Что такое hFE на мультиметре и как им пользоваться: полное руководство

Что такое функция hFE на мультиметре. Как использовать hFE для проверки транзисторов. Как рассчитывается коэффициент усиления hFE. Для чего нужен тест hFE при работе с транзисторами.

Что такое hFE на мультиметре

hFE на мультиметре — это функция для измерения коэффициента усиления по току биполярных транзисторов. Данный параметр показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы транзистора.

Коэффициент hFE рассчитывается по формуле:

hFE = Ic / Ib

где:

• Ic — ток коллектора
• Ib — ток базы

Типичные значения hFE для биполярных транзисторов находятся в диапазоне от 50 до 400. Чем выше значение hFE, тем сильнее транзистор усиливает ток.

Для чего нужна функция hFE на мультиметре

Функция hFE на мультиметре применяется для следующих целей:

• Проверка работоспособности транзисторов
• Измерение коэффициента усиления транзисторов
• Подбор транзисторов с одинаковыми параметрами
• Диагностика неисправностей в электронных схемах

Измерение hFE позволяет быстро оценить усилительные свойства транзистора и определить, подходит ли он для конкретной схемы.

Как пользоваться режимом hFE на мультиметре

Чтобы измерить коэффициент hFE с помощью мультиметра, выполните следующие шаги:

1. Установите поворотный переключатель мультиметра в положение hFE
2. Определите тип проверяемого транзистора (NPN или PNP)
3. Вставьте выводы транзистора в соответствующие гнезда на мультиметре
4. Считайте показания hFE с дисплея прибора

Важно правильно определить выводы транзистора (эмиттер, база, коллектор) и подключить их к нужным гнездам мультиметра. Неправильное подключение может привести к неверным результатам измерения.

Интерпретация результатов измерения hFE

При измерении коэффициента hFE транзистора можно столкнуться со следующими ситуациями:

• Нормальное значение hFE (50-400) — транзистор исправен
• Слишком низкое hFE (менее 10) — транзистор неисправен или имеет утечку
• Слишком высокое hFE (более 1000) — возможно короткое замыкание
• Нестабильные показания — транзистор неисправен
• Отсутствие показаний — транзистор полностью вышел из строя

Конкретные допустимые значения hFE следует сверять с даташитом на проверяемый транзистор.

Ограничения метода измерения hFE мультиметром

Измерение hFE с помощью мультиметра имеет некоторые ограничения:

• Невысокая точность измерений
• Измерение только в одной рабочей точке
• Невозможность измерения динамических параметров
• Ограниченный диапазон измерения (обычно до 1000)

Для более точных измерений используются специальные измерители параметров транзисторов. Однако для быстрой проверки функция hFE мультиметра вполне подходит.

Проверка биполярных транзисторов методом hFE

Проверка биполярных транзисторов с помощью функции hFE осуществляется следующим образом:

1. Определите тип транзистора (NPN или PNP) и расположение выводов
2. Установите переключатель мультиметра в положение hFE
3. Вставьте выводы транзистора в соответствующие гнезда прибора
4. Считайте показания hFE с дисплея
5. Сравните полученное значение со справочными данными

Если измеренное значение hFE близко к справочному, транзистор считается исправным. Сильное отклонение указывает на неисправность.

Проверка полевых транзисторов

Функция hFE мультиметра не подходит для проверки полевых транзисторов, так как они управляются напряжением, а не током. Для проверки полевых транзисторов применяются другие методы:

• Измерение сопротивления каналов в закрытом и открытом состоянии
• Проверка изоляции затвора
• Измерение тока утечки затвора
• Проверка пороговых напряжений

Полевые транзисторы требуют более сложных методов диагностики по сравнению с биполярными.

Преимущества метода проверки hFE

Использование функции hFE мультиметра для проверки транзисторов имеет ряд преимуществ:

• Быстрота и простота измерений
• Возможность проверки транзисторов без выпаивания из схемы
• Не требуется дополнительное оборудование
• Позволяет выявить основные неисправности
• Подходит для экспресс-диагностики

Метод hFE удобен для оперативной проверки большого количества транзисторов.

Заключение

Функция hFE на мультиметре является полезным инструментом для диагностики и проверки биполярных транзисторов. Она позволяет быстро оценить усилительные свойства и работоспособность транзистора. Несмотря на некоторые ограничения, метод hFE широко применяется при ремонте и обслуживании электронной техники.

типы, режимы и инструкции, разбивка

Содержание

• 1 Типы, классификация транзисторов
• 2 Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме
• 3 Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим
• 4 Разбить биполярный транзистор на диоды
• 5 Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

Устройство транзисторов

1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор – два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.

Схема проверки транзистора

При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

1. B – база (англ. Base).
2. С – коллектор (англ. Collector).
3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h – касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие – просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

• Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
• Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

• Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
• Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.

Проверка диода

Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Как проверить транзистор мультиметром в режиме омметра и измерения hFE

Как проверить транзистор мультиметром в режиме омметра и измерения hFE

Gogetlinks 327348

Перейти к содержимому

Измерения 

04.04.201617.09.2016 shishkin 1 Комментарий

Транзистор – полупроводниковый прибор, основное назначение которого – использование в схемах для усиления или генерирования сигналов, а также для электронных ключей.

В отличие от диода, транзистор имеет два p-n-перехода, соединенных последовательно. Между переходами располагаются зоны, имеющие разную проводимость (типа «n» или типа «р»), к которым подключаются выводы для подключения. Вывод от средней зоны называется «базой», а от крайних – «коллектор» и «эмиттер».

Разница между зонами «n» и «p» состоит в том, что у первой есть свободные электроны, а у второй – так называемые «дырки». Физически «дырка» означает нехватку электрона в кристалле. Электроны под действием поля, создаваемого источником напряжения, двигаются от минуса к плюсу, а «дырки» — наоборот. При соединении между собой областей с разной проводимостью электроны и «дырки» диффузируют и на границе соединения образуется область, называемая p-n-переходом. За счет диффузии область «n» оказывается заряженной положительно, а «р» — отрицательно, а между областями с различной проводимостью возникает собственное электрическое поле, сосредоточенное в области p-n-перехода.

При подключении плюсового вывода источника к области «р», а минуса – к «n» его электрическое поле компенсирует собственное поле p-n-перехода, и через него проходит электрический ток. При обратном подключении поле от источника питания складывается с собственным, увеличивая его. Переход запирается, и ток через него не проходит.

[ads-pc-1][ads-mob-1]

В составе транзистора есть два перехода: коллекторный и эмиттерный. Если подключить источник питания только между коллектором и эмиттером, то ток через него не пойдет. Один из переходов оказывается запертым. Чтобы его открыть, на базу подается потенциал. В результате на участке коллектор-эмиттер возникает ток, который в сотни раз больше тока базы. Если при этом ток базы изменяется во времени, то ток эмиттера в точности повторяет его, но с большей амплитудой. Этим и обусловлены усилительные свойства.

В зависимости от комбинации чередования зон проводимости различают транзисторы p-n-p или n-p-n. Транзисторы p-n-p открываются при положительном потенциале на базе, а n-p-n – при отрицательном.

Рассмотрим несколько способов, как проверить транзистор мультиметром.

Проверка транзистора омметром

Поскольку в составе транзистора имеется два p-n-перехода, то их исправность можно проверить по методике, используемой для тестирования полупроводниковых диодов. Для этого его можно представить эквивалентом встречного соединения двух полупроводниковых диодов.

Критериями исправности для них является:

• Низкое (сотни Ом) сопротивление при подключении источника постоянного тока в прямом направлении;
• Бесконечно большое сопротивление при подключении источника постоянного тока в обратном направлении.

Мультиметр или тестер измеряют сопротивление, используя собственный вспомогательный источник питания – батарейку. Напряжение ее невелико, но его достаточно, чтобы открыть p-n-переход. Меняя полярность подключения щупов от мультиметра к исправному полупроводниковому диоду, в одном положении мы получаем сопротивление в сотню Ом, а в другом – бесконечно большое.

Полупроводниковый диод бракуется, если

• в обоих направлениях прибор покажет обрыв или ноль;
• в обратном направлении прибор покажет любую значащую величину сопротивления, но не бесконечность;
• показания прибора будут нестабильными.

При проверке транзистора потребуется шесть измерений сопротивлений мультиметром:

• база-эмиттер прямое;
• база-коллектор прямое;
• база-эмиттер обратное;
• база-коллектор обратное;
• эмиттер-коллектор прямое;
• эмиттер-коллектор обратное.

Критерием исправности при измерении сопротивления участка коллектор-эмиттер является обрыв (бесконечность) в обоих направлениях.

Коэффициент усиления транзистора

Различают три схемы подключения транзистора в усилительные каскады:

• с общим эмиттером;
• с общим коллектором;
• с общей базой.

Все они имеют свои характеристики, а наиболее распространена схема с общим эмиттером. Любой транзистор характеризуется параметром, определяющим его усилительные свойства – коэффициент усиления. Он показывает, во сколько раз ток на выходе схемы будет больше, чем на входе. Для каждой из схем включения имеется свой коэффициент, разный для одного и того же элемента.

В справочниках приводится коэффициент h31э – коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером.

Как проверить транзистор, измеряя коэффициент усиления

Одним из методов проверки исправности транзистора является измерение его коэффициента усиления h31э и сравнение его с паспортными данными. В справочниках дается диапазон, в котором может находиться измеренное значение для данного типа полупроводникового прибора. Если измеренное значение укладывается в диапазон, то он исправен.

Измерение коэффициента усиления производится еще и для подбора компонентов с одинаковыми параметрами. Это необходимо для построения некоторых схем усилителей и генераторов.

Для измерения коэффициента h31э мультиметр имеет специальный предел измерения, обозначенный hFE. Буква F обозначает «forward» (прямая полярность), а «Е» — схему с общим эмиттером.

Для подключения транзистора к мультиметру на его передней панели установлен универсальный разъем, контакты которого обозначены буквами «ЕВСЕ». Согласно этой маркировке подключаются выводы транзистора «эмиттер-база-коллектор» или «база-коллектор-эмиттер», в зависимости от их расположения у конкретной детали. Для определения правильного расположения выводов придется воспользоваться справочником, там же заодно можно узнать и коэффициент усиления.

Затем подключаем транзистор к разъему, выбрав предел измерения мультиметра hFE. Если его показания соответствуют справочным – проверяемый электронный компонент исправен. Если нет, или прибор показывает что-то невразумительное – транзистор вышел из строя.

Полевой транзистор

Полевой транзистор отличается от биполярного по принципу действия. Внутрь пластины кристалла одной проводимости («р» или «n») посередине внедряется участок с другой проводимостью, называемый затвором. По краям кристалла подключаются выводы, называемые истоком и стоком. При изменении потенциала на затворе изменяется величина токопроводящего канала между стоком и истоком и ток через него.

Входное сопротивление полевого транзистора очень большое, а вследствие этого он имеет большой коэффициент усиления по напряжению.

Как проверить полевой транзистор

Рассмотрим проверку на примере полевого транзистора с n-каналом. Порядок действий будет таким:

1. Переводим мультиметр на режим прозвонки диодов.
2. Плюсовой вывод от мультиметра подключаем к истоку, минусовой – к стоку. Прибор покажет 0,5-0,7 В.
3. Меняем полярность подключения на противоположную. Прибор покажет обрыв.
4. Открываем транзистор, подключив минусовой провод к истоку, а плюсовым коснувшись затвора. За счет существования входной емкости элемент остается открытым некоторое время, это свойство и используется для проверки.
5. Плюсовой провод перемещаем на сток. Мультиметр покажет 0-800 мВ.
6. Меняем полярность подключения. Показания прибора не должны измениться.
7. Закрываем полевой транзистор: плюсовой провод к истоку, минусовой – к затвору.
8. Повторяем пункты 2 и 3, ничего не должно измениться.

• ← Терморегулятор для электрического теплого пола
• Прокладка ретро проводки в деревянном доме →

Свежие записи

Что такое HFE на мультиметре (и как его можно использовать?)

Опубликовано: 11 мая 2022 г. Сэм Орловский

Категории Обучение

Метки Мультиметр

hFE — это единица измерения для определения коэффициента усиления по току (или усиления), который может обеспечить транзистор. Другими словами, hFE — это отношение между входным током и результирующим выходным током, и его можно использовать для определения того, насколько подходит конкретный транзистор для схемы или приложения.

hFE на мультиметре — это соотношение, которое измеряет увеличение или уменьшение напряжения между двумя точками, другими словами, «значение hFE на мультиметре указывает, какой ток может выдержать транзистор, прежде чем он начнет нагреваться и выходить из строя».

Например: когда входной ток составляет один вольт в точке A и один ампер входного тока в точке B, выходное напряжение будет равно одному амперу, умноженному на один вольт, умноженному на hFE. Если значение hFE равно 10, выходной ток будет десять ампер.

Видео | Обзор схемы

hFE – Определение

hFE = Ic/Ib

Чтобы разложить это уравнение, мы можем увидеть, что Ic – это «ток коллектора», а Ib – «ток базы». вместе мы получаем коэффициент усиления по току транзистора, который обычно называют hFE.

Что означает hFE?

hFE расшифровывается как «гибридный передний излучатель». В некоторых случаях он также известен как «форвардная бета-версия». Этот термин происходит от того факта, что отношение, которое оно представляет, представляет собой комбинацию двух разных измерений: в частности, сопротивления тока базы и сопротивления тока эмиттера. Они умножаются вместе, чтобы создать то, что мы знаем как hFE.

Для чего нужен тест hFE?

Тест измеряет усиление (или коэффициент усиления) транзистора. Усиление определяется как отношение выходного сигнала к входному сигналу. Его также часто называют «бета» (β). Транзистор действует как усилитель, увеличивая ток или напряжение на своем выходе по отношению к его входу, в то же время поддерживая постоянное выходное сопротивление. Чтобы определить, будет ли транзистор хорошо работать в приложении, необходимо проверить его усиление и сравнить его с требуемым для этого приложения. (1)

Видео | MHB Channel01

Как рассчитывается hFE?

hFE рассчитывается путем сравнения тока базы и тока коллектора. Эти два тока сравниваются с использованием тестера транзисторов, который позволяет проверить рассматриваемый транзистор. Тестер транзисторов удерживает ток базы на постоянном уровне, а затем измеряет ток коллектора, протекающий через него. Когда у вас есть оба этих измерения, вы можете рассчитать hFE.

Тем не менее, есть несколько важных предостережений по поводу этого метода проверки ваших транзисторов. Например, вы должны знать, что если вы измеряете группу транзисторов вместе, то они будут мешать показаниям друг друга. Это означает, что если вы хотите точно измерить значения hFE ваших транзисторов, то лучше тестировать их по одному. Хотя это может замедлить процесс тестирования, это также гарантирует точность результатов.

Каталожные номера
(1) Бета-версия – https://economictimes.indiatimes.com/definition/beta

Ссылки на видео

Дайджест схемы

MHB Channel01 9 0022

Насколько полезна была эта статья?

Сожалеем, что это не помогло!

Давайте улучшим этот пост!

Пожалуйста, сообщите нам, как мы можем улучшить эту статью.

О Сэме Орловском

Сертификаты: Б. Е.Е.
Образование: Университет Денвера – электротехника
Место проживания: Денвер Колорадо

Электротехника – моя страсть, и я работаю в этой отрасли уже более 20 лет. Это дает мне уникальную возможность дать вам экспертные рекомендации по благоустройству дома и DIY. Я не только электрик, но я также люблю машины и все, что связано со столярным делом. Один из путей моей карьеры начался с работы разнорабочим, так что у меня также есть большой опыт в обустройстве дома, которым я с удовольствием делюсь.

| Reach MeКатегории Learning Tags Мультиметр

Что такое hFE на мультиметре

hFE — это единица, используемая для измерения величины тока, усиливаемого транзисторами. Чем выше это число, тем лучше оно, вероятно, проявит себя в определенных типах приложений, поскольку иногда получаются более низкие значения при объединении двух разных источников электроэнергии, таких как, например, батареи и сетевые источники питания; однако слишком высокое значение может также указывать на проблемы с вашей установкой, потому что не вся электроника требует так много сока.

hFE на мультиметре измеряет, какой ток может выдержать электронный компонент, прежде чем он начнет нагреваться и выходить из строя. Например: когда один вольт входной мощности поступает в точку A, а два ампера выходят из точки B, на выходе у нас будет три вольта, потому что на выполнение этой транзакции уходит в десять раз больше энергии.

hFE – определение

hFE – это показатель того, насколько хорошо работают ваши транзисторы. Он рассчитывается путем деления Ic (ток коллектора) и Ib (ток базы), токов через активный элемент схемы относительно его напряжения питания или выбрасывания электроэнергии, когда это необходимо для работы, поэтому, если одно было выше другого, то вы можете ожидать более быстрое время отклика от этой части.

hFE = Ic/Ib

Что означает hFE?

hFE — это аббревиатура от «гибридный прямой излучатель». В некоторых случаях это было известно как «форвард-бета». Он представляет собой отношение двух измерений: сопротивление тока базы, умноженное на ток коллектора, излучающий диод (или поток электронов). Результат — h f e — представляет то, что мы теперь знаем как фактор «h», который помогает решить, насколько эффективным будет ваше устройство при потреблении электроэнергии.

Для чего нужен тест hFE?

Это важный фактор для понимания того, как работают транзисторы. Эффективность, или усиление, как ее еще называют, можно определить как отношение выходного сигнала к входному или β (бета). Отличный способ предсказать, будет ли он хорошо работать в конкретном приложении, — это проверить эти числа и убедиться, что они соответствуют требованиям этой конкретной задачи, прежде чем тратить время на их построение.

Как рассчитывается hFE?

hFE — это показатель того, насколько хорошо работают ваши транзисторы.