Какие ключевые характеристики имеет транзистор C4793. Где он применяется в электронных схемах. Каковы его основные параметры и предельные значения. Чем C4793 отличается от аналогов.
Основные характеристики и применение транзистора C4793
Транзистор C4793 (также известный как 2SC4793) представляет собой мощный NPN кремниевый транзистор эпитаксиального типа. Он разработан компанией Toshiba Semiconductor и предназначен для использования в усилителях мощности и драйверных каскадах.
Каковы ключевые особенности C4793?
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер: 230 В
- Большой ток коллектора: до 1 А
- Высокая частота перехода: 100 МГц (типовое значение)
- Корпус TO-220 для эффективного теплоотвода
- Комплементарная пара с транзистором 2SA1837
Эти характеристики делают C4793 отличным выбором для аудиоусилителей высокой мощности, импульсных источников питания и других приложений, требующих обработки больших токов и напряжений на высоких частотах.
Предельные эксплуатационные параметры C4793
При проектировании схем с использованием C4793 важно учитывать его абсолютные максимальные значения. Каковы основные ограничения?
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 230 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 230 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 1 А
- Максимальный ток базы (IB): 0,1 А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (PC): — 2,0 Вт при температуре корпуса 25°C — 20 Вт при температуре кристалла 25°C
- Максимальная температура перехода (Tj): 150°C
- Диапазон температур хранения (Tstg): от -55°C до 150°C
Соблюдение этих ограничений критически важно для обеспечения надежной и долговременной работы транзистора в вашей схеме.
Электрические характеристики C4793 в нормальных условиях
Какие параметры характеризуют работу C4793 при нормальной температуре 25°C?
- Ток утечки коллектора (ICBO): не более 1,0 мкА при VCB = 230 В
- Ток утечки эмиттера (IEBO): не более 1,0 мкА при VEB = 5 В
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CEO): минимум 230 В при IC = 10 мА
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): 100-320 при VCE = 5 В, IC = 100 мА
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): не более 1,5 В при IC = 500 мА, IB = 50 мА
- Напряжение база-эмиттер (VBE): не более 1,0 В при VCE = 5 В, IC = 500 мА
- Частота перехода (fT): типовое значение 100 МГц при VCE = 10 В, IC = 100 мА
- Выходная емкость коллектора (Cob): типовое значение 20 пФ при VCB = 10 В, f = 1 МГц
Эти параметры помогают разработчикам точно рассчитать поведение транзистора в различных режимах работы и оптимизировать его использование в схеме.
Особенности применения C4793 в усилителях мощности
Транзистор C4793 часто используется в выходных каскадах усилителей мощности. Какие преимущества он предоставляет в этой области?
Высокое напряжение коллектор-эмиттер (230 В) позволяет создавать усилители с большим размахом выходного сигнала, что важно для достижения высокой выходной мощности. Способность работать с током коллектора до 1 А обеспечивает возможность управления низкоомными нагрузками, такими как громкоговорители.
Высокая частота перехода (100 МГц) гарантирует хорошие характеристики усилителя на высоких частотах, что важно для обеспечения широкой полосы пропускания и низких искажений в аудиодиапазоне.
Корпус TO-220 обладает хорошими теплоотводящими свойствами, что позволяет эффективно отводить тепло при работе на больших мощностях. Это особенно важно в компактных конструкциях усилителей, где пространство для радиаторов ограничено.
Сравнение C4793 с аналогичными транзисторами
Как C4793 соотносится с другими транзисторами в своем классе? Рассмотрим несколько популярных альтернатив:
- 2SC5200: Имеет более высокий максимальный ток коллектора (15 А), но меньшее напряжение коллектор-эмиттер (180 В).
- 2SC3858: Обладает схожими характеристиками по напряжению и току, но имеет меньшую частоту перехода (80 МГц).
- 2SC5242: Предлагает более высокую частоту перехода (130 МГц), но уступает по максимальному напряжению коллектор-эмиттер (180 В).
C4793 выделяется своим балансом между высоким рабочим напряжением, достаточно большим током и хорошими высокочастотными характеристиками, что делает его универсальным выбором для многих приложений.
Рекомендации по монтажу и эксплуатации C4793
Какие меры предосторожности следует соблюдать при работе с C4793?
- Обеспечьте адекватный теплоотвод. Используйте термопасту и правильно подобранный радиатор для эффективного охлаждения.
- Соблюдайте правила работы с устройствами, чувствительными к статическому электричеству. C4793, как и другие полупроводниковые приборы, может быть поврежден статическим разрядом.
- При пайке соблюдайте температурный режим. Избегайте перегрева выводов транзистора, используйте теплоотвод при монтаже.
- В схеме предусмотрите защиту от перенапряжений и токовых перегрузок для увеличения надежности и срока службы транзистора.
Соблюдение этих рекомендаций поможет максимально использовать потенциал C4793 и обеспечить его долговременную и стабильную работу в вашем устройстве.
Оптимизация схем с использованием C4793
Как можно оптимизировать схемы, использующие транзистор C4793? Рассмотрим несколько ключевых аспектов:
Выбор рабочей точки
Правильный выбор рабочей точки критически важен для оптимальной работы C4793. Рекомендуется устанавливать ток покоя в диапазоне 20-50 мА для класса AB, что обеспечивает хороший баланс между линейностью и тепловыделением.
Температурная стабилизация
Для обеспечения стабильной работы при изменении температуры рекомендуется использовать схему температурной компенсации. Это может быть реализовано с помощью термистора или диода, установленного на радиаторе транзистора.
Частотная коррекция
Высокая частота перехода C4793 может привести к самовозбуждению усилителя. Для предотвращения этого рекомендуется использовать RC-цепочки в цепи базы и коллектора для ограничения полосы на высоких частотах.
Защита от перегрузок
Несмотря на высокую устойчивость C4793 к нагрузкам, рекомендуется реализовать схему защиты от перегрузок по току и напряжению. Это может быть достигнуто с помощью быстродействующих предохранителей и схем ограничения напряжения на базе стабилитронов.
Применение этих методов оптимизации позволит создать надежные и высокопроизводительные устройства на базе транзистора C4793.
Перспективы развития и альтернативы C4793
Какие тенденции наблюдаются в развитии мощных транзисторов и какие альтернативы могут появиться в будущем?
Хотя C4793 остается популярным выбором для многих приложений, индустрия полупроводников не стоит на месте. Наблюдаются следующие тенденции:
- Развитие технологий на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), которые обеспечивают более высокую эффективность и плотность мощности.
- Увеличение интеграции, приводящее к появлению модулей, объединяющих несколько транзисторов и вспомогательных компонентов в одном корпусе.
- Совершенствование корпусов транзисторов для улучшения теплоотвода и уменьшения паразитных параметров.
- Развитие цифровых методов управления и коррекции характеристик усилителей, что может изменить требования к самим транзисторам.
Несмотря на эти тенденции, транзисторы типа C4793 вероятно будут оставаться востребованными ещё долгое время, особенно в областях, где важна надежность и проверенность технологий.
| Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
| 2SC5750 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЧ ТРАНЗИСТОР | Ренесас | ПДФ |
| 2SC5751 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЧ ТРАНЗИСТОР | Ренесас | ПДФ |
| NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЧ ТРАНЗИСТОР | Ренесас | ПДФ | |
| БИТ54А | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Frontier Electronics | ПДФ |
| БИТ54А | Высокоэффективные выпрямители | ЛГЭ | ПДФ |
| БИТ54А-ЛФР | 1A ВЫПРЯМИТЕЛЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ | Frontier Electronics | ПДФ |
| БИТ54Б | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Фронтир Электроникс | ПДФ |
| БИТ54Б | Высокоэффективные выпрямители | ЛГЭ | ПДФ |
| БИТ54Б-ЛФР | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Фронтир Электроникс | ПДФ |
| БИТ54Д | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Frontier Electronics | ПДФ |
| БИТ54Д | Высокоэффективные выпрямители | ЛГЭ | ПДФ |
| БИТ54Д-ЛФР | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Frontier Electronics | ПДФ |
| БИТ54Г | 1A СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Фронтир Электроникс | ПДФ |
| БИТ54Г | Высокоэффективные выпрямители | ЛГЭ | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |
C4793 Спецификация — транзистор NPN (230 В, 1 А)
Posted on by Diode
C4793 — транзистор NPN. Этот полупроводниковый транзистор используется в усилителях мощности
Номер детали: C4793, 2SC4793
Функции: Кремниевый транзистор NPN
Упаковка: TO-220 Тип
Производитель: Toshiba Semiconductor 7
90 ИзображениеТексты в PDF-файле:
Кремниевый транзистор TOSHIBA NPN эпитаксиального типа 2SC4793 Применение усилителя мощности Применение усилителя драйверного каскада 2SC4793 Единица измерения: мм • Высокая частота перехода: fT = 100 МГц (тип.
) • Дополняет 2SA1837 Абсолютные максимальные номинальные значения (Tc = 25°C) Характеристики Обозначение Номинальное значение Единица измерения Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток базы Рассеиваемая мощность коллектора Ta = 25°C Tc = 25°C VCBO VCEO VEBO IC IB PC 230 В 230 В 5 В 1 А 0,1 А 2,0 Вт 20 JEDEC ― Температура перехода Диапазон температур хранения Tj 150 °C Tstg от −55 до 150 °C JEITA TOSHIBA ― 2-10R1A значительное изменение веса: 1,7 г (тип.) температура и т. д.) может привести к значительному снижению надежности данного изделия, даже если условия эксплуатации (т. е. рабочая температура/ток/напряжение и т. д.) находятся в пределах абсолютных максимальных значений . Спроектируйте соответствующую надежность, изучив Справочник по надежности полупроводников Toshiba («Меры предосторожности при обращении»/Концепция и методы снижения номинальных характеристик) и отдельные данные о надежности (например, отчет об испытаниях надежности и расчетную частоту отказов и т.
д.). 1 2006-11-10 Электрические характеристики (Tc = 25°C) Характеристики Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коэффициент усиления по постоянному току Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение база-эмиттер Частота перехода Выходная емкость коллектора Символ Испытание Состояние ICBO IEBO V (BR) CEO hFE VCE (sat) VBE fT Cob VCB = 230 В, IE = 0 VEB = 5 В, IC = 0 IC = 10 мА, IB = 0 VCE = 5 В, IC = 100 мА IC = 500 мА, IB = 50 мА VCE = 5 В, IC = 500 мА VCE = 10 В, IC = 100 мА VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц Маркировка 2SC4793 мин Тип. Макс. единица ― ― 1,0 мкА ― ― 1,0 мкА 230 ― ― В 100 ― 320 ― ― 1,5 В ― ― 1,0 В ― 100 ― МГц ― 20 ― пФ Tc = 25°C)
Абсолютные максимальные значения (Ta=25°C)
1. Напряжение между коллектором и базой: Vcbo = 230 В
2. Напряжение между коллектором и эмиттером: Vceo = 230 В
3. Напряжение между эмиттером и Базовое напряжение: Vebo = 5 В
4. Ток коллектора: Ic = 1 A
5. Общее рассеивание: Pc = 0,1 A
6.
Похожие записи
