMKT3920 (два одиночных NPN-транзистора) представляет собой двойную комбинацию в компактном корпусе SOT-363 ULTRAminiTM, предназначенном для усилителей общего назначения и коммутации малых сигналов. КОД МАРКИРОВКИ: K20 SOT-363 КОРПУС: компактный комплект ULTRAminiTM. CPU : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 1000 В, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). IMC-121022.0UH +/- 10% : 1 ЭЛЕМЕНТ, 22 мкГн, ПОРОШОК С ЖЕЛЕЗНЫМ СЕРДЕЧНИКОМ, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: порошковое железо; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 22 мкГн; Номинальный постоянный ток: 145 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (-67. P3602AAL : 20 А, КРЕМНИЕВОЕ ЗАЩИТНОЕ УСТРОЙСТВО. s: Тип тиристора: Тиристорный ограничитель перенапряжения, КРЕМНИЙНЫЙ ЗАЩИТИТЕЛЬ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ; Тип корпуса: TO-220, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS, ПЛАСТИК, МОДИФИЦИРОВАННЫЙ TO-220, 3 КОНТАКТА; Количество контактов: 3; Стандарты и сертификаты: RoHS. 1614194-2 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 0,1%, 15 частей на миллион, 7150 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 7150 Ом; Допуск: 0.1000 +/-%; Температурный коэффициент: 15 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,2500. 2SD2425-AB1 : 5 А, 60 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN. 1 апреля 2010 года NEC Electronics Corporation объединилась с Renesas Technology Corporation, и Renesas Electronics Corporation приняла на себя весь бизнес обеих компаний. Таким образом, хотя в этом документе сохранилось старое название компании, это действительный документ Renesas Electronics. Благодарим за понимание. Выпущено: Renesas Electronics Corporation. 2SS20L : 2 А, 20 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Конфигурация выпрямителя / Технология: Schottky; Пакет: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-2; Количество диодов: 1; VRRM: 20 вольт; ЕСЛИ: 2000 мА; Соответствует RoHS: RoHS. 3333B223K302E : КРЫШКА, КЕРАМИЧЕСКАЯ, 22NF, 3KVDC, 10% -TOL, 10% + TOL, X7R TC CODE, -15,15% TC, 3333 КОРПУС. s: Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав. |
C4106 Аннотация: C3150 b882 D1062 d1061 c4106 полупроводник C4105 K1885 D1060 D1159 | OCR сканирование | О-220ФИ Т0-220.T0220CI K1438 K1443LS D1394 * A1258 * C3144 * C4547 * D1194 * C4106 C3150 b882 D1062 d1061 c4106 полупроводник C4105 K1885 D1060 D1159 | |
c4106 Аннотация: транзистор d1061 C4106 B1133 D1666 транзистор B824 c4106 полупроводниковый транзистор c3457 C4105 транзистор C4105 | OCR сканирование | Т0-220МФ T0-220 Рейтинги / Ta-25Xi 2SB1266 2SD1902 2SB1267 2SD1903 2SB1268 2SD1904 c4106 d1061 C4106 транзистор B1133 D1666 B824 транзистор c4106 полупроводник транзистор c3457 C4105 C4105 транзистор | |
C4106 транзистор Аннотация: Транзистор c4106 B824 транзистор c3457 транзистор C4105 транзистор c4106 транзистор B1133 транзистор d1061 транзистор c3447 транзистор d1191 | OCR сканирование | Т0-220МФ T0-220 2SB1266 2SD1902 2SB1267 2SD1903 2SB1268 2SD1904 2SB1269 C4106 транзистор c4106 B824 транзистор транзистор c3457 C4105 транзистор транзистор c4106 B1133 транзистор d1061 транзистор c3447 транзистор d1191 | |
D1651 Аннотация: d1047 c3987 B817 c2078 D1650 d1402 D1649 d1878 B1273 | OCR сканирование | D1394 * A1258 * B1273 B1346 C3144 * D1912 D2027 A1259 * A1289 C3145 D1651 d1047 c3987 B817 c2078 D1650 d1402 D1649 d1878 | |
C4106 транзистор Аннотация: Транзистор C4106, транзистор C3457, B824, транзистор C4106, полупроводниковый транзистор, транзистор C4106, транзистор C3447, транзистор D1061, D1060, d1061, | OCR сканирование | Т0-220МФ О-220 Рейтинги / Та-25 Т0-220) 2SB1267 2SD1903 D1235 2SB1268 2SD1904 C4106 транзистор C4106 транзистор c3457 B824 транзистор c4106 полупроводник транзистор c4106 транзистор c3447 транзистор d1061 D1060 d1061 | |
c4460 Аннотация: d1651 d1047 k d1047 B817 C2621 D1650 B1269 c4106 D895 | OCR сканирование | 1503 / С 1565 / С 1574 / С 1590 / С 1616 / С 1654 / С C3820, 1782 / С B1235 / D C3151 c4460 d1651 d1047 k d1047 B817 C2621 D1650 B1269 c4106 D895 | |
d1878 Аннотация: D1887 C4106 D1825 D1880 транзисторы D1878 c3987 D1651 C4161 k1459 | OCR сканирование | A1527 A1528 A1537 A1540 A1573 A1574 A1575 A1580 A1590 A1607 d1878 D1887 C4106 D1825 D1880 транзисторы D1878 c3987 D1651 C4161 k1459 | |
d1684 Аннотация: C3788 c4217 c2078 d1047 C4161 D1651 D1682 K1460 k2043 | OCR сканирование | 2SA1520 A1522 A1523 A1524 A1525 A1526 A1527 A1528 A1536 A1537 d1684 C3788 c4217 c2078 d1047 C4161 D1651 D1682 K1460 k2043 | |
MCP67 Аннотация: c4106 RSN 310 R37 ns892402 ISL6251 wpc8769ldg rtl8211b ricoh r5c833 fds8884 nvidia mcp67 | Оригинал | ISL6262A) 25VM / uFCPGA638 TPS51120) ISL6251) MCP67 CC-50V 10U / Y5U-10V 1U / X7R-50V PR119 MCP67 c4106 RSN 310 R37 ns892402 ISL6251 wpc8769ldg rtl8211b рико r5c833 fds8884 nvidia mcp67 | |
Принципиальная схемаКонтроллер скорости двигателя постоянного тока 180 В Аннотация: Транзистор C4106 C4106 t5001 ic tl8850ap c4060 транзистор tl8850 C6113 EM-553-F9T C4054 транзистор | Оригинал | VX-G142 OS753 GP1U281R EM-553-F9T DTC114TS CY759 EQ-552F9T Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 180 В C4106 транзистор C4106 t5001 ic tl8850ap c4060 транзистор tl8850 C6113 EM-553-F9T C4054 транзистор | |
нс892402 Резюме: RSN 310 R37 winbond wpc8769ldg MCP67 C4106 rtl8211b MCP-67 isl6251 ricoh r5c833 WPC8769LDG | Оригинал | ISL6262A) 25VM / uFCPGA638 TPS51120) ISL6251) MCP67 10U / Y5U-10V 1U / X7R-50V PR119 PR108 ns892402 RSN 310 R37 winbond wpc8769ldg MCP67 C4106 rtl8211b МКП-67 isl6251 рико r5c833 WPC8769LDG | |
SLG8SP512T Аннотация: ecs g41 СХЕМА ПЛАТЫ G995 nvidia MXM PC8769L Модель c4106 ISL6236 Quanta fds8884 ISL6251 | Оригинал | СТРАНИЦА02.СТР. 03. СТР. 05. СТР. 06. СТР. 08. СТРАНИЦА 11. СТР. 12. СТРАНИЦА 13. СТРАНИЦА 15. SLG8SP512T ЦЕПЬ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ ecs g41 g995 nvidia MXM PC8769L Модель c4106 ISL6236 кванты fds8884 ISL6251 | |
ISL6236 Аннотация: ISL6251 Quanta 3U22C Intel G41 MOTHERBOARD crb NB82801HBM SLG8SP512T PQ19 PME AC КОНДЕНСАТОР 152 IV LFE9249 | Оригинал | СТРАНИЦА02. СТР. 03. СТР. 05. СТР. 06. СТР. 08.СТРАНИЦА 11. СТР. 12. СТРАНИЦА 13. СТРАНИЦА 15. ISL6236 ISL6251 кванты 3U22C материнская плата intel G41 crb NB82801HBM SLG8SP512T PQ19 КОНДЕНСАТОР ПЕРЕМЕННОГО ТОКА PME 152 IV LFE9249 | |
c4137 Аннотация: c6067 C4106 c2539 c06-15 Транзистор C2216 транзистор C4125 C4106 транзистор c2534 c4125 | Оригинал | 2002/95 / EC c4137 c6067 C4106 c2539 c06-15 Транзистор С2216 транзистор С4125 C4106 транзистор c2534 c4125 | |
2008 — C4151 Резюме: C0626A | Оригинал | 2002/95 / EC C4151 C0626A | |
и 12948 Аннотация: ISL6262 SLG8SP51 C4071 MS-1421 max8724e ENE3925 MS-14211 TPS51120 intel g41 msi | Оригинал | МС-1421 TPS51120 965ГМ-1 965ГМ-2 965ГМ-3 965ГМ-4 965ГМ-5 965ГМ-6 CH7307 SLG8SP512) an12948 ISL6262 SLG8SP51 C4071 max8724e ENE3925 МС-14211 TPS51120 intel g41 msi | |
mcp67m Резюме: MCP67MV MCP67D MCP67MV- A2 c5304 asus nvidia mcp67 C9236 ricoh r5c833 MCP67 | Оригинал | AMD / MCP67MV / MCP67D MCP67MV / D 33 МГц FDW2501 FDW2501 ISL6227 MAX8632 mcp67m MCP67MV MCP67D MCP67MV- A2 c5304 asus nvidia mcp67 C9236 рико r5c833 MCP67 | |
MCP67MV Аннотация: RTS5117 MCP67MV- A2 12VSUS IT8511TE D1703 D1804 D1803 asus F9DC | Оригинал | 16Mx16 Стр. 42 Стр.17 Стр.18 667 МГц Стр.11 G3-64 Стр. 40 MCP67MD Стр. 24 MCP67MV RTS5117 MCP67MV- A2 12VSUS IT8511TE D1703 D1804 D1803 asus F9DC | |
л.с. R8400 Аннотация: C4606 IT8511T ASUS T8010 R8120 G72MG3 st d1703 l 4609A Socket AM2 | Оригинал | ICS9LPR363CGLF -965PM — процессор -965PM — DDR2 / PEG -965PM — DDR2 -965PM — МОЩНОСТЬ -965PM — GND / обвязка MAX8632 MAX1844 MAX8743 HP R8400 C4606 IT8511T ASUS T8010 R8120 G72MG3 ул d1703 л 4609A Разъем AM2 | |
l9122 Аннотация: IT8510 ATI RC415ME ATI SB600 CON3602 X51RL ics951463 RC415ME asus L1208 | Оригинал | MAX6657MSA ICS951463 533 МГц RC415M 415MD: 02G110013320 415МЕ: 02G110013300 DDR2-533 IT8510 / 8511 l9122 IT8510 ATI RC415ME ATI SB600 CON3602 X51RL ics951463 RC415ME asus L1208 | |
TP2801 Аннотация: диод slg8sp513v tp806 RTM875N-606-VD-GR C5855 rtm875n-606 ST330U2D5VDM-13GP 92HD81B1X5 RTL8103 1SMB22AT3G-GP-U | Оригинал | M92-LP ISL6266A SLG8SP513VTRove R2218 R2220 C3005.R4108. PD3107 1SMB22AT3G. PC3208, TP2801 slg8sp513v диод tp806 RTM875N-606-VD-GR C5855 rtm875n-606 ST330U2D5VDM-13GP 92HD81B1X5 RTL8103 1SMB22AT3G-GP-U | |
Asus Аннотация: sk c4300 C4043 T3900 d1804 C1904 SK C4020 d2504 rts5117 ICS954310 | Оригинал | GEN-ICS954310 RTL8101E EC-IT8510E RST5117 SI9183 ISL6227 CM8562 TPS51116 MAX6260C MAX1844 Asus sk c4300 C4043 T3900 d1804 C1904 SK C4020 d2504 rts5117 ICS954310 | |
L9122 Аннотация: CON3602 12G04600479A ics951463 ATI SB600 asus IT8510 RC415ME ATI RC415ME c3506 | Оригинал | MAX6657MSA ICS951463 533 МГц RC415M 415MD: 02G110013320 415МЕ: 02G110013300 DDR2-533 IT8510 / 8511 L9122 CON3602 12G04600479A ics951463 ATI SB600 asus IT8510 RC415ME ATI RC415ME c3506 | |
C8816 Аннотация: ricoh r5c833 C2335 nvidia nb8 vga board IT8510 l3404 asus CON61 R5600 D8103 | Оригинал | Q8200 R8209 D8202 RB717F R8217 10 Ом C8213 U8200 R8206 C8211 C8816 рико r5c833 C2335 nvidia nb8 vga доска IT8510 l3404 asus CON61 R5600 D8103 | |
IT8752TE-L Аннотация: IT8752E c1514 cx1213 cx3804 d4511 J7001 IT8752TE JRST2001 it8752 | Оригинал | ICS9LPR363 MAX6657 965 вечера R5C833 ITE8752 06G042016011.R3001 JP3002. R3612, R3614, IT8752TE-L IT8752E c1514 cx1213 cx3804 d4511 J7001 IT8752TE JRST2001 it8752 | |
C4106 Транзисторы SANYO | Весвин Электроникс Лимитед
Электронный компонент C4106 запущен в производство компанией SANYO, входит в состав Transistors. Каждое устройство доступно в небольшом корпусе TO-220 и рассчитано на работу в расширенном температурном диапазоне от -40 ° C до 105 ° C (TA).
Категории- Транзисторы
- Производитель
- Панасоник (SANYO)
- Номер детали Veswin
- V1070-C4106
- Статус бессвинца / Статус RoHS
- Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
- Состояние
- Новое и оригинальное — заводская упаковка
- Состояние на складе
- Наличие на складе
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 13 мая — 18 мая (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA / CAD
- C4106 от SnapEDA
- Условия хранения
- Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности
Ищете C4106? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для C4106,
просмотреть подробную информацию, включая производителя C4106 и спецификации. Вы можете купить или узнать о C4106 прямо здесь, прямо сейчас.
Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные,
Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов,
который может включать C4106, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором C4106 полного цикла услуг для C4106.
У нас есть возможность закупить и поставить C4106 по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас!
- Q: Как заказать C4106?
- A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- Вопрос: Как платить за C4106?
- A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- Вопрос: Как долго я могу получить C4106?
- A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте. - Вопрос: C4106 Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- Вопрос: C4106 Техническая поддержка?
- A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке C4106, примечаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.
Время обработки ： Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.
- Гарантия 90 дней;
- Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
- Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
- Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
- Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: А: вернуть его и получить полный возврат средств или Б: получить частичное возмещение и оставить товар себе.
- Налоги и НДС не будут включены;
- Для получения более подробной информации просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
торговая площадка покупки / продажи для брокеров и дистрибьюторов электронных компонентов
Новые члены
STComponent Co., Ltd
(Тайвань)
2021-05-07
Ryosan
(Япония)
2021-05-07
HARRISON LABS INC
(США)
2021-05-07
msd
(Израиль)
2021-05-07
Shenzhen zhenxinyuan Electronics Co., Ltd
(Китай)
2021-05-06
TLS
(Южная Корея)
2021-05-06
Ryosan
(Япония)
2021-05-06
ANGSEMTECH
(Южная Корея)
2021-05-05
WOOJIN ELECTRONICS CO., LTD
(Южная Корея)
2021-05-03
после
(Аргентина)
2021-05-02
Shenzhen Sila Electronic Co.
(Китай)
2021-04-30
CEST CO., LTD
(Южная Корея)
2021-04-26
Shanghai Yiliu Electronic Design Center
(Китай)
2021-04-26
Сучжоу zixinyuan
(Китай)
2021-04-26
куб.
(Китай)
2021-04-25
GPN POWER CONVERSIONS (PVT.) LTD.
(Шри-Ланка)
2021-04-21
QianJiaWang Technology Development Co., Ltd.
(Китай)
2021-04-21
LAD SYSTEM SRL
(Италия)
2021-04-21
Conectelecom
(Израиль)
2021-04-20
( Япония)
2021-04-19
Нет
(Южная Корея)
2021-04-17
Wiseray Technology Limited.[[email protected]]
(Гонконг)
2021-04-16
Wiseray Industrial Limited. [[email protected]]
(Гонконг)
2021-04-16
Sem-Electronics
(Польша)
2021-04-15
Dien Cong Nghiep My Duyen
(Швейцария)
2021-04 -15
pro-castle electronics co., Ltd
(Китай)
2021-04-13
MobiTec Co., Ltd.
(Южная Корея)
2021-04-12
Daiei Musen Denki Co ., Ltd
(Япония)
2021-04-09
CPO Corporation (HK) Ltd
(Гонконг)
2021-04-08
Ratts TV and Electro Repair.
(США)
2021-04-07
Поиск
может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
| Обзор продукта | ||
| Название продукта | Искать | |
| Доступное количество | Возможна немедленная отправка | |
| Модель NO. | ||
| Код ТН ВЭД | 8529 | 0 |
| Минимальное количество | От одного куска | |
| Атрибуты продукта | ||
| Категории | ||
| идентификатор товара | ||
| артикул | ||
| gtin14 | ||
| mpn | ||
| Состояние детали | Активный | |
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация для отслеживания |
|---|---|---|
| Плоская транспортировка | 30-60 дней | Не доступен |
| Заказная Авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| DHL / EMS / FEDEX / TNT | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления. | ||
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.
Лист данных или технические спецификации в формате PDF доступны по запросу для загрузки.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
| Наша основная продукция | ||
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, переменные R |
| Аудио специального назначения | Принадлежности | Реле |
| Часы / синхронизация | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Diacs, Sidacs | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Индукторы, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — Драйверы ворот | БТИЗ | Кристаллы и генераторы |
| Линейный | JFET-транзисторы (полевой эффект перехода) | Разъемы, межкомпонентные соединения |
| Логика | Полевые транзисторы РФ | Конденсаторы |
| Память | РЧ Транзисторы (БЮТ) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Симисторы |
Какая цена?
Какой способ оплаты?
Что такое возврат и замена?
Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?
Когда вы пришлете мне детали?
Как разместить заказ?
Предлагаете ли вы техническую поддержку?
Предлагаете ли вы гарантию?
Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?
По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!
Поиск в технических таблицах электронных компонентов в мире
Datasheet4u.net
Datasheet4u занимает 343 667 место в США. «Datasheet4U.net — Всемирный поисковый сайт электронных компонентов!»
343,667 Рейтинг в США
202,049 Мировой рейтинг
| Просмотренные страницы за месяц | 297,675 | |
| Посещений за месяц | 119,070 | |
| Ценность на посетителя | ||
| Ориентировочная стоимость | 86 319 долларов.14 | |
| Внешние ссылки | 233 | |
| Количество страниц | 600 |
Последнее обновление: 16.04.2018. Расчетные данные, прочтите отказ от ответственности.
Посетители
| Страна | Страна Рейтинг | Пользователи% | Просмотры страниц% |
| Другие страны | 53,70% | 56,10% | |
|---|---|---|---|
| Иран | 19528 | 7.50% | 9,70% |
| Индонезия | 48646 | 4,80% | 5,60% |
| Россия | 81,543 | 9,90% | 9,10% |
| Китай | 132% | 9,70% | |
| Индия | 229967 | 6,00% | 3,70% |
| США | 343,667 | 7,00% | 6.10% |
Он наиболее популярен в странах, США, Индии, Китае, России, Индонезии и Иране.
СодержаниеКатегория: «Справочные материалы / Примечания по применению и спецификации»
Возраст: домену 12 лет и 3 месяца.
- Популярные страницы.
- лист данных4u.net 7447 datasheet pdf, 7447 datasheet pdf, 7447, 7447.pdf, 7447 pdf ..
- datasheet4u.net D1878 datasheet pdf, D1878 datasheet pdf, D1878, D1878.pdf, D1878 ..
, примерно 2363 посетителей в день. каждый просматривает в среднем 2,80 страницы.
Ссылки- Ссылки в
- 1wire.info Контроль температуры 1-Wire
- datasheet4u.com DataSheetDownLoad Center for DataSheet4U — World Electronic
- datasheet4u.com DataSheetDownLoad Center for DataSheet4U — World Electronic
- manualpdf.com Datasheet — World Electronic Components Datasheets Поиск по сайту!
- Ссылки из
- datasheet.net Datasheet.Net Datasheet Search Engine, Electronic Component
- semiconductorsdevices … Перекрестная ссылка на полупроводники (перекрестная ссылка) — www
- jestineyong.com Решена проблема с питанием в HP L1706 (PX8 ) LCD Monitor
- datasheet.co.kr Free DataSheet Site — сайт поиска технических данных для Electronic
| Расположение сервера | |
| Korea Telecom Seoul Korea 37.57, 127 | |
Среда языка программирования — PHP / 5.2.14. Korea Telecom Seoul — это местоположение сервера Apache / 2. Его серверы имён 1 — это ns.sellb.com.
IP: 222.122.6.83
Работает на: PHP / 5.2.14
Веб-сервер: Apache / 2
Кодировка: utf-8
