Чем заменить транзистор: Аналоги и замена зарубежных транзисторов — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Чем заменить RJP30h3A, аналоги транзистора RJP30h3A IGBT, аналог

Заменить транзистор RJP30h3A IGBT можно:

Маркировка	Struct	Pc	Uce	Ucesat	Ueg	Ic	Tj	Fr	Cc	Caps
IGB50N60T	N-Channel	333W	600V	1.5V		100A				D2PAK(TO263)
IXGA12N60CD1	N-Channel		600V			40A	150	55		TO263
IXGA20N100	N-Channel		1000V			40A	150	3		TO263
IXGA20N60B	N-Channel		600V			40A	150	100		TO263
IXGA36N60A3	N-Channel		600V	1. 4V		A		325		TO263
IXGA48N60A3	N-Channel		600V	1.35V		A		224		TO263
IXGA48N60B3	N-Channel		600V	1.8V		280A		116		TO263
IXGA50N60B4	N-Channel		600V	1.8V		100A		80		TO263
IXXA50N60B3	N-Channel		600V	1.8V		120A		135		TO263
RJH60V3BDPE	N-Channel	113	600	1.6	30	35	150	20	60	TO263
RJP30h3A	N-Channel	60	360	1.9	30	35	150	180	60	TO263

Ниже представлены характеристики аналогов.

IGB50N60T – IGBT

Наименование: IGB50N60T
Маркировка: G50T60
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Корпус: D2PAK(TO263)

IXGA12N60CD1

Наименование: IXGA12N60CD1
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 55

Корпус: TO263

IXGA20N100 — IGBT

Наименование: IXGA20N100
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 3
Корпус: TO263

IXGA20N60B — IGBT

Наименование: IXGA20N60B
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 100
Корпус: TO263

IXGA36N60A3 — IGBT

Наименование: IXGA36N60A3
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.
4V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): A
Время нарастания: 325
Корпус: TO263

IXGA48N60A3

Наименование: IXGA48N60A3
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): A
Время нарастания: 224
Корпус: TO263

IXGA48N60B3 — IGBT

Наименование: IXGA48N60B3
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 280A
Время нарастания: 116
Корпус: TO263

IXGA50N60B4 — IGBT

Наименование: IXGA50N60B4
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1. 8V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Время нарастания: 80
Корпус: TO263

IXXA50N60B3 — IGBT

Наименование: IXXA50N60B3
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A
Время нарастания: 135
Корпус: TO263

RJH60V3BDPE — IGBT

Наименование: RJH60V3BDPE
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 113
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 20
Емкость коллектора (Cc), pf: 60
Корпус: TO263

RJP30h3A — IGBT

Наименование: RJP30h3A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1. 9
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 180
Емкость коллектора (Cc), pf: 60
Корпус: TO263

чем заменить традиционные планарные транзисторы / Хабр

Обсуждаем альтернативы подходы к разработке полупроводниковых изделий.

/ фото Taylor Vick Unsplash

В прошлый раз мы говорили о материалах, которые могут заменить кремний в производстве транзисторов и расширить их возможности. Сегодня обсуждаем альтернативные подходы к разработке полупроводниковых изделий и какое применение они найдут в дата-центрах.

Пьезоэлектрические транзисторы

Такие устройства имеют в своей структуре пьезоэлектрический и пьезорезистивный компоненты. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые. Второй — поглощает эти звуковые волны, сжимается и, соответственно, открывает или закрывает транзистор.

В качестве пьезорезистивного вещества используется селенид самария (слайд 14) — в зависимости от давления он ведет себя или как полупроводник (с высоким сопротивлением), или как металл.

Одними из первых концепцию пьезоэлектрического транзистора представили в IBM. Инженеры компании занимаются разработками в этой области еще с 2012 года. Также в этом направлении работают их коллеги из Национальной физической лаборатории Великобритании, университета Эдинбурга и Оберна.

Пьезоэлектрический транзистор рассеивает значительно меньшее количество энергии, чем кремниевые устройства. В первую очередь технологию планируют применять в небольших гаджетах, от которых сложно отводить тепло — смартфонах, радиоприборах, радарах.

Также пьезоэлектрические транзисторы могут найти применение в серверных процессорах для дата-центров. Технология повысит энергоэффективность аппаратного обеспечения и позволит сократить расходы операторов ЦОД на ИТ-инфраструктуру.

Туннельные транзисторы

Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта.

Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.

Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.

/ фото PxHere PD

В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.

Спиновые транзисторы

Их работа основана на перемещении спинов электронов. Движутся спины с помощью внешнего магнитного поля, упорядочивающего их в одном направлении и формирующего спиновый ток. Устройства, работающие с таким током, потребляют в сто раз меньше энергии, чем кремниевые транзисторы, и могут переключаться со скоростью миллиард раз в секунду.

Главным достоинством спиновых приборов является их многофункциональность. Они совмещают функции накопителя информации, детектора для её считывания и коммутатора для её передачи другим элементам чипа.

Считается, что первыми концепцию спинового транзистора представили инженеры Суприйо Датта (Supriyo Datta) и Бисваджит Дас (Biswajit Das) в 1990 году. С тех пор разработками в этой области занялись крупные ИТ-компании, например Intel. Однако, как признают инженеры, спиновые транзисторы еще нескоро появятся в потребительских продуктах.

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой.

Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

По оценкам разработчиков, рабочая частота транзисторов нового типа превысит сотни гигагерц. Выход технологии в массы расширит возможности вычислительных систем и увеличит производительность серверов в дата-центрах.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок.

О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

VMware EMPOWER 2019: делимся впечатлениями
Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
Развитие дата-центров: технологические тренды
Как повысить энергоэффективность дата-центра
Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
«Как дела у VMware»: обзор новых решений

Замена транзистора — Как сделать лучший выбор

При ремонте электронных систем или электронных устройств найти точную замену сложно. В большинстве случаев вам придется использовать заменители. Тем не менее, вы должны убедиться, что замена является подходящей заменой. То же самое также применимо, когда вы хотите заменить транзистор. Существует много типов биполярных транзисторов и силовых транзисторов. Поэтому при замене вы можете не найти именно тот вид, который был у вас раньше.

Но вы можете найти эффективный транзистор, который по функциональности не уступает предыдущему. Мы расскажем вам, как выбрать подходящую замену транзистора для различных типов приложений.

Каковы основы замены транзистора?

Рис. 1. Несколько транзисторов

Объединенный технический совет по электронным устройствам (JEDEC) присваивает уникальные номера схемы транзисторов (TO) разным транзисторам. Они жизненно важны для определения типа транзистора, с которым вы имеете дело.

Впрочем, при замене они не слишком важны. Обычно многие транзисторы общего назначения эффективно заменяют их. Следовательно, вы можете использовать любой транзистор при замене, если он соответствует основным характеристикам.

Но вы должны убедиться, что новый транзистор соответствует спецификациям первого. Таким образом, самое главное — правильно указать спецификации. В следующем разделе мы подробно рассмотрим эти параметры.

Основные параметры транзисторов, которые следует учитывать

Рисунок 2. Ассортимент транзисторов

Используемый полупроводниковый материал

Наиболее распространенные типы транзисторов, с которыми вы столкнетесь, изготовлены из кремния или германия. Вы также можете часто встретить другие типы, но они распространены только в специализированных приложениях.

Используете ли вы биполярные транзисторы или полевой транзистор, вы должны идентифицировать полупроводник. Цель состоит в том, чтобы гарантировать, что используемое вами падение напряжения прямого смещения база-эмиттер.

Если вы используете кремниевые транзисторы, падение напряжения будет примерно 0,6 вольта. С другой стороны, напряжение коллектора для германиевого транзистора составляет от 0,2 до 0,3. Большую часть времени стабильность схемы будет зависеть от падения напряжения. Следовательно, вы не можете позволить себе ошибиться в выборе полупроводникового материала.

Полярность

Рис. 3: Техник держит клеммы аккумулятора

Вы также должны соблюдать правильную полярность, особенно при использовании переходных транзисторов. Они используют различные функциональные возможности соединений. В соединениях N-типа вы обнаружите избыток электронов, а в соединениях P-типа — избыток дырок.

У нас есть транзисторы NPN и PNP. Первый имеет область P, зажатую между двумя зонами N. И наоборот, у другого N-зона была заперта между двумя P-зонами.

Также следует отметить, что в любом из транзисторов центральной частью является база (B). Другими важными частями являются излучатель (E) и коллектор (C). Применение небольшого тока между коллектором и базой повлияет на выходной ток на эмиттере.

Следовательно, для получения правильного тока коллектора необходимо соблюдать правильную полярность. Полярность в данном случае зависит от того, является ли транзистор NPN или PNP. Как видно из приведенной ниже принципиальной схемы, ток движется в определенном порядке на каждом типе. Поэтому, когда вы подключаете не тот транзистор, вы инвертируете полярность. В результате транзистор не сработает.

Рис. 4. Иллюстрация NPN и PNP.

Общее применение

Рис. 5: Печатная плата

Идеальный запасной транзистор должен подходить для общего применения. Он должен быть применим для низкого уровня шума, усиления радиочастот и переключения среди других общих приложений. Следовательно, выберите тот, который предназначен для использования в общих приложениях для совместимости.

Упаковка и распиновка

Рисунок 6: Техник ремонтирует цепь

Все транзисторы имеют специальные корпуса. Крайне важно найти пакет, максимально соответствующий первому. Соответствие соответствующего пакета также необходимо для соблюдения других важных параметров.

Пробой напряжения

Рис. 7: Линия электропередачи

Транзистор имеет ограничение по максимальному напряжению или напряжение пробоя (BV). Превышение лимита уничтожит устройство. Следовательно, при выборе транзистора вы можете выбрать более высокий, чем оригинал.

Коэффициент усиления по току

Как правило, вы столкнетесь с широким диапазоном значений коэффициента усиления по току транзистора. При выборе транзистора пусть его коэффициент усиления по току будет аналогичен модели, которую вы заменяете. Если коэффициент усиления выше, то проблем нет, и транзистор будет работать эффективно. Более низкий коэффициент усиления может быть приемлемым, но транзистор, скорее всего, выйдет из строя.

Предельная частота

Рис. 8: Представление формы сигнала

Соблюдение предельной частоты транзистора необходимо для обеспечения его функциональности. При правильном ограничении частоты рассматриваемая схема будет работать эффективно.

Рассеиваемая мощность

При работе транзистор рассеивает некоторое количество тепла. Максимальная мощность – это наибольшее количество тепла, которое устройство будет выделять без сгорания. Вы можете установить радиаторы и вентиляторы в свою схему, чтобы улучшить рассеивание тепла транзистором.

Однако для оптимальной функциональности выберите класс транзисторов с максимальной номинальной мощностью, аналогичной исходной.

Лучшее решение для замены

Рисунок 9: Изометрические электронные компоненты Транзисторы

Действия:

Выберите транзистор той же полярности.
Выберите замену транзистора из того же материала
Выберите транзистор того же функционального типа
Выберите замену в том же корпусе.

Рисунок 10: Несколько электронных компонентов

Получить замену с аналогичной распиновкой и корпусом оригиналу может быть сложно. Но постарайтесь получить тот, который максимально похож.

Для больших транзисторов потребуются другие компоненты, например радиаторы. Следовательно, они будут влиять на функциональность схемы. Следовательно, выбор наиболее похожего пакета является обязательным.

Подберите новый транзистор с таким же напряжением пробоя
Проверьте, выдержит ли он ток.
Выберите транзистор с аналогичным коэффициентом Hfe

Hfe представляет коэффициент усиления транзистора по току. При выборе замены выбирайте тот, у которого такой же Hfe. Часто для большинства транзисторов коэффициент усиления по току является переменным. Это произойдет даже для однотипных транзисторов. Поэтому вам не обязательно выбирать один с определенным значением. Но вы должны убедиться, что он находится в пределах диапазона.

Выберите транзистор с похожим Hfe

Hfe представляет коэффициент усиления транзистора по току. При выборе замены выбирайте тот, у которого такой же Hfe. Для большинства транзисторов недавнее увеличение является переменным, и это произойдет даже для транзисторов того же типа. Поэтому вам не обязательно выбирать один с определенным значением. Но вы должны убедиться, что он находится в пределах диапазона.

Выберите замену транзистора с эквивалентным Ft

Рис. 11: Сложная электронная схема

Выбор правильной частоты также является обязательным шагом при выборе замены транзисторов. Новый должен быть либо близким, либо иметь более высокий частотный предел, чем исходный. Однако избегайте очень высокой частоты, чтобы избежать возможного риска колебаний.

Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью

Во время работы транзистор будет рассеивать тепло. Следовательно, вы должны убедиться, что он не сгорел, выбрав замену транзистору с соответствующей рассеиваемой мощностью. Она может быть аналогична оригиналу или даже немного выше.

Проверьте наличие специальных функций.

Если вы собираетесь использовать транзистор для какой-либо конкретной цели, вам необходимо проверить наличие специальных функций. В противном случае простой транзистор не заменит транзистор с функцией выбора.

Заключение

Заменить транзистор несложно, но необходимо правильно определить некоторые особенности. Мы изложили все критические императивы этого процесса. Следуйте каждому из них, и вы вернете своей схеме ее первоначальную функциональность.

Если у вас есть другие вопросы, свяжитесь с нами. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Замена транзистора

	Транзистор Замена

Выпайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени тратится на выяснение того, какой из них заменить, а иногда и на что заменить!

Оригинальный транзистор может нуждаться в специальном заказе или быть снят с производства и недоступен. Зная, как замена другого типа транзистора может ускорить ремонт, или сделать возможным ремонт, который в противном случае был бы невозможен.

Типы транзисторов

Транзисторам присваиваются зарегистрированные номера типов компанией Joint Electron Device. Инженерный совет (JEDEC). Номер типа часто печатается на транзистор, хотя производители продуктов иногда печатают свои собственные номера деталей вместо. В этом случае руководство по обслуживанию продукта или список деталей могут предоставить ты с транзисторным типом.

Если у вас нет этого конкретного типа, перекрестная ссылка транзистора Книга иногда может помочь вам найти совместимую деталь. Но у вас уже может быть подходящая замена в ящиках с запчастями.

Мы располагаем наш запас транзисторов не по их номеру типа, а по их технические характеристики Это упрощает доступ к ящикам наличие хороших кандидатов на замену.

Вы можете найти характеристики транзистора в таблицах данных, доступных в Интернете. Используйте свой браузер для поиска типа транзистора JEDEC или используйте поисковую систему, например AllDataSheet.com.

Первая спецификация, которую следует рассмотреть, — это Transistor Outline. Это единственный Спецификация, которую вы действительно можете увидеть.

Контуры транзистора

Номер схемы транзистора, или от до , относится к транзистору. физические размеры, форма и стиль крепления. Здесь показаны некоторые номера ТО:

Схема транзистора обычно не говорит вам, какой из трех выводов транзистора подключается к клемме базы (B), клемме эмиттера (E) или клемме коллектора (C). Тем не менее, паспорт транзистора покажет вам это.

Если расположение выводов небольшого замещающего транзистора отличается от чем у оригинала, иногда можно согнуть выводы транзистора друг относительно друга, чтобы направить их в правильные отверстия в печатной плате. Просто используйте трубку для спагетти. на проводах, чтобы они не касались друг друга.

Биполярные транзисторы (BJT)

«Биполярный транзистор», технически «биполярный переходной транзистор» или BJT, является общей разновидностью транзистора.

В «биполярных» транзисторах в качестве носителей заряда используются как электроны, так и дырки (электронные вакансии).

Следующие электрические характеристики важны при выборе замены BJT.

Полярность

Транзисторы «Junction» используют поведение переходов между «N-типом» и Полупроводники «P-типа». Полуфабрикаты N-типа содержат избыточные электроны в то время как полуфабрикаты P-типа содержат избыток отверстия.

Транзисторы NPN помещают P-область между двумя N регионов, создавая два стыка. Точно так же транзисторы «PNP» поместите область N между две П-области.

Центральная область называется базой (символ B). Небольшой ток между эмиттером (символ Е) и базой контролируется больший ток между эмиттером и коллектором (символ C).

Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (NPN или PNP), что и транзистор. оригинал. Если у него неправильная полярность, он не будет работать должным образом в его цепи.

Максимальное напряжение

Если к транзистору приложено напряжение, превышающее максимальное номинальное, он может быть безвозвратно поврежден. При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя ( BV ), электроны начинают лавинообразно скапливаться в транзисторе.

Во время лавины электроны в областях P-N-перехода ускоряются до энергий настолько высоких, что они сталкиваются со связанными электронами с достаточно силы, чтобы освободить их, создав дополнительные носители заряда и значительно умножают ток транзистора.

Существует три напряжения пробоя:

В _СВ — максимальное напряжение на выводах Коллектор-База
В _CE — максимальное напряжение на выводах коллектор-эмиттер
В _EB — максимальное напряжение на выводах Emitter-Base

В каждом из этих рейтингов 3-й терминал считается электрически разомкнут (не подключен). В _КЭ , например, может быть записано как V _CEO , BV _CEO или наиболее правильно как V _(BR)CEO .

Рейтинг V _EB обычно не является фактором при выборе замены транзистора.

V _CB всегда больше или равно V _CE и ты можешь используйте любое из этих максимальных напряжений для сравнения транзисторов. Выбирать замещающий транзистор с номинальным напряжением пробоя не ниже исходного.

Максимальный ток

Максимальный ток — это максимальный непрерывный ток коллектора ( I _C ) которые транзистор может выдержать без необратимого повреждения.

Малый, ТО-92 или ТО-98 транзисторов, в зависимости от их изготовления, могут обрабатывать примерно 100 и 1000 мА. Пакет ТО-5 может быть рассчитан на 5 ампер; ТО-220 до 25 А; и ТО-3, до 500 А.

Обязательно выберите замещающий транзистор с максимальным номинальным током не ниже как оригинал.

Максимальная мощность

Максимальная мощность, называемая P _D , представляет собой общую мощность, которую транзистор может рассеять через тепло, не сгорая.

Радиаторы и вентиляторы увеличивают рассеивающую способность транзистора. нагревать. Транзистор ТО-5 с Р _Д из 3 Вт могут рассеивать 8-10 Вт с радиатором.

Выберите замещающий транзистор с максимальной номинальной мощностью, по крайней мере, такой же, как у оригинала.

Текущее усиление

Прирост тока только иногда бывает значительным при выборе замещающего транзистора. Фактическое усиление схемы зависит от других компонентов. Но если оригинальный транзистор имеет высокий коэффициент усиления, попробуйте подобрать его.

Коэффициент усиления по току падает на более высоких частотах, поэтому транзистор с высоким коэффициентом усиления может обеспечивают более широкую частотную характеристику, чем транзистор с низким коэффициентом усиления.

Одна мера усиления, называемая h _FE , часто используется для сравнение транзисторов. Заглавная буква FE относится к в F или вперед Коэффициент передачи постоянного тока в общем E Цепь миттера. Другими словами, I _C / I _B .

В технических паспортах часто указывается минимальное или типичное значение h _ФЭ , или же диапазон значений, который применяется при определенном токе коллектора (I _C).

Транзисторы Дарлингтона состоят из двух последовательно соединенных транзисторов. и иметь прибыль в тысячах, а не в десятках или сотнях. У них тоже есть двойник падение входного напряжения, так как есть два последовательно соединенных полупроводниковых перехода.

Не рекомендуется заменять транзистор Дарлингтона транзистором не Дарлингтона. типа или наоборот.

Полевые транзисторы (FET)

Полевые транзисторы (FET) используют электрическое поле для управления потоком заряда через канал проводимости. Как и в случае с BJT, ворота (символ G) — это терминал, который управляет ток транзистора.

Однако в полевом транзисторе управляемый ток протекает между исток транзистора (обозначение S) и его сток (обозначение D).

полевые транзисторы являются униполярными, не биполярный, использующий либо электроны, либо дырки в качестве носителей заряда, но не то и другое одновременно.

Полевые транзисторы встроены в те же схемы транзисторов, что и биполярные транзисторы, но их электрические характеристики отличаются:

Тип полевого транзистора

Полевые транзисторы бывают трех основных типов:

Тип А — Соединительно-затворный полевой транзистор (JFET)
Тип B — полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
«режим истощения»
Тип C — полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
«режим улучшения»

IGFET обычно называют MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET), потому что изначально все полевые транзисторы с изолированным затвором было ворота металлические покрытые оксидной изоляцией .

Сокращений FET сейчас предостаточно, но они только опишите, как построен или улучшен полевой транзистор; они не определяют новый базовый тип.

Каждый тип полевого транзистора может быть изготовлен как с N-типом, так и с P-типом. проводящий канал. Итак, всего имеется шесть типов полевых транзисторов. Ниже приведены их схемные символы:

Обязательно замените полевой транзистор того же типа, что и оригинал.

Максимальное напряжение

В спецификации полевого транзистора обычно указывается одно из следующих напряжений пробоя:

БВ _ГСС — напряжение пробоя между затвором и Клеммы источника при коротком замыкании стока на источник. (Этот рейтинг используется в основном с полевыми транзисторами JFET.)
БВ _ДСС — напряжение пробоя между Сток и клеммы Source при коротком замыкании затвора на исток. (Этот рейтинг используется в основном для мощных полевых МОП-транзисторов.)

Напряжение пробоя также можно записать как В _(BR)GSS или просто В _ГСС .

Вы можете использовать любое из вышеуказанных напряжений при сравнении полевых транзисторов. Только обязательно сравните яблоки с яблоками. Выберите полевой транзистор-заменитель с рейтингом не ниже исходного.

Текущий

I _DSS — это ток утечки сток-исток, часто предусмотренный для маломощных полевых транзисторов. Это постоянный ток, который течет в стоковую клемму, когда затвор к источнику напряжение равно нулю.

В устройстве обедненного типа I _DSS — ток во включенном состоянии. В устройство типа улучшения, это ток в выключенном состоянии. Обычно указываются минимальные и максимальные значения. Выберите замену с таким же общим диапазоном значений.

I _D (продолжение) , Непрерывный ток стока, обычно предназначен для силовых МОП-транзисторов. Это максимальный текущий рейтинг, поэтому выберите замену с рейтингом не ниже оригинала.

Максимальная мощность

P _D — общая мощность, которую полевой транзистор может рассеивать за счет тепла. Это та же спецификация, которая используется для биполярных транзисторов. Выбрать замену с рейтингом не ниже оригинала.

Сопротивление «Вкл.»

r _DS(on) это DC сопротивление между клеммами Drain и Source при указанном напряжение от затвора к истоку подается для смещения полевого транзистора в открытое состояние.

Для полевого транзистора с обеднением напряжение смещения затвор-исток может составлять 0 В (т. е. ворота к источнику короткие).

r _DS(on) может быть важным при замене силового МОП-транзистора.

Краткое содержание

Найти замену транзистору на замену несложно, если вы знаете спецификации оригинального транзистора и организуйте свои запасы по спецификациям, а не по номерам типов.