Что представляет собой транзистор КТ639. Каковы основные параметры и характеристики КТ639. Для чего применяется КТ639 в электронных схемах. Какие существуют аналоги КТ639.

Общая характеристика транзистора КТ639

Транзистор КТ639 представляет собой биполярный транзистор p-n-p типа средней мощности. Это кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, предназначенный для работы в импульсных и переключающих схемах широкого применения. КТ639 выпускается в нескольких модификациях (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), отличающихся некоторыми электрическими параметрами.

Основные характеристики транзистора КТ639:

• Структура: p-n-p
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 1-1,25 Вт
• Максимальный ток коллектора: 1,5-2 А
• Максимальное напряжение коллектор-база: от 30 В до 100 В (зависит от модификации)
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 80 МГц
• Статический коэффициент передачи тока: от 40 до 400 (зависит от модификации)

Особенности конструкции и корпуса КТ639

Транзистор КТ639 выпускается в пластмассовом корпусе ТО-126 (КТ-27). Это корпус для монтажа в отверстия печатной платы. Корпус имеет три вывода — эмиттер, база и коллектор. Коллекторный вывод соединен с металлической площадкой корпуса для улучшения теплоотвода.

Расположение выводов транзистора КТ639 (вид со стороны выводов):

1. Эмиттер
2. Коллектор
3. База

Металлическая площадка корпуса электрически соединена с коллектором, что нужно учитывать при монтаже.

Основные электрические параметры КТ639

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора КТ639:

Максимально допустимые параметры

• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1-1,25 Вт (в зависимости от модификации)
• Постоянный ток коллектора: 1,5-2 А
• Напряжение коллектор-база: от 30 В до 100 В
• Напряжение эмиттер-база: 5 В

Статические характеристики

• Статический коэффициент передачи тока h21э: от 40 до 400 (при Uкэ = 2В, Iк = 150 мА)
• Обратный ток коллектора Iкбо: не более 0,1 мкА (при Uкб = 30В)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 1 В

Динамические характеристики

• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 80 МГц
• Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ (при Uкб = 10В)

Области применения транзистора КТ639

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ639 находит широкое применение в различных электронных устройствах:

• Импульсные схемы и генераторы
• Усилители низкой и средней частоты
• Драйверы светодиодов и ламп
• Схемы управления электродвигателями
• Источники питания
• Зарядные устройства
• Преобразователи напряжения
• Коммутационные схемы

КТ639 особенно удобен для применения в импульсных и переключающих схемах благодаря высокой граничной частоте и хорошим динамическим характеристикам.

Аналоги транзистора КТ639

Транзистор КТ639 имеет множество отечественных и зарубежных аналогов. Выбор конкретного аналога зависит от модификации КТ639 и требований схемы. Вот некоторые распространенные аналоги:

• КТ639А: BD136, BD227, KC636
• КТ639Б: BD136-10, MPS-U52
• КТ639В: BD136-16, BCX51-16
• КТ639Г: BD138, BD229, KC638
• КТ639Д: BD138-10, BCX52-10
• КТ639Е: BD140, BD231, 2SB1169A
• КТ639Ж: BD140-10, BCX53-10, 2N6730
• КТ639И: 2SA966, BCP69

При выборе аналога следует внимательно сравнивать параметры, так как они могут отличаться от параметров КТ639.

Особенности применения КТ639 в электронных схемах

При использовании транзистора КТ639 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

• Теплоотвод: При работе на максимальной мощности необходимо обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора.
• Статическое электричество: КТ639 чувствителен к статическому электричеству, поэтому требуется соблюдать меры предосторожности при монтаже.
• Режим работы: Для обеспечения надежной работы транзистора рекомендуется выбирать режим с запасом по току и напряжению.
• Частотные свойства: При работе на высоких частотах следует учитывать паразитные емкости и индуктивности выводов.

Сравнение характеристик различных модификаций КТ639

Транзистор КТ639 выпускается в нескольких модификациях, отличающихся электрическими параметрами. Рассмотрим основные различия:

Модификация	Uкбо max, В	h21э
КТ639А	45	40-100
КТ639Б	45	63-160
КТ639В	45	100-250
КТ639Г	60	40-100
КТ639Д	60	63-160
КТ639Е	100	40-100
КТ639Ж	100	60-100
КТ639И	30	180-400

Как видно из таблицы, модификации различаются максимальным напряжением коллектор-база и коэффициентом усиления по току. Это позволяет выбрать оптимальный вариант для конкретной схемы.

Рекомендации по выбору модификации КТ639 для различных применений

При выборе конкретной модификации КТ639 следует учитывать требования схемы:

• Для высоковольтных применений подойдут КТ639Е и КТ639Ж с максимальным напряжением коллектор-база 100 В.
• Для схем, требующих высокого коэффициента усиления, оптимальным выбором будет КТ639И с h21э до 400.
• Для общего применения в низковольтных схемах можно использовать КТ639А, КТ639Б или КТ639В.
• Если требуется компромисс между напряжением и усилением, подойдут КТ639Г и КТ639Д.

Выбор конкретной модификации также зависит от доступности компонентов и требований к унификации элементной базы устройства.

C639 Даташит, C639 PDF Даташиты

производитель	Номер в каталоге	Компоненты Описание	Посмотреть
Powerbox	C639	500 WATTS (AC) DC/DC SINGLE OUTPUT
Unspecified	KC639	Transistor
ON Semiconductor	BC639_2007	High Current Transistors
ON Semiconductor	BC639G_2007	High Current Transistors
Micro Commercial Components	BC639-10	NPN Epitaxial Silicon Transistors
Micro Commercial Components	BC639-10_2011	NPN Epitaxial Silicon Transistors
ON Semiconductor	BC639-16_2007	High Current Transistors
Micro Commercial Components	BC639-16	NPN Epitaxial Silicon Transistors
Micro Commercial Components	BC639-16_2011	NPN Epitaxial Silicon Transistors
ON Semiconductor	BC639RL1G_2007	High Current Transistors
ON Semiconductor	BC639RL1G	High Current Transistors

ru.datasheetbank.com

BC639 транзистор (0639 NPN 0100mA 0080V TO-92 BC639 LGE)

1. Продукция
2. Транзисторы
3. BC …

Производитель: LGE

Код товара: Т0000009013

Маркировка: C639

Количество приборов:

Параметры

Наименование	Значение	Единица измерения	Режим изменения
Проводимость	NPN
Функциональное назначение выводов	1=E 2=K 3=B
Напряжение коллектор-эмиттер	80	Vdc	@25*C
Напряжение коллектор-база	100	Vdc	@25*C
Напряжение эмиттер-база	5	Vdc	@25*C
Ток коллектора max	1	A	@25*C
Обратный ток коллектора	100	nA	@Vcb=30Vdc@Ie=0
Обратный ток эмиттера	100	nA	@Veb=5Vdc@Ic=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ	63…250		@Ik=2mA@Vce=5V
Граничная частота	100	MHz	@Ic=10mA@Vce=5V
Мощность рассеивания	830	mW	@25*C
Температура рабочая	-65…+150	*C

elcom.zp.ua

BC639 транзистор (0639 NPN 0100mA 0080V TO-92 BC639 NXP)

1. Продукция
2. Транзисторы
3. BC …

Производитель: NXP

Код товара: Т0000006909

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры

Наименование	Значение	Единица измерения	Режим изменения
Проводимость	NPN
Функциональное назначение выводов	1=E 2=K 3=B
Напряжение коллектор-эмиттер	80	Vdc	@25*C
Напряжение коллектор-база	100	Vdc	@25*C
Напряжение эмиттер-база	5	Vdc	@25*C
Ток коллектора max	1	A	@25*C
Обратный ток коллектора	100	nA	@Vcb=30Vdc@Ie=0
Обратный ток эмиттера	100	nA	@Veb=5Vdc@Ic=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ	63…250		@Ik=2mA@Vce=5V
Граничная частота	100	MHz	@Ic=10mA@Vce=5V
Мощность рассеивания	830	mW	@25*C
Температура рабочая	-65…+150	*C

elcom.zp.ua

Высокое качество bc640 BC639 50 шт. для каждого элемента bc640b bc639b NPN PNP кремниевый транзистор 92 Триод Мощность транзисторы 100 шт….|transistor 100pcs|transistor to-92|to-92 transistor

Имеющиеся	BC640
Семья	Транзисторы (bjt)-одинарные
Серии	—
Транзисторы Тип	PNP
Ток-коллекционер (IC) (MAX)	1A
Напряжение-коллекционный излучатель срыв (макс)	80 В
Насыщенность vce (макс) IB, IC	500mV 50mA, 500mA
Ток-коллекционер Цоколь (макс)	—
Dc Ток усиления (hfe) (MIN) IC, vce	40 150мА, 2 В
Мощность-max	1 Вт
Частота-Переход	100 мГц
Монтаж Тип	Через отверстие

Информация об оплате
Мы принимаем Escrow сервис только. Спасибо!

Упаковка информации
Сафти упаковка с пластиковой сумкой и толстыми коробками.

Бесплатная доставка
1) под $299 USD через авиапочту
2) Более $299 USD через Express (DHL/UPS/FedEx и EMS)
3) Если заказать более $299 долларов, мы выберем для вас одну эспанду. Пожалуйста, поймите, покупатель

Не могу выбрать доставку метордов.
Однако, если у вас есть какие-либо особые требования, пожалуйста, сообщите нам, мы постараемся вам помочь.

Политика Возврата
Мы вернем вам возврат, если вы возвращаете товар в первоначальном состоянии в течение 15 дней после

Чек по любой причине. Но покупатель должен нести стоимость доставки, чтобы вернуть товар.

Отзывы клиентов
Пожалуйста, оставьте нам отзыв при получении заказа. Положительные отзывы очень

Важно для нас. Если вас не устраивает по какой-либо причине. Пожалуйста, свяжитесь с нами перед отъездом

Отрицательный отзыв. Мы постараемся удовлетворить вас.

Вопросы и ответы

Придется ли мне взимать налоги или пошлины на импорт?
A: в нескольких странах мира вы должны платить налоги на Импортируемые товары. Иногда товары

По определенной стоимости, или в определенных категориях, не несут налогов. Правила разные в

Каждой стране. В любой стране Правила часто применяются по-разному в разных местах,

И иногда довольно случайно. Как покупатель, вы обязаны нести налоги на импорт.

Как можно получить бесплатную доставку курьером?
A: сделать заказ $299 или больше, чтобы получить бесплатную доставку. Пожалуйста, будьте understnad, если место много

Заказы на встречу 299 USD, мы не можем послать по экспресс. Итак, пожалуйста, поставьте все товары, которые вам нужны

В один заказ, наконец-то представим весь заказ и сделайте один платеж.

ru.aliexpress.com

Транзистор КТ639 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ639А		FXT51SM *3, CTN636 *3, BD372A6 *1, BD370A6 *1, KC636 *3, BD136-6 *1, BD227 *1, KD840 *1, BD136 *1, KD136A *1, KD136 *1
		КТ639Б		BD136-10 *1, KD136B *1, BD372A10 *1, MPS-U52 *3, BD370A10 *1
		КТ639В		BD136-16 *1, BD372A16 *1, KD136C *1, BD370A16 *1, BCX51-16 *3, СХ958 *3
		КТ639Г		BD370B6 *1, BD372B6 *1, FXT52SM *3, ВСХ52 *3, КС638 *3, BD138-6 *1, BD229 *1, BD828-6 *1, BD138 *1, BD842 *1, KCY38 *3, ВС161А *3, ВС161 *3, KD138A *1, KD138 *1
		КТ639Д		BD372B10 *1, BD370B10 *1, 2SB1169Q *1, BCX52-10 *3, BC161-10 *3, BSV16-6 *3, BD138-10 *1, BD828-10 *1, KD138B *1
		КТ639Е		BDC02D *1, 2N5679 *3, КС640 *3, BD372C6 *3, BD370C6 *3, 2SB1169AR *3, 2SB1169А *3, SDT3504 *1, BD140-6 *1, BD231 *1, BD830-6 *3, BD830-10 *3, BD140 *1, BD844 *1, KD140A *3, KD140 *3
		КТ639Ж		2N6730 *3, 2SA815О *3, 2SA815 *3, BD140-10 *1, ВСР53-10 *3, BSV17-10 *3, NTE25 *3, ECG25 *3, ВСХ53-10 *3, BD372C10 *3
		КТ639И		2SA966 *1, ВСР69Т1 *3, ВСР69-25 *3, BCP69 *3
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ639А	—	1(12.5*)	Вт
		КТ639Б	—	1(12.5*)
		КТ639В	—	1(12.5*)
		КТ639Г	—	1(12.5*)
		КТ639Д	—	1(12.5*)
		КТ639Е	—	1
		КТ639Ж	—	1
		КТ639И	—	1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ639А	—	≥80	МГц
		КТ639Б	—	≥80
		КТ639В	—	≥80
		КТ639Г	—	≥80
		КТ639Д	—	≥80
		КТ639Е	—	≥80
		КТ639Ж	—	≥80
		КТ639И	—	≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ639А	—	45	В
		КТ639Б	—	45
		КТ639В	—	45
		КТ639Г	—	60
		КТ639Д	—	60
		КТ639Е	—	100
		КТ639Ж	—	100
		КТ639И	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ639А	—	5	В
		КТ639Б	—	5
		КТ639В	—	5
		КТ639Г	—	5
		КТ639Д	—	5
		КТ639Е	—	5
		КТ639Ж	—	5
		КТ639И	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ639А	—	1.5(2*)	А
		КТ639Б	—	1.5(2*)
		КТ639В	—	1.5(2*)
		КТ639Г	—	1.5(2*)
		КТ639Д	—	1.5(2*)
		КТ639Е	—	1.5(2*)
		КТ639Ж	—	1.5(2*)
		КТ639И	—	1.5(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ639А	30 В	≤0.1	мкА
		КТ639Б	30 В	≤0.1
		КТ639В	30 В	≤0.1
		КТ639Г	30 В	≤0.1
		КТ639Д	30 В	≤0.1
		КТ639Е	30 В	≤0.1
		КТ639Ж	30 В	≤0.1
		КТ639И	30 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ639А	2 В; 0.15 А	40…100*
		КТ639Б	2 В; 0.15 А	63…160*
		КТ639В	2 В; 0.15 А	100…250*
		КТ639Г	2 В; 0.15 А	40…100*
		КТ639Д	2 В; 0.15 А	63…160*
		КТ639Е	2 В; 0.15 А	40…100*
		КТ639Ж	2 В; 0.15 А	60…100*
		КТ639И	2 В; 0.15 А	180…400*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ639А	10 В	≤50	пФ
		КТ639Б	10 В	≤50
		КТ639В	10 В	≤50
		КТ639Г	10 В	≤50
		КТ639Д	10 В	≤50
		КТ639Е	10 В	≤50
		КТ639Ж	10 В	≤50
		КТ639И	10 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ639А	—	≤1	Ом, дБ
		КТ639Б	—	≤1
		КТ639В	—	≤1
		КТ639Г	—	≤1
		КТ639Д	—	≤1
		КТ639Е	—	≤1
		КТ639Ж	—	≤1
		КТ639И	—	≤1
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ639А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ639Б	—	—
		КТ639В	—	—
		КТ639Г	—	—
		КТ639Д	—	—
		КТ639Е	—	—
		КТ639Ж	—	—
		КТ639И	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ639А	—	≤200*	пс
		КТ639Б	—	≤200*
		КТ639В	—	≤200*
		КТ639Г	—	≤200*
		КТ639Д	—	≤200*
		КТ639Е	—	≤200*
		КТ639Ж	—	≤200*
		КТ639И	—	≤200*

rudatasheet.ru