2SC4517 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC4517 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Единицы | |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 550 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 3,0/6,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,5 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 30 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В | — | — | 100 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 7 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 4 В, Ic = 1,0 A | 10 | — | 30 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А | — | — | 0,5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А | — | — | 1,2 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 12 В, Ie = 0,25 А | — | 6 | — | МГц |
| Cob | Выходная емкость | Vce = 10 В, F= 1 МГц | — | 35 | — | пФ |
| Tf | Время спада импульса | RI = 250 Ом, Ic = 1,0 A | — | — | 0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
| Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель | |
| TIP140 | NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS | Comset Semiconductors | |
| TIP31D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIP29F | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| BD241D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| BUV47 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL760 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL765 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIPL760 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIPL760B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| BUV47 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations |
ru.datasheetbank.com
| производитель | Номер в каталоге | Компоненты Описание | Посмотреть |
 Sanken Electric co.,ltd. | C4517 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor | |
 Inchange Semiconductor | C4517 | Silicon NPN Power Transistors | |
 SavantIC Semiconductor | C4517 | Silicon NPN Power Transistors | |
 Quanzhou Jinmei Electronic | C4517 | Silicon NPN Power Transistors | |
Inchange Semiconductor | C4517A | Silicon NPN Power Transistors | |
SavantIC Semiconductor | C4517A | Silicon NPN Power Transistors | |
Quanzhou Jinmei Electronic | C4517A | Silicon NPN Power Transistors | |
ru.datasheetbank.com
| Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель | |
| 2SA2031 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | SANYO -> Panasonic | |
| 2SA2063 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | SANYO -> Panasonic | |
| KSD5004 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR | Samsung | |
| KSD5013 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR | Samsung | |
| KSD5007 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR | Samsung | |
| KSD5005 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR | Samsung | |
| KSD5003 | Samsung | ||
| FJAF6810 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor | |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor | |
| KSC3233 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
ru.datasheetbank.com
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ
Партнер статьи: Electronoff.ua Справочники радиодеталей |
elwo.ru
2SC4706 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SC4706 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 14/28 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 7,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 130 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В | — | — | 100 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 7 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 4 В, Ic = 7,0 A | 10 | — | 25 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 7,0 A, Ib = 1,4 А | — | — | 0,5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 7,0 A, Ib = 1,4 А | — | — | 1,2 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 12 В, Ie = 1,5 А | — | 6 | — | МГц |
| Cob | Выходная емкость | Vce = 10 В, F= 1 МГц | — | 160 | — | пФ |
| Tf | Время спада импульса | RI = 35,7 Ом, Ic = 7,0 A | — | — | 0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
Транзистор BC548. Характеристики, распиновка, datasheet — Уголок радиолюбителя
Транзистор BC548 — это биполярный NPN транзистор общего применения, разработанный Philips. Первоначально он маркировался как BC108 и имел металлический корпус (TO-18). Затем он приобрел пластиковый корпус и имел маркировку BC148, до тех пор, пока он не стал выпускаться в корпусе TO-92 (также известным как SOT-54 ) с маркировкой BC548.
Этот транзистор является частью семейства транзисторов с почти схожими характеристиками, которыми являются BC546, BC547, BC549,BC550, BC548.
Разница между этими транзисторами — максимальное рабочее напряжение. Кроме того, транзисторы BC549 и BC550 имеют очень низкий уровень шума и используются в схемах со слабым сигналом. Чтобы упростить объяснение, будем использовать название BC54x при описании всего семейства.
Характеристики семейства транзисторов BC548
Все члены семейства BC548 выдерживают выходные токи (ток между коллектором и эмиттером) до 100 мА, а максимальное напряжение зависит от модели, как мы это можем видеть на следующем рисунке.
Здесь видно, что диапазон рабочих напряжений в зависимости от модели составляет от 30В до 65В. Если наша схема питается от напряжения 5В, 12В или 24В, мы можем использовать любую модель семейства без каких-либо проблем.
Максимальный постоянный ток 100 мА, а непродолжительный пиковый ток может достигать 200 мА. Важно уточнить, что некоторые производители, такие как Fairchild, выпустили транзистор BC548, который обеспечивает ток до 500 мА, однако он не соответствует стандартным характеристикам этого компонента (это можно увидеть на листе производителя Fairchild).
Это создало некоторую путаницу сред радиолюбителей о реальных возможностях транзистора BC548 . Чтобы не рисковать, рекомендуем вам соблюдать ограничение в 100 мА, указанное для стандартной модели.
Транзисторы серии BC54x имеют превосходный коэффициент усиления (hFE) от 110 до 800. В конце маркировки транзистора можно видеть букву, которая служит для более точного определения диапазона усиления. Если буква отсутствует, то коэффициент усиления охватывает весь возможный диапазон (от 110 до 800) . В следующей таблице приведены значения hFE для транзисторов серии BC54x соответствующее последней букве кода.
При проектировании электронной схемы, обычно берется в расчет минимальный коэффициент усиления. Это гарантирует правильную работу схемы при любых обстоятельствах, даже если транзистор будет заменен другим подобным.
В случае BC548 все модели семейства взаимозаменяемы, за исключением нескольких случаев (в схемах с высоким рабочим напряжением или очень низким уровнем сигнала в схемах усиления). Ниже представлена распиновка BC548:
Частотная характеристика BC548
Вся серия BC54x имеет хорошую частотную характеристику от 150 МГц до 300 МГц . Частотная характеристика обозначается аббревиатурой fT и является максимальной частотой, на которой транзистор имеет коэффициент усиления не менее 1.
Это связано с тем, что чем выше частота, тем ниже коэффициент усиления транзистора из-за емкостной составляющей (около 5 пФ в нашем случае).
Если нам нужно работать с очень высокими частотами (более МГц), удобно использовать высокочастотные транзисторы, например, транзисторы из серии BF вместо BC.
Схожесть между 2N2222 и BC548. Распиновка
Транзистор BC548 и его семья очень похожи на историческую серию 2N2222 ( в настоящее время выпускаемые в пластиковом корпусе TO-92 под маркировкой PN2222 ). Отличие в распиновке 2N2222 от BC548 — коллектор и эмиттер поменяны местами. Если необходимо заменить BC54x на 2N2222 или наоборот, необходимо просто развернуть корпус транзистора на 180 градусов вокруг базы.
Версии для SMD монтажа (BC848)
Эквивалентом BC548 для поверхностного монтажа (SMD) является серия BC848 . Полный ряд эквивалентов для всего семейства можно видеть на следующем рисунке
Версии для поверхностного монтажа имеют корпус типа SOT23, а распиновка выводов приведена на следующем рисунке.
Комплементарной парой транзистора BC548 (NPN) является транзистор BC558 (PNP).
Скачать datasheet BC548 (скачено: 88)
источник
fornk.ru
