Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог
Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.
Параметры транзистора КТ817
| Uкбо | — max напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — max напряжение (импульсное) коллектор-база |
| Uкэо | — max напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — max постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — max импульсный ток коллектора |
| Pк | — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора |
| Pкmax т | — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором |
| h21э | — коэффициент усиления в схеме с ОЭ |
| Iкбо | — ток коллектора (обратный) |
| fгр | — граничная частота h21э в схеме с ОЭ |
| Uкэн | — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер |
Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…
Цоколевка КТ817
Аналог КТ817
- КТ817А – аналог BD433
- КТ817Б – аналог BD233
- КТ817В – аналог BD235
- КТ817Г – аналог BD237
Тип корпуса
ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г
DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
Маркировка КТ817
Пример маркировки транзистора:Специфика КТ817
• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C
• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816
Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 547)
Транзистор КТ817 – отечественный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры в пластмассовом корпусе. Используется в ключевых и линейных электрических схемах, блоках и модулях радиоэлектронной аппаратуры предназначенной для широкого использования.
Цоколевка транзистора КТ817
Транзистора КТ817 имеет 2 типа маркировки:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ817 цифра 7, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают год и месяц выпуска.
Характеристики транзистора КТ817
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h31э | fгр., МГц |
| КТ817А | 40 | 40 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б2 | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
| КТ817В | 60 | 60 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г2 | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816
Аналоги транзистора КТ817
КТ817А — BD433
КТ817Б — BD233
КТ817В — BD235
КТ817Г — BD237
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ817А | — | BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520 | ||
| КТ817Б | — | BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1 | |||
| КТ817В | — | BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1 | |||
| КТ817Г | — | BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3 | |||
| КТ817Б-2 | — | 2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2, BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 2SD1189F, 2SD235G-Y *1 | |||
| КТ817Г-2 | — | BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3 | |||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ817А | — | 25* | Вт |
| КТ817Б | — | 25* | |||
| КТ817В | — | 25* | |||
| КТ817Г | — | 25* | |||
| КТ817Б-2 | — | 25* | |||
| КТ817Г-2 | — | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ817А | — | ≥3 | МГц |
| КТ817Б | — | ≥3 | |||
| КТ817В | — | ≥3 | |||
| КТ817Г | — | ≥3 | |||
| КТ817Б-2 | — | ≥3 | |||
| КТ817Г-2 | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ817А | 1к | 40* | В |
| 1к | 45* | ||||
| КТ817В | 1к | 60* | |||
| КТ817Г | 1к | 100* | |||
| КТ817Б-2 | 1к | 45* | |||
| КТ817Г-2 | 1к | 100* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ817А | — | 5 | В |
| КТ817Б | — | 5 | |||
| КТ817В | — | 5 | |||
| КТ817Г | — | 5 | |||
| КТ817Б-2 | — | 5 | |||
| КТ817Г-2 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ817А | — | 3(6*) | А |
| КТ817Б | — | 3(6*) | |||
| КТ817В | — | 3(6*) | |||
| КТ817Г | — | 3(6*) | |||
| КТ817Б-2 | — | 3(6*) | |||
| КТ817Г-2 | — | 3(6*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ817А | 25 В | ≤0.1 | мА |
| КТ817Б | 45 В | ≤0.1 | |||
| КТ817В | 60 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Г | 100 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Б-2 | 40 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Г-2 | 40 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ817А | 2 В; 1 А | ≥25* | |
| КТ817Б | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ817В | 2 В;1 А | ≥25* | |||
| КТ817Г | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ817Б-2 | 5 В; 50 мА | ≥100* | |||
| КТ817Г-2 | 5 В; 50 мА | ≥100* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ817А | 10 В | ≤60 | пФ |
| КТ817Б | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817В | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Г | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Б-2 | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Г-2 | 10 В | ≤60 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ817А | — | ≤0.6 | Ом, дБ |
| КТ817Б | — | ≤0.6 | |||
| КТ817В | — | ≤0.6 | |||
| КТ817Г | — | ≤0.6 | |||
| КТ817Б-2 | — | ≤0.08 | |||
| КТ817Г-2 | — | ≤0.08 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ817А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ817Б | — | — | |||
| КТ817В | — | — | |||
| КТ817Г | — | — | |||
| КТ817Б-2 | — | — | |||
| КТ817Г-2 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ817А | — | — | пс |
| КТ817Б | — | — | |||
| КТ817В | — | — | |||
| КТ817Г | — | — | |||
| КТ817Б-2 | — | — | |||
| КТ817Г-2 | — | — |
КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.
Основные технические параметры транзистора КТ817
Обозначение на схеме КТ817Цоколёвка транзистора КТ817
Внешний вид транзистора на примере КТ817Г | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КТ817 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126
Назначение: КТ817 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
Комплементарная пара: КТ816
Аналог: BD233, BD235, BD237
Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ817: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные характеристики транзисторов КТ817: | |||
|---|---|---|---|
| Параметры | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ817(А-Г) | Uкб=2B, Iэ=1A | 25 | 275 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ817(А-Г) | Iк=1А, Iб=0.1A | 0.6В | |
| Предельные параметры транзисторов КТ817: | |||
| Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г | Rэб ≤ 1кОм | 40В 45В 60В 100В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ817 | 3А | ||
| Импульсный ток коллектора | tи ≤ 20 мс, Т/tи≥100 | 6А | |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | 1А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 50 °С | 25Вт | |
| Температура перехода | -60 | +150 | |
Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов
Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.
КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C
Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.
Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.
Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.
Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более
— 60 пФ.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в
— 115 пФ.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.
КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически
повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов
— «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных
каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)
На главную страницу
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PC817 IC Pinout, Характеристики, Эквивалент и Таблица
PC817 Конфигурация контактов
ПИН-код | ПИН-код | Описание |
1 | Анод | Анодный вывод ИК-светодиода.Подключен к логическому входу |
2 | катод | Катодный вывод ИК-светодиода. Подключен к земле |
3 | Излучатель | Вывод эмиттерного транзистора.Подключен к земле |
4 | Коллектор | Коллекторный вывод Транзистора. Обеспечивает логический вывод |
PC817 Особенности и характеристики
- Прямое напряжение входного диода
- : 1,25 В
- Коллектор-эмиттер Напряжение: 80 В (макс.)
- Ток коллектора: 50 мА (макс.)
- Частота среза: 80 кГц
- Время подъема: 18us
- Время падения: 18us
- Доступен в виде 4-контактного сквозного отверстия, а также в корпусе SMT.
Примечание: Более подробную информацию можно найти в техническом описании PC817 , которое доступно для загрузки в конце этой страницы.
PC817 IC Эквивалент
TLP321
Альтернативы Оптопары
MOC3021 (TRIAC с нулевым крестом), MOC3041 (TRIAC с нулевым крестом), FOD3180 (высокоскоростной MOSFET), MCT2E, 4N25
Где использовать PC817 IC
PC817 Photocoupler имеет транзистор, который управляется на основе света (фотона).Так что эта микросхема в основном имеет инфракрасный (инфракрасный) светодиод и фототранзистор внутри. Когда ИК-светодиод включен, свет от него падает на транзистор, и он проводит. Расположение и выводов ИК-светодиода и фототранзистора показаны ниже.
Эта микросхема используется для обеспечения электрической изоляции между двумя цепями, одна часть цепи подключена к ИК-светодиоду, а другая — к фототранзистору. Цифровой сигнал, подаваемый на ИК-светодиод, будет отражен на транзисторе, но между ними не будет жесткого электрического соединения.Это очень удобно, когда вы пытаетесь изолировать шумовой сигнал от вашей цифровой электроники, поэтому, если вы ищете микросхему, обеспечивающую оптическую изоляцию в вашей схеме, эта микросхема может быть правильным выбором для вас.
Как использовать PC817 IC
Использование PC817 IC довольно прямолинейно, нам просто нужно подключить анодный вывод ИК-светодиода (вывод 1) к логическому входу, который должен быть изолирован, и катод (вывод 2) ИК-сигнала привел к земля.Затем потяните коллекторный вывод транзистора с помощью резистора (здесь я использовал 1K) и подключите коллекторный вывод к выходу желаемой логической схемы. Эмиттер (контакт 4) заземлен.
Примечание: Линия заземления инфракрасного светодиода (контакт 2) и линия заземления транзистора (контакт 4) не будут соединены вместе. Вот где происходит изоляция.
Теперь, когда на логическом входе низкий уровень, ИК-светодиод не будет работать, и, следовательно, транзистор также будет в выключенном состоянии.Следовательно, выход логики будет оставаться высоким, это высокое напряжение может быть установлено в любом месте до 30 В (напряжение коллектора-эмиттера), здесь я использовал + 5 В. Там подтягивающий резистор 1К действует как нагрузочный резистор.
Но когда на входе логики установлен высокий уровень, это высокое напряжение должно составлять минимум 1,25 В (напряжение прямого диода), которое проводит ИК-светодиод, и поэтому фототранзистор также включается. Это закоротит коллектор и эмиттер, и, следовательно, напряжение логического выхода станет нулевым. Таким образом, логический вход будет отражен на логическом выходе и все еще обеспечивает и изоляцию между ними.Полная работа также может быть понята из файла GIF выше.
Другим важным параметром, который следует учитывать при использовании оптопары , является время нарастания (t r ) и время спада (t f ). Выходной сигнал не станет высоким, как только логика входа станет низкой, и наоборот. Приведенная ниже форма сигнала показывает время, необходимое для перехода выхода из одного состояния в другое. Для PC817 время нарастания (TPD HL ) и время спада (TPD LH ) составляет 18 мкс.
Приложения
- Электрические цепи изоляции
- Цепи коммутации ввода / вывода микроконтроллера
- Изоляция сигнала
- Цепи шумоподавления
- Изоляция цифровая от аналоговых цепей
- Ac / DC Power control
2D-модель
,
B817 Лист данных — 140 В, 12 А, PNP-транзистор
Номер детали: B817, 2SB817
Функция: 140 В / 12A / AF 60 Вт Выходные приложения
Упаковка: TO-3PB Тип
Производители: Sanyo Semicon Device
Изображение
Описание:
Описания в скобках предназначены только для 2SB817: иные описания, чем в скобках, являются общими для 2SB817 и 2SD1047.
Распиновка
Особенности
1.Возможность простой установки благодаря пластиковому корпусу с креплением в одной точке (взаимозаменяемо с TO-3).
2. Широкий ASO из-за сопротивления балласта на чипе.
3. Хорошая зависимость fT от тока и отличная высокочастотная характеристика.
Абсолютные максимальные значения при Ta = 25 ° C
1. Напряжение между коллектором и базой: VCBO = 160 В
2. Напряжение между коллектором и эмиттером: VCEO = 140 В
3. От эмиттера к базе Напряжение: VEBO = 6 В
4. Ток коллектора: IC = 12 А
5.Ток коллектора (импульсный): ICP = 15 A
6. Рассеяние коллектора: PC = 100 Вт
B817 Лист данных
Статьи по теме через сеть
.Конфигурация контактов
ПИН-код | ПИН-код | Описание |
1 | Коллектор | Ток течет через коллектор |
2 | База | Контролирует смещение транзистора |
3 | Излучатель | Ток вытекает через излучатель |
BC547 Особенности транзистора
- Биполярный NPN Транзистор
- Усиление постоянного тока (h FE ) составляет 800 максимум
- Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА Напряжение эмиттера
- (V BE ) составляет 6 В
- Базовый ток (I B ) составляет максимум 5 мА
- Доступный в Пакете To-92
Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных, приведенной в конце этой страницы.
BC547 Эквивалентные транзисторы
BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92 , 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200
Краткое описание BC547
BC547 является NPN-транзистором , следовательно, коллектор и эмиттер останутся открытыми (с обратным смещением), когда базовый контакт удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда на базовый контакт подается сигнал.BC547 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет мощность усиления транзистора. Максимальная величина тока, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключить нагрузки, которые потребляют более 100 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может позволить максимум 100 мА течь через коллектор и эмиттер.Эта ступень называется Область насыщения , и типичное напряжение, допустимое для коллектора-эмиттера (V CE ) или базового эмиттера (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы отключается, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки , а напряжение базового эмиттера может составлять около 660 мВ.
BC547 as Switch
Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше.Как уже говорилось, транзистор будет действовать как размыкающий переключатель во время прямого смещения и как закрытый выключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что больше 5 мА, убьет Транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым контактом. Значение этого резистора (R B ) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.
R B = V BE / I B
Где значение V BE должно быть 5 В для BC547 и базового тока (I B зависит от тока коллектора (I C ).Значение I B не должно превышать мА.
BC547 в качестве усилителя
A Транзисторы действуют как усилитель при работе в Active Region . Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.
Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:
- Усилитель с общим излучателем
- Усилитель с общим коллектором
- Общий базовый усилитель
Из вышеперечисленных типов распространенным типом излучателя является популярная и наиболее часто используемая конфигурация.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления постоянного тока транзистора можно рассчитать с помощью приведенных ниже формул
.Прирост постоянного тока = ток коллектора (I C ) / базовый ток (I B )
Приложения
- Модули драйвера, такие как драйвер реле, светодиодный драйвер и т. Д.
- Модули усилителя, такие как аудио усилители, усилители сигнала и т. Д.
- Дарлингтонская пара
2D модель компонента
Если вы проектируете PCD или Perf-плату с этим компонентом, то вам будет полезно узнать следующее изображение из таблицы данных, чтобы узнать тип и размеры упаковки.
TIP120 — это силовой транзистор NPN Дарлингтона. Он может переключать нагрузки до 60 В с пиковым током 8 А и постоянным током 5 А. Это делает его подходящим для электроники средней и высокой мощности, например, для управления двигателями, соленоидами или светодиодами высокой мощности.
Конфигурация контактов
Контактный номер | ПИН-код | Описание |
1 | База | Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора |
2 | Коллектор | Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке |
3 | Эмиттер | Ток Сливается через эмиттер, нормально подключенный к заземлению |
Особенности
- NPN Средней мощности Дарлингтон Транзистор
- Высокое усиление постоянного тока (hFE), обычно 1000
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 5А
- Напряжение коллектора-эмиттера (VCE) составляет 60 В
- Базовое напряжение коллектора (VCB) составляет 60 В
- Базовое напряжение излучателя (VBE) составляет 5 В
- Базовый ток (IB) составляет 120 мА
- Пиковый ток нагрузки 8А
- Доступен в упаковке To-220
Примечание. Полная техническая информация приведена в техническом описании TIP120 , приведенном в конце этой страницы.
TIP120 Эквивалентные транзисторы
TIP127 (PNP), 2N5306, 2N6532, 2SD1415, 2SD2495, BDT63, BDW2, KSB601, KSD560, MJF6388
Дополнительные транзисторы PNP
TIP125, TIP126, TIP127 (PNP)
Транзисторы той же семьи
TIP121, TIP122 (NPN)
Альтернативные NPN транзисторы
BC549, BC636, 2N2222A, BC547, 2N2219, 2N4401, 2N3904, BD139
TIP120 Обзор транзистора
TIP122 представляет собой NPN-транзистор пары Дарлингтона.Он функционирует как обычный NPN-транзистор, но, поскольку он имеет пару Дарлингтона внутри, он имеет хороший номинальный ток коллектора около 5А и усиление около 1000. Он также может выдерживать около 60 В на своем коллекторе-эмиттере, следовательно, может использоваться для управления тяжелыми грузы. Если вам нужно больше напряжения, вы можете проверить, что другой транзистор из того же семейства загорелся TIP122. Пара Дарлингтона внутри этого транзистора четко показана на схеме внутренней схемы ниже
Как вы можете видеть, внутри этого пакета TO-220 есть два транзистора, в которых эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а коллектор обоих транзисторов соединен вместе, образуя пару Дарлингтона.Это увеличивает коэффициент усиления по току и номинальный ток этого транзистора.
Где использовать Транзистор TIP120
Транзистор TIP120 известен своим высоким коэффициентом усиления по току (hfe = 1000) и высоким током коллектора (IC = 5A), поэтому он обычно используется для управления нагрузками с высоким током или в приложениях, где требуется высокое усиление. Этот транзистор имеет низкое напряжение базового эмиттера, всего 5 В, поэтому им легко управлять с помощью логического устройства, такого как микроконтроллеры.Хотя необходимо убедиться, что логическое устройство может выдавать напряжение до 120 мА.
Итак, если вы ищете транзистор, которым можно было бы легко управлять с помощью устройства логики для переключения мощных нагрузок или усиления высокого тока, этот транзистор может быть идеальным выбором для вашего приложения.
Приложения
- Может использоваться для переключения сильноточных (до 5 А) нагрузок
- Может использоваться в качестве переключателя средней мощности.
- Используется там, где требуется высокое усиление
- Контроль скорости Motors
- Инвертор и другие выпрямительные цепи
2D-модель
Размеры2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или на печатной плате.
,Похожие записи
